▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089629
(43)【公開日】2024-07-03
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240626BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201N
H01G4/30 201L
H01G4/30 515
H01G4/30 512
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023195095
(22)【出願日】2023-11-16
(31)【優先権主張番号】10-2022-0180177
(32)【優先日】2022-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】姜 成龍
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AD02
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE01
5E082FF05
5E082FG26
5E082GG10
(57)【要約】
【課題】本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む容量形成部と、第１～第６面を含む本体と、上記本体の第３及び第４面にそれぞれ配置される外部電極と、上記本体の第５及び第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部と、を含み、上記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５超過１．０３５未満を満たし、上記容量形成部のＢａ／Ｔｉのモル比より高く、上記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は１．０モル超過２．０モル未満であり、上記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は、０．０１モル以上５．０モル未満であることができる。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む容量形成部と、第１～第６面を含む本体と、上記本体の第３及び第４面にそれぞれ配置される外部電極と、上記本体の第５及び第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部と、を含み、上記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５超過１．０３５未満を満たし、上記容量形成部のＢａ／Ｔｉのモル比より高く、上記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は１．０モル超過２．０モル未満であり、上記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は、０．０１モル以上５．０モル未満であることができる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部と、前記第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面～第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記本体の第３面及び第４面にそれぞれ配置される外部電極と、
前記本体の第５面及び第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５超過１．０３５未満を満たし、前記容量形成部のＢａ／Ｔｉのモル比より高く、
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は、１．０モル超過２．０モル未満であり、
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は、０．０１モル以上５．０モル未満である、積層型電子部品。
前記本体の第３面及び第４面にそれぞれ配置される外部電極と、
前記本体の第５面及び第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５超過１．０３５未満を満たし、前記容量形成部のＢａ／Ｔｉのモル比より高く、
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は、１．０モル超過２．０モル未満であり、
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は、０．０１モル以上５．０モル未満である、積層型電子部品。
【請求項2】
前記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は、１．０２８以上１．０３２以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は、１．３モル以上１．７モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は１．０モル超過である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は、２．５モル以上３．５モル以下である、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記サイドマージン部のうち、前記容量形成部に隣接した領域である界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズは、１６０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズに対するサイズの標準偏差は１００ｎｍ以下である、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズは、前記容量形成部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズより小さい、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記サイドマージン部のうち、前記容量形成部に隣接した領域である界面部の気孔率は、０．０１％超過１．３０％未満である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は、前記容量形成部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数より高い、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は、前記容量形成部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数より高い、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記本体は複数の誘電体層を含み、前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの前記第１方向の平均サイズは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記本体は複数の内部電極を含み、前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの前記第１方向の平均サイズは０．４μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記サイドマージン部の前記第３方向の平均サイズは、それぞれ２０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記積層型電子部品のサイズは１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話等の様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器等、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。
【0004】
一方、積層セラミックキャパシタの小型及び高容量化のためには、電極有効面積の極大化（容量実現に必要な有効体積分率を増加）が求められる。上記のように、小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために、積層セラミックキャパシタを製造する際に、内部電極を本体の幅方向に露出させることにより、マージンのない設計を通じて内部電極の幅方向の面積を極大化し、且つこのような本体を作製した後、焼成前の段階で本体の幅方向の電極露出面にサイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途貼り付けた後に焼結する方法が適用されている。
【0005】
サイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途貼り付ける方法によりサイドマージン部を形成することで、キャパシタの単位体積当たりの容量は向上させることができるが、本体とサイドマージン部の界面を介して外部からの水分浸透やめっき工程中のめっき液の浸透などにより、チップの寿命が短くなったり、不良が発生するなどの問題点が現れることがあり、これを解決するための開発が求められている。
【0006】
より具体的に、サイドマージン部の形成過程で、本体とサイドマージン部が接触する界面に気孔（ｐｏｒｅ）が多く生成され、信頼性が低下することがあり、上記気孔により電界集中が発生し、これにより絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低くなるという問題が発生する可能性がある。また、本体とサイドマージン部との境界に界面接合部が発生することによって、接合力の低下及び上記気孔による焼結緻密度の低下に伴う耐湿信頼性の低下が生じる可能性がある。また、薄層化が進行するにつれて誘電体層内に電界集中現象が発生する可能性、あるいは、チップが高温・高圧に脆弱になる可能性がある。
【0007】
これを防止するためには、高い有効体積を確保しながらも、信頼性を満たす適切な組成の設計が必要である。より具体的に、チップの信頼性を向上させるためには、サイドマージン部の誘電体結晶粒サイズを微粒化し、結晶粒界を強化して耐電圧特性を確保することが重要であり、気孔（ｐｏｒｅ）を介した水分浸透を防止するために、サイドマージン部の緻密度を確保する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】日本公開特許公報第２０１７－０２８０１３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0010】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、高温・高圧に優れた積層型電子部品を提供することである。
【0011】
但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部と、上記第１方向に互いに対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面を含む本体と、上記本体の第３及び第４面にそれぞれ配置される外部電極と、上記本体の第５及び第６面にそれぞれ配置されるサイドマージン部と、を含み、上記サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５超過１．０３５未満を満たし、上記容量形成部のＢａ／Ｔｉのモル比よりも高く、上記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は１．０モル超過２．０モル未満であり、上記サイドマージン部に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は０．０１モル以上５．０モル未満であることができる。
【発明の効果】
【0013】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させることである。
【0014】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の高温・高圧信頼性を向上させることである。
【0015】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。
【図4】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示す。
【図7】試験例のＨＡＬＴ評価グラフである。
【図8】試験例のＨＡＬＴ評価グラフである。
【図9】試験例のＨＡＬＴ評価グラフである。
【図10】試験例の耐湿信頼性評価グラフである。
【図11】試験例の耐湿信頼性評価グラフである。
【図12】試験例の耐湿信頼性評価グラフである。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0018】
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0019】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
【0020】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１の積層型電子部品において外部電極を除いて示す斜視図であり、図３は、図１の積層型電子部品において外部電極及びサイドマージン部を除いて示す斜視図であり、図４は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図５は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図６は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示すものである。
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１の積層型電子部品において外部電極を除いて示す斜視図であり、図３は、図１の積層型電子部品において外部電極及びサイドマージン部を除いて示す斜視図であり、図４は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図５は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図６は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示すものである。
【0021】
以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。
【0022】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃと、上記第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、上記第１～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置される外部電極１３１、１３２と、上記本体１１０の第５及び第６面５、６にそれぞれ配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、上記サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５超過１．０３５未満を満たし、上記容量形成部ＡｃのＢａ／Ｔｉのモル比より高く、上記サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数は１．０モル超過２．０モル未満であり、上記サイドマージン部１１４、１１５に含まれたＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数は０．０１モル以上５．０モル未満であることができる。
【0023】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
【0024】
より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。
【0025】
本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0026】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。
【0027】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0028】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料としては、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0029】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
【0030】
誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。
【0031】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0032】
ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。
【0033】
一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0034】
誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0035】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。
【0036】
内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。
【0037】
より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0038】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。
【0039】
一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0040】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
【0041】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0042】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。
【0043】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0044】
ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0045】
内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0046】
一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0047】
より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0048】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0049】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0050】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。
【0051】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0052】
ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0053】
カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つのカバー部を第２方向に等間隔である３０個の地点で厚さを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は、上部カバー部１１２で指定することができる。また、このような平均値の測定を下部カバー部１１３に拡張して平均値を測定すると、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0054】
一方、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上にはサイドマージン部１１４、１１５が配置されてもよい。
【0055】
より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４、及び第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されることができる。
【0056】
サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0057】
サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。
サイドマージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。
【0058】
第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0059】
一方、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。
【0060】
但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0061】
ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。
【0062】
サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つのサイドマージン部を第１方向に等間隔である３０個の地点で第３方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は、第１サイドマージン部１１４で指定することができる。また、このような平均値の測定を第２サイドマージン部１１５に拡張して平均値を測定すると、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0063】
本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
【0064】
外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。
【0065】
より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0066】
外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。
【0067】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0068】
電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。
【0069】
また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。
【0070】
また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
【0071】
電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。
【0072】
めっき層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を果たす。
【0073】
めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0074】
めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0075】
以下では、本発明の一実施形態についてより詳細に説明する。
【0076】
積層セラミックキャパシタの小型及び高容量化のためには、電極有効面積の極大化（容量実現に必要な有効体積分率の増加）が求められる。上記のように小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために、積層セラミックキャパシタを製造する際に、内部電極を本体の幅方向に露出させることにより、マージンのない設計により内部電極の幅方向の面積を極大化し、且つこのような本体を作製した後、焼成前の段階で本体の幅方向の電極露出面にサイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途貼り付けた後に焼結する方法が適用されている。
【0077】
サイドマージン部用セラミックグリーンシートを別途貼り付ける方法によりサイドマージン部を形成することで、キャパシタの単位体積当たりの容量は向上させることができるが、本体とサイドマージン部の界面を介して外部からの水分浸透やめっき工程中のめっき液の浸透などにより、チップの寿命が短くなったり、不良が発生するなどの問題点が現れることがあり、これを解決するための開発が求められている。
【0078】
より具体的に、サイドマージン部の形成過程で、本体とサイドマージン部が接触する界面に気孔（ｐｏｒｅ）が多く生成され、信頼性が低下することがあり、上記気孔により電界集中が発生し、これにより絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）が低くなるという問題が発生する可能性がある。また、本体とサイドマージン部との境界に界面接合部が発生することによって、接合力の低下及び上記気孔による焼結緻密度の低下に伴う耐湿信頼性の低下が生じる可能性がある。また、薄層化が進行するにつれて誘電体層内に電界集中現象が発生する可能性があり、あるいは、チップが高温・高圧に脆弱になる可能性がある。
【0079】
これを防止するためには、高い有効体積を確保しながらも、信頼性を満たす適切な組成の設計が必要である。より具体的に、チップの信頼性を向上させるためには、サイドマージン部の誘電体結晶粒サイズを微粒化し、結晶粒界を強化して耐電圧特性を確保することが重要であり、気孔（ｐｏｒｅ）を介した水分浸透を防止するために、サイドマージン部の緻密度を確保する必要がある。
【0080】
そこで、本発明の一実施形態では、サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比が１．０２５超過１．０３５未満を満たし、上記容量形成部のＢａ／Ｔｉのモル比よりも高く、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するマグネシウム（Ｍｇ）のモル数は１．０モル超過２．０モル未満であり、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する錫（Ｓｎ）のモル数は０．０１モル以上５．０モル未満であることができる。
【0081】
本発明において、元素の含量を測定する方法は、次のような方法を用いることができる。
【0082】
非破壊工法の場合、ＴＥＭ－ＥＤＳまたはＳＴＥＭ－ＥＤＳ を用いて測定しようとする領域の成分を分析することができる。焼結が完了した積層型電子部品の断面のうち測定しようとする領域で集束イオンビーム（ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。例えば、容量形成部Ａｃの中央部やサイドマージン部の界面部を測定することができる。そして、薄片化された試料をＡｒイオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、その後（Ｓ）ＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージで各成分のマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）と定量分析を行う。この場合、各成分の定量分析グラフは、各元素の質量分率（ｗｔ％）で得られることができるが、これをモル分率（ｍｏｌ％）に換算して表すことができ、各元素間の比率で表すこともできる。
【0083】
また、破壊工法の場合、積層型キャパシタを粉砕して測定しようとする部分を選別し、このように選別された部分を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて誘電体の成分を定性／定量的に分析することができる。
【0084】
サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉ比率を、容量形成部ＡｃのＢａ／Ｔｉ比率より高く制御し、且つ１．０２５モル超過１．０３５未満に調節することにより、サイドマージン部１１４、１１５のうち、容量形成部Ａｃと隣接した領域である界面部に含まれた誘電体結晶粒サイズを微粒化することができる。
【0085】
このとき、サイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比は、１．０２８以上１．０３２以下がより好ましい。
【0086】
サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比を１．０２５超過１．０３５未満、より好ましくは１．０２８以上１．０３２以下に制御することにより、サイドマージン部１１４、１１５の界面部の気孔率を下げて耐湿信頼性を向上させることができる。
【0087】
サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比が１．０２５以下である場合、高温／高圧環境での誘電容量特性に劣るおそれがあり、サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比が１．０３５以上である場合は、耐湿信頼性に劣るおそれがある。
【0088】
容量形成部ＡｃのＢａ／Ｔｉ比率は、容量を形成できる範囲であればよく、例えば、容量形成部ＡｃのＢａ／Ｔｉ比率は１．０２５未満であってもよいが、特にこれに限定されるものではない。
【0089】
界面部についてより具体的に説明すると、第１サイドマージン部１１４のうち、容量形成部Ａｃに隣接した領域を第１界面部と定義することができ、第２サイドマージン部１１５のうち容量形成部Ａｃに隣接した領域を第２界面部と定義することができる。
【0090】
本発明において界面部に対する説明は、第１界面部及び第２界面部に対する説明を含むことができる。
【0091】
このとき、界面部は、本体１１０とサイドマージン部１１４、１１５とが接する界面接合部からサイドマージン部１１４、１１５の外側に５．０μｍ以内の領域を意味することができる。
【0092】
例えば、第１サイドマージン部１１４のうち、容量形成部Ａｃと接する界面から第１サイドマージン部１１４の外側に５．０μｍ以内の領域を第１界面部と定義することができる。このとき、容量形成部Ａｃと第１サイドマージン部１１４とが接する界面は、内部電極１１４、１１５の第３方向の端を意味することができる。
【0093】
また、第２サイドマージン部１１５のうち、容量形成部Ａｃと接する界面から第２サイドマージン部１１５の外側に５．０μｍ以内の領域を第２界面部と定義することができる。このとき、容量形成部Ａｃと第２サイドマージン部１１５とが接する界面は、内部電極１１４、１１５の第３方向の端を意味することができる。
【0094】
言い換えれば、積層型電子部品１００の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、内部電極１２１、１２２の第３方向の端からサイドマージン部１１４、１１５の外側の第２方向に５．０μｍ以内の領域を意味することができる。より具体的に、例えば、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１方向の中間において、サイドマージン部１１４、１１５のうち容量形成部が接する界面を中心線とする５μｍ×５μｍ以内の領域をＳＥＭによってスキャンした領域を意味することができる。
【0095】
一方、サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比は、１．０２５超過１．０３５未満を満たし、容量形成部ＡｃのＢａ／Ｔｉのモル比よりも高く制御することにより、界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズが１６０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下を満たすように制御することが好ましい。
【0096】
ここで、誘電体結晶粒の平均サイズは、誘電体結晶粒の中心点を通る最小直線サイズと最大直線サイズの平均値に該当することができ、誘電体結晶粒の平均サイズは、前述の方法で測定した誘電体結晶粒の平均サイズを平均した値であることができる。
【0097】
界面部は電界集中現象に脆弱であり得るが、このとき、サイドマージン部１１４、１１５のＢａ／Ｔｉのモル比を容量形成部ＡｃのＢａ／Ｔｉのモル比より高く制御することで、界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズを容量形成部Ａｃに含まれた誘電体結晶粒の平均サイズより小さく形成することにより、電界集中現象による絶縁破壊不良などを改善させることができる。
【0098】
界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズが１６０ｎｍ未満である場合、緻密度が低下して耐湿信頼性に劣ることがあり、界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズが１８０ｎｍ超過である場合、電界集中現象により絶縁破壊が発生する可能性がある。
【0099】
このとき、界面部に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズに対するサイズの標準偏差は１００ｎｍ以下であり得る。
【0100】
誘電体結晶粒サイズの標準偏差は、誘電体結晶粒のサイズを測定した値から誘電体結晶粒の平均サイズを引いた値を意味する偏差を二乗し、全て加算して総和を求めた後、上記総和を、測定した誘電体結晶粒の数から１を引いた値で除した値を意味する分散に対して平方根をとって求めたものであり得る。
【0101】
標準偏差は、値の分布の均一度を示し、そのサイズが小さいほど、均一なサイズの結晶粒を有することを意味することができる。
【0102】
誘電体結晶粒のサイズに対する標準偏差の下限は特に限定せず、そのサイズが小さいほど散布が改善されるものであって、好ましいとみなしているが、実質的にこれを制御することは困難であり得るため、下限を５０ｎｍに設定することができる。
【0103】
誘電体結晶粒のサイズに対する標準偏差が１００ｎｍ超過である場合、誘電体結晶粒間のサイズの偏差が大きくなり、電界集中現象による絶縁破壊電圧が発生するおそれがある。
【0104】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれたマグネシウム（Ｍｇ）のモル数をチタン（Ｔｉ）１００モルに対して１．０モル超過２．０モル未満、より好ましくは１．３モル以上１．７モル以下に制御する場合、界面部の誘電体結晶粒に対して低温焼結効果が現れることがあり、これにより気孔率が低下し、緻密度が向上して耐湿信頼性が向上することができる。
【0105】
本発明において、マグネシウム（Ｍｇ）は液相焼結助剤の役割を果たすことができ、誘電体粒子の粒成長を抑制することができ、より具体的には、誘電体結晶粒の結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）にマグネシウム（Ｍｇ）が配置されることにより、結晶粒間の焼結（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）が進行するのを抑制することができる。
【0106】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれたマグネシウム（Ｍｇ）のモル数が１．０モル以下である場合、焼結遅延効果が不十分となるおそれがあり、マグネシウム（Ｍｇ）のモル数が２．０モル以上である場合は、誘電体結晶粒の粒成長を過度に抑制したり、焼結が進行しない可能性がある。
【0107】
このとき、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するマグネシウム（Ｍｇ）のモル数は、容量形成部Ａｃに含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するマグネシウム（Ｍｇ）のモル数より高くてもよい。
【0108】
誘電容量に大きな影響を与えないサイドマージン部１１４、１１５のマグネシウム（Ｍｇ）のモル数を制御することにより、界面部の焼結緻密度を向上させることができ、容量形成部Ａｃの誘電容量を低下させないことができる。
【0109】
一方、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた錫（Ｓｎ）のモル数をチタン（Ｔｉ）１００モルに対して０．０１モル以上５．０モル未満、好ましくは１．０モル超過５．０モル未満、より好ましくは２．５モル以上３．５モル以下に制御する場合、界面部の誘電体結晶粒界の抵抗が向上し、絶縁破壊電圧特性が改善されることができる。
【0110】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する錫（Ｓｎ）のモル数が０．０１モル以上５．０モル未満を満たす場合、誘電体結晶粒界の抵抗が向上でき、電界集中現象による絶縁破壊を抑制することができ、高温・高圧信頼性が向上することができる。
【0111】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれた錫（Ｓｎ）は微量添加されても高温・高圧信頼性が向上することができるが、より好ましくは、２．５モル以上３．５モル以下に制御する場合、積層型電子部品の信頼性により優れることができる。
【0112】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれた錫（Ｓｎ）のモル数が５．０モル以上である場合、高温・高圧信頼性が低下したり、耐湿信頼性又は絶縁破壊電圧に劣るおそれがある。
【0113】
このとき、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する錫（Ｓｎ）のモル数は、容量形成部Ａｃに含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対する錫（Ｓｎ）のモル数より高くてもよい。
【0114】
誘電容量に大きな影響を与えないサイドマージン部１１４、１１５の錫（Ｓｎ）のモル数を制御することにより、界面部の電界集中現象の制御による絶縁破壊電圧を向上させることができ、容量形成部Ａｃの誘電容量を低下させないことができる。
【0115】
一方、誘電体のＢａ／Ｔｉのモル比が高いほど気孔率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）が高くなる傾向があり得る。ここで、形成された気孔（ｐｏｒｅ）は、外部からの水分が浸透する経路となることがあり、これは、耐湿信頼性の低下をもたらし得る。
【0116】
このとき、界面部の気孔率は１．３０％未満であってもよく、下限は特に限定されないが、０．０１％超過であってもよく、界面部の気孔率が１．３０％未満を満たす場合、耐湿信頼性が向上することができる。
【0117】
界面部の気孔率が１．３０％以上である場合、気孔を介した外部からの水分浸透が容易になり、耐湿信頼性が低下することがある。
【0118】
界面部の気孔率は（測定された領域に存在する気孔の面積の総合／測定した総面積）×１００％と定義することができ、以下のような方法で計算することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0119】
例えば、積層型電子部品の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、内部電極の端とサイドマージン部とが接する界面を中心線に置き、５μｍ×５μｍの領域をＳＥＭによってスキャンした画像イメージを得る。ＳＥＭ測定装備の条件は、加速電圧２ｋＶ、試料距離（ＷＤ）３ｍｍ、絞りサイズ（ａｐｅｒｔｕｒｅ ｓｉｚｅ）３０μｍ、倍率１２，０００倍の条件で観察することができる。このとき、界面部領域である内部電極とサイドマージン部の界面からサイドマージン部の外側方向に５μｍの領域のうち、界面部に存在する気孔の面積の総和を界面部の面積で除した百分率値を界面部の気孔率と計算することができる。
【0120】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定されない。
【0121】
但し、本発明の効果は、超小型の積層型電子部品１００においてより優れることができ、例えば、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズにおいて耐湿信頼性、高温・高圧特性などに優れることができる。
【0122】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
【0123】
以下、試験例を挙げて本発明についてさらに詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が試験例によって限定されるものではない。
【0124】
（試験例）
下記表１は、試験例１～試験例９のサイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比、サイドマージン部のＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数、サイドマージン部のＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数、サイドマージン部のうち界面部の誘電体結晶粒の平均サイズ（±の前の数字）と標準偏差（±の後ろの数字）及び界面部の気孔率を示したものである。
下記表１は、試験例１～試験例９のサイドマージン部のＢａ／Ｔｉのモル比、サイドマージン部のＴｉ１００モルに対するＭｇのモル数、サイドマージン部のＴｉ１００モルに対するＳｎのモル数、サイドマージン部のうち界面部の誘電体結晶粒の平均サイズ（±の前の数字）と標準偏差（±の後ろの数字）及び界面部の気孔率を示したものである。
【0125】
サンプルチップのサイズは１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）サイズに該当する。元素測定領域は、積層型電子部品の第２方向の１／２地点で第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、内部電極の第３方向の端と第２サイドマージン部とが接する界面を中心線に置き、５μｍ×５μｍの領域をＳＥＭによってスキャンした画像イメージを得た後、界面部領域である内部電極とサイドマージン部の界面からサイドマージン部の外側方向に５μｍの領域に含まれた誘電体結晶粒の平均サイズ、サイズの標準偏差及び気孔率を測定した。
【0126】
ＳＥＭ測定装備の条件は、加速電圧２ｋＶ、ＷＤ３ｍｍ、開口寸法（ａｐｅｒｔｕｒｅ ｓｉｚｅ）３０μｍ、１２，０００倍率の条件で観察した。
【0127】
図７～図９は、それぞれ試験例１～試験例９の超加速寿命試験ＨＡＬＴ（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）を行ったグラフであり、図１０～図１２は、それぞれ試験例１～試験例９の耐湿信頼性グラフに該当する。
【0128】
より具体的に、図７の（ａ）は試験例１、（ｂ）は試験例２、（ｃ）は試験例３のＨＡＬＴグラフ、図８の（ａ）は試験例４、（ｂ）は試験例５、（ｃ）は試験例６のＨＡＬＴグラフ、図９の（ａ）は試験例７、（ｂ）は試験例８、（ｃ）は試験例９のＨＡＬＴグラフである。
【0129】
図１０の（ａ）は試験例１、（ｂ）は試験例２、（ｃ）は試験例３の耐湿信頼性グラフ、図１１の（ａ）は試験例４、（ｂ）は試験例５、（ｃ）は試験例６の耐湿信頼性グラフ、図１２の（ａ）は試験例７、（ｂ）は試験例８、（ｃ）は試験例９の耐湿信頼性グラフである。
【0130】
【0131】
超加速寿命試験（ＨＡＬＴ）は、３段階に分けて評価を行い、温度条件８５℃、電圧条件６．３Ｖで１時間行った後、温度条件８５℃、電圧条件７．５６Ｖで２時間行ってから、温度条件１０５℃、電圧条件７．５６Ｖで２時間の間行った。各試験例当たりサンプルチップ２００個について評価を行い、絶縁抵抗（ＩＲ）値が１０５Ω以下に低下したり短絡が発生した場合を不良と評価した。
【0132】
【0133】
耐湿信頼性評価は８５℃、相対湿度８５％、電圧６．３Ｖの条件で４８時間の間行った。各試験例当たりサンプルチップ２００個について評価を行い、絶縁抵抗（ＩＲ）値が１０５Ω以下に低下したり短絡が発生した場合を不良と評価した。
【0134】
耐湿信頼性評価の場合、不良と判定されたサンプルチップが１個でもある場合、劣ると表現したが、不良と判定されたサンプルチップが３個を超える場合に、目標とする特性を満たしていないものと見なすことがよい。
【0135】
【表1】
【0136】
試験例１のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０２５であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して０モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１８８ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は９０ｎｍであり、気孔率は１．１１％と測定された。
【0137】
試験例２のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３０であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して０モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７２ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は９６ｎｍであり、気孔率は１．１２％と測定された。
【0138】
試験例１に比べてＢａ／Ｔｉの比率が高くなることによって気孔率が０．１％向上した数値を示しており、耐湿信頼性評価グラフを参照したとき、耐湿信頼性特性に劣っていることが分かる。
【0139】
試験例３のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３５であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して１．０モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７５ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は８８ｎｍであり、気孔率は１．１４％と測定された。
【0140】
Ｍｇが１．０モル添加されることで、試験例２に比べて、耐湿信頼性が改善されたことが確認できるが、不良と評価されたサンプルチップが存在する。
【0141】
試験例４のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３０であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して１．５モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７１ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は９７ｎｍであり、気孔率は１．１１％と測定された。
【0142】
Ｍｇが１．５モル添加されることで、耐湿信頼性評価において不良と判定されたサンプルチップがなく、耐湿信頼性が向上したことが確認できる。
【0143】
試験例５のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３０であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して１．５モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は１．０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７８ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は８８ｎｍであり、気孔率は１．１２％と測定された。
【0144】
Ｍｇが１．５モル添加されることで、耐湿信頼性が向上したことが確認でき、Ｓｎが１．０モル添加されることで、ＨＡＬＴ評価において３段階の過酷条件でのみ不良と判定されたサンプルチップが存在することから、高温特性が向上したことが分かる。
【0145】
試験例６のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３０であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して１．５モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は３．０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７３ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は９１ｎｍであり、気孔率は１．１１％と測定された。
【0146】
Ｍｇが１．５モル添加されることで、耐湿信頼性が向上したことが確認でき、Ｓｎが３．０モル添加されることで、ＨＡＬＴ評価において不良と判定されたサンプルチップが存在せず、これにより高温特性に最も優れることが分かる。
【0147】
試験例７のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３０であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して１．５モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は５．０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７５ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は１０２ｎｍであり、気孔率は１．１２％と測定された。
【0148】
Ｍｇが１．５モル添加されることで、耐湿信頼性評価では、散布はあるものの、優れていると見なすことができる。しかし、Ｓｎが５．０モルと過剰添加されることによりＨＡＬＴ評価では不良と判定されたサンプルチップが多数観察され、誘電体結晶粒のサイズに対する標準偏差も高い方であることを鑑みると、これは添加剤の固溶散布特性が良くないものと予測される。
【0149】
試験例８のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３０であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して２．０モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は３．０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１７８ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は１０２ｎｍであり、気孔率は１．１０％と測定された。
【0150】
Ｍｇが２．０モル添加されることで、耐湿信頼性評価において不良と判定されたサンプルチップが存在することが確認できる。Ｓｎが３．０モル添加されることで、ＨＡＬＴ評価では不良と判定されたサンプルチップが存在せず、これにより高温特性に優れることが分かる。
【0151】
試験例９のサイドマージン部内のＢａ／Ｔｉのモル比は１．０３５であり、サイドマージン部内のＭｇ含量はＴｉ１００モルに対して０モル、サイドマージン部内のＳｎ含量は０モルに該当する。界面部の誘電体結晶粒の平均サイズは１６７ｎｍであり、サイズに対する標準偏差は８３ｎｍであり、気孔率は１．３２％と測定された。
【0152】
Ｂａ／Ｔｉの比率が高くなることで、気孔率が高くなったことが確認でき、Ｍｇ及びＳｎ添加しないことによって耐湿信頼性及びＨＡＬＴ評価が良くないことが確認できる。
【0153】
要するに、Ｂａ／Ｔｉの比率が１．０２５超過１．０３５未満を満たす場合、気孔率が改善され、ＭｇがＴｉ１００モルに対して１．０モル超過２．０モル未満添加される場合、耐湿信頼性に最も優れることが分かり、ＳｎがＴｉ１００ モルに対して５．０モル未満添加する場合、高温特性に優れることが分かる。
【0154】
また、本発明において使用された「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。
【0155】
本発明において使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0156】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
