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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024087331
(43)【公開日】2024-07-01
(54)【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240624BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20240624BHJP
【ＦＩ】
H01L25/08 Y
H01L21/60 311S
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022202095
(22)【出願日】2022-12-19
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】築山 慧至
(72)【発明者】
【氏名】高久 悟
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044KK01
5F044LL01
5F044QQ01
5F044RR18
5F044RR19
(57)【要約】
【課題】半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、配線基板と保護膜と第１電子部品と第２電子部品と第１樹脂層と第２樹脂層を具備する。配線基板は、第１面を有し、第１面に少なくとも第１導体部と第２導体部を備える。保護膜は、第１面を覆い、少なくとも第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも第２導体部に連通する第２開口部を備える。第１電子部品は、電極端子を備え、該電極端子を第１開口部を介し第１導体部に接続して配線基板に実装される。第２電子部品は、第１電子部品を埋め込む接着層を介し該第１電子部品上に設けられる。第１樹脂層は、保護膜と第１電子部品との間の領域であって、電極端子の周りを埋める。第２樹脂層は、第１電子部品の平面視周囲側において、保護膜と接着層の間に介在される。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、配線基板と保護膜と第１電子部品と第２電子部品と第１樹脂層と第２樹脂層を具備する。配線基板は、第１面を有し、第１面に少なくとも第１導体部と第２導体部を備える。保護膜は、第１面を覆い、少なくとも第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも第２導体部に連通する第２開口部を備える。第１電子部品は、電極端子を備え、該電極端子を第１開口部を介し第１導体部に接続して配線基板に実装される。第２電子部品は、第１電子部品を埋め込む接着層を介し該第１電子部品上に設けられる。第１樹脂層は、保護膜と第１電子部品との間の領域であって、電極端子の周りを埋める。第２樹脂層は、第１電子部品の平面視周囲側において、保護膜と接着層の間に介在される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面を有し、前記第１面に少なくとも第１導体部と第２導体部を備えた配線基板と、
前記第１面を覆い、少なくとも前記第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも前記第２導体部に連通する第２開口部を備えた保護膜と、
電極端子を備え、該電極端子を前記第１開口部を介し前記第１導体部に接続して前記配線基板に実装された第１電子部品と、
前記第１電子部品を埋め込む接着層を介し前記第１電子部品に積層された第２電子部品と、
前記保護膜と前記第１電子部品との間の領域であって、前記電極端子の周りを埋める第１樹脂層と、
前記第１電子部品の平面視周囲側において、前記保護膜と前記接着層の間に介在された第２樹脂層と、
を備える半導体装置。
前記第１面を覆い、少なくとも前記第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも前記第２導体部に連通する第２開口部を備えた保護膜と、
電極端子を備え、該電極端子を前記第１開口部を介し前記第１導体部に接続して前記配線基板に実装された第１電子部品と、
前記第１電子部品を埋め込む接着層を介し前記第１電子部品に積層された第２電子部品と、
前記保護膜と前記第１電子部品との間の領域であって、前記電極端子の周りを埋める第１樹脂層と、
前記第１電子部品の平面視周囲側において、前記保護膜と前記接着層の間に介在された第２樹脂層と、
を備える半導体装置。
【請求項2】
前記第２樹脂層に、前記第１電子部品を埋め込む前記接着層の平面視外側の領域に突出された延出部を備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１樹脂層が、前記第１開口部を埋めるように前記保護膜と前記接着層の間に介在された、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第２樹脂層が、前記第２開口部を埋めるように前記保護膜と前記接着層の間に介在された、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１樹脂層を構成する樹脂と前記第２樹脂層を構成する樹脂が同じ樹脂からなる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第１樹脂層を構成する樹脂と前記第２樹脂層を構成する樹脂が異なる組成の樹脂からなる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第２樹脂層の一部に、前記第１電子部品の少なくとも外周縁を覆う被覆部を備えた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第２樹脂層の一部に前記接着層側に突出する峰部を備えた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項9】
第１面を有し、前記第１面に少なくとも第１導体部と第２導体部を備えた配線基板と、
前記第１面を覆い、少なくとも前記第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも前記第２導体部に連通する第２開口部を備えた保護膜と、
電極端子を備え、該電極端子を前記第１開口部を介し前記第１導体部に接続して前記配線基板に実装された第１電子部品と、
前記第１電子部品を埋め込む接着層を介し前記第１電子部品に積層された第２電子部品と、
前記保護膜と前記第１電子部品との間の領域であって、前記電極端子の周りを埋める第１樹脂層と、
前記第１電子部品の平面視周囲側において、前記保護膜と前記接着層の間に介在された第２樹脂層と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の前記第１導体部に対し前記電極端子を接続して前記第１電子部品を前記配線基板に実装した後、
前記第１電子部品の周囲の前記保護膜の上に、前記第１電子部品の端縁に沿って前記第１樹脂層を構成するための未硬化樹脂層を塗布し、この未硬化樹脂層を前記第１電子部品と前記保護膜との間の空間を埋めるように充填し、充填樹脂層を形成し、
前記充填樹脂層の周囲の前記保護膜の上に、前記第２樹脂層を構成するための未硬化樹脂からなる塗布層を前記充填樹脂層の周囲を囲むように形成した後、
フィルム状の前記接着層を備えた前記第２電子部品を前記接着層で前記第１電子部品と前記充填樹脂層と前記塗布層を覆うように前記配線基板に貼り付ける、
半導体装置の製造方法。
前記第１面を覆い、少なくとも前記第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも前記第２導体部に連通する第２開口部を備えた保護膜と、
電極端子を備え、該電極端子を前記第１開口部を介し前記第１導体部に接続して前記配線基板に実装された第１電子部品と、
前記第１電子部品を埋め込む接着層を介し前記第１電子部品に積層された第２電子部品と、
前記保護膜と前記第１電子部品との間の領域であって、前記電極端子の周りを埋める第１樹脂層と、
前記第１電子部品の平面視周囲側において、前記保護膜と前記接着層の間に介在された第２樹脂層と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の前記第１導体部に対し前記電極端子を接続して前記第１電子部品を前記配線基板に実装した後、
前記第１電子部品の周囲の前記保護膜の上に、前記第１電子部品の端縁に沿って前記第１樹脂層を構成するための未硬化樹脂層を塗布し、この未硬化樹脂層を前記第１電子部品と前記保護膜との間の空間を埋めるように充填し、充填樹脂層を形成し、
前記充填樹脂層の周囲の前記保護膜の上に、前記第２樹脂層を構成するための未硬化樹脂からなる塗布層を前記充填樹脂層の周囲を囲むように形成した後、
フィルム状の前記接着層を備えた前記第２電子部品を前記接着層で前記第１電子部品と前記充填樹脂層と前記塗布層を覆うように前記配線基板に貼り付ける、
半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記塗布層を構成する未硬化樹脂を前記保護膜に沿って拡げて前記充填樹脂層と一体化させた後、前記接着層で前記第１電子部品と前記充填樹脂層と前記塗布層を覆うように前記配線基板に前記第２電子部品を貼り付ける、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項11】
前記未硬化樹脂を前記保護膜に沿って拡げて前記充填樹脂層と一体化させる際、前記第２開口部を前記未硬化樹脂で埋める、
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項12】
前記第１樹脂層を構成する樹脂と前記第２樹脂層を構成する樹脂として同じ樹脂を用いる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項13】
前記第１樹脂層を構成する樹脂と前記第２樹脂層を構成する樹脂として異なる組成の樹脂を用いる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記未硬化樹脂を前記保護膜に沿って拡げて前記充填樹脂層と一体化させる際、前記未硬化の一部を前記第１電子部品の端縁に被せる、
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置として、積層された電子部品を備える装置が知られている。例えば、フィルムオンダイ（Ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｄｉｅ：ＦＯＤ）と呼ばれる構造は、積層されたメモリチップと、ダイアタッチフィルム（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ：ＤＡＦ）のような接着層に埋め込まれたコントローラなどの半導体チップと、を備える。
また、半導体チップはバンプを介したフリップチップ接合などの接合構造を利用し、配線基板に実装される。
また、半導体チップはバンプを介したフリップチップ接合などの接合構造を利用し、配線基板に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第４２０４９８９号公報
【特許文献2】特開２０１１－１６５７４１号公報
【特許文献3】特開２０２１－１２５６４３号公報
【特許文献4】特開２０１５－１９５２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体チップを配線基板にフリップチップ接合した構造において、ＦＯＤ構造を適用し半導体チップを接着層に埋め込みした構造を採用することが考えられる。この構造において、半導体チップを接合した配線基板の表面には、ソルダーレジストと称される保護膜が設けられている。
配線基板表面においては、保護膜に覆われている領域の他、配線基板の内部配線に接続するために保護膜に開口部を設けた領域が存在する。
配線基板表面においては、保護膜に覆われている領域の他、配線基板の内部配線に接続するために保護膜に開口部を設けた領域が存在する。
【0005】
また、半導体チップと配線基板の間には接合部周りの空間を埋めるようにアンダーフィルと称される樹脂層を充填後、ダイアタッチフィルムで半導体チップを埋め込み、ダイアタッチフィルムの外面側にメモリチップなどの電子部品が積層される。
この構造では、半導体チップの周辺領域に存在する保護膜の開口部をダイアタッチフィルムで覆った領域が生じる。
この構造では、半導体チップの周辺領域に存在する保護膜の開口部をダイアタッチフィルムで覆った領域が生じる。
【0006】
一つの実施形態は、開口部を有する保護膜を備えた配線基板にフィルムオンダイ構造を適用した構成において、保護膜開口部に位置する配線の信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
実施形態の半導体装置は、配線基板と保護膜と第１電子部品と第２電子部品と第１樹脂層と第２樹脂層を具備する。前記配線基板は、第１面を有し、前記第１面に少なくとも第１導体部と第２導体部を備える。前記保護膜は、前記第１面を覆い、少なくとも前記第１導体部に連通する第１開口部と少なくとも前記第２導体部に連通する第２開口部を備える。前記第１電子部品は、電極端子を備え、該電極端子を前記第１開口部を介し前記第１導体部に接続して前記配線基板に実装される。前記第２電子部品は、前記第１電子部品を埋め込む接着層を介し該第１電子部品上に設けられる。前記第１樹脂層は、前記保護膜と前記第１電子部品との間の領域であって、前記電極端子の周りを埋める。前記第２樹脂層は、前記第１電子部品の平面視周囲側において、前記保護膜と前記接着層の間に介在される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態にかかる半導体装置の概略構成を示す断面図。
【図2】同半導体装置の製造方法について段階的に説明するための平面略図。
【図3】同半導体装置の製造方法について段階的に説明するための平面略図。
【図4】同半導体装置の製造方法について段階的に説明するための平面略図。
【図5】同半導体装置の製造方法について段階的に説明するための平面略図。
【図6】同半導体装置の製造方法について段階的に説明するための平面略図。
【図7】同半導体装置の製造方法を実施する場合に好適な構成を示す平面略図。
【図8】第２実施形態にかかる半導体装置の概略構成を示す断面図。
【図9】比較例にかかる半導体装置の概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に添付図面を参照し、実施形態にかかる半導体装置について詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下に説明する実施形態において、配線基板の上下方向は、電子部品が設けられる面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面について、前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
「第１実施形態」
図１は、第１実施形態にかかる半導体装置１の概略構成を示す断面図である。半導体装置１は、配線基板２と、保護膜３、４と、第１電子部品５と、第２電子部品６と、第１樹脂層７と、第２樹脂層８と、接着層９と封止樹脂層１０を備える。
なお、図１に示す例において第２電子部品６は、封止樹脂層１０の内部に１つのみ設けられているが、配線基板２の厚さ方向に複数積層されていても良い。
本実施形態における一例としての半導体装置１は、フィルムオンダイ（ＦＯＤ）構造を有するボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ：ＢＧＡ）の半導体パッケージを備えた半導体装置である。
図１は、第１実施形態にかかる半導体装置１の概略構成を示す断面図である。半導体装置１は、配線基板２と、保護膜３、４と、第１電子部品５と、第２電子部品６と、第１樹脂層７と、第２樹脂層８と、接着層９と封止樹脂層１０を備える。
なお、図１に示す例において第２電子部品６は、封止樹脂層１０の内部に１つのみ設けられているが、配線基板２の厚さ方向に複数積層されていても良い。
本実施形態における一例としての半導体装置１は、フィルムオンダイ（ＦＯＤ）構造を有するボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ：ＢＧＡ）の半導体パッケージを備えた半導体装置である。
【0011】
半導体装置１は、例えば、種々の電子機器の一部を構成することができる。
電子機器としては、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、ポータブルコンピュータ、タブレット、携帯電話、テレビジョン受信器、ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）、ソリッドステートドライブ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ：ＳＳＤ）、ＵＳＢフラッシュドライブ、ＳＤカード、ｅＭＭＣ（登録商標）、ユニバーサルフラッシュストレージ、（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅ：ＵＦＳ）、メモリーカード、他の記憶装置、ウェアラブルデバイス、スマートスピーカー、家庭用電気機器、および他の電子機器であっても良い。
電子機器としては、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、ポータブルコンピュータ、タブレット、携帯電話、テレビジョン受信器、ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）、ソリッドステートドライブ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ：ＳＳＤ）、ＵＳＢフラッシュドライブ、ＳＤカード、ｅＭＭＣ（登録商標）、ユニバーサルフラッシュストレージ、（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｆｌａｓｈ Ｓｔｏｒａｇｅ：ＵＦＳ）、メモリーカード、他の記憶装置、ウェアラブルデバイス、スマートスピーカー、家庭用電気機器、および他の電子機器であっても良い。
【0012】
図１に示されるように本明細書において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が定義される。Ｘ軸と、Ｙ軸と、Ｚ軸とは互いに直交する。Ｘ軸は、半導体装置１の幅方向に沿う。Ｙ軸は、半導体装置１の長さ方向（奥行き方向）に沿う。Ｚ軸は、半導体装置１または配線基板２の高さ方向（厚さ方向）に沿う。
【0013】
配線基板２は、一例として、プリント回路板（ＰＣＢ）である。配線基板２は、表面（第１面）２ａと裏面（第２面）２ｂを有する。表面２ａはＺ軸正方向（Ｚ軸の矢印が示す方向）に向く略平坦な面であり、裏面２ｂはＺ軸負方向に向く略平坦な面である。配線基板２の表面２ａにチップ状の第１電子部品５が搭載されている。
【0014】
配線基板２は、複数の基板プレート１１と、複数の配線層１２と、複数のビア１３などを有する。
配線基板２は複数の基板プレート１１をプリプレグなどの基板接着層１７を介し接着して多層化されている。複数の基板プレート１１のうち、Ｚ軸の正方向端に位置する基板プレート１１の表面が配線基板２の表面２ａとなり、Ｚ軸の負方向端に位置する基板プレート１１の表面が配線基板２の裏面２ｂとなる。
配線基板２は複数の基板プレート１１をプリプレグなどの基板接着層１７を介し接着して多層化されている。複数の基板プレート１１のうち、Ｚ軸の正方向端に位置する基板プレート１１の表面が配線基板２の表面２ａとなり、Ｚ軸の負方向端に位置する基板プレート１１の表面が配線基板２の裏面２ｂとなる。
【0015】
配線基板２の表面２ａはソルダーレジストなどの保護膜３により覆われ、裏面２ｂはソルダーレジストなどの保護膜４により覆われている。保護膜３はアクリレート系樹脂を主体とする樹脂、この樹脂とフェノール樹脂とエポキシ樹脂の混合樹脂など、アクリルポリマーを含んでいる樹脂からなる。
配線基板２の内部には、基板プレート１１に沿って形成された配線層１２、基板プレート１１を貫通するビア１３、その他、導体部１５、１６、２０、２１などを備えた配線回路が設けられている。配線基板２は一例としてインターポーザ基板である。なお、図１に示す導体部１５、１６は、それぞれＹ軸方向に複数の導体が配列された狭ピッチ配線の一部を示している。
配線基板２の内部には、基板プレート１１に沿って形成された配線層１２、基板プレート１１を貫通するビア１３、その他、導体部１５、１６、２０、２１などを備えた配線回路が設けられている。配線基板２は一例としてインターポーザ基板である。なお、図１に示す導体部１５、１６は、それぞれＹ軸方向に複数の導体が配列された狭ピッチ配線の一部を示している。
【0016】
配線基板２においてＸ軸方向中央側の表面２ａにＸ軸方向に離間して第１導体部２０、２１が設けられている。一方の第１導体部２０の周囲の保護膜３に、一方の第１開口部２２が形成され、第１導体部２０は保護膜３に覆われていない。他方の第１導体部２１の周囲の保護膜３に他方の第１開口部２３が形成され、他方の第１導体部２１は保護膜３に覆われていない。
【0017】
第１電子部品５はコントローラチップなどの半導体パッケージであり、矩形板状のモールド樹脂本体５Ａの内部にコントローラなどの機能を有する集積回路や回路素子などが収容されている。モールド樹脂本体５ＡのＺ軸負方向側の面（底面）に複数の電極端子５Ｂが形成されている。図１ではＸ軸方向に離間して２つの電極端子５Ｂが描かれている。
第１電子部品５の一方の電極端子５Ｂは、はんだバンプなどの接合材２５を介し前述の一方の第１導体部２０に電気的に接続されている。第１電子部品５の他方の電極端子５Ｂは、はんだバンプなどの接合材２６を介し前述の他方の第１導体部２１に電気的に接続されている。
第１電子部品５の一方の電極端子５Ｂは、はんだバンプなどの接合材２５を介し前述の一方の第１導体部２０に電気的に接続されている。第１電子部品５の他方の電極端子５Ｂは、はんだバンプなどの接合材２６を介し前述の他方の第１導体部２１に電気的に接続されている。
【0018】
なお、図１に示す第１電子部品５において電極端子５Ｂの設置個数は２つよりも多い任意の個数であるが、図１では図示簡略化のため２つのみ表示している。実用的な第１電子部品５では、図１のＸ軸方向あるいはＹ軸方向に、さらに複数の電極端子５Ｂが設けられている。よって、配線基板２側にもこれら図示を略した複数の電極端子５Ｂに対応する数の第１導体部２０、２１が設けられる。図１では図示簡略化のため、２つの電極端子５Ｂと、２つの電極端子５Ｂに接続した第１導体部２０、２１のみ描いている。
【0019】
第１電子部品５は、接合材２５、２６を介し保護膜３の上側（Ｚ軸正方向側）に設けられているので、保護膜３の表面（Ｚ軸正方向側の面）と第１電子部品５との間には隙間が形成されているが、この隙間は第１樹脂層７で埋められている。第１樹脂層７を構成する樹脂は、一例として、アンダーフィル樹脂と称されるエポキシ樹脂を含む樹脂からなる。第１樹脂層７はエポキシ樹脂を主成分とする樹脂から構成されていてもよい。
【0020】
第１樹脂層７は、保護膜３の表面と第１電子部品５の底面の間の隙間を埋めるとともに平面視した場合、第１電子部品５の周囲に若干はみ出すように形成されている。
図１に示す断面において、保護膜３と第１電子部品５の間の領域よりＸ軸負方向側に所定幅延出するように第１延出樹脂部７Ａが形成されている。また、保護膜３と第１電子部品５の間の領域よりＸ軸正方向側に所定幅延出するように第２延出樹脂部７Ｂが形成されている。
図１に示す断面において、保護膜３と第１電子部品５の間の領域よりＸ軸負方向側に所定幅延出するように第１延出樹脂部７Ａが形成されている。また、保護膜３と第１電子部品５の間の領域よりＸ軸正方向側に所定幅延出するように第２延出樹脂部７Ｂが形成されている。
【0021】
第１延出樹脂部７Ａの幅（Ｘ軸方向幅）は、第２延出樹脂部７Ｂの幅（Ｘ軸方向幅）よりも若干幅広に形成されている。なお、図１の断面では略されているが、保護膜３と第１電子部品５の間の領域よりＹ軸正方向側にも所定幅延出するように第１樹脂層７の図示略の延出樹脂部が形成されている。同様に、保護膜３と第１電子部品５の間の領域よりＹ軸負方向側にも所定幅延出するように第１樹脂層７の図示略の延出樹脂部が形成されている。これら図１では略した延出樹脂部のＹ軸方向長さは、一例として、第２延出樹脂部７Ｂの幅（Ｘ軸方向幅）と同程度に形成されている。
図１において図示を略したこれら延出樹脂部については、半導体装置１の製造方法について説明するための図２～図６を用いて後に再度説明する。
図１において図示を略したこれら延出樹脂部については、半導体装置１の製造方法について説明するための図２～図６を用いて後に再度説明する。
【0022】
第１電子部品５を平面視した周囲側には、第１樹脂層７に連続して一体化するように第１樹脂層７の周囲を囲む第２樹脂層８が形成されている。第２樹脂層８は、接着層９と保護膜３の間を埋めるように、かつ、第１電子部品５と第１樹脂層７の周囲を囲むように形成されている。
第２電子部品６は、メモリチップなどの平面視矩形板状の半導体パッケージであり、そのＺ軸負方向の面（底面）にフィルム状の接着層９が形成されている。第２電子部品６の幅と長さは第１電子部品５の幅と長さより大きく形成されている。接着層９の幅と長さは第２電子部品６の幅と長さより若干大きく形成されている。よって、接着層９の幅と長さは、第１電子部品５および第２電子部品６より大きく形成されている。
第２電子部品６は、メモリチップなどの平面視矩形板状の半導体パッケージであり、そのＺ軸負方向の面（底面）にフィルム状の接着層９が形成されている。第２電子部品６の幅と長さは第１電子部品５の幅と長さより大きく形成されている。接着層９の幅と長さは第２電子部品６の幅と長さより若干大きく形成されている。よって、接着層９の幅と長さは、第１電子部品５および第２電子部品６より大きく形成されている。
【0023】
図１の例では、接着層９の幅が第１電子部品５の幅の数倍程度大きく形成されている。図示は略しているが、接着層９の長さ（奥行き）も第１電子部品５の長さ（奥行き）の数倍程度大きく形成されている。
接着層９は、一例として、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）であり、例えば、アクリル系樹脂とエポキシ樹脂を含む材料により構成される。ダイアタッチフィルムは、ダイボンディングフィルム（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｆｉｌｍ）とも称され得る。接着層９は、フィルム状であり、フィルム自身を構成する樹脂骨格を構成するため、アクリル系樹脂を含んでいる。
接着層９は、一例として、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）であり、例えば、アクリル系樹脂とエポキシ樹脂を含む材料により構成される。ダイアタッチフィルムは、ダイボンディングフィルム（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｆｉｌｍ）とも称され得る。接着層９は、フィルム状であり、フィルム自身を構成する樹脂骨格を構成するため、アクリル系樹脂を含んでいる。
【0024】
第２樹脂層８は、１つの例として第１樹脂層７と同一の樹脂からなる樹脂層である。第２樹脂層８は、第１樹脂層７と同一の組成の樹脂であっても、含まれる無機酸化物粒子であるフィラーの濃度が異なっていてもよい。
あるいは、他の例として、第２樹脂層８は、第１樹脂層７と異なる組成の樹脂からなる樹脂層であっても良い。第２樹脂層８は、第１樹脂層７と異なる組成の樹脂であり、かつ、含まれる無機酸化物粒子のフィラーの濃度が異なっていてもよい。
なお、第１樹脂層７と第２樹脂層８は、一例としてエポキシ樹脂を含むか、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂からなることが好ましいが、他の成分を含む樹脂としても、熱硬化性などの硬化性を有する樹脂である。また、第１樹脂層７と第２樹脂層８は、アクリルポリマーなどのアクリル系樹脂を含まない熱硬化性の樹脂からなることが好ましい。
あるいは、他の例として、第２樹脂層８は、第１樹脂層７と異なる組成の樹脂からなる樹脂層であっても良い。第２樹脂層８は、第１樹脂層７と異なる組成の樹脂であり、かつ、含まれる無機酸化物粒子のフィラーの濃度が異なっていてもよい。
なお、第１樹脂層７と第２樹脂層８は、一例としてエポキシ樹脂を含むか、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂からなることが好ましいが、他の成分を含む樹脂としても、熱硬化性などの硬化性を有する樹脂である。また、第１樹脂層７と第２樹脂層８は、アクリルポリマーなどのアクリル系樹脂を含まない熱硬化性の樹脂からなることが好ましい。
【0025】
第１樹脂層７と第２樹脂層８に覆われている保護膜３において、第１電子部品５の周囲に、複数カ所、開口部が形成されている。図１において、符号１８で示す開口部は、第１電子部品５の周縁領域において保護膜３に部分的に覆われている導体部１５に連通する第２開口部である。
配線基板２には、配線回路の露出端子や接続導体部に金めっき層などの耐食層をめっきなどの手段により形成するためのめっき用電極配線を設ける必要がある。このめっき用電極配線を用いて配線基板２の露出端子や接続導体部に金めっき層を形成後、めっき用電極配線はエッチング処理により除去する。エッチング処理は例えば、金メッキ層を形成後開口部１８にあった保護膜３をレーザ等で除去し、その下にあっためっき電極用配線をエッチングやレーザ等で除去する。
配線基板２には、配線回路の露出端子や接続導体部に金めっき層などの耐食層をめっきなどの手段により形成するためのめっき用電極配線を設ける必要がある。このめっき用電極配線を用いて配線基板２の露出端子や接続導体部に金めっき層を形成後、めっき用電極配線はエッチング処理により除去する。エッチング処理は例えば、金メッキ層を形成後開口部１８にあった保護膜３をレーザ等で除去し、その下にあっためっき電極用配線をエッチングやレーザ等で除去する。
【0026】
図１に示す第２開口部１８の内側に設けられている第２導体部１５は、上述のエッチング処理によりめっき用電極配線を除去した後に第２開口部１８の内側に残った導体部である。
第２開口部１８が形成されている位置は、第１電子部品５を搭載した領域において第１導体部２１の近傍位置から、第１電子部品５を搭載した領域のＸ軸負方向外側にかけての位置である。図１に示す断面構造では、一例として、第２開口部１８のＸ軸負方向端が、第１電子部品５のＸ軸負方向端から若干Ｘ軸負方向側に離間した位置に設けられている第２導体部１５までである。第２導体部１５はＸ軸方向の幅の半分程度まで保護膜３により覆われ、残り半分程度が第２開口部１８内に位置する。第２開口部１８は第１樹脂層７の第１延出樹脂部７Ａにより埋められているので、第２導体部１５のＸ軸方向半分程度が第１樹脂層７により覆われている。また、第１樹脂層７と第２樹脂層８の境界部が第２導体部１５の近傍に位置されている。
第２開口部１８が形成されている位置は、第１電子部品５を搭載した領域において第１導体部２１の近傍位置から、第１電子部品５を搭載した領域のＸ軸負方向外側にかけての位置である。図１に示す断面構造では、一例として、第２開口部１８のＸ軸負方向端が、第１電子部品５のＸ軸負方向端から若干Ｘ軸負方向側に離間した位置に設けられている第２導体部１５までである。第２導体部１５はＸ軸方向の幅の半分程度まで保護膜３により覆われ、残り半分程度が第２開口部１８内に位置する。第２開口部１８は第１樹脂層７の第１延出樹脂部７Ａにより埋められているので、第２導体部１５のＸ軸方向半分程度が第１樹脂層７により覆われている。また、第１樹脂層７と第２樹脂層８の境界部が第２導体部１５の近傍に位置されている。
【0027】
導体部１５を設けた位置からＸ軸負方向側に、さらに離間した位置にも開口部１９が形成され、開口部１９の内側に他の第２導体部１６が設けられている。
第２導体部１６も、例えば、前述のエッチング処理により電極配線を除去した後に開口部１９の内側に残っている導体部である。
第２導体部１６も、例えば、前述のエッチング処理により電極配線を除去した後に開口部１９の内側に残っている導体部である。
【0028】
図６に第１電子部品５と第２樹脂層８を平面視した場合の位置関係の概要を示す。図６において接着層９の外周縁の輪郭位置を矩形状の２点鎖線で示し、第１電子部品５の外周縁の輪郭を鎖線で示している。
図６に示すように、平面視矩形状の第１電子部品５の４周の外側を一定幅で矩形枠状（矩形リング状）に囲む第２樹脂層８が形成されている。
第２樹脂層８は、図６の左側（Ｘ軸負方向側）に位置する第１縁部８Ａと、右側（Ｘ軸正方向側）に位置する第２縁部８Ｂと、これらの両端側を連結した第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅを有する。
図６に示すように、平面視矩形状の第１電子部品５の４周の外側を一定幅で矩形枠状（矩形リング状）に囲む第２樹脂層８が形成されている。
第２樹脂層８は、図６の左側（Ｘ軸負方向側）に位置する第１縁部８Ａと、右側（Ｘ軸正方向側）に位置する第２縁部８Ｂと、これらの両端側を連結した第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅを有する。
【0029】
第１縁部８Ａは、第１電子部品５のＸ軸負方向の端縁に沿ってその外側に平面視Ｙ軸方向に延在する所定幅の樹脂層である。
第２縁部８Ｂは、第１電子部品５のＸ軸正方向の端縁に沿ってその外側に平面視Ｙ軸方向に延在する所定幅の樹脂層である。
第３縁部８Ｄは、第１縁部８ＡのＹ軸正方向端と第２縁部８ＢのＹ軸正方向端を連結してＸ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に所定幅を有する樹脂層である。
第４縁部８Ｅは、第１縁部８ＡのＹ軸負方向端と第２縁部８ＢのＹ軸負方向端を連結してＸ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に所定幅を有する樹脂層である。
第１縁部８Ａと第２縁部８Ｂと第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅから、平面視矩形枠状の第２樹脂層８が形成されている。
図６に示すように平面視した第１縁部８Ａと第２縁部８Ｂと第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅにおいて、各々の長辺と短辺が交差するコーナー部分にはラウンド部Ｒが形成されている。
第２縁部８Ｂは、第１電子部品５のＸ軸正方向の端縁に沿ってその外側に平面視Ｙ軸方向に延在する所定幅の樹脂層である。
第３縁部８Ｄは、第１縁部８ＡのＹ軸正方向端と第２縁部８ＢのＹ軸正方向端を連結してＸ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に所定幅を有する樹脂層である。
第４縁部８Ｅは、第１縁部８ＡのＹ軸負方向端と第２縁部８ＢのＹ軸負方向端を連結してＸ軸方向に延在し、Ｙ軸方向に所定幅を有する樹脂層である。
第１縁部８Ａと第２縁部８Ｂと第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅから、平面視矩形枠状の第２樹脂層８が形成されている。
図６に示すように平面視した第１縁部８Ａと第２縁部８Ｂと第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅにおいて、各々の長辺と短辺が交差するコーナー部分にはラウンド部Ｒが形成されている。
【0030】
図６のＡ－Ａ’線に沿う断面が図１の断面に相当する。
第１縁部８ＡにおいてＸ軸負方向端の端縁は、接着層９のＸ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第１延出部８ａを有する。第１縁部８ＡにおいてＹ軸正方向端の端縁は、接着層９のＹ軸正方向端の端縁より外側に若干突出する第２延出部８ｂを有する。第１縁部８ＡにおいてＹ軸負方向端の端縁は、接着層９のＹ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第３延出部８ｃを有する。図１の断面では、これら複数の延出部のうち、第１延出部８ａのみ描かれている。
第１縁部８ＡにおいてＸ軸負方向端の端縁は、接着層９のＸ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第１延出部８ａを有する。第１縁部８ＡにおいてＹ軸正方向端の端縁は、接着層９のＹ軸正方向端の端縁より外側に若干突出する第２延出部８ｂを有する。第１縁部８ＡにおいてＹ軸負方向端の端縁は、接着層９のＹ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第３延出部８ｃを有する。図１の断面では、これら複数の延出部のうち、第１延出部８ａのみ描かれている。
【0031】
第２縁部８ＢにおいてＸ軸正方向端の端縁は、接着層９のＸ軸正方向端の端縁より外側に若干突出する第４延出部８ｄを有する。第２縁部８ＢにおいてＹ軸正方向端の端縁は、接着層９のＹ軸正方向端の端縁より外側に若干突出する第５延出部８ｅを有する。第２縁部８ＢにおいてＹ軸負方向端の端縁は、接着層９のＹ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第６延出部８ｆを有する。図１の断面では、これら複数の延出部のうち、第４延出部８ｄのみが描かれている。
【0032】
第３縁部８ＤにおいてＹ軸正方向端の端縁は、接着層９のＹ軸正方向端の端縁より外側に若干突出する第７延出部８ｇを有する。
第４縁部８ＥにおいてＹ軸負方向端の端縁は、接着層９のＹ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第８延出部８ｈを有する。
第１縁部８Ａと第２縁部８Ｂと第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅが図６に示すように平面視矩形枠状に配置されている。従って、第１延出部８ａ、第２延出部８ｂ、第７延出部８ｇ、第５延出部８ｅ、第４延出部８ｄ、第６延出部８ｆ、第８延出部８ｈ、第３延出部８ｃも平面視矩形状となるように配置されている。これら第１延出部８ａ～第８延出部８ｈは、いずれも図６に示す接着層９の外周輪郭を描く２点鎖線の外側に突出する位置に設けられている。
第４縁部８ＥにおいてＹ軸負方向端の端縁は、接着層９のＹ軸負方向端の端縁より外側に若干突出する第８延出部８ｈを有する。
第１縁部８Ａと第２縁部８Ｂと第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅが図６に示すように平面視矩形枠状に配置されている。従って、第１延出部８ａ、第２延出部８ｂ、第７延出部８ｇ、第５延出部８ｅ、第４延出部８ｄ、第６延出部８ｆ、第８延出部８ｈ、第３延出部８ｃも平面視矩形状となるように配置されている。これら第１延出部８ａ～第８延出部８ｈは、いずれも図６に示す接着層９の外周輪郭を描く２点鎖線の外側に突出する位置に設けられている。
【0033】
図１の断面に示すように、第１縁部８Ａにおいて、Ｘ軸負方向端の第１延出部８ａに近い位置に、Ｚ軸正方向に凸型の山型形状をなす第１峰部８ｉがＹ軸方向に沿うように形成されている。換言すると、第１峰部８ｉは接着層側に突出している。第１縁部８Ａにおいて、Ｘ軸方向中央側には、第１峰部８ｉの裾野部分を延長した平坦状の接続部８ｊが形成されている。第１縁部８ＡにおいてＸ軸正方向端には、Ｚ軸正方向に凸型の山型をなす第２峰部８ｋがＹ軸方向に沿うように形成されている。
第２峰部８ｋの頂部８ｘは第１電子部品５のＸ軸負方向端の端縁５ｃを所定の幅で覆う被覆部となっている。
第２峰部８ｋは、第１樹脂層７における第１延出樹脂部７Ａの上に位置するように形成された樹脂層であり、第２峰部８ｋが部分的に第１電子部品５の端縁５ｃを覆うように形成されている。
第２峰部８ｋにおいて、頂上部分よりＸ軸負方向側の裾野部分は、所定の傾斜角度で保護膜３側に接近する傾斜面８Ｓが形成されている。第２峰部８ｋにおいて、頂上部分よりＸ軸正方向側の部分は第１電子部品５の端縁５ｃが占めている。
第２峰部８ｋの頂部８ｘは第１電子部品５のＸ軸負方向端の端縁５ｃを所定の幅で覆う被覆部となっている。
第２峰部８ｋは、第１樹脂層７における第１延出樹脂部７Ａの上に位置するように形成された樹脂層であり、第２峰部８ｋが部分的に第１電子部品５の端縁５ｃを覆うように形成されている。
第２峰部８ｋにおいて、頂上部分よりＸ軸負方向側の裾野部分は、所定の傾斜角度で保護膜３側に接近する傾斜面８Ｓが形成されている。第２峰部８ｋにおいて、頂上部分よりＸ軸正方向側の部分は第１電子部品５の端縁５ｃが占めている。
【0034】
図１に示す第２縁部８Ｂの断面形状は、第１縁部８Ａの断面形状に一部類似する形状である。第２縁部８Ｂは、第１峰部８ｉと同等断面形状の第３峰部８ｍを有し、第２峰部８ｋと類似する断面形状の第４峰部８ｎを有する。第３峰部８ｍの断面形状は第１峰部８ｉの断面形状と同等形状であり、第３峰部８ｍの高さと第１峰部８ｉの高さはほぼ同一である。第３峰部８ｍは第２縁部８Ｂに沿ってＹ軸方向に延在されている。
【0035】
第３峰部８ｍは、第２縁部８ＢのＸ軸方向においてＸ軸正方向端よりではなく、Ｘ軸方向中央よりの位置に形成されている。
第４延出部８ｄのＸ軸正方向端から、第３峰部８ｍの裾野までの距離をａとする。第１延出部８ａにおけるＸ軸負方向端から、第１峰部８ｉの裾野までの距離をｂとする。距離ａと距離ｂの関係はａ＞ｂである。
第４延出部８ｄのＸ軸正方向端から、第３峰部８ｍの裾野までの距離をａとする。第１延出部８ａにおけるＸ軸負方向端から、第１峰部８ｉの裾野までの距離をｂとする。距離ａと距離ｂの関係はａ＞ｂである。
【0036】
図１に示す断面構成において、第３峰部８ｍの裾野部分と第４峰部８ｎの裾野部分は、傾斜部分どうしが連続されてそれらの間に平坦な部分は形成されていない。この点において、第１縁部８Ａの断面形状と第２縁部８Ｂの断面形状は若干異なっている。
また、第４峰部８ｎのＸ軸正方向側の裾野部分の保護膜３に対する傾斜角度は、先の第２峰部８ｋのＸ軸負方向側の裾野部分の保護膜３に対する傾斜角度よりも小さく形成されている。第４峰部８ｎの頂部８ｙは第１電子部品５のＸ軸正方向端の端縁５ｃを所定の幅で覆う被覆部となっている。
第４峰部８ｎにおいて、頂上部分よりＸ軸負方向側の部分は第１電子部品５の他方の端縁が占めている。
また、第４峰部８ｎのＸ軸正方向側の裾野部分の保護膜３に対する傾斜角度は、先の第２峰部８ｋのＸ軸負方向側の裾野部分の保護膜３に対する傾斜角度よりも小さく形成されている。第４峰部８ｎの頂部８ｙは第１電子部品５のＸ軸正方向端の端縁５ｃを所定の幅で覆う被覆部となっている。
第４峰部８ｎにおいて、頂上部分よりＸ軸負方向側の部分は第１電子部品５の他方の端縁が占めている。
【0037】
図１には、図６に示した第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅの断面形状が描かれていないが、第３縁部８Ｄの断面形状と第４縁部８Ｅの断面形状は、第２縁部８Ｂの断面形状と略同等である。従って、第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅにもそれぞれ峰部が形成されている。
図６では、第３縁部８Ｄに形成されていて、第１電子部品５のＹ軸正方向端の端縁を所定幅で被覆する峰部の頂部（被覆部）８ｐを描いている。図６では、第４縁部８Ｅに形成されていて、第１電子部品５のＹ軸負方向端の端縁を所定幅で被覆する峰部の頂部（被覆部）８ｒを描いている。
図６では、第３縁部８Ｄに形成されていて、第１電子部品５のＹ軸正方向端の端縁を所定幅で被覆する峰部の頂部（被覆部）８ｐを描いている。図６では、第４縁部８Ｅに形成されていて、第１電子部品５のＹ軸負方向端の端縁を所定幅で被覆する峰部の頂部（被覆部）８ｒを描いている。
【0038】
第１電子部品５と第１樹脂層７および第２樹脂層８の上面（Ｚ軸正方向側の面）に接着層９の底面（Ｚ軸負方向側の面）が被着されている。接着層９の底面中央に平坦面９Ａが形成され、この平坦面９Ａが第１電子部品５の上面を覆っている。
接着層９の底面側には、第１峰部８ｉを覆う凹部９ａと第２峰部８ｋを覆う凹部９ｂが形成され、さらに、第３峰部８ｍを覆う凹部９ｄと第４峰部８ｎを覆う凹部９ｃが形成されている。なお、図１では示されていないが、接着層９の底面側には第３縁部８Ｄに形成されている峰部を覆う凹部と、第４縁部８Ｅに形成されている峰部を覆う凹部も形成されている。従って接着層９は、第１電子部品５の上面と第１樹脂層７の上面および第２樹脂層８の上面に隙間無く密着し、これらを覆っている。
接着層９の底面側には、第１峰部８ｉを覆う凹部９ａと第２峰部８ｋを覆う凹部９ｂが形成され、さらに、第３峰部８ｍを覆う凹部９ｄと第４峰部８ｎを覆う凹部９ｃが形成されている。なお、図１では示されていないが、接着層９の底面側には第３縁部８Ｄに形成されている峰部を覆う凹部と、第４縁部８Ｅに形成されている峰部を覆う凹部も形成されている。従って接着層９は、第１電子部品５の上面と第１樹脂層７の上面および第２樹脂層８の上面に隙間無く密着し、これらを覆っている。
【0039】
「半導体装置の製造方法」
第２樹脂層８に峰部８ｉ、８ｋ、８ｍ、８ｎが形成され、これらに対し接着層９が隙間無く密着する構成は、図２～図６を元に以下に説明する半導体装置１の製造方法に基づいて作製される。
図２は配線基板２の上面に第１電子部品５を実装した状態を平面視した概要を示す平面略図である。
図２に示すように第１電子部品５を実装した状態とは、第１電子部品５の電極端子５Ｂをはんだボールなどの接合材２５、２６を介し配線基板２の第１導体部２０、２１に電気的に接合した状態を示す。この状態では、配線基板２の保護膜３と第１電子部品５の間に隙間（空間部）が形成されている。
第２樹脂層８に峰部８ｉ、８ｋ、８ｍ、８ｎが形成され、これらに対し接着層９が隙間無く密着する構成は、図２～図６を元に以下に説明する半導体装置１の製造方法に基づいて作製される。
図２は配線基板２の上面に第１電子部品５を実装した状態を平面視した概要を示す平面略図である。
図２に示すように第１電子部品５を実装した状態とは、第１電子部品５の電極端子５Ｂをはんだボールなどの接合材２５、２６を介し配線基板２の第１導体部２０、２１に電気的に接合した状態を示す。この状態では、配線基板２の保護膜３と第１電子部品５の間に隙間（空間部）が形成されている。
【0040】
第１電子部品５の実装後、図３に示すように、第１電子部品５のＸ軸負方向端の端縁外側に沿って、第１樹脂層７を形成するための未硬化状態の樹脂を所定幅、所定厚さになるように塗布する。この塗布処理は、ディスペンサなどの塗布器具を用いて実施することができる。
未硬化樹脂の塗布により、図３に示すＸ軸方向に所定幅を有する塗布層をＹ軸方向に沿って直線状に延在する第１塗布層３０を形成することができる。なお、第１塗布層３０を形成する場合、第１塗布層３０のＸ軸正方向端が保護膜３と第１電子部品５の間の隙間に所定幅にわたり重複するように形成する。
未硬化樹脂の塗布により、図３に示すＸ軸方向に所定幅を有する塗布層をＹ軸方向に沿って直線状に延在する第１塗布層３０を形成することができる。なお、第１塗布層３０を形成する場合、第１塗布層３０のＸ軸正方向端が保護膜３と第１電子部品５の間の隙間に所定幅にわたり重複するように形成する。
【0041】
このように第１塗布層３０を形成すると、第１塗布層３０を構成する未硬化樹脂は、保護膜３と第１電子部品５の隙間（空間部）に毛管現象で徐々に自動的に注入されてゆくので、前述の隙間を未硬化樹脂で埋めることができる。
前記隙間に未硬化樹脂を充填するためには、第１塗布層３０の塗布厚を隙間の高さより充分に厚く形成し、毛管現象により隙間に未硬化樹脂が吸い込まれるように形成する。未硬化樹脂は適切な粘度を有するので、前述のように厚く塗布した場合、その横断面形状はコニーデ型などの山型形状となる。
前記隙間に未硬化樹脂を充填するためには、第１塗布層３０の塗布厚を隙間の高さより充分に厚く形成し、毛管現象により隙間に未硬化樹脂が吸い込まれるように形成する。未硬化樹脂は適切な粘度を有するので、前述のように厚く塗布した場合、その横断面形状はコニーデ型などの山型形状となる。
【0042】
図４に、保護膜３と第１電子部品５の間の隙間を未硬化樹脂層が埋めた状態を示す。なお、隙間を未硬化樹脂層で埋めた場合、図４に平面視するように未硬化樹脂が第１電子部品５の周縁から所定幅はみ出すように注入する。
【0043】
このように未硬化樹脂を注入するには、充填後、図４に示すように第１電子部品５の周縁から所定幅はみ出す程度の未硬化樹脂量を予め把握しておき、図３に示す第１塗布層３０を形成する場合、必要量の未硬化樹脂を塗布すれば良い。
第１塗布層３０を構成する未硬化樹脂は、毛管現象で徐々に自動的に前述の隙間に注入されるので、第１塗布層３０の塗布量を規定しておくと、図４に示す注入状態を確実に得ることができる。
第１塗布層３０を構成する未硬化樹脂は、毛管現象で徐々に自動的に前述の隙間に注入されるので、第１塗布層３０の塗布量を規定しておくと、図４に示す注入状態を確実に得ることができる。
【0044】
図４に示す状態において、保護膜３と第１電子部品５の間に充填された未硬化の充填樹脂層５ａは、第１電子部品５のＸ軸負方向端側（図４の左側）において幅の広い第１延出樹脂層３１を構成する。第１電子部品５のＹ軸正方向端側（図４の上側）では第１延出樹脂層３１より幅の狭い第２延出樹脂層３２を構成する。Ｙ軸負方向端側（図４の下側）では第１延出樹脂層３１より幅の狭い第３延出樹脂層３３を構成する。Ｘ軸正方向端側（図４の右側）では第１延出樹脂層３１より幅の狭い第４延出樹脂層３４を構成する。
第１延出樹脂層３１は、第１塗布層３０を基に形成された層であるので、一番幅広となる。第２延出樹脂層３２と第３延出樹脂層３３と第４延出樹脂層３４は、毛管現象により隙間に吸い込まれた未硬化樹脂が濡れ広がることにより形成される。この濡れ広がり力はそれほど強いものではないため、第２～第４延出樹脂層３２～３４は第１延出樹脂層３１より幅の狭い層となる。
第１延出樹脂層３１は、第１塗布層３０を基に形成された層であるので、一番幅広となる。第２延出樹脂層３２と第３延出樹脂層３３と第４延出樹脂層３４は、毛管現象により隙間に吸い込まれた未硬化樹脂が濡れ広がることにより形成される。この濡れ広がり力はそれほど強いものではないため、第２～第４延出樹脂層３２～３４は第１延出樹脂層３１より幅の狭い層となる。
【0045】
図４に示すように未硬化の各樹脂層を形成した後、図５に示すように第１延出樹脂層３１の左側（Ｘ軸負方向側）に、第２樹脂層８を形成するための未硬化樹脂による第２塗布層３５をディスペンサなどの塗布器具を用いて形成する。第２塗布層３５は、Ｙ軸方向に沿ってＸ軸方向に所定幅となるように短冊状に形成する。
第２塗布層３５のＹ軸方向長さは、図５に描いた接着層９の外周輪郭を示す２点鎖線のＹ軸方向長さに近い長さに形成する。また、第２塗布層３５は適切な粘度を有する未硬化樹脂層からなるため、横断面視山型などのように盛り上がった形状で配線基板２上に（正確には保護膜３上に）形成される。第２塗布層３５は、後の工程で第１延出樹脂層３１に一体化するように濡れ広がらせるために、充分な厚さに形成する。例えば、第２塗布層３５は横断面山型などのように肉厚に塗布する。
第２塗布層３５のＹ軸方向長さは、図５に描いた接着層９の外周輪郭を示す２点鎖線のＹ軸方向長さに近い長さに形成する。また、第２塗布層３５は適切な粘度を有する未硬化樹脂層からなるため、横断面視山型などのように盛り上がった形状で配線基板２上に（正確には保護膜３上に）形成される。第２塗布層３５は、後の工程で第１延出樹脂層３１に一体化するように濡れ広がらせるために、充分な厚さに形成する。例えば、第２塗布層３５は横断面山型などのように肉厚に塗布する。
【0046】
続いて、第２延出樹脂層３２のＹ軸正方向側（図４の上側）に、第２樹脂層８を形成するための未硬化樹脂による第３塗布層３６を平面視短冊状に形成する。同様に、第２樹脂層８を形成するための未硬化樹脂による第４塗布層３７、第５塗布層３８をそれぞれ平面視短冊状に形成する。これらの塗布層を形成するには、ディスペンサなどの塗布器具を用いて先に第２塗布層３５を形成した場合と同様に実施できる。
ここで、第２塗布層３５～第５塗布層３８を形成する順番は、前述の順番に限らず、いずれの塗布層から作製を開始しても良く、同時に４つの塗布層を形成しても良い。
ここで、第２塗布層３５～第５塗布層３８を形成する順番は、前述の順番に限らず、いずれの塗布層から作製を開始しても良く、同時に４つの塗布層を形成しても良い。
【0047】
第２塗布層３５、第３塗布層３６、第４塗布層３７、第５塗布層３８は、いずれも適切な粘度の未硬化樹脂からなるので、横断面視山型などのように盛り上がった形状で保護膜３上に形成される。
各塗布層の形成後、若干時間が経過すると各塗布層の粘度に応じて各塗布層は徐々に保護膜３に沿って濡れ拡がる。この結果、第２塗布層３５、第３塗布層３６、第４塗布層３７、第５塗布層３８は、第１延出樹脂層３１、第２延出樹脂層３２、第３延出樹脂層３３、第４延出樹脂層３４と一体化する。濡れ拡がった状態において未硬化樹脂は横断面視凸型の峰部を有するように盛り上がった状態を維持する。
この後、全体を加熱して保護膜３と第１電子部品５の間の充填樹層と、延出樹脂層３１～３４と、塗布層３５～３８を硬化させると、図６に示す構造を得ることができる。
各塗布層の形成後、若干時間が経過すると各塗布層の粘度に応じて各塗布層は徐々に保護膜３に沿って濡れ拡がる。この結果、第２塗布層３５、第３塗布層３６、第４塗布層３７、第５塗布層３８は、第１延出樹脂層３１、第２延出樹脂層３２、第３延出樹脂層３３、第４延出樹脂層３４と一体化する。濡れ拡がった状態において未硬化樹脂は横断面視凸型の峰部を有するように盛り上がった状態を維持する。
この後、全体を加熱して保護膜３と第１電子部品５の間の充填樹層と、延出樹脂層３１～３４と、塗布層３５～３８を硬化させると、図６に示す構造を得ることができる。
【0048】
即ち、第１電子部品５の周囲を囲む第１縁部８Ａ、第２縁部８Ｂ、第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅを形成できる。第１縁部８Ａには第１峰部８ｉと第２峰部８ｋが形成され、第２縁部８Ｂには第３峰部８ｍと第４峰部８ｎが形成される。第３縁部８Ｄと第４縁部８Ｅにも峰部が形成される。図６では各峰部の記載は略している。
なお、塗布層３５～３８を塗布後、適切な治具を用いて塗布層３５～３８をＺ軸正方向側から押圧し、塗布層３５～３８を濡れ拡がるように加圧処理しても良い。
なお、塗布層３５～３８を塗布後、適切な治具を用いて塗布層３５～３８をＺ軸正方向側から押圧し、塗布層３５～３８を濡れ拡がるように加圧処理しても良い。
【0049】
図６に示す第１縁部８Ａ、第２縁部８Ｂ、第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅを形成したならば、接着層９となる基の平坦な均一厚さの接着層を備えた第２電子部品６を用意する。
この接着層を第１縁部８Ａ、第２縁部８Ｂ、第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅに対し、それらのＺ軸正方向側（上方側）から接近させ、接着層を押し付ける。
接着層の押し付けにより、接着層は第１縁部８Ａ、第２縁部８Ｂ、第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅに沿って形を変形しつつ、これらに密着する。
この接着層を第１縁部８Ａ、第２縁部８Ｂ、第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅに対し、それらのＺ軸正方向側（上方側）から接近させ、接着層を押し付ける。
接着層の押し付けにより、接着層は第１縁部８Ａ、第２縁部８Ｂ、第３縁部８Ｄ、第４縁部８Ｅに沿って形を変形しつつ、これらに密着する。
【0050】
以上の処理により、図１の断面に示す第１峰部８ｉ、第２峰部８ｋ、第３峰部８ｍ、第４峰部８ｎに密着した接着層９を利用し、第２電子部品６を配線基板２に貼り付けることができる。
第２電子部品６を配線基板２に搭載後、ワイヤボンディングなどの手法により配線基板２の図示略の端子に、第２電子部品６の端子を接続する。この後、封止樹脂層１０を設けることで図１に示す構成を得ることができる。
第２電子部品６を配線基板２に搭載後、ワイヤボンディングなどの手法により配線基板２の図示略の端子に、第２電子部品６の端子を接続する。この後、封止樹脂層１０を設けることで図１に示す構成を得ることができる。
【0051】
図１に示す半導体装置１によれば、接着層９は保護膜３に接触しておらず、接着層９と保護膜３の間に第１樹脂層７と第２樹脂層８が介在されている。
従って、配線基板２において保護膜３の第２開口部１８と第２開口部１９は、第１樹脂層７か第２樹脂層８により埋められている。従って、これら第２開口部１８、１９の内側に存在する導体部１５、１６は第１樹脂層７か第２樹脂層８により覆われている。
第１樹脂層７と第２樹脂層８は、いずれもエポキシ樹脂を含むか、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂であり、加熱履歴を経たとして、これら樹脂層７、８から塩素イオンが排出されにくい。
従って、配線基板２において保護膜３の第２開口部１８と第２開口部１９は、第１樹脂層７か第２樹脂層８により埋められている。従って、これら第２開口部１８、１９の内側に存在する導体部１５、１６は第１樹脂層７か第２樹脂層８により覆われている。
第１樹脂層７と第２樹脂層８は、いずれもエポキシ樹脂を含むか、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂であり、加熱履歴を経たとして、これら樹脂層７、８から塩素イオンが排出されにくい。
【0052】
これに対し、フィルム状である接着層９は、自身を構成する樹脂骨格を構成するため、アクリル樹脂を含み、保護膜３を構成する樹脂もアクリル、アクリレート系樹脂を含んでいる。従って、接着層９と保護膜３からは、何れも加熱に伴い微量ながら塩素イオンが発生する。ここで、接着層９と保護膜３が接している部分の近傍に導体部１５、１６が存在すると、加熱により両層から発生した塩素イオンの相乗効果により保護膜３の構成樹脂が加水分解しやすい。
【0053】
図１に示す断面構造であると、ＨＡＳＴ試験（Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test）などのように高温多湿環境下において加熱される加速試験を実施したとして、保護膜の構成樹脂が加水分解されにくい。
よって、耐久性に優れた半導体装置１を提供することができる。
よって、耐久性に優れた半導体装置１を提供することができる。
【0054】
図７は、図５に示すように保護膜３上に第２塗布層３５、第３塗布層３６、第４塗布層３７、第５塗布層３８を塗布する場合、塗布位置に対応するように浅溝型の第１凹部４１、第２凹部４２、第３凹部４３、第４凹部４４を設けた構成を示す。
保護膜３上にディスペンサなどの塗布器具を用いて未硬化樹脂層を塗布する場合、第１凹部４１、第２凹部４２、第３凹部４３、第４凹部４４を設けておくことにより、未硬化樹脂層を正確な位置に塗布する目印とすることができる。
また、第１凹部４１～第４凹部４４を設けることにより、未硬化樹脂の塗布量を正確に調整できる結果、図６に示すように未硬化樹脂層を濡れ広がらせる場合に安定した形状を得やすくなる。
保護膜３上にディスペンサなどの塗布器具を用いて未硬化樹脂層を塗布する場合、第１凹部４１、第２凹部４２、第３凹部４３、第４凹部４４を設けておくことにより、未硬化樹脂層を正確な位置に塗布する目印とすることができる。
また、第１凹部４１～第４凹部４４を設けることにより、未硬化樹脂の塗布量を正確に調整できる結果、図６に示すように未硬化樹脂層を濡れ広がらせる場合に安定した形状を得やすくなる。
【0055】
図８は、図１に示す構造に対し、第１電子部品５と保護膜３の間に第１樹脂層７を設けている点は同等であるが、第２樹脂層８を略し、第２樹脂層８を設けていた部分も接着層２９が占めている比較例構造の半導体装置２８を示す。
第２樹脂層８を設けていないため、接着層２９が保護膜３の表面に接するように設けられており、導体部１５の半分程度と開口部１９は接着層２９で埋められる。また、導体部１５は、第１樹脂層７と保護膜３と接着層２９の境界部分に存在する。このため、接着層２９と保護膜３の境界部分が導体部１５の近傍に配置される。また、接着層２９と保護膜３の境界部分が導体部１６の近傍に配置される。
第２樹脂層８を設けていないため、接着層２９が保護膜３の表面に接するように設けられており、導体部１５の半分程度と開口部１９は接着層２９で埋められる。また、導体部１５は、第１樹脂層７と保護膜３と接着層２９の境界部分に存在する。このため、接着層２９と保護膜３の境界部分が導体部１５の近傍に配置される。また、接着層２９と保護膜３の境界部分が導体部１６の近傍に配置される。
【0056】
図８に示す比較例構造が熱履歴を受けた場合、接着層２９から排出される塩素イオンと保護膜３から排出される塩素イオンとが第２導体部１５、１６の近傍に排出されることとなる。
このため、第２導体部１５、１６の近傍において保護膜３の樹脂分解が促進されやすい。
このため、第２導体部１５、１６の近傍において保護膜３の樹脂分解が促進されやすい。
【0057】
この点、図１の構造では、第２導体部１５の近傍に接着層９は存在せず、エポキシ樹脂を含むか、エポキシ樹脂を主体とする第１樹脂層７と第２樹脂層８と保護膜３が存在している。
保護膜３からは微量の塩素イオンの排出があるとしても、接着層９は離れた位置に存在するので、第２導体部１５近傍の保護膜３において樹脂分解は促進されない。また、他方の第２導体部１６の近傍にも接着層９が存在せず、保護膜３のみ存在するため、第２導体部１６近傍の保護膜３の樹脂分解は促進されない。これらの結果、耐久性により優れた半導体装置１を提供することができる。
保護膜３からは微量の塩素イオンの排出があるとしても、接着層９は離れた位置に存在するので、第２導体部１５近傍の保護膜３において樹脂分解は促進されない。また、他方の第２導体部１６の近傍にも接着層９が存在せず、保護膜３のみ存在するため、第２導体部１６近傍の保護膜３の樹脂分解は促進されない。これらの結果、耐久性により優れた半導体装置１を提供することができる。
【0058】
「第２実施形態」
図９は、第２実施形態に係る半導体装置５０を示す断面図である。
第２実施形態の構造において、配線基板２の構成は第１実施形態の構成と同等であり、第１電子部品５、第２電子部品６、第１樹脂層７、封止樹脂層１０の構成も同等である。
図９の構成において、配線基板２に対し第１電子部品５の電極端子５Ｂをはんだボール等の接合材２５、２６を介し接合した構造も同等である。
図９は、第２実施形態に係る半導体装置５０を示す断面図である。
第２実施形態の構造において、配線基板２の構成は第１実施形態の構成と同等であり、第１電子部品５、第２電子部品６、第１樹脂層７、封止樹脂層１０の構成も同等である。
図９の構成において、配線基板２に対し第１電子部品５の電極端子５Ｂをはんだボール等の接合材２５、２６を介し接合した構造も同等である。
【0059】
図９の構成では、第１樹脂層７の周囲に設けられている第２樹脂層８’の構成が、第１実施形態の構成と異なる。
第２樹脂層８’においては、第２樹脂層８に形成されていた第１峰部８ｉと第３峰部８ｍが略され、第１峰部８ｉが形成されていた領域に平坦部８ｔが形成され、第３峰部８ｍが形成されていた領域に平坦部８ｕが形成されている。
第２樹脂層８’を構成する樹脂は第２樹脂層８を構成する樹脂と同等の樹脂からなる。
第２樹脂層８’においては、第２樹脂層８に形成されていた第１峰部８ｉと第３峰部８ｍが略され、第１峰部８ｉが形成されていた領域に平坦部８ｔが形成され、第３峰部８ｍが形成されていた領域に平坦部８ｕが形成されている。
第２樹脂層８’を構成する樹脂は第２樹脂層８を構成する樹脂と同等の樹脂からなる。
【0060】
第２樹脂層８’において第２峰部８ｋが第１電子部品５の端縁５ｃを覆う構成と、第４峰部８ｎが第１電子部品５の端縁を覆う構成は同等である。
第２樹脂層８’において第２峰部８ｋよりＸ軸負方向側に平坦部８ｔが形成され、第４峰部８ｎよりＸ軸正方向側に平坦部８ｕが形成されている。平坦部８ｔのＸ軸負方向端に第１延出部８ａが形成され、平坦部８ｕのＸ軸正方向端に第４延出部８ｄが形成されている。
第２樹脂層８’において第２峰部８ｋよりＸ軸負方向側に平坦部８ｔが形成され、第４峰部８ｎよりＸ軸正方向側に平坦部８ｕが形成されている。平坦部８ｔのＸ軸負方向端に第１延出部８ａが形成され、平坦部８ｕのＸ軸正方向端に第４延出部８ｄが形成されている。
【0061】
第１縁部８Ａに形成されている第２峰部８ｋにおいて、Ｘ軸負方向側の裾野部分の傾斜角度は、第１実施形態の第２峰部８ｋと同じである。このため、第２実施形態の第２峰部８ｋの裾野部分は、第１縁部８Ａの幅方向（Ｘ軸方向）の１／２幅よりも幅狭に形成されている。
第２縁部８Ｂに形成されている第４峰部８ｎにおいて、Ｘ軸正方向側の裾野部分の傾斜角度は、第１実施形態の第４峰部８ｎの裾野部分の傾斜角度と同じである。このため、第２実施形態の第４峰部８ｎの裾野部分は、第２縁部８Ｂの幅方向（Ｘ軸方向）中央側まで延在され、そのＸ軸正方向側に平坦部８ｔが形成されている。
第２縁部８Ｂに形成されている第４峰部８ｎにおいて、Ｘ軸正方向側の裾野部分の傾斜角度は、第１実施形態の第４峰部８ｎの裾野部分の傾斜角度と同じである。このため、第２実施形態の第４峰部８ｎの裾野部分は、第２縁部８Ｂの幅方向（Ｘ軸方向）中央側まで延在され、そのＸ軸正方向側に平坦部８ｔが形成されている。
【0062】
第２実施形態の構造においても、接着層９’と配線基板２の保護膜３との間に第１樹脂層７と第２樹脂層８’が介在されているので、第１実施形態の構造と同様に、信頼性の高い配線構造を得ることができる。
即ち、第２開口部１８を第１樹脂層７が埋めるとともに、第２開口部１９を第２樹脂層８’が埋めている。従って、第２開口部１８の下に存在する導体部１５の近傍と第２開口部１９の下に存在する導体部１６の近傍に、接着層９’が存在しない。
従って、第２実施形態の構造においても、ＨＡＳＴ試験などのように高温多湿環境下において加熱される加速試験を実施したとして、保護膜３が加水分解されにくい。
即ち、第２開口部１８を第１樹脂層７が埋めるとともに、第２開口部１９を第２樹脂層８’が埋めている。従って、第２開口部１８の下に存在する導体部１５の近傍と第２開口部１９の下に存在する導体部１６の近傍に、接着層９’が存在しない。
従って、第２実施形態の構造においても、ＨＡＳＴ試験などのように高温多湿環境下において加熱される加速試験を実施したとして、保護膜３が加水分解されにくい。
【0063】
第２実施形態の構造は、図５に示すように第２塗布層３５、第３塗布層３６、第４塗布層３７、第５塗布層３８を形成する場合、各層の塗布厚を第１実施形態の場合より薄く設定することにより実現できる。
【0064】
他の実施形態
（ａ）第１実施形態において、第１樹脂層７または第２樹脂層８のいずれか、または両方が第１電子部品５の上面の一部または全部を覆っていてもよい。この場合でも第１実施形態と同様の効果が得られる。これは例えば、図６のあとに、第１電子部品５の上面にさらに第２樹脂層８を滴下することで得られる。または図３のときに第１塗布層３０を第１電子部品５の上面にまで到達するように多めに滴下することでも得られる。他、様々な方法で得られる。
（ｂ）第１実施形態において、第２樹脂層８は接着層９よりはみ出ている。これに限らず、第１樹脂層７または第２樹脂層８は、第２開口部１９を埋める範囲まで覆っていればよい。この場合も第１実施形態と同様の効果が得られる。
（ａ）第１実施形態において、第１樹脂層７または第２樹脂層８のいずれか、または両方が第１電子部品５の上面の一部または全部を覆っていてもよい。この場合でも第１実施形態と同様の効果が得られる。これは例えば、図６のあとに、第１電子部品５の上面にさらに第２樹脂層８を滴下することで得られる。または図３のときに第１塗布層３０を第１電子部品５の上面にまで到達するように多めに滴下することでも得られる。他、様々な方法で得られる。
（ｂ）第１実施形態において、第２樹脂層８は接着層９よりはみ出ている。これに限らず、第１樹脂層７または第２樹脂層８は、第２開口部１９を埋める範囲まで覆っていればよい。この場合も第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0065】
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0066】
１…半導体装置、
２…配線基板、
２ａ…表面（第１面）、
２ｂ…裏面（第２面）、
３、４…保護膜、
５…第１電子部品、
５Ｂ…電極端子、
５ｃ…端縁、
６…第２電子部品、
７…第１樹脂層、
７Ａ…第１延出樹脂部、
７Ｂ…第２延出樹脂部、
８…第２樹脂層、
８ａ…第１延出部、
８ｂ…第２延出部、
８ｃ…第３延出部、
８ｄ…第４延出部、
８ｅ…第５延出部、
８ｆ…第６延出部、
８ｇ…第７延出部、
８ｈ…第８延出部、
８ｉ…第１峰部、
８ｋ…第２峰部、
８ｍ…第３峰部、
８ｎ…第４峰部、
８ｐ…頂部（被覆部）、
８ｒ…頂部（被覆部）、
８ｘ…頂部（被覆部）、
８ｙ…頂部（被覆部）、
９、９’…接着層、
１０…封止樹脂層、
１５、１６…導体部（第２導体部）、
１８、１９…開口部（第２開口部）、
２０、２１…導体部（第１導体部）、
２２、２３…開口部（第１開口部）、
５０…半導体装置。
２…配線基板、
２ａ…表面（第１面）、
２ｂ…裏面（第２面）、
３、４…保護膜、
５…第１電子部品、
５Ｂ…電極端子、
５ｃ…端縁、
６…第２電子部品、
７…第１樹脂層、
７Ａ…第１延出樹脂部、
７Ｂ…第２延出樹脂部、
８…第２樹脂層、
８ａ…第１延出部、
８ｂ…第２延出部、
８ｃ…第３延出部、
８ｄ…第４延出部、
８ｅ…第５延出部、
８ｆ…第６延出部、
８ｇ…第７延出部、
８ｈ…第８延出部、
８ｉ…第１峰部、
８ｋ…第２峰部、
８ｍ…第３峰部、
８ｎ…第４峰部、
８ｐ…頂部（被覆部）、
８ｒ…頂部（被覆部）、
８ｘ…頂部（被覆部）、
８ｙ…頂部（被覆部）、
９、９’…接着層、
１０…封止樹脂層、
１５、１６…導体部（第２導体部）、
１８、１９…開口部（第２開口部）、
２０、２１…導体部（第１導体部）、
２２、２３…開口部（第１開口部）、
５０…半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】