特開 2024-91076 転写装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024091076

(43)【公開日】2024-07-04

(54)【発明の名称】転写装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20240627BHJP

   B23K 26/57 20140101ALI20240627BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 C

B23K26/57

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022207386

(22)【出願日】2022-12-23

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】江川 航平

(72)【発明者】

【氏名】岡田 達弥

(72)【発明者】

【氏名】陣田 敏行

(72)【発明者】

【氏名】風間 浩一

(72)【発明者】

【氏名】藤重 遥

(72)【発明者】

【氏名】新井 義之

【テーマコード（参考）】

4E168

5F047

【Ｆターム（参考）】

4E168AD18

4E168AE05

4E168CB04

4E168CB07

4E168DA25

4E168EA05

4E168EA15

4E168EA20

4E168JA14

5F047FA02

(57)【要約】

【課題】活性エネルギー線が照射された箇所が必要以上に密集することを防ぐことができる転写装置を提供する。
【解決手段】転写基板２２へ活性エネルギー線１１を照射することによって転写基板２２が保持する素子２１を被転写基板２３へ転写する転写装置１０であり、間欠的に活性エネルギー線１１を出射するエネルギー出射部１２と、転写基板２２に対するエネルギー出射部１２から出射された活性エネルギー線１１の照射位置を制御する照射位置制御部１５と、を備え、照射位置制御部１５による転写基板２２への活性エネルギー線１１の照射位置の移動速度に応じて転写基板２２への活性エネルギー線の照射時間間隔が調節される。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

転写基板へ活性エネルギー線を照射することによって当該転写基板が保持する素子を被転写基板へ転写する転写装置であり、
間欠的に活性エネルギー線を出射するエネルギー出射部と、
前記転写基板に対する前記エネルギー出射部から出射された活性エネルギー線の照射位置を制御する照射位置制御部と、
を備え、
前記照射位置制御部による前記転写基板への活性エネルギー線の照射位置の移動速度に応じて前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が調節されることを特徴とする、転写装置。

【請求項2】

活性エネルギー線の照射位置の移動方向が変更されるときに、前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が比較的長く調節されることを特徴とする、請求項１に記載の転写装置。

【請求項3】

前記転写基板が保持する一つの素子の保持領域に対して照射位置を変更しながら複数回活性エネルギー線を照射することによって素子を前記被転写基板へ転写することを特徴とする、請求項１に記載の転写装置。

【請求項4】

前記エネルギー出射部による活性エネルギー線の出射時間間隔は調節可能であり、当該出射時間間隔が調節されることにより前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が調節されることを特徴とする、請求項１に記載の転写装置。

【請求項5】

前記エネルギー出射部から出射された活性エネルギー線が前記転写基板へ照射されることを阻止する照射阻止部をさらに有し、当該照射阻止部が作動することによって前記エネルギー出射部から出射された活性エネルギー線の一部を前記転写基板へ到達させなくすることにより、前記転写基板への前記活性エネルギー線の照射時間間隔を長くすることを特徴とする、請求項１に記載の転写装置。

【請求項6】

前記照射阻止部は音響光学素子であることを特徴とする、請求項５に記載の転写装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光エネルギーを転写基板に照射することにより素子を被転写基板へ転写する転写装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。

【0003】

特許文献１には、アブレーション技術を用いて素子を転写する素子の転写装置が開示されている。この素子の転写装置では、レーザビームを発生させるレーザ光源と、そのレーザ光源からのレーザビームを所要の方向に反射させる反射手段と、その反射手段と連動してレーザビームの照射及び非照射を制御する制御手段とを有するレーザ照射装置を用いて、転写基板上に複数配列された素子の一部に対してレーザビームを選択的に照射し、素子を保持する層のアブレーション（溶発）を発生させる。この選択的なアブレーションによって素子の一部が被転写基板上に転写される。すなわち、レーザリフトオフにより素子が転写基板から被転写基板へ転写される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００６－０４１５００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１で示される転写装置では、反射手段が折り返す動作をする場合など加減速状態となるときに転写基板上でレーザが照射された箇所が密集するおそれがあった。特に図７に示すように転写基板１２２における一つの素子１２１の保持領域に照射位置を変えながら複数のレーザ光１１１を照射することによって素子１２１の転写を行う場合、レーザが照射された箇所が密集する箇所において素子１２１がダメージを受け、素子１２１に割れなどが生じる可能性があるという問題があった。

【0006】

本願発明は、上記問題点を鑑み、活性エネルギー線が照射された箇所が必要以上に密集することを防ぐことができる転写装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために本発明の転写装置は、転写基板へ活性エネルギー線を照射することによって当該転写基板が保持する素子を被転写基板へ転写する転写装置であり、間欠的に活性エネルギー線を出射するエネルギー出射部と、前記転写基板に対する前記エネルギー出射部から出射された活性エネルギー線の照射位置を制御する照射位置制御部と、を備え、前記照射位置制御部による前記転写基板への活性エネルギー線の照射位置の移動速度に応じて前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が調節されることを特徴としている。

【0008】

本発明の転写装置によれば、加減速状態であるときのように転写基板への活性エネルギー線の照射位置の移動速度が比較的遅いときには前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が比較的長くなるよう調節されることにより、活性エネルギー線が照射された箇所が密集することを防ぐことができる。

【0009】

また、活性エネルギー線の照射位置の移動方向が変更されるときに、前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が比較的長く調節されると良い。

【0010】

このように活性エネルギー線の照射位置の移動方向が変更されるときには活性エネルギー線の照射位置の移動速度の減速が伴うため、そのときに活性エネルギー線が照射された箇所が密集することを防ぐことができる。

【0011】

また、前記転写基板が保持する一つの素子の保持領域に対して照射位置を変更しながら複数回活性エネルギー線を照射することによって素子を前記被転写基板へ転写する場合に本発明が好適に用いられる。

【0012】

また、前記エネルギー出射部による活性エネルギー線の出射時間間隔は調節可能であり、当該出射時間間隔が調節されることにより前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が調節されると良い。

【0013】

こうすることにより、加減速状態であるときの前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が長くなるようにすることができる。

【0014】

また、前記エネルギー出射部から出射された活性エネルギー線が前記転写基板へ照射されることを阻止する照射阻止部をさらに有し、当該照射阻止部が作動することによって前記エネルギー出射部から出射された活性エネルギー線の一部を前記転写基板へ到達させなくすることにより、前記転写基板への前記活性エネルギー線の照射時間間隔を長くすると良い。

【0015】

また、このとき前記照射阻止部は音響光学素子であると良い。

【0016】

こうすることにより、仮にエネルギー出射部からの活性エネルギー線の出射時間間隔が一定であっても、照射位置の移動速度が比較的遅いときの前記転写基板への活性エネルギー線の照射時間間隔が長くなるようにすることができる。

【発明の効果】

【0017】

本発明の転写装置により、活性エネルギー線が照射された箇所が必要以上に密集することを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一実施形態における転写装置を説明する図である。

【図2】図１に示す転写装置による転写基板へのレーザ光の照射状態を表す図である。

【図3】図２に示す照射状態を形成させるための機器のデータ授受形態の例である。

【図4】本発明の他の実施形態における転写装置を説明する図である。

【図5】図４に示す転写装置による転写基板へのレーザ光の照射状態を表す図である。

【図6】レーザ光の照射スポットの軌跡の一例を表す図である。

【図7】従来の転写装置による転写基板へのレーザ光の照射状態を表す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

本発明の一実施形態における転写装置について、図１を参照して説明する。

【0020】

転写装置１０は、レーザ光１１を照射するレーザ出射部１２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１３、転写基板把持部１３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１を転写する。

【0021】

レーザ出射部１２は、本発明におけるエネルギー出射部の一実施形態であり、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１１を間欠的に出射する装置であり、転写装置１０に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ出射部１２はスポット状のレーザ光１１を出射し、レーザ光１１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１５およびｆθレンズ１６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２に複数配置されている素子２１に選択的に照射する。レーザ光１１が転写基板２２を通して素子２１近傍に入射することによって、転写基板２２と素子２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるアブレーションが生じ、このアブレーションによって素子２１は付勢され、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１が転写される。なお、本説明では素子２１はたとえば半導体チップである。また、ガルバノミラー１５のようにレーザ光１１の照射位置を制御する部材を本説明では照射位置制御部とも呼ぶ。

【0022】

転写基板把持部１３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ出射部１２から発せられたレーザ光１１を当てることができる。

【0023】

転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１１を透過することが可能な基板であり、下面側で素子２１を保持する。また、この転写基板２２の素子２１を保持する面には図２（ａ）に示すようにリリース層２４が形成されており、このリリース層２４の表面は粘着性を有する。このリリース層２４の表面の粘着力が素子２１の保持力となり、素子２１を粘着保持する。また、このリリース層２４はレーザ光１１が照射されることによりアブレーションが生じ、分解されてガス化することにより消失する。

【0024】

また、転写基板把持部１３は図示しない移動機構により、少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に関して被転写基板把持部１４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持された素子２１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。

【0025】

被転写基板把持部１４は、上面に平坦面を有し、素子２１の転写工程中、転写基板２２のリリース層２４およびリリース層２４が保持する素子２１と被転写基板２３の被転写面が対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（素子２１が転写されない方の面）を把持する。

【0026】

ここで、本実施形態における被転写基板２３は、ガラスなどを材料とする基板であり、図２（ａ）に示すように被転写面（素子２１を受ける側の面）には、粘着性を有するキャッチ層２５が設けられ、転写基板２２から転写された素子２１を粘着保持する。

【0027】

なお、本実施形態では、転写基板把持部１３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とがＸＹ方向に相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。

【0028】

以上の構成を有する転写装置１０において、素子２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通して素子２１に向けてレーザ光１１が照射され、リリース層２４にレーザ光１１が照射されることによって、レーザ光１１のエネルギーによってリリース層２４の材料の一部が分解され、ガスが発生する。そして、転写基板２２における一つの素子２１の保持領域において、このリリース層２４の材料の分解およびガスの発生が行われることにより、リリース層２４の内部もしくは転写基板２２とリリース層２４の境界部にブリスタ２４ａが形成される。ブリスタ２４ａが形成されたとき、リリース層２４の表面と素子２１の接触面積が減少するのと同時にリリース層２４による素子２１の保持力が減少し、その結果素子２１は転写基板２２から離れ、被転写基板２３へと移動する。すなわち、レーザリフトオフが行われる。

【0029】

本実施形態の転写装置による転写基板へのレーザ光の照射状態を図２に示す。図２（ａ）は、レーザ出射部におけるレーザ光の出射状態、図２（ｂ）は、図１におけるＡＡ矢視図であり、転写基板に対するレーザ光の照射状態である。

【0030】

本実施形態では、図２（ｂ）に示す通り、転写基板２２に設けられたリリース層２４における一つの素子２１が保持されている領域（図２（ｂ）における破線部）において照射位置を変更しながらレーザ光１１を複数回照射することにより、素子２１を転写基板２２から被転写基板２３へ転写する。このレーザ光１１の照射位置（以下、照射スポットとも呼ぶ）の変更は、本実施形態では前述の通り照射位置制御部であるガルバノミラー１５によって行われる。

【0031】

このとき、本実施形態におけるレーザ光１１の照射スポットの移動の軌跡は、図２（ｂ）に示すようにＸ軸方向の直線状の移動、移動方向の９０度回転、Ｙ軸方向の直線状の移動、移動方向の９０度回転、が繰り返されて、略渦巻き形態となっている。

【0032】

ここで、照射スポットの軌跡がこのような略渦巻き形態になるようにガルバノミラー１５によって転写基板２２（リリース層２４）上のレーザ光１１の照射位置を制御する場合、照射スポットが直線状に移動するときは移動速度を一定（速度Ｖ１とする）とすることは可能である一方、本実施形態における９０度回転のように移動方向の変更が行われるときには、照射スポットの移動速度には速度Ｖ１からの減速および速度Ｖ１までの加速が発生し、速度Ｖ１に対して比較的遅い移動速度となる。

【0033】

このとき仮にリリース層２４へのレーザ光１１の照射タイミングが一定であった場合には、図７に示したようにレーザ光１１が実際に照射された箇所が密集することになり、リリース層２４が消失してなおレーザ光１１が照射され、素子２１にダメージが与えられる可能性がある。

【0034】

これに対し、本発明では、照射位置制御部（ガルバノミラー１５）による転写基板２２へのレーザ光１１の照射位置の移動速度に応じて、転写基板２２へのレーザ光１１の照射時間間隔が調節される。具体的には、転写基板２２へのレーザ光１１の照射位置の移動速度が所定の速度Ｖ１であって比較的速い状態であるときには転写基板２２へのレーザ光１１の照射時間間隔に対し、この所定の速度Ｖ１に達するまでの加減速状態であるときのように比較的移動速度が遅い状態のときには転写基板２２へのレーザ光１１の照射時間間隔が比較的長くなるよう調節されている。

【0035】

本実施形態では、さらに具体的には、図２（ｂ）に示す例において照射スポットが所定の速度Ｖ１で直線状に移動する状態におけるレーザ光１１の照射時間間隔（たとえば照射予定位置２６ａに照射するためのレーザ光１１ａのトリガパルス（図２（ａ）参照）と照射予定位置２６ｂに照射するためのレーザ光１１ｂのトリガパルスの時間間隔）は、図２（ａ）に示す時間間隔Ｔ１であるとする。

【0036】

これに対し、照射予定位置２６ｃへのレーザ光１１の照射の前後では照射スポットの移動方向が変更されるために照射スポットの移動速度には速度Ｖ１からの減速および速度Ｖ１までの加速が発生するため、照射スポットが照射予定位置２６ｂから照射予定位置２６ｃに到達するための時間および照射予定位置２６ｃから照射予定位置２６ｄに到達するための時間は照射スポットが照射予定位置２６ａから照射予定位置２６ｂに到達するための時間よりも長くなる。これに応じ、照射予定位置２６ｂに照射するレーザ光１１ｂのトリガパルスと照射予定位置２６ｃに照射するレーザ光１１ｃのトリガパルスとの時間間隔Ｔ２は、時間間隔Ｔ１よりも長く設定されている。また、レーザ光１１ｃのトリガパルスと照射予定位置２６ｄに照射するレーザ光１１ｄのトリガパルスとの時間間隔も、同様に時間間隔Ｔ２とされている。

【0037】

こうすることにより、照射スポットの移動方向が変更される箇所のように移動速度の加減速が伴う箇所において実際にレーザ光１１が照射される箇所が密集することを防ぐことができる。そのため、必要量を超えるエネルギーがレーザ光１１によってリリース層２４ひいては素子２１に局所的に付与されることを防ぐことができる。

【0038】

上記の通りレーザ光１１の照射時間間隔を調節するための機器構成およびデータの授受形態を図３（ａ）に示す。

【0039】

本実施形態では、ガルバノミラー１５の角度を調節するガルバノモータ４１とガルバノモータ４１の動作を制御するガルバノコントローラ４２とが配線で連結されており、そのガルバノコントローラ４２とレーザ出射部１２とが配線で連結されている。

【0040】

また、図示しない制御部には、一つの素子２１を転写させるためにリリース層２４に照射するレーザ光１１の複数の照射予定位置のデータ、および照射スポットの移動パターンのデータがあらかじめ保存されており、この移動パターンのデータがガルバノコントローラ４２に入力されたときに、この移動パターンを実現させるための動作指令がガルバノコントローラ４２からガルバノモータ４１に発せられる。そして、この動作指令に基づいてガルバノモータ４１が駆動し、ガルバノミラー１５の角度が連続的に変化することにより、所定の移動パターンに従ってリリース層２４にレーザ光１１が照射される。

【0041】

ここで、ガルバノコントローラ４２は、ガルバノモータ４１の速度、加減速を考慮して、上記移動パターン上に設定されているレーザ光１１の各照射予定位置への到達時刻を算出する。また、本実施形態ではガルバノコントローラ４２はレーザ出射部１２にレーザ光１１を出射（出力）するためのトリガとなるトリガパルスを送信するトリガ回路も兼ねており、上記到達時刻毎にガルバノコントローラ４２がレーザ出射部１２へトリガパルスを発信することにより、リリース層２４上の任意の照射予定位置にレーザ光１１を照射する。

【0042】

ここで、ガルバノコントローラ４２は上記の通りガルバノモータ４１の加減速を考慮して各照射予定位置への到達時間を算出するため、ガルバノモータ４１の加減速により不用意に実際にレーザ光１１が照射された箇所が密集することを防ぐことができる。

【0043】

なお、上記のレーザ光１１の複数の照射予定位置のデータ、および照射スポットの移動パターンのデータは、オペレータが手入力で作成しても良く、また、ＡＩなどを利用して図示しない制御部が自動的に生成しても良い。このとき、自動的に生成させるためのパラメータとして、素子２１の形状情報、レーザ出射部１２から出射されるレーザ光１１の情報（エネルギー、形状など）、リリース層２４をアブレーションさせるために必要なエネルギー情報などが準備されると良い。

【0044】

ここで、転写装置１０は出射するレーザ光１１の時間間隔だけでなく出力も調節可能であっても良い。そして、上記加減速状態である時にその他の状態の時よりもレーザ光１１の出力を小さくすることにより、必要量を超えるエネルギーがレーザ光１１によって局所的に付与されることをさらに防ぐことができる。

【0045】

次に、レーザ光１１の照射時間間隔を調節するための他の実施形態における機器構成およびデータの授受形態を図３（ｂ）に示す。

【0046】

本実施形態では、ガルバノモータ４１がガルバノコントローラ４２およびトリガ回路４３に配線で連結されている。このトリガ回路４３は、レーザ出射部１２にレーザ光１１を出射（出力）するためのトリガとなるトリガパルスを送信するものであり、レーザ出射部１２と配線で連結されている。

【0047】

また、図示しない制御部には、一つの素子２１を転写させるためにリリース層２４に照射するレーザ光１１の複数の照射位置のデータ、およびレーザ光１１の照射スポットの移動パターンのデータがあらかじめ保存されている。

【0048】

そして、ガルバノモータ４１からガルバノコントローラ４２およびトリガ回路４３にガルバノモータ４１の位置情報が連続して送信される。そして、ガルバノモータ４１の位置情報がレーザ光１１の照射予定位置に相当することをトリガ回路４３が確認したときに、トリガ回路４３がレーザ出射部１２へトリガパルスを発信することにより、リリース層２４に設けられた各照射予定位置にレーザ光１１が照射される。

【0049】

この実施形態の場合、トリガ回路４３はガルバノモータ４１の位置情報から判断してトリガパルスを発信するため、所定の照射予定位置に到達する時間に関わらず、照射スポットがその照射予定位置に到達したときにレーザ出射部１２からレーザ光１１が出射される。そのため、照射スポットの移動速度やその加減速に関わらず、所望の位置にレーザ光１１を照射することができ、結果的に照射スポットの移動速度が所定の速度である状態であるときの転写基板２２へのレーザ光１１の照射時間間隔に対し、この所定の速度に達するまでの加減速状態であるときの転写基板２２へのレーザ光１１の照射時間間隔が長くなる。

【0050】

また、ガルバノコントローラ４２とトリガ回路４３が別個に設けられていることにより、ガルバノモータ４１の動作を止めずにレーザ出射部１２からレーザ光１１を出射することができる。

【0051】

なお、このとき、トリガ回路４３自身がガルバノモータ４１から送信された位置情報を速度情報に変換することによってガルバノモータ４１の速度を検知し、図３（ａ）の例と同様にガルバノモータ４１の速度情報をもとにレーザ光１１の出射時間間隔を調整する形態であっても良い。

【0052】

次に、本発明の他の実施形態における転写装置を、図４および５を用いて説明する。

【0053】

本実施形態における転写装置１０は、図１に示した転写装置に対して、レーザ出射部１２からガルバノミラー１５に到達するまでのレーザ光１１の経路に照射阻止部３０が設けられていることが異なる。

【0054】

照射阻止部３０は、自身が作動しているときにはレーザ出射部１２から出射されたレーザ光１１を転写基板２２へ到達させなくする部材である。

【0055】

本実施形態では、照射阻止部３０は音響光学素子（Ａｃｏｕｓｔｏ－ｏｐｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ、ＡＯＭ）であり、作動することによりレーザ光１１を回折させる。レーザ出射部１２から出射し、この音響光学素子３０の作動により回折したレーザ光１１は、図５（ａ）に示すようにガルバノミラー１５に当たらない経路を進む。そのため、音響光学素子３０が作動した場合、レーザ出射部１２から出射したレーザ光１１は転写基板２２に照射されずに間引かれる形となる。

【0056】

図５（ｂ）は、本実施形態の転写装置による転写基板へのレーザ光の照射状態を表す図であり、図４におけるＢＢ矢視図である。

【0057】

本実施形態では図２に示したようにレーザ出射部１２からのレーザ光１１の出射の時間間隔に特に差は設けておらず、一定の時間間隔で間欠的にレーザ光１１が出射されるようになっている。そのため、ガルバノミラー１５が加減速状態であって比較的低速になっている場合にはレーザ光１１が照射されるであろう箇所は密集する。

【0058】

ここで、このようなガルバノミラー１５が加減速状態である場合には音響光学素子３０が作動して適度にレーザ出射部１２から出射されたレーザ光１１がリリース層２４に到達するのを阻止することにより、リリース層２４にレーザ光１１が実際に照射された箇所が密集することを防ぐことができる。

【0059】

特に、本実施形態ではレーザ出射部１２から出射されるレーザ光１１の出射時間間隔は一定であっても構わないため、レーザ光１１の出射が安定する。そのため、いわゆるジャイアントパルスが発生することを抑止することができる。

【0060】

以上の転写装置により、活性エネルギー線が照射された箇所が必要以上に密集することを防ぐことが可能である。

【0061】

ここで、本発明の転写装置は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、上記の説明では一つの素子に対し照射位置を変更しながら複数回レーザ光を照射することによって素子を転写基板から被転写基板へ転写しているが、これに限らずたとえば１回のレーザ光の照射で一つの素子を転写する場合であっても本発明の転写装置を用いても良い。

【0062】

また、上記の説明では、レーザ光の照射スポットの軌跡は略渦巻き状であるが、これに限らずたとえば図６に示すようにプラスＸ方向の直線状の移動、マイナスＹ方向のシフトを伴った移動方向の反転、マイナスＸ方向の直線状の移動、マイナスＹ方向のシフトを伴った移動方向の反転、が繰り返された形態、すなわち略ジグザク形態であっても良い。この場合、照射スポットの移動方向が反転するときに移動速度の減速および加速が生じるため、このときに上記の実施形態と同様にレーザ光の照射時間間隔を比較的長くすることにより、レーザ光が照射された箇所が密集することを回避することができる。

【0063】

また、上記の説明では、転写基板のリリース層はレーザ光の照射により内部にブリスタを形成し、その結果素子をリリースするものであるが、これに限らずたとえばレーザ光の照射によりガスの発生とともに消失するものであっても良い。

【0064】

また、上記の説明では、照射阻止部は音響光学素子であるが、これに限らずたとえばミラー、シャッターなどであっても良い。

【0065】

また、上記の説明の通りレーザ光の照射時間間隔を比較的長くするタイミングは、必ずしも照射スポットの移動方向を変更するときに限らない。

【符号の説明】

【0066】

１０ 転写装置
１１ レーザ光（活性エネルギー線）
１１ａ～１１ｄ レーザ光
１２ レーザ出射部（エネルギー出射部）
１３ 転写基板把持部
１４ 被転写基板把持部
１５ ガルバノミラー（照射位置制御部）
１６ Ｆθレンズ
２１ 素子
２２ 転写基板
２２ａ ガラス面
２３ 被転写基板
２４ リリース層
２４ａ ブリスタ
２５ キャッチ層
２６ａ～ｄ 照射予定位置
３０ 音響光学素子（照射阻止部）
４１ ガルバノモータ
４２ ガルバノコントローラ
４３ トリガ回路
１１１ レーザ光
１２１ 素子
１２２ 転写基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】