特開 2024-86537 移載キャリア、マイクロデバイス移載アセンブリ及び移載方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024086537

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】移載キャリア、マイクロデバイス移載アセンブリ及び移載方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240620BHJP

   H01L 21/52 20060101ALI20240620BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240620BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 C

H01L21/52 C

H01L33/00 H

【審査請求】有

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023090420

(22)【出願日】2023-05-31

(31)【優先権主張番号】PCT/CN2022/139594

(32)【優先日】2022-12-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】523205681

【氏名又は名称】厦門市芯穎顕示科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ｘｉａｍｅｎ Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ ＰＱ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ａ－１０２Ａ， ， Ｎｏ．１７８ Ｘｉｎｆｅｎｇ Ｒｏａｄ， Ｈｕｉｚｈｉ Ｓｐａｃｅ， Ｔｏｒｃｈ Ｈｉｇｈ－ｔｅｃｈ Ｚｏｎｅ， Ｘｉａｍｅｎ Ｃｉｔｙ， Ｆｕｊｉａｎ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100205936

【弁理士】

【氏名又は名称】崔 海龍

(74)【代理人】

【識別番号】100132805

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 貴之

(72)【発明者】

【氏名】謝 相偉

【テーマコード（参考）】

5F047

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F047FA08

5F142AA54

5F142AA82

5F142BA02

5F142CA11

5F142CB03

5F142FA32

5F142FA38

5F142GA02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】マイクロデバイスの移載をより容易にするとともに、移載精度を向上させる新規な移載キャリアを提供する。
【解決手段】複数のマイクロデバイスを移載するための移載キャリア１００は、基板１０と、前記基板の一方の側に設置され、且つ互いに間隔をあけて設置された複数の応答部２２を含み、前記複数の応答部は、前記複数のマイクロデバイスと１対１で対応するために用いられる応答層２０と、を含み、そのうち、前記複数の応答部の各々は、互いに間隔をあけて設置された少なくとも２つの第１の応答部材２２１を含む。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のマイクロデバイスを移載するために用いられ、
基板と、
前記基板の一方の側に設置され、且つ互いに間隔をあけて設置された複数の応答部を含み、前記複数の応答部は、前記複数のマイクロデバイスと１対１で対応するために用いられる応答層と、を含み、そのうち、前記複数の応答部の各々は、互いに間隔をあけて設置された少なくとも２つの第１の応答部材を含む、移載キャリア。

【請求項2】

前記応答層は、前記複数の応答部の間の隙間内に設置され、且つ前記複数の応答部と互いに間隔をあけて設置された複数の第２の応答部材をさらに含む、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項3】

前記応答部の各々は、第１の総面積を有し、前記応答部の各々において、前記少なくとも２つの第１の応答部材の各々は、接着面積を有し、前記少なくとも２つの第１の応答部材の前記接着面積合計は、前記第１の総面積の１０％以上である、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項4】

前記応答部の各々の前記少なくとも２つの第１の応答部材は、前記応答部の中心に対して対称に分布する、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項5】

前記応答部の各々の前記少なくとも２つの第１の応答部材は、中間の第１の応答部材と、前記中間の第１の応答部材を取り囲む複数の周辺の第１の応答部材とを含み、前記中間の第１の応答部材は、第１の接着面積を有し、前記周辺の第１の応答部材は、第２の接着面積を有し、前記第１の接着面積は、前記第２の接着面積よりも大きい、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項6】

前記応答部の各々の前記少なくとも２つの第１の応答部材は複数の行に配列され、各行における第１の応答部材の数は複数であり、且つ任意の隣接する２つの行における複数の前記第１の応答部材はずらして設置される、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項7】

前記応答層の材料は、トリアザポリマー、ポリイミド、又は有機シリカゲルから選択される１つ又は少なくとも２つの組み合わせである、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項8】

前記複数の応答部のうちのいずれか１つの応答部の材料は、ゴム系ポリマー、ポリエステル、カルバメート系ポリマー、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンズイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー、ポリビニルエーテル系接着剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸系紫外線吸収剤、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン又は２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オンのうちの１つ又は少なくとも２つの組み合わせを含む、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項9】

基板と、前記基板の一方の側に設置された応答層とを含み、前記応答層は、互いに間隔をあけて設置された複数の応答部材を含む移載キャリアと、
前記応答層の前記基板から離れた側に互いに間隔をあけて付着され、そのうち各々は、前記複数の応答部材の少なくとも２つに接続された複数のマイクロデバイスと、を含み、
そのうち、前記複数の応答部材のうちのいずれか１つは、最大で１つの前記マイクロデバイスに接続される、マイクロデバイス移載アセンブリ。

【請求項10】

前記複数の応答部材は、前記複数のマイクロデバイスと前記基板との間に接続された複数の第１の応答部材と、前記複数のマイクロデバイスの間の隙間内に位置する複数の第２の応答部材とを含む、請求項９に記載のマイクロデバイス移載アセンブリ。

【請求項11】

前記マイクロデバイスの各々が接続された前記少なくとも２つの応答部材は、前記マイクロデバイスと接触する総面積が前記マイクロデバイスの面積の１０％以上である、請求項９に記載のマイクロデバイス移載アセンブリ。

【請求項12】

前記マイクロデバイスの各々は、第１の方向に沿ったチップの長さ及び第２の方向に沿ったチップの幅を有し、前記第１の方向と前記第２の方向とが互いに直交し、前記マイクロデバイスの各々が接続された前記少なくとも２つの応答部材の各々は、前記チップの長さの半分未満で前記チップの幅未満である応答幅を有する、請求項９に記載のマイクロデバイス移載アセンブリ。

【請求項13】

前記マイクロデバイスの各々が接続された前記少なくとも２つの応答部材は、前記マイクロデバイスの中心に対して対称に分布する、請求項９に記載のマイクロデバイス移載アセンブリ。

【請求項14】

請求項１～８のいずれか１項に記載の移載キャリア又は請求項９～１３のいずれか１項に記載のマイクロデバイス移載アセンブリを採用する、マイクロデバイス移載方法。

【請求項15】

前記複数のマイクロデバイスは、標的解放マイクロデバイスを含み、前記マイクロデバイス移載方法は、応答層のうち前記標的解放マイクロデバイスに対応する領域にレーザで照射し、照射した領域の前記応答層の材料を分解又は変形させて前記標的解放マイクロデバイスを解放することを含む、請求項１４に記載のマイクロデバイス移載方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、ディスプレイ技術の分野に関し、特に移載キャリア、マイクロデバイス移載アセンブリ及びマイクロデバイス移載方法に関する。

【背景技術】

【0002】

Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、マイクロ発光ダイオード）チップの大量移載は、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤディスプレイスクリーンの製造プロセスにおける重要なステップであり、そのうちレーザ補助移載技術は、非常に有望な大量移載の解決方法の１つである。しかし、近年、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤチップ等のマイクロデバイスのサイズがますます小さくなり、チップ間の距離もますます小さくなり、従来のレーザ補助移載技術では、このような小さいサイズ又は小さい距離のチップを移載する際に、チップが移載キャリアから外れにくくなったり、隣接するチップの影響で移載精度が悪くなったり、ひいては選択的に移載する際に誤移載が生じたりする等という問題が生じ始める。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

したがって、マイクロデバイスの移載をより容易にするとともに、マイクロデバイスの移載精度を向上させる新規な移載キャリアを提供する必要がある。

【課題を解決するための手段】

【0004】

したがって、従来技術の少なくとも一部の欠点を解消するために、本願の実施例は、移載精度がより高く、移載難易度がより低いという特徴を有する移載キャリア、マイクロデバイス移載アセンブリ及びマイクロデバイス移載方法を提供する。

【0005】

一態様において、本願の１つの実施例にて提供される複数のマイクロデバイスを移載するための移載キャリアは、基板と、前記基板の一方の側に設置され、且つ互いに間隔をあけて設置された複数の応答部を含み、前記複数の応答部は、前記複数のマイクロデバイスと１対１で対応するために用いられる応答層と、を含み、そのうち、前記複数の応答部の各々は、互いに間隔をあけて設置された少なくとも２つの第１の応答部材を含む。

【0006】

１つの実施例において、前記応答層は、前記複数の応答部の間の隙間内に設置され、且つ前記複数の応答部と互いに間隔をあけて設置された複数の第２の応答部材をさらに含む。

【0007】

１つの実施例において、前記応答部の各々は、第１の総面積を有し、前記応答部の各々において、前記少なくとも２つの第１の応答部材の各々は、接着面積を有し、前記少なくとも２つの第１の応答部材の前記接着面積合計は、前記第１の総面積の１０％以上である。

【0008】

１つの実施例において、前記応答部の各々の前記少なくとも２つの第１の応答部材は、前記応答部の中心に対して対称に分布する。

【0009】

１つの実施例において、前記応答部の各々の前記少なくとも２つの第１の応答部材は、中間の第１の応答部材と、前記中間の第１の応答部材を取り囲む複数の周辺の第１の応答部材とを含み、前記中間の第１の応答部材は、第１の接着面積を有し、前記周辺の第１の応答部材は、第２の接着面積を有し、前記第１の接着面積は、前記第２の接着面積よりも大きい。

【0010】

１つの実施例において、前記応答部の各々の前記少なくとも２つの第１の応答部材は複数の行に配列され、各行における第１の応答部材の数は複数であり、且つ任意の隣接する２つの行における複数の前記第１の応答部材はずらして設置される。

【0011】

１つの実施例において、前記応答層の材料は、トリアザポリマー、ポリイミド、又は有機シリカゲルから選択される１つ又は少なくとも２つの組み合わせである。

【0012】

１つの実施例において、前記複数の応答部のうちのいずれか１つの応答部の材料は、ゴム系ポリマー、ポリエステル、カルバメート系ポリマー、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンズイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー、ポリビニルエーテル系接着剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸系紫外線吸収剤、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン又は２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オンのうちの１つ又は少なくとも２つの組み合わせを含む。

【0013】

本願の１つの実施例にて提供されるマイクロデバイス移載アセンブリは、基板と、前記基板の一方の側に設置された応答層とを含み、前記応答層は、互いに間隔をあけて設置された複数の応答部材を含む移載キャリアと、
前記応答層の前記基板から離れた側に互いに間隔をあけて付着され、各々は、前記複数の応答部材のうちの少なくとも２つに接続された複数のマイクロデバイスと、を含み、そのうち、前記複数の応答部材のうちのいずれか１つは、最大で１つの前記マイクロデバイスに接続される。

【0014】

１つの実施例において、前記複数の応答部材は、前記複数のマイクロデバイスと前記基板との間に接続された複数の第１の応答部材と、前記複数のマイクロデバイスの間の隙間内に位置する複数の第２の応答部材とを含む。

【0015】

１つの実施例において、前記マイクロデバイスの各々が接続された前記少なくとも２つの応答部材は、前記マイクロデバイスと接触する総面積が前記マイクロデバイスの面積の１０％以上である。

【0016】

１つの実施例において、前記マイクロデバイスの各々は、第１の方向に沿ったチップの長さ及び第２の方向に沿ったチップの幅を有し、前記第１の方向と前記第２の方向とが互いに直交し、前記マイクロデバイスの各々が接続された前記少なくとも２つの応答部材の各々は、前記チップの長さの半分未満で前記チップの幅未満である応答幅を有する。

【0017】

１つの実施例において、前記マイクロデバイスの各々が接続された前記少なくとも２つの応答部材は、前記マイクロデバイスの中心に対して対称に分布する。

【0018】

本願の１つの実施例にて提供されるマイクロデバイス移載方法は、前述したいずれか１項に記載の移載キャリア又は前述したいずれか１項に記載のマイクロデバイス移載アセンブリを採用する。

【0019】

１つの実施例において、前記複数のマイクロデバイスは、標的解放マイクロデバイスを含み、前記マイクロデバイス移載方法は、応答層のうち前記標的解放マイクロデバイスに対応する領域にレーザで照射し、照射した領域の前記応答層の材料を分解又は変形させて前記標的解放マイクロデバイスを解放することを含む。

【発明の効果】

【0020】

本願の上記実施例は、互いに間隔をあけて設置された応答部材（又は応答部）を設置することで複数のマイクロデバイスを接着し、且つ応答部材（又は応答部）の各々に最大で１つのマイクロデバイスのみが対応して接続されることを保証し、応答層におけるマイクロデバイスの各々に対応する接続位置に少なくとも２つの応答部材（又は２つの第１の応答部材）を有することにより、移載プロセスに複数のマイクロデバイスが対応して接続された応答層の材料を互いに独立させ、選択的に移載する必要がある場合、移載されるマイクロデバイスは、サイズが小さく、距離が小さい場合であっても、それに隣接する他のマイクロデバイスへの影響を回避し、移載精度を向上させることができるという少なくとも１つ以上の有益な効果を有する。また、マイクロデバイスの各々の接続位置も少なくとも２つの独立した構造であるので、マイクロデバイスを接着した後にマイクロデバイスとの接触面積が小さくなり、移載際により容易に解放する。

【図面の簡単な説明】

【0021】

ここで、図面を用いて段落を説明する。以下、図面と組み合わせて、本願の具体的な実施形態について詳細に説明する。

【図1】関連技術におけるレーザ補助移載技術を採用して選択的に移載する際の移載誤差原理概略図である。

【図2】本願の１つの実施例にて提供される移載キャリアの構造概略図である。

【図3】図２に示す移載キャリアの底面構造概略図である。

【図4】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの構造概略図である。

【図5】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの底面構造概略図である。

【図6】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの構造概略図である。

【図7】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの構造概略図である。

【図8】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの底面構造概略図である。

【図9】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの底面構造概略図である。

【図10】本願の１つの実施例にて提供されるマイクロデバイス移載アセンブリの構造概略図である。

【図11】図１０に示すマイクロデバイス移載アセンブリの底面構造概略図である。

【図12】本願の別の実施例にて提供されるマイクロデバイス移載アセンブリの構造概略図である。

【図13】図１２に示すマイクロデバイス移載アセンブリの底面構造概略図である。

【図14】本願の１つの実施例にて提供されるマイクロデバイス移載方法のフローチャート概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

本願の上記目的、特徴及び利点をより明瞭且つ分かりやすくするために、以下、図面と組み合わせて本願の具体的な実施形態を詳細に説明する。

【0023】

当業者が本願の技術的解決手段をよりよく理解するために、以下、本願の実施例における図面と組み合わせて、本願の実施例における技術的解決手段を明確且つ完全に記述するが、明らかに、記述された実施例は本願の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。本願における実施例に基づき、当業者が創造的な労力を行わずに得た他の全ての実施例は、いずれも本願の保護範囲に属するべきである。

【0024】

なお、本願の明細書、特許請求の範囲、及び上記図面において、「第１」、「第２」等の用語は、類似の対象を区別するために用いられるものであり、必ずしも特定の順序又は前後順番を記述するために用いられるものではない。このように使用される用語は、本明細書に記述される本願の実施例が、本明細書に図示又は記述されたもの以外の順序で実施され得るように、適切な場合、互いに交換され得ることが理解されるべきである。さらに、「含む」及び「有する」という用語ならびにそれらの任意の変形は、非排他的包含をカバーすることを意図しており、例えば、一連のステップ又はユニットを含むプロセス、方法、システム、製品又は機器が、必ずしも明確に列挙されたそれらのステップ又はユニットに限定されるわけではなく、明確に列挙されていないか、又はそのようなプロセス、方法、製品又は機器に固有の他のステップ又はユニットを含み得る。

【0025】

また、本願における複数の実施例の区分は、記述の便宜のためのものに過ぎて、特に限定されるように構成すべきではなく、様々な実施例における特徴は、矛盾しない場合、互いに組み合わせられ、互いに引用される。

【0026】

関連技術では、レーザ補助移載技術は、移載キャリアにＭｉｃｒｏ ＬＥＤチップ等のマイクロデバイスを接着するための１層又は複数層の応答性材料を付着させ、チップを標的基板に解放する必要がある場合、移載が必要なチップが位置する場所の応答性材料にレーザで照射し、応答性材料にレーザで照射した後、例えば、直接分解したり、気泡が形成されるか、又は膨張してクラックが発生する等表面状態が変化したりすることにより、その上に付着したデバイスを離脱させる原理を有する。従来のマイクロデバイスは、サイズが大きく、且つ隣接するマイクロデバイスの間隔が大きく、層全体の応答層材料を採用することにより、マイクロデバイスの移載を効果的に制御することができるが、近年、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ等のマイクロデバイスのサイズがますます小さくなり、隣接するデバイスの隙間もますます小さくなり、このような層全体の応答性材料を採用して移載する際、マイクロデバイスが移載キャリアから外れにくくなったり、又は図１に示すように、隣接する応答性材料とマイクロデバイスとが互いに影響することにより、移載の精度が悪くなったり、ひいては選択的に移載する際に隣接するマイクロデバイスは誤移載が生じたりする等という問題が生じ始める。したがって、本願の実施例は、上記の問題の少なくとも一部を解決するための新規な移載キャリアを提供する。

【0027】

（第１の実施例）
図２に示すように、本願の１つの実施例は、移載キャリア１００を提供し、複数のマイクロデバイスを移載するために用いられ、移載キャリア１００は、基板１０と、応答層２０と、を含む。図３に示すように、応答層２０は、基板１０の一方の側に設置され、且つ互いに間隔をあけて設置された複数の応答部２２を含み、複数の応答部２２は、複数のマイクロデバイス２００と１対１で対応し、そのうち、複数の応答部２２の各々は、互いに間隔をあけて設置された少なくとも２つの第１の応答部材２１１を含む。

【0028】

そのうち、複数のマイクロデバイスは、例えば、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤチップ又は類似の移載要件を有する他のデバイスであるが、本実施例では、これに限定されない。基板１０は、例えば、ガラス、サファイア、石英等のレーザを透過可能な透明な板材であってもよく、応答層２０は、フォトリソグラフィやナノインプリント等の技術的手段により形成されることができる。応答層２０の材料は、紫外線又は深紫外線の波長のレーザで照射した後に分解しやすく且つガス状の揮発性分解物を生じるポリマー材料、例えば、光分解性トリアザポリマー（ＴＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、エポキシ樹脂、ポリウレタン、フッ素樹脂、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー、アミド系ポリマー等であってもよい。有機シリカゲル等のレーザの照射により変形する材料であってもよく、応答層２０の材料は、上記複数の材料のいずれか１つであってもよいし、２つ以上の材料の組み合わせであってもよい。

【0029】

当然ながら、応答層２０は、複数の応答部２２を含み、複数の応答部２２のいずれか１つは、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤチップを接着するための接着力を提供する材料（接着性材料と呼ばれる）を含み、いくつかの実施例では、接着性材料は、例えば、具体的には、ゴム系ポリマー（例えば、天然ゴム、ネオプレンゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ニトリルゴム等）、ポリエステル、カルバメート系ポリマー（即ち、ポリウレタン）、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンズイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー、ポリビニル接着剤等の材料から選択されてもよく、これらのうちの１つ又は少なくとも２つの組み合わせであってもよい。複数の応答部２２の材料は、同一であっても異なっていてもよく、例えば、いくつかの応答部２２の接着性材料は、接着力を提供しつつレーザの照射により分解される材料、例えばポリイミドを選択してもよい。いくつかの応答部２２の接着性材料は、強い接着性を有する材料とレーザによる分解可能な材料との組み合わせを選択してもよく、例えば、天然ゴムとトリアザポリマーとの組み合わせであってもよい。

【0030】

いくつかの実施例において、応答部２２は、レーザの照射によりマイクロデバイスを解放するために応答部２２がレーザをよりよく吸収するように、接着性材料に加えて、例えばレーザ吸収材料を内部に含んでもよい。複数の応答部２２のうち、一部の応答部２２がレーザ吸収材料を含み、一部の応答部２２がレーザ吸収材料を含まないようにしてもよい。全ての応答部２２は、いずれもレーザ吸収材料を含んでもよい。複数の応答部２２が含むレーザ吸収材料は、同一であっても異なっていてもよい。

【0031】

レーザ吸収材料は、例えば、紫外線レーザをよりよく吸収するための紫外線吸収剤を含んでもよく、紫外線吸収剤は、具体的には、例えば、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸系紫外線吸収剤等であってもよく、これらのうちのいずれか１つ又は少なくとも２つの組み合わせであってもよい。

【0032】

レーザ吸収材料は、例えば、光重合開始剤を含み、光重合開始剤は、例えば、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等であってもよく、これらのうちの１つ又は少なくとも２つの組み合わせであってもよい。

【0033】

列挙として、例えば、いくつかの応答部２２には、接着性材料としてアクリル系ポリマー、レーザ吸収材料としてシュウ酸系紫外線吸収剤を含む。又は、別のいくつかの応答部２２には、接着性材料としてシリコーン系ポリマー、レーザ吸収材料としてエタノンを含む。又は、さらにいくつかの応答層２２には、接着性材料としてエポキシ樹脂、レーザ吸収材料としてサリチル酸系紫外線吸収剤、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノンを含む。以上記載したのは、応答部２２の材料のいくつかの組み合わせ方式を列挙して説明したが、本実施例では、さらにより多くの組み合わせ方式について一々に列挙して説明しない。

【0034】

本実施例にて提供される移載キャリア１００の１つの応答部２２は、２つ以上の第１の応答部材２１１の組み合わせからなる。第１の応答部材２１１は、柱状、ブロック状又は他の形状であってもよいが、本実施例では、これに限定されず、例えば、図３に示すように、複数の第１の応答部材２１１は、基板１０と反対側の面が円形とする柱状である。本実施例にて提供される移載キャリア１００を移載工程に適用する場合、応答部２２の各々は、１つのマイクロデバイスに接続されてもよい。図３に示す移載キャリア１００では、２行６列合計１２個の応答部２２が示され、応答部２２の各々は、複数の第１の応答部材２１１を含む。当然ながら、以上の具体的数値は単に列挙して説明するものに過ぎず、本実施例に対する制限とするものではない。

【0035】

図３に示す実施例において、応答部２２の各々の少なくとも２つの第１の応答部材２１１は複数の行に配列され、各行における第１の応答部材２１１の数は複数であり、且つ任意の隣接する２つの行における複数の第１の応答部材２１１は、接触がより均一になるようにずらして設置される。

【0036】

本実施例において、複数の応答部２２は互いに独立しており、図３に示す移載キャリアを用いてマイクロデバイスを接着する必要がある場合、応答部２２の各々に１つのマイクロデバイスを接着することができる。移載工程において、多数のマイクロデバイスを応答層２０に付着させる場合、隣接するマイクロデバイスの下部の応答部２２が互いにつながっておらず、選択的に移載する場合、対応する応答部２２の材料を分解気化又は変形させてマイクロデバイスを標的基板上に解放するように、対応するマイクロデバイスの対応する応答部２２にレーザで照射し、応答部２２の各々は互いに独立しているので、隣接する応答部２２に影響を与えることがなく、移載誤差を低減させ、移載精度を向上させる。マイクロデバイスの各々に接続された少なくとも２つの第１の応答部材２１１も互いに間隔をあけて設置され、第１の応答部材２１１と第１の応答部材２１１との間に隙間があるので、マイクロデバイスに実際に接着された面積がマイクロデバイス自体の面積よりも小さく、マイクロデバイスの解放もより容易になる。

【0037】

いくつかの実施例において、第１の応答部材２１１は、図２に示すような単層材料構造であってもよく、レーザで照射した後に直接分解してガスを発生し、マイクロデバイスを付勢するか、レーザで照射した後に変形又は分裂分解し、接着性が低下する等の現象が生じて接着性がなくすることができる。又は、図４に示すように、第１の応答部材２１１は、さらに、多層材料構造であってもよく、基板１０に近い側をレーザにより分解してガスを発生しやすい材料とし、内層材料と呼ばれ、内層材料の基板１０から遠い側に接着性を有する材料で覆われ、外層材料と呼ばれる。列挙として、例えば、第１の応答部材２１１は、内層材料をトリアザポリマーとしてもよく、外層材料を天然ゴムとしてもよい。マイクロデバイスは、外層材料により移載キャリア１００に接着されることができ、内層材料により分解されてガスを発生して基板１０から分離されることができる。複数の応答部２２は、間隔をあけて設置され、移載プロセスにおいて、周辺の他の応答部２２に影響を与えない。

【0038】

いくつかの実施例において、応答部２２の各々の少なくとも２つの第１の応答部材２１１の材料は、同一であっても異なっていてもよく、複数の応答部２２の材料は、同一であっても異なっていてもよい。例えば、一部の第１の応答部材２１１を多層材料とし、一部の第１の応答部材２１１を単層材料とするようにしてもよく、全ての第１の応答部材２１１をいずれも多層材料としてもよい。

【0039】

さらに、いくつかの実施例において、図５を参照すると、応答層２０は、複数の応答部２２の間の隙間内に設置され、且つ複数の応答部２２と互いに間隔をあけて設置された複数の第２の応答部材２１２をさらに含む。図５に示すように、破線枠の各々の内の複数の第１の応答部材２１１は、１つの応答部２２に組み合わせられ、破線枠と破線枠との間の隙間内に複数の第２の応答部材２１２が設置される。なお、本実施例にて提供される移載キャリアにおいて、第１の応答部材２１１と第２の応答部材２１２とが明確な境界を有しなくてもよく、本実施例にて提供される移載キャリア１００を用いて移載する前に第１の応答部材２１１と第２の応答部材２１２を区別しなくてもよく、移載工程において、複数のマイクロデバイスを本実施例にて提供される移載キャリア１００に付着させる場合、マイクロデバイスと接触して接続されたものを第１の応答部材２１１と呼び、マイクロデバイスと接続されていないものを第２の応答部材２１２と呼ぶ。図５を参照すると、本願の実施例において、応答部２２の各々の内の少なくとも２つの第１の応答部材２１１は、複数の行に配列される場合にずらなくて設置されてもよい。

【0040】

いくつかの実施例において、基板１０の一方の側に光遮断材料２３が設置されてもよく、基板１０上への光遮断材料２３の正投影を複数の応答部２２の間に位置させる。例えば、図６に示すように、光遮断材料２３が基板１０の複数の応答部２２に近接する一方の側に設置されてもよく、図７に示すように、基板１０の複数の応答部２２と反対の一方の側に設置されてもよい。光遮断材料２３は、特定の波長のレーザの透過を遮断できるもので、例えば、光反射性材料、具体的には、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）又はＭｏ（モリブデン）等の放射線照射がよく、且つレーザを反射可能な金属薄膜であってもよく、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ、ブラッグ反射鏡）光反射層であってもよい。複数の応答部２２が互いに間隔をあけて設置されるとともに、隣接する応答部２２に対するレーザの照射によるスポットサイズの影響は、光遮断材料２３によりさらに防止される。

【0041】

いくつかの実施例において、図８を参照すると、応答部２２の各々の少なくとも２つの第１の応答部材２１１は、中間の第１の応答部材２１１と、中間の第１の応答部材２１１１の周辺の第１の応答部材２１１２とを含む。中間の第１の応答部材２１１１の数は１つ又は複数であってもよく、周辺の第１の応答部材２１１２の数も１つ又は複数であってもよい。例えば、周辺の第１の応答部材２１１２は、図８に示すように、中間の第１の応答部材２１１１の周りにキャビティが形成される環状構造であってもよい。中間の第１の応答部材２１１１の材料及び周辺の第１の応答部材２１１２の材料は同一であっても異なっていてもよく、例えば中間の第１の応答部材２１１１の材料はレーザにより分解されてガスを発生しやすい材料であってもよく、列挙として、例えば、中間の第１の応答部材２１１１の材料はポリウレタン、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤及びエタノンの組み合わせであってもよく、周辺の第１の応答部材２１１２はシリカゲル等の接着性材料であってもよい。マイクロデバイスを移載する場合、マイクロデバイスは、周辺の第１の応答部材２１１２に接着されて周辺の第１の応答部材２１１２及び基板１０により封止したチャンバが囲まれ、中間の第１の応答部材２１１１をレーザで照射することにより、中間の第１の応答部材２１１１が分解してガスを発生させて周辺の第１の応答部材２１１２から分離して移載されるようにマイクロデバイスを付勢することができる。本実施例において、中間の第１の応答部材２１１１の材料はレーザにより分解されてガスを発生しやすい材料であり、周辺の第１の応答部材２１１２はシリカゲル等の接着性材料である場合、中間の第１の応答部材２１１１の基板１０からの盛り上がりの高さは周辺の第１の応答部材２１１２の基板１０からの盛り上がりの高さより小さくてもよい。

【0042】

いくつかの実施例において、図９を参照すると、応答部２２の各々の少なくとも２つの第１の応答部材２１１は、中間の第１の応答部材２１１１と、中間の第１の応答部材２１１１を取り囲む複数の周辺の第１の応答部材２１１２とを含む。中間の第１の応答部材２１１１は第１の接着面積を有し、周辺の第１の応答部材２１１２は第２の接着面積を有し、第１の接着面積は第２の接着面積よりも大きい。本実施例において、第１の接着面積とは、中間の第１の応答部材２１１１の基板１０とは反対側の面の面積、即ち、中間の第１の応答部材２１１１がマイクロデバイスと接触可能な面積である。第２の接着面積とは、周辺の第１の応答部材２１１２の基板１０とは反対側の面の面積、即ち、周辺の第１の応答部材２１１２がマイクロデバイスと接触可能な面積である。周辺の第１の応答部材２１１２のサイズを小さくすることにより、移載際に隣接するマイクロデバイスに与える影響をさらに減少することができる。中間の第１の応答部材２１１１を多層材料構造として設置し、周辺の第１の応答部材２１１２を単層材料構造として設置してもよい。

【0043】

いくつかの実施例において、応答部２２の各々は、第１の総面積を有する。応答部２２の各々において、少なくとも２つの第１の応答部材２１１の各々は、接着面積を有し、少なくとも２つの第１の応答部材２１１の接着面積合計は、第１の総面積の１０％以上である。第１の応答部材２１１の各々の接着面積は、即ち、当該第１の応答部材２１１の基板１０とは反対側の面（即ち、マイクロデバイスを接着するための面）の面積である。図３を参照すると、１つの第１の応答部材２１１の接着面積は、図３の１つの小さな円の面積である。応答部２２の各々の少なくとも２つの第１の応答部材２１１の基板１０と反対側の面は、組み合わせてパターンが形成され、当該パターンの外接矩形の面積は、当該応答部２２のうち少なくとも２つの第１の応答部材２１１の接着面積と隙間面積との面積合計であると理解される当該応答部２２の第１の総面積である。図３～図９を参照すると、応答部２２の各々に対応する外接矩形は、例えば、第１の方向に沿った長さＷ１及び第２の方向に沿った幅Ｗ２を有し、第１の方向が第２の方向に直交する。第１の総面積は、長さＷ１と幅Ｗ２との積として理解される。図３を参照すると、応答部２２の各々の内には、３２個の第１の応答部材２１１を有し、当該３２個の小さな円の面積合計はＷ１＊Ｗ２の１０％以上である。

【0044】

いくつかの実施例において、複数の第１の応答部材２１１は、複数の行に配列され、且つ任意の隣接する２つの行における複数の第１の応答部材２１１は、接触がより均一になるようにずらして設置される。

【0045】

いくつかの実施例において、図３～図９を参照すると、応答部２２の各々の少なくとも２つの第１の応答部材２１１は、応答部２２の中心に対して対称に設置される。移載工程においてマイクロデバイスの解放際にマイクロデバイスのアライメントを確保し、移載精度を向上させることができる。

【0046】

（第２の実施例）
図１０及び図１１を参照すると、本願の１つの実施例にて提供されるマイクロデバイス移載アセンブリ３００は、移載キャリア１００と、移載キャリア１００に付着された複数のマイクロデバイス２００とを含む。標的解放マイクロデバイスの移載は、複数のマイクロデバイス２００における標的解放マイクロデバイスを移載キャリア１００から標的基板に解放することにより達成されてもよい。そのうち、移載キャリア１００は、基板１０と、基板１０の一方の側に設置された応答層２０とを含み、応答層２０は、互いに間隔をあけて設置された複数の応答部材２１を含む。複数のマイクロデバイス２００は、応答層２０の基板１０から離れた側に互いに間隔をあけて付着される。複数のマイクロデバイス２００の各々は、複数の応答部材２１の少なくとも２つに接続される。そのうち、複数の応答部材２１のうちのいずれか１つは、最大で１つのマイクロデバイス２００に接続される。

【0047】

本実施例において、基板１０は、例えば、ガラス等のレーザを透過可能な透明な板材であってもよく、応答層２０は、フォトリソグラフィやナノインプリント等の技術的手段により形成されることができる。応答層２０の材料は、紫外線又は深紫外線の波長のレーザで照射した後に分解しやすく且つガス状の揮発性分解物を生じるポリマー材料、例えば、光分解性トリアザポリマー（ＴＰ）、ポリイミド（ＰＩ）等であってもよい。有機シリカゲル等のレーザの照射により変形する材料であってもよく、応答層２０の材料は、上記３つの材料のいずれか１つであってもよく、２つ以上の材料の組み合わせであってもよい。

【0048】

応答層２０は、複数の応答部材２１を含み、複数の応答部材２１の材料は、同一であっても異なっていてもよい。複数の応答部材２１のうちの一部は、応答部材２１の各部の材料の機能分類に応じて、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤチップを接着するための接着力を提供する接着性材料を含んでもよく、応答層２０にレーザをよりよく吸収させるためのレーザ吸収材料を含んでもよい。いくつかの実施例において、接着性材料は、例えば、具体的には、ゴム系ポリマー（例えば、天然ゴム、ネオプレンゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ニトリルゴム等）、ポリエステル、カルバメート系ポリマー、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンズイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー、ポリビニル接着剤等の材料から選択されてもよく、これらのうちの１つ又は少なくとも２つの組み合わせであってもよい。例えば、いくつかの応答部材２１の接着性材料は、接着力を提供しつつレーザの照射により分解される材料を選択してもよい。別のいくつかの応答部材２２の接着性材料は、強い接着性を有する材料とレーザによる分解可能な材料との組み合わせを選択してもよい。

【0049】

レーザ吸収材料は、紫外線吸収剤及び／又は光重合開始剤を含んでもよく、紫外線吸収剤は、例えば、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸系紫外線吸収剤等であってもよく、これらのうちのいずれか１つ又は少なくとも２つの組み合わせであってもよい。光重合開始剤は、例えば、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等であってもよく、これらのうちの１つ又は少なくとも２つの組み合わせであってもよい。

【0050】

複数の応答部材２１の各々は、柱状、ブロック状、又はその他の形状であってもよいが、本実施例では、これに限定されない。複数のマイクロデバイス２００は、例えば、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤチップ、又は類似の移載要件を有する他のデバイスであるが、本実施例では、これに限定されない。

【0051】

本実施例において、応答部材２１は、最大で１つのマイクロデバイス２００に接続され、即ち、１つの応答部材２１は、１つのマイクロデバイス２００にのみ接続されるか、又はマイクロデバイス２００が接続されていない。例えば、いくつかの実施例において、図１２及び図１３を参照すると、複数の応答部材２１は、複数のマイクロデバイス２００と基板１０との間に接続された複数の第１の応答部材２１１と、複数のマイクロデバイス２００の間の隙間内に位置する複数の第２の応答部材２１２とを含む。第２の応答部材２１２は、マイクロデバイス２００が接続されていない応答部材２１である。

【0052】

いくつかの実施例において、複数のマイクロデバイス２００は、例えば、電極を有し、複数のマイクロデバイス２００は、電極から離れた側で応答層２０に接続されてもよく（図１１に示す）、電極が位置する側で応答層２０に接続されてもよく（図１３に示す）、本実施例では、これに限定されない。

【0053】

本実施例において、移載キャリア１００における１つの標的解放マイクロデバイスを解放する必要がある場合、標的解放マイクロデバイスに接続された応答部材２１にレーザで照射し、複数の応答部材２１が互いに間隔をあけて設置され、即ち、互いに独立しているので、標的解放マイクロデバイスに接続された応答部材２１が分解しても他のマイクロデバイス２００に接続された応答部材２１に影響を与えることがなく、移載誤差を低減させ、移載精度を向上させることができる。マイクロデバイス２００の各々が接続された少なくとも２つの応答部材２１も互いに間隔をあけて設置され、即ち隙間を有するので、マイクロデバイス２００の各々の応答層２０と接触する面積は、マイクロデバイス２００の面積よりも小さく、解放がより容易となる。

【0054】

いくつかの実施例において、マイクロデバイス２００の各々は、第１の方向に沿ったチップの長さＷ４及び第２の方向に沿ったチップの幅Ｗ５を有し、第１の方向と第２の方向とが互いに直交する。マイクロデバイス２００の各々が接続された少なくとも２つの応答部材２１の各々は、チップの長さＷ４の半分未満でチップの幅Ｗ５未満である応答幅Ｗ３を有する。例えば、応答幅Ｗ３は、応答部材２１の基板１０と反対側の面（即ち、マイクロデバイス２００と接続するための面）のパターンが円形である場合、当該円形の直径である。応答幅Ｗ３は、例えば、応答部材２１の基板１０と反対側の面（即ち、マイクロデバイス２００と接続するための面）のパターンが他の形状である場合、当該パターンの外接円の直径である。マイクロデバイス２００に接続された応答部材２１がマイクロデバイス２００の縁からはみ出さない。

【0055】

いくつかの実施例において、マイクロデバイス２００の各々が接続された少なくとも２つの応答部材２１は、マイクロデバイス２００と接触する総面積がマイクロデバイス２００の面積の１０％以上である。十分な接着力を確保しつつマイクロデバイス２００の解放がより容易となる。

【0056】

マイクロデバイス２００の各々が接続された少なくとも２つの応答部材２１は、マイクロデバイス２００の中心に対して対称に分布し、移載工程においてマイクロデバイスの解放際にマイクロデバイスのアライメントを確保し、移載精度を向上させることができる。

【0057】

（第３の実施例）
図１４に示すように、本願の第３の実施例にて提供されるマイクロデバイス２００の移載方法は、前述した第１の実施例におけるいずれか１つの移載キャリア１００又は前述した第２の実施例におけるいずれか１つのマイクロデバイス移載アセンブリ３００を採用する。図１４を参照すると、まず、複数のマイクロデバイス２００をソース基板から移載キャリア１００に接着させ、マイクロデバイス移載アセンブリ３００を形成することができ、複数のマイクロデバイス２００は、移載キャリア１００における標的解放マイクロデバイス２００を標的移載基板に解放することにより移載を完了させる標的解放マイクロデバイス２００を含む。具体的には、応答層２０のうち標的解放マイクロデバイス２００に対応する領域にレーザで照射し、照射した領域の応答層２０の材料を分解又は変形させて標的解放マイクロデバイス２００を解放するレーザ補助移載工程を採用することができる。

【0058】

本実施例にて提供されるマイクロデバイス移載方法は、前述した第１の実施例にて提供される移載キャリア１００又は前述した第２の実施例にて提供されるマイクロデバイス移載アセンブリ３００を適用するので、前述した第１の実施例及び第２の実施例と同様の有益な効果を有する。

【0059】

以上、本願の好適な実施例に過ぎず、本願に対していかなる形態上の制限を行うものではなく、本願は好適な実施例で以上のように開示されているが、本願を限定するものではなく、当業者であれば、本願の技術的解決手段から逸脱しない範囲内で、上記開示された技術的内容を利用して若干の変更又は同等の変化と修飾した同等の実施例を行うことができるが、本願の技術的解決手段から逸脱しない内容である限り、本願の技術的実質に基づいて以上の実施例に対して行われたいかなる簡単な修正、同等の変化及び修飾は、いずれも依然として本願の技術的解決手段の範囲内に属する。

【符号の説明】

【0060】

１００：移載キャリア、
１０：基板、
２０：応答層、
２１：応答部材、
２１１：第１の応答部材、
２１１１：中間の第１の応答部材、
２１１２：周辺の第１の応答部材、
２１２：第２の応答部材、
２２：応答部、
２３：光遮断材料、
２００：マイクロデバイス、
３００：マイクロデバイス移載アセンブリ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】