特開 2024-8710 圧力検出装置および製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024008710

(43)【公開日】2024-01-19

(54)【発明の名称】圧力検出装置および製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01L 9/00 20060101AFI20240112BHJP

   H01L 29/84 20060101ALI20240112BHJP

【ＦＩ】

G01L9/00 303A

H01L29/84 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022110790

(22)【出願日】2022-07-08

(71)【出願人】

【識別番号】000005234

【氏名又は名称】富士電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】伊東 祐一

(72)【発明者】

【氏名】西川 睦雄

【テーマコード（参考）】

2F055

4M112

【Ｆターム（参考）】

2F055CC02

2F055DD05

2F055EE14

2F055FF11

2F055GG15

4M112AA01

4M112BA01

4M112CA04

4M112CA08

4M112CA11

4M112CA12

4M112CA13

4M112CA14

4M112DA10

4M112DA14

4M112EA02

4M112EA08

4M112FA20

(57)【要約】

【課題】圧力検出装置におけるリーク電流を抑制する。
【解決手段】上面を有する半導体基板と、前記半導体基板に設けられた第１導電型のバルク領域と、前記バルク領域と前記半導体基板の前記上面との間に設けられた、第１導電型のピエゾ抵抗領域と、前記ピエゾ抵抗領域と前記バルク領域との間に設けられた、第２導電型の第１ウェル領域と、前記第１ウェル領域と前記バルク領域との間に設けられ、前記第１ウェル領域よりも低濃度の第２導電型の第１低濃度領域とを備える圧力検出装置を提供する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた第１導電型のバルク領域と、
前記バルク領域と前記半導体基板の前記上面との間に設けられた、第１導電型のピエゾ抵抗領域と、
前記ピエゾ抵抗領域と前記バルク領域との間に設けられた、第２導電型の第１ウェル領域と、
前記第１ウェル領域と前記バルク領域との間に設けられ、前記第１ウェル領域よりも低濃度の第２導電型の第１低濃度領域と
を備える圧力検出装置。

【請求項2】

前記第１ウェル領域および前記第１低濃度領域は、前記半導体基板の深さ方向におけるドーピング濃度分布において、それぞれ濃度ピークを有する
請求項１に記載の圧力検出装置。

【請求項3】

前記半導体基板の深さ方向におけるドーピング濃度分布は、
前記第１ウェル領域に配置された濃度ピークと、
前記濃度ピークと前記バルク領域との間に配置された変曲点と
を有し、
前記第１低濃度領域は、前記変曲点と前記バルク領域との間の領域である
請求項１に記載の圧力検出装置。

【請求項4】

前記第１ウェル領域におけるドーピング濃度の最大値は、１×１０^１５／ｃｍ^３以上、１×１０^１７／ｃｍ^３以下であり、
前記第１低濃度領域におけるドーピング濃度の最大値は、１×１０^１３／ｃｍ^３以上、１×１０^１５／ｃｍ^３以下である
請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項5】

前記第１低濃度領域の前記半導体基板の深さ方向における長さは、前記第１ウェル領域の前記深さ方向における長さよりも大きい
請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項6】

前記半導体基板の深さ方向と垂直な方向において、前記第１低濃度領域の幅が、前記第１ウェル領域の幅よりも大きい
請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項7】

前記半導体基板に定格電圧が印加された状態で、前記第１低濃度領域と前記バルク領域との間のｐｎ接合から広がる空乏層が、前記第１ウェル領域の前記濃度ピークまでは到達しない
請求項２または３に記載の圧力検出装置。

【請求項8】

前記バルク領域と前記半導体基板の前記上面との間に設けられた、第１導電型のソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域と、前記バルク領域との間に設けられた、第２導電型の第２ウェル領域と、
前記第２ウェル領域と前記バルク領域との間に設けられ、前記第２ウェル領域よりも低濃度の第２導電型の第２低濃度領域と
を更に備える請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項9】

前記ピエゾ抵抗領域は、前記半導体基板の前記上面において、第１方向に長手を有する延伸部を複数有し、
前記圧力検出装置は、それぞれの前記延伸部の間に設けられ、前記バルク領域よりも高濃度の第２導電型の１つ以上の分離領域を有し、
それぞれの前記分離領域は、隣り合う２つの前記延伸部と接している
請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項10】

前記ピエゾ抵抗領域は、
前記半導体基板の前記上面に接する第１導電型の高濃度抵抗部と、
前記高濃度抵抗部と前記第１ウェル領域との間に設けられ、前記高濃度抵抗部よりも低濃度の第１導電型の低濃度抵抗部と
を有する請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項11】

前記ソース領域は、
前記半導体基板の前記上面に接する第１導電型の高濃度ソース部と、
前記高濃度ソース部と前記第２ウェル領域との間に設けられ、前記高濃度ソース部よりも低濃度の第１導電型の低濃度ソース部と
を有し、
前記ドレイン領域は、
前記半導体基板の前記上面に接する第１導電型の高濃度ドレイン部と、
前記高濃度ドレイン部と前記第２ウェル領域との間に設けられ、前記高濃度ドレイン部よりも低濃度の第１導電型の低濃度ドレイン部と
を有する請求項８に記載の圧力検出装置。

【請求項12】

前記半導体基板の前記上面の上方に配置され、前記ピエゾ抵抗領域の少なくとも一部を覆う、導電性のシールド膜を更に備える
請求項１から３のいずれか一項に記載の圧力検出装置。

【請求項13】

圧力検出装置の製造方法であって、
前記圧力検出装置は、
上面および下面を有する半導体基板と、
前記半導体基板に設けられた第１導電型のバルク領域と、
前記バルク領域と前記半導体基板の前記上面との間に設けられた、第１導電型のピエゾ抵抗領域と、
前記ピエゾ抵抗領域と前記バルク領域との間に設けられた、第２導電型の第１ウェル領域と、
前記第１ウェル領域と前記バルク領域との間に設けられ、前記第１ウェル領域よりも低濃度の第２導電型の第１低濃度領域と
を備え、
前記第１ウェル領域を形成すべき位置と、前記第１低濃度領域を形成すべき位置のそれぞれに対して別途にイオンを注入して、前記第１ウェル領域および前記第１低濃度領域を形成する製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、圧力検出装置および製造方法に関する。

【0002】

シリコン基板等に形成されたダイアフラムにピエゾ抵抗を設けた圧力検出装置が知られている（例えば特許文献１および２参照）。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２０１８－１２５５８８号公報
［特許文献２］ 特開２０１９－１５８５７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

圧力検出装置においては、基板内におけるリーク電流を抑制することが好ましい。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明の第１の態様においては、圧力検出装置を提供する。圧力検出装置は、上面を有する半導体基板を備えてよい。圧力検出装置は、前記半導体基板に設けられた第１導電型のバルク領域を備えてよい。上記いずれかの圧力検出装置は、前記バルク領域と前記半導体基板の前記上面との間に設けられた、第１導電型のピエゾ抵抗領域を備えてよい。上記いずれかの圧力検出装置は、前記ピエゾ抵抗領域と前記バルク領域との間に設けられた、第２導電型の第１ウェル領域を備えてよい。上記いずれかの圧力検出装置は、前記第１ウェル領域と前記バルク領域との間に設けられ、前記第１ウェル領域よりも低濃度の第２導電型の第１低濃度領域を備えてよい。

【0005】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記第１ウェル領域および前記第１低濃度領域は、前記半導体基板の深さ方向におけるドーピング濃度分布において、それぞれ濃度ピークを有してよい。

【0006】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記半導体基板の深さ方向におけるドーピング濃度分布は、前記第１ウェル領域に配置された濃度ピークを有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記半導体基板の深さ方向におけるドーピング濃度分布は、前記濃度ピークと前記バルク領域との間に配置された変曲点を有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記第１低濃度領域は、前記変曲点と前記バルク領域との間の領域であってよい。

【0007】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記第１ウェル領域におけるドーピング濃度の最大値は、１×１０^１５／ｃｍ^３以上、１×１０^１７／ｃｍ^３以下であってよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記第１低濃度領域におけるドーピング濃度の最大値は、１×１０^１３／ｃｍ^３以上、１×１０^１５／ｃｍ^３以下であってよい。

【0008】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記第１低濃度領域の前記深さ方向における長さは、前記第１ウェル領域の前記深さ方向における長さよりも大きくてよい。

【0009】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記深さ方向と垂直な方向において、前記第１低濃度領域の幅が、前記第１ウェル領域の幅よりも大きくてよい。

【0010】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記半導体基板に定格電圧が印加された状態で、前記第１低濃度領域と前記バルク領域との間のｐｎ接合から広がる空乏層が、前記第１ウェル領域の前記濃度ピークまでは到達しなくてよい。

【0011】

上記いずれかの圧力検出装置は、前記バルク領域と前記半導体基板の前記上面との間に設けられた、第１導電型のソース領域およびドレイン領域を備えてよい。上記いずれかの圧力検出装置は、前記ソース領域および前記ドレイン領域と、前記バルク領域との間に設けられた、第２導電型の第２ウェル領域を備えてよい。上記いずれかの圧力検出装置は、前記第２ウェル領域と前記バルク領域との間に設けられ、前記第２ウェル領域よりも低濃度の第２導電型の第２低濃度領域を備えてよい。

【0012】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記ピエゾ抵抗領域は、前記半導体基板の前記上面において、第１方向に長手を有する延伸部を複数有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記圧力検出装置は、それぞれの前記延伸部の間に設けられ、前記バルク領域よりも高濃度の第２導電型の１つ以上の分離領域を有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、それぞれの前記分離領域は、隣り合う２つの前記延伸部と接していてよい。

【0013】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記ピエゾ抵抗領域は、前記半導体基板の前記上面に接する第１導電型の高濃度抵抗部を有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記ピエゾ抵抗領域は、前記高濃度抵抗部と前記第１ウェル領域との間に設けられ、前記高濃度抵抗部よりも低濃度の第１導電型の低濃度抵抗部を有してよい。

【0014】

上記いずれかの圧力検出装置において、前記ソース領域は、前記半導体基板の前記上面に接する第１導電型の高濃度ソース部を有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記ソース領域は、前記高濃度ソース部と前記第２ウェル領域との間に設けられ、前記高濃度ソース部よりも低濃度の第１導電型の低濃度ソース部を有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記ドレイン領域は、前記半導体基板の前記上面に接する第１導電型の高濃度ドレイン部を有してよい。上記いずれかの圧力検出装置において、前記ドレイン領域は、前記高濃度ドレイン部と前記第２ウェル領域との間に設けられ、前記高濃度ドレイン部よりも低濃度の第１導電型の低濃度ドレイン部を有してよい。

【0015】

上記いずれかの圧力検出装置は、前記半導体基板の前記上面の上方に配置され、前記ピエゾ抵抗領域の少なくとも一部を覆う、導電性のシールド膜を備えてよい。

【0016】

本発明の第２の態様においては、第１の態様に係る圧力検出装置の製造方法を提供する。製造方法では、前記第１ウェル領域を形成すべき位置と、前記第１低濃度領域を形成すべき位置のそれぞれに対して別途にイオンを注入して、前記第１ウェル領域および前記第１低濃度領域を形成してよい。

【0017】

上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一つの実施形態に係る圧力検出装置３００の回路構成の一例を示す図である。

【図2】半導体基板５０の上面における１つのピエゾ抵抗部１１０の構造例を示す図である。

【図3】圧力検出部１００の構造例を示す図である。

【図4】図３のＡ－Ａ線における、半導体基板５０の深さ方向のドーピング濃度分布の一例を示す図である。

【図5】図３のＡ－Ａ線における、半導体基板５０の深さ方向のドーピング濃度分布の他の例を示す図である。

【図6】圧力検出部１００の他の構造例を示す図である。

【図7】圧力検出装置３００の製造方法を説明する図である。

【図8】圧力検出部１００の他の構造例を示す図である。

【図9】半導体素子部２００の構造例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

【0020】

本明細書においては半導体基板の深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は、重力方向または装置の実装時における方向に限定されない。

【0021】

本明細書では、半導体基板の上面および下面に平行な直交軸をＸ軸およびＹ軸とする。また、半導体基板の上面および下面と垂直な軸をＺ軸とする。本明細書では、Ｚ軸の方向を深さ方向と称する場合がある。また、本明細書では、Ｘ軸およびＹ軸を含めて、半導体基板の上面および下面に平行な方向を、水平方向と称する場合がある。

【0022】

半導体基板の深さ方向における中心から、半導体基板の上面までの領域を、上面側と称する場合がある。同様に、半導体基板の深さ方向における中心から、半導体基板の下面までの領域を、下面側と称する場合がある。

【0023】

本明細書において「同一」または「等しい」のように称した場合、製造ばらつき等に起因する誤差を有する場合も含んでよい。当該誤差は、例えば１０％以内である。

【0024】

本明細書においては、ネット・ドーピング濃度とは、ドナー濃度を正イオンの濃度とし、アクセプタ濃度を負イオンの濃度として、電荷の極性を含めて足し合わせた正味の濃度を意味する。一例として、ドナー濃度をＮ_Ｄ、アクセプタ濃度をＮ_Ａとすると、任意の位置における正味のネット・ドーピング濃度はＮ_Ｄ－Ｎ_Ａとなる。本明細書では、特に説明する場合を除き、ネット・ドーピング濃度を単にドーピング濃度と記載する。ネット・ドーピング濃度は、電圧－容量測定法（ＣＶ法）により測定できる。また、拡がり抵抗測定法（ＳＲ法）により計測されるキャリア濃度を、ネット・ドーピング濃度としてよい。ＣＶ法またはＳＲ法により計測されるキャリア濃度は、熱平衡状態における値としてよい。本明細書における各濃度は、室温における値でよい。室温における値は、一例として３００Ｋ（ケルビン）（約２６．９℃）のときの値を用いてよい。

【0025】

本明細書においてｐ＋型またはｎ＋型と記載した場合、ｐ型またはｎ型よりもドーピング濃度が高いことを意味し、ｐ－型またはｎ－型と記載した場合、ｐ型またはｎ型よりもドーピング濃度が低いことを意味する。本明細書の単位系は、特に断りがなければＳＩ単位系である。また、ｐ型およびｎ型は、第１導電型および第２導電型に対応する。各実施例におけるｐ型およびｎ型は、互いに逆の導電型に置き換えてもよい。

【0026】

イオンまたは電子等の荷電粒子を所定の加速エネルギーで半導体基板に注入した場合、これらの粒子は深さ方向において所定の分布を有する。本明細書では、当該分布のピーク位置を、当該粒子が注入された位置、または、注入された深さ等と称する場合がある。

【0027】

図１は、本発明の一つの実施形態に係る圧力検出装置３００の回路構成の一例を示す図である。圧力検出装置３００は、圧力検出部１００および半導体素子部２００を備える。圧力検出部１００は、複数のピエゾ抵抗部１１０を備える。圧力検出部１００は、複数のシールド膜２０を更に備えてよい。図１の例では、圧力検出装置３００は、ホイートストンブリッジ回路を構成する複数のピエゾ抵抗部１１０－１、１１０－２、１１０－３、および１１０－４（以下、複数のピエゾ抵抗部１１０と総称する場合がある）を備える。それぞれのピエゾ抵抗部１１０－ｋの抵抗値をＲｋとする。また、それぞれのピエゾ抵抗部１１０－ｋに対して、シールド膜２０－ｋが設けられている。

【0028】

一例としてピエゾ抵抗部１１０は、半導体基板に形成された拡散抵抗である。半導体基板は、シリコン基板であってもよく、炭化珪素（ＳｉＣ）等の化合物半導体基板であってもよい。ピエゾ抵抗部１１０は、ｐ型またはｎ型のドーパントを半導体基板に選択的にドーピングし、さらに熱拡散することによって形成されてよい。本例のピエゾ抵抗部１１０は、半導体基板に配置されたダイアフラム上に形成される。

【0029】

ピエゾ抵抗部１１０－１は、ホイートストンブリッジ回路の高電位側端子Ｖｄｄとホイートストンブリッジ回路の第１中間電位端子Ｖｏｕｔ１との間に電気的に接続される。ピエゾ抵抗部１１０－２は、第１中間電位端子Ｖｏｕｔ１とホイートストンブリッジ回路の低電位側端子Ｖｓｓとの間に電気的に接続される。ピエゾ抵抗部１１０－３は、高電位側端子Ｖｄｄとホイートストンブリッジ回路の第２中間電位端子Ｖｏｕｔ２との間に電気的に接続される。ピエゾ抵抗部１１０－４は、第２中間電位端子Ｖｏｕｔ２と低電位側端子Ｖｓｓとの間に電気的に接続される。ピエゾ抵抗部１１０どうしは、配線１４により接続されている。また、ピエゾ抵抗部１１０と各端子も、配線１４により接続されている。

【0030】

圧力検出装置３００の周囲の圧力が変化すると、半導体基板のダイアフラムが変形し、それぞれのピエゾ抵抗部１１０の抵抗値が変動する。これにより、第１中間電位端子Ｖｏｕｔ１および第２中間電位端子Ｖｏｕｔ２における電位が変化する。当該電位から、圧力検出装置３００の周囲の圧力を算出できる。半導体素子部２００は、第１中間電位端子Ｖｏｕｔ１および第２中間電位端子Ｖｏｕｔ２の電位に応じた信号を処理する。半導体素子部２００は、当該信号を増幅する機能、ノイズを除去する機能、デジタル信号に変換する機能、および、デジタル信号を処理する機能の少なくとも一つを有してよい。本例の半導体素子部２００は、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子を含んでいる。

【0031】

ピエゾ抵抗部１１０が拡散抵抗の場合、ピエゾ抵抗部１１０の上方の部材が帯電すると、ピエゾ抵抗部１１０の拡散層においてキャリアのドリフトが発生する。この場合、ピエゾ抵抗部１１０におけるキャリア分布が変動して、ピエゾ抵抗部１１０の抵抗値が変動してしまう場合がある。これに対して、シールド膜２０を設けることで、ピエゾ抵抗部１１０の抵抗値の変動を抑制できる。

【0032】

シールド膜２０は、複数のピエゾ抵抗部１１０のそれぞれの上方に設けられる。シールド膜２０は、ポリシリコンまたは金属等の導電性材料で構成される。それぞれのシールド膜２０は、接地電位等の所定の電位に接続される。これにより、ピエゾ抵抗部１１０の上方の部材における帯電を抑制し、ピエゾ抵抗の抵抗値の変動を抑制する。

【0033】

図２は、半導体基板５０の上面における１つのピエゾ抵抗部１１０の構造例を示す図である。本例では、半導体基板５０の上面における２つの直交軸をＸ軸およびＹ軸とし、半導体基板５０の上面と垂直な軸をＺ軸とする。

【0034】

本例のピエゾ抵抗部１１０は、半導体基板５０の内部に設けられ、且つ、半導体基板５０の上面に露出するｐ型のピエゾ抵抗領域１１を有する。ピエゾ抵抗領域１１は、半導体基板５０の上面において、所定の方向に延伸して設けられている。図２の例では、ピエゾ抵抗領域１１は、ＸＹ面内で蛇行した形状を有するが、ピエゾ抵抗領域１１は他の形状を有していてもよい。本例のピエゾ抵抗領域１１は、Ｙ軸方向に延伸する複数の延伸部１５を有している。複数の延伸部１５は、Ｘ軸方向に沿って互いに所定の間隔を有して配置されている。Ｘ軸方向において隣り合う２つの延伸部１５は、Ｙ軸方向における端部で互いに接続されている。

【0035】

ピエゾ抵抗領域１１の２つの端部は、それぞれ配線１４（図１参照）に接続される。ピエゾ抵抗領域１１の配線１４と接続する部分には、ピエゾ抵抗領域１１の他の部分よりも高濃度のｐ型の高濃度抵抗部１２が設けられてよい。これにより、ピエゾ抵抗領域１１と配線１４との接触抵抗を低減できる。

【0036】

本例では、Ｘ軸方向において隣り合う２つの延伸部１５の間には、高濃度のｎ型の分離領域１０が設けられている。分離領域１０には、電源電圧Ｖｄｄ（図１参照）等の高電圧が印加されている。図２においては、分離領域１０に電源電圧Ｖｄｄを印加する配線等の構造は省略している。ピエゾ抵抗領域１１の上方の部材が帯電すると、２つの延伸部１５の間のｎ型の領域の表層にキャリアが引き寄せられて、ｐ型に反転する場合がある。ｐ型の反転層が形成されると、２つの延伸部１５が反転層で接続されて、寄生ｐ型ＭＯＳトランジスタとして動作してしまう。本例のように、高濃度の分離領域１０を設けることで、２つの延伸部１５の間にｐ型の反転層が形成されることを抑制できる。

【0037】

図３は、圧力検出部１００の構造例を示す図である。図３では、１つのピエゾ抵抗部１１０の近傍における、半導体基板５０の断面を示している。図３の断面は、図２におけるＢ－Ｂ断面に相当する。図２においては、図３に示す電源配線１３およびｎ型の分離領域１０を省略している。電源配線１３は、所定の電源電圧Ｖｄｄを伝送する配線であり、半導体基板５０の上面５１と接続する。電源配線１３は、金属等の導電材料で形成されている。分離領域１０は、半導体基板５０の上面５１において電源配線１３と接続する部分を有する。これにより、半導体基板５０の上面５１に設けられた分離領域１０に電源電圧を印加する。分離領域１０に比較的に高い電圧を印加することで、分離領域１０がｐ型に反転することを抑制できる。

【0038】

半導体基板５０は、上面５１および下面を有する。上面５１および下面は、半導体基板５０の２つの主面である。図３では半導体基板５０の下面を省略している。

【0039】

半導体基板５０は、ｐ型のバルク領域１を有する。バルク領域１は、ｐ型のドーパントが一様に分布している領域である。バルク領域１は、半導体基板５０のうち、局所的にイオン注入がされた領域以外の領域であってよい。

【0040】

半導体基板５０の上面５１の上には、配線１４が形成される。配線１４は、金属等の導電材料で形成されている。

【0041】

半導体基板５０には、ｐ型のピエゾ抵抗領域１１が設けられている。図３では、ピエゾ抵抗領域１１の延伸部１５を示している。ピエゾ抵抗領域１１は、バルク領域１と、半導体基板５０の上面５１との間に設けられている。ピエゾ抵抗領域１１は、上面５１に露出していてよく、露出していなくてもよい。

【0042】

ピエゾ抵抗領域１１のドーピング濃度は、バルク領域１のドーピング濃度よりも高くてよい。図２において説明したように、ピエゾ抵抗領域１１の両端のそれぞれは、配線１４に接続されている。ピエゾ抵抗領域１１は、配線１４と接続する高濃度抵抗部１２を有してよい。高濃度抵抗部１２は、ピエゾ抵抗領域１１の他の部分よりも高濃度のｐ型の領域である。

【0043】

図２において説明したように、ＸＺ断面において、ピエゾ抵抗領域１１の複数の延伸部１５が、Ｘ軸方向に沿って設けられてよい。Ｘ軸方向において隣り合う２つの延伸部１５の間には、ｎ型の分離領域１０が設けられている。分離領域１０は、後述する第１ウェル領域９１よりも高濃度であってよい。分離領域１０は、Ｘ軸方向において隣り合う２つの延伸部１５と接触してよい。分離領域１０は、半導体基板５０の上面５１に露出してよい。分離領域１０は、延伸部１５より深く形成されてよく、延伸部１５と同じ深さまで形成されてよく、延伸部１５より浅く形成されてもよい。

【0044】

半導体基板５０には、ｎ型の第１ウェル領域９１と、ｎ－型の第１低濃度領域１０１が設けられている。第１ウェル領域９１は、ピエゾ抵抗領域１１と、バルク領域１との間に設けられている。本例のピエゾ抵抗領域１１は、第１ウェル領域９１の内部に配置されている。第１ウェル領域９１の内部には、分離領域１０が設けられてもよい。第１ウェル領域９１の内部に設けられた各領域は、第１ウェル領域９１によりバルク領域１と分離される。

【0045】

第１低濃度領域１０１は、第１ウェル領域９１の底部とバルク領域１との間に設けられている。第１低濃度領域１０１は、第１ウェル領域９１よりも低濃度のｎ型の領域である。つまり第１低濃度領域１０１におけるドーピング濃度の最大値が、第１ウェル領域９１におけるドーピング濃度の最大値よりも低い。第１低濃度領域１０１におけるドーピング濃度の最小値は、第１ウェル領域９１におけるドーピング濃度の最大値より低くてよく、高くてもよい。本例の第１低濃度領域１０１の上端は第１ウェル領域９１と接しており、下端はバルク領域１と接している。第１低濃度領域１０１およびバルク領域１の界面にはｐｎ接合が形成される。

【0046】

第１低濃度領域１０１を設けない場合、高濃度の第１ウェル領域９１とバルク領域１とが接することになり、ｐｎ接合部における不純物濃度が高くなる。この場合、第１ウェル領域９１とバルク領域１の間のリーク電流が大きくなる。リーク電流の増大は、高温時に特に顕著になる。第１ウェル領域９１とバルク領域１の間のリーク電流が大きくなると、圧力検出装置３００の動作に影響を与える場合がある。例えば第１ウェル領域９１に流れるリーク電流が増減すると、第１ウェル領域９１の電位が変動する。第１ウェル領域９１の電位が変動すると、ピエゾ抵抗領域１１のキャリア濃度分布が変動して、抵抗値が変動する場合がある。特許文献１に開示された技術では、リーク電流を補償する回路を設けているが、回路規模が増大してしまう。

【0047】

これに対して第１低濃度領域１０１を設けることで、第１低濃度領域１０１とバルク領域１が接することになり、ｐｎ接合部における不純物濃度を低くできる。これにより、第１低濃度領域１０１とバルク領域１の間のリーク電流を抑制でき、圧力検出装置３００を精度よく動作させることができる。

【0048】

本例のピエゾ抵抗領域１１は、半導体基板５０の上面５１に接する高濃度抵抗部１２と、高濃度抵抗部１２よりも低濃度のｐ型の低濃度抵抗部を有する。本例では、高濃度抵抗部１２と第１ウェル領域９１との間に配置されたピエゾ抵抗領域１１の部分が、低濃度抵抗部に相当する。このような構成により、第１ウェル領域９１と、ピエゾ抵抗領域１１とのｐｎ接合部におけるリーク電流を低減できる。このため、圧力検出装置３００を精度よく動作させることができる。

【0049】

半導体基板５０の上面５１の上方には、絶縁膜２が設けられてよい。一例として絶縁膜２は、半導体基板５０の上面５１を酸化または窒化して形成した膜である。絶縁膜２は、ＬＯＣＯＳ膜であってよい。配線１４および電源配線１３は、絶縁膜２に設けられた開口を介して、半導体基板５０と接続する。

【0050】

半導体基板５０の上面５１の上方には、保護膜１７が設けられてよい。一例として保護膜１７は、半導体基板５０の上面５１に堆積させた膜である。保護膜１７は、ポリイミド等の絶縁材料で形成されている。保護膜１７は、半導体基板５０の上面５１に設けられた各部材を覆うように設けられる。

【0051】

保護膜１７または絶縁膜２が帯電すると、半導体基板５０の表層にキャリアが引き寄せられて、圧力検出装置３００の特性が変化する場合がある。上述したように、２つの延伸部１５の間にｐ型の反転層が形成されると、寄生ＰＭＯＳトランジスタとして動作する可能性がある。また、延伸部１５の表層にキャリアが引き寄せられると、ピエゾ抵抗領域１１の抵抗値が変動する可能性がある。本例の圧力検出装置３００は、保護膜１７または絶縁膜２における帯電を抑制するとともに、帯電が生じた場合でも圧力検出装置３００の特性変動を抑制する。

【0052】

半導体基板５０の上面５１の上方には、ポリシリコン等の導電性の材料で形成されたシールド膜２０が配置されている。シールド膜２０には、接地電位等の基準電位が印加される。シールド膜２０を設けることで、保護膜１７または絶縁膜２等における帯電を抑制できる。シールド膜２０は、ピエゾ抵抗領域１１（図３では延伸部１５）の少なくとも一部を覆っている。シールド膜２０は、延伸部１５の間の領域の少なくとも一部も覆ってよい。本例のシールド膜２０は、Ｘ軸方向に沿って配置された複数の延伸部１５のうち、両端の２つの延伸部１５以外の延伸部１５を覆っている。また、Ｘ軸方向に沿って配置された複数の分離領域１０の全てを覆っている。シールド膜２０は、Ｘ軸方向の両端の２つの延伸部１５を部分的に覆っていてもよい。例えばシールド膜２０は、当該２つの延伸部１５において、配線１４で覆われていない領域の少なくとも一部を覆ってよい。シールド膜２０と半導体基板５０との間には、絶縁膜２が設けられている。シールド膜２０は、保護膜１７により覆われてよい。

【0053】

分離領域１０を設けることで、２つの延伸部１５の間の領域にｐ型の反転層が形成されるのを抑制できる。また、それぞれの延伸部１５の表層には、ｎ型領域１１１が設けられてよい。ｎ型領域１１１は、第１ウェル領域９１よりも高濃度のｎ型であってよい。ｎ型領域１１１を設けることで、延伸部１５の表層に高濃度のｐ型領域が形成されるのを抑制し、ピエゾ抵抗領域１１の抵抗値の変動を抑制できる。

【0054】

図４は、図３のＡ－Ａ線における、半導体基板５０の深さ方向のドーピング濃度分布の一例を示す図である。Ａ－Ａ線は、Ｚ軸と平行であり、延伸部１５の一部、第１ウェル領域９１、第１低濃度領域１０１、および、バルク領域１の一部を通過する。延伸部１５と第１ウェル領域９１との境界、および、第１低濃度領域１０１とバルク領域１との境界にはｐｎ接合が形成されている。

【0055】

本例の第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１は、それぞれドナーとなるイオンを注入して熱処理することで形成される。つまり、半導体基板５０の深さ方向において、異なる２つの位置にイオン注入することで、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１が形成される。

【0056】

本例の第１ウェル領域９１は、深さ方向のドーピング濃度分布において、濃度ピークＰ１を有する。第１低濃度領域１０１は、深さ方向のドーピング濃度分布において、濃度ピークＰ２を有する。濃度ピークは、ドーピング濃度が極大値を示す点である。それぞれの濃度ピークの深さ位置は、イオンを注入した深さ位置に対応している。

【0057】

濃度ピークＰ２のドーピング濃度Ｄ２は、濃度ピークＰ１のドーピング濃度Ｄ１よりも低い。ドーピング濃度Ｄ２は、ドーピング濃度Ｄ１の半分以下であってよく、１／５以下であってよく、１／１０以下であってよく、１／１００以下であってもよい。ドーピング濃度Ｄ１は、１×１０^１５／ｃｍ^３以上、１×１０^１７／ｃｍ^３以下であってよい。ドーピング濃度Ｄ２は、１×１０^１３／ｃｍ^３以上、１×１０^１５／ｃｍ^３以下であってよい。

【0058】

濃度ピークＰ１と濃度ピークＰ２の間には、ドーピング濃度が極小値を示す谷部５２が配置されている。延伸部１５（またはピエゾ抵抗領域１１）の下端から谷部５２までの領域を第１ウェル領域９１としてよい。谷部５２からバルク領域１までの領域を第１低濃度領域１０１としてよい。延伸部１５からバルク領域１までのドーピング濃度分布に複数の谷部５２が存在する場合、延伸部１５に最も近い谷部５２を、第１ウェル領域９１と第１低濃度領域１０１との境界としてよい。谷部５２のドーピング濃度Ｄ３は、バルク領域１のドーピング濃度Ｄ４より大きい。ドーピング濃度Ｄ３は、ドーピング濃度Ｄ４の２倍以上であってよく、５倍以上であってよく、１０倍以上であってもよい。

【0059】

第１ウェル領域９１の深さ方向の長さをＺ１、第１低濃度領域１０１の深さ方向の長さをＺ２とする。長さＺ２は、長さＺ１の半分以上であってよく、１倍より大きくてよく、１．５倍以上であってもよい。第１低濃度領域１０１を長く形成することで、圧力検出装置３００の実動作時に、第１低濃度領域１０１とバルク領域１との間のｐｎ接合から広がる空乏層が、第１ウェル領域９１の濃度ピークＰ１までは到達するのを抑制できる。このため、リーク電流を抑制できる。

【0060】

半導体基板５０に定格の電源電圧Ｖｄｄが印加された状態で、第１低濃度領域１０１とバルク領域１との間のｐｎ接合から広がる空乏層の上端が到達する深さ位置をＺｄとする。深さ位置Ｚｄは、定格の電源電圧Ｖｄｄの大きさと、ドーピング濃度分布から演算できる。深さ位置Ｚｄは、濃度ピークＰ１よりも下方（つまりバルク領域１の近く）に位置している。深さ位置Ｚｄにおけるドーピング濃度は、ドーピング濃度Ｄ１の半分（０．５×Ｄ１）より小さくてよい。深さ位置Ｚｄは、第１ウェル領域９１内に配置されてよい。本例では、深さ位置Ｚｄは、濃度ピークＰ１と谷部５２との間に配置されてよい。

【0061】

図５は、図３のＡ－Ａ線における、半導体基板５０の深さ方向のドーピング濃度分布の他の例を示す図である。本例のドーピング濃度分布は、図４の例における谷部５２に代えて変曲点５４を有し、且つ、第１低濃度領域１０１が濃度ピークＰ２を有さない点で、図４に示した例と相違する。他の構造は、図４において説明したドーピング濃度分布と同様である。第１低濃度領域１０１に対するイオンのドーズ量が比較的に小さい場合、図５に示すように濃度ピークＰ２が明確にあらわれない場合も考えられる。

【0062】

変曲点５４は、濃度ピークＰ１からバルク領域１に向かう方向において、ドーピング濃度分布が、上に凸の形状から下に凸の形状に切り替わる点である。つまり変曲点５４は、ドーピング濃度を深さ位置で二階微分した値の符号が、濃度ピークＰ１からバルク領域１に向かう方向において負から正に変化する点である。変曲点５４とバルク領域１の間には、変曲点５５が配置されてよい。変曲点５５は、変曲点５４からバルク領域１に向かう方向において、ドーピング濃度分布が、下に凸の形状から上に凸の形状に切り替わる点である。つまり変曲点５５は、ドーピング濃度を深さ位置で二階微分した値の符号が、変曲点５４からバルク領域１に向かう方向において正から負に変化する点である。

【0063】

本例では、延伸部１５（またはピエゾ抵抗領域１１）の下端から変曲点５４までの領域を第１ウェル領域９１とする。変曲点５４からバルク領域１までの領域を第１低濃度領域１０１とする。延伸部１５からバルク領域１までのドーピング濃度分布に複数の変曲点５４が存在する場合、延伸部１５に最も近い変曲点５４を、第１ウェル領域９１と第１低濃度領域１０１との境界としてよい。延伸部１５（またはピエゾ抵抗領域１１）の下端から変曲点５５までの領域を第１ウェル領域９１としてもよい。延伸部１５からバルク領域１までのドーピング濃度分布に複数の変曲点５５が存在する場合、延伸部１５に最も近い変曲点５５を、第１ウェル領域９１と第１低濃度領域１０１との境界としてよい。

【0064】

第１低濃度領域１０１におけるドーピング濃度は、第１ウェル領域９１との境界（変曲点５４または変曲点５５）からバルク領域１まで単調に減少する。つまり当該境界からバルク領域１まで、ドーピング濃度が増加する領域が存在しない。当該境界におけるドーピング濃度Ｄ５が、第１低濃度領域１０１におけるドーピング濃度の最大値に相当する。ドーピング濃度Ｄ５は、ドーピング濃度Ｄ４の２倍以上であってよく、５倍以上であってよく、１０倍以上であってもよい。

【0065】

ドーピング濃度Ｄ５は、濃度ピークＰ１のドーピング濃度Ｄ１よりも低い。ドーピング濃度Ｄ５は、ドーピング濃度Ｄ１の半分以下であってよく、１／５以下であってよく、１／１０以下であってよく、１／１００以下であってもよい。ドーピング濃度Ｄ１は、１×１０^１５／ｃｍ^３以上、１×１０^１７／ｃｍ^３以下であってよい。ドーピング濃度Ｄ５は、１×１０^１３／ｃｍ^３以上、１×１０^１５／ｃｍ^３以下であってよい。

【0066】

図４および図５においては、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１のドーピング濃度分布を説明した。高濃度抵抗部１２と、ピエゾ抵抗領域１１の高濃度抵抗部１２以外の部分のドーピング濃度分布も、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１のドーピング濃度分布と同様の形状を有してよい。つまり、高濃度抵抗部１２とそれ以外の部分との境界は、ドーピング濃度分布の谷部であってよく、変曲点であってもよい。

【0067】

図６は、圧力検出部１００の他の構造例を示す図である。本例の圧力検出部１００は、第１低濃度領域１０１のＸ軸方向の幅Ｘ２が、第１ウェル領域９１のＸ軸方向の幅Ｘ１よりも大きい点で、図３に示した例と相違する。他の構造は、図３から図５において説明したいずれかの態様と同様である。幅Ｘ２を大きくすることで、第１低濃度領域１０１のＸ軸方向の位置がずれた場合でも、第１ウェル領域９１の下端を第１低濃度領域１０１で覆うことができる。

【0068】

図７は、圧力検出装置３００の製造方法を説明する図である。図７では、製造工程のうち、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１を形成する工程を示している。製造方法においては、第１ウェル領域９１を形成すべき深さ位置と、第１低濃度領域１０１を形成すべき深さ位置のそれぞれに対して別途にイオンを注入することで、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１を形成する。図７の例では、第１イオンを注入して第１ウェル領域９１を形成し、第２イオンを注入して第１低濃度領域１０１を形成している。第１イオンおよび第２イオンは、同一元素のイオンであってよく、異なる元素のイオンであってもよい。

【0069】

第１イオンを注入した後、および、第２イオンを注入した後のそれぞれのタイミングで、半導体基板５０を熱処理してよい。これによりイオンを拡散し、また、イオンを活性化させて、ｎ型の領域を形成できる。第２イオンを注入して熱処理を行ってから、第１イオンを注入して熱処理を行ってもよい。この場合、第２イオンに対する熱履歴が大きくなるので、第２イオンの拡散距離を長くして、第１低濃度領域１０１のＺ軸方向の長さを大きくしやすくなる。他の例では、第１イオンおよび第２イオンを注入した後に、熱処理を行ってもよい。

【0070】

図８は、圧力検出部１００の他の構造例を示す図である。本例の圧力検出部１００は、第１ウェル領域９１が内部に配置されるように第１低濃度領域１０１を形成している点で、図３に示した例と相違する。他の構造は、図３から図５において説明したいずれかの態様と同様である。第１ウェル領域９１とバルク領域１との間全てに第１低濃度領域１０１が設けられているため、図３に示す例に比べリーク電流を低減できる。

【0071】

図８に示した、圧力検出部１００の製造方法の一例を説明する。当該製造工程のうち、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１の工程について説明する。圧力検出部１００の製造方法においては、第１低濃度領域１０１を形成すべき領域にイオンを注入し熱処理し拡散させる。その後、第１ウェル領域９１を形成すべき領域にイオンを注入し熱処理し拡散させる。第１低濃度領域１０１を形成するためのイオンおよび第１ウェル領域９１を形成するためのイオンは、同一元素のイオンであってよく、異なる元素のイオンであってもよい。この方法によると、図５に示したドーピング濃度分布を得ることができる。

【0072】

図９は、半導体素子部２００の構造例を示す図である。図９では、１つのＰＭＯＳトランジスタの近傍における、半導体基板５０の断面を示している。図９においても、半導体基板５０の下面を省略している。

【0073】

半導体基板５０は、ｐ型のバルク領域１、第２ウェル領域９２および第２低濃度領域１０２を有する。第２ウェル領域９２は、上面５１と、バルク領域１との間に設けられたｎ型の領域である。

【0074】

第２ウェル領域９２の内部には、ＰＭＯＳトランジスタの各領域が形成される。ＰＭＯＳトランジスタの構造は後述する。第２低濃度領域１０２は、第２ウェル領域９２とバルク領域１との間に設けられている。第２低濃度領域１０２は、第２ウェル領域９２よりも低濃度のｎ型の領域である。つまり第２低濃度領域１０２におけるドーピング濃度の最大値が、第２ウェル領域９２におけるドーピング濃度の最大値よりも低い。第２低濃度領域１０２におけるドーピング濃度の最小値は、第２ウェル領域９２におけるドーピング濃度の最大値より低くてよく、高くてもよい。本例の第２低濃度領域１０２の上端は第２ウェル領域９２と接しており、下端はバルク領域１と接している。第２低濃度領域１０２およびバルク領域１の界面にはｐｎ接合が形成される。

【0075】

第２ウェル領域９２のドーピング濃度は、第１ウェル領域９１のドーピング濃度と同一であってよく、異なっていてもよい。第２低濃度領域１０２のドーピング濃度は、第１低濃度領域１０１のドーピング濃度と同一であってよく、異なっていてもよい。第２ウェル領域９２および第２低濃度領域１０２の深さ方向におけるドーピング濃度分布は、図３または図４において説明したドーピング濃度分布と同様であってよい。

【0076】

第２低濃度領域１０２を設けることで、第２低濃度領域１０２とバルク領域１が接することになり、ｐｎ接合部における不純物濃度を低くできる。これにより、第２低濃度領域１０２とバルク領域１の間のリーク電流を抑制できる。第２ウェル領域９２にリーク電流が流れると、ＰＭＯＳトランジスタの動作に影響する場合があるが、本例ではＰＭＯＳトランジスタを精度よく動作させることができる。

【0077】

第２ウェル領域９２の内部には、ｐ型のソース領域１０８およびｐ型のドレイン領域１０９が設けられている。ソース領域１０８およびドレイン領域１０９のドーピング濃度は、バルク領域１よりも高くてよい。ソース領域１０８はソース配線７に接続され、ドレイン領域１０９はドレイン配線８に接続されている。ソース配線７およびドレイン配線８は、金属等の導電材料で形成されている。

【0078】

半導体基板５０の上面５１の上方には、ポリシリコン等の導電材料で形成されたゲート電極５が設けられる。ゲート電極５は、ソース領域１０８およびドレイン領域１０９の間のｎ型領域（本例では第２ウェル領域９２）の上方に配置されている。ゲート電極５に所定のゲート電圧が印加されると、当該ｎ型領域の表層にｐ型のチャネル反転層が形成されて、ソース領域１０８およびドレイン領域１０９の間に電流が流れる。ゲート電極５と半導体基板５０との間には、ゲート絶縁膜４が設けられている。ゲート電極５は、金属等の導電材料で形成されたゲート配線６と接続されている。

【0079】

第２ウェル領域９２の内部には、ｎ型領域１９が配置されていてもよい。ｎ型領域１９は、第２ウェル領域９２よりも高濃度の領域である。ｎ型領域１９は、電源配線１３と接続されており、所定の電源電圧Ｖｄｄが印加される。これにより、第２ウェル領域９２の電位を電源電圧Ｖｄｄに設定できる。

【0080】

ソース領域１０８は、上面５１に接するｐ型の高濃度ソース部２０８と、高濃度ソース部２０８と第２ウェル領域９２との間に設けられ、高濃度ソース部２０８よりも低濃度のｐ型の低濃度ソース部とを有してよい。図９の例では、高濃度ソース部２０８以外のソース領域１０８が、低濃度ソース部に相当する。このような構成により、ソース領域１０８と第２ウェル領域９２とのｐｎ接合における不純物濃度を低くして、リーク電流を抑制できる。高濃度ソース部２０８と、高濃度ソース部２０８以外のソース領域１０８のドーピング濃度分布も、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１のドーピング濃度分布と同様の形状を有してよい。つまり、高濃度ソース部２０８とそれ以外のソース領域１０８との境界は、ドーピング濃度分布の谷部であってよく、変曲点であってもよい。

【0081】

ドレイン領域１０９は、上面５１に接するｐ型の高濃度ドレイン部２０９と、高濃度ドレイン部２０９と第２ウェル領域９２との間に設けられ、高濃度ドレイン部２０９よりも低濃度のｐ型の低濃度ドレイン部とを有してよい。図９の例では、高濃度ドレイン部２０９以外のドレイン領域１０９が、低濃度ドレイン部に相当する。このような構成により、ドレイン領域１０９と第２ウェル領域９２とのｐｎ接合における不純物濃度を低くして、リーク電流を抑制できる。高濃度ドレイン部２０９と、高濃度ドレイン部２０９以外のドレイン領域１０９のドーピング濃度分布も、第１ウェル領域９１および第１低濃度領域１０１のドーピング濃度分布と同様の形状を有してよい。つまり、高濃度ドレイン部２０９とそれ以外のドレイン領域１０９との境界は、ドーピング濃度分布の谷部であってよく、変曲点であってもよい。

【0082】

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

【符号の説明】

【0083】

１・・バルク領域、２・・・絶縁膜、４・・・ゲート絶縁膜、５・・・ゲート電極、６・・・ゲート配線、７・・・ソース配線、８・・・ドレイン配線、９・・・第１ウェル領域、１０・・・分離領域、１１・・・ピエゾ抵抗領域、１２・・・高濃度抵抗部、１３・・・電源配線、１４・・・配線、１５・・・延伸部、１７・・・保護膜、１９・・・ｎ型領域、２０・・・シールド膜、５０・・・半導体基板、５１・・・上面、５２・・・谷部、５４、５５・・・変曲点、９１・・・第１ウェル領域、９２・・・第２ウェル領域、１００・・・圧力検出部、１０１・・・第１低濃度領域、１０２・・・第２低濃度領域、１０８・・・ソース領域、１０９・・・ドレイン領域、１１０・・・ピエゾ抵抗部、１１１・・・ｎ型領域、２００・・・半導体素子部、２０８・・・高濃度ソース部、２０９・・・高濃度ドレイン部、３００・・・圧力検出装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【手続補正書】

【提出日】2023-05-24

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0075】

第２ウェル領域９２のドーピング濃度は、第１ウェル領域９１のドーピング濃度と同一であってよく、異なっていてもよい。第２低濃度領域１０２のドーピング濃度は、第１低濃度領域１０１のドーピング濃度と同一であってよく、異なっていてもよい。第２ウェル領域９２および第２低濃度領域１０２の深さ方向におけるドーピング濃度分布は、図４または図５において説明したドーピング濃度分布と同様であってよい。