特開 2024-90135 積層セラミック電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024090135

(43)【公開日】2024-07-04

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/38 20060101AFI20240627BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20240627BHJP

   H01G 4/224 20060101ALI20240627BHJP

   H01G 2/02 20060101ALI20240627BHJP

   H01G 4/228 20060101ALI20240627BHJP

【ＦＩ】

H01G4/38 A

H01G4/30 201H

H01G4/224 100

H01G4/224

H01G4/30 513

H01G2/02 101E

H01G4/228 W

H01G4/228 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022205820

(22)【出願日】2022-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145713

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 竜太

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(72)【発明者】

【氏名】福田 真貴

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF01

5E001AG01

5E082AA02

5E082AB03

5E082BC19

5E082BC32

5E082CC05

5E082EE04

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG26

5E082GG08

5E082GG10

5E082GG11

5E082GG28

5E082HH27

5E082HH48

5E082JJ03

5E082JJ12

5E082JJ13

5E082JJ23

(57)【要約】

【課題】接合材により複数の積層セラミック電子部品本体の外部電極どうしを接合し、かつそれらの全体を外装材で覆う場合において、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、接合材と外装材との間での剥離の発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、第１の外部電極４０を有する第１の積層セラミックコンデンサ本体２と、第２の外部電極２４０を有する第２の積層セラミックコンデンサ本体２００と、第１の外部電極４０と第２の外部電極２４０とを接合する第１の接合材５Ａと、第１外部電極４０Ａにそれぞれ接続される第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂと、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００と各金属端子１００の一部とを覆う外装材３と、を備える。第１の接合材５Ａは、外装材３と接合する。第１の接合材５Ａの空隙率は、外装材３の空隙率よりも高い。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層された複数の第１のセラミック層と、前記第１のセラミック層上に積層された複数の第１の内部導体層とを含み、前記第１のセラミック層と前記第１の内部導体層とが積層される第１の積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記第１の積層方向に直交する第１の幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記第１の積層方向および前記第１の幅方向に直交する第１の長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む第１の積層体と、複数の第１の外部電極と、を有する第１の積層セラミック電子部品本体と、
積層された複数の第２のセラミック層と、前記第２のセラミック層上に積層された複数の第２の内部導体層とを含み、前記第２のセラミック層と前記第２の内部導体層とが積層される第２の積層方向に相対する第３の主面および第４の主面と、前記第２の積層方向に直交する第２の幅方向に相対する第３の側面および第４の側面と、前記第２の積層方向および前記第２の幅方向に直交する第２の長さ方向に相対する第３の端面および第４の端面と、を含む第２の積層体と、複数の第２の外部電極と、を有する第２の積層セラミック電子部品本体と、
前記複数の第１の外部電極のうちのいずれか１つと、前記複数の第２の外部電極のうちのいずれか１つと、を接合する第１の接合材と、
前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極に接続される第１の金属端子と、
前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極に接続される第２の金属端子と、
前記第１の積層セラミック電子部品本体と、前記第２の積層セラミック電子部品本体と、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部と、を覆っている外装材と、を備え、
前記第１の接合材は、前記外装材と接合し、
前記第１の接合材の空隙率は、前記外装材の空隙率よりも高い、積層セラミック電子部品。

【請求項2】

前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第１の金属端子と、を接合する第２の接合材と、
前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第２の金属端子と、を接合する第３の接合材と、
を備え、
前記第２の接合材および前記第３の接合材は、前記外装材と接合し、
前記第２の接合材の空隙率および前記第３の接合材の空隙率は、前記外装材の空隙率よりも高い、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項3】

前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第１の金属端子と、を接合する第２の接合材と、
前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第２の金属端子と、を接合する第３の接合材と、
を備え、
前記第１の接合材の空隙率は、前記第２の接合材の空隙率および前記第３の接合材の空隙率よりも高い、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項4】

前記第１の接合材の空隙率は、２０％以上５０％以下である、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項5】

前記第２の接合材の空隙率および前記第３の接合材の空隙率は、２０％以上５０％以下である、請求項２に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項6】

前記外装材の空隙率は１０％以下である、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、外装材としての樹脂に覆われている積層セラミック電子部品が知られている。このような積層セラミック電子部品は、外装材の外部に引き出される金属端子と、積層セラミック電子部品本体の表面に配置される外部電極とが、外装材の内部において、接合材により接合される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１４５７６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載された積層セラミック電子部品は、金属端子を介して、複数の積層セラミック電子部品本体が接続される。よって、接合材により複数の積層セラミック電子部品本体の外部電極どうしを接合し、かつそれらの全体を外装材で覆う場合に生じる課題については考慮されていない。

【0005】

本発明は、接合材により複数の積層セラミック電子部品本体の外部電極どうしを接合し、かつそれらの全体を外装材で覆う場合において、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、接合材と外装材との間での剥離の発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

積層された複数の第１のセラミック層と、前記第１のセラミック層上に積層された複数の第１の内部導体層とを含み、前記第１のセラミック層と前記第１の内部導体層とが積層される第１の積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記第１の積層方向に直交する第１の幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記第１の積層方向および前記第１の幅方向に直交する第１の長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む第１の積層体と、複数の第１の外部電極と、を有する第１の積層セラミック電子部品本体と、積層された複数の第２のセラミック層と、前記第２のセラミック層上に積層された複数の第２の内部導体層とを含み、前記第２のセラミック層と前記第２の内部導体層とが積層される第２の積層方向に相対する第３の主面および第４の主面と、前記第２の積層方向に直交する第２の幅方向に相対する第３の側面および第４の側面と、前記第２の積層方向および前記第２の幅方向に直交する第２の長さ方向に相対する第３の端面および第４の端面と、を含む第２の積層体と、複数の第２の外部電極と、を有する第２の積層セラミック電子部品本体と、前記複数の第１の外部電極のうちのいずれか１つと、前記複数の第２の外部電極のうちのいずれか１つと、を接合する第１の接合材と、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極に接続される第１の金属端子と、前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極に接続される第２の金属端子と、前記第１の積層セラミック電子部品本体と、前記第２の積層セラミック電子部品本体と、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部と、を覆っている外装材と、を備え、前記第１の接合材は、前記外装材と接合し、前記第１の接合材の空隙率は、前記外装材の空隙率よりも高い、積層セラミック電子部品。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、接合材により複数の積層セラミック電子部品本体の外部電極どうしを接合し、かつそれらの全体を外装材で覆う場合において、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、接合材と外装材との間での剥離の発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本実施形態の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。

【図2】図１の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＩの方向から見たときの矢視図である。

【図3】図２の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＩＩの方向から見たときの矢視図である。

【図4】図２の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＶの方向から見たときの矢視図である。

【図5】図１に対応する図であり、積層セラミックコンデンサの内部の構造を説明するための仮想的な斜視図。

【図6】図５の積層セラミックコンデンサのＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。

【図7】外装材に覆われる前であって、金属端子が取り付けられる前の、第１の積層セラミックコンデンサ本体の外観を示す外観斜視図である。

【図8】図７の第１の積層セラミックコンデンサ本体のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。

【図9】図８の第１の積層セラミックコンデンサ本体のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。

【図10】図８の第１の積層セラミックコンデンサ本体のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。

【図11】外装材に覆われる前であって、金属端子が取り付けられる前の、第２の積層セラミックコンデンサ本体の外観を示す外観斜視図である。

【図12】図１１の第２の積層セラミックコンデンサ本体のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿った断面図である。

【図13】本実施形態の積層セラミックコンデンサが実装基板に実装された実装構造を示す外観斜視図である。

【図14】第１の接合材の表面の拡大図であって、空隙率が２０％の場合を示す図。

【図15】第１の接合材の表面の拡大図であって、空隙率が５０％の場合を示す図。

【図16】本実施形態の積層セラミックコンデンサの第１の変形例を示す仮想的な斜視図である。

【図17】図１６の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＩＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図18】図１６の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図19】図１６の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＶＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図20】本実施形態の積層セラミックコンデンサの第２の変形例を示す仮想的な斜視図である。

【図21】図２０の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＶＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図22】図２０の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＶＩＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図23】図２０の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＩＸ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図24】本実施形態の積層セラミックコンデンサの第３の変形例を示す仮想的な斜視図である。

【図25】図２４の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図26】図２４の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図27】図２４の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図28】本実施形態の積層セラミックコンデンサの第４の変形例を示す仮想的な斜視図である。

【図29】図２８の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＩＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図30】図２８の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＩＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【図31】図２８の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は図１の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＩの方向から見たときの矢視図である。図３は図２の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＩＩの方向から見たときの矢視図である。図４は図２の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＶの方向から見たときの矢視図である。図５は、図１に対応する図であり、積層セラミックコンデンサ１の内部の構造を説明するための仮想的な斜視図である。図６は、図５の積層セラミックコンデンサ１のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。

【0010】

積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミック電子部品本体としての第１の積層セラミックコンデンサ本体２および第２の積層セラミックコンデンサ本体２００と、金属端子１００と、外装材３と、接合材５と、を有する。以下において、第１の積層セラミックコンデンサ本体２と第２の積層セラミックコンデンサ本体２００とは、「各積層セラミックコンデンサ本体２，２００」ということがある。積層セラミックコンデンサ本体２，２００は、外装材３によって覆われているため、図１～図４には図示されていない。図５および図６に、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００が示されている。

【0011】

図５、図６に加えて、図７～図１０を用いて、第１の積層セラミックコンデンサ本体２について説明する。図７は、外装材３に覆われる前であって、金属端子１００が取り付けられる前の、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の外観を示す外観斜視図である。図８は、図７の第１の積層セラミックコンデンサ本体２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。図９は、図８の第１の積層セラミックコンデンサ本体２のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。図１０は、図８の第１の積層セラミックコンデンサ本体２のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。

【0012】

第１の積層セラミックコンデンサ本体２は、第１の積層体としてのコンデンサ積層体１０と、第１の外部電極４０と、を有する。

【0013】

図７～図１０には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。図５および図７に示すように、第１の積層セラミックコンデンサ本体２およびコンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌ１は、Ｘ方向と対応している。第１の積層セラミックコンデンサ本体２およびコンデンサ積層体１０の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。第１の積層セラミックコンデンサ本体２およびコンデンサ積層体１０の積層方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図８に示す断面はＬＴ断面とも称される。図９に示す断面はＷＴ断面とも称される。図１０に示す断面はＬＷ断面とも称される。なお、図１～図６、図１１～図１３においても、同様のＸＹＺ直交座標系が示されている。

【0014】

図５～図１０に示すように、コンデンサ積層体１０は、後述する内層部１１が積層される積層方向Ｔ１に相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔ１に直交する幅方向Ｗ１に相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔ１および幅方向Ｗ１に直交する長さ方向Ｌ１に相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む。

【0015】

コンデンサ積層体１０は、略直方体形状を有している。なお、コンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌ１の寸法は、幅方向Ｗ１の寸法よりも必ずしも長いとは限らない。コンデンサ積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、コンデンサ積層体１０を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。

【0016】

コンデンサ積層体１０の寸法は、特に限定されないが、コンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌ１の寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、コンデンサ積層体１０の積層方向Ｔ１の寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、コンデンサ積層体１０の幅方向Ｗ１の寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。

【0017】

図８および図９に示すように、コンデンサ積層体１０は、内層部１１と、積層方向Ｔ１において内層部１１を挟み込むように配置された第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３と、を有する。なお、内層部１１は、有効層部ともいう。

【0018】

内層部１１は、複数の第１のセラミック層としての複数の誘電体層２０と、複数の第１の内部導体層としての複数の内部電極層３０と、を含む。内層部１１は、積層方向Ｔ１において、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。

【0019】

複数の誘電体層２０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。

【0020】

誘電体層２０の厚みは、０．５μｍ以上７２μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層２０の枚数は、１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部１１の誘電体層の枚数と第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３の誘電体層の枚数との総数である。

【0021】

複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２を有する。複数の第１の内部電極層３１は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第２の内部電極層３２は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、コンデンサ積層体１０の積層方向Ｔ１に誘電体層２０を介して交互に配置されている。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、誘電体層２０を挟むようにして配置されている。

【0022】

第１の内部電極層３１は、第２の内部電極層３２に対向する第１の対向部３１Ａと、第１の対向部３１Ａから第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の引き出し部３１Ｂとを有している。第１の引き出し部３１Ｂは、第１の端面ＬＳ１に露出している。

【0023】

第２の内部電極層３２は、第１の内部電極層３１に対向する第２の対向部３２Ａと、第２の対向部３２Ａから第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の引き出し部３２Ｂとを有している。第２の引き出し部３２Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出している。

【0024】

本実施形態では、第１の対向部３１Ａと第２の対向部３２Ａが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。

【0025】

第１の対向部３１Ａおよび第２の対向部３２Ａの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部３１Ｂおよび第２の引き出し部３２Ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。

【0026】

第１の対向部３１Ａの幅方向Ｗ１の寸法と第１の引き出し部３１Ｂの幅方向Ｗ１の寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が小さく形成されていてもよい。第２の対向部３２Ａの幅方向Ｗ１の寸法と第２の引き出し部３２Ｂの幅方向Ｗ１の寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が狭く形成されていてもよい。

【0027】

第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。

【0028】

第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上３．０μｍ以下程度であることが好ましい。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の枚数は、合わせて５枚以上３５０枚以下であることが好ましい。

【0029】

第１の主面側外層部１２は、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に位置する。第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極層３０との間に位置する複数のセラミック層としての誘電体層２０の集合体である。すなわち、第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と、複数の内部電極層３０のうち最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０から形成されている。第１の主面側外層部１２で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。

【0030】

第２の主面側外層部１３は、コンデンサ積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に位置する。第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極層３０との間に位置する複数のセラミック層としての誘電体層２０の集合体である。すなわち、第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と、複数の内部電極層３０のうち最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０から形成されている。第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。

【0031】

以上のように、コンデンサ積層体１０は、積層された複数の誘電体層２０と、誘電体層２０上に積層された複数の内部電極層３０と、を有する。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２０と内部電極層３０とが交互に積層されたコンデンサ積層体１０を有する。

【0032】

なお、コンデンサ積層体１０は、対向電極部１１Ｅを有する。対向電極部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａが対向する部分である。対向電極部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。図８には、対向電極部１１Ｅの長さ方向Ｌの範囲が示されている。図９には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗ１の範囲が示されている。図１０には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗ１および長さ方向Ｌ１の範囲が示されている。なお、対向電極部１１Ｅは、コンデンサ有効部ともいう。

【0033】

なお、コンデンサ積層体１０は、側面側外層部を有する。側面側外層部は、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２を有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図９および図１０には、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗ１の範囲が示されている。なお、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。

【0034】

なお、コンデンサ積層体１０は、端面側外層部を有する。端面側外層部は、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２を有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する誘電体層２０および第１の引き出し部３１Ｂを含む部分である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する誘電体層２０および第２の引き出し部３２Ｂを含む部分である。図８および図１０には、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２は、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。

【0035】

第１の外部電極４０は、第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置された第１の外部電極４０Ｂと、を有する。

【0036】

第１の外部電極４０Ａは、少なくとも、第１の端面ＬＳ１上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部に配置される。本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、第１の側面ＷＳ１上の一部と、第２の側面ＷＳ２上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上において、第１の内部電極層３１に接続されている。なお、第１の外部電極４０Ａは、例えば、第１の端面ＬＳ１から第１の主面ＴＳ１の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第１の外部電極４０Ａの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第１の外部電極４０Ａのうち、第１の主面ＴＳ１上に配置されている部分は、後述の第１の接合材５Ａを介して、後述の第１の金属端子１００Ａと接続される。

【0037】

なお、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ａが設けられる場合には、これらの面に設けられる第１の外部電極４０Ａの長さ方向Ｌ１の長さは、コンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌ１の寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。

【0038】

また、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２にも第１の外部電極４０Ａが設けられる場合には、これらの面に設けられる第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗ１の長さは、コンデンサ積層体１０の幅方向Ｗ１の寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。また、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ａが設けられる場合には、これらの部分に設けられる第１の外部電極４０Ａの積層方向Ｔ１の長さは、コンデンサ積層体１０の積層方向Ｔ１の寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。

【0039】

第１の外部電極４０Ｂは、少なくとも、第２の端面ＬＳ２上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、に配置される。本実施形態においては、第１の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、第１の側面ＷＳ１上の一部と、第２の側面ＷＳ２上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第２の端面ＬＳ２上において、第２の内部電極層３２に接続されている。なお、第１の外部電極４０Ｂは、例えば、第２の端面ＬＳ２から第１の主面ＴＳ１の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第１の外部電極４０Ｂの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。

【0040】

なお、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ｂが設けられる場合には、これらの面に設けられる第１の外部電極４０Ｂの長さ方向Ｌ１の長さは、コンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌ１の寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。

【0041】

また、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２にも第１の外部電極４０Ｂが設けられる場合には、これらの面に設けられる第１の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗ１の長さは、コンデンサ積層体１０の幅方向Ｗ１の寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。また、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ｂが設けられる場合には、これらの部分に設けられる第１の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔ１の長さは、コンデンサ積層体１０の積層方向Ｔ１の寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。

【0042】

なお、本実施形態においては、コンデンサ積層体１０の表面のうち、外部電極４０から露出している部分の長さ方向Ｌ１の長さは、積層体の長さ方向Ｌ１の寸法の２０％以上８０％以下（例えば、４０μｍ以上８０００μｍ以下）であることが好ましい。言い換えると、第１の外部電極４０Ａと、第１の外部電極４０Ｂの離間距離は、積層体の長さ方向Ｌ１の寸法の２０％以上８０％以下（例えば、４０μｍ以上８０００μｍ以下）であることが好ましい。

【0043】

前述のとおり、コンデンサ積層体１０内においては、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａとが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第１の外部電極４０Ｂとの間でコンデンサの特性が発現する。

【0044】

第１の外部電極４０Ａは、第１の下地電極層５０Ａと、第１の下地電極層５０Ａ上に配置された第１のめっき層６０Ａと、を有する。

【0045】

第１の外部電極４０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂと、第２の下地電極層５０Ｂ上に配置された第２のめっき層６０Ｂと、を有する。

【0046】

第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層５０Ａは、第１の内部電極層３１に接続されている。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

【0047】

第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層５０Ｂは、第２の内部電極層３２に接続されている。本実施形態においては、第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

【0048】

本実施形態の第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。焼付け層は、金属成分と、ガラス成分もしくはセラミック成分のどちらか一方を含んでいるか、その両方を含んでいることが好ましい。金属成分は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。ガラス成分は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。セラミック成分は、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いてもよいし、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等から選ばれる少なくとも１つを含む。

【0049】

焼き付け層は、例えば、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極層および誘電体層を有する積層チップを焼成して積層体を得た後に積層体に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。なお、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。この場合、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。焼き付け層は、複数層であってもよい。

【0050】

第１の端面ＬＳ１に位置する第１の下地電極層５０Ａの長さ方向の厚みは、第１の下地電極層５０Ａの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。

【0051】

第２の端面ＬＳ２に位置する第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向の厚みは、第２の下地電極層５０Ｂの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。

【0052】

第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの積層方向Ｔ１の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌ１および幅方向Ｗ１の中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

【0053】

第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの幅方向Ｗ１の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌ１および積層方向Ｔ１の中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

【0054】

第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの積層方向Ｔ１の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌ１および幅方向Ｗ１の中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

【0055】

第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの幅方向Ｗ１の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌ１および積層方向Ｔ１の中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

【0056】

なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層に限らず、薄膜層であってもよい。薄膜層は、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により形成された、金属粒子が堆積された層である。薄膜層は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｏ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。これにより、コンデンサ積層体１０に対する外部電極４０の固着力を高めることができる。薄膜層は、単層であってもよいし、複数層によって形成されていてもよい。例えば、ＮｉＣｒの層と、ＮｉＣｕの層の２層構造によって形成されていてもよい。

【0057】

下地電極としての薄膜層を、スパッタリング法によるスパッタ電極により形成する場合、このスパッタ電極は、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に形成されることが好ましい。スパッタ電極は、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。スパッタ電極の厚みは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

【0058】

下地電極層として、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にスパッタ電極を形成し、その一方、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には焼き付け層を形成してもよい。あるいは、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には下地電極層を形成せずに、後述するめっき層をコンデンサ積層体１０に直接形成してもよい。なお、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上に焼き付け層を形成する場合、焼き付け層は、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２だけでなく、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にも延びて配置されていてもよい。この場合、スパッタ電極は、焼き付け層上にオーバーラップするように配置されてもよい。

【0059】

第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。

【0060】

第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。

【0061】

第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。

【0062】

第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。本実施形態においては、第１のめっき層６０Ａは、第１のＮｉめっき層６１Ａと、第１のＮｉめっき層６１Ａ上に位置する第１のＳｎめっき層６２Ａと、を有する。

【0063】

第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。本実施形態においては、第２のめっき層６０Ｂは、第２のＮｉめっき層６１Ｂと、第２のＮｉめっき層６１Ｂ上に位置する第２のＳｎめっき層６２Ｂと、を有する。

【0064】

Ｎｉめっき層は、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接合する後述の接合材５としてのはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、第１の積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接合する後述の接合材５としてのはんだのぬれ性を向上させる。これにより、第１の積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００の接合を容易にする。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０ＢのそれぞれをＮｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造とする場合、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層それぞれの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

【0065】

なお、本実施形態の第１の外部電極４０Ａおよび第１の外部電極４０Ｂは、例えば導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずにコンデンサ積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層が焼き付け層を覆うように配置される場合、導電性樹脂層は、焼き付け層とめっき層（第１のめっき層６０Ａ、第２のめっき層６０Ｂ）との間に配置される。導電性樹脂層は、焼き付け層上を完全に覆っていてもよいし、焼き付け層の一部を覆っていてもよい。

【0066】

熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層は、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層は、緩衝層として機能する。よって、導電性樹脂層は、積層セラミックコンデンサ１のクラック発生を抑制する。

【0067】

導電性粒子を構成する金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたは、それらを含む合金であってもよい。導電性粒子は、好ましくはＡｇを含む。導電性粒子は、例えばＡｇの金属粉である。Ａｇは、金属の中でもっとも比抵抗が低いため、電極材料に適している。また、Ａｇは貴金属であるため、酸化しにくく、対候性が高い。よって、Ａｇの金属粉は、導電性粒子として好適である。

【0068】

また、導電性粒子は、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉であってもよい。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。Ａｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにするために、Ａｇコーティングされた金属粉を用いることが好ましい。

【0069】

さらに、導電性粒子は、Ｃｕ、Ｎｉに酸化防止処理を施したものであってもよい。また、導電性粒子は、金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングした金属粉であってもよい。金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。

【0070】

導電性粒子の形状は、特に限定されない。導電性粒子は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いることが好ましい。

【0071】

導電性樹脂層に含まれる導電性粒子は、主に導電性樹脂層の通電性を確保する役割を担う。具体的には、複数の導電性粒子どうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。

【0072】

導電性樹脂層を構成する樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂のひとつである。また、導電性樹脂層の樹脂は、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤は、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物であってもよい。

【0073】

なお、導電性樹脂層は、複数層で形成されていてもよい。導電性樹脂層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。

【0074】

なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを設けずに、コンデンサ積層体１０上に後述の第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂが直接配置される構成であってもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２とに、直接電気的に接続されるめっき層を含む構成であってもよい。このような場合、前処理としてコンデンサ積層体１０の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。

【0075】

この場合においても、めっき層は、複数層であることが好ましい。下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属またはこれらの金属を含む合金を含むことが好ましい。下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることがより好ましい。上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎまたはＡｕを用いて形成されることがより好ましい。なお、例えば、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２がＮｉを用いて形成される場合は、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、外部電極４０は、下層めっき層のみで構成されてもよい。また、めっき層は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。

【0076】

下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。

【0077】

なお、めっき層をコンデンサ積層体１０上に直接形成する場合は、下地電極層の厚みを削減することができる。よって、下地電極層の厚みを削減した分、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の積層方向Ｔ１の寸法を低減させて、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の低背化を図ることができる。あるいは、下地電極層の厚みを削減した分、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の間に挟まれる誘電体層２０の厚みを厚くし、素体厚みの向上を図ることができる。このように、めっき層をコンデンサ積層体１０上に直接形成することで、積層セラミックコンデンサの設計自由度を向上させることができる。

【0078】

なお、コンデンサ積層体１０と外部電極４０を含む第１の積層セラミックコンデンサ本体２の長さ方向Ｌ１の寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の積層方向Ｔ１の寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の幅方向Ｗ１の寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。

【0079】

次に、図５および図６に加えて、図１１および図１２を用いて、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００について説明する。図１１は、外装材３に覆われる前であって、金属端子１００が取り付けられる前の、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の外観を示す外観斜視図である。図１２は、図１１の第２の積層セラミックコンデンサ本体２００のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿ったＬＴ断面を示す断面図である。なお、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の構造は、第１の積層セラミックコンデンサ本体２と同様である。このため、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の構造について、詳しい説明は省略する。また、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の各種寸法は、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の各種寸法と同様である。

【0080】

第２の積層セラミックコンデンサ本体２００は、第２の積層体としてのコンデンサ積層体２１０と、第２の外部電極２４０と、を有する。

【0081】

コンデンサ積層体２１０は、後述する内層部２１１が積層される積層方向Ｔ２に相対する第３の主面ＴＳ３および第４の主面ＴＳ４と、積層方向Ｔ２に直交する幅方向Ｗ２に相対する第３の側面ＷＳ３および第４の側面ＷＳ４と、積層方向Ｔ２および幅方向Ｗ２に直交する長さ方向Ｌ３に相対する第３の端面ＬＳ３および第４の端面ＬＳ４と、を含む。

【0082】

コンデンサ積層体２１０は、内層部２１１と、積層方向Ｔ２において内層部２１１を挟み込むように配置された第３の主面側外層部２１２および第４の主面側外層部２１３と、を有する。内層部２１１は、複数の第２のセラミック層としての複数の誘電体層２２０と、複数の第２の内部導電層としての複数の内部電極層２３０と、を含む。複数の内部電極層２３０は、複数の第３の内部電極層２３１および複数の第４の内部電極層２３２を有する。第３の内部電極層２３１は、第４の内部電極層２３２に対向する第３の対向部２３１Ａと、第３の対向部２３１Ａから第１の端面ＬＳ１に引き出される第３の引き出し部２３１Ｂと、を有する。第４の内部電極層２３２は、第３の内部電極層２３１に対向する第４の対向部２３２Ａと、第４の対向部２３２Ａから第２の端面ＬＳ２に引き出される第４の引き出し部２３２Ｂとを有する。

【0083】

第２の外部電極２４０は、第３の端面ＬＳ３側に配置された第２の外部電極２４０Ａと、第４の端面ＬＳ４側に配置された第２の外部電極２４０Ｂと、を有する。

【0084】

なお、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の構造は、互いに異なっていてもよい。各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の寸法は、互いに異なっていてもよい。第４の端面ＬＳ４側に配置された第２の外部電極２４０Ｂと、を有する。

【0085】

各積層セラミックコンデンサ本体２，２００は、２連構造の積層セラミックコンデンサ本体であったが、積層セラミックコンデンサ本体は、内部電極層として各端面ＴＳのいずれにも引き出されない浮き内部電極層を有するものであってもよく、３連構造の積層セラミックコンデンサ本体や４連以上の多連構造の積層セラミックコンデンサ本体であってもよい。

【0086】

積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されるものではない。例えば、積層セラミック電子部品は、積層ＰＣＴサーミスタであってもよい。また、第１の積層セラミック電子部品本体は、互いに異なるものであってもよく、例えば、第１の積層セラミック電子部品本体を積層セラミックコンデンサ本体とし、第２の積層セラミックコンデンサ本体を積層ＰＣＴサーミスタ本体とすることも可能である。

【0087】

図５および図６に示すように、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００は、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の第２の主面ＴＳ２側に配置されている。各積層セラミックコンデンサ本体２，２００は、積層方向Ｔ１と積層方向Ｔ２とが同一の方向となり、幅方向Ｗ１と幅方向Ｗ２とが同一の方向となり、且つ長さ方向Ｔ１と長さ方向Ｔ２とが同一の方向となる向きで配置されている。この場合、積層方向Ｔ２とＺ方向とが同一の方向となり、幅方向Ｗ２とＹ方向とが同一の方向となり、長さ方向Ｌ２とＸ方向とが同一の方向となる。

【0088】

第１の外部電極４０Ａの第２の主面ＴＳ２上の部分と、第２の外部電極２４０Ａの第３の主面ＴＳ３上の部分とは、外装材３および後述する第１の接合材５Ａのうち少なくとも一方を介して対向している。外部電極４０Ｂの第２の主面ＴＳ２上の部分と、第２の外部電極２４０Ｂの第３の主面ＴＳ３上の部分とは、外装材３および後述する第１の接合材５Ａのうち少なくとも一方を介して対向している。

【0089】

図１～図６を用いて、金属端子１００について説明する。

【0090】

金属端子１００は、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂと、を有する。

【0091】

第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき後述の実装基板（図１３の実装基板８１０を参照）の実装面に実装される金属端子である。第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、例えば板状のリードフレームである。なお、本実施形態においては、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１は、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板の実装面と対向する面である。

【0092】

第１の金属端子１００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部１１０Ａと、第１の接合部１１０Ａに接続され、実装基板の実装面から遠ざかるように延び、第１の端面ＬＳ１と対向する第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の立ち上がり部１２０Ａに接続され、第１の積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように長さ方向Ｌに延びる第１の延長部１３０Ａと、第１の延長部１３０Ａに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第１の立ち下がり部１４０Ａと、第１の立ち下がり部１４０Ａに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第１の実装部１５０Ａと、を有する。図６に示すように、第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の外部電極４０Ａとの間には、隙間部Ｇが存在している。

【0093】

第２の金属端子１００Ｂは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ｂに接続される第２の接合部１１０Ｂと、第２の接合部１１０Ｂに接続され、実装基板の実装面から遠ざかるように延び、第４の端面ＬＳ４と対向する第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の立ち上がり部１２０Ｂに接続され、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００から遠ざかるように長さ方向Ｌに延びる第２の延長部１３０Ｂと、第２の延長部１３０Ｂに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第２の立ち下がり部１４０Ｂと、第２の立ち下がり部１４０Ｂに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第２の実装部１５０Ｂと、を有する。図６に示すように、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第１の外部電極４０Ｂとの間には、隙間部Ｇが存在している。

【0094】

なお、第１の立ち下がり部１４０Ａおよび第２の立ち下がり部１４０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の外装材３と実装基板８１０の実装面との間に隙間を設けることが可能な程度に、実装基板８１０の実装面に向かって延びていることが好ましい。

【0095】

なお、このような第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを採用することにより、実装基板８１０と、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００との距離を長くすることができ、実装基板８１０からの応力を緩和する効果が得られる。また、実装基板８１０側に設けられる外装材３の厚みを厚くすることができ、絶縁性を確保することができる。なお、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂの構成は、これに限らない。

【0096】

なお、第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａと、第２の金属端子１００Ｂの第２の接合部１１０Ｂとは、外装材３内において、略同一平面に配置されていることが好ましい。

【0097】

第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、端子本体と、端子本体の表面に配置されるめっき膜を有する。

【0098】

端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。例えば、端子本体の母材の金属を、Ｆｅ－４２Ｎｉ合金やＦｅ－１８Ｃｒ合金やＣｕ－８Ｓｎ合金とすることができる。また、放熱性の観点からは、端子本体の母材の金属を、熱伝導率の高い無酸素銅やＣｕ系合金とすることができる。このように、端子本体の材料を熱伝導の良い銅系にすることで、低ＥＳＲ化や低熱抵抗化を実現することができる。また、本実施形態においては、端子本体の母材の金属を、はんだのぬれ性が低いステンレスやアルミとすることもできる。少なくとも、端子本体の母材の金属の表面は、最外表面のめっき膜よりも、はんだのぬれ性が低い表面となっている。端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。

【0099】

めっき膜は、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜と、上層めっき膜よりも下層に配置された下層めっき膜を有していることが好ましい。例えば、めっき膜は、下層めっき膜の上に上層めっき膜が形成された２層構造であってもよい。下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、金属端子１００の耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。

【0100】

上層めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、第１の外部電極４０と、金属端子１００とのはんだ付け性を向上させることができる。上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。

【0101】

なお、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜は、端子本体の母材の金属の表面よりも、はんだのぬれ性が高い表面となっている。また、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜は、下層めっき膜の表面よりもはんだのぬれ性が高い表面となっている。例えば、下層めっき膜は、Ｎｉめっき膜であることが好ましい。上層めっき膜は、Ｓｎめっき膜であることが好ましい。

【0102】

なお、第１の金属端子１００Ａと第２の金属端子１００Ｂとは、表面の一部において、めっき膜の最外表面のめっき膜よりも内側の材料が表面に露出している露出面を有していてもよい。表面の一部に露出面を設けることにより、その部分にはんだがのりにくくなるため、はんだスプラッシュ等の問題が生じることを抑制することができる。

【0103】

ここで、露出面は、下層めっき膜が露出する表面であってもよい。下層めっき膜は、上層めっき膜よりもはんだのぬれ性が低い。また、露出面は、端子本体の母材が露出する表面であってもよい。端子本体の母材表面は、上層めっき膜よりもはんだのぬれ性が低い。

【0104】

なお、露出面は、端子本体にめっき膜を形成後、除去加工を行うことにより形成されてもよい。除去加工は、例えば、研削や研磨等による機械的な除去加工、レーザートリミングによる除去加工、水酸化ナトリウム等のめっき剥離剤による除去加工等の各種の除去加工であってもよい。また、めっき膜を形成する前に、露出面としたい部分をレジストで覆ってもよい。この場合は、めっき膜の形成後、レジストを除去することにより、露出面が形成される。

【0105】

図６を用いて、接合材５について説明する。

【0106】

図６に示すように、接合材５は、第１の接合材５Ａと、第２の接合材５Ｂと、第３の接合材５Ｃと、を有する。

【0107】

第１の接合材５Ａは、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００同士を接合する。第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極２４０Ａとは、第１の接合材５Ａを介して接合されている。第１の外部電極４０Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとは、第１の接合材Ａを介して接合されている。これにより、積層方向Ｔ１，Ｔ２に並ぶ各積層セラミックコンデンサ本体２，２００により形成された積層セラミックコンデンサ本体の集合体（以下において、「コンデンサ集合体Ｇ」という）が形成されている。

【0108】

第２の接合材５Ｂは、第１の外部電極４０Ａと第１の金属端子１００Ａとを接合する。第１の外部電極４０Ａと第１の接合部１１０Ａとは、第２の接合材５Ｂを介して接合されている。

【0109】

第３の接合材５Ｃは、第１の外部電極４０Ｂと第２の金属端子１００Ｂとを接合する。第１の外部電極４０Ｂと第２の接合部１１０Ｂとは、第３の接合材５Ｃを介して接合されている。

【0110】

接合材５は、後述する外装材３とそれぞれ接合している。

【0111】

図１４および図１５に示すように、接合材５は、それぞれ空隙を有する。これにより、接合材５の表面に凹凸が形成されるため、接合材５と外装材３との密着性を向上させることができる。また、接合材５Ａ好適に各コンデンサ積層体１０，２１０に対する応力を緩和することができる。なお、図１４は、空隙率が２０％の第１の接合材５Ａの表面を示す図であり、図１５は、空隙率が５０％の第１の接合材５Ａの表面を示す図である。

【0112】

第１の接合材５Ａは、遷移的液相焼結法（ＴＬＰＳ）による接合に用いられるＴＬＰＳ材料であることが好ましい。これにより、第１の積層セラミックコンデンサ本体２に金属端子１００を接合する際の熱の影響や積層セラミックコンデンサ１を実装基板８１０に実装する際の熱の影響により第１の接合材５Ａが劣化する可能性を低減することができる。

【0113】

ＴＬＰＳ材料は、高融点材料と低融点材料とを含む。高融点材料は、例えば、銅、銀、アルミニウム、金、プラチナ、パラジウム、ベリリウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデンよりなる群から選ばれる少なくとも１の金属を含む。低融点材料は、例えば、錫、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ガリウム、インジウム、テルリウム、水銀、タリウム、セレニウム、ポロニウムよりなる群から選択される少なくとも１の金属を含む。

【0114】

なお、第１の接合材５Ａは、はんだや導電性接着剤であってもよい。第１の接合材５Ａをはんだとする場合には、高融点はんだであることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の実装時の熱等で第１の接合材５Ａが再溶融する可能性を低減することができる。

【0115】

第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、第１の接合材５Ａと同じ材料とすることが可能である。例えば、第１の接合材５ＡをＴＬＰＳ材料とするとともに、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５ＣをＴＬＰＳ材料とすることが可能である。この場合、積層セラミックコンデンサ１を実装基板８１０に実装する際の熱の影響で第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃが劣化する可能性を低減することができる。また、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率を高めに調整しやすくできる。

【0116】

第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、はんだであってもよい。この場合、接合強度を確保しつつ、製造コストを下げることができる。また、前工程で接合された第１の接合材５Ａが劣化する可能性を低減することができる。

【0117】

第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、導電性接着剤であってもよい。また、第１の接合材５Ａと、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃとは、それぞれ異なる材料のものであってもよい。また、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃをはんだとした場合、第１の接合材５Ａの空隙率を第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率よりも高くする場合に、その調整が容易となる。

【0118】

図１～図６を用いて、外装材３について説明する。

【0119】

外装材３は、積層方向Ｔ１（積層方向Ｔ２）に相対する第１の主面ＭＴＳ１および第２の主面ＭＴＳ２と、幅方向Ｗ１（幅方向Ｗ２）に相対する第１の側面ＭＷＳ１および第２の側面ＭＷＳ２と、長さ方向Ｌ１（長さ方向Ｌ２）に相対する第１の端面ＭＬＳ１および第２の端面ＭＬＳ２と、を含む。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１は、外装材３の表面における、コンデンサ積層体１０の第１の端面ＬＳ１およびコンデンサ積層体２１０の第３の端面ＬＳ３側の表面である。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２は、外装材３の表面における、コンデンサ積層体１０の第２の端面ＬＳ２およびコンデンサ積層体２１０の第４の端面ＬＳ４側の表面である。

【0120】

外装材３は、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の全体と、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の全体と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、接合材５の全体と、を覆うように配置されている。

【0121】

例えば、外装材３は、第１の金属端子１００Ａのうち、第１の接合部１１０Ａの全体と、第１の立ち上がり部１２０Ａの全体と、第１の延長部１３０Ａの少なくとも一部と、を覆うように配置されている。外装材３は、第２の金属端子１００Ｂのうち、第２の接合部１１０Ｂの全体と、第２の立ち上がり部１２０Ｂの全体と、第２の延長部１３０Ｂの少なくとも一部と、を覆うように配置されている。

【0122】

なお、本実施形態においては、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から突出して一部が露出している。第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から突出して一部が露出している。より具体的には、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１の積層方向Ｔに見た略中央部から突出して一部が露出している。第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２の積層方向Ｔに見た略中央部から突出して一部が露出している。

【0123】

外装材３の第２の主面ＭＴＳ２は所定の平坦度を有する平面状に構成されていることが好ましい。これにより、実装基板に積層セラミックコンデンサ１を搭載する際に用いる実装機のマウンターの吸着不良を防止することができる。よって、確実に実装基板に積層セラミックコンデンサ１を搭載することが可能となる。その結果、実装不良の発生を抑制することが可能となる。

【0124】

外装材３の第２の主面ＭＴＳ２から第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の表面までの最小距離は、１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の主面ＭＴＳ１から第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａまでの最小距離は、１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。

【0125】

外装材３の第１の側面ＭＷＳ１から各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の表面までの最小距離は、それぞれ１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の側面ＭＷＳ２から各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の表面までの最小距離は、それぞれ１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。

【0126】

外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の表面までの最小距離は、それぞれ３００μｍ以上５０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の表面までの最小距離は、それぞれ３００μｍ以上５０００μｍ以下であることが好ましい。

【0127】

外装材３の第１の端面ＭＬＳ１の第１の主面側の表面ＭＬＳ１Ａから第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａまでの長さ方向Ｌ１（長さ方向Ｌ２）の平均距離は、２００μｍ以上４９００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２の第１の主面側の表面ＭＬＳ２Ａから第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂまでの長さ方向Ｌ１（長さ方向Ｌ２）の平均距離は、２００μｍ以上４９００μｍ以下であることが好ましい。

【0128】

外装材３は、樹脂により形成されることが好ましい。例えば、トランスファーモールド法やインジェクションモールド法等によってエンジニアリングプラスチックがモールドされることにより、外装材３が形成されてもよい。特に、外装材３の材料は、熱硬化型エポキシ樹脂からなることが好ましい。これにより、外装材３と、第１の積層セラミックコンデンサ本体２および金属端子１００との密着性を確保し、耐電圧および耐湿性能の向上効果を得ることができる。外装材３は、例えば、液状や粉状のシリコーン系やエポキシ系などの樹脂が塗装されることにより形成されてもよい。

【0129】

このように、外装材３が、第１の外部電極４０、第２の外部電極２４０および金属端子１００といった導体金属部分を広い範囲で覆うことにより、導体間の絶縁表面距離（沿面距離）を確保することができる。また、外装材３によって導体金属部分を広い範囲で覆うことにより、表面放電リスクを回避することができる。

【0130】

外装材３は、空隙を有する。外装材３の空隙率は、１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、３％以下であることがより好ましい。これにより、外部からの蒸気の浸透を抑制することができる。

【0131】

なお、外装材３の形状は特に限定されない。例えば、角錐台等の切頭錐体であってもよい。なお、外装材３の角部の形状は、特に限定されることなく、丸められていてもよい。

【0132】

ここで、接合材５の空隙率と外装材３の空隙率との関係等について説明する。

【0133】

第１の接合材５Ａの空隙率は、外装材３の空隙率よりも高くなっている。これにより、第１の接合材５Ａの表面の凹凸に外装材３を十分に食い込ませて、第１の接合材５Ａと外装材３との密着性を向上させることができる。これにより、外装材により外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、第１の接合材５Ａと外装材３との間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0134】

第１の接合材５Ａの空隙率は、２０％以上５０％以下であることが好ましい。これにより、より適切に、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、第１の接合材５Ａと外装材３との間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を好適に吸収することができる。

【0135】

第１の接合材５Ａの空隙率が２０％未満の場合であっても、第１の接合材５Ａの空隙率に対して外装材３の空隙率を相対的に低くすることにより、第１の接合材５Ａと外装材３との密着性を向上させることができる。

【0136】

第１の接合材５Ａの空隙率が５０％より大きい場合には、第１の接合材５Ａの表面の凹凸が大きくなるため、第１の接合材５Ａと外装材３との間での剥離の発生を抑制するという効果に対しては有利となる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力をより好適に吸収するという効果に対しても有利となる。ただし、第１の接合材５Ａが緻密でなくなることにより、第１の接合材５Ａ自体の強度が低下してしまうおそれがある。しかし、外装材３により、第１の接合材５Ａが破損する可能性を低減することができる。

【0137】

第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率は、外装材３の空隙率よりも高くしてもよい。第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率に対して外装材３の空隙率を相対的に低くすることにより、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの表面の凹凸に外装材３を十分に食い込ませることができるため、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃと外装材３との密着性を向上させることができる。これにより、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃと外装材３との間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0138】

第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率は、それぞれ、２０％以上５０％以下であってもよい。第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率は、第１の接合材５Ａの空隙率と同じであってもよい。第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの材料と第１の接合材５Ａの材料とは、同じであってもよい。

【0139】

なお、第１の接合材５Ａの空隙率は、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃよりも高くてもよい。例えば、第１の接合材５Ａの空隙率を２０％以上５０％以下とするとともに、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率をそれぞれ２０％未満としてもよい。この場合、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の外部電極４０と金属端子１００との接合性を十分確保した上で、第１の接合材５Ａと外装材３との剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0140】

次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。まず、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の製造方法について説明する。各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の製造方法は同様であるため、第１の積層セラミックコンデンサ本体２を例として説明する。

【0141】

誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。

【0142】

誘電体シート上に、内部電極層３０用の導電性ペーストが、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層３１のパターンが形成された誘電体シートおよび、第２の内部電極層３２のパターンが形成された誘電体シートが準備される。

【0143】

内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２となる部分が形成される。その上に、第１の内部電極層３１のパターンが印刷された誘電体シートおよび第２の内部電極層３２のパターンが印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分が形成される。この内層部１１となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。

【0144】

積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。

【0145】

積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。

【0146】

積層チップが焼成されることにより、コンデンサ積層体１０が作製される。焼成温度は、誘電体層２０や内部電極層３０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

【0147】

コンデンサ積層体１０の両端面に第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとなる導電性ペーストが塗布される。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、コンデンサ積層体１０に塗布される。その後、焼き付け処理が行われ、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

【0148】

なお、焼成前の積層チップと、積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。このとき、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。この場合は、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストを同時に焼き付けて、焼き付け層が形成されたコンデンサ積層体１０を形成する。

【0149】

なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとして薄膜層を形成する場合は、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１上の一部および第２の主面ＴＳ２上の一部に、薄膜層を形成してもよい。薄膜層は、例えば、スパッタリング法によりスパッタ電極であってもよい。第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとして、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にスパッタ電極を形成する場合は、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には焼き付け層を形成してもよい。あるいは、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には下地電極層を形成せずに、後述するめっき層をコンデンサ積層体１０に直接形成してもよい。

【0150】

その後、第１の下地電極層５０Ａの表面に、第１のめっき層６０Ａが形成される。また、第２の下地電極層５０Ｂの表面に、第２のめっき層６０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっき法により、順次形成される。

【0151】

このような製造工程により、第１の積層セラミックコンデンサ本体２が製造される。

【0152】

次に、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂの製造方法について説明する。

【0153】

第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを構成する端子本体にめっき膜が施される。その後、めっき膜の少なくとも最外表面を構成する膜が剥離され、はんだのぬれ性が低い表面が露出する露出面が形成される。あるいは、レジスト等で一部の表面をマスキングした状態の端子本体に対してめっき処理が施され、これにより、はんだのぬれ性が低い表面が露出する露出面が形成されてもよい。

【0154】

次に、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００同士を接合する工程について説明する。

【0155】

各積層セラミックコンデンサ本体２，２００同士は、第１の接合材５Ａによって接合される。

【0156】

第２の積層セラミックコンデンサ本体２００を、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の第２の主面ＴＳ２側に配置する。その際、第１の接合材５Ａを、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極２４０Ａとの間に配置するとともに、第１の外部電極４０Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとの間に配置する。その後、所定の処理を行うことで、第１の接合材５Ａにより、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極２４０Ａとを接合するとともに、第１の外部電極４０Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとを接合するとともに、第１の接合材５Ａにより接合することができる。

【0157】

次に、第１の積層セラミックコンデンサ本体２と、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂとを接合する工程について説明する。

【0158】

第１の外部電極４０Ａと第１の金属端子１００Ａは、第２の接合材５Ｂによって接合される。第１の外部電極４０Ｂと第２の金属端子１００Ｂは、第３の接合材５Ｃによって接合される。

【0159】

第１の外部電極４０Ａの第１の主面ＴＳ１上の部分と、第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａとを対面させる。その際、第１の外部電極４０Ａと、第１の金属端子１００Ａ（第１の接合部１１０Ａ）との間に第２の接合材５Ｂを配置する。その後、所定の処理を行うことで、第２の接合材５Ｂにより、第１の外部電極４０Ａと第１の金属端子１００Ａとを接合することができる。

【0160】

第１の外部電極４０Ｂの第１の主面ＴＳ１上の部分と、第２の金属端子１００Ｂの第２の接合部１１０Ｂとを対面させる。その際、第１の外部電極４０Ｂと、第２の金属端子１００Ｂ（第２の接合部１１０Ｂ）との間に第３の接合材５Ｃを配置する。その後、所定の処理を行うことで、第３の接合材５Ｃにより、第１の外部電極４０Ｂと第２の金属端子１００Ｂとを、第３の接合材５Ｃにより接合することができる。

【0161】

第１の接合材５Ａ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、例えば、ＴＰＬＳ材料である。ＴＰＬＳ材料は、高融点金属と低融点金属とからなる。なお、ＴＬＰＳで接合する場合は、選定した低融点金属の融点を上回る温度で一定時間を加熱保持することで、高融点金属と固溶拡散させ、高融点の接合体を得る。

【0162】

また、第１の接合材５Ａ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、はんだを用いてもよい。はんだのリフロー時には、例えば、２７０℃以上２９０℃以下の温度で３０秒以上加熱する。

【0163】

次に、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００と、接合材５と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部とを、外装材３で覆う工程について説明する。

【0164】

外装材３は、例えば、トランスファーモールド工法によって形成される。具体的には、外装材３で覆う前の積層セラミックコンデンサ、すなわち、第１の接合材５Ａを介して第２の積層セラミックコンデンサ本体２００が接合され、且つ第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃを介して金属端子１００が接合された第１の積層セラミックコンデンサ本体２を金型内に配置し、その後、金型内に外装材３の樹脂を充填し、樹脂を硬化させる。これにより、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００と、接合材５と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部とを覆うように、外装材３が設けられる。このとき、隙間部Ｇにも外装材３を充填することができる。また、第１の接合材５Ａ、第２の接合材５Ｂ及び第３の接合材５Ｃと、外装材３と、は、それぞれ接合させる。

【0165】

最後に、金属端子１００に不要部分がある場合、打ち抜き金型等を用いて、不要部分がカットされる。そして、曲げ金型等を用いて、金属端子１００が所望の形状に折り曲げられる。このように、金属端子１００は、曲げ加工により形成されていてもよい。すなわち、屈曲形成されている金属端子１００の各接続部は、曲げ加工により形成されていてもよい。なお、一部の曲げ加工は、外装材３のモールド前に行われる。

【0166】

以上の製造方法により、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が製造される。

【0167】

図１４に、積層セラミックコンデンサ１の実装構造８００を示す。図１４は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が実装基板８１０に実装された実装構造８００を示す外観斜視図である。

【0168】

外装材３に覆われて完成品となった積層セラミックコンデンサ１は、その後、部品として、基板実装用接合材８２０を介して、実装基板８１０にリフロー実装される。

【0169】

具体的には、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、実装基板８１０の実装面８１１に配置されている配線部材８１２に対して、基板実装用接合材８２０を介して接合される。第２の金属端子１００Ｂは、実装基板８１０の実装面８１１に配置されている配線部材８１２に対して、基板実装用接合材８２０を介して接合される。

【0170】

以下、図１６～図１９を用いて、上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。図１６は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１の変形例を示す仮想的な斜視図である。図１７は、図１６の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＩＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図１８は、図１６の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図１９は、図１６の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＶＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【0171】

本変形例においては、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の配置が、上記実施形態と異なる。第２の積層セラミックコンデンサ本体２００は、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側に配置されている。第１の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ｂの第２の端面ＬＳ２上の部分と、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の第２の外部電極２４０Ａの第３の端面ＬＳ３上の部分とは、対向している。第１の外部電極４０Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３の少なくともいずれかが配置されている。第１の外部電極４０Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとは、第１の接合材５Ａにより接合されている。

【0172】

また、本変形例においては、第１の金属端子および第２の金属端子の構成が、上記実施形態と異なる。本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、第１の金属端子５００Ａと、第２の金属端子５００Ｂとを備える。

【0173】

第１の金属端子５００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部５１０Ａと、第１の積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように長さ方向Ｌ１，Ｌ２に延びる第１の延長部５３０Ａと、第１の延長部５３０Ａに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第１の立ち下がり部５４０Ａと、第１の立ち下がり部５４０Ａに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第１の実装部５５０Ａと、を有する。

【0174】

第１の金属端子５００Ａは、第１の接合部５１０Ａにおいて第１の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａの第１の主面ＴＳ１上の部分と接合されている。第１の接合部５１０Ａと第１の外部電極４０Ａとの間には、第２の接合材５Ｂおよび外装材３のうち少なくともいずれかが配置されている。第１の金属端子５００Ａと第１の外部電極４０Ａとは、第２の接合材５Ｂにより接合されている。

【0175】

第２の金属端子５００Ｂは、第３の主面ＴＳ３と対向し、第２の外部電極２４０Ｂに接続される第２の接合部５１０Ｂと、第２の積層セラミックコンデンサ本体２００から遠ざかるように長さ方向Ｌ１，Ｌ２に延びる第２の延長部５３０Ｂと、第２の延長部５３０Ｂに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第２の立ち下がり部５４０Ｂと、第２の立ち下がり部５４０Ｂに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第２の実装部５５０Ｂと、を有する。

【0176】

第２の金属端子５００Ｂは、第２の接合部５１０Ｂにおいて第２の積層セラミックコンデンサ本体２００の第２の外部電極４４０Ｂの第３の主面ＴＳ３上の部分と接合されている。第２の接合部５１０Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとの間には、第２の接合材５Ｂおよび外装材３のうち少なくともいずれかが配置されている。第２の金属端子５００Ｂと第２の外部電極２４０Ｂとは、第２の接合材５Ｂにより接合されている。

【0177】

このように、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００は、直列に接続されていてもよい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の静電容量を向上させることができる。

【0178】

以下、図２０～図２３を用いて、上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態および変形例のうちいずれかと同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図２０は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２の変形例を示す仮想的な斜視図である。図２１は、図２０の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＶＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図２２は、図２０の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＶＩＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図２３は、図２０の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＩＸ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【0179】

本変形例においては、各積層セラミックコンデンサ本体の構成が、上記実施形態とは異なる。本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００を備え、詳しくは、４つの第３の積層セラミックコンデンサ本体６００を備える。

【0180】

第３の積層セラミックコンデンサ本体６００は、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００と概ね同一の構成を有する。第３の積層セラミックコンデンサ本体６００は、コンデンサ積層体６１０と、第３の外部電極６４０Ａおよび第３の外部電極６４０Ｂとを有する。コンデンサ積層体６１０は、その積層方向Ｔ３に相対する第５の主面ＴＳ５および第６の主面ＴＳ６と、積層方向Ｔ３に直交する幅方向Ｗ３に相対する第５の側面ＷＳ５および第６の側面ＷＳ６と、積層方向Ｔ３および幅方向Ｗ３に直交する長さ方向Ｌ３に相対する第５の端面ＬＳ５および第６の端面ＬＳ６と、を含む。第３の外部電極６４０Ａと第３の外部電極６４０Ｂとは、コンデンサ積層体６１０を長さ方向Ｌ３に挟んで設けられている。第３の外部電極６４０Ａは、第５の端面ＬＳ５側に配置されている。第３の外部電極６４０Ｂは、第６の端面ＬＳ６側に配置されている。

【0181】

しかし、第３の積層セラミックコンデンサ本体６００は、その積層方向Ｔ３の寸法が、各積層セラミックコンデンサ本体２，２００の積層方向Ｔ１，Ｔ２の寸法より小さくなっている点で、上記実施形態の各積層セラミックコンデンサ本体２，２００とは異なっている。

【0182】

なお、複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００のうち、少なくとも１の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００が第１の積層セラミック電子部品本体に相当し、第１の積層セラミック電子部品本体に相当するもの以外の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００が第２の積層セラミック電子部品本体に相当する。また、複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００のうち、いずれの第３の積層セラミックコンデンサ本体６００が第１の積層セラミック電子部品本体（または、第２の積層セラミック電子部品本体）に相当するかは任意である。

【0183】

また、第１の積層セラミック電子部品に相当する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００が有する各構成は、第１の積層セラミック電子部品が有する各構成と対応する。より具体的には、第１の積層セラミック電子部品に相当する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、第３の外部電極６４０Ａおよび第３の外部電極６４０Ｂが、特許請求の範囲でいう第１の外部電極にそれぞれ相当し、第５の主面ＴＳ５および第６の主面ＴＳ６が、特許請求の範囲でいう第１の主面および第２の主面にそれぞれ相当し、第５の側面ＷＳ５および第６の側面ＷＳ６が、特許請求の範囲でいう第１の側面および第２の側面にそれぞれ相当し、第５の端面ＬＳ５および第６の端面ＬＳ６が、特許請求の範囲でいう第１の端面および第２の端面にそれぞれ相当する。

【0184】

第２の積層セラミック電子部品に相当する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００が有する各構成は、第２の積層セラミック電子部品が有する各構成と対応する。より具体的には、第２の積層セラミック電子部品に相当する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、第３の外部電極６４０Ａおよび第３の外部電極６４０Ｂが、特許請求の範囲でいう第２の外部電極にそれぞれ相当し、第５の主面ＴＳ５および第６の主面ＴＳ６が、特許請求の範囲でいう第３の主面および第４の主面にそれぞれ相当し、第５の側面ＷＳ５および第６の側面ＷＳ６が、特許請求の範囲でいう第３の側面および第４の側面にそれぞれ相当し、第５の端面ＬＳ５および第６の端面ＬＳ６が、特許請求の範囲でいう第３の端面および第４の端面にそれぞれ相当する。

【0185】

また、本変形例においては、各第３の積層セラミックコンデンサ本体６００の配置の態様が、上記実施形態および変形例と異なる。

【0186】

各第３の積層セラミックコンデンサ本体６００は、各第３の積層セラミックコンデンサ本体６００の積層方向Ｔ３に並べて配置されている。互いに隣接する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、一方の第５の主面ＴＳ５と他方の第６の主面ＴＳ６とが対向している。互いに隣接する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、各々の第３の外部電極６４０Ａ同士が対向するとともに、各々の第３の外部電極６４０Ｂ同士が対向している。各第３の外部電極６４０Ａの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３のうちいずれかが配置されている。各第３の外部電極６４０Ｂの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３のうちいずれかが配置されている。各第３の外部電極６４０Ａは、第１の接合材５Ａにより接合されている。各第３の外部電極６４０Ｂは、第１の接合材５Ａにより接合されている。

【0187】

各第３の積層セラミックコンデンサ本体６００は、第５の側面ＷＳ５側を実装基板（図示略）側に向けて配置される。

【0188】

本変形例においては、第１の金属端子および第２の金属端子の構成が、上記実施形態と異なる。

【0189】

本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、第１の金属端子７００Ａと第２の金属端子７００Ｂとを有する。

【0190】

第１の金属端子７００Ａは、第１の変形例における第１の金属端子５００Ａと概ね同一の構成を有し、第１の接合部７１０Ａと、第１の延長部７３０Ａと、第１の立ち下がり部７４０Ａと、第１の実装部７５０Ａとを有する。しかし、第１の接合部７１０Ａが、複数の第３の外部電極６４０Ａと接合されている点で、第１の変形例と異なっている。第１の接合部７１０Ａは、各第３の外部電極６４０Ａの各第５の側面ＷＳ５上の面と接合されている。第１の金属端子７００Ａと第１の立ち下がり部７４０Ａと第１の実装部７５０Ａとは、積層方向Ｔ３の寸法が同一となっている。

【0191】

第１の金属端子７００Ａ（第１の接合部７１０Ａ）と各第３の外部電極６４０Ａとの間には、第２の接合材５Ｂおよび外装材３のうちいずれかが配置されている。第１の接合部７１０Ａと各第３の外部電極６４０Ａとは、第２の接合材５Ｂによりそれぞれ接合されている。

【0192】

第２の金属端子７００Ｂは、第１の変形例における第２の金属端子７００Ｂと概ね同一の構成を有し、第２の接合部７１０Ｂと、第２の延長部７３０Ｂと、第２の立ち下がり部７４０Ｂと、第２の実装部７５０Ｂとを有する。しかし、第２の接合部７１０Ｂが、複数の第３の外部電極６４０Ｂと接合されている点で、第１の変形例と異なっている。第２の接合部７１０Ｂは、各第３の外部電極６４０Ｂの各第５の側面ＷＳ５上の面と接合されている。第２の金属端子７００Ｂと第２の立ち下がり部７４０Ｂと第２の実装部７５０Ｂとは、積層方向Ｔ３の寸法が同一となっている。

【0193】

第２の金属端子７００Ｂ（第２の接合部７１０Ｂ）と各第３の外部電極６４０Ｂとの間には、第３の接合材５Ｃおよび外装材３のうちいずれかが配置されている。第２の接合部７１０Ｂと各第３の外部電極６４０Ｂとは、第３の接合材５Ｃによりそれぞれ接合されている。

【0194】

本変形例であっても、本開示の効果を得ることができる。

【0195】

なお、積層セラミックコンデンサ１が有する積層セラミックコンデンサ本体の数は、特に限定されるものではない。

【0196】

以下、図２４～図２７を用いて、上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第３の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態および各変形例のうちいずれかと同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図２４は、本実施形態の積層セラミックコンデンサの第３の変形例を示す仮想的な斜視図である。図２５は、図２４の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図２６は、図２４の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図２７は、図２４の積層セラミックコンデンサを矢印ＸＸＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【0197】

本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、第２の変形例と同一の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００を備える。しかし、本変形例では、第３の積層セラミックコンデンサ本体６００の配置の態様が、第２の変形例と異なる。

【0198】

本変形例においては、積層セラミックコンデンサ１は、複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００を備え、詳しくは、６つの第３の積層セラミックコンデンサ本体６００を備える。各第３の積層セラミックコンデンサ本体６００は、第５の主面ＴＳ５側を実装基板（図示略）側に向けてそれぞれ配置される。

【0199】

複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００のうち、一部の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００が積層方向Ｔ３に並べて配置されている。積層方向Ｔ３に隣接する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、一方の第３の外部電極６４０Ａと他方の第３の外部電極６４０Ａとが対向し、且つ一方の第３の外部電極６４０Ｂと他方の第３の外部電極６４０Ｂとが対向している。

【0200】

積層方向Ｔ３に対向する各第３の外部電極６４０Ａの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３のうちいずれかが配置されている。積層方向Ｔ３に対向する各第３の外部電極６４０Ａ同士は、第１の接合材５Ａにより接合されている。

【0201】

積層方向Ｔ３に対向する各第３の外部電極６４０Ｂの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３のうちいずれかが配置されている。積層方向Ｔ３に対向する各第３の外部電極６４０Ｂ同士は、第１の接合材５Ａにより接合されている。

【0202】

これにより、積層方向Ｔ３に並ぶ複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００により形成されたコンデンサ集合体Ｇが複数形成されている。

【0203】

本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ集合体Ｇとして、それぞれ３つの第３の積層セラミックコンデンサ本体６００から構成されるコンデンサ集合体Ｇ１及びコンデンサ集合体Ｇ２を備える。なお、コンデンサ集合体Ｇ１およびコンデンサ集合体Ｇ２は、特に区別する必要がない場合、併せて「各コンデンサ集合体Ｇ」という。

【0204】

なお、以下において、各コンデンサ集合体Ｇにおいて、最も実装基板側に配置されている第３の積層セラミックコンデンサ本体６００を、「第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａ」という。第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａの第３の外部電極６４０Ａを「第３の外部電極６４０Ａａ」という。第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａの第３の外部電極６４０Ｂを「第３の外部電極６４０Ｂａ」という。

【0205】

コンデンサ集合体Ｇ１とコンデンサ集合体Ｇ２とは、幅方向Ｗ３に並べて配置されている。幅方向Ｗ３に隣接する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、一方の第３の外部電極６４０Ａの第５の側面ＷＳ５上の面と、他方の第３の外部電極６４０Ａの第６の側面ＷＳ６上の面とがそれぞれ対向している。幅方向Ｗ３に対向する各第３の外部電極６４０Ａの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３のうちいずれかがそれぞれ配置されている。幅方向Ｗ３に対向する各第３の外部電極６４０Ａ同士は、第１の接合材５Ａによりそれぞれ接合されている。

【0206】

幅方向Ｗ３に隣接する第３の積層セラミックコンデンサ本体６００においては、一方の第３の外部電極６４０Ｂの第５の側面ＷＳ５上の面と、他方の第３の外部電極６４０Ｂの第６の側面ＷＳ６上の面とがそれぞれ対向している。幅方向Ｗ３に対向する各第３の外部電極６４０Ｂの間には、第１の接合材５Ａおよび外装材３のうちいずれかがそれぞれ配置されている。幅方向Ｗ３に対向する各第３の外部電極６４０Ａ同士は、第１の接合材５Ａによりそれぞれ接合されている。

【0207】

第１の金属端子７００Ａは、コンデンサ集合体Ｇ１の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａの第３の外部電極６４０Ａａおよびコンデンサ集合体Ｇ２の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａの第３の外部電極６４０Ａａに接続されている。第１の金属端子７００Ａは、それらの第３の外部電極６４０Ａａの各第５の主面ＴＳ５上の面に第２の接合材５Ｂを介して接続されている。

【0208】

第２の金属端子７００Ｂは、コンデンサ集合体Ｇ１の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａの第３の外部電極６４０Ｂａおよびコンデンサ集合体Ｇ２の第３の積層セラミックコンデンサ本体６００ａの第３の外部電極６４０Ｂａに接続されている。第２の金属端子７００Ｂは、それら第３の外部電極６４０Ｂａの各第５の主面ＴＳ５上の面に第３の接合材５Ｃを介して接続されている。

【0209】

このように、積層セラミックコンデンサ１の内部においては、複数の第３の積層セラミックコンデンサ本体を接続してコンデンサ集合体Ｇを形成するとともに、コンデンサ集合体Ｇを複数配列するようにしてもよい。

【0210】

本変形例であっても、本開示の効果を得ることができる。

【0211】

以下、図２８～図３１を用いて、上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第４の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態および各変形例のうちいずれかと同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図２８は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第４の変形例を示す仮想的な斜視図である。図２９は、図２８の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＸＩＩＩ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図３０は、図２８の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＸＩＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。図３１は、図２８の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＸＶ方向から見たときの仮想的な矢視図である。

【0212】

本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、第３の変形例と同様のコンデンサ集合体Ｇを備える。しかし、本変形例と第３の変形例とは、コンデンサ集合体Ｇの個数および配置の態様において異なる。

【0213】

本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ集合体Ｇを４つ備える。以下において、４つのコンデンサ集合体Ｇは、それぞれ、コンデンサ集合体Ｇ１、コンデンサ集合体Ｇ２、コンデンサ集合体Ｇ３およびコンデンサ集合体Ｇ４という。

【0214】

コンデンサ集合体Ｇ１とコンデンサ集合体Ｇ２とは、第３の変形例と同様に、それらの幅方向Ｗ３に並んで配置されるとともに各第１の接合材５Ａにより接合されている。

【0215】

コンデンサ集合体Ｇ３は、コンデンサ集合体Ｇ１とそれらの長さ方向Ｌ３に並んで配置されている。コンデンサ集合体Ｇ１に含まれる各第３の外部電極６４０Ａと、コンデンサ集合体Ｇ３に含まれる各第３の外部電極６４０Ｂとは、対向している。コンデンサ集合体Ｇ１に含まれる各第３の外部電極６４０Ａと、コンデンサ集合体Ｇ３に含まれる各第３の外部電極６４０Ｂとは、第１の接合材５Ａによりそれぞれ接合されている。

【0216】

コンデンサ集合体Ｇ４は、コンデンサ集合体Ｇ２とそれらの長さ方向Ｌ３に並んで配置され、且つコンデンサ集合体Ｇ３とそれらの幅方向Ｗ３に並んで配置されている。

【0217】

コンデンサ集合体Ｇ２に含まれる各第３の外部電極６４０Ａと、コンデンサ集合体Ｇ４に含まれる各第３の外部電極６４０Ｂとは、対向している。コンデンサ集合体Ｇ２に含まれる各第３の外部電極６４０Ａと、コンデンサ集合体Ｇ４に含まれる各第３の外部電極６４０Ｂとは、第１の接合材５Ａによりそれぞれ接合されている。

【0218】

コンデンサ集合体Ｇ３に含まれる各第３の外部電極６４０Ａと、コンデンサ集合体Ｇ４に含まれる各第３の外部電極６４０Ａとは、第１の接合材５Ａによりそれぞれ接合されている。コンデンサ集合体Ｇ３に含まれる各第３の外部電極６４０Ｂと、コンデンサ集合体Ｇ４に含まれる各第３の外部電極６４０Ｂとは、第１の接合材５Ａによりそれぞれ接合されている。

【0219】

本変形例の積層セラミックコンデンサ１は、第３の変形例と同様の第１の金属端子７００Ａおよび第２の金属端子７００Ｂを備える。

【0220】

第１の金属端子７００Ａは、コンデンサ集合体Ｇ３に含まれる第３の外部電極６４０Ａａおよびコンデンサ集合体Ｇ４に含まれる第３の外部電極Ａａに第２の接合材５Ｂにより接合されている。

【0221】

第２の金属端子７００Ｂは、コンデンサ集合体Ｇ１に含まれる第２の外部電極Ｂａおよびコンデンサ集合体Ｇ２に含まれる第３の外部電極Ｂａに第３の接合材５Ｃにより接合されている。

【0222】

このように、積層セラミックコンデンサ１が有するコンデンサ集合体Ｇの数は、特に限定されるものではない。

【0223】

本変形例であっても、本開示の効果を得ることができる。

【0224】

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。

【0225】

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、第１の接合材５Ａの空隙率に対して、外装材３の空隙率が相対的に低くなっている。これにより、第１の接合材５Ａを外装材３の表面の凹凸に十分食い込ませて、第１の接合材５Ａの表面と外装材３との密着性を向上させることができる。よって、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、第１の接合材５Ａと外装材３との間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0226】

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの空隙率に対して、外装材３の空隙率を相対的に低くすることが好ましい。その場合、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃを外装材３の表面の凹凸に十分食い込ませて、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの表面と外装材３との密着性を向上させることができる。よって、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃと外装材との間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0227】

上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１の接合材５Ａの空隙率は、第２の接合材５Ｂの空隙率および第３の接合材５Ｃの空隙率よりも高くすることが好ましい。その場合、第１の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａおよび第１の外部電極４０Ｂと、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂとの接合性を十分確保した上で、第１の接合材５Ａと外装材３との間での剥離の発生を抑制することができる。

【0228】

上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第１の接合材５Ａの空隙率は、２０％以上５０％以下であることが好ましい。これにより、より適切に、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、外装材３と第１の接合材５Ａの間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0229】

上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、第２の接合材５Ｂの空隙率および第３の接合材５Ｃの空隙率は、２０％以上５０％以下であることが好ましい。その場合、より適切に、外部からの蒸気の浸透を低減しつつ、外装材３と第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃの間での剥離の発生を抑制することができる。また、外部から各コンデンサ積層体１０，２１０にかかる応力を吸収することができる。

【0230】

上記実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、外装材の空隙率は１０％以下であることが好ましい。その場合、外部からの蒸気の浸透をより好適に低減することができる。

【0231】

本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

【0232】

以上、本発明の好適な実施形態および変形例について説明したが、これに限定されず、本発明は以下の範囲が含まれる。

【0233】

＜１＞積層された複数の第１のセラミック層と、前記第１のセラミック層上に積層された複数の第１の内部導体層とを含み、前記第１のセラミック層と前記第１の内部導体層とが積層される第１の積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記第１の積層方向に直交する第１の幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記第１の積層方向および前記第１の幅方向に直交する第１の長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む第１の積層体と、複数の第１の外部電極と、を有する第１の積層セラミック電子部品本体と、積層された複数の第２のセラミック層と、前記第２のセラミック層上に積層された複数の第２の内部導体層とを含み、前記第２のセラミック層と前記第２の内部導体層とが積層される第２の積層方向に相対する第３の主面および第４の主面と、前記第２の積層方向に直交する第２の幅方向に相対する第３の側面および第４の側面と、前記第２の積層方向および前記第２の幅方向に直交する第２の長さ方向に相対する第３の端面および第４の端面と、を含む第２の積層体と、複数の第２の外部電極と、を有する第２の積層セラミック電子部品本体と、前記複数の第１の外部電極のうちのいずれか１つと、前記複数の第２の外部電極のうちのいずれか１つと、を接合する第１の接合材と、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極に接続される第１の金属端子と、前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極に接続される第２の金属端子と、前記第１の積層セラミック電子部品本体と、前記第２の積層セラミック電子部品本体と、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部と、を覆っている外装材と、を備え、前記第１の接合材は、前記外装材と接合し、前記第１の接合材の空隙率は、前記外装材の空隙率よりも高い、積層セラミック電子部品。

【0234】

＜２＞前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第１の金属端子と、を接合する第２の接合材と、前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第２の金属端子と、を接合する第３の接合材と、を備え、前記第２の接合材および前記第３の接合材は、前記外装材と接合し、前記第２の接合材の空隙率および前記第３の接合材の空隙率は、前記外装材の空隙率よりも高い、＜１＞に記載の積層セラミック電子部品。

【0235】

＜３＞前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第１の金属端子と、を接合する第２の接合材と、前記第１の金属端子が接続される外部電極とは異なる外部電極であって、前記複数の第１の外部電極および前記複数の第２の外部電極から選択される少なくとも１つの外部電極と、前記第２の金属端子と、を接合する第３の接合材と、を備え、前記第１の接合材の空隙率は、前記第２の接合材の空隙率および前記第３の接合材の空隙率よりも高い、＜１＞または＜２＞に記載の積層セラミック電子部品。

【0236】

＜４＞前記第１の接合材の空隙率は、２０％以上５０％以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１に記載の積層セラミック電子部品。

【0237】

＜５＞前記第２の接合材の空隙率および前記第３の接合材の空隙率は、２０％以上５０％以下である、＜２＞に記載の積層セラミック電子部品。

【0238】

＜６＞前記外装材の空隙率は１０％以下である、＜１＞～＜５＞のいずれか１に記載の積層セラミック電子部品。

【符号の説明】

【0239】

１ 積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品）
２ 第１の積層セラミックコンデンサ本体（第１の積層セラミック電子部品本体）
３ 外装材
５Ａ 第１の接合材
５Ｂ 第２の接合材
５Ｃ 第３の接合材
１０ コンデンサ積層体（第１の積層体）
２０ 誘電体層（第１のセラミック層）
３０内部電極層（第１の内部導体層）
４０Ａ，４０Ｂ 第１の外部電極
１００Ａ，５００Ａ，７００Ａ 第１の金属端子
１００Ｂ，５００Ｂ，７００Ｂ 第２の金属端子
２００ 第２の積層セラミックコンデンサ本体（第２の積層セラミック電子部品本体）
２１０ コンデンサ積層体（第２の積層体）
２２０ 誘電体層（第２のセラミック層）
２３０ 内部電極層（第２の内部導体層）
２４０Ａ，２４０Ｂ 第２の外部電極
６００ 第３の積層セラミックコンデンサ本体（第１の積層セラミック電子部品本体または第２の積層セラミック電子部品本体）
６４０Ａ，６４０Ｂ 第３の外部電極（第１の外部電極または第２の外部電極）
ＴＳ１ 第１の主面
ＴＳ２ 第２の主面
ＴＳ３ 第３の主面
ＴＳ４ 第４の主面
ＴＳ５ 第５の主面（第１の主面または第３の主面）
ＴＳ６ 第６の主面（第２の主面または第４の主面）
ＷＳ１ 第１の側面
ＷＳ２ 第２の側面
ＷＳ３ 第３の側面
ＷＳ４ 第４の側面
ＷＳ５ 第５の側面（第１の側面または第３の側面）
ＷＳ６ 第６の側面（第２の側面または第４の側面）
ＬＳ１ 第１の端面
ＬＳ２ 第２の端面
ＬＳ３ 第３の端面
ＬＳ４ 第４の端面
ＬＳ５ 第５の端面（第１の端面または第３の端面）
ＬＳ６ 第６の端面（第２の端面または第４の端面）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】