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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024090149
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】複合部品デバイスおよびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240627BHJP
H01L 25/10 20060101ALI20240627BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240627BHJP
【ＦＩ】
H01L25/08 Z
H01L25/14 Z
H01L23/12 501P
H01L25/08 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022205845
(22)【出願日】2022-12-22
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(74)【代理人】
【識別番号】100197583
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 健
(72)【発明者】
【氏名】土井 渉
(57)【要約】
【課題】反りの発生を抑制することができる複合部品デバイスを提供する。
【解決手段】第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
第１複合部品層は、第１主面および第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、第１主面に設けられた再配線層とを備え、
複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
電子部品層は、第１電子部品と、第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、側壁部を貫通し再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している、複合部品デバイス。
【選択図】図１
【解決手段】第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
第１複合部品層は、第１主面および第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、第１主面に設けられた再配線層とを備え、
複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
電子部品層は、第１電子部品と、第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、側壁部を貫通し再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している、複合部品デバイス。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
前記第１複合部品層は、第１主面および該第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、該第１主面に設けられた再配線層とを備え、
前記複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で前記第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
前記電子部品層は、前記第１電子部品と、前記第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、前記第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、該側壁部を貫通し前記再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
前記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している、複合部品デバイス。
前記第１複合部品層は、第１主面および該第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、該第１主面に設けられた再配線層とを備え、
前記複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で前記第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
前記電子部品層は、前記第１電子部品と、前記第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、前記第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、該側壁部を貫通し前記再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
前記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している、複合部品デバイス。
【請求項2】
前記再配線層は、無機材料から構成される誘電膜を有する、請求項１に記載の複合部品デバイス。
【請求項3】
前記側壁部は、シリコンから実質的に成る、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項4】
前記電子部品層は、一層当たり複数の第１電子部品を有する、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項5】
複数の前記電子部品層において、各第１樹脂封止部を構成する樹脂は互いに異なる、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項6】
さらに、第２電子部品と、該第２電子部品を封止する第２樹脂封止部とを有する第２複合部品層を最外層として備える、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項7】
前記第２複合部品層は側壁部を有しない、請求項６に記載の複合部品デバイス。
【請求項8】
前記反転層が、前記複数の第１複合部品層の積層方向の中央に少なくとも配置され、
前記複合部品デバイスの最外層として、前記反転層を構成しない第１複合部品層が配置される、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
前記複合部品デバイスの最外層として、前記反転層を構成しない第１複合部品層が配置される、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項9】
前記電子部品層貫通ビアは、前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、千鳥配置または整列配置されるように設けられている、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項10】
前記電子部品層貫通ビアは、前記第１複合部品層の積層方向と略平行となるように設けられており、
前記複数の複合部品層のうち少なくとも一対の隣接する第１複合部品層において、電子部品層貫通ビアは１の直線上に配列するように配置されている、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
前記複数の複合部品層のうち少なくとも一対の隣接する第１複合部品層において、電子部品層貫通ビアは１の直線上に配列するように配置されている、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項11】
前記反転層を複数備える、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項12】
前記複数の反転層のうち隣接する２つの反転層は、接着層を介して接合する、請求項１１に記載の複合部品デバイス。
【請求項13】
前記電子部品層貫通ビアは、前記側壁部を貫通する側壁部貫通ビアと、前記接着層を貫通して前記反転層間を電気的に接続する反転層間導電ビアとを有し、
前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、前記反転層間導電ビアの断面積は、前記側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい、請求項１２に記載の複合部品デバイス。
前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、前記反転層間導電ビアの断面積は、前記側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい、請求項１２に記載の複合部品デバイス。
【請求項14】
前記複数の第１複合部品層が偶数個の反転層を構成し、
前記偶数個の反転層は、前記偶数個の反転層の積層方向の中央に対して対称である、請求項１１に記載の複合部品デバイス。
前記偶数個の反転層は、前記偶数個の反転層の積層方向の中央に対して対称である、請求項１１に記載の複合部品デバイス。
【請求項15】
前記第１電子部品は、部品電極が配置されている第１面と、該第１面と対向する第２面とを有し、
前記複数の第１複合部品層は接着層により接合し、前記第１電子部品の前記第２面は該接着層に接触する、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
前記複数の第１複合部品層は接着層により接合し、前記第１電子部品の前記第２面は該接着層に接触する、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項16】
前記電子部品層は、一層当たり複数の第１電子部品を有し、
前記複数の第１電子部品は異なる、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
前記複数の第１電子部品は異なる、請求項１または２に記載の複合部品デバイス。
【請求項17】
請求項１または２に記載の複合部品デバイスを製造する方法であって、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層の該底面部に前記第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、前記シリコンベース層に前記第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
前記第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
前記部品電極の表面全体を露出させるように前記シリコンベース層および前記電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの前記電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして前記電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体接着工程と、
前記一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および前記一対の電子部品層前駆体の前記部品電極が露出する一方の主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
前記一方の主面の反対側に位置する前記反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
前記反転層前駆体の前記再配線層に、別途作製した前記一対の電子部品層前駆体および別途作製した前記電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
前記積層した一対の電子部品層前駆体および前記積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される、複合部品デバイスの製造方法。
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層の該底面部に前記第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、前記シリコンベース層に前記第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
前記第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
前記部品電極の表面全体を露出させるように前記シリコンベース層および前記電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの前記電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして前記電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体接着工程と、
前記一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および前記一対の電子部品層前駆体の前記部品電極が露出する一方の主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
前記一方の主面の反対側に位置する前記反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
前記反転層前駆体の前記再配線層に、別途作製した前記一対の電子部品層前駆体および別途作製した前記電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
前記積層した一対の電子部品層前駆体および前記積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される、複合部品デバイスの製造方法。
【請求項18】
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた前記工程が１回以上実行される、請求項１７に記載の複合部品デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、複合部品デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、垂直に積み重ねられたシステムインパッケージ構造体としては、例えば、特表２０１８－５１４０８８号公報（特許文献１）の図１０に記載の垂直スタックシステムインパッケージ（垂直スタックＳｉＰ）がある。この垂直スタックＳｉＰは、第１～３レベルの成形コンパウンド（１２５，１５５，１８５）と、その間に配置された第１～３再配線層（１３０，１６０，１９０）と、第１～３の再配線層（１３０，１６０，１９０）間を電気的に接続する第２～３レベルの導電ピラー（１４０，１７０）とを含んで成る。成形コンパウンド（１２５，１５５，１８５）には、それぞれダイ（電子部品）（１１０，１４２，１７２）が封止されている。第２成形コンパウンド（１５５）では、一対のダイ（１４２）が背中合わせに積み重ねられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０１８－５１４０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、本発明者は、上記のような垂直スタックＳｉＰでは、次の問題があることを見出した。すなわち、一対のダイ（１４２）が背中合わせに積み重ねられている第２成形コンパウンド（１５５）では、ダイ（１４２）の垂直方向への積層により樹脂量が増加し、これにより第２成形コンパウンド（１５５）における内部応力が増加し、反りが発生する虞がある。
また、垂直スタックＳｉＰの製造では、各成形コンパウンドを逐次的に積み重ねて製造する。各成形コンパウンドの形成毎に加熱が行われるため、パッケージ内の熱が放出されにくく、ダイ（１４２）が熱損傷しやすくなる。そして、その熱損傷がそのまま蓄積されていくため、ダイが劣化し部品寿命が短くなり、垂直スタックＳｉＰの長期信頼性が低下する虞がある。
さらに、上述のように各成形コンパウンドの形成毎に加熱が行われるため、すでに形成されている成形コンパウンドは複数回加熱される。これにより、垂直スタックＳｉＰは、熱履歴が蓄積して長期信頼性が低下する虞がある。
また、垂直スタックＳｉＰの製造では、各成形コンパウンドを逐次的に積み重ねて製造する。各成形コンパウンドの形成毎に加熱が行われるため、パッケージ内の熱が放出されにくく、ダイ（１４２）が熱損傷しやすくなる。そして、その熱損傷がそのまま蓄積されていくため、ダイが劣化し部品寿命が短くなり、垂直スタックＳｉＰの長期信頼性が低下する虞がある。
さらに、上述のように各成形コンパウンドの形成毎に加熱が行われるため、すでに形成されている成形コンパウンドは複数回加熱される。これにより、垂直スタックＳｉＰは、熱履歴が蓄積して長期信頼性が低下する虞がある。
【0005】
そこで、本開示の目的は、反りの発生を抑制することができる複合部品デバイスを提供することである。本開示の別の目的は、反りの発生を抑制し、高い長期信頼性を有する複合部品デバイスを製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討し、複数の第１複合部品層を備えた複合部品デバイスにおいて、第１複合部品層内で生じる応力を隣接する第１複合部品層内で生じる応力と相殺させるとの知見を得た。このような技術的知見に基づき、複数の第１複合部品層を２つ一組で互いに向かい合う反転層を有する本開示を想到するに到った。すなわち、本開示は、以下の態様を含む。
【0007】
前記課題を解決するため、本開示の一態様である複合部品デバイスは、
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
前記第１複合部品層は、第１主面および該第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、該第１主面に設けられた再配線層とを備え、
前記複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で前記第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
前記電子部品層は、前記第１電子部品と、前記第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、前記第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、該側壁部を貫通し前記再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
前記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している。
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
前記第１複合部品層は、第１主面および該第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、該第１主面に設けられた再配線層とを備え、
前記複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で前記第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
前記電子部品層は、前記第１電子部品と、前記第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、前記第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、該側壁部を貫通し前記再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
前記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している。
【0008】
本開示の一態様に係る複合部品デバイスでは、複数の第１複合部品層が、２つ一組で第１複合部品層の第２主面が向かい合うように配置される反転層を構成する。このように反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、樹脂封止部を２つに分けることができる。これにより、内部応力を低減することができ、複合部品デバイス全体の反りの発生を抑制することができる。
また、反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、反転層における各第１複合部品層内で生じる内部応力の向きが互いに正反対となりやすく、これにより、反転層内の内部応力が相殺されやすくなり、複合部品デバイス全体の反りの発生が抑制される。
よって、本態様に係る複合部品デバイスは、反りの発生を抑制することができる。
また、反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、反転層における各第１複合部品層内で生じる内部応力の向きが互いに正反対となりやすく、これにより、反転層内の内部応力が相殺されやすくなり、複合部品デバイス全体の反りの発生が抑制される。
よって、本態様に係る複合部品デバイスは、反りの発生を抑制することができる。
【0009】
本開示の別の態様である複合部品でバイアスの製造方法は、
上述の複合部品デバイスを製造する方法であって、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層の該底面部に前記第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、前記シリコンベース層に前記第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
前記第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
前記部品電極の表面全体を露出させるように前記シリコンベース層および前記電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの前記電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして前記電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体接着工程と、
前記一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および前記一対の電子部品層前駆体の前記部品電極が露出する一方の主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
前記一方の主面の反対側に位置する前記反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
前記反転層前駆体の前記再配線層に、別途作製した前記一対の電子部品層前駆体および別途作製した前記電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
前記積層した一対の電子部品層前駆体および前記積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される。
上述の複合部品デバイスを製造する方法であって、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層の該底面部に前記第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、前記シリコンベース層に前記第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
前記第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
前記部品電極の表面全体を露出させるように前記シリコンベース層および前記電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの前記電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして前記電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体接着工程と、
前記一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および前記一対の電子部品層前駆体の前記部品電極が露出する一方の主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
前記一方の主面の反対側に位置する前記反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
前記反転層前駆体の前記再配線層に、別途作製した前記一対の電子部品層前駆体および別途作製した前記電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
前記積層した一対の電子部品層前駆体および前記積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される。
【0010】
本態様に係る複合部品デバイスの製造方法では、電子部品層前駆体を並列に加工することができる。このため、積層工程および配線形成工程において積層した反転層または複合部品層に熱履歴が蓄積しにくい。これにより、電子部品への熱損傷を抑制することで、電子部品の劣化を抑制できる。
よって、本態様に係る複合部品デバイスの製造方法は、高い長期信頼性を有する複合部品デバイスを提供することができる。
よって、本態様に係る複合部品デバイスの製造方法は、高い長期信頼性を有する複合部品デバイスを提供することができる。
【発明の効果】
【0011】
本開示の一態様に係る複合部品デバイスによれば、反りの発生を抑制することができる。本開示の別の態様に係る複合部品デバイスの製造方法によれば、高い長期信頼性を有する複合部品デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１実施形態に係る複合部品デバイスを示す断面図である。
【図4A】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4B】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4C】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4D】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4E】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4F】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4G】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4H】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4I】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4J】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4K】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4L】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4M】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4N】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4O】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図4P】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図5】第２実施形態に係る複合部品を示す断面図である。
【図6A】第２実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図6B】第２実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図6C】第２実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図6D】第２実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図7】第３実施形態に係る複合部品を示す断面図である。
【図8A】第３実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図8B】第３実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図8C】第３実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図8D】第３実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図8E】第３実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図9A】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図9B】第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法について説明する説明図である。
【図10】第１実施形態に係る複合部品デバイスの変形例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本開示の一態様である複合部品デバイスを図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
【0014】
本開示において「接触」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材に物理的に触れていることを示す。
本開示において、「接合」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材に物理的につなぎ合っていることを示す。
本開示において、「接着」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材に物理的につながっていることを示す。
本開示において、「電気的に接続する」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材と導通していることを示す。
本開示において、「接合」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材に物理的につなぎ合っていることを示す。
本開示において、「接着」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材に物理的につながっていることを示す。
本開示において、「電気的に接続する」とは、対象とする部材が他の部材を介在せずに（直接的に（直接））または介在して（間接的に）別の部材と導通していることを示す。
【0015】
＜第１実施形態：複合部品デバイス＞
第１実施形態に係る複合部品デバイスは、
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
第１複合部品層は、第１主面および第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、第１主面に設けられた再配線層とを備え、
複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
電子部品層は、第１電子部品と、第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、側壁部を貫通し再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
第１電子部品は、再配線層に直接接合している。
第１実施形態に係る複合部品デバイスは、
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
第１複合部品層は、第１主面および第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、第１主面に設けられた再配線層とを備え、
複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
電子部品層は、第１電子部品と、第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、側壁部を貫通し再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
第１電子部品は、再配線層に直接接合している。
【0016】
［作用機序］
第１実施形態に係る複合部品デバイスは、反りの発生を抑制することができる。特定の理論に拘束されるわけではないが、その理由は以下のように推測される。
第１実施形態に係る複合部品デバイスでは、複数の第１複合部品層が、２つ一組で第１複合部品の第２主面が向かい合うように配置される反転層を構成する。このように反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、第１樹脂封止部を２つに分けることができる。これにより、内部応力を低減することができ、複合部品デバイス全体の反りの発生を抑制することができる。
また、反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、反転層における各第１複合部品層内で生じる内部応力の向きが正反対となりやすく、これにより反転層内の内部応力が相殺されやすくなり、複合部品デバイス全体の反りの発生が抑制される。
よって、第１実施形態に係る複合部品デバイスは、反りの発生を抑制することができる。
第１実施形態に係る複合部品デバイスは、反りの発生を抑制することができる。特定の理論に拘束されるわけではないが、その理由は以下のように推測される。
第１実施形態に係る複合部品デバイスでは、複数の第１複合部品層が、２つ一組で第１複合部品の第２主面が向かい合うように配置される反転層を構成する。このように反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、第１樹脂封止部を２つに分けることができる。これにより、内部応力を低減することができ、複合部品デバイス全体の反りの発生を抑制することができる。
また、反転層を構成する一組の第１複合部品層とすることで、反転層における各第１複合部品層内で生じる内部応力の向きが正反対となりやすく、これにより反転層内の内部応力が相殺されやすくなり、複合部品デバイス全体の反りの発生が抑制される。
よって、第１実施形態に係る複合部品デバイスは、反りの発生を抑制することができる。
【0017】
さらに、第１実施形態に係る複合部品デバイスは、剛性にも優れる。特定の理論に拘束されるわけではないが、その理由は以下のように推測される。
第１実施形態に係る複合部品デバイスでは、複数の第１複合部品層が、２つ一組で第１複合部品の第２主面が向かい合うように配置される反転層を構成し、さらに、電子部品層は、第１電子部品を取り込むように配置された側壁部を有する。このため、内部応力に対して変形（寸法変化：例えば、伸縮、曲げおよびねじれ）を起こしにくい。
よって、第１実施形態に係る複合部品デバイスは、剛性に優れる。
第１実施形態に係る複合部品デバイスでは、複数の第１複合部品層が、２つ一組で第１複合部品の第２主面が向かい合うように配置される反転層を構成し、さらに、電子部品層は、第１電子部品を取り込むように配置された側壁部を有する。このため、内部応力に対して変形（寸法変化：例えば、伸縮、曲げおよびねじれ）を起こしにくい。
よって、第１実施形態に係る複合部品デバイスは、剛性に優れる。
【0018】
［複合部品デバイスの構成］
第１実施形態に係る複合部品デバイスの構成を図１、図２および図３を参照して説明する。図１は、本開示の第１実施形態に係る複合部品デバイスの断面を模式的に示した図である。図２は、図１のＡ部拡大図である。図３は、図１のＩ－Ｉ断面図である。
第１実施形態に係る複合部品デバイスの構成を図１、図２および図３を参照して説明する。図１は、本開示の第１実施形態に係る複合部品デバイスの断面を模式的に示した図である。図２は、図１のＡ部拡大図である。図３は、図１のＩ－Ｉ断面図である。
【0019】
図１に示すように、複合部品デバイス１は、２つの第１複合部品層１００，２００を積層して備え、さらに１つの第２複合部品層９００を備える。図１中、複合部品デバイス１の厚みに平行な方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。図１に示す複合部品デバイス１の断面においてＺ方向に垂直な方向をＸ方向とする。図１に示す複合部品デバイス１の断面に垂直な方向をＹ方向とする。
【0020】
［第１複合部品層、反転層］
２つの隣接する第１複合部品層１００，２００は、２つ一組で第２主面１１２，２１２が互いに向き合うように配置される反転層１０を構成する。反転層１０において第１複合部品層１００と第１複合部品層２００とは、互いに向き合う関係にあるため、各第１複合部品層１００，２００内に内部応力が生じたとしても、それぞれの内部応力の向きが正反対になりやすく、反転層１０内の内部応力が相殺されやすい。その結果、複合部品デバイス１全体の反りの発生が抑制される。
２つの隣接する第１複合部品層１００，２００は、２つ一組で第２主面１１２，２１２が互いに向き合うように配置される反転層１０を構成する。反転層１０において第１複合部品層１００と第１複合部品層２００とは、互いに向き合う関係にあるため、各第１複合部品層１００，２００内に内部応力が生じたとしても、それぞれの内部応力の向きが正反対になりやすく、反転層１０内の内部応力が相殺されやすい。その結果、複合部品デバイス１全体の反りの発生が抑制される。
【0021】
複合部品デバイス１の反りの発生をより抑制する観点から、反転層１０において第１複合部品層１００と第１複合部品層２００とは、その界面に相当する接着層１３０に対して互いに対称（線対称）となることが好ましい。例えば、第１複合部品層１００，２００の構成（より具体的には、電子部品層１１０，２１０、再配線層１２０，２２０、第１電子部品１１３，２１３、側壁部１１５，２１５、第１樹脂封止部１１７，２１７、電子部品層貫通ビア１１９，２１９および接着層１３０の配置箇所、数、種類、寸法、および形状等）のうちの少なくとも１つが互いに線対称の関係にあると、各第１複合部品層１００，２００内に生じる内部応力の向きが正反対となりやすく、反りの発生がより抑制されるからである。
【0022】
複合部品デバイス１の反りの発生をさらに抑制する観点から、反転層１０において第１複合部品層１００と第１複合部品層２００とは、その界面に相当する接着層１３０に対して部材を構成する材質の少なくとも一部が互いに同じとなることが好ましい。例えば、第１複合部品層１００，２００の構成が互いに線対称の関係にあるのに加えて、部材を構成する材質（より具体的には、第１電子部品１１３，２１３、側壁部１１５，２１５、第１樹脂封止部１１７，２１７、電子部品層貫通ビア１１９，２１９および接着層１３０を構成する材質）少なくとも一部が互いに同じあると、各第１複合部品層１００，２００内に生じる内部応力の向きが正反対となりやすく、反りの発生がさらに抑制されるからである。
【0023】
複合部品デバイス１は、２つの第１複合部品層１００，２００を備えるが、３つ以上の第１複合部品層を備えてもよい。第１実施形態では、第１複合部品層２００の構成は、第１複合部品層１００とほぼ同じであるため、以下、第１複合部品層１００を例として挙げて説明する。ただし、相違する部分については、別途説明する。
【0024】
第１複合部品層１００は、電子部品層１１０と、電子部品層１１０の第１主面１１１に設けられた再配線層１２０とを備える。
【0025】
（電子部品層）
電子部品層１１０は、第１主面１１１と、第１主面１１１に対向する第２主面１１２とを有する。電子部品層１１０は、第１主面１１１で再配線層１２０と接着（接合）し、第２主面１１２で接着層１３０を介して第１複合部品層２００の第２主面２１２と接着している。電子部品層２１０は、第１主面２１１と、第１主面２１１に対向する第２主面２１２とを有する。電子部品層２１０は、第１主面２１１で再配線層２２０と接着し、第２主面２１２で接着層１３０を介して第１複合部品層１００の第２主面１１２と接着している。ここで、再配線層１２０，２２０は、後述するように、例えば、多層配線層のシート又は基板であり、例えば、配線（導電配線）と無機材料（無機絶縁材料）を含む誘電膜とを有する。
電子部品層１１０は、第１主面１１１と、第１主面１１１に対向する第２主面１１２とを有する。電子部品層１１０は、第１主面１１１で再配線層１２０と接着（接合）し、第２主面１１２で接着層１３０を介して第１複合部品層２００の第２主面２１２と接着している。電子部品層２１０は、第１主面２１１と、第１主面２１１に対向する第２主面２１２とを有する。電子部品層２１０は、第１主面２１１で再配線層２２０と接着し、第２主面２１２で接着層１３０を介して第１複合部品層１００の第２主面１１２と接着している。ここで、再配線層１２０，２２０は、後述するように、例えば、多層配線層のシート又は基板であり、例えば、配線（導電配線）と無機材料（無機絶縁材料）を含む誘電膜とを有する。
【0026】
電子部品層１１０は、第１電子部品１１３と、第１電子部品１１３を封止する第１樹脂封止部１１７と、第１電子部品１１３を取り込むように配置された側壁部１１５と、側壁部１１５を貫通し再配線層１２０と電気的に接続する電子部品層貫通ビア１１９とを有する。
【0027】
電子部品層１１０は、一層当たり複数の第１電子部品１１３を有することができる。電子部品層１１０が一層当たり複数の第１電子部品１１３を有すると、第１複合部品層１００は一層単独で、電子基板として機能することが可能となる。よって、第１実施形態に係る複合部品デバイス１は、低背化が可能となる。また、電子部品層１１０が一層当たり複数の第１電子部品１１３を有する場合、複数の第１電子部品１１３（の種類）は、異なってもよい。
【0028】
－第１電子部品－
第１電子部品１１３は、電子部品層１１０内に１以上配置され得る。第１電子部品１１３は、電子部品層１１０内に第１樹脂封止部１１７によって封止されている。電子部品層１１０内に第１電子部品１１３が複数存在する場合、それらの第１電子部品１１３は互いに同一であっても、異なってもよい。第１電子部品１１３の厚みは、例えば、８０～１２０μｍである。
第１電子部品１１３は、電子部品層１１０内に１以上配置され得る。第１電子部品１１３は、電子部品層１１０内に第１樹脂封止部１１７によって封止されている。電子部品層１１０内に第１電子部品１１３が複数存在する場合、それらの第１電子部品１１３は互いに同一であっても、異なってもよい。第１電子部品１１３の厚みは、例えば、８０～１２０μｍである。
【0029】
第１電子部品１１３は、再配線層１２０に直接接合している。換言すると、電子部品層１１０におけるすべての第１電子部品１１３は、いずれもその第１面１１３ａが第２面１１３ｂに対して再配線層１２０側に位置するように、電子部品層１１０内に配置されている。電子部品層２１０におけるすべての第１電子部品２１３も同様である。このように、複合部品デバイス１は、配線がシンプルであるため、複合部品層を２層だけでなく、３層以上積層することができる。つまり、本開示に係る複合部品デバイスは、第１複合部品層の多層化が容易となるため、用途に応じて層数を調整しやすく、設計の自由度が高い。
【0030】
第１電子部品１１３は、例えば、側壁部１１５を構成する物質と同様の物質中に１以上の素子が一体化された電子部品である。第１電子部品１１３は、後述する第２電子部品９１３と比較して、寸法が小さい電子部品（小型電子部品）である。第１電子部品１１３は、その構造上小型化および低背化が比較的容易であり、および／または一般に発熱量が比較的多い電子部品である。このような第１電子部品１１３としては、例えば、能動部品（より具体的には、ＣＰＵ、ＧＰＵ、およびＬＳＩ等）ならびに受動部品（より具体的には、コンデンサ（さらに具体的には、低容量コンデンサ等）、抵抗器、ＳＡＷおよびインダクタ等）である。
【0031】
第１電子部品１１３は、厚み方向に垂直な第１面１１３ａおよび第１面１１３ａに対向する第２面１１３ｂを有する電子部品本体部１１３ｃと、第１面１１３ａに配置され再配線層１２０と電気的に接続する複数の部品電極１１３ｄとを備える。第１電子部品１１３は、複数の部品電極１１３ｄ間に配置されている絶縁部１１３ｅをさらに有する。
【0032】
電子部品本体部１１３ｃは、例えば、セラミックまたは半導体材料（より具体的には、シリコン等）を含む。
【0033】
部品電極１１３ｄは、再配線層１２０と直接接合し、再配線層１２０と電気的に接続している。部品電極１１３ｄは、導電性材料として、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳｎおよびＡｌならびにこれらを含む合金である。部品電極１１３ｄの厚みは、例えば、１μｍ～３０μｍであり、好ましくは５μｍ以下である。部品電極１１３ｄを、１～５μｍの厚みに薄くすることができる。部品電極１１３ｄの厚みは、例えば、電子部品本体部１１３ｃの厚みの１／４～１／６倍にすることができる。
【0034】
絶縁部１１３ｅは、部品電極１１３ｄ間を電気的に絶縁する層として機能する。絶縁部１１３ｅの厚みは、例えば、１～３０μｍであり、好ましくは５μｍ以下である。絶縁部１１３ｅを、１～５μｍの厚みに薄くすることができる。絶縁部１１３ｅの厚みは、例えば、電子部品本体部１１３ｃの厚みの１／４～１／６倍にすることができる。絶縁部１１３ｅの厚みは、部品電極１１３ｄと同じであってもよく、かかる場合、絶縁部１１３ｅの面と部品電極１１３ｄの面とが面一となる。
【0035】
－樹脂封止部－
第１樹脂封止部１１７は、第１電子部品１１３を封止する。
第１樹脂封止部１１７は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含み、第１電子部品１１３を樹脂で一体化させることができる。第１電子部品１１３を樹脂と一体化させることができるため、２以上の第１電子部品１１３が互いに異なる寸法および形状を有する場合であっても、２以上の第１電子部品１１３を電子部品層１１０内に配置することができる。これにより、自由度が高い設計が可能となり、用途に応じて２以上の第１電子部品１１３を組み合わせることができる。例えば、複合部品デバイス１は、異なる種類の第１電子部品１１３を内蔵することができる。
第１樹脂封止部１１７は、第１電子部品１１３を封止する。
第１樹脂封止部１１７は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含み、第１電子部品１１３を樹脂で一体化させることができる。第１電子部品１１３を樹脂と一体化させることができるため、２以上の第１電子部品１１３が互いに異なる寸法および形状を有する場合であっても、２以上の第１電子部品１１３を電子部品層１１０内に配置することができる。これにより、自由度が高い設計が可能となり、用途に応じて２以上の第１電子部品１１３を組み合わせることができる。例えば、複合部品デバイス１は、異なる種類の第１電子部品１１３を内蔵することができる。
【0036】
第１樹脂封止部１１７を構成するエポキシ樹脂としては、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）（より具体的には、1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane-bis-benzocyclobutene(DVS-bis-BCB)等）に由来する繰り返し単位を含む熱硬化性樹脂が挙げられる。市販のエポキシ樹脂としては、例えば、ダウ・ケミカル製「ＣＹＣＬＯＴＥＮＥ」が挙げられる。
【0037】
電子部品層１１０，２１０において、各第１樹脂封止部１１７，２１７を構成する樹脂は互いに同一であっても異なってもよい。ここで、互いに異なるとは、一部が異なることを包含する。例えば、第２実施形態では３つの電子部品層１１０，２１０，３１０がある。上述の樹脂の種類が互いに異なるとは、第１樹脂封止部１１７，２１７を構成する樹脂と、第１樹脂封止部３１７を構成する樹脂とが異なる態様、ならびに、第１樹脂封止部１１７を構成する樹脂と、第１樹脂封止部２１７を構成する樹脂と、第１樹脂封止部３１７を構成する樹脂とが異なる態様を包含する。
【0038】
第１樹脂封止部１１７，２１７を構成する樹脂の種類が互いに異なる場合、例えば、複合部品層ごとに当該構成樹脂を異なるようにして、第１樹脂封止部１１７，２１７ごとに異なる機能（より具体的には、高熱伝導性（高放熱性）、熱膨張性および低吸湿性等）を付与することができる。例えば、第１樹脂封止部１１７に高熱伝導性を付与し、第１樹脂封止部２１７に低吸湿性を付与することができる。市販の高熱伝導性の樹脂としては、例えば、パナソニック株式会社製「ＣＶ８５１１」および住友ベークライト株式会社製「Ｇ７８０」が挙げられる。
【0039】
なお、上記「樹脂の熱膨張性」とは、本明細書において、樹脂に熱を付与した場合に、樹脂が体積膨張する性質をいう。熱膨張性を示す物性値としては、例えば、線膨張係数が挙げられる。
【0040】
第１樹脂封止部１１７は、第１樹脂封止部１１７の熱伝導性（放熱性）を向上させる観点から、フィラーをさらに含んでもよい。熱伝導性を向上させるフィラーの材質としては、例えば、無機材料が挙げられる。このような無機材料としては、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が挙げられ、これらのうち、第１複合部品層１００の熱伝導性をより向上させる観点から窒化アルミニウムが好ましい。市販の、無機フィラーを含む樹脂としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製「Ｒ４５０７」（無機フィラー：ＳｉＯ２）が挙げられる。
【0041】
－側壁部－
図１に加え図２に示すように、側壁部１１５は、第１電子部品１１３を取り囲むように配置されており、より具体的には、１以上の第１電子部品１１３の全体を取り囲むように電子部品層１１０の周囲に配置されている。側壁部１１５は、その内部を電子部品層貫通ビア１１９が貫通している。側壁部１１５は、断面（ＺＸ断面）視において、略矩形状を有し、その上面で接着層１３０を介して第１複合部品層２００と接続し、その下面で再配線層１２０と接着する。側壁部１１５の厚みは、例えば、５０～１５０μｍである。
図１に加え図２に示すように、側壁部１１５は、第１電子部品１１３を取り囲むように配置されており、より具体的には、１以上の第１電子部品１１３の全体を取り囲むように電子部品層１１０の周囲に配置されている。側壁部１１５は、その内部を電子部品層貫通ビア１１９が貫通している。側壁部１１５は、断面（ＺＸ断面）視において、略矩形状を有し、その上面で接着層１３０を介して第１複合部品層２００と接続し、その下面で再配線層１２０と接着する。側壁部１１５の厚みは、例えば、５０～１５０μｍである。
【0042】
側壁部１１５は、好ましくは、第１樹脂封止部１１７の材質（樹脂）よりも線膨張係数が小さい材質（例えば、無機材料）を含む。側壁部１１５が第１樹脂封止部１１７の材質よりも線膨張係数の小さい材質を含むと、側壁部１１５が存在する体積分、第１樹脂封止部１１７において収縮を行う樹脂の量を低減でき、これにより、複合部品デバイス１は反りの発生を抑制することができる。
【0043】
側壁部１１５は、より好ましくは、上記無機材料の中でもシリコン（Ｓｉ）から実質的に成る。本明細書において、「から実質的に成る」とは、対象（上記の場合では、側壁部１１５）が９５質量％以上、９７質量％以上、９９質量％以上、または１００質量％の割合で、特定の材質（上記の場合ではシリコン）によって構成されることをいう。側壁部１１５がシリコンから実質的に成ると、シリコンは加工性に優れ、設計を精度よく反映した加工面を形成できる。このため、側壁部１１５を貫通する電子部品層貫通ビア１１９について、配線幅の微細化、および配線の接続抵抗の低下が可能となる。よって、側壁部がシリコンから実質的に成ると、第１実施形態に係る複合部品デバイス１は高い信頼性を有する。
【0044】
－電子部品層貫通ビア－
電子部品層貫通ビアは、第１複合部品層１００，２００の積層方向（Ｚ方向）と略平行となるように設けられている。より具体的には、電子部品層貫通ビア１１９は電子部品層１１０をＺ方向に貫通し、さらに接着層１３０も貫通する。電子部品層貫通ビア１１９は、図２に示すように、接着層１３０を貫通する導電ビア１１９ａと、側壁部１１５を貫通する側壁部貫通ビア１１９ｂとを有する。導電ビア１１９ａは、電子部品層貫通ビア１１９と第１複合部品層２００の電子部品層貫通ビア２１９とを電気的に接続する。複合部品デバイス１の厚み方向に垂直な平面において、導電ビア１１９ａの断面積（ＸＹ平面における断面積）が側壁部貫通ビア１１９ｂの断面積よりも大きい。このため、電子部品層貫通ビア１１９は電子部品層貫通ビア２１９との電気的接続が良好となり、第１複合部品層１００，２００間の接続抵抗が低下する。よって、第１実施形態に係る複合部品デバイス１は、信頼性がさらに向上する。
電子部品層貫通ビアは、第１複合部品層１００，２００の積層方向（Ｚ方向）と略平行となるように設けられている。より具体的には、電子部品層貫通ビア１１９は電子部品層１１０をＺ方向に貫通し、さらに接着層１３０も貫通する。電子部品層貫通ビア１１９は、図２に示すように、接着層１３０を貫通する導電ビア１１９ａと、側壁部１１５を貫通する側壁部貫通ビア１１９ｂとを有する。導電ビア１１９ａは、電子部品層貫通ビア１１９と第１複合部品層２００の電子部品層貫通ビア２１９とを電気的に接続する。複合部品デバイス１の厚み方向に垂直な平面において、導電ビア１１９ａの断面積（ＸＹ平面における断面積）が側壁部貫通ビア１１９ｂの断面積よりも大きい。このため、電子部品層貫通ビア１１９は電子部品層貫通ビア２１９との電気的接続が良好となり、第１複合部品層１００，２００間の接続抵抗が低下する。よって、第１実施形態に係る複合部品デバイス１は、信頼性がさらに向上する。
【0045】
電子部品層貫通ビア１１９は、好ましくは銅から実質的に成る。電子部品層貫通ビア１１９が銅から実質的に成ると、銅は良好な導電材であるため、配線の電気抵抗が低下する。
【0046】
図１に加え図３を参照して、電子部品層貫通ビア１１９の配列を説明する。図３は、図１におけるＩ－Ｉ断面図である。電子部品層貫通ビア１１９は、図３のＸＹ断面（つまり、第１複合部品層１００，２００の積層方向に垂直な断面）において、複数存在し、第１電子部品１１３および第１樹脂封止部１１７を取り囲むようにして、整列配置されるように設けられている。
【0047】
「整列配置」とは、本明細書では、平面視において互いに直交する直線上に等間隔の距離（以下、「距離Ｌ１」とも称する）で配列された配置をいう。直交を構成する一方の直線が複数存在する場合、複数の平行な直線は、距離Ｌ１で離間して隣接する。
【0048】
図３を例に挙げて「整列配置」を詳細に説明する。図３に示すように、複数の電子部品層貫通ビア１１９が第１樹脂封止部１１７を取り囲むように整列配置されるように設けられている。図３の紙面上側において、複数の電子部品層貫通ビア１１９は、Ｘ方向に平行な２つの直線上に等間隔の距離Ｌ１で配列している。この２つの直線は、隣接する電子部品層貫通ビア１１９間の距離Ｌ１と同じ距離で離間して隣接している。図３の紙面下側の複数の電子部品層貫通ビア１１９も同様である。
一方、図３の紙面左側において、複数の電子部品層貫通ビア１１９は、（Ｘ方向に直交する）Ｙ方向に平行な２つの直線上に等間隔の距離Ｌ１で配列している。この２つの直線は、隣接する電子部品層貫通ビア１１９間の距離Ｌ１と同じ距離で離間して隣接している。図３の紙面右側の複数の電子部品層貫通ビア１１９も同様である。
一方、図３の紙面左側において、複数の電子部品層貫通ビア１１９は、（Ｘ方向に直交する）Ｙ方向に平行な２つの直線上に等間隔の距離Ｌ１で配列している。この２つの直線は、隣接する電子部品層貫通ビア１１９間の距離Ｌ１と同じ距離で離間して隣接している。図３の紙面右側の複数の電子部品層貫通ビア１１９も同様である。
【0049】
（再配線層）
再配線層１２０は、電子部品層１１０の第１主面１１１に形成されている。再配線層１２０は、第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄおよび電子部品層貫通ビア１１９と電気的に接続している。再配線層１２０は、第１電子部品１１３（の部品電極１１３ｄ）に直接接合しているため、再配線層１２０と部品電極１１３ｄとの間のビア配線の長さを減少させることができる。よって、第１実施形態に係る複合部品デバイス１を小型化および低背化でき、ビア配線の電気抵抗も低下できる。
再配線層１２０は、電子部品層１１０の第１主面１１１に形成されている。再配線層１２０は、第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄおよび電子部品層貫通ビア１１９と電気的に接続している。再配線層１２０は、第１電子部品１１３（の部品電極１１３ｄ）に直接接合しているため、再配線層１２０と部品電極１１３ｄとの間のビア配線の長さを減少させることができる。よって、第１実施形態に係る複合部品デバイス１を小型化および低背化でき、ビア配線の電気抵抗も低下できる。
【0050】
再配線層１２０は、多層配線層である。再配線層１２０は、配線（導電配線）と、絶縁材料から実質的に成る誘電膜と、再配線層１２０内の異なる層間の配線を電気的に接続する導通性ビアとを有する。
【0051】
配線および導通性ビアは導電性材料を含む。導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕ、ならびにそれらを含む合金であり、これらの中でもＣｕが好ましい。再配線層１２０は、複数の層を有することができ、例えば、２層以上の配線と、１層以上の誘電膜とを有する。再配線層１２０を構成する配線１層および誘電膜１層の厚みは、例えば、１．５μｍ～５．０μｍである。この場合、再配線層１２０の厚みは、これらの１層分の厚み（１．５μｍ～５．０μｍ）に再配線層１２０内の合計層数を乗じた値（単位：μｍ）となる。
【0052】
誘電膜は、例えば、絶縁材料としての無機絶縁材料または有機絶縁材料で構成され、好ましくは無機絶縁材料または有機絶縁材料から実質的に成る。無機絶縁材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）および窒化ケイ素（ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4）が挙げられる。有機絶縁材料としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリイミド、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン（ＡＢＳ）樹脂、アクリロニトリル―スチレン（ＡＳ）樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート、およびポリカーボネートが挙げられる。
【0053】
再配線層１２０が無機材料（例えば、無機絶縁材料）から実質的に成る誘電膜（以下、「無機誘電膜」とも称する）を有する場合、有機材料（例えば、有機絶縁材料）から実質的に成る誘電膜に比べ、再配線層１２０の配線の幅（配線幅）を微細化することができ、第１実施形態に係る複合部品デバイス１を小型化が可能となる。これは、無機誘電膜の膜表面粗度は、有機誘電膜の膜表面粗度に比べ非常に小さいため、配線形成のリソ工程において、無機誘電膜は有機誘電膜に比べ、焦点の位置精度が高くなるからである。より具体的には、無機誘電膜ではナノメートルオーダーで焦点合わせが可能である一方、有機誘電膜ではマイクロメートルオーダーで焦点合わせが可能である。無機誘電膜から実施的に成る再配線層１２０の配線は、有機絶縁材料から実質的に成る誘電膜を含む再配線層１２０の配線に比べ、配線幅を約１／１０とすることができる。これにより、複合部品デバイス１の小型化および低背化が可能となる。無機絶縁材料から実質的に構成される誘電膜を含む再配線層１２０のライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、１μｍ／１μｍである。
【0054】
無機誘電膜の厚みは、例えば、０．１～２μｍである。無機誘電膜は、２種以上の成分を含む多成分膜であってもよい。多成分膜は、複数の層が成分ごとに形成される多層膜であってもよい。多層膜の層構造は、例えば、電子部品層１１０側から順に、ＳｉＯ2（厚み０．２５μｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（厚み０．１μｍ）／ＳｉＯ2（厚み０．２５μｍ）／Ｓｉ3Ｎ4（厚み０．１μｍ）である。
【0055】
誘電膜が有機絶縁材料から実質的に成る場合、コストを低減させて誘電膜を形成され得る。これは、有機絶縁材料から実質的に成る誘電膜が、無機絶縁材料から実質的に成る誘電膜に比べ、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）装置のような大規模な設備を使用しないで作製され得るからである。
有機誘電膜から実質的に成る再配線層１２０のライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、１０μｍ／１０μｍである。誘電膜の厚みは、例えば、１～２０μｍである。
有機誘電膜から実質的に成る再配線層１２０のライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、１０μｍ／１０μｍである。誘電膜の厚みは、例えば、１～２０μｍである。
【0056】
（接着層）
接着層１３０は、第１複合部品層１００，２００間を接着させる。接着層の材質は、例えば、熱硬化性樹脂である。
接着層１３０は、第１複合部品層１００，２００間を接着させる。接着層の材質は、例えば、熱硬化性樹脂である。
【0057】
［第２複合部品層］
複合部品デバイス１は、最外層として第２複合部品層９００をさらに備え得る。第２複合部品層９００は、積層した第１複合部品層１００，２００の最上層である第１複合部品層２００に配置される。第２複合部品層９００は、第２電子部品９１３と、第２電子部品９１３を封止する第２樹脂封止部９１７とを有し、側壁部を有しない。
複合部品デバイス１は、最外層として第２複合部品層９００をさらに備え得る。第２複合部品層９００は、積層した第１複合部品層１００，２００の最上層である第１複合部品層２００に配置される。第２複合部品層９００は、第２電子部品９１３と、第２電子部品９１３を封止する第２樹脂封止部９１７とを有し、側壁部を有しない。
【0058】
本明細書において、「最外層」とは、対象において露出する主面を有する層をいう。図１では、複合部品デバイス１において第２複合部品層９００が露出する主面を有する。このため、第２複合部品層９００は最外層である。なお、第２複合部品層９００は、第１複合部品層２００に接着しているが、これに代えて第１複合部品層１００に接着してもよい。
【0059】
複合部品デバイス１は、最外層として第２複合部品層９００をさらに備えると、後述する複合部品デバイス１の製造方法のダイシング工程において、バリ（より具体的には、割れ、欠け、およびチッピング等）の発生が抑制される。よって、第１実施形態に係る複合部品デバイス１は、かかる場合、設計を精度よく反映されており、高い信頼性を有する。
【0060】
バリ発生の抑制は以下の理由による。第２複合部品層９００を備えない場合、複合部品デバイス１のマザー集積体は最外層に配置される第１複合部品層２００の側壁部２１５で切断される。側壁部２１５は通常無機物（例えば、Ｓｉ）から実質的に成るため、側壁部２１５の切断においては、ダイシング工程の切断条件を調整してもバリの発生の低減には限界がある。これに対して、第２複合部品層９００を備える場合、複合部品デバイス１のマザー集積体は最外層に配置される第２複合部品層９００の第２樹脂封止部９１７で切断される。第２樹脂封止部９１７は通常樹脂から実質的に成るため、第２樹脂封止部９１７の切断においては、ダイシング工程の切断条件を調整によりバリの発生を低減できる。
【0061】
第２電子部品９１３は、はんだ９４０を介して、第１複合部品層２００の再配線層２２０に電気的に接続している。第２電子部品９１３は、第１電子部品１１３，２１３と比較して、寸法が大きい電子部品（大型電子部品）である。第２電子部品９１３は、その構造上小型化および低背化が比較的困難であり、および／または一般に発熱量が比較的多い電子部品である。構造上小型化および低背化が困難である電子部品としては、例えば、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）等である。一般に発熱量が多い電子部品としては、例えば、インダクタ（より具体的には、パワーインダクタ等）およびパワーＩＣ等）である。
【0062】
［複合部品デバイスの製造方法］
第１実施形態に係る複合部品デバイス１の製造方法は、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層（Ｓｉベース層）の底面部に第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、シリコンベース層に第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
部品電極の表面全体を露出させるようにシリコンベース層および電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体接着工程と、
一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および一対の電子部品層前駆体の部品電極が露出する主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
一方の主面の反対側に位置する反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
反転層前駆体の再配線層に、別途作製した一対の電子部品層前駆体および別途作製した電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
積層した一対の電子部品層前駆体および積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される。
第１実施形態に係る複合部品デバイス１の製造方法は、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層（Ｓｉベース層）の底面部に第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、シリコンベース層に第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
部品電極の表面全体を露出させるようにシリコンベース層および電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体接着工程と、
一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および一対の電子部品層前駆体の部品電極が露出する主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
一方の主面の反対側に位置する反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
反転層前駆体の再配線層に、別途作製した一対の電子部品層前駆体および別途作製した電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
積層した一対の電子部品層前駆体および積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される。
【0063】
第１実施形態に係る複合部品デバイス１の製造方法は、さらに、
電子部品の部品電極間に絶縁部を形成する絶縁部形成工程と、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層を準備するシリコンベース層準備工程と、
第１樹脂封止部１１７を薄くする樹脂封止部薄化工程と、
第２複合部品層を形成する第２複合部品層形成工程と、
ダイシングにより個片化するダイシング工程と
を含んで成ってもよい。
電子部品の部品電極間に絶縁部を形成する絶縁部形成工程と、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層を準備するシリコンベース層準備工程と、
第１樹脂封止部１１７を薄くする樹脂封止部薄化工程と、
第２複合部品層を形成する第２複合部品層形成工程と、
ダイシングにより個片化するダイシング工程と
を含んで成ってもよい。
【0064】
具体的に、図９Ａ～図９Ｂおよび図４Ａ～図４Ｐを参照して、複合部品デバイス１の製造方法の一例について説明する。図９Ａ～図９Ｂおよび図４Ａ～図４Ｐは、複合部品デバイス１の製造方法を説明するための図である。第１実施形態に係る複合部品デバイス１の製造方法は、絶縁部形成工程と、シリコンベース層準備工程と、電子部品接着工程と、電子部品封止工程と、樹脂封止部薄化工程と、電子部品層前駆体作製工程と、電子部品層前駆体接着工程と、反転層前駆体作製工程と、第２複合部品層形成工程と、反転層作製工程と、ダイシング工程とを含んで成る。なお、この例では、積層工程と配線形成工程との組み合わせは０回実行される。
【0065】
この製造方法ではシリコンベース層準備工程から反転層作製工程までに複合部品デバイス１が集積したマザー集積体を作製する。図４Ａ～図４Ｈおよび図４Ｎ～図４Ｐは、作製するマザー集積体において複合部品デバイス１つ分に相当する箇所を示している。
【0066】
（絶縁部形成工程）
絶縁部形成工程では、図９Ａ～図９Ｂに示すように、第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄ間に絶縁部１１３ｅを形成する。具体的には、第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄを被覆するように塗布膜を形成し、平坦化処理を施して第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄ間に絶縁部１１３ｅを形成する。図９Ａに示すように、樹脂と溶媒とを含む溶液を、スピンコート法を用いて塗布して塗布膜を形成する。ここで、塗布膜の最も低い部分が、部品電極１１３ｄの最も高い部分よりも高くなるようにする。つまり、複数の部品電極１１３ｄのすべてが塗布膜に完全に埋没するように塗布膜を形成する。塗布層を乾燥して絶縁部１１３ｅを形成する。後続の平坦化処理前の絶縁部１１３ｅは、好ましくは完全に部品電極１１３ｄを被覆する。
絶縁部形成工程では、図９Ａ～図９Ｂに示すように、第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄ間に絶縁部１１３ｅを形成する。具体的には、第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄを被覆するように塗布膜を形成し、平坦化処理を施して第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄ間に絶縁部１１３ｅを形成する。図９Ａに示すように、樹脂と溶媒とを含む溶液を、スピンコート法を用いて塗布して塗布膜を形成する。ここで、塗布膜の最も低い部分が、部品電極１１３ｄの最も高い部分よりも高くなるようにする。つまり、複数の部品電極１１３ｄのすべてが塗布膜に完全に埋没するように塗布膜を形成する。塗布層を乾燥して絶縁部１１３ｅを形成する。後続の平坦化処理前の絶縁部１１３ｅは、好ましくは完全に部品電極１１３ｄを被覆する。
【0067】
平坦化処理では、図９Ｂに示すように、例えば、サーフェスプレーナおよびグラインダを用いて、部品電極１１３ｄおよび絶縁部１１３ｅの表面を研削して平坦化し、部品電極１１３ｄ間に絶縁部１１３ｅを形成する。これにより、部品電極１１３ｄの頂面が露出し、部品電極１１３ｄおよび絶縁部１１３ｅの頂面が面一となる。
【0068】
（シリコンベース層準備工程）
シリコンベース層準備工程では、図４Ａに示すように、格子状の側壁部１１５および底面部を有するシリコンベース層１８２を準備する。格子状の側壁部１１５および底面部を有するシリコンベース層１８２は、具体的には、平面視で矩形状の底面部と、矩形状の底面部を取り囲むように格子状に配置された側壁部１１５とを有する。これらの底面部および側壁部１１５で取り囲まれた凹部（またはくぼみ、またはキャビティ）に後述する電子部品接着工程において１以上の第１電子部品１１３を接着させる。
シリコンベース層準備工程では、図４Ａに示すように、格子状の側壁部１１５および底面部を有するシリコンベース層１８２を準備する。格子状の側壁部１１５および底面部を有するシリコンベース層１８２は、具体的には、平面視で矩形状の底面部と、矩形状の底面部を取り囲むように格子状に配置された側壁部１１５とを有する。これらの底面部および側壁部１１５で取り囲まれた凹部（またはくぼみ、またはキャビティ）に後述する電子部品接着工程において１以上の第１電子部品１１３を接着させる。
【0069】
シリコンベース層１８２の形状は、平面視で俯瞰すると円柱形状であり得るが、これに限定されない。シリコンベース層１８２の形状が円柱形状である場合、シリコンベース層１８２の厚みは、例えば、７７５μｍ（Ｓｉウェハの直径φ３００ｍｍ）、７２５μｍ（φ２００ｍｍ）、６７５μｍ（φ１５０ｍｍ）、および５２５μｍ（φ１００ｍｍ）である。なお、シリコンベース層準備工程は、絶縁部形成工程の前に実施されてもよい。シリコンベース層１８２および側壁部１１５は、ともにＳｉから実質的に成る。
【0070】
（電子部品接着工程）
電子部品接着工程は、格子状の側壁部１１５および底面部を有するシリコンベース層１８２の底面部に第１電子部品１１３の複数の部品電極１１３ｄが電子部品接着層１７２を介して接触するように、シリコンベース層１８２に第１電子部品１１３を接着させる。具体的には、電子部品接着工程では、図４Ｂに示すように、部品電極１１３ｄおよび絶縁部１１３ｅが電子部品接着層１７２（厳密には、接着剤の塗布膜）を介して、シリコンベース層１８２（の底面部）と接触するように、シリコンベース層１８２（の底面部）に１以上の第１電子部品１１３を配置（搭載）する。次いで、接着剤の塗布膜を硬化させて、電子部品接着層１７２を形成する。このようにして第１電子部品１１３をシリコンベース層１８２上に接着させる。
電子部品接着工程は、格子状の側壁部１１５および底面部を有するシリコンベース層１８２の底面部に第１電子部品１１３の複数の部品電極１１３ｄが電子部品接着層１７２を介して接触するように、シリコンベース層１８２に第１電子部品１１３を接着させる。具体的には、電子部品接着工程では、図４Ｂに示すように、部品電極１１３ｄおよび絶縁部１１３ｅが電子部品接着層１７２（厳密には、接着剤の塗布膜）を介して、シリコンベース層１８２（の底面部）と接触するように、シリコンベース層１８２（の底面部）に１以上の第１電子部品１１３を配置（搭載）する。次いで、接着剤の塗布膜を硬化させて、電子部品接着層１７２を形成する。このようにして第１電子部品１１３をシリコンベース層１８２上に接着させる。
【0071】
塗布膜を塗布する方法は、例えば、スピンコートである。塗布膜の厚みが第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄの厚み～１０μｍの範囲となるように制御して、塗布することが好ましい。接着剤は、例えば、熱硬化性樹脂である。このような熱硬化性樹脂は、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）に由来する繰り返し単位を含む熱硬化性樹脂であり、例えば、1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane-bis-benzocyclobutene（DVS-bis-BCB）を重合して得ることができる。市販品としては、例えば、ダウ・ケミカル製「CYCLOTENE」がある。
【0072】
第１電子部品１１３は、真空チャンバーを備えた装置を用いて塗布膜へ配置される。詳しくは、電子部品集積ウェハ（第１電子部品１１３を複数集積したウェハ）をシリコンベース層１８２（側壁部１１５を有するシリコンベース層１８２）に貼合させる。第１電子部品１１３の積層方向に沿って双方向に圧力を印加し、加熱する。具体的には、装置における真空チャンバー内の下ステージに、当該シリコンベース層１８２をセットする。第１電子部品１１３の部品電極１１３ｄが塗布膜と対向する方向となるように、真空チャンバー内の上ステージに第１電子部品１１３を真空吸引（または減圧吸引）させる。当該シリコンベース層１８２と、電子部品集積ウェハとの位置合わせでは、例えば、シリコンベース層１８２の認識マークを用いる。当該シリコンベース層１８２の塗布膜側に、１以上の第１電子部品１１３を配置する。上下ステージが互いに対向する方向に沿って、双方向に圧力を印加し、加熱する。
【0073】
部品電極１１３ｄおよび絶縁部１１３ｅが電子部品接着層１７２を介してシリコンベース層１８２と対向するようにして、電子部品集積ウェハは当該シリコンベース層１８２上に接着される。
【0074】
（電子部品封止工程）
電子部品封止工程は、第１電子部品１１３を樹脂で封止して第１樹脂封止部１１７を形成する。電子部品封止工程では、具体的には、図４Ｃに示すように、ディスペンサを用いて、第１電子部品１１３を搭載したシリコンベース層１８２上に、液状樹脂を塗布する。その後、コンプレッションモールド装置を用いて、塗布した液状樹脂を成形する。その後、例えば、熱風循環オーブンを用いて、液状樹脂を硬化させる。硬化における熱処理条件は、例えば、加熱温度１５０℃および加熱時間１時間である。これにより第１樹脂封止部１１７を形成する。
電子部品封止工程は、第１電子部品１１３を樹脂で封止して第１樹脂封止部１１７を形成する。電子部品封止工程では、具体的には、図４Ｃに示すように、ディスペンサを用いて、第１電子部品１１３を搭載したシリコンベース層１８２上に、液状樹脂を塗布する。その後、コンプレッションモールド装置を用いて、塗布した液状樹脂を成形する。その後、例えば、熱風循環オーブンを用いて、液状樹脂を硬化させる。硬化における熱処理条件は、例えば、加熱温度１５０℃および加熱時間１時間である。これにより第１樹脂封止部１１７を形成する。
【0075】
（樹脂封止部薄化工程）
樹脂封止部薄化工程は、第１樹脂封止部１１７を薄くする。樹脂封止部薄化工程では、具体的には、図４Ｄに示すように、Ｓｉウェハのバックグラインダを用いて、側壁部１１５の頂面が露出するように第１樹脂封止部１１７を研削して薄化する。樹脂封止部薄化工程では、第１電子部品１１３の第２面１１３ｂ側の第１樹脂封止部１１７を研削する。第１樹脂封止部１１７を構成する樹脂は、第１複合部品層１００、ひいては複合部品デバイス１の反りの原因となり得るため、第１樹脂封止部１１７の研削量は、例えば、一定の強度が維持できる範囲で可能な限り多いことが好ましい。ただし、本工程では、第１電子部品１１３が露出するまで第１樹脂封止部１１７を研削しない（例えば、第１電子部品１１３は研削しない）。薄化後の第１樹脂封止部１１７の厚みは、例えば、５０～１５０μｍである。
樹脂封止部薄化工程は、第１樹脂封止部１１７を薄くする。樹脂封止部薄化工程では、具体的には、図４Ｄに示すように、Ｓｉウェハのバックグラインダを用いて、側壁部１１５の頂面が露出するように第１樹脂封止部１１７を研削して薄化する。樹脂封止部薄化工程では、第１電子部品１１３の第２面１１３ｂ側の第１樹脂封止部１１７を研削する。第１樹脂封止部１１７を構成する樹脂は、第１複合部品層１００、ひいては複合部品デバイス１の反りの原因となり得るため、第１樹脂封止部１１７の研削量は、例えば、一定の強度が維持できる範囲で可能な限り多いことが好ましい。ただし、本工程では、第１電子部品１１３が露出するまで第１樹脂封止部１１７を研削しない（例えば、第１電子部品１１３は研削しない）。薄化後の第１樹脂封止部１１７の厚みは、例えば、５０～１５０μｍである。
【0076】
（電子部品層前駆体作製工程）
電子部品層前駆体作製工程は、部品電極１１３ｄの表面全体を露出させるようにシリコンベース層１８２および電子部品接着層１７２を除去して電子部品層前駆体を作製する。電子部品層前駆体作製工程では、具体的には、図４Ｅに示すように、第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５に第１Ｓｉサポート（第１シリコンサポート）１８４を貼合する。具体的には、シリコンベース層準備工程で説明したシリコンベース層１８２を第１Ｓｉサポート１８４として別途準備する。次いで、電子部品接着工程で説明した方法により、シリコンベース層１８２上に接着層１７４（厳密には、接着剤の塗布膜）を形成する。その後、第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５の研削面が塗布膜と接触するようにして、第１Ｓｉサポート１８４上に第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５を貼合し、圧力を印加して加熱する。これにより、接着剤の塗布膜を硬化させ接着層１７４を形成し、第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５の研削面上に接着層１７４を介して第１Ｓｉサポート１８４を配置する。
電子部品層前駆体作製工程は、部品電極１１３ｄの表面全体を露出させるようにシリコンベース層１８２および電子部品接着層１７２を除去して電子部品層前駆体を作製する。電子部品層前駆体作製工程では、具体的には、図４Ｅに示すように、第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５に第１Ｓｉサポート（第１シリコンサポート）１８４を貼合する。具体的には、シリコンベース層準備工程で説明したシリコンベース層１８２を第１Ｓｉサポート１８４として別途準備する。次いで、電子部品接着工程で説明した方法により、シリコンベース層１８２上に接着層１７４（厳密には、接着剤の塗布膜）を形成する。その後、第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５の研削面が塗布膜と接触するようにして、第１Ｓｉサポート１８４上に第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５を貼合し、圧力を印加して加熱する。これにより、接着剤の塗布膜を硬化させ接着層１７４を形成し、第１樹脂封止部１１７および側壁部１１５の研削面上に接着層１７４を介して第１Ｓｉサポート１８４を配置する。
【0077】
第１Ｓｉサポート１８４を設ける目的は、後続のシリコンベース層１８２および電子部品接着層１７２の除去において、製造過程の層が従来に比べ薄いことによる弊害の発生（より具体的には、強度の低下等）を防止するためである。図４Ｆに示すように、Ｓｉウェハのバックグラインダを用いて、シリコンベース層１８２および電子部品接着層１７２を研削して除去する。このようにして電子部品層前駆体１１０’を作製する。なお、電子部品層前駆体１１０’は、電子部品層１１０から電子部品層貫通ビア１１９を除去したものである。
【0078】
（電子部品層前駆体接着工程）
電子部品層前駆体接着工程は、図４Ｈに示すように、２つの電子部品層前駆体１１０’、２１０’の部品電極１１３ｄ，２１３ｄが露出しない主面１１２’，２１２’を互いに向かい合うようにして電子部品層前駆体１１０’、２１０’を接着させて、一対の電子部品層前駆体１０’’を作製する。なお、一対の電子部品層前駆体１０’’は、反転層１０から再配線層１１９，２１９および電子部品層貫通ビア１１９，２１９を除去したものである。
電子部品層前駆体接着工程は、図４Ｈに示すように、２つの電子部品層前駆体１１０’、２１０’の部品電極１１３ｄ，２１３ｄが露出しない主面１１２’，２１２’を互いに向かい合うようにして電子部品層前駆体１１０’、２１０’を接着させて、一対の電子部品層前駆体１０’’を作製する。なお、一対の電子部品層前駆体１０’’は、反転層１０から再配線層１１９，２１９および電子部品層貫通ビア１１９，２１９を除去したものである。
【0079】
具体的には、まず、図４Ｇに示すように、主面１１２’が露出するように電子部品層前駆体１１０’を配置する。具体的には、部品電極１１３ｄおよび絶縁部１１３ｅに接着層１７４を介して第２Ｓｉサポート（第２シリコンサポート）１８６を貼合する。その後、第１Ｓｉサポート１８４および接着層１７４を研削して除去する。
【0080】
次いで、電子部品層前駆体１１０’と同様にして、電子部品層前駆体２１０’を作製する。２つの電子部品層前駆体１１０’，２１０’の部品電極１１３ｄ，２１３ｄが露出しない主面１１２’，２１２’が互いに向かい合うようにして接着層１３０により接着させる。その後、電子部品層前駆体２１０’を支持していた第２Ｓｉサポートおよび接着層を研削して削除する。これにより、一対の電子部品層前駆体１０’’を作製する。
【0081】
（反転層前駆体作製工程）
反転層前駆体作製工程は、図４Ｎに示すように、一対の電子部品層前駆体１０’’の側壁部１１５，２１５を貫通する電子部品層貫通ビア１１９，２１９、および一対の電子部品層前駆体１０’’の部品電極２１３ｄが露出する主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）に再配線層２２０を形成して反転層前駆体１０’を作製する。なお、反転層前駆体１０’は、反転層１０から再配線層１２０を除去したものである。
反転層前駆体作製工程は、図４Ｎに示すように、一対の電子部品層前駆体１０’’の側壁部１１５，２１５を貫通する電子部品層貫通ビア１１９，２１９、および一対の電子部品層前駆体１０’’の部品電極２１３ｄが露出する主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）に再配線層２２０を形成して反転層前駆体１０’を作製する。なお、反転層前駆体１０’は、反転層１０から再配線層１２０を除去したものである。
【0082】
反転層前駆体作製工程は、フォトリソグラフィー法を用いて電子部品層貫通ビア１１９，２１９および再配線層２２０を作製することができる。図４ＨのＢ部を拡大した断面図を参照して、電子部品層貫通ビア１１９，２１９および再配線層２２０の作製を説明する。
【0083】
図４Ｉは、図４ＨのＢ部に対応する部分の拡大図である。図４Ｊ～図４Ｍも同様である。図４Ｊに示すように、平面視での電子部品層貫通ビア１１９，２１９のパターンに相当するパターンを有するフォトレジスト膜２９０を形成する。この状態で露光および現像して、図４Ｋに示すように、フォトレジスト膜２９０の開口部２９０ｆからＺ方向に存在する側壁部１１５，２１５および接着層１３０を選択的に除去（エッチング）する。エッチングは、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）およびレーザー照射を用いて実施する。これにより貫通孔１１５ｆ，２１５ｆ，１３０ｆが形成され、接着層１７４（の上面の一部）が露出する。ここで、ＺＸ断面における接着層１３０の貫通孔１３０ｆは略楕円形状を有する。これは、接着層１３０を構成する材料が、側壁部１１５，２１５を構成する材料に比べ、エッチングされやすいためである。これにより、後続の電子部品層貫通ビア形成において略楕円形状の導電ビア１１９ａが形成される。貫通孔１１５ｆ，２１５ｆ，１３０ｆの形成後、フォトレジスト膜２９０を除去する。
【0084】
次いで、貫通孔１１５ｆ，２１５ｆ，１３０ｆに電子部品層貫通ビア１１９，２１９を形成する。具体的には、図４Ｌに示すように、電気めっきにより貫通孔１１５ｆ，２１５ｆ，１３０ｆに電子部品層貫通ビア１１９，２１９を形成する。デュアル・ダマシン法（より具体的には、Ｃｕデュアル・ダマシン法）を用いて、電解めっき（より具体的には、電解Ｃｕめっき）により貫通孔１１５ｆ，２１５ｆ，１３０ｆに電子部品層貫通ビア１１９，２１９を形成する。これにより、電子部品層１１０，２１０が形成される。
【0085】
次いで、再配線層２２０を形成する。再配線層２２０の形成では、具体的には、図４Ｍに示すように、上述のフォトリソグラフィー法およびエッチングにより、所定のパターンを有する誘電膜および配線を形成して、再配線層２２０を形成する。図４Ｍは、図４ＮのＣ部拡大図である。
【0086】
再配線層２２０の形成では、例えば、ＰＥＣＶＤのような気相成長（ＣＶＤ）法を使用して、無機誘電膜（厚み０．１～０．２μｍ）を形成できる。無機誘電膜は、１層以上を形成してもよい。例えば、４層の無機誘電膜を形成する場合、電子部品層前駆体２１０’の部品電極２１３ｄが露出する主面２１１’側から順に、例えば、ＳｉＯ2：０．２５μｍ／Ｓｉ3Ｎ4：０．１μｍ／ＳｉＯ2：０．２５μｍ／Ｓｉ3Ｎ4０．１μｍとすることができる。
【0087】
（第２複合部品層形成工程）
第２複合部品層形成工程は、第２複合部品層を形成する。第２複合部品層形成工程は、具体的には、図４Ｏに示すように、第２電子部品９１３をはんだ９４０により再配線層２２０に電気的に接続させる。次いで、第２電子部品９１３を封止して第２樹脂封止部９１７を形成する。これにより、第２複合部品層９００を形成する。
第２複合部品層形成工程は、第２複合部品層を形成する。第２複合部品層形成工程は、具体的には、図４Ｏに示すように、第２電子部品９１３をはんだ９４０により再配線層２２０に電気的に接続させる。次いで、第２電子部品９１３を封止して第２樹脂封止部９１７を形成する。これにより、第２複合部品層９００を形成する。
【0088】
（反転層作製工程）
反転層作製工程では、図４Ｐに示すように、（一対の電子部品層前駆体１０’’）の一方の主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）の反対側に位置する反転層前駆体１０’の他方の主面（電子部品層１１０の第１主面１１１）に再配線層１２０を形成して、反転層１０を作製する。再配線層１２０の形成は、反転層前駆体作製工程で述べた再配線層２２０と同様に形成できる。
反転層作製工程では、図４Ｐに示すように、（一対の電子部品層前駆体１０’’）の一方の主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）の反対側に位置する反転層前駆体１０’の他方の主面（電子部品層１１０の第１主面１１１）に再配線層１２０を形成して、反転層１０を作製する。再配線層１２０の形成は、反転層前駆体作製工程で述べた再配線層２２０と同様に形成できる。
【0089】
（ダイシング工程）
ダイシング工程は、図４Ｐに示すように第２Ｓｉサポート１８６および接着層１７４を除去して、破線に沿ってダイシングしてマザー集積体を個片化する。これにより、第１実施形態に係る複合部品デバイス１が製造される。
ダイシング工程は、図４Ｐに示すように第２Ｓｉサポート１８６および接着層１７４を除去して、破線に沿ってダイシングしてマザー集積体を個片化する。これにより、第１実施形態に係る複合部品デバイス１が製造される。
【0090】
＜第２実施形態＞
［複合部品デバイスの構成］
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａは、図５に示すように、第１実施形態に係る複合部品デバイス１に比べ、反転層１０を構成しない第１複合部品層１００をさらに備える点、ならびに電子部品層貫通ビア１１９Ａ，２１９Ａ，３１９Ａが有する回路パターンの点で相違する。この相違する構成を以下で主として説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態を同じ構成であるため、原則としてその説明を省略する。
［複合部品デバイスの構成］
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａは、図５に示すように、第１実施形態に係る複合部品デバイス１に比べ、反転層１０を構成しない第１複合部品層１００をさらに備える点、ならびに電子部品層貫通ビア１１９Ａ，２１９Ａ，３１９Ａが有する回路パターンの点で相違する。この相違する構成を以下で主として説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態を同じ構成であるため、原則としてその説明を省略する。
【0091】
【0092】
反転層１０Ａは、複数の第１複合部品層１００，２００，３００の積層方向の中央側に少なくとも配置される。ここで、「中央側の配置」とは、複合部品デバイス１Ａを構成する層（第１複合部品層１００，２００，３００および第２複合部品層９００）の総数の中間に配置されること、または中間層を含んで配置されることをいう。反転層１０Ａは、総層数４の中間層である複合部品デバイス１Ａの下から２～３番目の第１複合部品層２００，３００で構成される。このため、反転層１０Ａは、複合部品デバイス１Ａの中央側に配置される。
この場合、内部応力が相殺されやすい反転層１０Ａが複合部品デバイス１Ａの中央側に配置されるため、複合部品デバイス１Ａが全体として反りの発生がより抑制される。
この場合、内部応力が相殺されやすい反転層１０Ａが複合部品デバイス１Ａの中央側に配置されるため、複合部品デバイス１Ａが全体として反りの発生がより抑制される。
【0093】
第２実施形態では総層数が偶数であるが、ここで、総層数が奇数である（後述の）第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂを例に挙げて「中央側の配置」をさらに説明する。複合部品デバイス１Ｂは、総層数５の層（４個の第１複合部品層１００～４００および１個の第２複合部品層９００）で構成される。このため、反転層１０Ｂは、中間層である第１複合部品層３００を含む下から３～４番目の第１複合部品層３００，４００で構成される。よって、反転層１０Ｂは、複合部品デバイス１Ｂにおいて中央側に配置される。
【0094】
（第１複合部品層）
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａは、第１複合部品層２００，３００とで構成される反転層１０Ａに加えて、第１複合部品層１００をさらに備える。第１複合部品層１００は、第２主面１１２側で第１複合部品層２００の再配線層２２０に接着層１３０を介して接合する。複合部品デバイス１Ａでは、最外層として、反転層１０Ａを構成しない第１複合部品層が配置される。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａは、第１複合部品層２００，３００とで構成される反転層１０Ａに加えて、第１複合部品層１００をさらに備える。第１複合部品層１００は、第２主面１１２側で第１複合部品層２００の再配線層２２０に接着層１３０を介して接合する。複合部品デバイス１Ａでは、最外層として、反転層１０Ａを構成しない第１複合部品層が配置される。
【0095】
（電子部品層貫通ビア）
電子部品層貫通ビア１１９Ａは、側壁部１１５を貫通する側壁部貫通ビアと、接着層１３０を貫通する導電ビア（不図示）とを有する。電子部品層貫通ビア１１９Ａは、導電ビアによって、再配線層２２０と電気的に接続する。第１実施形態の図２で示したのと同様に、複合部品デバイス１Ａの厚み方向に垂直な平面において、導電ビアの断面積（ＸＹ平面における断面積）は側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい。このため、電子部品層貫通ビア１１９Ａは再配線層２２０との電気的接続が良好となり、第１複合部品層１００，２００間の接続抵抗が低下する。よって、第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａは、信頼性がさらに向上する。
電子部品層貫通ビア１１９Ａは、側壁部１１５を貫通する側壁部貫通ビアと、接着層１３０を貫通する導電ビア（不図示）とを有する。電子部品層貫通ビア１１９Ａは、導電ビアによって、再配線層２２０と電気的に接続する。第１実施形態の図２で示したのと同様に、複合部品デバイス１Ａの厚み方向に垂直な平面において、導電ビアの断面積（ＸＹ平面における断面積）は側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい。このため、電子部品層貫通ビア１１９Ａは再配線層２２０との電気的接続が良好となり、第１複合部品層１００，２００間の接続抵抗が低下する。よって、第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａは、信頼性がさらに向上する。
【0096】
電子部品層貫通ビア１１９Ａ，２１９Ａ，３１９Ａは、複数の第１複合部品層１００，２００，３００のうちの少なくとも一対の隣接する第１複合部品層において、１の直線上に配列するように配置されている。詳しくは、図５に示す断面（ＺＸ断面）視において、電子部品層貫通ビア２１９Ａ，３１９Ａの２つは、隣接する第１複合部品層２００，３００において、１の直線上に配列するように配置されている。また、電子部品層貫通ビア１１９Ａ，２１９Ａ，３１９Ａの３つは、隣接する第１複合部品層１００，２００，３００において、１の直線上に配列するように配置されている。
よって、本開示に係る複合部品デバイスは、その用途に応じて電子部品層貫通ビアの配列を選択することができるため、設計の自由度が高い。
よって、本開示に係る複合部品デバイスは、その用途に応じて電子部品層貫通ビアの配列を選択することができるため、設計の自由度が高い。
【0097】
［複合部品デバイスの製造方法］
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法の一例を説明する。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法は、例えば、第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法にさらに、
反転層前駆体に、別途作製した電子部品層前駆体を積層する積層工程と、
積層した電子部品層前駆体に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成る。
すなわち、第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法は、積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程が１回実行される。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法の一例を説明する。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法は、例えば、第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法にさらに、
反転層前駆体に、別途作製した電子部品層前駆体を積層する積層工程と、
積層した電子部品層前駆体に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成る。
すなわち、第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法は、積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程が１回実行される。
【0098】
具体的に、図６Ａ～図６Ｄを参照して、複合部品デバイス１Ａの製造方法の一例について説明する。図６Ａ～図６Ｄは、複合部品デバイス１Ａの製造方法を説明するための図である。第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ａの製造方法は、絶縁部形成工程と、シリコンベース層準備工程と、電子部品接着工程と、電子部品封止工程と、樹脂封止部薄化工程と、電子部品層前駆体作製工程と、電子部品層前駆体接着工程と、反転層前駆体作製工程と、積層工程と、反転層作製工程と、第２複合部品層形成工程と、配線形成工程と、ダイシング工程とを含んで成る。
【0099】
（積層工程）
積層工程は、反転層前駆体１０Ａ’の再配線層２２０に、別途作製した電子部品層前駆体１１０’を積層する。積層工程は、具体的には、第１実施形態と同様にして反転層前駆体１０Ａ’を作製する（参照：図４Ａ～図４Ｎ；ただし、第１実施形態に比べ、電子部品層貫通ビア２１９Ａ，３１９Ａの回路パターンが異なる）。得られた反転層前駆体１０Ａ’における第１複合部品層２００，３００の再配線層２２０側に、接着層１３０により電子部品層前駆体１１０’を貼合する。ここで、電子部品層前駆体１１０’は、第１実施形態と同様にして別途作製する（参照：図４Ａ～図４Ｇ）。このようにして、積層工程では、反転層前駆体１０Ａ’に、別途作製した電子部品層前駆体１１０’を積層する。
積層工程は、反転層前駆体１０Ａ’の再配線層２２０に、別途作製した電子部品層前駆体１１０’を積層する。積層工程は、具体的には、第１実施形態と同様にして反転層前駆体１０Ａ’を作製する（参照：図４Ａ～図４Ｎ；ただし、第１実施形態に比べ、電子部品層貫通ビア２１９Ａ，３１９Ａの回路パターンが異なる）。得られた反転層前駆体１０Ａ’における第１複合部品層２００，３００の再配線層２２０側に、接着層１３０により電子部品層前駆体１１０’を貼合する。ここで、電子部品層前駆体１１０’は、第１実施形態と同様にして別途作製する（参照：図４Ａ～図４Ｇ）。このようにして、積層工程では、反転層前駆体１０Ａ’に、別途作製した電子部品層前駆体１１０’を積層する。
【0100】
（反転層形成工程）
反転層形成工程では、図６Ｂに示すように、反転層前駆体１０Ａ’の一方の主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）の反対側に位置する他方の主面（電子部品層３１０の第１主面３１１に相当）に再配線層３２０を形成して、反転層１０Ａを作製する。
具体的には、反転層形成工程では、図６Ｂに示すように、まず、第２Ｓｉサポート３８６および接着層３７４を削除する。次いで、露出した反転層前駆体１０Ａ’の他方の主面（電子部品層３１０の第１主面３１１に相当）に再配線層３２０を作製する。このようにして反転層１０Ａを作製する。
反転層形成工程では、図６Ｂに示すように、反転層前駆体１０Ａ’の一方の主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）の反対側に位置する他方の主面（電子部品層３１０の第１主面３１１に相当）に再配線層３２０を形成して、反転層１０Ａを作製する。
具体的には、反転層形成工程では、図６Ｂに示すように、まず、第２Ｓｉサポート３８６および接着層３７４を削除する。次いで、露出した反転層前駆体１０Ａ’の他方の主面（電子部品層３１０の第１主面３１１に相当）に再配線層３２０を作製する。このようにして反転層１０Ａを作製する。
【0101】
【0102】
（配線形成工程）
配線形成工程は、積層した電子部品層前駆体１１０’に電子部品層貫通ビア１１９Ａおよび再配線層１２０を形成する。具体的には、配線形成工程では、図６Ｄに示すように、第２Ｓｉサポート１８６および接着層１７４を除去する。次いで、側壁部１１５に電子部品層貫通ビア１１９Ａと、露出した電子部品層前駆体１１０’の主面１１１’に再配線層１２０とを形成する。ここで、電子部品層貫通ビア１１９Ａは、接着層１３０に延在して形成される。
配線形成工程は、積層した電子部品層前駆体１１０’に電子部品層貫通ビア１１９Ａおよび再配線層１２０を形成する。具体的には、配線形成工程では、図６Ｄに示すように、第２Ｓｉサポート１８６および接着層１７４を除去する。次いで、側壁部１１５に電子部品層貫通ビア１１９Ａと、露出した電子部品層前駆体１１０’の主面１１１’に再配線層１２０とを形成する。ここで、電子部品層貫通ビア１１９Ａは、接着層１３０に延在して形成される。
【0103】
ダイシング工程を経て、複合部品デバイス１Ａが製造される。
【0104】
＜第３実施形態＞
［複合部品デバイスの構成］
第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは、図７に示すように、第１実施形態に係る複合部品デバイス１に比べ、反転層２０Ｂを構成する第１複合部品層１００，２００をさらに備える点、ならびに第１樹脂封止部１１７Ｂ，２１７Ｂ，３１７Ｂ，４１７Ｂの樹脂量が低減されている点で相違する。この相違する構成を以下で主として説明する。なお、第３実施形態において、第１～２実施形態と同一の符号は、第１～２実施形態とそれぞれ同じ構成であるため、原則としてその説明を省略する。
［複合部品デバイスの構成］
第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは、図７に示すように、第１実施形態に係る複合部品デバイス１に比べ、反転層２０Ｂを構成する第１複合部品層１００，２００をさらに備える点、ならびに第１樹脂封止部１１７Ｂ，２１７Ｂ，３１７Ｂ，４１７Ｂの樹脂量が低減されている点で相違する。この相違する構成を以下で主として説明する。なお、第３実施形態において、第１～２実施形態と同一の符号は、第１～２実施形態とそれぞれ同じ構成であるため、原則としてその説明を省略する。
【0105】
【0106】
（第１複合部品層、反転層）
第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは、第１複合部品層３００，４００とで構成される反転層１０Ｂに加えて、第１複合部品層１００，２００とで構成される反転層２０Ｂをさらに備える。複合部品デバイス１Ｂは、反転層１０Ｂ，２０Ｂを複数備える。複合部品デバイス１Ｂは、第１複合部品層１００，２００，３００，４００内の内部応力を相殺しやすい反転層１０Ｂ，２０Ｂを複数備えることで、反りの発生を効果的に抑制することができるため、第１複合部品層のさらなる多層化が可能となる。よって、本開示に係る複合部品デバイスは、その用途に応じて層数を調整することができるため、設計の自由度が高い。
第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは、第１複合部品層３００，４００とで構成される反転層１０Ｂに加えて、第１複合部品層１００，２００とで構成される反転層２０Ｂをさらに備える。複合部品デバイス１Ｂは、反転層１０Ｂ，２０Ｂを複数備える。複合部品デバイス１Ｂは、第１複合部品層１００，２００，３００，４００内の内部応力を相殺しやすい反転層１０Ｂ，２０Ｂを複数備えることで、反りの発生を効果的に抑制することができるため、第１複合部品層のさらなる多層化が可能となる。よって、本開示に係る複合部品デバイスは、その用途に応じて層数を調整することができるため、設計の自由度が高い。
【0107】
複数の反転層１０Ｂ，２０Ｂのうち隣接する２つの反転層１０Ｂ，２０Ｂは、接着層２３０を介して接合する。隣接する一対の反転層１０Ｂ，２０Ｂが接着層２３０を介して接合するため、反転層１０Ｂ，２０Ｂ内に生じる内部応力がさらに低減され、これにより第１複合部品層のさらなる多層化が可能となる。よって、本開示に係る複合部品デバイスは、その用途に応じて層数を調整することができるため、設計の自由度が高い。
【0108】
複数の第１複合部品層１００，２００，３００，４００が偶数個（具体的には、２個）の反転層１０Ｂ，２０Ｂを構成し、偶数個の反転層１０Ｂ，２０Ｂは、その積層方向の中央に対して対称である。
【0109】
ここで、中央とは、積層した反転層１０Ｂ，２０Ｂの界面（接着層２３０に相当）に対して、各反転層１０Ｂ，２０Ｂの構成（より具体的には、電子部品層１１０，２１０，３１０，４１０、再配線層１２０，２２０，３２０，４２０、第１電子部品１１３Ｂ，２１３Ｂ，３１３Ｂ，４１３Ｂ、側壁部１１５，２１５，３１５，４１５、第１樹脂封止部１１７Ｂ，２１７Ｂ，３１７Ｂ，４１７Ｂ、電子部品層貫通ビア１１９，２１９，３１９，４１９の配置箇所、数、種類、寸法、および形状等）が線対称であることをいう。例えば、反転層１０Ｂを構成する電子部品層３１０，４１０が、反転層２０Ｂを構成する電子部品層１１０，２１０と接着層２３０に対して線対称であることをいう。
【0110】
偶数個の反転層１０Ｂ，２０Ｂが積層方向の中央に対して対称であると、各反転層１０Ｂ，２０Ｂ内でそれぞれ生じる内部応力が正反対となりやすく、相殺されやすい。よって、第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは反りの発生がより抑制される。
【0111】
（電子部品層貫通ビア）
電子部品層貫通ビア３１９は、側壁部３１５を貫通する側壁部貫通ビア、ならびに接着層３３０を貫通して電子部品層貫通ビア４１９と電気的に接続する導電ビアに加え、さらに反転層１０Ｂ，２０Ｂを接合する接着層２３０を貫通して反転層１０Ｂ，２０Ｂ間を電気的に接続する反転層間導電ビア（不図示）を有する。
電子部品層貫通ビア３１９は、側壁部３１５を貫通する側壁部貫通ビア、ならびに接着層３３０を貫通して電子部品層貫通ビア４１９と電気的に接続する導電ビアに加え、さらに反転層１０Ｂ，２０Ｂを接合する接着層２３０を貫通して反転層１０Ｂ，２０Ｂ間を電気的に接続する反転層間導電ビア（不図示）を有する。
【0112】
第１複合部品層１００，２００，３００，４００の積層方向に垂直な断面において、反転層間導電ビアの断面積は、側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい。かかる場合、反転層１０Ｂ，２０Ｂ間を接続面積がより大きな反転層間導電ビアで電気的に接続されるため、複合部品デバイス１Ｂは、高い信頼性を有する。
【0113】
（第１樹脂封止部）
複数の第１複合部品層１００，２００は接着層１３０により接合し、電子部品本体部１１３ｃの第２面１１３ｂは接着層１３０に接触する。つまり、第１樹脂封止部１１７Ｂは電子部品本体部１１３ｃの第２面１１３ｂ側に樹脂を有しない。このように、反りの発生を行う樹脂の量が低減されているため、第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは、反りの発生がより抑制される。
複数の第１複合部品層１００，２００は接着層１３０により接合し、電子部品本体部１１３ｃの第２面１１３ｂは接着層１３０に接触する。つまり、第１樹脂封止部１１７Ｂは電子部品本体部１１３ｃの第２面１１３ｂ側に樹脂を有しない。このように、反りの発生を行う樹脂の量が低減されているため、第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂは、反りの発生がより抑制される。
【0114】
［複合部品デバイスの製造方法］
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂの製造方法の一例を説明する。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂの製造方法は、例えば、第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法にさらに、
反転層前駆体に、別途作製した一対の電子部品層前駆体を積層する積層工程と、
積層した一対の電子部品層前駆体に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程が１回実行される。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂの製造方法の一例を説明する。
第２実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂの製造方法は、例えば、第１実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法にさらに、
反転層前駆体に、別途作製した一対の電子部品層前駆体を積層する積層工程と、
積層した一対の電子部品層前駆体に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程が１回実行される。
【0115】
具体的に、図８Ａ～図８Ｅを参照して、複合部品デバイス１Ｂの製造方法の一例について説明する。図８Ａ～図８Ｅは、複合部品デバイス１Ｂの製造方法を説明するための図である。第３実施形態に係る複合部品デバイス１Ｂの製造方法は、絶縁部形成工程と、シリコンベース層準備工程と、電子部品接着工程と、電子部品封止工程と、樹脂封止部薄化工程と、電子部品層前駆体作製工程と、電子部品層前駆体接着工程と、反転層前駆体作製工程と、積層工程と、配線形成工程と、第２複合部品層形成工程と、反転層作製工程と、ダイシング工程とを含んで成る。なお、第２実施形態に係る複合部品デバイスの製造方法は、積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程は、１回実行される。
【0116】
（樹脂封止部薄化工程）
樹脂封止部薄化工程では、図８Ａに示すように、第１電子部品１１３Ｂが露出するまで第１樹脂封止部１１７Ｂを薄くする。ここで、第１樹脂封止部１１７Ｂに加えて、第１電子部品１１３Ｂの一部を研削してもよい。ただし、第１電子部品１１３Ｂを損傷させないように研削する。第１電子部品１１３Ｂが露出するまで第１樹脂封止部１１７Ｂを薄くすると、第１樹脂封止部１１７Ｂを構成する樹脂の量を低減できる。よって、複合部品デバイス１Ｂの反りの発生をさらに抑制できる。このようにして電子部品層前駆体１１０Ｂ’を作製する。
樹脂封止部薄化工程では、図８Ａに示すように、第１電子部品１１３Ｂが露出するまで第１樹脂封止部１１７Ｂを薄くする。ここで、第１樹脂封止部１１７Ｂに加えて、第１電子部品１１３Ｂの一部を研削してもよい。ただし、第１電子部品１１３Ｂを損傷させないように研削する。第１電子部品１１３Ｂが露出するまで第１樹脂封止部１１７Ｂを薄くすると、第１樹脂封止部１１７Ｂを構成する樹脂の量を低減できる。よって、複合部品デバイス１Ｂの反りの発生をさらに抑制できる。このようにして電子部品層前駆体１１０Ｂ’を作製する。
【0117】
（反転層前駆体作製工程）
反転層前駆体作製工程は、図８Ｂに示すように、電子部品層前駆体１１０’，２１０’に代えて電子部品層前駆体１１０Ｂ’，２１０Ｂ’を採用する以外は第１実施形態と同様にして反転層前駆体１０Ｂ’を作製する（参照：図４Ａ～図４Ｎ）。
反転層前駆体作製工程は、図８Ｂに示すように、電子部品層前駆体１１０’，２１０’に代えて電子部品層前駆体１１０Ｂ’，２１０Ｂ’を採用する以外は第１実施形態と同様にして反転層前駆体１０Ｂ’を作製する（参照：図４Ａ～図４Ｎ）。
【0118】
（積層工程）
積層工程は、図８Ｄに示すように、反転層前駆体１０Ｂ’に、別途作製した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’を積層する。積層工程は、具体的には、得られた反転層前駆体１０Ｂ’における第１複合部品層２００の再配線層２２０側に、接着層２３０により一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’を貼合する。ここで、一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’は、図８Ｃに示すように、反転層前駆体作製工程で作製した電子部品層前駆体３１０Ｂ’，４１０Ｂ’を採用し、さらに再配線層３２０を形成する以外は第１実施形態と同様にして別途作製する（参照：図４Ａ～図４Ｇ）。このようにして、積層工程では、反転層前駆体１０Ｂ’に、別途作製した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’を積層する。
積層工程は、図８Ｄに示すように、反転層前駆体１０Ｂ’に、別途作製した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’を積層する。積層工程は、具体的には、得られた反転層前駆体１０Ｂ’における第１複合部品層２００の再配線層２２０側に、接着層２３０により一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’を貼合する。ここで、一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’は、図８Ｃに示すように、反転層前駆体作製工程で作製した電子部品層前駆体３１０Ｂ’，４１０Ｂ’を採用し、さらに再配線層３２０を形成する以外は第１実施形態と同様にして別途作製する（参照：図４Ａ～図４Ｇ）。このようにして、積層工程では、反転層前駆体１０Ｂ’に、別途作製した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’を積層する。
【0119】
（配線形成工程）
配線形成工程は、積層した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する。具体的には、配線形成工程では、図８Ｅに示すように、第２Ｓｉサポート４８６および接着層４７４を除去する。次いで、側壁部４１５に電子部品層貫通ビア４１９を、側壁部３１５に電子部品層貫通ビア３１９を、ならびに露出した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’の主面（電子部品層４１０の第１主面４１１に相当）に再配線層４２０を形成する。ここで、電子部品層貫通ビア３１９は、接着層２３０，３３０に延在して形成される。
配線形成工程は、積層した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する。具体的には、配線形成工程では、図８Ｅに示すように、第２Ｓｉサポート４８６および接着層４７４を除去する。次いで、側壁部４１５に電子部品層貫通ビア４１９を、側壁部３１５に電子部品層貫通ビア３１９を、ならびに露出した一対の電子部品層前駆体１０Ｂ’’の主面（電子部品層４１０の第１主面４１１に相当）に再配線層４２０を形成する。ここで、電子部品層貫通ビア３１９は、接着層２３０，３３０に延在して形成される。
【0120】
【0121】
（反転層形成工程）
反転層形成工程は、図７に示すように、一方の主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）の反対側に位置する反転層前駆体１０Ｂ’の他方の主面（電子部品層１１０の第１主面１１１に相当）に再配線層１２０を形成して、反転層２０Ｂを作製する。
具体的には、反転層形成工程では、まず、第２Ｓｉサポート１８６および接着層１７４を削除する。次いで、露出した反転層前駆体１０Ｂ’の主面（電子部品層１１０の第１主面１１１に相当）に再配線層１２０を作製する。このようにして反転層１０Ｂを作製する。
反転層形成工程は、図７に示すように、一方の主面（電子部品層２１０の第１主面２１１に相当）の反対側に位置する反転層前駆体１０Ｂ’の他方の主面（電子部品層１１０の第１主面１１１に相当）に再配線層１２０を形成して、反転層２０Ｂを作製する。
具体的には、反転層形成工程では、まず、第２Ｓｉサポート１８６および接着層１７４を削除する。次いで、露出した反転層前駆体１０Ｂ’の主面（電子部品層１１０の第１主面１１１に相当）に再配線層１２０を作製する。このようにして反転層１０Ｂを作製する。
【0122】
ダイシング工程を経て、複合部品デバイス１Ｂが製造される。
【0123】
＜その他の実施形態＞
本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。また、第１～第３実施形態の構成を様々に組み合わせてもよい。
本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。また、第１～第３実施形態の構成を様々に組み合わせてもよい。
【0124】
第１実施形態では、電子部品層貫通ビア１１９は、平面視（図３におけるＸＹ断面視）において、整列配置されるように設けられていたが、これに限定されない。例えば、電子部品層貫通ビア１１９Ｄは、図１０に示すように、複数の第１複合部品層１００，２００の積層方向に垂直な断面において、千鳥配置されるように設けられてもよい。このように、本開示の複合部品デバイスは、その用途に応じて電子部品層貫通ビア１１９，２１９，３１９の配置を選択することができるため、設計の自由度が高い。
【0125】
「千鳥配置」とは、本明細書では、平面視において挟角６０°で互いに交差する直線上に等間隔の距離（以下、「距離Ｌ２」とも称する）で配列された配置をいう。挟角６０°の交差を構成する一方の直線が複数存在する場合、複数の平行な直線は、距離Ｌ２×√３／２で離間して隣接する。このため、千鳥配置は、整列配置に比べ電子部品層貫通ビア１１９Ｄより集積化できる。
【0126】
第１実施形態では、１の第１複合部品層１００における第１樹脂封止部１１７を構成する樹脂は、別の第１複合部品層２００の第１樹脂封止部２１７を構成する樹脂と異なってもよいとしていた。第２実施形態では、３つの第１複合部品層１００，２００，３００における第１樹脂封止部１１７，２１７，３１７を構成する樹脂のうち、３ついずれもが互いに異なってもよく、または２つが互いに異なってもよい。第３実施形態では、４つの第１複合部品層１００，２００，３００，４００における第１樹脂封止部１１７Ｂ，２１７Ｂ，３１７Ｂ，４１７Ｂを構成する樹脂のうち、４ついずれもが互いに異なってもよく、または３つもしくは２つが互いに異なってもよい。
【0127】
第１実施形態では、複数の電子部品層１１０，２１０において、第１樹脂封止部１１７，２１７を構成する樹脂は互いに異なるものであったが（つまり、２つの第１樹脂封止部１１７，２１７を構成する樹脂がそれぞれ異なるものであったが）、これに限定されない。例えば、第２実施形態では、３つの第１樹脂封止部１１７，２１７，３１７を構成する樹脂のうち、２つまたは３つの樹脂が互いに異なってもよい。第３実施形態では、４つの第１樹脂封止部１１７Ｂ，２１７Ｂ，３１７Ｂ，４１７Ｂを構成する樹脂のうち、２つ～４つのいずれかの樹脂が互いに異なってもよい。このように各第１複合部品層において種類が互いに異なる樹脂を採用できるため、複合部品デバイスはその用途に応じて特定の樹脂種を選択することができる。例えば、複合部品層ごとに第１樹脂封止部に異なる機能を付与することができる。よって、本開示に係る複合部品デバイスは、設計の自由度が高い。
【0128】
第１～３実施形態では、それぞれ２つ～４つの第１複合部品層を備える複合部品デバイス１，１Ａ，１Ｂであったが、これに限定されない。例えば、複合部品デバイスは、５つ以上の第１複合部品層を備えてもよい。このような場合、複合部品デバイスの製造方法において積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程を２回以上実行する。本開示に係る複合部品デバイスは、各第１複合部品層の構成がほぼ同じであるため、配線設計が複雑となりにくく、第１複合部品層間を容易に電気的に接続しやすい。よって、第１複合部品層を５以上積層しても配線を容易に形成できる。このため、回路設計において内蔵する第１電子部品の数や種類等の制限がかかりにくく、設計の自由度が高い。多様な回路構成が可能となり、適用される用途範囲がより広くなる。
【0129】
複合部品デバイスの製造方法において積層工程と配線形成工程とを組み合わせた工程を２回以上実行する場合、第２～３実施形態に示したように、積層工程、反転層作製工程、第２複合部品層形成工程、および反転層形成工程は、複合部品デバイスを製造できる範囲で、工程の順番を変更することができる。
【0130】
第１～３実施形態では、複合部品デバイスは、電子部品を各第１複合部品層に３つ有していたが、これに限定されない。例えば、複合部品デバイスは、１、２、または４以上の第１電子部品を各第１複合部品層に有してもよい。また、複合部品デバイスは、各第１複合部品層で異なる数の第１電子部品を有してもよい。このため、回路設計において内蔵する電子部品の数や種類等の制限がかかりにくく、設計の自由度が高い。多様な回路構成が可能となり、適用される用途範囲がより広くなる。
【0131】
第１～３実施形態では、電子部品封止工程においていわゆるＦａｃｅ ｕｐ方式を採用し、第１電子部品１１３を搭載したシリコンベース層１８２上に液状樹脂を直接塗布し成形していたが、これに限定されない。例えば、いわゆるＦａｃｅ ｄａｗｎ方式を採用し、セパレートシート上に液状樹脂を塗布し、第１電子部品１１３を搭載したシリコンベース層１８２を接着させて成型してもよい。また、液状樹脂に代えて顆粒状樹脂またはシート樹脂を用いてもよい。
【0132】
第１実施形態では、電子部品層前駆体接着工程において接着層１７４を除去していたが、これに限定されない。接着層１７４の除去に代えて、接着層１７４の全部またはその一部を残してもよい。接着層１７４を残すと、電子部品層前駆体の表面の平滑性を向上させることができる。これにより、設計をより正確に反映させた再配線層２２０を形成することができる。
【0133】
本開示に係る複合部品デバイスおよびその製造方法の態様は、以下の通りである。
＜１＞
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
前記第１複合部品層は、第１主面および該第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、該第１主面に設けられた再配線層とを備え、
前記複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で前記第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
前記電子部品層は、前記第１電子部品と、前記第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、前記第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、該側壁部を貫通し前記再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
前記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している、複合部品デバイス。
＜２＞
前記再配線層は、無機材料から実質的に成る誘電膜を有する、＜１＞に記載の複合部品デバイス。
＜３＞
前記側壁部は、シリコンから実質的に成る、＜１＞または＜２＞に記載の複合部品デバイス。
＜４＞
前記電子部品層は、一層当たり複数の第１電子部品を有する、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜５＞
複数の前記電子部品層において、各第１樹脂封止部を構成する樹脂は互いに異なる、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜６＞
さらに、第２電子部品と、該第２電子部品を封止する第２樹脂封止部とを有する第２複合部品層を最外層として備える、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜７＞
前記第２複合部品層は側壁部を有しない、＜６＞に記載の複合部品デバイス。
＜８＞
前記反転層が、前記複数の第１複合部品層の積層方向の中央側に少なくとも配置され、
前記複合部品デバイスの最外層として、前記反転層を構成しない第１複合部品層が配置される、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜９＞
前記電子部品層貫通ビアは、前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、千鳥配置または整列配置されるように設けられている、＜１＞～＜２＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１０＞
前記電子部品層貫通ビアは、前記第１複合部品層の積層方向と略平行となるように設けられており、
前記複数の複合部品層のうち少なくとも一対の隣接する第１複合部品層において、電子部品層貫通ビアは１の直線上に配列するように配置されている、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１１＞
前記反転層を複数備える、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１２＞
前記複数の反転層のうち隣接する２つの反転層は、接着層を介して接合する、＜１１＞に記載の複合部品デバイス。
＜１３＞
前記電子部品層貫通ビアは、前記側壁部を貫通する側壁部貫通ビアと、前記接着層を貫通して前記反転層間を電気的に接続する反転層間導電ビアとを有し、
前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、前記反転層間導電ビアの断面積は、前記側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい、＜１２＞に記載の複合部品デバイス。
＜１４＞
前記複数の第１複合部品層が偶数個の反転層を構成し、
前記偶数個の反転層は、前記偶数個の反転層の積層方向の中央に対して対称である、＜１１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１５＞
前記第１電子部品は、部品電極が配置されている第１面と、該第１面と対向する第２面とを有し、
前記複数の第１複合部品層は接着層により接合し、
前記第１電子部品は、部品電極と、該部品電極が配置された第１面および該第１面と対向する第２面を有する電子部品本体部とを備え、
前記第２面は前記接着層に接触する、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１６＞
前記電子部品層は、一層当たり複数の第１電子部品を有し、
前記複数の第１電子部品は異なる、＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１７＞
＜１＞～＜１６＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイスを製造する方法であって、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層の該底面部に前記第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、前記シリコンベース層に前記第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
前記第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
前記部品電極の表面全体を露出させるように前記シリコンベース層および前記電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの前記電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして前記電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製するキャビティ接着工程と、
前記一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および前記一対の電子部品層前駆体の前記部品電極が露出する一方の主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
前記一方の主面の反対側に位置する前記反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
前記反転層前駆体の前記再配線層に、別途作製した前記一対の電子部品層前駆体および別途作製した前記電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
前記積層した一対の電子部品層前駆体および前記積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される、複合部品デバイスの製造方法。
＜１８＞
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた前記工程が１回以上実行される、＜１７＞に記載の複合部品デバイスの製造方法。
＜１＞
第１電子部品を内蔵する第１複合部品層を複数積層して備える複合部品デバイスであって、
前記第１複合部品層は、第１主面および該第１主面に対向する第２主面を有する電子部品層と、該第１主面に設けられた再配線層とを備え、
前記複数の第１複合部品層の少なくとも２つは、２つ一組で前記第２主面が互いに向かい合うように形成される反転層を構成し、
前記電子部品層は、前記第１電子部品と、前記第１電子部品を封止する第１樹脂封止部と、前記第１電子部品を取り込むように配置された側壁部と、該側壁部を貫通し前記再配線層と電気的に接続する電子部品層貫通ビアとを有し、
前記第１電子部品は、前記再配線層に直接接合している、複合部品デバイス。
＜２＞
前記再配線層は、無機材料から実質的に成る誘電膜を有する、＜１＞に記載の複合部品デバイス。
＜３＞
前記側壁部は、シリコンから実質的に成る、＜１＞または＜２＞に記載の複合部品デバイス。
＜４＞
前記電子部品層は、一層当たり複数の第１電子部品を有する、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜５＞
複数の前記電子部品層において、各第１樹脂封止部を構成する樹脂は互いに異なる、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜６＞
さらに、第２電子部品と、該第２電子部品を封止する第２樹脂封止部とを有する第２複合部品層を最外層として備える、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜７＞
前記第２複合部品層は側壁部を有しない、＜６＞に記載の複合部品デバイス。
＜８＞
前記反転層が、前記複数の第１複合部品層の積層方向の中央側に少なくとも配置され、
前記複合部品デバイスの最外層として、前記反転層を構成しない第１複合部品層が配置される、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜９＞
前記電子部品層貫通ビアは、前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、千鳥配置または整列配置されるように設けられている、＜１＞～＜２＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１０＞
前記電子部品層貫通ビアは、前記第１複合部品層の積層方向と略平行となるように設けられており、
前記複数の複合部品層のうち少なくとも一対の隣接する第１複合部品層において、電子部品層貫通ビアは１の直線上に配列するように配置されている、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１１＞
前記反転層を複数備える、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１２＞
前記複数の反転層のうち隣接する２つの反転層は、接着層を介して接合する、＜１１＞に記載の複合部品デバイス。
＜１３＞
前記電子部品層貫通ビアは、前記側壁部を貫通する側壁部貫通ビアと、前記接着層を貫通して前記反転層間を電気的に接続する反転層間導電ビアとを有し、
前記第１複合部品層の積層方向に垂直な断面において、前記反転層間導電ビアの断面積は、前記側壁部貫通ビアの断面積よりも大きい、＜１２＞に記載の複合部品デバイス。
＜１４＞
前記複数の第１複合部品層が偶数個の反転層を構成し、
前記偶数個の反転層は、前記偶数個の反転層の積層方向の中央に対して対称である、＜１１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１５＞
前記第１電子部品は、部品電極が配置されている第１面と、該第１面と対向する第２面とを有し、
前記複数の第１複合部品層は接着層により接合し、
前記第１電子部品は、部品電極と、該部品電極が配置された第１面および該第１面と対向する第２面を有する電子部品本体部とを備え、
前記第２面は前記接着層に接触する、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１６＞
前記電子部品層は、一層当たり複数の第１電子部品を有し、
前記複数の第１電子部品は異なる、＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイス。
＜１７＞
＜１＞～＜１６＞のいずれか１つに記載の複合部品デバイスを製造する方法であって、
格子状の側壁部および底面部を有するシリコンベース層の該底面部に前記第１電子部品の部品電極が電子部品接着層を介して接触するように、前記シリコンベース層に前記第１電子部品を接着させる電子部品接着工程と、
前記第１電子部品を樹脂で封止して樹脂封止部を形成する電子部品封止工程と、
前記部品電極の表面全体を露出させるように前記シリコンベース層および前記電子部品接着層を除去して電子部品層前駆体を作製する電子部品層前駆体作製工程と、
２つの前記電子部品層前駆体の前記部品電極が露出しない主面を互いに向かい合うようにして前記電子部品層前駆体を接着させて、一対の電子部品層前駆体を作製するキャビティ接着工程と、
前記一対の電子部品層前駆体の側壁部を貫通する電子部品層貫通ビア、および前記一対の電子部品層前駆体の前記部品電極が露出する一方の主面に再配線層を形成して反転層前駆体を作製する反転層前駆体作製工程と、
前記一方の主面の反対側に位置する前記反転層前駆体の他方の主面に再配線層を形成して、反転層を形成する反転層作製工程と、
前記反転層前駆体の前記再配線層に、別途作製した前記一対の電子部品層前駆体および別途作製した前記電子部品層前駆体の一方を積層する積層工程と、
前記積層した一対の電子部品層前駆体および前記積層した電子部品層前駆体の一方に電子部品層貫通ビアおよび再配線層を形成する配線形成工程と
を含んで成り、
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた工程が０回以上実行される、複合部品デバイスの製造方法。
＜１８＞
前記積層工程と前記配線形成工程とを組み合わせた前記工程が１回以上実行される、＜１７＞に記載の複合部品デバイスの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0134】
本開示に係る複合部品デバイスは、様々な電子機器に搭載して利用することができる。
【符号の説明】
【0135】
１，１Ａ，１Ｂ・・・複合部品デバイス
１０，１０Ａ，１０Ｂ，２０Ｂ・・・反転層
１０’，１０Ａ’，１０Ｂ’，２０’・・・反転層前駆体
１０’’，１０Ｂ’’・・・一対の電子部品層前駆体
１００，２００，３００，４００・・・第１複合部品層
１１０，２１０，３１０，４１０・・・電子部品層
１１０’，１１０Ｂ’，２１０’，３１０Ｂ’，４１０Ｂ’・・・電子部品層前駆体
１１１，２１１，３１１，４１１・・・（電子部品層の）第１主面
１１１’・・・（電子部品層前駆体の）主面
１１２’，２１２’・・・（電子部品層前駆体の）主面
１１２，２１２，３１２，４１２・・・（電子部品層の）第２主面
１１３，１１３Ｂ，２１３，２１３Ｂ，３１３，３１３Ｂ，４１３Ｂ・・・第１電子部品
１１３ａ・・・第１面
１１３ｂ・・・第２面
１１３ｃ・・・電子部品本体部
１１３ｄ・・・部品電極
１１３ｅ・・・絶縁部
１１５，２１５，３１５・・・側壁部
１１７，１１７Ｂ，２１７，２１７Ｂ，３１７，３１７Ｂ，４１７Ｂ・・・第１樹脂封止部
１１９，１１９Ａ，２１９，２１９Ａ，３１９，３１９Ａ，４１９・・・電子部品層貫通ビア
１１９ａ・・・導電ビア
１１９ｂ・・・側壁部貫通ビア
１２０，２２０，３２０，４２０・・・再配線層
１３０，２３０，３３０・・・接着層
１７２・・・電子部品接着層
１８２・・・シリコンベース層
９００・・・第２複合部品層
９１３・・・第２電子部品
９１７・・・第２樹脂封止部
１０，１０Ａ，１０Ｂ，２０Ｂ・・・反転層
１０’，１０Ａ’，１０Ｂ’，２０’・・・反転層前駆体
１０’’，１０Ｂ’’・・・一対の電子部品層前駆体
１００，２００，３００，４００・・・第１複合部品層
１１０，２１０，３１０，４１０・・・電子部品層
１１０’，１１０Ｂ’，２１０’，３１０Ｂ’，４１０Ｂ’・・・電子部品層前駆体
１１１，２１１，３１１，４１１・・・（電子部品層の）第１主面
１１１’・・・（電子部品層前駆体の）主面
１１２’，２１２’・・・（電子部品層前駆体の）主面
１１２，２１２，３１２，４１２・・・（電子部品層の）第２主面
１１３，１１３Ｂ，２１３，２１３Ｂ，３１３，３１３Ｂ，４１３Ｂ・・・第１電子部品
１１３ａ・・・第１面
１１３ｂ・・・第２面
１１３ｃ・・・電子部品本体部
１１３ｄ・・・部品電極
１１３ｅ・・・絶縁部
１１５，２１５，３１５・・・側壁部
１１７，１１７Ｂ，２１７，２１７Ｂ，３１７，３１７Ｂ，４１７Ｂ・・・第１樹脂封止部
１１９，１１９Ａ，２１９，２１９Ａ，３１９，３１９Ａ，４１９・・・電子部品層貫通ビア
１１９ａ・・・導電ビア
１１９ｂ・・・側壁部貫通ビア
１２０，２２０，３２０，４２０・・・再配線層
１３０，２３０，３３０・・・接着層
１７２・・・電子部品接着層
１８２・・・シリコンベース層
９００・・・第２複合部品層
９１３・・・第２電子部品
９１７・・・第２樹脂封止部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図4J】
【図4K】
【図4L】
【図4M】
【図4N】
【図4O】
【図4P】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図9A】
【図9B】
【図10】