(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024086658
(43)【公開日】2024-06-27
(54)【発明の名称】制御ユニットおよびそれを含む半導体製造設備
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20240620BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240620BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 Z
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023210776
(22)【出願日】2023-12-14
(31)【優先権主張番号】10-2022-0176921
(32)【優先日】2022-12-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】598123150
【氏名又は名称】セメス株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ムン，ヒョン オク
(72)【発明者】
【氏名】パク，ドンウォン
(72)【発明者】
【氏名】オ，ド ヨン
(72)【発明者】
【氏名】ヨ，ジェ ホ
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA32
5F131AA33
5F131BA11
5F131CA06
5F131CA12
5F131JA13
5F131JA27
(57)【要約】 （修正有）
【課題】それぞれのユニットに連結された個別の排気ダクトから測定された排気量に基づいてメイン排気ダクトに設置されたダンパを制御する制御ユニットおよびそれを含む半導体製造設備を提供する。
【解決手段】半導体製造設備は、メイン排気管４５０に設置されるダンパ４６０、基板を処理し、第１補助排気管４２０ａを介してメイン排気管４５０と連結される第１ユニット４１０ａ、基板を処理し、第２補助排気管４２０ｂを介してメイン排気管４５０と連結される第２ユニット４１０ｂ並びに第１ユニット４１０ａ及び第２ユニット４１０ｂを制御する制御ユニット１８０を含み、制御ユニット１８０は、第１ユニット４１０ａの排気量と第２ユニット４１０ｂの排気量に基づいてダンパ４６０を制御する。
【選択図】図６
【解決手段】半導体製造設備は、メイン排気管４５０に設置されるダンパ４６０、基板を処理し、第１補助排気管４２０ａを介してメイン排気管４５０と連結される第１ユニット４１０ａ、基板を処理し、第２補助排気管４２０ｂを介してメイン排気管４５０と連結される第２ユニット４１０ｂ並びに第１ユニット４１０ａ及び第２ユニット４１０ｂを制御する制御ユニット１８０を含み、制御ユニット１８０は、第１ユニット４１０ａの排気量と第２ユニット４１０ｂの排気量に基づいてダンパ４６０を制御する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メイン排気管に設置されるダンパ；
基板を処理し、第１補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第１ユニット；
前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第２ユニット；および
前記第１ユニットおよび前記第２ユニットを制御する制御ユニットを含み、
前記制御ユニットは前記第１ユニットの排気量と前記第２ユニットの排気量に基づいて前記ダンパを制御する、半導体製造設備。
基板を処理し、第１補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第１ユニット；
前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第２ユニット；および
前記第１ユニットおよび前記第２ユニットを制御する制御ユニットを含み、
前記制御ユニットは前記第１ユニットの排気量と前記第２ユニットの排気量に基づいて前記ダンパを制御する、半導体製造設備。
【請求項2】
前記第１補助排気管に設置される第１センサ；および
前記第２補助排気管に設置される第２センサをさらに含み、
前記制御ユニットは前記第１センサの測定値と前記第２センサの測定値に基づいて前記ダンパを制御する、請求項１に記載の半導体製造設備。
前記第２補助排気管に設置される第２センサをさらに含み、
前記制御ユニットは前記第１センサの測定値と前記第２センサの測定値に基づいて前記ダンパを制御する、請求項１に記載の半導体製造設備。
【請求項3】
前記第１補助排気管に設置される第１開閉弁；および
前記第２補助排気管に設置される第２開閉弁をさらに含む、請求項２に記載の半導体製造設備。
前記第２補助排気管に設置される第２開閉弁をさらに含む、請求項２に記載の半導体製造設備。
【請求項4】
前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無に基づいて前記ダンパを選択的に制御する、請求項３に記載の半導体製造設備。
【請求項5】
前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が同じである場合は前記ダンパを制御する、請求項４に記載の半導体製造設備。
【請求項6】
前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が異なる場合は前記ダンパを制御しない、請求項４に記載の半導体製造設備。
【請求項7】
前記第１センサおよび前記第２センサは前記第１ユニットおよび前記第２ユニットと前記第１開閉弁および前記第２開閉弁の間に配置される、請求項３に記載の半導体製造設備。
【請求項8】
前記第１センサおよび前記第２センサは排気量に応じた圧力を測定する、請求項２に記載の半導体製造設備。
【請求項9】
前記第１ユニットおよび前記第２ユニットは種類が異なる基板処理装置であるか、または種類が同じ複数の基板処理装置のうち一つである、請求項１に記載の半導体製造設備。
【請求項10】
前記制御ユニットは前記第１ユニットおよび前記第２ユニットの状態に応じて前記ダンパを選択的に制御する、請求項１に記載の半導体製造設備。
【請求項11】
前記制御ユニットは前記第１ユニットおよび前記第２ユニットの状態に応じて前記ダンパの制御時期を決める、請求項１に記載の半導体製造設備。
【請求項12】
前記第１ユニットおよび前記第２ユニットが種類が同じ基板処理装置である場合、前記制御ユニットは工程段階が同じか否かに基づいて前記ダンパを選択的に制御する、請求項１に記載の半導体製造設備。
【請求項13】
前記制御ユニットは前記第１ユニットの工程段階と前記第２ユニットの工程段階が同じである場合は前記ダンパを制御する、請求項１２に記載の半導体製造設備。
【請求項14】
前記制御ユニットは前記第１ユニットの工程段階と前記第２ユニットの工程段階が異なる場合は前記ダンパを制御しない、請求項１２に記載の半導体製造設備。
【請求項15】
前記制御ユニットは前記第１ユニットの排気圧力と前記第２ユニットの排気圧力を一定の割合で制御する、請求項１に記載の半導体製造設備。
【請求項16】
第１ユニットおよび第２ユニットを制御する制御ユニットであって、
前記第１ユニットは基板を処理し、第１補助排気管を介してメイン排気管に設置されるダンパと連結され、
前記第２ユニットは前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管に設置される前記ダンパと連結され、
前記第１補助排気管に設置される第１センサから前記第１ユニットの排気量に応じた圧力の入力を受け、
前記第２補助排気管に設置される第２センサから前記第２ユニットの排気量に応じた圧力の入力を受け、
前記第１ユニットの排気量に応じた圧力および前記第２ユニットの排気量に応じた圧力に基づいて前記ダンパを制御する、制御ユニット。
前記第１ユニットは基板を処理し、第１補助排気管を介してメイン排気管に設置されるダンパと連結され、
前記第２ユニットは前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管に設置される前記ダンパと連結され、
前記第１補助排気管に設置される第１センサから前記第１ユニットの排気量に応じた圧力の入力を受け、
前記第２補助排気管に設置される第２センサから前記第２ユニットの排気量に応じた圧力の入力を受け、
前記第１ユニットの排気量に応じた圧力および前記第２ユニットの排気量に応じた圧力に基づいて前記ダンパを制御する、制御ユニット。
【請求項17】
前記制御ユニットは前記第１補助排気管に設置される第１開閉弁の開閉の有無および前記第２補助排気管に設置される第２開閉弁の開閉の有無に基づいて前記ダンパを選択的に制御する、請求項１６に記載の制御ユニット。
【請求項18】
前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が同じである場合は前記ダンパを制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が異なる場合は前記ダンパを制御しない、請求項１７に記載の制御ユニット。
【請求項19】
前記制御ユニットは前記第１ユニットと前記第２ユニットの状態、または前記第１ユニットと前記第２ユニットの工程段階が同じか否かに基づいて前記ダンパを選択的に制御する、請求項１６に記載の制御ユニット。
【請求項20】
メイン排気管に設置されるダンパ；
基板を処理し、第１補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第１ユニット；
前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第２ユニット；
前記第１補助排気管に設置される第１開閉弁；
前記第２補助排気管に設置される第２開閉弁；
前記第１補助排気管に設置され、前記第１ユニットおよび前記第１開閉弁の間に配置される第１センサ；
前記第２補助排気管に設置され、前記第２ユニットおよび前記第２開閉弁の間に配置される第２センサ；および
前記第１ユニットおよび前記第２ユニットを制御する制御ユニットを含み、
前記制御ユニットは前記第１センサによって測定された前記第１ユニットの排気量に応じた圧力および前記第２センサによって測定された前記第２ユニットの排気量に応じた圧力に基づいて前記ダンパを制御し、
前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無に基づいて前記ダンパを選択的に制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が同じである場合は前記ダンパを制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が異なる場合は前記ダンパを制御しない、半導体製造設備。
基板を処理し、第１補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第１ユニット；
前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第２ユニット；
前記第１補助排気管に設置される第１開閉弁；
前記第２補助排気管に設置される第２開閉弁；
前記第１補助排気管に設置され、前記第１ユニットおよび前記第１開閉弁の間に配置される第１センサ；
前記第２補助排気管に設置され、前記第２ユニットおよび前記第２開閉弁の間に配置される第２センサ；および
前記第１ユニットおよび前記第２ユニットを制御する制御ユニットを含み、
前記制御ユニットは前記第１センサによって測定された前記第１ユニットの排気量に応じた圧力および前記第２センサによって測定された前記第２ユニットの排気量に応じた圧力に基づいて前記ダンパを制御し、
前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無に基づいて前記ダンパを選択的に制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が同じである場合は前記ダンパを制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が異なる場合は前記ダンパを制御しない、半導体製造設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は制御ユニットおよびそれを含む半導体製造設備に関する。より詳細には、フォトリソグラフィ工程に適用できる制御ユニットおよびそれを含む半導体製造設備に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造工程は半導体製造設備内で連続して行われることができ、前工程と後工程に区分することができる。ここで、前工程はウェハ上に回路パターンを形成して半導体チップを完成する工程をいい、後工程は前工程により完成された製品の性能を評価する工程をいう。
【0003】
半導体製造設備は半導体を製造するためにファブ（Ｆａｂ）と定義される半導体製造工場内に設置されることができる。ウェハは蒸着工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、アッシング工程、イオン注入工程、洗浄工程、パッケージ工程、検査工程など半導体を生産するためのそれぞれの工程を順に経るためにそれぞれの工程が行われる設備に移動されることができる。
【0004】
半導体製造設備の排気圧力は半導体製造工場で提供するメイン排気圧力に基づいて設定することができる。そのため、半導体製造工場で提供するメイン排気圧力が変動する場合、半導体製造設備の排気圧力も変動し得る。
【0005】
半導体製造工場のメイン排気圧力は半導体製造設備の排気圧力を維持するために作業者によって手動で調節することができる。しかし、作業者がメイン圧力の変動を認知し、作業計画をたてて問題を措置するまでは相当な時間が必要とされ、この時間の間排気圧力の変化により工程に否定的な影響を与え得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明で解決しようとする技術的課題は、それぞれのユニットに連結された個別の排気ダクトから測定された排気量に基づいてメイン排気ダクトに設置されたダンパを制御する制御ユニットおよびそれを含む半導体製造設備を提供することにある。
【0007】
本発明の技術的課題は以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記技術的課題を達成するための本発明の半導体製造設備の一態様（Ａｓｐｅｃｔ）は、メイン排気管に設置されるダンパ；基板を処理し、第１補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第１ユニット；前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第２ユニット；および前記第１ユニットおよび前記第２ユニットを制御する制御ユニットを含み、前記制御ユニットは前記第１ユニットの排気量と前記第２ユニットの排気量に基づいて前記ダンパを制御する。
【0009】
前記技術的課題を達成するための本発明の制御ユニットの一態様は、第１ユニットおよび第２ユニットを制御する制御ユニットであって、前記第１ユニットは基板を処理し、第１補助排気管を介してメイン排気管に設置されるダンパと連結され、前記第２ユニットは前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管に設置される前記ダンパと連結され、前記第１補助排気管に設置される第１センサから前記第１ユニットの排気量に応じた圧力の入力を受け、前記第２補助排気管に設置される第２センサから前記第２ユニットの排気量に応じた圧力の入力を受け、前記第１ユニットの排気量に応じた圧力および前記第２ユニットの排気量に応じた圧力に基づいて前記ダンパを制御する。
【0010】
前記技術的課題を達成するための本発明の半導体製造設備の他の態様は、メイン排気管に設置されるダンパ；基板を処理し、第１補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第１ユニット；前記基板を処理し、第２補助排気管を介して前記メイン排気管と連結される第２ユニット；前記第１補助排気管に設置される第１開閉弁；前記第２補助排気管に設置される第２開閉弁；前記第１補助排気管に設置され、前記第１ユニットおよび前記第１開閉弁の間に配置される第１センサ；前記第２補助排気管に設置され、前記第２ユニットおよび前記第２開閉弁の間に配置される第２センサ；および前記第１ユニットおよび前記第２ユニットを制御する制御ユニットを含み、前記制御ユニットは前記第１センサによって測定された前記第１ユニットの排気量に応じた圧力および前記第２センサによって測定された前記第２ユニットの排気量に応じた圧力に基づいて前記ダンパを制御し、前記制御ユニットは前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無に基づいて前記ダンパを選択的に制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が同じである場合は前記ダンパを制御し、前記第１開閉弁の開閉の有無および前記第２開閉弁の開閉の有無が異なる場合は前記ダンパを制御しない。
【0011】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備の内部構造を概略的に示す第１例示図である。
【図2】複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備の内部構造を概略的に示す第２例示図である。
【図3】半導体基板に対して熱処理工程を行う基板処理装置の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図4】半導体基板に対して熱処理工程を行う基板処理装置の内部構造を概略的に示す断面図である。
【図5】半導体基板に対して現像工程を行う基板処理装置の内部構造を概略的に示す断面図である。
【図6】複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備を構成する制御ユニットを説明するための第１例示図である。
【図7】複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備を構成する制御ユニットを説明するための第２例示図である。
【図8】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第１例示図である。
【図9】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第２例示図である。
【図10】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第３例示図である。
【図11】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第４例示図である。
【図12】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第５例示図である。
【図13】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第６例示図である。
【図14】複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備を構成する制御ユニットを説明するための第３例示図である。
【図15】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第７例示図である。
【図16】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第８例示図である。
【図17】半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第９例示図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下では添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図面上の同じ構成要素に対しては同じ参照符号を使用し、これらに係る重複する説明は省略する。
【0014】
本発明はフォトリソグラフィ工程に適用できる制御ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関するものである。半導体製造設備の排気圧力は半導体製造工場のメイン排気圧力に応じて変動し得る。本発明の制御ユニットは半導体製造設備内のそれぞれのユニットに連結された個別の排気ダクトから測定された排気量に基づいてメイン排気ダクトに設置されたダンパを制御できる。以下では図面などを参照して本発明を詳しく説明する。
【0015】
図１は複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備の内部構造を概略的に示す第１例示図である。図１によれば、半導体製造設備１００はロードポートユニット１１０、インデックスモジュール１２０、バッファモジュール１３０、トランスファモジュール１４０、プロセスチャンバ１５０およびインタフェースモジュール１６０を含んで構成されることができる。
【0016】
半導体製造設備１００は塗布工程、露光工程、現像工程、熱処理工程など多様な工程を経て半導体基板を処理するシステムである。半導体製造設備１００は、このために塗布工程（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うチャンバ、露光工程（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うチャンバ、現像工程（Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うチャンバ、熱処理工程（Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うチャンバなど同種または異種の複数のプロセスチャンバ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ；１５０）を含んでマルチチャンバ型基板処理システムとして設けられることができる。
【0017】
ロードポートユニット（Ｌｏａｄ Ｐｏｒｔ Ｕｎｉｔ；１１０）は、複数の半導体基板が搭載されたコンテナ１７０が載置できるように提供されるものである。前記で、コンテナ１７０は例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）であり得る。
【0018】
ロードポートユニット１１０ではコンテナ１７０がロード（Ｌｏａｄｉｎｇ）またはアンロード（Ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）され得る。また、ロードポートユニット１１０ではコンテナ１７０に収納されている半導体基板がロードまたはアンロードされ得る。
【0019】
図１には図示していないが、前者の場合、コンテナ搬送装置によってロードポートユニット１１０にコンテナ１７０がロードまたはアンロードされることができる。具体的に説明すると、コンテナ搬送装置がロードポートユニット１１０上に運んできたコンテナ１７０を載置させることによってコンテナ１７０がロードポートユニット１１０にロードされ得、コンテナ搬送装置がロードポートユニット１１０上に置かれているコンテナ１７０を把持して行くことによりコンテナ１７０がロードポートユニット１１０にアンロードされ得る。前記で、コンテナ搬送装置は例えば、ＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｈｏｉｓｔ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｅｒ）であり得る。
【0020】
後者の場合、基板搬送ロボット１２０ｂによりロードポートユニット１１０に載置したコンテナ１７０で半導体基板がロードまたはアンロードされることができる。コンテナ１７０がロードポートユニット１１０上に載置されると、基板搬送ロボット１２０ｂがロードポートユニット１１０に接近し、その後コンテナ１７０内で半導体基板を搬出し得る。半導体基板のアンロードはこのような過程により行われる。
【0021】
また、プロセスチャンバ１５０内で半導体基板に対する処理が完了すると、基板搬送ロボット１２０ｂがバッファモジュール１３０内で半導体基板を搬出してコンテナ１７０に搬入させ得る。半導体基板のロードはこのような過程により行われる。
【0022】
ロードポートユニット１１０はインデックスモジュール１２０の前方に複数配置されることができる。例えば、第１ロードポート１１０ａ、第２ロードポート１１０ｂ、第３ロードポート１１０ｃ、第４ロードポート１１０ｄなど４個のロードポート１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄがインデックスモジュール１２０の前方に配置されることができる。
【0023】
ロードポートユニット１１０がインデックスモジュール１２０の前方に複数配置される場合、それぞれのロードポートユニット１１０上に載置されるコンテナ１７０は種類が異なる物を搭載できる。例えば、ロードポートユニット１１０がインデックスモジュール１２０の前方に４個配置される場合、左側の第１ロードポート１１０ａ上に載置される第１ポッド１７０ａはウェハ型センサを搭載し得、中央部分の第２ロードポート１１０ｂおよび第３ロードポート１１０ｃ上に載置される第２ポッド１７０ｂおよび第３ポッド１７０ｃは基板（ウェハ）を搭載し得、右側の第４ロードポート１１０ｄ上に載置される第４ポッド１７０ｄはフォーカスリング、エッジリングなど消耗性部品を搭載し得る。
【0024】
しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。それぞれのロードポート１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ上に載置されるポッド１７０ａ，１７０ｂ，１７０ｃ，１７０ｄは種類が同じ物を搭載することも可能である。または、いくつかのロードポート上に載置されるポッドは種類が同じ物を搭載し、他のいくつかのロードポート上に載置されるポッドは種類が異なる物を搭載することも可能である。
【0025】
インデックスモジュール（Ｉｎｄｅｘ Ｍｏｄｕｌｅ；１２０）は、ロードポートユニット１１０とバッファモジュール１３０の間に配置され、ロードポートユニット１１０上のコンテナ１７０とバッファモジュール１３０の間に半導体基板を移送するようにインターフェースする役割を果たす。インデックスモジュール１２０はこのためにモジュールハウジング１２０ａ内に基板移送を担う基板搬送ロボット１２０ｂを含むことができる。基板搬送ロボット１２０ｂはモジュールハウジング１２０ａ内に少なくとも一つ設けられることができる。
【0026】
図１には図示していないが、インデックスモジュール１２０内には少なくとも一つのバッファチャンバが設けられることもできる。バッファチャンバには未処理の基板がバッファモジュール１３０に移送される前に一時的に格納され、処理済みの基板がロードポートユニット１１０上のコンテナ１７０に搬入される前に一時的に格納されることもできる。バッファチャンバはロードポートユニット１１０やバッファモジュール１３０に隣接しない側壁に設けられるが、これに限定されず、バッファモジュール１３０に隣接する側壁に設けられることも可能である。
【0027】
本実施形態ではバッファモジュール１３０を基準としてその一側にフロントエンドモジュール（ＦＥＭ；Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）を設けることができる。フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）はロードポートユニット１１０、インデックスモジュール１２０などを含み得、ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）、ＳＦＥＭなどとして設けられることができる。
【0028】
なお、複数のロードポート１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄは、図１の例示では水平方向（第１方向１０）に配列される構造を有しているが、本実施形態ではこれに限定されず、複数のロードポート１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄが垂直方向に積層される構造を有するように構成されることも可能である。この場合、フロントエンドモジュールは、例えば、垂直積層型ＥＦＥＭとして設けられることができる。
【0029】
バッファモジュール１３０は半導体製造設備１００上の入力ポートと出力ポートの間でバッファチャンバとして機能をする。バッファモジュール１３０はその内部に半導体基板を一時的に保管するバッファステージ１３０ｂを含むことができる。バッファステージ１３０ｂはインデックスモジュール１２０とトランスファモジュール１４０の間に単数で配置できるが、これに限定されず、複数で配置されることも可能である。
【0030】
バッファモジュール１３０はモジュールハウジング１３０ａ内にバッファステージ１３０ｂだけでなく基板搬送ロボット１３０ｃを備えることもできる。基板搬送ロボット１３０ｃはバッファステージ１３０ｂが複数で設けられる場合、複数のバッファステージ間に基板Ｗを移送する役割を果たす。
【0031】
バッファモジュール１３０はトランスファモジュール１４０の基板搬送ロボット１４０ｂにより半導体基板がロードまたはアンロードされることができる。バッファモジュール１３０はインデックスモジュール１２０の基板搬送ロボット１２０ｂにより半導体基板がロードまたはアンロードされることもできる。
【0032】
バッファモジュール１３０はインデックスモジュール１２０の後段に配置されることができる。すなわち、バッファモジュール１３０はインデックスモジュール１２０と同一線上に配置されなくてもよい。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。バッファモジュール１３０は、図２の例示のようにインデックスモジュール１２０と同一線上に配置されることも可能である。この場合には、インデックスモジュール１２０の基板搬送ロボット１２０ｂ、バッファモジュール１３０の基板搬送ロボット１３０ｃ、バッファステージ１３０ｂなどが単一のモジュールハウジング内に配置されることができる。図２は複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備の内部構造を概略的に示す第２例示図である。
【0033】
再び図１を参照して説明する。
【0034】
トランスファモジュール（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ；１４０）は、バッファモジュール１３０とプロセスチャンバ１５０の間で半導体基板が移送されるようにインターフェースする役割を果たす。トランスファモジュール１４０はこのためにモジュールハウジング１４０ａ内に基板移送を担う基板搬送ロボット１４０ｂを備えることができる。基板搬送ロボット１４０ｂはモジュールハウジング１４０ａ内に少なくとも一つ設けられることができる。
【0035】
基板搬送ロボット１４０ｂは未処理の基板をバッファモジュール１３０からプロセスチャンバ１５０に移送するか、処理済みの基板をプロセスチャンバ１５０からバッファモジュール１３０に移送する。トランスファモジュール１４０の各辺はこのためにバッファモジュール１３０および複数のプロセスチャンバ１５０と連結されることができる。なお、基板搬送ロボット１４０ｂはその回動が自在に設けられることができる。
【0036】
プロセスチャンバ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ；１５０）は、基板を処理する役割を果たす。プロセスチャンバ１５０はトランスファモジュール１４０の周囲に複数配置されることができる。この場合、それぞれのプロセスチャンバ１５０はトランスファモジュール１４０から半導体基板の供給を受けて半導体基板を工程処理し、工程処理された半導体基板をトランスファモジュール１４０に提供できる。
【0037】
プロセスチャンバ１５０は円筒形状や多角形形状に設けられることができる。このようなプロセスチャンバ１５０は表面が陽極酸化膜が形成されたアルマイト（Ａｌｕｍｉｔｅ）からなり、その内部は気密に構成されることができる。なお、プロセスチャンバ１５０は本実施形態で円筒形状や多角形形状以外の異なる形状に形成されることも可能である。
【0038】
インタフェースモジュール１６０は基板Ｗを移送する役割を果たす。インタフェースモジュール１６０はモジュールハウジング１６０ａ、バッファステージ１６０ｂおよび基板搬送ロボット１６０ｃを含むことができる。バッファステージ１６０ｂと基板搬送ロボット１６０ｃはモジュールハウジング１６０ａ内に位置する。バッファステージ１６０ｂは単数で提供できるが、これに限定されず、複数で提供されることも可能である。バッファステージ１６０ｂが複数で提供される場合は、複数のバッファステージは互いに一定の距離離隔され得、互いに積層するように配置されることができる。
【0039】
基板搬送ロボット１６０ｃはバッファステージ１６０ｂと露光装置ＥＸＰの間に基板Ｗを搬送する役割を果たす。バッファステージ１６０ｂは工程が行われた基板Ｗが露光装置ＥＸＰに移動する前にこれらを一時的に保管する。または、バッファステージ１６０ｂは露光装置ＥＸＰで工程が完了した基板Ｗが移動する前にこれらを一時的に保管する。インタフェースモジュール１６０には基板に対して所定の工程を行うチャンバを提供せずに前述したようにバッファおよびロボットのみ提供されることができる。
【0040】
なお、パージモジュールＰＭはインタフェースモジュール１６０のモジュールハウジング１６０ａ内に提供されることができる。しかし、これに限定されず、パージモジュールＰＭはインタフェースモジュール１６０後段の露光装置ＥＸＰが連結される位置、インタフェースモジュール１６０の側部など多様な位置に提供されることも可能である。
【0041】
前述したが、バッファモジュール１３０内にバッファステージ１３０ｂが設けられることができ、インタフェースモジュール１６０内にもバッファステージ１６０ｂが設けられることができる。本実施形態ではバッファモジュール１３０内に設けられるバッファステージ１３０ｂを第１バッファステージと定義し、インタフェースモジュール１６０内に設けられるバッファステージ１６０ｂを第２バッファステージと定義し、前記２個のバッファステージ１３０ｂ，１６０ｂを区別する。
【0042】
また、前述したが、インデックスモジュール１２０内に基板搬送ロボット１２０ｂが設けられることができ、バッファモジュール１３０内に基板搬送ロボット１３０ｃが設けられることができ、トランスファモジュール１４０内に基板搬送ロボット１４０ｂが設けられることができ、インタフェースモジュール１６０内にも基板搬送ロボット１６０ｃが設けられることができる。本実施形態ではインデックスモジュール１２０内に設けられる基板搬送ロボット１２０ｂを第１搬送ロボットと定義し、バッファモジュール１３０内に設けられる基板搬送ロボット１３０ｃを第２搬送ロボットと定義し、トランスファモジュール１４０内に設けられる基板搬送ロボット１４０ｂを第３搬送ロボットと定義し、インタフェースモジュール１６０内に設けられる基板搬送ロボット１６０ｃを第４搬送ロボットと定義し、前記４個の基板搬送ロボット１２０ｂ，１３０ｃ，１４０ｂ，１６０ｃを区別する。
【0043】
半導体製造設備１００は、図１に示すように、インラインプラットフォーム（Ｉｎ－Ｌｉｎｅ Ｐｌａｔｆｏｒｍ）を有する構造で形成されることも可能である。この場合、複数のプロセスチャンバ１５０はトランスファモジュール１４０を基準としてインライン方式で配置され、トランスファモジュール１４０の両側に種類が異なるプロセスチャンバ１５０が対応関係を形成して直列に配置されることができる。しかし、これに限定されず、半導体製造設備１００はクラスタプラットフォーム（Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｐｌａｔｆｏｒｍ）を有する構造で形成されるか、またはクワッドプラットフォーム（Ｑｕａｄ Ｐｌａｔｆｏｒｍ）を有する構造で形成されることも可能である。
【0044】
次に、半導体製造設備１００内に設けられるプロセスチャンバ１５０すなわち、基板処理装置について説明する。前述したが、半導体製造設備１００は複数のプロセスチャンバ１５０を含み得、前記複数のプロセスチャンバ１５０はトランスファモジュール１４０を基準としてインライン方式で配置されることができる。この場合、種類が異なるプロセスチャンバ１５０が対応関係を形成してトランスファモジュール１４０の両側に一列に配置できるが、いずれか一つの種類のプロセスチャンバ１５０は基板に対して熱処理工程を行う基板処理装置１５０ａであり、他の一つの種類のプロセスチャンバ１５０は基板に対して現像工程を行う基板処理装置１５０ｂであり得る。または、他の一つの種類のプロセスチャンバ１５０は基板に対して塗布工程を行う基板処理装置１５０ｂであり得る。
【0045】
先に、基板に対して熱処理工程を行う基板処理装置１５０ａ、すなわち第１基板処理装置１５０ａについて説明する。図３は半導体基板に対して熱処理工程を行う基板処理装置の内部構造を概略的に示す平面図である。そして、図４は半導体基板に対して熱処理工程を行う基板処理装置の内部構造を概略的に示す断面図である。
【0046】
【0047】
基板処理装置１５０ａは基板（例えば、ウェハ（Ｗａｆｅｒ））を加熱および冷却処理する装置である。このような基板処理装置１５０ａは基板に対してフォトリソグラフィ工程（Ｐｈｏｔｏ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行う場合、基板を加熱および冷却処理できる。基板処理装置１５０ａは、例えば、ベーク工程（Ｂａｋｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うベークチャンバ（Ｂａｋｅ Ｃｈａｍｂｅｒ）として設けられることができる。
【0048】
フォトリソグラフィ工程は塗布工程、露光工程、現像工程、ベーク工程などを含むことができる。この場合、基板処理装置１５０ａは塗布工程を行う前や、その後すなわち、基板上にフォトレジスト（ＰＲ；Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する前やその後に基板を加熱および／または冷却処理することができる。または、基板処理装置１５０ａは露光工程を行う前やその後に基板を加熱および／または冷却処理することができる。または、基板処理装置１５０ａは現像工程を行う前やその後に基板を加熱および／または冷却処理することができる。
【0049】
チャンバハウジング２１０は基板を処理するための空間を提供するものである。このようなチャンバハウジング２１０は基板に対する加熱および冷却処理が可能なようにその内部に加熱ユニット２２０、冷却ユニット２３０、搬送ユニット２４０などを含んで設置されることができる。
【0050】
チャンバハウジング２１０の側壁には基板が出入りする搬入口２１０ａが形成されることができる。搬入口２１０ａはチャンバハウジング２１０に少なくとも一つ提供されることができる。搬入口２１０ａは常に開放されてもよく、図４には図示していないが、ドアにより開閉可能に提供されることも可能である。
【0051】
チャンバハウジング２１０の内部空間は加熱領域２５０ａ、冷却領域２５０ｂおよびバッファ領域２５０ｃに区分することができる。ここで、加熱領域２５０ａは加熱ユニット２２０が配置される領域をいい、冷却領域２５０ｂは冷却ユニット２３０が配置される領域をいう。加熱領域２５０ａは加熱ユニット２２０の幅と同一に設けられるか、加熱ユニット２２０の幅より広く設けられることができる。同様に、冷却領域２５０ｂは冷却ユニット２３０の幅と同一に設けられるか、冷却ユニット２３０の幅より広く設けられることができる。
【0052】
バッファ領域２５０ｃは搬送ユニット２４０の搬送プレート２４１が配置される領域をいう。バッファ領域２５０ｃは加熱領域２５０ａと冷却領域２５０ｂの間に設けられることができる。バッファ領域２５０ｃがこのように設けられると、加熱ユニット２２０と冷却ユニット２３０が十分に離隔して相互に熱的干渉が発生することを防止することができる。バッファ領域２５０ｃは加熱領域２５０ａおよび冷却領域２５０ｂの場合と同様に搬送プレート２４１の幅と同一に設けられるか、搬送プレート２４１の幅より広く設けられることができる。
【0053】
チャンバハウジング２１０の内部で加熱領域２５０ａ、冷却領域２５０ｂおよびバッファ領域２５０ｃ上に加熱ユニット２２０、冷却ユニット２３０および搬送ユニット２４０がそれぞれ配置される場合、第１方向１０に冷却ユニット２３０、搬送ユニット２４０および加熱ユニット２２０の順に配置されることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。本実施形態では第１方向１０に加熱ユニット２２０、搬送ユニット２４０および冷却ユニット２３０の順に配置されることも可能である。
【0054】
加熱ユニット２２０は基板を加熱するものである。このような加熱ユニット２２０は基板を加熱する際に基板上にガスを提供できる。加熱ユニット２２０は例えば、ヘキサメチルジシラン（Ｈｅｘａ－Ｍｅｔｈｙｌ－Ｄｉ－Ｓｉｌａｎｅ）ガスを提供することができ、このようなガスの供給によりフォトレジストの基板への付着率を向上させる効果を得ることができる。
【0055】
加熱ユニット２２０は基板を加熱するために加熱プレート２２１、カバーモジュール２２２および駆動モジュール２２３を含んで構成されることができる。
【0056】
加熱プレート（Ｈｅａｔｉｎｇ Ｐｌａｔｅ；２２１）は、ホットプレート（Ｈｏｔ Ｐｌａｔｅ）ともいい、基板に熱を加えるものである。加熱プレート２２１はこのために本体部２２１ａおよびヒータ（Ｈｅａｔｅｒ；２２１ｂ）を含んで構成されることができる。
【0057】
本体部２２１ａは基板に熱を加える際に基板を支持するものである。このような本体部２２１ａは基板と同じ直径を有するように形成されるか、基板よりも大きな直径を有するように形成されることができる。
【0058】
本体部２２１ａは耐熱性（Ｈｅａｔ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）に優れる金属を素材にして製造されることができる。または、本体部２２１ａは耐火性（Ｆｉｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）に優れる金属を素材にして製造されることもできる。本体部２２１ａは例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）などセラミック（Ｃｅｒａｍｉｃｓ）を素材にして製造されることができる。
【0059】
なお、図３および図４には図示していないが、本体部２２１ａは上下方向（第３方向３０）に貫通して形成される複数の真空孔（Ｖａｃｕｕｍ Ｈｏｌｅ）を備えることができる。ここで、真空孔は真空圧力を形成して基板に熱を加える際に基板を固定させる役割を果たすことができる。
【0060】
なお、図３および図４には図示していないが、本体部２２１ａは上部プレートと前記上部プレートの下部に配置される下部プレートに区分することができる。ここで、基板は上部プレート上に載置され、ヒータ２２１ｂは下部プレートの内部に設置されることができる。
【0061】
ヒータ２２１ｂは本体部２２１ａ上に位置する基板に熱を加えるためのものである。このようなヒータ２２１ｂは本体部２２１ａの内部に複数設置されることができる。ヒータ２２１ｂは電流が印加される発熱抵抗体（例えば、熱線）として設けられるが、本実施形態では本体部２２１ａ上の基板に有効に熱を加えることができれば、発熱抵抗体の以外の異なる形態で設けられてもよい。
【0062】
カバーモジュール２２２は加熱プレート２２１が基板を加熱する際に加熱プレート２２１の上部を覆うように形成されるものである。このようなカバーモジュール２２２は駆動モジュール２２３の制御に応じて上下方向（第３方向３０）に移動して加熱プレート２２１の上部を開閉できる。
【0063】
駆動モジュール２２３はカバーモジュール２２２を上下方向（第３方向３０）に移動させるものである。このような駆動モジュール２２３は基板に対する熱処理のために基板が加熱プレート２２１の上部に載置すると、カバーモジュール２２２が加熱プレート２２１の上部を完全に覆えるようにカバーモジュール２２２をチャンバハウジング２１０の下部方向に移動させることができる。また、駆動モジュール２２３は基板に対する熱処理が終了すると、搬送ユニット２４０が基板を冷却ユニット２３０に移送させることができるようにカバーモジュール２２２をチャンバハウジング２１０の上部方向に移動させて加熱プレート２２１の上部を露出させることができる。
【0064】
冷却ユニット２３０は加熱ユニット２２０により加熱した基板を冷却させるものである。冷却ユニット２３０はこのために冷却プレート（Ｃｏｏｌｉｎｇ Ｐｌａｔｅ；２３１）および冷却部材２３２を含んで構成されることができる。
【0065】
加熱ユニット２２０を介して基板に高温の熱を加えると、基板が反る現象（Ｗａｒｐａｇｅ）が発生し得る。冷却ユニット２３０は加熱ユニット２２０により加熱された基板を適切な温度まで冷却させることによって、基板を元の状態に復旧させる役割を果たすことができる。
【0066】
冷却部材２３２は冷却プレート２３１の内部に形成されるものである。このような冷却部材２３２は冷却流体が流れる流路の形態で提供されることができる。
【0067】
搬送ユニット２４０は基板を加熱ユニット２２０や冷却ユニット２３０に移動させるものである。搬送ユニット２４０はこのために端部に搬送プレート２４１が結合されたハンドを有することができ、ガイドレール２４２に沿って搬送プレート２４１を加熱ユニット２２０が位置する方向や冷却ユニット２３０が位置する方向に移動させることができる。
【0068】
搬送プレート２４１は円板形態のものであって、基板に対応する直径を有するように形成されることができる。このような搬送プレート２４１は縁に沿って形成される複数のノッチ２４３を含み得、その上部面にスリット形状を有する複数のガイド溝２４４を含むことができる。
【0069】
ガイド溝２４４は搬送プレート２４１の端部から搬送プレート２４１の中心方向に延びて形成されることができる。この時、複数のガイド溝２４４は同じ方向（第１方向１０）に互いに離隔するように形成されることができる。ガイド溝２４４は搬送プレート２４１と加熱ユニット２２０の間に基板の受け渡しが行われる時、搬送プレート２４１とリフトピン２２４が互いに干渉されることを防止することができる。
【0070】
基板の加熱は基板が加熱プレート２２１上に直接置かれた状態で行われ、基板の冷却は基板が置かれた搬送プレート２４１が冷却プレート２３１に接触した状態で行われる。冷却プレート２３１と基板の間に熱伝達がよく行われるように搬送プレート２４１は熱伝達効率に優れる素材（例えば、金属）で製造されることができる。
【0071】
【0072】
リフトピン２２４は自由落下構造を有するものであって、基板を加熱プレート２２１上で昇降させる役割を果たす。このようなリフトピン２２４は基板に対するベーク工程が行われる場合、基板を加熱プレート２２１上に載置させるために搬送ユニット２４０から基板の伝達を受けた後に加熱プレート２２１上で下降し得る。また、リフトピン２２４は基板に対するベーク工程が終了すると、基板を搬送ユニット２４０に伝達するために加熱プレート２２１上で上昇し得る。リフトピン２２４はこのような役割を果たすために加熱プレート２２１を上下方向（第３方向３０）に貫通して形成されることができる。
【0073】
リフトピン２２４は本体部２２１ａの場合と同様に耐熱性に優れる金属を素材にして製造されるか、耐火性に優れる金属を素材にして製造されることができる。この場合、リフトピン２２４は本体部２２１ａと同じ金属を素材にして製造されることができるが、互いに異なる金属を素材にして製造されることも可能である。
【0074】
リフトピン２２４は例えば、ＬＭガイドシステム（Ｌｉｎｅａｒ Ｍｏｔｏｒ Ｇｕｉｄｅ Ｓｙｓｔｅｍ）を用いて作動することができ、ＬＭガイドシステムに連結される複数のシリンダーによって制御されることができる。ＬＭガイドシステムは高温や高い振動にも対応できる利点がある。
【0075】
なお、リフトピン２２４は加熱プレート２２１上で基板を昇降させる時に基板を安定的に支持するために複数設置されることができる。リフトピン２２４は図３および図４に示すように例えば３個設置されることができる。
【0076】
次に、基板に対して現像工程を行う基板処理装置１５０ｂ、すなわち第２基板処理装置１５０ｂについて説明する。図５は半導体基板に対して現像工程を行う基板処理装置の内部構造を概略的に示す断面図である。
【0077】
基板処理装置１５０ｂは薬液（Ｃｈｅｍｉｃａｌ）を用いて基板を処理する装置である。基板処理装置１５０ｂは現像工程を行う場合、薬液を用いて基板上でフォトレジストを除去できる。基板処理装置１５０ｂは薬液を用いて基板を洗浄処理する洗浄プロセスチャンバ（Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ）として設けられることができる。
【0078】
基板処理装置１５０ｂは半導体基板に対して塗布工程を行う装置として設けられることも可能である。この場合、基板処理装置１５０ｂは薬液を用いて基板上にフォトレジストを形成させることができる。
【0079】
薬液は液体状態の物質（例えば、有機溶剤）であるか、気体状態の物質であり得る。薬液は揮発性が強く、ヒューム（Ｆｕｍｅ）が多く発生するか粘度が高いため残留性が高い物質を含むことができる。薬液は例えば、ＩＰＡ（Ｉｓｏ－Ｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）成分を含む物質、硫酸成分を含む物質（例えば、硫酸成分と過酸化水素成分を含むＳＰＭ）、アンモニア水成分を含む物質（例えば、ＳＣ－１（Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ）、フッ酸成分を含む物質（例えば、ＤＨＦ（Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ））、リン酸成分を含む物質などから選択することができる。以下では基板の処理に用いられるこのような薬液を基板処理液と定義する。
【0080】
基板処理装置１５０ｂは、前述したように洗浄工程に適用される場合、スピンヘッド（Ｓｐｉｎ Ｈｅａｄ）を用いて基板を回転させ、ノズル（Ｎｏｚｚｌｅ）を用いて基板上に薬液を提供できる。基板処理装置１５０ｂはこのように液処理チャンバとして設けられる場合、図５に示すように基板支持ユニット３１０、処理液回収ユニット３２０、昇降ユニット３３０および噴射ユニット３４０を含んで構成されることができる。
【0081】
基板支持ユニット３１０は基板Ｗを支持するモジュールである。基板支持ユニット３１０は基板Ｗを処理する際に、第３方向３０に対して垂直方向（第１方向１０および第２方向２０）に基板Ｗを回転させ得る。基板支持ユニット３１０は基板Ｗ処理時に用いられる基板処理液を回収するために、処理液回収ユニット３２０の内部に配置されることができる。
【0082】
基板支持ユニット３１０はスピンヘッド（Ｓｐｉｎ Ｈｅａｄ；３１１）、回転軸３１２、回転駆動モジュール３１３、サポートピン（Ｓｕｐｐｏｒｔ Ｐｉｎ；３１４）およびガイドピン（Ｇｕｉｄｅ Ｐｉｎ；３１５）を含んで構成されることができる。
【0083】
スピンヘッド３１１は回転軸３１２の回転方向（第３方向３０の垂直方向）に沿って回転するものである。このようなスピンヘッド３１１は基板Ｗの形状と同じ形状を有するように提供されることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。スピンヘッド３１１は基板Ｗの形状と互いに異なる形状を有するように提供されることも可能である。
【0084】
回転軸３１２は回転駆動モジュール３１３から提供されるエネルギを用いて回転力を発生させるものである。このような回転軸３１２は回転駆動モジュール３１３とスピンヘッド３１１にそれぞれ結合されて回転駆動モジュール３１３による回転力をスピンヘッド３１１に伝達できる。スピンヘッド３１１は回転軸３１２に沿って回転し、この場合、スピンヘッド３１１上に載置されている基板Ｗもスピンヘッド３１１とともに回転できる。
【0085】
サポートピン３１４およびガイドピン３１５はスピンヘッド３１１上で基板Ｗを位置固定させるものである。サポートピン３１４はこのためにスピンヘッド３１１上で基板Ｗの底面を支持し、ガイドピン３１５は基板Ｗの側面を支持する。サポートピン３１４およびガイドピン３１５はスピンヘッド３１１上にそれぞれ複数設置されることができる。
【0086】
サポートピン３１４は全体的に環状のリング形状を有するように配置されることができる。サポートピン３１４はこれにより基板Ｗがスピンヘッド３１１の上部から一定の距離離隔できるように基板Ｗの底面を支持することができる。
【0087】
ガイドピン３１５はチャッキングピン（Ｃｈｕｃｋｉｎｇ Ｐｉｎ）であって、スピンヘッド３１１が回転する時に基板Ｗが元の位置から離脱しないように基板Ｗを支持することができる。
【0088】
処理液回収ユニット３２０は基板Ｗの処理に用いられる基板処理液を回収するものである。処理液回収ユニット３２０は基板支持ユニット３１０を囲むように設置され、そのため、基板Ｗに対する処理工程が行われる空間を提供できる。
【0089】
基板Ｗが基板支持ユニット３１０上に載置および固定された後、基板支持ユニット３１０により回転し始めると、噴射ユニット３４０が制御装置の制御に応じて基板Ｗ上に基板処理液を噴射し得る。すると、基板支持ユニット３１０の回転力によって発生する遠心力により基板Ｗ上に吐出される基板処理液は処理液回収ユニット３２０が位置する方向に分散し得る。この場合、処理液回収ユニット３２０は流入口（すなわち、後述する第１回収槽３２１の第１開口部３２４、第２回収槽３２２の第２開口部３２５、第３回収槽３２３の第３開口部３２６など）を介して基板処理液がその内部に流入すると基板処理液を回収することができる。
【0090】
処理液回収ユニット３２０は複数の回収槽を含んで構成されることができる。処理液回収ユニット３２０は例えば、３個の回収槽を含んで構成されることができる。処理液回収ユニット３２０がこのように複数の回収槽を含んで構成される場合、複数の回収槽を用いて基板処理工程に使用される基板処理液を分離して回収でき、これにより、基板処理液のリサイクルが可能になる。
【0091】
処理液回収ユニット３２０は３個の回収槽を含んで構成される場合、第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３を含むことができる。第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３は例えば、ボウル（Ｂｏｗｌ）として実現されることができる。
【0092】
第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３は互いに異なる基板処理液を回収することができる。例えば、第１回収槽３２１はリンス液（例えば、ＤＩ Ｗａｔｅｒ（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ））を回収し、第２回収槽３２２は第１薬液を回収し、第３回収槽３２３は第２薬液を回収することができる。
【0093】
第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３は、その底面から下方（第３方向３０）に延びる回収ライン３２７，３２８，３２９と連結され得る。第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３を介して回収される第１処理液、第２処理液および第３処理液は処理液再生システム（図示せず）によりリサイクル可能に処理されることができる。
【0094】
第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３は、基板支持ユニット３１０を囲む環状のリング形状に設けられることができる。第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３は第１回収槽３２１から第３回収槽３２３に行くほど（すなわち、第２方向２０に）その大きさが増加し得る。第１回収槽３２１と第２回収槽３２２の間の間隔を第１間隔と定義し、第２回収槽３２２と第３回収槽３２３の間の間隔を第２間隔と定義すると、第１間隔は第２間隔と同じであり得る。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第１間隔は第２間隔と異なってもよい。すなわち、第１間隔は第２間隔より大きくてもよく、第２間隔より小さくてもよい。
【0095】
昇降ユニット３３０は処理液回収ユニット３２０を上下方向（第３方向３０）に直線移動させるものである。昇降ユニット３３０はこれにより基板支持ユニット３１０（または基板Ｗ）に対する処理液回収ユニット３２０の相対高さを調節する役割を果たすことができる。
【0096】
昇降ユニット３３０はブラケット３３１、第１支持軸３３２および第１駆動モジュール３３３を含んで構成されることができる。
【0097】
ブラケット３３１は処理液回収ユニット３２０の外壁に固定されるものである。ブラケット３３１は第１駆動モジュール３３３により上下方向に移動する第１支持軸３３２と結合し得る。
【0098】
基板支持ユニット３１０上に基板Ｗを載置させる場合、基板支持ユニット３１０は処理液回収ユニット３２０より上位に位置し得る。同様に、基板支持ユニット３１０上で基板Ｗを脱着させる場合にも、基板支持ユニット３１０は処理液回収ユニット３２０より上位に位置し得る。前記のような場合、昇降ユニット３３０は処理液回収ユニット３２０を下降させる役割を果たすことができる。
【0099】
基板Ｗに対する処理工程が行われる場合、基板Ｗ上に吐出される基板処理液の種類によって該当処理液が第１回収槽３２１、第２回収槽３２２および第３回収槽３２３のいずれか一つの回収槽に回収されることができる。このような場合にも、昇降ユニット３３０は処理液回収ユニット３２０を該当位置まで昇降させる役割を果たすことができる。例えば、基板処理液として第１処理液を使用する場合、昇降ユニット３３０は基板Ｗが第１回収槽３２１の第１開口部３２４に対応する高さに位置するように処理液回収ユニット３２０を昇降させることができる。
【0100】
なお、本実施形態では昇降ユニット３３０が基板支持ユニット３１０を上下方向に直線移動させて基板支持ユニット３１０（または基板Ｗ）に対する処理液回収ユニット３２０の相対高さを調節することも可能である。
【0101】
しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。昇降ユニット３３０は基板支持ユニット３１０および処理液回収ユニット３２０を同時に上下方向に直線移動させて基板支持ユニット３１０（または基板Ｗ）に対する処理液回収ユニット３２０の相対高さを調節することも可能である。
【0102】
噴射ユニット３４０は基板Ｗの処理時に基板Ｗ上に基板処理液を供給するモジュールである。このような噴射ユニット３４０は基板処理装置１５０ｂ内に少なくとも一つ設置されることができる。噴射ユニット３４０が基板処理装置１５０ｂ内に複数設置される場合、それぞれの噴射ユニット３４０は互いに異なる基板処理液を基板Ｗ上に噴射することができる。
【0103】
噴射ユニット３４０はノズル構造体３４１、ノズル支持モジュール３４２、第２支持軸３４３および第２駆動モジュール３４４を含んで構成されることができる。
【0104】
ノズル構造体３４１はノズル支持モジュール３４２の端部に設置されるものである。このようなノズル構造体３４１は第２駆動モジュール３４４により工程位置または待機位置に移動されることができる。
【0105】
前記で、工程位置は基板Ｗの上位領域をいい、待機位置は工程位置を除いた残り領域をいう。ノズル構造体３４１は基板Ｗ上に基板処理液を吐出する場合、工程位置に移動され、基板Ｗ上に基板処理液を吐出した後、工程位置を外れて待機位置に移動されることができる。
【0106】
ノズル支持モジュール３４２はノズル構造体３４１を支持するものである。このようなノズル支持モジュール３４２はスピンヘッド３１１の長手方向に対応する方向に延長形成されることができる。すなわち、ノズル支持モジュール３４２はその長手方向が第２方向２０に沿って提供されることができる。
【0107】
ノズル支持モジュール３４２はその長手方向に対して垂直方向に延長形成される第２支持軸３４３と結合され得る。第２支持軸３４３はスピンヘッド３１１の高さ方向に対応する方向に延長形成されることができる。すなわち、第２支持軸３４３はその長手方向が第３方向３０に沿って提供されることができる。
【0108】
第２駆動モジュール３４４は第２支持軸３４３および前記第２支持軸３４３と連動するノズル支持モジュール３４２を回転および昇降させるモジュールである。第２駆動モジュール３４４のこのような機能により、ノズル構造体３４１は工程位置または待機位置に移動されることができる。
【0109】
図５には図示していないが、基板処理装置１５０ｂは基板処理液提供モジュールをさらに含むことができる。基板処理液提供モジュールは基板処理装置１５０ｂ内に基板処理液を提供する役割を果たす。基板処理液提供モジュールはこのために噴射ユニット３４０と連結され得、制御装置の制御に応じて作動できる。
【0110】
【0111】
制御ユニット１８０は半導体製造設備１００を構成するそれぞれのユニットの全体作動を制御する役割を果たす。制御ユニット１８０は例えば、インデックスモジュール１２０の基板搬送ロボット１２０ｂ、バッファモジュール１３０の基板搬送ロボット１３０ｃ、トランスファモジュール１４０の基板搬送ロボット１４０ｂなどの基板の搬入および搬出を制御でき、プロセスチャンバ１５０の基板処理工程を制御できる。また、制御ユニット１８０は基板処理液提供モジュールの作動を制御でき、プロセスチャンバ１５０内に設けられるそれぞれのユニットの作動も制御できる。
【0112】
制御ユニット１８０は半導体製造設備１００の制御を実行するマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラと、オペレータが半導体製造設備１００を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、半導体製造設備１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどからなるユーザインタフェースと、半導体製造設備１００で実行される処理をプロセスコントローラの制御により実行するための制御プログラムや、各種データおよび処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち処理レシピが保存された記憶部を備えることができる。また、ユーザインタフェースおよび記憶部はプロセスコントローラに接続されている。処理レシピは記憶部のうち記憶媒体に記憶されており、記憶媒体はハードディスクであり得、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリなどの半導体メモリであり得る。
【0113】
前述したが、半導体製造工場内に設置されるそれぞれのユニットの排気圧力は半導体製造工場で提供するメイン排気圧力に応じて設定され得、メイン排気圧力の場合、作業者によって手動で調節することができる。しかし、このような方式は次のような問題点がある。
【0114】
第一に、作業者がメイン圧力の変動を認知して、作業計画をたてて問題を措置するまでは相当な時間を必要とする。したがって、その時間の間排気圧力の変化による工程に否定的な影響を与え得る。
【0115】
第二に、それぞれのユニットに自動で作動するダンパを設置して制御する場合、ユニット間に排気圧力の干渉が発生し、そのため精巧な圧力制御が不可能になる。
【0116】
第三に、メイン排気圧力でメインダンパを制御する場合、それぞれのユニットの工程状態に応じてメイン排気圧力が変動し、これもまた精巧な圧力制御が不可能になる。
【0117】
本発明では制御ユニット１８０が半導体製造工場内のそれぞれのユニットに連結された個別の排気ダクトから測定された排気量に基づいてメイン排気ダクトに設置されたダンパを制御できる。以下ではこれについて詳しく説明する。
【0118】
制御ユニット１８０は複数のユニットを制御できる。制御ユニット１８０は例えば、第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂを制御できる。前記で、第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂは種類が異なるプロセスチャンバであり得る。第１ユニット４１０ａは第１基板処理装置１５０ａすなわち、基板Ｗに対して熱処理工程を行うプロセスチャンバ１５０ａであり得る。そして、第２ユニット４１０ｂは第２基板処理装置１５０ｂすなわち、基板Ｗに対して塗布工程または現像工程を行うプロセスチャンバ１５０ｂであり得る。
【0119】
しかし、これに限定されず、第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂは種類が同じプロセスチャンバであってもよい。例えば、半導体製造設備１００は２個の第２基板処理装置１５０ｂを含み、この場合、第１ユニット４１０ａは２個の第２基板処理装置１５０ｂのうちいずれか一つの第２基板処理装置１５０ｂであり、第２ユニット４１０ｂは２個の第２基板処理装置１５０ｂのうち他の一つの第２基板処理装置１５０ｂであることも可能である。
【0120】
または、第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂはプロセスチャンバ内の互いに異なるモジュールであることも可能である。例えば、プロセスチャンバが第１基板処理装置１５０ａの場合、第１ユニット４１０ａは加熱ユニット２２０であり得る。そして、第２ユニット４１０ｂは冷却ユニットであり得る。
【0121】
複数のユニットは複数の排気管に個別に連結され得る。すなわち、複数のユニットは複数の排気管と一対一対応（Ｏｎｅ ｔｏ ｏｎｅ Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｅｎｃｅ）して連結されることができる。具体的には、第１ユニット４１０ａは第１補助排気管４２０ａと連結され、第２ユニット４１０ｂは第２補助排気管４２０ｂと連結され得る。
【0122】
制御ユニット１８０はそれぞれの排気管に設置されるセンサを制御できる。制御ユニット１８０は第１補助排気管４２０ａに設置される第１センサ４３０ａを制御できる。そして、制御ユニット１８０は第２補助排気管４２０ｂに設置される第２センサ４３０ｂを制御できる。第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂは同じ機能をするセンサであり得る。第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂは排気圧力を測定するセンサであり得る。
【0123】
制御ユニット１８０はそれぞれの排気管に設置される弁を制御できる。制御ユニット１８０は第１補助排気管４２０ａに設置される第１開閉弁４４０ａを制御できる。そして、制御ユニット１８０は第２補助排気管４２０ｂに設置される第２開閉弁４４０ｂを制御できる。第１開閉弁４４０ａと第２開閉弁４４０ｂは同じ機能をする弁であり得る。第１開閉弁４４０ａと第２開閉弁４４０ｂはそれぞれの排気管４２０ａ，４２０ｂを開閉させる開閉弁であり得る。
【0124】
それぞれのユニットに連結される排気管は外部排気のためにメイン排気管４５０と連結され得る。メイン排気管４５０にはダンパ（Ｄａｍｐｅｒ；４６０）が設置されることができる。ダンパ４６０はメイン排気管４５０内で流れる流体の流量を制御する役割を果たすことができる。制御ユニット１８０はメイン排気管４５０に設置されるダンパ４６０を制御できる。
【0125】
前述したが、制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂを制御できる。制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂを制御して第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂからユニット工程状態に係る情報の入力を受け得る。
【0126】
また、制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂを制御できる。第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂは第１補助排気管４２０ａと第２補助排気管４２０ｂを流れる流体の圧力を測定できる。制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂを制御して第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂから第１補助排気管４２０ａと第２補助排気管４２０ｂを流れる流体の圧力に係る情報の入力を受け得る。
【0127】
また、制御ユニット１８０は第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂ、メイン弁４６０などを制御できる。第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂ、メイン弁４６０などは第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂ、メイン排気管４５０などで流体の流れを制御するために第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂ、メイン排気管４５０などを開閉させることができる。制御ユニット１８０は第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂ、メイン弁４６０などを制御して第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂ、メイン弁４６０などから弁状態に係る情報の入力を受け得る。
【0128】
前述したが、補助排気管にはセンサと弁がそれぞれ設置されることができる。すなわち、第１補助排気管４２０ａ上には第１センサ４３０ａと第１開閉弁４４０ａが設置され、第２補助排気管４２０ｂ上には第２センサ４３０ｂと第２開閉弁４４０ｂが設置されることができる。
【0129】
前記の場合、第１センサ４３０ａは第１開閉弁４４０ａよりも第１ユニット４１０ａに相対的により近く配置され、第１開閉弁４４０ａは第１センサ４３０ａよりもメイン排気管４５０に相対的により近く配置されることができる。同様に、第２センサ４３０ｂは第２開閉弁４４０ｂよりも第２ユニット４１０ｂに相対的により近く配置され、第２開閉弁４４０ｂは第２センサ４３０ｂよりもメイン排気管４５０に相対的により近く配置されることができる。
【0130】
しかし、これに限定されず、図７の例示のように第１センサ４３０ａは第１開閉弁４４０ａよりもメイン排気管４５０に相対的により近く配置され、第１開閉弁４４０ａは第１センサ４３０ａよりも第１ユニット４１０ａに相対的により近く配置されることも可能である。同様にこの場合には、第２センサ４３０ｂは第２開閉弁４４０ｂよりもメイン排気管４５０に相対的により近く配置され、第２開閉弁４４０ｂは第２センサ４３０ｂよりも第２ユニット４１０ｂに相対的により近く配置されることができる。この場合には、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂのうちいずれか一つのセンサ４３０ａ，４３０ｂとダンパ４６０の間に少なくとも一つのその他の開閉弁４４０ｄが設置されることができる。図７は複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備を構成する制御ユニットを説明するための第２例示図である。
【0131】
制御ユニット１８０はそれぞれのユニットに連結された個別の排気ダクトから測定された排気量に基づいてメイン排気ダクトに設置されるダンパ４６０を制御できる。すなわち、制御ユニット１８０は、図８の例示のように第１補助排気管４２０ａおよび第２補助排気管４２０ｂに設置される第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御し、これによりメイン排気管４５０内で流れる流体の流量を制御できる。図８は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第１例示図である。
【0132】
制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御する場合、第１開閉弁４４０ａおよび第２開閉弁４４０ｂに係る情報を活用できる。
【0133】
例えば、図９および図１０の例示のように、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂから第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報と第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報が入力され、第１補助排気管４２０ａおよび第２補助排気管４２０ｂでの流体移動が円滑なように第１開閉弁４４０ａおよび第２開閉弁４４０ｂの両方が開放されていることが確認されると、制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果すなわち、第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報および第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報に基づいてダンパ４６０を制御できる。
【0134】
または、図９および図１１の例示のように、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂから第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報と第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報が入力され、第１開閉弁４４０ａおよび第２開閉弁４４０ｂが両方閉鎖されていることが確認されると、制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果すなわち、第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報および第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報に基づいてダンパ４６０を制御できる。
【0135】
または、図９および図１２の例示のように、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂから第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報および第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報が入力され、第１開閉弁４４０ａが開放されていることが確認されたが、第２開閉弁４４０ｂが閉鎖されていることが確認されると、制御ユニット１８０はダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0136】
または、図９および図１３の例示のように、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂから第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報および第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報が入力され、第２開閉弁４４０ｂが開放されていることが確認されたが、第１開閉弁４４０ａが閉鎖されていることが確認されると、制御ユニット１８０はダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0137】
以上の内容をまとめると、第１補助排気管４２０ａおよび第２補助排気管４２０ｂに設置される第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御する場合、制御ユニット１８０は図１０および図１１の例示のように第１開閉弁４４０ａおよび第２開閉弁４４０ｂが同じ状態であることが確認されると、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御できる。または、制御ユニット１８０は図１２および図１３の例示のように、第１開閉弁４４０ａおよび第２開閉弁４４０ｂが互いに異なる状態であることが確認されると、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0138】
図９は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第２例示図である。そして、図１０は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第３例示図である。そして、図１１は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第４例示図である。そして、図１２は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第５例示図である。そして、図１３は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第６例示図である。
【0139】
制御ユニット１８０はそれぞれのユニットに連結された個別の排気ダクトから測定された排気量に基づいてメイン排気ダクトに設置されるダンパ４６０を制御する場合、ユニット間に排気が互いに干渉することを防止するためにそれぞれのユニットで工程段階が同じか否かによってダンパ４６０を選択的に制御できる。制御ユニット１８０はそれぞれのユニットが同じ種類の基板処理装置である場合、それぞれのユニットでの工程段階が同じか否かによってダンパ４６０を選択的に制御できる。
【0140】
すなわち、第１補助排気管４２０ａおよび第２補助排気管４２０ｂに設置される第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御する場合、制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａおよび第２ユニット４１０ｂで同じ工程段階が行われていることが確認されると、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御できる。または、制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａおよび第２ユニット４１０ｂで互いに異なる工程段階が行われていることが確認されると、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0141】
前記における工程段階はそれぞれの工程の細部段階を意味する。塗布工程を例に挙げると、基板支持ユニット３１０上に基板Ｗを載置させる段階、噴射ユニット３４０を用いて基板Ｗ上に処理液を提供する段階、スピンヘッド３１１を用いて基板Ｗを回転させる段階、噴射ユニット３４０により提供される処理液の種類によって基板支持ユニット３１０を昇降させる段階、処理液回収ユニット３２０を介して処理液を回収する段階などが塗布工程の細部段階を構成することができる。工程の細部段階では排気ダクトを介して排出する排気ガスの量も変わるので、本実施形態ではこのような点に着目して工程段階の同一性の有無によってダンパ４６０を選択的に制御できる。
【0142】
なお、工程の細部段階が異なっても排気ガスの量が実質的に同じであれば、本実施形態ではこれを工程段階が同じである場合と見て、それによるダンパ４６０の選択的制御を行うことも可能である。
【0143】
制御ユニット１８０は、以上で説明した通りダンパ４６０を自動で制御できる。具体的には、制御ユニット１８０は複数の排気圧力センサすなわち、第１センサ４３０ａおよび第２センサ４３０ｂを用いてダンパ４６０を制御できる。また、制御ユニット１８０はユニットの状態に応じてダンパ４６０の制御を選択的に行うことができる。制御ユニット１８０はこのようなものなどによりそれぞれの排気管すなわち、第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂ、メイン排気管４５０などで常時一定の排気圧力を維持することができる。
【0144】
制御ユニット１８０は複数の排気圧力センサから複数のユニットの排気圧力の入力を受けてダンパ４６０を制御でき、メイン排気圧力を自動で制御できる。これによれば、制御ユニット１８０は工程を行うユニットそれぞれに対して圧力を一定の割合で制御することが可能になる。
【0145】
また、制御ユニット１８０は複数のユニットの状態情報の入力を受けてダンパ４６０の制御に活用する。すなわち、制御ユニット１８０はユニットの状態に応じてダンパ４６０の制御を行う時期を決めることができる。制御ユニット１８０は図９ないし図１３の例示を参照して説明した通り、ユニットが同じ工程条件にある場合のみ制御できる。
【0146】
以上の説明では制御ユニット１８０が第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂなど２個のユニット４１０ａ，４１０ｂを制御する場合について説明した。前述したが、制御ユニット１８０は複数のユニットを制御でき、そのため３個以上のユニットを制御することも可能である。以下では例示的に制御ユニット１８０が第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂ、第３ユニット４１０ｃなど３個のユニット４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃを制御する場合について説明する。
【0147】
以下では制御ユニット１８０が２個のユニット４１０ａ，４１０ｂを制御する場合と比較して差異点のみを説明する。図１４は複数のプロセスチャンバを含む半導体製造設備を構成する制御ユニットを説明するための第３例示図である。以下の説明は図１４を参照する。
【0148】
第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃは種類が異なるプロセスチャンバであり得る。しかし、これに限定されず、第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃは種類が同じプロセスチャンバであることも可能である。または、第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃはプロセスチャンバ内の互いに異なるモジュールであることも可能である。
【0149】
または、第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃのうちいくつかのユニットは種類が同じプロセスチャンバであり、他のいくつかのユニットは種類が異なるプロセスチャンバであることも可能である。例えば、第１ユニット４１０ａは第１基板処理装置１５０ａであり、第２ユニット４１０ｂは２個の第２基板処理装置１５０ｂのうちいずれか一つの第２基板処理装置１５０ｂであり、第３ユニット４１０ｃは２個の第２基板処理装置１５０ｂのうち他の一つの第２基板処理装置１５０ｂであり得る。
【0150】
制御ユニット１８０が第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂ、第３ユニット４１０ｃなど３個のユニット４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃを制御する場合、３個のユニット４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃはそれぞれの排気管に個別に連結され得る。第１ユニット４１０ａは第１補助排気管４２０ａと連結され、第２ユニット４１０ｂは第２補助排気管４２０ｂと連結され、第３ユニット４１０ｃは第３補助排気管４２０ｃと連結され得る。
【0151】
制御ユニット１８０はそれぞれの排気管に設置されるセンサを制御できる。制御ユニット１８０は第１補助排気管４２０ａに設置される第１センサ４３０ａを制御でき、第２補助排気管４２０ｂに設置される第２センサ４３０ｂを制御できる。そして、制御ユニット１８０は第３補助排気管４２０ｃに設置される第３センサ４３０ｃを制御できる。第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃは同じ機能をするセンサであり得る。第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃは排気圧力を測定するセンサであり得る。
【0152】
制御ユニット１８０はそれぞれの排気管に設置される弁を制御できる。制御ユニット１８０は第１補助排気管４２０ａに設置される第１開閉弁４４０ａを制御でき、第２補助排気管４２０ｂに設置される第２開閉弁４４０ｂを制御できる。そして、制御ユニット１８０は第３補助排気管４２０ｃに設置される第３開閉弁４４０ｃを制御できる。第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂおよび第３開閉弁４４０ｃは同じ機能をする弁であり得る。第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂおよび第３開閉弁４４０ｃはそれぞれの排気管４２０ａ，４２０ｂ，４２０ｃを開閉させる開閉弁であり得る。
【0153】
前述したが、制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂからユニット工程状態に係る情報の入力を受けるなど第１ユニット４１０ａと第２ユニット４１０ｂを制御できる。同様に、制御ユニット１８０は第３ユニット４１０ｃを制御でき、第３ユニット４１０ｃからユニット工程状態に係る情報の入力を受け得る。
【0154】
また、制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂから第１補助排気管４２０ａと第２補助排気管４２０ｂを流れる流体の圧力に係る情報の入力を受けるなど第１センサ４３０ａと第２センサ４３０ｂを制御できる。同様に、制御ユニット１８０は第３センサ４３０ｃを制御でき、第３センサ４３０ｃから第３補助排気管４２０ｃを流れる流体の圧力に係る情報の入力を受け得る。
【0155】
また、制御ユニット１８０は第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂ、メイン弁４６０などから弁状態に係る情報の入力を受けるなど第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂ、メイン弁４６０などを制御できる。同様に、制御ユニット１８０は第３開閉弁４４０ｃを制御でき、第３開閉弁４４０ｃから弁状態に係る情報の入力を受け得る。
【0156】
制御ユニット１８０が第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂ、第３ユニット４１０ｃなど３個のユニット４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃを制御する場合、第１補助排気管４２０ａに設置される第１センサ４３０ａの測定結果、第２補助排気管４２０ｂに設置される第２センサ４３０ｂの測定結果および第３補助排気管４２０ｃに設置される第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御し、これによりメイン排気管４５０内で流れる流体の流量を制御できる。
【0157】
制御ユニット１８０は第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂおよび第３補助排気管４２０ｃそれぞれに設置される第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御する場合、第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂおよび第３開閉弁４４０ｃに係る情報を活用することができる。
【0158】
前記の場合、制御ユニット１８０は開閉の有無について第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂおよび第３開閉弁４４０ｃがいずれも同じ状態であることが確認されると、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御できる。
【0159】
例えば、図１５および図１６の例示のように、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃから第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報、第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報および第３補助排気管４２０ｃにおける排気圧力情報が入力され、第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂおよび第３開閉弁４４０ｃがいずれも開放されていることが確認されると、制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃそれぞれの測定結果すなわち、第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂおよび第３補助排気管４２０ｃそれぞれにおける排気圧力情報に基づいてダンパ４６０を制御できる。
【0160】
制御ユニット１８０は開閉の有無と関連して第１開閉弁４４０ａ、第２開閉弁４４０ｂおよび第３開閉弁４４０ｃのうちいずれか一つの開閉弁が他の開閉弁と互いに異なる状態であることが確認されると、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0161】
例えば、図１５および図１７の例示のように、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃから第１補助排気管４２０ａにおける排気圧力情報、第２補助排気管４２０ｂにおける排気圧力情報および第３補助排気管４２０ｃにおける排気圧力情報が入力され、第１開閉弁４４０ａおよび第２開閉弁４４０ｂは開放されていることが確認されたが、第３開閉弁４４０ｃは閉鎖されていることが確認されると、制御ユニット１８０は第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃそれぞれの測定結果すなわち、第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂおよび第３補助排気管４２０ｃそれぞれにおける排気圧力情報に基づいてダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0162】
図１５は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第７例示図である。そして、図１６は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第８例示図である。そして、図１７は半導体製造設備を構成する制御ユニットの役割を説明するための第９例示図である。
【0163】
制御ユニット１８０は第１補助排気管４２０ａ、第２補助排気管４２０ｂおよび第３補助排気管４２０ｃそれぞれに設置される第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御する場合、第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃがいずれも同じ工程段階が行われていることが確認されると、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御できる。
【0164】
それに対して、制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃのうちいずれか一つのユニットで互いに異なる工程段階が行われていることが確認されると、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0165】
または、制御ユニット１８０は第１ユニット４１０ａ、第２ユニット４１０ｂおよび第３ユニット４１０ｃがいずれも互いに異なる工程段階が行われていることが確認されると、第１センサ４３０ａ、第２センサ４３０ｂおよび第３センサ４３０ｃの測定結果に基づいてダンパ４６０を制御しなくてもよい。
【0166】
本発明の半導体製造設備１００は制御ユニット１８０の以上で説明した機能により次のような効果を得ることができる。
【0167】
第一に、自動制御により排気圧力を常時一定に維持することができる。
【0168】
第二に、複数のユニットの排気圧力を用いてメインダンパを制御すると、それぞれのユニットの非定常排気圧力の供給を防止することができる。
【0169】
第三に、ユニット間の工程段階が異なることにより排気圧力の変化が発生しても、その場合の非定常の圧力制御を防止することができる。
【0170】
第四に、従来よりも一定の排気圧力を維持することによって、安定した工程運営が可能である。
【0171】
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造することができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【0172】
１００ 半導体製造設備
１１０ ロードポートユニット
１２０ インデックスモジュール
１３０ バッファモジュール
１４０ トランスファモジュール
１５０ プロセスチャンバ
１５０ａ 第１基板処理装置
１５０ｂ 第２基板処理装置
１６０ インタフェースモジュール
１７０ コンテナ
２１０ チャンバハウジング
２２０ 加熱ユニット
２３０ 冷却ユニット
２４０ 搬送ユニット
２５０ａ 加熱領域
２５０ｂ 冷却領域
２５０ｃ バッファ領域
３１０ 基板支持ユニット
３２０ 処理液回収ユニット
３３０ 昇降ユニット
３４０ 噴射ユニット
１８０ 制御ユニット
４１０ａ 第１ユニット
４１０ｂ 第２ユニット
４１０ｃ 第３ユニット
４２０ａ 第１補助排気管
４２０ｂ 第２補助排気管
４２０ｃ 第３補助排気管
４３０ａ 第１センサ
４３０ｂ 第２センサ
４３０ｃ 第３センサ
４４０ａ 第１開閉弁
４４０ｂ 第２開閉弁
４４０ｃ 第３開閉弁
４４０ｄ その他の開閉弁
４５０ メイン排気管
４６０ ダンパ
１１０ ロードポートユニット
１２０ インデックスモジュール
１３０ バッファモジュール
１４０ トランスファモジュール
１５０ プロセスチャンバ
１５０ａ 第１基板処理装置
１５０ｂ 第２基板処理装置
１６０ インタフェースモジュール
１７０ コンテナ
２１０ チャンバハウジング
２２０ 加熱ユニット
２３０ 冷却ユニット
２４０ 搬送ユニット
２５０ａ 加熱領域
２５０ｂ 冷却領域
２５０ｃ バッファ領域
３１０ 基板支持ユニット
３２０ 処理液回収ユニット
３３０ 昇降ユニット
３４０ 噴射ユニット
１８０ 制御ユニット
４１０ａ 第１ユニット
４１０ｂ 第２ユニット
４１０ｃ 第３ユニット
４２０ａ 第１補助排気管
４２０ｂ 第２補助排気管
４２０ｃ 第３補助排気管
４３０ａ 第１センサ
４３０ｂ 第２センサ
４３０ｃ 第３センサ
４４０ａ 第１開閉弁
４４０ｂ 第２開閉弁
４４０ｃ 第３開閉弁
４４０ｄ その他の開閉弁
４５０ メイン排気管
４６０ ダンパ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
