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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089383
(43)【公開日】2024-07-03
(54)【発明の名称】搬送装置および表面処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/677 20060101AFI20240626BHJP
B65G 49/00 20060101ALN20240626BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 A
B65G49/00 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022204720
(22)【出願日】2022-12-21
(71)【出願人】
【識別番号】000003458
【氏名又は名称】芝浦機械株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】栗原 義明
(72)【発明者】
【氏名】深田 和宏
(72)【発明者】
【氏名】難波 武志
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA10
5F131AA12
5F131AA23
5F131BA03
5F131DA20
5F131DA22
5F131DA42
5F131DC21
5F131DD42
5F131DD73
5F131DD79
5F131EA03
5F131EB72
(57)【要約】
【課題】簡易な構造で、被処理材をチャンバーの全域で安定して搬送することが可能な搬送装置および表面処理装置を提供すること。
【解決手段】搬送装置は、平行に延びるガイドレールと、ガイドレールに沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダおよび第２のスライダと、第１のスライダまたは第２のスライダと連結することによって、第１のスライダまたは第２のスライダと一体的に移動する載置台と、第１のスライダおよび第２のスライダから、載置台が備える係合穴に向けて突出して、係合穴と係合した位置、および係合穴から離脱した位置に移動する係合ピンと、を備えて、載置台が第１のスライダと係合した状態と、載置台が第２のスライダと係合した状態とを切り替えることによって、載置台をガイドレールに沿って搬送する。
【選択図】図６Ａ
【解決手段】搬送装置は、平行に延びるガイドレールと、ガイドレールに沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダおよび第２のスライダと、第１のスライダまたは第２のスライダと連結することによって、第１のスライダまたは第２のスライダと一体的に移動する載置台と、第１のスライダおよび第２のスライダから、載置台が備える係合穴に向けて突出して、係合穴と係合した位置、および係合穴から離脱した位置に移動する係合ピンと、を備えて、載置台が第１のスライダと係合した状態と、載置台が第２のスライダと係合した状態とを切り替えることによって、載置台をガイドレールに沿って搬送する。
【選択図】図６Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
平行に延びるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダおよび第２のスライダと、
前記第１のスライダまたは前記第２のスライダと連結することによって、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダと一体的に移動する載置台と、
前記第１のスライダおよび前記第２のスライダから、前記載置台が備える係合穴に向けて突出して、前記係合穴と係合した位置、および前記係合穴から離脱した位置に移動する係合ピンと、を備えて、
前記載置台が前記第１のスライダと係合した状態と、前記載置台が前記第２のスライダと係合した状態とを切り替えることによって、前記載置台を前記ガイドレールに沿って搬送する搬送装置。
前記ガイドレールに沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダおよび第２のスライダと、
前記第１のスライダまたは前記第２のスライダと連結することによって、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダと一体的に移動する載置台と、
前記第１のスライダおよび前記第２のスライダから、前記載置台が備える係合穴に向けて突出して、前記係合穴と係合した位置、および前記係合穴から離脱した位置に移動する係合ピンと、を備えて、
前記載置台が前記第１のスライダと係合した状態と、前記載置台が前記第２のスライダと係合した状態とを切り替えることによって、前記載置台を前記ガイドレールに沿って搬送する搬送装置。
【請求項2】
前記第１のスライダと前記第２のスライダとは、向かい合う各々の側面に形成されたラックギアが、回転駆動するピニオンギアと噛み合うことによって、平行に延びる前記ガイドレールに沿って、互いに異なる方向に移動する、
請求項１に記載の搬送装置。
請求項１に記載の搬送装置。
【請求項3】
前記載置台は、当該載置台の受け渡し側である、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダのいずれか一方と一体的に移動しながら、
前記係合穴と係合する方向に付勢された前記係合ピンの先端が、前記載置台の裏面側に形成された、前記載置台の移動方向に沿って前記係合穴の位置で最も突出する斜面を形成する傾斜部に当接しながら移動して、前記係合穴の位置で前記第１のスライダまたは前記第２のスライダのいずれか他方と係合して、
前記載置台の受け渡し側である、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダのいずれか一方と係合した前記係合ピンの先端を、前記係合穴から離脱した位置に移動させることによって、前記載置台を、前記第１のスライダと前記第２のスライダとの間で受け渡す、
請求項１または請求項２に記載の搬送装置。
前記係合穴と係合する方向に付勢された前記係合ピンの先端が、前記載置台の裏面側に形成された、前記載置台の移動方向に沿って前記係合穴の位置で最も突出する斜面を形成する傾斜部に当接しながら移動して、前記係合穴の位置で前記第１のスライダまたは前記第２のスライダのいずれか他方と係合して、
前記載置台の受け渡し側である、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダのいずれか一方と係合した前記係合ピンの先端を、前記係合穴から離脱した位置に移動させることによって、前記載置台を、前記第１のスライダと前記第２のスライダとの間で受け渡す、
請求項１または請求項２に記載の搬送装置。
【請求項4】
前記第１のスライダと前記第２のスライダとをともに備えた複数の前記搬送装置を、前記ガイドレールが接続するように連結させることによって、前記載置台の搬送範囲を拡大させた、
請求項１に記載の搬送装置。
請求項１に記載の搬送装置。
【請求項5】
請求項１に記載の搬送装置を備える表面処理装置であって、
前記搬送装置を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記搬送装置に載置された被処理材に対して、少なくとも１種類の表面処理を行う表面処理部と、を備えて、
前記被処理材を、前記ガイドレールに沿って搬送させながら、当該被処理材に対して表面処理を行う、
表面処理装置。
前記搬送装置を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記搬送装置に載置された被処理材に対して、少なくとも１種類の表面処理を行う表面処理部と、を備えて、
前記被処理材を、前記ガイドレールに沿って搬送させながら、当該被処理材に対して表面処理を行う、
表面処理装置。
【請求項6】
前記搬送装置が収容された複数の前記チャンバーを、前記ガイドレールが接続するように連結して、前記被処理材を、複数の前記チャンバーの内部で搬送させながら、当該被処理材に対して表面処理を行う、
請求項５に記載の表面処理装置。
請求項５に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、被処理材をチャンバー内で安定して搬送しながら、当該被処理材に表面処理を行う搬送装置および表面処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、プラズマを用いて被処理材の表面の洗浄や改質を行うことによって、金属触媒層やＳｉＯｘ膜等を形成する表面処理装置や、スパッタリング装置を用いて、被処理材の表面に薄膜を形成する表面処理装置が知られている。
【0003】
このような表面処理装置を用いて被処理材の表面処理を行う際には、一般に、チャンバー内で被処理材を搬送する必要がある。このような物品の搬送を行う際に使用可能な搬送装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００４－１０６１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１にあっては、搬送装置の構造部品として３段組のラックギアとピニオンギアが必要になるため、高さ方向のスペースが大きくなり、片持ち指示のため精度も低くなる。また、部品点数が増加して構造が複雑であった。また、特許文献１に開示された搬送装置に載置した被処理材を搬送しながら表面処理を行った場合、表面処理に伴って発生する膜片が飛散して、搬送装置の各所に付着するおそれがあり、複雑な構造の搬送装置を維持管理するための手間がかかるという課題があった。
【0006】
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、簡易な構造で、被処理材をチャンバー内の全域で安定して搬送することが可能な搬送装置および表面処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る搬送装置は、平行に延びるガイドレールと、前記ガイドレールに沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダおよび第２のスライダと、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダと連結することによって、前記第１のスライダまたは前記第２のスライダと一体的に移動する載置台と、前記第１のスライダおよび前記第２のスライダから、前記載置台が備える係合穴に向けて突出して、前記係合穴と係合した位置、および前記係合穴から離脱した位置に移動する係合ピンと、を備えて、前記載置台が前記第１のスライダと係合した状態と、前記載置台が前記第２のスライダと係合した状態とを切り替えることによって、前記載置台を前記ガイドレールに沿って搬送することを特徴とする。
【0008】
また、本発明に係る表面処理装置は、搬送装置を収容するチャンバーと、前記チャンバーに収容された前記搬送装置に載置された被処理材に対して、少なくとも１種類の表面処理を行う表面処理部と、前記被処理材を、前記ガイドレールに沿って搬送させながら、当該被処理材に対して表面処理を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る搬送装置および表面処理装置は、被処理材を、チャンバーの全域で安定して搬送することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、本開示に係る搬送装置および表面処理装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能、且つ、容易に想到できるもの、或いは実質的に同一のものが含まれる。
【0012】
（実施形態）
本開示の実施形態は、例えばプラスチック樹脂等の樹脂材料で成形された被処理材Ｗ（ワーク）の片面または両面に表面処理を行う表面処理装置１０によって、被処理材Ｗの表面に所望の表面処理を行うものである。なお、被処理材Ｗの表面処理とは、例えば成膜処理である。
本開示の実施形態は、例えばプラスチック樹脂等の樹脂材料で成形された被処理材Ｗ（ワーク）の片面または両面に表面処理を行う表面処理装置１０によって、被処理材Ｗの表面に所望の表面処理を行うものである。なお、被処理材Ｗの表面処理とは、例えば成膜処理である。
【0013】
【0014】
表面処理装置１０は、チャンバー２０に内包された、被処理材載置部４５と、被処理材搬送部４０と、ＨＣＤ（Hollow Cathode Discharge）電極２１０と、スパッタ電極２２０とを備える。
【0015】
チャンバー２０は、内部に収容した被処理材Ｗに対して表面処理を行う、密閉された反応容器である。チャンバー２０は、図１に示すＸＹＺ座標系において、Ｘ軸方向を長手方向とする直方体形状を有する。
【0016】
被処理材載置部４５は、被処理材Ｗを、Ｙ軸に沿って略起立させた状態で載置する。なお、被処理材載置部４５は、ジグベース４１と、取付台４２と、取付軸４３とを備える。
【0017】
ジグベース４１は、被処理材Ｗを設置する台座である。なお、ジグベース４１は、本開示における載置台の一例である。
【0018】
取付台４２は、ジグベース４１に設置されて、被処理材Ｗを取り付けるベースとなる部材である。
【0019】
取付軸４３は、被処理材Ｗを取付台４２に支持する軸状の部材である。
【0020】
被処理材搬送部４０は、被処理材載置部４５に載置した被処理材Ｗを、矢印Ａの方向、即ちチャンバー２０の長手方向（Ｘ軸）に沿って搬送する。なお、被処理材搬送部４０は、本開示における搬送装置の一例である。なお、被処理材搬送部４０の構造について、詳しくは後述する（図２参照）。
【0021】
ジグベース４１には、取付台４２と取付軸４３とを介して被処理材Ｗが載置されているため、被処理材Ｗは、被処理材搬送部４０によって、Ｘ軸に沿って搬送される。
【0022】
チャンバー２０のＸＹ平面に沿う側面には、プラズマ処理装置２１とスパッタリング装置２２とが設置される。
【0023】
プラズマ処理装置２１は、ＨＣＤ電極２１０で生成したプラズマを被処理材Ｗに照射することによって、被処理材Ｗの表面処理を行う。この表面処理によって、被処理材Ｗの表面に、例えばＳｉＯ２層を生成する。これによって、被処理材Ｗの表面の耐環境性が向上する。なお、プラズマ処理装置２１は、本開示における表面処理部の一例である。
【0024】
ＨＣＤ電極２１０は、Ｚ軸と平行な軸Ｚ１に沿って移動可能とされる。これによって、被処理材ＷとＨＣＤ電極２１０との間隔を最適な値に設定することによって、より均一な成膜処理を可能とする。
【0025】
スパッタリング装置２２は、スパッタ電極２２０に設置したターゲットから、成膜に用いる原子をはじき出して、はじき出された原子を被処理材Ｗの表面に密着させることによってスパッタリングを行う。スパッタリングによって、被処理材Ｗの表面には、例えばめっき加工の下地となる薄膜が形成される。なお、スパッタリング装置２２は、本開示における表面処理部の一例である。
【0026】
スパッタ電極２２０は、Ｚ軸に平行な軸Ｚ２に沿って移動可能とされる。これによって、被処理材Ｗとスパッタ電極２２０との間隔を最適な値に設定することによって、より均一な成膜処理を可能とする。
【0027】
チャンバー２０の底面には、排気装置５０が設置される。排気装置５０は、チャンバー２０の内部を減圧して真空状態にする。また、排気装置５０は、表面処理によってチャンバー２０の内部に充満した気体（例えば反応ガス）を、チャンバー２０の外部に排出する。排気装置５０は、例えば、非図示のポンプユニットと昇降バルブとを備える。ポンプユニットは、チャンバー２０の底面に取り付けられて、チャンバー２０の内部の圧力の調整と、プラズマ処理装置２１やスパッタリング装置２２の動作によってチャンバー２０の内部に充満したガスの排気とを行う。昇降バルブは、例えば、チャンバー２０の底面に当接した状態と、Ｙ軸負側に移動した状態との間で移動することによって、チャンバー２０の底面に形成された非図示の開口部を大気に開放する。
【0028】
チャンバー２０のＹＺ平面に沿う側面の少なくとも一方は、開閉扉２３ａまたは開閉扉２３ｂを備える。開閉扉２３ａ，２３ｂは、ヒンジ機構またはスライド機構によって開閉可能である。表面処理装置１０の操作者は、開閉扉２３ａ，２３ｂを開閉することによって、被処理材Ｗの設置と、表面処理を完了した被処理材Ｗの取り出しを行う。
【0029】
表面処理装置１０は、更に、冷却装置、制御装置、電源供給装置、ガス供給装置、操作盤等を備えるが、説明を簡単にするため、図示を省略する。
【0030】
冷却装置は、機器や電源等を冷却する冷却水を生成する。制御装置は、表面処理装置１０の全体の制御を行う。電源供給装置は、表面処理装置１０の各部に供給する電源を収容する。ガス供給装置は、チャンバー２０に、成膜用のガス、および反応用のガスを供給する。操作盤は、表面処理装置１０に対する操作指示を受け付ける。また、操作盤は、表面処理装置１０の動作状態を表示する機能を備える。
【0031】
【0032】
被処理材搬送部４０（搬送装置）は、ベース部材６０と、ジグベース４１と、ジグベース用ガイドレール６１と、スライダ用ガイドレール６２と、第１のスライダ６３と、第２のスライダ６４と、第１のロケートピン６５と、第２のロケートピン６６と、第１のアロケート装置６７と、第２のアロケート装置６８と、を備える。
【0033】
ベース部材６０は、被処理材搬送部４０を構成する各部材が取り付けられる台座である。
【0034】
ジグベース用ガイドレール６１は、ベース部材６０の長手方向に沿って平行に設置されて、ジグベース４１の移動経路を形成するガイドレールである。
【0035】
スライダ用ガイドレール６２は、ジグベース用ガイドレール６１と平行に形成されて、後述する第１のスライダ６３と第２のスライダ６４との移動経路を形成するガイドレールである。スライダ用ガイドレール６２とジグベース用ガイドレール６１とは平行に形成されている。なお、スライダ用ガイドレール６２は、本開示におけるガイドレールの一例である。
【0036】
第１のスライダ６３と第２のスライダ６４は、スライダ用ガイドレール６２に沿って、互いに異なる方向に移動する。第１のスライダ６３と第２のスライダ６４とは、それぞれ、ジグベース４１との連結機能を備えて、連結されたジグベース４１を連れ添って、ベース部材６０の長手方向に沿って移動する。なお、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４は、図２に非図示のサーボモータの回転駆動力によって移動する。詳しくは後述する（図６Ａ～図６Ｅ参照）。
【0037】
第１のロケートピン６５は、第１のスライダ６３に設置されて、第１のスライダ６３とジグベース４１とを連結する。なお、第１のロケートピン６５は、本開示における係合ピンの一例である。
【0038】
第２のロケートピン６６は、第２のスライダ６４に設置されて、第２のスライダ６４とジグベース４１とを連結する。なお、第２のロケートピン６６は、本開示における係合ピンの一例である。
【0039】
第１のアロケート装置６７は、第１のロケートピン６５を強制的に引き下げることによって、第１のスライダ６３とジグベース４１との連結を解除する。
【0040】
第２のアロケート装置６８は、第２のロケートピン６６を強制的に引き下げることによって、第２のスライダ６４とジグベース４１との連結を解除する。
【0041】
なお、図２には図示しないが、第１のアロケート装置６７と第２のアロケート装置６８は、ベース部材６０のＺ軸方向の両端付近の少なくとも一方にも設置される。このアロケート装置は、複数の被処理材搬送部４０を連結して、ジグベース４１の搬送範囲を拡大する際に、異なる被処理材搬送部４０の間でジグベース４１を受け渡すために使用される。詳しくは、後述する実施形態の変形例で説明する（図１０参照）。
【0042】
（ジグベースの連結構造）
図３と図４を用いて、第１のスライダ６３および第２のスライダ６４と、ジグベース４１との連結構造を説明する。図３は、本実施形態の搬送装置の要部構造を示す断面図である。図４は、本実施形態の搬送装置の搬送ピンの上下動を行う構造を説明する断面図である。
図３と図４を用いて、第１のスライダ６３および第２のスライダ６４と、ジグベース４１との連結構造を説明する。図３は、本実施形態の搬送装置の要部構造を示す断面図である。図４は、本実施形態の搬送装置の搬送ピンの上下動を行う構造を説明する断面図である。
【0043】
ジグベース４１の裏面側には、傾斜板６９と係合穴７０が設けられている。傾斜板６９は、ジグベース４１の延伸方向に沿って、係合穴７０の位置で最も突出する斜面を形成する。なお、傾斜板６９は、本開示における傾斜部の一例である。
【0044】
ジグベース４１がジグベース用ガイドレール６１に沿って移動すると、第１のロケートピン６５の先端は傾斜板６９と当接する。第２のスライダ６４に設置された第２のロケートピン６６は、スプリング７１によって、上方（Ｙ軸負側）に向けて付勢されているため、傾斜板６９は、第２のロケートピン６６を、スプリング７１の付勢力に打ち勝って、下方（Ｙ軸正側）押し下げる。
【0045】
そして、ジグベース４１が、第２のロケートピン６６と係合穴７０とが一致する位置に移動すると、図３に示すように、第２のロケートピン６６の先端が、スプリング７１の付勢力によって係合穴７０に係合される。これによって、第２のスライダ６４とジグベース４１とが連結される。
【0046】
なお、図示はしないが、第１のスライダ６３も裏面側に傾斜板と係合穴とを備えており、図３と同様の構造によって、ジグベース４１と連結する。
【0047】
次に、図４を用いて、第２のスライダ６４とジグベース４１との連結を解除する構造を説明する。
【0048】
第２のロケートピン６６の下方には、第２のロケートピン６６と同軸上にローラ受７２が設けられている。ローラ受７２には溝部が形成されており、当該溝部に、第２のアロケート装置６８が備える、後述するローラフック７４が係合する。
【0049】
第２のアロケート装置６８は、シリンダ７３と、ローラフック７４と、出力軸７５とを備える。
【0050】
シリンダ７３は、油空圧力や電動力、電磁力によって駆動されて、出力軸７５をＹ軸正側に移動させる。即ち、シリンダ７３は、係合穴７０に係合された第２のロケートピン６６を、スプリング７１による付勢力に打ち勝って、係合穴７０から引き抜くことによって、第２のロケートピン６６を、係合穴７０から離脱した位置に移動させる。
【0051】
ローラフック７４は、出力軸７５の先端に設置されて、ローラ受７２の溝部に係合する。
【0052】
シリンダ７３が出力軸７５を下方（Ｙ軸正側）に移動させると、ローラフック７４は、スプリング７１の付勢力に打ち勝って、ローラ受７２を下方に押し下げる。これにより、ローラ受７２と同軸上にある第２のロケートピン６６が下方に押し下げられるため、第２のロケートピン６６が係合穴７０から引き抜かれる。これによって、第２のスライダ６４とジグベース４１との連結が解除される。
【0053】
なお、図示はしないが、第１のスライダ６３とジグベース４１との連結、および連結解除も、第２のアロケート装置６８と同様の構造を有する第１のアロケート装置６７によって行われる。
【0054】
（ジグベースとスライダとの連結動作の流れ）
図５Ａから図５Ｃを用いて、ジグベース４１と第２のスライダ６４との連結動作の流れを説明する。図５Ａは、実施形態の搬送装置における、スライダとジグベースとの連結動作の流れを説明する第１の図である。図５Ｂは、実施形態の搬送装置における、スライダとジグベースとの連結動作の流れを説明する第２の図である。図５Ｃは、実施形態の搬送装置における、スライダとジグベースとの連結動作の流れを説明する第３の図である。
図５Ａから図５Ｃを用いて、ジグベース４１と第２のスライダ６４との連結動作の流れを説明する。図５Ａは、実施形態の搬送装置における、スライダとジグベースとの連結動作の流れを説明する第１の図である。図５Ｂは、実施形態の搬送装置における、スライダとジグベースとの連結動作の流れを説明する第２の図である。図５Ｃは、実施形態の搬送装置における、スライダとジグベースとの連結動作の流れを説明する第３の図である。
【0055】
図５Ａに示すように、ジグベース４１は、非図示の第１のスライダ６３に連結された状態で、ジグベース用ガイドレール６１に沿って、矢印Ｂで示す方向、即ちＸ軸負方向に移動する。このとき、第２のロケートピン６６は、スプリング７１の付勢力によって、Ｙ軸負方向に突出した状態になっている。
【0056】
ジグベース４１が更にＸ軸負方向に移動すると、図５Ｂに示すように、第２のロケートピン６６の先端が、ジグベース４１の裏面側に設置された傾斜板６９に当接する。
【0057】
そして、ジグベース４１が、更に矢印Ｂの方向に移動すると、第２のロケートピン６６の先端が、傾斜板６９に押下されて、スプリング７１の付勢力に打ち勝って、矢印Ｃの方向、即ちＹ軸正方向に移動する。なお、このとき、第２のアロケート装置６８が備えるシリンダ７３には、出力軸７５を上方または下方に移動させる力がかかっていないため、第２のロケートピン６６の先端は、傾斜板６９に押下されて下方（Ｙ軸正側）に移動する。
【0058】
ジグベース４１が、更に矢印Ｂの方向に移動すると、図５Ｃに示すように、第２のロケートピン６６の位置と、係合穴７０の位置とが一致する。すると、スプリング７１の付勢力によって、第２のロケートピン６６の先端が矢印Ｄの方向、即ちＹ軸負方向に上昇する。これによって、第２のロケートピン６６の先端が係合穴７０に係合して、ジグベース４１と第２のスライダ６４とが連結される。なお、このとき、図５Ｃには図示しないが、出力軸７５（図４参照）を介して、シリンダ７３と接続したローラフック７４（図４参照）が、第２のロケートピン６６の下方に設置されたローラ受７２に入り込む。
【0059】
また、図示はしないが、ジグベース４１が、第２のスライダ６４に連結された状態で、ジグベース用ガイドレール６１に沿って移動して、第１のスライダ６３が備える第１のロケートピン６５と連結する際も、前記したのと同様の動作が行われる。
【0060】
更に、図示はしないが、連結した第２のロケートピン６６を解除する際には、シリンダ７３に、出力軸７５を下方（Ｙ軸正側）に押し下げる力を作用させればよい。このとき、前記したローラフック７４がローラ受７２を下方（Ｙ軸正側）に押し下げる。第２のロケートピン６６は、ローラ受７２が下方に押し下げられるのに伴って、スプリング７１の付勢力に打ち勝って、下方に移動する。これによって、第２のロケートピン６６の連結が解除される。
【0061】
（ジグベースの搬送方法）
図６Ａから図６Ｅを用いて、ジグベース４１の搬送方法を、順を追って説明する。図６Ａは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第１の図である。図６Ｂは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第２の図である。図６Ｃは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第３の図である。図６Ｄは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第４の図である。図６Ｅは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第５の図である。
図６Ａから図６Ｅを用いて、ジグベース４１の搬送方法を、順を追って説明する。図６Ａは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第１の図である。図６Ｂは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第２の図である。図６Ｃは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第３の図である。図６Ｄは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第４の図である。図６Ｅは、実施形態の搬送装置によるジグベースの搬送方法を説明する第５の図である。
【0062】
【0063】
図６Ａにおいて、ジグベース４１は、第２のスライダ６４と連結した状態になっている。即ち、ジグベース４１に設けられた係合穴７０に、第２のロケートピン６６が係合している。
【0064】
第１のスライダ６３と第２のスライダ６４の互いに向かい合う側の側面にはラックギア７７が形成されており、ラックギア７７は、ベース部材６０に設置されたピニオンギア７６と噛み合っている。ピニオンギア７６は、非図示のサーボモータで回転駆動される。図６Ａにおいて、ピニオンギア７６は、時計回り、即ち矢印Ｅの方向に回転する。
【0065】
ピニオンギア７６の回転に応じて、第１のスライダ６３は、スライダ用ガイドレール６２に沿って、矢印Ｆの方向に移動する。また、第２のスライダ６４は、ジグベース４１を連れ添って、スライダ用ガイドレール６２に沿って、矢印Ｇの方向に移動する。即ち、ジグベース４１は、矢印Ｈの方向に移動する。なお、ピニオンギア７６を回転駆動するサーボモータには、当該サーボモータの回転角度を検出するエンコーダが取り付けられている。被処理材搬送部４０は、ジグベース４１が所定の位置（例えば、ベース部材６０の左端や右端）にあるときにカウンターをリセットした後、エンコーダが発生したパルス数をカウントすることによって、ベース部材６０におけるジグベース４１の現在位置を認識することができる。
【0066】
図６Ａにおいて、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４とが、互いに逆方向に移動すると、図６Ｂに示すように、ベース部材６０の中央付近において、ジグベース４１の係合穴７０に、第１のスライダ６３に設置された第１のロケートピン６５が係合する。これによって、ジグベース４１が備える２つの係合穴７０には、それぞれ、第１のロケートピン６５と第２のロケートピン６６とが係合された状態になる。
【0067】
被処理材搬送部４０は、エンコーダが発生したパルス数をカウントして、ジグベース４１がベース部材６０の中央付近に到達したことを検出すると、第２のロケートピン６６の係合を外して、ジグベース４１と第２のスライダ６４との連結を解除する（図６Ｃ）。なお、被処理材搬送部４０は、第１のロケートピン６５と係合穴７０とが係合したこと、および第２のロケートピン６６と係合穴７０とが係合したことを電気的に検出して、図６Ｂの状態になったことを検出してもよい。
【0068】
この後、被処理材搬送部４０は、ピニオンギア７６を逆回転、即ち反時計回りに回転させる。これによって、図６Ｄに示すように、第１のスライダ６３は、ジグベース４１を連れ添って、スライダ用ガイドレール６２に沿って、矢印Ｉの方向に移動する。即ち、ジグベース４１は、矢印Ｋの方向に移動する。また、第２のスライダ６４は、スライダ用ガイドレール６２に沿って、矢印Ｊの方向に移動する。
【0069】
エンコーダが発生したパルス数が所定値に達すると、被処理材搬送部４０は、ジグベース４１がベース部材６０の左端に達したと判断する。そして、被処理材搬送部４０は、ピニオンギア７６の回転方向を逆転させて、矢印Ｌの方向、即ち時計回りに回転させる。これによって、図６Ｅに示すように、第１のスライダ６３は、ジグベース４１を連れ添って、スライダ用ガイドレール６２に沿って、矢印Ｍの方向に移動する。即ち、ジグベース４１は、矢印Ｏの方向に移動する。また、第２のスライダ６４は、スライダ用ガイドレール６２に沿って、矢印Ｎの方向に移動する。
【0070】
このように、被処理材搬送部４０は、ジグベース４１を、受け渡し側である第２のスライダ６４から、受け取り側である第１のスライダ６３に受け渡すことによって、ジグベース４１を、ベース部材６０の左端と右端の全域に亘って搬送する。なお、図６Ａ～図６Ｅには図示しないが、逆に、ジグベース４１を、受け渡し側である第１のスライダ６３から、受け取り側である第２のスライダ６４に受け渡すことも可能である。
【0071】
【0072】
チャンバー２０は、図７に示すシャッター２４とシャッター２５とを備える。
【0073】
シャッター２４は、Ｘ軸正側に移動することによって、被処理材Ｗにプラズマ処理を行う際に、プラズマ処理装置２１が備えるＨＣＤ電極２１０を露出させる。また、シャッター２４は、矢印Ｐに沿ってＸ軸負側に移動することによって、被処理材Ｗにスパッタリング処理を行う際にＨＣＤ電極２１０を格納する。これによって、使用しない電極の汚染を防止する。
【0074】
シャッター２５は、Ｘ軸負側に移動することによって、被処理材Ｗにスパッタリング処理を行う際に、スパッタリング装置２２が備えるスパッタ電極２２０を露出させる。また、シャッター２５は、矢印Ｑに沿ってＸ軸正側に移動することによって、被処理材Ｗにプラズマ処理を行う際にスパッタ電極２２０を格納する。これによって、使用しない電極の汚染を防止する。
【0075】
なお、成膜中は、チャンバー２０の内部の真空度、ガス流量、被処理材Ｗの搬送速度、電力、電圧値、電流値、放電状態、チャンバー２０の内部の温度等に応じて、ＨＣＤ電極２１０を軸Ｚ１方向に移動させることによって、被処理材ＷとＨＣＤ電極２１０との間隔を適正に保つ。同様に、スパッタ電極２２０も軸Ｚ２方向に移動させることによって、被処理材Ｗとスパッタ電極２２０との間隔を適正に保つ。
【0076】
チャンバー２０のＹＺ平面に沿う両側面のうち、Ｘ軸負側の側面には、開閉扉２３ａが設置される。開閉扉２３ａは、扉枠部２７に非図示のヒンジによって開閉可能に取り付けられる。扉枠部２７は、チャンバー２０の端部に形成されたフランジ２６に、非図示のボルトとナットによって締結される。これによって、開閉扉２３ａは、矢印Ｒの方向に開閉する。なお、開閉扉２３ａは、上下方向（Ｙ軸方向）に移動可能なシャッターで構成されてもよい。
【0077】
一方、チャンバー２０のＹＺ平面に沿う両側面のうち、Ｘ軸正側の側面には、固定型のブランクパネル２９が設置される。ブランクパネル２９は、チャンバー２０の端部に形成されたフランジ２６に、非図示のボルトとナットによって締結される。
【0078】
被処理材搬送部４０は、図７に示すように、チャンバー２０の内部に収容されて、ジグベース４１に載置した被処理材Ｗを、前記したようにチャンバー２０の左端と右端の間で搬送する。そして、プラズマ処理装置２１は、搬送中の被処理材Ｗに対して、プラズマ処理を行う。また、スパッタリング装置２２は、搬送中の被処理材Ｗに対して、スパッタリングを行う。なお、表面処理装置１０が備える表面処理部は、プラズマ処理装置２１とスパッタリング装置２２に限定されるものではなく、その他の表面処理部を備えてもよい。また、チャンバー２０に設置される表面処理部の数は、図７の例に限定されない。即ち、チャンバー２０は、プラズマ処理装置２１を１つのみ備えてもよいし、スパッタリング装置２２を１つのみ備えてもよい。
【0079】
【0080】
プラズマ処理装置２１は、プラズマガスを生成する際に用いる、アルゴン等の反応用ガスを供給するガス供給管８９と、高周波電圧によって、ガス供給管８９から供給された反応用ガスからプラズマガスを生成する一対の板状導体部８４，８５とを有する。反応用ガスとしては、例えば、酸素、アルゴン、窒素等が単独もしくは混合された状態で用いられる。
【0081】
ガス供給管８９は、チャンバー２０の側壁面に、Ｚ軸（Ｚ１軸）に沿って移動可能に支持された支持板８７を厚さ方向に貫通しており、ガス供給管取付部材８２によって支持板８７に取り付けられている。また、ガス供給管８９の内部には、ガス供給管８９の延在方向に沿うガス流路８０が形成されており、ガス流路８０を介して、チャンバー２０の外側からチャンバー２０内に反応用ガスが供給される。ガス供給管８９の、支持板８７の外側（チャンバー２０の外側）の端部には、ガス供給管８９に反応用ガスを供給するガス供給部９６が接続されている。また、ガス供給管８９の他端側（チャンバー２０の内側）の端部には、ガス流路８０を流れた反応用ガスをチャンバー２０内に導入する孔であるガス供給孔８１が形成されている。ガス供給部９６には、質量流量計に流量制御の機能を持たせた、非図示のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を介して反応用ガスが供給される。
【0082】
一対の板状導体部８４，８５は、いずれも平板状に形成されており、アルミニウムなどの金属板、或いはその他の導体板を平行に配置することにより形成されている。板状導体部８４，８５は、支持板８８によって支持されている。なお、一対の板状導体部８４，８５は、ＨＣＤ電極２１０を形成する。支持板８８は、例えば、ガラス、セラミック等の絶縁材料により形成されている。
【0083】
支持板８８は、支持部材８３によって支持されている。支持部材８３は、円筒状の部材と、当該円筒状の部材の両端に位置する取付部材とを有し、Ｚ１軸負側の端部が支持板８７に取り付けられ、Ｚ１軸正側の端部が支持板８８に取り付けられている。
【0084】
支持板８７を貫通するガス供給管８９は、支持部材８３の内側を通って支持板８８の位置まで延び、支持板８８を貫通している。そして、ガス供給管８９に形成されるガス供給孔８１は、支持板８８における凹部９０が形成される部分に配置される。
【0085】
一対の板状導体部８４，８５は、支持板８８における凹部９０が形成されている側に、凹部９０を覆って配置される。その際、一対の板状導体部８４，８５は、互いに離間して配置されて、板状導体部８４，８５の間に空隙部８６を形成している。空隙部８６の間隔は、プラズマ処理装置２１において導入する反応用ガスや供給する電力の周波数、さらには電極のサイズ等に応じて適宜設定するのが好ましいが、例えば、３ｍｍ～１２ｍｍ程度である。
【0086】
一対の板状導体部８４，８５は、重ねられた状態で、保持部材９７によって保持されている。そして、支持板８８の凹部９０と、板状導体部８４，８５と、の間には空間が形成される。
【0087】
このようにして形成された空間は、ガス供給管８９により供給される反応用ガスが導入されるガス導入部９８として機能する。ガス供給管８９のガス供給孔８１は、ガス導入部９８に向けて開口している。
【0088】
また、一対の板状導体部８４，８５には、厚さ方向に貫通する貫通孔９１，９２が、それぞれ多数形成されている。即ち、ガス供給管８９により供給される反応用ガスの流入側に位置する板状導体部８５には、マトリクス状に所定の間隔で複数の貫通孔９２が形成されており、ガス供給管８９により供給される反応用ガスの流出側に位置する板状導体部８４には、マトリクス状に所定の間隔で複数の貫通孔９１が形成されている。
【0089】
板状導体部８４の貫通孔９１と、板状導体部８５の貫通孔９２とは、それぞれ円筒形状の孔であり、双方の貫通孔９１，９２は、同軸上に配置されている。そして、板状導体部８４の貫通孔９１は、反応用ガスの流入側の板状導体部８５の貫通孔９２よりも径が小さくなっている。このように一対の板状導体部８４，８５は、複数の貫通孔９１，９２が形成されたホロー電極構造を形成して、複数の貫通孔９１，９２を介して、生成されたプラズマガスが高密度で流れる。
【0090】
板状導体部８４，８５の間には、空隙部８６が介在するが、空隙部８６は静電容量を有するコンデンサとして機能する。そして、支持板８８及び板状導体部８４，８５には、導電性の部材によって導電部（図示省略）が形成されて、当該導電部によって支持板８８は接地９５され、板状導体部８５も接地９５されている。また、高周波電源（ＲＦ）９４は、一方の端部が接地９５され、高周波電源９４の他方の端部は、静電容量等を調整してプラズマとの整合性を得るためのマッチングボックス（ＭＢ）９３を介して板状導体部８４と導通している。従って、高周波電源９４を稼働させた場合には、例えば１３．５６ＭＨｚなどの所定の周波数で板状導体部８４の電位がプラスとマイナスに振れる。
【0091】
生成されたプラズマガスは、貫通孔９１から流出する。そして、流出したプラズマガスは、貫通孔９１のＺ１軸正側において、板状導体部８４，８５と平行、即ちＸ軸に沿って延びるガス供給管９９ｂに形成された複数のガス供給孔１００からＺ１軸正側に噴射する成膜用ガスと反応する。
【0092】
成膜用ガスは、非図示のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を介して、チャンバー２０内に導入される。成膜用ガスは、Ｚ１軸に沿って延びるガス供給管９９ａと、Ｘ軸に沿って延びるガス供給管９９ｂとによって供給される。
【0093】
なお、成膜用ガスとしては、プラズマ処理装置２１が行う表面処理に応じた物質が用いられる。例えば、メタン、アセチレン、ブタジエン、チタニウムテトライソプロポキシド（ＴＴＩＰ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）等が用いられる。そして、プラズマガスと成膜用ガスとが反応して生成された前駆体によって、チャンバー２０内の被処理材Ｗの成膜や洗浄等の表面処理が行われる。
【0094】
【0095】
スパッタリング装置２２は、冷却水管１０１と、マグネット１０４と、ターゲット１０７と、冷却ジャケット１０５と、支持板１０３とを備える。
【0096】
冷却水管１０１は、冷却ジャケット１０５に供給する冷却水の流路を形成する。
【0097】
マグネット１０４は、磁界を発生させる。
【0098】
ターゲット１０７は、マグネット１０４で発生させた磁界の内部で、図１に非図示のガス供給装置から供給されて、図９に非図示のガス流入部から流入させた不活性ガス（例えばアルゴン）をイオン化させて衝突させることにより、成膜に用いる原子をはじき出す。なお、ターゲット１０７は、例えば銅板であり、ターゲット１０７からはじき出された銅原子が被処理材Ｗの表面に密着することによって、被処理材Ｗの表面に銅の薄膜が形成される。なお、マグネット１０４とターゲット１０７とは、スパッタ電極２２０を形成する。
【0099】
冷却ジャケット１０５は、冷却水管１０１を通して供給された冷却水によって、ターゲット１０７を冷却する。
【0100】
支持板１０３は、マグネット１０４とターゲット１０７と冷却ジャケット１０５とを支持する。なお、冷却水管１０１は、チャンバー２０の側壁面に、Ｚ軸（Ｚ２軸）に沿って移動可能に支持された支持板１０３を厚さ方向に貫通している。
【0101】
冷却水管１０１の内部には、冷却水管１０１の延在方向に沿う冷却水路１０２が形成されている。なお、図９には示さないが、冷却水路１０２は、チャンバー２０の外部から冷却ジャケット１０５に、冷却のための冷却水を供給する水路と、冷却ジャケット１０５からチャンバー２０の外部に、冷却に用いた冷却水を排出する水路とを備える。このようにして、冷却水管１０１は、チャンバー２０の外側と、チャンバー２０内に配置される冷却ジャケット１０５との間で、冷却水を循環させる。なお、冷却水管１０１の、チャンバー２０の外側の端部には、図９に非図示の、冷却水の流入路および排出路が接続されている。一方、冷却水管１０１の他端側（チャンバー２０の内側）の端部は、冷却ジャケット１０５に接続されている。冷却ジャケット１０５は、内部に冷却水の流路が形成され、冷却水が流れる。これにより、チャンバー２０の外側と、冷却ジャケット１０５との間で、冷却水が循環する。なお、冷却水は、図１に非図示の冷却装置から供給される。
【0102】
支持板１０３の下部には保持部材１０８が取り付けられている。保持部材１０８は、Ｚ２軸負側から正側に向かって、マグネット１０４、冷却ジャケット１０５、ターゲット１０７の順で重ねられた状態で、ターゲット１０７の外周及び下面を保持する。
【0103】
支持板１０３とマグネット１０４との間には、絶縁材１０６が配置されている。絶縁材１０６は、マグネット１０４の平面視における外周部分にも配置されている。つまり、マグネット１０４は、絶縁材１０６を介して、支持板１０３と保持部材１０８とによって保持されている。
【0104】
スパッタリング装置２２は、被処理材Ｗの表面に薄膜を形成する、所謂スパッタリングを行う。スパッタリング装置２２がスパッタリングを行う際には、チャンバー２０の内部を排気装置５０（図１参照）によって減圧した後、チャンバー２０の内部に、図１に非図示のガス供給装置からスパッタリングに用いるガスを流入させる。そして、スパッタリング装置２２のマグネット１０４が発生した磁界によって、チャンバー２０内のガスをイオン化させて、ターゲット１０７にイオンを衝突させる。これによって、ターゲット１０７の表面から、ターゲット１０７の原子をはじき出す。
【0105】
例えばターゲット１０７にアルミニウムを用いた場合、ターゲット１０７の近傍でイオン化されたガスのイオンがターゲット１０７に衝突した際に、ターゲット１０７は、アルミニウムの原子をはじき出す。ターゲット１０７からはじき出されたアルミニウムの原子は、Ｚ２軸正側に向かう。チャンバー２０内のターゲット１０７の表面に対向する位置には被処理材Ｗが位置するため、ターゲット１０７からはじき出されたアルミニウムの原子は、被処理材Ｗに向かって移動して被処理材Ｗに密着し、被処理材Ｗの表面に堆積する。これにより、被処理材Ｗの表面には、ターゲット１０７を形成する物質に応じた薄膜が形成される。
【0106】
（実施形態の作用効果）
以上説明したように、実施形態の被処理材搬送部４０（搬送装置）は、平行に延びるスライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）と、スライダ用ガイドレール６２に沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダ６３および第２のスライダ６４と、第１のスライダ６または第２のスライダ６４と連結することによって、第１のスライダ６３または第２のスライダ６４と一体的に移動するジグベース４１（載置台）と、第１のスライダ６３および第２のスライダ６４から、ジグベース４１が備える係合穴７０に向けて突出して、係合穴７０と係合した位置、および係合穴７０から離脱した位置に移動する第１のロケートピン６５（係合ピン）および第２のロケートピン６６（係合ピン）と、を備えて、ジグベース４１が第１のスライダ６３と係合した状態と、ジグベース４１が第２のスライダ６４と係合した状態とを切り替えることによって、ジグベース４１をスライダ用ガイドレール６２に沿って搬送する。したがって、簡易な構造で、被処理材Ｗをチャンバー２０の全域で安定して搬送することができる。また、被処理材搬送部４０を構成する部品点数が少なく、構造も簡単であるため、運用時の手入れや維持管理が容易である。
以上説明したように、実施形態の被処理材搬送部４０（搬送装置）は、平行に延びるスライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）と、スライダ用ガイドレール６２に沿って、互いに異なる方向に摺動可能に設置された第１のスライダ６３および第２のスライダ６４と、第１のスライダ６または第２のスライダ６４と連結することによって、第１のスライダ６３または第２のスライダ６４と一体的に移動するジグベース４１（載置台）と、第１のスライダ６３および第２のスライダ６４から、ジグベース４１が備える係合穴７０に向けて突出して、係合穴７０と係合した位置、および係合穴７０から離脱した位置に移動する第１のロケートピン６５（係合ピン）および第２のロケートピン６６（係合ピン）と、を備えて、ジグベース４１が第１のスライダ６３と係合した状態と、ジグベース４１が第２のスライダ６４と係合した状態とを切り替えることによって、ジグベース４１をスライダ用ガイドレール６２に沿って搬送する。したがって、簡易な構造で、被処理材Ｗをチャンバー２０の全域で安定して搬送することができる。また、被処理材搬送部４０を構成する部品点数が少なく、構造も簡単であるため、運用時の手入れや維持管理が容易である。
【0107】
また、実施形態の被処理材搬送部４０（搬送装置）において、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４とは、向かい合う各々の側面に形成されたラックギア７７が、回転駆動するピニオンギア７６と噛み合うことによって、平行に延びるスライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）に沿って、互いに異なる方向に移動する。したがって、簡単な構造で、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４とを互いに異なる方向に確実に移動させることができる。
【0108】
また、実施形態の被処理材搬送部４０（搬送装置）において、ジグベース４１（載置台）は、ジグベース４１の受け渡し側である、第１のスライダ６３または第２のスライダ６４のいずれか一方と一体的に移動しながら、係合穴７０と係合する方向に付勢された第１のロケートピン６５（係合ピン）または第２のロケートピン６６（係合ピン）の先端が、ジグベース４１の裏面側に形成された、ジグベース４１の移動方向に沿って係合穴７０の位置で最も突出する斜面を形成する傾斜板６９（傾斜部）に当接しながら移動して、係合穴７０の位置で第１のスライダ６３または第２のスライダ６４のいずれか他方と係合して、ジグベース４１の受け渡し側である、第１のスライダ６３または第２のスライダ６４のいずれか一方と係合した第１のロケートピン６５（係合ピン）または第２のロケートピン６６（係合ピン）の先端を、係合穴７０から離脱した位置に移動させることによって、ジグベース４１を、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４との間で受け渡す。したがって、ジグベース４１を、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４との間で容易かつ確実に受け渡すことができる。また、これによって、被処理材搬送部４０の延伸方向の全域に亘って、ジグベース４１を搬送することができ、ストロークを大きくすることができる。
【0109】
また、実施形態の表面処理装置１０は、被処理材搬送部４０（搬送装置）を備えるとともに、被処理材搬送部４０を収容するチャンバー２０と、チャンバー２０に収容された被処理材搬送部４０に載置された被処理材Ｗに対して、少なくとも１種類の表面処理を行う表面処理部（例えば、プラズマ処理装置２１やスパッタリング装置２２）と、を備えて、被処理材Ｗを、スライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）に沿って搬送させながら、被処理材Ｗに対して表面処理を行う。したがって、チャンバー２０内を搬送される被処理材Ｗに対して、均一な表面処理を行うことができる。
【0110】
（実施形態の変形例）
図１０と図１１を用いて、実施形態の変形例である表面処理装置１０ｃについて説明する。図１０は、実施形態の変形例である、２つのチャンバーを連結して構成した表面処理装置のチャンバー内部の上面図である。図１１は、チャンバーを接続する際の、ベース部材の接続方法の一例を示す図である。
図１０と図１１を用いて、実施形態の変形例である表面処理装置１０ｃについて説明する。図１０は、実施形態の変形例である、２つのチャンバーを連結して構成した表面処理装置のチャンバー内部の上面図である。図１１は、チャンバーを接続する際の、ベース部材の接続方法の一例を示す図である。
【0111】
図１０に示す表面処理装置１０ｃは、表面処理装置１０ａと表面処理装置１０ｂとをＸ軸に沿って連結したものである。表面処理装置１０ａ，１０ｂは、いずれも、前述した表面処理装置１０と同じものである。
【0112】
表面処理装置１０ｂは、表面処理装置１０ａを、Ｙ軸の周りに１８０度旋回した状態で、フランジ２６同士を当接させて、表面処理装置１０ａと連結される。説明のために、表面処理装置１０ａは被処理材搬送部４０ａ（搬送装置）を備えて、表面処理装置１０ｂは被処理材搬送部４０ｂ（搬送装置）を備えるものとする。
【0113】
被処理材搬送部４０ａと被処理材搬送部４０ｂとは、ジグベース用ガイドレール６１およびスライダ用ガイドレール６２が、それぞれ接続するように連結される。なお、表面処理装置１０ａと表面処理装置１０ｂとがそれぞれ備えるジグベース４１のうち、いずれか一方は取り外されて、表面処理装置１０ｃは、１つのジグベース４１を備える。
【0114】
なお、表面処理装置１０ｂは、表面処理装置１０ａをＹ軸の周りに１８０度旋回したものであるため、表面処理装置１０ａが備える第１のスライダ６３と、表面処理装置１０ｂが備える第２のスライダ６４とは、連結された同じスライダ用ガイドレール６２上にある。また、表面処理装置１０ａが備える第２のスライダ６４と、表面処理装置１０ｂが備える第１のスライダ６３とは、連結された同じスライダ用ガイドレール６２上にある。
【0115】
被処理材搬送部４０ａと被処理材搬送部４０ｂとの連結位置付近には、図１０に非図示の第１のアロケート装置６７と第２のアロケート装置６８とが設置されている。この第１のアロケート装置６７と第２のアロケート装置６８との作用（図５Ａ～図５Ｃ参照）によって、ジグベース４１は、連結された被処理材搬送部４０ａと被処理材搬送部４０ｂとの間で受け渡される。したがって、ジグベース４１は、連結された被処理材搬送部４０ａと被処理材搬送部４０ｂとに亘る範囲を、Ｘ軸に沿って移動することができる。
【0116】
表面処理装置１０ｃは、表面処理装置１０ａと、表面処理装置１０ａをＹ軸の周りに１８０度旋回した表面処理装置１０ｂとが連結されたものであるため、表面処理装置１０ｃは、ジグベース４１に載置された被処理材Ｗの両面に表面処理を行うことができる。
【0117】
なお、表面処理装置の連結形態は、図１０の例に限定されるものではない。例えば、同じ表面処理装置１０を、Ｙ軸の周りに１８０度旋回させることなく、同じ向きのままで連結してもよい。
【0118】
また、図１０には、同じサイズの表面処理装置を連結した例を示したが、異なるサイズの表面処理装置を複数連結する構成であってもよい。即ち、被処理材搬送部（搬送装置）のサイズを同一にする必要はない。更に、連結される表面処理装置は、被処理材Ｗを大気に開放せずにチャンバー２０とのアクセスを可能とするロードロック室のように、表面処理部を備えないものであってもよい。
【0119】
図１１は、被処理材搬送部４０を構成するベース部材６０の接続構造の一例を示す。ベース部材６０を接続する際には、ベース部材６０の端部同士を突き合わせて、双方のベース部材６０に跨る連結プレート７９をボルトで固定する。これによって、異なるベース部材６０が連結された連結部７８が形成される。なお、異なるベース部材６０を接続した場合に、ジグベース用ガイドレール６１（図２参照）を全ストロークがカバーできる長いものに交換してもよい。
【0120】
（実施形態の変形例の作用効果）
以上説明したように、実施形態の変形例の被処理材搬送部４０ａ，４０ｂ（搬送装置）は、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４とをともに備えた複数の被処理材搬送部４０ａ，４０ｂ（搬送装置）を、スライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）が接続するように連結させることによって、ジグベース４１（載置台）の搬送範囲を拡大させたものである。したがって、被処理材Ｗに対する成膜条件や成膜工程の変更に応じて、複数のチャンバー２０を連結して、被処理材Ｗの搬送範囲を容易に延長することができる。そして、その際に、モータ等の追加の駆動装置を付加する必要がない。
以上説明したように、実施形態の変形例の被処理材搬送部４０ａ，４０ｂ（搬送装置）は、第１のスライダ６３と第２のスライダ６４とをともに備えた複数の被処理材搬送部４０ａ，４０ｂ（搬送装置）を、スライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）が接続するように連結させることによって、ジグベース４１（載置台）の搬送範囲を拡大させたものである。したがって、被処理材Ｗに対する成膜条件や成膜工程の変更に応じて、複数のチャンバー２０を連結して、被処理材Ｗの搬送範囲を容易に延長することができる。そして、その際に、モータ等の追加の駆動装置を付加する必要がない。
【0121】
また、実施形態の変形例の表面処理装置１０ｃは、搬送装置が収容された複数のチャンバー２０を、スライダ用ガイドレール６２（ガイドレール）が接続するように連結して、被処理材Ｗを、複数のチャンバー２０の内部で搬送させながら、被処理材Ｗに対して表面処理を行う。したがって、被処理材Ｗに対する成膜条件や成膜工程に応じた表面処理を容易に実現することができる。
【0122】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した実施形態は、例として提示したものであり、本発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能である。また、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。また、この実施形態は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0123】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…表面処理装置、２０…チャンバー、２１…プラズマ処理装置（表面処理部）、２２…スパッタリング装置（表面処理部）、２３ａ，２３ｂ…開閉扉、２４，２５…シャッター、２６…フランジ、２７…扉枠部、２９…ブランクパネル、４０，４０ａ，４０ｂ…被処理材搬送部（搬送装置）、４１…ジグベース（載置台）、４２…取付台、４３…取付軸、４５…被処理材載置部、５０…排気装置、６０…ベース部材、６１…ジグベース用ガイドレール、６２…スライダ用ガイドレール（ガイドレール）、６３…第１のスライダ、６４…第２のスライダ、６５…第１のロケートピン（係合ピン）、６６…第２のロケートピン（係合ピン）、６７…第１のアロケート装置、６８…第２のアロケート装置、６９…傾斜板（傾斜部）、７０…係合穴、７１…スプリング、７２…ローラ受、７３…シリンダ、７４…ローラフック、７５…出力軸、７６…ピニオンギア、７７…ラックギア、７８…連結部、７９…連結プレート、８０…ガス流路、８１…ガス供給孔、８２…ガス供給管取付部材、８３…支持部材、８４，８５…板状導体部、８６…空隙部、８７，８８…支持板、８９…ガス供給管、９０…凹部、９１，９２…貫通孔、９３…マッチングボックス（ＭＢ）、９４…高周波電源（ＲＦ）、９５…接地、９６…ガス供給部、９７…保持部材、９８…ガス導入部、９９ａ，９９ｂ…ガス供給管、１００…ガス供給孔、１０１…冷却水管、１０２…冷却水路、１０３…支持板、１０４…マグネット、１０５…冷却ジャケット、１０６…絶縁材、１０７…ターゲット、１０８…保持部材、２１０…ＨＣＤ電極、２２０…スパッタ電極、Ｗ…被処理材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】