特開 2024-86696 赤緑青垂直キャビティ面発光レーザアレイ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024086696

(43)【公開日】2024-06-27

(54)【発明の名称】赤緑青垂直キャビティ面発光レーザアレイ

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/42 20060101AFI20240620BHJP

   H01S 5/183 20060101ALI20240620BHJP

   H01S 5/18 20210101ALI20240620BHJP

【ＦＩ】

H01S5/42

H01S5/183

H01S5/18

【審査請求】有

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023212199

(22)【出願日】2023-12-15

(31)【優先権主張番号】63/433,147

(32)【優先日】2022-12-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】18/530,296

(32)【優先日】2023-12-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】519146787

【氏名又は名称】ツー－シックス デラウェア インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＩＩ－ＶＩ Ｄｅｌａｗａｒｅ，Ｉｎｃ．

(74)【代理人】

【識別番号】100118902

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 修

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100196508

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 淳一

(72)【発明者】

【氏名】ジョヴァンニ・バルバロッサ

(72)【発明者】

【氏名】ノルベルト・リヒテンシュタイン

(72)【発明者】

【氏名】ジュリー・エング

(72)【発明者】

【氏名】クリストファー・ココット

(72)【発明者】

【氏名】アンナ・タタルチャック

(72)【発明者】

【氏名】フランチェスコ・スキアットーン

(72)【発明者】

【氏名】ジェーソン・リン－チュー・タン

【テーマコード（参考）】

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F173AB52

5F173AC03

5F173AC04

5F173AC13

5F173AC14

5F173AC44

5F173AD02

5F173AF03

5F173AF12

5F173AH08

5F173AH22

(57)【要約】

【課題】赤緑青（ＲＧＢ）垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）アレイを提供すること。
【解決手段】ＶＣＳＥＬアレイ内の各ＶＣＳＥＬは、回折格子と、１つまたは複数の活性領域と、２つの分布ブラッグ反射器とを有する。各ＶＣＳＥＬは、赤、緑、または青のいずれかの波長に対応する。各ＶＣＳＥＬにおける活性領域の数は、発光される色に基づくことがある。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のアレイ
を含むシステムであって、
ＶＣＳＥＬの前記アレイは、
青波長範囲内で発光するように動作可能な少なくとも１つのＶＣＳＥＬと、
緑波長範囲内で発光するように動作可能な少なくとも１つのＶＣＳＥＬと、
赤波長範囲内で発光するように動作可能な少なくとも１つのＶＣＳＥＬと
を含み、
ＶＣＳＥＬの前記アレイ内の各ＶＣＳＥＬは、
活性領域と、
２つの分布ブラッグ反射器と
を含む、
システム。

【請求項2】

請求項１に記載のシステムであって、前記青波長範囲は、４４０から４９５ｎｍであり、前記緑波長範囲は、４９５から５８０ｎｍであり、青波長範囲は、６１０から７６０ｎｍである、システム。

【請求項3】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイは、１次元アレイである、システム。

【請求項4】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイは、２次元アレイである、システム。

【請求項5】

請求項１に記載のシステムであって、前記青波長範囲内で発光するように動作可能な前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、ＧａＮ系であり、ＩｎＧａＮ活性領域を含む、システム。

【請求項6】

請求項１に記載のシステムであって、前記緑波長範囲内で発光するように動作可能な前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、ＧａＮ系であり、ＩｎＧａＮ活性領域を含む、システム。

【請求項7】

請求項１に記載のシステムであって、前記赤波長範囲内で発光するように動作可能な前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板上に成長させられる、（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性領域ならびにＡｌＧａＡｓ ＮおよびＰ分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）ミラースタックを含む、システム。

【請求項8】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイの、少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、前記２つのＤＢＲミラースタックの間に複数の活性領域を含む、システム。

【請求項9】

請求項８に記載のシステムであって、前記複数の活性領域の各活性領域は、トンネル接合により、前記複数の活性領域の各他の活性領域から分離される、システム。

【請求項10】

請求項８に記載のシステムであって、前記２つのＤＢＲミラースタックの間に前記複数の活性領域を含む前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、前記青波長範囲内で発光するように動作可能である、システム。

【請求項11】

請求項１０に記載のシステムであって、前記赤波長範囲内で発光するように動作可能である前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、前記２つのＤＢＲミラースタックの間に単一の活性領域を含む、システム。

【請求項12】

請求項１１に記載のシステムであって、前記青波長範囲内で発光するように動作可能である前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬ、および、前記赤波長範囲内で発光するように動作可能である前記少なくとも１つのＶＣＳＥＬは、共通電流供給部により、動作可能に給電される、システム。

【請求項13】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイの各ＶＣＳＥＬは、光発光側のキャップ層において回折格子を含む、システム。

【請求項14】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイの各ＶＣＳＥＬは、活性領域に近接する回折格子を含む、システム。

【請求項15】

請求項１４に記載のシステムであって、前記回折格子は、キャビティの内側でエッチングされる、システム。

【請求項16】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイの各ＶＣＳＥＬは、線形分散を伴うオープンディラック電磁キャビティを含む、システム。

【請求項17】

請求項１に記載のシステムであって、ＶＣＳＥＬの前記アレイの各ＶＣＳＥＬは、マイクロレンズを含む、システム。

【請求項18】

請求項１７に記載のシステムであって、前記マイクロレンズは、コリメータである、システム。

【請求項19】

請求項１７に記載のシステムであって、前記マイクロレンズは、ディフューザである、システム。

【請求項20】

請求項１７に記載のシステムであって、前記マイクロレンズは、ポリマ層のナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）によって、各ＶＣＳＥＬの上部に統合される、システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001]本出願は、２０２２年１２月１６日に出願された、ＲＥＤ－ＧＲＥＥＮ－ＢＬＵＥ，ＶＥＲＴＩＣＡＬ－ＣＡＶＩＴＹ，ＳＵＲＦＡＣＥ－ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＬＡＳＥＲ ＡＲＲＡＹ（赤緑青垂直キャビティ面発光レーザアレイ）と表題を付けられた、米国仮特許出願第６３／４３３，１４７号の利益および優先権を主張するものであり、その米国仮特許出願の開示は、その全体において参照により本明細書に組み込まれている。

【背景技術】

【0002】

[0002]ＶＣＳＥＬアレイの限界および不利点が、そのような手法の、図面を参照して本開示の残り部分において論述される本方法およびシステムのいくつかの態様との比較を通して、当業者に明らかになることになる。

【発明の概要】

【0003】

[0003]特許請求の範囲において、より完全に論述されるような、実質的に、図のうちの少なくとも１つにより図解される、および／または、図のうちの少なくとも１つに関して説明されるような、ＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイを生産するためのシステムおよび方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0004】

【図1】[0004]本開示の様々な例示実現形態による、２Ｄ ＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【図2】[0005]本開示の様々な例示実現形態による、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）ミラースタック同士の間に活性領域とトンネル接合とを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【図3】[0006]図３ａは、本開示の様々な例示実現形態による、ＤＢＲミラースタック同士の間に活性領域を含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図３ｂは、本開示の様々な例示実現形態による、ＤＢＲミラースタック同士の間に活性領域を含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図３ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、ＤＢＲミラースタック同士の間に活性領域を含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【図4】[0007]図４ａは、本開示の様々な例示実現形態による、ＡＲ用途のためのＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図４ｂは、本開示の様々な例示実現形態による、ＡＲ用途のためのＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【図5】[0008]本開示の様々な例示実現形態による、ウェハ上のマイクロ光学系の例示実施形態を図解する図である。

【図6】本開示の様々な例示実現形態による、ウェハ上のマイクロ光学系の例示実施形態を図解する図である。

【図7】[0009]図７ａは、本開示の様々な例示実現形態による、レンズを伴わないＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図７ｂは、本開示の様々な例示実現形態による、レンズを伴わないＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図７ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、レンズを伴わないＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【図8】[0010]図８ａは、本開示の様々な例示実現形態による、コリメータを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図８ｂは、本開示の様々な例示実現形態による、コリメータを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図８ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、コリメータを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【図9】[0011]図９ａは、本開示の様々な例示実現形態による、ディフューザを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図９ｂは、本開示の様々な例示実現形態による、ディフューザを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。図９ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、ディフューザを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する図である。

【発明を実施するための形態】

【0005】

[0012]本開示は、３つ以上の波長の群の１つの波長において発光する別個の垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を含む、ＶＣＳＥＬの複合アレイを説明し、波長の前記群の各波長は、青範囲（すなわち、４４０から４９５ｎｍ）、緑範囲（すなわち、４９５から５８０ｎｍ）、または赤範囲（すなわち、６１０から７６０ｎｍ）内である。

【0006】

[0013]図１は、本開示の様々な例示実現形態による、２Ｄ ＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイを含む、本開示の例示実施形態を図解する。
[0014]実現形態の例として、別個のＶＣＳＥＬが、各波長範囲内で使用され、１Ｄまたは２Ｄアレイを形成するためにチップ上に一体で実装される。ＩｎＧａＮ活性領域を伴うＧａＮ系ＶＣＳＥＬが、青および緑範囲のために、誘電体ミラーとともに使用されることがある。ＧａＡｓ基板上に成長させられる、（ＡｌＧａ）ＩｎＰ活性領域ならびにＡｌＧａＡｓ ＮおよびＰ分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）ミラースタックを伴うＶＣＳＥＬが、赤範囲のために使用されることがある。

【0007】

[0015]アレイは、順序付けされた１０１、または、順序付けされない１０３であり得る。複合アレイは、行により、列により、または、個々のＶＣＳＥＬレベルにおいてアドレス可能であり得る。アレイ１０１、１０３は、共通カソードまたは共通アノード構成においてバイアスされることがある。

【0008】

[0016]アレイ１０１、１０３は、追加的なＶＣＳＥＬ属性およびプロセス要素を有することがある。例えばではあるが、ＶＣＳＥＬアレイ１０１、１０３は、レーザ転写プロセスを使用することがある。レーザ誘起前方転写（ＬＩＦＴ）および画素／修復調整が、ＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイ１０１、１０３を構築することのコストを低減するために使用されることがある。

【0009】

[0017]マイクロＬＥＤおよびマイクロＶＣＳＥＬにおけるチップ側壁上の表面再結合を克服するために、チップの輪郭が、レーザ転写の後にチップ上に残るすべてのエピ層を通して上部側から植え込まれることがある。

【0010】

[0018]青および緑ＧａＮ系ＶＣＳＥＬ構造は、誘電体ＤＢＲミラーを含むことがある。ＶＣＳＥＬの光発生セクション（活性領域）は、エピタキシにより成長させられることがある。ウェハボンディングプロセスまたはウェハ融着が、ＤＢＲスタックを活性領域と結合するために使用されることがある。融着ボンディングは、何らの中間層の追加も伴わない、２つの平面状基板の自然接着を指す。代替的な手法として、適切な設計のＤＢＲが、第１のステップがＤＢＲであり、第２のステップが活性領域のためのものである、２ステップレーザ転写プロセスを使用して、各波長の各エミッタのために個々に配置されることがある。誘電体ＤＢＲは絶縁体であるので、イントラキャビティコンタクトが、活性領域内へと電流を注入するために使用される。

【0011】

[0019]パルスレーザ堆積（ＰＬＤ）は、反射層の堆積であり、共振キャビティＬＥＤのために使用されることがある。ＰＬＤは、真空チャンバの内側の固体ターゲットの表面を蒸発させるために高エネルギーレーザパルスを使用する、薄膜堆積技法である。蒸気は、次いで、厚さにおいて最高で数マイクロメートルの薄膜を形成するために、基板上で凝固させられる。反射材料の薄膜は、青または緑ＬＥＤにおいてミラーとして使用され得る。反射率は、ＶＣＳＥＬ構造においてそのミラーを使用するのに十分には高くないことがあるが、そのミラーは、共振キャビティ（ＲＣ）ＬＥＤにおいて使用されることがある。このことは、ＶＣＳＥＬの代わりにＲＣ ＬＥＤを利用するいくつかの用途において、青および緑光源を単純化し、青および緑光源のコストを低減し得る。

【0012】

[0020]図２は、本開示の様々な例示実現形態による、ＤＢＲミラースタック２０１および２０３の間に活性領域２０５とトンネル接合２０７とを含む、本開示の例示実施形態を図解する。

【0013】

[0021]この複数接合（ｍｕｌｔｉ－ｊｕｎｃｔｉｏｎ）ＶＣＳＥＬ技術は、２つのＤＢＲミラースタック２０１および２０３の間の複数個の活性領域２０５およびトンネル接合２０７を実現する。このことによって、複数個の光子が単一の電子につき放出される、より高い効率のＶＣＳＥＬが可能になる。追加的な活性領域２０５およびトンネル接合２０７を追加することが、電力およびスロープ効率を増大し、同時に、より高い電圧を結果的に生じさせる。

【0014】

[0022]ＲＧＢ ＶＣＳＥＬの文脈において、青色レーザの効率は、典型的には、材料特性制約に起因して、より低い。青レーザ効率は、この例示接合技術を使用することにより改善され得る。より高い効率のレーザ（すなわち、赤）は、標準的な単接合を使用することがある。このことによって、３つのＲＧＢ ＶＣＳＥＬのための、同等の出力電力を伴う同じ電流供給部の使用が可能となることがある。

【0015】

[0023]リソグラフィによって画定されるアパーチャが、酸化物アパーチャに対する代替法をもたらすことがある。酸化物フリーＶＣＳＥＬ構造は、電流およびモード閉じ込めのために、リソグラフィによって画定されるイントラキャビティメサを使用することがある。そのようなイントラキャビティメサの閉じ込め特性は、アパーチャサイズのより高い精密度の制御によって、酸化物アパーチャと同等である。

【0016】

[0024]別の異形において、アパーチャは、トンネル接合およびｐ－ｎ接合の組み合わせにより制御されることがある。ｐ－ｎ接合は、逆バイアスされ、そうして、電流の流れを遮断することがある。ＶＣＳＥＬアパーチャは、トンネル接合の横方向寸法により決定されることがある。リソグラフィの精密度を有することにより、デバイスのモーダルコンテンツは、生産フローにおいて正確に制御されることがある。例えばではあるが、ＡＲ用途は、そのような精密なモーダル制御によって生産される細い線幅を使用することがある。

【0017】

[0025]図３ａ～図３ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、ＤＢＲミラースタック３０３および３０７の間に活性領域３０５を含む、本開示の例示実施形態を図解する。ＡＲグラスにおける層の光学特性は、偏光させられた光について最大効率に達することがある。ＲＧＢ発光光源についての単一偏光を確実にするために、回折格子層３０１が、光発光側のキャップ層において画定され得る。図３ａは、どのようにこの解決法が上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｔｔｉｎｇ）デバイスのために使用され得るかを示す。図３ｂは、どのようにこの解決法が下部発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｎｇ）デバイスのために使用され得るかを示す。回折格子３０１は、リソグラフィによって画定され得る。ピッチおよびデューティサイクルは、最大偏光消光比について最適化され得る。

【0018】

[0026]図３ｃにおける解決法は、上部発光デバイスまたは下部発光デバイスのいずれかのために使用され得る。図３ｃにおけるイントラキャビティ回折格子３０１によって、さらには、基板上の偏光ロッキングおよび光学系を伴う裏面側発光ＶＣＳＥＬ（例えば、下部発光）が可能となる。

【0019】

[0027]追加的な光学機能性（例えば、レンズ、ディフューザ、その他）がＶＣＳＥＬの発光側に追加されるならば、偏光ロックは、ＶＣＳＥＬキャビティの中で実現され得る。回折格子層３０１は、次いで、図３ｃにおいて示されるように、キャビティの内側でエッチングされる。この構造は、ウェハボンディングまたは再成長技法を使用することにより現実化され得る。

【0020】

[0028]線形分散を伴うオープンディラック電磁キャビティ（ｏｐｅｎ－ｄｉｒａｃ ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃａｖｉｔｙ）が、六角形パターンにおいて配置構成される切頭フォトニック結晶（ｔｒｕｎｃａｔｅｄ ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）により現実化されることがある。そのようなオープンディラック電磁キャビティは、キャビティがサイズにおいてスケールを拡大される際に維持される単一モードレーザ発振につながる、逆空間における損失の、従来にはないスケーリングを呈することがある。ＶＣＳＥＬは、線形分散を伴うオープンディラック電磁キャビティの原理に基づいて開発されることがある。これらのＶＣＳＥＬは、電流注入型であることがあり、ＲＧＢ範囲内で作動することがある。

【0021】

[0029]図４ａ～図４ｂは、本開示の様々な例示実現形態による、ＡＲ用途のためのＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイを含む、本開示の例示実施形態を図解する。単一モード動作をより大きいアパーチャに拡張する能力は、ＡＲ用途にとって非常に有利であることがある。

【0022】

[0030]図４ａにおいて示されるように、ＲＧＢプロジェクタ４０１が、視認されること４０５の前に、ＡＲグラス４０３上の反射要素４０７に照準を定められることがある。図４ｂにおいて示されるように、ＲＧＢプロジェクタ４０１は、さらには、視認されること４０５の前に、ＡＲグラス４０３内の導波路に照準を定められることがある。

【0023】

[0031]図５および図６は、本開示の様々な例示実現形態による、ウェハ上のマイクロ光学系の例示実施形態を図解する。マイクロ光学系要素は、ＶＣＳＥＬウェハの上方に分配されたポリマ層のナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）に基づいて、ウェハレベルプロセスを使用してＶＣＳＥＬエミッタの上部上に統合され得る。ＮＩＬプロセスを使用すると、高い適合性正確度を伴うマイクロ光学系要素が、＜１ｕｍの位置的正確度を伴って生成されることがある。ＮＩＬ技術は、異なる設計、形式、および形状を伴う種々のマイクロレンズを生産するための柔軟性をもたらす。

【0024】

[0032]図７ａ～図７ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、レンズを伴わないＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する。図７ａは、物理的ＶＣＳＥＬを示す。図７ｂは、レンズを伴わないこのＶＣＳＥＬの遠視野を示す。図７ｃは、レンズを伴わないＶＣＳＥＬの遠視野がおよそ３０°であるということを示す。

【0025】

[0033]マイクロ光学系要素の２つの例は、コリメータおよびディフューザである。図８ａ～図８ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、コリメータを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する。図８ａは、コリメータを伴う物理的ＶＣＳＥＬを示す。図８ｂは、コリメータを伴うこのＶＣＳＥＬの遠視野を示す。図８ｃは、このコリメータがＶＣＳＥＬの遠視野を（図７ｃにおいて示されるようなおよそ３０°から）１０°よりも下にコリメートし得るということを示す。

【0026】

[0034]図９ａ～図９ｃは、本開示の様々な例示実現形態による、ディフューザを伴うＶＣＳＥＬを含む、本開示の例示実施形態を図解する。図９ａは、ディフューザを伴う物理的ＶＣＳＥＬを示す。図９ｂは、ディフューザを伴うこのＶＣＳＥＬの遠視野を示す。図９ｃは、このディフューザがＶＣＳＥＬの遠視野を（図７ｃにおいて示されるようなおよそ３０°から）６５°よりも上に拡大し得るということを示す。

【0027】

[0035]本方法および／またはシステムは、ハードウェア、ソフトウェア、または、ハードウェアおよびソフトウェアの組み合わせにおいて現実化されることがある。本方法および／またはシステムは、少なくとも１つのコンピューティングシステムにおける集中型の方式において、または、異なる要素がいくつもの相互接続されるコンピューティングシステムにわたって散らされる、分散型の方式において現実化されることがある。本明細書において説明される方法を履行するように適応させられる、任意の種類のコンピューティングシステムまたは他の装置が適する。典型的な実現形態は、１つもしくは複数の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、１つもしくは複数のフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、ならびに／または、１つもしくは複数のプロセッサ（例えば、ｘ８６、ｘ６４、ＡＲＭ、ＰＩＣ、および／または、任意の他の適するプロセッサアーキテクチャ）および関連付けられる支持回路網（例えば、記憶装置、ＤＲＡＭ、フラッシュ、バスインターフェース回路、その他）を含むことがある。各別個のＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、プロセッサ、または、他の回路は、「チップ」と呼称されることがあり、複数個のそのような回路は、「チップセット」と呼称されることがある。別の実現形態は、機械により実行されるときに、本開示において説明されるようなプロセスを遂行することを機械に行わせる、コードの１つまたは複数のラインを記憶した、非一時的機械可読（例えば、コンピュータ可読）媒体（例えば、フラッシュドライブ、光学ディスク、磁気記憶ディスク、または類するもの）を含むことがある。別の実現形態は、機械により実行されるときに、本開示において説明されるシステムとして動作するように構成されること（例えば、ソフトウェアおよび／またはファームウェアをその機械の回路内へとロードすること）を機械に行わせる、コードの１つまたは複数のラインを記憶した、非一時的機械可読（例えば、コンピュータ可読）媒体（例えば、フラッシュドライブ、光学ディスク、磁気記憶ディスク、または類するもの）を含むことがある。

【0028】

[0036]本明細書において使用される際、用語「回路」および「回路網」は、物理的電子構成要素（すなわちハードウェア）、ならびに、ハードウェアを構成する、ハードウェアにより実行される、およびまたは、他の形でハードウェアと関連付けられることがある、任意のソフトウェアおよび／またはファームウェア（「コード」）を指す。本明細書において使用される際、例えばではあるが、個別のプロセッサおよびメモリは、コードの第１の１つまたは複数のラインを実行するときの第１の「回路」を含むことがあり、コードの第２の１つまたは複数のラインを実行するときの第２の「回路」を含むことがある。本明細書において使用される際、「および／または」は、「および／または」により結び付けられる列挙における項目のうちの任意の１つまたは複数を意味する。例として、「ｘおよび／またはｙ」は、３要素集合｛（ｘ），（ｙ），（ｘ，ｙ）｝の任意の要素を意味する。別の例として、「ｘ、ｙ、および／またはｚ」は、７要素集合｛（ｘ），（ｙ），（ｚ），（ｘ，ｙ），（ｘ，ｚ），（ｙ，ｚ），（ｘ，ｙ，ｚ）｝の任意の要素を意味する。本明細書において使用される際、用語「例示的」は、非制限的な例、実例、または図解として役立つことを意味する。本明細書において使用される際、用語「例えば」および「例えばではあるが」は、１つまたは複数の非制限的な例、実例、または図解の列挙のきっかけとなるものである。本明細書において使用される際、機能の遂行が、（例えば、ユーザ構成可能セッティング、工場調整、その他により）ディセーブルにされる、またはイネーブルにされないかどうかにかかわらず、回路網が、機能を遂行するための必要なハードウェアおよびコードを（何かが必要である場合に）含むときはいつでも、回路網は、機能を遂行するように「動作可能」である。本明細書において使用される際、用語「に基づく」は、「に少なくとも部分的に基づく」を意味する。例えばではあるが、「ｙに基づくｘ」は、「ｘ」が、「ｙ」に少なくとも部分的に基づく（および、例えばではあるが、さらにはｚに基づくことがある）ということを意味する。

【0029】

[0037]本方法および／またはシステムは、ある決まった実現形態を参照して説明されたが、本方法および／またはシステムの範囲から逸脱することなく、様々な変更がなされることがあり、均等物が代用されることがあるということが、当業者により理解されることになる。加えて、多くの修正が、個別の状況または材料を本開示の教示に適応させることを、本開示の範囲から逸脱することなく行うようになされることがある。それゆえに、本方法および／またはシステムは、開示される個別の実現形態に制限されるということではなく、本方法および／またはシステムは、添付される特許請求の範囲の、範囲の中に該当するすべての実現形態を含むことになるということが意図される。

【符号の説明】

【0030】

１０１ アレイ、ＶＣＳＥＬアレイ、ＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイ
１０３ アレイ、ＶＣＳＥＬアレイ、ＲＧＢ ＶＣＳＥＬアレイ
２０１ ＤＢＲミラースタック
２０３ ＤＢＲミラースタック
２０５ 活性領域
２０７ トンネル接合
３０１ 回折格子層、回折格子、イントラキャビティ回折格子
３０３ ＤＢＲミラースタック
３０５ 活性領域
３０７ ＤＢＲミラースタック
４０１ ＲＧＢプロジェクタ
４０３ ＡＲグラス
４０５ 視認されること
４０７ 反射要素

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【外国語明細書】