▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089624
(43)【公開日】2024-07-03
(54)【発明の名称】プリント回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20240626BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240626BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H01L23/12 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023183188
(22)【出願日】2023-10-25
(31)【優先権主張番号】10-2022-0180873
(32)【優先日】2022-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】朴 騎蘭
(72)【発明者】
【氏名】權 ▲ヒョン▼優
(72)【発明者】
【氏名】閔 太泓
(72)【発明者】
【氏名】韓 相鉉
(72)【発明者】
【氏名】林 巨煥
(72)【発明者】
【氏名】宋 堯漢
(72)【発明者】
【氏名】李 東根
(72)【発明者】
【氏名】鄭 敬▲ヨプ▼
(72)【発明者】
【氏名】鄭 恩圭
(72)【発明者】
【氏名】金 裕美
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA32
5E316AA35
5E316AA43
5E316CC04
5E316CC05
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC34
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE31
5E316FF13
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH33
5E316JJ02
5E316JJ03
(57)【要約】
【課題】本発明は、プリント回路基板に関する。
【解決手段】プリント回路基板は第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置されるビアパッドと、前記第１絶縁層の上面に配置され、前記ビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する第２絶縁層と、前記ビアパッドの露出した上面に配置される導体パターンと、前記ビアホールの壁面と前記ビアパッドの露出した上面と前記導体パターンのそれぞれの少なくとも一部を覆う第１金属層、及び前記第１金属層上に配置されて前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層を含むビアと、を含む。
【選択図】図３
【解決手段】プリント回路基板は第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置されるビアパッドと、前記第１絶縁層の上面に配置され、前記ビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する第２絶縁層と、前記ビアパッドの露出した上面に配置される導体パターンと、前記ビアホールの壁面と前記ビアパッドの露出した上面と前記導体パターンのそれぞれの少なくとも一部を覆う第１金属層、及び前記第１金属層上に配置されて前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層を含むビアと、を含む。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に配置されるビアパッドと、
前記第１絶縁層の上面に配置され、前記ビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する第２絶縁層と、
前記ビアパッドの露出した上面に配置される導体パターンと、
前記ビアホールの壁面と前記ビアパッドの露出した上面と前記導体パターンとのそれぞれの少なくとも一部を覆う第１金属層、及び、前記第１金属層上に配置されて前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層を含むビアと、を含むプリント回路基板。
前記第１絶縁層の上面に配置されるビアパッドと、
前記第１絶縁層の上面に配置され、前記ビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する第２絶縁層と、
前記ビアパッドの露出した上面に配置される導体パターンと、
前記ビアホールの壁面と前記ビアパッドの露出した上面と前記導体パターンとのそれぞれの少なくとも一部を覆う第１金属層、及び、前記第１金属層上に配置されて前記ビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層を含むビアと、を含むプリント回路基板。
【請求項2】
前記第１金属層は、無電解めっき層及びスパッタリング層の少なくとも１つを含み、
前記第２金属層は、電解めっき層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第２金属層は、電解めっき層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、それぞれ銅（Ｃｕ）を含み、互いに境界が区分される、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記第１金属層は、前記第２金属層より厚さが薄い、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記第１金属層は、前記ビアホールの壁面と、
前記ビアパッドの露出した上面と、
前記導体パターンの表面と、を一定の厚さで連続して覆い、
前記第２金属層は、前記ビアホールを完全に充填する、請求項４に記載のプリント回路基板。
前記ビアパッドの露出した上面と、
前記導体パターンの表面と、を一定の厚さで連続して覆い、
前記第２金属層は、前記ビアホールを完全に充填する、請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記ビアパッドは、複数の金属層を含み、
前記導体パターンは、１つの金属層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記導体パターンは、１つの金属層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記ビア上に配置されて前記ビアに接続され、少なくとも一部が前記第２絶縁層の上面に延びるビアランドをさらに含み、
前記ビアランドは、前記第１金属層及び前記第２金属層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記ビアランドは、前記第１金属層及び前記第２金属層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記ビアランドの上面は、平坦である、請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記ビアランドは、前記ビアパッドより厚さが薄い、請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記導体パターンは、前記ビアパッドの上面に突出し、
前記導体パターンは、前記ビアパッドの上面の中心部を覆う、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記導体パターンは、前記ビアパッドの上面の中心部を覆う、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記導体パターンは、断面において、上面の角部が丸みを帯びた長方形状を有する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
前記導体パターンは、断面において、中心部が膨らんだ曲面形状を有する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項13】
ビアパッドを含む第１配線層と、前記第１配線層の少なくとも一部を覆って前記ビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する絶縁層と、前記ビアホールの少なくとも一部を充填するビアと、を含む第１基板部と、
前記絶縁層の上面に配置される第２基板部であって、前記ビアパッドより厚さが薄いビアランドを含む第２配線層を含む第２基板部と、を含み、
前記ビアパッド及び前記ビアランドは、前記ビアを介して接続され、
前記ビアパッドの露出した上面には、導体パターンが配置され、
前記ビアは、前記導体パターンの少なくとも一部を覆う、プリント回路基板。
前記絶縁層の上面に配置される第２基板部であって、前記ビアパッドより厚さが薄いビアランドを含む第２配線層を含む第２基板部と、を含み、
前記ビアパッド及び前記ビアランドは、前記ビアを介して接続され、
前記ビアパッドの露出した上面には、導体パターンが配置され、
前記ビアは、前記導体パターンの少なくとも一部を覆う、プリント回路基板。
【請求項14】
前記第２配線層は、前記第１配線層より配線密度が高い、請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項15】
前記第１基板部は、コア絶縁層と、
前記コア絶縁層の上面及び下面にそれぞれ配置される第１コア配線層及び第２コア配線層と、
前記コア絶縁層を貫通して前記第１コア配線層及び前記第２コア配線層を接続する貫通ビア層と、
前記コア絶縁層の上面に配置される複数の第１ビルドアップ絶縁層と、
前記複数の第１ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置される複数の第１ビルドアップ配線層と、
前記複数の第１ビルドアップ絶縁層の少なくとも１つをそれぞれ貫通して前記複数の第１ビルドアップ配線層の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第１接続ビア層と、
前記コア絶縁層の下面に配置される複数の第２ビルドアップ絶縁層と、
前記複数の第２ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置される複数の第２ビルドアップ配線層と、
前記複数の第２ビルドアップ絶縁層の少なくとも１つをそれぞれ貫通して前記複数の第２ビルドアップ配線層の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第２接続ビア層と、を含み、
前記絶縁層は、前記複数の第１ビルドアップ絶縁層の最上側に配置された層であり、
前記第１配線層は、前記複数の第１ビルドアップ配線層の最上側に配置された層であり、
前記ビアは、前記複数の第１接続ビア層のうち最上側に配置された層の一部である、請求項１３に記載のプリント回路基板。
前記コア絶縁層の上面及び下面にそれぞれ配置される第１コア配線層及び第２コア配線層と、
前記コア絶縁層を貫通して前記第１コア配線層及び前記第２コア配線層を接続する貫通ビア層と、
前記コア絶縁層の上面に配置される複数の第１ビルドアップ絶縁層と、
前記複数の第１ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置される複数の第１ビルドアップ配線層と、
前記複数の第１ビルドアップ絶縁層の少なくとも１つをそれぞれ貫通して前記複数の第１ビルドアップ配線層の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第１接続ビア層と、
前記コア絶縁層の下面に配置される複数の第２ビルドアップ絶縁層と、
前記複数の第２ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置される複数の第２ビルドアップ配線層と、
前記複数の第２ビルドアップ絶縁層の少なくとも１つをそれぞれ貫通して前記複数の第２ビルドアップ配線層の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第２接続ビア層と、を含み、
前記絶縁層は、前記複数の第１ビルドアップ絶縁層の最上側に配置された層であり、
前記第１配線層は、前記複数の第１ビルドアップ配線層の最上側に配置された層であり、
前記ビアは、前記複数の第１接続ビア層のうち最上側に配置された層の一部である、請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項16】
前記第２基板部は、前記絶縁層の上面に配置される複数の第３ビルドアップ絶縁層と、
前記複数の第３ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置される複数の第３ビルドアップ配線層と、
前記複数の第３ビルドアップ絶縁層の少なくとも１つをそれぞれ貫通して前記複数の第３ビルドアップ配線層の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第３接続ビア層と、
を含み、
前記第２配線層は、前記複数の第３ビルドアップ配線層の最下側に配置された層である、請求項１３に記載のプリント回路基板。
前記複数の第３ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置される複数の第３ビルドアップ配線層と、
前記複数の第３ビルドアップ絶縁層の少なくとも１つをそれぞれ貫通して前記複数の第３ビルドアップ配線層の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第３接続ビア層と、
を含み、
前記第２配線層は、前記複数の第３ビルドアップ配線層の最下側に配置された層である、請求項１３に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、プリント回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
プリント回路基板の回路形成には、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）やＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いることができる。例えば、第１絶縁材上にＳＡＰやＭＳＡＰを用いてビアパッドを含む回路を形成することができる。また、その上に第２絶縁材を塗布した後、ビアホールを加工し、ビアフィルめっきを施すことにより、層間接続が可能な多層回路を形成することもできる。ただし、そのようなビアフィルめっきを施した場合、めっきのばらつきなどによりディンプル（Ｄｉｍｐｌｅ）が発生することがある。その場合、製品全体の平坦度が低下することがあり、基板の製作歩留まりが低下することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明の様々な目的の１つは、ビアフィルめっき後に発生するディンプルを改善することのできるプリント回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明により提案される様々な解決手段の１つは、ビアホールの加工により露出するビアパッド上に導体パターンを形成した後にビアフィルめっきを施すことである。
【0005】
例えば、一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層の上面に配置されるビアパッドと、第１絶縁層の上面に配置され、ビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する第２絶縁層と、ビアパッドの露出した上面に配置される導体パターンと、ビアホールの壁面とビアパッドの露出した上面と導体パターンとのそれぞれの少なくとも一部を覆う第１金属層、及び、第１金属層上に配置されてビアホールの少なくとも一部を充填する第２金属層を含むビアと、を含むものであってもよい。
【0006】
例えば、一例によるプリント回路基板は、ビアパッドを含む第１配線層と、第１配線層の少なくとも一部を覆ってビアパッドの上面の少なくとも一部を露出させるビアホールを有する絶縁層と、ビアホールの少なくとも一部を充填するビアと、を含む第１基板部と、絶縁層の上面に配置される第２基板部であって、ビアパッドより厚さが薄いビアランドを含む第２配線層を含む第２基板部と、を含み、ビアパッド及びビアランドは、ビアを介して接続され、ビアパッドの露出した上面には、導体パターンが配置され、ビアは、導体パターンの少なくとも一部を覆うものであってもよい。
【発明の効果】
【0007】
本発明の様々な効果の一つとして、ビアフィルめっき後に発生するディンプルを改善することのできるプリント回路基板を提供することが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【図7】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【図8】ビアディンプルを概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本発明について説明する。図面において、要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張又は縮小することがある。
【0010】
電子機器
図１は電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
図１は電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【0011】
図１を参照すると、電子機器１０００は、メインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に接続されている。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0012】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップや、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップや、アナログ／デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどを含むが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよい。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよい。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージの形態であってもよい。
【0013】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＥＶ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びその後に指定された任意の他の無線及び有線プロトコルを含むが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる複数の無線又は有線規格やプロトコルのうちの任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と共に互いに組み合わせてもよい。
【0014】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などを含む。ただし、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために用いられるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよい。
【0015】
電子機器１０００の種類によって、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に接続されてもよく接続されなくてもよい他の電子部品を含んでもよい。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などが挙げられる。ただし、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、コンパス、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類によって様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれてもよい。
【0016】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、パーソナルデジタルアシスタント（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。ただし、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよい。
【0017】
図２は電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【0018】
図２を参照すると、電子機器は、例えばスマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボードが収容されており、そのようなマザーボードには、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に接続されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のように、マザーボードに物理的及び／又は電気的に接続されてもよく接続されなくてもよい他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は、必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように、他の電子機器であってもよい。
【0019】
プリント回路基板
図３はプリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
図３はプリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【0020】
図３を参照すると、一例によるプリント回路基板１００Ａは、第１絶縁層１１１と、第１絶縁層１１１の上面に配置されるビアパッド１２１と、第１絶縁層１１１の上面に配置されてビアパッド１２１の上面の少なくとも一部を露出させるビアホールＨを有する第２絶縁層１１２と、ビアパッド１２１の露出した上面に配置される導体パターン１２２と、ビアホールＨの少なくとも一部を充填するビア１３１と、ビア１３１上に配置およびビア１３１に接続されて少なくとも一部が第２絶縁層１１２の上面に延びるビアランド１２３とを含んでもよい。このように、ビアホールＨ内のビアパッド１２１上に導体パターン１２２を配置して、ビア１３１を形成するためのフィルめっきを施す前にビアホールＨの一部を事前に充填することにより、ディンプルの発生を抑制することができる。よって、製品全体の平坦度を改善することができ、基板の製作歩留まり改善を期待することができる。
【0021】
一方、ビア１３１は、フィルめっきで形成されてもよい。例えば、ビア１３１は、ビアホールＨの壁面とビアパッド１２１の露出した上面と導体パターン１２２のそれぞれの少なくとも一部を覆う第１金属層Ｍ１と、第１金属層Ｍ１上に配置されてビアホールＨの少なくとも一部を充填する第２金属層Ｍ２とを含んでもよい。第１金属層Ｍ１は、シード層であってもよく、例えば無電解めっき層及び／又はスパッタリング層であってもよい。第２金属層Ｍ２は、めっき層であってもよく、例えば電解めっき層であってもよい。第１金属層Ｍ１及び第２金属層Ｍ２は、それぞれ銅（Ｃｕ）を含み、互いに境界が区分され得る。第１金属層Ｍ１は、第２金属層Ｍ２より薄く、ビアホールＨの壁面とビアパッド１２１の露出した上面と導体パターン１２２の表面を実質的に一定の厚さで覆うようにしてもよい。第２金属層Ｍ２は、ビアホールＨを実質的に完全に充填するようにしてもよい。このように、ビア１３１がフィルめっきで形成された場合も、導体パターン１２２によりディンプルの発生を抑制することができる。
【0022】
一方、ビアパッド１２１及び導体パターン１２２は、それぞれ金属物質を含んでもよい。例えば、ビアパッド１２１及び導体パターン１２２は、それぞれめっきで形成されてもよい。例えば、ビアパッド１２１は、無電解めっき及び／又はスパッタリングで形成されるシード層Ｍ３と電解めっきで形成されるめっき層Ｍ４、すなわち複数の金属層を含んでもよく、導体パターン１２２は、電解めっきで形成されるめっき層Ｍ５、すなわち１つの金属層を含んでもよい。このように、ビアパッド１２１及び導体パターン１２２は、ＳＡＰやＭＳＡＰなどで形成されてもよく、よって、比較的簡単かつ低コストで容易に形成することができる。
【0023】
一方、導体パターン１２２は、ビアパッド１２１の上面に突出し、ビアパッド１２１の中心部を覆うようにしてもよい。そのような配置により、ディンプル防止効果がより優れたものとなり得る。
【0024】
一方、導体パターン１２２は、断面上において実質的に四角形状を有してもよい。例えば、断面上において実質的に長方形状を有してもよい。ただし、これに限定されるものではなく、後述するように形態は様々に変更可能である。
【0025】
一方、ビアランド１２３は、ビアパッド１２１より厚さが薄くてもよい。そのような場合であっても、ディンプルが改善されて上面が実質的に平坦であり得る。例えば、大きい直径を有するビアホールＨをフィルめっきで充填すると共にこれに接続される薄い回路を形成した場合、ディンプル現象がより顕著であり得るが、ビアホールＨ内のビアパッド１２１上に導体パターン１２２を配置すると、その場合もディンプルを効果的に改善することができる。
【0026】
一方、ビアランド１２３は、めっきによりビア１３１と一体に形成されてもよく、よって、第１金属層Ｍ１及び第２金属層Ｍ２を含み得る。第１金属層Ｍ１は、第２絶縁層１１２の上面に延びてもよく、第２金属層Ｍ２は、第１金属層Ｍ１上に配置されてもよい。
【0027】
以下、図面を参照して、一例によるプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。
【0028】
第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２は、それぞれ絶縁材料を含んでもよい。絶縁材料は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はこれらの樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ， Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ， ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含んでもよい。絶縁材料は、感光性材料及び／又は非感光性材料であってもよい。例えば、第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２の絶縁材料は、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などであってもよいが、これらに限定されるものではなく、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などであってもよい。必要に応じて、これら以外にも、その他の剛性に優れた高分子素材が用いられてもよい。
【0029】
ビアパッド１２１は、金属物質を含んでもよい。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含んでもよい。ビアパッド１２１は、設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、ビアパッド１２１はグランド用ビアパッド、パワー用ビアパッド、信号用ビアパッドなどを含んでもよい。ここで、信号用ビアパッドは、グランド用ビアパッド、パワー用ビアパッドなどを除く各種信号、例えばデータ信号などの電気的経路を提供するビアパッドを含んでもよい。ビアパッド１２１は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。あるいは、ビアパッド１２１は金属箔（又は銅箔）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。あるいは、ビアパッド１２１は金属箔（又は銅箔）、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。ビアパッド１２１は無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて、両方とも含んでもよい。
【0030】
導体パターン１２２は、金属物質を含んでもよい。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含んでもよい。導体パターン１２２は、ビアホールＨのフィルめっき後にディンプルが発生することを防止することができる。導体パターン１２２は、電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。例えば、導体パターン１２２は別のシード層なしに、ビアパッド１２１上に電解めっきで形成されてもよい。導体パターン１２２は、ビアパッド１２１と境界が区分されてもよいが、これに限定されるものではなく、必要に応じて、境界なく一体化してもよい。
【0031】
ビアランド１２３は、金属物質を含んでもよい。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含んでもよい。ビアランド１２３は、設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、ビアランド１２３はグランド用ビアランド、パワー用ビアランド、信号用ビアランドなどを含んでもよい。ここで、信号用ビアランドは、グランド用ビアランド、パワー用ビアランドなどを除く各種信号、例えばデータ信号などの電気的経路を提供するビアランドを含んでもよい。ビアランド１２３は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。あるいは、ビアランド１２３は金属箔（又は銅箔）、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。ビアランド１２３は無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて、両方とも含んでもよい。ビアランド１２３は、より多層の基板に適用された場合、必要に応じて、ビアパッドとして機能することもできる。
【0032】
ビア１３１は、金属物質を含んでもよい。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含んでもよい。ビア１３１は、設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、ビア１３１はグランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランド、パワーなどを除く各種信号、例えばデータ信号などの電気的接続のためのビアを含んでもよい。ビア１３１は、テーパ形状を有してもよい。例えば、ビア１３１は、断面上においてビアパッド１２１に接続される下側の幅がビアランド１２３に接続される上側の幅より狭いテーパ形状を有してもよい。ビア１３１は、ビアランド１２３と同じめっき工程で共に形成されてもよく、これらは一体化されてもよいが、これに限定されるものではない。ビア１３１は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよい。ビア１３１は無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて、両方とも含んでもよい。
【0033】
【0034】
図４及び図５を参照すると、変形例によるプリント回路基板１００Ｂ、１００Ｃは、一例によるプリント回路基板１００Ａにおいて、導体パターン１２２の形状のみ異なる。例えば、図４のように、導体パターン１２２は、断面上において、上面の角部が垂直ではなく、丸みを帯びた長方形状を有してもよい。あるいは、図５を参照すると、導体パターン１２２は、断面上において、中心部が膨らんだ曲面形状を有してもよい。このように、導体パターン１２２をディンプル防止のため、より効果的な形状に様々に形成することができる。
【0035】
その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおける説明と実質的に同様であり、よって、重複する説明は省略する。
【0036】
【0037】
図６のａを参照すると、第１絶縁層１１１上にビアパッド１２１を形成する。例えば、第１絶縁層１１１上に無電解めっき及び／又はスパッタリングでシード層Ｍ３を形成し、シード層Ｍ３上に第１ドライフィルム１５１を形成し、その後フォトリソグラフィ工法により第１ドライフィルム１５１を露光及び現像して第１開口部を形成し、次いで第１開口部から露出するシード層Ｍ３上に電解めっきでめっき層Ｍ４を形成することにより、ビアパッド１２１を形成することができる。
【0038】
図６のｂを参照すると、ビアパッド１２１上に導体パターン１２２を形成する。例えば、第１ドライフィルム１５１及びビアパッド１２１上に第２ドライフィルム１５２を形成し、その後フォトリソグラフィ工法により第２ドライフィルム１５２を露光及び現像して断面上において第１開口部より狭い幅を有する第２開口部を形成し、次いで第２開口部から露出するビアパッド１２１上に電解めっきでめっき層Ｍ５を形成することにより、導体パターン１２２を形成することができる。
【0039】
図６のｃを参照すると、第１ドライフィルム１５１及び第２ドライフィルム１５２を剥離する。第１ドライフィルム１５１及び第２ドライフィルム１５２の剥離には公知の剥離液を用いることができる。
【0040】
図６のｄを参照すると、第１絶縁層１１１上の残存するシード層Ｍ３を除去する。シード層Ｍ３の除去にはフラッシュエッチングを用いることができる。
【0041】
図６のｅを参照すると、第１絶縁層１１１上に第２絶縁層１１２を積層する。第２絶縁層１１２は、未硬化フィルム状態の絶縁材を積層した後に硬化するか、液状の絶縁材を塗布した後に硬化するなどにより形成することができるが、これらに限定されるものではない。
【0042】
図６のｆを参照すると、第２絶縁層１１２にビアホールＨを加工する。ビアホールＨの加工にはレーザ加工を用いることができるが、これに限定されるものではなく、第２絶縁層１１２の材料によってはフォトリソグラフィ工法を用いることもできる。ビアホールＨは、ビアパッド１２１の上面の少なくとも一部と導体パターン１２２の上面及び側面のそれぞれの少なくとも一部とを露出させることができる。ビアホールＨの加工後にはデスミア及び／又はソフトエッチングを行うことができ、ソフトエッチング過程で導体パターン１２２の少なくとも一部が除去されることにより、上述した変形例による構造を有することもできる。
【0043】
図６のｇを参照すると、第２絶縁層１１２とビアホールＨの壁面とビアパッド１２１の露出した上面と導体パターン１２２上とに第１金属層Ｍ１を形成する。第１金属層Ｍ１は、無電解めっき及び／又はスパッタリングで形成することができる。
【0044】
図６のｈを参照すると、第１金属層Ｍ１上に第２金属層Ｍ２を形成する。例えば、第１金属層Ｍ１上に第３ドライフィルム１５３を形成し、その後フォトリソグラフィ工法により第３ドライフィルム１５３を露光及び現像して第３開口部を形成し、次いで第３開口部から露出する第１金属層Ｍ１上に電解めっきで第２金属層Ｍ２を形成することにより、ビア１３１及びビアランド１２３を形成することができる。ここで、ビアホールＨを充填すると共にビアランド１２３を薄くめっきした場合も、ビアホールＨ内の導体パターン１２２により、ビアランド１２３の上面にディンプルが発生することを効果的に防止することができる。
【0045】
図６のｉを参照すると、第３ドライフィルム１５３を剥離し、第２絶縁層１１２上の残存する第１金属層Ｍ１を除去する。第３ドライフィルム１５３の剥離には公知の剥離液を用いることができる。第１金属層Ｍ１の除去にはフラッシュエッチングを用いることができる。
【0046】
一連の過程により上述した一例によるプリント回路基板１００Ａを製造することができ、その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａにおける説明と実質的に同様であり、よって、重複する説明は省略する。
【0047】
図７はプリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【0048】
図８はビアディンプルを概略的に示す断面図である。
【0049】
図７を参照すると、他の一例によるプリント回路基板６００は、第１基板部３００、第１基板部３００上に配置される第２基板部４００、第２基板部４００上に配置される第１レジスト層５１０、及び／又は第１基板部３００における第２基板部４００が配置された側の反対側の上部に配置される第２レジスト層５２０を含んでもよい。第１基板部３００は、一般的な多層基板であってもよく、第２基板部４００は、第１基板部３００上に形成された微細回路を含むビルドアップ基板であってもよい。ここで、第１基板部３００及び第２基板部４００の境界部における層間接続構造Ａには、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの構造を適用することができる。例えば、層間接続構造Ａに含まれるビアパッドのビアホールから露出する上面には、上述した導体パターンを配置してもよく、ビアは、ビアホールの少なくとも一部を充填すると共に導体パターンの少なくとも一部を覆ってもよい。また、ビアに接続されるビアランドは、ビアパッドより薄い厚さを有してもよい。
【0050】
一方、電子機器の小型化、高性能化に伴う半導体集積度の向上のために、パッケージ側でのシステム集積化が行われている。近年、ハイスペックの製品の場合、シリコンインターポーザを介してプリント回路基板と半導体チップとを接続する技術が開発されているが、製品内の半導体チップのサイズ及び数量が増加するにつれて、シリコンインターポーザにもサイズ及び数量の増加が要求され、これはコスト上昇につながるという問題があった。よって、シリコンインターポーザを用いるのではなく、基板の最外側に微細回路を実現してダイに直接接続する構造が考えられる。例えば、多層コア基板の一側に微細回路を含む多層ビルドアップ基板を形成してもよい。その場合、コア基板とビルドアップ基板との境界部のめっき時に、大きい直径を有するビアホールをフィルめっきで充填すると共に薄い厚さの微細回路を形成することが要求される。ただし、その場合、図８に例示的に示すように、ディンプルが発生することがある。そのようなディンプルが累積すると、最終的に製品の平坦度のばらつきをもたらし、パッケージ基板と半導体チップとの接続過程で未接続及び接合不良が発生することがある。
【0051】
これに対して、他の一例によるプリント回路基板６００は、例えばコアタイプの多層基板である第１基板部３００上に、例えば微細回路を含むコアレスタイプの多層ビルドアップ基板である第２基板部４００を形成して、インターポーザを代替できる構造を有してもよい。そのような場合であっても、第１基板部３００及び第２基板部４００の境界部における層間接続構造Ａに上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのディンプル防止構造を適用することができるので、ディンプルを効果的に改善することができる。これにより、製品全体の平坦度を改善し、パッケージ基板の製作歩留まり及びパッケージングの歩留まりの改善を期待することができる。
【0052】
一方、第２基板部４００に含まれるビルドアップ配線層４２１は、第１基板部３００に含まれるコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４より配線密度が高くてもよい。例えば、第２基板部４００のビルドアップ配線層４２１は、相対的にファインピッチの高密度配線を含んでもよく、第１基板部３００のコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４は、相対的に低密度配線を含んでもよい。例えば、第２基板部４００のビルドアップ配線層４２１は、第１基板部３００のコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４より配線の厚さ、ライン／スペース、ピッチなどが相対的にさらに小さくてもよい。また、第２基板部４００の互いに異なる層に配置されたビルドアップ配線層４２１間の絶縁距離も、第１基板部３００の互いに異なる層に配置されたコア配線層３２１、３２２及び／又はビルドアップ配線層３２３、３２４間の絶縁距離より小さくてもよい。
【0053】
以下、図面を参照して、他の一例によるプリント回路基板６００の構成要素についてより詳細に説明する。
【0054】
第１基板部３００は、コアタイプの多層基板であってもよい。例えば、第１基板部３００は、コア絶縁層３１１と、コア絶縁層３１１の上面及び下面にそれぞれ配置される第１コア配線層３２１及び第２コア配線層３２２と、コア絶縁層３１１を貫通して第１コア配線層３２１及び第２コア配線層３２２を接続する貫通ビア層３３１と、コア絶縁層３１１の上面に配置される複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２と、複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２上又は内にそれぞれ配置される複数の第１ビルドアップ配線層３２３と、複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２の少なくとも１つをそれぞれ貫通し複数の第１ビルドアップ配線層３２３の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第１接続ビア層３３２と、コア絶縁層３１１の下面に配置される複数の第２ビルドアップ絶縁層３１３と、複数の第２ビルドアップ絶縁層３１３上又は内にそれぞれ配置される複数の第２ビルドアップ配線層３２４と、複数の第２ビルドアップ絶縁層３１３の少なくとも１つをそれぞれ貫通し複数の第２ビルドアップ配線層３２４の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第２接続ビア層３３３と、を含んでもよい。
【0055】
コア絶縁層３１１は、絶縁物質を含んでもよい。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はこれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、もしくは無機フィラーと共にガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えばＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）の絶縁材などが用いられてもよいが、これらに限定されるものではない。コア絶縁層３１１は、第１ビルドアップ絶縁層３１２及び第２ビルドアップ絶縁層３１３のそれぞれより厚さがさらに厚くてもよいが、これに限定されるものではない。
【0056】
第１ビルドアップ絶縁層３１２及び第２ビルドアップ絶縁層３１３は、それぞれ絶縁物質を含んでもよい。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はこれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、もしくは無機フィラーと共にガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えばＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などが用いられてもよいが、これらに限定されるものではない。第１ビルドアップ絶縁層３１２及び第２ビルドアップ絶縁層３１３の層数は、特に限定されるものではなく、また、同じ層数を有してもよいが、これに限定されるものではない。
【0057】
第１コア配線層３２１及び第２コア配線層３２２は、それぞれ金属物質を含んでもよい。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などが用いられてもよい。第１コア配線層３２１及び第２コア配線層３２２は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含んでもよい。第１コア配線層３２１及び第２コア配線層３２２は、それぞれ当該層の設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（ｐｌａｎｅ）パターン及び／又はパッド（ｐａｄ）パターンを含んでもよい。
【0058】
第１ビルドアップ配線層３２３及び第２ビルドアップ配線層３２４は、それぞれ金属物質を含んでもよい。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などが用いられてもよい。第１ビルドアップ配線層３２３及び第２ビルドアップ配線層３２４は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。必要に応じて、銅箔をさらに含んでもよい。第１ビルドアップ配線層３２３及び第２ビルドアップ配線層３２４は、それぞれ当該層の設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。これらのパターンは、それぞれラインパターン、プレーンパターン及び／又はパッドパターンを含んでもよい。
【0059】
貫通ビア層３３１は、貫通ビアを含んでもよい。貫通ビアは、貫通ホールの壁面に形成された金属層と、金属層を充填するプラグとを含んでもよい。金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの金属物質を含んでもよい。プラグは、絶縁材質のインクを含んでもよい。金属層は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。貫通ビア層３３１は、設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。
【0060】
第１接続ビア層３３２及び第２接続ビア層３３３は、マイクロビアを含んでもよい。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアは、スタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタッガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）に配置されてもよい。第１接続ビア層３３２及び第２接続ビア層３３３は、それぞれ金属物質を含んでもよく、金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの金属物質を含んでもよい。第１接続ビア層３３２及び第２接続ビア層３３３は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。第１接続ビア層３３２及び第２接続ビア層３３３は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。
【0061】
一方、複数の第１ビルドアップ絶縁層３１２のうち最上側に配置されたビルドアップ絶縁層は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおける第２絶縁層１１２であってもよい。また、複数の第１ビルドアップ配線層３２３のうち最上側に配置されたビルドアップ配線層は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおけるビアパッド１２１を含む配線層であってもよい。さらに、複数の第１接続ビア層３３２のうち最上側に配置された接続ビア層は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおけるビア１３１を含んでもよい。ただし、これに限定されるものではなく、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの層間接続構造は他の層にも適用することができる。
【0062】
第２基板部４００は、微細回路を含むコアレスタイプの多層ビルドアップ基板であってもよい。例えば、第２基板部４００は、複数の第３ビルドアップ絶縁層４１１と、複数の第３ビルドアップ絶縁層４１１上又は内にそれぞれ配置される複数の第３ビルドアップ配線層４２１と、複数の第３ビルドアップ絶縁層４１１の少なくとも１つをそれぞれ貫通し複数の第３ビルドアップ配線層４２１の少なくとも１つにそれぞれ接続される複数の第３接続ビア層４３１とを含んでもよい。
【0063】
第３ビルドアップ絶縁層４１１は、絶縁物質を含んでもよい。絶縁物質としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はこれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、もしくは無機フィラーと共にガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えばＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などが用いられてもよいが、これらに限定されるものではない。第３ビルドアップ絶縁層４１１の層数は、特に限定されるものではない。
【0064】
第３ビルドアップ配線層４２１は、金属物質を含んでもよい。金属物質としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などが用いられてもよい。第３ビルドアップ配線層４２１は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、これに限定されるものではない。第３ビルドアップ配線層４２１は無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。必要に応じて、第３ビルドアップ配線層４２１は銅箔をさらに含んでもよい。第３ビルドアップ配線層４２１は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、第３ビルドアップ配線層４２１はグランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含んでもよい。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含んでもよい。これらのパターンは、それぞれラインパターン、プレーンパターン及び／又はパッドパターンを含んでもよい。
【0065】
第３接続ビア層４３１は、マイクロビアを含んでもよい。マイクロビアは、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｅｄ ＶＩＡ）又はビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）であってもよい。マイクロビアは、スタック型（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタッガード型（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）に配置されてもよい。第３接続ビア層４３１は、金属物質を含んでもよく、金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの金属物質を含んでもよい。第３接続ビア層４３１は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含んでもよいが、これに限定されるものではない。無電解めっき層として、化学銅の代わりにスパッタリング層が形成されてもよい。第３接続ビア層４３１は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を担うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含んでもよい。ここで、信号ビアは、グランドビア、パワービアなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを伝達するためのビアを含んでもよい。
【0066】
一方、複数の第３ビルドアップ配線層４２１のうち最下側に配置されたビルドアップ配線層は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおけるビアランド１２３を含む配線層であってもよい。ただし、これに限定されるものではなく、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの層間接続構造は他の層にも適用することができる。
【0067】
第１レジスト層５１０及び第２レジスト層５２０は、絶縁物質を含んでもよく、絶縁物質としては、液状タイプ又はフィルムタイプの半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）が用いられる。ただし、これに限定されるものではなく、他の種類の材料が用いられてもよい。第１レジスト層５１０は、第２基板部４００の最上側に配置されたビルドアップ配線層の上面に配置される複数の第１外側パッドＰ１のそれぞれの少なくとも一部を露出させる第１開口部を有してもよい。例えば、１つの第１開口部は、複数の第１外側パッドＰ１のそれぞれの少なくとも一部を露出させてもよい。第１開口部から露出する複数の第１外側パッドＰ１上には、それぞれ第１表面処理層が形成されてもよい。第１表面処理層のそれぞれは、第１外側パッドＰ１のそれぞれの上面及び側面を覆ってもよい。第２レジスト層５２０は、第１基板部３００の最下側に配置されたビルドアップ配線層の下面に配置される複数の第２外側パッドＰ２のそれぞれの少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第２開口部を有してもよい。例えば、複数の第２開口部は、それぞれ複数の第２外側パッドＰ２のそれぞれの少なくとも一部を露出させてもよい。第２開口部から露出する複数の第２外側パッドＰ２上には、それぞれ第２表面処理層が形成されてもよい。第２表面処理層のそれぞれは、第２外側パッドＰ２のそれぞれの下面を覆ってもよい。
【0068】
本発明において、「厚さ」、「ライン」、「スペース」、「ピッチ」などは、プリント回路基板の研磨断面又は切断断面を基準として走査型顕微鏡又は光学顕微鏡、例えばＯｌｙｍｐｕｓ社の光学顕微鏡（×１０００）を用いて測定してもよい。これらの数値が一定しない場合は、任意の５地点で測定した値の平均値で比較してもよい。
【0069】
本発明において、「実質的に」の意味は、工程誤差による微細な差異を含む意味であり得る。例えば、「実質的に厚さが同じである」は、厚さが完全に同じである場合のみではなく、工程誤差などにより厚さがほぼ同じである場合を含み得る。また、「実質的に完全に充填する」は、ボイドなどによる微細な空間が存在する場合を含み得る。さらに、「実質的に平坦である」は、微細な厚さの偏差を含み得る。
【0070】
本発明において、「断面上において」とは、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は側面視における対象物の断面形状を意味し得る。また、「平面上において」は、対象物を水平に切断したときの形状、又は上面視もしくは底面視における対象物の平面形状であり得る。
【0071】
本発明において、「下側」、「下部」、「下面」などは、便宜上、図面の断面を基準として有機インターポーザを含む半導体パッケージの実装面を向く方向を意味するものとして用い、「上側」、「上部」、「上面」などは、その逆方向として用いた。ただし、これは、説明の便宜上、方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がそのような方向に関する記載により特に限定されるものではない。
【0072】
本発明において、「接続される」は、直接接続されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に接続されることを含む概念である。また、「電気的に接続される」は、物理的に接続されている場合と接続されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１」、「第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために用いられるものであり、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定するものではない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲で、第１構成要素を第２構成要素と命名してもよく、同様に、第２構成要素を第１構成要素と命名してもよい。
【0073】
本発明において用いられた「一例」という表現は、同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために用いられたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせられて実現されることを排除するものではない。例えば、特定の一例に説明されている事項が他の一例に説明されていないとしても、他の一例にその事項と反対であるか矛盾する説明がない限り、他の一例に関する説明と理解され得る。
【0074】
本発明において用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本発明を限定する意図ではない。ここで、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味でない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0075】
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ プリント回路基板
１１１、１１２ 絶縁層
１２１ ビアパッド
１２２ 導体パターン
１２３ ビアランド
１３１ ビア
１５１、１５２、１５３ ドライフィルム
Ｈ ビアホール
Ｍ１、Ｍ２ 金属層
Ｍ３ シード層
Ｍ４、Ｍ５ めっき層
６００ プリント回路基板
３００、４００ 基板部
３１１ コア絶縁層
３２１、３２２ コア配線層
３３１ 貫通ビア層
３１２、３１３ ビルドアップ絶縁層
３２３、３２４ ビルドアップ配線層
３３２、３３３ 接続ビア層
４１１ ビルドアップ絶縁層
４２１ ビルドアップ配線層
４３１ 接続ビア層
５１０、５２０ レジスト層
Ｐ１、Ｐ２ 外側パッド
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラモジュール
１０６０ アンテナモジュール
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリ
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカ
１１１、１１２ 絶縁層
１２１ ビアパッド
１２２ 導体パターン
１２３ ビアランド
１３１ ビア
１５１、１５２、１５３ ドライフィルム
Ｈ ビアホール
Ｍ１、Ｍ２ 金属層
Ｍ３ シード層
Ｍ４、Ｍ５ めっき層
６００ プリント回路基板
３００、４００ 基板部
３１１ コア絶縁層
３２１、３２２ コア配線層
３３１ 貫通ビア層
３１２、３１３ ビルドアップ絶縁層
３２３、３２４ ビルドアップ配線層
３３２、３３３ 接続ビア層
４１１ ビルドアップ絶縁層
４２１ ビルドアップ配線層
４３１ 接続ビア層
５１０、５２０ レジスト層
Ｐ１、Ｐ２ 外側パッド
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラモジュール
１０６０ アンテナモジュール
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリ
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
