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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089722
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】パルスオキシメーター用プローブ
(51)【国際特許分類】
   A61B 5/1455 20060101AFI20240627BHJP
【FI】
A61B5/1455
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022205090
(22)【出願日】2022-12-22
(71)【出願人】
【識別番号】000002303
【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000888
【氏名又は名称】弁理士法人山王坂特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】福嶋 宙人
(72)【発明者】
【氏名】伊村 司
【テーマコード(参考)】
4C038
【Fターム(参考)】
4C038KK01
4C038KL05
4C038KL07
4C038KY01
4C038KY07
(57)【要約】
【課題】発光部および受光部が突出しておらず、発光部の温度上昇を抑制することができ、かつ、被検体への装着時に発光部と受光部の位置合わせの必要のないパルスオキシメーター用プローブを提供する。
【解決手段】プローブは、被検体の指に装着される指輪型基材と、指輪型基材の内周面に搭載された可撓性のフィルムと、指輪型基材の指を挟んで対向する位置のフィルムに搭載された、発光素子と受光素子とを有する。指輪型基材は、断面がC字形状であって、可撓性を有する。発光素子および受光素子は、いずれも、ベアチップであり、フィルムの表面に設けられた配線に直接接合されている。発光素子および受光素子の周囲は透明な封止材により封止されている。
【選択図】図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被検体の指に装着される指輪型基材と、
前記指輪型基材の内周面に搭載された可撓性のフィルムと、
前記指輪型基材の前記指を挟んで対向する位置の前記フィルムに搭載された、半導体発光素子と半導体受光素子とを有し、
前記指輪型基材は、周方向の一部が切り欠かれ、断面がC字形状であって、可撓性を有し、
前記半導体発光素子および前記半導体受光素子は、いずれも、半導体層と、前記半導体層に設けられた一対の電極とを備えたベアチップであり、前記半導体発光素子および前記半導体受光素子の前記一対の電極は、前記フィルムの表面に設けられた配線に直接接合され、
前記半導体発光素子および前記半導体受光素子の周囲はそれぞれ、前記半導体発光素子の発する光を透過させる封止材により封止され、
前記半導体発光素子は、前記指に向かって光を出射し、前記半導体受光素子は、前記半導体発光素子から出射され、前記指を通過した光を受光することを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項2】
請求項1に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記半導体受光素子は、前記フィルムの前記指輪型基材側の面に搭載され、
前記フィルムは、少なくとも前記半導体受光素子が搭載されている領域が、前記半導体発光素子の発する光を透過させる特性を有し、前記半導体受光素子は、前記半導体発光素子から出射され、前記指および前記フィルムを透過した光を受光することを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項3】
請求項2に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記半導体受光素子の周囲を封止する封止材の周囲は、光反射性樹脂により覆われていることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項4】
請求項3に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記封止材と前記光反射性樹脂との界面は、一部が傾斜していることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項5】
請求項1に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記半導体受光素子は、前記フィルムの前記指側の面に搭載されていることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項6】
請求項1に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記フィルムの前記半導体発光素子が搭載されている領域、または、前記半導体受光素子が搭載されている領域は、折りたたまれて二重になっていることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項7】
請求項1に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記半導体発光素子および前記半導体受光素子の前記電極は、接合材により、前記フィルム上の前記配線に接合され、
前記接合材は、金属粒子の焼結体であることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項8】
請求項1に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記指輪型基材は、遮光性であることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【請求項9】
請求項1に記載のパルスオキシメーター用プローブであって、前記指輪型基材の表面には、金属膜が配置されていることを特徴とするパルスオキシメーター用プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パルスオキシメーター用の光源部および受光部を備えたプローブに関する。
【背景技術】
【0002】
パルスオキシメーターは、指先等にプローブを装着し、プローブ内の発光部から指先等に光(赤色光と赤外光)を照射し、指先等を透過した光をプローブ内の受光部により受光する。これにより、血液中のヘモグロビンのうち、酸素と結合した酸化ヘモグロビンと結合していない還元ヘモグロビンの存在比を赤色光と赤外光の吸収率の差を利用して測定する。
【0003】
医療現場では、感染症予防のためにディスポタイプのプローブが使用されることが多い。ディスポタイプのプローブは、指を覆う大きさの粘着テープの内側に発光部と受光部が配置されており、指先に粘着テープの粘着面を貼り付けて固定し、使用する。市販のパルスオキシメーター用プローブでは、ガラスエポキシなどの剛性のある回路基板に、予めパッケージングされたLEDを実装したものが発光部として用いられる。受光部にはフォトダイオードが用いられている。これらがそれぞれ粘着テープ上に搭載されている。
【0004】
特許文献1には、LEDが発生する熱が粘着テープの内側にこもり、被検者のプローブ装着部の体温を5~6℃上昇させ、被検者に低温やけどをおこさせる恐れがあるという課題が記載されている。特許文献1では、この課題の解決するために、熱良導性で可撓性の保持材(粘着テープ)を用いるプローブが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特許第3156114号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献1のパルスオキシメーター用プローブは、熱良導性の保持材(粘着テープ)を用いることにより、発光部の熱がこもることを抑制し、発光部が粘着テープから突出する問題は保持材の可撓性で解決しようとしている。しかしながら、ガラスエポキシなどの剛性のある回路基板に予めパッケージングされたLEDを実装した発光部のサイズは、粘着テープの粘着面に対して1.5-3mmの高さで突出する。このため、粘着テープの可撓性で発光部の突出を完全に吸収することは困難である。
【0007】
突出した発光部と受光部が粘着テープで指に押し付けられると、血流が滞り、発光部からの熱を血流によって周囲に逃がすことができにくくなり、指の温度が上昇する。指の圧迫と温度上昇との相互作用により、指の皮膚に発光部や受光部の痕がついたり、かぶれが生じたりしやすくなり、長時間装着すると低温やけどが発生する恐れがある。このため、医療従事者は、成人で約8時間おき、新生児や高齢者や皮膚が弱い患者では8時間より短い間隔で、頻繁にプローブを貼り替えて、低温やけどを回避する必要があり、医療従事者の負担になっている。
【0008】
また、従来のパルスオキシメーター用プローブは、装着の際に、発光部と受光部の光軸を、指を挟んで正確に位置合わせして、粘着テープを指に貼り付ける必要がある。このため、プローブを貼り替えの際の位置合わせの作業も医療従事者の負担となっている。
【0009】
本発明の目的は、発光部および受光部が突出しておらず、発光部の温度上昇を抑制することができ、かつ、被検体への装着時に発光部と受光部の位置合わせの必要のないパルスオキシメーター用プローブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本発明によれば、被検体の指に装着される指輪型基材と、指輪型基材の内周面に搭載された可撓性のフィルムと、指輪型基材の指を挟んで対向する位置のフィルムに搭載された、半導体発光素子と半導体受光素子とを有するパルスオキシメーター用プローブが提供される。指輪型基材は、周方向の一部が切り欠かれ、断面がC字形状であって、可撓性を有する。半導体発光素子および半導体受光素子は、いずれも、半導体層と、半導体層に設けられた一対の電極とを備えたベアチップである。半導体発光素子および半導体受光素子の一対の電極は、フィルムの表面に設けられた配線に直接接合されている。半導体発光素子および半導体受光素子の周囲はそれぞれ、半導体発光素子の発する光を透過させる封止材により封止されている。半導体発光素子は、指に向かって光を出射し、半導体受光素子は、半導体発光素子から出射され、指を通過した光を受光する。
【発明の効果】
【0011】
本発明のパルスオキシメーター用プローブは、発光部および受光部がフィルムから突出しておらず、発光部がベアチップであるため熱伝導性がよく温度上昇を抑制することができ、被検体への装着時に発光部と受光部の光軸の位置合わせが不要である。
【図面の簡単な説明】
【0012】
図1】(a)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの上面図、(b)正面図。
図2】(a)および(b)本発明の実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの断面図。
図3】実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの一製造工程を示す図。
図4】(a)~(c)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの指に装着した場合、指のサイズによって光軸がずれること説明する図。一製造工程を示す図。
図5】(a)および(b)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの指に装着した場合、指のサイズによって光軸がずれること説明する図。
図6】(a)および(b)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの指に装着した場合、指のサイズによって光軸がずれること説明する図。
図7】(a)~(d)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの製造工程を示す説明図。
図8】(a)~(f)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの製造工程を示す説明図。
図9】(a)~(e)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの製造工程を示す説明図。
図10】(a-1)~(d-1)、(a-2)~(d-2)、(a-3)~(c-3)実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの製造工程を示す説明図。
図11】(a)および(b)本発明の実施形態2のパルスオキシメーター用プローブの断面図。
図12】実施形態2パルスオキシメーター用プローブの一製造工程を示す図。
図13】実施形態2のパルスオキシメーター用プローブの一製造工程を示す図。
図14】(a)および(b)変形例1および2のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図15】(a)および(b)変形例3および4のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図16】(a)および(b)変形例5および6のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図17】(a)および(b)本発明の実施形態3のパルスオキシメーター用プローブの断面図。
図18】本発明の実施形態3のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図19】変形例8のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図20】変形例9のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図21】(a)および(b)変形例10および11のプローブの半導体受光素子31の周辺構造と光路を示す断面図。
図22】(a)~(e)変形例11のプローブの半導体受光素子31の周辺構造の製造工程を説明する図。
図23】変形例12のプローブの断面図。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明の一実施形態について図面を用いて以下に説明する。
【0014】
<<<実施形態1>>>
実施形態1のパルスオキシメーター用プローブ1の構造について、図1図3を用いて説明する。
【0015】
図1(a)、(b)は、実施形態1のパルスオキシメーター用プローブ1の上面図および正面図である。ただし、図1において、プローブ1は断面図ではないが明確にするためにハッチングを付してある。図2(a),(b)は、プローブ1のA-A断面図およびB-B断面図である。図3は、製造時の一工程を説明する図である。
【0016】
図1(a),(b)のように、プローブ1は、被検体2の指に装着されて使用される。
【0017】
図2(a),(b)のように、プローブ1は、指輪型の基材70と、指輪型基材70の内周面に固定された可撓性のフィルム10とを備えて構成される。指輪型基材70は、周方向の一部が切り欠かれ、断面がC字形状であって、可撓性を有している。
【0018】
指輪型基材70の指を挟んで対向する位置のフィルム10には、一方に半導体発光素子21a、21bが、他方に半導体受光素子31が搭載されている。
【0019】
半導体発光素子21aの発光波長は、赤色光であり、半導体発光素子21bの発光波長は、赤外光である。半導体発光素子21a、21bは、被検体2の指に向かって光を出射し、半導体受光素子31は、半導体発光素子から出射され、被検体2の指を通過した光を受光する。
【0020】
これにより、プローブ1に接続されたパルスオキシメータは、被検体2の指の赤色光の透過光強度と、赤外光の透過光強度と比等を算出し、被検体2の指の動脈血のヘモグロビンの何%が酸素と結合しているかを示す動脈血酸素飽和度(SpO2)を算出することができる。
【0021】
ここで、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31は、いずれも、半導体層と、半導体層に設けられた一対の電極とを備えたベアチップである。半導体発光素子21a,21bのベアチップのサイズは、300μm角で厚さ200μm程度であり、半導体受光素子31のベアチップのサイズは、3mm各で厚さ200μm程度であり、いずれも小さい。
【0022】
半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31としてベアチップを用いることにより、高さ(厚さ)を200μm程度以下にすることができる。よって、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31は、被検体2の皮膚を圧迫しない。
【0023】
ベアチップの半導体発光素子21a,21bは、フィルム10の被検体2の指側の面に搭載されている。半導体発光素子21a,21bの発光面は、フィルム10とは逆側、すなわち被検体2の指側の面である。
【0024】
一方、半導体受光素子31は、フィルム10の指輪型基材70側の面に搭載されている。半導体受光素子31の受光面は、フィルム10側の面である。
【0025】
このように、半導体発光素子21a,21bよりもベアチップのサイズが大きい半導体受光素子31を、フィルム10の被検体2の指とは反対側の面に搭載したことにより、半導体受光素子31が被検体2の皮膚の圧迫をさらに防止することができる。
【0026】
また、ベアチップのサイズが小さい半導体発光素子21a,21bは、フィルム10の被検体2の指側の面に搭載したことにより、半導体発光素子21a,21bから発せられた光は、フィルム10を通過して減衰することなく、指に向かって照射することができる。
【0027】
なお、フィルム10は、少なくとも半導体受光素子31が搭載されている領域が、半導体発光素子21a,21bの発する光を透過させる特性を有している。これにより、半導体受光素子31は、半導体発光素子から出射され、指およびフィルム10を透過した光を受光する。
【0028】
フィルム10の半導体発光素子21a,21bが搭載されている領域、または、半導体受光素子31が搭載されている領域は、折りたたまれて二重になっていてもよい。これにより、製造時に、フィルム10の同じ側の面に、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31とを形成していても、フィルム10を折りたたむことにより、半導体発光素子21a,21bは、フィルム10の被検体2の指側の面に搭載し、半導体受光素子31をフィルム10の指輪型基材70側の面に搭載することができる。これにより、製造工程を簡素化することができる。
【0029】
実施形態1では、図2(a),(b)のように、半導体発光素子21a,21bが搭載されている領域のフィルム10が、折りたたまれて二重になっている。
【0030】
半導体発光素子21a,21bの一対の電極は、フィルム10の表面に設けられた配線11aに直接接合されている。半導体受光素子31の一対の電極は、フィルム10の表面に設けられた配線11bに直接接合されている。
【0031】
ベアチップの半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31の電極を、フィルム10の配線11aまたは11b上に接合する接合材は、金属粒子の焼結体を用いることが好ましい。金属粒子の焼結体を用いることにより、可撓性のフィルム10にダメージを与えない温度で焼結することが可能である。
【0032】
また、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31の周囲はそれぞれ、半導体発光素子の発する光を透過する透明な封止材22により封止されている。
【0033】
半導体発光素子21a,21bを封止する封止材22の側面は、光反射性樹脂33により覆われている。
【0034】
半導体受光素子31を封止する封止材22の周囲は、光反射性樹脂33により覆われている。すなわち、封止材22がフィルム10に接する面以外の面(側面、および、基材70側の面)が光反射性樹脂33により覆われている。
【0035】
これにより、半導体発光素子21a,21bから発せられた光のうち側面方向に進んだ光を、光反射性樹脂23により反射して、被検体2に向かわせることができるため、被検体2に照射される光量を増加させることができる。
【0036】
また、被検体2を通過して、半導体受光素子31に向かった光のうち、半導体受光素子31の受光面に直接入射しなかった光を、図5および図6のように透明な封止材32の周囲の光反射性樹脂33により反射してフィルム10側に戻し、フィルム10と空気の界面で反射して、半導体受光素子31の受光面に入射させることができるため、受光効率を向上させることができる。
【0037】
このため、透明な封止材32とフィルム10は、屈折率が一致しているか、またはフィルム10の屈折率の方が封止材32よりも屈折率が大きい方が望ましい。光反射性樹脂33により反射された光を、透明な封止材32からフィルム10に入射させ、フィルム10と空気との界面によって反射してこれにより、半導体受光素子31の受光面に入射させることができる。
【0038】
封止材と光反射性樹脂との界面は、フィルム10の主平面に対して一部を傾斜した形状に形成してもよい。これにより、光の向きを制御して、半導体受光素子31の受光面に入射させることが可能になるため、半導体受光素子31の受光効率をさらに向上させることができる。
【0039】
なお、本実施形態のリング状のプローブにおいて、配線11aには、半導体発光素子21a,21bに給電を行うための給電用配線50aが接続されている。配線11bには、半導体受光素子31の出力信号を取り出すだめの信号取り出し用配線50bが接続されている。給電用配線50aおよび信号取り出し用配線50bは、一部が平行にフィルム10上に設けられている。給電用配線50aおよび信号取り出し用配線50bをまとめて給電・信号取り出し用配線50と呼ぶ。給電・信号取り出し用配線50の先端には、接続端子60が取り付けられている。
【0040】
上述したように、実施形態1のプローブ1では、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31としてベアチップを用いることにより、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31が、被検体2の皮膚を圧迫しないように構成されている。
【0041】
また、ベアチップの半導体発光素子21a、21bは、発生する熱を直接配線11aに熱伝導させ、配線11aおよび配線50に沿って熱をさらに伝導させながら放熱することができる。すなわち、ベアチップの半導体発光素子21a、21bは、配線11aと半導体発光素子21a、21bとの間に、パッケージ基板やキャビティ等がないため、熱伝導のボトルネックとなる部材や、蓄熱し得る部材がない。よって、パッケージされたLEDと比較して、熱引き特性に優れ、配線11aから効率よく放熱することができる。これにより、半導体発光素子21a、21bの温度上昇を抑制することができる。
【0042】
また、フィルム10がC字形状の指輪型であるため、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31とを、被検体2が配置される空間を挟んで、対向させた位置に予め搭載することができる。よって、被検体2に本実施形態のプローブ1を被検体2の指に嵌めるだけで装着が完了し、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31の位置合わせをする必要がない。これにより、医療従事者の負担を軽減することができる。
【0043】
また、半導体発光素子21a、21bを封止する封止材22の側面を光反射性樹脂23で覆い、半導体受光素子31を封止する封止材32の周囲を光反射性樹脂33で覆ったことにより、半導体受光素子31の受光効率を向上させることができる。
【0044】
なお、指輪型基材70は、遮光性であることが望ましい。これにより、発光部20の光反射性樹脂33の側面から漏れ出た光が、指輪型基材70を伝搬して、受光部30に到達することを防ぐことができる。
【0045】
透明封止材22、32、光反射性樹脂23,33、および、指輪型基材70は、いずれも弾性のある材料により構成されていることが望ましい。
【0046】
また、半導体発光素子21a,21bの周囲の透明封止材22および光反射性樹脂23と、フィルム10との段差を滑らかに埋めるように、保護用封止材101を配置することが望ましい。保護用封止材101を配置することにより、パルスオキシメーター用プローブ1の内周面をさらに滑らかに成形にすることができる。ただし、半導体発光素子21a,21bの周囲の透明封止材22の表面(光出射面)には、保護用封止材101が付着しないようにする。保護用封止材101は、遮光性を有することが望ましく、例えば、遮光性を有するシリコーン樹脂により形成することができる。遮光性の保護用封止材101を用いることにより、半導体発光素子21a,21bの発光した光のうち光反射性樹脂23の側面から漏れ出た光が、保護用封止材101を伝搬して、半導体受光素子31に到達することを防ぐことができる。
【0047】
透明封止材22、32、光反射性樹脂23,33、および、保護用封止材101は、弾性のある材料で形成してもよい。光反射性樹脂23,33と保護用封止材101は、それぞれ光反射性および遮光性のある同材料で構成することができる。
【0048】
<<プローブ1の使用時>>
プローブ1を使用する際には、被検体2の指に指輪型のプローブ1を嵌め、端子60をパルスオキシメーター装置に接続し、給電・信号取り出し用配線50および配線11aまたは11bを介して、半導体発光素子21a,21bに給電する。半導体発光素子21a,21bから出射された赤色光と赤外光は、指を通過し、半導体受光素子31によって受光される。半導体受光素子31の出力は、配線11bおよび給電・信号取り出し用配線50を介してパルスオキシメーターに入力される。パルスオキシメーターは、半導体受光素子31の出力から、赤色光と赤外光の強度比等から血中のヘモグロビンのうち酸化ヘモグロビンの比率(SpO)を算出して表示する。
【0049】
このとき、可撓性のある指輪型基材70は、C字形状であるため、C字形状の切り欠かれている部分を狭める方向に縮む内部応力が生じる。図4(b)に示したように、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31が対向する位置を設計した際に想定した標準サイズの指と同じサイズの被検体2の指に指輪型のプローブ1を装着した場合、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31が向かい合う。しかしながら、標準サイズの指より、被検体2の指のサイズが小さい場合(図4(a))と指のサイズが大きい場合(図4(c))の場合、半導体発光素子21a,21bの光軸が、半導体受光素子31の光軸に対して傾き、半導体受光素子31の受光面に直接入射する光量が、図4(b)の場合よりも低減する。
【0050】
しかしながら、本実施形態1では、図5(a)のように半導体受光素子31は、フィルム10の間に透明な封止材32が挟まれた状態で、配線11bに接合されている。このため、図5(b)のように、指サイズが標準より大きい場合、半導体発光素子21a,21bの光軸が半導体受光素子31の光軸に対して傾き、半導体受光素子31の受光面へ直接入射する光が減っても、光反射性樹脂33で拡散反射した光が透明フィルムに入射して、透明フィルムと空気の界面で全反射して、半導体受光素子31の受光面に向かう。半導体受光素子31とフィルム10の間に透明な封止材32が形成されているが、半導体受光素子31の電極パッドが接続される配線11bの厚みを高く形成する(もしくは、半導体受光素子31の電極パッドの厚みのみ高く形成する)ことにより、透明フィルム10裏面と半導体受光素子31と間の封止材32の距離(厚み)を増やすことができる。結果的に、透明フィルム10の表面から半導体受光素子31との距離を確保できる。すなわち、配線11bおよび/または電極パッドの厚みは、透明フィルム10表面と半導体受光素子31と間の封止材の距離(厚み)を調整する厚み調整部となる。これにより、全反射光は、半導体受光素子31の中央寄りにむかうため、確実に受信することが可能になる。指サイズが標準サイズより大きく、半導体受光素子31の受光面に入射する直射光が減っても、全反射光で補えるため、受光量の低減を抑えつつ、精度のよい検知が可能になる。
【0051】
また、半導体受光素子31として、受光面が、半導体発光素子21a,21bの発光面より大きいものを用いたことにより、全反射光の取り込み効率を向上させている。
【0052】
また、本実施形態では、2つの半導体発光素子21a,21bを用いており、指サイズが標準(図6(a))より大きい場合、2つの半導体発光素子21a,21bの光軸が、半導体受光素子31の光軸に対して傾く(図6(b))。C字形状の基材70の奥側に位置する半導体発光素子21bから発せられた光は、図6(b)のように半導体受光素子31に直接入射する割合が多く、受光される光度が低下しにくい。一方、C字形状の基材70の切り欠き側に位置する半導体発光素子21aから発せられた光は、半導体受光素子31の受光面から外れる割合が多い。しかしながら、受光面から外れた光は、光反射性樹脂33(白樹脂)で散乱し、封止材32を通過して透明なフィルム10に入射し、透明なフィルム10と空気との界面で全反射し、半導体受光素子31の受光面に入射するができる。これにより、受光量の低減を補うことができる。
【0053】
透明なフィルム10は薄いため、フィルム10で全反射した光が、半導体受光素子31まで届くように、半導体受光素子31と透明フィルムの間に透明な封止材32が形成され、半導体受光素子31まで届くように高さを確保している。
【0054】
<<製造方法>>
実施形態1のパルスオキシメーター用プローブの製造方法について、図7図11を用いて説明する。
【0055】
(配線11a,11b付きフィルム10の作製工程)
図7(a)のように、銅箔11(例えば厚み12μm)上に、未硬化の透明ポリイミド層100をダイコーターを用いて一定の厚み(例えば70μm)で塗工する。
【0056】
図7(b)のように、未硬化のポリイミド層100つき銅箔11をホットプレート等を用いて所定の温度および時間(例えば100℃、10min)で加熱して、仮乾燥を実施する。このとき、ホットプレートに穴を設けておき、ポリイミド層100付き銅箔11をホットプレートに吸着しながら加熱してもよい。また、必要に応じて、ポリイミド層100付き銅箔11の上から枠を載せて押下してもよい。
【0057】
図7(c)のように、オーブンを用い、窒素雰囲気下で、ポリイミド層100付き銅箔11を所定温度で所定時間(例えば、260℃、60min)加熱し、本乾燥を実施する。これにより、銅箔11が一体化された透明なフィルム10(透明ポリイミド:厚み35μm)を形成する(図7(d))。
【0058】
次に、図7(d)のフィルム10上の銅箔をエッチングにより加工し、半導体発光素子21a、21bを搭載する配線11aのパターン、半導体受光素子31を搭載する配線11bのパターン、給電・信号取り出し用配線50のパターンの形状にする。加工後の銅箔表面に無電解めっきにより金めっき層を形成する。具体的には、図3に示した配線パターンに形成する。いずれの配線11a、11b、50も、フィルム10上の同じ面の銅箔を加工して形成する。
【0059】
(半導体発光素子21a、21bの実装工程)
フィルム10上の配線11aの上に、半導体発光素子21a、21bを実装する。半導体発光素子21a、21bは、電極が同一面側にあり、電極とは反対側の面から出射するフリップチップタイプのものを使用する。
【0060】
具体的には、図8(a)のように、平均粒径30nmの金粒子を溶媒(グリセリン)に82wt%の濃度で分散させたAuインク80を用意し、配線11aの半導体発光素子21a、21bを実装する部分にディスペンサーで塗布する。このとき、フィルム10は、シリコン基板に搭載し、さらにガラス基板に搭載しておくことが好ましい。
【0061】
つぎに、図8(b)のように、ホットプレート上で所定の温度および時間(例えば、50℃、45-60分)加熱し、Auインク80を乾燥させる。
【0062】
図8(c)のように、光ボンディング装置81に、フィルム10をセッティングし、図8(d)のように、Auインク80の上に半導体発光素子21a,21bの電極を搭載し、荷重コレット82で、半導体発光素子21a,21bを配線11aに所定の圧力で押しつける。
【0063】
図8(e)のように、フィルム10の下面から所定のビーム径の青色レーザー光を、配線11aのAuインク80が搭載された領域に対して照射する。配線11aのうち青色レーザー光が照射された領域は、青色レーザー光を吸収し加熱され、この熱がAuインク80に伝導し、Auインク80を加熱する。Auインク80の金粒子は、平均粒径が30nmと小さいため、Auの融点よりも低い温度で焼結されて焼結体となり、配線11aと半導体発光素子21a,21bの電極とを接合する接合材83が形成される。
【0064】
このとき、フィルム10は、透明であるため、青色レーザー光を吸収せず、直接的には加熱されない。青色レーザー光で加熱された配線11aの熱は、青色レーザー光が照射されていない配線11aの領域に熱伝導し、急速に放熱される。よって、半導体発光素子21a,21bや樹脂製のフィルム10にダメージを与えることなく、光ボンディングにより、金粒子焼結体の接合材83により半導体発光素子21a,21bを配線11aに実装することができる。
【0065】
(半導体受光素子31の実装工程)
半導体受光素子31は、一対の電極が同一面側にあるフリップチップタイプのフォトダイオードであり、一対の電極間に受光面がある物を用いる。
【0066】
半導体受光素子31は、フィルム10の配線11b上に実装する。実装方法は、図8(a)~(f)と同様の光ボンディング法によって実装してもよいし、半導体発光素子21a,21bに比べて半導体受光素子31は、サイズが大きいので、はんだで接合してもよい。
【0067】
(封止および組み立て工程)
図9(a)のように、半導体発光素子21a,21bが実装された配線11aと、半導体受光素子31が実装された配線11bと、これらに接続された給電・信号取り出し用配線50が形成されたフィルム10を図3および図9(a)の形状に切り出す。
【0068】
シリコーン樹脂に酸化チタンもしくは酸化亜鉛もしくは酸化アルミニウムを分散させた未硬化の白色樹脂を用意し、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31(図10(a-1)~(a-3))から所定の距離だけ離れた位置に、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31をそれぞれ囲む枠状に塗布し、未硬化の光反射性樹脂23、33を形成する(図9(b)、図10(b-1)~(b-3))。枠状の光反射性樹脂23,33の高さは、半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31の高さよりも高い予め設計した高さとなるように形成する。
【0069】
図9(c)、図10(c-1)~(c-3)のように、形成した枠状の光反射性樹脂23、33の中に、透明なシリコーン樹脂を注入し、半導体受光素子31および半導体発光素子21a,21bの周囲を封止する未硬化の透明封止材22、32を形成する。その後、予め定めた温度および時間(例えば、150℃、4h)でフィルム10を加熱し、光反射性樹脂23,33および透明封止材22,32を硬化もしくは仮硬化させる。これにより、光軸方向の厚みが30μmの透明封止材22,32を形成した。
【0070】
図10(d-1)、(d-2)のように、半導体受光素子31を封止する透明封止材32の上に、さらに未硬化の白色樹脂で覆い、予め定めた温度および時間で加熱し、透明封止材32の周囲を覆う光反射性樹脂33を形成する。
【0071】
図9(d)のように、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31が実装されたフィルム10の所定の山折りする領域にシリコーン樹脂もしくはポリイミドワニスを塗布することにより接着層12を形成する。
【0072】
フィルム10を山折りすることにより、半導体発光素子21a,21bと半導体受光素子31の向きを図2(a)、(b)に示した向きにする。これにより、フィルム10は、半導体発光素子21a,21bを搭載した領域で二重になる。
【0073】
C字形状の指輪型基材70を遮光性顔料を含むアクリル等の可撓性の樹脂により予め作製しておく。図9(d)の形状のフィルムを、C字形状の指輪型基材70の内周面に接着剤により接着する(図9(e))。
【0074】
さらに、半導体発光素子21a,21bの周囲の透明封止材22および光反射性樹脂23と、フィルム10との段差を滑らかに埋めるように、保護用封止材101を塗布して硬化させる。これにより、パルスオキシメーター用プローブ1の内周面を滑らかな成形にする。保護用封止材101は、金型を用いて光反射性樹脂23とフィルム10との段差を埋めるように充填して硬化させてもよい。いずれの場合も、半導体発光素子21a,21bの周囲の透明封止材22の表面(光出射面)には、保護用封止材101が付着しないようにする。
【0075】
透明封止材22、32、光反射性樹脂23,33、および、保護用封止材101は、弾性のある材料で形成してもよい。光反射性樹脂23,33と保護用封止材101は、それぞれ光反射性および遮光性のある同材料で構成することができる。
【0076】
なお、図9(e)においては、目で見て構造を理解できるようにするために、微小な半導体発光素子21a,21bおよび半導体受光素子31のサイズを実際のサイズよりも大きく描いている。
【0077】
最後に、リング状のフィルム10から引き出されている給電・信号取り出し用配線50の先端に接続端子60を接続する。
【0078】
以上により、実施形態1のパルスオキシメーター用プローブ1が完成する。
【0079】
なお、上記製造方法では、C字形状の指輪型基材70を予め作製しておいたが、金型に図9(d)の形状のフィルムを配置した後、樹脂を金型内に流し込んで指輪型基材70を成形してもよい。
【0080】
具体的には、C字形状のリング形状の凹部が形成された金型に沿って図9(d)の形状のフィルム10をセットする。このとき、給電・信号取り出し用配線50およびそれが搭載されたフィルム10の部分は、金型から引き出されるようにセットする。遮光性を有するシリコーン樹脂等をフィルム10の周囲に充填する。このとき、発光部20および受光部30の内周面には、遮光性の指輪型基材70が付着しないように金型が形成されている。
【0081】
金型内の指輪型基材70を、所定の温度および時間(例えば、150℃、4h)で加圧しながら硬化させる。これにより、内周面に図9(d)のフィルム10が固着された遮光性の指輪型基材70を形成し、金型から取り出すことにより図9(e)の構造のプローブ1を製造することができる。
【0082】
<<<実施形態2>>>
実施形態2のパルスオキシメーター用プローブ1について、図11図13を用いて説明する。
【0083】
図11(a),(b)は、プローブ1のA-A断面図およびB-B断面図である。図12および図13は、製造時の工程を説明する図である。
【0084】
図12(a)、(b)のプローブは、実施形態1の図2のプローブとほぼ同様の構成であるが、フィルム10が半導体受光素子31を搭載している領域で二重になっている点で実施形態1とは異なる。また、半導体受光素子31、透明な封止材32および光反射性樹脂33は、二重になったフィルム10の間に配置され、二重になったフィルム10のうち被検体2の指側に位置するフィルム10の配線11bに電極が接合されている。
【0085】
実施形態2のプローブの製造方法は、実施形態1のプローブ1の製造方法と同様であるが、実施形態1の図9(a)の工程において、フィルム10を切り出す際に図12に示した形状に切り出し、点線121の位置で谷折りにすることにより図13の形状にし、半導体受光素子31の受光面の向きを反転させている。
【0086】
実施形態2のプローブにおいて、上述した以外の構成および上述した以外の製造工程は、実施形態1と同様であるので説明を省略する。また、実施形態2のプローブの各部の動作も実施形態1のプローブと同様である。
【0087】
<<<変形例1>>>
実施形態1および2のパルスオキシメーター用プローブにおいて、半導体受光素子31の周囲の封止する透明な封止材32と、その周囲を覆う光反射性樹脂33の界面形状の変形例について説明する。
【0088】
図14(a)に示した変形例1は、封止材32は、直方体形状であり、その周囲を一様な厚さの光反射性樹脂33が覆っている。半導体受光素子31の上面の受光面に、光反射性樹脂33が散乱反射した光が到達しやすくなるように、封止材32とフィルム10の屈折率を一致させている。フィルム10に入射した散乱反射光のうち、フィルム10と空気との界面で全反射した光が、半導体受光素子31の上面の受光面に入射するように、フィルム10の屈折率および厚さが設計されている。
【0089】
<<<変形例2>>>
図14(b)に示した変形例2は、透明な封止材32と光反射性樹脂33との界面の、C字形状の基材70の切り欠かれた側の側面から底面にかけて、傾斜面141を設けた例である。
【0090】
図5(b)および図6(b)のように、指のサイズが標準より大きい場合、半導体発光素子21aの光が到達する範囲が、C字形状の基材70の切り欠かれた部分側にずれる。よって、ずれた光が照射される部分を傾斜面141にしたことにより、傾斜面における反射光が、フィルム10と空気の界面に全反射角に近い角度で到達でき、半導体受光素子31の受光面に入射しやすくなる。
【0091】
<<<変形例3>>>
図15(a)に示した変形例3は、変形例2の傾斜面141に加えて、逆側の側面から底面に掛けても、傾斜面151を設けた例である。
【0092】
これにより、図4(a)のように指のサイズが標準より小さい場合にC字形状の基材70の奥側にずれた光を傾斜面151において反射することができる。
【0093】
よって、図5(b)および図6(b)のように、指のサイズが標準より大きい場合には、光軸がずれた光を傾斜面141で反射し、図4(a)のように指のサイズが標準より小さい場合には、光軸がずれた光を傾斜面151により反射して、フィルム10と空気の界面に全反射角に近い角度で到達させることができ、半導体受光素子31の受光面に入射しやすくなる。
【0094】
<<<変形例4>>>
図15(b)に示した変形例4は、変形例3の傾斜面141と傾斜面151を、曲面152と曲面153にした例である。
【0095】
傾斜面141と151の代わりに曲面152と曲面153(R面)にした場合、変形例3と同様に、封止材32に入射した光を受光面に到達させることができる。
【0096】
<<<変形例5>>>
図16(a)に示した変形例5は、変形例3の傾斜面141と傾斜面151の位置をフィルム10に近い位置に配置した例である。変形例3と同様の作用・効果を得ることができる。
【0097】
<<<変形例6>>>
図16(b)に示した変形例5は、変形例5の傾斜面141と傾斜面151を段差163,164した例である。変形例5と同様の作用・効果を得ることができる。
【0098】
<<<変形例7>>>
変形例7では、実施形態1-2および変形例1-6に示した構造において、透明な封止材32として、フィルム10よりも高屈折率な材料を用いる。
【0099】
これにより、半導体発光素子21a、21bが出射し、半導体受光素子31が搭載されているフィルム10を透過したが半導体受光素子31の受光面には直接入射しなかった光は、透明な封止材32に入射し、光反射性樹脂33により反射されて、再びフィルム10に戻る。このとき、透明な封止材32が、フィルム10(例えば、ポリイミド)の屈折率(=1.6)より高い屈折率の樹脂により構成されていることにより、透明な封止材32とフィルム10との界面において、反射されず、かつ、フィルム10の法線に対する入射角が大きくなる。すなわち、フィルム10への主平面に対して進行方向がより浅い角度になる方向に屈折するため、フィルム10と空気との界面において、より全反射されやすくなり、受光面に入射しやすくなる。
【0100】
<<<実施形態3>>>
実施形態3のプローブを図17(a)、(b)および図18を用いて説明する。
【0101】
実施形態1-2および変形例1-6では、半導体受光素子31を、フィルム10よりも、基材70側に配置する構成であったが、実施例3では、半導体受光素子31をフィルム10よりも被検体2の指側に配置する。この場合、半導体受光素子31の受光面も被検体2の指側に向ける。
【0102】
これにより、半導体発光素子21a、21bから出射された光は、被検体2の指を透過して、受光素子31の受光面に到達して受光される。
【0103】
なお、図18のように、透明な封止材32の上面に拡散層171を設けることが望ましい。これにより、半導体発光素子21a、21bから出射された光は、被検体2の指を透過して、拡散層171に入射する。拡散層171で拡散されて半導体受光素子31の受光面に到達して受光される。
【0104】
このように拡散層171を配置することにより、被検体2の指のサイズが標準よりも大きい、または、小さい場合に、半導体発光素子21a、21bから出射された光の光軸がずれても、拡散層171で拡散されて受光面に到達することができる。
【0105】
<<<変形例8>>>
実施形態3の変形例として、変形例8を図19を用いて説明する。
【0106】
実施形態3の変形例8は、図19のように、拡散層171を半導体受光素子31の直上領域に設けず、半導体受光素子31の周辺の封止材32の上面にのみ設けている点で、実施形態3とは異なる。
【0107】
変形例8では、半導体受光素子31の直上領域には拡散層171が設けられていないため、被検体2の指のサイズが標準サイズと異なっており、半導体発光素子21a,21bの光軸がずれた場合でも、受光面に向かって直進する光は、拡散層171を通過せず、封止材32を透過して受光面に直接到達することができる。これにより、受光面に向かって直進する光を、拡散層171で減衰させることなく、受光面に入射させることができる。
【0108】
一方、光軸がずれたために、受光面に直接到達することができない光は、拡散層171によって拡散させて、一部を受光面に到達させることができる。
【0109】
これにより、半導体受光素子31の受光面に到達する光を、実施形態3の構造よりも増加させることができる。
【0110】
<<<変形例9>>>
実施形態3の変形例として、変形例9を図19を用いて説明する。
【0111】
変形例9は、実施形態3と同様に、半導体受光素子31をフィルム10よりも、被検体2の指側に配置し、封止材32の上面に拡散層171を設ける構成であるが、フィルム10と基材70との間にも光反射性樹脂33を配置している点で変形例8とは異なっている。また、半導体受光素子31の受光面をフィルム10の側に向けている点でも実施形態3とは異なっている。
【0112】
このような構成により、変形例9では、半導体発光素子21a、21bから出射された光は、被検体2の指を透過して、拡散層171に入射し、拡散層171で拡散されて、さらに光反射性樹脂で拡散反射されて、半導体受光素子31の下面側の受光面に到達して受光される。
【0113】
変形例9の構造では、遮光性の基材70とフィルム10との間に、光反射性樹脂33が配置されているため、遮光性の基材70によって光が吸収されず、効率よく受光面に到達させることができる。
【0114】
<<<変形例10>>>
ここで、実施形態1のプローブの変形例として、拡散層を備えた例について図21(a)を用いて説明する。
【0115】
図21(a)に示すように、半導体受光素子31は、実施形態1と同様に、フィルム10の基材70側に配置されているが、半導体受光素子31の受光面が、フィルム10とは逆側に向けられている。
【0116】
フィルム10には、被検体2の指側の面に拡散層211が搭載されている。
【0117】
この構成において半導体発光素子21a、21bから出射された光が被検体の指を透過して、まず拡散層211に到達して拡散される。拡散された光は、光反射性樹脂33によりさらに1回以上拡散反射され、半導体受光素子31の受光面に到達して受光される。
【0118】
図21(a)の構成の場合、拡散層211は、拡散フィルム等をフィルム10の表面に貼り付けることによって配置することができる。
【0119】
<<<変形例11>>>
図21(b)に示す変形例11は、図21(a)の拡散層211を基材70と透明な封止材32との間に配置した構成である。
【0120】
この構成も、図21(a)の変形例10と同様に、半導体発光素子21a、21bから出射された光が被検体の指を透過して、まず拡散層211に到達して拡散される。拡散された光は、光反射性樹脂33によりさらに1回以上拡散反射され、半導体受光素子31の受光面に到達して受光される。
【0121】
図21(b)のように、基材70と、透明な封止材32との間に拡散層211を備えたプローブを製造する場合、実施形態1の図10(a-2)~(d-2)の工程と同様に工程で製造する途中で、拡散層211を形成する。
【0122】
具体的には、シリコーン樹脂に酸化チタンもしくは酸化亜鉛もしくは酸化アルミニウムを分散させた未硬化の白色樹脂を用意し、半導体受光素子31(図22(a))から所定の距離だけ離れた位置のフィルム10上に、半導体受光素子31を囲む枠状に白色樹脂を塗布し、未硬化の光反射性樹脂33を形成する(図22(b))。枠状の光反射性樹脂23,33の高さは、半導体受光素子31の高さよりも高い。
【0123】
ここで、拡散粒子分散せた透明樹脂を用意し、枠状の光反射性樹脂33の内側のフィルム10の表面に塗り広げ、未硬化の拡散層211を形成する(図22(c)。
【0124】
図22(d)のように、枠状の光反射性樹脂23、33の中であって、拡散層211の上に、透明なシリコーン樹脂を注入し、半導体受光素子31を封止する未硬化の透明な封止材32を形成する。その後、予め定めた温度および時間(例えば、150℃、4h)でフィルム10を加熱し、光反射性樹脂23,33および透明な封止材22,32を硬化もしくは仮硬化させる。これにより、透明な封止材32を形成した。
【0125】
図22(e)のように、透明な封止材32の上を、未硬化の白色樹脂でさらに覆い、未硬化の光反射性樹脂23を形成する。
【0126】
予め定めた温度および時間で加熱し、透明封止材32、拡散層211および光反射性樹脂33を硬化させる。
【0127】
他の製造工程は、実施形態1と同様であるので説明を省略する。
【0128】
<<<変形性12>>>
図23を用いて変形例12について説明する。変形例12のプローブは、実施形態1~3または変形例1~11のパルスオキシメーター用プローブの指輪型基材70の外周側の表面に、金属膜90が配置されている。
【0129】
金属膜90は、発光部20の発する熱を放出することができるため、プローブの放熱作用を高めることができる。また、金属膜90は、電磁シールドとしても作用し、外部からの電磁ノイズが、発光部20、受光部30および配線11a,11bに混入するのを防止することができる。
【0130】
金属膜90の材質は銅やアルミニウムなどの導電性の高い金属を用いることができる。膜厚は、1μm~100μmであることが好ましい。
【0131】
金属膜90は、指輪型基材70の形成工程の後に、気相成長法やめっきにより成膜することが可能である。また、金型を用いて指輪型基材70の形成する場合、指輪型基材70の外周部に沿うように金型に金属箔を配置して、指輪型基材70と同時に硬化させてもよい。また、予め金属加工の技術を用いて、別途生成しておいた金属リングを、指輪型基材70の外側に装着や接着してもよい。
【0132】
<<<製品への適用>>>
本実施形態のパルスオキシメーター用プローブは、パルスオキシメータ用としてはもちろん、スマートリング等の生体情報を光学的に取得する他のウェアラブルデバイスの光源ユニットとしても用いることができる。
【符号の説明】
【0133】
1 パルスオキシメーター用プローブ
2 被検体
10 フィルム
10 基材
11 銅箔
11a 配線
11b 配線
12 接着層
20 発光部
21a 半導体発光素子
21b 半導体発光素子
22 封止材
23 光反射性樹脂
30 受光部
31 半導体受光素子
32 封止材
33 光反射性樹脂
50 配線
50a 給電用配線
50b 信号取り出し用配線
60 接続端子
70 基材
80 インク
81 光ボンディング装置
82 荷重コレット
83 接合材
90 金属膜
100 ポリイミド層
101 保護用封止材
121 点線
141 傾斜面
151 傾斜面
152 曲面
153 曲面
163 段差
171 拡散層
211 拡散層
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