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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024090781
(43)【公開日】2024-07-04
(54)【発明の名称】磁気検出装置
(51)【国際特許分類】
G01R 33/02 20060101AFI20240627BHJP
【ＦＩ】
G01R33/02 V
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022206885
(22)【出願日】2022-12-23
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】桑原 英治
(72)【発明者】
【氏名】樋口 徹
【テーマコード（参考）】
2G017
【Ｆターム（参考）】
2G017AA01
2G017AA04
2G017AC07
2G017AD53
(57)【要約】
【課題】高さ寸法の増加を抑制しつつ、磁界の検出精度を高める。
【解決手段】磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。基板３０は、対向面３０Ａから磁気検出素子２０とは反対方向に凹む凹部３１を有する。集磁体４０は、少なくとも一部が前記凹部３１内に配置されている。集磁体４０は、凹部３１の底面である凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１を含む。
【選択図】図１
【解決手段】磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。基板３０は、対向面３０Ａから磁気検出素子２０とは反対方向に凹む凹部３１を有する。集磁体４０は、少なくとも一部が前記凹部３１内に配置されている。集磁体４０は、凹部３１の底面である凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁気検出素子と、
前記磁気検出素子に対向する対向面を有する基板と、
前記磁気検出素子と前記基板との間に配置され、磁束を前記磁気検出素子に誘導する集磁体と、を備え、
前記基板は、前記対向面から前記磁気検出素子とは反対方向に凹む凹部を有し、
前記集磁体は、少なくとも一部が前記凹部内に配置され、
前記集磁体は、前記凹部の底面である凹部底面から前記磁気検出素子に向けて起立した第１集磁部を含む、磁気検出装置。
前記磁気検出素子に対向する対向面を有する基板と、
前記磁気検出素子と前記基板との間に配置され、磁束を前記磁気検出素子に誘導する集磁体と、を備え、
前記基板は、前記対向面から前記磁気検出素子とは反対方向に凹む凹部を有し、
前記集磁体は、少なくとも一部が前記凹部内に配置され、
前記集磁体は、前記凹部の底面である凹部底面から前記磁気検出素子に向けて起立した第１集磁部を含む、磁気検出装置。
【請求項2】
前記基板の厚さ方向において、前記第１集磁部の前記磁気検出素子側の端部は、前記基板の前記対向面と同じ位置または前記対向面よりも前記磁気検出素子側に位置している、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項3】
前記第１集磁部は、前記凹部底面から前記磁気検出素子に向けて起立した柱状の支持部と、前記支持部の表面にコーティングされた磁性体膜と、を含む、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項4】
前記支持部は、
前記凹部底面から前記磁気検出素子に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部と、
前記支持傾斜部の上端から前記磁気検出素子に向かって断面積が一定である支持直立部と、
を含み、
前記磁性体膜は、前記支持傾斜部の表面および前記支持直立部の表面にコーティングされている、請求項３に記載の磁気検出装置。
前記凹部底面から前記磁気検出素子に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部と、
前記支持傾斜部の上端から前記磁気検出素子に向かって断面積が一定である支持直立部と、
を含み、
前記磁性体膜は、前記支持傾斜部の表面および前記支持直立部の表面にコーティングされている、請求項３に記載の磁気検出装置。
【請求項5】
前記支持傾斜部は、前記基板と同じ材料により構成されており、
前記支持直立部は、前記基板と異なる材料により構成されている、請求項４に記載の磁気検出装置。
前記支持直立部は、前記基板と異なる材料により構成されている、請求項４に記載の磁気検出装置。
【請求項6】
前記基板の厚さ方向において、前記支持傾斜部の長さは、前記支持直立部の長さよりも長い、請求項５に記載の磁気検出装置。
【請求項7】
前記基板の厚さ方向において、前記支持傾斜部の長さは、前記支持直立部の長さよりも短い、請求項５に記載の磁気検出装置。
【請求項8】
前記支持直立部の少なくとも一部は、前記基板の前記対向面よりも前記磁気検出素子側に位置している、請求項４に記載の磁気検出装置。
【請求項9】
前記第１集磁部の側面の少なくとも一部は、前記基板の前記対向面に対して直交している、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項10】
前記第１集磁部は、前記基板の厚さ方向を高さ方向とする直方体形状である、請求項９に記載の磁気検出装置。
【請求項11】
前記集磁体は、前記基板の厚さ方向から見た平面視において、前記第１集磁部よりも側方に突出した第２集磁部を含み、
前記集磁体は、前記第２集磁部を貫く磁束を、前記第１集磁部を介して前記磁気検出素子に誘導するものである、請求項１に記載の磁気検出装置。
前記集磁体は、前記第２集磁部を貫く磁束を、前記第１集磁部を介して前記磁気検出素子に誘導するものである、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項12】
前記第２集磁部は、前記平面視において、矩形状の外形を有する、請求項１１に記載の磁気検出装置。
【請求項13】
前記基板は、Ｓｉ基板である、請求項１に記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、パッケージ化された磁気検出装置の構成を開示する。特許文献１の磁気検出装置は、リードフレームと、リードフレームに実装されたホール素子と、ホール素子を封止する封止樹脂とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－０７７７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
磁気検出装置の検出精度を向上させる方法として、リードフレームなどの基板とホール素子などの磁気検出素子との間に、磁束を磁気検出素子に誘導する集磁体を配置することによって、磁気検出素子を通過する磁束密度を高めることが考えられる。この場合には、基板と磁気検出素子との間に集磁体が挿入されることにより、磁気検出装置の高さ寸法が大きくなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様である磁気検出装置は、磁気検出素子と、前記磁気検出素子に対向する対向面を有する基板と、前記磁気検出素子と前記基板との間に配置され、磁束を前記磁気検出素子に誘導する集磁体と、を備え、前記基板は、前記対向面から前記磁気検出素子とは反対方向に凹む凹部を有し、前記集磁体は、少なくとも一部が前記凹部内に配置され、前記集磁体は、前記凹部の底面である凹部底面から前記磁気検出素子に向けて起立した第１集磁部を含む。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、高さ寸法の増加を抑制しつつ、磁界の検出精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本開示における磁気検出装置の実施形態を説明する。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0010】
＜第１実施形態＞
図１～図３を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０について説明する。
図１は、磁気検出装置１０を示す概略断面図である。なお、本開示において使用される「Ｘ方向」は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＸ方向に沿った方向を意味し、「Ｙ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＹ方向に沿った方向を意味し、「Ｚ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＺ方向に沿った方向を意味する。本開示において使用される「平面視」という用語は、上記ＸＹＺ軸のＺ軸に沿って上方から磁気検出装置１０を視ることを意味する。
図１～図３を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０について説明する。
図１は、磁気検出装置１０を示す概略断面図である。なお、本開示において使用される「Ｘ方向」は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＸ方向に沿った方向を意味し、「Ｙ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＹ方向に沿った方向を意味し、「Ｚ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＺ方向に沿った方向を意味する。本開示において使用される「平面視」という用語は、上記ＸＹＺ軸のＺ軸に沿って上方から磁気検出装置１０を視ることを意味する。
【0011】
磁気検出装置１０は、電子機器の回路基板Ｓに表面実装される形式の磁気検出装置である。図１は、回路基板Ｓに表面実装されている状態の磁気検出装置１０を示している。磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０とを備える。また、磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と基板３０との間に設けられた絶縁層５０を備えている。集磁体４０は、絶縁層５０内に配置されている。
【0012】
（磁気検出素子）
磁気検出素子２０は特に限定されるものでなく、磁束を検出する公知のセンサを用いることができる。磁気検出素子２０としては、たとえば、Ｐ型のシリコンからなる半導体層と、この半導体層の表面にＮ型の導電型不純物が導入されて拡散層として形成されたＮ型の半導体領域とを有するホール素子が挙げられる。また、磁気検出素子２０は、ホール素子以外のその他の素子であってもよい。
磁気検出素子２０は特に限定されるものでなく、磁束を検出する公知のセンサを用いることができる。磁気検出素子２０としては、たとえば、Ｐ型のシリコンからなる半導体層と、この半導体層の表面にＮ型の導電型不純物が導入されて拡散層として形成されたＮ型の半導体領域とを有するホール素子が挙げられる。また、磁気検出素子２０は、ホール素子以外のその他の素子であってもよい。
【0013】
磁気検出素子２０は、絶縁層５０の上面５０Ａ、すなわち、絶縁層５０における基板３０と反対側の表面に配置されている。磁気検出素子２０は、磁束を検出するセンサ部２１と、外部接続用の端子である電極パッド２２とを備える。センサ部２１と電極パッド２２は、図示しない配線により電気的に接続されている。電極パッド２２は、ワイヤＷによって外部電極Ｅに電気的に接続されている。ワイヤＷは、ワイヤボンディング装置によって形成されるボンディングワイヤである。電極パッド２２およびワイヤＷは、たとえば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの導体によって形成されている。
【0014】
（基板）
基板３０は、磁気検出装置１０の基礎となる部材である。基板３０は、単結晶材料である半導体材料からなる。基板３０の一例は、シリコンの単結晶材料からなる。
基板３０は、磁気検出装置１０の基礎となる部材である。基板３０は、単結晶材料である半導体材料からなる。基板３０の一例は、シリコンの単結晶材料からなる。
【0015】
基板３０は、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａと、対向面３０Ａの反対側に位置する裏面３０Ｂとを有するとともに、Ｚ方向を厚さ方向とする平板状である。対向面３０Ａおよび裏面３０Ｂは、Ｘ方向およびＹ方向に平行な面である。基板３０の厚さ寸法（Ｚ方向寸法）は、たとえば、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である。
【0016】
基板３０の平面視形状は、たとえば、Ｘ方向に延びる辺およびＹ方向に延びる辺を有するとともに、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも長い矩形状である。なお、基板３０の平面視形状は上記矩形状に限定されるものでなく、正方形状、多角形状、円形状などのその他の形状であってもよい。
【0017】
基板３０は、対向面３０Ａから磁気検出素子２０とは反対方向、すなわち、裏面３０Ｂに向かう方向に凹む凹部３１を有する。凹部３１は、底面である凹部底面３２と、凹部底面３２と対向面３０Ａとを接続する凹部側面３３とを有する。凹部３１の深さ、すなわち、対向面３０Ａから凹部底面３２までの長さＬ１は、たとえば、０．１μｍ以上２００μｍ以下である。
【0018】
図２は、凹部３１を有する基板３０の斜視図であり、凹部３１の形状の一例を示している。以下、図２に示される凹部３１の形状の一例を具体的に説明する。凹部底面３２は、対向面３０Ａと平行な面である。凹部底面３２の平面視形状は、Ｘ方向に延びる辺およびＹ方向に延びる辺を有するとともに、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも長い矩形状である。凹部側面３３は、Ｘ方向またはＹ方向を向く４つの側面により構成されている。凹部３１は、凹部底面３２から対向面３０Ａに向かって（磁気検出素子２０に向かって）Ｘ方向およびＹ方向における凹部側面３３間の距離が徐々に増加する四角錐台形状である。したがって、４つの凹部側面３３は、対向面３０Ａに対して傾斜する傾斜面である。
【0019】
なお、凹部３１の形状は、上記の形状に限定されない。たとえば、凹部底面３２の平面視形状は、正方形状、多角形状、円形状などのその他の形状であってもよい。また、凹部３１は、凹部底面３２から対向面３０Ａに向かって凹部３１の凹部側面３３間の距離が一定である形状、たとえば、直方体形状であってもよい。この場合、凹部側面３３を構成する側面の全てが、対向面３０Ａに対して直交する直立面になる。対向面３０Ａに対する凹部側面３３の傾斜角度は、たとえば、基板３０に対してエッチングによって凹部３１を形成する際のエッチング方法の選択により調整できる。たとえば、シリコンの単結晶材料からなる基板３０である場合、アルカリエッチングを採用すると凹部側面３３は傾斜面になり、ドライエッチングを採用すると凹部側面３３は直立面になる。
【0020】
（集磁体）
図１に示すように、集磁体４０は、凹部底面３２の上に位置するとともに、その少なくとも一部が凹部３１内に配置されている。集磁体４０は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１と、平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２とを含む。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導する。
図１に示すように、集磁体４０は、凹部底面３２の上に位置するとともに、その少なくとも一部が凹部３１内に配置されている。集磁体４０は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１と、平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２とを含む。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導する。
【0021】
［第１集磁部］
第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４とを含む。
第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４とを含む。
【0022】
支持部４３は、基板３０の一部によって構成される第１支持部４５と、第１支持部４５の上に配置される第２支持部４６とを含む。第１支持部４５は、基板３０の一部であって、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向かって突出した部分である。したがって、第１支持部４５は、基板３０と同じ材料により構成されている。第１支持部４５は、平面視において、凹部底面３２の中央に配置されるとともに、凹部側面３３から離隔している。
【0023】
第１支持部４５は、基板３０の厚さ方向において、第１支持部４５の磁気検出素子２０側の端部に位置する上面４５Ａと、凹部底面３２と上面４５Ａとを接続する側面４５Ｂとを有する。第１支持部４５は、凹部底面３２から上面４５Ａに向かって断面積が徐々に減少する錐台形状である。第１支持部４５は、たとえば、四角錐台形状などの多角錐台形状である。したがって、第１支持部４５の側面４５Ｂの各々は、凹部底面３２に対して傾斜した傾斜面になる。凹部底面３２と側面４５Ｂとがなす角αの角度は、たとえば、１０度以上９０度以下である。
【0024】
また、第１支持部４５は、凹部底面３２から上面４５Ａに向かって断面積が一定である柱状であってもよい。この場合の、第１支持部４５は、たとえば、四角柱状などの多角柱状である。したがって、第１支持部４５の側面４５Ｂの各々は、凹部底面３２に対して直交した直立面になる。対向面３０Ａに対する側面４５Ｂの傾斜角度は、上述した凹部側面３３と同様に、たとえば、基板３０に対してエッチングによって第１支持部４５を形成する際のエッチング方法の選択により調整できる。以下では、第１支持部４５が四角錐台形状に形成されている場合を例に挙げて説明する。四角錐台形状などの多角錐台形状である第１支持部４５は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部である。
【0025】
基板３０の厚さ方向において、第１支持部４５の磁気検出素子２０側の端部に位置する上面４５Ａの位置は、基板３０の対向面３０Ａの位置と等しい。つまり、基板３０の厚さ方向における第１支持部４５の長さＬ２、すなわち、基板３０の厚さ方向における凹部底面３２から第１支持部４５の上面４５Ａまでの長さは、凹部３１の深さ（長さＬ１）と等しい。なお、第１支持部４５の上面４５Ａの位置は、対向面３０Ａよりも凹部底面３２側に位置していてもよい。第１支持部４５の長さＬ２は、たとえば、０．１μｍ以上２００μｍ以下である。
【0026】
第２支持部４６は、第１支持部４５と異なる材料、すなわち、基板３０と異なる材料により形成されている。第２支持部４６を形成する材料は、たとえば、Ｃｕなどの非磁性体材料である。また、第２支持部４６を形成する材料は、磁性体材料であってもよい。
【0027】
第２支持部４６は、第１支持部４５の上面４５Ａの上に配置されている。第２支持部４６は、第２支持部４６の磁気検出素子２０側の端部に位置する上面４６Ａと、第１支持部４５の上面４５Ａと上面４６Ａとを接続する側面４６Ｂとを有する。第２支持部４６は、第１支持部４５の上面４５Ａから基板３０の厚さ方向に延びるとともに、第１支持部４５の上面４５Ａから磁気検出素子２０に向かって断面積が一定である柱状である。第２支持部４６は、たとえば、四角柱形状などの多角柱形状である。したがって、第２支持部４６の側面４６Ｂの各々は、凹部底面３２に対して直交した直立面になる。以下では、第２支持部４６が四角柱状に形成されている場合を例に挙げて説明する。四角柱状などの多角柱状である第２支持部４６は、支持傾斜部（第１支持部４５）の上端から磁気検出素子２０に向かって断面積が一定である支持直立部である。
【0028】
第２支持部４６は、基板３０の厚さ方向において、凹部３１の外側に位置している。したがって、第２支持部４６の一部または全体は、基板３０の厚さ方向において、凹部３１の外側に位置している。換言すると、第２支持部４６の一部または全体は、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置している。基板３０の厚さ方向における第２支持部４６の長さＬ３、すなわち、基板３０の厚さ方向における第１支持部４５の上面４５Ａから第２支持部４６の上面４６Ａまでの長さは、たとえば、０．１μｍ以上２００μｍ以下である。
【0029】
基板３０の厚さ方向において、第１支持部４５（支持傾斜部）の長さＬ２と、第２支持部４６（支持直立部）の長さＬ３の比率は、特に限定されない。第１集磁部４１の一例は、第１支持部４５（支持傾斜部）の長さＬ２が第２支持部４６（支持直立部）の長さＬ３よりも長い。また、第１集磁部４１の一例は、第１支持部４５（支持傾斜部）の長さＬ２が第２支持部４６（支持直立部）の長さＬ３よりも短い。
【0030】
磁性体膜４４は、支持部４３の表面、すなわち、第１支持部４５（支持傾斜部）の各側面４５Ｂと、第２支持部４６（支持直立部）の上面４６Ａおよび各側面４６Ｂとに設けられている。磁性体膜４４は、磁性体材料によって形成されている。磁性体膜４４を形成する磁性体材料としては、たとえば、フェライト、Ｆｅ、Ｎｉが挙げられる。磁性体膜４４の膜厚は、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。磁性体膜４４の膜厚は、全て一定であってもよいし、部分的に異なっていてもよい。
【0031】
第１集磁部４１は、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部に位置して、磁気検出素子２０に対向する集磁対向面４１Ａと、第１集磁部４１の基板３０側の端部から集磁対向面４１Ａに向かって延びる集磁側面４１Ｂとを有する。集磁対向面４１Ａおよび集磁側面４１Ｂは、磁性体膜４４により形成されている表面である。基板３０の厚さ方向において、第１集磁部４１の端部（集磁対向面４１Ａ）は、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置している。
【0032】
第１集磁部４１は、凹部底面３２から集磁対向面４１Ａまでの長さＬ４、すなわち、第１集磁部４１の高さ寸法が大きいことが好ましい。第１集磁部４１の長さＬ４は、支持部４３の突出高さと磁性体膜４４の膜厚の合計である。したがって、第１集磁部４１の長さＬ４は、支持部４３の突出高さ、および磁性体膜４４の膜厚の一方または両方を変更することにより調整できる。支持部４３の突出高さは、第２支持部４６の高さ寸法（Ｚ方向寸法）を変更することによって容易に調整できる。第１集磁部４１の長さＬ４は、たとえば、０．３μｍ以上４５０μｍ以下である。
【0033】
図３は、第１実施形態の集磁体４０の斜視図であり、第１実施形態の集磁体４０の形状の一例を示している。以下、図３に示す第１集磁部４１全体の形状を具体的に説明する。第１集磁部４１は、基板３０の厚さ方向を高さ方向とする四角錐台状である第１部分４１Ｃと、第１部分４１Ｃの上に配置され、基板３０の厚さ方向を高さ方向とする直方体状の第２部分４１Ｄとを有する形状である。第１部分４１Ｃの上端の外周縁と、第２部分４１Ｄの下端の外周縁は一致している。第１部分４１Ｃは、第１支持部４５（支持傾斜部）と、その表面に設けられた磁性体膜４４により構成された部分である。第２部分４１Ｄは、第２支持部４６（支持直立部）と、その表面に設けられた磁性体膜４４により構成された部分である。
【0034】
第１集磁部４１は、Ｚ方向を向く集磁対向面４１Ａと、平面視においてＸ方向またはＹ方向を向く４つの集磁側面４１Ｂを有する。４つの集磁側面４１Ｂの各々は、第１部分４１Ｃに位置する傾斜面と、第２部分４１Ｄに位置する直立面とを含む。なお、第１集磁部４１全体の形状は、図３に示す形状に限定されない。たとえば、第１集磁部４１全体の形状は、直方体状などの多角柱状であってもよい。たとえば、第１支持部４５および第２支持部４６を共に直方体状に形成することによって、第１集磁部４１全体の形状を直方体状にできる。
【0035】
次に、第１集磁部４１の配置について説明する。
図１に示すように、第１集磁部４１は、基板３０の厚さ方向において、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なる位置に配置される。特に、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部の少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっていることが好ましい。この場合、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂに集められた磁束を、磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導する効果が向上する。したがって、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部の全体が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっている構成であることが特に好ましい。なお、集磁側面４１Ｂにおける基板３０側の端部については、基板３０の厚さ方向において、一部または全体が磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっている構成であってもよいし、全体がセンサ部２１と重なっていない構成であってもよい。
図１に示すように、第１集磁部４１は、基板３０の厚さ方向において、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なる位置に配置される。特に、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部の少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっていることが好ましい。この場合、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂに集められた磁束を、磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導する効果が向上する。したがって、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部の全体が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっている構成であることが特に好ましい。なお、集磁側面４１Ｂにおける基板３０側の端部については、基板３０の厚さ方向において、一部または全体が磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっている構成であってもよいし、全体がセンサ部２１と重なっていない構成であってもよい。
【0036】
また、図１に示すように、基板３０の厚さ方向において、第１集磁部４１は、磁気検出素子２０のセンサ部２１と離隔していてもよいし、センサ部２１に接していてもよい。第１集磁部４１とセンサ部２１とが離隔している場合には、第１集磁部４１とセンサ部２１の短絡を抑制できる。第１集磁部４１とセンサ部２１の離隔距離Ｌ５は、たとえば、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。第１集磁部４１とセンサ部２１とが離隔している場合、第１集磁部４１とセンサ部２１との間には、絶縁層５０が介在していることが好ましい。
【0037】
［第２集磁部］
図１に示すように、第２集磁部４２は、凹部底面３２の上に広がる平板状の部位である。第２集磁部４２は、磁性体材料によって形成されている。第２集磁部４２を形成する磁性体材料としては、たとえば、フェライト、Ｆｅ、Ｎｉが挙げられる。第２集磁部４２の一例は、磁性体膜４４と同じ材料により構成されるとともに、磁性体膜４４から連続して一体に形成されている。第２集磁部４２の厚さは、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。
図１に示すように、第２集磁部４２は、凹部底面３２の上に広がる平板状の部位である。第２集磁部４２は、磁性体材料によって形成されている。第２集磁部４２を形成する磁性体材料としては、たとえば、フェライト、Ｆｅ、Ｎｉが挙げられる。第２集磁部４２の一例は、磁性体膜４４と同じ材料により構成されるとともに、磁性体膜４４から連続して一体に形成されている。第２集磁部４２の厚さは、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。
【0038】
第２集磁部４２は、第１集磁部４１の基板３０側の端部から側方に突出している。上記の側方に突出するとは、基板３０の厚さ方向（Ｚ方向）に直交する方向（Ｘ－Ｙ平面に沿った方向）に突出することを意味する。第２集磁部４２は、基板３０の厚さ方向に直交する方向における特定の一方向または特定の複数方向のみに突出していてもよいし、基板３０の厚さ方向に直交する方向の全方向に突出していてもよい。
【0039】
第２集磁部４２は、第１集磁部４１と連続する基端部４２Ａと、平面視において第２集磁部４２の外周縁に位置する先端部４２Ｂとを有する。第２集磁部４２は、平面視において、先端部４２Ｂの少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していることが好ましく、先端部４２Ｂの全体が磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していることがより好ましい。また、第２集磁部４２は、平面視において、先端部４２Ｂが磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していない形状であってもよい。
【0040】
図３は、集磁体４０の斜視図であり、集磁体４０の形状の一例を示している。以下、図３に示す第２集磁部４２の形状を具体的に説明する。第２集磁部４２は、平面視矩形状の外形を有する。第２集磁部４２は、矩形状の四辺の各々に位置するとともに、Ｘ方向またはＹ方向に平行な４つの辺部４２Ｃを有する。４つの辺部４２Ｃの各々は、第２集磁部４２の先端部４２Ｂである。
【0041】
第２集磁部４２における基端部４２Ａから辺部４２Ｃまでの長さＬ６は、全て同じであってもよいし、４つの辺部４２Ｃの各々で異なっていてもよい。４つの辺部４２Ｃのうちの少なくとも一つの辺部４２Ｃは、基端部４２Ａから当該辺部４２Ｃまでの長さＬ６が０．１μｍ以上となるように形成されていることが好ましい。上記長さＬ６を長くした場合には、第２集磁部４２が広く形成されることにより、より広範囲の磁束を集めることができる。また、第２集磁部４２を広く形成することによる集磁効果には上限がある。そのため、集磁体４０の大型化を抑制するなどの観点から、上記長さＬ６は、たとえば、１００μｍ以下である。なお、第２集磁部４２の形状は、図３に示す形状に限定されない。たとえば、第２集磁部４２の平面視形状は、正方形状、多角形状、円形状などのその他の形状であってもよい。
【0042】
（絶縁層）
絶縁層５０は、たとえば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＡｌＮ、および酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）のうちいずれか１つを含む材料によって構成される。
絶縁層５０は、たとえば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＡｌＮ、および酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）のうちいずれか１つを含む材料によって構成される。
【0043】
図１に示すように、絶縁層５０は、基板３０の対向面３０Ａおよび集磁体４０を覆う態様にて、基板３０の上に形成されている。集磁体４０は、その表面の全体、すなわち、第１集磁部４１における集磁対向面４１Ａおよび集磁側面４１Ｂの全面、ならびに第２集磁部４２が絶縁層５０に覆われている。また、基板３０の凹部３１は、絶縁層５０で埋められている。絶縁層５０は、基板３０と反対側に位置する上面５０Ａを有する。上面５０Ａは、基板３０の対向面３０Ａと平行な面である。絶縁層５０の上面５０Ａの上に磁気検出素子２０が配置されている。
【0044】
（磁気検出装置の製造方法）
図４～図６は、磁気検出装置１０の例示的な製造工程を示す概略断面図である。なお、理解を容易にするために、図４～図６では、図１の構成要素と同様の構成要素には同一の符号を付している。
図４～図６は、磁気検出装置１０の例示的な製造工程を示す概略断面図である。なお、理解を容易にするために、図４～図６では、図１の構成要素と同様の構成要素には同一の符号を付している。
【0045】
図４に示すように、まず、たとえば平板状のＳｉ基板である基板３０の対向面３０Ａに対して、中央に突出部分である第１支持部４５を有する凹部３１を形成する。凹部３１および第１支持部４５は、基板３０の一部を、エッチングによって選択的に除去することにより形成できる。
【0046】
続いて、図５に示すように、第１支持部４５の上面４５Ａに、Ｃｕにより構成される第２支持部４６を形成する。その後、第１支持部４５および第２支持部４６、ならびに凹部底面３２の一部を覆う磁性体膜４４および第２集磁部４２を形成する。磁性体膜４４および第２集磁部４２は、たとえば、電解メッキまたは無電解メッキにより形成できる。これにより、基板３０の上に集磁体４０が形成される。
【0047】
続いて、図６に示すように、基板３０上に絶縁層５０が形成される。一例では、絶縁層５０は、モールド成形法によって形成された絶縁樹脂層である。その後、絶縁層５０上に磁気検出素子２０が取り付けられる。
【0048】
（作用）
次に、第１実施形態の磁気検出装置１０の作用を説明する。
磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０を備えている。集磁体４０は、基板３０から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１を有している。磁気検出素子２０と基板３０との間に配置された集磁体４０によって、集磁体４０の周囲を通過する磁束が集磁体４０の第１集磁部４１に沿って磁気検出素子２０に誘導される。これにより、磁気検出素子２０を通過する磁束密度が高められる結果、磁気検出素子２０による磁界の検出精度が向上する。
次に、第１実施形態の磁気検出装置１０の作用を説明する。
磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０を備えている。集磁体４０は、基板３０から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１を有している。磁気検出素子２０と基板３０との間に配置された集磁体４０によって、集磁体４０の周囲を通過する磁束が集磁体４０の第１集磁部４１に沿って磁気検出素子２０に誘導される。これにより、磁気検出素子２０を通過する磁束密度が高められる結果、磁気検出素子２０による磁界の検出精度が向上する。
【0049】
さらに、集磁体４０は、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２を有している。これにより、第１集磁部４１の周囲を通過する磁束に加えて、第２集磁部４２を通過する磁束も第２集磁部４２および第１集磁部４１を通じて磁気検出素子に誘導される。そのため、磁気検出素子２０を通過する磁束密度が更に高められる結果、磁気検出素子２０による磁界の検出精度が更に向上する。
【0050】
また、基板３０には、対向面３０Ａから磁気検出素子２０とは反対方向に凹む凹部３１が形成されている。集磁体４０は、その少なくとも一部が基板３０の凹部３１内に配置されている。より具体的には、集磁体４０の第１集磁部４１は、凹部３１の底面である凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立するように配置されている。そのため、基板３０の対向面３０Ａから凹部底面３２までの長さＬ１の分だけ、第１集磁部４１が基板３０内に入り込む。
【0051】
これにより、第１集磁部４１の高さ寸法（長さＬ４）を一定以上に確保しつつも、基板３０の対向面３０Ａからの第１集磁部４１の突出長、すなわち、対向面３０Ａから第１集磁部４１の集磁対向面４１Ａまでの長さを短くできる。この場合、第１集磁部４１の上に配置される磁気検出素子２０を基板３０の対向面３０Ａに、より近づけて配置できる。そのため、集磁体４０を配置したことに起因する磁気検出装置１０の高さ寸法の増加を抑制できる。
【0052】
（効果）
第１実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）
磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。基板３０は、対向面３０Ａから磁気検出素子２０とは反対方向に凹む凹部３１を有する。集磁体４０は、少なくとも一部が前記凹部３１内に配置されている。集磁体４０は、凹部３１の底面である凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１を含む。
第１実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）
磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。基板３０は、対向面３０Ａから磁気検出素子２０とは反対方向に凹む凹部３１を有する。集磁体４０は、少なくとも一部が前記凹部３１内に配置されている。集磁体４０は、凹部３１の底面である凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した第１集磁部４１を含む。
【0053】
この構成によれば、磁気検出素子２０と基板３０との間に集磁体４０が配置されていることにより、磁気検出素子２０による磁界の検出精度が向上する。そして、集磁体４０の少なくとも一部が基板３０の凹部３１内に配置されていることにより、磁気検出素子２０を基板３０の対向面３０Ａに、より近づけて配置できる。そのため、集磁体４０を配置したことに起因する磁気検出装置１０の高さ寸法の増加を抑制できる。
【0054】
（１－２）
基板３０の厚さ方向において、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部（集磁対向面４１Ａ）は、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置している。この構成によれば、第１集磁部４１の長さＬ４を大きくできる。第１集磁部４１の長さＬ４が大きくなるにしたがって、第１集磁部４１における磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。
基板３０の厚さ方向において、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部（集磁対向面４１Ａ）は、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置している。この構成によれば、第１集磁部４１の長さＬ４を大きくできる。第１集磁部４１の長さＬ４が大きくなるにしたがって、第１集磁部４１における磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。
【0055】
（１－３）
第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４と、を含む。この構成によれば、第１集磁部４１の表面のみが磁性体材料により形成されている。そのため、第１集磁部４１を通過する磁束が第１集磁部４１の表面に集中する。これにより、第１集磁部４１における磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が更に向上する。
第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４と、を含む。この構成によれば、第１集磁部４１の表面のみが磁性体材料により形成されている。そのため、第１集磁部４１を通過する磁束が第１集磁部４１の表面に集中する。これにより、第１集磁部４１における磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が更に向上する。
【0056】
（１－４）
第１集磁部４１の側面である集磁側面４１Ｂの少なくとも一部は、基板３０の対向面３０Ａに対して直交している直立面である。第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果は、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂが基板３０から磁気検出素子２０に向かう方向に対して平行に近づくほど大きくなる。そのため、この構成によれば、第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。
第１集磁部４１の側面である集磁側面４１Ｂの少なくとも一部は、基板３０の対向面３０Ａに対して直交している直立面である。第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果は、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂが基板３０から磁気検出素子２０に向かう方向に対して平行に近づくほど大きくなる。そのため、この構成によれば、第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。
【0057】
（１－５）
支持部４３は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部（第１支持部４５）と、支持傾斜部の上端から磁気検出素子２０に向かって断面積が一定である支持直立部（第２支持部４６）とを含む。磁性体膜４４は、支持傾斜部の表面および支持直立部の表面にコーティングされている。
支持部４３は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部（第１支持部４５）と、支持傾斜部の上端から磁気検出素子２０に向かって断面積が一定である支持直立部（第２支持部４６）とを含む。磁性体膜４４は、支持傾斜部の表面および支持直立部の表面にコーティングされている。
【0058】
この構成によれば、支持部４３における磁気検出素子２０に近い部分が支持直立部により形成されている。支持直立部は、その全ての側面が上記直立面であるため、上記（１－４）の効果がより大きくなる。
【0059】
（１－６）
支持傾斜部（第１支持部４５）は、基板３０と同じ材料により構成されている。支持直立部（第２支持部４６）は、基板３０と異なる材料により構成されている。この構成によれば、形状が互いに異なる支持傾斜部と支持直立部を容易に形成できる。また、支持直立部の高さ寸法を変更することにより、第１集磁部４１の長さＬ４を容易に調整できる。特に、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部を、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置させることが容易である。
支持傾斜部（第１支持部４５）は、基板３０と同じ材料により構成されている。支持直立部（第２支持部４６）は、基板３０と異なる材料により構成されている。この構成によれば、形状が互いに異なる支持傾斜部と支持直立部を容易に形成できる。また、支持直立部の高さ寸法を変更することにより、第１集磁部４１の長さＬ４を容易に調整できる。特に、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部を、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置させることが容易である。
【0060】
（１－７）
基板３０の厚さ方向において、支持傾斜部（第１支持部４５）の長さＬ２は、支持直立部（第２支持部４６）の長さＬ３よりも長い。この構成によれば、支持傾斜部および支持直立部を形成する処理が容易である。
基板３０の厚さ方向において、支持傾斜部（第１支持部４５）の長さＬ２は、支持直立部（第２支持部４６）の長さＬ３よりも長い。この構成によれば、支持傾斜部および支持直立部を形成する処理が容易である。
【0061】
（１－８）
基板３０の厚さ方向において、支持傾斜部（第１支持部４５）の長さＬ２は、支持直立部（第２支持部４６）の長さＬ３よりも短い。この構成によれば、支持直立部の長さが相対的に長くなる。そのため、上記（１－４）の効果がより大きくなる。
基板３０の厚さ方向において、支持傾斜部（第１支持部４５）の長さＬ２は、支持直立部（第２支持部４６）の長さＬ３よりも短い。この構成によれば、支持直立部の長さが相対的に長くなる。そのため、上記（１－４）の効果がより大きくなる。
【0062】
（１－９）
第１集磁部４１は、基板３０の厚さ方向を高さ方向とする直方体形状である。この構成によれば、第１集磁部４１の全ての集磁側面４１Ｂが上記直立面であるため、上記（１－４）の効果がより大きくなる。
第１集磁部４１は、基板３０の厚さ方向を高さ方向とする直方体形状である。この構成によれば、第１集磁部４１の全ての集磁側面４１Ｂが上記直立面であるため、上記（１－４）の効果がより大きくなる。
【0063】
（１－１０）
集磁体４０は、平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２を含む。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導するものである。この構成によれば、磁気検出素子２０の周囲を通過する磁束が第２集磁部４２により集められて、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導される。そのため、磁気検出素子２０による磁界の検出精度が向上する。
集磁体４０は、平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２を含む。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導するものである。この構成によれば、磁気検出素子２０の周囲を通過する磁束が第２集磁部４２により集められて、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導される。そのため、磁気検出素子２０による磁界の検出精度が向上する。
【0064】
（１－１１）
第２集磁部４２は、第１集磁部４１と連続する基端部４２Ａと、平面視において第２集磁部４２の外周縁に位置する先端部４２Ｂとを有する。第２集磁部４２は、平面視において、先端部４２Ｂの少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出している。この構成によれば、上記（１－１０）の効果がより大きくなる。
第２集磁部４２は、第１集磁部４１と連続する基端部４２Ａと、平面視において第２集磁部４２の外周縁に位置する先端部４２Ｂとを有する。第２集磁部４２は、平面視において、先端部４２Ｂの少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出している。この構成によれば、上記（１－１０）の効果がより大きくなる。
【0065】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の磁気検出装置１１０は、集磁体４０の第１集磁部４１の構成が第１実施形態と異なる。その他の構成については、第１実施形態と同様である。以下では、第１実施形態と同様な構成要素については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成要素について説明する。
第２実施形態の磁気検出装置１１０は、集磁体４０の第１集磁部４１の構成が第１実施形態と異なる。その他の構成については、第１実施形態と同様である。以下では、第１実施形態と同様な構成要素については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成要素について説明する。
【0066】
図７は、磁気検出装置１１０の概略断面図である。図７では、磁気検出装置１１０のみを図示している。図７に示すように、第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４７と、支持部４７の表面にコーティングされた磁性体膜４４とを含む。
【0067】
第２実施形態の凹部底面３２は、その全体が平らに形成されている。支持部４７は、基板３０とは別の部材であって、凹部底面３２の上に配置されている。支持部４７は、基板３０と異なる材料により形成されている。支持部４７を形成する材料は、たとえば、Ｃｕなどの非磁性体材料である。また、支持部４７を形成する材料は、磁性体材料であってもよい。
【0068】
支持部４７は、平面視において、凹部底面３２の中央に配置されるとともに、凹部側面３３から離隔している。支持部４７は、支持部４７の磁気検出素子２０側の端部に位置する上面４７Ａと、支持部４７の凹部底面３２側の端部から上面４７Ａに向かって延びる側面４７Ｂとを有する。支持部４７の上面４７Ａは、基板３０の対向面３０Ａと平行な面である。基板３０の厚さ方向において、支持部４７の上面４７Ａは、基板３０の対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置している。つまり、支持部４７の突出高さは、凹部３１の深さ（長さＬ１）よりも高い。なお、支持部４７の上面４７Ａの位置は、対向面３０Ａと同じであってもよい。
【0069】
支持部４７の側面４７Ｂは、凹部底面３２に直交する垂直面である。なお、支持部４７の側面４７Ｂは、凹部底面３２に対して傾斜した傾斜面であってもよい。また、支持部４７は、上記傾斜面である側面４７Ｂと、上記垂直面である側面４７Ｂとを有していてもよい。
【0070】
支持部４７の外形は、たとえば、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向かって断面積が一定である四角柱状などの多角柱状である。また、支持部４７の外形は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向かって断面積が徐々に減少する四角錐台状などの多角錐台状であってもよい。
【0071】
第２実施形態の第１集磁部４１は、基板３０の対向面３０Ａの位置にかかわらず、支持部４７の高さ寸法を変更することによって、第１集磁部４１の長さＬ４を調整できる。そのため、第１集磁部４１の集磁対向面４１Ａを対向面３０Ａよりも磁気検出素子２０側に位置させて、第１集磁部４１の長さＬ４を大きくすることが容易である。
【0072】
（効果）
第２実施形態の磁気検出装置１１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）
第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４７と、支持部４７の表面にコーティングされた磁性体膜４４と、を含む。支持部４７は、基板３０と異なる材料により構成されている。この構成によれば、支持部４７の高さ寸法を変更することによって、第１集磁部４１の長さＬ４を容易に調整できる。
第２実施形態の磁気検出装置１１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）
第１集磁部４１は、凹部底面３２から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４７と、支持部４７の表面にコーティングされた磁性体膜４４と、を含む。支持部４７は、基板３０と異なる材料により構成されている。この構成によれば、支持部４７の高さ寸法を変更することによって、第１集磁部４１の長さＬ４を容易に調整できる。
【0073】
＜変更例＞
上記各実施形態は例えば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記各実施形態は例えば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0074】
・図８に示すように、第１実施形態の第１集磁部４１に関して、支持部４３は、第２支持部４６が省略された構成であってもよい。また、この場合、基板３０の厚さ方向において、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部である集磁対向面４１Ａは、基板３０の対向面３０Ａと同じ位置、または対向面３０Ａよりも凹部底面３２側に位置していてもよい。
【0075】
・第２実施形態の第１集磁部４１に関して、支持部４７を省略して中空形状の第１集磁部４１としてもよい。この場合、形状を維持できる剛性を有する磁性体材料によって磁性体膜４４を形成する。
【0076】
・第２実施形態の第１集磁部４１に関して、支持部４７および磁性体膜４４とからなる構成に変えて、全体が中実状の磁性体により構成される第１集磁部４１としてもよい。
・各実施形態の集磁体４０は、第２集磁部４２が省略された構成であってもよい。
・各実施形態の集磁体４０は、第２集磁部４２が省略された構成であってもよい。
【0077】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「構成Ａが構成Ｂ上に形成される」という表現は、或る実施形態では構成Ａが構成Ｂに接触して構成Ｂ上に直接配置され得るが、他の実施形態では構成Ａが構成Ｂに接触することなく構成Ｂの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、構成Ａと構成Ｂとの間に他の構成が形成される構造を排除しない。
【0078】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0079】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0080】
［付記１］
磁気検出素子（２０）と、
前記磁気検出素子（２０）に対向する対向面（３０Ａ）を有する基板（３０）と、
前記磁気検出素子（２０）と前記基板（３０）との間に配置され、磁束を前記磁気検出素子（２０）に誘導する集磁体（４０）と、を備え、
前記基板（３０）は、前記対向面（３０Ａ）から前記磁気検出素子（２０）とは反対方向に凹む凹部（３１）を有し、
前記集磁体（４０）は、少なくとも一部が前記凹部（３１）内に配置され、
前記集磁体（４０）は、前記凹部（３１）の底面である凹部底面（３２）から前記磁気検出素子（２０）に向けて起立した第１集磁部（４１）を含む、磁気検出装置（１０，１１０）。
磁気検出素子（２０）と、
前記磁気検出素子（２０）に対向する対向面（３０Ａ）を有する基板（３０）と、
前記磁気検出素子（２０）と前記基板（３０）との間に配置され、磁束を前記磁気検出素子（２０）に誘導する集磁体（４０）と、を備え、
前記基板（３０）は、前記対向面（３０Ａ）から前記磁気検出素子（２０）とは反対方向に凹む凹部（３１）を有し、
前記集磁体（４０）は、少なくとも一部が前記凹部（３１）内に配置され、
前記集磁体（４０）は、前記凹部（３１）の底面である凹部底面（３２）から前記磁気検出素子（２０）に向けて起立した第１集磁部（４１）を含む、磁気検出装置（１０，１１０）。
【0081】
［付記２］
前記基板（３０）の厚さ方向において、前記第１集磁部（４１）の前記磁気検出素子（２０）側の端部は、前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）と同じ位置または前記対向面（３０Ａ）よりも前記磁気検出素子（２０）側に位置している、付記１に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記基板（３０）の厚さ方向において、前記第１集磁部（４１）の前記磁気検出素子（２０）側の端部は、前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）と同じ位置または前記対向面（３０Ａ）よりも前記磁気検出素子（２０）側に位置している、付記１に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0082】
［付記３］
前記第１集磁部（４１）は、前記凹部底面（３２）から前記磁気検出素子（２０）に向けて起立した柱状の支持部（４３，４７）と、前記支持部（４３，４７）の表面にコーティングされた磁性体膜（４４）と、を含む、付記１または付記２に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記第１集磁部（４１）は、前記凹部底面（３２）から前記磁気検出素子（２０）に向けて起立した柱状の支持部（４３，４７）と、前記支持部（４３，４７）の表面にコーティングされた磁性体膜（４４）と、を含む、付記１または付記２に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0083】
［付記４］
前記支持部（４３）は、
前記凹部底面（３２）から前記磁気検出素子（２０）に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部（第１支持部４５）と、
前記支持傾斜部（第１支持部４５）の上端（上面４５Ａ）から前記磁気検出素子（２０）に向かって断面積が一定である支持直立部（第２支持部４６）と、
を含み、
前記磁性体膜（４４）は、前記支持傾斜部（第１支持部４５）の表面および前記支持直立部（第２支持部４６）の表面にコーティングされている、付記３に記載の磁気検出装置（１０）。
前記支持部（４３）は、
前記凹部底面（３２）から前記磁気検出素子（２０）に向かって断面積が徐々に減少する支持傾斜部（第１支持部４５）と、
前記支持傾斜部（第１支持部４５）の上端（上面４５Ａ）から前記磁気検出素子（２０）に向かって断面積が一定である支持直立部（第２支持部４６）と、
を含み、
前記磁性体膜（４４）は、前記支持傾斜部（第１支持部４５）の表面および前記支持直立部（第２支持部４６）の表面にコーティングされている、付記３に記載の磁気検出装置（１０）。
【0084】
［付記５］
前記支持傾斜部（第１支持部４５）は、前記基板（３０）と同じ材料により構成されており、
前記支持直立部（第２支持部４６）は、前記基板（３０）と異なる材料により構成されている、付記４に記載の磁気検出装置（１０）。
前記支持傾斜部（第１支持部４５）は、前記基板（３０）と同じ材料により構成されており、
前記支持直立部（第２支持部４６）は、前記基板（３０）と異なる材料により構成されている、付記４に記載の磁気検出装置（１０）。
【0085】
［付記６］
前記基板（３０）の厚さ方向において、前記支持傾斜部（第１支持部４５）の長さ（Ｌ２）は、前記支持直立部（第２支持部４６）の長さ（Ｌ３）よりも長い、付記５に記載の磁気検出装置（１０）。
前記基板（３０）の厚さ方向において、前記支持傾斜部（第１支持部４５）の長さ（Ｌ２）は、前記支持直立部（第２支持部４６）の長さ（Ｌ３）よりも長い、付記５に記載の磁気検出装置（１０）。
【0086】
［付記７］
前記基板３０の厚さ方向において、前記支持傾斜部（第１支持部４５）の長さ（Ｌ２）は、前記支持直立部（第２支持部４６）の長さ（Ｌ３）よりも短い、付記５に記載の磁気検出装置（１０）。
前記基板３０の厚さ方向において、前記支持傾斜部（第１支持部４５）の長さ（Ｌ２）は、前記支持直立部（第２支持部４６）の長さ（Ｌ３）よりも短い、付記５に記載の磁気検出装置（１０）。
【0087】
［付記８］
前記支持直立部（第２支持部４６）の少なくとも一部は、前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）よりも前記磁気検出素子（２０）側に位置している、付記４～７のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記支持直立部（第２支持部４６）の少なくとも一部は、前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）よりも前記磁気検出素子（２０）側に位置している、付記４～７のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0088】
［付記９］
前記第１集磁部（４１）の側面（集磁側面４１Ｂ）の少なくとも一部は、前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）に対して直交している、付記１～８のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記第１集磁部（４１）の側面（集磁側面４１Ｂ）の少なくとも一部は、前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）に対して直交している、付記１～８のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0089】
［付記１０］
前記第１集磁部（４１）は、前記基板（３０）の厚さ方向を高さ方向とする直方体形状である、付記９に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記第１集磁部（４１）は、前記基板（３０）の厚さ方向を高さ方向とする直方体形状である、付記９に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0090】
［付記１１］
前記集磁体（４０）は、前記基板（３０）の厚さ方向から見た平面視において、前記第１集磁部（４１）よりも側方に突出した第２集磁部（４２）を含み、
前記集磁体（４０）は、前記第２集磁部（４２）を貫く磁束を、前記第１集磁部（４１）を介して前記磁気検出素子（２０）に誘導するものである、付記１～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記集磁体（４０）は、前記基板（３０）の厚さ方向から見た平面視において、前記第１集磁部（４１）よりも側方に突出した第２集磁部（４２）を含み、
前記集磁体（４０）は、前記第２集磁部（４２）を貫く磁束を、前記第１集磁部（４１）を介して前記磁気検出素子（２０）に誘導するものである、付記１～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0091】
［付記１２］
前記第２集磁部（４２）は、前記平面視において、矩形状の外形を有する、付記１０に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記第２集磁部（４２）は、前記平面視において、矩形状の外形を有する、付記１０に記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【0092】
［付記１３］
前記基板（３０）は、Ｓｉ基板である、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
前記基板（３０）は、Ｓｉ基板である、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０）。
【符号の説明】
【0093】
α…角
Ｅ…外部電極
Ｌ１～Ｌ４，Ｌ６…長さ
Ｌ５…離隔距離
Ｓ…回路基板
Ｗ…ワイヤ
１０，１１０…磁気検出装置
２０…磁気検出素子
２１…センサ部
２２…電極パッド
３０…基板
３０Ａ…対向面
３０Ｂ…裏面
３１…凹部
３２…凹部底面
３３…凹部側面
４０…集磁体
４１…第１集磁部
４１Ａ…集磁対向面
４１Ｂ…集磁側面
４１Ｃ…第１部分
４１Ｄ…第２部分
４２…第２集磁部
４２Ａ…基端部
４２Ｂ…先端部
４２Ｃ…辺部
４３，４７…支持部
４３Ａ…上面
４３Ｂ…側面
４４…磁性体膜
４５…第１支持部
４５Ａ…上面
４６…第２支持部
４７…支持部
４７Ａ…上面
４７Ｂ…側面
５０…絶縁層
５０Ａ…上面
Ｅ…外部電極
Ｌ１～Ｌ４，Ｌ６…長さ
Ｌ５…離隔距離
Ｓ…回路基板
Ｗ…ワイヤ
１０，１１０…磁気検出装置
２０…磁気検出素子
２１…センサ部
２２…電極パッド
３０…基板
３０Ａ…対向面
３０Ｂ…裏面
３１…凹部
３２…凹部底面
３３…凹部側面
４０…集磁体
４１…第１集磁部
４１Ａ…集磁対向面
４１Ｂ…集磁側面
４１Ｃ…第１部分
４１Ｄ…第２部分
４２…第２集磁部
４２Ａ…基端部
４２Ｂ…先端部
４２Ｃ…辺部
４３，４７…支持部
４３Ａ…上面
４３Ｂ…側面
４４…磁性体膜
４５…第１支持部
４５Ａ…上面
４６…第２支持部
４７…支持部
４７Ａ…上面
４７Ｂ…側面
５０…絶縁層
５０Ａ…上面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】