▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024086533
(43)【公開日】2024-06-27
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240620BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01G4/30 516
H01G4/30 311E
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023076351
(22)【出願日】2023-05-02
(31)【優先権主張番号】10-2022-0175793
(32)【優先日】2022-12-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】パク、ヒェ ジン
(72)【発明者】
【氏名】チョイ、ホン ジェ
(72)【発明者】
【氏名】ハン、ジ ヒェ
(72)【発明者】
【氏名】カン、ビュン ウー
(72)【発明者】
【氏名】ユン、 ス ユン
(72)【発明者】
【氏名】リー、サン ウーク
(72)【発明者】
【氏名】キム、ジュン ミン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC04
5E001AC09
5E001AD04
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF03
5E001AF06
5E001AH01
5E001AH05
5E001AH07
5E001AH09
5E001AJ01
5E082AB03
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082GG10
5E082GG11
5E082JJ02
5E082PP10
(57)【要約】 （修正有）
【課題】導電性樹脂層の電気的連結性を向上させる積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品の本体に配置される導電性樹脂層を含む外部電極において、導電性樹脂層１３１ｂは、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうち少なくとも一つを含む導電性粒子３１ａ及び樹脂３１ｂを含み、導電性樹脂層の第１、第２方向の断面において、Ｃｕ粒子（金属粒子３１ａ１）、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５（第１金属間化合物３１ａ２）が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％である。
【選択図】図５
【解決手段】積層型電子部品の本体に配置される導電性樹脂層を含む外部電極において、導電性樹脂層１３１ｂは、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうち少なくとも一つを含む導電性粒子３１ａ及び樹脂３１ｂを含み、導電性樹脂層の第１、第２方向の断面において、Ｃｕ粒子（金属粒子３１ａ１）、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５（第１金属間化合物３１ａ２）が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％である。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層と内部電極とが第１方向に交互に配置され、前記第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面及び第４面に配置される電極層及び前記電極層上に配置される導電性樹脂層を含む外部電極と、を含み、
前記導電性樹脂層は、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうち少なくとも一つを含む導電性粒子及び樹脂を含み、
前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％である、積層型電子部品。
前記第３面及び第４面に配置される電極層及び前記電極層上に配置される導電性樹脂層を含む外部電極と、を含み、
前記導電性樹脂層は、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうち少なくとも一つを含む導電性粒子及び樹脂を含み、
前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％である、積層型電子部品。
【請求項2】
前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率は０．３％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率は０．３％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率は５８．７９％以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。
前記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率は５８．７９％以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面は、前記本体の第３方向の中央で切断した断面である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記Ｃｕ３Ｓｎが占める面積の比率及びＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は、前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、第２方向の中央を基準にして第１方向のサイズが５９μｍ～１４９μｍであり、第２方向のサイズが２５μｍ～５０μｍである領域で測定されたものである、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記導電性粒子はＡｇ３Ｓｎをさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、
前記導電性粒子が占める総面積に対するＡｇ３Ｓｎが占める面積の比率は、前記導電性粒子が占める総面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率より小さい、請求項６に記載の積層型電子部品。
前記導電性粒子が占める総面積に対するＡｇ３Ｓｎが占める面積の比率は、前記導電性粒子が占める総面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率より小さい、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記外部電極は、前記電極層及び導電性樹脂層の間に配置され、金属間化合物を含む界面層をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記外部電極は、前記導電性樹脂層上に配置されるめっき層を含み、
前記導電性粒子のうち少なくとも一部は、前記界面層とめっき層とを連結する、請求項８に記載の積層型電子部品。
前記導電性粒子のうち少なくとも一部は、前記界面層とめっき層とを連結する、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記電極層は第１金属及びガラスを含む、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記金属間化合物は、前記電極層に含まれた第１金属と前記電極層に含まれた第１金属より低い融点を有する低融点金属との間の金属間化合物である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記内部電極は、前記第３面と連結される第１内部電極及び前記第４面と連結される第２内部電極を含み、
前記外部電極は、前記第３面に配置されて前記第１内部電極と連結される第１外部電極、及び前記第４面に配置されて前記第２内部電極と連結される第２外部電極を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記外部電極は、前記第３面に配置されて前記第１内部電極と連結される第１外部電極、及び前記第４面に配置されて前記第２内部電極と連結される第２外部電極を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。
【0004】
一方、従来は、機械的又は熱的環境で発生する引張応力から積層セラミックキャパシタを保護するために、焼結電極層及び導電性樹脂層の２層構造を有する外部電極が適用されてきた。しかし、導電性樹脂層は、高温リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）環境に適用すると、導電性樹脂層で発生するアウトガス（ｏｕｔ ｇａｓ）によって焼結電極層と樹脂電極層との間の界面に浮き不良が発生する可能性がある。
【0005】
また、導電性樹脂層の場合、導電性を有する金属粒子が樹脂内に分散している形態で存在し、ホッピング伝導（Ｈｏｐｐｉｎｇ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）により電気的連結性を確保した。そのため、電気的連結性が焼結電極層に比べて低いという問題点が存在した。
【0006】
このような問題点を解決するために、外部電極にＣｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５などの金属間化合物を含む導電性樹脂層を適用する方案を考えることができる。ただし、焼結電極層と樹脂電極層との間の界面で浮きが発生することをより効果的に防止するために、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５の存在比率を適宜調節する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明のいくつかの目的の一つは、導電性樹脂層に発生するアウトガスによって浮き不良が発生することを防止することである。
【0008】
本発明のいくつかの目的の一つは、導電性樹脂層の電気的連結性を向上させることである。
【0009】
本発明のいくつかの目的の一つは、導電性樹脂層の内部の残余Ｓｎが導電性樹脂層の外部表面に溶出して積層型電子部品のめっき性を低下させるという問題を解決することである。
【0010】
ただし、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一実施形態は、誘電体層と内部電極とが第１方向に交互に配置され、上記第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面及び第４面に配置される電極層及び上記電極層上に配置される導電性樹脂層を含む外部電極と、を含み、上記導電性樹脂層は、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうち少なくとも一つを含む導電性粒子及び樹脂を含み、上記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％である積層型電子部品を提供する。
【発明の効果】
【0012】
本発明の様々な効果の一つとして、導電性樹脂層で発生するアウトガスにより浮き不良が発生することを防止することができる。
【0013】
本発明の様々な効果の一つとして、導電性樹脂層の電気的連結性を向上させることができる。
【0014】
本発明の様々な効果の一つとして、導電性樹脂層の内部の残余Ｓｎが外部導電性樹脂層の外部表面に溶出して積層型電子部品のめっき性を低下させるという問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示す斜視図である。
【図3】本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示す分解斜視図である。
【図7a】導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージである。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0017】
そして、図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同じである構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0018】
図面において、第１方向は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
【0019】
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った切断断面を概略的に示す断面図であり、図３は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示す分解斜視図であり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った切断断面を概略的に示す断面図であり、図５は、図２のＫ１領域の拡大図である。
【0020】
図１～図５を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２とが第１方向に交互に配置され、上記第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記第３面及び第４面に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記電極層上に配置される導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂを含む外部電極１３１、１３２と、を含み、上記導電性樹脂層は、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうち少なくとも一つを含む導電性粒子３１ａ及び樹脂３１ｂを含み、上記導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％であることができる。
【0021】
上述したように、機械的又は熱的環境で発生する応力から積層型電子部品を保護するために導電性樹脂層を適用する場合、導電性樹脂層で発生するアウトガス（ｏｕｔ ｇａｓ）により上記電極層と導電性樹脂層との間の界面に浮き不良が発生することがあり、電気的連結性が低下するという問題が発生する可能性がある。
【0022】
これに対し、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００の場合、導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂの第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率が１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率が３１．５４％～９７．２３％であって、電極層１３１ａ、１３２ａと導電性樹脂層１３１ｂ、１３２ｂとの間の界面で浮きが発生することを防止し、信頼性に優れた積層型電子部品を提供することができる。
【0023】
以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００に含まれる各構成についてより詳細に説明する。
【0024】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなってもよい。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮や角部の研磨により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0025】
本体１１０は、第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、第１面１から第４面４と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を有することができる。
【0026】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0027】
誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及びバインダーを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた後、上記セラミックグリーンシートの焼成により形成することができる。セラミック粉末は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系粉末を使用することができる。
【0028】
誘電体層１１１の平均厚さは特に限定する必要はないが、例えば、１０μｍ以下であってもよい。また、誘電体層１１１の平均厚さは、所望の特性や用途に応じて任意に設定することができる。例えば、高電圧電装用電子部品の場合、誘電体層１１１の平均厚さは４．８μｍ未満であってもよく、小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために誘電体層１１１の平均厚さは０．５μｍ以下であってもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0029】
ここで、誘電体層１１１の平均厚さとは、内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味する。誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１における多数の地点、例えば、第２方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、後述する容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0030】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に配置されてもよく、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２とが誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように配置されてもよい。複数の第１内部電極１２１及び複数の第２内部電極１２２は、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。第１内部電極１２１は上記第３面と連結されることができ、第２内部電極１２２は上記第４面と連結されることができる。
【0031】
内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上であってもよいが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0032】
内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート上に所定の厚さで導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布し、焼成することにより形成することができる。内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0033】
内部電極１２１、１２２の平均厚さは特に限定する必要はないが、例えば、３μｍ以下であってもよい。また、内部電極１２１、１２２の平均厚さは、所望の特性や用途に応じて任意に設定することができる。例えば、高電圧電装用電子部品の場合、内部電極１２１、１２２の平均厚さは１．３μｍ未満であってもよく、小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために内部電極１２１、１２２の平均厚さは０．４μｍ以下であってもよいが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0034】
内部電極１２１、１２２の平均厚さは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味する。ここで、内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極１２１、１２２における多数の地点、例えば、第２方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、後述する容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0035】
本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、容量形成部Ａｃの第１方向に対向する両面上にそれぞれ配置される第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３を含むことができる。カバー部１１２、１１３は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。カバー部１１２、１１３は、内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同じ構成を有することができる。
【0036】
カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。ただし、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、カバー部１１２、１１３の平均厚さは１００μｍ以下、３０μｍ以下、又は２０μｍ以下であってもよい。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さは、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれの平均厚さを意味する。
【0037】
カバー部１１２、１１３の平均厚さは、カバー部１１２、１１３の第１方向への平均サイズを意味することができ、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面において等間隔である５個の地点で測定した第１方向のサイズを平均した値であることができる。
【0038】
本体１１０は、容量形成部Ａｃの第３方向に対向する両面上に配置されるマージン部１１４、１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、本体１１０を第１方向及び第３方向に切断した断面において、内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。このとき、マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５と連結される第１マージン部１１４及び本体１１０の第６面６と連結される第２マージン部１１５を含むことができる。
【0039】
マージン部１１４、１１５は、内部電極１２１、１２２を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0040】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、内部電極用導電性ペーストを塗布して焼成することにより形成されたものであってもよい。あるいは、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの第３方向に対向する両面上に積層することにより、マージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0041】
マージン部１１４、１１５の平均厚さは特に限定する必要はない。ただし、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、マージン部１１４、１１５の平均厚さは１００μｍ以下、２０μｍ以下、又は１５μｍ以下であってもよい。ここで、マージン部１１４、１１５の平均厚さは、第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５のそれぞれの平均厚さを意味する。
【0042】
マージン部１１４、１１５の平均厚さは、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができ、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面において等間隔である５個の地点で測定した第３方向のサイズを平均した値であることができる。
【0043】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができ、上記第１面、第２面、第５面及び第６面の一部上に延長することができる。また、上記外部電極は、上記第３面に配置されて第１内部電極１２１と連結される第１外部電極１３１、及び上記第４面に配置されて第２内部電極１２２と連結される第２外部電極１３２を含むことができる。
【0044】
第１外部電極１３１は、上記第３面に配置される第１電極層１３１ａ、上記第１電極層上に配置される第１導電性樹脂層１３１ｂ、及び上記第１導電性樹脂層上に配置される第１めっき層１３１ｃを含むことができる。
【0045】
第２外部電極１３２は、上記第４面に配置される第２電極層１３２ａ、上記第２電極層上に配置される第２導電性樹脂層１３２ｂ、及び上記第２導電性樹脂層上に配置される第２めっき層１３２ｃを含むことができる。
【0046】
電極層１３１ａ、１３２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とを連結させる役割を果たすことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは第１金属及びガラスを含むことができ、例えば、Ｃｕ及びガラスを含むことができる。ただし、本発明がこれに限定されるものではなく、電極層１３１ａ、１３２ａが含む上記第１金属は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔｉ及びこれらの合金のうち一つ以上であってもよい。一方、電極層１３１ａ、１３２ａに含まれるガラスは、本体１１０と外部電極１３１、１３２との間の結合力を向上させる役割を果たすことができる。
【0047】
電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０の第３面３及び第４面４を第１金属及びガラスを含む導電性ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）するか、又は第１金属及びガラスを含むシートを転写した後、焼成することにより形成することができる。
【0048】
以下、図５を参照して第１外部電極１３１についてより詳細に説明する。ただし、第１外部電極１３１と第２外部電極１３２とは第２方向を基準にして互いに対称な関係にあるため、第１外部電極１３１に関する説明は第２外部電極１３２にも同様に適用することができる。
【0049】
第１導電性樹脂層１３１ｂは、金属粒子３１ａ１及び第１金属間化合物３１ａ２のうち少なくとも一つを含む導電性粒子３１ａ、及び樹脂３１ｂを含むことができる。第１導電性樹脂層１３１ｂに含まれる樹脂３１ｂは、基本的に積層型電子部品に加わる衝撃を吸収する役割を果たすことができる。これにより、基板実装時に加わる応力や引張ストレスを吸収して、積層型電子部品にクラックが発生することを防止することができる。第１導電性樹脂層１３１ｂに含まれる樹脂３１ｂは特に限定する必要はないが、例えば、熱硬化性樹脂であってもよい。
【0050】
第１導電性樹脂層１３１ｂに含まれる金属粒子３１ａ１はＣｕ粒子であってもよい。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の金属粒子３１ａ１のうち少なくとも一部はＡｇ粒子であってもよい。図５に示すように、金属粒子３１ａ１の形態は球状粒子であってもよいが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属粒子３１ａ１は球状粒子及びフレーク（ｆｌａｋｅ）状粒子のうち一つ以上を含むことができる。
【0051】
ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たいかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸及び短軸の長さは、本体１１０の第３方向の中央で第１及び第２方向に切断した第１導電性樹脂層１３１ｂの断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0052】
第１導電性樹脂層１３１ｂに含まれる第１金属間化合物３１ａ２は、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５を含むことができる。Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５は、第１導電性樹脂層１３１ｂの乾燥及び硬化熱処理過程を経る過程で、上記Ｃｕ粒子とＳｎ又はＳｎ合金を含む低融点金属が相互反応することにより形成されることができる。
【0053】
第１金属間化合物３１ａ２は、第１導電性樹脂層１３１ｂ内にネットワーク状に形成されることができ、第１金属間化合物３１ａ２の少なくとも一部は第１電極層１３１ａ及び第１めっき層１３１ｃを連結することができる。これにより、第１電極層１３１ａと第１導電性樹脂層１３１ｂとの間の界面で浮き不良が発生することを防止し、第１導電性樹脂層１３１ｂ内の電気的連結性を向上させることができる。
【0054】
本発明の一実施形態によると、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は３１．５４％～９７．２３％であることができる。
【0055】
Ｃｕ及びＳｎの間の相互反応過程において、Ｃｕ６Ｓｎ５はＣｕ３Ｓｎに比べて反応速度が速いため、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３ＳｎのうちＣｕ６Ｓｎ５が優先的に形成されることができる。一方、Ｃｕ６Ｓｎ５が形成されて第１導電性樹脂層１３１ｂ内にＳｎに比べてＣｕが豊富な環境が造成されると、Ｃｕ６Ｓｎ５の一部がＣｕ３Ｓｎに相転位（ｐｈａｓｅ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）することができる。
【0056】
一方、Ｃｕ３Ｓｎの熱膨張係数（Ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）は、Ｃｕ６Ｓｎ５の熱膨張係数より大きいため、Ｃｕ３Ｓｎはリフロー適用による膨張率及び常温での収縮率がＣｕ６Ｓｎ５より大きい。これにより、第１導電性樹脂層１３１ｂ内にＣｕ３Ｓｎの形成比率が過度になると、Ｃｕ３Ｓｎの膨張及び収縮による第１導電性樹脂層の浮き不良が発生する可能性がある。よって、Ｃｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率及びＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率を制御することにより、浮き不良を効果的に防止することが重要である。
【0057】
そこで、本発明者らは、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５のそれぞれが占める面積の比率が上記範囲を満たすとき、第１電極層１３１ａ及び第１導電性樹脂層１３１ｂの間の界面で浮き不良が発生することを効果的に防止できることを見出した。
【0058】
これは、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率が３１．５４％未満であるか、又は上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率が３８．８９％を超える場合、第１金属間化合物３１ａ２が十分に形成されないか、又は第１金属間化合物３１ａ２のうち熱膨張係数が高いＣｕ３Ｓｎの面積の比率が過度となるため、浮きの防止効果が低下するものと予想される。
【0059】
本発明の一実施形態によると、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率は０．３％以上であってもよい。上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率が０．３％未満である場合、第１導電性樹脂層１３１ｂ内には上記Ｃｕ粒子に比べてＳｎが過度に含まれるため、残余Ｓｎが第１導電性樹脂層１３１ｂの外部表面に溶出する現象が発生する可能性がある。これにより、第１導電性樹脂層１３１ｂ上に均一なめっき層を形成することができず、実装特性が低下する恐れがある。
【0060】
また、本発明の一実施形態によると、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率は５８．７９％以下であってもよい。上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率が５８．７９％を超える場合、上記Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５の面積比率を満たすことが困難であり、上記Ｃｕ粒子による樹脂の酸化に伴うアウトガスが大量に発生する可能性がある。
【0061】
このとき、上記第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面は、本体１１０の第３方向の中央で切断した断面であってもよい。上記Ｃｕ３Ｓｎが占める面積の比率及びＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は、本体１１０の第３方向の中央で第１及び第２方向に切断した第１導電性樹脂層１３１ｂの断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で２０００倍以上の倍率で観察して測定したものであってもよい。
【0062】
また、上記Ｃｕ３Ｓｎが占める面積の比率及びＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は、上記第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、上記第２方向の中央を基準にして上記第１方向のサイズが５９μｍ～１４９μｍであり、上記第２方向のサイズが２５μｍ～５０μｍである領域で測定されたものであることができる。
【0063】
ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、上記Ｃｕ３Ｓｎが占める面積の比率及びＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率は、第１導電性樹脂層１３１ｂの第２及び第３方向の断面で測定されたものであってもよい。
【0064】
上記導電性粒子３１ａに含まれたＣｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５を互いに区別する方法は、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影したイメージをエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により成分分析し、導電性粒子３１ａの各領域に含まれたＣｕ及びＳｎの成分比率を測定することにより区別することができる。
【0065】
また、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて撮影したイメージにおいて、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５のうちＣｕ粒子が最も暗く、Ｃｕ６Ｓｎ５が最も明るいため、このような明暗の差を用いて上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５を互いに区別することもできる。
【0066】
上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５のそれぞれが占める面積の比率は、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージを得た後、上記イメージをＩｍａｇｅＪプログラム で処理して測定することができる。
【0067】
一実施形態において、導電性粒子３１ａはＡｇ３Ｓｎをさらに含むことができる。上記Ａｇ３Ｓｎは第１金属間化合物３１ａ２内に配置されることができる。Ａｇ３Ｓｎは、上記Ａｇ粒子又はＳｎ合金に含まれるＡｇがＳｎと相互反応して形成された金属間化合物であり得る。
【0068】
一方、Ａｇは金属の中でもＳｎとの反応性の高い金属に該当する。このとき、第１導電性樹脂層１３１ｂにＡｇが過度に添加される場合、過度な金属間化合物の形成により積層型電子部品１００の曲げ強度が低下する可能性がある。したがって、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面において、導電性粒子３１ａが占める総面積に対するＡｇ３Ｓｎが占める面積の比率は、導電性粒子３１ａが占める総面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率より小さいことが好ましいと言える。
【0069】
導電性粒子３１ａが占める総面積に対するＡｇ３Ｓｎが占める面積の比率及び導電性粒子３１ａが占める総面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率は、上述したように、第１導電性樹脂層１３１ｂの第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージを得た後、上記イメージをＩｍａｇｅＪプログラムで処理してその比率を測定することができる。
【0070】
第１導電性樹脂層１３１ｂは、例えば、第１電極層１３１ａ上に、Ｃｕ粉末、Ｓｎ又はＳｎ合金粉末を含む低融点金属粉末及び熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂組成物を塗布し、硬化熱処理することにより形成することができる。上記熱硬化性樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ樹脂、グリコールエポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、又はこれらの誘導体のうち分子量が小さく、常温で液状である樹脂であってもよい。上記低融点金属粉末は、Ｓｎ、Ｓｎ９６．５Ａｇ３．０Ｃｕ０．５、Ｓｎ４２Ｂｉ５８及びＳｎ７２Ｂｉ２８のうち一つ以上を含むことができる。
【0071】
一方、Ｃｕ３Ｓｎが占める面積の比率及びＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率を調節する方法は特に限定する必要はない。例えば、上記導電性樹脂組成物において、低融点金属粉末に対するＣｕ粉末の含量が高いほど、硬化熱処理時間が増加するにつれて、Ｃｕ３Ｓｎが占める面積の比率が高くなり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0072】
図６は、図５の変形例である。上述したように、第１外部電極１３１と第２外部電極１３２とは第２方向を基準にして互いに対称な関係にあるため、第１外部電極１３１に関する説明は第２外部電極１３２にも同様に適用することができる。
【0073】
図６を参照すると、一実施形態において、第１外部電極１３１は、第１電極層１３１ａ及び第１導電性樹脂層１３１ｂの間に配置され、第２金属間化合物１３１ｄ１を含む第１界面層１３１ｄを含むことができる。第２金属間化合物１３１ｄ１は、第１電極層１３１ａに含まれた上記第１金属と上記第１金属より低い融点を有する低融点金属との間の金属間化合物であってもよい。例えば、上記第１金属がＣｕを含み、上記低融点金属がＳｎ又はＳｎ合金を含む場合、第２金属間化合物１３１ｄ１はＣｕ３Ｓｎを含むことができる。
【0074】
第１界面層１３１ｄは、第１電極層１３１ａと接するガラス１３１ｄ２をさらに含むことができる。第１電極層１３１ａの金属と上記Ｓｎ又はＳｎ合金を含む低融点金属との相互反応により第２金属間化合物１３１ｄ１を形成するとき、第１電極層１３１ａに含まれたガラスのうち上記第１電極層の表面に露出したガラスは反応せずに残存することができ、上記残存したガラス１３１ｄ２は第２金属間化合物１３１ｄ１と共に第１界面層１３１ｄを形成することができる。
【0075】
第１界面層１３１ｄは、上記第１電極層上に連続的に配置されることもでき、上記第１電極層上に不連続的に配置されることもできる。
【0076】
一実施形態において、上記導電性粒子３１ａのうち少なくとも一部は、第１界面層１３１ｄと第１めっき層１３１ｃとを連結することができる。これにより、第１界面層１３１ｄと第１めっき層１３１ｃとの間の電気的連結性を向上させ、第１導電性樹脂層１３１ｂと第１界面層１３１ｄとの間の界面及び第１導電性樹脂層１３１ｂと第１めっき層１３１ｃとの間の界面で浮きが発生することを防止することができる。
【0077】
第１めっき層１３１ｃは実装特性を向上させることができる。第１めっき層１３１ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及び／又はこれを含む合金等を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。例えば、第１めっき層１３１ｃは、上記第１導電性樹脂層上に順次積層された第１－１めっき層１３１ｃ１及び第１－２めっき層１３１ｃ２を含むことができ、かつ、第１－１めっき層１３１ｃ１はＮｉを含み、第１－２めっき層１３１ｃ２はＳｎを含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0078】
（実験例）
まず、誘電体層及び内部電極を含む本体を設けた後、上記本体の第３面及び第４面を導電性及びガラスを含む導電性ペーストにディッピングした後、焼成して電極層を設けた。その後、上記電極層が形成された本体にＣｕ粉末、Ｓｎを含む低融点金属粉末、及び熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂組成物を塗布し、硬化熱処理して導電性樹脂層を設け、上記導電性樹脂層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層を順次に形成して、第１及び第２外部電極を含むサンプルチップを設けた。
まず、誘電体層及び内部電極を含む本体を設けた後、上記本体の第３面及び第４面を導電性及びガラスを含む導電性ペーストにディッピングした後、焼成して電極層を設けた。その後、上記電極層が形成された本体にＣｕ粉末、Ｓｎを含む低融点金属粉末、及び熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂組成物を塗布し、硬化熱処理して導電性樹脂層を設け、上記導電性樹脂層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層を順次に形成して、第１及び第２外部電極を含むサンプルチップを設けた。
【0079】
その後、上記本体の第３方向の中央で上記外部電極を第１及び第２方向に切断した後、上記導電性樹脂層の断面領域を加速電圧：１０ｋＶ、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）：１０．４ｍｍ、分析倍率：５０００倍の条件で走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によりスキャンして上記導電性樹脂層のイメージを得た。
【0080】
図７ａは、導電性樹脂層の第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、図７ｂは、図７ａのボックスで表した領域のうち、Ｃｕ粒子が配置された領域を示すイメージであり、図７ｃは、図７ａのボックスで表した領域のうち、Ｃｕ３Ｓｎが配置された領域を示すイメージであり、図７ｄは、図７ａのボックスで表した領域のうち、Ｃｕ６Ｓｎ５が配置された領域を示すイメージである。
【0081】
図７ａ～図７ｄを参照すると、上記導電性樹脂層の断面領域のうち、第２方向の中心を基準にして第１方向のサイズが５９μｍ～１４９μｍであり、第２方向のサイズが２５μｍ～５０μｍである図７ａのボックスで表した領域をエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）で成分分析して、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５を特定した後、ＩｍａｇｅＪプログラムにより処理した。
【0082】
図７ｂは、上記ボックスで表した領域のうち、Ｃｕ粒子が配置された領域を黒色、残りは白色で表したものであり、図７ｃは、上記ボックスで表した領域のうち、Ｃｕ３Ｓｎが配置された領域を黒色、残りは白色で表したものであり、図７ｄは、上記ボックスで表した領域のうち、Ｃｕ６Ｓｎ５が配置された領域を黒色、残りは白色で表したものである。
【0083】
次に、図７ｂ～図７ｄのイメージを通じて各試験番号当たり１０個のサンプルについて、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５のそれぞれの面積の比率を測定した後、その平均値を下記表１に記載した。
【0084】
下記表１の浮きの発生の有無は、各試験番号当たり８０個のサンプルを基板に実装した後、上記実装されたサンプルに対してリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）を適用した。その後、基板に実装されたサンプルを第１及び第２方向に切断した後、各サンプルの第１外部電極及び第２外部電極をそれぞれＸ－ｒａｙで撮影した。このとき、上記外部電極に明るい帯が存在する場合、浮きが発生したと評価し、８０個のサンプルのうち浮きが発生したサンプルの個数を下記表１に記載した。
【0085】
Ｓｎ溶出の有無は、めっき層が形成される前の各サンプルを第１及び第２方向に切断した後、各サンプルの第１外部電極及び第２外部電極をそれぞれ走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、上記導電性樹脂層の外部表面にＳｎが溶出している場合（ＮＧ）及び溶出していない場合（ＯＫ）を表した。
【0086】
【表1】
【0087】
表１を参照すると、試験番号１～８は、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率が１．８８％～３８．８９％であり、上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率が３１．５４％～９７．２３％であって、浮き不良及びＳｎ溶出不良が発生しないことを確認した。
【0088】
これに対し、試験番号９～１０及び１２～１７は、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ３Ｓｎが占める面積の比率が３８．８９％を超えるか、又は上記Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ６Ｓｎ５が占める面積の比率が３１．５４％未満であり、浮き不良が発生することを確認した。
【0089】
また、試験番号１１の場合、Ｃｕ粒子、Ｃｕ３Ｓｎ及びＣｕ６Ｓｎ５が占める合計面積に対するＣｕ粒子が占める面積の比率が０．３％未満であり、導電性樹脂層の外部表面にＳｎが溶出する不良が発生することを確認した。これにより、導電性樹脂層上にめっき層を形成することができなかったため、浮き発生の評価は不可能であった。
【0090】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
【0091】
また、「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。
【符号の説明】
【0092】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：導電性樹脂層
１３１ｃ、１３２ｃ：めっき層
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：導電性樹脂層
１３１ｃ、１３２ｃ：めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図7d】
