特開 2024-88969 誘導加熱装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024088969

(43)【公開日】2024-07-03

(54)【発明の名称】誘導加熱装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 6/10 20060101AFI20240626BHJP

   C21D 9/32 20060101ALI20240626BHJP

   C21D 1/42 20060101ALI20240626BHJP

   C21D 9/40 20060101ALI20240626BHJP

【ＦＩ】

H05B6/10 331

C21D9/32 B

C21D1/42 L

C21D9/40 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022204038

(22)【出願日】2022-12-21

(71)【出願人】

【識別番号】000167200

【氏名又は名称】株式会社ジェイテクトサーモシステム

(74)【代理人】

【識別番号】100128912

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 徹

(72)【発明者】

【氏名】中田 綾香

(72)【発明者】

【氏名】幸田 尚久

(72)【発明者】

【氏名】山本 亮介

【テーマコード（参考）】

3K059

4K042

【Ｆターム（参考）】

3K059AA09

3K059AB25

3K059AD03

3K059CD80

4K042AA18

4K042AA22

4K042BA13

4K042DA01

4K042DA03

4K042DA06

4K042DB01

4K042DC04

4K042DF01

4K042EA01

4K042EA02

(57)【要約】

【課題】加熱室の保護と被処理物の加熱効率の低下の抑制とを両立することができる、誘導加熱装置を提供する。
【解決手段】誘導加熱装置１は、対向して配置された被処理物１００を誘導加熱するための誘導加熱コイル１２と、誘導加熱によって加熱される導電体で構成された壁を有して誘導加熱コイル１２および被処理物１００を取り囲む加熱室１１と、を備える。誘導加熱装置１は、誘導加熱コイル１２と加熱室１１の壁である天井壁２６との間に配置され、誘導加熱コイル１２からの磁束を吸収する磁束吸収部材１３と、天井壁２６と被処理物１００との間に配置され、誘導加熱コイル１２によって誘導加熱されて発熱した被処理物１００から天井壁２６側へ放熱される輻射熱を被処理物１００側へ反射する反射部材１４と、を更に備える。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対向して配置された被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイルと、誘導加熱によって加熱される導電体で構成された壁を有して前記誘導加熱コイルおよび前記被処理物を取り囲む加熱室と、を備えた誘導加熱装置であって、
前記誘導加熱コイルと前記壁との間に配置され、前記誘導加熱コイルからの磁束を吸収する磁束吸収部材と、
前記壁と前記被処理物との間に配置され、前記誘導加熱コイルによって誘導加熱されて発熱した前記被処理物から前記壁側へ放熱される輻射熱を前記被処理物側へ反射する反射部材と、
を更に備えている、誘導加熱装置。

【請求項2】

請求項１に記載の誘導加熱装置であって、
前記加熱室は、前記壁として設けられて、前記被処理物と前記誘導加熱コイルとが対向する方向と垂直な方向で前記被処理物および前記誘導加熱コイルと対向する第１の壁を有し、
前記磁束吸収部材は、前記誘導加熱コイルと前記第１の壁との間に配置され、
前記反射部材は、前記第１の壁と前記被処理物との間に配置される、誘導加熱装置。

【請求項3】

請求項１に記載の誘導加熱装置であって、
前記誘導加熱コイルは、螺旋状であり、
前記被処理物は、前記誘導加熱コイルの内側に配置され、
前記加熱室は、前記壁として設けられて、前記被処理物が内側に配置される前記誘導加熱コイルの径方向の外側で前記誘導加熱コイルと対向する第２の壁を有し、
前記磁束吸収部材は、前記誘導加熱コイルと前記第２の壁との間に配置され、
前記反射部材は、前記第２の壁と前記被処理物との間に配置される、誘導加熱装置。

【請求項4】

請求項１に記載の誘導加熱装置であって、
前記加熱室は、前記壁として設けられて、前記被処理物と前記誘導加熱コイルとが対向する方向と平行な方向で前記被処理物に対して前記誘導加熱コイル側と反対側で対向する第３の壁を有し、
前記磁束吸収部材は、前記被処理物と前記第３の壁との間に配置され、
前記反射部材は、前記第３の壁と前記被処理物との間に配置される、誘導加熱装置。

【請求項5】

請求項１または請求項２に記載の誘導加熱装置であって、
前記誘導加熱コイルは、螺旋状であり、
前記被処理物は、前記誘導加熱コイルの内側に配置され、
前記磁束吸収部材は、前記誘導加熱コイルに対して当該誘導加熱コイルが螺旋状に延びる軸方向の両端側の少なくとも一方に設けられ、螺旋状の前記誘導加熱コイルの周方向に沿った形状に設けられている、誘導加熱装置。

【請求項6】

請求項５に記載の誘導加熱装置であって、
前記反射部材は、前記磁束吸収部材の径方向の内側を覆うように設けられている、誘導加熱装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイルを備えた誘導加熱装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来より、被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイルを備えた誘導加熱装置が知られている（例えば、特許文献１、２を参照）。特許文献１では、歯車３として設けられる被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイル４を備えた誘導加熱装置が開示されている。特許文献２では、角柱部材のワーク２として設けられる被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイル３を備えた誘導加熱装置が開示されている。

【0003】

特許文献１の誘導加熱装置では、誘導加熱される歯車３のエッジ部５が部分的に過加熱されるエッジ効果の影響を抑制するために歯車３の周辺に電磁波吸収部材６が配置されている。特許文献２の誘導加熱装置では、角柱部材のワーク２においてエッジ効果が生じることを抑制するために、ワーク２におけるエッジ効果の影響を受ける部分の近傍に磁気遮蔽部材４が配置されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平８－２９５９２５号公報

【特許文献2】実用新案登録第３１６８４０３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

誘導加熱コイルによる被処理物の誘導加熱は、加熱室内で行われる。このため、誘導加熱装置においては、誘導加熱コイルを取り囲むように加熱室が設けられる。誘導加熱装置の全体の大きさは、加熱室の大きさによって大きく影響を受けるため、装置全体の小型化を図るためには、加熱室を小型化することが考えられる。

【0006】

加熱室の小型化を図るためには、加熱室を構成する壁を誘導加熱コイルに接近させて配置することがある。一方、加熱室は、耐熱性が要求されるとともに構造上の強度の確保も必要となる。このため、加熱室の壁を構成する素材として、鉄鋼材料等のような金属材料が全体的に或いは部分的に用いられる。金属材料は、誘導加熱によって加熱される導電体であるため、加熱室の壁を誘導加熱コイルに接近させた構成の場合、加熱室の壁が誘導加熱によって繰り返し加熱されることになり、加熱室の耐久性に影響を与えることになる。

【0007】

加熱室の壁を保護し、加熱室の耐久性への影響を抑制するために、誘導加熱コイルからの磁束を吸収する部材を配置することが考えられる。しかし、誘導加熱コイルからの磁束を吸収する部材を配置して加熱室の壁を保護すると、磁束吸収部材で磁束が吸収されるため、誘導加熱による被処理物の加熱効率が低下することになる。

【0008】

本発明は、上記実情に鑑みることにより、加熱室の保護と被処理物の加熱効率の低下の抑制とを両立することができる、誘導加熱装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

（１）上記課題を解決するための本発明のある局面に係わる誘導加熱装置は、対向して配置された被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイルと、誘導加熱によって加熱される導電体で構成された壁を有して前記誘導加熱コイルおよび前記被処理物を取り囲む加熱室と、を備えた誘導加熱装置であって、前記誘導加熱コイルと前記壁との間に配置され、前記誘導加熱コイルからの磁束を吸収する磁束吸収部材と、前記壁と前記被処理物との間に配置され、前記誘導加熱コイルによって誘導加熱されて発熱した前記被処理物から前記壁側へ放熱される輻射熱を前記被処理物側へ反射する反射部材と、を更に備えている。

【0010】

（２）前記加熱室は、前記壁として設けられて、前記被処理物と前記誘導加熱コイルとが対向する方向と垂直な方向で前記被処理物および前記誘導加熱コイルと対向する第１の壁を有し、前記磁束吸収部材は、前記誘導加熱コイルと前記第１の壁との間に配置され、前記反射部材は、前記第１の壁と前記被処理物との間に配置される。

【0011】

（３）前記誘導加熱コイルは、螺旋状であり、前記被処理物は、前記誘導加熱コイルの内側に配置され、前記加熱室は、前記壁として設けられて、前記被処理物が内側に配置される前記誘導加熱コイルの径方向の外側で前記誘導加熱コイルと対向する第２の壁を有し、前記磁束吸収部材は、前記誘導加熱コイルと前記第２の壁との間に配置され、前記反射部材は、前記第２の壁と前記被処理物との間に配置される。

【0012】

（４）前記加熱室は、前記壁として設けられて、前記被処理物と前記誘導加熱コイルとが対向する方向と平行な方向で前記被処理物に対して前記誘導加熱コイル側と反対側で対向する第３の壁を有し、前記磁束吸収部材は、前記被処理物と前記第３の壁との間に配置され、前記反射部材は、前記第３の壁と前記被処理物との間に配置される。

【0013】

（５）前記誘導加熱コイルは、螺旋状であり、前記被処理物は、前記誘導加熱コイルの内側に配置され、前記磁束吸収部材は、前記誘導加熱コイルに対して当該誘導加熱コイルが螺旋状に延びる軸方向の両端側の少なくとも一方に設けられ、螺旋状の前記誘導加熱コイルの周方向に沿った形状に設けられている。

【0014】

（６）前記反射部材は、前記磁束吸収部材の径方向の内側を覆うように設けられている。

【発明の効果】

【0015】

本発明によると、加熱室の保護と被処理物の加熱効率の低下の抑制とを両立することができる、誘導加熱装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】第１実施形態に係る誘導加熱装置を備えた熱処理システム全体を示す図である。

【図2】誘導加熱装置の断面図である。

【図3】磁束吸収部材および反射部材の斜視図である。

【図4】加熱室内における磁束の分布状態を解析した図である。

【図5】第１実施形態における磁束吸収部材の配置に関する変形例である。

【図6】第１実施形態における反射部材の配置に関する変形例である。

【図7】第２実施形態に係る誘導加熱装置を示す図である。

【図8】第２実施形態の変形例を示す図である。

【図9】図８に示す誘導加熱装置を図８（Ａ）のＣ－Ｃ線矢視位置から見た状態で示す図である。

【図10】第２実施形態における磁束吸収部材および反射部材の形状に関する変形例である。

【図11】第３実施形態に係る誘導加熱装置を示す図である。

【図12】図１１に示す誘導加熱装置を図１１（Ａ）のＥ－Ｅ線矢視位置から見た状態で示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイルを備えた誘導加熱装置である。以下の説明では、本発明の実施形態として、第１乃至第３実施形態を例にとって説明する。

【0018】

なお、以下の説明では、後述の図１、図２、図５乃至図１２において両端矢印Ｘ１、両端矢印Ｘ２、および両端矢印Ｘ３で示すように、熱処理システムおよび誘導加熱装置における上下方向Ｘ１、左右方向Ｘ２、および前後方向Ｘ３を定義する。上下方向Ｘ１は鉛直方向を基準として定義される。左右方向Ｘ２は、上下方向Ｘ１に垂直な方向である水平方向に延びる方向であり、例えば、熱処理システムおよび誘導加熱装置において被処理物が搬送される方向として定義される。前後方向Ｘ３は、上下方向Ｘ１および左右方向Ｘ２の両方に垂直な方向として定義される。

【0019】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る誘導加熱装置１を備えた熱処理システム１０を示す図である。

【0020】

（熱処理システム）
熱処理システム１０において熱処理が施される被処理物１００は、機械部品等の構造部材の素材であり、例えば、歯車或いは軸受けなどの素材である。また、被処理物１００は、誘導加熱の作用を受ける金属製の部材であり、例えば、鉄鋼材料で構成された部材である。

【0021】

熱処理システム１０は、被処理物１００に対して加熱処理を行う誘導加熱装置１と、誘導加熱装置１にて加熱処理が施された被処理物１００に対して冷却処理を行う冷却装置５０とを備えて構成されている。

【0022】

搬送トレイ１０１に載せられた被処理物１００は、まず、誘導加熱装置１に搬送される。そして、誘導加熱装置１においては、搬送された被処理物１００に対して、誘導加熱による加熱処理が施される。誘導加熱装置１での加熱処理が終了すると、次いで、被処理物１００は、搬送トレイ１０１に載せられた状態で冷却装置５０へと搬送される。冷却装置５０においては、搬送された被処理物１００に対して、例えば、冷却処理としての焼入れ処理が施される。

【0023】

誘導加熱装置１は、被処理物１００を誘導加熱するための誘導加熱コイル１２、誘導加熱コイル１２および被処理物１００を取り囲む加熱室１１、などを備えて構成されている。加熱室１１に搬入された被処理物１００は、加熱室１１内で誘導加熱コイル１２に対向して配置される位置まで持ち上げられる。そして、誘導加熱コイル１２に対向して配置された被処理物１００に対して、誘導加熱コイル１２による誘導加熱が施され、被処理物１００の加熱処理が行われる。

【0024】

誘導加熱装置１での加熱処理が終了すると、被処理物１００は、搬送トレイ１０１に載せられて冷却装置５０へと搬送される。

【0025】

（誘導加熱装置）
次に、本発明の第１実施形態に係る誘導加熱装置１について詳細に説明する。図２は、誘導加熱装置１を模式的に示す図であって、図２（Ａ）は、前方から見た誘導加熱装置１について一部断面を含む状態で示す図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ－Ａ線矢視位置から見た状態を示す図である。図１および図２を参照して、誘導加熱装置１は、被処理物１００に対して誘導加熱による加熱処理を施すための装置として設けられている。誘導加熱装置１において実施される加熱処理としては、例えば、浸炭処理、或いは焼鈍処理などを挙げることができる。本実施形態では、誘導加熱装置１においては、被処理物１００に対して浸炭処理としての加熱処理が行われる。

【0026】

誘導加熱装置１は、対向して配置された被処理物１００を誘導加熱するための誘導加熱コイル１２、誘導加熱コイル１２および被処理物１００を取り囲む加熱室１１を備えている。さらに、誘導加熱装置１は、磁束吸収部材１３および反射部材１４を備えている。また、誘導加熱装置１には、コントローラ１５、搬送機構１６、上下駆動部１７、炭化水素系ガス供給系統１８、不活性ガス供給系統１９、ガス排出系統２０、温度検出部２１、等も備えられている。

【0027】

（加熱室）
図１および図２を参照して、加熱室１１は、被処理物１００が内部に配置されて被処理物１００の加熱処理が行われる処理室として構成されている。加熱室１１の内部には、被処理物１００を誘導加熱する誘導加熱コイル１２が配置され、それに対向して被処理物１００を配置する。即ち、加熱室１１は、誘導加熱コイル１２と被処理物１００とを取り囲むように設けられている。

【0028】

加熱室１１は、略直方体状の処理室として設けられており、前方壁２２、後方壁２３、右側壁２４、左側壁２５、天井壁２６、および底壁２７を有している。前方壁２２および後方壁２３は、前後方向Ｘ１に並んで互いに平行に配置され、上下方向Ｘ１および左右方向Ｘ２に亘って広がる壁として設けられている。右側壁２４および左側壁２５は、左右方向Ｘ２に並んで互いに平行に配置され、上下方向Ｘ１および前後方向Ｘ３に亘って広がる壁として設けられている。天井壁２６および底壁２７は、上下方向Ｘ１に並んで互いに平行に配置され、左右方向Ｘ２および前後方向Ｘ３に亘って広がる壁として設けられている。

【0029】

加熱室１１は、誘導加熱によって加熱される導電体で構成された壁を有している。加熱室１１の壁を構成する導電体としては、鉄系金属材料と、非鉄金属材料とが挙げられる。導電体としての鉄系金属材料としては、鉄、炭素鋼、およびステンレス鋼等の合金鋼、などが挙げられる。非鉄金属材料としては、アルミニウム、銅、などが挙げられる。本実施形態では、導電体で構成された壁（前方壁２２、後方壁２３、右側壁２４、左側壁２５、天井壁２６、底壁２７）は、鉄鋼材料で構成されている。

【0030】

なお、本実施形態では、加熱室１１を構成する壁のいずれもが導電体で構成された形態を例示しているが、加熱室１１を構成する壁の少なくともいずれかが導電体で構成されていればよい。即ち、前方壁２２、後方壁２３、右側壁２４、左側壁２５、天井壁２６、および底壁２７のいずれもが導電体で構成された形態でなくてもよい。例えば、前方壁２２、後方壁２３、右側壁２４、左側壁２５、天井壁２６、および底壁２７のうちのいずれかの壁が導電体以外の材料で構成されていてもよく、例えば、セラミック材料あるいはガラス材料で構成されていてもよい。

【0031】

また、加熱室１１を構成するいずれかの壁において、全部が導電体で構成された形態に限らず、壁の一部において導電体以外の材料が用いられている形態が実施されてもよい。例えば、加熱室１１を構成するいずれかの壁において、導電体で構成された部分に対して、セラミック材料あるいはガラス材料などの導電体以外の材料で構成された部分が組み込まれている形態が実施されてもよい。

【0032】

また、加熱室１１には、被処理物１００が搬送トレイ１０１に載せられた状態で搬入される搬入口２４ａと、加熱処理が終了した被処理物１００が搬送トレイ１０１に載せられた状態で搬出される搬出口２５ａとが設けられている。搬入口２４ａは、右側壁２４に形成された開口として設けられている。搬入口２４ａは、扉２４ｂによって開閉される。搬出口２５ａは、左側壁２５に形成された開口として設けられている。搬出口２５ａは、扉２５ｂによって開閉される。また、加熱室１１には、右側壁２４において、窓２８が設けられている。窓２８は、サファイアガラス等の赤外線透過性を有する材料で形成されており、加熱室１１の外部に配置された温度検出部２１が加熱室１１内で加熱される被処理物１００の温度を赤外線検知によって非接触で検出できるように構成されている。

【0033】

（誘導加熱コイル）
図１および図２を参照して、誘導加熱コイル１２は、それと対向して配置された被処理物１００を誘導加熱するための金属製のコイル部材である。

【0034】

誘導加熱コイル１２は、螺旋状のコイルとして設けられている。さらに、誘導加熱コイル１２が螺旋状に延びる軸方向は、上下方向Ｘである。誘導加熱コイル１２による被処理物１００に対する誘導加熱が行われる際には、被処理物１００は、上下駆動部１７によって上下方向Ｘ１に駆動されて、誘導加熱コイル１２の内側に配置される。即ち、被処理物１００の誘導加熱の際には、被処理物１００は、誘導加熱コイル１２における螺旋状の部分の内側の領域に配置される。被処理物１００が誘導加熱コイル１２の内側に配置された状態では、被処理物１００は、誘導加熱コイル１２に対して誘導加熱コイル１２の内周において対向して配置される。さらに、被処理物１００は、誘導加熱コイル１２の内周の全周に亘って対向した状態で、誘導加熱コイル１２に対向して配置される。

【0035】

被処理物１００が誘導加熱コイル１２の内側で誘導加熱コイル１２の内周と対向して配置されると、誘導加熱コイル１２に対して電源２９から高周波電流が供給されることで、被処理物１００に対して誘導加熱による加熱処理が施される。なお、電源２９は、コントローラ１５と電気的に接続されており、誘導加熱コイル１２への供給電力は、コントローラ１５によって制御されるように構成されている。

【0036】

（ガス系統）
誘導加熱装置１は、加熱処理としての浸炭処理を行う装置として構成されており、炭化水素系ガス供給系統１８、不活性ガス供給系統１９、ガス排出系統２０が設けられている。炭化水素系ガス供給系統１８は、炭化水素系ガスの供給源（図示省略）と加熱室１１とを接続し、加熱室１１に対して炭化水素系ガスを供給する系統として設けられている。

【0037】

（磁束吸収部材）
図３は、誘導加熱装置１の磁束吸収部材１３および反射部材１４の斜視図であって、図３（Ａ）は、磁束吸収部材１３および反射部材１４が組み合わされた状態を示す図であり、図３（Ｂ）は、磁束吸収部材１３および反射部材１４が分解された状態を示す図である。図１乃至図３を参照して、磁束吸収部材１３は、加熱室１１内において、導電体で構成された加熱室１１の壁である天井壁２６と誘導加熱コイル１２との間に配置され、誘導加熱コイル１２からの磁束を吸収する部材として設けられている。

【0038】

磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２による誘導加熱によって天井壁２６が加熱されることから天井壁２６を保護するために、磁束を吸収する材料で形成されており、電流が流れる導電体である金属材料で形成されている。磁束吸収部材１３は、例えば、銅で形成されるが、銅以外の金属材料で形成されてもよく、アルミニウム或いは鉄鋼材料で形成されてもよい。なお、磁束吸収部材１３が、被処理物１００と同水準で磁束を吸収する材料で構成されている場合、磁束吸収部材１３の大きさ或いは誘導加熱コイル１２との位置関係によっては、磁束吸収部材１３が被処理物１００と同程度に加熱されて磁束吸収部材１３の損傷につながる虞がある。よって、磁束吸収部材１３は、保護対象である天井壁２６への磁束の影響を抑制できる範囲で磁束を吸収しつつ、被処理物１００よりも磁束を吸収し難い材料を用いることが好ましい。例えば、被処理物１００が鉄鋼材料であれば、磁束吸収部材１３は、銅で形成されていてもよい。

【0039】

磁束吸収部材１３は、天井壁２６と誘導加熱コイル１２との間に配置されており、加熱室１１内において、誘導加熱コイル１２の上方で、誘導加熱コイル１２と対向して配置されている。また、磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２の内側で誘導加熱コイル１２と水平方向で対向して配置される被処理物１００に対して、水平方向と垂直な方向である上下方向Ｘ１において対向している。なお、天井壁２６は、第１の壁を構成している。天井壁２６は、上下方向Ｘ１で被処理物１００および誘導加熱コイル１２と対向している。そして、磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２と本実施形態における第１の壁である天井壁２６との間に配置されている。また、磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２の上端側に設けられ、誘導加熱コイル１２の軸方向の両端側の一方に設けられている。なお、磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２の上側で誘導加熱コイルの端部に対して隙間を介して対向して配置されている。

【0040】

また、磁束吸収部材１３は、外形が円形のリング状に形成されており、誘導加熱コイル１２の周方向に沿った形状に設けられている。誘導加熱コイル１２および磁束吸収部材１３は、いずれも、誘導加熱コイル１２の軸方向である上下方向Ｘ１から見た状態で円形のリング状となるように配置されている。そして、誘導加熱コイル１２および磁束吸収部材１３は、上下方向Ｘ１から見て周方向に亘って重なった状態で配置されている。

【0041】

また、磁束吸収部材１３は、内部に冷却液が流動する通路を有する中空の矩形断面でリング状に延びる管状の部材である。磁束吸収部材１３は、内部に冷却液を通過させることで、吸収した磁束によって加熱されることを抑制する。

【0042】

また、磁束吸収部材１３には、冷却液通路３０ａおよび冷却液通路３０ｂが接続している。冷却液通路３０ａは、冷却液を磁束吸収部材１３に供給するためのポンプ３１と接続されており、ポンプ３１は、冷却液を熱交換によって冷却するための熱交換器３２と通路３４ａを介して接続されている。また、冷却液通路３０ｂは、磁束吸収部材１３から排出された冷却液が貯留されるタンク３３と接続されており、タンク３３は、熱交換器３２と通路３４ｂを介して接続されている。ポンプ３１が作動することで、タンク３３内の冷却液が吸引されて熱交換器３２を経てポンプ３１に吸引される。冷却液は、熱交換器３２を通過する際に冷却される。

【0043】

また、冷却液通路３０ａおよび冷却液通路３０ｂは、電流が流れる金属材料で形成されており、磁束吸収部材１３は、冷却液通路３０ａおよび冷却液通路３０ｂとともに、電気的な閉回路を形成するように構成されている。このため、磁束吸収部材１３は、閉回路を形成することで、電気が流れて誘導加熱コイル１２からの磁束を吸収できるように構成されている。或いは、冷却液通路３０ａと冷却液通路３０ｂとが、ポンプ３１の金属材料部分と、金属製の通路３４ａと、熱交換器３２の金属材料部分と、金属製の通路３４ｂと、タンク３３の金属材料部分とを通じて電気的に導通され、磁束吸収部材１３と冷却液通路３０ａと冷却液通路３０ｂとを含む電気的な閉回路が形成されていてもよい。

【0044】

（反射部材）
反射部材１４は、加熱室１１内において、導電体で構成された加熱室１１の壁である天井壁２６と、誘導加熱コイル１２に対向して配置される被処理物１００と、の間に配置されている。反射部材１４は、誘導加熱コイル１２と対向して配置される被処理物１００と本実施形態における第１の壁である天井壁２６との間に配置されている。そして、反射部材１４は、誘導加熱コイル１２によって誘導加熱されて発熱した被処理物１００から天井壁２６側へ放熱される輻射熱を被処理物１００側へ反射する部材である。

【0045】

反射部材１４は、少なくとも表面が反射率の高い材料で形成された薄い板状の部材として設けられており、例えば、金製の薄板、銀製の薄板、表面が研磨された状態のアルミニウム製の薄板、鏡、表面が滑らかな状態のセラミック製の板材、等として構成されている。また、反射部材１４は、セラミック製の板状の基材あるいは耐熱性を有するカーボン製の板状の基材の表面に金がコーティングされた部材として構成されていてもよい。なお、表面の反射率が高く、耐熱性もあり、さらに、加熱室１１内に充填されるガスによる化学的劣化に対する耐性がある材料で形成された反射部材１４として、金製の薄板として構成された反射部材１４、または、セラミック製あるいは耐熱カーボン製の基材の表面に金がコーティングされて構成された反射部材１４を用いることが考えられる。

【0046】

また、反射部材１４は、例えば、円板状の薄板として設けられており、本実施形態では、リング状の磁束吸収部材１３に対して磁束吸収部材１３の上側において取り付けられている。図３を参照して、反射部材１４は、複数の雄ネジ部材３５によって磁束吸収部材１３に取り付けられている。雄ネジ部材３５は、例えば、セラミック製のネジ部材として設けられている。反射部材１４には、雄ネジ材３５が挿通される貫通孔３６が設けられている。リング状の磁束吸収部材１３には、磁束吸収部材１３の径方向の内側に突出する複数の取付け部３７がロウ付けで設けられている。各取付け部３７には、雌ネジ溝が内周に形成された雌ネジ穴３７ａが設けられている。

【0047】

図３（Ｂ）を参照して、反射部材１４が磁束吸収部材１３に取り付けられる際には、円板状の反射部材１４が磁束吸収部材１３に重ねられる。反射部材１４の貫通孔３６と磁束吸収部材１３の雌ネジ穴３７ａとの間には、セラミック材料等の耐熱性を有する絶縁性材料で形成されたワッシャ３８が配置され、反射部材１４と磁束吸収部材１３とが、雄ネジ部材３５で締結される。よって、磁束吸収部材１３と反射部材１４とは、電気的に絶縁された状態で結合される。このため、磁束吸収部材１３が反射部材１４に電気的に接続されず、磁束吸収部材１３が電気的な閉回路を形成することができる。なお、反射部材１４の全体がセラミック材料等の絶縁性材料で形成されている場合は、ワッシャ３８を用いなくてもよい。

【0048】

なお、磁束吸収部材１３に取付け部３７を設けることなく、磁束吸収部材１３におけるリング状の部分に雌ネジを設け、雄ネジ部材３５で締結してもよい。

【0049】

また、締結する換わりに、反射部材１４を磁束吸収部材１３へかしめて取り付けてもよい。この場合、反射部材１４には、径方向の外側に向かって突出するかしめ部が設けられ、かしめ部が折り曲げられて磁束吸収部材１３の縁部分に対してかしめられるように構成される。また、反射部材１４には、折り曲げられて磁束吸収部材１３の縁部分にかしめられるかしめ部が形成されるため、反射部材１４は折り曲げ可能な金属材料で形成される。なお、かしめ部が設けられる反射部材１４が、金属材料で形成される場合は、反射部材１４のかしめ部と磁束吸収部材１３の縁部分との間には、絶縁性材料で形成されたシートが配置される。

【0050】

円板状の反射部材１４が、リング状の磁束吸収部材１３に対して上下方向Ｘ１において重ねられた状態で取り付けられる。これにより、反射部材１４は、磁束吸収部材１３の径方向の内側を覆うように設けられている。なお、反射部材１４は、磁束吸収部材１３の径方向の内側を隙間がある状態で覆うように設けられていてもよい。例えば、反射部材１４が、磁束吸収部材１３の径方向において磁束吸収部材１３の内周側との間で隙間がある状態で、磁束吸収部材１３の径方向の内側の領域を覆うように設けられていてもよい。隙間は、その他の設計事情により適切な量として構わない。

【0051】

（磁束吸収部材による磁束吸収作用の検証）
磁束吸収部材１３が設けられていない比較例に係る誘導加熱装置と、磁束吸収部材１３が設けられた誘導加熱装置とについて、誘導加熱コイル１２によって被処理物１００を誘導加熱する条件を同一の条件に設定し、加熱室１１内の磁束の分布を解析した。

【0052】

なお、磁束吸収部材１３が、誘導加熱コイル１２に対して誘導加熱コイル１２の軸方向である上下方向Ｘ１の両端側のいずれにも設けられる形態について、加熱室１１内の磁束の分布を解析した。すなわち、誘導加熱コイル１２に対して、誘導加熱コイル１２の軸方向である上下方向Ｘ１における一方側の天井壁２６側と他方側の底壁２７側とのいずれにも磁束吸収部材１３が設けられる形態について、加熱室１１内の磁束の分布を解析した。なお、天井壁２６または底壁２７は、第１の壁に相当している。

【0053】

誘導加熱コイル１２の軸方向に沿った断面では、誘導加熱コイル１２の径方向の中心に対する両側の領域の磁束の分布は同一となる。図４は、誘導加熱コイル１２の径方向の中心に対する片側の領域の磁束の分布を示している。なお、被処理物１００については、高さ方向の寸法が径方向の寸法に比して小さいリング状の部材であり、誘導加熱コイル１２の径方向の中心に対する片側の領域において矩形の断面の物とした。

【0054】

図４は、誘導加熱装置の加熱室１１内における磁束の分布状態を解析した結果を示す図であって、図４（Ａ）は、比較例に係る誘導加熱装置の加熱室１１内の磁束の分布の解析結果を示す図であり、図４（Ｂ）は、磁束吸収部材１３を設けた誘導加熱装置の加熱室１１内の磁束の分布の解析結果を示す図である。いずれにおいても、誘導加熱コイル１２による被処理物１００の誘導加熱の条件は同一とし、最大２５００Ａで１ｋＨｚの高周波電流を誘導加熱コイル１２に通電した条件にて解析を行った。なお、図４（Ｂ）に示す実施例では、磁束吸収部材１３が銅製である条件にて解析を行った。

【0055】

また、図４（Ａ）および図４（Ｂ）において、４段階の磁束密度（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）で示されている。磁束密度Ｔ１の領域は、磁束密度が０．０１Ｔ（テスラ）未満であって最も磁束密度が小さい領域であり、薄くドットでハッチングされた領域として示されている。磁束密度Ｔ２の領域は、磁束密度Ｔ１よりも磁束密度が大きく、磁束密度が０．０１Ｔ以上で０．０５Ｔ未満の領域であり、濃くドットでハッチングされた領域として示されている。磁束密度Ｔ３の領域は、磁束密度Ｔ２よりも磁束密度が大きくて４段階の磁束密度の中で２番目に磁束密度が大きく、磁束密度が０．０５Ｔ以上で０．０８Ｔ未満の領域であり、斜線でハッチングされた領域として示されている。磁束密度Ｔ４の領域は、磁束密度Ｔ３よりも磁束密度が大きくて４段階の磁束密度の中で最も磁束密度が大きく、磁束密度が０．０８Ｔ以上の領域であり、網掛けでハッチングされた領域として示されている。

【0056】

図４（Ａ）に示すように、磁束吸収部材１３が設けられていない比較例では、磁束密度Ｔ２の領域が、加熱室１１内で大きく広がって分布しており、磁束密度Ｔ２の領域が加熱室１１の天井壁２６および底壁２７にまで達して広がっている一方、磁束吸収部材１３が設けられた場合では、磁束密度Ｔ２の領域が、加熱室１１内で大きく広がって分布することが抑制されている。このように、誘導加熱コイル１２と天井壁２６および底壁２７との間に配置された磁束吸収部材１３によって、誘導加熱コイル１２から加熱室１１の天井壁２６および底壁２７へと向かう磁束が吸収されている。これにより、加熱室１１の天井壁２６および底壁２７が誘導加熱コイル１２によって加熱されることが抑制され、加熱室１１の保護が図られることになる。

【0057】

（第１実施形態の作用効果）
以上説明したように、誘導加熱コイル１２と加熱室１１の壁としての天井壁２６との間に配置された磁束吸収部材１３によって、誘導加熱コイル１２から加熱室１１の天井壁２６へと向かう磁束が吸収され、天井壁２６が加熱されることが抑制される。これにより、加熱室１１の天井壁２６を誘導加熱コイル１２に接近させて加熱室１１の小型化を図った場合でも、加熱室１１を保護することができる。更に、加熱室１１の壁としての天井壁２６と被処理物１００との間に配置された反射部材１４によって、誘導加熱されて発熱した被処理物１００から放熱される輻射熱が被処理物１００側へ反射される。このため、被処理物１００の加熱効率が低下することが抑制される。よって、加熱時の電力消費を抑制することもできる。以上の通り、本実施形態によると、加熱室１１の保護と被処理物１００の加熱効率の低下の抑制とを両立することができる。

【0058】

また、第１実施形態によると、誘導加熱コイル１２が螺旋状であるため、誘導加熱コイル１２の両端側の一方である上側で誘導加熱コイル１２の周方向に沿って磁束吸収部材１３を設置することで、加熱室１１の天井壁２６側へと向かう磁束を吸収することができる。このため、誘導加熱コイル１２の周方向に沿って磁束吸収部材１３を設置すればよく、磁束吸収部材１３を設計し易い。

【0059】

また、第１実施形態では、反射部材１４は、磁束吸収部材１３の径方向の内側を覆うように設けられている。このため、被処理物１００からの輻射熱が加熱室１１の天井壁２６側へと最も漏れる領域である磁束吸収部材１３の径方向の内側の領域が反射部材１４で覆われる。なお、磁束吸収部材１３の径方向の内側の領域を言い換えると、被処理物１００からの輻射熱を遮る物が何もない領域である。このため、当該領域を反射部材１４で覆うことで、被処理物１００の加熱効率の低下の抑制をより期待することができる。

【0060】

（第１実施形態の変形例）
以下の変形例の説明においては、第１実施形態と同様の構成あるいは対応する構成については、図面において同一の符号を付すことで、あるいは同一の符号を引用することで、重複する説明を省略する。

【0061】

図５は、第１実施形態における磁束吸収部材１３の配置に関する変形例である。図５に係る誘導加熱装置１ａは、磁束吸収部材１３が、誘導加熱コイル１２の軸方向の両端側のいずれにも設けられている。すなわち、変形例に係る誘導加熱装置１ａにおいては、磁束吸収部材１３が、誘導加熱コイル１２に対して、誘導加熱コイル１２の軸方向である上下方向Ｘ１における上側だけではなく下側にも設けられている。

【0062】

誘導加熱装置１ａにおいて、誘導加熱コイル１２の下側に設けられた磁束吸収部材１３は、底壁２７と誘導加熱コイル１２との間に配置されており、誘導加熱コイル１２の下方で、誘導加熱コイル１２と隙間を介して対向して配置されている。また、誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２の内側で誘導加熱コイル１２と水平方向で対向して配置される被処理物１００に対して、水平方向と垂直な方向である上下方向Ｘ１において対向している。なお、底壁２７は、導電体で構成された加熱室１１の壁として設けられており、被処理物１００と誘導加熱コイル１２とが対向する方向である水平方向と垂直な方向である上下方向Ｘ１で被処理物１００および誘導加熱コイル１２と対向する第１の壁を構成している。このため、誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２と第１の壁である底壁２７との間に配置されている。

【0063】

また、誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２の上側の磁束吸収部材１３と同様に、リング状に形成されており、誘導加熱コイル１２の周方向に沿った形状に設けられている。本変形例では、誘導加熱コイル１２と誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３とは、いずれも、誘導加熱コイル１２の軸方向である上下方向Ｘ１から見た状態で円形のリング状となるように配置されている。そして、誘導加熱コイル１２と誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３とは、上下方向Ｘ１から見て周方向に亘って重なった状態で配置されている。

【0064】

図５に示す変形例に係る誘導加熱装置１ａでは、磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２と天井壁２６との間に配置されるとともに、誘導加熱コイル１２と底壁２７との間にも配置される。このため、本変形例の誘導加熱装置１ａによると、被処理物１００と誘導加熱コイル１２とが対向する方向と垂直な方向で誘導加熱コイル１２と対向する第１の壁としての天井壁２６および底壁２７を保護することができる。

【0065】

なお、図５に示す変形例に係る誘導加熱装置１ａにおいては、誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３には反射部材１４が取り付けられておらず、底壁２７と被処理物１００との間に反射部材１４は配置されていない。しかし、誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３に反射部材１４が取り付けられ、底壁２７と被処理物１００との間に反射部材１４が配置される形態が実施されてもよい。この場合、誘導加熱コイル１２の下側の磁束吸収部材１３に取付けられる反射部材１４は、被処理物１００を載せた上下駆動部１７が通過できるように設けられる。そのようにすれば、被処理物１００の加熱効率の低下を更に抑制できる。

【0066】

図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、第１実施形態における反射部材１４の配置に関する変形例を説明するための図である。図６（Ａ）に示す変形例においては、円板状の反射部材１４が、リング状の磁束吸収部材１３に対して、径方向の内側で磁束吸収部材１３の径方向の内側を全体的に又は一部隙間を介して覆うように設けられている。

【0067】

また、反射部材１４は、セラミック材料等の絶縁性材料で形成された取付け部材（図示省略）を介して、取り付けられる。反射部材１４を取り付けるための取付け部材は、例えば、磁束吸収部材１３のリング状の部分に嵌合するように構成する。なお、反射部材１４は、加熱室１１の壁から延びる支持部材（図示省略）に対して支持された状態で磁束吸収部材１３の内側に配置されてもよい。

【0068】

図６（Ｂ）に示す変形例においては、円板状の反射部材１４が、リング状の磁束吸収部材１３に対して、下側において取り付けられている。また、円板状の反射部材１４は、リング状の磁束吸収部材１３に対して上下方向Ｘ１において重ねられた状態で磁束吸収部材１３の下側に取り付けられる。これにより、反射部材１４は、磁束吸収部材１３の径方向の内側を覆うように設けられている。また、反射部材１４は、第１実施形態と同様に締結して取り付けられる。

【0069】

図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す変形例においても、第１実施形態と同様に、反射部材１４は、天井壁２６と被処理物１００との間に配置される。また、反射部材１４が、磁束吸収部材１３の径方向の内側を覆うように設けられる。

【0070】

［第２実施形態］
図７（Ａ）は、前方から見た誘導加熱装置２について一部断面を含む状態で示す図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ－Ｂ線矢視位置から見た状態を示す図である。第２実施形態の誘導加熱装置２は、第１実施形態と同様に構成されるが、磁束吸収部材１３および反射部材１４の配置に関する構成において、天井壁２６を保護するためだけではなく、左側壁２５と前方壁２２と後方壁２３とである側壁も保護するように磁束吸収部材１３や、反射部材１４が追加されている。なお、磁束吸収部材１３や、反射部材１４は、第１実施形態と同様に構成されている。なお、第２実施形態の説明においては、第１実施形態と同様の構成あるいは対応する構成については、図面において同一の符号を付し、あるいは同一の符号を引用する。

【0071】

誘導加熱コイル１２と左側壁２５との間に配置される磁束吸収部材１３は、被処理物１００が内側に配置される誘導加熱コイル１２の径方向の外側で誘導加熱コイル１２と左側壁２５側で対向して配置されている。誘導加熱コイル１２と前方壁２２との間に配置される磁束吸収部材１３は、被処理物１００が内側に配置される誘導加熱コイル１２の径方向の外側で誘導加熱コイル１２と前方壁２２側で対向して配置されている。誘導加熱コイル１２と後方壁２３との間に配置される磁束吸収部材１３は、被処理物１００が内側に配置される誘導加熱コイル１２の径方向の外側で誘導加熱コイル１２と後方壁２３側で対向して配置されている。左側壁２５側で誘導加熱コイル１２に対向する磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２に対して左右方向Ｘ２において対向して配置されている。前方壁２２側で誘導加熱コイル１２に対向する磁束吸収部材１３と後方壁２３側で誘導加熱コイル１２に対向する磁束吸収部材１３とは、いずれも、誘導加熱コイル１２に対して前後方向Ｘ３において対向して配置されている。

【0072】

なお、誘導加熱コイル１２に対して磁束吸収部材１３を介して左側で対向する左側壁２５と、誘導加熱コイル１２に対して磁束吸収部材１３を介して前方で対向する前方壁２２と、誘導加熱コイル１２に対して磁束吸収部材１３を介して後方で対向する後方壁２３とは、いずれも、導電体で構成された加熱室１１の壁として設けられている。左側壁２５と前方壁２２と後方壁２３とは、被処理物１００が内側に配置される誘導加熱コイル１２の径方向の外側で誘導加熱コイル１２と対向する第２の壁を構成している。そして、誘導加熱コイル１２の左側、前方、および後方のそれぞれに配置された磁束吸収部材１３は、誘導加熱コイル１２と、第２の壁である左側壁２５、前方壁２２、および後方壁２３のそれぞれとの間に配置されている。

【0073】

反射部材１４は、第１実施形態と同様に天井壁２６および被処理物１００の間と、更に左側壁２５および被処理物１００の間とに配置されるとともに、前方壁２２および被処理物１００の間と、後方壁２３および被処理物１００の間とにも配置されている。なお、４つの反射部材１４は、いずれも、誘導加熱コイル１２の内側で誘導加熱コイル１２と対向して配置される被処理物１００に対して、誘導加熱コイル１２の外側で、被処理物１００に対向して配置されている。そして、誘導加熱コイル１２の外側で誘導加熱コイル１２に左側、前方、及び後方でそれぞれ対向して配置される反射部材１４は、被処理物１００と、第２の壁である左側壁２５、前方壁２２、および後方壁２３のそれぞれとの間に配置されている。

【0074】

（第２実施形態の作用効果）
第２実施形態によると、各壁の保護を図ることができる。更に、誘導加熱されて発熱した被処理物１００から加熱室１１の天井壁２６側、左側壁２５側、前方壁２２側、および後方壁２３側へ放熱される輻射熱が被処理物１００側へ反射され、加熱効率が低下することがより抑制される。

【0075】

（第２実施形態の変形例）
図８は、本発明の第２実施形態の変形例を示す図であって、図８（Ａ）は、前方から見た誘導加熱装置２ａについて一部断面を含む状態で示す図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＣ－Ｃ線矢視位置から見た状態を示す図である。図９は、図８に示す誘導加熱装置２ａを図８（Ａ）のＤ－Ｄ線矢視位置から見た状態で示す図である。第２実施形態と同様に構成されるが、磁束吸収部材１３および反射部材１４の配置に関する構成において、第２実施形態から天井壁２６側、前方壁２２側、および後方壁２３側で対向する配置構成が省略されて、左側壁２５側で対向する配置構成のみとなっている。なお、反射部材１４の配置に関する変形例についても、第１実施形態と同様である。

【0076】

図１０は、第２実施形態における磁束吸収部材１３および反射部材１４の形状に関する変形例である。なお、図１０は、第２実施形態の変形例に係る誘導加熱装置２ｂを模式的に示す図であって、左右方向Ｘ２の一方側から（左側から）見た誘導加熱装置２ｂについて一部断面を含む状態で示す図である。

【0077】

誘導加熱装置２ｂにおいては、磁束吸収部材１３は、外形が矩形の枠状に形成されている。より具体的には、誘導加熱装置２ｃの磁束吸収部材１３は、内部に冷却液の通路を区画する中空の矩形断面で延びる管状の部材が、四角形の四辺を構成するように延びて設けられていることで、外形が矩形の枠状に形成されている。

【0078】

［第３実施形態］
図１１（Ａ）は、前方から見た誘導加熱装置３について一部断面を含む状態で示す図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＥ－Ｅ線矢視位置から見た状態を示す図である。図１２は、図１１に示す誘導加熱装置３を図１１（Ａ）のＦ－Ｆ線矢視位置から見た状態で示す図である。第３実施形態の誘導加熱装置３は、第１実施形態と同様に構成されるが、誘導加熱コイル１２ａの形態に関する構成と、磁束吸収部材１３ａおよび反射部材１４ａの配置に関する構成が異なっている。

【0079】

（第３実施形態の誘導加熱装置の構成）
図１１および図１２に示す誘導加熱装置３においては、誘導加熱コイル１２ａは、第１実施形態の誘導加熱コイル１２のような螺旋状ではなく、加熱室１１内で誘導加熱される位置に配置された被処理物１００に対して左右方向Ｘ２において対向して配置される枠状に設けられている。そして、誘導加熱コイル１２ａは、誘導加熱コイル１２ａと被処理物１００とが互いに対向する方向である左右方向Ｘ２から見て被処理物１００の周囲を取り囲むように配置される。

【0080】

誘導加熱装置３において加熱処理が施される被処理物１００は、中実の軸状の部材としてまたは筒状に延びる中空の軸状の部材として設けられている。軸状の被処理物１００は、長手方向が上下方向Ｘ１に沿った状態で、上下駆動部１７の複数の支持爪１７ａによって支持され、誘導加熱コイル１２ａと左右方向Ｘ２において対向して配置される。そして、誘導加熱コイル１２ａは、誘導加熱コイル１２ａと被処理物１００とが対向する左右方向Ｘ２から見て被処理物１００の周囲を被処理物１００の長手方向と平行な上下方向Ｘ１の全長に亘って取り囲むように配置される。また、本実施形態では、誘導加熱コイル１２ａは、誘導加熱される被処理物１００に対して、左右方向Ｘ２における右側壁２４側で対向して配置されている。

【0081】

誘導加熱装置３の磁束吸収部材１３ａは、第１実施形態とは異なり、誘導加熱コイル１２ａによる誘導加熱によって左側壁２５が加熱されることから左側壁２５を保護するために設けられている。また、誘導加熱装置３の磁束吸収部材１３ａは、第１実施形態の磁束吸収部材１３とは形状も異なっている。

【0082】

そして、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と左側壁２５との間に配置された磁束吸収部材１３ａは、左右方向Ｘ２において、被処理物１００に対して、左側壁２５側で対向して配置される。さらに、磁束吸収部材１３ａは、左右方向Ｘ２において、誘導加熱コイル１２ａに対して、被処理物１００を介して左側壁２５側で対向して配置される。すなわち、磁束吸収部材１３ａは、左右方向Ｘ２において被処理物１００に対して右側壁２４側で対向して配置される誘導加熱コイル１２ａに対して、被処理物１００を介して左側壁２５側で対向して配置される。このため、被処理物１００に対しては、左右方向Ｘ２において、誘導加熱コイル１２ａが右側壁２４側で対向して配置され、磁束吸収部材１３ａが誘導加熱コイル１２ａ側と反対側となる左側壁２５側で対向して配置される。

【0083】

なお、左側壁２５は、導電体で構成された加熱室１１の壁として設けられており、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００に対して磁束吸収部材１３ａを介して対向している。そして、左側壁２５は、被処理物１００と誘導加熱コイル１２ａとが対向する方向と平行な方向である左右方向Ｘ２で被処理物１００に対して誘導加熱コイル１２ａ側と反対側で対向する本実施形態における第３の壁を構成している。磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と本実施形態における第３の壁である左側壁２５との間に配置されている。

【0084】

誘導加熱装置３の反射部材１４ａは、誘導加熱コイル１２ａに対して左側壁２５側で誘導加熱コイル１２に対向して配置される被処理物１００と左側壁２５との間に配置されている。すなわち、反射部材１４ａは、被処理物１００と誘導加熱コイル１２ａとが対向する方向と平行な左右方向Ｘ２において、被処理物１００に対して誘導加熱コイル１２ａが対向する側と反対側で、被処理物１００と対向して配置されている。反射部材１４ａは、被処理物１００と本実施形態における第３の壁である左側壁２５との間に配置されている。なお、反射部材１４ａの配置に関する変形例についても、第１実施形態や第２実施形態と同様である。

【0085】

（第３実施形態の作用効果）
磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と左側壁２５との間に配置され、反射部材１４は、誘導加熱コイル１２ａに対向する被処理物１００と左側壁２５との間に配置される。このため、被処理物１００に対して誘導加熱コイル１２ａ側と反対側で被処理物１００に対向する第３の壁としての左側壁２５を保護することができる。そして、被処理物１００から第３の壁としての左側壁２５側へ放熱される輻射熱を被処理物１００側へ反射して被処理物１００の加熱効率の低下を抑制できる。

【0086】

（第３実施形態の変形例）
上述の第３実施形態では、誘導加熱コイル１２ａが被処理物１００に対して右側壁２４側で対向する形態を例にとって説明したが、この通りでなくてもよく、誘導加熱コイル１２ａが被処理物１００に対して前方壁２２側または後方壁２３側で対向する形態が実施されてもよい。

【0087】

上述の第３実施形態のように、誘導加熱コイル１２ａが被処理物１００に対して右側壁２４側で対向する形態では、磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と左側壁２５との間に配置され、反射部材１４ａは、左側壁２５と被処理物１００との間に配置される。一方、誘導加熱コイル１２ａが被処理物１００に対して前方壁２２側で対向するように配置される形態では、磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と後方壁２３との間に配置され、反射部材１４ａは、後方壁２３と被処理物１００との間に配置される。この形態では、後方壁２３は、被処理物１００と誘導加熱コイル１２ａとが対向する方向と平行な方向である前後方向Ｘ２で被処理物１００に対して誘導加熱コイル１２ａ側と反対側で対向する第３の壁を構成している。この形態では、磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と第３の壁である後方壁２３との間に配置され、反射部材１４ａは、被処理物１００と第３の壁である後方壁２３との間に配置される。

【0088】

また、誘導加熱コイル１２ａが被処理物１００に対して後方壁２３側で対向するように配置される形態では、磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と前方壁２２との間に配置され、反射部材１４ａは、前方壁２２と被処理物１００との間に配置される。この形態では、前方壁２２は、被処理物１００と誘導加熱コイル１２ａとが対向する方向と平行な方向である前後方向Ｘ２で被処理物１００に対して誘導加熱コイル１２ａ側と反対側で対向する第３の壁を構成している。この形態では、磁束吸収部材１３ａは、誘導加熱コイル１２ａおよび被処理物１００と第３の壁である前方壁２２との間に配置され、反射部材１４ａは、被処理物１００と第３の壁である前方壁２２との間に配置される。

【産業上の利用可能性】

【0089】

本発明は、本発明は、被処理物を誘導加熱するための誘導加熱コイルを備えた誘導加熱装置として、広く適用することができる。

【符号の説明】

【0090】

１，１ａ，２，２ａ，２ｂ，２ｃ，３，３ａ，４：誘導加熱装置、 １１：加熱室、１２，１２ａ：誘導加熱コイル、 １３，１３ａ：磁束吸収部材、 １４，１４ａ：反射部材、 ２２：前方壁、 ２３：後方壁、 ２４：右側壁、 ２５：左側壁、 ２６：天井壁、 ２７：底壁

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】