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特開2024-88613通電された電気装置の接地に対する絶縁抵抗を反復して測定するための方法、電子デバイスおよびシステム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024088613
(43)【公開日】2024-07-02
(54)【発明の名称】通電された電気装置の接地に対する絶縁抵抗を反復して測定するための方法、電子デバイスおよびシステム
(51)【国際特許分類】
G01R 27/02 20060101AFI20240625BHJP
【ＦＩ】
G01R27/02 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023211995
(22)【出願日】2023-12-15
(31)【優先権主張番号】102022000026010
(32)【優先日】2022-12-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】IT
(71)【出願人】
【識別番号】520088694
【氏名又は名称】マレッリ・ユーロプ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ
【氏名又は名称原語表記】ＭＡＲＥＬＬＩ ＥＵＲＯＰＥ Ｓ．Ｐ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100189555
【弁理士】
【氏名又は名称】徳山 英浩
(74)【代理人】
【識別番号】100100479
【弁理士】
【氏名又は名称】竹内 三喜夫
(72)【発明者】
【氏名】アウリリオ，ジャンルカ
(72)【発明者】
【氏名】パトリノストロ，シモーネ
(72)【発明者】
【氏名】スリア，ロザンナ
(72)【発明者】
【氏名】エル・グムリ，ブラヒム
【テーマコード（参考）】
2G028
【Ｆターム（参考）】
2G028AA01
2G028BE04
2G028CG03
2G028DH02
2G028EJ04
2G028FK05
(57)【要約】
【課題】絶縁抵抗をより迅速により正確に測定できる絶縁抵抗測定方法を提供する。
【解決手段】通電された電気装置２の負端子１１と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎ、および、通電された電気装置２の正端子１２と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定する方法は、第１スイッチング回路１６を、正端子１２と接地３との間に、正端子絶縁抵抗Ｒｉｐと並列に配置するステップと、第２スイッチング回路１５を、負端子１１と接地３との間に、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎと並列に配置するステップとを含む。
【選択図】図１
【解決手段】通電された電気装置２の負端子１１と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎ、および、通電された電気装置２の正端子１２と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定する方法は、第１スイッチング回路１６を、正端子１２と接地３との間に、正端子絶縁抵抗Ｒｉｐと並列に配置するステップと、第２スイッチング回路１５を、負端子１１と接地３との間に、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎと並列に配置するステップとを含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
通電された電気装置（２）の負端子（１１）と、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁された接地（３）との間に存在する負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）、および、通電された電気装置（２）の正端子（１２）と、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁された前記接地（３）との間に存在する正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を測定する方法であって、
・第１スイッチング回路（１６）を、前記正端子（１２）と接地（３）との間に、前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）と並列に配置するステップであって、第１スイッチング回路（１６）は、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を有する第１駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前記第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）とを備える、ステップと、
・第２スイッチング回路（１５）を、前記負端子（１１）と接地（３）との間に、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）と並列に配置するステップであって、第２スイッチング回路（１５）は、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を有する第２駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）とを備える、ステップと、
・通電された電気装置（２）、第１スイッチング回路（１６）、および第２スイッチング回路（１５）からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義するステップであって、第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）に関連付けられ、第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）に関連付けられる、ステップと、
・第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第１動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方に依存する個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する、ステップと、
・第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第２動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方に依存する個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する、ステップと、
・前記第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）、第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）、および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）に基づいて、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を計算する、ステップと、を含み、
少なくとも２つの動作点を定義する前記ステップは、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）に対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定する、方法。
・第１スイッチング回路（１６）を、前記正端子（１２）と接地（３）との間に、前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）と並列に配置するステップであって、第１スイッチング回路（１６）は、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を有する第１駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前記第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）とを備える、ステップと、
・第２スイッチング回路（１５）を、前記負端子（１１）と接地（３）との間に、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）と並列に配置するステップであって、第２スイッチング回路（１５）は、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を有する第２駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）とを備える、ステップと、
・通電された電気装置（２）、第１スイッチング回路（１６）、および第２スイッチング回路（１５）からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義するステップであって、第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）に関連付けられ、第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）に関連付けられる、ステップと、
・第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第１動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方に依存する個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する、ステップと、
・第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第２動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方に依存する個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する、ステップと、
・前記第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）、第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）、および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）に基づいて、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を計算する、ステップと、を含み、
少なくとも２つの動作点を定義する前記ステップは、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）に対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定する、方法。
【請求項2】
少なくとも２つの動作点を定義する前記ステップと、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、第１動作点に従って動作するように制御する前記ステップと、個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）および個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する前記ステップと、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、第２動作点に従って動作するように制御する前記ステップと、個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）および個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する前記ステップは、連続的かつ反復的に実行され、
その結果、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）は、連続的かつ動的に計算され、
第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）が、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）とは予め定めた最大誤差（Ｅ）未満の誤差（ｅ）だけ異なる場合に、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）は有効であると判断される、請求項１に記載の方法。
その結果、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）は、連続的かつ動的に計算され、
第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）が、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）とは予め定めた最大誤差（Ｅ）未満の誤差（ｅ）だけ異なる場合に、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）は有効であると判断される、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
・前記第１スイッチングユニットは、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を備えた前記第１駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第１スイッチ（ＳＷＰ）を備え、クローズ状態は実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、前記第１スイッチ（ＳＷＰ）に対して並列に配置された第１スイッチング抵抗（ＲＳＷＰ）としてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられ、
・前記第２スイッチングユニットは、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を備えた前記第２駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第２スイッチ（ＳＷＮ）を備え、クローズ状態は実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、前記第２スイッチ（ＳＷＮ）に対して並列に配置された第２スイッチング抵抗（ＲＳＷＮ）としてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる、請求項１または２に記載の方法。
・前記第２スイッチングユニットは、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を備えた前記第２駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第２スイッチ（ＳＷＮ）を備え、クローズ状態は実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、前記第２スイッチ（ＳＷＮ）に対して並列に配置された第２スイッチング抵抗（ＲＳＷＮ）としてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項4】
負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）は、負端子絶縁コンダクタンス（Ｇｉｎ）の逆数として計算され、正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）は、正端子絶縁コンダクタンスの逆数として計算され、
負端子絶縁コンダクタンス（Ｇｉｎ）および正端子絶縁コンダクタンス（Ｇｉｐ）は、測定可能な量を参照する下記パラメータ、または事前定義可能な回路パラメータを含む連立方程式を解くことによって計算される、請求項３に記載の方法。
・Ｖｉｓｏ１およびＶｉｓｏ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で測定された基準電圧値）
・ＶＢ１およびＶＢ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で測定されたバッテリ電圧値）
・Ｇｐ１およびＧｐ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で計算された等価正ブランチ抵抗（Ｒｐｓ）の逆数値）
・Ｇｎ１およびＧｎ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で計算された等価負ブランチ抵抗（Ｒｎｓ）の逆数値）
・Ｐ（基準電圧測定回路に依存するパラメータ）
負端子絶縁コンダクタンス（Ｇｉｎ）および正端子絶縁コンダクタンス（Ｇｉｐ）は、測定可能な量を参照する下記パラメータ、または事前定義可能な回路パラメータを含む連立方程式を解くことによって計算される、請求項３に記載の方法。
・Ｖｉｓｏ１およびＶｉｓｏ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で測定された基準電圧値）
・ＶＢ１およびＶＢ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で測定されたバッテリ電圧値）
・Ｇｐ１およびＧｐ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で計算された等価正ブランチ抵抗（Ｒｐｓ）の逆数値）
・Ｇｎ１およびＧｎ２（それぞれ第１動作点および第２動作点で計算された等価負ブランチ抵抗（Ｒｎｓ）の逆数値）
・Ｐ（基準電圧測定回路に依存するパラメータ）
【請求項5】
第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する前記ステップは、第１スイッチング回路（１６）または第２スイッチング回路（１５）と並列に配置された測定回路（１７）によって実行され、
前記測定回路（１７）は、相互に直列に配置された第１測定抵抗（Ｒｉ）および第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）を備えて電圧分配器を形成しており、
前記第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）は、第１測定抵抗（Ｒｉ）と第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）との間の接続部に存在し、第１動作点および第２動作点で測定される電圧にそれぞれ対応する、請求項１～４のいずれかに記載の方法。
前記測定回路（１７）は、相互に直列に配置された第１測定抵抗（Ｒｉ）および第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）を備えて電圧分配器を形成しており、
前記第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）は、第１測定抵抗（Ｒｉ）と第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）との間の接続部に存在し、第１動作点および第２動作点で測定される電圧にそれぞれ対応する、請求項１～４のいずれかに記載の方法。
【請求項6】
前記測定回路（１７）は、第２スイッチング回路（１６）、即ち、負スイッチングブランチと並列に配置され、
前記等価正ブランチ抵抗（Ｒｐｓ）および、１と０に等しいデューティサイクル値の場合に等価正ブランチ抵抗（Ｒｐｓ）によって取得される値は、第１スイッチング抵抗（ＲＳＷＰ）、第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）および正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）に依存する式を用いて計算され、
前記等価負ブランチ抵抗（Ｒｎｓ）および、１と０に等しいデューティサイクル値の場合に等価負ブランチ抵抗（Ｒｎｓ）によって取得される値は、第２スイッチング抵抗（ＲＳＷＮ）、第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）に依存する式を用いて計算され、
前記パラメータＰは電圧分配器を表す、請求項４および５に記載の方法。
前記等価正ブランチ抵抗（Ｒｐｓ）および、１と０に等しいデューティサイクル値の場合に等価正ブランチ抵抗（Ｒｐｓ）によって取得される値は、第１スイッチング抵抗（ＲＳＷＰ）、第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）および正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）に依存する式を用いて計算され、
前記等価負ブランチ抵抗（Ｒｎｓ）および、１と０に等しいデューティサイクル値の場合に等価負ブランチ抵抗（Ｒｎｓ）によって取得される値は、第２スイッチング抵抗（ＲＳＷＮ）、第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）に依存する式を用いて計算され、
前記パラメータＰは電圧分配器を表す、請求項４および５に記載の方法。
【請求項7】
前記測定回路（１７）はさらに、前記第１測定抵抗（Ｒｉ）と第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）との間に配置され、個々の制御信号（Ｄｉ）に基づいて測定動作を活性化または非活性化するように構成された測定活性化スイッチ（ＳＷＩ）をさらに備える、請求項５または６に記載の方法。
【請求項8】
連続的かつ反復的に実行される前記方法ステップは、
・第１初期動作点を定義するステップであって、前記正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）の一方が、個々のスイッチのクローズに対応する、１の値に設定され、前記正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）の他方は、個々のスイッチのオープンに対応する、０の値に設定され、測定された初期基準電圧値（Ｖｉｓｏ）を、第１基準電圧値（Ｖｔ１，Ｖｉｓｏ１）として採用するステップと、
・下記のステップａ）ｂ）に従って第２動作点を定義するステップと、
ａ）第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）より高い場合、第２基準目標電圧値（Ｖｔ）として、前回の動作点で測定された基準電圧（Ｖｉｓｏ１）から予め定めた基準電圧変動値（ΔＶｉｓｏ）を減算したものに等しい値（Ｖｉｓｏ１－ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
ｂ）第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）より低い場合、第２基準目標電圧値（Ｖｔ２）として、前回の動作点で測定された基準電圧（Ｖｉｓｏ１）に予め定めた基準電圧変動値（ΔＶｉｓｏ）を加算したものに等しい値（Ｖｔ１＋ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
・基準電圧（Ｖｔ）を前記第２基準目標電圧値（Ｖｔ２）に近づけるという基準に従って、個々の初期値を変化させることによって、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定するステップと、を含む請求項２～７のいずれかに記載の方法。
・第１初期動作点を定義するステップであって、前記正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）の一方が、個々のスイッチのクローズに対応する、１の値に設定され、前記正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）の他方は、個々のスイッチのオープンに対応する、０の値に設定され、測定された初期基準電圧値（Ｖｉｓｏ）を、第１基準電圧値（Ｖｔ１，Ｖｉｓｏ１）として採用するステップと、
・下記のステップａ）ｂ）に従って第２動作点を定義するステップと、
ａ）第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）より高い場合、第２基準目標電圧値（Ｖｔ）として、前回の動作点で測定された基準電圧（Ｖｉｓｏ１）から予め定めた基準電圧変動値（ΔＶｉｓｏ）を減算したものに等しい値（Ｖｉｓｏ１－ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
ｂ）第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）より低い場合、第２基準目標電圧値（Ｖｔ２）として、前回の動作点で測定された基準電圧（Ｖｉｓｏ１）に予め定めた基準電圧変動値（ΔＶｉｓｏ）を加算したものに等しい値（Ｖｔ１＋ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
・基準電圧（Ｖｔ）を前記第２基準目標電圧値（Ｖｔ２）に近づけるという基準に従って、個々の初期値を変化させることによって、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定するステップと、を含む請求項２～７のいずれかに記載の方法。
【請求項9】
第１動作点および第２動作点を定義する前記ステップは、
前回の第２動作点が第１動作点となり、新しい第２動作点が、請求項８に記載の第２動作点を定義するステップに従って定義される、一連の計算セッションに従って反復的に実行され、
その結果、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の動的に更新される値が各計算セッションにおいて決定される、請求項８に記載の方法。
前回の第２動作点が第１動作点となり、新しい第２動作点が、請求項８に記載の第２動作点を定義するステップに従って定義される、一連の計算セッションに従って反復的に実行され、
その結果、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の動的に更新される値が各計算セッションにおいて決定される、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
・第１正ブランチ駆動信号は、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ１，ｄｐ２）を備えたパルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調信号であり、
・第２負ブランチ駆動信号は、前記第２負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ１，ｄｎ２）を備えたパルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調信号である、請求項１～９のいずれかに記載の方法。
・第２負ブランチ駆動信号は、前記第２負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ１，ｄｎ２）を備えたパルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調信号である、請求項１～９のいずれかに記載の方法。
【請求項11】
前記通電された電気装置（２）は、電気自動車バッテリであり、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁されている前記接地（３）は、車両シャーシの接地または車両の電気制御ユニット（ＥＣＵ）の絶縁された接地である、請求項１～１０のいずれかに記載の方法。
【請求項12】
通電された電気装置（２）の絶縁損失を診断する方法であって、
・通電された電気装置の負端子と、通電された電気装置から理想的に絶縁された接地との間に存在する負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）、および通電された電気装置の正端子と、通電された電気装置から理想的に絶縁された前記接地との間に存在する正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を測定するステップと、
・測定された負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および測定された正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）に基づいて、通電された電気装置（２）の絶縁損失を診断するステップと、を含み、
前記測定ステップは、請求項１～１１のいずれかに記載の方法によって実行される、方法。
・通電された電気装置の負端子と、通電された電気装置から理想的に絶縁された接地との間に存在する負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）、および通電された電気装置の正端子と、通電された電気装置から理想的に絶縁された前記接地との間に存在する正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を測定するステップと、
・測定された負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および測定された正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）に基づいて、通電された電気装置（２）の絶縁損失を診断するステップと、を含み、
前記測定ステップは、請求項１～１１のいずれかに記載の方法によって実行される、方法。
【請求項13】
通電された電気装置（２）の負端子（２１）と、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁された接地（３）との間に存在する負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および、通電された電気装置（２）の正端子（２２）と、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁された前記接地（３）との間に存在する正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を測定するための電子デバイス（１）であって、
・通電された電気装置（２）の負端子（２１）および正端子（２２）にそれぞれ接続可能である第１デバイス端子（１１）および第２デバイス端子（１２）と、
・前記正端子（１２）と接地（３）との間に配置され、よって前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）と並列に配置された第１スイッチング回路（１６）であって、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を有する駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前記第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）とを備える、第１スイッチング回路（１６）と、
・前記負端子（１１）と接地（３）との間に配置され、よって前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）と並列に配置された第２スイッチング回路（１５）であって、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を有する駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）とを備える、第２スイッチング回路（１５）と、
・下記の動作ａ）ｂ）ｃ）ｄ）を行うように構成された電子制御処理手段と、を備え、
ａ）通電された電気装置（２）、第１スイッチング回路（１６）、および第２スイッチング回路（１５）からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作であって、第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）に関連付けられ、第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）に関連付けられる、動作。
ｂ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第１動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方にも依存する個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する動作。
ｃ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第２動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方に依存する個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する動作。
ｄ）前記第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）、第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）、および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）に基づいて、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を計算する動作。
前記電子制御処理手段は、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）に対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定するように構成される、電子デバイス（１）。
・通電された電気装置（２）の負端子（２１）および正端子（２２）にそれぞれ接続可能である第１デバイス端子（１１）および第２デバイス端子（１２）と、
・前記正端子（１２）と接地（３）との間に配置され、よって前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）と並列に配置された第１スイッチング回路（１６）であって、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を有する駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前記第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）とを備える、第１スイッチング回路（１６）と、
・前記負端子（１１）と接地（３）との間に配置され、よって前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）と並列に配置された第２スイッチング回路（１５）であって、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を有する駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）とを備える、第２スイッチング回路（１５）と、
・下記の動作ａ）ｂ）ｃ）ｄ）を行うように構成された電子制御処理手段と、を備え、
ａ）通電された電気装置（２）、第１スイッチング回路（１６）、および第２スイッチング回路（１５）からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作であって、第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）に関連付けられ、第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）に関連付けられる、動作。
ｂ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第１動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方にも依存する個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する動作。
ｃ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第２動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）ならびに、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）の両方に依存する個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する動作。
ｄ）前記第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）、第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）、および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）に基づいて、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を計算する動作。
前記電子制御処理手段は、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）に対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定するように構成される、電子デバイス（１）。
【請求項14】
・前記第１スイッチングユニットは、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を備えた前記第１駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第１スイッチ（ＳＷＰ）を備え、クローズ状態は実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、前記第１スイッチ（ＳＷＰ）に対して並列に配置された第１スイッチング抵抗（ＲＳＷＰ）としてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられ、
・前記第２スイッチングユニットは、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を備えた前記第２駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第２スイッチ（ＳＷＮ）を備え、クローズ状態は実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、前記第２スイッチ（ＳＷＮ）に対して並列に配置された第２スイッチング抵抗（ＲＳＷＮ）としてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる、請求項１３に記載の電子デバイス（１）。
・前記第２スイッチングユニットは、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を備えた前記第２駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第２スイッチ（ＳＷＮ）を備え、クローズ状態は実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、前記第２スイッチ（ＳＷＮ）に対して並列に配置された第２スイッチング抵抗（ＲＳＷＮ）としてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる、請求項１３に記載の電子デバイス（１）。
【請求項15】
第１スイッチング回路（１６）または第２スイッチング回路（１５）と並列に配置され、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を測定する前記動作を実行するように構成された測定回路（１７）をさらに備え、
前記測定回路は、相互に直列に配置された第１測定抵抗（Ｒｉ）および第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）を備えて電圧分配器を形成しており、
前記第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）は、第１測定抵抗（Ｒｉ）と第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）との間の接続部に存在し、第１動作点および第２動作点で測定される電圧にそれぞれ対応する、請求項１３または１４に記載の電子デバイス（１）。
前記測定回路は、相互に直列に配置された第１測定抵抗（Ｒｉ）および第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）を備えて電圧分配器を形成しており、
前記第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）は、第１測定抵抗（Ｒｉ）と第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）との間の接続部に存在し、第１動作点および第２動作点で測定される電圧にそれぞれ対応する、請求項１３または１４に記載の電子デバイス（１）。
【請求項16】
前記測定回路（１７）はさらに、前記第１測定抵抗（Ｒｉ）と第２測定抵抗（Ｒｉｓｏ）との間に配置され、個々の制御信号（Ｄｉ）に基づいて測定動作を活性化または非活性化するように構成された測定活性化スイッチ（ＳＷＩ）をさらに備える、請求項１５に記載の電子デバイス（１）。
【請求項17】
請求項１～１１のいずれかに記載の方法を実行するように構成された、請求項１３～１６のいずれかに記載の電子デバイス（１）。
【請求項18】
通電された電気装置（２）の負端子（２１）と、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁された接地（３）との間に存在する負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および、通電された電気装置（２）の正端子（２２）と、通電された電気装置（２）から理想的に絶縁された前記接地（３）との間に存在する正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を測定するための電子システム（１０）であって、
・通電された電気装置（２）の負端子（２１）および正端子（２２）にそれぞれ接続可能である第１デバイス端子（１１）および第２デバイス端子（１２）を含む電子デバイス（１）であって、ｉ）前記正端子（１２）と接地（３）との間に配置された第１スイッチング回路（１６）であって、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を有する第１駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前記第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）とを備える、第１スイッチング回路（１６）と、ｉｉ）前記負端子（１１）と接地（３）との間に配置された第２スイッチング回路（１５）であって、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を有する第２駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）とを備える、第２スイッチング回路（１５）と、を備える電子デバイス（１）と、
・前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在するバッテリ電圧（ＶＢ）および、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表す基準電圧（Ｖｉｓｏ）を測定するように構成された測定手段と、
・下記の動作ａ）ｂ）ｃ）ｄ）ｅ）を行うように構成された電子制御処理手段（Ｃ（ｓ））と、を備え、
ａ）通電された電気装置（２）、第１スイッチング回路（１６）、および第２スイッチング回路（１５）からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作であって、第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）に関連付けられ、第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）に関連付けられる、動作。
ｂ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第１動作点に従って動作するように制御し、定義された第１動作点に基づいて第１駆動信号および第２駆動信号を決定し、第１スイッチング回路（１６）に第１駆動信号を提供し、第２スイッチング回路（１５）に第２駆動信号を提供する、動作。
ｃ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）が第１動作点に従って動作している条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間で測定される個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）および、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を、測定手段から受信する動作。
ｄ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）が第２動作点に従って動作している条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間で測定される個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）および、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、測定手段から受信する動作。
ｅ）前記第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）、第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）、および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）に基づいて、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を計算する動作。
前記電子制御処理手段はさらに、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）に対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定するように構成される、電子システム（１０）。
・通電された電気装置（２）の負端子（２１）および正端子（２２）にそれぞれ接続可能である第１デバイス端子（１１）および第２デバイス端子（１２）を含む電子デバイス（１）であって、ｉ）前記正端子（１２）と接地（３）との間に配置された第１スイッチング回路（１６）であって、正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）を有する第１駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前記第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗（Ｒｋｐ）とを備える、第１スイッチング回路（１６）と、ｉｉ）前記負端子（１１）と接地（３）との間に配置された第２スイッチング回路（１５）であって、負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）を有する第２駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗（Ｒｋｎ）とを備える、第２スイッチング回路（１５）と、を備える電子デバイス（１）と、
・前記負端子（１１）と正端子（１２）との間に存在するバッテリ電圧（ＶＢ）および、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表す基準電圧（Ｖｉｓｏ）を測定するように構成された測定手段と、
・下記の動作ａ）ｂ）ｃ）ｄ）ｅ）を行うように構成された電子制御処理手段（Ｃ（ｓ））と、を備え、
ａ）通電された電気装置（２）、第１スイッチング回路（１６）、および第２スイッチング回路（１５）からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作であって、第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）に関連付けられ、第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）に関連付けられる、動作。
ｂ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）を、前記第１動作点に従って動作するように制御し、定義された第１動作点に基づいて第１駆動信号および第２駆動信号を決定し、第１スイッチング回路（１６）に第１駆動信号を提供し、第２スイッチング回路（１５）に第２駆動信号を提供する、動作。
ｃ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）が第１動作点に従って動作している条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間で測定される個々の第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）および、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を、測定手段から受信する動作。
ｄ）第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）が第２動作点に従って動作している条件において、前記負端子（１１）と正端子（１２）との間で測定される個々の第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）および、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、測定手段から受信する動作。
ｅ）前記第１バッテリ電圧値（ＶＢ１）、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）、第２バッテリ電圧値（ＶＢ２）、および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）に基づいて、前記負端子絶縁抵抗（Ｒｉｎ）および前記正端子絶縁抵抗（Ｒｉｐ）を計算する動作。
前記電子制御処理手段はさらに、第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）および第２基準電圧値（Ｖｉｓｏ２）を、予め定めた基準目標電圧（Ｖｔ）に対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前記第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ１）、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ１）、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｐ２）、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値（ｄｎ２）を決定するように構成される、電子システム（１０）。
【請求項19】
電子制御処理手段（Ｃ（ｓ））からデジタル論理駆動信号を受信し、前記正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ）および負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ）によってそれぞれ特徴付けられた予め定めた変調に従って、個々の物理的駆動信号を生成し、第１スイッチング回路（１６）および第２スイッチング回路（１５）に提供するように構成された変調器をさらに備える、請求項１８に記載の電子システム（１０）。
【請求項20】
前記物理的駆動信号は、パルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調で変調される、請求項１９に記載の電子システム（１０）。
【請求項21】
請求項１～１２のいずれかに記載の方法を実行するように構成された、請求項１８～２０のいずれかに記載の電子システム（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、通電された電気装置の接地に対する絶縁抵抗を反復して測定するため、そして、こうした機器の絶縁損失の診断のための方法、電子デバイスおよびシステムに関する。
【0002】
本説明は、一例として、電気モータまたはハイブリッドモータ用のバッテリへの本発明の応用を特に示しているが、本発明は、接地、または一般の基準または保護接地に対して、任意の通電された電気装置またはシステムに等しく応用できることは明らかであることに留意されよう。
【背景技術】
【0003】
例えば、電気自動車やハイブリッド自動車など、高い公称電圧を備えた電気化学バッテリの使用が絶えず増加しており、こうした電圧の使用に関連した電気リスクの可能性を伴い、これらは人や物にとって潜在的に危険である。従って、電気の使用に関連する危険は、職場や家庭での電気の使用に主に関連していると今まで考えられていたが、現在では、潜在的に危険な電圧を特徴とする蓄電システムを備えた電気自動車やハイブリッド自動車にも現れている。
【0004】
今後数年間に予想される車両の電動牽引の更なる普及は、人や物の輸送のためにその頻繁で広範な使用に関連しており、牽引のためのリチウムバッテリの使用に伴う電気リスクと潜在的危険性が、将来のこうした交通手段を使用する人々の安全のリスクの主な原因の １つになることを意味するであろう。
【0005】
何らかの不具合（例えば、電気装置のコンポーネントの老朽化、絶縁破壊、放電に起因する誤動作など）は、短絡や絶縁損失の発生など、潜在的に危険な事象からの保護という問題を引き起こす。これは、火災や爆発を引き起こす可能性があり、可燃性または爆発性物質が存在すれば特に深刻になり、例えば、人々の生命を危険にさらすことがある。
【0006】
こうした可能性のある不具合の中でも、接地、または一般の基準または保護接地（例えば、自動車シャーシ）に対するバッテリ電圧の絶縁損失は、最も頻繁に発生する可能性のある故障の１つである。
【0007】
一例を挙げると、被覆が損傷したケーブルが車体に接触して故障した場合、高電圧回路と車体との間の絶縁抵抗が大幅に減少する。こうした絶縁抵抗の減少は、絶縁抵抗を検出できる既知のタイプの電子回路によって診断できる。
【0008】
実際、高電圧システムを備えた電気自動車やハイブリッド自動車では、電気システムに適切に挿入され、高電圧回路と車両シャーシとの間の絶縁抵抗をランタイムモードで測定できる絶縁抵抗検出回路を使用することが知られている。
【0009】
種々の安全性および保護条件の中でもとりわけ、車両に設置された絶縁抵抗監視システムを使用して、接地または、一般の基準または保護接地に対するバッテリの絶縁抵抗値の自動的に実行される定期的な測定によってバッテリの高電圧回路の完全性を点検することが可能である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら、前述した既知の手法にはいくつかの不具合があり、そのうち主な不具合は、絶縁抵抗の測定に必要とされる長い時間（例えば、３０秒）であり、ニーズには不十分である。
【0011】
まだ完全に満たされていない他のニーズは、ランタイムモードで実行される絶縁抵抗測定の精度の向上に関する。
【0012】
上記の観点から、主に自動車用途の分野だけでなく、他の応用分野でも（バッテリ以外の通電された装置や他の状況で使用される同様のニーズが生ずることがあることは容易に理解されよう）、そのニーズは、現在利用可能な手法に対して、絶縁抵抗をより迅速に、同時により正確に測定でき、前述したニーズをより良く満たすような絶縁抵抗を測定する方法（そして関連する電子デバイスおよび電子システム）を考案するために強く考えられる。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明の目的は、先行技術に対して上記の不具合を少なくとも部分的に回避し、検討される技術分野において特に考えられる前述のニーズを満足することを可能にする、絶縁抵抗を測定する方法を提供することである。
【0014】
こうした目的は、請求項１に記載の絶縁抵抗測定方法によって達成される。
【0015】
こうした方法の更なる実施形態は、請求項２～１１に定義される。
【0016】
本発明の更なる目的は、前述の絶縁抵抗測定方法に基づいて、通電された電気装置の絶縁損失を診断する方法を提供することである。こうした目的は、請求項１２に記載の絶縁損失診断方法によって達成される。
【0017】
本発明の目的はまた、絶縁抵抗を測定するための電子装置を提供することである。こうした目的は、請求項１３に記載のデバイスによって達成される。
【0018】
こうしたデバイスの更なる実施形態は、請求項１４～１７に定義される。
【0019】
本発明の他の目的は、絶縁抵抗を測定するための電子システムを提供することである。こうした目的は、請求項１８に記載の装置によって達成される。
【0020】
こうしたシステムの更なる実施形態は、請求項１９～２１に定義される。
【図面の簡単な説明】
【0021】
本発明に係る方法、電子デバイスおよび電子システムの更なる特徴および利点は、添付図面を参照しながら、例示的で非限定的な例として与えられる好ましい実施形態の下記説明から明らかになるであろう。
【0022】
【図2】本発明に係る方法の一実施形態に含まれる絶縁抵抗計算アルゴリズムのフロー図を示す。
【図3】本発明に係る方法の一実施形態に含まれる絶縁抵抗計算アルゴリズムのフロー図を示す。
【図4】本発明の一実施形態に係る絶縁抵抗測定システムを簡略化して示す摸式図である。
【図5】本発明の方法に含まれる信号および変数の時間的傾向を示すいくつかの例示的な図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0023】
図１～図５を参照して、通電された電気装置２の負端子１１と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎ、および、通電された電気装置２の正端子１２と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された前述の接地３との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定するための方法を説明する。
【0024】
こうした方法は、最初に、第１スイッチング回路１６を前記正端子１２と接地３との間に正端子絶縁抵抗Ｒｉｐと並列に配置することと、第２スイッチング回路１５を前記負端子１１と接地３との間に負端子絶縁抵抗Ｒｉｎと並列に配置することとを提供する。
【0025】
前述の第１スイッチング回路１６は、正ブランチ（分岐）スイッチングデューティサイクルｄｐを有する第１駆動信号に従って、２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第１スイッチングユニットと、前述の第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗Ｒｋｐとを備える。
【0026】
前述の第２スイッチング回路１５は、負ブランチ（分岐）スイッチングデューティサイクルｄｎを有する第２駆動信号に従って、２つの状態のうちのいずれか一方を取るように構成された第２スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗Ｒｋｎとを備える。
【0027】
第１スイッチング回路１６は、以下では「正ブランチ」または「正スイッチングブランチ」とも呼ばれる。第２スイッチング回路１６は、以下では「負ブランチ」または「負スイッチングブランチ」とも呼ばれる。第１および第２スイッチング回路のセットは、以下では「絶縁損失（ＬＯＩ）測定回路」と呼ばれる。
【0028】
そして、この方法は、通電された電気装置２、第１スイッチング回路１６、および第２スイッチング回路１５からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義するステップを含む。第１動作点が、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１に関連付けられる。第２動作点が、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２に関連付けられる。
【0029】
この方法はさらに、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が前述の第１動作点に従って動作するように制御することと、こうした条件において、負端子１１と正端子１２との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１を測定することとを含む。こうした基準電圧は、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐの両方に依存する。
【0030】
そして、この方法は、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第２動作点に従って動作するように制御することと、こうした条件において、前記負端子１１と正端子１２との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を測定することとを含む。こうした基準電圧は、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐの両方に依存する。
【0031】
最後に、この方法は、前述の第１バッテリ電圧値ＶＢ１、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１、第２バッテリ電圧値ＶＢ２、および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２に基づいて、前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを計算することを提供する。
【0032】
少なくとも２つの動作点を定義する前述のステップは、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を、予め定めた基準目標電圧Ｖｔに対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前述の第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２を決定することを含む。
【0033】
この方法の一実施形態によれば、少なくとも２つの動作点を定義する前記ステップと、
第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第１動作点に従って動作するように制御する前記ステップと、個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および個々の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１を測定する前記ステップと、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第２動作点に従って動作するように制御する前記ステップと、個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および個々の第２基準電圧Ｖｉｓｏ２を測定する前記ステップは、連続的かつ反復的に実行され、その結果、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐは、連続的かつ動的に計算される。第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２が、予め定めた基準目標電圧Ｖｔとは予め定めた最大誤差Ｅ未満である誤差ｅだけ異なる場合に、および／またはそのため、負端絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端絶縁抵抗Ｒｉｐは、有効であると判断される。
第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第１動作点に従って動作するように制御する前記ステップと、個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および個々の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１を測定する前記ステップと、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第２動作点に従って動作するように制御する前記ステップと、個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および個々の第２基準電圧Ｖｉｓｏ２を測定する前記ステップは、連続的かつ反復的に実行され、その結果、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐは、連続的かつ動的に計算される。第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２が、予め定めた基準目標電圧Ｖｔとは予め定めた最大誤差Ｅ未満である誤差ｅだけ異なる場合に、および／またはそのため、負端絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端絶縁抵抗Ｒｉｐは、有効であると判断される。
【0034】
この方法の一実施形態によれば、前述の第１スイッチングユニットは、正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐを備えた第１駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第１スイッチＳＷＰを備え、クローズ状態は、実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、第１スイッチＳＷＰに対して並列に配置された第１スイッチング抵抗ＲＳＷＰとしてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる。
【0035】
同様に、前述の第２スイッチングユニットは、負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎを備えた第２駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第２スイッチＳＷＮを備え、クローズ状態は、実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、第２スイッチ（ＳＷＮ）に対して並列に配置された第２スイッチング抵抗ＲＳＷＮとしてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる。
【0036】
この方法の実装オプションによれば、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎは、負端子絶縁コンダクタンスＧｉｎの逆数として計算され、正端子絶縁抵抗Ｒｉｐは、正端子絶縁コンダクタンスＧｉｐの逆数として計算される。
【0037】
こうした場合、負端子絶縁コンダクタンスＧｉｎおよび正端子絶縁コンダクタンスＧｉｐは、測定可能な量を参照するパラメータまたは事前定義可能な回路パラメータを含む連立方程式を解くことによって計算される。
【0038】
解くべき方程式の詳細は、使用する回路の正確な構成に明らかに依存する。
【0039】
特定の実装例（以下でさらに詳説する）によれば、負端子絶縁コンダクタンスＧｉｎおよび正端子絶縁コンダクタンスＧｉｐは、下記の連立方程式を解くことによって計算される。
【0040】
【数1】
【0041】
これにより下記の解が得られる。
【0042】
【数2】
【0043】
ここで、Ｖｉｓｏ１およびＶｉｓｏ２は、それぞれ第１動作点および第２動作点で測定された基準電圧値である。ＶＢ１およびＶＢ２は、それぞれ第１動作点および第２動作点で測定されたバッテリ電圧値である。Ｇｐ１およびＧｐ２は、それぞれ第１動作点および第２動作点で計算された等価正ブランチ抵抗Ｒｐｓの逆数値である。Ｇｎ１およびＧｎ２は、それぞれ第１動作点および第２動作点で計算された等価負ブランチ抵抗Ｒｎｓの逆数値である。Ｐは、基準電圧測定回路に依存するパラメータである。
【0044】
正ブランチおよび負ブランチの絶縁抵抗値は、Ｒｉｎ＝１／ＧｉｎおよびＲｉｐ＝１／Ｇｉｐのように、ＧｉｎおよびＧｉｐの値から容易に得られる。
【0045】
この方法の一実施形態によれば、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を測定する前述のステップは、第１スイッチング回路１６または第２スイッチング回路１５と並列に配置された測定回路１７によって実行される。
【0046】
実装オプションによれば、前述の測定回路１７は、相互に直列に配置された第１測定抵抗Ｒｉおよび第２測定抵抗Ｒｉｓｏを備えて電圧分配器を形成する。前述の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２は、第１測定抵抗Ｒｉと第２測定抵抗Ｒｉｓｏとの間の接続部に存在し、第１動作点および第２動作点で測定された電圧にそれぞれ対応する。
【0047】
実装オプションによれば、前述の測定回路１７は、第２スイッチング回路１６、即ち、負スイッチングブランチと並列に配置される。
【0048】
こうした場合、前述の等価正ブランチ抵抗Ｒｐｓおよび、１と０に等しいデューティサイクル値の場合に等価正ブランチ抵抗Ｒｐｓによって得られる値は、下記の式によって計算される。
【0049】
【数3】
【0050】
同様に、前述の等価負ブランチ抵抗Ｒｎｓおよび、１と０に等しいデューティサイクル値の場合に等価負ブランチ抵抗Ｒｎｓによって得られる値は、下記の式によって計算される。
【0051】
【数4】
【0052】
こうした場合、前述のパラメータＰは電圧分配器を表し、次のように計算される。
【0053】
【数5】
【0054】
この方法の実装オプションによれば、前述の測定回路１７はさらに、前述の第１測定抵抗Ｒｉと第２測定抵抗Ｒｉｓｏとの間に配置され、個々の制御信号Ｄｉに基づいて測定動作を活性化または非活性化するように構成された測定活性化スイッチＳＷＩをさらに備える。
【0055】
一実施形態によれば、連続的かつ反復的に実行される前述の方法ステップは、下記のステップを含む。
【0056】
最初に、第１初期動作点が定義され、この場合、前述の正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐおよび負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎの一方が、個々のスイッチのクローズに対応する、１の値に設定される。前述の正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐおよび負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎの他方は、個々のスイッチのオープンに対応する、０の値に設定される。測定された初期基準電圧値Ｖｉｓｏは、第１基準電圧値Ｖｔ１，Ｖｉｓｏ１として採用される。
【0057】
次に、下記のステップを通じて第２動作点が定義される。
・第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１より高い場合、第２基準目標電圧値Ｖｔとして、前回の動作点で測定された基準電圧Ｖｉｓｏ１から予め定めた基準電圧変動値ΔＶｉｓｏを減算したものに等しい値（Ｖｉｓｏ１－ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
・第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１より低い場合、第２基準目標電圧値Ｖｔ２として、前回の動作点で測定された基準電圧Ｖｉｓｏ１に予め定めた基準電圧変動値ΔＶｉｓｏを加算したものに等しい値（Ｖｔ１＋ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
・基準電圧Ｖｔを前述の第２基準目標電圧値Ｖｔ２に近づけるという基準に従って、個々の初期値を変化させることによって、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２を決定するステップ。
・第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１より高い場合、第２基準目標電圧値Ｖｔとして、前回の動作点で測定された基準電圧Ｖｉｓｏ１から予め定めた基準電圧変動値ΔＶｉｓｏを減算したものに等しい値（Ｖｉｓｏ１－ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
・第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１が、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１より低い場合、第２基準目標電圧値Ｖｔ２として、前回の動作点で測定された基準電圧Ｖｉｓｏ１に予め定めた基準電圧変動値ΔＶｉｓｏを加算したものに等しい値（Ｖｔ１＋ΔＶｉｓｏ）を定義するステップ。
・基準電圧Ｖｔを前述の第２基準目標電圧値Ｖｔ２に近づけるという基準に従って、個々の初期値を変化させることによって、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２を決定するステップ。
【0058】
この方法の実装オプションによれば、第１動作点および第２動作点を定義する前述のステップは、前回の第２動作点が第１動作点となり、新しい第２動作点が、上に示した第２動作点を定義するステップに従って定義される、一連の計算セッションに従って反復的に実行される。
【0059】
それにより、各計算セッション（前述したように２つの動的に可変である動作点でそれぞれ実行される）において、動的に更新される負端子絶縁抵抗値Ｒｉｎおよび動的に更新される正端子絶縁抵抗値Ｒｉｐが決定される。
【0060】
この方法の一実施形態によれば、第１正ブランチ駆動信号は、前述の第１正ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｐ１，ｄｐ２）を備えたパルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調信号である。第２負ブランチ駆動信号は、前述の第２負ブランチスイッチングデューティサイクル（ｄｎ１，ｄｎ２）を備えたパルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調信号である。
【0061】
一実施形態によれば、前述の通電された電気装置２は車両用の電気バッテリ（例えば、高牽引力用電池）であり、通電された電気装置から理想的に絶縁されている前述の接地３が、車両シャーシの接地または車両（他の低電圧バッテリ、典型的には１２Ｖを備えることがある）の電気制御ユニット（ＥＣＵ）の絶縁された接地である場合に、この方法が適用される。
【0062】
通電された電気装置２の絶縁損失を診断する方法は、以下に説明するように、
・通電された電気装置の負端子１１と、通電された電気装置から理想的に絶縁された接地との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎ、および通電された電気装置の正端子と、通電された電気装置から理想的に絶縁された前述の接地との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定し、そして、測定された負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐに基づいて、通電された電気装置２の絶縁損失を診断するステップを含む。
・通電された電気装置の負端子１１と、通電された電気装置から理想的に絶縁された接地との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎ、および通電された電気装置の正端子と、通電された電気装置から理想的に絶縁された前述の接地との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定し、そして、測定された負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐに基づいて、通電された電気装置２の絶縁損失を診断するステップを含む。
【0063】
前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定するステップは、前述の実施形態のいずれかに係る絶縁抵抗測定方法によって実行される。
【0064】
再び図１～５を参照して、通電された電気装置２の負端子２１と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび、通電された電気装置２の正端子２２と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された前述の接地３との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定するための電子デバイス１について説明している。
【0065】
こうした電子デバイスは、通電された電気装置２の負端子２１および正端子２２にそれぞれ接続可能な第１デバイス端子１１および第２デバイス端子１２を備え、さらに、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５および電子制御処理手段を備える。
【0066】
第１スイッチング回路１６は、前記正端子１２と接地３との間に配置され、よって前述の正端子絶縁抵抗Ｒｉｐと並列に配置される。
【0067】
こうした第１スイッチング回路１６は、正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐを有する駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるするように構成された第１スイッチングユニットと、前述の第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗Ｒｋｐとを備える。
【0068】
第２スイッチング回路１５は、前述の負端子１１と接地３との間に配置され、よって前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎと並列に配置される。
【0069】
こうした第２スイッチング回路１５は、負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎを有する駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるするように構成された第２スイッチングユニットと、前述の第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗Ｒｋｎとを備える。
【0070】
電子制御処理手段は、下記の動作を実行するように構成される。
・通電された電気装置２、第１スイッチング回路１６、および第２スイッチング回路１５からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作。第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１に関連付けられる。第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２に関連付けられる。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第１動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、負端子１１と正端子１２との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐの両方に依存する個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する動作。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第２動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、負端子１１と正端子１２との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐの両方に依存する個々の第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を測定する動作。
・前述の第１バッテリ電圧値ＶＢ１、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１、第２バッテリ電圧値ＶＢ２、および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２に基づいて、前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを計算する動作。
・通電された電気装置２、第１スイッチング回路１６、および第２スイッチング回路１５からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作。第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１に関連付けられる。第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２に関連付けられる。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第１動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、負端子１１と正端子１２との間に存在する個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第１動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐの両方に依存する個々の第１基準電圧値（Ｖｉｓｏ１）を測定する動作。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第２動作点に従って動作するように制御し、こうした条件において、負端子１１と正端子１２との間に存在する個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表し、第２動作点によって決定され、負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐの両方に依存する個々の第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を測定する動作。
・前述の第１バッテリ電圧値ＶＢ１、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１、第２バッテリ電圧値ＶＢ２、および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２に基づいて、前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを計算する動作。
【0071】
電子制御処理手段はさらに、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を、予め定めた基準目標電圧Ｖｔに対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前述の第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２を決定するように構成される。
【0072】
デバイスの一実施形態によれば、前述の第１スイッチングユニットは、正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐを備えた第１駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第１スイッチＳＷＰを備え、クローズ状態は、実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、第１スイッチＳＷＰに対して並列に配置された第１スイッチング抵抗ＲＳＷＰとしてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる。同様に、前述の第２のスイッチングユニットは、負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎを備えた前記第２駆動信号に従って、オープン状態またはクローズ状態をとるように構成された第２スイッチＳＷＮを備え、クローズ状態は、実質的にゼロの抵抗によって特徴付けられ、オープン状態は、第２スイッチＳＷＮに対して並列に配置された第２スイッチング抵抗ＲＳＷＮとしてモデル化されるような抵抗によって特徴付けられる。
【0073】
一実施形態によれば、デバイスはさらに、第１スイッチング回路１６または第２スイッチング回路１５と並列に配置され、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を測定する前述の動作を実行するように構成された測定回路１７を備える。
【0074】
こうした測定回路１７は、相互に直列に配置された第１測定抵抗Ｒｉおよび第２測定抵抗Ｒｉｓｏを備え、電圧分配器を形成する。
【0075】
こうした場合、前述の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２は、第１測定抵抗Ｒｉと第２測定抵抗Ｒｉｓｏとの間の接続部に存在し、第１動作点および第２動作点で測定された電圧にそれぞれ対応する。
【0076】
電子デバイス１の実装オプションによれば、前述の測定回路１７はさらに、前述の第１測定抵抗Ｒｉと第２測定抵抗Ｒｉｓｏとの間に配置され、個々の制御信号Ｄｉに基づいて測定動作を活性化または非活性化するように構成された測定活性化スイッチＳＷＩをさらに備える。
【0077】
いくつかの可能な実施形態によれば、電子デバイス１は、前に示した実施形態のいずれか１つによる絶縁抵抗測定方法を実行するように構成される。
【0078】
再び図１～５を参照して、通電された電気装置２の負端子２１と、通電された電気装置２から理想的に絶縁された接地３との間に存在する負端子絶縁抵抗Ｒｉｎ、および通電された電気装置２の正端子２２と、通電された電気装置から理想的に絶縁された前述の接地３との間に存在する正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを測定するための電子システム１０を以下に説明する。
【0079】
こうした電子システム１０は、電子デバイス１と、測定手段と、電子制御処理手段Ｃ（ｓ）とを備える。
【0080】
電子デバイス１は、通電された電気装置２の負端子２１および正端子２２にそれぞれ接続可能な第１デバイス端子１１および第２デバイス端子１２を備える。
【0081】
電子デバイス１はさらに、第１スイッチング回路１６と第２スイッチング回路１５とを備える。
【0082】
第１スイッチング回路１６は、正端子１２と接地３との間に配置され、正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐを有する第１駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるするように構成された第１スイッチングユニットと、第１スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗Ｒｋｐとを備える。
【0083】
第２スイッチング回路１５は、負端子１１と接地３との間に配置され、負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎを有する第２駆動信号に従って２つの状態のうちのいずれか一方をとるするように構成された第２スイッチングユニットと、第２スイッチングユニットに対して直列に配置された第２サンプル抵抗Ｒｋｎとを備える。
【0084】
測定手段は、前述の負端子１１と正端子１２との間に存在するバッテリ電圧値ＶＢおよび、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す基準電圧値Ｖｉｓｏを測定するように構成される。
【0085】
例えば、図３と図４に示す電子制御処理手段Ｃ（ｓ）は、下記の動作を実行するように構成される。
・通電された電気装置２、第１スイッチング回路１６、および第２スイッチング回路１５からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作。第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１に関連付けられる。第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２に関連付けられる。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第１動作点に従って動作するように制御し、定義された第１動作点に基づいて第１駆動信号および第２駆動信号を決定し、第１駆動信号を第１スイッチング回路１６に提供し、第２駆動信号を第２スイッチング回路１５に提供する動作。
・そして、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第２動作点に従って動作するように制御し、定義された第２動作点に基づいて第１駆動信号および第２駆動信号を決定し、第１駆動信号を第１スイッチング回路１６に提供し、第２駆動信号を第２スイッチング回路１５に提供する動作。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第１動作点に従って動作している状態で、前述の負端子１１と正端子との間で測定された個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１を、測定手段から受信する動作。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第２動作点に従って動作している状態で、前述の負端子１１と正端子との間で測定された個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を、測定手段から受信する動作。
・前述の第１バッテリ電圧値ＶＢ１、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１、第２バッテリ電圧値ＶＢ２、および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２に基づいて、前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを計算する動作。
・通電された電気装置２、第１スイッチング回路１６、および第２スイッチング回路１５からなる回路の少なくとも２つの動作点を定義する動作。第１動作点は、第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１および第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１に関連付けられる。第２動作点は、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２に関連付けられる。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５を、第１動作点に従って動作するように制御し、定義された第１動作点に基づいて第１駆動信号および第２駆動信号を決定し、第１駆動信号を第１スイッチング回路１６に提供し、第２駆動信号を第２スイッチング回路１５に提供する動作。
・そして、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第２動作点に従って動作するように制御し、定義された第２動作点に基づいて第１駆動信号および第２駆動信号を決定し、第１駆動信号を第１スイッチング回路１６に提供し、第２駆動信号を第２スイッチング回路１５に提供する動作。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第１動作点に従って動作している状態で、前述の負端子１１と正端子との間で測定された個々の第１バッテリ電圧値ＶＢ１および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１を、測定手段から受信する動作。
・第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５が第２動作点に従って動作している状態で、前述の負端子１１と正端子との間で測定された個々の第２バッテリ電圧値ＶＢ２および、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５のうちの一方の端に存在する電圧を表す個々の第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を、測定手段から受信する動作。
・前述の第１バッテリ電圧値ＶＢ１、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１、第２バッテリ電圧値ＶＢ２、および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２に基づいて、前述の負端子絶縁抵抗Ｒｉｎおよび正端子絶縁抵抗Ｒｉｐを計算する動作。
【0086】
電子制御処理手段Ｃ（ｓ）はさらに、第１基準電圧値Ｖｉｓｏ１および第２基準電圧値Ｖｉｓｏ２を、予め定めた基準目標電圧Ｖｔに対して所定の近傍内に維持するという基準に基づいて、前述の第１正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ１、第１負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ１、第２正ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｐ２、および第２負ブランチスイッチングデューティサイクル値ｄｎ２を決定するように構成される。
【0087】
実装オプションによれば、システムの前述の測定手段は、電子デバイス１の測定回路１７（既に数回言及した）と、バッテリ電圧測定回路とを備える。
【0088】
一実施形態によれば、電子システム１０はさらに、電子制御処理手段からデジタル論理駆動信号を受信し、前述の正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐおよび負ブランチスイッチングデューティサイクルｄｎによってそれぞれ特徴付けられた予め定めた変調に従って、個々の物理的駆動信号を生成し、第１スイッチング回路１６および第２スイッチング回路１５に提供するように構成された変調器（例えば、図３と図４に示す）を備える。
【0089】
実装オプションによれば、前述の物理的駆動信号は、パルス幅変調（ＰＷＭ）タイプの変調で変調される。
【0090】
実装オプション（図１にも示す）によれば、システムは、正ブランチスイッチングデューティサイクルｄｐを有する第１駆動信号に従って、２つの状態のうちのいずれか一方をとるように構成された第３スイッチングユニット（例えば、第３スイッチＳＷＣを備える）を含む追加の第３スイッチング回路１８と、前述の第３スイッチングユニットに対して直列に配置された第１サンプル抵抗ＲＳＷＣとを備える。第３スイッチングユニットは、第１デバイス端子１１と、通電された電気装置の負端子２１との間に配置される。
【0091】
一実施形態によれば、電子システム１０は、（図１Ｂに示すような）集積回路によって実装される。
【0092】
いくつかの可能な実施形態によれば、電子システム１０は、前に示した実施形態のいずれか１つによる絶縁抵抗測定方法を実行するように構成される。
【0093】
測定方法およびシステムの追加の実装例に関して、関係する種々の量の間の関係を強調することを目的とした説明的な数学的議論とともにより正確な詳細を以下に示す。
【0094】
説明的な概要の目的のため、関係する量を個々の頭字語を使用して以下に示すことがある。これに関して、頭字語の詳細な意味および、これらが参照する量または実体は、本説明の前の部分で既に示されており、より包括的な定義についてはそれを参照することに留意する。
【0095】
上述したように、本方法は、絶縁損失（ＬＯＩ:Loss of Insulation）を測定すること、即ち、接地（例えば、バッテリが搭載されている車両のシャーシの基準電圧）に対するバッテリの極の絶縁抵抗Ｒｉｐ，Ｒｉｎを測定することを目的とする。
【0096】
ここで説明する例では、解析が実行される回路を図１に示しており、特に、２つの測定ブランチ（正ブランチと負ブランチ）を含む絶縁抵抗測定デバイスの２つの部分を示している。
【0097】
正ブランチ（以前は「第１スイッチング回路１６」とも定義される）は、正ブランチスイッチ抵抗Ｒｓｗｐと並列に配置され、正ブランチデューティサイクルｄｐで開閉するように切り替え可能な正ブランチスイッチＳＷＰを備える。
【0098】
負ブランチ（以前は「第２スイッチング回路１５」とも称される）は、正ブランチスイッチ抵抗Ｒｓｗｎと並列に配置され、負ブランチデューティサイクルｄｎで開閉するように切り替え可能な負ブランチスイッチＳＷＮを備える。
【0099】
必要に応じて、この例では、負ブランチはさらに、測定回路１７を備え、これは、この実装オプションでは、第２スイッチング回路１５と並列に配置される（以下に報告されるものと完全に類似した検討事項が、当業者は容易に理解されるように、測定回路が第１スイッチング回路１６と並列に配置される代替の実装オプションにおいても準用して適用される）。
【0100】
図１から容易に推測できるように、スイッチＳＷＰ，ＳＷＮ，ＳＷＩがオープン状態である場合、回路は、バッテリの各極から車両のシャーシまでの抵抗経路（正極についてはＲｉｐ、負極についてはＲｉｎ）を供与する。
【0101】
スイッチＳＷＩを閉じることを想定すると、２つのスイッチＳＷＰまたはＳＷＮのうちの一方が閉じられた場合、正極／負極とシャーシとの間の抵抗経路は、切り替えられる抵抗Ｒｋｐ、Ｒｋｎによって大きく変更される。
【0102】
上述のシナリオでは、抵抗Ｒｉｓｏに異なる電圧を発生させる。こうした電圧値は、例えば、アナログデジタルコンバータＡＤＣによって読み取られ、こうして測定された電圧値は、未知数Ｒｉｐ，Ｒｉｎにおける連立方程式を解くために使用される（既に上述したように、そして以下に示すように）。
【0103】
２つのスイッチＳＷＰまたはＳＷＮの一方が閉じている場合、コンバータＡＤＣによって取得される基準電圧Ｖｉｓｏは、回路パラメータおよび外部負荷（Ｒｉｐ，Ｒｉｎ，Ｃｉｐ，Ｃｉｎ）に依存する動態に依存して変化する。
【0104】
負ブランチでは、等価抵抗Ｒｎｓが、スイッチＳＷＮのデューティサイクルに依存して定義される。
【0105】
【数6】
【0106】
パラメータｄｎは、スイッチＳＷＮのデューティサイクルであり、Ｒｓｗｎは、負スイッチの等価抵抗である。
【0107】
負側の合計コンダクタンスは、ＲｎｓとＲｉ＋Ｒｉｓｏとの間の並列によって与えられる。
【0108】
【数7】
【0109】
パラメータＰを次のように定義するのが便利である。
【0110】
【数8】
【0111】
正ブランチでは、等価抵抗Ｒｐｓが、スイッチＳＷＰのデューティサイクルに依存して定義される。
【0112】
【数9】
【0113】
パラメータｄｐは、スイッチＳＷＰのデューティサイクルであり、Ｒｓｗｐは、正スイッチの等価抵抗である。
【0114】
正側の合計コンダクタンスは、Ｒｐｓの逆数で与えられる。
【0115】
【数10】
【0116】
図１の回路を解くと、電圧Ｖｉｓｏは、下記の式で求められる。
【0117】
【数11】
【0118】
ここで、方程式の未知数は、それぞれ絶縁抵抗Ｒｉｐ、ＲｉｎのコンダクタンスＧｉｐ、Ｇｉｎである。
【0119】
２つの未知数が存在すると、２つの独立した方程式を記述する必要がある。
【0120】
既に上述したように、本方法によれば、これは、前回の式を、それぞれが回路の個々の動作点および個々の動作条件を参照する２つの異なる式に明確に記載することによって得られる。
【0121】
実装オプションによれば、第１動作点（動作点１）は、Ｇｐ１とＧｎ１が計算できるデューティサイクル値のペア（ｄｐ１，ｄｎ１）を設定することによって定義される。
第２動作点（動作点２）は、Ｇｐ２とＧｎ２が計算できるデューティサイクル値のペア（ｄｐ２，ｄｎ２）を設定することによって定義される。
第２動作点（動作点２）は、Ｇｐ２とＧｎ２が計算できるデューティサイクル値のペア（ｄｐ２，ｄｎ２）を設定することによって定義される。
【0122】
２つの独立した方程式を記述するには、下記のような基準が採用される。
【0123】
【数12】
【0124】
その結果、下記の連立方程式が得られる。
【0125】
【数13】
【0126】
未知数ＧｉｐとＧｉｎの解は下記に示す。
【0127】
【数14】
【0128】
但し、下記の制約を伴う。
【0129】
【数15】
【0130】
ここでは、意味のある解を見つけるために値ＶＢＭｉｎ，ＶｉｓｏＭｉｎが設定される。
【0131】
例えば、下記の値は、現実的で実行可能な解が得られる状況を提供する。
【0132】
【数16】
【0133】
絶縁損失の測定時間は、既知の手法において、通常は極めて遅く（例えば、最大３０秒になる場合がある）、ＤＣバス容量に依存しており、よってこうした既知の手法の主な欠点の１つであることに留意する。
【0134】
有利なことに、本方法によって提案される解決策は、測定時間を著しく短縮する。理由は、関連する安定化時間を待機する代わりに、絶縁電圧値（または基準電圧）を設定するためである。
【0135】
さらに、有利なことに、この方法は、動的かつ反復的に動作し、
両方の測定ブランチのスイッチが個々のデューティサイクルで制御され、正ブランチおよび負ブランチの抵抗を変調し、絶縁電圧（即ち、基準電圧）Ｖｉｓｏの動的な定常状態に到達する。
両方の測定ブランチのスイッチが個々のデューティサイクルで制御され、正ブランチおよび負ブランチの抵抗を変調し、絶縁電圧（即ち、基準電圧）Ｖｉｓｏの動的な定常状態に到達する。
【0136】
有利なことに、この方法は、２つの異なるデューティサイクルを使用することを含み、
互いに独立して制御され設定できるため、制御方策に２つの自由度を提供し、これにより、応答時間を高速化でき、測定精度を改善できる。
互いに独立して制御され設定できるため、制御方策に２つの自由度を提供し、これにより、応答時間を高速化でき、測定精度を改善できる。
【0137】
上に示した式を与えると、絶縁抵抗は、ここで検討される実施形態に従って、図２に示すステップに従って求められる。
【0138】
連立方程式の解を求めるために。
【0139】
【数17】
【0140】
回路の２つの独立した動作点（添字１，２でマークしている）を識別することが適切である（既に上述したように）。
【0141】
この実施形態では、図３および下記の表１に示される内容に従って、測定は２つのステップで実行される。
【0142】
【表1】
【0143】
この実施形態の実装オプションを図３に示す。
【0144】
「アイドル」状態から開始して、測定が開始されると、最初に下記の変数が初期化される。
【0145】
【数18】
【0146】
ここで、
・変数ｆｉｒｓｔＴｉｍｅは、アルゴリズムが初めて開始されるかどうかを示す（例えば、上記で使用された規則によれば、値１は、アルゴリズムが初めて開始されるフェーズにいることを示し、値０は、アルゴリズムが既に開始されて実行中のフェーズにいることを示す）。
・Ｖｉｓｏ１は、起動時にサンプリングされたＶｉｓｏの値に等しい。
・この例では、デューティサイクル値ｄｐ１，ｄｎ１は、正スイッチがクローズし、負スイッチがオープンして開始するように設定される（同様に、この結果に影響を与えることなく、逆の組合せを選択できることは理解されよう）。
・変数ｆｉｒｓｔＴｉｍｅは、アルゴリズムが初めて開始されるかどうかを示す（例えば、上記で使用された規則によれば、値１は、アルゴリズムが初めて開始されるフェーズにいることを示し、値０は、アルゴリズムが既に開始されて実行中のフェーズにいることを示す）。
・Ｖｉｓｏ１は、起動時にサンプリングされたＶｉｓｏの値に等しい。
・この例では、デューティサイクル値ｄｐ１，ｄｎ１は、正スイッチがクローズし、負スイッチがオープンして開始するように設定される（同様に、この結果に影響を与えることなく、逆の組合せを選択できることは理解されよう）。
【0147】
次のステップは、下記の条件を評価し、下記の論理サイクルを実行する。
【0148】
【数19】
【0149】
電圧Ｖｔは、絶縁電圧Ｖｉｓｏの基準目標電圧である。
【0150】
図１の回路によれば、正ブランチデューティサイクルが負ブランチデューティサイクルよりも大きい場合、絶縁電圧Ｖｉｓｏは増加し、それ例外は前回の状態に対して減少する。
【0151】
こうして、目標電圧Ｖｔは、前回の状態に対して反対方向に進むように設定される（上記の「ｉｆ ｅｌｓｅ」構文で説明したように）。こうした論理およびこうした基準を用いて絶縁電圧Ｖｉｓｏ１の発散傾向が回避される。
【0152】
前回の状態に対する電圧変化ΔＶｉｓｏは、時間および精度の要求に基づいて選択され、事前に定義される。
【0153】
満足できることが証明された実装オプションによれば、電圧変動ΔＶｉｓｏは１００ｍＶオーダーの大きさで選択され、典型的な特定の例によれば、１００ｍＶである。
【0154】
目標電圧Ｖｔは、コントローラ、制御プロセッサ、または制御デバイス（前述の「電子制御処理手段」に含まれる）の入力に送信される。
【0155】
そして、この方法は、コントローラによって検出された誤差ｅを誤差閾値Ｅと比較するステップを含む。誤差の絶対値が誤差閾値より小さい場合、即ち、｜ｅ｜＜Ｅの場合、そして、変数ｆｉｒｓｔＴｉｍｅの状態が１に等しいと評価された場合（アルゴリズムの最初の始動フェーズにあるため）、第１動作点は、絶縁電圧（即ち、基準電圧）Ｖｉｓｏおよびバッテリ電圧ＶＢをサンプリング（即ち、測定）することによって特定される。
【0156】
こうして、第１動作点は、下記データによって記述される。
【0157】
【数20】
【0158】
ここで第１動作点が見つかったため、変数ｆｉｒｓｔＴｉｍｅは０に設定される。
【0159】
次のステップは、上述したステップとかなり類似する。唯一の相違点は、変数ｆｉｒｓｔＴｉｍｅが今回（およびその後も）０であることをアルゴリズムが確認した場合、第２動作点は、絶縁電圧（即ち、基準電圧）Ｖｉｓｏおよびバッテリ電圧ＶＢをサンプリング（即ち、測定）することによって得られる。
【0160】
こうして第２動作点は、下記データによって記述される。
【0161】
【数21】
【0162】
２つの動作点の特定後に、前に示した式を用いて、回路パラメータ（Ｇｎ１，Ｇｎ２，Ｇｐ１，Ｇｐ２）の計算が実行される。
【0163】
【数22】
【0164】
最後に、絶縁コンダクタンスが計算される（従って、当然ながら絶縁抵抗はコンダクタンスの逆数として）。
【0165】
【数23】
【0166】
続いて、絶縁抵抗の連続測定値を取得するために、動作点１を動作点２に置換して反復的に続行し、後続の反復サイクルのための新しい動作点１を取得する。
【0167】
【数24】
【0168】
一実施形態によれば、上で説明したアルゴリズムおよび方法は、負フィードバックを備えた閉ループシステム（例えば、図４に図形化したもの）によって実行される。このシステムは、下記のもので構成される。
・コントローラ（即ち、プロセッサまたは制御デバイス、即ち、補償器）Ｃ（ｓ）。
・第１および第２スイッチング回路の正ＳＷＰスイッチおよび負ＳＷＮスイッチを制御するように構成された変調デバイス（変調器）。
・コントローラおよび変調器が動作する完全な回路（ＬＯＩ回路）は、例えば、図１に示す回路（電子デバイス１およびバッテリ２を含む）である。特に、電圧源ＶＢは、外部擾乱として図形化できる。
・コントローラ（即ち、プロセッサまたは制御デバイス、即ち、補償器）Ｃ（ｓ）。
・第１および第２スイッチング回路の正ＳＷＰスイッチおよび負ＳＷＮスイッチを制御するように構成された変調デバイス（変調器）。
・コントローラおよび変調器が動作する完全な回路（ＬＯＩ回路）は、例えば、図１に示す回路（電子デバイス１およびバッテリ２を含む）である。特に、電圧源ＶＢは、外部擾乱として図形化できる。
【0169】
いくつかの可能な実装オプションに従って、変調器は、種々のアプローチに従って設計できる。
【0170】
典型的な実装オプションによれば、周知のパルス幅変調（ＰＷＭ）技術が使用され、入力信号ｄｐ，ｄｎは、固定した周波数（例えば、典型的には１ｋＨｚ）を備えた矩形波のデューティサイクルである。
【0171】
実装オプションによれば、周波数およびパルス幅の混合変調が採用される。
【0172】
実装オプションに従って、コントローラＣ（ｓ）および変調器は、下記の「ｉｆ－ｅｌｓｅ構文」を用いて行われる。
【0173】
【数25】
【0174】
図１に示すＬＯＩ回路によれば、電圧Ｖｉｓｏを増加させるために、正スイッチＳＷＰが閉じられ、負スイッチＳＷＮが開き、一方、電圧Ｖｉｓｏを減少させるために、正スイッチＳＷＰが開いて、負スイッチＳＷＮが閉じる。
【0175】
コントローラは、目標電圧Ｖｔと基準電圧（または絶縁電圧）Ｖｉｓｏの間の誤差を最小化することを目的とする。
【0176】
この目的のために、Ｖｔは、Ｖｉｓｏと瞬間ごとに比較される（典型的には、１ミリ秒の時間粒度）。
【0177】
ＶｔがＶｉｓｏより大きい場合、コントローラは、正スイッチを閉じて負スイッチを開くことによって、電圧Ｖｉｓｏを増加させる。
【0178】
ＶｔがＶｉｓｏより小さい場合、コントローラは、正スイッチを開いて負スイッチを閉じることによって、電圧Ｖｉｓｏを低下させる。
【0179】
この実施形態では、デューティサイクルｄｐ，ｄｎは、特定の間隔または時間ウインドウ内の信号（波）Ｄｐ，Ｄｎの平均値として計算される。デューティサイクルが計算される時間ウインドウは、目標電圧Ｖｔと絶縁電圧Ｖｉｓｏの間の誤差が誤差閾値Ｅより小さい場合に開始する。
【0180】
例えば、１秒の時間ウインドウおよび１ミリ秒の計算周期の場合、デューティサイクル値ｄｐ，ｄｎは、次のように計算される。
【0181】
【数26】
【0182】
ここで、Ｎ＝１０００であり、Ｄｐ（ｋ），Ｄｎ（ｋ）は、１ミリ秒の各計算タスクで設定されるＤｐ，Ｄｎの値である。
【0183】
図５は、ある実装例を示しており、目標電圧Ｖｔ、デューティサイクルが計算される時間ウインドウの開始瞬間、および時間ウインドウの長さが調整され、所望の精度を得ている。
【0184】
下記の表２は、本方法のアプリケーションのシミュレーションからの結果を示す。
【0185】
【表2】
【0186】
既に上述したように、本方法の利点のうちで低い計算コストおよび速度、即ち、極めて短い応答時間（典型的には＜５秒）を挙げることができる。
【0187】
気付いたように、本発明の目的は、絶縁測定方法、関連する測定デバイスおよび測定システムの特徴によって完全に達成され、これらは以前に言及し議論した利点を習得することおよび技術的課題を解決することを可能にする。
【0188】
当業者は、上述の絶縁測定方法および関連する測定デバイスおよび測定システムの実施形態に対して変更および適合を行うことができ、あるいは、下記請求項の範囲を逸脱することなく、不測のニーズを満たすために、要素を機能的に等価な他の要素と置換できる。
【0189】
１つの可能性のある実施形態に属するものとして上述した特徴の各々は、説明した他の実施形態とは無関係に実装できる。
さらに、単語「備える、含む(comprising)」は、別の要素またはステップを排除するものではなく、冠詞"a"または"an"は複数を排除するものではないことに留意されよう。
開示のより明確化のために種々の部分を適切に強調表示する必要があるため、図は縮尺どおりではない。
さらに、単語「備える、含む(comprising)」は、別の要素またはステップを排除するものではなく、冠詞"a"または"an"は複数を排除するものではないことに留意されよう。
開示のより明確化のために種々の部分を適切に強調表示する必要があるため、図は縮尺どおりではない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【外国語明細書】