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▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024086563
(43)【公開日】2024-06-27
(54)【発明の名称】発光表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/122 20230101AFI20240620BHJP
H10K 59/88 20230101ALI20240620BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240620BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240620BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20240620BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20240620BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20240620BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240620BHJP
H10K 102/10 20230101ALN20240620BHJP
【ＦＩ】
H10K59/122
H10K59/88
H10K50/844
H10K59/10
H10K50/81
H10K71/60
H10K50/82
G09F9/30 365
G09F9/30 339Z
G09F9/30 349Z
H10K102:10
【審査請求】有
【請求項の数】23
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023149888
(22)【出願日】2023-09-15
(31)【優先権主張番号】10-2022-0177594
(32)【優先日】2022-12-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】兪在哲
(72)【発明者】
【氏名】金正五
(72)【発明者】
【氏名】兪明在
(72)【発明者】
【氏名】李今榮
(72)【発明者】
【氏名】姜▲聖▼浩
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC04
3K107CC05
3K107CC33
3K107DD22
3K107DD26
3K107DD89
3K107DD95
3K107EE02
3K107EE03
3K107EE46
3K107EE47
3K107FF06
3K107GG12
3K107GG28
5C094AA10
5C094AA25
5C094BA27
5C094EA04
5C094EA05
5C094EC04
5C094FA01
5C094JA13
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光領域の発光効率を向上させるとともに、隣接したサブ画素に漏洩電流が流れることを防止することができる発光表示装置を提供する。
【解決手段】発光領域及び非発光領域を含む複数のサブ画素と、前記複数のサブ画素のそれぞれに、前記発光領域及び前記非発光領域の一部と重畳するように備えられた第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に前記第２透明電極のエッジラインよりも内側に備えられた複数の突出パターンと、前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクとを含むことができる。
【選択図】図２
【解決手段】発光領域及び非発光領域を含む複数のサブ画素と、前記複数のサブ画素のそれぞれに、前記発光領域及び前記非発光領域の一部と重畳するように備えられた第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に前記第２透明電極のエッジラインよりも内側に備えられた複数の突出パターンと、前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクとを含むことができる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光領域及び非発光領域をそれぞれ含む複数のサブ画素と、
前記複数のサブ画素のそれぞれに設けられ、前記発光領域及び前記非発光領域の一部と重畳するように備えられた第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、
前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に前記第２透明電極のエッジラインよりも内側に備えられた複数の突出パターンと、
前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクと、を含む、発光表示装置。
前記複数のサブ画素のそれぞれに設けられ、前記発光領域及び前記非発光領域の一部と重畳するように備えられた第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、
前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に前記第２透明電極のエッジラインよりも内側に備えられた複数の突出パターンと、
前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクと、を含む、発光表示装置。
【請求項2】
前記複数の突出パターンは、前記第１領域の境界線と接した前記第２透明電極のエッジラインに沿って備えられた複数の第１突出パターンを含む、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項3】
前記第２透明電極は、前記第１領域に露出された前記複数の第１突出パターンの一部表面を除いた前記複数の突出パターンの表面に沿って及び前記複数の突出パターンが形成されていない領域に沿って備えられている、請求項２に記載の発光表示装置。
【請求項4】
前記複数の突出パターンが形成されていない領域で前記第１透明電極及び前記第２透明電極は互いに接している、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項5】
前記複数の突出パターンは無機絶縁材料を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項6】
前記複数の突出パターンは、前記第１透明電極及び前記第２透明電極のそれぞれの屈折率よりも低い屈折率を有する、請求項５に記載の発光表示装置。
【請求項7】
前記第２透明電極及び前記バンク上に中間層及びカソードと、
前記第１領域と重畳するダミーパターンをさらに含み、
前記ダミーパターンは前記中間層と同じ材料を含み、前記中間層及び前記カソードから分離されている、請求項１に記載の発光表示装置。
前記第１領域と重畳するダミーパターンをさらに含み、
前記ダミーパターンは前記中間層と同じ材料を含み、前記中間層及び前記カソードから分離されている、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項8】
前記バンクは前記第１領域の前記ダミーパターンを露出させる、請求項７に記載の発光表示装置。
【請求項9】
前記第１透明電極のエッジラインは前記ダミーパターンの下部縁と接している、請求項７に記載の発光表示装置。
【請求項10】
前記第２透明電極及び前記バンクの間にバリア層をさらに含む、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項11】
前記バリア層は、前記第１透明電極及び前記第２透明電極と異なる材料を含む、請求項１０に記載の発光表示装置。
【請求項12】
前記バリア層は、ＭｏＴｉ（モリチタン）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ａｕ（金）、及びＰｔ（白金）のうちのいずれか１種を含む、請求項１０に記載の発光表示装置。
【請求項13】
前記第１透明電極と接続される薄膜トランジスタをさらに含み、
前記薄膜トランジスタは前記第１領域を除いた前記非発光領域に配置される、請求項１に記載の発光表示装置。
前記薄膜トランジスタは前記第１領域を除いた前記非発光領域に配置される、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項14】
発光領域及び非発光領域をそれぞれ含む複数のサブ画素を形成することと、
前記複数のサブ画素のそれぞれに、前記発光領域及び前記非発光領域の一部と重畳するように備えられた第２透明電極を形成することと、
前記第２透明電極の下に、前記第２透明電極のエッジラインよりも内側に複数の突出パターンを形成することと、
前記複数の突出パターンの下に前記第２透明電極と重畳した第１透明電極を形成することと、
前記第２透明電極上に、前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクを形成することと、
前記第２透明電極と前記バンクの間にバリア層を形成することと、を含む、発光表示装置の製造方法。
前記複数のサブ画素のそれぞれに、前記発光領域及び前記非発光領域の一部と重畳するように備えられた第２透明電極を形成することと、
前記第２透明電極の下に、前記第２透明電極のエッジラインよりも内側に複数の突出パターンを形成することと、
前記複数の突出パターンの下に前記第２透明電極と重畳した第１透明電極を形成することと、
前記第２透明電極上に、前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクを形成することと、
前記第２透明電極と前記バンクの間にバリア層を形成することと、を含む、発光表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記第２透明電極を形成すること、
マスクとしてバリア材料パターンを用いて、第２透明電極材料をエッチングすることを含む、請求項１４に記載の発光表示装置の製造方法。
マスクとしてバリア材料パターンを用いて、第２透明電極材料をエッチングすることを含む、請求項１４に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記複数の突出パターンを形成することは、
マスクとして前記バリア材料パターンを用いて、前記第２透明電極のエッジラインよりも外郭側に突出した１次突出パターンをエッチングすることを含む、請求項１５に記載の発光表示装置の製造方法。
マスクとして前記バリア材料パターンを用いて、前記第２透明電極のエッジラインよりも外郭側に突出した１次突出パターンをエッチングすることを含む、請求項１５に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記バリア層を形成することは、
マスクとして前記バンクを用いて、前記バリア材料パターンをエッチングすることを含む、請求項１５に記載の発光表示装置の製造方法。
マスクとして前記バンクを用いて、前記バリア材料パターンをエッチングすることを含む、請求項１５に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項18】
基板に発光領域及び非発光領域をそれぞれ含む複数のサブ画素と、
前記発光領域及び前記非発光領域と重畳する領域を有する第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、
前記アノード上に設けられた発光層と、
前記発光領域及び前記非発光領域内の前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に備えられた複数の発光強化ドットと、を含み、
前記複数の発光強化ドットは前記第１透明電極及び前記第２透明電極の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記発光層で発光された光を前記基板の前記発光領域側に屈折させる、発光表示装置。
前記発光領域及び前記非発光領域と重畳する領域を有する第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、
前記アノード上に設けられた発光層と、
前記発光領域及び前記非発光領域内の前記第１透明電極及び前記第２透明電極の間に備えられた複数の発光強化ドットと、を含み、
前記複数の発光強化ドットは前記第１透明電極及び前記第２透明電極の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記発光層で発光された光を前記基板の前記発光領域側に屈折させる、発光表示装置。
【請求項19】
前記発光領域及び前記非発光領域の第１領域を露出させるバンクをさらに含む、請求項１８に記載の発光表示装置。
【請求項20】
前記非発光領域の前記第１領域によって露出されたダミーパターンをさらに含む、請求項１９に記載の発光表示装置。
【請求項21】
前記第２透明電極は、前記非発光領域の前記第１領域にアンダーカット領域を有する、請求項１９に記載の発光表示装置。
【請求項22】
前記発光層は前記非発光領域の前記第１領域によって分離される、請求項１９に記載の発光表示装置。
【請求項23】
前記非発光領域の前記第１領域は、前記アノードの縁部の側面に沿って選択的に備えられる、請求項１９に記載の発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は発光表示装置に関するものであり、より詳しくは発光領域の発光効率を向上させるとともに、隣接したサブ画素に漏洩電流が流れることを防止することができる発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
多様な情報を画面に具現する映像表示装置は情報通信時代の核心技術であり、薄型化、軽量化、低消費電力化の優れた性能を有する多くの多様な表示装置が継続的に開発されている。
【0003】
このうち、発光表示装置（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は自発光素子である発光素子を含むので、非発光素子に使用される別途の光源が必要ではないので、軽量化及び薄型化が可能である。
【0004】
発光素子はアノードとカソードとの間に中間層を含んでおり、アノードとカソードとの間に電場をかけることで、中間層から発光した光が多くの構成要素を通過して発光表示装置の外部に出ることになる。
【0005】
ところが、発光素子から発光した光の一部は発光表示装置の外部に出ることができず、表示装置の内部に閉じこめられるので、発光表示装置の光抽出効率が低くなる問題点が発生することがある。
【0006】
また、発光素子を含む発光表示装置は、複数のサブ画素のうちの一部の画素が漏洩電流によって発光する問題点が発生し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は上述した問題点を解決するためのものであり、発光領域の発光効率を向上させるとともに、隣接したサブ画素に漏洩電流が流れることを防止することができる発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の発光表示装置は、サブ画素のそれぞれに含まれた第１透明電極及び第２透明電極の間に複数の突出パターンを含み、発光部の発光効率を向上させるとともに、隣接したサブ画素に漏洩電流が流れることを防止することができる。
【0009】
本発明の一実施例による発光表示装置は、発光部及び非発光部を含む複数のサブ画素と、複数のサブ画素のそれぞれに、発光部及び非発光部の一部と重畳するように備えられた第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、第１透明電極及び第２透明電極の間に第２透明電極のエッジラインよりも内側に備えられた複数の突出パターンと、発光部及び非発光部の第１領域を露出させるバンクとを含むことができる。
【発明の効果】
【0010】
本発明の発光表示装置は、中間層から外部に発光することができない光が複数の突出パターンによって屈折されて外部に発光することができるようにすることで、発光領域の発光効率を向上させる効果を有する。
【0011】
また、本発明の発光表示装置は、隣接したサブ画素の間の非発光領域で中間層が第２透明電極のアンダーカットによって第１領域として分離できるので、中間層を通して隣接したサブ画素の間に漏洩電流が流れることを防止する効果を有する。
【0012】
さらに、本発明の発光表示装置は、第１及び第２透明電極の間に複数の突出パターンを備えることで、発光効率向上及び漏洩電流防止を同時に達成することができるので、消費電力及び生産エネルギーを低減することができる。よって、本発明の発光表示装置は、環境に優しく、低電力及び工程最適化の利点により、ＥＳＧ（Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ／Ｓｏｃｉａｌ／Ｇｏｖｅｒｎａｎｃｅ）効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
本明細書の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は添付図面に基づいて詳細に後述する実施例を参照すると明らかになるであろう。しかし、本明細書は以下で開示する多様な例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現できる。ただ、本明細書の多様な例は本明細書の開示を完全にし、本明細書の技術的思想が属する技術分野で通常の知識を有する者に本明細書の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本明細書の例は特許請求の範囲の範疇によって定義されるだけである。
【0015】
本明細書の多様な例を説明するための図面に開示した形状、サイズ、縮尺、角度、個数などは例示的なものであるので、本明細書の図面に示した事項に限定されるものではない。明細書全般にわたって同じ構成要素は同じ参照符号で指称する。また、本明細書の例の説明において、関連した公知の技術についての具体的な説明が本明細書の要旨を不必要にあいまいにする可能性があると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【0016】
本明細書で言及する「含む」、「有する」、「なる」などを使う場合、「～のみ」を使用しない限り、他の部分をさらに含むことができる。構成要素を単数で表現する場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【0017】
構成要素の解釈において、別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものとして解釈する。
【0018】
位置関係についての説明の場合、例えば、「～の上に」、「～の上部に」、「～の下部に」、「～のそばに」などで二つの部分の位置関係を説明する場合、「すぐ」又は「直接」を使用しない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。
【0019】
時間関係についての説明の場合、例えば、「～の後に」、「～に引き続き」、「～の次に」、「～の前に」などで時間的先後関係を説明する場合、「すぐ」又は「直接」を使用しない限り、連続的ではない場合も含むことができる。
【0020】
第１、第２などを多様な構成要素を敍述するために使うが、これらの構成要素はこれらの用語に限定されない。これらの用語はただ一構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下で言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもできる。
【0021】
「第１水平軸方向」、「第２水平軸方向」及び「垂直軸方向」は相互間の関係が垂直になった幾何学的関係のみと解釈されてはいけなく、本明細書の構成が機能的に作用することができる範囲内でより広い方向性を有することを意味することができる。
【0022】
「少なくとも一つ」という用語は一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組合せを含むものと理解しなければならない。例えば、「第１項目、第２項目及び第３項目のうちの少なくとも一つ」という意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目及び第３項目のうちの二つ以上から提示可能なすべての項目の組合せを意味することができる。
【0023】
本発明のいくつかの例のそれぞれの特徴は部分的に又は全体的に互いに結合又は組合せ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各例を互いに独立的に実施することもでき、連関関係で一緒に実施することもできる。
【0024】
以下では、本明細書の実施例による発光表示装置の好適な例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【0025】
各図の構成要素に参照符号を付けるにあたり、同じ構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されていても、できるだけ同じ符号を有することができる。そして、添付図面に示す構成要素のスケールは説明の便宜のために実際と異なるスケールを有するので、図面に示すスケールに限定されない。
【0026】
【0027】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による発光表示装置１０００は、発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡを含む複数のサブ画素ＰＸＬと、複数のサブ画素ＰＸＬのそれぞれに、発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡの一部と重畳するように備えられた第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３を含むアノード１１０と、第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の間に第２透明電極のエッジライン１１３ａより内側に備えられた複数の突出パターン１５０と、発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１を露出させるバンク１６０と、第２透明電極１１３及びバンク１６０の間に備えられたバリア層１７０とを含むことができる。
【0028】
基板１０は、画面が表示されるアクティブ領域と、画面が表示されない外郭領域とに区分され、アクティブ領域は複数のサブ画素ＰＸＬからなることができる。複数のサブ画素ＰＸＬは、実際に光が発光する領域である発光領域ＥＡと、発光領域ＥＡの周囲に光が発光しない領域である非発光領域ＮＥＡとからなることができる。複数のサブ画素ＰＸＬは、互いに異なる大きさの発光領域ＥＡを備えることができる。それぞれの発光領域ＥＡは、赤色、緑色及び青色からなる一つの単位画素を成すことができる。一例として、それぞれの発光領域ＥＡが赤色、緑色及び青色からなる単位画素の場合、青色の発光領域が赤色及び緑色の発光領域より発光効率が低いので、赤色及び緑色の発光領域より広い領域を有することができる。一方、隣接したサブ画素ＰＸＬの間は第１領域Ａ１を含む非発光領域ＮＥＡからなることができる。すなわち、第１領域Ａ１は隣接したサブ画素ＰＸＬのそれぞれの非発光領域ＮＥＡの一部と重畳するように備えられることができる。
【0029】
ここで、基板１０は、プラスチック基板の場合、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）またはポリアミド（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）を含むことができる。また、基板１０上には、データ信号及びゲート信号のような各種の信号配線、スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタのようなトランジスタ及びキャパシタなどを含む回路素子がサブ画素ＰＸＬ別に形成される。スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタのようなトランジスタは発光領域ＥＡと重畳せず、非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１を除いた領域である薄膜トランジスタ領域ＴＦＴに備えられることができる。本発明は、説明の便宜のために、一つの発光領域ＥＡを駆動する任意の一つの薄膜トランジスタＴ１を示している。
【0030】
薄膜トランジスタＴ１は、アクティブ層２７と、前記アクティブ層２７のチャネル領域２５とゲート絶縁膜３１を介在して重畳したゲート電極３５と、アクティブ層２７の両側と接続したソース電極４１及びドレイン電極４３とを含む。
【0031】
薄膜トランジスタＴ１のアクティブ層２７は、チャネル領域２５を間に挟んで両側にソース領域２１及びドレイン領域２３を備える。ソース領域２１及びドレイン領域２３のそれぞれはｎ型またはｐ型不純物が注入された半導体材料から形成される。ゲート電極３５と重畳したチャネル領域２５はｎ型またはｐ型不純物が注入されていない半導体材料から形成できる。
【0032】
薄膜トランジスタＴ１のゲート電極３５は、ゲート絶縁膜３１を間に挟んで、アクティブ層２７のチャネル領域２５と同じ幅で重畳するように構成される。ゲート絶縁膜３１はゲート電極３５と同じパターンでアクティブ層２７のチャネル領域２５と重畳する。例えば、ゲート電極３５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種またはこれらの合金からなる単層または多重層からなることができる。一方、ゲート絶縁膜３１は無機絶縁材料からなることができ、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、またはこれらの多重膜からなることができる。
【0033】
基板１０上の遮光層１１は薄膜トランジスタＴ１の少なくともアクティブ層２７のチャネル領域２５と重畳し、アクティブ層２７の下側に配置される。遮光層１１は、外部光が基板１０を透過して薄膜トランジスタＴ１に伝達されることを防止する。例えば、遮光層１１は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）、アルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）またはこれらの合金のような金属材料が単層になることができるか、またはこれらを用いた多層構造になることができる。
【0034】
遮光層１１上のバッファー膜２０は遮光層１１を覆うように構成される。例えば、バッファー膜２０は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）から単層または複数層の構造になることができる。
【0035】
バッファー膜２０上の層間絶縁膜３０はアクティブ層２７のソース領域２１及びドレイン領域２３のそれぞれを露出させるソースコンタクトホール及びドレインコンタクトホールを含み、ゲート絶縁膜３１及びゲート電極３５を覆うように構成されることができる。例えば、層間絶縁膜３０は無機絶縁材料からなることができる。例えば、層間絶縁膜３０は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはシリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）の単層または複数層からなることができる。
【0036】
層間絶縁膜３０上にソース電極４１及びドレイン電極４３が同一層として備えられることができる。ソース電極４１及びドレイン電極４３のそれぞれはソースコンタクトホール及びドレインコンタクトホールを介してアクティブ層２７のソース領域２１及びドレイン領域２３と接続される。例えば、ソース電極４１及びドレイン電極４３は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）または銅（Ｃｕ）またはこれらの合金のような金属材料が単層になることができるか、またはこれらを用いた多層構造になることができる。
【0037】
層間絶縁膜３０上のパッシベーション層４０は薄膜トランジスタ領域ＴＦＴを覆うように構成されることができる。これにより、薄膜トランジスタ領域ＴＦＴはパッシベーション層４０によって保護できる。例えば、パッシベーション層４０は一種の無機絶縁膜であり、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはシリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｘ）の単層または複数層から構成できる。
【0038】
パッシベーション層４０上には平坦化層５０が備えられることができる。平坦化層５０は薄膜トランジスタ領域ＴＦＴの上部の表面段差を充分に平坦化することができる程度の厚さに形成され、有機絶縁膜から形成できる。場合によって、平坦化層５０が薄膜トランジスタＴ１を保護する機能を兼ねる場合、パッシベーション層４０は省略することもできる。例えば、平坦化層５０は一種の有機絶縁膜であり、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｒｅｓｉｎ）及びアクリレート系（ａｃｒｙｌａｔｅ）のうちのいずれか１種からなることができ、場合によっては複数層に形成することもできる。
【0039】
平坦化層５０上に、アノード１１０、中間層１３０及びカソード１４０の積層構造を有する発光素子ＥＬが備えられることができる。発光素子ＥＬのアノード１１０は、アノードコンタクトホール５５を介して下部の薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極４３と接続される。このような発光素子ＥＬは、電源電圧ラインから供給された電流がカソード１４０に流れ、薄膜トランジスタＴ１から高電圧の電流をアノード１１０に供給すると、アノード１１０とカソード１４０との間に電場が形成されることで、中間層１３０は発光するようになる。
【0040】
具体的には、アノード１１０は複数のサブ画素ＰＸＬのそれぞれに備えられ、非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１の境界線と接し、発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡの一部と重畳するように構成されることができる。非発光領域ＮＥＡでアノード１１０はアノードコンタクトホール５５を介して薄膜トランジスタ領域ＴＦＴの少なくとも一つ以上の薄膜トランジスタＴ１と接続できる。例えば、アノード１１０はインジウム－スズ－オキサイド（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはインジウム－ジンク－オキサイド（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電材料からなることができ、光が透過することができる程度に薄い厚さを有する銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）またはこれらの合金からなることもできる。
【0041】
アノード１１０は、第１透明電極１１１及び第１透明電極１１１上の第２透明電極１１３が互いに重畳することによってなることができる。第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３のそれぞれの縁部の一部は第１領域Ａ１の境界線に接して形成できる。具体的には、第１領域Ａ１に隣接した第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３のそれぞれの側面である第１透明電極のエッジライン１１１ａ及び第２透明電極のエッジライン１１３ａは第１領域Ａ１の境界線と接して形成できる。ここで、第１領域Ａ１の境界線は図１のように非発光領域ＮＥＡでバンク１６０によって露出された領域の縁端を意味し、第１及び第２透明電極のエッジライン１１１ａ、１１３ａと接する第１領域Ａ１の縁端を含むことができる。
【0042】
また、第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３のそれぞれの縁端は図２の第１透明電極のエッジライン１１１ａ及び第２透明電極のエッジライン１１３ａのようにテーパーをなすように形成できる。よって、テーパーを有する第１及び第２透明電極のエッジライン１１１ａ、１１３ａはそれぞれバンク１６０の下部にアンダーカットを形成することができるので、バンク１６０の上部に蒸着するレイヤーの断線を手伝う。ただし、本発明の第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３のそれぞれのエッジラインはこれに限定されず、図２で第１透明電極のエッジライン１１１ａ及び第２透明電極のエッジライン１１３ａのそれぞれの反対側エッジラインのようにほぼ垂直になることもできる。
【0043】
本発明の発光表示装置１０００は、第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３にテーパーのようなアンダーカットが形成されなくても、次のように第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の間に複数の突出パターン１５０を備えて第２透明電極１１３の下部にアンダーカットを形成することで、第２透明電極１１３上に蒸着するレイヤーを断線させることができる。
【0044】
ここで、第２透明電極１１３は少なくとも複数の突出パターン１５０よりも薄い厚さを有することができる。薄い厚さの第２透明電極１１３は複数の突出パターン１５０が突出した形状を維持し、複数の突出パターン１５０のそれぞれの表面を覆うことができる。よって、第２透明電極１１３は複数の突出パターン１５０の表面及び複数の突出パターン１５０の間の突出パターン１５０が形成されていない領域に沿って備えられることができる。
【0045】
第１透明電極１１１と第２透明電極１１３とは突出パターン１５０が形成されていない領域で互いに接して形成できる。第１透明電極１１１はアノードコンタクトホール５５を介して下部の薄膜トランジスタＴ１と接続できる。したがって、本発明の発光表示装置１０００は、第１透明電極１１１が第２透明電極１１３と接続することで、アノードコンタクトホール５５を介して薄膜トランジスタＴ１の電流を同時に受けることができる。このような第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３は互いに同じ材料からなることができる。しかし、本発明はこれに限定されず、場合によって第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３は互いに異なる透明導電材料からなることができる。
【0046】
第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の間の複数の突出パターン１５０は第２透明電極１１３の縁端よりも内側に備えられることができる。特に、複数の突出パターン１５０のうち第１領域Ａ１に隣接した第１突出パターン１５０ａは第２透明電極のエッジライン１１３ａよりも内側に備えられることができる。このような第１突出パターン１５０ａは、図１のように、第１領域Ａ１に平行な方向に複数が備えられることができる。また、工程過程によって、第１突出パターン１５０ａは第１突出パターン１５０ａを間に挟んで第１領域Ａ１から離隔した第２突出パターン１５０ｂと異なる大きさを有することができる。よって、第２透明電極のエッジライン１１３ａの内側に備えられた第１突出パターン１５０ａは、図２のＣ領域のように、第２透明電極１１３の下部にアンダーカットを発生させることができる。したがって、本発明の発光表示装置１０００は、第２透明電極１１３上の中間層１３０が第２透明電極１１３のアンダーカットによって断線されることで、隣接したサブ画素ＰＸＬの間に漏洩電流が流れることを防止する効果を有することができる。また、複数の突出パターン１５０は、後述するように、発光表示装置の発光された光を外部に放出させるように手伝う発光強化ドット（ｄｏｔ）として機能することができる。
【0047】
複数の突出パターン１５０の形状は、断面積において下面が上面より広い断面台形の六面体からなることができる。しかし、本発明の複数の突出パターン１５０はこれに限定されず、一例として、複数の突出パターン１５０は、断面台形を有し、下部に行くほど広い面積を有する角錐台形を有することができる。
【0048】
複数の突出パターン１５０はＳｉＯ２のような無機絶縁材料からなることができる。無機絶縁材料からなる複数の突出パターン１５０は第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３のそれぞれより低い屈折率を有することができる。ここで、中間層１３０で発生した光のうち基板１０側に放出できない光は上方のカソード１４０によって反射されて基板１０に放出されるか、または側面方向のバンク１６０及び突出パターン１５０に向かうようになる。図３を参照すると、突出パターン１５０を経ずにバンク１６０に入射した光Ｅ１は消失されることができるが、突出パターン１５０の側面に入射した光Ｅ２、Ｅ３は突出パターン１５０と第１及び第２透明電極１１１、１１３との間の屈折率差によって下側及び上側に屈折される。よって、突出パターン１５０の側面に入射した光のうち第１透明電極１１１に向かって下側に屈折された光Ｅ３は基板１０の外部に発光することができる。また、突出パターン１５０の側面に入射した光のうち第２透明電極１１３に向かって上側に屈折された光Ｅ２は反射電極のカソード１４０によって反射され、再び下部の基板１０の外部に発光することができる。すなわち、本発明の発光表示装置１０００は、中間層１３０で発生した光がバンク１６０に向かうときに消失されず、突出パターン１５０によって屈折されて基板１０側に放出できるので、発光効率が向上する効果を有することができる。
【0049】
第２透明電極１１３上には、間にバリア層１７０を介在してバンク１６０を備えることができる。バリア層１７０は非発光領域ＮＥＡに備えられた第２透明電極１１３の上部を覆い、第２透明電極１１３とバンク１６０との間に備えられることができる。バリア層１７０は、工程過程で、マスク機能、及び第１突出パターン１５０ａの形成の際に使用されるエッチングガスからアノード１１０及び複数の突出パターン１５０を保護する機能を兼ねることができる。このようなバリア層１７０は第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３のそれぞれと異なる材料からなることができる。一例として、バリア層１７０は、ＭｏＴｉ（モリチタン）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ａｕ（金）、及びＰｔ（白金）のうちのいずれか１種を含んでなることができる。
【0050】
バンク１６０は、発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１を露出させるように、平坦化層５０及びバリア層１７０上に備えられることができる。すなわち、バンク１６０はアノード１１０の発光領域ＥＡを区分するためにアノード１１０の縁部の上部を覆い、非発光領域ＮＥＡに備えられた薄膜トランジスタ領域ＴＦＴを覆うことができる。ここで、バンク１６０は第１領域Ａ１を露出させることで、少なくとも第１領域Ａ１の境界線と接した第２透明電極のエッジライン１１３ａを露出させることができる。したがって、本発明の発光表示装置１０００は、バンク１６０上に蒸着する層を、図２のＣ領域のように、第２透明電極１１３のアンダーカット領域で断線させることができる。
【0051】
また、バンク１６０は少なくとも発光領域ＥＡに備えられた第２突出パターン１５０ｂの側面よりも高角のテーパーを有するように形成できる。高角になったバンク１６０の側面はステップカバレージ特性が良くない中間層１３０が薄く蒸着するようにする。このようなバンク１６０の側面は、基板１０の全面に共通マスクとして形成される中間層１３０がバンク１６０の側面に薄く形成されるようにすることで、中間層１３０がバンク１６０の側面から第１領域Ａ１に延びるとき、中間層１３０が容易に分離できる。
【0052】
第２透明電極１１３及びバンク１６０上に中間層１３０が備えられることができる。中間層１３０は正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬを含む多重層からなる単一スタックの有機層を意味することもできる。ここで、発光層ＥＭＬは、赤色、緑色及び青色のうちのいずれか一つの光を発光する発光層であり得、複数のサブピクセルＰＸＬのそれぞれに一部が備えられることができる。発光層ＥＭＬを除いた中間層１３０の多数の層は基板１０上に共通マスクとして全面に備えられることができる。また、中間層１３０は、複数のスタック（ｆｉｒｓｔ ｓｔａｃｋ、ｓｅｃｏｎｄ ｓｔａｃｋ）とスタックとの間に電荷生成層ＣＧＬ（ｃｈａｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含むタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造の発光ユニットを意味することもできる。ここで、電荷生成層ＣＧＬはｎ型及びｐ型の二重層からなることができる。そして、タンデム構造は図示の２スタック構造に限られず、３スタック以上の多重スタックであってもよい。このような電荷生成層ＣＧＬのｎ型電荷生成層及びｐ型電荷生成層はそれぞれｎ型ドーパント及びｐ型ドーパントを含むことができる。例えば、ｎ型ドーパントにリチウム（Ｌｉ）またはイッテルビウム（Ｙｂ）などの金属ドーパントを含むことができ、このような金属ドーパントが電荷移動度を高くする原因になり、ｎ型電荷生成層が複数のサブ画素に共通して形成されるとき、隣接したサブ画素の間の漏洩電流を引き起こす原因になることがある。ｎ型電荷生成層の他にも、電荷移動度が高い材料を含む中間層１３０の層は漏洩電流の原因になることがある。
【0053】
ところで、本発明の発光表示装置１０００による中間層１３０は、図２のＣ領域のように、第２透明電極１１３の下部のアンダーカット領域によって断線できる。したがって、本発明は、中間層１３０の共通層のうち電荷移動度が高い層を隣接したサブ画素ＰＸＬの間の非発光領域ＮＥＡである第１領域Ａ１から分離することができるので、漏洩電流が中間層１３０を通して隣接したサブ画素ＰＸＬの間に流れることを防止することができる。したがって、本発明は、バンク１６０上の中間層１３０から分離されて中間層１３０と同じ層に配置された中間層ダミーパターン１３０ａを備えるダミーパターン２００が第１領域Ａ１の平坦化層５０上に形成できる。
【0054】
中間層１３０上にカソード１４０が備えられることができる。カソード１４０は透明導電膜及び反射効率の高い不透明導電膜を含む多層構造に形成できる。カソード１４０の透明導電膜としては、インジウム－スズ－オキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）またはインジウム－ジンク－オキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）のような仕事関数値が比較的大きい材質からなり、不透明導電膜としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）からなる群から選択されるいずれか１種またはこれらの合金の単層または多層からなることができる。例えば、カソード１４０は、透明導電膜、不透明導電膜及び透明導電膜が順次積層された構造に形成されるか、または透明導電膜及び不透明導電膜が順次積層された構造に形成できる。
【0055】
カソード１４０は基板１０上に共通マスクを介して全面に形成できる。金属からなるカソード１４０は、平坦面に比べて、高角のテーパーを有するバンク１６０の側面では薄く形成できるが、ステップカバレージ特性が良いので、バンク１６０の側面を過ぎっても一部の側面まで連続的に備えられることができる。すなわち、カソード１４０は図２でバンク１６０の側面を過ぎって断線された形態を示しているが、バンク１６０の側面を過ぎって第２透明電極１１３の側面までも形成できる。ただ、カソード１４０は少なくとも、図２のＣ領域のように、第２透明電極１１３のアンダーカット領域で断線できる。よって、カソード１４０はバンク１６０上で第１領域Ａ１として分離され、ダミーパターン２００はカソード１４０と同じ層のカソードダミーパターン１４０ａを備えることができる。
【0056】
【0057】
図４ａを参照すると、基板１０上に、薄膜トランジスタＴ１及び発光素子ＥＬを覆う平坦化層５０を形成する。具体的には、遮光層１１が形成された基板１０上にバッファー膜２０を形成し、そのバッファー膜２０上にアクティブ層２７をマスク工程によって形成する。次いで、アクティブ層２７が形成されたバッファー膜２０上にゲート絶縁膜３１及びゲート電極３５をマスク工程によって同時に形成する。次いで、ゲート電極３５上に、ソース及びドレインコンタクトホールを備えた層間絶縁膜３０をマスク工程によって形成する。次いで、層間絶縁膜３０が形成された基板１０上にソース／ドレイン電極４１、４３をマスク工程によって形成する。次いで、ソース／ドレイン電極４１、４３が形成された層間絶縁膜３０上に、アノードコンタクトホール５５を備えたパッシベーション層４０及び平坦化層５０をマスク工程によって順次形成する。
【0058】
平坦化層５０上に第１透明電極材料１１１１を全面に形成し、第１透明電極材料１１１１上にマスク工程によって複数の突出パターン１１５０を形成し、第１透明電極材料１１１１及び複数の突出パターン１１５０上に第２透明電極材料１１１３を第１透明電極材料１１１１と重畳するように形成する。第２透明電極材料１１１３は少なくとも突出パターン１１５０の厚さよりも薄く形成し、突出パターン１１５０の表面形状に沿って形成することができる。また、複数の突出パターン１５０は第１透明電極材料１１１１及び第２透明電極材料１１１３のそれぞれの縁部よりも内側に形成することができる。
【0059】
次いで、図４ｂを参照すると、第２透明電極材料１１１３上にバリア材料層１１７０を第２透明電極材料１１１３と重畳して形成することができる。
【0060】
次いで、図４ｃを参照すると、バリア材料層１１７０上に感光膜ＰＲをマスク工程によって設定領域ＳＥＴ内に形成することができる。感光膜ＰＲの設定領域ＳＥＴは複数のサブ画素ＰＸＬのそれぞれに含まれたアノード１１０を備える領域であり得る。
【0061】
次いで、図４ｄを参照すると、感光膜ＰＲをマスクとしてバリア材料層１１７０をパターニングすることによってバリア材料パターン１１７０ａを形成する。ここで、バリア材料パターン１１７０ａのマスク工程では、湿式エッチング（Ｗｅｔ Ｅｔｃｈ）によって形成することができる。場合によって、バリア材料パターン１１７０ａは、Ｃ１領域のように、エッチングガスによって感光膜ＰＲの下部にアンダーカット形態のテーパーを有するように形成することができる。しかし、本発明はこれに限定されず、バリア材料パターン１１７０ａの側面は工程方式によって垂直に形成することもできる。
【0062】
次いで、図４ｅを参照すると、感光膜ＰＲをマスクとして第２透明電極材料１１１３をパターニングすることによって第２透明電極１１３を形成する。ここで、第２透明電極１１３のマスク工程では、ＨＣｌ（塩酸）とＨ３ＰＯ４（リン酸）とを組み合わせたガスを用いた湿式エッチングによって形成することができる。場合によって、第２透明電極１１３は、Ｃ２領域のように、バリア材料パターン１１７０ａの下部にアンダーカット形態のテーパーを有するように形成することもできる。しかし、本発明はこれに限定されず、第２透明電極１１３の側面は工程方式によって垂直に形成することもできる。
【0063】
また、第１透明電極材料１１１１が第２透明電極材料１１１３と同じ材料からなる場合、第２透明電極１１３のマスク工程の際、第２透明電極材料１１１３と接した第１透明電極材料１１１１の一部を除去することができる。ここで、エッチング程度は第２透明電極材料１１１３の厚さをエッチングすることができる程度に設定することで、第１透明電極材料１１１１は第２透明電極材料１１１３と一緒に全部エッチングされず、平坦化層５０上に残ることができる。
【0064】
また、二つの感光膜ＰＲの間の領域に隣接した第２透明電極１１３の縁部は感光膜ＰＲの間の隣接した領域から突出パターン１１５０の上面まで形成することができる。よって、感光膜ＰＲの間に位置する突出パターン１１５０は第２透明電極１１３から一部が露出できる。一方、第２透明電極１１３は、二つの感光膜ＰＲの間の領域に隣接した前記縁部を除いた縁部は突出パターン１１５０の表面を過ぎって突出パターン１１５０が形成されていない領域で第１透明電極材料１１１１と連続的に接するようになることができる。
【0065】
次いで、図４ｆを参照すると、感光膜ＰＲをマスクとして第１透明電極材料１１１１をパターニングすることによって第１透明電極１１１を形成する。ここで、第１透明電極１１１が第２透明電極１１３と同じ材料から形成される場合、第１透明電極１１１のマスク工程では、第２透明電極１１３のマスク工程で使用した同じエッチングガスを使用して形成することができる。場合によって、第１透明電極１１１は、Ｃ３領域のように、突出パターン１１５０の下部にアンダーカット形態のテーパーを有するように形成することができる。しかし、本発明はこれに限定されず、第１透明電極１１１の側面は工程方式によって垂直に形成することもできる。
【0066】
また、図４ｆの工程では、複数の突出パターン１１５０のうち、第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の縁部よりも外郭側に突出した１次突出パターン１１５０ａが現れることができる。すなわち、第１透明電極材料１１１１及び第２透明電極材料１１１３は二つの感光膜ＰＲの間に位置する１次突出パターン１１５０ａの上面までパターニングすることで、１次突出パターン１１５０ａが第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３よりも外郭側に突出することができる。一方、１次突出パターン１１５０ａを除いた複数の突出パターン１１５０ｂは下面及び表面が共に第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３と接することができる。
【0067】
次いで、図４ｇを参照すると、感光膜ＰＲを除去（Ｓｔｒｉｐ）し、バンク１６０がマスク工程によって形成することができる。バンク１６０は複数のサブ画素ＰＸＬのそれぞれの発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１を露出させるように形成できる。また、バンク１６０は第１領域Ａ１を露出させることで、第１領域Ａ１の境界線と重畳したバリア材料パターン１１７０ａの縁部を露出させるように形成することができる。
【0068】
次いで、図４ｈを参照すると、バリア材料パターン１１７０ａをマスクとして第２透明電極１１３の縁部よりも外郭側に突出した１次突出パターン１１５０ａをエッチングして第１突出パターン１５０ａを形成することができる。第１突出パターン１５０ａは、Ｃ４領域のように、第２透明電極１１３のエッジラインよりも内側に形成されることによって第２透明電極１１３のアンダーカットを形成することができる。よって、第１突出パターン１５０ａを第２透明電極１１３で覆われた第２突出パターン１５０ｂと異なる大きさに形成することができる。このような第１突出パターン１５０ａ及び第２突出パターン１５０ｂを含む複数の突出パターン１５０は本発明の光抽出効率を向上させ、第２透明電極１１３の下部にアンダーカットを形成することができる。
【0069】
一方、図４ｈの工程で、バリア材料パターン１１７０ａは第１突出パターン１１５０ａをエッチングするためのマスクとして機能するとともに、第１突出パターン１１５０ａのエッチングの際、第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の損傷を防止する機能を有することができる。
【0070】
次いで、図４ｉを参照すると、バンク１６０をマスクとしてバリア材料パターン１１７０ａをパターニングすることができる。よって、バンク１６０から露出されたバリア材料パターン１１７０ａの領域が除去されることで、第２透明電極１１３及びバンク１６０の重畳領域にバリア層１７０が形成できる。
【0071】
次いで、図４ｊを参照すると、図４ｉ工程を完了し、基板１０の全面にわたって中間層１３０及びカソード１４０を順次形成することができる。中間層１３０及びカソード１４０は、第２透明電極１１３の下部の第１突出パターン１５０ａにアンダーカットが形成されることにより、バンク１６０の側面から第１領域Ａ１として分離できる。よって、第１領域Ａ１には、中間層１３０及びカソード１４０のそれぞれと同一層を成す中間層ダミーパターン１３０ａ及びカソードダミーパターン１４０ａの積層構造を有するダミーパターン２００が形成できる。
【0072】
したがって、本発明の発光表示装置は、サブ画素ＰＸＬのそれぞれに含まれた発光素子ＥＬのアノード１１０及び中間層１３０の間に複数の突出パターン１５０を形成することにより、中間層１３０から外部に発光することができない光が複数の突出パターン１５０によって屈折されて外部に発光することができるようにすることで、発光領域ＥＡの発光効率を向上させる効果を有することができる。
【0073】
さらに、本発明の発光表示装置は、サブ画素ＰＸＬのそれぞれに含まれたアノード１１０の第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の間に複数の突出パターン１５０を形成し、複数の突出パターン１５０のうち第２透明電極のエッジライン１１３ａの下部に位置する複数の第１突出パターン１５０ａによって第２透明電極１１３のアンダーカットを形成することで、サブ画素ＰＸＬの間の非発光領域ＮＥＡで中間層１３０を第２透明電極１１３のアンダーカットによって第１領域Ａ１として分離することができるので、漏洩電流が中間層１３０を通して隣接したサブ画素ＰＸＬの間に流れることを防止する効果を有することができる。
【0074】
すなわち、本発明の発光表示装置は、第１透明電極１１１及び第２透明電極１１３の間に複数の突出パターン１５０を備えることで、発光効率向上及び漏洩電流防止の効果を同時に有することができる。
【0075】
図５は第２実施例による本発明の発光表示装置の平面図である。第２実施例による本発明は、第１領域Ａ１をアノード２１０の縁端の側面に沿って選択的に備えることができる。ただし、アノード２１０と薄膜トランジスタ領域ＴＦＴとの間には第１領域Ａ１を備えなくてもよい。アノード２１０は、互いに重畳した第１透明電極及び第２透明電極を含むことができ、第１透明電極及び第２透明電極の間には複数の突出パターン２５０を備えることができる。
【0076】
複数の突出パターン２５０のうち、第２透明電極の下部にアンダーカットを発生させる第１突出パターン２５０ａはアノード２１０の縁部に沿って備えられることができる。すなわち、第１突出パターン２５０ａは第１領域Ａ１の境界線と接するアノード２１０の縁部に沿って備えられることができる。よって、アノード２１０と薄膜トランジスタ領域ＴＦＴとの間には第２突出パターン２５０ｂが備えられることができる。
【0077】
バンク２６０はアノード２１０の発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１を露出させ、非発光領域ＮＥＡに備えられることができる。バンク２６０が非発光領域ＮＥＡの第１領域Ａ１を露出させることで、アノード２１０の縁部の上部は覆われ、アノード２１０の側面は露出されることができる。また、アノード２１０の第２透明電極の下部の第１突出パターン２５０ａは第１領域Ａ１に露出できる。
【0078】
一例として、赤色及び緑色の発光領域が並んで配置され、赤色及び緑色の発光領域の下部に赤色及び緑色の発光領域よりも大きい青色の発光領域が配置された単位サブ画素の場合、第１領域Ａ１はそれぞれの発光領域の間に備えられることができる。すなわち、第２実施例による発光表示装置は、漏洩電流が発生し得る発光領域の間に備えられることができる。よって、第２実施例による本発明の発光表示装置は、第１領域Ａ１及び第１領域Ａ１に隣接した第１突出パターン１５０ａを選択的に備えることで、発光領域ＥＡの間に漏洩電流が流れることを効果的に防止することができる。
【0079】
本明細書の一実施例による発光表示装置は下記のように説明することができる。
【0080】
本発明の一実施例による発光表示装置は、発光領域及び非発光領域を含む複数のサブ画素と、複数のサブ画素のそれぞれに、発光領域及び非発光領域の一部と重畳するように備えられた第１透明電極及び第２透明電極を含むアノードと、第１透明電極及び第２透明電極の間に第２透明電極のエッジラインよりも内側に備えられた複数の突出パターンと、発光領域及び非発光領域の第１領域を露出させるバンクとを含むことができる。
【0081】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、複数の突出パターンは、第１領域の境界線と接した第２透明電極のエッジラインに沿って備えられた複数の第１突出パターンを含むことができる。
【0082】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、第２透明電極は、第１領域に露出された複数の第１突出パターンの一部表面を除いた複数の突出パターンの表面及び複数の突出パターンが形成されていない領域に沿って備えられることができる。
【0083】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、複数の突出パターンが形成されていない領域で第１透明電極及び第２透明電極は互いに接することができる。
【0084】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、複数の突出パターンは無機絶縁材料からなることができる。
【0085】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、複数の突出パターンは、第１透明電極及び第２透明電極のそれぞれよりも低い屈折率を有することができる。
【0086】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、第２透明電極及びバンク上に中間層及びカソードをさらに含み、第１領域と重畳するダミーパターンをさらに含み、ダミーパターンは少なくとも中間層と同じ材料を含み、中間層及びカソードから分離できる。
【0087】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、バンクは第１領域のダミーパターンを露出させることができる。
【0088】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、第１透明電極のエッジラインはダミーパターンの下部縁と接することができる。
【0089】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、第２透明電極及びバンクの間にバリア層をさらに含むことができる。
【0090】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、バリア層は、第１透明電極及び第２透明電極のそれぞれと異なる材料からなることができる。
【0091】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、バリア層は、ＭｏＴｉ（モリチタン）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ａｕ（金）、及びＰｔ（白金）のうちのいずれか１種を含むことができる。
【0092】
本明細書の一実施例による発光表示装置によれば、第１透明電極と接続される薄膜トランジスタをさらに含み、薄膜トランジスタは第１領域を除いた非発光領域に位置することができる。
【0093】
以上で説明した本明細書は前述した実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本明細書の技術的事項から逸脱しない範囲内でさまざまな置換、変形及び変更が可能であるということは、本明細書が属する技術分野で通常の知識を有する者に明らかであろう。したがって、本明細書の範囲は後述する特許請求範囲によって決定され、特許請求の範囲の意味及び範囲かつその等価概念から導出されるすべての変更または変形の形態が本明細書の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0094】
Ａ１ 第１領域
１１０ アノード
１１１ 第１透明電極
１１３ 第２透明電極
１３０ 中間層
１４０ カソード
１５０ 複数の突出パターン
１６０ バンク
１７０ バリア層
２００ ダミーパターン
１１０ アノード
１１１ 第１透明電極
１１３ 第２透明電極
１３０ 中間層
１４０ カソード
１５０ 複数の突出パターン
１６０ バンク
１７０ バリア層
２００ ダミーパターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図4d】
【図4e】
【図4f】
【図4g】
【図4h】
【図4i】
【図4j】
【図5】