特開 2024-86599 高周波デバイス校正方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024086599

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】高周波デバイス校正方法

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/00 20060101AFI20240620BHJP

【ＦＩ】

G01R31/00

【審査請求】有

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023196307

(22)【出願日】2023-11-17

(31)【優先権主張番号】111148478

(32)【優先日】2022-12-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】520307104

【氏名又は名称】稜研科技股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＴＭＹ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＩＮＣ．

(74)【代理人】

【識別番号】100204490

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 葉子

(72)【発明者】

【氏名】黄 柏嘉

【テーマコード（参考）】

2G036

【Ｆターム（参考）】

2G036AA05

2G036AA09

2G036AA28

2G036BB09

(57)【要約】      （修正有）

【課題】本発明の１つの実施形態は高周波（ＲＦ）デバイス校正方法を提供する。
【解決手段】該方法は、１つの制御条件下での第１段デバイスの１つのチャネルの測定結果を取得することと、第２段デバイスの基準チャネルの基準測定結果を取得することであって、該チャネルは基準チャネルに対応し、測定結果と基準測定結果は第１段デバイスと第２段デバイスがＲＦデバイスに組み立てられる前に測定されることと、測定結果と基準測定結果とに基づいて該チャネルに対応する推定測定結果を決定することと、第１段デバイスと第２段デバイスがＲＦデバイスに組み立てられた後に該制御条件下でのＲＦデバイスの該チャネルの組立後測定結果を取得することと、推定測定結果と組立後測定結果とに基づいて該チャネルに対応する校正動作を実行することとを含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１制御条件下での第１段デバイスの第１チャネルの第１測定結果（Ｍ１）を取得することと、
第２段デバイスの第１基準チャネルの第１基準測定結果（ＲＭ１）を取得することであって、前記第１チャネルは前記第１基準チャネルに対応し、前記第１測定結果（Ｍ１）と前記第１基準測定結果（ＲＭ１）は前記第１段デバイスと前記第２段デバイスがＲＦデバイス（１０）に組み立てられる前に測定されることと、
前記第１測定結果（Ｍ１）と前記第１基準測定結果（ＲＭ１）とに基づいて前記第１チャネルに対応する第１推定測定結果（ＥＭ１）を決定することと、
前記第１段デバイスと前記第２段デバイスが前記ＲＦデバイス（１０）に組み立てられた後に前記第１制御条件下での前記ＲＦデバイス（１０）の前記第１チャネルの第１組立後測定結果（ＰＭ１）を取得することと、
前記第１推定測定結果（ＥＭ１）と前記第１組立後測定結果（ＰＭ１）とに基づいて前記第１チャネルに対応する第１校正動作を実行することと
を含む、
ＲＦデバイス校正方法。

【請求項2】

前記第１測定結果（Ｍ１）は、前記第１制御条件下での前記第１チャネルの第１ゲインと第１位相とを含む、
請求項１に記載のＲＦデバイス校正方法。

【請求項3】

前記第２段デバイスの前記第１基準チャネルの前記第１基準測定結果（ＲＭ１）を取得するステップは、
前記第１制御条件下での前記第２段デバイスの前記第１基準チャネルの測定結果を前記第１基準測定結果（ＲＭ１）として取得すること
を含む、
請求項１に記載のＲＦデバイス校正方法。

【請求項4】

前記第１測定結果（Ｍ１）と前記第１基準測定結果（ＲＭ１）とに基づいて前記第１チャネルに対応する前記第１推定測定結果（ＥＭ１）を決定するステップは、
前記第１測定結果（Ｍ１）と前記第１基準測定結果（ＲＭ１）とを加算することにより前記第１チャネルに対応する前記第１推定測定結果（ＥＭ１）を取得すること
を含む、
請求項１に記載のＲＦデバイス校正方法。

【請求項5】

前記第１推定測定結果（ＥＭ１）と前記第１組立後測定結果（ＰＭ１）とに基づいて前記第１チャネルに対応する前記第１校正動作を実行するステップは、
前記第１推定測定結果（ＥＭ１）と前記第１組立後測定結果（ＰＭ１）との間の第１比較結果を取得することと、
前記第１比較結果に基づいて前記第１チャネルに対応する前記第１校正動作を実行することと
を含む、
請求項１に記載のＲＦデバイス校正方法。

【請求項6】

前記第１推定測定結果（ＥＭ１）と前記第１組立後測定結果（ＰＭ１）との間の前記第１比較結果を取得するステップは、
前記第１推定測定結果（ＥＭ１）と前記第１組立後測定結果（ＰＭ１）との間の第１の差を前記第１比較結果として取得すること
を含む、
請求項５に記載のＲＦデバイス校正方法。

【請求項7】

前記第１制御条件下での前記第１段デバイスの第２チャネルの第２測定結果を取得することであって、前記第２チャネルは前記第１基準チャネルに対応し、前記第２測定結果は前記第１段デバイスと前記第２段デバイスが前記ＲＦデバイス（１０）に組み立てられ前に測定されることと、
前記第２測定結果と前記第１基準測定結果（ＲＭ１）とに基づいて前記第２チャネルに対応する第２推定測定結果を決定することと、
前記第１段デバイスと前記第２段デバイスが前記ＲＦデバイス（１０）に組み立てられた後に前記第１制御条件下での前記ＲＦデバイス（１０）の前記第２チャネルの第２組立後測定結果を取得することと、
前記第２推定測定結果と前記第２組立後測定結果とに基づいて前記第２チャネルに対応する第２校正動作を実行することと
を更に含む、
請求項１に記載のＲＦデバイス校正方法。

【請求項8】

前記第１測定結果（Ｍ１）、前記第１基準測定結果（ＲＭ１）、前記第１推定測定結果（ＥＭ１）、及び前記第１組立後測定結果（ＰＭ１）のうちの少なくとも１つは対応する表に記録される、
請求項１に記載のＲＦデバイス校正方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は高周波技術に関するものであり、特に、高周波デバイス校正方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

図１を参照されたい。図１は多段高周波（ＲＦ）デバイスの概略図である。図１において、ＲＦデバイス１０は、第１段に属するＲＦ素子ＲＦＵ１～ＲＦＵＮと、第２段に属するマルチプレクサ１１とを含んでよい。ＲＦ素子ＲＦＵ１～ＲＦＵＮのそれぞれは、例えばＲＦ回路板であり、ＲＦ回路板は１つ以上の（ＲＦ）チャネルを有してよい。加えて、マルチプレクサ１１は、例えば１つ以上の（ＲＦ）チャネルを有する電力分配器又は電力合成器であるが、これに限定されない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

ＲＦデバイスにとって、ＲＦ信号の複数グループ間のクロストーク及び／又は多段素子間のマッチングによるエラーは、校正によって抑制又は低減させる必要がある。一般的に、ＲＦデバイス１０が校正されるとき、ＲＦ素子ＲＦＵ１～ＲＦＵＮとマルチプレクサ１１は先ずＲＦデバイス１０に組み立てられ、次いでＲＦデバイス１０全体として校正される必要がある。しかし、このアプローチには多くの時間がかかり非効率である。

【課題を解決するための手段】

【0004】

従って、本発明は上記技術的課題を解決するために用いられる高周波（ＲＦ）デバイス校正方法を提供する。

【0005】

本発明の１つの実施形態は、ＲＦデバイス校正方法を提供する。ＲＦデバイス校正方法は、第１制御条件下での第１段デバイスの第１チャネルの第１測定結果を取得することと、第２段デバイスの第１基準チャネルの第１基準測定結果を取得することであって、第１チャネルは第１基準チャネルに対応し、第１測定結果と第１基準測定結果は第１段デバイスと第２段デバイスがＲＦデバイスに組み立てられる前に測定されることと、第１測定結果と第１基準測定結果とに基づいて第１チャネルに対応する第１推定測定結果を決定することと、第１段デバイスと第２段デバイスとがＲＦデバイスに組み立てられら後に第１制御条件下でのＲＦデバイスの第１チャネルの第１組立後測定結果を取得することと、第１推定測定結果と第１組立後測定結果とに基づいて第１チャネルに対応する第１校正動作を実行することとを含む。

【発明の効果】

【0006】

別の観点から見て、多段構造を有するＲＦデバイスに図１に示すような並列伝送線ネットワークが存在するとき、一般的に、設置後にＲＦデバイス上で複雑な校正手順を実行するには多くの時間を要する。しかし、本発明の１つの実施形態により提案される方法を介して、ＲＦデバイスを校正するための時間を効果的に削減することができ、これにより関連する校正効率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】多段ＲＦデバイスの概略図である。

【図2】本発明の１つの実施形態に基づき示した校正デバイスの概略図である。

【図3】本発明の１つの実施形態に基づき示したＲＦデバイスの校正方法のフロー図である。

【図4】本発明の１つの実施形態に基づき示した測定結果取得の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

図２を参照し、図２は本発明の１つの実施形態に基づき示した校正デバイスの概略図である。異なる実施形態において、校正デバイス２００は様々なスマートデバイス及び／又はコンピュータデバイスとして実装されてよい。いくつかの実施形態において、校正デバイス２００は高周波（ＲＦ）デバイスを校正するための専用機器として実装されてよいが、これに限定されない。

【0009】

図２において、校正デバイス２００は記憶回路２０２とプロセッサ２０４とを含む。記憶回路２０２は、例えば任意のタイプの固定又は着脱可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ハードディスク、又は他の類似のデバイス又はこれらデバイスの組合せであり、複数のプログラムコード又はモジュールを記録するために用いられてよい。

【0010】

プロセッサ２０４は記憶回路２０２に結合され、汎用プロセッサ、特定用途向けプロセッサ、従来のプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ、複数のマイクロプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサコアを組み合わせた１つ以上のマイクロプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、他のタイプの集積回路、ステートマシン、アドバンストＲＩＳＣマシン（ＡＲＭ）ベースのプロセッサ、及びそれらの類似製品であってよい。

【0011】

本発明の１つの実施形態において、プロセッサ２０４は本発明により提案されるＲＦデバイス校正方法を実装するために記憶回路２０２に記録されたプログラムコードにアクセスしてよい。

【0012】

図３を参照されたい。図３は、本発明の実施形態に基づき示したＲＦデバイス校正方法のフロー図である。本実施形態の方法は図２の校正デバイス２００により実行されてよく、図３の各ステップの詳細を図２に示した要素と共に以下に説明する。また、本発明の概念を理解しやすいよう、校正デバイス２００により校正される対象は図１のＲＦデバイス１０とするが、これに限定されなくてよい。

【0013】

先ず、ステップＳ３１０にて、プロセッサ２０４は第１制御条件下での第１段デバイスの第１チャネルの第１測定結果（以降、Ｍ１と呼称）を取得する。本実施形態において、第１段デバイスは、例えば図１におけるＲＦ素子ＲＦＵ１～ＲＦＵＮのうちの１つである。説明を容易にするため、考慮する第１段デバイスはＲＦ素子ＲＦＵ１であると仮定するが、これに限定されない。

【0014】

図４を参照されたい。図４は、本発明の１つの実施形態に基づき示した測定結果を取得する概略図である。図４において、試験者は、例えば試験すべきデバイス４１をオシロスコープ４２に接続し、次いで対応する測定を試験すべきデバイス４１に実行してよい。１つの実施形態において、試験すべきデバイス４１は、例えば考慮される第１段デバイス（例えばＲＦ素子ＲＦＵ１）であるが、これに限定されなくてよい。

【0015】

本発明の１つの実施形態において、ＲＦ素子ＲＦＵ１は１つ以上の（ＲＦ）チャネルを有すると仮定し、第１チャネルは、例えばＲＦ素子ＲＦＵ１のチャネルのうちの１つである。説明を容易にするため、下記において、ＲＦ素子ＲＦＵ１は４つのチャネル（以降、ＣＨ１１～ＣＨ１４と呼称）を含むと仮定し、第１チャネルは、例えばチャネルＣＨ１１であるが、これに限定されなくてよい。

【0016】

更に、第１制御条件は、例えば設計者により予め設定された複数の制御条件のうちの１つであり、異なる制御条件は、例えば異なる設定、パラメータ、及び／又は環境を有してよいが、これに限定されなくてよい。

【0017】

本発明の１つの実施形態において、第１測定結果Ｍ１は、例えばＲＦ素子ＲＦＵ１（及び他のＲＦ素子）とマルチプレクサ１１とがＲＦデバイス１０に組み立てられる前に測定される。１つの実施形態において、第１測定結果Ｍ１は、第１制御条件下での第１チャネルの第１のゲインと第１の位相（例えば、チャネルＣＨ１１のゲインと位相）を含んでよいが、これに限定されなくてよい。

【0018】

また、プロセッサ２０４は第１制御条件下での第１段デバイスの他のチャネルの測定結果を取得してもよい。例えば、プロセッサ２０４はＲＦ素子ＲＦＵ１のチャネルＣＨ１２～ＣＨ１４に対応するゲインと位相を対応する測定結果として取得してよいが、これに限定されなくてよい。

【0019】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は他の制御条件（例えば、第１制御条件とは異なる第２～第４制御条件）下での第１段デバイスの各チャネルの測定結果を取得してもよい。

【0020】

１つの実施形態において、異なる第１～第４制御条件下でのＲＦ素子ＲＦＵ１のチャネルＣＨ１１～ＣＨ１４の対応する測定結果を下記の表１に示す。

【0021】

【表1】

【0022】

１つの実施形態において、ＲＦ素子ＲＦＵ１は、校正装置２００による識別のための対応するキーコード及び／又はＭＡＣアドレスを有する。従って、ＲＦ素子ＲＦＵ１の上記測定結果を取得した後、これら測定結果はＲＦ素子ＲＦＵ１に対応するキーコード及び／又はＭＡＣアドレスで標識されて記憶回路２０２に記録されてよい。１つの実施形態において、後続の分析のためプロセッサ２０４がＲＦ素子ＲＦＵ１に関連付く測定結果にアクセスする場合、ＲＦ素子ＲＦＵ１のキーコード及び／又はＭＡＣアドレスに基づいて対応する測定結果を記憶回路２０２において見つけることができるが、これに限定されなくてよい。

【0023】

もう１つの実施形態において、ＲＦ素子ＲＦＵ１は組込み記憶媒体（例えば、電気的に消去可能な読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ））を備えてよい。この場合、上記測定結果を取得するためのＲＦ素子ＲＦＵ１の測定が完了した後、測定結果はＲＦ素子ＲＦＵ１の記憶媒体に書き込まれてよい。従って、将来的にＲＦ素子ＲＦＵ１がＲＦデバイス１０に組み立てられるとき、記憶媒体に記憶された測定結果を他の分析のために再利用することができるが、これに限定されなくてよい。

【0024】

他のＲＦ素子について、上記教示に基づき、関連する測定結果が記憶回路２０２及び／又は各ＲＦ素子の組込み記憶媒体に格納されてもよいが、これに限定されなくてよい。

【0025】

更に、表１の場合、考慮される第２制御条件は、例えば第１制御条件と同一の位相を有するが、第２制御条件に対応するゲインは第１制御条件に対応するゲインよりも５ｄＢ低い。更に、表１の場合、チャネルＣＨ１１～ＣＨ１４の第２制御条件のゲインと比較し、チャネルＣＨ１１～ＣＨ１４の考慮される第３制御条件のゲインはそれぞれ７．５ｄＢ、２．５ｄＢ、１ｄＢ、０ｄＢ減少している。表１の場合、チャネルＣＨ１１～ＣＨ１４の第３制御条件の位相と比較し、チャネルＣＨ１１～ＣＨ１４の考慮される第４制御条件の位相はそれぞれ９０度、２７０度、１８０度、０度調整されている。

【0026】

ステップＳ３２０において、プロセッサ２０４は第２段デバイスの第１基準チャネルの第１基準測定結果（以降、ＲＭ１と呼称）を取得する。本実施形態において、第２段デバイスは、例えば図１におけるマルチプレクサ１１（例えば周波数分割器）であるが、これに限定されなくてよい。

【0027】

１つの実施形態において、試験者は図４に示した状況に基づいてマルチプレクサ１１の第１基準測定結果を取得してもよい。例えば、試験者は図４における試験すべきデバイス４１をマルチプレクサ１１に置き換え、第１基準測定結果を取得するためマルチプレクサ１１をオシロスコープ４２に接続し、次いで対応する測定をマルチプレクサ１１に実行してよいが、これに限定されなくてよい。

【0028】

１つの実施形態において、マルチプレクサ１１も１つ以上の（ＲＦ）チャネルを有すると仮定し、第１基準チャネルは、例えばマルチプレクサ１１の基準チャネルのうちの１つである。説明を容易にするため、下記において、マルチプレクサ１１は４つの基準チャネル（以降、ＲＣＨ１～ＲＣＨ４と呼称）を含むと仮定し、第１基準チャネルは、例えばその基準チャネルＲＣＨ１であるが、これに限定されなくてよい。

【0029】

本発明の１つの実施形態において、第１基準測定結果ＲＭ１は、例えばＲＦ素子ＲＦＵ１（及び他のＲＦ素子）とマルチプレクサ１１とがＲＦデバイス１０に組み立てられる前に測定される。１つの実施形態において、第１基準測定結果ＲＭ１は第１基準チャネルゲインと位相（例えば、基準チャネルＲＣＨ１のゲインと位相）を含んでよいが、これに限定されなくてよい。

【0030】

１つの実施形態において、マルチプレクサ１１の基準チャネルＲＣＨ１～ＲＣＨ４の基準測定結果は下記の表２に示すようなものであってよい。

【0031】

【表2】

【0032】

もう１つの実施形態において、第２段デバイスはＲＦ素子ＲＦＵ１～ＲＦＵＮとは異なる他のＲＦ素子（以降、基準ＲＦ素子と呼称）として実装されてもよい。この場合、プロセッサ２０４は異なる制御条件（例えば第１～第４制御条件）下での基準ＲＦ素子の基準チャネルＲＣＨ１～ＲＣＨ４の測定結果を対応する基準測定結果として取得してもよく、これら基準測定結果は表１に類似する構造を有するもう１つの表として表されてよいが、これに限定されなくてよい。

【0033】

１つの実施形態において、マルチプレクサ１１は校正デバイス２００による識別のための対応するキーコード及び／又はＭＡＣアドレスを有する。従って、マルチプレクサ１１の上記測定結果を取得した後、これら測定結果はマルチプレクサ１１に対応するキーコード及び／又はＭＡＣアドレスで標識されて記憶回路２０２に記録されてよい。１つの実施形態において、後続の分析のためプロセッサ２０４がマルチプレクサ１１に関連付く測定結果にアクセスする場合、マルチプレクサ１１のキーコード及び／又はＭＡＣアドレスに基づいて対応する測定結果を記憶回路２０２において見つけることができるが、これに限定されなくてよい。

【0034】

もう１つの実施形態において、マルチプレクサ１１は組込み記憶媒体（例えば、電気的に消去可能な読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ））を備えてよい。この場合、上記測定結果を取得するためのマルチプレクサ１１の測定が完了した後、測定結果はマルチプレクサ１１の記憶媒体に書き込まれてよい。従って、将来的にマルチプレクサ１１がＲＦデバイス１０に組み立てられるとき、記憶媒体に記憶された測定結果を他の分析のために再利用することができるが、これに限定されなくてよい。

【0035】

ステップＳ３３０にて、プロセッサ２０４は第１測定結果Ｍ１と第１基準測定結果ＲＭ１とに基づき第１チャネルに対応する第１推定測定結果（以降、ＥＭ１と呼称）を決定する。

【0036】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、例えば、記憶回路２０２から第１測定結果Ｍ１及び／又は第１基準測定結果ＲＭ１を取得してよい、又は、それぞれＲＦ素子ＲＦＵ１の記憶媒体及びマルチプレクサ１１の記憶媒体から第１測定結果Ｍ１及び第１基準測定結果ＲＭ１を取得してよいが、これに限定されなくてよい。

【0037】

例えば、プロセッサ２０４は、ＲＦ素子ＲＦＵ１とマルチプレクサ１１とがＲＦデバイス１０に組み立てられた後に、記憶回路２０２から第１測定結果Ｍ１と第１基準測定結果ＲＭ１とを取得してよい、又は、それぞれＲＦ素子ＲＦＵ１の記憶媒体及びマルチプレクサ１１の記憶媒体から第１測定結果Ｍ１及び第１基準測定結果ＲＭ１を取得してよいが、これに限定されなくてよい。

【0038】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、第１測定結果Ｍ１と第１基準測定結果ＲＭ１とを加算することにより第１チャネルに対応する第１推定測定結果ＥＭ１を取得してよい。加えて、プロセッサ２０４は、類似の方法で他のチャネルに対応する推定測定結果を取得してもよい。

【0039】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、例えば、第１推定測定結果ＥＭ１と他のチャネルに対応する推定測定結果とを取得するため、表１と表２の（一部）内容を加算してよく、取得された第１推定測定結果ＥＭ１と他のチャネルに対応する推定測定結果を下記の表３に示す。

【0040】

【表3】

【0041】

表３におけるシナリオにて、ＲＦデバイス１０を組み立てるプロセスにおいて、ＲＦ素子ＲＦＵ１のチャネルＣＨ１１～ＣＨ１４は全てマルチプレクサ１１の基準チャネルＲＣＨ１に接続されることが予期されると仮定しているが、これに限定されなくてよい。

【0042】

この場合、プロセッサ２０４は、表３の各列におけるゲインを取得するため表２における基準チャネルＲＣＨ１に対応するゲインに表１の各列におけるゲインを加算してよい。同様に、プロセッサ２０４は、表３の各列における位相を取得するため表２における基準チャネルＲＣＨ１に対応する位相に表１の各列における位相を加算してよいが、これに限定されなくてよい。

【0043】

例えば、表３の第１推定測定結果ＥＭ１において、第１制御条件下のチャネル「ＣＨ１１＋ＲＣＨ１」のゲイン（即ち１３．５５）は、例えば、表１における第１制御条件下でのチャネルＣＨ１１のゲイン（即ち２１．７５）と表２における基準チャネルＲＣＨ１のゲイン（即ち－８．２）との和である。また、表３における第１推定測定結果ＥＭ１において、第１制御条件下のチャネル「ＣＨ１１＋ＲＣＨ１」の位相（即ち－１９９・４４）は、例えば、表１における第１制御条件下でのチャネルＣＨ１１の位相（即ち－１１４．２６）と表２における基準チャネルＲＣＨ１の位相（即ち－８５．１８）との和である。

【0044】

また、表３の第１推定測定結果ＥＭ１において、第２制御条件下のチャネル「ＣＨ１１＋ＲＣＨ１」のゲイン（即ち８．４２）は、例えば、表１における第１制御条件下でのチャネルＣＨ１のゲイン（即ち１６．６２）と表２における基準チャネルＲＣＨ１のゲイン（即ち－８．２）との和である。また、表３の第１推定測定結果ＥＭ１において、第２制御条件下のチャネル「ＣＨ１１＋ＲＣＨ１」の位相（即ち－１９８．５８）は、例えば、表１における第２制御条件下でのチャネルＣＨ１１の位相（即ち－１１３．４）と表２における基準チャネルＲＣＨ１の位相（即ち－８５．１８）との和である。

【0045】

もう１つの例として、表３の第１推定測定結果ＥＭ１において、第１制御条件下のチャネル「ＣＨ１２＋ＲＣＨ１」のゲイン（即ち１１．１８）は、例えば、表１における第１制御条件下でのチャネルＣＨ１２のゲイン（即ち１９．３８）と表２における基準チャネルＲＣＨ１のゲイン（即ち－８．２）との和である。また、表３の第１推定測定結果ＥＭ１において、第１制御条件下のチャネル「ＣＨ１２＋ＲＣＨ１」の位相（即ち－２０２．７７）は、例えば、表１における第１制御条件下でのチャネルＣＨ１２の位相（即ち－１１７．５９）と表２における基準チャネルＲＣＨ１の位相（即ち－８５．１８）との和である。

【0046】

当業者にとって、表３中の他のフィールドの内容を取得するための方法は上記教示から推測することができるはずであり、ここでは繰り返し述べない。

【0047】

ステップＳ３４０にて、第１段デバイス（例えばＲＦ素子ＲＦＵ１）と第２段デバイス（例えばマルチプレクサ１１）がＲＦデバイス１０に組み立てられた後、第１制御条件下でのＲＦデバイス１０の第１チャネルの第１組立後測定結果（以降、ＰＭ１と呼称）を取得する。

【0048】

本発明の１つの実施形態において、第１組立後測定結果ＰＭ１は、例えば、第１制御条件下でのＲＦデバイス１０の第１チャネルと第１基準チャネルの全体的なゲイン及び位相（例えば、チャネルＣＨ１１と基準チャネルＲＣＨ１の全体的なゲイン及び位相）とを含むが、これに限定されなくてよい。

【0049】

また、プロセッサ２０４は、第１制御条件（及び他の制御条件）下でのＲＦデバイス１０の他のチャネル及び対応する基準チャネルの組立後測定結果を取得してもよい。

【0050】

本発明の１つの実施形態において、ＲＦ素子ＲＦＵ１のチャネルＣＨ１１～ＣＨ１４は全てマルチプレクサ１１の基準チャネルＲＣＨ１に接続されると仮定していることから、プロセッサ２０４は、チャネルＣＨ１２～ＣＨ１４のそれぞれに対応する組立後測定結果を測定してもよく、これら組立後測定結果は第１組立後測定結果ＰＭ１と共に、例えば下記の表４に整理することができる。

【0051】

【表4】

【0052】

次に、ステップＳ３５０にて、プロセッサ２０４は、第１推定測定結果ＥＭ１と第１組立後測定結果ＰＭ１とに基づいて、第１チャネルに対応する校正動作を実行する。

【0053】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、第１推定測定結果ＥＭ１と第１組立後測定結果ＰＭ１との間の第１比較結果を取得し、第１比較結果に基づいて第１チャネルに対応する第１校正動作を実行してよい。

【0054】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、第１推定測定結果ＥＭ１と第１組立後測定結果ＰＭ１との間の差を第１比較結果として取得してよい。

【0055】

例えば、表３の内容において、第１チャネル（即ちチャネルＣＨ１１）の第１推定測定結果ＥＭ１は、ゲイン値１３．５５ｄＢと位相値－１９９．４４度を含む。また、表４の内容において、第１チャネル（即ちチャネルＣＨ１１）の第１組立後測定結果ＰＭ１はゲイン値１３．０７ｄＢと位相値１３２．９５度を含む。従って、第１推定測定結果ＥＭ１と第１組立後測定結果ＰＭ１との間の第１の差は、例えば０．４８ｄＢ（即ち、１３．５５－１３．０７）のゲインと２７．６１度（（－１９９．４４－１３２．９５）度に均しい）の位相を含む。

【0056】

同様の原理に基づき、プロセッサ２０４は、他のチャネルに対応する推定測定結果と組立後測定結果との間の比較結果を取得してよい。本発明の１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、例えば表３と表４の内容に基づいて下記の表５に示す様々な比較結果を取得してよい。

【0057】

【表5】

【0058】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４は、表５の列ｉにおけるゲイン及び位相を取得するため表３の列ｉにおけるゲイン及び位相から表４の列ｉにおけるゲイン及び位相を減算してよい。表３～表５の内容において、ｉは、例えば１未満でなく１６より大きくない整数であるが、これに限定されなくてよい。

【0059】

例えば、プロセッサ２０４は、表５における第１列のゲイン（即ち０．４８）及び位相（即ち２７．６１）を取得するため、表３における第１列のゲイン（即ち１３．５５）及び位相（即ち－１９９．４４）から表４における第１列のゲイン（即ち１３．０７）及び位相（即ち１３２．９５）を減算してよい。もう１つの例として、プロセッサ２０４は、表５における第３列のゲイン（即ち０．９５）及び位相（即ち３１．２９）を取得するため、表３における第３列のゲイン（即ち１３．６２）及び位相（即ち－１９６．１４）から表４における第３列のゲイン（即ち１２．６７）及び位相（１３２．５７）を減算してよい。表５の他の列におけるゲイン及び位相は上記教示から推測することができるはずであり、ここでは詳細を繰り返し述べない。

【0060】

次に、プロセッサ２０４は、例えば表５の内容に基づいてチャネルＣＨ１１～ＣＨ１４のうちの少なくとも１つに対応する校正動作を実行してよい。

【0061】

１つの実施形態において、プロセッサ２０４が表５に基づいてチャネルＣＨ１１に対応する校正動作を実行するとき、第１制御条件に対応するゲイン（即ち０．４８）及び位相（即ち２７．６１）はゲイン及び位相をそれぞれ０ｄＢ及び０度に正規化するため補償されてよい。同様に、プロセッサ２０４が表５に基づいてチャネルＣＨ１２に対応する校正動作を実行するとき、第１制御条件に対応するゲイン（即ち０．４５）及び位相（即ち３６．１１）はゲイン及び位相をそれぞれ０ｄＢ及び０度に正規化するため補償されてよい。また、プロセッサ２０４が表５に基づいてチャネルＣＨ１３に対応する校正動作を実行するとき、第１制御条件に対応するゲイン（即ち０．９５）及び位相（即ち３１．２９）はゲイン及び位相をそれぞれ０ｄＢ及び０度に正規化するため補償されてよい。

【0062】

１つの実施形態において、上記教示に基づいてチャネルＣＨ１１～ＣＨ１３の校正動作が完了した後、プロセッサ２０４は表６に示す各正規化後のゲイン差及び位相差を取得するためＲＦデバイス１０を再び測定してよい。

【0063】

【表6】

【0064】

表６から分かるように、上記教示において、校正（例えば補償）が表５における第１制御条件に対応するゲイン及び位相のみに基づいて実行されるとはいえ、他の制御条件に対応するゲイン及び位相も０に近いゲイン差及び位相差を取得するため対応して校正／補償される。

【0065】

また、上記実施形態において、校正が表５における第１制御条件に対応するゲイン及び位相に基づいて実行されると仮定しているとはいえ、他の実施形態において、各チャネルの校正はもう１つの制御条件（例えば第２制御条件）に対応するゲイン及び位相に基づいて実行されてもよい。この場合、他の制御条件に対応するゲイン及び位相も、０に近いゲイン差及び位相差を取得するため対応して調整／補償される。

【0066】

上記から、本発明の１つの実施形態において、単純にＲＦデバイス１０が組み立てられた後に制御条件のうちの１つの測定結果を補償することによって、実質的に他の制御条件のための補償を対応して完了することができることが分かる。このため、組み立て後にＲＦデバイス１０を測定及び補償する従来の方法と比較し、本発明の１つの実施形態はより好ましい効率を達成することができる。

【0067】

また、従来の方法はＲＦデバイス１０が組み立てられた後に機械全体の校正を実行することから、ＲＦデバイス１０中のいずれかのＲＦ素子及び／又はマルチプレクサが故障した場合、故障したＲＦ素子／デバイスが交換された後に機械全体の校正を再び実行する必要があり、よって時間をより多く費し非効率である。

【0068】

しかし、本発明の１つの実施形態の方法を介して、故障した素子／デバイスが新たな素子／デバイスに交換された後には新たな素子／デバイスのみが校正されることを要し、これにより時間を節約して効率を高める効果を達成する。

【0069】

上記実施形態は第１段デバイスと第２段デバイスを説明のための例としているが、他の実施形態において、他のデバイス（例えば第３段デバイス）が第２段デバイスの後に接続されてよく、他のデバイスは第１段デバイスの前に接続されてもよい。この場合、上記実施形態において教示された概念がやはり対応する分析及び校正を実行するために適用されてよい。

【0070】

また、図１には１つの第２段デバイスのみが示されているとはいえ、本発明の１つの実施形態により提案される方法はＲＦデバイス１０中に複数の第２段デバイスが存在する状況にも適用可能である。

【0071】

上記に基づき、本発明の１つの実施形態の方法は、第１段デバイスと第２段デバイスがＲＦデバイスに組み立てられる前に第１段デバイスのチャネルの測定結果及び第２段デバイスの基準チャネルの基準測定結果をそれぞれ取得し、次いで、例えば測定結果と基準測定結果とを加算することにより推定測定結果を決定することができる。

【0072】

第１段デバイスと第２段デバイスがＲＦデバイスに組み立てられた後、本発明の１つの実施形態は更にチャネル及び基準チャネルの組立後測定結果を取得することができ、推定測定結果と組立後測定結果との間の比較結果に基づいてチャネル及び基準チャネルの校正動作を実行することができる。このため、組立て後のＲＦデバイスの校正時間及び効率を向上させることができる。

【0073】

もう１つの様態から、図１に示すような並列伝送線ネットワークが多段構造を有するＲＦデバイスに存在する場合、一般的に、設置後のＲＦデバイス上で複雑な校正手順を実行するには時間を多く要する。しかし、本発明の１つの実施形態により提案される方法を介して、ＲＦデバイスを校正するための時間を効果的に削減することができ、これにより関連する校正効率を高めることができる。

【産業上の利用可能性】

【0074】

本発明の高周波デバイス校正方法は、高周波技術に応用することができる。

【符号の説明】

【0075】

１０：ＲＦデバイス
１１：マルチプレクサ
４１：デバイス
４２：オシロスコープ
２００：校正デバイス
２０２：記憶回路
２０４：プロセッサ
ＣＨ１１～ＣＨ１４：チャネル
ＥＭ１：第１推定測定結果
Ｍ１：第１測定結果
ＰＭ１：第１組立後測定結果
ＲＦＵ１～ＲＦＵＮ：ＲＦ素子
ＲＭ１：第１基準測定結果

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【外国語明細書】