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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024090120
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】電流センサ
(51)【国際特許分類】
G01R 15/20 20060101AFI20240627BHJP
【ＦＩ】
G01R15/20 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022205795
(22)【出願日】2022-12-22
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(74)【代理人】
【識別番号】110001128
【氏名又は名称】弁理士法人ゆうあい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】宮本 稜
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 章人
【テーマコード（参考）】
2G025
【Ｆターム（参考）】
2G025AA00
2G025AA02
2G025AA04
2G025AB01
2G025AC01
(57)【要約】
【課題】電流検出精度の低下を抑制する電流センサを提供する。
【解決手段】電流センサ２０は、第１バスバ２１と、第２バスバ２２と、コア２５と、検出素子３１と、を備え、コア２５のギャップ２６５を形成するギャップ形成部２６の第１端面２６１および第２端面２６２は、幅方向ＤＷにおいて、第１バスバ２１の第１対向面２１１および第２バスバ２２の第２対向面２２２の間に位置しており、ギャップ形成部２６は、コア内面２７１、２７２と、コア突起２８１、２８２と、を含み、コア内面２７１、２７２は、ギャップ形成部２６のうち厚み方向ＤＴ内側を向いている面であって、コア突起２８１、２８２は、コア内面２７１、２７２のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。
【選択図】図３
【解決手段】電流センサ２０は、第１バスバ２１と、第２バスバ２２と、コア２５と、検出素子３１と、を備え、コア２５のギャップ２６５を形成するギャップ形成部２６の第１端面２６１および第２端面２６２は、幅方向ＤＷにおいて、第１バスバ２１の第１対向面２１１および第２バスバ２２の第２対向面２２２の間に位置しており、ギャップ形成部２６は、コア内面２７１、２７２と、コア突起２８１、２８２と、を含み、コア内面２７１、２７２は、ギャップ形成部２６のうち厚み方向ＤＴ内側を向いている面であって、コア突起２８１、２８２は、コア内面２７１、２７２のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記ギャップ形成部は、コア内面（２７１、２７２）と、コア突起（２８１、２８２）と、を含み、
前記コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記コア突起は、前記コア内面のうち、前記第１対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に突出している電流センサ。
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記ギャップ形成部は、コア内面（２７１、２７２）と、コア突起（２８１、２８２）と、を含み、
前記コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記コア突起は、前記コア内面のうち、前記第１対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に突出している電流センサ。
【請求項2】
前記コア突起は、前記厚み方向において前記コア底部と離れている請求項１に記載の電流センサ。
【請求項3】
前記幅方向における前記コア突起の長さ（Ｗｐ１、Ｗｐ２）は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第１端面までの距離（Ｗｂ１、Ｗｂ２）以下とされている請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項4】
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）上に配置されている請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項5】
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項6】
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）上に配置されている請求項１または２に記載の電流センサ。
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）上に配置されている請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項7】
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている請求項１または２に記載の電流センサ。
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている請求項１または２に記載の電流センサ。
【請求項8】
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える請求項１または２に記載の電流センサ。
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える請求項１または２に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電流センサに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、特許文献１の記載のように、電流が流れるバスバと、バスバが挿入されているとともにバスバを流れる電流によって発生する磁界が通過するコアと、コアのギャップに配置された検出素子としてのセンサチップとを備える電流センサが知られている。この電流センサでは、ギャップを通過する磁界の強さがセンサチップにて検出されることにより、バスバに流れる電流が検出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－５１７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載された電流センサにおいて、電流検出のために、コアに挿入されるバスバが２つ備えられることがある。この場合、例えば、電流方向が互いに異なる２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さがセンサチップにて検出されることにより、バスバに流れる電流が検出される。このとき、ギャップ内において、２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の方向が互いに逆方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合う箇所が生じる。また、ギャップ内において、２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の方向がギャップからギャップとは反対側に位置するコアの底部に向かう方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所が生じる。これらのため、ギャップ内の磁界の勾配が大きくなる。これにより、センサチップの位置がずれることで、センサチップによる磁界の強さの検出精度が低下する。したがって、このとき、電流検出精度が低下する。
【0005】
本開示は、電流検出精度の低下を抑制する電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
請求項１に記載の発明は、電流センサであって、板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、第１バスバと間隔を空けて第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、第１バスバおよび第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、幅方向を向いている第１端面（２６１）、第１端面と幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、第１端面と第２端面とによって形成されているとともにコア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、ギャップ形成部に接続されているとともに第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、コア横部に接続されて幅方向に延びているとともにギャップ形成部およびコア横部とでコア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、ギャップに配置されているとともに、第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち第１端面から第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち第２端面から第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、を備え、第１バスバは、第２バスバと幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、第２バスバは、第１バスバと幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、第１端面および第２端面は、幅方向において、第１対向面および第２対向面の間に位置しており、ギャップ形成部は、コア内面（２７１、２７２）と、コア突起（２８１、２８２）と、を含み、コア内面は、ギャップ形成部のうち厚み方向内側を向いている面であって、コア突起は、コア内面のうち、第１対向面およびギャップ形成部を通るとともに幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに第２対向面およびギャップ形成部を通るとともに幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から厚み方向に突出している電流センサである。
【0007】
これにより、第１バスバおよび第２バスバによって発生する磁界の磁力線は、コア突起を通過する。このため、コア突起周辺が、第１バスバおよび第２バスバに流れる電流によって発生する磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所となる。また、コア突起がコア内面から厚み方向に突出しているため、検出素子は、コア突起が形成されていない場合と比較して、第１バスバおよび第２バスバに流れる電流によって発生する磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所から離れやすい。したがって、検出素子の位置のずれによって生じる検出素子の信号値の変化が、コア突起が形成されていない場合と比較して小さくなる。よって、検出素子による磁界の強さの検出精度が低下することが抑制されるため、電流検出精度の低下が抑制される。
【0008】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１実施形態の電流センサが用いられるオンボードチャージャの構成図。
【図2】電流センサの斜視図。
【図4】比較例の電流センサの断面図。
【図5】第１実施形態の電流センサの断面図。
【図6】検出素子の基準位置からのずれ量と、基準位置における検出素子の信号値に対する基準位置からのずれによる信号値の変化の割合との関係図。
【図7】検出素子の基準位置からのずれ量と、基準位置における検出素子の信号値に対する基準位置からのずれによる信号値の変化の割合との関係図。
【図8】第２実施形態の電流センサの断面図。
【図9】第３実施形態の電流センサの断面図。
【図10】第４実施形態の電流センサの断面図。
【図11】第５実施形態の電流センサの断面図。
【図12】第６実施形態の電流センサの断面図。
【図13】第７実施形態の電流センサの断面図。
【図14】第８実施形態の電流センサの断面図。
【図15】検出素子の基準位置からのずれ量と、基準位置における検出素子の信号値に対する基準位置からのずれによる信号値の変化の割合との関係図。
【図16】第９実施形態の電流センサの断面図。
【図17】第１０実施形態の電流センサの断面図。
【図18】第１１実施形態の電流センサの断面図。
【図19】第１２実施形態の電流センサの斜視図。
【図22】第１２実施形態の変形例における電流センサの断面図。
【図23】第１２実施形態の変形例における電流センサの断面図。
【図24】第１２実施形態の変形例における電流センサの断面図。
【図25】第１２実施形態の変形例における電流センサの断面図。
【図26】第１２実施形態の変形例における電流センサの断面図。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
【0011】
（第１実施形態）
本実施形態の電流センサは、例えば、図１に示すようなオンボードチャージャ１０に用いられる。まず、このオンボードチャージャ１０について説明する。
本実施形態の電流センサは、例えば、図１に示すようなオンボードチャージャ１０に用いられる。まず、このオンボードチャージャ１０について説明する。
【0012】
オンボードチャージャ１０は、バッテリ１２、充電器１４および電流センサ２０を備える。
【0013】
バッテリ１２は、充放電可能な二次電池であって、例えば、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池である。また、バッテリ１２は、ここでは、負荷に相当する。
【0014】
充電器１４は、ＡＣＤＣコンバータ等を備えていることにより、系統電力源からの交流電力を直流電力に変換する。さらに、充電器１４は、この変換した直流電力をバッテリ１２に供給することにより、バッテリ１２を充電させる。また、充電器１４は、ここでは、電源に相当する。
【0015】
電流センサ２０は、バッテリ１２および充電器１４の間に流れる電流を検出する。また、電流センサ２０は、この検出した電流に基づいて、例えば、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電異常があるか否かを判定する。この電流センサ２０の詳細については、後述する。
【0016】
以上のように、オンボードチャージャ１０は、構成されている。次に、電流センサ２０について説明する。
【0017】
【0018】
第１バスバ２１は、板状に形成されている。また、第１バスバ２１は、銅等で形成されていることにより、導電性を有する。さらに、第１バスバ２１の表面には、必要に応じて表面の酸化を防ぐためのメッキが施されている。また、第１バスバ２１の一端は、充電器１４の一端に接続されている。さらに、第１バスバ２１の他端は、バッテリ１２の一端に接続されている。また、第１バスバ２１には、後述するように、第１バスバ２１の長手方向ＤＬのうち一方向の電流が流れる。
【0019】
ここで、以下では、便宜的に、第１バスバ２１の長手方向ＤＬを、単に長手方向ＤＬと記載する。さらに、第１バスバ２１の幅方向ＤＷを、単に幅方向ＤＷと記載する。また、第１バスバ２１の厚み方向ＤＴを、単に厚み方向ＤＴと記載する。
【0020】
さらに、第１バスバ２１は、第１対向面２１１を含む。第１対向面２１１は、後述の第２バスバ２２と幅方向ＤＷに対向している。また、第１対向面２１１は、幅方向ＤＷと直交する面であって、幅方向ＤＷと交差する面に対応する。
【0021】
第２バスバ２２は、第１バスバ２１と間隔を空けて幅方向ＤＷに並んでいる。また、第２バスバ２２は、第１バスバ２１と同様に、板状に形成されている。さらに、第２バスバ２２は、銅等で形成されていることにより、導電性を有する。また、第２バスバ２２の表面には、必要に応じて表面の酸化を防ぐためのメッキが施されている。さらに、第２バスバ２２の一端は、バッテリ１２の他端に接続されている。また、第２バスバ２２の他端は、充電器１４の他端に接続されている。したがって、バッテリ１２、充電器１４および電流センサ２０によって直列回路が形成されている。さらに、第２バスバ２２には、後述するように、第１バスバ２１に流れる電流の方向とは逆方向の電流が流れる。
【0022】
また、第２バスバ２２は、第２対向面２２２を含む。第２対向面２２２は、第１バスバ２１の第１対向面２１１と幅方向ＤＷに対向している。さらに、第２対向面２２２は、幅方向ＤＷと直交する面であって、幅方向ＤＷと交差する面に対応する。
【0023】
コア２５は、パーマロイや方向性電磁鋼板等の軟磁性材料でＣ字状に形成されている。また、コア２５は、例えば、板状の軟磁性材料がＣ字状に曲げ加工されることにより形成されている。さらに、コア２５は、ギャップ形成部２６、コア横部２７、コア底部２８およびコア穴２９を有する。
【0024】
ギャップ形成部２６は、幅方向ＤＷに延びる板状に形成されている。また、ギャップ形成部２６は、厚み方向ＤＴにおいて第１バスバ２１および第２バスバ２２と離れている。さらに、ギャップ形成部２６は、第１端面２６１、第２端面２６２、ギャップ２６５、第１コア内面２７１、第１コア突起２８１、第２コア内面２７２および第２コア突起２８２を含む。
【0025】
第１端面２６１は、幅方向ＤＷを向いている。第２端面２６２は、幅方向ＤＷを向いているとともに、第１端面２６１と幅方向ＤＷに対向している。また、第２端面２６２は、第１端面２６１を幅方向ＤＷに投影したとき、投影した第１端面２６１と重なる。ギャップ２６５は、第１端面２６１および第２端面２６２によって区画形成されている空間である。さらに、ギャップ２６５は、後述のコア穴２９およびコア２５の外部に連通している。また、第１端面２６１、第２端面２６２およびギャップ２６５は、幅方向ＤＷにおいて、第１対向面２１１および第２対向面２２２の間に位置している。
【0026】
第１コア内面２７１は、ギャップ形成部２６のうち、厚み方向ＤＴ内側を向いているとともに第１バスバ２１と厚み方向ＤＴに対向している面である。さらに、第１コア内面２７１は、第１バスバ２１を厚み方向ＤＴに投影したとき、投影した第１バスバ２１と重なる。
【0027】
ここで、第１対向面２１１およびギャップ形成部２６を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面を第１面Ｓ１とする。また、第２対向面２２２およびギャップ形成部２６を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面を第２面Ｓ２とする。
【0028】
そして、第１コア突起２８１は、第１コア内面２７１のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲、ここでは、第１面Ｓ１および第１端面２６１の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。さらに、第１コア突起２８１は、例えば、四角柱状に形成されている。なお、第１コア突起２８１は、四角柱状に形成されていることに限定されないで、例えば、多角柱状、円柱状、楕円柱状、半球状、半楕円球状等に形成されてもよい。
【0029】
また、ここで、幅方向ＤＷにおける第１コア突起２８１の最大長さを第１突起幅Ｗｐ１とする。さらに、幅方向ＤＷにおける第１対向面２１１から第１端面２６１までの距離を第１距離Ｗｂ１とする。そして、第１突起幅Ｗｐ１は、第１距離Ｗｂ１以下とされている、すなわち、Ｗｐ１≦Ｗｂ１とされている。
【0030】
第２コア内面２７２は、ギャップ形成部２６のうち、厚み方向ＤＴ内側を向いているとともに第２バスバ２２と厚み方向ＤＴに対向している面である。さらに、第２コア内面２７２は、第２バスバ２２を厚み方向ＤＴに投影したとき、投影した第２バスバ２２と重なる。
【0031】
第２コア突起２８２は、第２コア内面２７２のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲、ここでは、第２面Ｓ２および第２端面２６２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。さらに、第２コア突起２８２は、例えば、四角柱状に形成されている。なお、第２コア突起２８２は、四角柱状に形成されていることに限定されないで、例えば、多角柱状、円柱状、楕円柱状、半球状、半楕円球状等に形成されてもよい。
【0032】
また、ここで、幅方向ＤＷにおける第２コア突起２８２の最大長さを第２突起幅Ｗｐ２とする。さらに、幅方向ＤＷにおける第２対向面２２２から第２端面２６２までの距離を第２距離Ｗｂ２とする。そして、第２突起幅Ｗｐ２は、第２距離Ｗｂ２以下とされている、すなわち、Ｗｐ２≦Ｗｂ２とされている。
【0033】
コア横部２７は、ギャップ形成部２６に接続されている。また、コア横部２７は、コア横部２７とギャップ形成部２６との境界部から厚み方向ＤＴに延びている。さらに、コア横部２７とギャップ形成部２６との境界部における内側の角部である横内側角部Ｃ＿ｉｎ＿ｔｏｐがＲ形状になっている。また、コア横部２７は、幅方向ＤＷにおいて第１バスバ２１および第２バスバ２２と離れている。
【0034】
コア底部２８は、コア横部２７に接続されている。さらに、コア底部２８は、幅方向ＤＷに延びていることにより、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２を通る。また、コア底部２８とコア横部２７との境界部における内側の角部である底内側角部Ｃ＿ｉｎ＿ｂｔｍがＲ形状になっている。さらに、コア底部２８の透磁率は、コア横部２７の透磁率よりも小さくなっている、すなわち、コア横部２７の透磁率がコア底部２８の透磁率よりも大きくなっている。これにより、磁界の強さに対するコア横部２７の磁束密度の線形領域は、磁界の強さに対するコア底部２８の磁束密度の線形領域よりも大きくなる。このため、コア横部２７の磁気飽和が抑制されやすくなっている。なお、透磁率とは、例えば、磁界の強さに対する磁束密度の変化量の最大値である最大透磁率をいう。
【0035】
また、コア底部２８は、底部内面２８０を含む。底部内面２８０は、厚み方向ＤＴ内側を向いている。さらに、底部内面２８０は、第１バスバ２１および第２バスバ２２と厚み方向ＤＴに対向している。
【0036】
コア穴２９は、ギャップ形成部２６、コア横部２７およびコア底部２８によって形成されている空間である。また、コア穴２９には、第１バスバ２１および第２バスバ２２の一部が挿入されている。
【0037】
ここで、幅方向ＤＷにおける第１端面２６１から第２端面２６２までの最小距離をギャップ距離Ｇａｐとする。さらに、厚み方向ＤＴにおけるギャップ形成部２６の内面からコア底部２８の内面までの最大距離を内面間距離Ｔｃｈとする。また、幅方向ＤＷに互いに対向しているコア横部２７の内面同士の間の最大距離を横部間距離Ｗｓｉとする。
【0038】
そして、内面間距離Ｔｃｈは、ギャップ距離Ｇａｐよりも大きくなっている、すなわち、Ｔｃｈ＞Ｇａｐとされている。さらに、横部間距離Ｗｓｉは、内面間距離Ｔｃｈよりも大きくなっている、すなわち、Ｗｓｉ＞Ｔｃｈとされている。したがって、Ｗｓｉ＞Ｔｃｈ＞Ｇａｐとされている。
【0039】
検出部３０は、ギャップ２６５に配置されている。このため、検出部３０は、第１端面２６１を幅方向ＤＷに投影したとき、投影した第１端面２６１と重なる。また、検出部３０は、第２端面２６２を幅方向ＤＷに投影したとき、投影した第２端面２６２と重なる。さらに、検出部３０は、検出素子３１および図示しないＩＣ等を含む。なお、ＩＣは、Integrated Circuitの略である。
【0040】
検出素子３１は、ホール素子、ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子およびＡＭＲ素子等である。また、検出素子３１は、幅方向ＤＷの磁界の強さ、ここでは、後述するように、第１方向Ｄｍ１の磁界と第２方向Ｄｍ２の磁界とが合わされた磁界の強さを検出する。さらに、検出素子３１は、この検出した磁界の強さに応じた信号、例えば、この検出した磁界の強さに応じた電圧を外部に出力する。なお、ＴＭＲは、Tunnel Magneto Resistiveの略である。ＧＭＲは、Giant Magneto Resistiveの略である。ＡＭＲは、Anisotropic Magneto Resistiveの略である。第１方向Ｄｍ１は、第１端面２６１から第２端面２６２に向かう方向である。第２方向Ｄｍ２は、第２端面２６２から第１端面２６１に向かう方向である。
【0041】
ここで、厚み方向ＤＴにおける第１端面２６１の中心を通るとともに厚み方向ＤＴと直交する面をギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐとする。そして、検出素子３１は、ギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐ上に配置されている。なお、ギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐは、厚み方向ＤＴにおける第２端面２６２の中心を通るとともに厚み方向ＤＴと直交する面であってもよい。
【0042】
リード線３５は、検出部３０と接続されている。基板４０は、プリント基板である。また、基板４０は、はんだ付け等によりリード線３５と接続されている。
【0043】
判定部４５は、ＩＣおよびマイコン等を主体として構成されており、ＣＰＵ、ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＲＡＭ、Ｉ／Ｏ、駆動回路、ＡＤコンバータ、ローパスフィルタ、通信回路およびこれらの構成を接続するバスライン等を備えている。また、判定部４５は、基板４０に配置されている。さらに、判定部４５は、判定部４５のＲＯＭに記憶されたプログラムを実行することにより、リード線３５および基板４０を介して、検出素子３１からの信号を取得する。また、判定部４５は、この取得した信号に基づいて、バッテリ１２および充電器１４の間にて生じた漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出するとともに、漏電異常があるか否かを判定する。さらに、判定部４５は、この判定結果に応じた信号を、図示しないターミナル等を介して、図示しない警報装置等の外部装置に出力する。
【0044】
ケース５０は、例えば、ポリブチレンテレフタレート等の熱可塑性樹脂で射出成形されることにより形成されている。また、ケース５０には、図示しないカラーが形成されている。このカラーに外部のシャフト等が挿入されることによって、ケース５０と外部とが接続される。これにより、電流センサ２０と外部とが固定される。
【0045】
さらに、ケース５０は、コア収容室５２、基板収容室５４、第１開口部６１および第２開口部６２を有する。
【0046】
コア収容室５２には、コア２５が収容されている。また、ケース５０の内面とコア２５の表面との間には、図示しないウレタン等の樹脂が、インサート成形等されることによりコア収容室５２に充填されている。これにより、コア収容室５２が封止されることから、コア２５等の各部品が保護される。
【0047】
基板収容室５４では、検出部３０、リード線３５、基板４０および判定部４５が収容されている。また、検出部３０がギャップ２６５に配置されるため、基板収容室５４は、ケース５０のうちギャップ２６５側に形成されている。
【0048】
第１開口部６１の一部は、コア穴２９のうち第１バスバ２１側に挿入されている。また、第１開口部６１の空間には、第１バスバ２１の一部が挿入されている。さらに、第１開口部６１は、第１開口部面６１０および第１開口部突起６１２を含む。
【0049】
第１開口部面６１０は、幅方向ＤＷおよび厚み方向ＤＴに第１バスバ２１と対向している。第１開口部突起６１２は、第１開口部面６１０から第１バスバ２１に向かって突出している。これにより、第１開口部突起６１２は、第１バスバ２１と接触している。このため、ケース５０と第１バスバ２１との位置決めがされる。さらに、第１開口部面６１０および第１バスバ２１の間に空間が形成されている。
【0050】
第２開口部６２の一部は、コア穴２９のうち第２バスバ２２側に挿入されている。また、第２開口部６２の空間には、第２バスバ２２の一部が挿入されている。さらに、第２開口部６２は、第２開口部面６２０および第２開口部突起６２２を含む。
【0051】
第２開口部面６２０は、幅方向ＤＷおよび厚み方向ＤＴに第２バスバ２２と対向している。第２開口部突起６２２は、第２開口部面６２０から第２バスバ２２に向かって突出している。これにより、第２開口部突起６２２は、第２バスバ２２と接触している。このため、ケース５０と第２バスバ２２との位置決めがされる。さらに、第２開口部面６２０および第２バスバ２２の間に空間が形成されている。
【0052】
以上のように、第１実施形態の電流センサ２０は、構成されている。次に、電流センサ２０による電流検出および漏電異常判定について説明する。
【0053】
図１に示すように、第１バスバ２１の一端は、充電器１４の一端に接続されている。また、第１バスバ２１の他端は、バッテリ１２の一端に接続されている。さらに、第２バスバ２２の一端は、バッテリ１２の他端に接続されている。また、第２バスバ２２の他端は、充電器１４の他端に接続されている。このため、バッテリ１２が充電器１４により充電されるとき、図１および図３に示すように、充電器１４から第１バスバ２１を経由してバッテリ１２に第１電流Ｉｃ１が流れる。また、バッテリ１２から第２バスバ２２を経由して充電器１４に第２電流Ｉｃ２が流れる。
【0054】
このとき、第１バスバ２１を流れる第１電流Ｉｃ１により、第１バスバ２１を通るとともに長手方向ＤＬに延びる軸を中心とする周方向の磁界が発生する。この発生した磁界により、磁力線がギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過する。このギャップ形成部２６を通過した磁力線の一部は、第１コア突起２８１およびコア穴２９を経由してコア底部２８のうち第１バスバ２１側を通過する。また、このギャップ形成部２６を通過した磁力線の一部は、第１端面２６１からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第２端面２６２を通過する。
【0055】
また、このとき、第２バスバ２２を流れる第２電流Ｉｃ２により、第２バスバ２２を通るとともに長手方向ＤＬに延びる軸を中心とする周方向の磁界が発生する。この発生した磁界により、磁力線がギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過する。このギャップ形成部２６を通過した磁力線の一部は、第２コア突起２８２およびコア穴２９を経由してコア底部２８の第２バスバ２２側を通過する。また、このギャップ形成部２６を通過した磁力線の一部は、第２端面２６２からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第１端面２６１を通過する。
【0056】
したがって、このとき、第１方向Ｄｍ１の磁力線と第２方向Ｄｍ２の磁力線とが検出素子３１を通過するため、検出素子３１は、第１方向Ｄｍ１の磁界と第２方向Ｄｍ２の磁界とが合わされた磁界の強さを検出する。これにより、検出素子３１は、第１電流Ｉｃ１および第２電流Ｉｃ２を検出する。また、検出素子３１は、この検出した磁界の強さに応じた信号を、リード線３５および基板４０を介して判定部４５に出力する。
【0057】
ここで、バッテリ１２および充電器１４の間における電流の流れが正常である場合、例えば、漏電等が生じていない場合、バッテリ１２、充電器１４および電流センサ２０が直列に接続されていることから、第１電流Ｉｃ１と第２電流Ｉｃ２とは同じである。このため、検出素子３１にかかる第１方向Ｄｍ１の磁界の強さと第２方向Ｄｍ２の磁界の強さとが同じになる。さらに、第１方向Ｄｍ１は、第２方向Ｄｍ２と逆方向である。したがって、この場合、検出素子３１にかかる第１方向Ｄｍ１の磁界と第２方向Ｄｍ２の磁界とが合わされた磁界の強さは、ゼロになる。
【0058】
また、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電が生じた場合、第１電流Ｉｃ１と第２電流Ｉｃ２とが異なる。このため、検出素子３１にかかる第１方向Ｄｍ１の磁界の強さと第２方向Ｄｍ２の磁界の強さとが異なる。よって、検出素子３１にかかる第１方向Ｄｍ１の磁界と第２方向Ｄｍ２の磁界とが合わされた磁界の強さの絶対値がゼロよりも大きくなる。
【0059】
したがって、判定部４５は、検出素子３１からの信号に基づいて漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出するとともに、この算出した漏電量Ｍ＿ｌｅａｋと閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈとを比較する。これにより、判定部４５は、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電異常があるか否かを判定する。なお、閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈは、漏電異常が判定されるように、実験やシミュレーション等により設定される。
【0060】
具体的には、判定部４５は、検出素子３１の信号とマップとから、漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出する。なお、漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出するためのマップは、実験やシミュレーション等により設定されている。例えば、このマップにより、上記絶対値が大きくなることに伴って、算出される漏電量Ｍ＿ｌｅａｋは、大きくなる。
【0061】
そして、判定部４５は、この算出した漏電量Ｍ＿ｌｅａｋが閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈ未満であるとき、漏電異常がない、すなわち、バッテリ１２および充電器１４の間における電流の流れが正常であると判定する。また、判定部４５は、この算出した漏電量Ｍ＿ｌｅａｋが閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈ以上であるとき、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電異常があると判定する。さらに、判定部４５は、この判定結果に応じた信号を、図示しないターミナル等を介して、図示しない警報装置等の外部装置に出力する。
【0062】
以上のように、電流センサ２０は、電流検出および漏電異常判定を行う。次に、電流センサ２０により、電流検出精度の低下が抑制されることについて説明する。
【0063】
ここで、図４に示すように、比較例として、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されていないとする。この場合、ギャップ２６５内において、第１電流Ｉｃ１および第２電流Ｉｃ２によって発生する磁界の方向が互いに逆方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合う箇所が生じる。また、ギャップ２６５内において、第１バスバ２１および第２バスバ２２に流れる電流によって発生する磁界の方向がギャップ２６５からコア底部２８に向かう方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所が生じる。ここでは、第１端面２６１および第２端面２６２のコア穴２９側の端周辺の磁界密度が比較的大きくなる。これらのため、ギャップ２６５内の磁界の勾配が大きくなる。これにより、検出素子３１の位置がずれることで、検出素子３１による磁界の強さの検出精度が低下する。したがって、このとき、電流検出精度が低下する。なお、図４において、２つの磁界が互いに打ち消し合う箇所および打ち消し合いにくい箇所を示すため、磁界密度が比較的大きい箇所がドット柄で示されている。
【0064】
これに対して、本実施形態の電流センサ２０では、ギャップ形成部２６は、第１コア内面２７１、第１コア突起２８１、第２コア内面２７２および第２コア突起２８２を含む。第１コア内面２７１および第２コア内面２７２は、厚み方向ＤＴ内側を向いている面である。第１コア突起２８１は、第１コア内面２７１のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。第２コア突起２８２は、第２コア内面２７２、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。
【0065】
これにより、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線の一部は、第１コア突起２８１を通過する。第１コア突起２８１を通過した磁力線は、コア穴２９およびコア底部２８の第１バスバ２１側を通過する。このため、第１電流Ｉｃ１および第２電流Ｉｃ２によって発生する磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所が、図５に示すように、第１コア突起２８１周辺となる。なお、図５において、２つの磁界が互いに打ち消し合う箇所および打ち消し合いにくい箇所を示すため、磁界密度が比較的大きい箇所がドット柄で示されている。
【0066】
また、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線の一部は、第２コア突起２８２を通過する。第２コア突起２８２を通過した磁力線は、コア穴２９およびコア底部２８の第２バスバ２２側を通過する。このため、第１電流Ｉｃ１および第２電流Ｉｃ２によって発生する磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所が、第２コア突起２８２周辺となる。
【0067】
さらに、第１コア突起２８１は、第１コア内面２７１から厚み方向ＤＴに突出しているとともに、第２コア突起２８２が第２コア内面２７２から厚み方向ＤＴに突出している。このため、検出素子３１は、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されていない場合と比較して、第１電流Ｉｃ１および第２電流Ｉｃ２によって発生する磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所から離れやすい。
【0068】
したがって、図６に示すように、幅方向ＤＷにおける検出素子３１の位置が基準位置からずれることによって生じる検出素子３１の信号値の変化が、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されていない場合と比較して小さい。よって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度が低下することが抑制されるため、電流検出精度の低下が抑制される。なお、図６において、ΔＸは、幅方向ＤＷにおける検出素子３１の基準位置からのずれ量である。また、ここでは、第１方向Ｄｍ１のずれ量が、ΔＸの正方向のずれ量とされている。さらに、検出素子３１の基準位置は、例えば、ギャップ２６５の中心である。Ｓは、検出素子３１の信号値である。Ｓｂは、基準位置における検出素子３１の信号値である。ΔＳは、基準位置における検出素子３１の信号値に対する基準位置からのずれによって生じる信号値の変化の割合であって、（Ｓ－Ｓｂ）／Ｓｂで表される。第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されていない場合のΔＸに対するΔＳがＲＥＦと破線とで示されている。第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されている場合のΔＸに対するΔＳが実線で示されている。
【0069】
また、電流センサ２０では、下記に記載する効果も奏する。
【0070】
［１－１］第１コア突起２８１は、厚み方向ＤＴにおいてコア底部２８と離れている。また、第２コア突起２８２は、厚み方向ＤＴにおいてコア底部２８と離れている。
【0071】
これにより、第１コア突起２８１とコア底部２８とが接触している場合と比較して、第１コア突起２８１およびコア底部２８の間の磁気抵抗が大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線は、第１コア突起２８１を通過するだけでなく、第１端面２６１からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第２端面２６２を通過しやすくなる。また、第２コア突起２８２とコア底部２８とが接触している場合と比較して、第２コア突起２８２およびコア底部２８の間の磁気抵抗が大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線は、第２コア突起２８２を通過するだけでなく、第２端面２６２からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第１端面２６１を通過しやすくなる。したがって、検出素子３１を通過する磁力線の数が多くなることから、検出素子３１の感度が大きくなる。このため、ＳＮＲが大きくなる。よって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度の低下が抑制されることから、電流検出精度の低下が抑制される。なお、ＳＮＲは、Signal Noise Ratioの略である。
【0072】
［１－２］第１突起幅Ｗｐ１は、第１距離Ｗｂ１以下とされている、すなわち、Ｗｐ１≦Ｗｂ１とされている。また、第２突起幅Ｗｐ２は、第２距離Ｗｂ２以下とされている、すなわち、Ｗｐ２≦Ｗｂ２とされている。
【0073】
これにより、第１コア突起２８１の磁気抵抗が、Ｗｐ１＞Ｗｂ１である場合と比較して大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線は、第１コア突起２８１を通過するだけでなく、第１端面２６１からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第２端面２６２を通過しやすくなる。また、第２コア突起２８２の磁気抵抗が、Ｗｐ２＞Ｗｂ２である場合と比較して大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線は、第２コア突起２８２を通過するだけでなく、第２端面２６２からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第１端面２６１を通過しやすくなる。したがって、検出素子３１を通過する磁力線の数が多くなることから、検出素子３１の感度が大きくなる。このため、ＳＮＲが大きくなる。よって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度の低下が抑制されることから、電流検出精度の低下が抑制される。
【0074】
［１－３］検出素子３１は、ギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐ上に配置されている。これにより、検出素子３１は、ギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐよりもコア穴２９側に配置されている場合と比較して、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２と離れやすい。このため、検出素子３１は、第１電流Ｉｃ１および第２電流Ｉｃ２によって発生する磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所から離れやすい。したがって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度が低下することが抑制されるため、電流検出精度の低下が抑制される。
【0075】
［１－４］判定部４５は、検出素子３１から出力された信号に基づいて、バッテリ１２および充電器１４の間において異常があるか否かを判定する。これにより、バッテリ１２および充電器１４の間において異常が検出される。
【0076】
［１－５］内面間距離Ｔｃｈは、ギャップ距離Ｇａｐよりも大きくなっている、すなわち、Ｔｃｈ＞Ｇａｐとされている。
【0077】
これにより、内面間距離Ｔｃｈがギャップ距離Ｇａｐ以下である場合と比較して、コア穴２９の磁気抵抗が大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線は、コア穴２９を通過するだけでなく、第１端面２６１からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第２端面２６２を通過しやすくなる。また、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線は、コア穴２９を通過するだけでなく、第２端面２６２からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第１端面２６１を通過しやすくなる。
【0078】
したがって、検出素子３１を通過する磁力線の数が多くなることから、検出素子３１の感度が大きくなるため、ＳＮＲが大きくなる。よって、図７に示すように、幅方向ＤＷにおける検出素子３１の位置が基準位置からずれることによって生じる検出素子３１の信号値の変化が、内面間距離Ｔｃｈがギャップ距離Ｇａｐ以下である場合と比較して小さい。したがって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度が低下することが抑制されるため、電流検出精度の低下が抑制される。なお、図７において、ΔＸ、Ｓ、Ｓｂ、ΔＳは、上記と同様である。また、内面間距離Ｔｃｈがギャップ距離Ｇａｐ以下である場合、すなわち、Ｔｃｈ≦Ｇａｐである場合のΔＸに対するΔＳがＲＥＦと破線とで示されている。さらに、内面間距離Ｔｃｈがギャップ距離Ｇａｐよりも大きい場合、すなわち、Ｔｃｈ＞Ｇａｐである場合のΔＸに対するΔＳが実線で示されている。
【0079】
［１－６］横部間距離Ｗｓｉは、内面間距離Ｔｃｈよりも大きくなっている、すなわち、Ｗｓｉ＞Ｔｃｈとされている。
【0080】
これにより、横部間距離Ｗｓｉが内面間距離Ｔｃｈ以下である場合と比較して、ギャップ形成部２６における磁界の幅方向ＤＷの成分が大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線は、第１端面２６１からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第２端面２６２を通過しやすくなる。また、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線は、第２端面２６２からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第１端面２６１を通過しやすくなる。したがって、検出素子３１を通過する磁力線の数が多くなることから、検出素子３１の感度が大きくなる。このため、ＳＮＲが大きくなる。よって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度の低下が抑制されることから、電流検出精度の低下が抑制される。
【0081】
［１－７］横内側角部Ｃ＿ｉｎ＿ｔｏｐは、Ｒ形状になっている。また、底内側角部Ｃ＿ｉｎ＿ｂｔｍは、Ｒ形状になっている。
【0082】
これにより、コア２５の内部の磁路長が短くなることから、コア２５の内部の反磁界の強さが大きくなる。このため、コア２５の磁束密度が抑制される。したがって、コア２５の磁気飽和が抑制される。
【0083】
［１－８］ケース５０は、第１開口部６１および第２開口部６２を有する。第１開口部６１は、第１開口部面６１０および第１開口部突起６１２を含む。第１開口部突起６１２が第１バスバ２１と接触していることにより、ケース５０と第１バスバ２１との位置決めがされているとともに、第１開口部面６１０および第１バスバ２１の間に空間が形成されている。第２開口部６２は、第２開口部面６２０および第２開口部突起６２２を含む。第２開口部突起６２２が第２バスバ２２と接触していることにより、ケース５０と第２バスバ２２との位置決めがされているとともに、第２開口部面６２０および第２バスバ２２の間に空間が形成されている。これらの空間により、第１バスバ２１および第２バスバ２２に電流が流れることによって発生した熱がケース５０に伝わりにくくなる。このため、ケース５０から検出素子３１に熱が伝わりにくくなる。したがって、検出素子３１の特性変化および故障が抑制される。
【0084】
（第２実施形態）
第２実施形態では、検出素子３１の配置が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
第２実施形態では、検出素子３１の配置が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
【0085】
検出素子３１は、図８に示すように、ギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐよりもコア穴２９とは反対側に配置されている。
【0086】
以上のように、第２実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【0087】
（第３実施形態）
第３実施形態では、検出素子３１の配置が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
第３実施形態では、検出素子３１の配置が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
【0088】
ここで、図９に示すように、第１コア突起２８１は、第１突起面２８１０を含む。第１突起面２８１０は、幅方向ＤＷを向いている。また、第１突起面２８１０は、幅方向ＤＷと直交する面であって、幅方向ＤＷと交差する面に対応する。さらに、ここでは、第１突起面２８１０は、第１端面２６１と同一面上に位置している。なお、第１突起面２８１０は、第１端面２６１と同一面上に位置していることに限定されないで、第１端面２６１と同一面上に位置していなくてもよい。
【0089】
また、第２コア突起２８２は、第２突起面２８２０を含む。第２突起面２８２０は、幅方向ＤＷを向いている。さらに、第２突起面２８２０は、幅方向ＤＷと直交する面であって、幅方向ＤＷと交差する面に対応する。また、第２突起面２８２０は、第１端面２６１および第１突起面２８１０と幅方向ＤＷに対向している。さらに、ここでは、第２突起面２８２０は、第２端面２６２と同一面上に位置している。なお、第２突起面２８２０は、第２端面２６２と同一面上に位置していることに限定されないで、第２端面２６２と同一面上に位置していなくてもよい。
【0090】
また、ここで、第１突起面２８１０および第１端面２６１を合わせた面の厚み方向ＤＴにおける中心を通るとともに厚み方向ＤＴと直交する面を中心面Ｓｏｐとする。そして、検出素子３１は、中心面Ｓｏｐ上に配置されている。なお、中心面Ｓｏｐは、第２突起面２８２０および第２端面２６２を合わせた面の厚み方向ＤＴにおける中心を通るとともに厚み方向ＤＴと直交する面であってもよい。
【0091】
以上のように、第３実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【0092】
（第４実施形態）
第４実施形態では、検出素子３１の配置が第３実施形態と異なる。これ以外は、第３実施形態と同様である。
第４実施形態では、検出素子３１の配置が第３実施形態と異なる。これ以外は、第３実施形態と同様である。
【0093】
検出素子３１は、図１０に示すように、中心面Ｓｏｐよりもコア穴２９とは反対側に配置されている。
【0094】
以上のように、第４実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第４実施形態においても、第３実施形態と同様の効果を奏する。
【0095】
（第５実施形態）
第５実施形態では、コア２５の形態が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
第５実施形態では、コア２５の形態が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
【0096】
具体的には、図１１に示すように、ギャップ形成部２６は、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２を含まない。また、コア底部２８は、底部内面２８０に加えて、凹部６０５を含む。
【0097】
ここで、幅方向ＤＷにおける第１バスバ２１の中心を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面を第１中心面Ｓｏｂ１とする。さらに、幅方向ＤＷにおける第２バスバ２２の中心を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面を第２中心面Ｓｏｂ２とする。
【0098】
そして、凹部６０５は、底部内面２８０のうち第１中心面Ｓｏｂ１および第２中心面Ｓｏｂ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。
【0099】
また、ここで、幅方向ＤＷにおける凹部６０５の最大長さを凹部幅Ｗｃｒとする。さらに、幅方向ＤＷにおける第１中心面Ｓｏｂ１から第２中心面Ｓｏｂ２までの距離を中心間距離Ｗｏｂとする。また、厚み方向ＤＴにおけるギャップ形成部２６の内面から凹部６０５の底面６０６までの最大距離を凹部距離Ｔｃｂとする。
【0100】
そして、凹部幅Ｗｃｒは、中心間距離Ｗｏｂ以下とされている、すなわち、Ｗｃｒ≦Ｗｏｂとされている。さらに、凹部距離Ｔｃｂは、ギャップ距離Ｇａｐよりも大きくなっている、すなわち、Ｔｃｂ＞Ｇａｐとされている。
【0101】
以上のように、第５実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第５実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。また、第５実施形態では、下記に記載する効果も奏する。
【0102】
［２］コア底部２８は、底部内面２８０と、凹部６０５と、を含む。底部内面２８０は、厚み方向ＤＴを向いている面である。凹部６０５は、底部内面２８０のうち、第１中心面Ｓｏｂ１および第２中心面Ｓｏｂ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。また、凹部幅Ｗｃｒは、中心間距離Ｗｏｂ以下とされている。さらに、凹部距離Ｔｃｂは、ギャップ距離Ｇａｐよりも大きくなっている。
【0103】
これにより、コア穴２９の磁気抵抗が、凹部６０５が形成されていない場合と比較して大きくなる。このため、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線は、コア穴２９を通過するだけでなく、第１端面２６１からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第２端面２６２を通過しやすくなる。また、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線は、コア穴２９を通過するだけでなく、第２端面２６２からギャップ２６５および検出素子３１を経由して第１端面２６１を通過しやすくなる。したがって、検出素子３１を通過する磁力線の数が多くなることから、検出素子３１の感度が大きくなる。このため、ＳＮＲが大きくなる。よって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度の低下が抑制されることから、電流検出精度の低下が抑制される。
【0104】
（第６実施形態）
第６実施形態では、凹部６０５の形態が第５実施形態と異なる。これ以外は、第５実施形態と同様である。
第６実施形態では、凹部６０５の形態が第５実施形態と異なる。これ以外は、第５実施形態と同様である。
【0105】
具体的には、図１２に示すように、凹部６０５は、底部内面２８０のうち第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。
【0106】
ここで、幅方向ＤＷにおける第１対向面２１１から第２対向面２２２までの最大距離をバスバ間距離Ｗｂｂとする。そして、凹部幅Ｗｃｒは、バスバ間距離Ｗｂｂ以下とされている、すなわち、Ｗｃｒ≦Ｗｂｂとされている。
【0107】
以上のように、第６実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第６実施形態においても、第５実施形態と同様の効果を奏する。
【0108】
（第７実施形態）
第７実施形態では、凹部６０５の形態が第５実施形態と異なる。これ以外は、第５実施形態と同様である。
第７実施形態では、凹部６０５の形態が第５実施形態と異なる。これ以外は、第５実施形態と同様である。
【0109】
ここで、図１３に示すように、第１端面２６１およびコア底部２８を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面を第１通過面Ｓｉ１とする。また、第２端面２６２およびコア底部２８を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面を第２通過面Ｓｉ２とする。
【0110】
そして、凹部６０５は、底部内面２８０のうち第１通過面Ｓｉ１および第２通過面Ｓｉ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。さらに、凹部幅Ｗｃｒは、ギャップ距離Ｇａｐ以下とされている、すなわち、Ｗｃｒ≦Ｇａｐとされている。
【0111】
以上のように、第７実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第７実施形態においても、第５実施形態と同様の効果を奏する。
【0112】
（第８実施形態）
第８実施形態では、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２の形態が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
第８実施形態では、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２の形態が第１実施形態と異なる。これ以外は、第１実施形態と同様である。
【0113】
具体的には、図１４に示すように、第１コア突起２８１は、第１コア内面２７１から突出していることに代えて、第１コア外面２９１から厚み方向ＤＴに突出している。また、第１コア突起２８１は、第１コア外面２９１のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲、ここでは、第１面Ｓ１および第１端面２６１の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。なお、第１コア外面２９１は、ギャップ形成部２６の第１バスバ２１側の外面であって、ギャップ形成部２６のうち厚み方向ＤＴ外側を向いている面である。
【0114】
第２コア突起２８２は、第２コア内面２７２から突出していることに代えて、第２コア外面２９２から厚み方向ＤＴに突出している。また、第２コア突起２８２は、第２コア外面２９２のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲、ここでは、第２面Ｓ２および第２端面２６２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。なお、第２コア外面２９２は、ギャップ形成部２６の第２バスバ２２側の外面であって、ギャップ形成部２６のうち厚み方向ＤＴ外側を向いている面である。
【0115】
以上のように、第８実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第８実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。また、第８実施形態では、下記に記載する効果も奏する。
【0116】
［３］ギャップ形成部２６は、第１コア外面２９１、第１コア突起２８１、第２コア外面２９２および第２コア突起２８２を含む。第１コア外面２９１および第２コア外面２９２は、厚み方向ＤＴ外側を向いている面である。第１コア突起２８１は、第１コア外面２９１のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。第２コア突起２８２は、第２コア外面２９２のうち、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。
【0117】
これにより、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線の一部は、第１コア突起２８１を通過する。第１コア突起２８１を通過した磁力線は、ギャップ２６５を経由して第２端面２６２を通過する。このとき、第１コア突起２８１を通過した磁力線は、検出素子３１を通過する。このため、検出素子３１には、第１端面２６１からの磁力線に加えて、第１コア突起２８１からの磁力線が通過する。また、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線の一部は、第２コア突起２８２を通過する。第２コア突起２８２を通過した磁力線は、ギャップ２６５を経由して第１端面２６１を通過する。このとき、第２コア突起２８２を通過した磁力線は、検出素子３１を通過する。このため、検出素子３１には、第２端面２６２からの磁力線に加えて、第２コア突起２８２からの磁力線が通過する。したがって、検出素子３１を通過する磁力線の数が多くなることから、検出素子３１の感度が大きくなる。このため、ＳＮＲが大きくなる。
【0118】
よって、図１５に示すように、幅方向ＤＷにおける検出素子３１の位置が基準位置からずれることによって生じる検出素子３１の信号値の変化が、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されていない場合と比較して小さい。したがって、検出素子３１による磁界の強さの検出精度が低下することが抑制されるため、電流検出精度の低下が抑制される。なお、図１５において、ΔＸ、Ｓ、Ｓｂ、ΔＳは、上記と同様である。また、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されていない場合のΔＸに対するΔＳがＲＥＦと破線とで示されている。さらに、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２が形成されている場合のΔＸに対するΔＳが実線で示されている。
【0119】
（第９実施形態）
第９実施形態では、検出素子３１の配置が第８実施形態と異なる。これ以外は、第８実施形態と同様である。
第９実施形態では、検出素子３１の配置が第８実施形態と異なる。これ以外は、第８実施形態と同様である。
【0120】
検出素子３１は、図１６に示すように、ギャップ中心面Ｓｏ＿Ｇａｐよりもコア穴２９とは反対側に配置されている。
【0121】
以上のように、第９実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第９実施形態においても、第８実施形態と同様の効果を奏する。
【0122】
（第１０実施形態）
第１０実施形態では、検出素子３１の配置が第８実施形態と異なる。これ以外は、第８実施形態と同様である。
第１０実施形態では、検出素子３１の配置が第８実施形態と異なる。これ以外は、第８実施形態と同様である。
【0123】
検出素子３１は、図１７に示すように、中心面Ｓｏｐ上に配置されている。なお、上記したように、中心面Ｓｏｐは、第１突起面２８１０および第１端面２６１を合わせた面の厚み方向ＤＴにおける中心を通るとともに厚み方向ＤＴと直交する面である。また、第１突起面２８１０は、第１コア突起２８１のうち幅方向ＤＷを向いている面である。
【0124】
以上のように、第１０実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第１０実施形態においても、第８実施形態と同様の効果を奏する。
【0125】
（第１１実施形態）
第１１実施形態では、検出素子３１の配置が第１０実施形態と異なる。これ以外は、第１０実施形態と同様である。
第１１実施形態では、検出素子３１の配置が第１０実施形態と異なる。これ以外は、第１０実施形態と同様である。
【0126】
検出素子３１は、図１８に示すように、中心面Ｓｏｐよりもコア穴２９とは反対側に配置されている。
【0127】
以上のように、第１１実施形態の電流センサ２０は、構成されている。この第１１実施形態においても、第１０実施形態と同様の効果を奏する。
【0128】
（第１２実施形態）
第１２実施形態では、コア２５の形態が第１実施形態と異なる。さらに、検出部３０の形態が第１実施形態と異なる。また、電流センサ２０は、リード線３５に代えて、第１リード線３５１および第２リード線３５２を備える。さらに、基板４０の配置および基板収容室５４の形態が第１実施形態と異なる。また、電流センサ２０による電流検出および漏電異常判定が第１実施形態と異なる。これら以外は、第１実施形態と同様である。
第１２実施形態では、コア２５の形態が第１実施形態と異なる。さらに、検出部３０の形態が第１実施形態と異なる。また、電流センサ２０は、リード線３５に代えて、第１リード線３５１および第２リード線３５２を備える。さらに、基板４０の配置および基板収容室５４の形態が第１実施形態と異なる。また、電流センサ２０による電流検出および漏電異常判定が第１実施形態と異なる。これら以外は、第１実施形態と同様である。
【0129】
【0130】
第１底部突起６０１は、底部内面２８０のうち第１面Ｓ１および第１通過面Ｓｉ１の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。さらに、第１底部突起６０１は、第１コア突起２８１を厚み方向ＤＴに投影したとき、投影した第１コア突起２８１と重なる。
【0131】
また、ここで、幅方向ＤＷにおける第１底部突起６０１の最大長さを第１幅Ｗｘ１とする。そして、第１幅Ｗｘ１は、第１距離Ｗｂ１以下とされている、すなわち、Ｗｘ１≦Ｗｂ１とされている。さらに、第１幅Ｗｘ１は、第１突起幅Ｗｐ１と同じとされている。なお、ここでは、「同じ」は、製造誤差範囲を含む。また、第１幅Ｗｘ１は、第１突起幅Ｗｐ１と同じであることに限定されないで、第１突起幅Ｗｐ１と異なっていてもよい。
【0132】
第２底部突起６０２は、底部内面２８０のうち第２面Ｓ２および第２通過面Ｓｉ２の間の範囲から厚み方向ＤＴに突出している。さらに、第２底部突起６０２は、第２コア突起２８２を厚み方向ＤＴに投影したとき、投影した第２コア突起２８２と重なる。
【0133】
また、ここで、幅方向ＤＷにおける第２底部突起６０２の最大長さを第２幅Ｗｘ２とする。そして、第２幅Ｗｘ２は、第２距離Ｗｂ２以下とされている、すなわち、Ｗｘ２≦Ｗｂ２とされている。さらに、第２幅Ｗｘ２は、第２突起幅Ｗｐ２と同じとされている。なお、第２幅Ｗｘ２は、第２突起幅Ｗｐ２と同じであることに限定されないで、第２突起幅Ｗｐ２と異なっていてもよい。
【0134】
凹部６０５は、底部内面２８０のうち第１底部突起６０１および第２底部突起６０２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。
【0135】
ここで、幅方向ＤＷにおける第１底部突起６０１から第２底部突起６０２までの最小距離を突起間距離Ｗｐｂとする。そして、凹部幅Ｗｃｒは、突起間距離Ｗｐｂ以下とされている、すなわち、Ｗｃｒ≦Ｗｐｂとされている。
【0136】
検出部３０は、ここでは、コア穴２９に配置されている。さらに、検出部３０は、検出素子３１に代えて、第１検出素子３１１および第２検出素子３１２を含む。第１検出素子３１１および第２検出素子３１２は、検出素子３１と同様に、ホール素子、ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子およびＡＭＲ素子等である。
【0137】
また、第１検出素子３１１は、第１コア突起２８１および第１底部突起６０１の間に配置されている。さらに、第１検出素子３１１は、厚み方向ＤＴの磁界の強さ、ここでは、後述するように、第１コア突起２８１から第１底部突起６０１に向かう方向の磁界の強さを検出する。また、第１検出素子３１１は、この検出した磁界の強さに応じた信号、例えば、この検出した磁界の強さに応じた電圧を外部に出力する。
【0138】
第２検出素子３１２は、第２コア突起２８２および第２底部突起６０２の間に配置されている。さらに、第２検出素子３１２は、厚み方向ＤＴの磁界の強さ、ここでは、後述するように、第２コア突起２８２から第２底部突起６０２に向かう方向の磁界の強さを検出する。また、第２検出素子３１２は、この検出した磁界の強さに応じた信号、例えば、この検出した磁界の強さに応じた電圧を外部に出力する。
【0139】
第１リード線３５１は、図２１に示すように、第１検出素子３１１と接続されている。第２リード線３５２は、第２検出素子３１２と接続されている。さらに、第１リード線３５１および第２リード線３５２は、はんだ付け等により基板４０と接続されている。
【0140】
判定部４５は、判定部４５のＲＯＭに記憶されたプログラムを実行することにより、第１リード線３５１および基板４０を介して、第１検出素子３１１からの信号を取得する。また、判定部４５は、第２リード線３５２および基板４０を介して、第２検出素子３１２からの信号を取得する。さらに、判定部４５は、これらの取得した信号に基づいて、バッテリ１２および充電器１４の間に生じた漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出するとともに、漏電異常があるか否かを判定する。また、判定部４５は、この判定結果に応じた信号を、図示しないターミナル等を介して、図示しない警報装置等の外部装置に出力する。
【0141】
基板収容室５４では、検出部３０、第１リード線３５１、第２リード線３５２および基板４０が収容されている。また、検出部３０がコア穴２９の中央付近に配置されるため、基板収容室５４は、ケース５０のうち長手方向ＤＬ側に形成されている。
【0142】
以上のように、第１２実施形態の電流センサ２０は、構成されている。次に、電流センサ２０による電流検出および漏電異常判定について説明する。
【0143】
バッテリ１２が充電器１４により充電されるとき、図２０に示すように、第１バスバ２１を流れる第１電流Ｉｃ１により、第１バスバ２１を通るとともに長手方向ＤＬに延びる軸を中心とする周方向の磁界が発生する。この発生した磁界により、磁力線がギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過する。このギャップ形成部２６を通過した磁力線の一部は、第１コア突起２８１、コア穴２９、第１検出素子３１１および第１底部突起６０１を経由して、コア底部２８のうち第１バスバ２１側を通過する。
【0144】
したがって、このとき、第１コア突起２８１から第１底部突起６０１に向かう方向の磁力線が第１検出素子３１１を通過するため、第１検出素子３１１は、第１電流Ｉｃ１によって発生する磁界のうち厚み方向ＤＴの磁界の強さを検出する。これにより、第１検出素子３１１は、第１電流Ｉｃ１を検出する。また、第１検出素子３１１は、この検出した磁界の強さに応じた信号を、第１リード線３５１および基板４０を介して判定部４５に出力する。
【0145】
また、このとき、第２バスバ２２を流れる第２電流Ｉｃ２により、第２バスバ２２を通るとともに長手方向ＤＬに延びる軸を中心とする周方向の磁界が発生する。この発生した磁界により、磁力線がギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過する。このギャップ形成部２６を通過した磁力線の一部は、第２コア突起２８２、コア穴２９、第２検出素子３１２および第２底部突起６０２を経由して、コア底部２８のうち第２バスバ２２側を通過する。
【0146】
よって、このとき、第２コア突起２８２から第２底部突起６０２に向かう方向の磁力線が第２検出素子３１２を通過するため、第２検出素子３１２は、第２電流Ｉｃ２によって発生する磁界のうち厚み方向ＤＴの磁界の強さを検出する。これにより、第２検出素子３１２は、第２電流Ｉｃ２を検出する。また、第２検出素子３１２は、この検出した磁界の強さに応じた信号を、第２リード線３５２および基板４０を介して判定部４５に出力する。
【0147】
ここで、バッテリ１２および充電器１４の間における電流の流れが正常である場合、例えば、漏電等が生じていない場合、バッテリ１２、充電器１４および電流センサ２０が直列に接続されていることから、第１電流Ｉｃ１と第２電流Ｉｃ２とは同じである。このため、第１検出素子３１１にかかる厚み方向ＤＴの磁界の強さと、第２検出素子３１２にかかる厚み方向ＤＴの磁界の強さとが同じになる。また、第１コア突起２８１から第１底部突起６０１に向かう方向は、第２コア突起２８２から第２底部突起６０２に向かう方向と同じである。したがって、この場合、第１検出素子３１１の信号値から第２検出素子３１２の信号値を減算した値は、ゼロになる。
【0148】
また、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電が生じた場合、第１電流Ｉｃ１と第２電流Ｉｃ２とが異なる。このため、第１検出素子３１１の信号値と第２検出素子３１２の信号値が異なる。よって、第１検出素子３１１の信号値から第２検出素子３１２の信号値を減算した値の絶対値がゼロよりも大きくなる。
【0149】
よって、判定部４５は、第１検出素子３１１の信号に関する値から第２検出素子３１２の信号に関する値を減算した値を算出する。また、判定部４５は、この減算した値に基づいて漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出するとともに、この算出した漏電量Ｍ＿ｌｅａｋと閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈとを比較する。これにより、判定部４５は、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電異常があるか否かを判定する。
【0150】
具体的には、判定部４５は、この減算した値の絶対値とマップとから、漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出する。なお、漏電量Ｍ＿ｌｅａｋを算出するためのマップは、実験やシミュレーション等により設定されている。例えば、このマップにより、上記減算した値の絶対値が大きくなることに伴って、算出される漏電量Ｍ＿ｌｅａｋは、大きくなる。
【0151】
そして、判定部４５は、この算出した漏電量Ｍ＿ｌｅａｋが閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈ未満であるとき、漏電異常がない、すなわち、バッテリ１２および充電器１４の間における電流の流れが正常であると判定する。また、判定部４５は、この算出した漏電量Ｍ＿ｌｅａｋが閾値Ｍ＿ｌｅａｋ＿ｔｈ以上であるとき、バッテリ１２および充電器１４の間において漏電異常があると判定する。さらに、判定部４５は、この判定結果に応じた信号を、図示しないターミナル等を介して、図示しない警報装置等の外部装置に出力する。
【0152】
以上のように、第１２実施形態の電流センサ２０は、電流検出および漏電異常判定を行う。この第１２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。また、第１２実施形態では、下記に記載する効果も奏する。
【0153】
［４－１］ここで、第１検出素子３１１は、第１バスバ２１に流れる電流によって発生する磁界の強さを検出するところ、第１バスバ２１に流れる電流によって発生する磁界は、第２バスバ２２に流れる電流によって発生する磁界の影響を受ける。このため、第１検出素子３１１から出力される信号には、第２バスバ２２に流れる電流によって発生する磁界ノイズが含まれる。また、第２検出素子３１２は、第２バスバ２２に流れる電流によって発生する磁界の強さを検出するところ、第２バスバ２２に流れる電流によって発生する磁界は、第１バスバ２１に流れる電流によって発生する磁界の影響を受ける。このため、第２検出素子３１２から出力される信号には、第１バスバ２１に流れる電流によって発生する磁界ノイズが含まれる。したがって、これらの磁界ノイズにより、第１検出素子３１１および第２検出素子３１２による磁界の強さの検出精度が低下するため、電流検出精度が低下する。
【0154】
これに対して、第１２実施形態の電流センサ２０では、判定部４５は、第１検出素子３１１の信号に関する値から第２検出素子３１２の信号に関する値を減算する。これにより、判定部４５は、第１バスバ２１および第２バスバ２２に流れる電流に関する値、ここでは、漏電量Ｍ＿ｌｅａｋに関する値を算出する算出部としての役割を果たす。
【0155】
上記減算により、第１バスバ２１に流れる電流によって発生する磁界ノイズと、第２バスバ２２に流れる電流によって発生する磁界ノイズとが互いに打ち消し合う。このため、第１バスバ２１および第２バスバ２２に流れる電流に関する値に含まれるノイズが減少することから、ＳＮＲが大きくなる。よって、電流検出精度の低下が抑制される。
【0156】
［４－２］判定部４５は、第１検出素子３１１の信号に関する値から第２検出素子３１２の信号に関する値を減算した値に基づいて、バッテリ１２および充電器１４の間における異常があると判定する。これにより、バッテリ１２および充電器１４の間において異常が検出される。
【0157】
［４－３］ギャップ形成部２６は、第１コア内面２７１、第１コア突起２８１、第２コア内面２７２および第２コア突起２８２を含む。また、第１検出素子３１１は、第１コア突起２８１およびコア底部２８の間に配置されている。さらに、第２検出素子３１２は、第２コア突起２８２およびコア底部２８の間に配置されている。
【0158】
これにより、ギャップ形成部２６のうち第１バスバ２１側を通過した磁力線の一部は、第１コア突起２８１を通過する。また、第１コア突起２８１およびコア底部２８の間の磁気抵抗は、第１コア突起２８１が形成されていない場合と比較して小さくなる。このため、第１コア突起２８１を通過した磁力線は、コア穴２９および第１検出素子３１１を経由して、コア底部２８を通過しやすくなる。したがって、第１検出素子３１１を通過する磁力線の数が多くなることから、第１検出素子３１１の感度が大きくなる。さらに、ギャップ形成部２６のうち第２バスバ２２側を通過した磁力線の一部は、第２コア突起２８２を通過する。また、第２コア突起２８２およびコア底部２８の間の磁気抵抗は、第２コア突起２８２が形成されていない場合と比較して小さくなる。このため、第２コア突起２８２を通過した磁力線は、コア穴２９および第２検出素子３１２を経由して、コア底部２８を通過しやすくなる。よって、第２検出素子３１２を通過する磁力線の数が多くなることから、第２検出素子３１２の感度が大きくなる。これらのため、判定部４５によって減算される値のＳＮＲが大きくなる。したがって、電流検出精度の低下が抑制される。
【0159】
［４－４］コア底部２８は、底部内面２８０と、第１底部突起６０１と、第２底部突起６０２と、を含む。また、第１検出素子３１１は、第１コア突起２８１および第１底部突起６０１の間に配置されている。さらに、第２検出素子３１２は、第２コア突起２８２および第２底部突起６０２の間に配置されている。
【0160】
第１コア突起２８１およびコア底部２８の間の磁気抵抗は、第１底部突起６０１が形成されていない場合と比較して小さくなる。このため、第１コア突起２８１を通過した磁力線は、コア穴２９および第１検出素子３１１を経由して、第１底部突起６０１を通過しやすくなる。したがって、第１検出素子３１１を通過する磁力線の数が多くなることから、第１検出素子３１１の感度が大きくなる。また、第２コア突起２８２およびコア底部２８の間の磁気抵抗は、第２底部突起６０２が形成されていない場合と比較して小さくなる。このため、第２コア突起２８２を通過した磁力線は、コア穴２９および第２検出素子３１２を経由して、第２底部突起６０２を通過しやすくなる。よって、第２検出素子３１２を通過する磁力線の数が多くなることから、第２検出素子３１２の感度が大きくなる。これらのため、判定部４５によって減算される値のＳＮＲが大きくなる。したがって、電流検出精度の低下が抑制される。
【0161】
［４－５］コア底部２８は、凹部６０５を含む。凹部６０５は、底部内面２８０のうち、第１底部突起６０１および第２底部突起６０２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。
【0162】
これにより、第１底部突起６０１および第２底部突起６０２の間の磁気抵抗は、凹部６０５が形成されていない場合と比較して大きくなる。このため、第１コア突起２８１を通過した磁力線は、コア穴２９を経由して第２底部突起６０２を通過しにくくなることから、コア穴２９および第１検出素子３１１を経由して、第１底部突起６０１を通過しやすくなる。したがって、第１検出素子３１１を通過する磁力線の数が多くなることから、第１検出素子３１１の感度が大きくなる。また、第２コア突起２８２を通過した磁力線は、コア穴２９を経由して第１底部突起６０１を通過しにくくなることから、コア穴２９および第２検出素子３１２を経由して、第２底部突起６０２を通過しやすくなる。よって、第２検出素子３１２を通過する磁力線の数が多くなることから、第２検出素子３１２の感度が大きくなる。これらのため、判定部４５によって減算される値のＳＮＲが大きくなる。したがって、電流検出精度の低下が抑制される。
【0163】
（第１２実施形態の変形例）
第１２実施形態において、凹部６０５は、底部内面２８０から凹んでいることに代えて、例えば、図２２に示すように、底部外面２８５から厚み方向ＤＴに凹んでいてもよい。また、この場合、凹部６０５は、底部外面２８５のうち第１底部突起６０１および第２底部突起６０２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。このような形態であっても、第１２実施形態と同様の効果を奏する。なお、底部外面２８５は、コア底部２８のうち厚み方向ＤＴ外側を向いている面である。
第１２実施形態において、凹部６０５は、底部内面２８０から凹んでいることに代えて、例えば、図２２に示すように、底部外面２８５から厚み方向ＤＴに凹んでいてもよい。また、この場合、凹部６０５は、底部外面２８５のうち第１底部突起６０１および第２底部突起６０２の間の範囲から厚み方向ＤＴに凹んでいる。このような形態であっても、第１２実施形態と同様の効果を奏する。なお、底部外面２８５は、コア底部２８のうち厚み方向ＤＴ外側を向いている面である。
【0164】
また、図２３に示すように、コア底部２８は、凹部６０５に代えて、穴２８７を有してもよい。穴２８７は、コア底部２８のうち第１底部突起６０１および第２底部突起６０２の間の範囲に形成されているとともに、長手方向ＤＬに延びている有底穴または貫通穴である。このような形態であっても、第１２実施形態と同様の効果を奏する。
【0165】
また、図２４に示すように、コア底部２８は、第１底部突起６０１、第２底部突起６０２および凹部６０５を有していなくてもよい。この場合、第１検出素子３１１は、コア穴２９のうち第１コア突起２８１およびコア底部２８の間の範囲に配置される。さらに、第２検出素子３１２は、コア穴２９のうち第２コア突起２８２およびコア底部２８の間の範囲に配置される。このような形態であっても、第１２実施形態と同様の効果を奏する。
【0166】
また、図２５に示すように、ギャップ形成部２６は、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２を有していなくてもよい。この場合、第１検出素子３１１は、コア穴２９のうちギャップ形成部２６および第１底部突起６０１の間の範囲に配置される。さらに、第２検出素子３１２は、コア穴２９のうちギャップ形成部２６および第２底部突起６０２の間の範囲に配置される。このような形態であっても、第１２実施形態と同様の効果を奏する。
【0167】
また、図２６に示すように、ギャップ形成部２６は、第１コア突起２８１および第２コア突起２８２を有していない、かつ、コア底部２８が第１底部突起６０１、第２底部突起６０２および凹部６０５を有していなくてもよい。この場合、第１検出素子３１１は、コア穴２９のうち、第１面Ｓ１および第１通過面Ｓｉ１の間の範囲に配置される。さらに、第２検出素子３１２は、コア穴２９のうち、第２面Ｓ２および第２通過面Ｓｉ２の間の範囲に配置される。このような形態であっても、第１２実施形態と同様の効果を奏する。なお、上記したように、第１面Ｓ１は、第１対向面２１１を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面である。また、第２面Ｓ２は、第２対向面２２２を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面である。さらに、第１通過面Ｓｉ１は、第１端面２６１を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面である。また、第２通過面Ｓｉ２は、第２端面２６２を通るとともに幅方向ＤＷと直交する面である。
【0168】
（他の実施形態）
本開示は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対して、適宜変更が可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
本開示は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対して、適宜変更が可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【0169】
本開示に記載の判定部、算出部およびその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサおよびメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の判定部、算出部およびその手法は、一つ以上の専用ハードウエア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の判定部、算出部およびその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサおよびメモリと一つ以上のハードウエア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。
【0170】
上記各実施形態では、電流センサ２０は、オンボードチャージャ１０に用いられている。これに対して、電流センサ２０は、オンボードチャージャ１０に用いられることに限定されない。例えば、電流センサ２０は、電源から製造設備等の負荷に流れる電流を検出することにより、電源および製造設備等の負荷の間において漏電異常があるか否かを判定してもよい。また、例えば、電流センサ２０は、住宅等の建物に用いられてもよく、建物の電源から電気機器等の負荷に流れる電流を検出することにより、電源および電気機器等の負荷の間において漏電異常があるか否かを判定してもよい。
【0171】
上記各実施形態では、コア２５は、板状の軟磁性材料がＣ字状に曲げ加工されることにより形成されているところ、これに限定されない。例えば、コア２５は、板状の軟磁性材料がワイヤカットされることにより形成されてもよい。また、コア２５は、シート状の軟磁性材料が巻き付けられることにより形成されてもよい。この場合、軟磁性材料間の剥離を防ぐために接着材料が用いられる。さらに、コア２５は、シート状の軟磁性材料が重ね合わされて積層されることにより形成されてもよい。この場合、複数の軟磁性材料がプレス加工されることによりシート状に形成され、シート状の軟磁性材料がダボカシメされることにより、積層される。
【0172】
また、コア２５が板状のパーマロイで積層されたとする。このとき、コア２５が板状の方向性電磁鋼板で積層されるときと比較して、コア２５のヒステリシス特性が向上する。さらに、コア２５が板状の方向性電磁鋼板で形成されたとする。このとき、コア２５がパーマロイで形成されるときと比較して、材料費が削減されるため、電流センサ２０のコストを削減することができる。
【0173】
上記各実施形態では、判定部４５は、基板４０に配置されているところ、これに限定されない。判定部４５は、例えば、電流センサ２０の外部に配置されるＥＣＵ等の外部装置に備えられてもよい。なお、ＥＣＵは、Electronic Control Unitの略である。
【0174】
上記実施形態において、コア突起および底部突起は、それぞれ２つ形成されているところ、コア突起および底部突起の数は、２つであることに限定されない。コア突起および底部突起の数は、少なくとも１つあればよい。また、凹部６０５の数は、１つであるところ、これに限定されないで、２つ以上であってもよい。
【0175】
上記各実施形態では、充電器１４から第１バスバ２１、バッテリ１２、第２バスバ２２の順に電流が流れる。これに対して、充電器１４から第２バスバ２２、バッテリ１２、第１バスバ２１の順に電流が流れてもよい。この場合、第１バスバ２１および第２バスバ２２に流れる電流の方向が上記各実施形態とは逆方向となることから、第１バスバ２１および第２バスバ２２によって発生する磁界の向きは、上記各実施形態とは逆方向となる。この場合であっても、上記各実施形態と同様の効果を奏する。
【0176】
上記各実施形態では、第１バスバ２１および第２バスバ２２は、板状に形成されているところ、これに限定されないで、棒状や柱状等に形成されてもよい。したがって、ここでは、第１バスバ２１および第２バスバ２２が板状に形成されていることは、第１バスバ２１および第２バスバ２２が棒状や柱状等に形成されていることの意味も含むものとする。
【0177】
上記各実施形態は、適宜組み合わされてもよい。
【0178】
（本開示の観点）
上記の通りの実施形態および変形例についての説明から明らかなように、本明細書による開示は、少なくとも、以下の観点を含む。
上記の通りの実施形態および変形例についての説明から明らかなように、本明細書による開示は、少なくとも、以下の観点を含む。
【0179】
（課題）
特許文献１に記載された電流センサにおいて、電流検出のために、コアに挿入されるバスバが２つ備えられることがある。この場合、例えば、電流方向が互いに異なる２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さがセンサチップにて検出されることにより、バスバに流れる電流が検出される。このとき、ギャップ内において、２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の方向が互いに逆方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合う箇所が生じる。また、ギャップ内において、２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の方向がギャップからギャップとは反対側に位置するコアの底部に向かう方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所が生じる。これらのため、ギャップ内の磁界の勾配が大きくなる。これにより、センサチップの位置がずれることで、センサチップによる磁界の強さの検出精度が低下する。したがって、このとき、電流検出精度が低下する。
本開示は、電流検出精度の低下を抑制する電流センサを提供することを目的とする。
特許文献１に記載された電流センサにおいて、電流検出のために、コアに挿入されるバスバが２つ備えられることがある。この場合、例えば、電流方向が互いに異なる２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さがセンサチップにて検出されることにより、バスバに流れる電流が検出される。このとき、ギャップ内において、２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の方向が互いに逆方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合う箇所が生じる。また、ギャップ内において、２つのバスバに流れる電流によって発生する磁界の方向がギャップからギャップとは反対側に位置するコアの底部に向かう方向となる箇所が生じることから、２つの磁界が互いに打ち消し合いにくい箇所が生じる。これらのため、ギャップ内の磁界の勾配が大きくなる。これにより、センサチップの位置がずれることで、センサチップによる磁界の強さの検出精度が低下する。したがって、このとき、電流検出精度が低下する。
本開示は、電流検出精度の低下を抑制する電流センサを提供することを目的とする。
【0180】
［観点１－１］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記ギャップ形成部は、コア内面（２７１、２７２）と、コア突起（２８１、２８２）と、を含み、
前記コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記コア突起は、前記コア内面のうち、前記第１対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に突出している電流センサ。
［観点１－２］
前記コア突起は、前記厚み方向において前記コア底部と離れている観点１－１に記載の電流センサ。
［観点１－３］
前記幅方向における前記コア突起の長さ（Ｗｐ１、Ｗｐ２）は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第１端面までの距離（Ｗｂ１、Ｗｂ２）以下とされている観点１－１または１－２に記載の電流センサ。
［観点１－４］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）上に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－５］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－６］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）上に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－７］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－８］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点１－１ないし１－７のいずれか１つに記載の電流センサ。
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記ギャップ形成部は、コア内面（２７１、２７２）と、コア突起（２８１、２８２）と、を含み、
前記コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記コア突起は、前記コア内面のうち、前記第１対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に突出している電流センサ。
［観点１－２］
前記コア突起は、前記厚み方向において前記コア底部と離れている観点１－１に記載の電流センサ。
［観点１－３］
前記幅方向における前記コア突起の長さ（Ｗｐ１、Ｗｐ２）は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第１端面までの距離（Ｗｂ１、Ｗｂ２）以下とされている観点１－１または１－２に記載の電流センサ。
［観点１－４］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）上に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－５］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－６］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）上に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－７］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点１－１ないし１－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点１－８］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点１－１ないし１－７のいずれか１つに記載の電流センサ。
【0181】
［観点２－１］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記厚み方向における前記ギャップ形成部の内面から前記コア底部の内面までの距離である内面間距離（Ｔｃｈ）は、前記幅方向における前記第１端面から前記第２端面までの距離（Ｇａｐ）よりも大きくなっている電流センサ。
［観点２－２］
前記幅方向に互いに対向している前記コア横部の内面同士の間の距離（Ｗｓｉ）は、前記内面間距離よりも大きくなっている観点２－１に記載の電流センサ。
［観点２－３］
前記ギャップ形成部と前記コア横部との境界部における内側の角部である横内側角部（Ｃ＿ｉｎ＿ｔｏｐ）は、Ｒ形状になっている観点２－１または２－２に記載の電流センサ。
［観点２－４］
前記コア横部と前記コア底部との境界部における内側の角部である底内側角部（Ｃ＿ｉｎ＿ｂｔｍ）は、Ｒ形状になっている観点２－１ないし２－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点２－５］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点２－１ないし２－４のいずれか１つに記載の電流センサ。
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記厚み方向における前記ギャップ形成部の内面から前記コア底部の内面までの距離である内面間距離（Ｔｃｈ）は、前記幅方向における前記第１端面から前記第２端面までの距離（Ｇａｐ）よりも大きくなっている電流センサ。
［観点２－２］
前記幅方向に互いに対向している前記コア横部の内面同士の間の距離（Ｗｓｉ）は、前記内面間距離よりも大きくなっている観点２－１に記載の電流センサ。
［観点２－３］
前記ギャップ形成部と前記コア横部との境界部における内側の角部である横内側角部（Ｃ＿ｉｎ＿ｔｏｐ）は、Ｒ形状になっている観点２－１または２－２に記載の電流センサ。
［観点２－４］
前記コア横部と前記コア底部との境界部における内側の角部である底内側角部（Ｃ＿ｉｎ＿ｂｔｍ）は、Ｒ形状になっている観点２－１ないし２－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
［観点２－５］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点２－１ないし２－４のいずれか１つに記載の電流センサ。
【0182】
［観点３－１］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、凹部（６０５）と、を含み、
前記底部内面は、前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記凹部は、前記底部内面のうち、前記幅方向における前記第１バスバの中心を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１中心面（Ｓｏｂ１）および前記幅方向における前記第２バスバの中心を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２中心面（Ｓｏｂ２）の間の範囲から前記厚み方向に凹んでおり、
前記幅方向における前記凹部の長さである凹部幅（Ｗｃｒ）は、前記幅方向における前記第１中心面から前記第２中心面までの距離（Ｗｏｂ）以下とされており、
前記厚み方向における前記ギャップ形成部の内面から前記凹部の底面（６０６）までの距離（Ｔｃｂ）は、前記幅方向における前記第１端面から前記第２端面までの距離であるギャップ距離（Ｇａｐ）よりも大きくなっている電流センサ。
［観点３－２］
前記凹部は、前記底部内面のうち、前記第１対向面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に凹んでおり、
前記凹部幅は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第２対向面までの距離（Ｗｂｂ）以下とされている観点３－１に記載の電流センサ。
［観点３－３］
前記凹部は、前記底部内面のうち、前記第１端面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓｉ１）ならびに前記第２端面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓｉ２）の間の範囲から前記厚み方向に凹んでおり、
前記凹部幅は、前記ギャップ距離以下とされている観点３－１に記載の電流センサ。
［観点３－４］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点３－１ないし３－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、凹部（６０５）と、を含み、
前記底部内面は、前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記凹部は、前記底部内面のうち、前記幅方向における前記第１バスバの中心を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１中心面（Ｓｏｂ１）および前記幅方向における前記第２バスバの中心を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２中心面（Ｓｏｂ２）の間の範囲から前記厚み方向に凹んでおり、
前記幅方向における前記凹部の長さである凹部幅（Ｗｃｒ）は、前記幅方向における前記第１中心面から前記第２中心面までの距離（Ｗｏｂ）以下とされており、
前記厚み方向における前記ギャップ形成部の内面から前記凹部の底面（６０６）までの距離（Ｔｃｂ）は、前記幅方向における前記第１端面から前記第２端面までの距離であるギャップ距離（Ｇａｐ）よりも大きくなっている電流センサ。
［観点３－２］
前記凹部は、前記底部内面のうち、前記第１対向面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に凹んでおり、
前記凹部幅は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第２対向面までの距離（Ｗｂｂ）以下とされている観点３－１に記載の電流センサ。
［観点３－３］
前記凹部は、前記底部内面のうち、前記第１端面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓｉ１）ならびに前記第２端面および前記コア底部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓｉ２）の間の範囲から前記厚み方向に凹んでおり、
前記凹部幅は、前記ギャップ距離以下とされている観点３－１に記載の電流センサ。
［観点３－４］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点３－１ないし３－３のいずれか１つに記載の電流センサ。
【0183】
［観点４－１］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記ギャップ形成部は、コア外面（２９１、２９２）と、コア突起（２７２、２８２）と、を含み、
前記コア外面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向外側を向いている面であって、
前記コア突起は、前記コア外面のうち、前記第１対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に突出している電流センサ。
［観点４－２］
前記幅方向における前記コア突起の長さ（Ｗｐ１、Ｗｐ２）は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第１端面までの距離（Ｗｂ１、Ｗｂ２）以下とされている観点４－１に記載の電流センサ。
［観点４－３］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）上に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－４］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－５］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）上に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－６］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－７］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点４－１ないし４－６のいずれか１つに記載の電流センサ。
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記ギャップに配置されているとともに、前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第１端面から前記第２端面に向かう方向（Ｄｍ１）の磁界と、前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記第２端面から前記第１端面に向かう方向（Ｄｍ２）の磁界とが合わされた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する検出素子（３１）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記ギャップ形成部は、コア外面（２９１、２９２）と、コア突起（２７２、２８２）と、を含み、
前記コア外面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向外側を向いている面であって、
前記コア突起は、前記コア外面のうち、前記第１対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ１）ならびに前記第２対向面および前記ギャップ形成部を通るとともに前記幅方向と直交する面（Ｓ２）の間の範囲から前記厚み方向に突出している電流センサ。
［観点４－２］
前記幅方向における前記コア突起の長さ（Ｗｐ１、Ｗｐ２）は、前記幅方向における前記第１対向面から前記第１端面までの距離（Ｗｂ１、Ｗｂ２）以下とされている観点４－１に記載の電流センサ。
［観点４－３］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）上に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－４］
前記検出素子は、前記厚み方向における前記第１端面の中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏ＿Ｇａｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－５］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）上に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－６］
前記コア突起は、前記幅方向を向いている突起面（２８１０、２８２０）を含み、
前記検出素子は、前記突起面および前記第１端面を合わせた面の前記厚み方向における中心を通るとともに前記厚み方向と直交する面（Ｓｏｐ）よりも前記コア穴とは反対側に配置されている観点４－１または４－２に記載の電流センサ。
［観点４－７］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記電流センサは、前記検出素子から出力された信号に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する判定部（４５）をさらに備える観点４－１ないし４－６のいずれか１つに記載の電流センサ。
【0184】
（課題）
特許文献１に記載された電流センサにおいて、電流検出のために、コアに挿入されるバスバとセンサチップとがそれぞれ２つ備えられることがある。この場合、例えば、２つのバスバに流れる電流の方向は、互いに異なる。また、第１のセンサチップは、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出し、第２のセンサチップが第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出する。これにより、第１のバスバおよび第２のバスバに流れる電流が検出される。しかし、第１のセンサチップは、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出するところ、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界は、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界の影響を受ける。このため、第１のセンサチップから出力される信号には、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界ノイズが含まれる。また、第２のセンサチップは、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出するところ、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界は、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界の影響を受ける。このため、第２のセンサチップから出力される信号には、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界ノイズが含まれる。したがって、これらの磁界ノイズにより、第１のセンサチップおよび第２のセンサチップによる磁界の強さの検出精度が低下するため、電流検出精度が低下する。
本開示は、電流検出精度の低下を抑制する電流センサを提供することを目的とする。
特許文献１に記載された電流センサにおいて、電流検出のために、コアに挿入されるバスバとセンサチップとがそれぞれ２つ備えられることがある。この場合、例えば、２つのバスバに流れる電流の方向は、互いに異なる。また、第１のセンサチップは、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出し、第２のセンサチップが第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出する。これにより、第１のバスバおよび第２のバスバに流れる電流が検出される。しかし、第１のセンサチップは、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出するところ、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界は、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界の影響を受ける。このため、第１のセンサチップから出力される信号には、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界ノイズが含まれる。また、第２のセンサチップは、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界の強さを検出するところ、第２のバスバに流れる電流によって発生する磁界は、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界の影響を受ける。このため、第２のセンサチップから出力される信号には、第１のバスバに流れる電流によって発生する磁界ノイズが含まれる。したがって、これらの磁界ノイズにより、第１のセンサチップおよび第２のセンサチップによる磁界の強さの検出精度が低下するため、電流検出精度が低下する。
本開示は、電流検出精度の低下を抑制する電流センサを提供することを目的とする。
【0185】
［観点５－１］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第１検出素子（３１１）と、
前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第２検出素子（３１２）と、
前記第１検出素子および前記第２検出素子からの信号に基づいて、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出する算出部（４５）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記第１検出素子は、前記コア穴のうち、前記第１対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１面（Ｓ１）および前記第１端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１通過面（Ｓｉ１）の間の範囲に配置されており、
前記第２検出素子は、前記コア穴のうち、前記第２対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２面（Ｓ２）および前記第２端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２通過面（Ｓｉ２）の間の範囲に配置されており、
前記算出部は、前記第１検出素子の信号に関する値から前記第２検出素子の信号に関する値を減算することにより、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出する電流センサ。
［観点５－２］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記算出部は、前記第１検出素子の信号に関する値から前記第２検出素子の信号に関する値を減算した値に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する観点５－１に記載の電流センサ。
［観点５－３］
前記ギャップ形成部は、第１コア内面（２７１）と、第１コア突起（２８１）と、第２コア内面（２７２）と、第２コア突起（２８２）と、を含み、
前記第１コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第１バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１バスバと重なり、
前記第１コア突起は、前記第１コア内面のうち前記第１面および前記第１端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第１検出素子は、前記第１コア突起および前記コア底部の間に配置されており、
前記第２コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第２バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２バスバと重なり、
前記第２コア突起は、前記第２コア内面のうち前記第２面および前記第２端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第２検出素子は、前記第２コア突起および前記コア底部の間に配置されている観点５－１または５－２に記載の電流センサ。
［観点５－４］
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、第１底部突起（６０１）と、第２底部突起（６０２）と、を含み、
前記底部内面は、前記コア底部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記第１底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第１コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１コア突起と重なり、
前記第２底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第２コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２コア突起と重なり、
前記第１検出素子は、前記第１コア突起および前記第１底部突起の間に配置されており、
前記第２検出素子は、前記第２コア突起および前記第２底部突起の間に配置されている観点５－３に記載の電流センサ。
［観点５－５］
前記第１通過面および前記第２通過面は、前記コア底部を通り、
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、第１底部突起（６０１）と、第２底部突起（６０２）と、を含み、
前記底部内面は、前記コア底部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記第１底部突起は、前記底部内面のうち前記第１面および前記第１通過面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第２底部突起は、前記底部内面のうち前記第２面および前記第２通過面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第１検出素子は、前記ギャップ形成部および前記第１底部突起の間に配置されており、
前記第２検出素子は、前記ギャップ形成部および前記第２底部突起の間に配置されている観点５－１または５－２に記載の電流センサ。
［観点５－６］
前記コア底部は、凹部（６０５）を含み、
前記凹部は、前記底部内面のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲から前記厚み方向に凹んでいる観点５－４または５－５に記載の電流センサ。
［観点５－７］
前記コア底部は、底部外面（２８５）と、凹部（６０５）と、を含み、
前記底部外面は、前記コア底部のうち前記厚み方向外側を向いている面であって、
前記凹部は、前記底部外面のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲から前記厚み方向に凹んでいる観点５－４または５－５に記載の電流センサ。
［観点５－８］
前記コア底部は、穴（２８７）を含み、
前記穴は、前記コア底部のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲に形成されているとともに前記長手方向に延びている観点５－４または５－５に記載の電流センサ。
［観点５－９］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第１検出素子（３１１）と、
前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第２検出素子（３１２）と、
前記第１検出素子および前記第２検出素子からの信号に基づいて、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出する算出部（４５）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記第１検出素子は、前記コア穴のうち、前記第１対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１面（Ｓ１）および前記第１端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１通過面（Ｓｉ１）の間の範囲に配置されており、
前記第２検出素子は、前記コア穴のうち、前記第２対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２面（Ｓ２）および前記第２端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２通過面（Ｓｉ２）の間の範囲に配置されており、
前記算出部は、前記第１検出素子の信号に関する値から前記第２検出素子の信号に関する値を減算することにより、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出し、
前記ギャップ形成部は、第１コア内面（２７１）と、第１コア突起（２８１）と、第２コア内面（２７２）と、第２コア突起（２８２）と、を含み、
前記第１コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第１バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１バスバと重なり、
前記第１コア突起は、前記第１コア内面のうち前記第１面および前記第１端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第２コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第２バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２バスバと重なり、
前記第２コア突起は、前記第２コア内面のうち前記第２面および前記第２端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、第１底部突起（６０１）と、第２底部突起（６０２）と、を含み、
前記底部内面は、前記コア底部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記第１底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第１コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１コア突起と重なり、
前記第２底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第２コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２コア突起と重なり、
前記第１検出素子は、前記第１コア突起および前記第１底部突起の間に配置されており、
前記第２検出素子は、前記第２コア突起および前記第２底部突起の間に配置されている電流センサ。
［観点５－１０］
前記コア底部は、凹部（６０５）を含み、
前記凹部は、前記底部内面のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲から前記厚み方向に凹んでいる観点５－９に記載の電流センサ。
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第１検出素子（３１１）と、
前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第２検出素子（３１２）と、
前記第１検出素子および前記第２検出素子からの信号に基づいて、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出する算出部（４５）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記第１検出素子は、前記コア穴のうち、前記第１対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１面（Ｓ１）および前記第１端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１通過面（Ｓｉ１）の間の範囲に配置されており、
前記第２検出素子は、前記コア穴のうち、前記第２対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２面（Ｓ２）および前記第２端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２通過面（Ｓｉ２）の間の範囲に配置されており、
前記算出部は、前記第１検出素子の信号に関する値から前記第２検出素子の信号に関する値を減算することにより、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出する電流センサ。
［観点５－２］
前記第１バスバは、電源の一端および負荷の一端と接続されており、
前記第２バスバは、前記電源の他端および前記負荷の他端と接続されており、
前記算出部は、前記第１検出素子の信号に関する値から前記第２検出素子の信号に関する値を減算した値に基づいて、前記電源および前記負荷の間において異常があるか否かを判定する観点５－１に記載の電流センサ。
［観点５－３］
前記ギャップ形成部は、第１コア内面（２７１）と、第１コア突起（２８１）と、第２コア内面（２７２）と、第２コア突起（２８２）と、を含み、
前記第１コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第１バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１バスバと重なり、
前記第１コア突起は、前記第１コア内面のうち前記第１面および前記第１端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第１検出素子は、前記第１コア突起および前記コア底部の間に配置されており、
前記第２コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第２バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２バスバと重なり、
前記第２コア突起は、前記第２コア内面のうち前記第２面および前記第２端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第２検出素子は、前記第２コア突起および前記コア底部の間に配置されている観点５－１または５－２に記載の電流センサ。
［観点５－４］
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、第１底部突起（６０１）と、第２底部突起（６０２）と、を含み、
前記底部内面は、前記コア底部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記第１底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第１コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１コア突起と重なり、
前記第２底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第２コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２コア突起と重なり、
前記第１検出素子は、前記第１コア突起および前記第１底部突起の間に配置されており、
前記第２検出素子は、前記第２コア突起および前記第２底部突起の間に配置されている観点５－３に記載の電流センサ。
［観点５－５］
前記第１通過面および前記第２通過面は、前記コア底部を通り、
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、第１底部突起（６０１）と、第２底部突起（６０２）と、を含み、
前記底部内面は、前記コア底部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記第１底部突起は、前記底部内面のうち前記第１面および前記第１通過面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第２底部突起は、前記底部内面のうち前記第２面および前記第２通過面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第１検出素子は、前記ギャップ形成部および前記第１底部突起の間に配置されており、
前記第２検出素子は、前記ギャップ形成部および前記第２底部突起の間に配置されている観点５－１または５－２に記載の電流センサ。
［観点５－６］
前記コア底部は、凹部（６０５）を含み、
前記凹部は、前記底部内面のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲から前記厚み方向に凹んでいる観点５－４または５－５に記載の電流センサ。
［観点５－７］
前記コア底部は、底部外面（２８５）と、凹部（６０５）と、を含み、
前記底部外面は、前記コア底部のうち前記厚み方向外側を向いている面であって、
前記凹部は、前記底部外面のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲から前記厚み方向に凹んでいる観点５－４または５－５に記載の電流センサ。
［観点５－８］
前記コア底部は、穴（２８７）を含み、
前記穴は、前記コア底部のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲に形成されているとともに前記長手方向に延びている観点５－４または５－５に記載の電流センサ。
［観点５－９］
電流センサであって、
板状に形成されているとともに、長手方向（ＤＬ）のうち一方向の電流（Ｉｃ１）が流れる第１バスバ（２１）と、
前記第１バスバと間隔を空けて前記第１バスバの幅方向（ＤＷ）に並んで板状に形成されているとともに、前記第１バスバに流れる電流の方向とは逆方向の電流（Ｉｃ２）が流れる第２バスバ（２２）と、
前記第１バスバおよび前記第２バスバが挿入されているコア穴（２９）と、前記幅方向を向いている第１端面（２６１）、前記第１端面と前記幅方向に対向している第２端面（２６２）、および、前記第１端面と前記第２端面とによって形成されているとともに前記コア穴と外部とに連通するギャップ（２６５）を含むギャップ形成部（２６）と、前記ギャップ形成部に接続されているとともに前記第１バスバの厚み方向（ＤＴ）に延びているコア横部（２７）と、前記コア横部に接続されて前記幅方向に延びているとともに前記ギャップ形成部および前記コア横部とで前記コア穴を形成するコア底部（２８）と、を有するコア（２５）と、
前記第１バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第１検出素子（３１１）と、
前記第２バスバに流れる電流によって発生する磁界のうち前記厚み方向の磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さに応じた信号を出力する第２検出素子（３１２）と、
前記第１検出素子および前記第２検出素子からの信号に基づいて、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出する算出部（４５）と、
を備え、
前記第１バスバは、前記第２バスバと前記幅方向に対向する第１対向面（２１１）を有し、
前記第２バスバは、前記第１バスバと前記幅方向に対向する第２対向面（２２２）を有し、
前記第１端面および前記第２端面は、前記幅方向において、前記第１対向面および前記第２対向面の間に位置しており、
前記第１検出素子は、前記コア穴のうち、前記第１対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１面（Ｓ１）および前記第１端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第１通過面（Ｓｉ１）の間の範囲に配置されており、
前記第２検出素子は、前記コア穴のうち、前記第２対向面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２面（Ｓ２）および前記第２端面を通るとともに前記幅方向と直交する面である第２通過面（Ｓｉ２）の間の範囲に配置されており、
前記算出部は、前記第１検出素子の信号に関する値から前記第２検出素子の信号に関する値を減算することにより、前記第１バスバおよび前記第２バスバに流れる電流に関する値を算出し、
前記ギャップ形成部は、第１コア内面（２７１）と、第１コア突起（２８１）と、第２コア内面（２７２）と、第２コア突起（２８２）と、を含み、
前記第１コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第１バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１バスバと重なり、
前記第１コア突起は、前記第１コア内面のうち前記第１面および前記第１端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記第２コア内面は、前記ギャップ形成部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、前記第２バスバを前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２バスバと重なり、
前記第２コア突起は、前記第２コア内面のうち前記第２面および前記第２端面の間の範囲から前記厚み方向に突出しており、
前記コア底部は、底部内面（２８０）と、第１底部突起（６０１）と、第２底部突起（６０２）と、を含み、
前記底部内面は、前記コア底部のうち前記厚み方向内側を向いている面であって、
前記第１底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第１コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第１コア突起と重なり、
前記第２底部突起は、前記底部内面から前記厚み方向に突出しているとともに、前記第２コア突起を前記厚み方向に投影したとき、投影した前記第２コア突起と重なり、
前記第１検出素子は、前記第１コア突起および前記第１底部突起の間に配置されており、
前記第２検出素子は、前記第２コア突起および前記第２底部突起の間に配置されている電流センサ。
［観点５－１０］
前記コア底部は、凹部（６０５）を含み、
前記凹部は、前記底部内面のうち前記第１底部突起および前記第２底部突起の間の範囲から前記厚み方向に凹んでいる観点５－９に記載の電流センサ。
【符号の説明】
【0186】
２１ 第１バスバ
２２ 第２バスバ
２５ コア
２６ ギャップ形成部
２７ コア横部
２８ コア底部
３１ 検出素子
４０ 基板
４５ 判定部
５０ ケース
２２ 第２バスバ
２５ コア
２６ ギャップ形成部
２７ コア横部
２８ コア底部
３１ 検出素子
４０ 基板
４５ 判定部
５０ ケース
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】