特開 2024-87475 光投射システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024087475

(43)【公開日】2024-07-01

(54)【発明の名称】光投射システム

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/13 20060101AFI20240624BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20240624BHJP

   F21S 41/64 20180101ALI20240624BHJP

   F21S 41/147 20180101ALI20240624BHJP

   F21W 102/14 20180101ALN20240624BHJP

   F21Y 115/10 20160101ALN20240624BHJP

【ＦＩ】

G02F1/13 505

G02F1/1333 505

F21S41/64

F21S41/147

F21W102:14

F21Y115:10

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022202316

(22)【出願日】2022-12-19

(71)【出願人】

【識別番号】000002303

【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001184

【氏名又は名称】弁理士法人むつきパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】都甲 康夫

(72)【発明者】

【氏名】佐野 純也

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 里実

(72)【発明者】

【氏名】岩本 宜久

(72)【発明者】

【氏名】亀井 松雄

(72)【発明者】

【氏名】梶原 一馬

【テーマコード（参考）】

2H088

2H190

【Ｆターム（参考）】

2H088EA33

2H088GA02

2H088GA17

2H088HA03

2H088HA04

2H088HA16

2H088HA18

2H088HA21

2H088HA24

2H088HA28

2H088JA10

2H088MA20

2H190HA04

2H190HA08

2H190HB03

2H190HC03

2H190HC11

2H190HC12

2H190JB02

2H190JB03

2H190KA04

2H190LA09

2H190LA12

2H190LA16

2H190LA20

2H190LA22

(57)【要約】      （修正有）

【課題】光投射システムに用いられる液晶素子における入射光による加温効果を領域毎に制御可能とすること。
【解決手段】集光された光が入射する位置に配置される液晶素子を含む光投射システムであって、液晶素子は、少なくとも第１基板と液晶層との間に配置される第１積層部を含み、第１積層部は、第１ＩＴＯ層と、第１無機絶縁層と、第２ＩＴＯ層とを有し、第１無機絶縁層は、光の透過する領域の一部である第１領域において、第１ＩＴＯ層の液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＯｘ膜と、第１ＳｉＯｘ膜の液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＮｘ膜とを有する、光投射システムである。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光源と、
前記光源から出射する光を集光する集光光学系と、
前記集光光学系によって集光された前記光が入射する位置に配置される液晶素子と、
前記液晶素子を透過した前記光を投影する投影レンズと、
を含み、
前記液晶素子は、
対向配置される第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置される液晶層と、
前記第１基板と前記液晶層との間に配置されており複数の層を含む第１積層部と、
前記第２基板と前記液晶層との間に配置されており複数の層を含む第２積層部と、
を有し、
前記第１積層部及び前記第２積層部のうち少なくとも一方は、
第１ＩＴＯ層と、
前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１無機絶縁層と、
前記第１無機絶縁層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第２ＩＴＯ層と、
を有し、
前記第１無機絶縁層は、前記光の透過する領域の一部である第１領域において、
前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＯｘ膜と、
前記第１ＳｉＯｘ膜の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＮｘ膜と、
を有する、
光投射システム。

【請求項2】

前記第１無機絶縁層は、前記光の透過する領域の一部であって前記第１領域と異なる第２領域において、
前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第２ＳｉＮｘ膜を有する、
請求項１に記載の光投射システム。

【請求項3】

前記第１領域は、前記集光光学系によって集光される前記光の焦点を含む領域であり、
前記第２領域は、前記集光光学系によって集光される前記光の焦点を含まない領域である、
請求項２に記載の光投射システム。

【請求項4】

前記第１領域は、平面視において１０ｍｍ以下の径を有する領域である、
請求項３に記載の光投射システム。

【請求項5】

前記第２領域は、平面視において前記第１領域の周囲の領域である、
請求項４に記載の光投射システム。

【請求項6】

前記第１積層部及び前記第２積層部のうち少なくとも一方は、
前記第２ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記液晶層と対向する一面側に配置される配向膜と、
を有する、
請求項１に記載の光投射システム。

【請求項7】

前記第１領域の前記第１ＳｉＯｘ膜の膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、
請求項１に記載の光投射システム。

【請求項8】

前記第１領域の前記第１ＳｉＮｘ膜の膜厚が１００ｎｍ以下である、
請求項１に記載の光投射システム。

【請求項9】

前記第１領域の前記第１ＳｉＯｘ膜の膜厚が２６ｎｍ以上１６４ｎｍ以下であり、
前記第１領域の前記第１ＳｉＮｘ膜の膜厚が３６ｎｍ以上９０ｎｍ以下である、
請求項７又は８に記載の光投射システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光投射システムに関する。

【背景技術】

【0002】

特開２０１２－１８１４６６号公報（特許文献１）には、液晶パネル装置における低温時の応答速度を向上させることが可能な液晶パネル装置として、液晶表示部であるＬＣＤと、ＬＥＤバックライトと、ＬＥＤバックライト６の発光量を調整するバックライト制御回路と、ＬＣＤの温度を測定するサーミスタを備え、サーミスタにより測定されたＬＣＤの温度が所定の基準温度より低い場合に、ＬＥＤバックライトの発光量を大きくする制御を行う液晶パネル装置が記載されている。

【0003】

上記した従来例はＬＥＤバックライトの発光量を大きくすることで液晶表示部の全体が加温されることを想定したものであると考えられる。しかしながら、例えば集光光学系により集光された光を液晶素子へ入射させるような用途においては、光の集光位置を含む領域とそれ以外の領域において入射光による加温の程度に差異を生じ得る。それにより、ある領域では必要以上に加温され、他の領域では加温が不足するという不都合を生じ得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２－１８１４６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示に係る具体的態様は、光投射システムに用いられる液晶素子における入射光による加温効果を領域毎に制御可能とする技術を提供することを目的の１つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る一態様の光投射システムは、（ａ）光源と、（ｂ）前記光源から出射する光を集光する集光光学系と、（ｃ）前記集光光学系によって集光された前記光が入射する位置に配置される液晶素子と、（ｄ）前記液晶素子を透過した前記光を投影する投影レンズと、を含み、（ｅ）前記液晶素子は、（ｅ１）対向配置される第１基板及び第２基板と、（ｅ２）前記第１基板と前記第２基板の間に配置される液晶層と、（ｅ３）前記第１基板と前記液晶層との間に配置されており複数の層を含む第１積層部と、（ｅ４）前記第２基板と前記液晶層との間に配置されており複数の層を含む第２積層部と、を有し、（ｆ）前記第１積層部及び前記第２積層部のうち少なくとも一方は、（ｆ１）第１ＩＴＯ層と、（ｆ２）前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１無機絶縁層と、（ｆ３）前記第１無機絶縁層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第２ＩＴＯ層と、を有し、（ｇ）前記第１無機絶縁層は、前記光の透過する領域の一部である第１領域において、（ｇ１）前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＯｘ膜と、（ｇ２）前記第１ＳｉＯｘ膜の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＮｘ膜と、を有する、光投射システムである。

【0007】

上記構成によれば、光投射システムに用いられる液晶素子における入射光による加温効果を領域毎に制御可能とすることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態の車両用灯具システムの構成を示す図である。

【図2】図２は、液晶素子の構成例を示す模式的な断面図である。

【図3】図３は、液晶素子の画素の構成例を説明するための模式的な平面図である。

【図4】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、液晶素子の構成を層構造に着目して簡略化して示した模式断面図である。

【図5】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、変形実施例の液晶素子の構成を層構造に着目して簡略化して示した模式断面図である。

【図6】図６は、ガラス基板上にＩＴＯ膜、ＳｉＮｘ膜、ＩＴＯ膜をこの順に積層したサンプル基板Ａと、ガラス基板上にＩＴＯ膜、ＩＴＯ膜をこの順に積層したサンプル基板Ｂの分光透過率を示す図である。

【図7】図７は、ＩＴＯ層に接するＳｉＮｘ膜を含む絶縁層を設けることによる温度上昇効果について検証した結果を説明するための図である。

【図8】図８は、ＩＴＯ層に接するＳｉＮｘ膜を含む絶縁層を設けることによる温度上昇効果について検証した結果を説明するための図である。

【図9】図９（Ａ）は、図８に示した光学特性（Ｙ値透過率及び４５０－４７０ｎｍ平均透過率）とＳｉＯｘ膜の膜厚の関係を示した図である。

【図10】図１０は、ＳｉＯｘ膜の膜厚を可変に設定して計算したスペクトルを示す図である。

【図11】図１１は、ＳｉＮｘ膜の膜厚を可変に設定して計算したスペクトルを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図１は、一実施形態の車両用灯具システムの構成を示す図である。図１に示す車両用灯具システムは、光源１、カメラ２、コントローラ（制御装置）３、リフレクタ（反射部材）４、リフレクタ（反射部材）５、液晶素子６、一対の偏光板７ａ、７ｂ、光学補償板８、投影レンズ９を含んで構成されている。この車両用灯具システムは、カメラ２によって撮影される画像に基づいて自車両の周囲に存在する前方車両や歩行者等の位置を検出し、前方車両等の位置を含む一定範囲を減光範囲（ないし非照射範囲）に設定し、それ以外の範囲を光照射範囲に設定して選択的な光照射を行うためのものである。

【0010】

光源１は、例えば青色光を放出する発光素子（ＬＥＤ）に黄色蛍光体を組み合わせて構成された白色光ＬＥＤを含んで構成されている。光源１は、例えば、マトリクス状あるいはライン状に配列された複数の白色光ＬＥＤを備える。なお、光源１としてはＬＥＤのほかに、レーザー、さらには電球や放電灯など車両用ランプユニットに一般的に使用されている光源が使用可能である。光源１の点消灯状態はコントローラ３によって制御される。光源１から出射する光は、リフレクタ２、３によって反射並びに集光され、偏光板７ａを介して液晶素子（液晶パネル）６に入射する。なお、リフレクタ２、３が「集光光学系」に相当する。また、光源１から液晶素子６へ至る経路上に他の光学系（例えば、レンズや反射鏡、さらにはそれらを組み合わせたもの）が存在してもよい。

【0011】

カメラ２は、自車両の前方を撮影してその画像（情報）を出力するものであり、自車両内の所定位置（例えば、フロントガラス内側上部）に配置されている。なお、他の用途（例えば、自動ブレーキシステム等）のためのカメラが自車両に備わっている場合にはそのカメラを共用してもよい。

【0012】

コントローラ３は、自車両の前方を撮影するカメラ２によって得られる画像に基づいて画像処理を行うことによって前方車両等の位置を検出し、検出された前方車両等の位置を含む一定範囲を非照射範囲とし、それ以外の範囲を光照射範囲とした配光パターンを設定し、この配光パターンに対応した像を形成するための制御信号を生成して液晶駆動回路４へ供給する。このコントローラ３は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を有するコンピュータシステムにおいて所定の動作プログラムを実行させることによって実現される。

【0013】

液晶素子６は、例えば、それぞれ個別に制御可能な複数の画素領域（光変調領域）を有しており、コントローラ３の制御に応じてドライバ（図示せず）によって与えられる液晶層への印加電圧の大きさに応じて各画素領域の透過率が可変に設定される。ドライバは、例えば液晶素子６の基板上に直接設けられている。この液晶素子６に光源１からの光が照射されることにより、上記した光照射範囲と減光範囲に対応した明暗を有する像が形成される。例えば、液晶素子６は、垂直配向型の液晶層を備えるものであり、クロスニコル配置された一対の偏光板７ａ、７ｂの間に配置されており、液晶層への電圧が無印加（あるいは閾値以下の電圧）である場合に光透過率が極めて低い状態（遮光状態）となり、液晶層へ電圧が印加された場合に光透過率が相対的に高い状態（透過状態）となるものである。

【0014】

一対の偏光板７ａ、７ｂは、例えば互いの偏光軸を略直交させており、液晶素子６を挟んで対向配置されている。本実施形態では、液晶層に電圧無印加としているときに光が遮光される（透過率が極めて低くなる）動作モードであるノーマリーブラックモードを想定する。各偏光板７ａ、７ｂとしては、例えば一般的な有機材料（ヨウ素系、染料系）からなる吸収型偏光板を用いることができる。また、耐熱性を重視したい場合には、ワイヤーグリッド型偏光板を用いることも好ましい。ワイヤーグリッド型偏光板とはアルミニウム等の金属による極細線を配列してなる偏光板である。また、吸収型偏光板とワイヤーグリッド型偏光板を重ねて用いてもよい。

【0015】

光学補償板８は、液晶素子６と偏光板７ｂの間に配置されており、透過光の視角特性を補償する。

【0016】

投影レンズ９は、液晶素子６を透過する光によって形成される像（光照射範囲と減光範囲に対応した明暗を有する像）をヘッドライト用配光になるように広げて自車両の前方へ投影するものであり、適宜設計されたレンズが用いられる。本実施形態では、反転投影型のプロジェクターレンズが用いられる。

【0017】

図２は、液晶素子の構成例を示す模式的な断面図である。図示の液晶素子６は、第１基板１１、第２基板１２、複数の画素電極１３、共通電極（対向電極）１４、複数の画素間電極（補助電極）１５、複数の配線部１６、絶縁層１７、液晶層１８を含んで構成されている。

【0018】

第１基板１１および第２基板１２は、それぞれ、例えば平面視において矩形状の基板であり、互いに対向して配置されている。各基板としては、例えばガラス基板、プラスチック基板等の透明基板を用いることができる。第１基板１１と第２基板１２の間には、例えば樹脂などからなる球状スペーサー（図示省略）が分散配置されており、それら球状スペーサーによって基板間隙が所望の大きさ（例えば数μｍ程度）に保たれている。なお、球状スペーサーに代えて、樹脂等からなる柱状体を第１基板１１側若しくは第２基板１２側に設け、それらをスペーサーとして用いてもよい。

【0019】

複数の画素電極１３は、第１基板１１の一面側において絶縁層１７の一面（液晶層１８と接する側の面）に設けられている。各画素電極１３は、絶縁層１７に設けられたスルーホール２０を介して１つの画素間電極１５及びこの画素間電極と繋がる１つの配線部１６と物理的並びに電気的に接続されている。各画素電極１３は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。各画素電極１３は、例えば平面視において矩形状の外縁形状を有しており、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってマトリクス状に配列されている。各画素電極１３の間には隙間が設けられている。

【0020】

共通電極１４は、第１基板１１の一面側に設けられている。この共通電極１４は、第２基板１２の各画素電極１３と対向するようにして一体に設けられている。共通電極１４は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。この共通電極１４と各画素電極１３との重なる領域のそれぞれにおいて画素領域（光変調領域）が構成される。

【0021】

複数の画素間電極１５は、第１基板１１の一面側と絶縁層１７との間に設けられている。各画素環電極１５は、平面視において、隣り合う画素電極１３の相互間の隙間に重なるように配置されている。各画素間電極１５は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。

【0022】

複数の配線部１６は、第１基板１１の一面側と絶縁層１７との間に設けられている。各配線部１６は、各画素電極１３と平面視において重なるように配置されている。各配線部１６は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜を適宜パターニングすることによって構成されている。各配線部１６は、各画素電極１３の何れかと接続されており、ドライバ４から各画素電極１３に対して電圧を与えるために用いられる。図示の配線部１６のうち、図中で画素電極１３と接続されていないものは、例えば紙面の奥行き方向に存在する他の画素電極１３の１つと接続されている。

【0023】

絶縁層１７は、第１基板１１の一面側において各画素間電極１５および各配線部１６を覆うようにして設けられている。絶縁層１７は、少なくとも各画素間電極１５に対応する部分に開口部１９を有している。本実施形態では、絶縁層１７は、各画素電極１３に対応する範囲に設けられており、各画素電極１３の相互間は全て開口部１９となっている。絶縁層１７は、各画素電極１３と重なる部分においては、各画素電極１３の端部位置と絶縁等１７の端部位置とが略一致するような平面視形状を有している。

【0024】

液晶層１８は、第１基板１１と第２基板１２の間に設けられている。本実施形態においては、誘電率異方性Δεが負であり、カイラル材を含み、流動性を有するネマティック液晶材料を用いて液晶層１８が構成される。本実施形態の液晶層１８は、電圧無印加時における液晶分子の配向方向が一方向に傾斜した状態となり、各基板面に対して、例えば８５°以上９０°未満の範囲内のプレティルト角を有する略垂直配向となるように設定されている。

【0025】

なお、図示を省略しているが第１基板１１の一面側には各画素電極１３を覆うように配向膜が設けられており、第２基板１２の一面側には共通電極１４を覆うように配向膜が設けられている。また、各画素電極１３と配向膜の間、並びに共通電極１４と配向膜の間には絶縁膜からなる保護膜が設けられてもよい。本実施形態では、各配向膜として液晶層１８の配向状態を垂直配向に規制する垂直配向膜が用いられている。各配向膜にはラビング処理等の一軸配向処理が施されており、その方向へ液晶層１８の液晶分子の配向を規定する一軸配向規制力を有している。各配向膜への配向処理の方向は、例えば互い違い（アンチパラレル）となるように設定される。各配向膜の膜厚は、例えば５０ｎｍ～７０ｎｍである。

【0026】

本実施形態の液晶素子６は、共通電極１４と各画素電極１３が平面視において重なる領域の各々として画定される領域である画素領域を数十～数百個有しており、これらの画素領域はマトリクス状に配列されている。本実施形態において各画素領域の形状は例えば正方形状に構成されているが、長方形状と正方形状を混在させるなど各画素領域の形状は任意に設定することができる。共通電極１４、各画素電極１３、各画素間電極１５は、各配線部１６等を介してドライバと接続されており、例えばスタティック駆動される。

【0027】

図３は、液晶素子の画素の構成例を説明するための模式的な平面図である。液晶素子６は、複数の画素（セグメント領域）を備えており、これらは平面視においてシール材１５に囲まれた内側領域である有効表示領域内に配置されている。図示の液晶素子において種々のサイズの矩形状領域や三角形状領域で表された各々が画素に対応する。図中、例示的にいくつかの画素に符号を付して示す。また、図中に示す符号Ｒは、シール材１５の対称軸を示している。

【0028】

画素３０ａは、Ｘ方向長さ、Ｙ方向長さともに相対的に小さい小面積の正方形状の画素である。各画素３０ｂは、Ｘ方向長さが画素３０ａよりは大きく、Ｙ方向長さも画素３０ａよりは少し大きい台形状の画素である。画素３０ｃは、Ｘ方向長さが小さく、Ｙ方向長さは比較的大きい縦長の長方形状の画素である。画素３０ｄは、画素３０ｂよりはＸ方向長さの小さい縦長の長方形状の画素である。画素３０ｅは、Ｘ方向長さ、Ｙ方向長さ（一辺の長さ）ともに比較的大きい三角形状の画素である。画素３０ｆは、Ｘ方向長さが非常に大きい横長の大面積の画素である。画素３０ｇは、縦長の長方形状の画素である。画素３０ｈは、Ｘ方向長さが非常に大きい横長の画素である。なお、図示のように、液晶素子１１には例示したもの以外にも種々のサイズ、形状の画素が備えられている。各画素は、それぞれ個別に光の透過／非透過を制御可能であり、これらを適宜制御することによって、車両の前方状況に応じた種々の配光パターンの照射光を形成することが可能となる。

【0029】

画素３０ｃ、３０ｄなどの各画素は、ハイビームの照射範囲のうち、主に対向車両や先行車両より高い位置における配光パターンの形成に用いられる画素である。画素３０ａ、３０ｂなどの各画素は、ハイビームの照射範囲のうち、主に対向車両や先行車両の存在する位置における配光パターンの形成に用いられる画素である。画素３０ｈ、３０ｆなどの各画素は、主にロービームの照射範囲や路肩などへの照射範囲における配光パターンの形成に用いられる画素である。画素３０ｇ、３０ｅなどの各画素は、周辺の配光パターンの形成に用いられる画素である。

【0030】

本実施形態では、液晶素子６へ入射する光は、平行光ではなく±３０°程度の角度で集光されて入射する光であり、主に画素３０ａが配置される領域Ｃ（図中、点線で囲んで示す楕円状の領域であり第１領域に相当）において入射光がその焦点を結ぶ。領域Ｃの平面視での大きさは、概ね１０ｍｍ径かそれ以下の径である。当該領域Ｃには、例えば０．２２Ｗ／ｍｍ^２という極めてエネルギーの強い光が入射することとなり、当該領域Ｃにおいては、それ以外の周辺領域に比べて温度が上昇しやすくなる。これを別言すると、例えば環境温度が比較的低い場合には、当該領域Ｃでは温度上昇により液晶層１８の応答速度を確保しやすいが周辺領域では温度上昇しにくいので液晶層１８の応答速度を確保しにくくなるともいえる。そこで、本実施形態では、当該領域Ｃとそれ以外の周辺領域（第２領域に相当）において上記した絶縁層１７の構成を異なるものとすることで上記の不都合の解消を図っている。以下、絶縁層１７を含め、液晶素子６の層構造について詳細に説明する。

【0031】

図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、液晶素子の構成を層構造に着目して簡略化して示した模式断面図である。図４（Ａ）に示す液晶素子６の層構造は、例えば上記した入射光のエネルギーが相対的に高い領域Ｃにおいて用いられる。また、図４（Ｂ）に示す液晶素子６の層構造は、例えば上記した入射光のエネルギーが相対的に高い領域Ｃ以外の領域、つまり、当該領域Ｃの周辺領域において用いられる。

【0032】

具体的には、図４（Ａ）に示される部分における液晶素子６は、第１基板１１の一面（第２基板１２と対向する面）にはＩＴＯ層１１６、絶縁層１７、ＩＴＯ層１１３、保護膜２１、配向膜２２がこの順で積層されており、第２基板１２の一面（第１基板１１と対向する面）にはＩＴＯ層１１４、保護膜２３、配向膜２４がこの順で積層されている。ＩＴＯ層１１６は、ＩＴＯを用いて形成された各画素間電極１５及び各配線部１６を含む総称として用いている。同様に、ＩＴＯ層１１３は、ＩＴＯを用いて形成された画素電極１３を含む総称として用いており、ＩＴＯ層１１４は、ＩＴＯを用いて形成された共通電極１４を含む総称として用いている。なお、ＩＴＯ層１１６、絶縁層１７、ＩＴＯ層１１３、保護膜２１、配向膜２２が「第１積層部」に対応し、ＩＴＯ層１１４、保護膜２３、配向膜２４が「第２積層部」に対応する。

【0033】

また、図４（Ａ）に示される部分における絶縁層（第１無機絶縁層）１７は、ＳｉＯｘ（酸化珪素）膜１７ａと、ＳｉＮｘ（窒化珪素）膜１７ｂを含む。ＳｉＯｘ膜１７ａは、ＩＴＯ層１１６の一面（液晶層１８及び第２基板１２と対向する面）において当該ＩＴＯ層１１６と接して設けられている。ＳｉＮｘ膜１７ｂは、ＳｉＯｘ膜１７ａの一面（液晶層１８及び第２基板１２と対向する面）において当該ＳｉＯｘ膜１７ａと接して設けられている。ＳｉＮｘ膜１７ｂにおける窒素Ｎの組成比ｘは概ね１であるが、０．９≦ｘ≦１．１程度が許容される。ＳｉＯｘ膜１７ａにおける酸素Ｏの組成比ｘは概ね２であるが、１．９≦ｘ≦２．１程度が許容される。

【0034】

保護膜２１、２３としては、それぞれ例えば印刷可能なチタノシロキサン系無機絶縁膜を用いることができる。配向膜２２、２４としては、それぞれ例えば印刷法により形成可能な垂直配向膜にラビング等の配向処理が施されたものや、斜方蒸着法によって形成可能な無機系配向膜を用いることができる。

【0035】

図４（Ｂ）に示される部分における液晶素子６は、基本的に上記した図４（Ａ）に示される部分と共通の層構造を有しており、絶縁層１７の層構造のみが異なる。このため、共通する層構造については説明を省略する。図４（Ｂ）に示される部分における液晶素子６の絶縁層１７は、ＳｉＮｘ膜からなり、ＩＴＯ層１１６の一面（液晶層１８及び第２基板１２と対向する面）において当該ＩＴＯ層１１６と接して設けられている。

【0036】

ここで、ＳｉＮｘ単層の部分とＳｉＯｘ／ＳｉＮｘ複層の部分を１つの液晶素子内で併存させるための製造プロセスについて例示する。例えば図３の領域Ｃのみ開口されたマスク（ＳＵＳマスクなど）を配置した状態でＳｉＯｘ膜を成膜（スパッタ、真空蒸着、ＰＥ－ＣＶＤなど）することで、領域ＣのみＳｉＯｘ膜をパターン形成し、その後マスクを除去した状態で全面にＳｉＮｘ膜を形成し、最後にＳｉＮｘ膜をフォトリソ工程でドライエッチングなどによりパターニング（ＳｉＯｘ膜も同様にパターニングされる）することで所望の構成を得ることが可能である。もしくはＳｉＯｘ膜を全面に成膜後フォトリソ工程などでパターニングを行い、領域ＣのみＳｉＯｘ膜を残し、その後ＳｉＮｘ膜を全面に成膜し、最後にＳｉＮｘ膜をフォトリソ工程などでパターニングしてもよい。

【0037】

なお、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示した液晶素子６では、第１基板１１側のみに絶縁層１７が設けられていたが、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示した変形実施例の液晶素子６ａのように、第２基板１２側も複数のＩＴＯ層を有するように構成してもよい。具体的には、図５（Ａ）に示される部分における液晶素子６ａは、第２基板１２側においてＩＴＯ層１１４と保護膜２３との間に、絶縁層２５及びＩＴＯ層１１５が追加して配置されている。絶縁層（第２無機絶縁層）２５は、上記した絶縁層１７と同様にＳｉＯｘ膜２６ａとＳｉＮｘ膜２５ｂを含む。図５（Ｂ）に示される部分における液晶素子６ａも基本的に同様であり、絶縁層２５がＳｉＮｘ膜からなる層である点が異なっている。このような変形実施例の液晶素子６ａにおける複数のＩＴＯ層１１４、１１５は、例えばＩＴＯ層１１４がヒーター機能を実現するための層として用いられ、ＩＴＯ層１１５が共通電極を実現するための層として用いられる。なお、この変形実施例では、ＩＴＯ層１１４、１１５、保護膜２３、配向膜２４、絶縁層２５が「第２積層部」に対応する。

【0038】

本実施形態においては、液晶素子６においてＩＴＯ層１１６に接して設けられるＳｉＮｘ膜からなる絶縁層１７は、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて形成される。それにより、成膜時に下地となるＩＴＯ層１１６が窒素を含むプラズマに晒されることでＩＴＯ層１１６の特性（膜質）に変化が生じ、この特性変化により、光照射時にＩＴＯ層１１６がより効率的に温度上昇するという作用が得られる。具体的には、特性変化としては詳細を後述するように、ＩＴＯ層１１６においてはＩＴＯ内部のキャリア密度の上昇が挙げられる。他方で、ＳｉＯｘ膜１７ａとＳｉＮｘ膜１７ｂを含む絶縁層１７においては、上記したようなＳｉＮｘ膜による温度上昇効果が出にくい。

【0039】

従って、ＩＴＯ層１１６に接するＳｉＯｘ膜１７ａとＩＴＯ層１１６に接しないＳｉＮｘ膜１７ｂとを含む絶縁層１７を有する部分を上記した入射光のエネルギーが相対的に高い領域Ｃに配置することで、入射光による液晶素子６の温度上昇を抑制することが可能となる。他方、ＩＴＯ層１１６に接するＳｉＮｘ膜を含む絶縁層１７を有する部分を上記した入射光のエネルギーが相対的に高い領域Ｃ以外の領域、つまり、当該領域Ｃの周辺領域に配置することで、相対的に低いエネルギーの入射光でも液晶素子６をより効果的に温度上昇させることが可能となる。

【0040】

次に、ＩＴＯ層１１６に接して設けられるＳｉＮｘ膜からなる絶縁層１７を用いることによる温度上昇効果についての検証結果を説明する。まず、ガラス基板上にＩＴＯ膜、ＳｉＮｘ膜、ＩＴＯ膜をこの順に積層したサンプル基板Ａと、ガラス基板上にＩＴＯ膜、ＩＴＯ膜をこの順に積層したサンプル基板Ｂを用意し、各サンプル基板Ａ、Ｂの分光透過率を測定した。図６にその分光透過率を示す。ＳｉＯｘ膜については上記のようにプラズマＣＶＤ法で形成された。

【0041】

図示の特性線ａに示すように、サンプル基板Ａでは４５０ｎｍ付近で透過率が顕著に下がることを確認した。比較のため、ガラス基板上にＳｉＮｘを単層で設けた場合の分光透過率についても計測したところ、特性線ｂに示すように４５０ｎｍ付近での吸収は見られなかった。他方で、サンプル基板ＡについてＳｉＮｘを除去して分布透過率を計測したところ４５０ｎｍ付近での吸収が見られた。このため、４５０ｎｍ付近での吸収はＩＴＯ膜に起因するといえる。比較のため、ＳｉＮｘをスパッタ法にて形成した場合には上記のようなＩＴＯ膜における顕著な吸収は見られなかった。これらから、ＳｉＮｘをプラズマＣＶＤ法にて形成する際にＩＴＯ膜が窒素を含むプラズマに晒されることで、ＩＴＯの特性を変化させた現象であると考えられる。

【0042】

一例として、本実施形態の液晶素子６（又は６ａ）の構成を採用した実施例の液晶素子を組み込んだ車両用灯具システムにおいて光源１から光を出射させて液晶素子６へ入射させた際の温度を計測したところ、ＩＴＯ層１１６に接するＳｉＮｘ膜を含む部分が８８．０℃となった際、ＩＴＯ層１１６に接するＳｉＯｘ膜１７ａとＩＴＯ層１１６に接しないＳｉＮｘ膜１７ｂとを含む絶縁層１７を有する部分では３９．３℃であった。つまり、ＳｉＮｘとＩＴＯ層との間に２００ｎｍ程度のＳｉＯｘ膜を介在させるかどうかの構造的違いにより、絶縁性などにほとんど影響を与えることなく光に対する発熱性（発熱効率）に差異を生じさせることができるということである。なお、ＳｉＮｘ膜上にＩＴＯ層１１３を設けない構成の液晶素子についても検証したところ発熱性は同等であったので、ＳｉＮｘ膜上のＩＴＯ層１１３については特性変化を生じていないと考えられる。

【0043】

図７は、ＩＴＯ層に接するＳｉＮｘ膜を含む絶縁層を設けることによる温度上昇効果について検証した結果を説明するための図である。図中に模式的に示すように、０．５ｍｍ厚のガラス基板上に９０ｎｍ厚のＩＴＯ膜のみを設けた場合（ＩＴＯ単板）、０．５ｍｍ厚のガラス基板上に９０ｎｍ厚のＩＴＯ膜を設け、ＩＴＯ膜上に４００ｎｍ厚のＳｉＮｘ膜を設けた場合（ＳｉＮｘテスト基板）、０．５ｍｍ厚のガラス基板上に９０ｎｍ厚のＩＴＯ膜を設け、ＩＴＯ膜上に４０ｎｍ厚のＳｉＮｘ膜を設けた場合（ＩＴＯ＋ＳｉＮｘ基板）、０．５ｍｍ厚のガラス基板上に９０ｎｍ厚のＩＴＯ膜を設け、ＩＴＯ膜上に２０ｎｍ厚のＳｉＯｘ膜を設け、ＳｉＯｘ膜上に２８０ｎｍ厚のＳｉＮｘ膜を設けた場合（ＩＴＯ＋ＳｉＯｘ＋ＳｉＮｘ基板）、のそれぞれについてＩＴＯ膜に強い光（一例として、０．２２Ｗ／ｍｍ^２）を照射し、その際の温度の測定結果を計測した。

【0044】

図中に元の温度からの温度上昇値Δｔ（℃）を示すように、ＩＴＯ膜に接するＳｉＮｘ膜を有する基板である「ＳｉＮｘテスト基板」並びに「ＩＴＯ＋ＳｉＮｘ基板」では、ＳｉＮｘ膜の膜厚が４０ｎｍと薄くても６０℃前後の高い温度上昇値を得られていることが分かる。他方で、ＩＴＯ膜に接するＳｉＮｘ膜を有しない基板である「ＩＴＯ単板」並びに「ＩＴＯ＋ＳｉＯｘ＋ＳｉＮｘ基板」では、温度上昇値がそれぞれ１４℃、１７．９℃と上昇幅が低かった。検証のため、「ＩＴＯ＋薄膜ＳｉＮｘ基板」から薄膜ＳｉＮｘを除去して得たＩＴＯ単板、並びに「ＩＴＯ＋ＳｉＯｘ＋ＳｉＮｘ基板」からＳｉＯｘ及びＳｉＮｘを除去して得たＩＴＯ単板についても確認したところ、温度上昇値はそれぞれ２６．４℃、２７．０℃と上昇幅が低かった。

【0045】

上記の検証から、全体的には、ＩＴＯ膜にＳｉＮｘ膜が接触していなければ光照射時にも発熱しにくいことが分かる。別言すれば、ＩＴＯ膜に接して配置されるＳｉＮｘ膜を有していると光照射時に発熱しやすいといえる。この理由については、ＳｉＮｘ膜をプラズマＣＶＤ法にて形成する際に、高温状態かつ水素イオンリッチな状況下に置かれることでＩＴＯが還元され、欠陥が増加することによりキャリア密度が上昇し、このことが発熱に影響していると推察される。ここでいうＩＴＯの還元とは、ＩＴＯ内にて酸素欠乏状態が促進され、自由電子が増加することにより、メタルリッチ状態となり、透過率が低下することをいう。

【0046】

図８は、ＩＴＯ層に接するＳｉＮｘ膜を含む絶縁層を設けることによる温度上昇効果について、液晶素子サンプルを構成して検証した結果を説明するための図である。ここでは、ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜にＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＩＴＯ膜を積層した場合と、ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜にＳｉＯｘ、ＩＴＯ膜を積層した場合について、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜のそれぞれの膜厚を可変に設定し、光学特性並びに温度特性を計測した。各サンプルにおいて、基板上のＩＴＯ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＩＴＯ膜の積層構成は、第１基板側も第２基板側も同じ構成である。また、ＳｉＮｘのプラズマＣＶＤによる成膜温度はいずれも３００℃とした。図８における光学特性ＸおよびＹは、それぞれＣＩＥ１９３１色度図上の色度座標を示す。また、図８における温度特性の発熱量の単位はＷである。ＩＴＯ膜については、サンプル８を除き、膜厚を９０ｎｍに固定した。サンプル１、１０は、ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜にＳｉＯｘ、ＩＴＯ膜を積層した場合のサンプルであり、サンプル２～９は、ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜にＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＩＴＯ膜を積層した場合のサンプルである。ガラス基板の一面に設けられたＩＴＯ膜を図中で「ＩＴＯ（１）」と表記し、ＳｉＮｘ又はＳｉＯｘの一面に設けられたＩＴＯ膜を図中で「ＩＴＯ（２）」と表記している。

【0047】

ガラス基板上のＩＴＯ膜にＳｉＯｘ膜が設けられているものであるサンプル２～９ではいずれも光照射時の温度及び発熱量が相対的に低く、ガラス基板上のＩＴＯ膜にＳｉＮｘ膜が設けられているものであるサンプル１、１０ではいずれも光照射時の温度及び発熱量が相対的に高いことが分かる。

【0048】

図９（Ａ）は、図８に示した光学特性（Ｙ値透過率及び４５０－４７０ｎｍ平均透過率）とＳｉＯｘ膜の膜厚の関係を示した図である。図９（Ｂ）は、図８に示した光学特性（４５０－４７０ｎｍ平均透過率）とＳｉＮｘ膜の膜厚の関係を示した図である。各図について、青色に相当する波長域である４５０ｎｍ～４７０ｎｍの波長域において明るいという観点でみると、図９（Ａ）に点線の楕円ａで示すように、ＳｉＯｘ膜の膜厚としては１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にて透過率が高いことが分かる。図９（Ａ）に点線の楕円ｂで示す範囲は可視光全体が明るい範囲である。同様に、図９（Ｂ）に点線の楕円ａで示すように、ＳｉＮｘ膜の膜厚としては１００ｎｍ以下の領域にて透過率が高いことが分かる。従って、ＳｉＯｘ膜及びＳｉＮｘ膜については透過率の面から好ましい条件があるということが分かる。

【0049】

他方、絶縁耐圧の観点から最小限の膜厚を検討すると、ＳｉＯｘ膜の絶縁破壊電圧が３９．１１[MV/cm]、ＳｉＮｘ膜の絶縁破壊電圧が２８．０[MV/cm]であることから、直流１００Ｖの電圧を仮定した場合の絶縁耐圧から最小膜厚を求めると、ＳｉＯｘ膜の最小膜厚は２６[nm]、ＳｉＮｘ膜の最小膜厚は３６[nm]となる。

【0050】

次に、スペクトルの合わせ込みという観点から、ＳｉＯｘ膜及びＳｉＮｘ膜の好適値を求める方法の一例を説明する。ここでは、生産時の工程管理上、設計膜厚を可変に設定することが比較的難しい配向膜やＩＴＯ膜については膜厚を固定値とし、ＳｉＯｘ膜及びＳｉＮｘ膜についての膜厚を可変に設定し、スペクトルの合わせ込みを行った実例を説明する。液晶素子の構成としては上記した変形実施例の液晶素子６ａの構成を想定したが、実施形態の液晶素子６でも同様に考えることができる。スペクトルピークの設定位置としては、４９０[nm]付近がピークとなるように設計を行った。光は電磁波であるからマクスウェルの方程式を行列計算に変換した特性マトリクスを用いることで光学特性を計算することができる。波長設計においては、薄膜の位相差についてπ／２、π／４で検討した。ＳｉＯｘ膜についてはπ／２、ＳｉＮｘ膜についてはπ／４で薄膜干渉により、求めるスペクトルを得た。

【0051】

図１０は、ＳｉＯｘ膜の膜厚を可変に設定して計算したスペクトルを示す図である。ＳｉＯｘ膜の膜厚については、１４９[nm]、１５４[nm]、１５９[nm]、１６４[nm]、１６８[nm]に設定した。図中の特性線ａは膜厚１４９[nm]に対応し、特性線ｂは膜厚１５４[nm]に対応し、特性線ｃは膜厚１５９[nm]に対応し、特性線ｄは膜厚１６４[nm]に対応し、特性線ｅは膜厚１４８[nm]に対応している。ＳｉＮｘ膜の膜厚については５９[nm]で固定した。ＩＴＯ膜については、ガラス基板の一面に設けられるＩＴＯ膜の膜厚を９０[nm]とし、ＳｉＯｘ膜ないしＳｉＮｘに設けられるＩＴＯ膜の膜厚を４０[nm]とした。図示のように、ＳｉＯｘ膜の膜厚が１６４[nm]以下で青色に相当する波長以下の波長（λ≦４９０[nm]）の合わせ込みができることが分かる。

【0052】

図１１は、ＳｉＮｘ膜の膜厚を可変に設定して計算したスペクトルを示す図である。ＳｉＮｘ膜の膜厚については５９[nm]～１２０[nm]で可変に設定した。図中の特性線ａ～ｊは、それぞれ膜厚５９[nm]、６３[nm]、６６[nm]、６８[nm]、７０[nm]、７２[nm]、７５[nm]、９０[nm]、１００[nm]、１２０[nm]に対応している。ＳｉＯｘ膜の膜厚については１４９[nm]で固定した。ＩＴＯ膜については、ガラス基板の一面に設けられるＩＴＯ膜の膜厚を９０[nm]とし、ＳｉＯｘ膜ないしＳｉＮｘに設けられるＩＴＯ膜の膜厚を４０[nm]とした。

【0053】

図示のように、ＳｉＮｘに関しては、スペクトルの変化の特徴からピークシフトよりも位相差を大きくしたことによる振幅の発生が起こる。ばらつきを考慮するとこのような振幅の発生はなるべく抑えたい。スペクトルの特徴から、ＳｉＮｘ膜の膜厚を９０[nm]以下とすることで振幅が抑えられると判断できる。スペクトルの傾向として、位相差が大きくなるとスペクトルに振幅が発生する。そして、ＳｉＯｘ膜よりもＳｉＮｘ膜のほうが振幅の出やすい傾向がある。これは屈折率の差によるものと考えられる。ＳｉＯｘ膜の屈折率が１．４６であるのに対してＳｉＮｘ膜の屈折率が１．８５であるので、同じ膜厚で考えるとＳｉＮｘ膜のほうが位相差を生じやすいといえる。一例として、ＳｉＮｘ膜の膜厚を５９[nm]、ＳｉＯｘの膜厚を１４９[nm]とした設計においてバラツキを検証したところ、位相シフトの影響があるものの安定して高い透過率が得られた。

【0054】

以上のような実施形態によれば、車両用前照灯システムに用いられる液晶素子における入射光による加温効果を領域毎に制御可能となる。

【0055】

なお、本開示は上記した実施形態の内容に限定されるものではなく、本開示の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。例えば、上記した実施形態等による各種条件（数値例など）は一例であってそれらに限定されない。また、上記した実施形態では本開示に係る光投射システムの一例として車両用前照灯システムを挙げていたが本開示の適用範囲はこれに限定されない。

【0056】

また、上記実施形態では、エネルギーの強い光が入射する第１領域と、それ以外の周辺領域である第２領域の絶縁層の構成を異なるものとして構成したが、入射光による液晶素子の温度上昇の抑制の観点から、いずれの領域においても絶縁層をＩＴＯ層１１６に接するＳｉＯｘ膜１７ａとＩＴＯ層１１６に接しないＳｉＮｘ膜１７ｂとを含む構成とすることもできる。

【0057】

また、上記した実施形態においては、図２に示すように絶縁層１７のうち各画素電極１３の間の部分を完全に除去して各画素間電極１５を完全に露出させているが、開口部１９の底部に、各画素間電極１５を覆う絶縁層（薄層部）を残存させることもできる。つまり、画素間電極１５用の、画素電極と重複しない領域に、絶縁層１７より薄い膜厚の絶縁層を形成することができる。このとき、絶縁層１７および薄層部の形成は、エッチング時間等の制御により実現できる。例えば、絶縁層１７をＳｉＯｘとＳｉＮｘで積層した場合には、ＣＦ_４とＯ_２の混合ガス系によるエッチングレート比はＳｉＯｘ：ＳｉＮｘ＝１：３程度であるため、薄層部をＳｉＯｘとして安定して形成することができる。絶縁層である薄層部を残存させることにより、画素電極１３上の領域と画素間電極１５上との領域との間の透過率差を抑制することができる。一般に、液晶層１８が垂直配向モードである場合には透過率の層厚依存性があり、透過率の層厚依存性により画素電極１３上の領域と画素間電極１５上との領域では、液晶層の層厚が異なることより、透過率に差を生じるが、絶縁層である薄層部を残存させることにより液晶層の層厚差を小さくすることができるためである。

【0058】

本開示は、以下に付記する特徴を有する。
（付記１）
光源と、
前記光源から出射する光を集光する集光光学系と、
前記集光光学系によって集光された前記光が入射する位置に配置される液晶素子と、
前記液晶素子を透過した前記光を投影する投影レンズと、
を含み、
前記液晶素子は、
対向配置される第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置される液晶層と、
前記第１基板と前記液晶層との間に配置されており複数の層を含む第１積層部と、
前記第２基板と前記液晶層との間に配置されており複数の層を含む第２積層部と、
を有し、
前記第１積層部及び前記第２積層部のうち少なくとも一方は、
第１ＩＴＯ層と、
前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１無機絶縁層と、
前記第１無機絶縁層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第２ＩＴＯ層と、
を有し、
前記第１無機絶縁層は、前記光の透過する領域の一部である第１領域において、
前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＯｘ膜と、
前記第１ＳｉＯｘ膜の前記液晶層と対向する一面側に配置される第１ＳｉＮｘ膜と、
を有する、
光投射システム。
（付記２）
前記第１無機絶縁層は、前記光の透過する領域の一部であって前記第１領域と異なる第２領域において、
前記第１ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される第２ＳｉＮｘ膜を有する、
付記１に記載の光投射システム。
（付記３）
前記第１領域は、前記集光光学系によって集光される前記光の焦点を含む領域であり、
前記第２領域は、前記集光光学系によって集光される前記光の焦点を含まない領域である、
付記２に記載の光投射システム。
（付記４）
前記第１領域は、平面視において１０ｍｍ以下の径を有する領域である、
付記１～３の何れかに記載の光投射システム。
（付記５）
前記第２領域は、平面視において前記第１領域の周囲の領域である、
付記２～４の何れかに記載の光投射システム。
（付記６）
前記第１積層部及び前記第２積層部のうち少なくとも一方は、
前記第２ＩＴＯ層の前記液晶層と対向する一面側に配置される絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記液晶層と対向する一面側に配置される配向膜と、
を有する、
付記１～５の何れかに記載の光投射システム。
（付記７）
前記第１領域の前記第１ＳｉＯｘ膜の膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、
付記１～５の何れかに記載の光投射システム。
（付記８）
前記第１領域の前記第１ＳｉＮｘ膜の膜厚が１００ｎｍ以下である、
付記１～６の何れかに記載の光投射システム。
（付記９）
前記第１領域の前記第１ＳｉＯｘ膜の膜厚が２６ｎｍ以上１６４ｎｍ以下であり、
前記第１領域の前記第１ＳｉＮｘ膜の膜厚が３６ｎｍ以上９０ｎｍ以下である、
付記１～８の何れかに記載の光投射システム。

【符号の説明】

【0059】

１１：第１基板、１２：第２基板、１１３、１１４、１１６：ＩＴＯ層、１７：絶縁層、１７ａ：ＳｉＯｘ膜、１７ｂ：ＳｉＮｘ膜、１８：液晶層、２１、２３：保護膜、２２、２４：配向膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】