特開 2024-87432 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024087432

(43)【公開日】2024-07-01

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240624BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022202256

(22)【出願日】2022-12-19

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB15

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC12

5E316CC13

5E316CC14

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD25

5E316DD47

5E316EE34

5E316FF03

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF15

5E316FF17

5E316GG15

5E316GG17

5E316HH03

5E316JJ02

5E316JJ03

(57)【要約】

【課題】配線基板における導体層の層数抑制と適正で低損失の信号の伝送、及び品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面２１ａ及び第１面２１ａの反対面である第２面２１ｂを有する第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１の第１面２１ａ側に形成されている第１導体層３１と、を含んでいる。第１導体層３１は、１以上の配線パターンを含む第１導体部３１ａと、第１導体部３１ａの厚さよりも大きな厚さを有していて１以上の配線パターンを含んでいる第２導体部３１ｂと、を有し、第１導体部３１ａは第１信号配線パターン３１１を含み、第２導体部３１ｂは、第１信号配線パターン３１１の厚さよりも大きな厚さを有する第２信号配線パターン３１２を含み、第１導体部３１ａにおける第１絶縁層２１の第２面２１ｂ側と反対側の表面と、第２導体部３１ｂにおける第１絶縁層２１の第２面２１ｂ側と反対側の表面とが略面一である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記第１面側に形成されている第１導体層と、
を含む配線基板であって、
前記第１導体層は、１以上の配線パターンを含む第１導体部と、前記第１導体部の厚さよりも大きな厚さを有していて１以上の配線パターンを含んでいる第２導体部と、を有し、
前記第１導体部は第１信号配線パターンを含み、
前記第２導体部は、前記第１信号配線パターンの厚さよりも大きな厚さを有する第２信号配線パターンを含み、
前記第１導体部における前記第１絶縁層の前記第２面側と反対側の表面と、前記第２導体部における前記第１絶縁層の前記第２面側と反対側の表面とが略面一である。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２信号配線パターンは、少なくとも部分的に前記第１絶縁層の中に埋まっている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層が前記第１絶縁層の中に埋まっていて、前記第１導体層における前記第１絶縁層の前記第１面側の表面が前記第１面に露出している。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体部の前記表面及び前記第２導体部の前記表面それぞれの算術平均粗さＲａは、０．３μｍより小さい。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、平面視において所定の経路で形成されていて前記第１絶縁層を貫通する溝を有し、
前記第２信号配線パターンは、前記溝を埋める導電体によって、又は、前記溝を埋める導電体及び前記第１絶縁層の前記第１面上に前記溝に沿って配置されている導電体によって構成されている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、さらに第２絶縁層及び前記第２絶縁層の上に形成されている第２導体層を含んでおり、
前記第１絶縁層は、前記第２面を前記第２絶縁層に向けて前記第２絶縁層及び前記第２導体層の上に積層されており、
前記第２信号配線パターンは前記第２導体層に接している。

【請求項7】

請求項６記載の配線基板であって、
前記第２導体層は、前記第２信号配線パターンと平面視で重なる導体パターンを含み、
前記第２信号配線パターンは前記導体パターンと接している。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板であって、前記第２信号配線パターンと前記導体パターンとによって単一の配線が構成されている。

【請求項9】

請求項８記載の配線基板であって、前記第１絶縁層の前記第１面及び前記第２面それぞれにおける前記単一の配線の幅は、前記第１面と前記第２面との中間部での幅よりも大きい。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層は、周波数１ＧＨｚにおいて、３．５以下の比誘電率、及び、０．００５以下の誘電正接を有している。

【請求項11】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記配線基板の使用時に半導体素子に覆われる部品領域を有し、
前記第２導体部は平面視で前記部品領域外に位置し、前記第１導体部は平面視で前記部品領域内に位置している。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、大電流を流す厚膜配線パターンと信号データを伝送する微細配線パターンとが混在する第１導体層を含む配線基板が開示されている。微細配線パターンは、厚膜配線パターンの線幅よりも小さい線幅及び厚膜配線パターンの厚さよりも小さい厚さを有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－６６７０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線基板では、信号を伝送する微細配線パターンは、厚膜配線パターンに比べて細い線幅を有する上に小さな厚さを有している。そのため、微細配線パターンの導体抵抗が大きく、十分な効率で信号が伝送され得ないことがある。また、微細配線パターンにおける特性インピーダンスの設定の自由度が低く、１つの導体層において所望の特性インピーダンスが得られないため高速信号が適正に伝送されないことがあると考えられる。また、厚膜配線パターンの一部がその上の樹脂絶縁層内に入り込んでいるため、この樹脂絶縁層の表面に起伏が生じ、配線基板の品質が影響を受けることがあると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記第１面側に形成されている第１導体層と、を含んでいる、そして、前記第１導体層は、１以上の配線パターンを含む第１導体部と、前記第１導体部の厚さよりも大きな厚さを有していて１以上の配線パターンを含んでいる第２導体部と、を有し、前記第１導体部は第１信号配線パターンを含み、前記第２導体部は、前記第１信号配線パターンの厚さよりも大きな厚さを有する第２信号配線パターンを含み、前記第１導体部における前記第１絶縁層の前記第２面側と反対側の表面と、前記第２導体部における前記第１絶縁層の前記第２面側と反対側の表面とが略面一である。

【0006】

本発明の実施形態によれば、少ない層数の導体層を含む配線基板において、所望の伝送特性を備えた配線による損失の少ない適正な信号伝送、及び安定した品質が実現されると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の拡大図。

【図3】図１の配線基板の第２信号配線パターンで形成される配線の一例を示す斜視図。

【図4】図１の配線基板の各信号配線パターンの一例を部分的に示す平面図。

【図5】図１の配線基板における第２信号配線パターンの変形例を示す断面図。

【図6】一実施形態の配線基板の変形例を示す断面図。

【図7】図６のVII部の拡大図。

【図8A】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図8B】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図8C】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図8D】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図8E】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図8F】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図8G】一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9A】一実施形態の配線基板の製造工程の他の例を示す断面図。

【図9B】一実施形態の配線基板の製造工程の他の例を示す断面図。

【図9C】一実施形態の配線基板の製造工程の他の例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１のII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。すなわち、実施形態の配線基板は、配線基板１が有する絶縁層及び導体層に加えて、任意の数の絶縁層及び導体層を含んでいてもよく、図１の配線基板１が有する絶縁層及び導体層の全てを実施形態の配線基板が含まないこともあり得る。なお、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、コア基板５と、コア基板５の一面５ａ上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板５は絶縁層５１及び導体層５２を含んでいる。コア基板５の一面５ａ上には、順に絶縁層２４、導体層３４、絶縁層２３、導体層３３、絶縁層２２（第２絶縁層）、導体層３２（第２導体層）、絶縁層２１（第１絶縁層）、導体層３１（第１導体層）、絶縁層２５、及び導体層３５が、積層されている。図示されていないが、導体層３５、及び導体層３５に覆われていない絶縁層２５の表面上に、導体層３５の一部を露出させるようにソルダーレジストが形成されていてもよい。なお、図１では配線基板１におけるコア基板５の一面５ａの反対側は描かれていないが、配線基板１は、コア基板５の一面５ａの反対側にも、それぞれ１以上の絶縁層及び導体層を備え得る。

【0010】

絶縁層２３及び絶縁層２４には、各絶縁層を貫通して各絶縁層を挟む２つの導体層同士を接続するビア導体４３が設けられている。一例として、絶縁層２３を貫通するビア導体４３は、導体層３３と導体層３４とを接続している。なお、図１には示されていないが、絶縁層２１、２２、及び２５にも、ビア導体４３と同様のビア導体が形成されていてもよい。コア基板５の絶縁層５１には、導体層５２と、一面５ａと反対側の表面上に形成されている図示されない導体層とを接続するスルーホール導体５３が設けられている。スルーホール導体５３の中空部は、エポキシ樹脂などからなる充填体５４で充填されている。

【0011】

図１の例の配線基板１は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品Ｅに平面視において覆われる部品領域Ａ１と、部品領域Ａ１外の領域Ａ２とを有している。部品Ｅとしては、マイコンやメモリなどの半導体集積回路装置や、トランジスタやダイオードなどの個別半導体素子などが例示される。部品Ｅは、例えばパッケージングされた、若しくはベアチップ状態の半導体素子であり得る。なお「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。

【0012】

実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向（積層方向）において絶縁層５１から遠い側は、「外側」、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層５１に近い側は、「内側」、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、導体層や絶縁層のような各構成要素において絶縁層５１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層５１側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板１の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

【0013】

絶縁層２１は、コア基板５（絶縁層５１）と反対側を向く上面である第１面２１ａと、第１面２１ａの反対面であってコア基板５側を向く下面である第２面２１ｂとを有している。絶縁層２１は、第２面２１ｂを絶縁層２２に向けて絶縁層２２及び導体層３２の上に積層されている。導体層３２は、絶縁層２２の上に形成されている。一方、導体層３１は、絶縁層２１の第１面２１ａ側に形成されている。図１の例では、導体層３１は、主に絶縁層２１の第１面２１ａの上に形成されている。

【0014】

絶縁層２１～２５及び絶縁層５１は、それぞれ、絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂、及び、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性樹脂が例示される。絶縁層２１～２５及び絶縁層５１は、シリカやアルミナなどの無機フィラー（図示せず）を含み得る。図１において絶縁層５１は、ガラス繊維などの補強材（芯材）５１ａ含んでいる。絶縁層２１～２５も、例えばガラス繊維からなる図示されない補強材を含んでいてもよい。

【0015】

絶縁層２１～２５が無機フィラーを含む場合、含まれる無機フィラーとしては、粒径（無機フィラーの表面上の２点間の最長距離）の小さな無機フィラーが好ましい。例えば、絶縁層２１～２５は、最大でも１μｍ以下の粒径を有する複数の無機フィラーを含み得る。各絶縁層に含まれる無機フィラーの粒径が小さいと、無機フィラーに沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、微小なビア導体４３の形成が容易なことがある。

【0016】

加えて、絶縁層２１～２５の材料としては、低い比誘電率及び低い誘電正接を有している絶縁材が好ましい。絶縁層２１～２５それぞれの上に形成される各導体層において良好な高周波信号の伝送特性が得られると考えられる。例えば、１ＧＨｚの周波数において絶縁層２１～２５それぞれの比誘電率は、３．０以上、３．５以下程度であり得、誘電正接は、０．００１以上、０．００５以下程度であり得る。例えば、絶縁層２１が、周波数１ＧＨｚにおいて、３．５以下の比誘電率、及び、０．００５以下の誘電正接を有していてもよい。主に導体層３１において高周波信号が適正に伝送されると考えられる。

【0017】

導体層３１～３５、導体層５２、ビア導体４３、及びスルーホール導体５３は、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成されている。これら各導体層３１～３５、５２、各ビア導体４３、及びスルーホール導体５３は、図１では簡略化されて１つの層だけを有するように描かれているが、拡大図である図２に示される導体層３１などのように多層構造を有し得る。具体的には、導体層３１～３５のような各導体層、及びビア導体４３は、図２に示されるように、下層３０ａと、下層３０ａ上に形成されている上層３０ｂとによって構成されていてもよい。下層３０ａは、例えば、無電解めっき膜やスパッタ膜であり得、上層３０ｂは、下層３０ａを給電層として用いて形成される電解めっき膜であり得る。

【0018】

導体層３１～３５及び導体層５２は、それぞれ、電流が流れたり電気信号が伝播したりする配線パターンや、ビア導体４３のようなビア導体と接続されるビアパッドなどの任意の導体パターンを含み得る。図１の例において導体層３１は、複数の第１信号配線パターン３１１及び複数の第２信号配線パターン３１２を含んでいる。また、導体層３５は、配線基板１の使用時に配線基板１に搭載される部品Ｅと接続される部品搭載パッド３５１を含んでいる。「信号配線パターン」は、その両端間の任意の区間において、例えばデジタル信号やアナログ信号などの任意の電気信号を単一方向又は双方向に伝播させる信号線として機能する導体パターンである。

【0019】

図１に示されるように、第２信号配線パターン３１２は第１信号配線パターン３１１の厚さよりも大きな厚さを有している。すなわち、導体層３１は、第１信号配線パターン３１１のような１以上の配線パターンを含む第１導体部３１ａと、第１導体部３１ａの厚さよりも大きな厚さを有している第２導体部３１ｂと、を有している。第２導体部３１ｂは、第２信号配線パターン３１２のような１以上の配線パターンを含んでいる。図１の例において第１導体部３１ａは複数の第１信号配線パターン３１１を含み、第２導体部３１ｂは複数の第２信号配線パターン３１２を含んでいる。しかし、本実施形態において第１導体部３１ａは、１以上の任意の数の第１信号配線パターン３１１を含み得る。同様に、本実施形態において第２導体部３１ｂは、１以上の任意の数の第２信号配線パターン３１２を含み得る。

【0020】

このように実施形態の配線基板では、導体層３１のような１つの導体層が、互いに厚さの異なる部分（導体層３１において、第１導体部３１ａ、及び第１導体部３１ａよりも厚い第２導体部３１ｂ）を有している。そして、各導体部が信号配線パターンを含んでいる。図１の例において第１導体部３１ａは第１信号配線パターン３１１を含み、第２導体部３１ｂは、第１信号配線パターン３１１よりも厚い第２信号配線パターン３１２を含んでいる。

【0021】

実施形態の配線基板では、このように１つの導体層が互いに異なる厚さを有する信号配線パターンを含んでいるので、例えば、求められる特性インピーダンスが互いに異なる２つの信号線を１つの導体層内に配置し易いことがある。そのため、それぞれが所望の特性インピーダンスを有する複数の信号線を含む配線基板が、層数の少ない導体層で実現され得ることがある。

【0022】

加えて、挿入損失の少ない信号線を含む導体層と別個の導体層を設けることなく、比較的高い特性インピーダンスを有していてファインピッチで並ぶ信号線を配置し得ることがある。すなわち、実施形態の配線基板では、１つの導体層（図１の例において導体層３１）が、互いに厚さの異なる第１信号配線パターン３１１と第２信号配線パターン３１２とを含んでいる。第１信号配線パターン３１１は、第２信号配線パターン３１２よりも薄いので第２信号配線パターン３１２よりも高い特性インピーダンスを有し得る。従って、第２信号配線パターン３１２で構成される挿入損失の少ない信号線と、例えばこの信号線よりも高い特性インピーダンスを有する信号線（第１信号配線パターン３１１で構成され得る信号線）とを、１つの導体層（図１の例において導体層３１）に混在させ得ることがある。このように、本実施形態によれば、より少ない数の導体層を含む配線基板において、所望の伝送特性を備えた配線による、損失の少ない適正な信号伝送が実現されると考えられる。

【0023】

さらに、本実施形態では、図２に示されるように、第１導体部３１ａにおける絶縁層２１の第２面２１ｂ側と反対側の表面である上面３１ｃと、第２導体部３１ｂにおける絶縁層２１の第２面２１ｂ側と反対側の表面である上面３１ｄとは略面一である。そのため、導体層３１を覆う絶縁層２５において平坦な上面が得られ、導体層３５が安定して形成されると考えられる。従って、導体層３５において、引いては、配線基板１において安定した品質が得られると考えられる。加えて、配線基板１に、所望の部品（図示せず）が安定して搭載されることもある。また、第１導体部３１ａの上面３１ｃと第２導体部３１ｂの上面３１ｄとが略面一なので、第１信号配線パターン３１１の上面と、第２信号配線パターン３１２の上面も略面一である。例えば、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２それぞれの上に同じ条件で容易に、ビア導体４３のようなビア導体が形成され得ることがある。なお、第１導体部３１ａの上面３１ｃと第２導体部３１ｂの上面３１ｄとが「略面一」は、上面３１ｃと上面３１ｄとのＺ方向における位置の差が１μｍ以内であることを意味している。

【0024】

図１の例の配線基板１では、第２導体部３１ｂは、平面視で部品領域Ａ１外の領域Ａ２に位置し、第１導体部３１ａは平面視で部品領域Ａ１内に位置している。従って、第１信号配線パターン３１１は、部品領域Ａ１内に配置されている。図２に示されるように、第１信号配線パターン３１１の最小の配線幅Ｗ１は、第２信号配線パターン３１２の最小の配線幅Ｗ２よりも小さい。また、第１信号配線パターン３１１のような第１導体部３１ａに含まれる配線パターン同士の最小の間隔Ｇ１は、第２信号配線パターン３１２のような第２導体部３１ｂに含まれる配線パターン同士の最小の間隔Ｇ２よりも小さい。配線基板１の使用時に半導体素子のような部品Ｅに覆われる部品領域Ａ１に、微細なピッチで並ぶ第１信号配線パターン３１１を配置することによって、部品Ｅの微細なピッチで並ぶ電極を効率良く引き出し得ることがある。

【0025】

第１導体部３１ａの上面３１ｃ及び第２導体部３１ｂの上面３１ｄは、それぞれ、任意の面粗度を有し得る。しかし、これら各導体部の上面３１ｃ及び上面３１ｄ、すなわち、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２それぞれの上面（絶縁層２１側と反対側の表面）の低い面粗度が、良好な信号伝送の観点で好ましいことがある。すなわち、これら各信号配線パターンを高周波信号が伝播する時に、表皮効果によってもたらされる伝送損失が抑制されることがある。そのため、第１導体部３１ａの上面３１ｃ及び第２導体部３１ｂの上面３１ｄは、配線基板１の製造工程において、任意の方法による研磨によって仕上げられた研磨面であってもよい。研磨によって、上面３１ｃ及び３１ｄにおいて低い面粗度が得られることがある。一例として、第１導体部３１ａの上面３１ｃ及び第２導体部３１ｂの上面３１ｄそれぞれの算術平均粗さＲａは、０．０３μｍ以上であって、０．３μｍより小さい。適度な研磨時間で上述したような伝送損失の抑制効果が得られることがある。

【0026】

図２の例において第１信号配線パターン３１１は、その全体が、絶縁層２１の第１面２１ａ上に形成されていて、第１信号配線パターン３１１全体が絶縁層２１の第１面２１ａから突出している。第２信号配線パターン３１２以外の部分における導体層３１の厚さでもあり得る第１信号配線パターン３１１の厚さＴ１は、例えば、５μｍ以上、１５μｍ以下であり得る。ファインピッチで並ぶ第１信号配線パターン３１１のような配線パターンが、導体層３１に形成されると考えられる。

【0027】

一方、第２信号配線パターン３１２は、部分的に絶縁層２１の中に埋まっている。図２の例において第２信号配線パターン３１２は、絶縁層２１の中に埋まっている第１部分３ａと、絶縁層２１の第１面２１ａ上に突出している第２部分３ｂとを有している。そのため、第２信号配線パターン３１２は、第１信号配線パターン３１１よりも大きな厚さを有し得る。図２の例の第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａと第２部分３ｂとは、一体的に形成されている。なお、後に参照される図６及び図７に示される例のように、第２信号配線パターン３１２の全体が絶縁層２１の中に埋まっていてもよい。本実施形態において第２信号配線パターン３１２は、少なくとも部分的に絶縁層２１の中に埋まっている。

【0028】

引き続き図２を参照すると共に図３及び図４を参照して、本実施形態の配線基板１における導体層３１の第１導体部３１ａ、第２導体部３１ｂ、第１信号配線パターン３１１、及び第２信号配線パターン３１２が、さらに詳細に説明される。図３には、第２信号配線パターン３１２で形成される配線Ｃの一例が示されており、図４には、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２の一部についての導体層３５（図１参照）側からの平面図が示されている。

【0029】

図２に示されるように、配線基板１は、絶縁層２１を貫通する溝６を有している。溝６は、図３及び図４に示されるように、平面視において所定の経路で形成されている。第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａは、溝６の内部に形成されている。換言すると、溝６は、第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａで充填されている。そして、第２信号配線パターン３１２の第２部分３ｂは、図２～図４に示されるように、絶縁層２１の第１面２１ａ上に溝６に沿って延在している。このように、第２信号配線パターン３１２は、溝６を埋める導電体である第１部分３ａと、絶縁層２１の第１面２１ａ上に溝６に沿って配置されている導電体である第２部分３ｂとによって構成されている。

【0030】

このように構成される第２信号配線パターン３１２は、第２部分３ｂにおいて比較的小さな幅を有していても、第１部分３ａによって信号線の断面積を補うことができる。そのため、第２信号配線パターン３１２の導体抵抗を、第１部分３ａを有さない信号配線パターンと比べて小さくすることができ、伝送損失の少ない信号線をファインピッチで配置し得ることがある。

【0031】

すなわち、ファインピッチで信号線が並ぶように信号配線パターンの幅が小さくされると、信号線の導体抵抗は増加する。さらに、ファインピッチで並ぶように狭い間隔で配置される信号配線パターンは、その形成において適切にパターニングされるように、比較的小さな厚さで形成される。そのため、信号線の導体抵抗はさらに増加傾向となり、その結果、例えば、挿入損失のような高周波信号伝送時の損失が増大する。これに対して、図２などに例示の実施形態が含む第２信号配線パターン３１２は、絶縁層２１の中に埋まっている第１部分３ａを有している。絶縁層２１上の第２部分３ｂの幅や厚さの増大ではなく、第１部分３ａの具備によって、導体抵抗の増加が低減されている。そのため、挿入損失の抑制が必要な信号線を第２信号配線パターン３１２で構成することによって、ファインピッチで並びながら、挿入損失の少ない信号線を実現し得ることがある。

【0032】

さらに、図２の例において第２信号配線パターン３１２は、導体層３２（第２導体層）に接している。導体層３２は、第２信号配線パターン３１２と平面視で重なる導体パターン３２２を含んでいる。導体パターン３２２に第２信号配線パターン３１２が接している。その結果、図３に示されるように、第２信号配線パターン３１２と導体パターン３２２とによって、信号線である単一の配線Ｃが構成されている。そのため、導体層３２２の一部も、第２信号配線パターン３１２内を伝播する信号の伝送に寄与し得る。すなわち、第２信号配線パターン３１２を伝播する電気信号に対する配線Ｃの電気抵抗は、第２信号配線パターン３１２単独の導体抵抗よりも小さい。従って、第２信号配線パターン３１２を伝播する電気信号の伝送損失が一層抑制されると考えられる。

【0033】

図２などの例では、溝６及び第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａは、絶縁層２１の第１面２１ａ側から第２面２１ｂ側に向かって先細りするテーパー形状を有している。第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａと接する導体層３２の導体パターン３２２の幅を、第２部分３ｂの幅よりも小さくし得ることがある。

【0034】

図３に示されるように、絶縁層２１の第１面２１ａ及び第２面２１ｂそれぞれにおける単一の配線Ｃの幅Ｄ１、Ｄ２は、第１面２１ａと第２面２１ｂとの中間部Ｍにおける単一の配線Ｃの最大の幅Ｄ３よりも大きい。表皮効果によって表面付近を伝播する高周波信号に対する実質的な伝送路の断面積が大きいので、伝送効率に関して有利なことがある。中間部Ｍでの単一の配線Ｃの幅Ｄ３は、例えば、絶縁層２１の第１面２１ａにおける単一の配線Ｃの幅Ｄ１の５０％以上、８０％以下である。すなわち、第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａの幅は、絶縁層２１の第１面２１ａと第２面２１ｂとの間の全体に渡って、第２部分３ｂの幅の５０％以上、８０％以下であり得る。第２信号配線パターン３１２と導体パターン３２２との適切な接続強度が得られると共に、溝６同士の間での絶縁層２１の破損が防止されると考えられる。

【0035】

第２信号配線パターン３１２に貫通される絶縁層２１の厚さＴ４（導体層３２の上面と絶縁層２１の第１面２１ａとの間のＺ方向における距離）は、例えば、３μｍ以上、２５μｍ以下である。そして第２信号配線パターン３１２の全体の厚さＴ２（導体層３２と対向する下面と、上面３１βとの間のＺ方向における距離）は、例えば、８μｍ以上、４０μｍ以下である。さらに単一の配線Ｃ全体の厚さＴ３（導体パターン３２２の下面と第２信号配線パターン３１２の上面３１βとの間のＺ方向における距離）は、例えば、１３μｍ以上、５５μｍ以下である。実施形態の配線基板が無用に厚くならずに、第２信号配線パターン３１２が所望の小さな導体抵抗を有し得ることがある。

【0036】

図４の例において、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２は、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２が並んでいる方向と略直交する方向に延びている。図４の例では、３つの第２信号配線パターン３１２のうちの右端の第２信号配線パターン３１２の第２部分３ｂは、絶縁層２５（図１参照）を貫通するビア導体４２によって導体層３５（図１参照）と接続されている。一方、右端の第２信号配線パターン３１２と接している導体層３２の導体パターン３２２は、絶縁層２２（図２参照）を貫くビア導体４１によってさらに下側の導体層３３（図２参照）と接続されている。従って図４の例において右端の第２信号配線パターン３１２は、導体層３５及び導体層３３と電気的に接続されている。このように、実施形態の配線基板において第２信号配線パターンは、第２信号配線パターンの少なくとも一部を含む導体層（導体層３１）及び第２信号配線パターンと接する導体層（導体層３２）両方の、上側及び／又は下側の導体層と電気的に接続されていてもよい。

【0037】

図５には、本実施形態の配線基板における第２信号配線パターン３１２の変形例が、図２と同様の第１信号配線パターン３１１と共に示されている。図５の例の第２信号配線パターン３１２では、第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａと第２部分３ｂは、界面ＩＳを介して接している。第１部分３ａ及び第２部分３ｂそれぞれが、個別に下層３０ａ及び上層３０ｂを含んでいる。すなわち、図５の例の第２信号配線パターン３１２は、第１部分３ａと第２部分３ｂとを順次形成することによって形成されている。絶縁層２１の第１面２１ａ上に延在する導電体（第２信号配線パターン３１２の第２部分３ｂ）と、絶縁層２１を貫通する溝６内を充填する導電体（第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａ）と、絶縁層２１の第２面２１ｂから絶縁層２１の内部に入り込んでいる導電体（導体層３２の導体パターン３２２）とによって、単一の配線Ｃが形成されている。実施形態の配線基板は、図５の例のような第２信号配線パターン３１２を含んでいてもよい。第２信号配線パターン３１２の形成が容易なことがある。

【0038】

図６には、本実施形態の配線基板の変形例である、配線基板１ａが示されている。図７には、図６の配線基板１ａのVII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１ａは、主に、導体層３１の構造に関して、図１などに例示の配線基板１と異なっている。以下では、配線基板１ａにおける配線基板１との相違点が主に説明され、配線基板１と同様の構造や構成材料についての説明は省略される。図６及び図７においても、図１又は図２に示される構成要素と同様の構成要素については、図１又は図２に付されている符号と同様の符号が付されるか適宜省略されている。

【0039】

図６及び図７に示されるように、配線基板１ａにおいても、導体層３１は、第１導体部３１ａと、第１導体部３１ａの厚さよりも大きな厚さを有する第２導体部３１ｂを有している。第１導体部３１ａは、第１信号配線パターン３１１のような１以上の配線パターンを含み、第２導体部３１ｂは、第２信号配線パターン３１２のような、第１信号配線パターン３１１の厚さよりも大きな厚さを有する１以上の配線パターンを含んでいる。また、第１導体部３１ａの上面と第２導体部３１ｂの上面とが略面一である。しかし配線基板１ａでは、導体層３１は絶縁層２１の中に埋まっていて、導体層３１における絶縁層２１の第１面２１ａ側の表面である上面３１０が、絶縁層２１の第１面２１ａに露出している。すなわち、導体層３１は絶縁層２１の第１面２１ａ付近に埋設されていて、上面３１０以外の導体層３１の表面は絶縁層２１に覆われている。

【0040】

このような配線基板１ａでは、図７に示されるように、第１信号配線パターン３１１も絶縁層２１に埋まっていてその上面が絶縁層２１の第１面２１ａに露出している。また、第２信号配線パターン３１２は、第１部分３ａだけでなく第２部分３ｂも含めて全体的に絶縁層２１に埋まっていてその上面が絶縁層２１の第１面２１ａに露出している。

【0041】

配線基板１ａにおいても、導体層３１の上面３１０は研磨面であり得、この研磨面が絶縁層２１の第１面２１ａに露出している。図７の例では、導体層３１の上面３１０（すなわち第１信号配線パターン３１１の上面及び第２信号配線パターン３１２の上面）は、絶縁層２１の第１面２１ａと略面一である。研磨面であり得る導体層３１の露出面が絶縁層２１の第１面２１ａと略面一なので、配線基板１ａの表面において、一層高い平坦性が得られると考えられる。配線基板１ａに、所望の部品（図示せず）が、より安定して搭載され得ると考えられる。

【0042】

配線基板１ａは、図１などに例示の配線基板１と同様に、絶縁層２１を貫通する溝６を有し、第２信号配線パターン３１２は、溝６を埋める導電体によって構成されている。すなわち、第２信号配線パターン３１２の全体が、溝６を埋める導電体によって構成されている。配線基板１ａは、さらに、絶縁層２１の第１面２１ａに絶縁層２１を貫通しない溝６１を有しており、第１信号配線パターン３１１は、溝６１内に形成されていて溝６１を充填している。配線基板１ａの導体層３１はその全体が、絶縁層２１の第１面２１ａに設けられている有底の凹部又は貫通孔内に形成されていてその有底の凹部及び貫通孔を充填している。このような構造を有する導体層３１では、配線基板１の製造時に、第１信号配線パターン３１１や第２信号配線パターン３１２のような各配線パターン同士の間に導電体の残渣が存在し難く、そのため短絡不良が生じ難いと考えられる。従って、一層微細なピッチで並ぶ各信号配線パターンの実現が可能なことがある。

【0043】

配線基板１ａが含む溝６は、導体層３２に達する第１部分６ａと、第１部分６ａと絶縁層２１の第１面２１ａとの間の部分である第２部分６ｂとを有している。第２信号配線パターン３１２は、溝６の第１部分６ａを充填する第１部分３ａと、溝６の第２部分６ｂを充填する第２部分３ｂとを有している。第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａと第２部分３ｂは一体的に形成されている。

【0044】

図１などに例示の配線基板１と同様に、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２は、それぞれ、例えばスパッタ膜である下層３０ａと、下層３０ａ上に形成されている例えば電解めっき膜である上層３０ｂとによって構成されている。そして配線基板１ａにおいて下層３０ａは、溝６又は溝６１の底面及び壁面に沿って形成されている。すなわち導体層３１が含んでいる第１信号配線パターン３１１や第２信号配線パターン３１２のような導体パターンにおいて下層３０ａは上層３０ｂの下面及び側面を覆っている。下層３０ａは、上層３０ｂと絶縁層２１との間に介在している。

【0045】

図６では省略されているが、図６の例の配線基板１ａが含む絶縁層２１は、図７に示されるようにバリア層２１ｃを含むことがある。バリア層２１ｃにおける絶縁層２１の第１面２１ａ側の表面は、第２信号配線パターン３１２の第２部分３ｂ及び第１信号配線パターン３１１それぞれにおける絶縁層２１の第２面２１ｂ側の表面に接している。図７の例の絶縁層２１は、バリア層２１ｃと、バリア層２１ｃよりも上側及び下側の部分を構成する本体層２１ｄとによって構成されている。本体層２１ｄは、図１の配線基板１の絶縁層２１の材料として例示されたエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂や各種の熱可塑性樹脂によって形成されている。

【0046】

一方、バリア層２１ｃは、絶縁層２１への溝６１や、溝６の第２部分６ｂの形成に用いられる加工手段への耐性が本体層２１ｄの構成材料よりも高い材料で形成される。例えばエキシマレーザー光が照射されるレーザー加工で溝６１などが形成される場合、バリア層２１ｃは、シリコン酸化物、又は、シリコン窒化物で形成され得る。そのようなバリア層２１ｃを絶縁層２１が含んでいると、所望の深さを有する溝６の第２部分６ｂや溝６１の形成が容易なことがある。なお、バリア層２１ｃは配線基板１ａにおいて絶縁層２１に含まれていなくてもよい。例えば、溝６１などの形成における加工条件、例えばレーザー光のパワーなどを調整することによって、所望の深さの溝６１が形成され得る。

【0047】

なお、図７に例示のバリア層２１ｃを含む絶縁層２１が形成される場合は、後述される絶縁層２１の形成工程において、フィルム状の樹脂の積層及び熱圧着が２回行われ、その間にバリア層２１ｃが形成される。すなわち、１回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着によって、絶縁層２１におけるバリア層２１ｃよりも下側の本体層２１ｄが形成される。その後、その本体層２１ｄ上に、例えばスパッタリングによって、バリア層２１ｃとしてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜が形成される。そのバリア層２１ｃ上に２回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着を行うことによって、バリア層２１ｃよりも上側の本体層２１ｄが形成される。

【0048】

つぎに、図１の配線基板１が製造される場合を例に、一実施形態の配線基板を製造する方法の一例が、図８Ａ～図８Ｇを参照して説明される。なお、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。

【0049】

図８Ａに示されるように、絶縁層５１とその両面の導体層５２とを含むコア基板５が用意され、その両面に絶縁層２４が形成される。コア基板５の用意では、例えば絶縁層５１となる絶縁層とその両面に接合された金属箔とを含む両面銅張積層板が用意され、例えばドリル加工による貫通孔の形成後、例えば無電解めっき及び電解めっきによって貫通孔内にスルーホール導体５３が形成される。スルーホール導体５３の内部をエポキシ樹脂などで充填することによって充填体５４が形成された後、例えば、無電解めっき及び電解めっきを含むサブトラクティブ法によって、所定の導体パターンを含む導体層５２が形成される。導体層５２と絶縁層５１とを含むコア基板５が用意される。

【0050】

用意されたコア基板５の両面に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂を絶縁層５１及び導体層５２上に積層して熱圧着することによって、絶縁層２４が形成される。前述したように、絶縁層２４は、エポキシ樹脂以外にも、ＢＴ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂を用いて形成され得る。

【0051】

図８Ｂに示されるように、コア基板５の一面５ａ上の絶縁層２４の上に、導体層３４が形成される。まず、絶縁層２４におけるビア導体４３の形成位置に、炭酸ガスレーザー光の照射などによって貫通孔が形成される。その後、例えばセミアディティブ法などの任意の導体層の形成方法を用いて、導体層３４が形成される。絶縁層２４に形成された貫通孔内にはビア導体４３が形成される。なお、図８Ｂ、及び、以下で参照される図８Ｃ～図８Ｇ及び図９Ａ～図９Ｃでは、コア基板５の一面５ａ側と反対側の描画は省略されている。しかし、コア基板５の一面５ａ側と反対側においても、図８Ｂ～図８Ｇ又は図９Ａ～図９Ｃに示される工程で、コア基板５の一面５ａ側と同様の積層構造又は異なる積層構造を有する絶縁層と導体層との積層体が形成されてもよい。

【0052】

上述の絶縁層２４、ビア導体４３、及び導体層３４それぞれの形成方法と同様の方法で、絶縁層２３、絶縁層２３を貫くビア導体４３、及び導体層３３が形成され、さらに同様の方法で、絶縁層２２及び導体層３２が形成される。図８Ｂの例では、適切なめっきマスクの使用によって、導体層３２に導体パターン３２２が設けられている。導体パターン３２２は、後工程で形成される導体層３１の第２信号配線パターン３１２（図１参照）が形成されるべき経路に平面視において沿うように形成される。なお、導体層３２～３４は、図８Ｃ～図８Ｆを参照して以下に説明される導体層３１の形成方法と同じ方法で形成されてもよい。

【0053】

図８Ｃに示されるように、さらに、絶縁層２２及び導体層３２の上に、絶縁層２４の形成方法と同様の方法で絶縁層２１が形成される。すなわち、例えばフィルム状のエポキシ樹脂を絶縁層２２及び導体層３２上に積層し、熱圧着することによって絶縁層２１が形成される。前述したように絶縁層２１は、エポキシ樹脂以外にも、ＢＴ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂を用いて形成され得る。

【0054】

絶縁層２１には、導体層３２に達する溝６が、炭酸ガスレーザー光、エキシマレーザー光、又はＵＶレーザー光などの照射によって形成される。溝６は、後工程で形成される導体層３１の第２信号配線パターン３１２（図１参照）が形成されるべき経路に沿って形成される。すなわち、溝６は、導体層３２の導体パターン３２２の上に形成される。導体パターン３２２は、溝６を形成すべく照射されるレーザー光のストッパとして機能する。

【0055】

溝６の形成後、好ましくは、溝６の内部に残る樹脂屑（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理は、過マンガン酸塩溶液などの薬液への浸漬を含むウェット処理であってもよいが、ドライ処理であってもよい。例えば、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理が、ドライ処理として行われてもよい。プラズマ処理によるデスミア処理では、ウェット処理と比べて絶縁層２１の第１面２１ａの浸食が抑制されることがある。

【0056】

そして、溝６の内部の露出面、並びに絶縁層２１の第１面２１ａの全面に、例えばスパッタリングや無電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなるシード層３０ａａが形成される。スパッタリングを用いることによって、絶縁層２１との間で高い密着性を示すシード層３０ａａを形成し得ることがある。シード層３０ａａの一部は、後工程で形成される導体層３１の下層３０ａ（図２参照）となり得る。

【0057】

図８Ｄに示されるように、シード層３０ａａ上にめっきレジストＲ１が、例えばシード層３０ａａ上へのドライフィルムレジストのラミネートにより形成される。めっきレジストＲ１には、それぞれ溝状の開口部Ｒ１１及び開口部Ｒ１２が形成される。開口部Ｒ１１、Ｒ１２は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。開口部Ｒ１１は、平面視で溝６と重なることによって、シード層３０ａａに覆われた溝６が開口部Ｒ１１内に収まるように溝６の経路に沿って形成される。例えば、それぞれが１５μｍ～４５μｍの幅を有していて１５μｍ～４５μｍの間隔で並ぶ複数の溝状の開口部Ｒ１１が形成される。

【0058】

一方、開口部Ｒ１２は、導体層３１の第１信号配線パターン３１１（図１参照）が形成されるべき経路に沿って形成される。めっきレジストＲ１には、開口部Ｒ１１、Ｒ１２以外にも、導体層３１が含むべき導体パターンに対応するパターンで開口部が形成される。

【0059】

めっきレジストＲ１の形成後、めっきレジストＲ１の開口部Ｒ１１、Ｒ１２内に、シード層３０ａａを給電層として用いる電解めっきによって電解めっき膜３０ｂｂが形成される。例えば銅やニッケルなどからなる電解めっき膜３０ｂｂが形成される。図８Ｄの例のように、開口部Ｒ１１、Ｒ１２内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出するように形成されてもよい。

【0060】

電解めっき膜３０ｂｂの形成によって、絶縁層２１の第１面２１ａ上に導体層３１が形成される。電解めっき膜３０ｂｂの一部は、導体層３１の上層３０ｂ（図２参照）となり得る。溝６及び開口部Ｒ１１内のシード層３０ａａ及び電解めっき膜３０ｂｂは、配線基板の完成時には第２信号配線パターン３１２（図１参照）を構成する。溝状の開口部Ｒ１２内のシード層３０ａａ及び電解めっき膜３０ｂｂは、配線基板の完成時には第１信号配線パターン３１１（図１参照）を構成する。

【0061】

めっきレジストＲ１の上面からの突出部分を含む電解めっき膜３０ｂｂの上面側の一部が、図８Ｅに示されるように、研磨によって除去される。めっきレジストＲ１の上面側の一部も、電解めっき膜３０ｂｂの一部と共に除去されてもよい。金属膜３０ｂｂ及びめっきレジストＲ１の研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）などの任意の方法により行われる。研磨の結果、金属膜３０ｂｂの上面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さＲａを有し得る。高周波信号の伝送に関して良好な伝送特性を有する配線パターンが得られることがある。

【0062】

電解めっき膜３０ｂｂの研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。さらに、シード層３０ａａにおける電解めっき膜３０ｂｂに覆われていない部分が、例えばクイックエッチングなどによって除去される。

【0063】

その結果、図８Ｆに示されるように、第１信号配線パターン３１１及び第２信号配線パターン３１２などの互いに分離された所定の導体パターンを含む導体層３１が得られる。電解めっき膜３０ｂｂ（図８Ｅ参照）が研磨されているので、第１信号配線パターン３１１の上面と第２信号配線パターン３１２の上面とは略面一である。第２信号配線パターン３１２は、導体層３２の導体パターン３２２と接している。第２信号配線パターン３１２と、導体パターン３２２とによって単一の配線が構成されている。

【0064】

図８Ｇに示されるように、絶縁層２１及び導体層３１の上に、絶縁層２５及び導体層３５が形成される。絶縁層２５は、例えば、前述された絶縁層２４の形成方法と同様の方法で形成され得る。また、導体層３５は、例えば、前述された導体層３４の形成方法、又は、前述された導体層３１の形成方法と同様の方法で形成され得る。以上の工程を経ることによって、図１の例の配線基板１が完成する。

【0065】

なお、図５の変形例の第２信号配線パターン３１２が形成される場合は、図８Ｃに示される状態から、シード層３０ａａの全面に電解めっき膜が形成され、絶縁層２１の第１面２１ａ上のシード層３０ａａ及びその上に形成された電解めっき膜が研磨によって除去される。溝６内だけにシード層３０ａａ及びその上に形成された電解めっき膜が残存し、それらによって構成される第２信号配線パターン３１２の第１部分３ａ（図５参照）が形成される。それらの上にスパッタリングなどで、第２信号配線パターン３１２の第２部分３ｂの下層３０ａ（図５参照）となるシード層が形成される。そして、例えば図８Ｄ～図８Ｆを参照して説明された方法と同様の方法で、第２信号配線パターン３１２の第２部分３ｂや第１信号配線パターン３１１などを含む導体層３１が形成される。

【0066】

つぎに、図６の配線基板１ａが製造される場合を例に、一実施形態の配線基板を製造する方法の他の例が、図９Ａ～図９Ｃを参照して説明される。なお、前述したように、配線基板１ａは、主に導体層３１の構造に関して、図１などに例示の配線基板１と異なるので、導体層３１の形成方法が主に説明される。

【0067】

図９Ａに示されるように、先に参照された図８Ｂに示される状態から、図８Ｃを参照して説明された方法と同様の方法で絶縁層２１が形成され、絶縁層２１に、絶縁層２１を貫通する溝６、及び絶縁層２１を貫通しない溝６１が形成される。絶縁層２１の形成において、前述されたような方法でバリア層２１ｃ（図７参照）が形成されてもよい。溝６として、導体層３２に達する第１部分６ａと、第１部分６ａと絶縁層２１の第１面２１ａとの間の部分である第２部分６ｂとを有する溝が形成される。絶縁層２１には、溝６、６１以外にも、導体層３１（図９Ｃ参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで、溝、凹部、及び／又は貫通孔などが形成され得る。

【0068】

溝６は、後工程で形成される導体層３１の第２信号配線パターン３１２（図９Ｃ参照）が形成されるべき経路に沿って形成される。溝６１は、導体層３１の第１信号配線パターン３１１（図９Ｃ参照）が形成されるべき経路に沿って形成される。溝６の第１部分６ａは、例えば、炭酸ガスレーザー光やＵＶレーザー光の照射によって形成される。溝６の第１部分６ａは、バリア層２１ｃ（図７参照）が形成されている場合には、バリア層２１ｃを貫いて導体層３２に達するように形成される。

【0069】

溝６１、及び溝６の第２部分６ｂは、例えばエキシマレーザー光の照射によって、所定の深さを有するように形成される。図７に例示のバリア層２１ｃが形成されている場合は、バリア層２１ｃでレーザー光の透過が防がれるため、容易に、所望の深さの溝６１、及び溝６の第２部分６ｂを形成し得ることがある。バリア層２１ｃが形成されていなくても、例えばエキシマレーザー光の条件の調整などにより、所望の深さの溝６１などを形成することができる。溝６１などの形成のためのレーザー光による加工が絶縁層２１の第１面２１ａから所定の深さまでに制限されるように、レーザー光に対する被加工性の異なる材料の積層体として絶縁層２１が形成されてもよい。

【0070】

溝６１及び溝６の形成後、好ましくはプラズマ処理などによるデスミア処理が行われる。そして、溝６及び溝６１それぞれの内部の露出面、並びに絶縁層２１の第１面２１ａの全面に、例えば、スパッタリングや無電解めっきによってシード層３０ａａが形成される。シード層３０ａａの一部は、導体層３１の下層３０ａ（図７参照）となり得る。

【0071】

図９Ｂに示されるように、溝６及び溝６１の内面、並びに絶縁層２１の第１面２１ａを覆っているシード層３０ａａ上の全面に電解めっき膜３０ｂｂが形成される。シード層３０ａａが給電層として用いられる。電解めっき膜３０ｂｂの一部は、導体層３１の上層３０ｂ（図７参照）となり得る。電解めっき膜３０ｂｂは、好ましくは、絶縁層２１の第１面２１ａの上に所望の厚みを有するように形成される。溝６及び溝６１が、電解めっき膜３０ｂｂで充填される。

【0072】

絶縁層２１の第１面２１ａ上のシード層３０ａａ及び電解めっき膜３０ｂｂが、例えばＣＭＰなどの任意の方法を用いる研磨によって除去される。電解めっき膜３０ｂｂは、溝６１の底面上のシード層３０ａａとの合計の厚さが、導体層３１（図９Ｃ参照）に求められる厚さに達するまで研磨される。電解めっき膜３０ｂｂの研磨の際に、絶縁層２１の第１面２１ａ付近も研磨によって除去されてもよい。

【0073】

図９Ｃに示されるように、絶縁層２１の第１面２１ａ上のシード層３０ａａ及び電解めっき膜３０ｂｂ（図９Ｂ参照）の除去により、溝６１及び溝６内の電解めっき膜３０ｂｂのような導電体が個々に分離される。溝６１内に第１信号配線パターン３１１が得られ、溝６内には第２信号配線パターン３１２が得られる。これら所望の導体パターンを含んでいて所望の厚さを有する導体層３１が得られる。第２信号配線パターン３１２と、導体層３２の導体パターン３２２とによって単一の配線が構成されている。図９Ａ～図９Ｃを参照して説明された方法では、第２信号配線パターン３１２などの導体パターンの間に形成されていたシード層３０ａａのような導電体は、エッチングなどではなく研磨によってより確実に除去される。短絡不良が生じ難いので、第１信号配線パターン３１１や第２信号配線パターン３１２が、一層微細なピッチで配置され得ることがある。

【0074】

その後、図８Ｇを参照して説明された方法と同様の方法で、絶縁層２１及び導体層３１の上に、絶縁層２５及び導体層３５が形成される。以上の工程を経ることによって、図６の例の配線基板１ａが完成する。

【0075】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の絶縁層及び導体層を含み得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板を有さない所謂コアレスタイプの配線基板であってもよい。導体層３１（第１導体層）の第１導体部は第１信号配線パターン以外の導体パターンを含んでいてもよく、第２導体部が第２信号配線パターン以外の導体パターンを含んでいてもよい。また、第２信号配線パターンは導体層３２（第２導体層）と離間していてもよい。また、第２信号配線パターンの第１部分は、図１の例のようなテーパー形状ではなく、絶縁層２１（第１絶縁層）の厚さ方向において略一定の幅を有していてもよい。

【符号の説明】

【0076】

１、１ａ 配線基板
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２１ａ 第１面
２１ｂ 第２面
２２ 絶縁層（第２絶縁層）
３１ 導体層（第１導体層）
３１ａ 第１導体部
３１ｂ 第２導体部
３１ｃ 第１導体部の上面（第１絶縁層の第２面側と反対側の表面）
３１ｄ 第２導体部の上面（第１絶縁層の第２面側と反対側の表面）
３１１ 第１信号配線パターン
３１２ 第２信号配線パターン
３２ 導体層（第２導体層）
３２２ 導体パターン
６、６１ 溝
Ａ１ 部品領域
Ａ２ 部品領域外の領域
Ｃ 単一の配線
Ｄ１ 第１絶縁層の第１面での単一の配線の幅
Ｄ２ 第１絶縁層の第２面での単一の配線の幅
Ｄ３ 中間部での単一の配線の幅
Ｅ 部品（半導体素子）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図8E】

【図8F】

【図8G】

【図9A】

【図9B】

【図9C】