▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024086553
(43)【公開日】2024-06-27
(54)【発明の名称】回路基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/18 20060101AFI20240620BHJP
【ＦＩ】
H05K3/18
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023134906
(22)【出願日】2023-08-22
(31)【優先権主張番号】10-2022-0177095
(32)【優先日】2022-12-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】呉 榮 均
【テーマコード（参考）】
5E343
【Ｆターム（参考）】
5E343AA02
5E343AA15
5E343AA17
5E343AA18
5E343BB23
5E343BB24
5E343BB25
5E343CC62
5E343DD43
5E343DD76
5E343ER25
5E343ER26
5E343GG11
(57)【要約】
【課題】製造工程が簡単であり、工程問題の発生を最小化できる回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板は、絶縁層と、絶縁層上に位置する導電パッドと、絶縁層上に配置され、導電パッドに接続されるメッキ引込線と、絶縁層上に配置され、導電パッドと重畳する第１開口部と、第１開口部と離隔する第２開口部と、を含むソルダレジスト層と、を有し、メッキ引込線は、導電パッドから第２開口部の一側壁まで延長され、第２開口部と重畳する絶縁層の第２部分の厚さは、第１開口部と重畳する絶縁層の第１部分の厚さよりも薄い。
【選択図】図３
【解決手段】本発明による回路基板は、絶縁層と、絶縁層上に位置する導電パッドと、絶縁層上に配置され、導電パッドに接続されるメッキ引込線と、絶縁層上に配置され、導電パッドと重畳する第１開口部と、第１開口部と離隔する第２開口部と、を含むソルダレジスト層と、を有し、メッキ引込線は、導電パッドから第２開口部の一側壁まで延長され、第２開口部と重畳する絶縁層の第２部分の厚さは、第１開口部と重畳する絶縁層の第１部分の厚さよりも薄い。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する導電パッドと、
前記絶縁層上に配置され、前記導電パッドに接続されるメッキ引込線と、
前記絶縁層上に配置され、前記導電パッドと重畳する第１開口部と、前記第１開口部と離隔する第２開口部と、を含むソルダレジスト層と、を有し、
前記メッキ引込線は、前記導電パッドから前記第２開口部の一側壁まで延長され、
前記第２開口部と重畳する前記絶縁層の第２部分の厚さは、前記第１開口部と重畳する前記絶縁層の第１部分の厚さよりも薄いことを特徴とする回路基板。
前記絶縁層上に位置する導電パッドと、
前記絶縁層上に配置され、前記導電パッドに接続されるメッキ引込線と、
前記絶縁層上に配置され、前記導電パッドと重畳する第１開口部と、前記第１開口部と離隔する第２開口部と、を含むソルダレジスト層と、を有し、
前記メッキ引込線は、前記導電パッドから前記第２開口部の一側壁まで延長され、
前記第２開口部と重畳する前記絶縁層の第２部分の厚さは、前記第１開口部と重畳する前記絶縁層の第１部分の厚さよりも薄いことを特徴とする回路基板。
【請求項2】
前記メッキ引込線は、前記第２開口部と平面上重畳しないことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記絶縁層は、互いに対向する第１面及び第２面を含み、
前記絶縁層の前記第２面を基準とする、前記絶縁層の前記第２部分の第１面の高さは、前記絶縁層の前記第１部分の第１面の高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記絶縁層の前記第２面を基準とする、前記絶縁層の前記第２部分の第１面の高さは、前記絶縁層の前記第１部分の第１面の高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項4】
前記絶縁層の前記第２部分の表面粗さは、前記絶縁層の前記第１部分の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項5】
前記メッキ引込線の一端部は、前記第２開口部の一側壁と平面上同一線上に位置することを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項6】
前記導電パッドを覆う補助パッドをさらに有し、
前記補助パッドは、前記第１開口部と重畳することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記補助パッドは、前記第１開口部と重畳することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項7】
前記補助パッドは、メッキ層を含むことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項8】
絶縁層上に、メッキ接続配線と、前記メッキ接続配線に接続される導電パッドとを形成する段階と、
前記絶縁層上に前記導電パッドと重畳する第１開口部を有するソルダレジスト層を形成する段階と、
レーザ加工工程を用いて、前記メッキ接続配線と重畳する前記ソルダレジスト層の一部を除去して第２開口部を形成する段階と、
前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部と重畳する前記メッキ接続配線の一部を除去してメッキ引込線を形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記絶縁層上に前記導電パッドと重畳する第１開口部を有するソルダレジスト層を形成する段階と、
レーザ加工工程を用いて、前記メッキ接続配線と重畳する前記ソルダレジスト層の一部を除去して第２開口部を形成する段階と、
前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部と重畳する前記メッキ接続配線の一部を除去してメッキ引込線を形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項9】
前記第２開口部と重畳する前記絶縁層の第２部分の厚さは、前記第１開口部と重畳する前記絶縁層の第１部分の厚さよりも薄く形成されることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項10】
前記メッキ引込線を形成する段階は、前記導電パッドと直接接続されない前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項11】
前記メッキ接続配線及び前記導電パッドは、フォトエッチング工程で形成されることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項12】
前記絶縁層の前記第２部分の表面粗さは、前記絶縁層の前記第１部分の表面粗さよりも大きく形成されることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項13】
前記メッキ引込線の一端部は、前記第２開口部の一側壁と平面上同一線上に位置することを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項14】
前記第２開口部を形成する段階は、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部を形成した後に、前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記第２開口部を形成する段階は、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部を形成すると同時に、前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記導電パッドを覆う補助パッドを形成する段階をさらに有し、
前記補助パッドは、前記メッキ接続配線及び前記導電パッドに電気的信号を印加するメッキ工程を用いて形成することを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
前記補助パッドは、前記メッキ接続配線及び前記導電パッドに電気的信号を印加するメッキ工程を用いて形成することを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路基板及びその製造方法に関し、特に製造工程が簡単であり、工程問題の発生を最小化できる回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
回路基板を製造する場合、任意のメッキ接続配線を導電パッドに接続して導電パッドの表面にメッキを実行し、電気検査前にメッキ接続配線を分離するエッチバック（Ｅｔｃｈ ｂａｃｋ）という工程を実行している。
【0003】
エッチバック（Ｅｔｃｈ ｂａｃｋ）工程において、感光フィルムマスキング（Ｄｒｙ ｆｉｌｍ ｍａｓｋｉｎｇ）工程又は感光インクマスキング（ＬＰＲ ｉｎｋ ｍａｓｋｉｎｇ）工程を用いているが、感光フィルムマスキング工程又は感光インクマスキング工程は、製造工程が複雑であり、回路基板のパターン設計に制約がある。
また、感光フィルムマスキング工程又は感光インクマスキング工程では、感光フィルム又は感光インクの残留物（ｒｅｓｉｄｕｅ）によって工程問題が発生する可能性が高いという問題がある。
また、感光フィルムマスキング工程又は感光インクマスキング工程では、感光フィルム又は感光インクの残留物（ｒｅｓｉｄｕｅ）によって工程問題が発生する可能性が高いという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００４－１４００８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は上記従来の回路基板及びその製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、製造工程が簡単であり、工程問題の発生を最小化できる回路基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電パッドと、前記絶縁層上に配置され、前記導電パッドに接続されるメッキ引込線と、前記絶縁層上に配置され、前記導電パッドと重畳する第１開口部と、前記第１開口部と離隔する第２開口部と、を含むソルダレジスト層と、を有し、前記メッキ引込線は、前記導電パッドから前記第２開口部の一側壁まで延長され、前記第２開口部と重畳する前記絶縁層の第２部分の厚さは、前記第１開口部と重畳する前記絶縁層の第１部分の厚さよりも薄いことを特徴とする。
【0007】
前記メッキ引込線は、前記第２開口部と平面上重畳しないことが好ましい。
前記絶縁層は、互いに対向する第１面及び第２面を含み、前記絶縁層の前記第２面を基準とする、前記絶縁層の前記第２部分の第１面の高さは、前記絶縁層の前記第１部分の第１面の高さよりも低いことが好ましい。
前記絶縁層の前記第２部分の表面粗さは、前記絶縁層の前記第１部分の表面粗さよりも大きいことが好ましい。
前記メッキ引込線の一端部は、前記第２開口部の一側壁と平面上同一線上に位置することが好ましい。
前記導電パッドを覆う補助パッドをさらに有し、前記補助パッドは、前記第１開口部と重畳することが好ましい。
前記補助パッドは、メッキ層を含むことが好ましい。
前記絶縁層は、互いに対向する第１面及び第２面を含み、前記絶縁層の前記第２面を基準とする、前記絶縁層の前記第２部分の第１面の高さは、前記絶縁層の前記第１部分の第１面の高さよりも低いことが好ましい。
前記絶縁層の前記第２部分の表面粗さは、前記絶縁層の前記第１部分の表面粗さよりも大きいことが好ましい。
前記メッキ引込線の一端部は、前記第２開口部の一側壁と平面上同一線上に位置することが好ましい。
前記導電パッドを覆う補助パッドをさらに有し、前記補助パッドは、前記第１開口部と重畳することが好ましい。
前記補助パッドは、メッキ層を含むことが好ましい。
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板の製造方法は、絶縁層上に、メッキ接続配線と、前記メッキ接続配線に接続される導電パッドとを形成する段階と、前記絶縁層上に前記導電パッドと重畳する第１開口部を有するソルダレジスト層を形成する段階と、レーザ加工工程を用いて、前記メッキ接続配線と重畳する前記ソルダレジスト層の一部を除去して第２開口部を形成する段階と、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部と重畳する前記メッキ接続配線の一部を除去してメッキ引込線を形成する段階と、を有することを特徴とする。
【0009】
前記第２開口部と重畳する前記絶縁層の第２部分の厚さは、前記第１開口部と重畳する前記絶縁層の第１部分の厚さよりも薄く形成されることが好ましい。
前記メッキ引込線を形成する段階は、前記導電パッドと直接接続されない前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことが好ましい。
前記メッキ接続配線及び前記導電パッドは、フォトエッチング工程で形成することが好ましい。
前記絶縁層の前記第２部分の表面粗さは、前記絶縁層の前記第１部分の表面粗さよりも大きく形成されることが好ましい。
前記メッキ引込線の一端部は、前記第２開口部の一側壁と平面上同一線上に位置することが好ましい。
前記第２開口部を形成する段階は、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部を形成した後に、前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことが好ましい。
前記第２開口部を形成する段階は、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部を形成すると同時に、前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことが好ましい。
前記導電パッドを覆う補助パッドを形成する段階をさらに有し、前記補助パッドは、前記メッキ接続配線及び前記導電パッドに電気的信号を印加するメッキ工程を用いて形成することが好ましい。
前記メッキ引込線を形成する段階は、前記導電パッドと直接接続されない前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことが好ましい。
前記メッキ接続配線及び前記導電パッドは、フォトエッチング工程で形成することが好ましい。
前記絶縁層の前記第２部分の表面粗さは、前記絶縁層の前記第１部分の表面粗さよりも大きく形成されることが好ましい。
前記メッキ引込線の一端部は、前記第２開口部の一側壁と平面上同一線上に位置することが好ましい。
前記第２開口部を形成する段階は、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部を形成した後に、前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことが好ましい。
前記第２開口部を形成する段階は、前記レーザ加工工程を用いて、前記第２開口部を形成すると同時に、前記メッキ接続配線の一部を除去する段階を含むことが好ましい。
前記導電パッドを覆う補助パッドを形成する段階をさらに有し、前記補助パッドは、前記メッキ接続配線及び前記導電パッドに電気的信号を印加するメッキ工程を用いて形成することが好ましい。
【発明の効果】
【0010】
本発明の回路基板及びその製造方法によれば、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線を切断して電気的に分離可能なため、エッチバック工程においてメッキ接続配線を分離するために別途の感光フィルム又は感光インクを使用しなくてもよいので、製造工程を単純化することができる。
したがって、回路基板の製造費用を節減することができる。
また、別途の感光フィルム又は感光インクを使用しないので、残留物の発生を防止してメッキ接続配線が分離されないなどの工程問題の発生を最小化できる。
したがって、回路基板の製造費用を節減することができる。
また、別途の感光フィルム又は感光インクを使用しないので、残留物の発生を防止してメッキ接続配線が分離されないなどの工程問題の発生を最小化できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す平面図である。
【図4】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す平面図である。
【図12】本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
次に、本発明に係る回路基板及びその製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0013】
本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
また、添付した図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むことが理解されなければならない。
さらに、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図に示したものに限定されない。
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
また、添付した図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むことが理解されなければならない。
さらに、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図に示したものに限定されない。
【0014】
図面において様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上に」あるというのは、基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するわけではない。
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
さらに、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
また、明細書全体において、「接続される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するのではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく、電気的に接続されること、又は位置や機能により異なる名称で称され得るが、一切を意味することができる。
以下、図面を参照して、多様な実施形態と変形例を詳細に説明する。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上に」あるというのは、基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に「上に」位置することを意味するわけではない。
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
さらに、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
また、明細書全体において、「接続される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するのではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく、電気的に接続されること、又は位置や機能により異なる名称で称され得るが、一切を意味することができる。
以下、図面を参照して、多様な実施形態と変形例を詳細に説明する。
【0015】
図１～図３を参照して、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す平面図であり、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
図１～図３に示すように、本発明の一実施形態による回路基板は、絶縁層１００と、回路配線２００と、導電パッド３００と、メッキ引込線４００と、ソルダレジスト層５００と、補助パッド６００とを含む。
図１は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す平面図であり、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
図１～図３に示すように、本発明の一実施形態による回路基板は、絶縁層１００と、回路配線２００と、導電パッド３００と、メッキ引込線４００と、ソルダレジスト層５００と、補助パッド６００とを含む。
【0016】
絶縁層１００は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などのような熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸されたプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などのような複合樹脂などを含み得る。
本実施形態において、絶縁層１００は、熱硬化性樹脂の一種としてビスマレイミド（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）の種類とトリアジン（Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂とを含むＢＴ樹脂を含むが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な材質が可能である。
絶縁層１００は、互いに対向する第１面１００ｄ及び第２面１００ｕを含む。
本実施形態において、Ｚ軸方向を基準として、第１面は、下部面１００ｄであり、第２面は、上部面１００ｕである。
本実施形態において、絶縁層１００は、熱硬化性樹脂の一種としてビスマレイミド（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）の種類とトリアジン（Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂とを含むＢＴ樹脂を含むが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な材質が可能である。
絶縁層１００は、互いに対向する第１面１００ｄ及び第２面１００ｕを含む。
本実施形態において、Ｚ軸方向を基準として、第１面は、下部面１００ｄであり、第２面は、上部面１００ｕである。
【0017】
回路配線２００は、絶縁層１００上に配置され、電気的信号を伝達する。
本実施形態では、回路配線２００の例としてビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を示したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造の回路配線が可能である。
導電パッド３００は、絶縁層１００上に配置され、外部配線（図示せず）に接続可能である。
導電パッド３００を用いて回路基板の電気的信号を外部電子部品（図示せず）とやり取りする。
本実施形態では、回路配線２００の例としてビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を示したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造の回路配線が可能である。
導電パッド３００は、絶縁層１００上に配置され、外部配線（図示せず）に接続可能である。
導電パッド３００を用いて回路基板の電気的信号を外部電子部品（図示せず）とやり取りする。
【0018】
導電パッド３００は、第１開口部ＯＨ１と重畳する。
導電パッド３００は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの導電性物質を含み得る。
導電パッド３００の幅は、外部配線との容易な接触のために、メッキ引込線４００の幅より広い。
メッキ引込線４００は、絶縁層１００上に配置され、導電パッド３００に電気的信号を伝達して導電パッド３００をメッキする。
このようなメッキ引込線４００は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの導電性物質を含み得る。
導電パッド３００は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの導電性物質を含み得る。
導電パッド３００の幅は、外部配線との容易な接触のために、メッキ引込線４００の幅より広い。
メッキ引込線４００は、絶縁層１００上に配置され、導電パッド３００に電気的信号を伝達して導電パッド３００をメッキする。
このようなメッキ引込線４００は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの導電性物質を含み得る。
【0019】
ソルダレジスト層５００は、絶縁層１００の下部面１００ｄ及び上部面１００ｕに配置され、回路配線２００及びメッキ引込線４００を覆う。
ソルダレジスト層５００は、ソルダレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含み得る。
ソルダレジスト層５００は、互いに離隔する第１開口部ＯＨ１及び第２開口部ＯＨ２を有する。
第１開口部ＯＨ１は、フォトエッチング工程で形成し、第２開口部ＯＨ２は、レーザ加工工程で形成する。
このような第１開口部ＯＨ１及び第２開口部ＯＨ２によって、絶縁層１００の上部面１００ｕが露出される。
第１開口部ＯＨ１は、平面上、導電パッド３００と重畳する。
この時、第１開口部ＯＨ１の内の導電パッド３００と重畳しない部分には、絶縁層１００の上部面１００ｕが露出される。
ソルダレジスト層５００は、ソルダレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含み得る。
ソルダレジスト層５００は、互いに離隔する第１開口部ＯＨ１及び第２開口部ＯＨ２を有する。
第１開口部ＯＨ１は、フォトエッチング工程で形成し、第２開口部ＯＨ２は、レーザ加工工程で形成する。
このような第１開口部ＯＨ１及び第２開口部ＯＨ２によって、絶縁層１００の上部面１００ｕが露出される。
第１開口部ＯＨ１は、平面上、導電パッド３００と重畳する。
この時、第１開口部ＯＨ１の内の導電パッド３００と重畳しない部分には、絶縁層１００の上部面１００ｕが露出される。
【0020】
メッキ引込線４００の一端部４００ａは、第２開口部ＯＨ２の一側壁と平面上同一線上に配置される。
メッキ引込線４００の他端部４００ｂは、導電パッド３００と直接接続され、導電パッド３００と一体に形成される。
メッキ引込線４００は、第２開口部ＯＨ２で切断されるので、第２開口部ＯＨ２は、平面上、第１配線４１０及び第２配線４２０と重畳しない。
したがって、メッキ引込線４００は、導電パッド３００から第２開口部ＯＨ２の一側壁まで延長される。
レーザ加工工程を用いてソルダレジスト層５００をパターニングして第２開口部ＯＨ２を形成し、第２開口部ＯＨ２の下のメッキ接続配線４０（図１１参照）を除去する。
つまり、電気検査前にメッキ接続配線４０を分離するエッチバック工程において、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線４０の一部を除去して電気的に分離する。
メッキ引込線４００の他端部４００ｂは、導電パッド３００と直接接続され、導電パッド３００と一体に形成される。
メッキ引込線４００は、第２開口部ＯＨ２で切断されるので、第２開口部ＯＨ２は、平面上、第１配線４１０及び第２配線４２０と重畳しない。
したがって、メッキ引込線４００は、導電パッド３００から第２開口部ＯＨ２の一側壁まで延長される。
レーザ加工工程を用いてソルダレジスト層５００をパターニングして第２開口部ＯＨ２を形成し、第２開口部ＯＨ２の下のメッキ接続配線４０（図１１参照）を除去する。
つまり、電気検査前にメッキ接続配線４０を分離するエッチバック工程において、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線４０の一部を除去して電気的に分離する。
【0021】
本実施形態では、第２開口部ＯＨ２を遮断する別途の感光フィルム又は感光インクを使用せず、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線４０の一部を除去することができる。
この時、レーザＬ（図１１参照）は、非等方エッチングが可能なため、ソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同一の幅にエッチングする。
つまり、等方エッチングされるエッチング液でソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０をエッチングする場合には、ソルダレジスト層５００の下に位置したメッキ接続配線４０が過剰エッチングされ得る。
この時、レーザＬ（図１１参照）は、非等方エッチングが可能なため、ソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同一の幅にエッチングする。
つまり、等方エッチングされるエッチング液でソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０をエッチングする場合には、ソルダレジスト層５００の下に位置したメッキ接続配線４０が過剰エッチングされ得る。
【0022】
したがって、メッキ接続配線４０がエッチングされる幅が、ソルダレジスト層５００がエッチングされる幅よりも大きい。
しかし、本実施形態では、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０をエッチングするので、ソルダレジスト層５００がエッチングされる幅と、メッキ接続配線４０がエッチングされる幅とが同一である。
したがって、メッキ引込線４００の一端部４００ａは、第２開口部ＯＨ２の一側壁と平面上同一線上に位置する。
ここで、第２開口部ＯＨ２の一側壁は、メッキ引込線４００に隣接した部分である。
しかし、本実施形態では、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０をエッチングするので、ソルダレジスト層５００がエッチングされる幅と、メッキ接続配線４０がエッチングされる幅とが同一である。
したがって、メッキ引込線４００の一端部４００ａは、第２開口部ＯＨ２の一側壁と平面上同一線上に位置する。
ここで、第２開口部ＯＨ２の一側壁は、メッキ引込線４００に隣接した部分である。
【0023】
このように、本実施形態では、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０をエッチングするので、エッチング液によるメッキ接続配線４０の過剰エッチングを防止することができる。
この時、第２開口部ＯＨ２と重畳する絶縁層１００の第２部分１２０は、レーザ加工によってソルダレジスト層５００及びメッキ接続配線４０の一部を除去して露出するので、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、レーザ加工によって一部除去される。
この時、第２開口部ＯＨ２と重畳する絶縁層１００の第２部分１２０は、レーザ加工によってソルダレジスト層５００及びメッキ接続配線４０の一部を除去して露出するので、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、レーザ加工によって一部除去される。
【0024】
したがって、第２開口部ＯＨ２と重畳する絶縁層１００の第２部分１２０の厚さｔ２は、第１開口部ＯＨ１と重畳する絶縁層１００の第１部分１１０の厚さｔ１よりも薄い。
また、絶縁層１００の下部面１００ｄを基準として、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕの高さｈ２は、絶縁層１００の第１部分１１０の上部面１００ｕの高さｈ１よりも低い。
また、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、レーザ加工によって損傷し得る。
したがって、絶縁層１００の第２部分１２０の表面粗さは、フォトエッチング工程によってソルダレジスト層５００を除去して露出する絶縁層１００の第１部分１１０の表面粗さよりも大きい。
また、絶縁層１００の下部面１００ｄを基準として、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕの高さｈ２は、絶縁層１００の第１部分１１０の上部面１００ｕの高さｈ１よりも低い。
また、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、レーザ加工によって損傷し得る。
したがって、絶縁層１００の第２部分１２０の表面粗さは、フォトエッチング工程によってソルダレジスト層５００を除去して露出する絶縁層１００の第１部分１１０の表面粗さよりも大きい。
【0025】
補助パッド６００は、導電パッド３００を覆う。
このような補助パッド６００は、メッキ層を含み得る。
メッキ層は、メッキ工程によって形成され、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）などを含み得る。
このような補助パッド６００は、メッキ層を含み得る。
メッキ層は、メッキ工程によって形成され、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）などを含み得る。
【0026】
以下、図１～図３とともに図４～図１１を参照して、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法について詳しく説明する。
図４は、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す平面図であり、図５は、図４のＶ－Ｖ’線に沿って切断した断面図であり、図６は、図４の次の段階を示す平面図であり、図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図８は、図６の次の段階を示す平面図であり、図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’線に沿って切断した断面図であり、図１０は、図８の次の段階を示す平面図であり、図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’線に沿って切断した断面図である。
図４は、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す平面図であり、図５は、図４のＶ－Ｖ’線に沿って切断した断面図であり、図６は、図４の次の段階を示す平面図であり、図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図８は、図６の次の段階を示す平面図であり、図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’線に沿って切断した断面図であり、図１０は、図８の次の段階を示す平面図であり、図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’線に沿って切断した断面図である。
【0027】
図４及び図５に示すように、絶縁層１００上に、回路配線２００、メッキ接続配線４０、そして導電パッド３００を形成する。
回路配線２００、メッキ接続配線４０、そして導電パッド３００は、導電層を形成した後、これをフォトエッチング工程でパターニングして形成する。
この時、メッキ接続配線４０と導電パッド３００は、一体に形成可能である。
次に、絶縁層１００上に、回路配線２００、メッキ接続配線４０、そして導電パッド３００を覆うレジスト層５００ｍを形成する。
次に、マスクＭを用いてレジスト層５００ｍの一部分ＳＲ１を露光して硬化する。
次に、レジスト層５００ｍのうち硬化しない残りの部分ＳＲ２を現像して除去する。
回路配線２００、メッキ接続配線４０、そして導電パッド３００は、導電層を形成した後、これをフォトエッチング工程でパターニングして形成する。
この時、メッキ接続配線４０と導電パッド３００は、一体に形成可能である。
次に、絶縁層１００上に、回路配線２００、メッキ接続配線４０、そして導電パッド３００を覆うレジスト層５００ｍを形成する。
次に、マスクＭを用いてレジスト層５００ｍの一部分ＳＲ１を露光して硬化する。
次に、レジスト層５００ｍのうち硬化しない残りの部分ＳＲ２を現像して除去する。
【0028】
図６及び図７に示すように、レジスト層５００ｍの内の硬化しない残りの部分は、除去されて第１開口部ＯＨ１になり、このような第１開口部ＯＨ１を有するソルダレジスト層５００が完成する。
ソルダレジスト層５００の第１開口部ＯＨ１は、平面上、導電パッド３００と重畳する。
ここで、本願のレジスト層５００ｍは、ポジティブ感光膜であるので、露光した部分が硬化するが、露光していない部分が硬化するネガティブ感光膜を用いたレジスト層で第１開口部ＯＨ１を形成することも可能である。
本実施形態では、マスクＭを用いてレジスト層５００ｍの一部分を露光及び現像して第１開口部ＯＨ１を形成したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な方法でレジスト層に第１開口部ＯＨ１を形成することができる。
ソルダレジスト層５００の第１開口部ＯＨ１は、平面上、導電パッド３００と重畳する。
ここで、本願のレジスト層５００ｍは、ポジティブ感光膜であるので、露光した部分が硬化するが、露光していない部分が硬化するネガティブ感光膜を用いたレジスト層で第１開口部ＯＨ１を形成することも可能である。
本実施形態では、マスクＭを用いてレジスト層５００ｍの一部分を露光及び現像して第１開口部ＯＨ１を形成したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な方法でレジスト層に第１開口部ＯＨ１を形成することができる。
【0029】
図８及び図９に示すように、導電パッド３００を覆う補助パッド６００を形成する。
このような補助パッド６００は、メッキ接続配線４０及び導電パッド３００に電気的信号を印加するメッキ工程を用いて形成する。
この時、補助パッド６００は、第１開口部ＯＨ１と重畳して形成される。
メッキ接続配線４０は、ソルダレジスト層５００が覆っているので、メッキ接続配線４０上には補助パッド６００が形成されない。
このような補助パッド６００は、メッキ接続配線４０及び導電パッド３００に電気的信号を印加するメッキ工程を用いて形成する。
この時、補助パッド６００は、第１開口部ＯＨ１と重畳して形成される。
メッキ接続配線４０は、ソルダレジスト層５００が覆っているので、メッキ接続配線４０上には補助パッド６００が形成されない。
【0030】
図１０及び図１１に示すように、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線４０と重畳するソルダレジスト層５００の一部を除去して第２開口部ＯＨ２を形成する。
ここで、レーザ加工工程に用いられるレーザＬは、ヤグ（ＹＡＧ）レーザ、二酸化炭素（ＣＯ２）レーザなどを含み得る。
しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様なレーザが適用可能である。
レーザ加工工程は、レーザドリリング（ｌａｓｅｒ ｄｒｉｌｌｉｎｇ）を含み得る。
レーザドリリングは、レーザを一点に照射して熱で対象物体を溶解及び蒸発させて開口部を形成する加工方法である。
そして、ソルダレジストを含むソルダレジスト層５００を除去する場合、例えば、レーザのパワーは、１Ｗ未満であり得る。
ここで、レーザ加工工程に用いられるレーザＬは、ヤグ（ＹＡＧ）レーザ、二酸化炭素（ＣＯ２）レーザなどを含み得る。
しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様なレーザが適用可能である。
レーザ加工工程は、レーザドリリング（ｌａｓｅｒ ｄｒｉｌｌｉｎｇ）を含み得る。
レーザドリリングは、レーザを一点に照射して熱で対象物体を溶解及び蒸発させて開口部を形成する加工方法である。
そして、ソルダレジストを含むソルダレジスト層５００を除去する場合、例えば、レーザのパワーは、１Ｗ未満であり得る。
【0031】
図１～図３に示すように、レーザ加工工程を進行させ続けて第２開口部ＯＨ２と重畳するメッキ接続配線４０の一部を除去してメッキ引込線４００を形成する。
つまり、メッキ接続配線４０の内の外部配線（図示せず）と直接接続される部分を除去してメッキ接続配線４００を外部配線（図示せず）と分離されるメッキ引込線４００に形成する。
ここで、メッキ接続配線４０の一部を除去する場合のレーザのパワーは、ソルダレジスト層５００の一部を除去する場合のレーザのパワーに比べてより大きい。
例えば、銅を含むメッキ接続配線４０の一部を除去する場合、レーザのパワーは、３Ｗ以上であり得る。
つまり、メッキ接続配線４０の内の外部配線（図示せず）と直接接続される部分を除去してメッキ接続配線４００を外部配線（図示せず）と分離されるメッキ引込線４００に形成する。
ここで、メッキ接続配線４０の一部を除去する場合のレーザのパワーは、ソルダレジスト層５００の一部を除去する場合のレーザのパワーに比べてより大きい。
例えば、銅を含むメッキ接続配線４０の一部を除去する場合、レーザのパワーは、３Ｗ以上であり得る。
【0032】
第２開口部ＯＨ２と重畳する絶縁層１００の第２部分１２０は、レーザ加工工程によってソルダレジスト層５００及びメッキ接続配線４０の一部を除去して露出するので、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、一部除去される。
したがって、第２開口部ＯＨ２と重畳する絶縁層１００の第２部分１２０の厚さｔ２は、第１開口部ＯＨ１と重畳する絶縁層１００の第１部分１１０の厚さｔ１よりも薄い。
また、絶縁層１００の下部面１００ｄを基準として、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕの高さｈ２は、絶縁層１００の第１部分１１０の上部面１００ｕの高さｈ１よりも低い。
また、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、レーザ加工によって損傷し得る。
したがって、第２開口部ＯＨ２と重畳する絶縁層１００の第２部分１２０の厚さｔ２は、第１開口部ＯＨ１と重畳する絶縁層１００の第１部分１１０の厚さｔ１よりも薄い。
また、絶縁層１００の下部面１００ｄを基準として、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕの高さｈ２は、絶縁層１００の第１部分１１０の上部面１００ｕの高さｈ１よりも低い。
また、絶縁層１００の第２部分１２０の上部面１００ｕは、レーザ加工によって損傷し得る。
【0033】
したがって、絶縁層１００の第２部分１２０の表面粗さは、フォトエッチング工程によってソルダレジスト層５００を除去して露出する絶縁層１００の第１部分１１０の表面粗さより大きい。
さらに、上記で説明したように、レーザＬは非等方エッチングが可能なため、ソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同一の幅でエッチングする。
したがって、メッキ引込線４００の一端部４００ａは、第２開口部ＯＨ２の一側壁と平面上同一線上に位置する。
さらに、上記で説明したように、レーザＬは非等方エッチングが可能なため、ソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同一の幅でエッチングする。
したがって、メッキ引込線４００の一端部４００ａは、第２開口部ＯＨ２の一側壁と平面上同一線上に位置する。
【0034】
このように、本実施形態では、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線４０を切断して外部配線と電気的に分離可能なため、エッチバック工程においてメッキ接続配線４０を分離するために別途の感光フィルム又は感光インクを使用しなくてもよい。
したがって、製造工程を単純化して回路基板の製造費用を節減することができる。
また、メッキ接続配線４０を分離するエッチバック工程において、別途の感光フィルム又は感光インクを使用しなくてもよいので、残留物の発生を防止してメッキ接続配線４０が分離されないなどの工程問題の発生を最小化できる。
一方、上記実施形態では、レーザを用いてソルダレジスト層の一部を除去した後、メッキ接続配線の一部を除去したが、ソルダレジスト層の一部とメッキ接続配線の一部を同時に除去する他の実施形態も可能である。
したがって、製造工程を単純化して回路基板の製造費用を節減することができる。
また、メッキ接続配線４０を分離するエッチバック工程において、別途の感光フィルム又は感光インクを使用しなくてもよいので、残留物の発生を防止してメッキ接続配線４０が分離されないなどの工程問題の発生を最小化できる。
一方、上記実施形態では、レーザを用いてソルダレジスト層の一部を除去した後、メッキ接続配線の一部を除去したが、ソルダレジスト層の一部とメッキ接続配線の一部を同時に除去する他の実施形態も可能である。
【0035】
以下、図１２を参照して、本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法について詳しく説明する。
図１２は、本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す断面図である。
図１２に示した他の実施形態は、図４～図１１に示した一実施形態と比較して、ソルダレジスト層とメッキ接続配線を同時に除去することだけを除いて実質的に同一であることから、繰り返しの説明は、省略する。
図１２は、本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す断面図である。
図１２に示した他の実施形態は、図４～図１１に示した一実施形態と比較して、ソルダレジスト層とメッキ接続配線を同時に除去することだけを除いて実質的に同一であることから、繰り返しの説明は、省略する。
【0036】
図１２に示しているように、本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法は、レーザ加工工程を用いてメッキ接続配線４０と重畳するソルダレジスト層５００の一部を除去して第２開口部ＯＨ２を形成すると同時に、第２開口部ＯＨ２によって露出したメッキ接続配線４０を除去する。
この時、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同時に除去しなければならないので、レーザのパワーは、３Ｗ以上であり得る。
この時、第２開口部ＯＨ２によって露出したメッキ接続配線４０を除去することによって、メッキ接続配線４０を切断してメッキ引込線４００に形成する。
このように、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同時に除去することによって、回路基板の製造時間を短縮することができる。
この時、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同時に除去しなければならないので、レーザのパワーは、３Ｗ以上であり得る。
この時、第２開口部ＯＨ２によって露出したメッキ接続配線４０を除去することによって、メッキ接続配線４０を切断してメッキ引込線４００に形成する。
このように、レーザＬを用いてソルダレジスト層５００とメッキ接続配線４０を同時に除去することによって、回路基板の製造時間を短縮することができる。
【0037】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0038】
４０ メッキ接続配線
１００ 絶縁層
２００ 回路配線
３００ 導電パッド
４００ メッキ引込線
４１０ 第１配線
４２０ 第２配線
５００ ソルダレジスト層
５００ｍ レジスト層
６００ 補助パッド
ＯＨ１ 第１開口部
ＯＨ２ 第２開口部
１００ 絶縁層
２００ 回路配線
３００ 導電パッド
４００ メッキ引込線
４１０ 第１配線
４２０ 第２配線
５００ ソルダレジスト層
５００ｍ レジスト層
６００ 補助パッド
ＯＨ１ 第１開口部
ＯＨ２ 第２開口部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】