ホーム > 特許ランキング > スタンレー電気株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024087371
(43)【公開日】2024-07-01
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/54 20100101AFI20240624BHJP
【ＦＩ】
H01L33/54
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022202166
(22)【出願日】2022-12-19
(71)【出願人】
【識別番号】000002303
【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000800
【氏名又は名称】デロイトトーマツ弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】野澤 翔
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA03
5F142AA04
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA03
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD18
5F142CD44
5F142CD47
5F142CF03
5F142CF23
5F142CG03
5F142CG24
5F142CG26
5F142CG43
5F142DA16
5F142DB24
(57)【要約】 （修正有）
【課題】出射される光の損失を低減することができ、高い光出力が得られる発光装置を提供することができる。
【解決手段】基板１１及び基板１１の周縁に立設された枠部１２からなり、凹部１３Ａを有する躯体１３と、基板１１上に配置され、支持基板２５上に半導体発光機能層２６が反射部材層２９を介して設けられた半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０上に接着部材２１を介して配置された透光部材２２と、躯体１３の凹部１３Ａの底面から半導体発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至って凹部１３Ａ内に充填された第１被覆部材２３と、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至って凹部１３Ａ内に充填された第２被覆部材２４と、を備え、半導体発光素子２０の上面には、出光領域２８と、半導体発光素子２０の上面２０Ｂの縁部上において出光領域２８に並置された素子電極２７Ａとが設けられている。
【選択図】図１Ｄ
【解決手段】基板１１及び基板１１の周縁に立設された枠部１２からなり、凹部１３Ａを有する躯体１３と、基板１１上に配置され、支持基板２５上に半導体発光機能層２６が反射部材層２９を介して設けられた半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０上に接着部材２１を介して配置された透光部材２２と、躯体１３の凹部１３Ａの底面から半導体発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至って凹部１３Ａ内に充填された第１被覆部材２３と、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至って凹部１３Ａ内に充填された第２被覆部材２４と、を備え、半導体発光素子２０の上面には、出光領域２８と、半導体発光素子２０の上面２０Ｂの縁部上において出光領域２８に並置された素子電極２７Ａとが設けられている。
【選択図】図１Ｄ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板及び前記基板の周縁に立設された枠部からなり、凹部を有する躯体と、
前記基板上に配置され、支持基板上に半導体発光機能層が反射部材層を介して設けられた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接着部材を介して配置された透光部材と、
前記躯体の前記凹部の底面から前記半導体発光素子の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第１被覆部材と、
前記第１被覆部材の上面から前記透光部材の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第２被覆部材と、を備え、
前記半導体発光素子の上面には、出光領域と、前記半導体発光素子の前記上面の縁部上において前記出光領域に並置された素子電極とが設けられている半導体発光装置。
前記基板上に配置され、支持基板上に半導体発光機能層が反射部材層を介して設けられた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接着部材を介して配置された透光部材と、
前記躯体の前記凹部の底面から前記半導体発光素子の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第１被覆部材と、
前記第１被覆部材の上面から前記透光部材の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第２被覆部材と、を備え、
前記半導体発光素子の上面には、出光領域と、前記半導体発光素子の前記上面の縁部上において前記出光領域に並置された素子電極とが設けられている半導体発光装置。
【請求項2】
前記接着部材は、一部が前記第１被覆部材と前記第２被覆部材との間に延在している接着部材延在部を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記半導体発光素子は、矩形形状を有し、
矩形形状の前記半導体発光素子の１辺に沿って前記素子電極が設けられている請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
矩形形状の前記半導体発光素子の１辺に沿って前記素子電極が設けられている請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子の前記上面に垂直な方向から見たときに前記透光部材よりも突き出た突出部を有し、
前記突出部の上に前記素子電極が設けられた請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
前記突出部の上に前記素子電極が設けられた請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記接着部材は、前記素子電極を覆う請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記接着部材延在部は、前記半導体発光素子の前記上面と平行または離間する方向に延在する請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記接着部材又は／及び前記透光部材に波長変換粒子を含む請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記半導体発光素子の前記支持基板が前記半導体発光機能層から出射する光を吸収する特性を有する請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
基板及び基板の周縁に立設された枠部からなり、凹部を有する躯体と、
前記基板上に配置された複数の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接着部材を介して配置された透光部材と、
前記躯体の前記凹部の底面から前記半導体発光素子の上面の周縁まで至って、前記凹部内に充填された第１被覆部材と、
前記第１被覆部材の上面から前記透光部材の上面の周縁まで至って前記凹部に充填された第２被覆部材と、を備え、
前記半導体発光素子の上面には、出光領域と、前記半導体発光素子の前記上面の縁部上において前記出光領域に並置された素子電極とが設けられており、
前記接着部材の一部が前記第１被覆部材と第２被覆部材との間に延在し、かつ前記接着部材は全体として一体に形成されている半導体発光装置。
前記基板上に配置された複数の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接着部材を介して配置された透光部材と、
前記躯体の前記凹部の底面から前記半導体発光素子の上面の周縁まで至って、前記凹部内に充填された第１被覆部材と、
前記第１被覆部材の上面から前記透光部材の上面の周縁まで至って前記凹部に充填された第２被覆部材と、を備え、
前記半導体発光素子の上面には、出光領域と、前記半導体発光素子の前記上面の縁部上において前記出光領域に並置された素子電極とが設けられており、
前記接着部材の一部が前記第１被覆部材と第２被覆部材との間に延在し、かつ前記接着部材は全体として一体に形成されている半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子が実装された発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体発光素子が実装された発光装置は、各種の照明や表示装置に利用されている。特に近年、半導体発光素子が実装された発光装置は、更なる発光出力及び発光効率の向上が求められている。また、車両用ヘッドライトなどの光源として、高出力な発光装置が求められている。
【0003】
さらに、表示装置のバックライト用光源として小型化も求められている。
【0004】
例えば、特許文献１には、発光素子と、発光素子よりも幅広な透光性部材と、発光素子と透光性部材を接合する接着部材と、第１の光反射性部材と、第２の光反射性部材とを備えた発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１３－１７５７５９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、接着部材により発光素子と透光部材を接合する発光装置には、出射される光の損失が発生するという問題があった。
【0007】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、出射される光の損失を低減することができ、高い光出力が得られる発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の１実施形態による発光装置は、
基板及び前記基板の周縁に立設された枠部からなり、凹部を有する躯体と、
前記基板上に配置され、支持基板上に半導体発光機能層が反射部材層を介して設けられた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接着部材を介して配置された透光部材と、
前記躯体の前記凹部の底面から前記半導体発光素子の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第１被覆部材と、
前記第１被覆部材の上面から前記透光部材の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第２被覆部材と、を備え、
前記半導体発光素子の上面には、出光領域と、前記半導体発光素子の前記上面の縁部上において前記出光領域に並置された第１の素子電極とが設けられている。
基板及び前記基板の周縁に立設された枠部からなり、凹部を有する躯体と、
前記基板上に配置され、支持基板上に半導体発光機能層が反射部材層を介して設けられた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に接着部材を介して配置された透光部材と、
前記躯体の前記凹部の底面から前記半導体発光素子の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第１被覆部材と、
前記第１被覆部材の上面から前記透光部材の上面の周縁まで至って前記凹部内に充填された第２被覆部材と、を備え、
前記半導体発光素子の上面には、出光領域と、前記半導体発光素子の前記上面の縁部上において前記出光領域に並置された第１の素子電極とが設けられている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1A】第１の実施形態の発光装置を示した概念図であり、上面側から見たときの斜視図である。
【図1B】第１の実施形態の発光装置を示した概念図であり、下面側から見たときの斜視図である。
【図1C】第１の実施形態の発光装置を示した概念図であり、上面側から見たときの第２被覆部材の透かし図である。
【図2A】第１の実施形態の発光素子を示した概念図である。
【図2B】発光素子を示した概念図である。
【図2C】発光素子及び透光部材の一例を示した拡大図である。
【図2D】発光素子及び透光部材の一例を示した拡大図である。
【図3】発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図4A】発光装置の製造工程Ｓ１を示す断面図である。
【図4B】発光装置の製造工程Ｓ２を示す断面図である。
【図4C】発光装置の製造工程Ｓ３を示す断面図である。
【図4D】発光装置の製造工程Ｓ４を示す断面図である。
【図4E】発光装置の製造工程Ｓ５を示す断面図である。
【図4F】発光装置の製造工程Ｓ６を示す断面図である。
【図5A】第２の実施形態による発光装置を示した断面図である。
【図5B】第２の実施形態による発光装置を示した断面図である。
【図6A】比較例の一例を示した断面拡大図である。
【図6B】比較例の一例を示した断面拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、適宜改変し、組み合わせてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
［第１の実施形態］
［第１の実施形態］
【0011】
図１Ａは、本発明の第１の実施形態による発光装置１０を示した概念図であり、上面測から見たときの斜視図である。図１Ｂは、下面側から見たときの斜視図であり、図１Ｃは、第２被覆部材２４を透かした状態の上面図である。また、図１Ｄは、図１Ａおよび図１Ｃに示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。
【0012】
本明細書においては、基板１１に対して発光素子２０が設けられた方向を上方といい、その反対方向を下方という。また、上面視において発光素子２０の中心に向かう方向を内方といい、その反対方向を外方という。
【0013】
第１の実施形態に係る発光装置１０は、基板１１及び基板１１の周縁に立設された枠部１２からなり凹部１３Ａを有する躯体１３と、基板１１上に配置された発光素子２０と、発光素子２０上に接着部材２１を介して配置された透光部材２２と、躯体１３の凹部１３Ａの底面から発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至って凹部１３Ａ内に充填された第１被覆部材２３と、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至って凹部１３Ａ内に充填された第２被覆部材２４と、を備えている。
【0014】
（躯体）
躯体１３は、上面１１Ａ及び下面１１Ｂを備えた板状に形成された基板１１と、基板１１の上面１１Ａの周縁から立設された枠部１２を有している。すなわち、図１Ｄに示すように、躯体１３は、発光素子２０及び透光部材２２を内部に収容する空間である凹部１３Ａを画定している。また、図１Ｃに示すように、躯体１３は上面視において（すなわち、当該上面１１Ａに垂直な方向に沿って上方から見たとき）、矩形状から４つの角部を扇状に切り欠かれた形状に一体成型されている。なお、躯体１３は基板１１と枠部１２を別途作成して、接着して形成することもできる。
躯体１３は、上面１１Ａ及び下面１１Ｂを備えた板状に形成された基板１１と、基板１１の上面１１Ａの周縁から立設された枠部１２を有している。すなわち、図１Ｄに示すように、躯体１３は、発光素子２０及び透光部材２２を内部に収容する空間である凹部１３Ａを画定している。また、図１Ｃに示すように、躯体１３は上面視において（すなわち、当該上面１１Ａに垂直な方向に沿って上方から見たとき）、矩形状から４つの角部を扇状に切り欠かれた形状に一体成型されている。なお、躯体１３は基板１１と枠部１２を別途作成して、接着して形成することもできる。
【0015】
基板１１の基材としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）系セラミックが用いられている。なお、基材には、窒化アルミ（ＡｌＮ）系のセラミック基板、ガラスエポキシ（ガラス繊維強化エポキシ樹脂）系の樹脂基板を用いることができる。枠部１２には、基板１１と同一な基材、または異なる素材のセラミック、樹脂、金属等を用いてもよい。
【0016】
基板１１の上面１１Ａには、第１配線電極１７Ａ及び第２配線電極１７Ｂが設けられている。また、基板１１の内部には、第１導通ビア１５Ａ、第２導通ビア１５Ｂ、放熱コア１６が設けられている。また、基板１１の下面１１Ｂには、回路基板（図示せず）と接続する第１実装電極１４Ａ、第２実装電極１４Ｂ、第３実装電極１４Ｃとが設けられている。
【0017】
以後、第１配線電極１７Ａ、第２配線電極１７Ｂの各々を区別しない場合には単に配線電極１７と、第１導通ビア１５Ａ、第２導通ビア１５Ｂの各々を区別しない場合には単に導通ビア１５と、第１実装電極１４Ａ、第２実装電極１４Ｂ、第３実装電極１４Ｃの各々を区別しない場合には単に実装電極１４と称して説明する。
【0018】
基板１１の上面１１Ａの第１配線電極１７Ａと下面１１Ｂの第１実装電極１４Ａは、第１導通ビア１５Ａを介して電気的に接続されている。また、基板１１の上面１１Ａの第２配線電極１７Ｂと下面１１Ｂの第２実装電極１４Ｂは、第２導通ビア１５Ｂを介して電気的に接続されている。また、第２配線電極１７Ｂと第３実装電極１４Ｃは、放熱コア１６を介して電気的に接続されている。
【0019】
第２配線電極１７Ｂには、発光素子２０が載置される発光素子載置領域を有し、第１配線電極１７Ａには保護素子が載置される保護素子載置領域を有している。
【0020】
第１及び第２配線電極１７Ａ、１７Ｂは、銀（Ａｇ）を主体とした金属であり、表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）がこの順でメッキされている。また、第１、第２及び第３実装電極１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃは、Ａｇを主体とした金属であり、表面にＮｉ、Ａｕがこの順でメッキされている。また、第１及び第２導通ビア１５Ａ、１５及び放熱コア１６は、Ａｇを主体とした金属である。配線電極１７、導通ビア１５、放熱コア１６及び実装電極１４の主体金属は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）などでもよい。
実施形態においては、第１配線電極１７Ａはアノード電極であり、第２配線電極１７Ｂはカソード電極である。なお、放熱コア１６は第２配線電極１７Ｂの発光素子を載置する発光素子載置領域の下部に設けてあり、発光素子２０の発する熱を発光装置１０の外部へ放熱する機能を有している。
実施形態においては、第１配線電極１７Ａはアノード電極であり、第２配線電極１７Ｂはカソード電極である。なお、放熱コア１６は第２配線電極１７Ｂの発光素子を載置する発光素子載置領域の下部に設けてあり、発光素子２０の発する熱を発光装置１０の外部へ放熱する機能を有している。
【0021】
（発光素子）
発光素子２０は、図２Ａに示すように、矩形状に形成されており、支持基板２５と、支持基板２５の上面に設けられたｎ型半導体層と発光層及びｐ型半導体層を備えた半導体発光機能層２６と、支持基板２５の上面に設けられた第１素子電極２７Ａと、支持基板２５の下面に設けられた第２素子電極２７Ｂと、半導体発光機能層２６の下面に設けられた反射部材層２９とを有するＬＥＤ（light-emitting diode）である。
発光素子２０は、図２Ａに示すように、矩形状に形成されており、支持基板２５と、支持基板２５の上面に設けられたｎ型半導体層と発光層及びｐ型半導体層を備えた半導体発光機能層２６と、支持基板２５の上面に設けられた第１素子電極２７Ａと、支持基板２５の下面に設けられた第２素子電極２７Ｂと、半導体発光機能層２６の下面に設けられた反射部材層２９とを有するＬＥＤ（light-emitting diode）である。
【0022】
矩形状の発光素子２０の上面２０Ｂには、半導体発光機能層２６の発光層からの光が出射される矩形状の出光領域２８と、発光素子２０の上面２０Ｂの１辺に沿って出光領域２８と離間して設けられた第１素子電極２７Ａとが並置されている。つまり、第１素子電極２７Ａは、発光素子２０の上面２０Ｂの縁部に設けられている。よって、出光領域２８と同サイズの透光部材２２を重ねて載置でき、またワイヤ１９を透光部材２２に干渉することなく第１素子電極２７Ａへ接続できる。
【0023】
実施形態において支持基板２５は、紫外光～１２６０ｎｍまでの近赤外光を吸収するシリコン(Ｓｉ)結晶体である。また、半導体発光機能層２６は、青色光を放射するＧａＮ系化合物半導体である。すなわち、発光素子２０の支持基板２５は半導体発光機能層２６から出射する光を吸収する。なお、半導体発光機能層２６としては赤色光や赤外光を放射する、ＡｌＩｎＧａＰ系、ＩｎＧａＡｓ系の化合物半導体とすることもできる。
【0024】
反射部材層２９は、支持基板２５の上面（半導体発光機能層２６の下面）に設けられている。言い換えると、半導体発光機能層２６は、反射部材層２９を介して、支持基板２５上に設けられている。反射部材層２９は、銀（Ａｇ）を含み半導体発光機能層２６から出射する光を反射する導電性を有する部材である。よって、支持基板２５が半導体発光機能層２６から出射する光を吸収する特性を有していても、支持基板２５に吸収されることはない。また、支持基板２５の半導体発光機能層２６が設けられていない上面には第１素子電極２７Ａが設けられている。よって、半導体発光機能層２６から出射する光が支持基板２５に吸収されることはない。言い換えれば、半導体発光機能層２６は、反射部材層２９と第１素子電極２７Ａによって支持基板２５とは光学的に遮蔽されている。なお、反射部材層２９を介して支持基板２５と半導体発光機能層２６を接合した構成の発光素子２０（金属貼り合せ発光素子とも称す）の出射光は、出光領域２８から主に上方へ出射される。
【0025】
支持基板２５に設けられた第１素子電極２７Ａは半導体発光機能層２６のｐ型半導体に接続され、第２素子電極２７Ｂは半導体発光機能層２６のｎ型半導体に接続される。図２Ｃに示したように、発光素子２０の第１素子電極２７Ａは金バンプを介して基板１１の上面の第１配線電極１７Ａと導電性のワイヤ１９により電気的に接続されている。また、発光素子２０の第２素子電極２７Ｂは、第２配線電極１７Ｂの発光素子載置領域上に接合部材１８を介して接合されている。よって、基板１１の第１実装電極１４Ａと第２実装電極１４Ｂに電圧を印加することで発光素子２０が発光する。
【0026】
なお、図示していないが、保護素子の上面の電極が第２配線電極１７Ｂと導電性のワイヤにより電気的に接続され、保護素子の下面の電極が第１配線電極１７Ａの保護素子載置領域上に接合部材１８を介して接合されている。保護素子は発光素子２０と並列かつ逆極性で接続されており、静電気等による発光素子２０の破損を防止する。実施形態の保護素子にはツェナーダイオードを用いた。なお、保護素子としてはツェナーダイオードの他にコンデンサ、バリスタ等を用いることもできる。
【0027】
（透光部材）
透光部材２２は矩形状に形成されており、接着部材２１を介して、発光素子２０の上面２０Ｂ上に設けられている。また、透光部材２２は、上面視において、発光素子２０の出光領域２８を包含する大きさに形成されている。より詳細には、上面視において、透光部材２２と発光素子２０の出光領域２８は一致する。そのため、発光素子２０から出射される光が透光部材２２の全体に広がり、発光装置１０から出射される光の光ムラが低減でき、光強度の均一性の高い光を出射することができる。
透光部材２２は矩形状に形成されており、接着部材２１を介して、発光素子２０の上面２０Ｂ上に設けられている。また、透光部材２２は、上面視において、発光素子２０の出光領域２８を包含する大きさに形成されている。より詳細には、上面視において、透光部材２２と発光素子２０の出光領域２８は一致する。そのため、発光素子２０から出射される光が透光部材２２の全体に広がり、発光装置１０から出射される光の光ムラが低減でき、光強度の均一性の高い光を出射することができる。
【0028】
透光部材２２は、発光素子２０から出射された光、及び接着部材２１に含まれる波長変換粒子３１から出射される光を透光する導光体であり、透光部材２２の上面２２Ａは発光装置１０の出光面である。実施形態の透光部材２２は、可視光透過率の高いガラスである。なお、ガラス以外にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）等の透光性のセラミック、またはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の透光性の樹脂を用いることもできる。また、透光部材２２には、後述する接着部材２１に含まれる波長変換粒子３１と同様な波長変換粒子を含むことができる。
【0029】
（第１被覆部材）
図１Ｄに示すように、第１被覆部材２３は、躯体１３の凹部１３Ａに充填されており、躯体１３の凹部１３Ａの底面から発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至っている。詳細には、第１被覆部材２３は、発光素子２０の上面２０Ｂ（反射部材層２９面でもある）の周縁から枠部１２の内面に向かって上方へ湾曲する上面と、発光素子２０の側面２０Ｄに沿った内周面と、凹部１３Ａの底面に沿った下面と、枠部１２の内面に沿った外周面とを有している。
図１Ｄに示すように、第１被覆部材２３は、躯体１３の凹部１３Ａに充填されており、躯体１３の凹部１３Ａの底面から発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至っている。詳細には、第１被覆部材２３は、発光素子２０の上面２０Ｂ（反射部材層２９面でもある）の周縁から枠部１２の内面に向かって上方へ湾曲する上面と、発光素子２０の側面２０Ｄに沿った内周面と、凹部１３Ａの底面に沿った下面と、枠部１２の内面に沿った外周面とを有している。
【0030】
第１被覆部材２３の母材（媒質）には、透光性のシリコーン樹脂を用いている。なお、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂などからなる透光性の樹脂材料を用いることができる。言い換えれば、発光素子２０及び波長変換粒子３１から出射する光を吸収しない樹脂である。
【0031】
第１被覆部材２３の添加粒子には、光反射材として光反射性を有する酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子が含有されている。第１被覆部材２３に含有させるＴｉＯ２粒子としては、例えば、粒径は２００ｎｍ～３００ｎｍであり、かつ、含有量は８～６０ｗｔ％であることが好ましい。ＴｉＯ２粒子の粒径が２００ｎｍ～３００ｎｍであることにより、可視光帯域の光においてミー散乱が発生し、拡散反射性に優れるからである。なお、本実施形態では光反射材としてＴｉＯ２粒子を用いたが、ＴｉＯ２粒子のほか、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子などを用いることもできる。このような第１被覆部材２３で発光素子２０の側面２０Ｄを被覆することで、半導体発光機能層２６から出射する光が支持基板２５に吸収されることを抑制できる。
【0032】
（第２被覆部材）
第２被覆部材２４は、躯体１３の凹部１３Ａに充填されており、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至っている。詳細には、透光部材２２の外周縁から枠部１２の内面の上端縁まで延びる上面と、透光部材２２の側面２２Ｃに沿った内周面と、第１被覆部材２３及び接着部材２１の上面に沿った下面と、枠部１２の内面に沿った外周面とを有している。なお、枠部１２の内面に沿った外周面は、第１被覆部材２３が枠部１２の内面の上端にまで達している場合には形成されないこともある。また、第２被覆部材２４の上面は、発光装置１０の表面でもある。
第２被覆部材２４は、躯体１３の凹部１３Ａに充填されており、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至っている。詳細には、透光部材２２の外周縁から枠部１２の内面の上端縁まで延びる上面と、透光部材２２の側面２２Ｃに沿った内周面と、第１被覆部材２３及び接着部材２１の上面に沿った下面と、枠部１２の内面に沿った外周面とを有している。なお、枠部１２の内面に沿った外周面は、第１被覆部材２３が枠部１２の内面の上端にまで達している場合には形成されないこともある。また、第２被覆部材２４の上面は、発光装置１０の表面でもある。
【0033】
第２被覆部材２４の母材（媒質）には、透光性のシリコーン樹脂を用いている。なお、第１被覆部材２３と同様なエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂などからなる透光性の樹脂材料を用いることもできる。
【0034】
第２被覆部材２４の添加粒子には、光反射材として光反射性を有する酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子が含有されている。第２被覆部材２４に含有させるＴｉＯ２粒子としては、例えば、粒径は２００ｎｍ～３００ｎｍであり、かつ、含有量は８～６０ｗｔ％であることが好ましい。ＴｉＯ２粒子の粒径が２００ｎｍ～３００ｎｍであることにより、可視光帯域の光においてミー散乱が発生し、拡散反射性に優れるからである。なお、本実施形態では光反射材としてＴｉＯ２粒子を用いたが、ＴｉＯ２粒子のほか、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子などを用いることもできる。このような第２被覆部材２４で後述する接着部材２１の延在部２１Ａを覆うことで、延在部２１Ａは第１被覆部材２３と第２被覆部材２４で挟まれて光漏れが防止される。また、第２被覆部材２４で透光部材２２の側面２２Ｃを被覆することで、透光部材２２の上面２２Ａから面内均一性に優れ、またコントラストの高い光を出射できる。実施形態においては、第２被覆部材２４の母材（媒質）を第１被覆部材２３と同じものとしたが、第１被覆部材２３と異なったものでもよい。
【0035】
（接着部材）
接着部材２１は、発光素子２０と透光部材２２を接着する透光部材である。接着部材２１は、発光素子２０の上面２０Ｂと透光部材２２の下面２２Ｂとを覆い、上面視において発光素子２０よりも外側に延在した延在部２１Ａを有している。延在部２１Ａは、第１被覆部材２３と第２被覆部材２４との間に挟まれて延在している。つまり、延在部２１Ａの上面は第２被覆部材２４に覆われており、延在部２１Ａの下面は第１被覆部材２３に覆われている。また、延在部２１Ａは、発光素子２０の上面２０Ｂに対して略平行に延びている。なお、延在部２１Ａの外周端（枠部１２方向へ向かう先端部）は発光素子２０の上方に向かう方向または離間する方向に延びていることが好ましい。
接着部材２１は、発光素子２０と透光部材２２を接着する透光部材である。接着部材２１は、発光素子２０の上面２０Ｂと透光部材２２の下面２２Ｂとを覆い、上面視において発光素子２０よりも外側に延在した延在部２１Ａを有している。延在部２１Ａは、第１被覆部材２３と第２被覆部材２４との間に挟まれて延在している。つまり、延在部２１Ａの上面は第２被覆部材２４に覆われており、延在部２１Ａの下面は第１被覆部材２３に覆われている。また、延在部２１Ａは、発光素子２０の上面２０Ｂに対して略平行に延びている。なお、延在部２１Ａの外周端（枠部１２方向へ向かう先端部）は発光素子２０の上方に向かう方向または離間する方向に延びていることが好ましい。
【0036】
接着部材２１の母材（媒質）には、発光素子２０から出射された光及び接着部材２１内に含まれる波長変換粒子３１から出射される光を透光するシリコーン樹脂を用いた。また、波長変換粒子３１として粒径１０～５０μｍのセリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）蛍光体粒子を用いている。蛍光体粒子には、セリウム賦活ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬｕＡＧ：Ｃｅ）蛍光体、ユーロピウム又は／及びセリウム賦活オルトシリケート（（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＳｉＯ4：Ｅｕ，Ｃｅ）蛍光体、セリウム賦活テルビウム・アルミニウム・ガーネット（ＴＡＧ：Ｃｅ）、ユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体（α－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）、ユーロピウム賦活βサイアロン蛍光体（β－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）、マンガン賦活カリウム・フルオロ珪酸カリウム（ＫＦＳ：Ｍｎ）などを用いることもできる。蛍光体粒子は、所望する発光装置１０の出光色となるように単数又は複数の種類の蛍光体粒子を適宜選択して用いることができる。なお、接着部材２１に波長変換粒子３１を含有させないこともできる。
【0037】
接着部材２１には、波長変換粒子３１より粒径の大きいスペーサ３０を含有させている。これにより、蛍光体粒子が半導体発光機能層２６を損傷することを防止できる。また、発光素子２０の半導体発光機能層２６の上面２６Ａと透光部材２２の下面２２Ｂの離間距離ＴＣが一意に定まる。このことで、接着部材２１中の波長変換粒子（蛍光体粒子）３１の濃度が一定化するので発光装置１０から出射される光の色度を安定させることができる。また、接着部材２１の最適充填量が規定できる。
【0038】
具体的には、スペーサ３０として粒径４０μｍの軟質ガラスを用いた。軟質ガラスの替わりに硬質樹脂等を用いることもできる。これにより透光部材２２の下面２２Ｂと発光素子２０の半導体発光機能層２６の上面２６Ａとの離間距離ＴＣを４０μｍにできる。
【0039】
実施形態において、接着部材２１に延在部２１Ａを形成するには、接着部材２１の理想の充填量に対して１．０５倍～１．３０倍の範囲で過剰充填することで実現している。ここで、接着部材２１の理想の充填量とは、透光部材２２の下面積に透光部材２２の下面２２Ｂと発光素子２０の半導体発光機能層２６の上面２６Ａとの離間距離ＴＣを乗じた値である。このように接着部材２１を過剰充填することで、透光部材２２の下面に接着部材２１のない非接着部が形成されることを防止できると同時に延在部２１Ａを形成できる。
【0040】
上述したように、実施形態の発光装置１０は、発光素子２０の支持基板２５の側面２０Ｄの全面を第１被覆部材２３が被覆している。また、発光素子２０の支持基板２５の突出部２０Ａの上面は、第１素子電極２７Ａが形成されている。よって、接着部材２１の延在部２１Ａの下面において、半導体発光機能層２６及び波長変換粒子３１から放射された光が支持基板２５に吸収されることを防止できる。なお、支持基板２５の突出部２０Ａの上面に形成された第１素子電極２７Ａは、接着部材２１に覆われている。
【0041】
金属貼り合せ発光素子２０の半導体発光機能層２６から放射される主光は、接着部材２１を介して対向した透光部材２２へ導波される。したがって、接着部材２１の延在部２１Ａ方向に導波する光は僅かである。また、接着部材２１に含まれる波長変換粒子３１により半導体発光機能層２６から放射される光は遮蔽されて接着部材２１の延在部２１Ａに至ることを防止できる。
【0042】
次に比較例を用いた比較結果について説明する。接着部材２１が支持基板２５まで延在し、接触している点、及び第１被覆部材２３と第２被覆部材２４が一体化している点が異なるだけで、他の構成を第１の実施形態と全て同じにした比較サンプル１（図６Ａの発光装置７０）を作成し、比較サンプル１と本実施形態を同条件下で光出力比率（％）を測定した。その結果、本実施形態の光出力を１００％とした場合、比較サンプル１の光出力は９４％であった。すなわち、第１被覆部材２３を設け且つ接着部材２１の延在部２１Ａを設けることで６％もの光出力の減衰を防止でき、高い光出力を得た。
【0043】
また、接着部材２１の体積が理想の充填量よりも２％少ない点、及び第１被覆部材２３と第２被覆部材２４が一体化している点が異なるだけで、他の構成を第１の実施形態と全て同じにした比較サンプル２（図６Ｂの発光装置８０）を作成し、比較サンプル２と本実施形態を同条件下で光出力（％）を測定した。その結果、本実施形態の光出力を１００％とした場合、比較サンプル２の光出力比率は９８％であった。すなわち、すなわち、第１被覆部材２３を設け且つ接着部材２１の延在部２１Ａを設けることで２％の光出力の減衰を防止でき、高い光出力を得た。
【0044】
以上、本実施形態の発光装置１０は、第１及び第２被覆部材２３、２４と延在部２１Ａとを設けたことで光損失の発生を防ぐことを可能にした。
【0045】
（実施形態の変形例）
次に実施形態の変形例について説明する。実施形態の発光素子として、図２Ｂ及び図２Ｄに示す発光素子４０を用いることもできる。発光素子４０は、第１素子電極４７Ａが上面視において出光領域４８の隣接する２辺を延長して交わる角部の内側に設けられた発光素子である。発光素子４０においては、第１素子電極４７Ａの上面に金バンプを設けワイヤ１９が接続され、ワイヤ１９を覆うように透光部材２２が配置される。そこで、ワイヤ１９と透光部材２２が干渉しないような発光素子４０の半導体発光機能層４６の上面４６Ａと透光部材２２の下面２２Ｂの間隔を一定に設定できるスペーサ３０を用いている。例えば、高さ２０μｍの金バンプ上にワイヤ径３０μｍのワイヤ１９を接続する場合には、スペーサ３０の粒径を７０μｍとすれば、ワイヤ１９の頂部と透光部材２２の下面２２Ｂのクリアランスが２０μｍ超となり干渉しなくなる。よって、発光素子４０であってもスペーサ３０によって離間距離ＴＣを一定に設定できる。すなわち、接着部材２１を所望する過剰充填にでき、接着部材２１の充填不足がなく延在部２１Ａが形成された発光装置とできる。
次に実施形態の変形例について説明する。実施形態の発光素子として、図２Ｂ及び図２Ｄに示す発光素子４０を用いることもできる。発光素子４０は、第１素子電極４７Ａが上面視において出光領域４８の隣接する２辺を延長して交わる角部の内側に設けられた発光素子である。発光素子４０においては、第１素子電極４７Ａの上面に金バンプを設けワイヤ１９が接続され、ワイヤ１９を覆うように透光部材２２が配置される。そこで、ワイヤ１９と透光部材２２が干渉しないような発光素子４０の半導体発光機能層４６の上面４６Ａと透光部材２２の下面２２Ｂの間隔を一定に設定できるスペーサ３０を用いている。例えば、高さ２０μｍの金バンプ上にワイヤ径３０μｍのワイヤ１９を接続する場合には、スペーサ３０の粒径を７０μｍとすれば、ワイヤ１９の頂部と透光部材２２の下面２２Ｂのクリアランスが２０μｍ超となり干渉しなくなる。よって、発光素子４０であってもスペーサ３０によって離間距離ＴＣを一定に設定できる。すなわち、接着部材２１を所望する過剰充填にでき、接着部材２１の充填不足がなく延在部２１Ａが形成された発光装置とできる。
【0046】
（発光装置の製造方法）
以下に第１の実施形態の発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。図３は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。また、図４Ａ～４Ｆは、各工程を示す断面図である。
以下に第１の実施形態の発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。図３は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。また、図４Ａ～４Ｆは、各工程を示す断面図である。
【0047】
（Ｓ１）躯体の準備
第１及び第２配線電極１７Ａ，１７Ｂと、第１及び第２導通ビア１５Ａ，１５Ｂと、第１実装電極１４Ａ、第２実装電極１４Ｂ及び第３実装電極１４Ｃとを有するアルミナ系ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）セラミック基板１１と、基板１１の上面１１Ａの周縁から立設する枠部１２と、を有する躯体１３を準備する（図４Ａ）。
第１及び第２配線電極１７Ａ，１７Ｂと、第１及び第２導通ビア１５Ａ，１５Ｂと、第１実装電極１４Ａ、第２実装電極１４Ｂ及び第３実装電極１４Ｃとを有するアルミナ系ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）セラミック基板１１と、基板１１の上面１１Ａの周縁から立設する枠部１２と、を有する躯体１３を準備する（図４Ａ）。
【0048】
（Ｓ２）発光素子の実装
発光素子２０が実装される第２配線電極１７Ｂの発光素子載置領域の上面と保護素子が実装される第１配線電極１７Ａ上面に接合部材１８として金錫（Ａｕ－Ｓｎ）クリームはんだを塗布する。次に、発光素子２０、保護素子を金錫クリームはんだ上に載置する。リフロー炉で３００℃まで加熱して金錫クリームはんだを溶融・固化して発光素子２０及び保護素子を第２配線電極１７Ｂ及び第１配線電極１７Ａの上面に実装する。その後、発光素子２０の上面２０Ｂに設けられた第１素子電極２７Ａと基板１１の上面１１Ａに設けられた第１配線電極１７Ａとを金（Ａｕ）ワイヤ１９で接続する（図４Ｂ）。同様に、保護素子の上面の電極と第２配線電極１７ＢをＡｕワイヤ１９で接続する（図示せず）。
発光素子２０が実装される第２配線電極１７Ｂの発光素子載置領域の上面と保護素子が実装される第１配線電極１７Ａ上面に接合部材１８として金錫（Ａｕ－Ｓｎ）クリームはんだを塗布する。次に、発光素子２０、保護素子を金錫クリームはんだ上に載置する。リフロー炉で３００℃まで加熱して金錫クリームはんだを溶融・固化して発光素子２０及び保護素子を第２配線電極１７Ｂ及び第１配線電極１７Ａの上面に実装する。その後、発光素子２０の上面２０Ｂに設けられた第１素子電極２７Ａと基板１１の上面１１Ａに設けられた第１配線電極１７Ａとを金（Ａｕ）ワイヤ１９で接続する（図４Ｂ）。同様に、保護素子の上面の電極と第２配線電極１７ＢをＡｕワイヤ１９で接続する（図示せず）。
【0049】
（Ｓ３）第１被覆部材の形成
躯体１３の内部に酸化チタン粒子を混合したシリコーン樹脂からなる第１被覆部材２３を発光素子２０の上面２０Ｂの周縁に至る高さまで充填する。なお、第１被覆部材２３の充填量が多少の増減があっても、発光素子２０の上面２０Ｂが覆われないように、第１被覆部材２３の外周面の上端縁が枠部１２の内周面において上下することで収束されるので問題ない。その後、１５０℃で１０分間加熱してシリコーン樹脂を仮硬化させる（図４Ｃ）。
躯体１３の内部に酸化チタン粒子を混合したシリコーン樹脂からなる第１被覆部材２３を発光素子２０の上面２０Ｂの周縁に至る高さまで充填する。なお、第１被覆部材２３の充填量が多少の増減があっても、発光素子２０の上面２０Ｂが覆われないように、第１被覆部材２３の外周面の上端縁が枠部１２の内周面において上下することで収束されるので問題ない。その後、１５０℃で１０分間加熱してシリコーン樹脂を仮硬化させる（図４Ｃ）。
【0050】
（Ｓ４）接着部材の塗布
発光素子２０の上面２０Ｂの中央にＹＡＧ：Ｃｅ及びスペーサ３０として粒径４０μｍの軟質ガラスを混合したシリコーン樹脂からなる接着部材２１を規定量塗布する。ここで規定量とは、発光素子２０の上面積に発光素子２０と透光部材２２との離間距離ＴＣ（４０μｍ）を乗じた値に１．０５を乗じた値である。発光素子２０と透光部材２２との離間距離ＴＣは、接着部材２１に含有されるスペーサ３０の粒径により一意に定まる（図４Ｄ）。なお、接着部材２１を規定量（最適充填量の１．０５倍）とすることで、塗布位置のズレ又は塗布量の揺らぎがあっても、発光素子２０の上面２０Ｂと透光部材２２の下面２２Ｂの間に接着部材２１が満たされ、延在部２１Ａが形成される。
発光素子２０の上面２０Ｂの中央にＹＡＧ：Ｃｅ及びスペーサ３０として粒径４０μｍの軟質ガラスを混合したシリコーン樹脂からなる接着部材２１を規定量塗布する。ここで規定量とは、発光素子２０の上面積に発光素子２０と透光部材２２との離間距離ＴＣ（４０μｍ）を乗じた値に１．０５を乗じた値である。発光素子２０と透光部材２２との離間距離ＴＣは、接着部材２１に含有されるスペーサ３０の粒径により一意に定まる（図４Ｄ）。なお、接着部材２１を規定量（最適充填量の１．０５倍）とすることで、塗布位置のズレ又は塗布量の揺らぎがあっても、発光素子２０の上面２０Ｂと透光部材２２の下面２２Ｂの間に接着部材２１が満たされ、延在部２１Ａが形成される。
【0051】
（Ｓ５）透光部材の載置
ガラス製の透光部材２２を接着部材２１の上部から、接着部材２１内のスペーサ３０により係止するまで押圧する。そのため、透光部材２２は接着部材２１を介して、発光素子２０上に載置される。このとき、接着部材２１の一部は、第１被覆部材２３の上面に延出する（図４Ｅ）。
ガラス製の透光部材２２を接着部材２１の上部から、接着部材２１内のスペーサ３０により係止するまで押圧する。そのため、透光部材２２は接着部材２１を介して、発光素子２０上に載置される。このとき、接着部材２１の一部は、第１被覆部材２３の上面に延出する（図４Ｅ）。
【0052】
（Ｓ６）第２被覆部材の形成
躯体１３の内部に酸化チタン粒子を混合したシリコーン樹脂からなる第２被覆部材２４を透光部材２２の上面２２Ａの周縁に至る高さまで充填する。なお、第２被覆部材２４の外周面の上端縁は、枠部１２の内周面の何れの高さでも問題ない。その後、１８０℃で３０分間加熱して、第１被覆部材２３、第２被覆部材２４及び接着部材２１を本硬化させる（図４Ｆ）。
躯体１３の内部に酸化チタン粒子を混合したシリコーン樹脂からなる第２被覆部材２４を透光部材２２の上面２２Ａの周縁に至る高さまで充填する。なお、第２被覆部材２４の外周面の上端縁は、枠部１２の内周面の何れの高さでも問題ない。その後、１８０℃で３０分間加熱して、第１被覆部材２３、第２被覆部材２４及び接着部材２１を本硬化させる（図４Ｆ）。
【0053】
以上、説明したように、本発明によれば、より安定的な製造が可能であり、光出力に損失のない高い光出力が得られる発光装置１０を提供することができる。なお、発光素子４０を用いる場合でも同じ製造工程で製造できる。
【0054】
［第２の実施形態］
第２の実施形態について説明する。なお、本発明の第１の実施形態による発光装置１０と同一の構成については適宜説明を省略する。
第２の実施形態に係る発光装置５０は、基板１１及び基板１１の周縁に立設された枠部からなり、凹部を有する躯体１３と、基板１１上に配置された複数の半導体発光素子２０と、発光素子２０の上に接着部材２１を介して配置された透光部材２２と、躯体１３の凹部１３Ａから発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至って、凹部１３Ａ内に充填された第１被覆部材２３と、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至って凹部１３Ａに充填された第２被覆部材とを備えている。
第２の実施形態について説明する。なお、本発明の第１の実施形態による発光装置１０と同一の構成については適宜説明を省略する。
第２の実施形態に係る発光装置５０は、基板１１及び基板１１の周縁に立設された枠部からなり、凹部を有する躯体１３と、基板１１上に配置された複数の半導体発光素子２０と、発光素子２０の上に接着部材２１を介して配置された透光部材２２と、躯体１３の凹部１３Ａから発光素子２０の上面２０Ｂの周縁まで至って、凹部１３Ａ内に充填された第１被覆部材２３と、第１被覆部材２３の上面から透光部材２２の上面２２Ａの周縁まで至って凹部１３Ａに充填された第２被覆部材とを備えている。
【0055】
図５Ａに示すように、発光装置５０は発光素子２０を２つ有し、上面視において、各発光素子２０の２つの側面が平行に揃うように互いに離間した隣接離間領域を有して配列されている。そして、２つの発光素子２０の全体の仮想外周縁（発光素子２０の外側の辺を結んだ仮想線）は矩形である。また、複数の発光素子２０の上面２０Ｂの高さは実質上において一致している。
【0056】
第２の実施形態の発光装置５０においては、２つの発光素子２０の隣接離間領域において、接着部材２１の延在部２１Ａが一体化した架橋構造となっている。よって、隣接離間領域の接着部材２１の架橋構造部は、波長変換粒子３１が出射する光を導光するので、隣接離間領域に沿った部分の透光部材２２から出射する光の光出力の落ち込みを改善する。
【0057】
本実施形態においては、発光素子２０の数を２つとしたが、その数は３つ以上でもよい。すなわち、複数の発光素子２０の全体の仮想外周縁（発光素子２０の外側の辺を結んだ仮想線）が矩形となるように、発光素子２０を１行２列、１行３列、１行４列、・・・、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは自然数）に配列できる。
【0058】
（第２の実施形態の変形例）
次に、第２の実施形態の変形例について説明する。図５Ｂに示す発光装置６０は、２つの発光素子２０で透光部材６２を共有した構造である。具体的には、隣接離間領域において、接着部材２１の延在部２１Ａが一体化した架橋構造の上面に透光部材６２が覆った架橋構造となっている。よって、隣接離間領域の透光部材６２の架橋構造部は、発光素子２０及び波長変換粒子３１が出射する光を導光するので、隣接離間領域及び隣接離間領域に沿った部分の透光部材６２から出射する光の光出力の落ち込みを改善する。
次に、第２の実施形態の変形例について説明する。図５Ｂに示す発光装置６０は、２つの発光素子２０で透光部材６２を共有した構造である。具体的には、隣接離間領域において、接着部材２１の延在部２１Ａが一体化した架橋構造の上面に透光部材６２が覆った架橋構造となっている。よって、隣接離間領域の透光部材６２の架橋構造部は、発光素子２０及び波長変換粒子３１が出射する光を導光するので、隣接離間領域及び隣接離間領域に沿った部分の透光部材６２から出射する光の光出力の落ち込みを改善する。
【0059】
上述したように、発光装置５０では接着部材２１の延在部２１Ａが合体した架橋構造、発光装置６０では更に透光部材６２が架橋構造を有することで、上面視において、２つの発光素子２０の間隙にも、光が伝達されるため、発光装置５０、６０から出射される光の強度ムラを低減することができ、光強度の均一性の高い光を出射することができる。
【0060】
以上、詳細に説明したように、出射される光の損失を低減することができ、高い光出力が得られる発光装置を提供することができる。
【符号の説明】
【0061】
１０ 発光装置
１１ 基板
１１Ａ 上面
１１Ｂ 下面
１２ 枠部
１３ 躯体
１３Ａ 凹部
１４Ａ 第１実装電極
１４Ｂ 第２実装電極
１５Ａ 第１導通ビア
１５Ｂ 第２導通ビア
１６ 放熱コア
１７Ａ 第１配線電極
１７Ｂ 第２配線電極
１８ 接合部材
１９ ワイヤ
２０ 発光素子
２０Ａ 突出部
２０Ｂ 上面
２０Ｃ 下面
２０Ｄ 側面
２１ 接着部材
２２ 透光部材
２２Ａ 上面
２２Ｂ 下面
２２Ｃ 側面
２３ 第１被覆部材
２４ 第２被覆部材
２５ 支持基板
２６ 半導体発光機能層
２７Ａ 第１素子電極
２７Ｂ 第２素子電極
２８ 出光領域
２９ 反射部材層
３０ スペーサ
３１ 波長変換粒子
４０ 発光素子
４０Ａ 切欠部
４５ 支持基板
４６ 半導体発光機能層
４７Ａ 第１素子電極
４７Ｂ 第２素子電極
４８ 出光領域
４９ 反射部材層
５０ 発光装置
６０ 発光装置
６２ 透光部材
７０ 発光装置
８０ 発光装置
１１ 基板
１１Ａ 上面
１１Ｂ 下面
１２ 枠部
１３ 躯体
１３Ａ 凹部
１４Ａ 第１実装電極
１４Ｂ 第２実装電極
１５Ａ 第１導通ビア
１５Ｂ 第２導通ビア
１６ 放熱コア
１７Ａ 第１配線電極
１７Ｂ 第２配線電極
１８ 接合部材
１９ ワイヤ
２０ 発光素子
２０Ａ 突出部
２０Ｂ 上面
２０Ｃ 下面
２０Ｄ 側面
２１ 接着部材
２２ 透光部材
２２Ａ 上面
２２Ｂ 下面
２２Ｃ 側面
２３ 第１被覆部材
２４ 第２被覆部材
２５ 支持基板
２６ 半導体発光機能層
２７Ａ 第１素子電極
２７Ｂ 第２素子電極
２８ 出光領域
２９ 反射部材層
３０ スペーサ
３１ 波長変換粒子
４０ 発光素子
４０Ａ 切欠部
４５ 支持基板
４６ 半導体発光機能層
４７Ａ 第１素子電極
４７Ｂ 第２素子電極
４８ 出光領域
４９ 反射部材層
５０ 発光装置
６０ 発光装置
６２ 透光部材
７０ 発光装置
８０ 発光装置
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】