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特開2024-88347積層型フィルタ装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024088347

(43)【公開日】2024-07-02

(54)【発明の名称】積層型フィルタ装置

(51)【国際特許分類】

H03H 7/09 20060101AFI20240625BHJP

H01F 17/00 20060101ALI20240625BHJP

H01F 27/00 20060101ALI20240625BHJP

H01F 27/29 20060101ALI20240625BHJP

【ＦＩ】

H03H7/09 Z

H01F17/00 D

H01F27/00 S

H01F27/00 160

H01F27/29 123

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022203463

(22)【出願日】2022-12-20

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002907

【氏名又は名称】弁理士法人イトーシン国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐藤拓也

(72)【発明者】

【氏名】松本祐輝

【テーマコード（参考）】

5E070

5J024

【Ｆターム（参考）】

5E070AA05

5E070AB01

5E070CB13

5E070CB17

5E070DB08

5E070EA01

5J024BA18

5J024CA02

5J024CA04

5J024CA06

5J024CA09

5J024DA04

5J024DA29

5J024DA31

5J024DA33

5J024DA34

5J024DA35

5J024EA03

5J024KA03

(57)【要約】

【課題】複数の共振器を備えたフィルタ装置において、所望の特性を実現しながら小型化する。
【解決手段】フィルタ装置１は、複数の共振器と、積層体５０とを備えている。複数の共振器は、第１の並列型共振器１１と、第１の直列型共振器１３とを含んでいる。第１の並列型共振器１１は、積層方向Ｔに直交する方向に延びる軸を中心に巻回された導体構造体１１０を含んでいる。第１の直列型共振器１３は、積層方向Ｔに平行な方向に延びる軸を中心に巻回された導体層６３３を含んでいる。導体層６３３は、積層方向Ｔから見たときに、３つの側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１１０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃを含んでいる。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の端子と、
第２の端子と、
回路構成上、前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置された複数の共振器と、
前記第１の端子、前記第２の端子および前記複数の共振器を一体化するための積層体であって、積層された複数の誘電体層を含む積層体とを備え、
前記複数の共振器は、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する経路に両端が接続された少なくとも１つの並列型共振器と、前記経路に一端のみが接続された少なくとも１つの直列型共振器とを含み、
前記少なくとも１つの並列型共振器は、前記複数の誘電体層の積層方向に直交する方向に延びる軸を中心に巻回された導体構造体を含み、
前記少なくとも１つの直列型共振器は、前記積層方向に平行な方向に延びる軸を中心に巻回された第１の導体層を含み、
前記積層体は、前記積層方向の両端に位置する第１の面および第２の面と、前記第１の面と前記第２の面を接続する４つの側面とを有し、
前記第１の導体層は、前記積層方向から見たときに、それぞれ前記４つの側面のうちの３つの側面と前記導体構造体の少なくとも一部との間に位置する３つの部分を含むことを特徴とする積層型フィルタ装置。

【請求項2】

前記導体構造体の巻回数は、３／４回以上であることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項3】

前記第１の導体層の巻回数は、３／４回以上であることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項4】

前記少なくとも１つの並列型共振器は、前記第１の端子または前記第２の端子に接続されていることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項5】

前記第１の導体層は、前記積層方向から見たときに、前記導体構造体と重なることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項6】

前記導体構造体は、２つのスルーホール列と、前記２つのスルーホール列の各々の一端に電気的に接続された第２の導体層とを含み、
前記２つのスルーホール列の各々は、複数のスルーホールが直列に接続されることによって構成されていることを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項7】

前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記積層方向において同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項６記載の積層型フィルタ装置。

【請求項8】

前記第１の導体層と前記第２の導体層は、前記積層方向において互いに異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項６記載の積層型フィルタ装置。

【請求項9】

前記４つの側面は、前記積層方向に直交する方向の両端に配置された第１の側面および第２の側面を含み、
前記第２の導体層は、前記第２の導体層の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有すると共に、前記第１端および前記第２端よりも前記第１の側面に近い部分を含むことを特徴とする請求項６記載の積層型フィルタ装置。

【請求項10】

前記導体構造体は、更に、前記積層方向において前記第２の導体層とは異なる位置において前記２つのスルーホール列の一方の他端に電気的に接続された第３の導体層を含み、
前記４つの側面は、前記積層方向に直交する方向の両端に配置された第１の側面および第２の側面を含み、
前記第３の導体層は、前記第３の導体層の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有すると共に、前記第１端および前記第２端よりも前記第１の側面に近い部分を含むことを特徴とする請求項６記載の積層型フィルタ装置。

【請求項11】

前記少なくとも１つの並列型共振器は、第１の並列型共振器と、第２の並列型共振器とを含み、
前記少なくとも１つの直列型共振器は、第１の直列型共振器と、第２の直列型共振器とを含み、
前記第１の並列型共振器は、回路構成上、前記第１の端子と前記第１の直列型共振器との間に配置され、
前記第２の並列型共振器は、回路構成上、前記第２の端子と前記第２の直列型共振器との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の積層型フィルタ装置。

【請求項12】

更に、前記第１の直列型共振器の前記第１の導体層と前記第２の直列型共振器の前記第１の導体層に電気的に接続されたスルーホールを備えたことを特徴とする請求項１１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項13】

前記第１の直列型共振器の前記第１の導体層の長手方向の両端の間には、第１のギャップが形成され、
前記第２の直列型共振器の前記第１の導体層の長手方向の両端の間には、第２のギャップが形成され、
前記第１のギャップと前記第２のギャップは、前記積層方向に直交する方向において隣接していることを特徴とする請求項１１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項14】

前記第１の並列型共振器の前記導体構造体は、前記導体構造体によって囲まれた第１の開口部が形成されるように巻回され、
前記第２の並列型共振器の前記導体構造体は、前記導体構造体によって囲まれた第２の開口部が形成されるように巻回され、
前記第１の並列型共振器の前記導体構造体と前記第２の並列型共振器の前記導体構造体は、前記第１の開口部と前記第２の開口部が互いに対向しないように、前記積層方向から見たときの前記積層体の平面形状の長手方向に並んでいることを特徴とする請求項１１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項15】

回路構成上前記第１の端子、前記第１の並列型共振器および前記第１の直列型共振器を含む部分と、回路構成上前記第２の端子、前記第２の並列型共振器および前記第２の直列型共振器を含む部分は、互いに対称になる回路構成を有していることを特徴とする請求項１１記載の積層型フィルタ装置。

【請求項16】

前記積層体において前記第１の端子、前記第１の並列型共振器および前記第１の直列型共振器を含む部分を構成する複数の導体は、前記積層方向に平行な仮想の平面を中心として、前記積層体において前記第２の端子、前記第２の並列型共振器および前記第２の直列型共振器を含む部分を構成する複数の導体と対称になるように形成されていることを特徴とする請求項１１記載の積層型フィルタ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の共振器を備えた積層型フィルタ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

通信装置に用いられる電子部品の一つには、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタがある。特に小型の通信装置に用いられるバンドパスフィルタには、小型化が求められる。小型化に適したバンドパスフィルタとしては、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体を用いたものが知られている。

【0003】

積層体を用いたバンドパスフィルタに用いられる共振器としては、複数の誘電体層の積層方向に平行な軸に巻回された１つ以上の導体層を含む導体層型の共振器と、導体層と複数のスルーホールとによって構成された導体構造体であって、複数の誘電体層の積層方向に直交する軸に巻回された導体構造体を含む導体構造体型の共振器とが知られている。

【0004】

なお、「巻回された導体層（導体構造体）」は、巻回数が１回以上の導体層（導体構造体）に加えて、巻回数が３／４回の導体層（導体構造体）を含むが、巻回数が１／２回以下の導体層（導体構造体）を含まない。以下、巻回数が１／２回以下の導体層（導体構造体）を含む共振器を、非巻回型の共振器とも言う。

【0005】

特許文献１には、複数の非巻回型の共振器を含むフィルタ装置と、複数の導体構造体型の共振器と複数の非巻回型の共振器とを含むフィルタ装置と、複数の導体層型の共振器と複数の非巻回型の共振器とを含むフィルタ装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】国際公開第２０２２／０７１１９１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

バンドパスフィルタでは、複数の共振器の各々のインダクタンスを大きくすることが求められる場合がある。この場合、バンドパスフィルタを小型化するためには、巻回された導体層（導体構造体）を含む共振器を用いることが好ましい。しかし、複数の共振器の全てを導体層型の共振器または導体構造体型の共振器によって構成した場合には、構造上の制約から小型化が難しいという問題と、共振器間の電磁界結合が強くなりすぎて所望の特性が得られなくなるという特性上の制約から小型化が難しいという問題があった。

【0008】

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の共振器を備えたフィルタ装置において、所望の特性を実現しながら小型化することができる積層型フィルタ装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の積層型フィルタ装置は、第１の端子と、第２の端子と、回路構成上、第１の端子と第２の端子との間に配置された複数の共振器と、第１の端子、第２の端子および複数の共振器を一体化するための積層体であって、積層された複数の誘電体層を含む積層体とを備えている。複数の共振器は、第１の端子と第２の端子とを接続する経路に両端が接続された少なくとも１つの並列型共振器と、経路に一端のみが接続された少なくとも１つの直列型共振器とを含んでいる。少なくとも１つの並列型共振器は、複数の誘電体層の積層方向に直交する方向に延びる軸を中心に巻回された導体構造体を含んでいる。少なくとも１つの直列型共振器は、積層方向に平行な方向に延びる軸を中心に巻回された第１の導体層を含んでいる。積層体は、積層方向の両端に位置する第１の面および第２の面と、第１の面と第２の面を接続する４つの側面とを有している。第１の導体層は、積層方向から見たときに、それぞれ４つの側面のうちの３つの側面と導体構造体の少なくとも一部との間に位置する３つの部分を含んでいる。

【発明の効果】

【0010】

本発明の積層型フィルタ装置では、少なくとも１つの直列型共振器の第１の導体層は、積層方向から見たときに、それぞれ４つの側面のうちの３つの側面と少なくとも１つの並列型共振器の導体構造体の少なくとも一部との間に位置する３つの部分を含んでいる。これにより、本発明によれば、所望の特性を実現しながら小型化することが可能になるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の回路構成を示す回路図である。

【図2】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の外観を示す斜視図である。

【図3】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１層目ないし３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図4】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における４層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図5】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における７層目ないし１３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図6】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図7】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体の内部を示す斜視図である。

【図8】図７に示した積層体の内部の一部を示す平面図である。

【図9】本発明の第１の実施の形態における仮想の平面を説明するための説明図である。

【図10】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の特性の一例を示す特性図である。

【図11】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における２層目ないし４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図12】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における５層目ないし１０層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図13】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１１層目ないし１３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図14】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体の内部を示す斜視図である。

【図15】図１４に示した積層体の内部の一部を示す平面図である。

【図16】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の特性の一例を示す特性図である。

【図17】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の外観を示す斜視図である。

【図18】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１層目ないし３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図19】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における４層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図20】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における７層目ないし１０層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図21】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１１層目および１２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図22】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体の内部を示す斜視図である。

【図23】図２２に示した積層体の内部の一部を示す平面図である。

【図24】本発明の第３の実施の形態における仮想の平面を説明するための説明図である。

【図25】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の特性の一例を示す特性図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置（以下、単にフィルタ装置と記す。）１の構成について説明する。図１は、フィルタ装置１の回路構成を示す回路図である。図１には、フィルタ装置１の例として、バンドパスフィルタを示している。フィルタ装置１は、第１の端子２と、第２の端子３と、複数の共振器とを備えている。第１および第２の端子２，３の各々は、信号の入力または出力のための端子である。

【0013】

複数の共振器は、回路構成上、第１の端子２と第２の端子３との間に設けられている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。

【0014】

フィルタ装置１は、更に、第１の端子２と第２の端子３とを接続する経路４を備えている。本出願において、経路４は、グランドを経由せずに第１の端子２と第２の端子３とを接続する回路図上の経路として定義される。図１では、理解を容易にするために、経路４を太線で描いている。

【0015】

複数の共振器は、少なくとも１つの並列型共振器と、少なくとも１つの直列型共振器とを含んでいる。少なくとも１つの並列型共振器は、両端が経路４に接続されている。少なくとも１つの直列型共振器は、一端のみが経路４に接続されている。少なくとも１つの並列型共振器と少なくとも１つの直列型共振器は、経路４に直接接続されていてもよいし、経路４にインダクタまたはキャパシタを介して接続されていてもよい。

【0016】

以下、図１を参照して、フィルタ装置１の回路構成の一例について説明する。フィルタ装置１は、更に、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ１１，Ｃ１２を備えている。少なくとも１つの並列型共振器は、第１の並列型共振器１１と、第２の並列型共振器１２とを含んでいる。少なくとも１つの直列型共振器は、第１の直列型共振器１３と、第２の直列型共振器１４とを含んでいる。経路４は、第１の端子２と第２の端子３を接続する複数の経路のうち、第１および第２の並列型共振器１１，１２ならびに第１および第２の直列型共振器１３，１４の全てが接続された経路でもある。

【0017】

第１の並列型共振器１１の一端と他端は、経路４に接続されている。また、第１の並列型共振器１１の一端は、第１の端子２に接続されている。キャパシタＣ１１は、第１の並列型共振器１１に対して並列に接続されている。キャパシタＣ１の一端は、第１の並列型共振器１１の他端に接続されている。キャパシタＣ１の他端は、グランドに接続されている。

【0018】

第２の並列型共振器１２の一端と他端は、経路４に接続されている。また、第２の並列型共振器１２の一端は、第２の端子３に接続されている。キャパシタＣ１２は、第２の並列型共振器１２に対して並列に接続されている。キャパシタＣ２の一端は、第２の並列型共振器１２の他端に接続されている。キャパシタＣ２の他端は、グランドに接続されている。

【0019】

第１の直列型共振器１３の一端は、経路４に接続されている。第１の直列型共振器１３の他端は、グランドに接続されている。キャパシタＣ３の一端は、第１の直列型共振器１３の一端に接続されている。キャパシタＣ３の他端は、グランドに接続されている。

【0020】

第２の直列型共振器１４の一端は、経路４に接続されている。第２の直列型共振器１４の他端は、グランドに接続されている。キャパシタＣ４の一端は、第２の直列型共振器１４の一端に接続されている。キャパシタＣ４の他端は、グランドに接続されている。

【0021】

キャパシタＣ５の一端は、第１の並列型共振器１１の他端に接続されている。キャパシタＣ５の他端は、第２の並列型共振器１２の他端に接続されている。

【0022】

キャパシタＣ６，Ｃ７，Ｃ８は、経路４上に設けられている。キャパシタＣ６の一端は、第１の並列型共振器１１の他端に接続されている。キャパシタＣ６の他端とキャパシタＣ８の一端は、第１の直列型共振器１３の一端に接続されている。キャパシタＣ７の一端は、第２の並列型共振器１２の他端に接続されている。キャパシタＣ７の他端とキャパシタＣ８の他端は、第２の直列型共振器１４の一端に接続されている。

【0023】

第１の並列型共振器１１と第２の並列型共振器１２は、互いに磁気結合している。また、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３は、互いに磁気結合している。また、第２の並列型共振器１２と第２の直列型共振器１４は、互いに磁気結合している。

【0024】

ここで、回路構成上、第１の端子２、第１の並列型共振器１１および第１の直列型共振器１３を含む部分を、第１の回路要素群と言う。また、回路構成上、第２の端子３、第２の並列型共振器１２および第２の直列型共振器１４を含む部分を、第２の回路要素群と言う。第１の回路要素群と第２の回路要素群は、互いに対称になる回路構成を有している。すなわち、第１の回路要素群と第２の回路要素群は、回路図上で互いに対称になるように描くことができる。第１の回路要素群は、更に、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ６，Ｃ１１を含み、第２の回路要素群は、更に、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ７，Ｃ１２を含んでいてもよい。

【0025】

次に、図２を参照して、フィルタ装置１のその他の構成について説明する。図２は、フィルタ装置１の外観を示す斜視図である。

【0026】

フィルタ装置１は、更に、積層された複数の誘電体層と複数の導体とを含む積層体５０を備えている。第１の端子２、第２の端子３、複数の共振器およびキャパシタＣ１～Ｃ７，Ｃ１１，Ｃ１２は、積層体５０に一体化されている。

【0027】

積層体５０は、複数の誘電体層の積層方向Ｔの両端に位置する第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂと、第１の面５０Ａと第２の面５０Ｂを接続する４つの側面５０Ｃ～５０Ｆとを有している。側面５０Ｃ，５０Ｄは互いに反対側を向き、側面５０Ｅ，５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面５０Ｃ～５０Ｆは、第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂに対して垂直になっている。

【0028】

ここで、図２に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Ｔに平行な一方向を、Ｚ方向とする。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。また、「積層方向Ｔから見たとき」という表現は、Ｚ方向または－Ｚ方向に離れた位置から対象物を見ることを意味する。

【0029】

図２に示したように、第１の面５０Ａは、積層体５０における－Ｚ方向の端に位置する。第１の面５０Ａは、積層体５０の底面でもある。第２の面５０Ｂは、積層体５０におけるＺ方向の端に位置する。第２の面５０Ｂは、積層体５０の上面でもある。第１の面５０Ａおよび第２の面５０Ｂの各々の形状は、Ｘ方向に長い矩形形状である。側面５０Ｃは、積層体５０における－Ｘ方向の端に位置する。側面５０Ｄは、積層体５０におけるＸ方向の端に位置する。側面５０Ｅは、積層体５０における－Ｙ方向の端に位置する。側面５０Ｆは、積層体５０におけるＹ方向の端に位置する。

【0030】

フィルタ装置１は、更に、積層体５０の第１の面５０Ａに配置された電極１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６を備えている。電極１１１，１１２，１１３は、側面５０Ｆよりも側面５０Ｅにより近い位置において、Ｘ方向にこの順に並んでいる。電極１１４，１１５，１１６は、側面５０Ｅよりも側面５０Ｆにより近い位置において、－Ｘ方向にこの順に並んでいる。

【0031】

電極１１１は、第１の端子２に対応する。電極１１３は、第２の端子３に対応する。電極１１５は、グランドに接続される。電極１１２，１１４，１１６の各々は、グランドに接続されてもよいし、接続されなくてもよい。

【0032】

次に、図３（ａ）ないし図６を参照して、積層体５０を構成する複数の誘電体層、複数の導体層および複数のスルーホールの一例について説明する。この例では、積層体５０は、積層された１４層の誘電体層を有している。以下、この１４層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１４層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし１４層目の誘電体層を符号５１～６４で表す。

【0033】

図３（ａ）ないし図５（ｂ）において、複数の円は複数のスルーホールを表している。誘電体層５１～６２の各々には、複数のスルーホールが形成されている。複数のスルーホールは、それぞれ、スルーホール用の孔に導体ペーストを充填することによって形成される。複数のスルーホールの各々は、電極、導体層または他のスルーホールに接続されている。

【0034】

図３（ａ）ないし図５（ｂ）では、複数のスルーホールのうちの複数の特定のスルーホールに、符号を付している。複数の特定のスルーホールの各々と、電極、導体層または他のスルーホールとの接続関係については、１層目ないし１４層目の誘電体層５１～６４が積層された状態における接続関係について説明している。

【0035】

図３（ａ）は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面を示している。誘電体層５１のパターン形成面には、電極１１１～１１６が形成されている。図３（ａ）において符号５１Ｔ５を付したスルーホールは、電極１１５に接続されている。なお、以下の説明では、符号５１Ｔ５を付したスルーホールを、単にスルーホール５１Ｔ５と記す。また、スルーホール５１Ｔ５以外の符号を付したスルーホールについても、スルーホール５１Ｔ５と同様に記す。

【0036】

図３（ｂ）は、２層目の誘電体層５２のパターン形成面を示している。誘電体層５２のパターン形成面には、導体層５２１，５２２，５２３が形成されている。また、図３（ｂ）に示したスルーホール５２Ｔ５と、誘電体層５１に形成されたスルーホール５１Ｔ５は、導体層５２１に接続されている。

【0037】

図３（ｃ）は、３層目の誘電体層５３のパターン形成面を示している。誘電体層５３のパターン形成面には、導体層５３１，５３２，５３３が形成されている。また、図３（ｃ）に示したスルーホール５３Ｔ５は、誘電体層５２に形成されたスルーホール５２Ｔ５に接続されている。

【0038】

図４（ａ）は、４層目の誘電体層５４のパターン形成面を示している。誘電体層５４のパターン形成面には、導体層５４１，５４２，５４３，５４４が形成されている。また、図４（ａ）に示したスルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ２ａ，５４Ｔ３，５４Ｔ４は、それぞれ、導体層５４１，５４２，５４３，５４４に接続されている。スルーホール５４Ｔ５は、誘電体層５３に形成されたスルーホール５３Ｔ５に接続されている。

【0039】

図４（ｂ）は、５層目の誘電体層５５のパターン形成面を示している。誘電体層５５のパターン形成面には、導体層５５１，５５２，５５３が形成されている。また、図４（ｂ）に示したスルーホール５５Ｔ１ａ，５５Ｔ２ａ，５５Ｔ３，５５Ｔ４，５５Ｔ５は、それぞれ、誘電体層５４に形成されたスルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ２ａ，５４Ｔ３，５４Ｔ４，５４Ｔ５に接続されている。スルーホール５５Ｔ１ｇ，５５Ｔ２ｇは、それぞれ、導体層５５１，５５２に接続されている。

【0040】

図４（ｃ）は、６層目の誘電体層５６のパターン形成面を示している。誘電体層５６のパターン形成面には、共振器用の導体層５６１ａ，５６１ｂ，５６１ｃ，５６２ａ，５６２ｂ，５６２ｃと、導体層５６３が形成されている。導体層５６１ａ～５６１ｃ，５６２ａ～５６２ｃの各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0041】

また、図４（ｃ）に示したスルーホール５６Ｔ１ａ，５６Ｔ２ａ，５６Ｔ３，５６Ｔ４は、それぞれ、誘電体層５５に形成されたスルーホール５５Ｔ１ａ，５５Ｔ２ａ，５５Ｔ３，５５Ｔ４に接続されている。

【0042】

スルーホール５６Ｔ１ｂは、導体層５６１ａの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ１ｃは、導体層５６１ａの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ１ｄは、導体層５６１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ１ｅは、導体層５６１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ１ｆは、導体層５６１ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層５５に形成されたスルーホール５５Ｔ１ｇは、導体層５６１ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0043】

スルーホール５６Ｔ２ｂは、導体層５６２ａの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ２ｃは、導体層５６２ａの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ２ｄは、導体層５６２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ２ｅは、導体層５６２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ２ｆは、導体層５６２ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層５５に形成されたスルーホール５５Ｔ２ｇは、導体層５６２ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0044】

スルーホール５６Ｔ５と、誘電体層５５に形成されたスルーホール５５Ｔ５は、導体層５６３に接続されている。

【0045】

図５（ａ）は、７層目ないし１１層目の誘電体層５７～６１の各々のパターン形成面を示している。誘電体層５７～６１の各々には、スルーホール５７Ｔ１ａ，５７Ｔ１ｂ，５７Ｔ１ｃ，５７Ｔ１ｄ，５７Ｔ１ｅ，５７Ｔ１ｆ，５７Ｔ２ａ，５７Ｔ２ｂ，５７Ｔ２ｃ，５７Ｔ２ｄ，５７Ｔ２ｅ，５７Ｔ２ｆ，５７Ｔ３，５７Ｔ４，５７Ｔ５が形成されている。誘電体層５７に形成されたスルーホール５７Ｔ１ａ～５７Ｔ１ｆ，５７Ｔ２ａ～５７Ｔ２ｆ，５７Ｔ３～５７Ｔ５は、それぞれ、誘電体層５６に形成されたスルーホール５６Ｔ１ａ～５６Ｔ１ｆ，５６Ｔ２ａ～５６Ｔ２ｆ，５６Ｔ３～５６Ｔ５に接続されている。また、誘電体層５７～６１では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

【0046】

図５（ｂ）は、１２層目の誘電体層６２のパターン形成面を示している。誘電体層６２のパターン形成面には、共振器用の導体層６２１ａ，６２１ｂ，６２１ｃ，６２２ａ，６２２ｂ，６２２ｃが形成されている。また、図５（ｂ）に示したスルーホール６２Ｔ１ａと、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ１ａは、導体層６２１ａに接続されている。スルーホール６２Ｔ１ｃと、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ１ｃは、導体層６２１ｂに接続されている。スルーホール６２Ｔ１ｅと、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ１ｅは、導体層６２１ｃに接続されている。

【0047】

スルーホール６２Ｔ２ａと、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ２ａは、導体層６２２ａに接続されている。スルーホール６２Ｔ２ｃと、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ２ｃは、導体層６２２ｂに接続されている。スルーホール６２Ｔ２ｅと、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ２ｅは、導体層６２２ｃに接続されている。

【0048】

スルーホール６２Ｔ１ｂ，６２Ｔ１ｄ，６２Ｔ１ｆ，６２Ｔ２ｂ，６２Ｔ２ｄ，６２Ｔ２ｆ，６２Ｔ３～６２Ｔ５は、それぞれ、誘電体層６１に形成されたスルーホール５７Ｔ１ｂ，５７Ｔ１ｄ，５７Ｔ１ｆ，５７Ｔ２ｂ，５７Ｔ２ｄ，５７Ｔ２ｆ，５７Ｔ３～５７Ｔ５に接続されている。

【0049】

図５（ｃ）は、１３層目の誘電体層６３のパターン形成面を示している。誘電体層６３のパターン形成面には、共振器用の導体層６３１ａ，６３１ｂ，６３１ｃ，６３２ａ，６３２ｂ，６３２ｃ，６３３，６３４と、導体層６３５が形成されている。導体層６３１ａ～６３１ｃ，６３２ａ～６３２ｃ，６３３，６３４の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層６３３の第２端と導体層６３４の第２端は、互いに接続されている。導体層６３５は、導体層６３３と導体層６３４との境界の近傍において導体層６３３，６３４に接続されている。図５（ｃ）では、導体層６３３，６３４，６３５の境界を点線で示している。

【0050】

誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ１ａは、導体層６３１ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ１ｂは、導体層６３１ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ１ｃは、導体層６３１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ１ｄは、導体層６３１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ１ｅは、導体層６３１ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ１ｆは、導体層６３１ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0051】

誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ２ａは、導体層６３２ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ２ｂは、導体層６３２ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ２ｃは、導体層６３２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ２ｄは、導体層６３２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ２ｅは、導体層６３２ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ２ｆは、導体層６３２ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0052】

誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ３は、導体層６３３の第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ４は、導体層６３４の第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層６２に形成されたスルーホール６２Ｔ５は、導体層６３５に接続されている。

【0053】

図６は、１４層目の誘電体層６１のパターン形成面を示している。誘電体層６４のパターン形成面には、マーク６４１が形成されている。

【0054】

図２に示した積層体５０は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面が積層体５０の第１の面５０Ａになり、１４層目の誘電体層６４のパターン形成面とは反対側の面が積層体５０の第２の面５０Ｂになるように、１層目ないし１４層目の誘電体層５１～６４が積層されて構成される。

【0055】

図３（ａ）ないし図５（ｂ）に示した複数のスルーホールの各々は、１層目ないし１４層目の誘電体層５１～６４を積層したときに、積層方向Ｔにおいて重なる導体層または積層方向Ｔにおいて重なる他のスルーホールに接続されている。また、図３（ａ）ないし図５（ｂ）に示した複数のスルーホールのうち、電極内または導体層内に位置するスルーホールは、その電極またはその導体層に接続されている。

【0056】

図７は、１層目ないし１４層目の誘電体層５１～６４が積層されて構成された積層体５０の内部を示している。図７に示したように、積層体５０の内部では、図３（ａ）ないし図５（ｃ）に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図７では、マーク６４１を省略している。

【0057】

以下、図１に示したフィルタ装置１の回路の構成要素と、図３（ａ）ないし図５（ｃ）に示した積層体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。第１の並列型共振器１１は、導体層５６１ａ～５６１ｃ，６２１ａ～６２１ｃ，６３１ａ～６３１ｃと、スルーホール５４Ｔ１ａ，５５Ｔ１ａ，５６Ｔ１ａ～５６Ｔ１ｆ，５７Ｔ１ａ～５７Ｔ１ｆ，６２Ｔ１ａ～６２Ｔ１ｆとによって構成されている。

【0058】

第２の並列型共振器１２は、導体層５６２ａ～５６２ｃ，６２２ａ～６２２ｃ，６３２ａ～６３２ｃと、スルーホール５４Ｔ２ａ，５５Ｔ２ａ，５６Ｔ２ａ～５６Ｔ２ｆ，５７Ｔ２ａ～５７Ｔ２ｆ，６２Ｔ２ａ～６２Ｔ２ｆとによって構成されている。

【0059】

第１の直列型共振器１３は、導体層６３３によって構成されている。第２の直列型共振器１４は、導体層６３４によって構成されている。

【0060】

キャパシタＣ１は、導体層５２１，５４１と、これらの導体層の間の誘電体層５２，５３とによって構成されている。キャパシタＣ２は、導体層５２１，５４２と、これらの導体層の間の誘電体層５２，５３とによって構成されている。キャパシタＣ３は、導体層５３１，５４３と、これらの導体層の間の誘電体層５３とによって構成されている。キャパシタＣ４は、導体層５３２，５４４と、これらの導体層の間の誘電体層５３とによって構成されている。

【0061】

キャパシタＣ５は、導体層５５１，５５２によって構成されている。キャパシタＣ６は、導体層５４３，５５１と、これらの導体層の間の誘電体層５４とによって構成されている。キャパシタＣ７は、導体層５４４，５５２と、これらの導体層の間の誘電体層５４とによって構成されている。キャパシタＣ８は、導体層５３３，５４３，５４４，５５３と、これらの導体層の間の誘電体層５３，５４とによって構成されている。

【0062】

キャパシタＣ１１は、導体層５４１，５５１と、これらの導体層の間の誘電体層５４とによって構成されている。キャパシタＣ１２は、導体層５４２，５５２と、これらの導体層の間の誘電体層５４とによって構成されている。

【0063】

次に、図２ないし図８を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。図８は、図７に示した積層体５０の内部の一部を示す平面図である。

【0064】

始めに、第１の並列型共振器１１の特徴について説明する。第１の並列型共振器１１は、積層方向Ｔに直交する方向に延びる軸を中心に巻回された導体構造体１１０を含んでいる。すなわち、第１の並列型共振器１１は、導体構造体型の共振器である。

【0065】

導体構造体１１０は、矩形状またはほぼ矩形状の巻線でもある。矩形状またはほぼ矩形状の巻線では、巻回数について、巻線を矩形とみなしたときに、矩形の１辺につき１／４回と数えてもよい。導体構造体１１０の巻回数は、３／４回以上である。本実施の形態では特に、導体構造体１１０は、Ｙ方向に平行な方向に延在する軸を中心に３回巻回されている。

【0066】

ここで、複数のスルーホールが直列に接続されることによって構成された構造物を、スルーホール列と言う。導体構造体１１０は、スルーホール列Ｔ１ａ，Ｔ１ｂ，Ｔ１ｃ，Ｔ１ｄ，Ｔ１ｅ，Ｔ１ｆと、スルーホール６２Ｔ１ａ，６２Ｔ１ｃ，６２Ｔ１ｅと、導体層５６１ａ～５６１ｃ，６２１ａ～６２１ｃ，６３１ａ～６３１ｃとを含んでいる。

【0067】

スルーホール列Ｔ１ａは、スルーホール５４Ｔ１ａ，５５Ｔ１ａ，５６Ｔ１ａ，５７Ｔ１ａが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１ｂは、スルーホール５６Ｔ１ｂ，５７Ｔ１ｂ，６２Ｔ１ｂが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１ｃは、スルーホール５６Ｔ１ｃ，５７Ｔ１ｃが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１ｄは、スルーホール５６Ｔ１ｄ，５７Ｔ１ｄ，６２Ｔ１ｄが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１ｅは、スルーホール５６Ｔ１ｅ，５７Ｔ１ｅが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１ｆは、スルーホール５６Ｔ１ｆ，５７Ｔ１ｆ，６２Ｔ１ｆが直列に接続されることによって構成されている。

【0068】

導体層５６１ａ～５６１ｃの各々は、導体層５６１ａ～５６１ｃの各々の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。また、導体層５６１ａ～５６１ｃの各々は、導体層５６１ａ～５６１ｃの各々の第１端と第２端よりも側面５０Ｅに近い部分を含んでいる。

【0069】

導体層５６１ａは、スルーホール列Ｔ１ｂ，Ｔ１ｃの各々の一端に電気的に接続されている。導体層５６１ｂは、スルーホール列Ｔ１ｄ，Ｔ１ｅの各々の一端に電気的に接続されている。導体層５６１ｃは、スルーホール列Ｔ１ｆの一端に電気的に接続されている。また、導体層５６１ｃは、スルーホール５５Ｔ１ｇを介して導体層５５１に電気的に接続されている。

【0070】

導体層６３１ａ～６３１ｃの各々の大部分は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。導体層６３１ａは、導体層６２１ａおよびスルーホール６２Ｔ１ａを介してスルーホール列Ｔ１ａの一端に電気的に接続されていると共に、スルーホール列Ｔ１ｂの他端に電気的に接続されている。導体層６３１ｂは、導体層６２１ｂおよびスルーホール６２Ｔ１ｃを介してスルーホール列Ｔ１ｃの他端に電気的に接続されていると共に、スルーホール列Ｔ１ｄの他端に電気的に接続されている。導体層６３１ｂは、導体層６２１ｃおよびスルーホール６２Ｔ１ｅを介してスルーホール列Ｔ１ｅの他端に電気的に接続されていると共に、スルーホール列Ｔ１ｆの他端に電気的に接続されている。

【0071】

スルーホール列Ｔ１ａ～Ｔ１ｆと、導体層５６１ａ～５６１ｃ，６３１ａ～６３１ｃは、Ｙ方向に平行な軸の周りを周回するように、スルーホール列Ｔ１ａ、導体層６３１ａ、スルーホール列Ｔ１ｂ、導体層５６１ａ、スルーホール列Ｔ１ｃ、導体層６３１ｂ、スルーホール列Ｔ１ｄ、導体層５６１ｂ、スルーホール列Ｔ１ｅ、導体層６３１ｃ、スルーホール列Ｔ１ｆおよび導体層５６１ｃの順に接続されている。

【0072】

次に、第２の並列型共振器１２の特徴について説明する。第２の並列型共振器１２は、積層方向Ｔに直交する方向に延びる軸を中心に巻回された導体構造体１２０を含んでいる。すなわち、第２の並列型共振器１２は、導体構造体型の共振器である。導体構造体１２０の巻回数は、３／４回以上である。本実施の形態では特に、導体構造体１２０は、Ｙ方向に平行な方向に延在する軸を中心に３回巻回されている。

【0073】

導体構造体１２０は、スルーホール列Ｔ２ａ，Ｔ２ｂ，Ｔ２ｃ，Ｔ２ｄ，Ｔ２ｅ，Ｔ２ｆと、スルーホール６２Ｔ２ａ，６２Ｔ２ｃ，６２Ｔ２ｅと、導体層５６２ａ，５６２ｂ，５６２ｃ，６２２ａ，６２２ｂ，６２２ｃ，６３２ａ，６３２ｂ，６３２ｃとを含んでいる。

【0074】

導体構造体１１０の構造の説明中の、スルーホール列Ｔ１ａ～Ｔ１ｆ、スルーホール５４Ｔ１ａ，５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｇ，５６Ｔ１ａ～５６Ｔ１ｆ，５７Ｔ１ａ～５７Ｔ１ｆ，６２Ｔ１ａ～６２Ｔ１ｆおよび導体層５５１，５６１ａ～５６１ｃ，６２１ａ～６２１ｃ，６３１ａ～６３１ｃを、それぞれスルーホール列Ｔ２ａ～Ｔ２ｆ、スルーホール５４Ｔ２ａ，５５Ｔ２ａ，５６Ｔ２ａ～５６Ｔ２ｆ，５７Ｔ２ａ～５７Ｔ２ｆ，６２Ｔ２ａ～６２Ｔ２ｆおよび導体層５５２，５６２ａ～５６２ｃ，６２２ａ～６２２ｃ，６３２ａ～６３２ｃに置き換えれば、導体構造体１２０の構造の説明になる。

【0075】

次に、第１および第２の直列型共振器１３，１４の特徴について説明する。第１の直列型共振器１３を構成する導体層６３３は、積層方向Ｔに平行な方向に延びる軸を中心に巻回されている。すなわち、第１の直列型共振器１３は、導体層型の共振器である。導体層６３３は、矩形状またはほぼ矩形状の巻線でもある。導体層６３３の巻回数は、３／４回以上である。本実施の形態では特に、導体層６３３は、Ｚ方向に平行な方向に延在する軸を中心に３／４回巻回されている。

【0076】

導体層６３３は、スルーホール列Ｔ３を介して導体層５４３に電気的に接続されている。スルーホール列Ｔ３は、スルーホール５４Ｔ３，５５Ｔ３，５６Ｔ３，５７Ｔ３，６２Ｔ３が直列に接続されることによって構成されている。

【0077】

第２の直列型共振器１４を構成する導体層６３４は、積層方向Ｔに平行な方向に延びる軸を中心に巻回されている。すなわち、第２の直列型共振器１４は、導体層型の共振器である。導体層６３４は、矩形状またはほぼ矩形状の巻線でもある。導体層６３４の巻回数は、３／４回以上である。本実施の形態では特に、導体層６３４は、Ｚ方向に平行な方向に延在する軸を中心に３／４回巻回されている。

【0078】

導体層６３４は、スルーホール列Ｔ４を介して導体層５４４に電気的に接続されている。スルーホール列Ｔ４は、スルーホール５４Ｔ４，５５Ｔ４，５６Ｔ４，５７Ｔ４，６２Ｔ４が直列に接続されることによって構成されている。

【0079】

導体層６３３，６３４の各々は、導体層６３５を介してスルーホール列Ｔ５に電気的に接続されている。スルーホール列Ｔ５は、スルーホール５２Ｔ５，５３Ｔ５，５４Ｔ５，５５Ｔ５，５６Ｔ５，５７Ｔ５，６２Ｔ５が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ５は、スルーホール５１Ｔ５および導体層５２１を介して電極１１５に電気的に接続されている。

【0080】

次に、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３に注目して、フィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。導体構造体１１０は、導体層６３３が巻回される軸とは異なる方向に延びる軸に巻回されている。導体構造体１１０は、導体層６３３が巻回される軸に直交する方向に延びる軸に巻回されていてもよい。導体構造体１１０の巻回数は、導体層６３３の巻回数よりも多い。また、導体構造体１１０の長さは、導体層６３３の長さよりも大きい。

【0081】

図８に示したように、導体層６３３は、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１１０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃを含んでいる。本実施の形態では特に、部分６３３ａは、側面５０Ｃと導体層６３１ａ～６３１ｃとの間に配置されている。部分６３３ｂは、側面５０Ｅと導体層６３１ａ～６３１ｃとの間に配置されている。部分６３３ｃは、側面５０Ｆと導体層６３１ａ～６３１ｃとの間に配置されている。

【0082】

また、導体層６３３は、積層方向Ｔから見たときに、導体構造体１１０と重なっている。本実施の形態では特に、導体層６３３は、導体層５６１ａ～５６１ｃ，６２１ａ～６２１ｃの各々の一部と、スルーホール列Ｔ１ａ，Ｔ１ｃ，Ｔ１ｅと重なっている。また、導体層６３３と、導体層６３１ａ～６３１ｃは、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置されている。導体層６３３は、導体層６３１ａ～６３１ｃと重なっていない。

【0083】

次に、第２の並列型共振器１２と第２の直列型共振器１４に注目して、フィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。導体構造体１２０は、導体層６３４が巻回される軸とは異なる方向に延びる軸に巻回されている。導体構造体１２０は、導体層６３４が巻回される軸に直交する方向に延びる軸に巻回されていてもよい。導体構造体１２０の巻回数は、導体層６３４の巻回数よりも多い。また、導体構造体１２０の長さは、導体層６３４の長さよりも大きい。

【0084】

図８に示したように、導体層６３４は、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１２０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分６３４ａ，６３４ｂ，６３４ｃを含んでいる。本実施の形態では特に、部分６３４ａは、側面５０Ｄと導体層６３２ａ～６３２ｃとの間に配置されている。部分６３４ｂは、側面５０Ｅと導体層６３２ａ～６３２ｃとの間に配置されている。部分６３４ｃは、側面５０Ｆと導体層６３２ａ～６３２ｃとの間に配置されている。

【0085】

また、導体層６３４は、積層方向Ｔから見たときに、導体構造体１２０と重なっている。本実施の形態では特に、導体層６３４は、導体層５６２ａ～５６２ｃ，６２２ａ～６２２ｃの各々の一部と、スルーホール列Ｔ２ａ，Ｔ２ｃ，Ｔ２ｅと重なっている。また、導体層６３４と、導体層６３２ａ～６３２ｃは、積層方向Ｔにおいて同じ位置に配置されている。導体層６３４は、導体層６３２ａ～６３２ｃと重なっていない。

【0086】

次に、第１の並列型共振器１１と第２の並列型共振器１２に注目して、フィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。第１の並列型共振器１１の導体構造体１１０は、導体構造体１１０によって囲まれた第１の開口部が形成されるように巻回されている。第２の並列型共振器１２の導体構造体１２０は、導体構造体１２０によって囲まれた第２の開口部が形成されるように巻回されている。導体構造体１１０，１２０は、第１の開口部と第２の開口部が対向しないように配置されている。本実施の形態では特に、導体構造体１１０，１２０は、積層方向Ｔから見たときの積層体５０の平面形状の長手方向（Ｘ方向に平行な方向）に並んでいる。

【0087】

次に、第１の直列型共振器１３と第２の直列型共振器１４に注目して、フィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。第１の直列型共振器１３の導体層６３３と、第２の直列型共振器１４の導体層６３４は、積層方向Ｔから見たときの積層体５０の平面形状の長手方向（Ｘ方向に平行な方向）に並んでいる。

【0088】

また、導体層６３３の長手方向の両端すなわち導体層６３３の第１端と第２端との間には、第１のギャップが形成されている。導体層６３４の長手方向の両端すなわち導体層６３４の第１端と第２端との間には、第２のギャップが形成されている。第１のギャップと第２のギャップは、積層方向Ｔに直交する方向すなわちＸ方向に平行な方向において隣接している。

【0089】

次に、積層体５０に含まれる複数の導体の特徴について説明する。ここで、積層方向Ｔに平行な仮想の平面Ｐ１を定義する。図９は、仮想の平面Ｐ１を説明するための説明図である。本実施の形態では特に、仮想の平面Ｐ１は、第１の面５０Ａまたは第２の面５０Ｂの長手方向の中央と交差するＹＺ平面である。なお、図９では、便宜上、仮想の平面Ｐ１にハッチングを付している。積層体５０のうち、仮想の平面Ｐ１よりも側面５０Ｃ側の部分を第１の部分５０１と言う。また、積層体５０のうち、仮想の平面Ｐ１よりも側面５０Ｄ側の部分を第２の部分５０２と言う。

【0090】

また、積層体５０において第１の端子２、第１の並列型共振器１１および第１の直列型共振器１３を含む部分を構成する複数の導体（電極、複数の導体層および複数のスルーホール）を、第１の導体群と言う。第１の導体群は、第１の部分５０１に配置されている。

【0091】

また、積層体５０において第２の端子３、第２の並列型共振器１２および第２の直列型共振器１４を含む部分を構成する複数の導体（電極、複数の導体層および複数のスルーホール）を、第２の導体群と言う。第２の導体群は、第２の部分５０２に配置されている。

【0092】

第１の導体群は、仮想の平面Ｐ１を中心として、第２の導体群と対称になるように形成されている。すなわち、第１の導体群に含まれる複数の導体の各々は、仮想の平面Ｐ１を中心として、第２の導体群に含まれる複数の導体のうちの対応する導体と対称になるように形成されている。

【0093】

第１の導体群は、更に、キャパシタＣ１，Ｃ３，Ｃ６，Ｃ１１を構成する複数の導体層のうちの少なくとも一部を含み、第２の導体群は、更に、キャパシタＣ２，Ｃ４，Ｃ７，Ｃ１２を構成する複数の導体層のうちの少なくとも一部を含んでいてもよい。

【0094】

次に、本実施の形態に係るフィルタ装置１の作用および効果について説明する。本実施の形態では、第１の直列型共振器１３の導体層８３３は、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと第１の並列型共振器１１の導体構造体１１０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃを含んでいる。言い換えると、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３は、側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１１０の少なくとも一部との間に３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃが存在するような位置関係で配置されている。これにより、本実施の形態によれば、積層体５０内の空間を効率よく利用して、積層体５０すなわちフィルタ装置１を小型化することができる。

【0095】

また、本実施の形態によれば、導体層６３３が３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃのうちの１つまたは２つのみを含む場合に比べて、導体層６３３を長くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、第１の直列型共振器１３のインダクタンスを大きくすることができる。

【0096】

また、本実施の形態では、第１の並列型共振器１１の導体構造体１１０は、積層方向Ｔに直交する方向、具体的にはＹ方向に平行な方向に延びる軸を中心に巻回されている。また、第１の直列型共振器１３の導体層６３３は、積層方向Ｔに平行な方向、具体的にはＺ方向に平行な方向に延びる軸を中心に巻回されている。これにより、本実施の形態によれば、導体構造体１１０によって発生される磁界の方向と、導体層６３３によって発生される磁界の方向とを互いに異ならせることができる。その結果、本実施の形態によれば、導体構造体１１０と導体層６３３が同じ方向に延びる軸を中心に巻回され且つ導体構造体１１０の開口部と導体層６３３の開口部が対向する場合に比べて、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３との間の磁界結合を抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３との間隔を小さくして、フィルタ装置１を小型化することができる。

【0097】

上記の第１の並列型共振器１１および第１の直列型共振器１３についての説明は、第２の並列型共振器１２および第２の直列型共振器１４にも当てはまる。

【0098】

また、本実施の形態では、導体構造体１１０，１２０は、第１の開口部と第２の開口部が対向しないように配置されている。これにより、本実施の形態によれば、第１の開口部と第２の開口部が対向するように導体構造体１１０，１２０が配置されている場合に比べて、第１の並列型共振器１１と第２の並列型共振器１２との間の磁界結合を抑制することができる。

【0099】

また、本実施の形態では、第１の直列型共振器１３の導体層６３３と、第２の直列型共振器１４の導体層６３４は、積層方向Ｔに直交する方向、具体的にはＸ方向に平行な方向に並んでいる。これにより、本実施の形態によれば、導体層６３３の開口部との導体層６３４の開口部が対向する場合に比べて、第１の直列型共振器１３と第２の直列型共振器１４との間の磁界結合を抑制することができる。

【0100】

なお、本実施の形態では、導体層６３３，６３４は、共通のスルーホール列Ｔ５を介して電極１１５に電気的に接続されている。しかし、導体層６３３，６３４は、別々のスルーホール列を介して、電極１１５に接続されていてもよい。あるいは、導体層６３３，６３４は、それぞれ、別々のスルーホール列を介して、別々の電極に接続されていてもよい。別々のスルーホール列を用いた場合には、第１の直列型共振器１３と第２の直列型共振器１４との間の磁界結合を弱めることができる。

【0101】

以上のことから、本実施の形態によれば、所望の特性を実現しながら、フィルタ装置１を小型化することができる。

【0102】

次に、本実施の形態に係るフィルタ装置１の特性の一例を示す。図１０は、フィルタ装置１の通過減衰特性および反射減衰特性の一例を示している。図１０において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図１０において、符号１０１を付した曲線は、フィルタ装置１の通過減衰特性を示している。また、符号１０２を付した曲線は、第１の端子２における反射減衰特性を示している。

【0103】

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態では、フィルタ装置１の積層体５０は、第１の実施の形態における２層目ないし１３層目の誘電体層５２～６３の代わりに、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～８３を含んでいる。本実施の形態における積層体５０は、１層目の誘電体層５１（図３（ａ）参照）、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～７３および１４層目の誘電体層６４（図６参照）が積層されて構成される。

【0104】

以下、図１１（ａ）ないし図１３（ｃ）を参照して、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～８３の各々に形成された複数の導体層および複数のスルーホールについて説明する。

【0105】

図１１（ａ）は、２層目の誘電体層７２のパターン形成面を示している。誘電体層７２のパターン形成面には、導体層７２１，７２２，７２３が形成されている。また、図１１（ａ）に示したスルーホール７２Ｔ５と、誘電体層５１（図３（ａ）参照）に形成されたスルーホール５１Ｔ５は、導体層７２１に接続されている。

【0106】

図１１（ｂ）は、３層目の誘電体層７３のパターン形成面を示している。誘電体層７３のパターン形成面には、導体層７３１，７３２，７３３，７３４，７３５が形成されている。また、図１１（ｂ）に示したスルーホール７３Ｔ１ａ，７３Ｔ２ａは、それぞれ、導体層７３１，７３２に接続されている。スルーホール７３Ｔ５は、誘電体層７２に形成されたスルーホール７２Ｔ５に接続されている。

【0107】

図１１（ｃ）は、４層目の誘電体層７４のパターン形成面を示している。誘電体層７４のパターン形成面には、導体層７４１，７４２，７４３，７４４が形成されている。また、図１１（ｃ）に示したスルーホール７４Ｔ１ａ，７４Ｔ２ａ，７４Ｔ５は、それぞれ、誘電体層７３に形成されたスルーホール７３Ｔ１ａ，７３Ｔ２ａ，７３Ｔ５に接続されている。スルーホール７４Ｔ３，７４Ｔ４は、それぞれ、導体層７４３，７４４に接続されている。

【0108】

図１２（ａ）は、５層目の誘電体層７５のパターン形成面を示している。誘電体層７５のパターン形成面には、導体層７５１，７５２，７５３が形成されている。また、図１２（ａ）に示したスルーホール７５Ｔ１ａ，７５Ｔ２ａ，７５Ｔ３，７５Ｔ４，７５Ｔ５は、それぞれ、誘電体層５４に形成されたスルーホール７４Ｔ１ａ，７４Ｔ２ａ，７４Ｔ３，７４Ｔ４，７４Ｔ５に接続されている。スルーホール７５Ｔ１ｇ，７５Ｔ２ｇは、それぞれ、導体層７５１，７５２に接続されている。

【0109】

図１２（ｂ）は、６層目の誘電体層７６のパターン形成面を示している。誘電体層７６のパターン形成面には、共振器用の導体層７６１ａ，７６１ｂ，７６１ｃ，７６２ａ，７６２ｂ，７６２ｃと、導体層７６３が形成されている。導体層７６１ａ～７６１ｃ，７６２ａ～７６２ｃの各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0110】

また、図１２（ｂ）に示したスルーホール７６Ｔ１ａ，７６Ｔ２ａ，７６Ｔ３，７６Ｔ４は、それぞれ、誘電体層７５に形成されたスルーホール７５Ｔ１ａ，７５Ｔ２ａ，７５Ｔ３，７５Ｔ４に接続されている。

【0111】

スルーホール７６Ｔ１ｂは、導体層７６１ａの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ１ｃは、導体層７６１ａの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ１ｄは、導体層７６１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ１ｅは、導体層７６１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ１ｆは、導体層７６１ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層７５に形成されたスルーホール７５Ｔ１ｇは、導体層７６１ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0112】

スルーホール７６Ｔ２ｂは、導体層７６２ａの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ２ｃは、導体層７６２ａの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ２ｄは、導体層７６２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ２ｅは、導体層７６２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ２ｆは、導体層７６２ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層７５に形成されたスルーホール７５Ｔ２ｇは、導体層７６２ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0113】

スルーホール７６Ｔ５，７６Ｔ６と、誘電体層７５に形成されたスルーホール７５Ｔ５は、導体層７６３に接続されている。

【0114】

図１２（ｃ）は、７層目ないし１０層目の誘電体層７７～８０の各々のパターン形成面を示している。誘電体層７７～８０の各々には、スルーホール７７Ｔ１ａ，７７Ｔ１ｂ，７７Ｔ１ｃ，７７Ｔ１ｄ，７７Ｔ１ｅ，７７Ｔ１ｆ，７７Ｔ２ａ，７７Ｔ２ｂ，７７Ｔ２ｃ，７７Ｔ２ｄ，７７Ｔ２ｅ，７７Ｔ２ｆ，７７Ｔ３，７７Ｔ４，７７Ｔ５，７７Ｔ６が形成されている。誘電体層７７に形成されたスルーホール７７Ｔ１ａ～７７Ｔ１ｆ，７７Ｔ２ａ～７７Ｔ２ｆ，７７Ｔ３～７７Ｔ６は、それぞれ、誘電体層７６に形成されたスルーホール７６Ｔ１ａ～７６Ｔ１ｆ，７６Ｔ２ａ～７６Ｔ２ｆ，７６Ｔ３～７６Ｔ６に接続されている。また、誘電体層７７～８０では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

【0115】

図１３（ａ）は、１１層目の誘電体層８１のパターン形成面を示している。誘電体層８１のパターン形成面には、共振器用の導体層８１１ａ，８１１ｂ，８１１ｃ，８１２ａ，８１２ｂ，８１２ｃが形成されている。導体層８１１ａ～８１１ｃ，８１２ａ～８１２ｃの各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0116】

誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ１ａは、導体層８１１ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ１ｂは、導体層８１１ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ１ｃは、導体層８１１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ１ｄは、導体層８１１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ１ｅは、導体層８１１ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ１ｆは、導体層８１１ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0117】

誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ２ａは、導体層８１２ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ２ｂは、導体層８１２ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ２ｃは、導体層８１２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ２ｄは、導体層８１２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ２ｅは、導体層８１２ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ２ｆは、導体層８１２ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0118】

また、図１３（ａ）に示したスルーホール８１Ｔ３～８１Ｔ６は、それぞれ、誘電体層８０に形成されたスルーホール７７Ｔ３～７７Ｔ６に接続されている。

【0119】

図１３（ｂ）は、１２層目の誘電体層８２のパターン形成面を示している。図１３（ｂ）に示したスルーホール８２Ｔ３～８２Ｔ６は、それぞれ、誘電体層８１に形成されたスルーホール８１Ｔ３～８１Ｔ６に接続されている。

【0120】

図１３（ｃ）は、１３層目の誘電体層８３のパターン形成面を示している。誘電体層８３のパターン形成面には、共振器用の導体層８３３，８３４と、導体層８３５が形成されている。導体層８３３，８３４の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。導体層８３３の第２端と導体層８３４の第２端は、互いに接続されている。導体層８３５は、導体層８３３と導体層８３４との境界の近傍において導体層８３３，８３４に接続されている。図１３（ｃ）では、導体層８３３，８３４，８３５の境界を点線で示している。

【0121】

誘電体層８２に形成されたスルーホール８２Ｔ３は、導体層８３３の第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８２に形成されたスルーホール８２Ｔ４は、導体層８３４の第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層８２に形成されたスルーホール８２Ｔ５，８２Ｔ６は、導体層８３５に接続されている。

【0122】

図１４は、１層目の誘電体層５１（図３（ａ）参照）、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～７３および１４層目の誘電体層６４（図６参照）が積層されて構成された積層体５０の内部を示している。図１４に示したように、積層体５０の内部では、図３（ａ）、図１１（ａ）ないし図１３（ｃ）に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図１４では、マーク６４１（図６参照）を省略している。

【0123】

以下、第１の実施の形態における図１に示したフィルタ装置１の回路の構成要素と、図１１（ａ）ないし図１３（ｃ）に示した積層体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。第１の並列型共振器１１は、導体層７６１ａ～７６１ｃ，８１１ａ～８１１ｃと、スルーホール７３Ｔ１ａ，７４Ｔ１ａ，７５Ｔ１ａ，７６Ｔ１ａ～７６Ｔ１ｆ，７７Ｔ１ａ～７７Ｔ１ｆとによって構成されている。

【0124】

第２の並列型共振器１２は、導体層７６２ａ～７６２ｃ，８１２ａ～８１２ｃと、スルーホール７３Ｔ２ａ，７４Ｔ２ａ，７５Ｔ２ａ，７６Ｔ２ａ～７６Ｔ２ｆ，７７Ｔ２ａ～７７Ｔ２ｆとによって構成されている。

【0125】

第１の直列型共振器１３は、導体層８３３によって構成されている。第２の直列型共振器１４は、導体層８３４によって構成されている。

【0126】

キャパシタＣ１は、導体層７３１，７３３によって構成されている。キャパシタＣ２は、導体層７３２，７３４によって構成されている。キャパシタＣ３は、導体層７３３，７４３と、これらの導体層の間の誘電体層７３とによって構成されている。キャパシタＣ４は、導体層７３４，７４４と、これらの導体層の間の誘電体層７３とによって構成されている。

【0127】

キャパシタＣ５は、導体層７６１ｂ，７６２ｂの組と、スルーホール７７Ｔ１ｄ，７７Ｔ２ｄの組と、導体層８１１ｂ，８１２ｂの組とによって構成されている。キャパシタＣ６は、導体層７４３，７５１と、これらの導体層の間の誘電体層７４とによって構成されている。キャパシタＣ７は、導体層７４４，７５２と、これらの導体層の間の誘電体層７４とによって構成されている。キャパシタＣ８は、導体層７３５，７４３，７４４，７５３と、これらの導体層の間の誘電体層７３，７４とによって構成されている。

【0128】

【0129】

次に、図２、図１１（ａ）ないし図１５を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。図１５は、図１４に示した積層体５０の内部の一部を示す平面図である。

【0130】

始めに、第１の並列型共振器１１の特徴について説明する。本実施の形態では、第１の並列型共振器１１の導体構造体１１０を構成する複数の導体層および複数のスルーホールが、第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態では、導体構造体１１０は、スルーホール列Ｔ１１ａ，Ｔ１１ｂ，Ｔ１１ｃ，Ｔ１１ｄ，Ｔ１１ｅ，Ｔ１１ｆと、導体層７６１ａ～７６１ｃ，８１１ａ～８１１ｃとを含んでいる。

【0131】

スルーホール列Ｔ１１ａは、スルーホール７３Ｔ１ａ，７４Ｔ１ａ，７５Ｔ１ａ，７６Ｔ１ａ，７７Ｔ１ａが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｂは、スルーホール７６Ｔ１ｂ，７７Ｔ１ｂが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｃは、スルーホール７６Ｔ１ｃ，７７Ｔ１ｃが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｄは、スルーホール７６Ｔ１ｄ，７７Ｔ１ｄが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｅは、スルーホール７６Ｔ１ｅ，７７Ｔ１ｅが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｆは、スルーホール７６Ｔ１ｆ，７７Ｔ１ｆ，６２Ｔ１ｆが直列に接続されることによって構成されている。

【0132】

導体層７６１ｃは、長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。また、導体層７６１ｃは、第１端と第２端よりも側面５０Ｅに近い部分を含んでいる。

【0133】

導体層７６１ａは、スルーホール列Ｔ１１ｂ，Ｔ１１ｃの各々の一端に電気的に接続されている。導体層７６１ｂは、スルーホール列Ｔ１１ｄ，Ｔ１１ｅの各々の一端に電気的に接続されている。導体層７６１ｃは、スルーホール列Ｔ１１ｆの一端に電気的に接続されている。また、導体層７６１ｃは、スルーホール７５Ｔ１ｇを介して導体層７５１に電気的に接続されている。

【0134】

導体層８１１ａ，８１１ｂの各々は、導体層８１１ａ，８１１ｂの各々の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。また、導体層８１１ａ，８１１ｂの各々は、導体層８１１ａ，８１１ｂの各々の第１端と第２端よりも側面５０Ｆに近い部分を含んでいる。導体層８１１ｃの各々の大部分は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。

【0135】

導体層８１１ａは、スルーホール列Ｔ１１ａの一端とスルーホール列Ｔ１１ｂの他端に電気的に接続されている。導体層８１１ｂは、スルーホール列Ｔ１１ｃ，Ｔ１１ｄの各々の他端に電気的に接続されている。導体層８１１ｃは、スルーホール列Ｔ１１ｅ，Ｔ１１ｆの他端に電気的に接続されている。

【0136】

スルーホール列Ｔ１１ａ～Ｔ１１ｆと、導体層７６１ａ～７６１ｃ，８１１ａ～８１１ｃは、Ｙ方向に平行な軸の周りを周回するように、スルーホール列Ｔ１１ａ、導体層８１１ａ、スルーホール列Ｔ１１ｂ、導体層７６１ａ、スルーホール列Ｔ１１ｃ、導体層８１１ｂ、スルーホール列Ｔ１１ｄ、導体層７６１ｂ、スルーホール列Ｔ１１ｅ、導体層８１１ｃ、スルーホール列Ｔ１１ｆおよび導体層７６１ｃの順に接続されている。

【0137】

次に、第２の並列型共振器１２の特徴について説明する。本実施の形態では、第２の並列型共振器１２の導体構造体１２０を構成する複数の導体層および複数のスルーホールが、第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態では、導体構造体１２０は、スルーホール列Ｔ１２ａ，Ｔ１２ｂ，Ｔ１２ｃ，Ｔ１２ｄ，Ｔ１２ｅ，Ｔ１２ｆと、導体層７６２ａ～７６２ｃ，８１２ａ～８１２ｃとを含んでいる。

【0138】

本実施の形態における導体構造体１１０の構造の説明中の、スルーホール列Ｔ１１ａ～Ｔ１１ｆ、スルーホール７３Ｔ１ａ，７４Ｔ１ａ，７５Ｔ１ａ，７５Ｔ１ｇ，７６Ｔ１ａ～７６Ｔ１ｆ，７７Ｔ１ａ～７７Ｔ１ｆおよび導体層７５１，７６１ａ～７６１ｃ，８１１ａ～８１１ｃを、それぞれスルーホール列Ｔ１２ａ～Ｔ１２ｆ、スルーホール７３Ｔ２ａ，７４Ｔ２ａ，７５Ｔ２ａ，７６Ｔ２ａ～７６Ｔ２ｆ，７７Ｔ２ａ～７７Ｔ２ｆおよび導体層７５２，７６２ａ～７６２ｃ，８１２ａ～８１２ｃに置き換えれば、本実施の形態における導体構造体１２０の構造の説明になる。

【0139】

なお、本実施の形態における第１の並列型共振器１１と第２の並列型共振器１２との位置関係、ならびに第１および第２の並列型共振器１１，１２の各々の姿勢は、第１の実施の形態と同様である。

【0140】

次に、本実施の形態における第１および第２の直列型共振器１３，１４の特徴について説明する。第１の直列型共振器１３を構成する導体層８３３の形状は、第１の実施の形態における導体層６３３の形状と同様である。第２の直列型共振器１４を構成する導体層８３４の形状は、第１の実施の形態における導体層６３４の形状と同様である。また、第１の直列型共振器１３と第２の直列型共振器１４との位置関係、ならび第１および第２の直列型共振器１３，１４の各々の姿勢も、第１の実施の形態と同様である。

【0141】

導体層８３３は、スルーホール列Ｔ１３を介して導体層７４３に電気的に接続されている。スルーホール列Ｔ１３は、スルーホール７４Ｔ３，７５Ｔ３，７６Ｔ３，７７Ｔ３が直列に接続されることによって構成されている。

【0142】

導体層８３４は、スルーホール列Ｔ１４を介して導体層７４４に電気的に接続されている。スルーホール列Ｔ１４は、スルーホール７４Ｔ４，７５Ｔ４，７６Ｔ４，７７Ｔ４が直列に接続されることによって構成されている。

【0143】

導体層８３３，８３４の各々は、導体層８３５を介してスルーホール列Ｔ１５，Ｔ１６に電気的に接続されている。スルーホール列Ｔ１５は、スルーホール７６Ｔ５，７７Ｔ５，８１Ｔ５，８２Ｔ５が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１６は、スルーホール７６Ｔ６，７７Ｔ６，８１Ｔ６，８２Ｔ６が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１５，Ｔ１６は、スルーホール５１Ｔ５（図３（ａ）参照）、導体層７２１、スルーホール７２Ｔ５，７３Ｔ５，７４Ｔ５，７５Ｔ５および導体層７６３を介して電極１１５（図２および図３（ａ）参照）に電気的に接続されている。

【0144】

次に、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３に注目して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。本実施の形態では、第１の直列型共振器１３の導体層８３３は、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１１０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃを含んでいる。本実施の形態では特に、部分８３３ａは、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｃと導体層８１１ａ～８１１ｃの各々の一部との間に配置されている。部分８３３ｂは、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｅと導体層８１１ａの一部および導体層８１１ｂ，８１１ｃとの間に配置されている。部分８３３ｃは、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｆと導体層８１１ａ，８１１ｂおよび導体層８１１ｃの一部との間に配置されている。

【0145】

また、導体層８３３は、積層方向Ｔから見たときに、導体構造体１１０と重なっている。本実施の形態では特に、導体層８３３は、導体層７６１ａ～７６１ｃ，８１１ａ～８１１ｃの各々の一部と、スルーホール列Ｔ１１ａ，Ｔ１１ｃ，Ｔ１１ｅと重なっている。また、導体層８３３と、導体層８１１ａ～８１１ｃは、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。

【0146】

次に、本実施の形態における第２の並列型共振器１２と第２の直列型共振器１４に注目して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。本実施の形態では、第２の直列型共振器１４の導体層８３４は、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｄ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１２０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分８３４ａ，８３４ｂ，８３４ｃを含んでいる。本実施の形態では特に、部分８３４ａは、側面５０Ｄと導体層８１２ａ～８１２ｃの各々の一部との間に配置されている。部分８３４ｂは、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｅと導体層８１２ａの一部および導体層８１２ｂ，８１２ｃとの間に配置されている。部分８３４ｃは、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｆと導体層８１２ａ，８１２ｂおよび導体層８１２ｃの一部との間に配置されている。

【0147】

また、導体層８３４は、積層方向Ｔから見たときに、導体構造体１２０と重なっている。本実施の形態では特に、導体層８３４は、導体構造体１２０を構成する導体層７６２ａ～７６２ｃ，８１２ａ～８１２ｃの各々の一部と、スルーホール列Ｔ１２ａ，Ｔ１２ｃ，Ｔ１２ｅと重なっている。また、導体層８３４と、導体層８１２ａ～８１２ｃは、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。

【0148】

次に、本実施の形態に係るフィルタ装置１の特性の一例を示す。図１６は、フィルタ装置１の通過減衰特性および反射減衰特性の一例を示している。図１６において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図１６において、符号１０３を付した曲線は、フィルタ装置１の通過減衰特性を示している。また、符号１０４を付した曲線は、第１の端子２における反射減衰特性を示している。

【0149】

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【0150】

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、図１７を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置１が第１の実施の形態と異なる点について説明する。図１７は、図１７は、本実施の形態に係るフィルタ装置１の外観を示す斜視図である。

【0151】

本実施の形態に係るフィルタ装置１は、第１の実施の形態における積層体５０の代わりに、積層体１５０を備えている。積層体１５０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体とを含んでいる。第１の実施の形態における図１に示した第１の端子２、第２の端子３、複数の共振器およびキャパシタＣ１～Ｃ７，Ｃ１１，Ｃ１２は、積層体１５０に一体化されている。

【0152】

積層体１５０は、複数の誘電体層の積層方向Ｔの両端に位置する第１の面１５０Ａおよび第２の面１５０Ｂと、第１の面１５０Ａと第２の面１５０Ｂを接続する４つの側面１５０Ｃ～１５０Ｆとを有している。側面１５０Ｃ，１５０Ｄは互いに反対側を向き、側面１５０Ｅ，１５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面１５０Ｃ～５０Ｆは、第１の面１５０Ａおよび第２の面１５０Ｂに対して垂直になっている。

【0153】

図１７に示したように、第１の面１５０Ａは、積層体１５０における－Ｚ方向の端に位置する。第１の面１５０Ａは、積層体１５０の底面でもある。第２の面１５０Ｂは、積層体１５０におけるＺ方向の端に位置する。第２の面１５０Ｂは、積層体１５０の上面でもある。第１の面１５０Ａおよび第２の面１５０Ｂの各々の形状は、Ｘ方向に長い矩形形状である。側面１５０Ｃは、積層体１５０における－Ｘ方向の端に位置する。側面１５０Ｄは、積層体１５０におけるＸ方向の端に位置する。側面１５０Ｅは、積層体１５０における－Ｙ方向の端に位置する。側面１５０Ｆは、積層体１５０におけるＹ方向の端に位置する。

【0154】

フィルタ装置１は、第１の実施の形態における電極１１１～１１６の代わりに、積層体１５０の第１の面１５０Ａに配置された電極１２１，１２２，１２３を備えている。電極１２１，１２２，１２３は、Ｘ方向にこの順に並んでいる。電極１２１は、第１の端子２に対応する。電極１２３は、第２の端子３に対応する。電極１２２は、グランドに接続される。

【0155】

次に、図１８（ａ）ないし図２１（ｂ）を参照して、積層体１５０を構成する複数の誘電体層、複数の導体層および複数のスルーホールの一例について説明する。この例では、積層体１５０は、積層された１２層の誘電体層を有している。以下、この１２層の誘電体層を、下から順に１層目ないし１２層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし１２層目の誘電体層を符号１５１～１６２で表す。

【0156】

図１８（ａ）ないし図２０（ｃ）において、複数の円は複数のスルーホールを表している。誘電体層１５１～１６０の各々には、複数のスルーホールが形成されている。また、図１８（ａ）ないし図２０（ｃ）では、複数のスルーホールのうちの複数の特定のスルーホールに、符号を付している。複数の特定のスルーホールの各々と、電極、導体層または他のスルーホールとの接続関係については、１層目ないし１２層目の誘電体層１５１～１６２が積層された状態における接続関係について説明している。

【0157】

図１８（ａ）は、１層目の誘電体層１５１のパターン形成面を示している。誘電体層１５１のパターン形成面には、電極１２１～１２３が形成されている。

【0158】

図１８（ｂ）は、２層目の誘電体層１５２のパターン形成面を示している。誘電体層１５２のパターン形成面には、導体層１５２１，１５２２，１５２３，１５２４，１５２５，１５２６が形成されている。導体層１５２６は、導体層１５２５に接続されている。図１８（ｂ）では、導体層１５２５と導体層１５２６との境界を点線で示している。

【0159】

また、図１８（ｂ）に示したスルーホール１５２Ｔ５，１５２Ｔ６は、それぞれ、導体層１５２５，１５２６に接続されている。

【0160】

図１８（ｃ）は、３層目の誘電体層１５３のパターン形成面を示している。誘電体層１５３のパターン形成面には、導体層１５３１，１５３２，１５３３，１５３４が形成されている。また、図１８（ｃ）に示したスルーホール１５３Ｔ１ａ，１５３Ｔ２ａ，１５３Ｔ３，１５３Ｔ４は、それぞれ、導体層１５３１，１５３２，１５３３，１５３４に接続されている。スルーホール１５３Ｔ５，１５３Ｔ６は、それぞれ、誘電体層１５２に形成されたスルーホール１５２Ｔ５，１５２Ｔ６に接続されている。

【0161】

図１９（ａ）は、４層目の誘電体層１５４のパターン形成面を示している。誘電体層１５４のパターン形成面には、導体層１５４１が形成されている。また、図１９（ａ）に示したスルーホール１５４Ｔ１ａ，１５４Ｔ２ａ，１５４Ｔ３，１５４Ｔ４，１５４Ｔ５，１５４Ｔ６は、それぞれ、誘電体層１５３に形成されたスルーホール１５３Ｔ１ａ，１５３Ｔ２ａ，１５３Ｔ３，１５３Ｔ４，１５３Ｔ５，１５３Ｔ６に接続されている。

【0162】

図１９（ｂ）は、５層目の誘電体層１５５のパターン形成面を示している。誘電体層１５５のパターン形成面には、導体層１５５１，１５５２が形成されている。また、図１９（ｂ）に示したスルーホール１５５Ｔ１ａ，１５５Ｔ２ａ，１５５Ｔ３，１５５Ｔ４，１５５Ｔ５，１５５Ｔ６は、それぞれ、誘電体層１５４に形成されたスルーホール１５４Ｔ１ａ，１５４Ｔ２ａ，１５４Ｔ３，１５４Ｔ４，１５４Ｔ５，１５４Ｔ６に接続されている。スルーホール１５５Ｔ１ｆ，１５５Ｔ２ｆは、それぞれ、導体層１５５１，１５５２に接続されている。

【0163】

図１９（ｃ）は、６層目の誘電体層１５６のパターン形成面を示している。誘電体層１５６のパターン形成面には、共振器用の導体層１５６１ａ，１５６１ｂ，１５６２ａ，１５６２ｂが形成されている。導体層１５６１ａ，１５６１ｂ，１５６２ａ，１５６２ｂの各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0164】

また、図１９（ｃ）に示したスルーホール１５６Ｔ１ａ，１５６Ｔ１ｆ，１５６Ｔ２ａ，１５６Ｔ２ｆ，１５６Ｔ３，１５６Ｔ４，１５６Ｔ５，１５６Ｔ６は、それぞれ、誘電体層１５５に形成されたスルーホール１５５Ｔ１ａ，１５５Ｔ１ｆ，１５５Ｔ２ａ，１５５Ｔ２ｆ，１５５Ｔ３，１５５Ｔ４，１５５Ｔ５，１５５Ｔ６に接続されている。

【0165】

スルーホール１５６Ｔ１ｂは、導体層１５６１ａの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール１５６Ｔ１ｃは、導体層１５６１ａの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール１５６Ｔ１ｄは、導体層１５６１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール１５６Ｔ１ｅは、導体層１５６１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。

【0166】

スルーホール１５６Ｔ２ｂは、導体層１５６２ａの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール１５６Ｔ２ｃは、導体層１５６２ａの第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール１５６Ｔ２ｄは、導体層１５６２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール１５６Ｔ２ｅは、導体層１５６２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。

【0167】

図２０（ａ）は、７層目および８層目の誘電体層１５７，１５８の各々のパターン形成面を示している。誘電体層１５７，１５８の各々には、スルーホール１５７Ｔ１ａ，１５７Ｔ１ｂ，１５７Ｔ１ｃ，１５７Ｔ１ｄ，１５７Ｔ１ｅ，１５７Ｔ１ｆ，１５７Ｔ２ａ，１５７Ｔ２ｂ，１５７Ｔ２ｃ，１５７Ｔ２ｄ，１５７Ｔ２ｅ，１５７Ｔ２ｆ，１５７Ｔ３，１５７Ｔ４，１５７Ｔ５，１５７Ｔ６が形成されている。誘電体層１５７に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ａ～１５７Ｔ１ｆ，１５７Ｔ２ａ～１５７Ｔ２ｆ，１５７Ｔ３～１５７Ｔ６は、それぞれ、誘電体層１５６に形成されたスルーホール１５６Ｔ１ａ～１５６Ｔ１ｆ，１５６Ｔ２ａ～１５６Ｔ２ｆ，１５６Ｔ３～１５６Ｔ６に接続されている。また、誘電体層１５７，１５８では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

【0168】

図２０（ｂ）は、９層目の誘電体層１５９のパターン形成面を示している。誘電体層１５９のパターン形成面には、共振器用の導体層１５９１ａ，１５９１ｂ，１５９１ｃ，１５９２ａ，１５９２ｂ，１５９２ｃが形成されている。導体層１５９１ａ～１５９１ｃ，１５９２ａ～１５９２ｃの各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0169】

誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ａは、導体層１５９１ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｂは、導体層１５９１ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｃは、導体層１５９１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｄは、導体層１５９１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｄは、導体層１５９１ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｅは、導体層１５９１ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0170】

誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ａは、導体層１５９２ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｂは、導体層１５９２ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｃは、導体層１５９２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｄは、導体層１５９２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｄは、導体層１５９２ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｅは、導体層１５９２ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【0171】

スルーホール１５９Ｔ３～１５９Ｔ６は、それぞれ、誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ３～１５７Ｔ６に接続されている。

【0172】

図２０（ｃ）は、１０層目の誘電体層１６０のパターン形成面を示している。誘電体層１６０のパターン形成面には、共振器用の導体層１６０１，１６０２が形成されている。導体層１６０１，１６０２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0173】

また、図２０（ｃ）に示したスルーホール１６０Ｔ３と、誘電体層１５９に形成されたスルーホール１５９Ｔ３は、導体層１６０１の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール１６０Ｔ４と、誘電体層１５９に形成されたスルーホール１５９Ｔ４は、導体層１６０２の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール１６０Ｔ５と、誘電体層１５９に形成されたスルーホール１５９Ｔ５は、導体層１６０１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール１６０Ｔ６と、誘電体層１５９に形成されたスルーホール１５９Ｔ６は、導体層１６０２の第２端の近傍部分に接続されている。

【0174】

図２１（ａ）は、１１層目の誘電体層１６１のパターン形成面を示している。誘電体層１６１のパターン形成面には、共振器用の導体層１６１１，１６１２が形成されている。導体層１６１１，１６１２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

【0175】

誘電体層１６０に形成されたスルーホール１６０Ｔ３は、導体層１６１１の第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１６０に形成されたスルーホール１６０Ｔ４は、導体層１６１２の第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１６０に形成されたスルーホール１６０Ｔ５は、導体層１６１１の第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１６０に形成されたスルーホール１６０Ｔ６は、導体層１６１２の第２端の近傍部分に接続されている。

【0176】

図２１（ｂ）は、１２層目の誘電体層１６２のパターン形成面を示している。誘電体層１６２のパターン形成面には、マーク１６２１が形成されている。

【0177】

図１７に示した積層体１５０は、１層目の誘電体層１５１のパターン形成面が積層体１５０の第１の面１５０Ａになり、１２層目の誘電体層１６２のパターン形成面とは反対側の面が積層体１５０の第２の面１５０Ｂになるように、１層目ないし１２層目の誘電体層１５１～１６２が積層されて構成される。

【0178】

図２２は、１層目ないし１２層目の誘電体層１５１～１６２が積層されて構成された積層体１５０の内部を示している。図２２に示したように、積層体１５０の内部では、図１８（ａ）ないし図２１（ａ）に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図２２では、マーク１６２１を省略している。

【0179】

以下、第１の実施の形態における図１に示したフィルタ装置１の回路の構成要素と、図１８（ａ）ないし図２１（ａ）に示した積層体１５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。第１の並列型共振器１１は、導体層１５６１ａ，１５６１ｂ，１５９１ａ～１５９１ｃと、スルーホール１５３Ｔ１ａ，１５４Ｔ１ａ，１５５Ｔ１ａ，１５５Ｔ１ｆ，１５６Ｔ１ａ～１５６Ｔ１ｆ，１５７Ｔ１ａ～１５７Ｔ１ｆとによって構成されている。

【0180】

第２の並列型共振器１２は、導体層１５６２ａ，１５６２ｂ，１５９２ａ～１５９２ｃと、スルーホール１５３Ｔ２ａ，１５４Ｔ２ａ，１５５Ｔ２ａ，１５５Ｔ２ｆ，１５６Ｔ２ａ～１５６Ｔ２ｆ，１５７Ｔ２ａ～１５７Ｔ２ｆとによって構成されている。

【0181】

第１の直列型共振器１３は、導体層１６０１，１６１１と、スルーホール１６０Ｔ３，１６０Ｔ５とによって構成されている。第２の直列型共振器１４は、導体層１６０２，１６１２と、スルーホール１６０Ｔ４，１６０Ｔ６とによって構成されている。

【0182】

キャパシタＣ１は、導体層１５２３，１５２５によって構成されている。キャパシタＣ２は、導体層１５２４，１５２６によって構成されている。キャパシタＣ３は、導体層１５２５，１５３３と、これらの導体層の間の誘電体層１５２とによって構成されている。キャパシタＣ４は、導体層１５２６，１５３４と、これらの導体層の間の誘電体層１５２とによって構成されている。

【0183】

キャパシタＣ５は、導体層１５４１，１５５１，１５５２と、これらの導体層の間の誘電体層１５４とによって構成されている。キャパシタＣ６は、導体層１５２５，１５３３と、これらの導体層の間の誘電体層７４とによって構成されている。キャパシタＣ７は、導体層１５２４，１５３４と、これらの導体層の間の誘電体層１５２とによって構成されている。キャパシタＣ８は、導体層１５３３，１５３４，１５４１と、これらの導体層の間の誘電体層１５３とによって構成されている。

【0184】

キャパシタＣ１１は、導体層１５３１，１５５１と、これらの導体層の間の誘電体層１５３，１５４とによって構成されている。キャパシタＣ１２は、導体層１５３２，１５５２と、これらの導体層の間の誘電体層１５３，１５４とによって構成されている。

【0185】

次に、図１７ないし図２３を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。図２３は、図２２に示した積層体１５０の内部の一部を示す平面図である。

【0186】

始めに、第１の並列型共振器１１の特徴について説明する。第１の並列型共振器１１は、第１の実施の形態における導体構造体１１０の代わりに、導体構造体１１１０を含んでいる。導体構造体１１１０は、積層方向Ｔに直交する方向に延びる軸を中心に巻回されている。本実施の形態では特に、導体構造体１１１０は、Ｙ方向に平行な方向に延在する軸を中心に１１／４回巻回されている。

【0187】

導体構造体１１１０は、スルーホール列Ｔ２１ａ，Ｔ２１ｂ，Ｔ２１ｃ，Ｔ２１ｄ，Ｔ２１ｅ，Ｔ２１ｆと、導体層１５６１ａ，１５６１ｂ，１５９１ａ，１５９１ｂ，１５９１ｃとを含んでいる。

【0188】

スルーホール列Ｔ２１ａは、スルーホール１５３Ｔ１ａ，１５４Ｔ１ａ，１５５Ｔ１ａ，１５６Ｔ１ａ，１５７Ｔ１ａが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２１ｂは、スルーホール１５６Ｔ１ｂ，１５７Ｔ１ｂが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２１ｃは、スルーホール１５６Ｔ１ｃ，１５７Ｔ１ｃが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２１ｄは、スルーホール１５６Ｔ１ｄ，１５７Ｔ１ｄが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２１ｅは、スルーホール１５６Ｔ１ｅ，１５７Ｔ１ｅが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２１ｆは、スルーホール１５５Ｔ１ｆ，１５６Ｔ１ｆ，１５７Ｔ１ｆが直列に接続されることによって構成されている。

【0189】

導体層１５６１ａは、スルーホール列Ｔ２１ｂ，Ｔ２１ｃの各々の一端に電気的に接続されている。導体層１５６１ｂは、スルーホール列Ｔ２１ｄ，Ｔ２１ｅの各々の一端に電気的に接続されている。

【0190】

導体層１５９１ａ～１５９１ｃの各々の大部分は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。導体層１５９１ａは、スルーホール列Ｔ２１ａの一端とスルーホール列Ｔ２１ｂの他端に電気的に接続されている。導体層１５９１ｂは、スルーホール列Ｔ２１ｃ，Ｔ２１ｄの各々の他端に電気的に接続されている。導体層１５９１ｃは、スルーホール列Ｔ２１ｅの他端とスルーホール列Ｔ２１ｆの一端に電気的に接続されている。

【0191】

スルーホール列Ｔ２１ａ～Ｔ２１ｆと、導体層１５６１ａ，１５６１ｂ，１５９１ａ～１５９１ｃは、Ｙ方向に平行な軸の周りを周回するように、スルーホール列Ｔ２１ａ、導体層１５９１ａ、スルーホール列Ｔ２１ｂ、導体層１５６１ａ、スルーホール列Ｔ２１ｃ、導体層１５９１ｂ、スルーホール列Ｔ２１ｄ、導体層１５６１ｂ、スルーホール列Ｔ２１ｅ、導体層１５９１ｃおよびスルーホール列Ｔ２１ｆの順に接続されている。

【0192】

次に、第２の並列型共振器１２の特徴について説明する。第２の並列型共振器１２は、第１の実施の形態における導体構造体１２０の代わりに、導体構造体１１２０を含んでいる。導体構造体１１２０は、積層方向Ｔに直交する方向に延びる軸を中心に巻回されている。本実施の形態では特に、導体構造体１１２０は、Ｙ方向に平行な方向に延在する軸を中心に１１／４回巻回されている

【0193】

導体構造体１１２０は、スルーホール列Ｔ２２ａ，Ｔ２２ｂ，Ｔ２２ｃ，Ｔ２２ｄ，Ｔ２２ｅ，Ｔ２２ｆと、導体層１５６２ａ，１５６２ｂ，１５９２ａ，１５９２ｂ，１５９２ｃとを含んでいる。

【0194】

導体構造体１１１０の構造の説明中の、スルーホール列Ｔ２１ａ～Ｔ２１ｆ、スルーホール１５３Ｔ１ａ，１５４Ｔ１ａ，１５５Ｔ１ａ，１５５Ｔ１ｆ，１５６Ｔ１ａ～１５６Ｔ１ｆ，１５７Ｔ１ａ～１５７Ｔ１ｆおよび導体層１５６１ａ，１５６１ｂ，１５９１ａ～１５９１ｃを、それぞれスルーホール列Ｔ２２ａ～Ｔ２２ｆ、スルーホール１５３Ｔ２ａ，１５４Ｔ２ａ，１５５Ｔ２ａ，１５５Ｔ２ｆ，１５６Ｔ２ａ～１５６Ｔ２ｆ，１５７Ｔ２ａ～１５７Ｔ２ｆおよび導体層１５６２ａ，１５６２ｂ，１５９２ａ～１５９２ｃに置き換えれば、導体構造体１１２０の構造の説明になる。

【0195】

【0196】

次に、本実施の形態における第１および第２の直列型共振器１３，１４の特徴について説明する。第１の直列型共振器１３を構成する導体層１６０１，１６１１の各々は、積層方向Ｔに平行な方向に延びる軸を中心に巻回されている。本実施の形態では特に、導体層１６０１，１６１１の各々は、Ｚ方向に平行な方向に延在する軸を中心に１回巻回されている。

【0197】

導体層１６０１，１６１１は、スルーホール１６０Ｔ３，１６０Ｔ５を介して互いに接続されている。導体層１６０１は、スルーホール列Ｔ２３を介して導体層１５３３に電気的に接続されると共に、スルーホール列Ｔ２５を介して導体層１５２５に電気的に接続されている。導体層１５２５は、２つのスルーホールを介して電極１２２に電気的に接続されている（図１８（ａ）および図１８（ｂ）参照）。スルーホール列Ｔ２３は、スルーホール１５３Ｔ３，１５４Ｔ３，１５５Ｔ３，１５６Ｔ３，１５７Ｔ３が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２５は、スルーホール１５２Ｔ５，１５３Ｔ５，１５４Ｔ５，１５５Ｔ５，１５６Ｔ５，１５７Ｔ５が直列に接続されることによって構成されている。

【0198】

第２の直列型共振器１４を構成する導体層１６０２，１６１２の各々は、積層方向Ｔに平行な方向に延びる軸を中心に巻回されている。本実施の形態では特に、導体層１６０２，１６１２の各々は、Ｚ方向に平行な方向に延在する軸を中心に１回巻回されている。

【0199】

導体層１６０２，１６１２は、スルーホール１６０Ｔ４，１６０Ｔ６を介して互いに接続されている。導体層１６０２は、スルーホール列Ｔ２４を介して導体層１５３４に電気的に接続されると共に、スルーホール列Ｔ２６を介して導体層１５２６に電気的に接続されている。導体層１５２６は、２つのスルーホールを介して電極１２２に電気的に接続されている（図１８（ａ）および図１８（ｂ）参照）。スルーホール列Ｔ２４は、スルーホール１５３Ｔ４，１５４Ｔ４，１５５Ｔ４，１５６Ｔ４，１５７Ｔ４が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２６は、スルーホール１５２Ｔ６，１５３Ｔ６，１５４Ｔ６，１５５Ｔ６，１５６Ｔ６，１５７Ｔ６が直列に接続されることによって構成されている。

【0200】

次に、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３に注目して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。本実施の形態では、第１の直列型共振器１３の導体層１６０１，１６１１の各々は、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｃ，１５０Ｅ，１５０Ｆと導体構造体１１１０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分を含んでいる。図２３では、導体層１６１１の３つの部分をそれぞれ符号１６１１ａ，１６１１ｂ，１６１１ｃで示している。本実施の形態は特に、部分１６１１ａは、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｃと導体層１５９１ａ～１５９１ｃの各々の一部との間に配置されている。部分１６１１ｂは、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｅと導体層１５９１ａの一部および導体層１５９１ｂ，１５９１ｃとの間に配置されている。部分１６１１ｃは、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｆと導体層１５９１ａ，１５９１ｂおよび導体層１５９１ｃの一部との間に配置されている。

【0201】

また、導体層１６０１，１６１１の各々は、積層方向Ｔから見たときに、導体構造体１１１０と重なっている。また、導体層１６０１，１６１１と、導体層１５９１ａ～１５９１ｃは、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。

【0202】

次に、第２の並列型共振器１２と第２の直列型共振器１４に注目して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。本実施の形態では、第２の直列型共振器１４の導体層１６０２，１６１２の各々は、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｄ，１５０Ｅ，１５０Ｆと導体構造体１１２０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分を含んでいる。図２３では、導体層１６１２の３つの部分をそれぞれ符号１６１２ａ，１６１２ｂ，１６１２ｃで示している。本実施の形態では特に、部分１６１２ａは、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｄと導体層１５９２ａ～１５９２ｃの各々の一部との間に配置されている。部分１６１２ｂは、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｅと導体層１５９２ａの一部および導体層１５９２ｂ，１５９２ｃとの間に配置されている。部分１６１２ｃは、積層方向Ｔから見たときに、側面１５０Ｆと導体層１５９２ａ，１５９２ｂおよび導体層１５９２ｃの一部との間に配置されている。

【0203】

また、導体層１６０２，１６１２の各々は、積層方向Ｔから見たときに、導体構造体１１２０と重なっている。また、導体層１６０２，１６１２と、導体層１５９２ａ～１５９２ｃは、積層方向Ｔにおいて互いに異なる位置に配置されている。

【0204】

次に、第１の直列型共振器１３と第２の直列型共振器１４に注目して、本実施の形態に係るフィルタ装置１の構造上の特徴について説明する。第１の直列型共振器１３の導体層１６０１，１６１１と、第２の直列型共振器１４の導体層１６０２，１６１２は、積層方向Ｔから見たときの積層体１５０の平面形状すなわち第１の面１５０Ａまたは第２の面１５０Ｂの長手方向（Ｘ方向に平行な方向）に並んでいる。

【0205】

また、導体層１６０１の長手方向の両端すなわち導体層１６０１の第１端と第２端との間には、第１のギャップが形成されている。導体層１６０２の長手方向の両端すなわち導体層１６０２の第１端と第２端との間には、第２のギャップが形成されている。第１のギャップと第２のギャップは、積層方向Ｔに直交する方向すなわちＸ方向に平行な方向において隣接している。

【0206】

また、導体層１６１１の長手方向の両端すなわち導体層１６１１の第１端と第２端との間には、第３のギャップが形成されている。導体層１６１２の長手方向の両端すなわち導体層１６１２の第１端と第２端との間には、第４のギャップが形成されている。第３のギャップと第４のギャップは、積層方向Ｔに直交する方向すなわちＸ方向に平行な方向において隣接している。また、第１のギャップと第３のギャップは、積層方向Ｔにおいて隣接している。第２のギャップと第４のギャップは、積層方向Ｔにおいて隣接している。

【0207】

次に、積層体１５０に含まれる複数の導体の特徴について説明する。ここで、積層方向Ｔに平行な仮想の平面Ｐ２を定義する。図２４は、仮想の平面Ｐ２を説明するための説明図である。本実施の形態では特に、仮想の平面Ｐ２は、第１の面１５０Ａまたは第２の面１５０Ｂの長手方向の中央と交差するＹＺ平面である。なお、図２４では、便宜上、仮想の平面Ｐ２にハッチングを付している。積層体１５０のうち、仮想の平面Ｐ２よりも側面１５０Ｃ側の部分を第１の部分１５０１と言う。また、積層体１５０のうち、仮想の平面Ｐ２よりも側面１５０Ｄ側の部分を第２の部分１５０２と言う。

【0208】

また、積層体１５０において第１の端子２、第１の並列型共振器１１および第１の直列型共振器１３を含む部分を構成する複数の導体（電極、複数の導体層および複数のスルーホール）を、第１の導体群と言う。第１の導体群は、第１の部分１５０１に配置されている。

【0209】

また、積層体１５０において第２の端子３、第２の並列型共振器１２および第２の直列型共振器１４を含む部分を構成する複数の導体（電極、複数の導体層および複数のスルーホール）を、第２の導体群と言う。第２の導体群は、第２の部分１５０２に配置されている。

【0210】

第１の導体群は、仮想の平面Ｐ２を中心として、第２の導体群と対称になるように形成されている。すなわち、第１の導体群に含まれる複数の導体の各々は、仮想の平面Ｐ２を中心として、第２の導体群に含まれる複数の導体のうちの対応する導体と対称になるように形成されている。

【0211】

【0212】

次に、本実施の形態に係るフィルタ装置１の特性の一例を示す。図２５は、フィルタ装置１の通過減衰特性および反射減衰特性の一例を示している。図２５において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図２５において、符号１０５を付した曲線は、フィルタ装置１の通過減衰特性を示している。また、符号１０６を付した曲線は、第１の端子２における反射減衰特性を示している。

【0213】

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【0214】

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、並列型共振器の数および直列型共振器の数や、並列型共振器（導体構造体）の巻回数および直列型共振器（導体層）の巻回数は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。なお、それぞれ互いに異なる誘電体層のパターン形成面に形成された複数の導体層を用いて直列型共振器を構成することにより、直列型共振器の巻回数を１回よりも大きくすることができる。

【0215】

以上説明したように、本発明の積層型フィルタ装置は、第１の端子と、第２の端子と、回路構成上、第１の端子と第２の端子との間に配置された複数の共振器と、第１の端子、第２の端子および複数の共振器を一体化するための積層体であって、積層された複数の誘電体層を含む積層体とを備えている。複数の共振器は、第１の端子と第２の端子とを接続する経路に両端が接続された少なくとも１つの並列型共振器と、経路に一端のみが接続された少なくとも１つの直列型共振器とを含んでいる。少なくとも１つの並列型共振器は、複数の誘電体層の積層方向に直交する方向に延びる軸を中心に巻回された導体構造体を含んでいる。少なくとも１つの直列型共振器は、積層方向に平行な方向に延びる軸を中心に巻回された第１の導体層を含んでいる。積層体は、積層方向の両端に位置する第１の面および第２の面と、第１の面と第２の面を接続する４つの側面とを有している。第１の導体層は、積層方向から見たときに、それぞれ４つの側面のうちの３つの側面と導体構造体の少なくとも一部との間に位置する３つの部分を含んでいる。

【0216】

本発明の積層型フィルタ装置において、導体構造体の巻回数は、３／４回以上であってもよい。また、本発明の積層型フィルタ装置において、第１の導体層の巻回数は、３／４回以上であってもよい。

【0217】

また、本発明の積層型フィルタ装置において、少なくとも１つの並列型共振器は、第１の端子または第２の端子に接続されていてもよい。

【0218】

また、本発明の積層型フィルタ装置において、第１の導体層は、積層方向から見たときに、導体構造体と重なっていてもよい。

【0219】

また、本発明の積層型フィルタ装置において、導体構造体は、２つのスルーホール列と、２つのスルーホール列の各々の一端に電気的に接続された第２の導体層とを含んでいてもよい。２つのスルーホール列の各々は、複数のスルーホールが直列に接続されることによって構成されている。第１の導体層と第２の導体層は、積層方向において同じ位置に配置されていてもよい。あるいは、第１の導体層と第２の導体層は、積層方向において互いに異なる位置に配置されていてもよい。

【0220】

導体構造体が２つのスルーホール列と第２の導体層とを含んでいる場合、４つの側面は、積層方向に直交する方向の両端に配置された第１の側面および第２の側面を含んでいてもよい。第２の導体層は、第２の導体層の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有すると共に、第１端および第２端よりも第１の側面に近い部分を含んでいてもよい。また、導体構造体は、更に、積層方向において第２の導体層とは異なる位置において２つのスルーホール列の一方の他端に電気的に接続された第３の導体層を含んでいてもよい。第３の導体層は、第３の導体層の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有すると共に、第１端および第２端よりも第１の側面に近い部分を含んでいてもよい。

【0221】

また、本発明の積層型フィルタ装置において、少なくとも１つの並列型共振器は、第１の並列型共振器と、第２の並列型共振器とを含んでいてもよい。少なくとも１つの直列型共振器は、第１の直列型共振器と、第２の直列型共振器とを含んでいてもよい。第１の並列型共振器は、回路構成上、第１の端子と第１の直列型共振器との間に配置されていてもよい。第２の並列型共振器は、回路構成上、第２の端子と第２の直列型共振器との間に配置されていてもよい。この場合、本発明の積層型フィルタ装置は、更に、第１の直列型共振器の第１の導体層と第２の直列型共振器の第１の導体層に電気的に接続されたスルーホールを備えていてもよい。

【0222】

第１の直列型共振器の第１の導体層の長手方向の両端の間には、第１のギャップが形成されていてもよい。第２の直列型共振器の第１の導体層の長手方向の両端の間には、第２のギャップが形成されていてもよい。第１のギャップと第２のギャップは、積層方向に直交する方向において隣接していてもよい。

【0223】

第１の並列型共振器の導体構造体は、導体構造体によって囲まれた第１の開口部が形成されるように巻回されていてもよい。第２の並列型共振器の導体構造体は、導体構造体によって囲まれた第２の開口部が形成されるように巻回されていてもよい。第１の並列型共振器の導体構造体と第２の並列型共振器の導体構造体は、第１の開口部と第２の開口部が互いに対向しないように、積層方向から見たときの積層体の平面形状の長手方向に並んでいてもよい。

【0224】

回路構成上第１の端子、第１の並列型共振器および第１の直列型共振器を含む部分と、回路構成上第２の端子、第２の並列型共振器および第２の直列型共振器を含む部分は、互いに対称になる回路構成を有していてもよい。積層体において第１の端子、第１の並列型共振器および第１の直列型共振器を含む部分を構成する複数の導体は、積層方向に平行な仮想の平面を中心として、積層体において第２の端子、第２の並列型共振器および第２の直列型共振器を含む部分を構成する複数の導体と対称なるように形成されていてもよい。

【符号の説明】

【0225】

１…フィルタ装置、２…入力端子、３…出力端子、４…経路、１１…第１の並列型共振器、１２…第２の並列型共振器、１３…第１の直列型共振器、１４…第２の直列型共振器、５０…積層体、５０Ａ…第１の面、５０Ｂ…第２の面、５０Ｃ～５０Ｆ…側面、１１０，１２０…導体構造体、５６１ａ～５６１ｃ，５６２ａ～５６２ｃ，６２１ａ～６２１ｃ，６２２ａ～６２２ｃ，６３１ａ～６３１ｃ，６３２ａ～６３２ｃ，６３３，６３４…導体層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【手続補正書】

【提出日】2024-02-19

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0011】

【図1】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の回路構成を示す回路図である。

【図2】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の外観を示す斜視図である。

【図6】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図7】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体の内部を示す斜視図である。

【図8】図７に示した積層体の内部の一部を示す平面図である。

【図9】本発明の第１の実施の形態における仮想の平面を説明するための説明図である。

【図10】本発明の第１の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の特性の一例を示す特性図である。

【図14】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体の内部を示す斜視図である。

【図15】図１４に示した積層体の内部の一部を示す平面図である。

【図16】本発明の第２の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の特性の一例を示す特性図である。

【図17】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の外観を示す斜視図である。

【図18】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１層目ないし３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図19】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における４層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図20】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における７層目ないし１０層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図21】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体における１１層目および１２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図22】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の積層体の内部を示す斜視図である。

【図23】図２２に示した積層体の内部の一部を示す平面図である。

【図24】本発明の第３の実施の形態における仮想の平面を説明するための説明図である。

【図25】本発明の第３の実施の形態に係る積層型フィルタ装置の特性の一例を示す特性図である。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0016】

以下、図１を参照して、フィルタ装置１の回路構成の一例について説明する。フィルタ装置１は、更に、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ１１，Ｃ１２を備えている。少なくとも１つの並列型共振器は、第１の並列型共振器１１と、第２の並列型共振器１２とを含んでいる。少なくとも１つの直列型共振器は、第１の直列型共振器１３と、第２の直列型共振器１４とを含んでいる。経路４は、第１の端子２と第２の端子３を接続する複数の経路のうち、第１および第２の並列型共振器１１，１２ならびに第１および第２の直列型共振器１３，１４の全てが接続された経路でもある。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0026】

フィルタ装置１は、更に、積層された複数の誘電体層と複数の導体とを含む積層体５０を備えている。第１の端子２、第２の端子３、複数の共振器およびキャパシタＣ１～Ｃ８，Ｃ１１，Ｃ１２は、積層体５０に一体化されている。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0053】

図６は、１４層目の誘電体層６４のパターン形成面を示している。誘電体層６４のパターン形成面には、マーク６４１が形成されている。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0070】

導体層６３１ａ～６３１ｃの各々の大部分は、Ｘ方向に平行な方向に延在している。導体層６３１ａは、導体層６２１ａおよびスルーホール６２Ｔ１ａを介してスルーホール列Ｔ１ａの一端に電気的に接続されていると共に、スルーホール列Ｔ１ｂの他端に電気的に接続されている。導体層６３１ｂは、導体層６２１ｂおよびスルーホール６２Ｔ１ｃを介してスルーホール列Ｔ１ｃの他端に電気的に接続されていると共に、スルーホール列Ｔ１ｄの他端に電気的に接続されている。導体層６３１ｃは、導体層６２１ｃおよびスルーホール６２Ｔ１ｅを介してスルーホール列Ｔ１ｅの他端に電気的に接続されていると共に、スルーホール列Ｔ１ｆの他端に電気的に接続されている。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0074】

導体構造体１１０の構造の説明中の、スルーホール列Ｔ１ａ～Ｔ１ｆ、スルーホール５４Ｔ１ａ，５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｇ，５６Ｔ１ａ～５６Ｔ１ｆ，５７Ｔ１ａ～５７Ｔ１ｆ，６２Ｔ１ａ～６２Ｔ１ｆおよび導体層５５１，５６１ａ～５６１ｃ，６２１ａ～６２１ｃ，６３１ａ～６３１ｃを、それぞれスルーホール列Ｔ２ａ～Ｔ２ｆ、スルーホール５４Ｔ２ａ，５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｇ，５６Ｔ２ａ～５６Ｔ２ｆ，５７Ｔ２ａ～５７Ｔ２ｆ，６２Ｔ２ａ～６２Ｔ２ｆおよび導体層５５２，５６２ａ～５６２ｃ，６２２ａ～６２２ｃ，６３２ａ～６３２ｃに置き換えれば、導体構造体１２０の構造の説明になる。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0094】

次に、本実施の形態に係るフィルタ装置１の作用および効果について説明する。本実施の形態では、第１の直列型共振器１３の導体層６３３は、積層方向Ｔから見たときに、側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと第１の並列型共振器１１の導体構造体１１０の少なくとも一部との間に位置する３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃを含んでいる。言い換えると、第１の並列型共振器１１と第１の直列型共振器１３は、側面５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｆと導体構造体１１０の少なくとも一部との間に３つの部分６３３ａ，６３３ｂ，６３３ｃが存在するような位置関係で配置されている。これにより、本実施の形態によれば、積層体５０内の空間を効率よく利用して、積層体５０すなわちフィルタ装置１を小型化することができる。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0099】

また、本実施の形態では、第１の直列型共振器１３の導体層６３３と、第２の直列型共振器１４の導体層６３４は、積層方向Ｔに直交する方向、具体的にはＸ方向に平行な方向に並んでいる。これにより、本実施の形態によれば、導体層６３３の開口部と導体層６３４の開口部が対向する場合に比べて、第１の直列型共振器１３と第２の直列型共振器１４との間の磁界結合を抑制することができる。

【手続補正9】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0103】

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態では、フィルタ装置１の積層体５０は、第１の実施の形態における２層目ないし１３層目の誘電体層５２～６３の代わりに、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～８３を含んでいる。本実施の形態における積層体５０は、１層目の誘電体層５１（図３（ａ）参照）、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～８３および１４層目の誘電体層６４（図６参照）が積層されて構成される。

【手続補正10】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１２２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0122】

図１４は、１層目の誘電体層５１（図３（ａ）参照）、２層目ないし１３層目の誘電体層７２～８３および１４層目の誘電体層６４（図６参照）が積層されて構成された積層体５０の内部を示している。図１４に示したように、積層体５０の内部では、図３（ａ）、図１１（ａ）ないし図１３（ｃ）に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図１４では、マーク６４１（図６参照）を省略している。

【手続補正11】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１２８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0128】

キャパシタＣ１１は、導体層７４１，７５１と、これらの導体層の間の誘電体層７４とによって構成されている。キャパシタＣ１２は、導体層７４２，７５２と、これらの導体層の間の誘電体層７４とによって構成されている。

【手続補正12】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１３１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0131】

スルーホール列Ｔ１１ａは、スルーホール７３Ｔ１ａ，７４Ｔ１ａ，７５Ｔ１ａ，７６Ｔ１ａ，７７Ｔ１ａが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｂは、スルーホール７６Ｔ１ｂ，７７Ｔ１ｂが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｃは、スルーホール７６Ｔ１ｃ，７７Ｔ１ｃが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｄは、スルーホール７６Ｔ１ｄ，７７Ｔ１ｄが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｅは、スルーホール７６Ｔ１ｅ，７７Ｔ１ｅが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ１１ｆは、スルーホール７６Ｔ１ｆ，７７Ｔ１ｆが直列に接続されることによって構成されている。

【手続補正13】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１３８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0138】

本実施の形態における導体構造体１１０の構造の説明中の、スルーホール列Ｔ１１ａ～Ｔ１１ｆ、スルーホール７３Ｔ１ａ，７４Ｔ１ａ，７５Ｔ１ａ，７５Ｔ１ｇ，７６Ｔ１ａ～７６Ｔ１ｆ，７７Ｔ１ａ～７７Ｔ１ｆおよび導体層７５１，７６１ａ～７６１ｃ，８１１ａ～８１１ｃを、それぞれスルーホール列Ｔ１２ａ～Ｔ１２ｆ、スルーホール７３Ｔ２ａ，７４Ｔ２ａ，７５Ｔ２ａ，７５Ｔ２ｇ，７６Ｔ２ａ～７６Ｔ２ｆ，７７Ｔ２ａ～７７Ｔ２ｆおよび導体層７５２，７６２ａ～７６２ｃ，８１２ａ～８１２ｃに置き換えれば、本実施の形態における導体構造体１２０の構造の説明になる。

【手続補正14】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0150】

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、図１７を参照して、本実施の形態に係るフィルタ装置１が第１の実施の形態と異なる点について説明する。図１７は、本実施の形態に係るフィルタ装置１の外観を示す斜視図である。

【手続補正15】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0151】

本実施の形態に係るフィルタ装置１は、第１の実施の形態における積層体５０の代わりに、積層体１５０を備えている。積層体１５０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体とを含んでいる。第１の実施の形態における図１に示した第１の端子２、第２の端子３、複数の共振器およびキャパシタＣ１～Ｃ８，Ｃ１１，Ｃ１２は、積層体１５０に一体化されている。

【手続補正16】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0152】

積層体１５０は、複数の誘電体層の積層方向Ｔの両端に位置する第１の面１５０Ａおよび第２の面１５０Ｂと、第１の面１５０Ａと第２の面１５０Ｂを接続する４つの側面１５０Ｃ～１５０Ｆとを有している。側面１５０Ｃ，１５０Ｄは互いに反対側を向き、側面１５０Ｅ，１５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面１５０Ｃ～１５０Ｆは、第１の面１５０Ａおよび第２の面１５０Ｂに対して垂直になっている。

【手続補正17】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１６９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0169】

誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ａは、導体層１５９１ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｂは、導体層１５９１ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｃは、導体層１５９１ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｄは、導体層１５９１ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｅは、導体層１５９１ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ１ｆは、導体層１５９１ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【手続補正18】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１７０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0170】

誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ａは、導体層１５９２ａの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｂは、導体層１５９２ａの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｃは、導体層１５９２ｂの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｄは、導体層１５９２ｂの第２端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｅは、導体層１５９２ｃの第１端の近傍部分に接続されている。誘電体層１５８に形成されたスルーホール１５７Ｔ２ｆは、導体層１５９２ｃの第２端の近傍部分に接続されている。

【手続補正19】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１８３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0183】

キャパシタＣ５は、導体層１５４１，１５５１，１５５２と、これらの導体層の間の誘電体層１５４とによって構成されている。キャパシタＣ６は、導体層１５２３，１５３３と、これらの導体層の間の誘電体層１５２とによって構成されている。キャパシタＣ７は、導体層１５２４，１５３４と、これらの導体層の間の誘電体層１５２とによって構成されている。キャパシタＣ８は、導体層１５３３，１５３４，１５４１と、これらの導体層の間の誘電体層１５３とによって構成されている。

【手続補正20】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１９２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0192】

【手続補正21】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１９７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0197】

導体層１６０１，１６１１は、スルーホール１６０Ｔ３，１６０Ｔ５を介して互いに接続されている。導体層１６０１は、スルーホール列Ｔ２３を介して導体層１５３３に電気的に接続されると共に、スルーホール列Ｔ２５を介して導体層１５２５に電気的に接続されている。導体層１５２５は、２つのスルーホールを介して電極１２２に電気的に接続されている（図１８（ａ）および図１８（ｂ）参照）。スルーホール列Ｔ２３は、スルーホール１５３Ｔ３，１５４Ｔ３，１５５Ｔ３，１５６Ｔ３，１５７Ｔ３，１５９Ｔ３が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２５は、スルーホール１５２Ｔ５，１５３Ｔ５，１５４Ｔ５，１５５Ｔ５，１５６Ｔ５，１５７Ｔ５，１５９Ｔ５が直列に接続されることによって構成されている。

【手続補正22】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１９９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0199】

導体層１６０２，１６１２は、スルーホール１６０Ｔ４，１６０Ｔ６を介して互いに接続されている。導体層１６０２は、スルーホール列Ｔ２４を介して導体層１５３４に電気的に接続されると共に、スルーホール列Ｔ２６を介して導体層１５２６に電気的に接続されている。導体層１５２６は、２つのスルーホールを介して電極１２２に電気的に接続されている（図１８（ａ）および図１８（ｂ）参照）。スルーホール列Ｔ２４は、スルーホール１５３Ｔ４，１５４Ｔ４，１５５Ｔ４，１５６Ｔ４，１５７Ｔ４，１５９Ｔ４が直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２６は、スルーホール１５２Ｔ６，１５３Ｔ６，１５４Ｔ６，１５５Ｔ６，１５６Ｔ６，１５７Ｔ６，１５９Ｔ６が直列に接続されることによって構成されている。

【手続補正23】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0224】

【手続補正24】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図4】