知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089588
(43)【公開日】2024-07-03
(54)【発明の名称】リッジ型半導体光素子
(51)【国際特許分類】
H01S 5/22 20060101AFI20240626BHJP
H01S 5/227 20060101ALI20240626BHJP
H01S 5/042 20060101ALI20240626BHJP
H01S 5/028 20060101ALI20240626BHJP
G02F 1/025 20060101ALN20240626BHJP
H01L 31/10 20060101ALN20240626BHJP
【ＦＩ】
H01S5/22
H01S5/227
H01S5/042 612
H01S5/028
G02F1/025
H01L31/10 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】26
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023020180
(22)【出願日】2023-02-13
(31)【優先権主張番号】P 2022204353
(32)【優先日】2022-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】515288122
【氏名又は名称】ルーメンタム オペレーションズ エルエルシー
【氏名又は名称原語表記】Ｌｕｍｅｎｔｕｍ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｓ ＬＬＣ
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】中原 宏治
(72)【発明者】
【氏名】菅 一輝
【テーマコード（参考）】
2K102
5F149
5F173
5F849
【Ｆターム（参考）】
2K102AA20
2K102BA02
2K102BB01
2K102BC04
2K102DA05
2K102DD03
2K102EA02
2K102EA08
2K102EA12
2K102EA16
5F149BA21
5F149DA06
5F173AA08
5F173AA26
5F173AK21
5F173AL05
5F173AL10
5F173AL13
5F173AL14
5F173AL15
5F173AL21
5F173AR96
5F849BA21
5F849DA06
(57)【要約】
【課題】メサストライプ構造へのダメージを防ぐことを目的とする。
【解決手段】リッジ型半導体光素子は、基板１０と、基板１０の上にあって第１方向Ｄ１に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造２４と、メサストライプ構造２４の上にあるリッジ電極３４を含む電極パターン３２と、基板１０の上で、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に、メサストライプ構造２４の両側にある一対の凸構造２８と、電極パターン３２から分離され、延性材料からなり、一対の凸構造２８のそれぞれの上にある保護膜４４と、を有し、保護膜４４および一対の凸構造２８の対応する１つは、第１方向Ｄ１に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、保護膜４４の上面は、リッジ電極３４の上面よりも、基板１０からの高さにおいて高い。
【選択図】図１
【解決手段】リッジ型半導体光素子は、基板１０と、基板１０の上にあって第１方向Ｄ１に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造２４と、メサストライプ構造２４の上にあるリッジ電極３４を含む電極パターン３２と、基板１０の上で、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に、メサストライプ構造２４の両側にある一対の凸構造２８と、電極パターン３２から分離され、延性材料からなり、一対の凸構造２８のそれぞれの上にある保護膜４４と、を有し、保護膜４４および一対の凸構造２８の対応する１つは、第１方向Ｄ１に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、保護膜４４の上面は、リッジ電極３４の上面よりも、基板１０からの高さにおいて高い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の上にあって第１方向に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造と、
前記メサストライプ構造の上にあるリッジ電極を含む電極パターンと、
前記基板の上で、前記第１方向に直交する第２方向に、前記メサストライプ構造の両側にある一対の凸構造と、
前記電極パターンから分離され、延性材料からなり、前記一対の凸構造のそれぞれの上にある保護膜と、
を有し、
前記保護膜および前記一対の凸構造の対応する１つは、前記第１方向に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、
前記保護膜の上面は、前記リッジ電極の上面よりも、前記基板からの高さにおいて高いリッジ型半導体光素子。
前記基板の上にあって第１方向に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造と、
前記メサストライプ構造の上にあるリッジ電極を含む電極パターンと、
前記基板の上で、前記第１方向に直交する第２方向に、前記メサストライプ構造の両側にある一対の凸構造と、
前記電極パターンから分離され、延性材料からなり、前記一対の凸構造のそれぞれの上にある保護膜と、
を有し、
前記保護膜および前記一対の凸構造の対応する１つは、前記第１方向に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、
前記保護膜の上面は、前記リッジ電極の上面よりも、前記基板からの高さにおいて高いリッジ型半導体光素子。
【請求項2】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜は、前記第１方向に分離された一対の保護膜を含み、
前記一対の保護膜の一方および前記一対の凸構造の対応する前記１つは、前記第１方向に沿った一方側の先端同士で揃い、
前記一対の保護膜の他方および前記一対の凸構造の対応する前記１つは、前記第１方向に沿った他方側の先端同士で揃っているリッジ型半導体光素子。
前記保護膜は、前記第１方向に分離された一対の保護膜を含み、
前記一対の保護膜の一方および前記一対の凸構造の対応する前記１つは、前記第１方向に沿った一方側の先端同士で揃い、
前記一対の保護膜の他方および前記一対の凸構造の対応する前記１つは、前記第１方向に沿った他方側の先端同士で揃っているリッジ型半導体光素子。
【請求項3】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記一対の凸構造のそれぞれと前記メサストライプ構造は、溝によって分離され、
前記保護膜の先端および前記溝の内面の上端が揃っているリッジ型半導体光素子。
前記一対の凸構造のそれぞれと前記メサストライプ構造は、溝によって分離され、
前記保護膜の先端および前記溝の内面の上端が揃っているリッジ型半導体光素子。
【請求項4】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記一対の凸構造のそれぞれと前記メサストライプ構造は、溝によって分離され、
前記保護膜の、前記溝を向く先端と、前記一対の凸構造の対応する前記１つの、前記溝を向く先端との間に、前記第２方向に間隔があいているリッジ型半導体光素子。
前記一対の凸構造のそれぞれと前記メサストライプ構造は、溝によって分離され、
前記保護膜の、前記溝を向く先端と、前記一対の凸構造の対応する前記１つの、前記溝を向く先端との間に、前記第２方向に間隔があいているリッジ型半導体光素子。
【請求項5】
請求項４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記間隔は、前記溝の、前記第２方向の幅よりも狭いリッジ型半導体光素子。
前記間隔は、前記溝の、前記第２方向の幅よりも狭いリッジ型半導体光素子。
【請求項6】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記一対の凸構造のそれぞれと前記メサストライプ構造は、溝によって分離され、
前記保護膜は、前記一対の凸構造の対応する前記１つの、前記溝を向く側面および反対の側面の少なくとも一方に至るリッジ型半導体光素子。
前記一対の凸構造のそれぞれと前記メサストライプ構造は、溝によって分離され、
前記保護膜は、前記一対の凸構造の対応する前記１つの、前記溝を向く側面および反対の側面の少なくとも一方に至るリッジ型半導体光素子。
【請求項7】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜は、前記一対の凸構造のそれぞれの、前記第２方向に前記メサストライプ構造から離れた端部を避けているリッジ型半導体光素子。
前記保護膜は、前記一対の凸構造のそれぞれの、前記第２方向に前記メサストライプ構造から離れた端部を避けているリッジ型半導体光素子。
【請求項8】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記基板と前記一対の凸構造のそれぞれは、前記メサストライプ構造から離れる方向の先端同士で揃っているリッジ型半導体光素子。
前記基板と前記一対の凸構造のそれぞれは、前記メサストライプ構造から離れる方向の先端同士で揃っているリッジ型半導体光素子。
【請求項9】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記一対の凸構造は、前記第２方向で前記基板の両端部を避けているリッジ型半導体光素子。
前記一対の凸構造は、前記第２方向で前記基板の両端部を避けているリッジ型半導体光素子。
【請求項10】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記一対の凸構造のそれぞれは、前記第２方向に分離された複数の凸構造を含み、
前記保護膜は、少なくとも、前記複数の凸構造のうち最も前記メサストライプ構造に近い凸構造の上にあるリッジ型半導体光素子。
前記一対の凸構造のそれぞれは、前記第２方向に分離された複数の凸構造を含み、
前記保護膜は、少なくとも、前記複数の凸構造のうち最も前記メサストライプ構造に近い凸構造の上にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項11】
請求項１０に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記複数の凸構造の少なくとも１つは、前記第１方向に分離されているリッジ型半導体光素子。
前記複数の凸構造の少なくとも１つは、前記第１方向に分離されているリッジ型半導体光素子。
【請求項12】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記一対の凸構造の少なくとも一方は、前記第１方向に分離された第１凸構造および第２凸構造を含むリッジ型半導体光素子。
前記一対の凸構造の少なくとも一方は、前記第１方向に分離された第１凸構造および第２凸構造を含むリッジ型半導体光素子。
【請求項13】
請求項１２に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記第１凸構造および前記基板は、前記第１方向に沿った一方側の先端同士が揃い、
前記第２凸構造および前記基板は、前記第１方向に沿った他方側の先端同士が揃っているリッジ型半導体光素子。
前記第１凸構造および前記基板は、前記第１方向に沿った一方側の先端同士が揃い、
前記第２凸構造および前記基板は、前記第１方向に沿った他方側の先端同士が揃っているリッジ型半導体光素子。
【請求項14】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記電極パターンは、パッド電極と、前記リッジ電極および前記パッド電極を接続する接続電極と、をさらに含み、
前記接続電極は、前記リッジ電極から前記第２方向に沿って延び、
前記パッド電極は、前記接続電極よりも、前記第１方向の幅において広いリッジ型半導体光素子。
前記電極パターンは、パッド電極と、前記リッジ電極および前記パッド電極を接続する接続電極と、をさらに含み、
前記接続電極は、前記リッジ電極から前記第２方向に沿って延び、
前記パッド電極は、前記接続電極よりも、前記第１方向の幅において広いリッジ型半導体光素子。
【請求項15】
請求項１４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記パッド電極は、前記一対の凸構造の一方の上にあるリッジ型半導体光素子。
前記パッド電極は、前記一対の凸構造の一方の上にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項16】
請求項１４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記パッド電極は、前記一対の凸構造を避けて、前記基板の上にあるリッジ型半導体光素子。
前記パッド電極は、前記一対の凸構造を避けて、前記基板の上にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項17】
請求項１４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記接続電極の一部は、前記一対の凸構造の一方の上にあるリッジ型半導体光素子。
前記接続電極の一部は、前記一対の凸構造の一方の上にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項18】
請求項１４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記接続電極は、前記一対の凸構造を避けて、前記基板の上にあるリッジ型半導体光素子。
前記接続電極は、前記一対の凸構造を避けて、前記基板の上にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項19】
請求項１４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜が配置される領域は、前記第１方向に少なくとも前記接続電極の一部に重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
前記保護膜が配置される領域は、前記第１方向に少なくとも前記接続電極の一部に重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項20】
請求項１９に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜が配置される前記領域は、前記第１方向に前記パッド電極にも重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
前記保護膜が配置される前記領域は、前記第１方向に前記パッド電極にも重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項21】
請求項１９に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜が配置される前記領域は、前記第１方向に前記パッド電極との重なりを避ける位置にあるリッジ型半導体光素子。
前記保護膜が配置される前記領域は、前記第１方向に前記パッド電極との重なりを避ける位置にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項22】
請求項２１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜が配置される前記領域は、前記第２方向に前記パッド電極と重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
前記保護膜が配置される前記領域は、前記第２方向に前記パッド電極と重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
【請求項23】
請求項１４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記保護膜は、前記第１方向に前記接続電極を挟む両側のそれぞれにあるリッジ型半導体光素子。
前記保護膜は、前記第１方向に前記接続電極を挟む両側のそれぞれにあるリッジ型半導体光素子。
【請求項24】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記リッジ電極の下を避けて、前記一対の凸構造のそれぞれと前記保護膜の間に介在するパッシベーション膜をさらに有するリッジ型半導体光素子。
前記リッジ電極の下を避けて、前記一対の凸構造のそれぞれと前記保護膜の間に介在するパッシベーション膜をさらに有するリッジ型半導体光素子。
【請求項25】
請求項２４に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記パッシベーション膜と前記保護膜の間に介在する絶縁膜をさらに有するリッジ型半導体光素子。
前記パッシベーション膜と前記保護膜の間に介在する絶縁膜をさらに有するリッジ型半導体光素子。
【請求項26】
請求項１に記載されたリッジ型半導体光素子であって、
前記メサストライプ構造の上端部を避けて下端部を埋め込む埋め込み層をさらに有するリッジ型半導体光素子。
前記メサストライプ構造の上端部を避けて下端部を埋め込む埋め込み層をさらに有するリッジ型半導体光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、リッジ型半導体光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
メサストライプ構造を備えるリッジ型半導体光素子が、光通信用の光源として使用されている。メサストライプ構造は、基板の上に積層された半導体多層を、間隔をあけた一対の領域で彫り込んで形成され、彫り込まれた一対の領域の外側には、凸構造を残すことがある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００３－０６９１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
凸構造は、メサストライプ構造へのダメージを防ぐ保護部となるが、メサストライプ構造と同じ高さで同じ材料からなるため、保護部としては不十分であった。
【0005】
本発明は、メサストライプ構造へのダメージを防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
リッジ型半導体光素子は、基板と、前記基板の上にあって第１方向に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造と、前記メサストライプ構造の上にあるリッジ電極を含む電極パターンと、前記基板の上で、前記第１方向に直交する第２方向に、前記メサストライプ構造の両側にある一対の凸構造と、前記電極パターンから分離され、延性材料からなり、前記一対の凸構造のそれぞれの上にある保護膜と、を有し、前記保護膜および前記一対の凸構造の対応する１つは、前記第１方向に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、前記保護膜の上面は、前記リッジ電極の上面よりも、前記基板からの高さにおいて高い。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図4】第２の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図6】第３の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図8】第４の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図11】第５の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図13】第６の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図16】第６の実施形態の変形例に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。
【図17】第７の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【図20】第８の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。
【0009】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図２は、図１のリッジ型半導体光素子のII－II線断面図である。図３は、図１のリッジ型半導体光素子のIII－III線断面図である。
図１は、第１の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図２は、図１のリッジ型半導体光素子のII－II線断面図である。図３は、図１のリッジ型半導体光素子のIII－III線断面図である。
【0010】
リッジ型半導体光素子は、５６Ｇｂｐｓの動作に対応した１．３μｍ帯の直接変調型半導体レーザであるが、他の動作速度や波長帯に対応しても構わないし、直接変調型レーザに限らず、例えばＣＷレーザや電界吸収型変調器または受光素子などの、他の光機能を有した光素子であっても構わない。
【0011】
［基板］
リッジ型半導体光素子は、基板１０を有する。基板１０は、第１導電型の半導体からなる。基板１０の上に積層体１２がある。積層体１２は、半導体からなり、第１導電型の下側ＳＣＨ（Separated Confinement Heterostructure）層１４、活性層１６、第２導電型の上側ＳＣＨ層１８、第２導電型のクラッド層２０、第２導電型のコンタクト層２２を含む。ここでは、第１導電型はｎ型、第２導電型はｐ型としているが、逆であっても構わない。活性層１６は、井戸層と障壁層が複数積層された多重量子井戸（ＭＱＷ、Multi Quantum Well）である。積層体１２の一方の端面は、光の出射面または入射面である。
リッジ型半導体光素子は、基板１０を有する。基板１０は、第１導電型の半導体からなる。基板１０の上に積層体１２がある。積層体１２は、半導体からなり、第１導電型の下側ＳＣＨ（Separated Confinement Heterostructure）層１４、活性層１６、第２導電型の上側ＳＣＨ層１８、第２導電型のクラッド層２０、第２導電型のコンタクト層２２を含む。ここでは、第１導電型はｎ型、第２導電型はｐ型としているが、逆であっても構わない。活性層１６は、井戸層と障壁層が複数積層された多重量子井戸（ＭＱＷ、Multi Quantum Well）である。積層体１２の一方の端面は、光の出射面または入射面である。
【0012】
［メサストライプ構造］
リッジ型半導体光素子は、メサストライプ構造２４を有する。メサストライプ構造２４は、基板１０の上にあって第１方向Ｄ１に延びる。メサストライプ構造２４は、脆性材料（例えば半導体）からなる。
リッジ型半導体光素子は、メサストライプ構造２４を有する。メサストライプ構造２４は、基板１０の上にあって第１方向Ｄ１に延びる。メサストライプ構造２４は、脆性材料（例えば半導体）からなる。
【0013】
メサストライプ構造２４は、積層体１２の一部である。積層体１２は、メサストライプ構造２４の両側に溝２６を有する。溝２６は、クラッド層２０を分離し、コンタクト層２２を分離し、第１方向Ｄ１に延びる。メサストライプ構造２４は、クラッド層２０およびコンタクト層２２を含む。上側ＳＣＨ層１８とクラッド層２０との間に、図示しない回折格子層が含まれている。
【0014】
［凸構造］
リッジ型半導体光素子は、一対の凸構造２８を有する。凸構造２８は第１方向Ｄ１に延びる。一対の凸構造２８は、基板１０の上で、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に、メサストライプ構造２４の両側にある。一対の凸構造２８のそれぞれとメサストライプ構造２４は、溝２６によって分離されている。基板１０と一対の凸構造２８のそれぞれは、メサストライプ構造２４から離れる方向の先端同士で揃っている。
リッジ型半導体光素子は、一対の凸構造２８を有する。凸構造２８は第１方向Ｄ１に延びる。一対の凸構造２８は、基板１０の上で、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に、メサストライプ構造２４の両側にある。一対の凸構造２８のそれぞれとメサストライプ構造２４は、溝２６によって分離されている。基板１０と一対の凸構造２８のそれぞれは、メサストライプ構造２４から離れる方向の先端同士で揃っている。
【0015】
凸構造２８は、積層体１２の他の部分であり、クラッド層２０とコンタクト層２２を有する。メサストライプ構造２４、溝２６および凸構造２８は、第１方向Ｄ１に、基板１０の一方端から他方端に渡って形成されている。凸構造２８の、メサストライプ構造２４とは反対の側面は、リッジ型半導体光素子の側面の一部を構成する。
【0016】
［パッシベーション膜］
リッジ型半導体光素子は、表面に、外部環境から半導体層を保護するために、絶縁膜であるパッシベーション膜３０を有する。パッシベーション膜３０は、凸構造２８の上面、溝２６の内面およびメサストライプ構造２４の側面にある。
リッジ型半導体光素子は、表面に、外部環境から半導体層を保護するために、絶縁膜であるパッシベーション膜３０を有する。パッシベーション膜３０は、凸構造２８の上面、溝２６の内面およびメサストライプ構造２４の側面にある。
【0017】
［電極パターン］
リッジ型半導体光素子は、電極パターン３２を有する。電極パターン３２は、積層体１２からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順で多層された積層構造になっている。積層体１２と電極パターン３２との間で、メサストライプ構造２４の上面の少なくとも一部を避けて、パッシベーション膜３０が介在する。
リッジ型半導体光素子は、電極パターン３２を有する。電極パターン３２は、積層体１２からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順で多層された積層構造になっている。積層体１２と電極パターン３２との間で、メサストライプ構造２４の上面の少なくとも一部を避けて、パッシベーション膜３０が介在する。
【0018】
電極パターン３２は、メサストライプ構造２４の上にリッジ電極３４を含む。第１方向Ｄ１で、リッジ電極３４の両端は、メサストライプ構造２４の両端に揃う。パッシベーション膜３０はリッジ電極３４の下を避けている。パッシベーション膜３０は、リッジ電極３４とコンタクト層２２との接続のためのスルーホール３６を有する。リッジ電極３４は、第２方向Ｄ２に拡がり、メサストライプ構造２４の側面に至る。リッジ電極３４の側端は、溝２６にあるが、凸構造２８には至らない。
【0019】
電極パターン３２は、パッド電極３８を含む。パッド電極３８は、一対の凸構造２８の一方の上にある。パッド電極３８は、凸構造２８の上面よりも小さい平面形状になっている。パッド電極３８は、外部との電気的接続に使用され、図示しないワイヤがボンディングされたり、はんだによってボンディングされたりする。
【0020】
電極パターン３２は、メサストライプ構造２４の上面から一対の凸構造２８の上面まで、第１方向Ｄ１に同じ幅を有すると、広い保護層として機能するが、寄生容量が大きくなって高速動作の妨げとなる。５６Ｇｂｐｓ以上の高速動作を行うためには、寄生容量を十分に小さくする必要がある。また、電極パターン３２が大きくなると、その下層に生じる応力が大きくなって特性が劣化するおそれがある。
【0021】
本実施形態では、リッジ電極３４の側端は凸構造２８の上面に至らないのでサイズが大きくならない。これにより、寄生容量が大きくならないので高速動作が可能となり、応力が小さくなって特性劣化を抑制することができる。
【0022】
電極パターン３２は、リッジ電極３４およびパッド電極３８を接続する接続電極４０を含む。接続電極４０は、リッジ電極３４から第２方向Ｄ２に沿って延びている。パッド電極３８は、接続電極４０よりも、第１方向Ｄ１の幅において広い。接続電極４０の一部は、一対の凸構造２８の一方の上にある。
【0023】
リッジ型半導体光素子は、基板１０の裏に広く裏面電極４２を有する。リッジ電極３４と裏面電極４２との間に電流を注入することで、活性層１６で発光が生じ、端面から光が出射される。なお、裏面電極４２は必ずしも基板１０の裏に配置されている必要はない。例えば、凸構造２８の一部に基板１０まで至る穴（図示せず）を形成し、それと接続するように電極（図示せず）を配置してもよい。この場合、裏面電極４２は、電極パターン３２と同じく表に配置されることになる。
【0024】
［保護膜］
リッジ型半導体光素子は、保護膜４４を有する。保護膜４４は、一対の凸構造２８のそれぞれの上にある。保護膜４４の最も高い位置は、メサストライプ構造２４に近い方が好ましい。保護膜４４は、凸構造２８の上面のパッシベーション膜３０の上に配置される。一対の凸構造２８のそれぞれと保護膜４４の間にパッシベーション膜３０が介在する。そのため、保護膜４４の上面は、リッジ電極３４の上面よりも、基板１０からの高さにおいて高い。保護膜４４およびリッジ電極３４が同一の材料および同一厚さであれば、高さの差は、パッシベーション膜３０の厚さになる。
リッジ型半導体光素子は、保護膜４４を有する。保護膜４４は、一対の凸構造２８のそれぞれの上にある。保護膜４４の最も高い位置は、メサストライプ構造２４に近い方が好ましい。保護膜４４は、凸構造２８の上面のパッシベーション膜３０の上に配置される。一対の凸構造２８のそれぞれと保護膜４４の間にパッシベーション膜３０が介在する。そのため、保護膜４４の上面は、リッジ電極３４の上面よりも、基板１０からの高さにおいて高い。保護膜４４およびリッジ電極３４が同一の材料および同一厚さであれば、高さの差は、パッシベーション膜３０の厚さになる。
【0025】
保護膜４４は、延性材料（例えば金属や樹脂）からなる。保護膜４４は、電極パターン３２とは電気的に分離しており、駆動には寄与しないため、高速動作の妨げにはならない。保護膜４４は、電極パターン３２と同一工程で金属から形成することができ、そうすれば製造性の観点で有利である。
【0026】
保護膜４４を構成する材料は金属に限定されず、延性材料であれば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）やポリイミドなどの樹脂であっても構わない。保護膜４４は、電極パターン３２とは異なる材料から形成される場合でも、基板１０から上面までの高さが、リッジ電極３４の上面までの高さより高い。これにより、保護効果を高めることができる。
【0027】
保護膜４４および一対の凸構造２８の対応する１つは、第１方向Ｄ１に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃っている。保護膜４４の先端および溝２６の内面の上端が揃っている。保護膜４４は、一対の凸構造２８のそれぞれの、第２方向Ｄ２にメサストライプ構造２４から離れた端部を避けている。保護膜４４は、第１方向Ｄ１に接続電極４０を挟む両側のそれぞれにある。保護膜４４が配置される領域は、第１方向Ｄ１に少なくとも接続電極４０の一部に重なる位置にある。保護膜４４が配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極３８にも重なる位置にある。
【0028】
保護膜４４は、第１方向Ｄ１に分離された一対の保護膜４４Ａ，４４Ｂを含む。保護膜４４Ａおよび一対の凸構造２８の対応する１つは、第１方向Ｄ１に沿った一方側の先端同士で揃っている。保護膜４４Ｂおよび一対の凸構造２８の対応する１つは、第１方向Ｄ１に沿った他方側の先端同士で揃っている。４つの保護膜４４は同じ大きさである。
【0029】
保護効果を高めるためには、凸構造２８の上面をほとんど覆うように配置したほうが好ましいが、保護膜４４を起因とする応力の影響が特性へ影響するおそれがある。保護膜４４は、凸構造２８の上面全体には拡がらないと、応力低減の観点で有効である。保護膜４４の幅は、第２方向Ｄ２において、凸構造２８の上面の幅の１／５以下が好ましい。
【0030】
［効果］
リッジ型半導体光素子の製造プロセスで使用されるコレットは、一般的に、一対の凸構造２８の間の距離より大きく、上からコレットを当てたときに、コレットがメサストライプ構造２４だけに接触することはないとしても、凸構造２８は、ピックアップ用のコレットがメサストライプ構造２４に接触することを防止する。
リッジ型半導体光素子の製造プロセスで使用されるコレットは、一般的に、一対の凸構造２８の間の距離より大きく、上からコレットを当てたときに、コレットがメサストライプ構造２４だけに接触することはないとしても、凸構造２８は、ピックアップ用のコレットがメサストライプ構造２４に接触することを防止する。
【0031】
あるいは、外力によりメサストライプ構造２４が折れてしまうことを防止する。例えば、上面にシートを押し付けて貼り付けるときに、保護膜４４の上面が最も高いので、シートがメサストライプ構造２４の上面（リッジ電極３４の表面）に強く当たることを防止することができる。
【0032】
保護膜４４の先端は、メサストライプ構造２４の発光端面に隣接するため、発光端面の付近に加わった衝撃によるダメージを低減することができる。保護膜４４が発光端面に隣接しないと、発光端面の付近は、パッシベーション膜３０および凸構造２８（積層体１２）だけになる。これらの材料は脆く、衝撃でチッピングのおそれがある。チッピングは発光端面に伝わり、発光端面を傷つけるおそれがある。
【0033】
本実施形態では、延性材料からなる保護膜４４が端面に隣接するまで配置されているため、外部からの衝撃を吸収し、チッピングを防止することができる。そして、端面が傷つくことを防止することが可能となる。
【0034】
本実施形態は、特に５６Ｇｂｐｓ以上の動作に対応したリッジ型半導体光素子に適用可能であり、リッジ型半導体光素子の特性の向上およびメサストライプ構造２４の保護を実現する。
【0035】
【0036】
保護膜２４４の、溝２２６を向く先端と、一対の凸構造２２８の対応する１つの、溝２２６を向く先端との間に、第２方向Ｄ２に間隔があいている。間隔は、溝２２６の、第２方向Ｄ２の幅Ｗよりも狭い。保護膜２４４の先端は、溝２２６から離れる方向に、凸構造２２８の先端から溝２２６の幅Ｗの範囲内にあることが望ましい。
【0037】
保護膜２４４は、メサストライプ構造２２４に近い方が、メサストライプ構造２２４の保護効果が高まる。しかし、保護膜２４４および凸構造２２８は、必ずしも溝２２６を向く先端同士で揃う必要はない。
【0038】
一方の凸構造２２８にパッド電極２３８が配置され、他方の凸構造２２８にはパッド電極２３８が配置されていない。これに対して、一対の凸構造２２８のそれぞれにある保護膜２４４は、第１方向Ｄ１の軸を中心として、線対象に配置されることが望ましい。
【0039】
その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。例えば、保護膜２４４が配置される領域は、第１方向Ｄ１に、接続電極２４０およびパッド電極２３８に重なる位置にある。パッド電極２３８と接続電極２４０の境界線が必ずしも明確でない場合は、接続電極２４０からパッド電極２３８に向けて第１方向Ｄ１方向の幅が広がり始める位置が境界線となる。
【0040】
【0041】
パッシベーション膜３３０と保護膜３４４の間に絶縁膜３４６が介在する。絶縁膜３４６は、酸化膜、窒化膜または樹脂など絶縁材料からなる。絶縁膜３４６は、平面形状において、保護膜３４４より大きいが、これに限定されず、保護膜３４４および絶縁膜３４６が部分的に重なっていればよい。
【0042】
絶縁膜３４６により、保護膜３４４の上面とリッジ電極３３４の上面の高さの差が大きくなり、保護効果が高まる。絶縁膜３４６は、凸構造３２８の上面全体にあると応力の増加を招くために好ましくない。絶縁膜３４６の面積は、保護膜３４４の面積の４倍以下とすることが好ましい。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0043】
［第４の実施形態］
図８は、第４の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図９は、図８のリッジ型半導体光素子のIX－IX線断面図である。図１０は、図８のリッジ型半導体光素子のＸ－Ｘ線断面図である。本実施形態では、第１の実施形態とは逆に、第１導電型はｐ型、第２導電型はｎ型である。
図８は、第４の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図９は、図８のリッジ型半導体光素子のIX－IX線断面図である。図１０は、図８のリッジ型半導体光素子のＸ－Ｘ線断面図である。本実施形態では、第１の実施形態とは逆に、第１導電型はｐ型、第２導電型はｎ型である。
【0044】
基板４１０の上に、第１方向Ｄ１に延びる下メサストライプ構造４４８がある。下メサストライプ構造４４８は、第１導電型の下側ＳＣＨ層４１４、活性層４１６、第２導電型の上側ＳＣＨ層４１８を含む。下メサストライプ構造４４８の上に、第１方向Ｄ１に延びる上メサストライプ構造４５０がある。上メサストライプ構造４５０は、第２導電型のクラッド層４２０および第２導電型のコンタクト層４２２を含む。下メサストライプ構造４４８の第２方向Ｄ２の幅は上メサストライプ構造４５０より広い。
【0045】
［凸構造］
一対の凸構造４２８は、第２方向Ｄ２で基板４１０の両端部を避けている。それぞれの凸構造４２８は、上凸構造４５２および下凸構造４５４を含む。基板４１０の上に、第１方向Ｄ１に延びる下凸構造４５４がある。下凸構造４５４は、第１導電型の下側ＳＣＨ層４１４、活性層４１６、第２導電型の上側ＳＣＨ層４１８を含む。下凸構造４５４の上に、第１方向Ｄ１に延びる上凸構造４５２がある。上メサストライプ構造４５０は、第２導電型のクラッド層４２０および第２導電型のコンタクト層４２２を含む。下凸構造４５４の第２方向Ｄ２の幅は上凸構造４５２より広い。
一対の凸構造４２８は、第２方向Ｄ２で基板４１０の両端部を避けている。それぞれの凸構造４２８は、上凸構造４５２および下凸構造４５４を含む。基板４１０の上に、第１方向Ｄ１に延びる下凸構造４５４がある。下凸構造４５４は、第１導電型の下側ＳＣＨ層４１４、活性層４１６、第２導電型の上側ＳＣＨ層４１８を含む。下凸構造４５４の上に、第１方向Ｄ１に延びる上凸構造４５２がある。上メサストライプ構造４５０は、第２導電型のクラッド層４２０および第２導電型のコンタクト層４２２を含む。下凸構造４５４の第２方向Ｄ２の幅は上凸構造４５２より広い。
【0046】
［埋め込み層］
リッジ型半導体光素子は、メサストライプ構造４２４の上端部（上メサストライプ構造４５０）を避けて下端部（下メサストライプ構造４４８）を埋め込む埋め込み層４５６を有する。埋め込み層４５６は、絶縁性または半絶縁性の半導体層、第１導電型と第２導電型の複数の半導体層で構成された半導体層、または、絶縁性、第１導電型、第２導電型の複数の半導体で構成された半導体層である。
リッジ型半導体光素子は、メサストライプ構造４２４の上端部（上メサストライプ構造４５０）を避けて下端部（下メサストライプ構造４４８）を埋め込む埋め込み層４５６を有する。埋め込み層４５６は、絶縁性または半絶縁性の半導体層、第１導電型と第２導電型の複数の半導体層で構成された半導体層、または、絶縁性、第１導電型、第２導電型の複数の半導体で構成された半導体層である。
【0047】
埋め込み層４５６は、凸構造４２８の上端部（上凸構造４５２）を避けて下端部（下凸構造４５４）を埋め込む。埋め込み層４５６は、下凸構造４５４の、溝４２６とは反対の側面にも隣接する。埋め込み層４５６および基板４１０は、溝４２６とは反対の先端同士が揃っている。埋め込み層４５６は、第１方向Ｄ１に基板４１０の両端に至る。
【0048】
上メサストライプ構造４５０の両側に溝４２６がある。溝４２６は、クラッド層４２０およびコンタクト層４２２を分離して第１方向Ｄ１に延びる。一対の凸構造４２８のそれぞれとメサストライプ構造４２４は、溝４２６によって分離されている。上メサストライプ構造４５０、下メサストライプ構造４４８、溝４２６、上凸構造４５２および下凸構造４５４は、第１方向Ｄ１に、発光端面から逆の端面に渡って形成されている。
【0049】
［電極パターン］
パッシベーション膜４３０は、埋め込み層４５６（一部を除く）の上面、上凸構造４５２の側面および上面、溝４２６の内面、そして上メサストライプ構造４５０の側面に配置されている。パッシベーション膜４３０は、上メサストライプ構造４５０の上面には形成されず、リッジ電極４３４とコンタクト層４２２との接続のためのスルーホール４３６を有している。
パッシベーション膜４３０は、埋め込み層４５６（一部を除く）の上面、上凸構造４５２の側面および上面、溝４２６の内面、そして上メサストライプ構造４５０の側面に配置されている。パッシベーション膜４３０は、上メサストライプ構造４５０の上面には形成されず、リッジ電極４３４とコンタクト層４２２との接続のためのスルーホール４３６を有している。
【0050】
リッジ電極４３４は、上メサストライプ構造４５０の上面および側面にある。リッジ電極４３４は、第２方向Ｄ２に拡がる。リッジ電極４３４およびメサストライプ構造４２４は、第１方向Ｄ１の両端同士で揃う。リッジ電極４３４の第２方向Ｄ２の側端は、溝４２６にあり、上凸構造４５２には至らない。
【0051】
パッド電極４３８は、一対の凸構造４２８を避けて、基板４１０の上にある。パッド電極４３８は、外部との電気的接続に使用され、図示しないワイヤがボンディングされたり、はんだによってボンディングされたりする。接続電極４４０の一部は、一対の凸構造４２８の一方の上にある。
【0052】
［保護膜］
凸構造４２８の上には保護膜４４４が配置されている。保護膜４４４は、パッシベーション膜４３０の上に配置される。保護膜４４４の先端および溝４２６の内面の上端が揃っている。保護膜４４４が配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極４３８との重なりを避ける位置にある。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
凸構造４２８の上には保護膜４４４が配置されている。保護膜４４４は、パッシベーション膜４３０の上に配置される。保護膜４４４の先端および溝４２６の内面の上端が揃っている。保護膜４４４が配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極４３８との重なりを避ける位置にある。その他の点には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0053】
［第５の実施形態］
図１１は、第５の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図１２は、図１１のリッジ型半導体光素子のXII－XII線断面図である。本実施形態では、第４の実施形態と比べて、保護膜５４４が第１方向Ｄ１に長い。そのため、保護効果が高まるが、応力増加の原因となるので、保護膜５４４は、第１方向Ｄ１方向の長さにおいて、上凸構造５５２の１／３以下が好ましい。
図１１は、第５の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図１２は、図１１のリッジ型半導体光素子のXII－XII線断面図である。本実施形態では、第４の実施形態と比べて、保護膜５４４が第１方向Ｄ１に長い。そのため、保護効果が高まるが、応力増加の原因となるので、保護膜５４４は、第１方向Ｄ１方向の長さにおいて、上凸構造５５２の１／３以下が好ましい。
【0054】
その他の点には、第４の実施形態で説明した内容を適用可能である。保護膜５４４は、一方の上凸構造５５２の上面で、接続電極５４０を挟むように配置されている。接続電極５４０が配置されない他方の上凸構造５５２の上面においても、一対の保護膜５４４は連続しない。４つの保護膜５４４が全て同じ形状である。
【0055】
［第６の実施形態］
図１３は、第６の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図１４は、図１３のリッジ型半導体光素子のXIV－XIV線断面図である。図１５は、図１３のリッジ型半導体光素子のXV－XV線断面図である。
図１３は、第６の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図１４は、図１３のリッジ型半導体光素子のXIV－XIV線断面図である。図１５は、図１３のリッジ型半導体光素子のXV－XV線断面図である。
【0056】
一対の凸構造６２８のそれぞれは、第２方向Ｄ２に分離された複数の凸構造６２８を含む。複数の凸構造６２８の少なくとも１つは、第１方向Ｄ１に分離されている。８つの分離凸構造６５８があり、いずれの分離凸構造６５８も、積層方向の構成において、上凸構造６５２と下凸構造６５４を含む。分離凸構造６５８および基板６１０は、第１方向Ｄ１の一方側のみで先端同士が揃っている。
【0057】
凸構造６２８を分離することで、パッド電極６３８を、一対の凸構造６２８を避けて、基板６１０の上に配置することができる。分離しない場合、パッド電極６３８は、基板６１０の上の部分と凸構造６２８の上の部分を有することになり、表面に凹凸ができる。凹凸はワイヤボンディングの接続強度を低下させるために好ましくない。接続電極６４０の一部は、一対の凸構造６２８の一方の上にある。
【0058】
パッド電極６３８とは反対にある凸構造６２８も、第２方向Ｄ２に分離された複数の凸構造６２８を含み、複数の凸構造６２８の少なくとも１つは、分離凸構造６５８に分離されている。この凸構造６２８は、分離しなくてもかまわないが、一対の凸構造６２８を左右対称にした方が、応力および製造安定性の観点で優れている。
【0059】
保護膜６４４は、少なくとも、複数の凸構造６２８のうち最もメサストライプ構造６２４に近い（第１方向Ｄ１に分離されていない）凸構造６２８の上にある。分離凸構造６５８の上面には保護膜６４４が配置されていない。その他の点には、第４の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0060】
［第６の実施形態の変形例］
図１６は、第６の実施形態の変形例に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。保護膜６４４Ａ，６４４Ｂは、複数の凸構造６２８の全ての上にあり、したがって分離凸構造６５８の上にもある。最もメサストライプ構造６２４に近い保護膜６４４Ａが配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極６３８との重なりを避ける位置にある（図１３参照）。最もメサストライプ構造６２４に近くはない保護膜６４４Ｂが配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極６３８と重なる位置にある（図１３参照）。
図１６は、第６の実施形態の変形例に係るリッジ型半導体光素子の断面図である。保護膜６４４Ａ，６４４Ｂは、複数の凸構造６２８の全ての上にあり、したがって分離凸構造６５８の上にもある。最もメサストライプ構造６２４に近い保護膜６４４Ａが配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極６３８との重なりを避ける位置にある（図１３参照）。最もメサストライプ構造６２４に近くはない保護膜６４４Ｂが配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極６３８と重なる位置にある（図１３参照）。
【0061】
［第７の実施形態］
図１７は、第７の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図１８は、図１７のリッジ型半導体光素子のXVIII－XVIII線断面図である。図１９は、図１７のリッジ型半導体光素子のXIX－XIX線断面図である。
図１７は、第７の実施形態に係るリッジ型半導体光素子の平面図である。図１８は、図１７のリッジ型半導体光素子のXVIII－XVIII線断面図である。図１９は、図１７のリッジ型半導体光素子のXIX－XIX線断面図である。
【0062】
一対の凸構造７２８の少なくとも一方（例えば両方）は、第１方向Ｄ１に分離された第１凸構造７６０および第２凸構造７６２を含む。第１凸構造７６０および基板７１０は、第１方向Ｄ１に沿った一方側の先端同士が揃っている。第２凸構造７６２および基板７１０は、第１方向Ｄ１に沿った他方側の先端同士が揃っている。接続電極７４０は、一対の凸構造７２８を避けて、基板７１０の上にある。そのため、接続電極７４０に大きな段差が形成されず、段切れが生じることがないので、電気的接続性の信頼性に優れている。接続電極７４０を引き出さない側では、凸構造７２８が第１方向Ｄ１に連続していてもかまわない。
【0063】
その他の点には、第４の実施形態で説明した内容を適用可能である。保護膜７４４は、凸構造７２８の上面の一部に配置されているが、全面に配置しても構わない。保護膜７４４が配置される領域は、第１方向Ｄ１にパッド電極７３８との重なりを避ける位置にある。リッジ型半導体光素子は、メサストライプ構造７２４の上端部を避けて下端部を埋め込む埋め込み層７５６を有する。
【0064】
【0065】
保護膜８４４は、一対の凸構造８２８の対応する１つの、溝８２６を向く側面および反対の側面の少なくとも一方（例えば両側面）に至る。このように、保護膜８４４は、凸構造８２８の上面を超えて配置してもよい。保護膜８４４の幅は、第２方向Ｄ２において、凸構造８２８の、溝８２６を向く側面から基板８１０の先端までの長さの１／５以下が好ましい。
【0066】
保護膜８４４は、凸構造８２８に隣接して埋め込み層８５６の上にも形成されている。ただし、保護膜８４４は、電極パターン８３２とは電気的に絶縁されている必要がある。
【0067】
保護膜８４４が凸構造８２８の上面を第２方向Ｄ２に超えることは、他の実施形態に組み合わせても構わない。例えば、第１の実施形態に組み合わせると、保護膜４４は、凸構造２８（パッシベーション膜３０）の側面を覆って溝２６の内面に先端を有する。ただし、保護膜４４は電極パターン３２とは電気的に絶縁される。その他の点には、第４の実施形態で説明した内容を適用可能である。
【0068】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態を説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【0069】
［実施形態の概要］
（１）基板１０と、前記基板１０の上にあって第１方向Ｄ１に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造２４と、前記メサストライプ構造２４の上にあるリッジ電極３４を含む電極パターン３２と、前記基板１０の上で、前記第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に、前記メサストライプ構造２４の両側にある一対の凸構造２８と、前記電極パターン３２から分離され、延性材料からなり、前記一対の凸構造２８のそれぞれの上にある保護膜４４と、を有し、前記保護膜４４および前記一対の凸構造２８の対応する１つは、前記第１方向Ｄ１に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、前記保護膜４４の上面は、前記リッジ電極３４の上面よりも、前記基板１０からの高さにおいて高いリッジ型半導体光素子。
（１）基板１０と、前記基板１０の上にあって第１方向Ｄ１に延び、脆性材料からなるメサストライプ構造２４と、前記メサストライプ構造２４の上にあるリッジ電極３４を含む電極パターン３２と、前記基板１０の上で、前記第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に、前記メサストライプ構造２４の両側にある一対の凸構造２８と、前記電極パターン３２から分離され、延性材料からなり、前記一対の凸構造２８のそれぞれの上にある保護膜４４と、を有し、前記保護膜４４および前記一対の凸構造２８の対応する１つは、前記第１方向Ｄ１に沿った少なくとも一方側の先端同士で揃い、前記保護膜４４の上面は、前記リッジ電極３４の上面よりも、前記基板１０からの高さにおいて高いリッジ型半導体光素子。
【0070】
保護膜４４は、リッジ電極３４の上面よりも基板１０からの高さにおいて高いので、メサストライプ構造２４へのダメージを防ぐことができる。
【0071】
（２）（１）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜４４は、前記第１方向Ｄ１に分離された一対の保護膜４４Ａ，４４Ｂを含み、前記一対の保護膜４４Ａ，４４Ｂの一方および前記一対の凸構造２８の対応する前記１つは、前記第１方向Ｄ１に沿った一方側の先端同士で揃い、前記一対の保護膜４４Ａ，４４Ｂの他方および前記一対の凸構造２８の対応する前記１つは、前記第１方向Ｄ１に沿った他方側の先端同士で揃っているリッジ型半導体光素子。
【0072】
（３）（１）又は（２）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記一対の凸構造２８のそれぞれと前記メサストライプ構造２４は、溝２６によって分離され、前記保護膜の先端および前記溝の内面の上端が揃っているリッジ型半導体光素子。
【0073】
（４）（１）又は（２）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記一対の凸構造２２８のそれぞれと前記メサストライプ構造２２４は、溝２２６によって分離され、前記保護膜２４４の、前記溝２２６を向く先端と、前記一対の凸構造２２８の対応する前記１つの、前記溝２２６を向く先端との間に、前記第２方向Ｄ２に間隔があいているリッジ型半導体光素子。
【0074】
（５）（４）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記間隔は、前記溝２２６の、前記第２方向Ｄ２の幅Ｗよりも狭いリッジ型半導体光素子。
【0075】
（６）（１）又は（２）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記一対の凸構造８２８のそれぞれと前記メサストライプ構造８２４は、溝８２６によって分離され、前記保護膜８４４は、前記一対の凸構造８２８の対応する前記１つの、前記溝８２６を向く側面および反対の側面の少なくとも一方に至るリッジ型半導体光素子。
【0076】
（７）（１）から（５）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜４４は、前記一対の凸構造２８のそれぞれの、前記第２方向Ｄ２に前記メサストライプ構造２４から離れた端部を避けているリッジ型半導体光素子。
【0077】
（８）（１）から（５）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記基板１０と前記一対の凸構造２８のそれぞれは、前記メサストライプ構造２４から離れる方向の先端同士で揃っているリッジ型半導体光素子。
【0078】
（９）（１）から（６）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記一対の凸構造４２８は、前記第２方向Ｄ２で前記基板４１０の両端部を避けているリッジ型半導体光素子。
【0079】
（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記一対の凸構造６２８のそれぞれは、前記第２方向Ｄ２に分離された複数の凸構造６２８を含み、前記保護膜６４４は、少なくとも、前記複数の凸構造６２８のうち最も前記メサストライプ構造６２４に近い凸構造６２８の上にあるリッジ型半導体光素子。
【0080】
（１１）（１０）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記複数の凸構造６２８の少なくとも１つは、前記第１方向Ｄ１に分離されているリッジ型半導体光素子。
【0081】
（１２）（１）から（９）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記一対の凸構造７２８の少なくとも一方は、前記第１方向Ｄ１に分離された第１凸構造７６０および第２凸構造７６２を含むリッジ型半導体光素子。
【0082】
（１３）（１２）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記第１凸構造７６０および前記基板７１０は、前記第１方向Ｄ１に沿った一方側の先端同士が揃い、前記第２凸構造７６２および前記基板７１０は、前記第１方向Ｄ１に沿った他方側の先端同士が揃っているリッジ型半導体光素子。
【0083】
（１４）（１）から（１３）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記電極パターン３２は、パッド電極３８と、前記リッジ電極３４および前記パッド電極３８を接続する接続電極４０と、をさらに含み、前記接続電極４０は、前記リッジ電極３４から前記第２方向Ｄ２に沿って延び、前記パッド電極３８は、前記接続電極４０よりも、前記第１方向Ｄ１の幅において広いリッジ型半導体光素子。
【0084】
（１５）（１４）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記パッド電極３８は、前記一対の凸構造２８の一方の上にあるリッジ型半導体光素子。
【0085】
（１６）（１４）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記パッド電極４３８は、前記一対の凸構造４２８を避けて、前記基板４１０の上にあるリッジ型半導体光素子。
【0086】
（１７）（１４）から（１６）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記接続電極４０の一部は、前記一対の凸構造２８の一方の上にあるリッジ型半導体光素子。
【0087】
（１８）（１４）から（１６）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記接続電極７４０は、前記一対の凸構造７２８を避けて、前記基板７１０の上にあるリッジ型半導体光素子。
【0088】
（１９）（１４）から（１８）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜４４が配置される領域は、前記第１方向Ｄ１に少なくとも前記接続電極４０の一部に重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
【0089】
（２０）（１９）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜４４が配置される前記領域は、前記第１方向Ｄ１に前記パッド電極３８にも重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
【0090】
（２１）（１９）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜４４４が配置される前記領域は、前記第１方向Ｄ１に前記パッド電極４３８との重なりを避ける位置にあるリッジ型半導体光素子。
【0091】
（２２）（２１）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜５４４が配置される前記領域は、前記第２方向Ｄ２に前記パッド電極５３８と重なる位置にあるリッジ型半導体光素子。
【0092】
（２３）（１４）から（２２）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記保護膜４４は、前記第１方向Ｄ１に前記接続電極４０を挟む両側のそれぞれにあるリッジ型半導体光素子。
【0093】
（２４）（１）から（２３）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記リッジ電極３４の下を避けて、前記一対の凸構造２８のそれぞれと前記保護膜４４の間に介在するパッシベーション膜３０をさらに有するリッジ型半導体光素子。
【0094】
（２５）（２４）に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記パッシベーション膜３３０と前記保護膜３４４の間に介在する絶縁膜３４６をさらに有するリッジ型半導体光素子。
【0095】
（２６）（１）から（２５）のいずれか１項に記載されたリッジ型半導体光素子であって、前記メサストライプ構造４２４の上端部を避けて下端部を埋め込む埋め込み層４５６をさらに有するリッジ型半導体光素子。
【符号の説明】
【0096】
１０ 基板、１２ 積層体、１４ 下側ＳＣＨ層、１６ 活性層、１８ 上側ＳＣＨ層、２０ クラッド層、２２ コンタクト層、２４ メサストライプ構造、２６ 溝、２８ 凸構造、３０ パッシベーション膜、３２ 電極パターン、３４ リッジ電極、３６ スルーホール、３８ パッド電極、４０ 接続電極、４２ 裏面電極、４４ 保護膜、４４Ａ 保護膜、４４Ｂ 保護膜、２２４ メサストライプ構造、２２６ 溝、２２８ 凸構造、２３８ パッド電極、２４０ 接続電極、２４４ 保護膜、３２８ 凸構造、３３０ パッシベーション膜、３３４ リッジ電極、３４４ 保護膜、３４６ 絶縁膜、４１０ 基板、４１４ 下側ＳＣＨ層、４１６ 活性層、４１８ 上側ＳＣＨ層、４２０ クラッド層、４２２ コンタクト層、４２４ メサストライプ構造、４２６ 溝、４２８ 凸構造、４３０ パッシベーション膜、４３４ リッジ電極、４３６ スルーホール、４３８ パッド電極、４４０ 接続電極、４４４ 保護膜、４４８ 下メサストライプ構造、４５０ 上メサストライプ構造、４５２ 上凸構造、４５４ 下凸構造、４５６ 埋め込み層、５３８ パッド電極、５４０ 接続電極、５４４ 保護膜、５５２ 上凸構造、６１０ 基板、６２４ メサストライプ構造、６２８ 凸構造、６３８ パッド電極、６４０ 接続電極、６４４ 保護膜、６４４Ａ 保護膜、６４４Ｂ 保護膜、６５２ 上凸構造、６５４ 下凸構造、６５８ 分離凸構造、７１０ 基板、７２４ メサストライプ構造、７２８ 凸構造、７３８ パッド電極、７４０ 接続電極、７４４ 保護膜、７５６ 埋め込み層、７６０ 第１凸構造、７６２ 第２凸構造、８１０ 基板、８２４ メサストライプ構造、８２６ 溝、８２８ 凸構造、８３２ 電極パターン、８４４ 保護膜、８５６ 埋め込み層、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｗ 幅。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】