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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024089803
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240627BHJP
H03B 5/32 20060101ALI20240627BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 311Q
H03B5/32 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022205232
(22)【出願日】2022-12-22
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】松澤 寿一郎
【テーマコード（参考）】
5F044
5J079
【Ｆターム（参考）】
5F044KK04
5F044KK23
5F044LL01
5F044LL17
5F044QQ01
5F044RR16
5J079AA04
5J079BA43
5J079FA01
5J079HA03
5J079HA07
5J079HA25
(57)【要約】
【課題】従来のデバイスの製造方法には、電気的な接続に関して改善の余地がある。
【解決手段】回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、デバイスの製造方法。
【選択図】図５
【解決手段】回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、デバイスの製造方法。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、
前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、
バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、
デバイスの製造方法。
前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、
バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、
デバイスの製造方法。
【請求項2】
前記配線を第１配線とし、前記絶縁層を第１絶縁層として、前記回路基板は、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、第２配線と、前記第２配線の上に配置された第２絶縁層と、を有し、
前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とは、前記回路部品の中心線を挟んで互いに反対側に位置し、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに接触させる、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とは、前記回路部品の中心線を挟んで互いに反対側に位置し、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに接触させる、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項3】
前記パッド電極を第１パッド電極とし、前記回路基板は、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、前記第１パッド電極と異なる第２パッド電極及び第３パッド電極と、第３配線と、を有し、
前記第１配線は、前記第１パッド電極から延伸し、
前記第２配線は、前記第２パッド電極から延伸し、
前記第３配線は、前記第３パッド電極から延伸し、
前記第１絶縁層は、前記第１配線と前記第３配線とを跨ぎ、
前記回路部品は、前記バンプを第１バンプとして、前記第１バンプとは異なる第２バンプ及び第３バンプを有し、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記第１バンプを前記第１パッド電極に接続し、前記第２バンプを前記第２パッド電極に接続し、前記第３バンプを前記第３パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに接触させる、
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
前記第１配線は、前記第１パッド電極から延伸し、
前記第２配線は、前記第２パッド電極から延伸し、
前記第３配線は、前記第３パッド電極から延伸し、
前記第１絶縁層は、前記第１配線と前記第３配線とを跨ぎ、
前記回路部品は、前記バンプを第１バンプとして、前記第１バンプとは異なる第２バンプ及び第３バンプを有し、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記第１バンプを前記第１パッド電極に接続し、前記第２バンプを前記第２パッド電極に接続し、前記第３バンプを前記第３パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに接触させる、
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項4】
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに複数の箇所で接触させ、且つ前記複数の箇所のそれぞれと前記回路基板との距離が相互に等しい、
請求項３に記載のデバイスの製造方法。
請求項３に記載のデバイスの製造方法。
【請求項5】
前記回路基板は、セラミック基板に前記パッド電極、前記配線、及び前記絶縁層が形成され、
前記絶縁層は、前記配線をアルミナで被覆した構成を有する、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
前記絶縁層は、前記配線をアルミナで被覆した構成を有する、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項6】
前記回路部品は、ＩＣチップであり、
前記ＩＣチップは、能動面に膜を備え、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記ＩＣチップの前記膜を前記絶縁層に接触させる、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
前記ＩＣチップは、能動面に膜を備え、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記ＩＣチップの前記膜を前記絶縁層に接触させる、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、回路部品の一種であるＩＣ(Integrated Circuit)チップをフェイスダウンボンディングによって、回路基板の一種である実装基板の回路端子に電気的に接続する技術を開示する。実装基板の表面上に、ＩＣチップと実装基板の間隙を一定にする複数の枕が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－５４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１によれば、ＩＣチップなどの回路部品と回路基板とを平行に維持しやすい。しかしながら、特許文献１に記載された回路基板では、複数の枕は、それぞれ、回路基板の回路端子間に設けられる。このため、バンプのつぶれ量は、回路端子の厚みの影響と、枕の厚みの影響とを受ける。つまり、従来のデバイスの製造方法には、電気的な接続に関して改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、デバイスの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】発振器を示す斜視図。
【図3】実施形態１のケースを示す平面図。
【図5】発振器の製造方法を説明する図。
【図6】ケースにＩＣチップを実装する工程を説明する図。
【図7】実施形態２のケースを示す平面図。
【図8】実施形態３のケースを示す平面図。
【図9】実施形態４のケースを示す平面図。
【図10】実施形態５のケースを示す平面図。
【図11】実施形態６のケースを示す平面図。
【図12】実施形態７のＩＣチップを説明する図。
【図13】実施形態８の発振器の構造を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
デバイスの一例である発振器を例に実施形態について説明する。
発振器１は、図１に示すように、ケース２と、リッド３とを有する。リッド３は、ケース２に重ねられている。図１には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付されている。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する座標軸である。図１以降に示す図についても必要に応じてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付される。この場合、各図におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、図１におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に対応する。図１は、Ｘ軸とＹ軸とによって規定されるＸＹ平面に発振器１を載置した状態を示す。さらに、図１では、ケース２の辺２Ａの延在方向がＸ軸に沿っている。なお、リッド３は、ケース２の＋Ｚ方向に位置する。
発振器１は、図１に示すように、ケース２と、リッド３とを有する。リッド３は、ケース２に重ねられている。図１には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付されている。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する座標軸である。図１以降に示す図についても必要に応じてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付される。この場合、各図におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、図１におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に対応する。図１は、Ｘ軸とＹ軸とによって規定されるＸＹ平面に発振器１を載置した状態を示す。さらに、図１では、ケース２の辺２Ａの延在方向がＸ軸に沿っている。なお、リッド３は、ケース２の＋Ｚ方向に位置する。
【0008】
以下において、発振器１の構成部品やユニットを示す図や説明にＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が表記されている場合には、その構成部品やユニットを発振器１に組み込んだ状態でのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を意味する。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸には、それぞれ、矢印が付される。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれにおいて、矢印の向きが＋（正）の方向を示し、矢印の向きとは反対の向きが－（負）の方向を示す。Ｚ軸は、ＸＹ平面に直交する軸である。発振器１を＋Ｙ方向に見たときの図が正面図である。
【0009】
図１中のＡ－Ａ線における断面図である図２に示すように、ケース２に凹状のキャビティー４が形成されている。ケース２は、底面５と、マウント面７と、内壁８とを有する。マウント面７は、底面５の＋Ｚ方向に位置する。キャビティー４は、リッド３によって塞がれる。キャビティー４は、底面５と、内壁８と、リッド３とによって区画される。底面５とマウント面７とは、キャビティー４の内側に位置する。
【0010】
発振器１は、ＩＣチップ９と、振動素子１１とを有する。ＩＣチップ９は、回路部品の一例である。ＩＣチップ９は、底面５に実装される。振動素子１１は、マウント面７に実装される。ＩＣチップ９は、半導体基板に各種の回路素子や配線などが形成された回路部品である。ＩＣチップ９に形成される回路は、発振回路や周波数調整回路などを含む。発振器１では、ＩＣチップ９と振動素子１１とは、キャビティー４内に収容される。振動素子１１は、ＩＣチップ９の＋Ｚ方向に位置する。
【0011】
振動素子１１は、圧電基板１３と、第１励振電極１５と、第２励振電極１６とを含む。圧電基板１３は、水晶基板の他、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの基板も適用することができる。本実施形態では、圧電基板１３は、ＡＴカットされた水晶基板である。第１励振電極１５は、圧電基板１３の第１面１７に形成されている。第２励振電極１６は、圧電基板１３の第２面１８に形成されている。第１面１７は、ＩＣチップ９に対向する。第２面１８は、第１面１７の反対の面である。第２面１８は、第１面１７の裏面に相当し、リッド３に対向する。なお、図１に付記されるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、水晶の結晶軸とは関連がない。
【0012】
ケース２は、第１部分２１と、第２部分２２と、第３部分２３とを含む。内壁８は、第１内壁２５と第２内壁２６とを含む。第１部分２１は、回路基板の一例である。第１部分２１は、キャビティー４の底面５を構成する部分である。第２部分２２は、第１部分２１の＋Ｚ方向に位置する。第２部分２２は、マウント面７と第１内壁２５とを構成する部分である。ケース２を－Ｚ方向に平面視したとき、第１内壁２５は、底面５を環状に囲む。第１内壁２５は、底面５から＋Ｚ方向に突出する。第３部分２３は、第２部分２２の＋Ｚ方向に位置する。
【0013】
第３部分２３は、第２内壁２６を構成する部分である。ケース２を－Ｚ方向に平面視したとき、第２内壁２６は、底面５とマウント面７とを環状に囲む。第２内壁２６は、第２部分２２から＋Ｚ方向に突出する。ケース２を－Ｚ方向に平面視したとき、ＩＣチップ９は、第１内壁２５によって囲まれる領域内に実装される。ケース２を－Ｚ方向に平面視したとき、振動素子１１は、第２内壁２６によって囲まれる領域内に実装される。
【0014】
ケース２には、ＩＣチップ９を発振器１の回路に接続するための接続電極３１と、振動素子１１を発振器１の回路に接続するための振動素子接続電極３２とが形成されている。接続電極３１は、ケース２の底面５に形成される。振動素子接続電極３２は、ケース２のマウント面７に形成される。また、ケース２の底面５には、接続電極３１の他に配線３３が形成される。底面５に形成される配線３３と接続電極３１とは、同一の工程でパターニングされる。従って、底面５に形成される配線３３と接続電極３１とは、同じ厚みである。底面５に形成される配線３３には、接続電極３１から延伸する配線や、発振器１の外部端子３４につながる配線などが含まれていてよい。また、底面５に形成される配線が、回路を構成しないダミー配線を含んでいてもよい。
【0015】
ＩＣチップ９と接続電極３１とは、バンプ３６によって電気的に導通する。接続電極３１のうち融着されたバンプ３６が重なる領域は、パッド電極３７である。ＩＣチップ９は、フリップチップボンディングによりバンプ３６を介してケース２の第１部分２１にフェイスダウン実装される。第１部分２１は、ＩＣチップ９が実装される実装基板に相当する。実装基板は、ＩＣチップ９と他の電気素子との電気的な接続を仲介する回路基板である。
【0016】
図３に示すように、本実施形態では、６個の接続電極３１と、６個の配線３３とが底面５に形成されている。６個の配線３３は、それぞれ、６個の接続電極３１のそれぞれから延伸する。６個の接続電極３１は、それぞれ、パッド電極３７を含む。前述したように、パッド電極３７は、ＩＣチップ９のバンプ３６が重なる領域である。本実施形態では、６個のパッド電極３７が形成される。６個のパッド電極３７は、底面５を平面視したときに、ＩＣチップ９に重なる領域内に位置する。また、パッド電極３７から延伸する配線３３の一部がＩＣチップ９に重なる領域内に位置する。
【0017】
本実施形態では、ＩＣチップ９に重なる領域内の配線３３に絶縁層３８が積層されている。パッド電極３７と絶縁層３８とは、底面５を平面視したときに、ＩＣチップ９に重なる。また、配線３３のうち絶縁層３８に重なる部分は、底面５を平面視したときに、ＩＣチップ９に重なる。本実施形態では、２箇所に絶縁層３８が設けられる。２箇所の絶縁層３８は、それぞれ、１つの配線３３に重なる。２箇所の絶縁層３８のうち一方の絶縁層３８を第１絶縁層３８Ａとし、他方の絶縁層３８を第２絶縁層３８Ｂとする。第１絶縁層３８Ａに重なる配線３３を第１配線３３Ａとし、第２絶縁層３８Ｂに重なる配線３３を第２配線３３Ｂとする。
【0018】
発振器１は、底面５を平面視したときにＩＣチップ９に重なる領域に、パッド電極３７と、配線３３と、配線３３の上に配置された絶縁層３８とを有する。図４は、ケース２の第１部分２１とＩＣチップ９とを図３中のＢ－Ｂ線で切断したときの断面図である。図４に示すように、絶縁層３８は、ＩＣチップ９と配線３３との間に介在する。発振器１では、ＩＣチップ９は、絶縁層３８に接触する。本実施形態では、第１絶縁層３８ＡとＩＣチップ９との接触点から底面５までの距離Ｌ１と、第２絶縁層３８ＢとＩＣチップ９との接触点から底面５までの距離Ｌ２とが等しい。
【0019】
発振器１の製造方法について説明する。
発振器１の製造方法は、図５に示すように、ケース２を準備する工程と、ケース２にＩＣチップ９を実装する工程とを含む。上述したように、ケース２は、底面５を平面視したときにＩＣチップ９に重なる領域に、接続電極３１と、配線３３と、配線３３の上に配置された絶縁層３８とを有する。
発振器１の製造方法は、図５に示すように、ケース２を準備する工程と、ケース２にＩＣチップ９を実装する工程とを含む。上述したように、ケース２は、底面５を平面視したときにＩＣチップ９に重なる領域に、接続電極３１と、配線３３と、配線３３の上に配置された絶縁層３８とを有する。
【0020】
なお、ケース２は、セラミックのグリーンシートを焼成することによって形成される。第１部分２１、第２部分２２及び第３部分２３のそれぞれに対応するグリーンシートを積層した積層体を焼成することによってケース２を形成することができる。焼成の前に、第１部分２１に対応するグリーンシートには、接続電極３１、配線３３及び絶縁層３８が形成される。接続電極３１及び配線３３は、スクリーン印刷等による金属膜の成膜工程によって形成することができる。接続電極３１及び配線３３は、同一の工程で形成される。
【0021】
絶縁層３８は、配線３３上にアルミナを塗布することによって形成される。絶縁層３８は、アルミナで配線３３を被覆することによって形成される。絶縁層３８は、スクリーン印刷によってアルミナをパターニングすることによって形成される。絶縁層３８のパターニングでは、接続電極３１のうちパッド電極３７になる領域を避けてアルミナがパターニングされる。これにより、ＩＣチップ９のバンプ３６とパッド電極３７とを電気的に接続することができる。また、第２部分２２及び第３部分２３も、それぞれ、グリーンシートの状態で必要な配線などが形成される。なお、アルミナのパターニング方法は、スクリーン印刷に限定されず、インクジェット法も適用することができる。
【0022】
ケース２にＩＣチップ９を実装する工程は、バンプ３６が形成されたＩＣチップ９をケース２に実装する工程である。バンプ３６は、接続電極３１に対応して形成されている。バンプ３６の個数と接続電極３１の個数とが対応している。ケース２にＩＣチップ９を実装する工程では、図６に示すように、ＩＣチップ９のバンプ３６をパッド電極３７に接続する。バンプ３６とパッド電極３７とは、超音波振動によりバンプ３６をパッド電極３７に融着させることによって接続される。ケース２にＩＣチップ９を実装する工程は、バンプ３６をパッド電極３７に接続するときに、図４に示すように、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程を含む。
【0023】
ケース２にＩＣチップ９を実装する工程の後に、ケース２に振動素子１１を実装する工程と、ケース２にリッド３を接合する工程とが実施される。これにより、図１に示す発振器１を製造することができる。
【0024】
上記の発振器１の製造方法によれば、図４に示すように、絶縁層３８が配線３３とＩＣチップ９との間に位置するので、バンプ３６のつぶれ量は配線３３の厚みの影響を受けにくい。よって、バンプ３６のつぶれ量を一定にしやすいので、ケース２とＩＣチップ９との電気的な接続に関して信頼性を確保しやすい。
【0025】
本実施形態では、図３に示すように、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとは、平面視でＩＣチップ９の中心線４１を挟んで互いに反対側に位置する。第１配線３３Ａと第２配線３３Ｂとは、平面視でＩＣチップ９の中心線４１を挟んで互いに反対側に位置する。そして、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程で、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとに接触させる。この製造方法によれば、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８ＢとがＩＣチップ９の中心線４１を挟んで互いに反対側に位置する。このため、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとにバランスよく接触させることができる。よって、ケース２の底面５とＩＣチップ９との平行度を高めやすい。また、この製造方法によれば、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとの複数の箇所で接触させるので、ケース２の底面５とＩＣチップ９との平行度を高めやすい。
【0026】
また、本実施形態では、中心線４１の＋Ｙ方向の位置に、３個の接続電極３１がＸ軸に沿って並ぶ。中心線４１の－Ｙ方向の位置に、３個の接続電極３１がＸ軸に沿って並ぶ。Ｙ軸に沿って並ぶ２個の接続電極３１が中心線４１を挟んで互いに反対側に位置する。つまり、中心線４１を挟んで互いに反対側に位置する３個の接続電極３１と、３個の接続電極３１とがバランスよく配置されている。そして、中心線４１の＋Ｙ方向に位置する３個の接続電極３１のうちの中央の接続電極３１から延伸する第１配線３３Ａの上に第１絶縁層３８Ａが形成されている。中心線４１の－Ｙ方向に位置する３個の接続電極３１のうちの中央の接続電極３１から延伸する第２配線３３Ｂの上に第２絶縁層３８Ｂが形成されている。このため、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとにバランスよく接触させることができる。よって、ケース２の底面５とＩＣチップ９との平行度を一層高めやすい。
【0027】
図３に示すケース２を実施形態１として、実施形態２について説明する。
実施形態２のケース２は、図７に示すように、第１絶縁層３８Ａが３個の配線３３を跨いでいる。第２絶縁層３８Ｂが３個の配線３３を跨いでいる。これらのことを除いて実施形態２は、実施形態１と同様の構成を有する。従って、実施形態２の構成のうち実施形態１と同一の構成については、実施形態１と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
実施形態２のケース２は、図７に示すように、第１絶縁層３８Ａが３個の配線３３を跨いでいる。第２絶縁層３８Ｂが３個の配線３３を跨いでいる。これらのことを除いて実施形態２は、実施形態１と同様の構成を有する。従って、実施形態２の構成のうち実施形態１と同一の構成については、実施形態１と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0028】
第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂは、それぞれＸ軸に沿って延在する。第１絶縁層３８Ａは、中心線４１の＋Ｙ方向に位置する３個の接続電極３１のそれぞれから延伸する３個の配線３３を跨ぐ。第２絶縁層３８Ｂは、中心線４１の－Ｙ方向に位置する３個の接続電極３１のそれぞれから延伸する３個の配線３３を跨ぐ。中心線４１の＋Ｙ方向に位置する３個の接続電極３１のうち第１配線３３Ａにつながる接続電極３１を第１接続電極３１Ａとする。中心線４１の－Ｙ方向に位置する３個の接続電極３１のうち第２配線３３Ｂにつながる接続電極３１を第２接続電極３１Ｂとする。
【0029】
第１接続電極３１Ａから＋Ｘ方向に位置する接続電極３１を第３接続電極３１Ｃとする。第２接続電極３１Ｂから＋Ｘ方向に位置する接続電極３１を第４接続電極３１Ｄとする。第１接続電極３１Ａから－Ｘ方向に位置する接続電極３１を第５接続電極３１Ｅとする。第２接続電極３１Ｂから－Ｘ方向に位置する接続電極３１を第６接続電極３１Ｆとする。
【0030】
第１接続電極３１Ａのパッド電極３７を第１パッド電極３７Ａとする。第２接続電極３１Ｂのパッド電極３７を第２パッド電極３７Ｂとする。第３接続電極３１Ｃのパッド電極３７を第３パッド電極３７Ｃとする。第４接続電極３１Ｄのパッド電極３７を第４パッド電極３７Ｄとする。第５接続電極３１Ｅのパッド電極３７を第５パッド電極３７Ｅとする。第６接続電極３１Ｆのパッド電極３７を第６パッド電極３７Ｆとする。
【0031】
第１パッド電極３７Ａに接続されるバンプ３６は第１バンプと呼ばれる。第２パッド電極３７Ｂに接続されるバンプ３６は第２バンプと呼ばれる。第３パッド電極３７Ｃに接続されるバンプ３６は第３バンプと呼ばれる。第４パッド電極３７Ｄに接続されるバンプ３６は第４バンプと呼ばれる。第５パッド電極３７Ｅに接続されるバンプ３６は第５バンプと呼ばれる。第６パッド電極３７Ｆに接続されるバンプ３６は第６バンプと呼ばれる。
【0032】
第３接続電極３１Ｃから延伸する配線３３を第３配線３３Ｃとする。第４接続電極３１Ｄから延伸する配線３３を第４配線３３Ｄとする。第５接続電極３１Ｅから延伸する配線３３を第５配線３３Ｅとする。第６接続電極３１Ｆから延伸する配線３３を第６配線３３Ｆとする。
【0033】
第１接続電極３１Ａ及び第１配線３３Ａは、Ｙ軸に沿って延在する。第１配線３３Ａは、第１パッド電極３７Ａから＋Ｙ方向に延伸し、第１内壁２５に達する。第３接続電極３１Ｃ及び第３配線３３Ｃは、Ｙ軸に沿って延在する。第３配線３３Ｃは、第３パッド電極３７Ｃから＋Ｙ方向に延伸し、第１内壁２５に達する。第５接続電極３１Ｅ及び第５配線３３Ｅは、Ｙ軸に沿って延在する。第５配線３３Ｅは、第５パッド電極３７Ｅから＋Ｙ方向に延伸し、第１内壁２５に達する。
【0034】
第２接続電極３１Ｂ及び第２配線３３Ｂは、Ｙ軸に沿って延在する。第２配線３３Ｂは、第２パッド電極３７Ｂから－Ｙ方向に延伸し、第１内壁２５に達する。第４接続電極３１Ｄ及び第４配線３３Ｄは、Ｙ軸に沿って延在する。第４配線３３Ｄは、第４パッド電極３７Ｄから－Ｙ方向に延伸し、第１内壁２５に達する。第６接続電極３１Ｆ及び第６配線３３Ｆは、Ｙ軸に沿って延在する。第６配線３３Ｆは、第６パッド電極３７Ｆから－Ｙ方向に延伸し、第１内壁２５に達する。第１絶縁層３８Ａは、第１配線３３Ａと、第３配線３３Ｃと、第５配線３３Ｅとを跨ぐ。第２絶縁層３８Ｂは、第２配線３３Ｂと、第４配線３３Ｄと、第６配線３３Ｆとを跨ぐ。
【0035】
実施形態２では、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程で、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとに接触させる。この製造方法によれば、第１絶縁層３８Ａが第１配線３３Ａと第３配線３３Ｃとを跨ぐので、第１絶縁層３８Ａの厚みを第１配線３３Ａ上と第３配線３３Ｃ上とで均一にしやすい。つまり、実施形態２では、第１配線３３Ａ上の第１絶縁層３８ＡとＩＣチップ９との接触点から底面５までの距離と、第３配線３３Ｃ上の第１絶縁層３８ＡとＩＣチップ９との接触点から底面５までの距離とが等しい。また、実施形態２では、実施形態１に比較して、ＩＣチップ９と第１絶縁層３８Ａとの接触面積を増大させることができる。従って、ＩＣチップ９を絶縁層３８に安定して接触させやすい。この効果は、第１絶縁層３８Ａが少なくとも２個以上の配線３３を跨ぎ、かつ第２絶縁層３８Ｂが少なくとも１個以上の配線３３を跨いでいれば得られる。
【0036】
実施形態２では、第１絶縁層３８Ａが２個の配線３３を跨ぎ、かつ第２絶縁層３８Ｂが１個以上の配線３３を跨ぐ構造であるので、ＩＣチップ９は、絶縁層３８により所謂３点支持された状態になる。この状態は、例え、絶縁層３８の表面の厚み方向の位置に差が生じたとしても、ＩＣチップ９を絶縁層３８に安定して接触させやすいので、ケース２とＩＣチップ９との電気的な接続に関して信頼性を一層確保しやすい。
【0037】
さらに、実施形態２では、第１絶縁層３８Ａが３個の配線３３を跨ぎ、且つ第２絶縁層３８Ｂが３個の配線３３を跨ぐ。そして、各配線３３上の絶縁層３８とＩＣチップ９との接触点から底面５までの距離が、相互に等しい。このため、ケース２の底面５とＩＣチップ９との平行度を一層高めやすい。よって、バンプ３６のつぶれ量を一層一定にしやすいので、ケース２とＩＣチップ９との電気的な接続に関して信頼性を一層確保しやすい。
【0038】
なお、第１接続電極３１Ａ～第６接続電極３１Ｆの配列は、図７に示す配列に限定されない。第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとが、中心線４１を挟んで互いに反対側に位置し、且つ、第１絶縁層３８Ａが少なくとも２個の配線３３を跨いでいれば、順序数の第１～第６の配置は任意とすることができる。このとき、配線３３の順序数及びパッド電極３７の順序数は、それぞれ、第１接続電極３１Ａ～第６接続電極３１Ｆの順序数に対応する。
【0039】
実施形態３について説明する。
実施形態３のケース２は、図８に示すように、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂが、それぞれ第１内壁２５に達する。このことを除いて実施形態３は、実施形態２と同様の構成を有する。従って、実施形態３の構成のうち実施形態２と同一の構成については、実施形態２と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
実施形態３のケース２は、図８に示すように、第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂが、それぞれ第１内壁２５に達する。このことを除いて実施形態３は、実施形態２と同様の構成を有する。従って、実施形態３の構成のうち実施形態２と同一の構成については、実施形態２と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0040】
第１絶縁層３８Ａは、中心線４１の＋Ｙ方向に位置する領域で第１内壁２５に達する。第２絶縁層３８Ｂは、中心線４１の－Ｙ方向に位置する領域で第１内壁２５に達する。実施形態３では、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程で、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとに接触させる。この製造方法によれば、ＩＣチップ９をケース２に実装すると、平面視で、６個の接続電極３１、６個のパッド電極３７及び６個の配線３３を絶縁層３８とＩＣチップ９とによって覆うことができる。これにより、例えば、接続電極３１、パッド電極３７及び配線３３を、ごみなどの異物から保護しやすい。また、ごみなどの異物がＩＣチップ９の能動面と底面５との隙間に進入することを避けやすい。
【0041】
例えば、発振器１の製造では、振動素子１１をケース２に実装してからリッド３をケース２に接合するまでの間に、周波数調整工程を実施することがある。つまり、発振器１の製造方法が周波数調整工程を含む場合がある。周波数調整工程は、振動素子１１の質量を変化させることによって共振周波数を調整する工程である。振動素子１１の質量は、振動素子１１にイオンビームやレーザー光を照射することによって変化させることができる。実施形態３では、周波数調整工程で発生する塵などの異物から接続電極３１、パッド電極３７及び配線３３、並びにＩＣチップ９の能動面を保護しやすい。
【0042】
実施形態４について説明する。
実施形態４のケース２は、配線３３のパターンと絶縁層３８のパターンとが実施形態３のケース２と異なる。このことを除いて実施形態４は、実施形態３と同様の構成を有する。従って、実施形態４の構成のうち実施形態３と同一の構成については、実施形態３と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
実施形態４のケース２は、配線３３のパターンと絶縁層３８のパターンとが実施形態３のケース２と異なる。このことを除いて実施形態４は、実施形態３と同様の構成を有する。従って、実施形態４の構成のうち実施形態３と同一の構成については、実施形態３と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0043】
実施形態４のケース２では、図９に示すように、第５配線３３Ｅ及び第６配線３３Ｆが、それぞれ、Ｘ軸に沿って延在する。第５配線３３Ｅ及び第６配線３３Ｆは、平面視で、それぞれ、ＩＣチップ９に重なる領域内のパッド電極３７から－Ｘ方向に延伸する。第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂは、それぞれ、第１内壁２５のうち－Ｘ方向に位置する第１内壁２５Ａに達する。第１内壁２５Ａは、平面視で、底面５とマウント面７との境界に位置する。第１内壁２５Ａは、平面視で、Ｙ軸に沿って延在する。
【0044】
第１絶縁層３８Ａは、第１内壁２５Ａに達する位置から－Ｙ方向に向かって延伸する。第２絶縁層３８Ｂは、第１内壁２５Ａに達する位置から＋Ｙ方向に向かって延伸する。第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとは、第１内壁２５Ａとパッド電極３７との間で一連する。つまり、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとは、一連している。一連する絶縁層３８のうち、中心線４１の＋Ｙ方向に位置する部分が第１絶縁層３８Ａである。一連する絶縁層３８のうち、中心線４１の－Ｙ方向に位置する部分が第２絶縁層３８Ｂである。実施形態４では、絶縁層３８がアルファベットのＣ字状にパターニングされているとも表現することができる。
【0045】
実施形態４では、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程で、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとに接触させる。この製造方法によれば、ＩＣチップ９をケース２に実装すると、平面視で、第１内壁２５Ａと第５パッド電極３７Ｅ及び第６パッド電極３７Ｆとの間を絶縁層３８で覆うことができる。このため、実施形態３に比較して、接続電極３１、パッド電極３７及び配線３３を、ごみなどの異物から一層保護しやすい。また、実施形態３に比較して、ごみなどの異物がＩＣチップ９の能動面と底面５との隙間に進入することを一層避けやすい。
【0046】
さらに、実施形態４では、実施形態３に比較して、ＩＣチップ９と絶縁層３８との接触点を広く分散させることができる。このため、実施形態３に比較して、ＩＣチップ９を絶縁層３８に安定して接触させやすいので、ケース２の底面５とＩＣチップ９との平行度を一層高めやすい。
【0047】
実施形態５について説明する。
実施形態５のケース２は、配線３３のパターンと絶縁層３８のパターンとが実施形態４のケース２と異なる。このことを除いて実施形態５は、実施形態４と同様の構成を有する。従って、実施形態５の構成のうち実施形態４と同一の構成については、実施形態４と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
実施形態５のケース２は、配線３３のパターンと絶縁層３８のパターンとが実施形態４のケース２と異なる。このことを除いて実施形態５は、実施形態４と同様の構成を有する。従って、実施形態５の構成のうち実施形態４と同一の構成については、実施形態４と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0048】
実施形態５のケース２では、図１０に示すように、第３配線３３Ｃ及び第４配線３３Ｄが、それぞれ、Ｘ軸に沿って延在する。第３配線３３Ｃ及び第４配線３３Ｄは、平面視で、それぞれ、ＩＣチップ９に重なる領域内のパッド電極３７から＋Ｘ方向に延伸する。第１絶縁層３８Ａ及び第２絶縁層３８Ｂは、それぞれ、第１内壁２５のうち＋Ｘ方向に位置する第１内壁２５Ｂに達する。第１内壁２５Ｂは、平面視で、底面５の＋Ｘ方向の境界に位置する。第１内壁２５Ｂは、平面視で、Ｙ軸に沿って延在する。
【0049】
第１絶縁層３８Ａは、第１内壁２５Ｂに達する位置から－Ｙ方向に向かって延伸する。第２絶縁層３８Ｂは、第１内壁２５Ｂに達する位置から＋Ｙ方向に向かって延伸する。第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとは、第１内壁２５Ｂとパッド電極３７との間で一連する。つまり、第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとは、一連している。一連する絶縁層３８のうち、中心線４１の＋Ｙ方向に位置する部分が第１絶縁層３８Ａである。一連する絶縁層３８のうち、中心線４１の－Ｙ方向に位置する部分が第２絶縁層３８Ｂである。実施形態５では、絶縁層３８が第１内壁２５に沿って環状にパターニングされているとも表現することができる。
【0050】
実施形態５では、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程で、ＩＣチップ９を第１絶縁層３８Ａと第２絶縁層３８Ｂとに接触させる。この製造方法によれば、ＩＣチップ９をケース２に実装すると、平面視で、第１内壁２５Ｂと第３パッド電極３７Ｃ及び第４パッド電極３７Ｄとの間を絶縁層３８で覆うことができる。このため、実施形態４に比較して、接続電極３１、パッド電極３７及び配線３３を、ごみなどの異物から一層保護しやすい。また、実施形態４に比較して、ごみなどの異物がＩＣチップ９の能動面と底面５との隙間に進入することを一層避けやすい。
【0051】
さらに、実施形態５では、実施形態４に比較して、ＩＣチップ９と絶縁層３８との接触点を広く分散させることができる。このため、実施形態４に比較して、ＩＣチップ９を絶縁層３８に安定して接触させやすいので、ケース２の底面５とＩＣチップ９との平行度を一層高めやすい。
【0052】
実施形態６について説明する。
実施形態６のケース２は、絶縁層３８のパターンが実施形態５のケース２と異なる。このことを除いて実施形態６は、実施形態５と同様の構成を有する。従って、実施形態６の構成のうち実施形態５と同一の構成については、実施形態５と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。実施形態６のケース２では、図１１に示すように、絶縁層３８と第１内壁２５との間に隙間がある。つまり、絶縁層３８が第１内壁２５に達していない。実施形態６では、絶縁層３８と第１内壁２５との間に隙間があるので、第１部分２１と第２部分２２との位置合わせを容易にすることができる。
実施形態６のケース２は、絶縁層３８のパターンが実施形態５のケース２と異なる。このことを除いて実施形態６は、実施形態５と同様の構成を有する。従って、実施形態６の構成のうち実施形態５と同一の構成については、実施形態５と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。実施形態６のケース２では、図１１に示すように、絶縁層３８と第１内壁２５との間に隙間がある。つまり、絶縁層３８が第１内壁２５に達していない。実施形態６では、絶縁層３８と第１内壁２５との間に隙間があるので、第１部分２１と第２部分２２との位置合わせを容易にすることができる。
【0053】
実施形態１～実施形態６のそれぞれにおいて、ＩＣチップ９の能動面に膜を備えた構成も適用できる。ＩＣチップ９の能動面に膜を備えた構成を実施形態７とする。実施形態７では、図１２に示すように、ＩＣチップ９が膜４３を備える。膜４３としては、例えば、ＩＣチップ９の能動面に形成されたパッシベーション膜を適用することができる。また、膜４３として、例えば、ＩＣチップ９の能動面に、酸化シリコンや窒化シリコン、ポリイミドなどで形成した保護膜とすることもできる。そして、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させる工程で、ＩＣチップ９の膜４３を絶縁層３８に接触させることができる。この発振器１の製造方法によれば、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させるときに、ＩＣチップ９の能動面を膜４３で保護しやすい。
【0054】
発振器１の構造は、図２に示す構造に限定されない。図２に示す発振器１の構造では、ＩＣチップ９と振動素子１１とが、１つのキャビティー４に収容される。発振器１の構造は、図１３に示すように、ＩＣチップ９と振動素子１１とをそれぞれ、２つのキャビティー４のそれぞれに収容する構造も採用され得る。図１３に示す発振器１の構造は、Ｈ型構造と呼ばれる。Ｈ型構造の発振器１を実施形態８とする。実施形態８においても、実施形態１～実施形態７のそれぞれと同様の効果が得られる。
【0055】
実施形態１～実施形態８では、ＩＣチップ９を絶縁層３８に接触させるので、ＩＣチップ９のうち絶縁層３８に接触する部位に応力が発生することがある。ＩＣチップ９の半導体基板に形成される回路素子のうち、抵抗素子や容量素子などの受動素子は、応力によって特性が変動することがある。このため、実施形態１～実施形態８において、ＩＣチップ９に形成する受動素子を、ＩＣチップ９のうち絶縁層３８に接触する領域外に配置することが好ましい。これにより、発振器１の特性を安定させやすいので、信頼性を高めやすい。
【0056】
実施形態１～実施形態８では、デバイスとして発振器１を例示したが、デバイスは発振器１に限定されない。本開示は、回路基板にＩＣチップ９が実装される種々のデバイスに適用することができる。
【0057】
また、実施形態１～実施形態８では、回路基板に実装する回路部品としてＩＣチップ９を例示したが、回路部品は、ＩＣチップ９に限定されない。回路部品としては、パッケージ化された回路部品も適用することができる。パッケージ化された回路部品には、半導体部品をパッケージに収容した半導体部品、振動素子をパッケージに収容した振動デバイスなど、種々の回路部品が含まれる。実施形態１～実施形態８に示す発振器１も、パッケージ化された回路部品の一例である。
【符号の説明】
【0058】
１…発振器、２…ケース、３…リッド、４…キャビティー、５…底面、８…内壁、９…ＩＣチップ、１１…振動素子、２１…第１部分、２２…第２部分、２３…第３部分、２５…第１内壁、３１…接続電極、３３…配線、３６…バンプ、３７…パッド電極、３８…絶縁層、３８Ａ…第１絶縁層、３８Ｂ…第２絶縁層、４１…中心線、４３…膜。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】