特開 2024-91240 プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024091240

(43)【公開日】2024-07-04

(54)【発明の名称】プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/09 20060101AFI20240627BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240627BHJP

【ＦＩ】

H05K1/09 C

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023104449

(22)【出願日】2023-06-26

(31)【優先権主張番号】10-2022-0181410

(32)【優先日】2022-12-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】全 美貞

(72)【発明者】

【氏名】梁 玄錫

(72)【発明者】

【氏名】柳 泰熙

(72)【発明者】

【氏名】朴 贊珍

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

【Ｆターム（参考）】

4E351AA03

4E351AA04

4E351BB01

4E351BB33

4E351BB35

4E351BB38

4E351CC06

4E351CC07

4E351DD04

4E351DD05

4E351DD06

4E351DD10

4E351DD11

4E351DD12

4E351DD19

4E351DD21

4E351DD52

4E351GG20

5E316AA02

5E316AA15

5E316AA43

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC39

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF05

5E316FF07

5E316FF08

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG17

5E316HH26

(57)【要約】

【課題】微細な金属層を実現することができ、微細な金属層が様々な構成に適用されることができ、信頼性を向上させることができるプリント回路基板とプリント回路基板及び製造方法を提供する。
【解決手段】本開示を介して提案する様々な解決手段の一つは、第１絶縁層、第１絶縁層上に配置され、側面に第１酸化領域を含む第１金属層、及び第１金属層上に配置される第２金属層を含むプリント回路基板及び第１絶縁層上に第１金属層を形成する段階、第１金属層の一部上に第２金属層を形成する段階、第１金属層の他の一部を酸化して第１酸化領域を形成する段階、及び第１酸化領域の少なくとも一部を除去する段階を含むプリント回路基板の製造方法に関するものである。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置され、側面に第１酸化領域を含む第１金属層と、
前記第１金属層上に配置される第２金属層と、を含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記第１金属層は金属粒子を含み、
前記第１酸化領域は金属粒子及び金属酸化物粒子を含み、
前記第１酸化領域には、前記金属粒子間に前記金属酸化物粒子が配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記第２金属層は、側面に第２酸化領域を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第１金属層及び前記第２金属層は金属粒子を含み、
前記第１酸化領域及び前記第２酸化領域は金属粒子及び金属酸化物粒子を含み、
前記第１酸化領域及び前記第２酸化領域には、それぞれ前記金属粒子間に前記金属酸化物粒子が配置される、請求項３に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１金属層及び前記第２金属層の積層方向に垂直な方向への前記第２酸化領域の厚さは、前記第１金属層及び前記第２金属層の積層方向に垂直な方向への前記第１酸化領域の厚さよりも厚い、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記第１金属層及び前記第２金属層の積層方向への前記第２金属層の厚さは、前記第１金属層及び前記第２金属層の積層方向への前記第１金属層の厚さよりも厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記第１酸化領域は、前記第２金属層の側面よりも突出している、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記第１金属層は、前記第２金属層とは異なる金属を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第１絶縁層上に配置される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の少なくとも一部を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の内壁に沿って配置され、前記第２絶縁層の上面の少なくとも一部に延び、側面に第３酸化領域を含む第３金属層と、
前記貫通孔を満たすように前記第３金属層上に配置され、側面に第４酸化領域を含む第４金属層と、をさらに含む、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第２絶縁層上に配置されるソルダーレジスト層をさらに含む、請求項９に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

第１絶縁層上に第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層の一部上に第２金属層を形成する段階と、
前記第１金属層の他の一部を酸化して第１酸化領域を形成する段階と、
前記第１酸化領域の少なくとも一部を除去する段階と、を含む、プリント回路基板の製造方法。

【請求項12】

前記第１酸化領域を形成する段階において、前記第１酸化領域は、前記第２金属層の下面上に配置された第１金属層の一部にさらに形成される、請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項13】

前記第１酸化領域を形成する段階の前に、
前記第２金属層上にマスクを配置する段階をさらに含む、請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記第１酸化領域を形成する段階は、前記第２金属層の側面の一部を共に酸化して第２酸化領域を形成する段階を含む、請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項15】

前記第１酸化領域の少なくとも一部を除去する段階は、ドライエッチング工法で行われる、請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記第１金属層を形成する段階は、無電解めっきで行われ、
前記第２金属層を形成する段階は、電解めっきで行われる、請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

最近、モバイル機器の軽量化、小型化の傾向に対応するために、これに実装されるプリント回路基板も軽薄短小化を実現する必要性が徐々に増加している。一方、モバイル機器の軽薄短小化とともに、微細回路を実現する過程中でアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）現象が発生するが、これは微細回路の不良を引き起こす可能性がある。これに対する技術的要求に応えて、回路の線幅と間隔が微細な回路を実現しながらも信頼性を向上させるための研究が続いている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の様々な目的の一つは、微細な金属層を実現することができるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供することである。

【0004】

本開示の様々な目的の他の一つは、微細な金属層が様々な構成に適用されることができるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供することである。

【0005】

本開示の様々な目的の他の一つは、信頼性を向上させることができるプリント回路基板とプリント回路基板及び製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示によって提案する様々な解決手段のうち一つは、第１絶縁層、第１絶縁層上に配置され、側面に第１酸化領域を含む第１金属層、及び第１金属層上に配置される第２金属層を含むプリント回路基板を提供することである。

【0007】

本開示によって提案する様々な解決手段のうち他の一つは、第１絶縁層上に第１金属層を形成する段階、第１金属層の一部上に第２金属層を形成する段階、第１金属層の他の一部を酸化して第１酸化領域を形成する段階、及び第１酸化領域の少なくとも一部を除去する段階を含むプリント回路基板の製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0008】

本開示の様々な効果の一つとして、微細な金属層を実現することができるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供することができる。

【0009】

本開示の様々な効果の他の一つとして、微細な金属層が様々な構成に適用されることができるプリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法を提供することができる。

【0010】

本開示の様々な効果の他の一つとして、信頼性を向上させることができるプリント回路基板とプリント回路基板及び製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【図3】一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【図4】他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【図5】さらに他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【図6】さらに他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【図7】さらに他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【図8】一例によるプリント回路基板の製造方法を概略的に示した断面図である。

【図9】一例によるプリント回路基板の製造方法を概略的に示した断面図である。

【図10】他の一例によるプリント回路基板の製造方法を概略的に示した断面図である。

【図11】他の一例によるプリント回路基板の製造方法を概略的に示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付の図面を参照して本開示について説明する。図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）されることがある。

【0013】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。

【0014】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／または電気的に連結されている。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0015】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップと、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の形態のチップ関連の電子部品が含まれることもできる。さらに、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることもできる。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であることもできる。

【0016】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されず、これ以外にもその他の多数の無線または有線標準やプロトコルのいずれかが含まれ得る。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わせることもできる。

【0017】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ｆｉｌｔｅｒ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の様々な用途のために用いられるチップ部品の形態の受動素子などが含まれ得る。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／またはネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることもできる。

【0018】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／または電気的に連結されるか、または連結されない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例を挙げると、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）なども挙げられる。これ以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることもできる。

【0019】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであることができる。但し、これらに限定されず、これ以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であることもできる。

【0020】

図２は、電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。

【0021】

図面を参照すると、電子機器は例えば、スマートフォン１１００であり得る。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的及び／または電気的に連結されている。さらに、カメラモジュール１１３０及び／またはスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／または電気的に連結されるか、または連結されない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってよく、例えば、部品パッケージ１１２１であり得るが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／または受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／または受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であることもできる。一方、電子機器は必ずスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよい。

【0022】

プリント回路基板
図３は、一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【0023】

図３を参照すると、一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層１１０、第１絶縁層１１０上に配置される第１金属層２１０、及び第１金属層２１０上に配置される第２金属層２２０を含む。第１金属層２１０は、側面に第１酸化領域２１１を含み、第２金属層２２０は、側面に第２酸化領域２２１を含むことができる。

【0024】

第１絶縁層１１０は絶縁材料を含むことができる。絶縁材料は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこのような樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／またはガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。絶縁材料は、感光性材料及び／または非感光性材料であり得る。例えば、絶縁材料としては、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ－４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）の絶縁材などが用いられることができるが、これに限定されるものではなく、これ以外にも他の高分子素材が用いられ得る。

【0025】

第１金属層２１０は、第１絶縁層１１０上に配置されることができる。第１金属層２１０は、第１絶縁層１１０の上面に配置され、第１絶縁層１１０から突出した構造を有することができるが、これに限定されるものではなく、第１絶縁層１１０に一部埋め込まれた構造を有することもできる。

【0026】

第１金属層２１０は金属粒子４００を含む。金属粒子４００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。第１金属層２１０は、金属粒子４００が配列された形態を有することができる。図３では、金属粒子４００の配列が自由であることを示したが、これに限定されるものではなく、金属粒子４００は一定した結晶粒及び相（ｐｈａｓｅ）を有し、緻密に配列されて第１金属層２１０を構成することができる。このとき、金属粒子４００間または金属粒子４００の配列に応じた結晶粒と相との間には一部空隙が存在することもできるが、このような空隙は原子配列のレベルで観察されることができる。

【0027】

第１金属層２１０はシード層として機能することができる。すなわち、第１金属層２１０は、後述する第２金属層２２０がめっきされるための金属層として機能することができる。一方、第１金属層２１０はこれに限定されず、第２金属層２２０と共に信号伝達の経路を提供することができる。第１金属層２１０は無電解めっきによって形成されることができ、第１絶縁層１１０上に広く形成された後に一部が除去される形態でパターニングされることができる。

【0028】

第２金属層２２０は、第１金属層２１０上に配置されることができる。第２金属層２２０は金属粒子４００を含む。金属粒子４００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。第２金属層２２０の金属粒子４００は銅（Ｃｕ）であることが好ましいが、これに限定されるものではない。第２金属層２２０は、金属粒子４００が配列された形態を有することができる。図３では、金属粒子４００の配列が自由であるように示されているが、これに限定されるものではなく、金属粒子４００は一定の結晶粒及び相（ｐｈａｓｅ）を有し、緻密に配列されて第２金属層２２０を構成することができる。このとき、金属粒子４００間または金属粒子４００の配列に応じた結晶粒と相との間には一部空隙が存在することもできるが、このような空隙は原子配列のレベルで観察されることができる。

【0029】

第２金属層２２０は一般的な回路パターンであることができ、複数のパターンで形成されることができる。複数のパターンは、互いに異なるパターンと電気的に信号を送受信することができ、他の層にさらに配置される金属層と電気的信号を送受信することもできる。一方、複数のパターンは他のパターンと電気的に短絡して機能することもでき、部品が実装されることもできるなど設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。

【0030】

第２金属層２２０は、第１金属層２１０をシード層として電解めっきによって形成されることができる。詳細な工法としては、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、またはサブトラクティブ工法のいずれか一つで形成されることもできるが、これに限定されるものではなく、回路パターンを形成する公知の方法の中からシード層を用いる電解めっきであれば制限なく利用することができる。

【0031】

第１金属層２１０は、第２金属層２２０のめっきのためのシード層として機能することができ、第２金属層２２０はパターンなどとして機能することができるため、第２金属層２２０の厚さは、第１金属層２１０の厚さよりも大きく形成されることができる。このとき、第１金属層２１０の厚さ及び第２金属層２２０の厚さは、それぞれの上面と下面との間の垂直距離を意味することができる。すなわち、第１金属層２１０の厚さ及び第２金属層２２０の厚さは、プリント回路基板の積層方向への厚さを意味する。本開示におけるプリント回路基板の積層方向は、第１金属層２１０上に第２金属層２２０が積層される方向と理解されることができるが、これに限定されるものではなく、第１絶縁層１１０上に第１金属層２１０が積層される方向を意味することもでき、第１絶縁層１１０上に後述する第２絶縁層１２０が積層される方向を意味することもできる。図３では、上下方向がプリント回路基板の積層方向として示されているが、これは例示的な記載に過ぎず、基板の構成が積層される方向として、通常の技術者が困難なく理解できれば通用されることができる。

【0032】

第１金属層２１０の金属材料と第２金属層２２０の金属材料は同一であることができるが、これに制限されず、異なる金属材料を含むこともできる。例えば、第１金属層２１０及び第２金属層２２０は、それぞれ銅（Ｃｕ）を含む金属層であることができるが、これに必ずしも制限されるものではない。また他の例示としては、第１金属層２１０は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などの材料を含み、第２金属層２２０は銅（Ｃｕ）を含むこともできる。すなわち、第１金属層２１０と第２金属層２２０が異なる金属材料を含むことができる。第１金属層２１０の金属材料と第２金属層２２０の金属材料が異なる場合には、製造過程中、第１金属層２１０の他の一部を除去する段階で第１金属層２１０の選択的除去が容易であり得る。第１金属層２１０の選択的除去が容易であることによって、アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）を防止することができる効果を得ることができる。また、第１金属層２１０がチタン（Ｔｉ）である場合には、第２金属層２２０の銅（Ｃｕ）より反応性に優れるため、第１金属層２１０を酸化する段階で酸化される程度がさらに速くなり得る。一方、第１金属層２１０がニッケル（Ｎｉ）である場合には、第２金属層２２０の銅（Ｃｕ）よりも緻密な酸化領域を形成することができる。第１金属層２１０と第２金属層２２０との酸化の程度に差が生じると、第１金属層２１０の第１酸化領域２１１を選択的に除去する上でさらに有利であり得る。

【0033】

第１金属層２１０及び第２金属層２２０は、それぞれ第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１を有することができる。第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１は、金属酸化物粒子５００を含むことができる。第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１は、それぞれ第１金属層２１０の側面及び第２金属層２２０の側面に配置されることができる。第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１は、それぞれ第１金属層２１０及び第２金属層２２０を酸化させて得ることができる。すなわち、金属酸化物粒子５００は、第１金属層２１０及び第２金属層２２０の金属粒子４００が酸化したものであってよく、金属粒子４００との間に金属酸化物粒子５００が分散されることで、第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１を構成することができる。このとき、第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１は、第１金属層２１０の側面及び第２金属層２２０の側面から酸化するため、第１金属層２１０の側面及び第２金属層２２０の側面で金属酸化物粒子５００の分布が最も緻密であり、第１酸化領域２１１の境界及び第２酸化領域２２１の境界に向かうほど分布が希薄であり得る。但し、これに限定されるものではなく、酸化領域の局部では様々な分布を有することもできる。

【0034】

第１金属層２１０内で第１酸化領域２１１の境界は、滑らかな面で構成されなくてもよい。第１酸化領域２１１の境界は、第１金属層２１０の側面に対向する方向に配置される境界面を意味することができる。すなわち、第１酸化領域２１１の境界は、第１金属層２１０の中心部方向に配置される面を境界面として理解することができる。第１酸化領域２１１は、金属粒子４００の間に金属酸化物粒子５００が浸透した構造を有することができるため、第１酸化領域２１１の境界は凹凸面を有することができる。第１酸化領域２１１の境界面は、第１金属層２１０の断面を顕微鏡で観察して確認することができる。一方、これに制限されず、金属酸化物粒子５００の分布を観察して、第１金属層２１０の側面における金属酸化物粒子５００の濃度に対して所定の割合を有する濃度が観察される区間を第１酸化領域２１１の境界面として理解することもできる。第２酸化領域２２１の境界に対する解析は、第１酸化領域２１１の境界に対する解析と同じ基準を適用して解析されることができる。

【0035】

第２酸化領域２２１の厚さは、第１酸化領域２１１の厚さよりも厚いことができる。第１酸化領域２１１の厚さと第２酸化領域２２１の厚さは、プリント回路基板の積層方向への厚さを意味するものではなく、第１金属層２１０の側面から第１酸化領域２１１の境界との間の距離と第２金属層２２０の側面から第２酸化領域２２１の境界との間の距離を意味することができる。すなわち、第１酸化領域２１１の厚さ及び第２酸化領域２２１の厚さは、それぞれプリント回路基板の積層方向に垂直な方向への厚さを意味することができる。これは、第１金属層２１０上に第２金属層２２０が積層される方向に垂直な方向への第１酸化領域２１１の厚さ及び第２酸化領域２２１の厚さを意味する。第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１は、それぞれ均一でない境界面を有することができるため、プリント回路基板の切断面における第１酸化領域２１１の厚さ及び第２酸化領域２２１の厚さは、所定の方法を選択して測定することができる。一例として、第１酸化領域２１１の境界の中からある範囲を選択して、その範囲での境界の中心線を計算して、当該中心線と第１金属層２１０の側面までの距離として計算することができる。また他の一例としては、第１酸化領域２１１の境界の中からある範囲を選択して、その範囲での境界の最も高い５地点での厚さと最も低い５地点での厚さの平均として計算することができる。いずれの方法でも測定基準範囲を変えて測定を繰り返すほど、厚さに対する正確度は向上することができる。但し、これは厚さ測定方法を提示する一つの例示に過ぎず、厚さを測定する方式は公知の方式であれば制限なく使用可能であり、粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を測定する公知の方式を借用して厚さを測定することもできる。但し、第２酸化領域２２１の厚さは、第１酸化領域２１１の厚さ測定方法と同じ基準と方法で測定する必要がある。第２酸化領域２２１の厚さは、約数十ナノメートル（ｎｍ）～数百ナノメートル（ｎｍ）程度、例えば５０ｎｍ～５００ｎｍであることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。すなわち、金属酸化物粒子５００が金属粒子４００の間に浸透して形成されて成す第２酸化領域２２１の厚さは５０ｎｍ～５００ｎｍであることができる。その中でも、第２酸化領域２２１の金属酸化物粒子５００が緻密に形成されて、いわゆる酸化層をなす周辺の厚さは、約５０ｎｍ～１００ｎｍであることができるが、これに制限されるものではない。第２酸化領域２２１の厚さは、第１酸化領域２１１の厚さよりも数十ナノメートル（ｎｍ）厚く形成されることができるが、数値に必ずしも限定されるものではなく、第２酸化領域２２１の厚さが第１酸化領域２１１の厚さよりも厚いことができる。但し、上述した厚さの範囲は、測定方法によって異なるように測定され得ることは上述したとおりである。

【0036】

第１酸化領域２１１の厚さは第１金属層の酸化した程度を表す基準として理解することができ、第２酸化領域２２１の厚さは第２金属層の酸化した程度を表す基準として理解することができる。したがって、第２酸化領域２２１の厚さが第１酸化領域２１１の厚さよりも厚いということは、同じ酸化条件で第２金属層が酸化した程度が第１金属層２１０が酸化した程度よりも大きいということを意味する。これは、プリント回路基板の製造過程中の金属層の酸化段階において、第２金属層２２０は側面が露出しており、直接酸化が進行されるのに対し、第１金属層２１０は除去される一部領域のみが露出しているため、直接酸化が進行せず、露出した面から浸透した酸化領域が残存するためである。これについては、一例によるプリント回路基板の製造方法で詳細に後述する。

【0037】

一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層１１０上に配置される第２絶縁層１２０をさらに含むことができる。第２絶縁層１２０は、第１絶縁層１１０などの絶縁材料群の中から一つの材料を含むことができ、第１絶縁層１１０などの絶縁材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0038】

第２絶縁層１２０は、第１絶縁層１１０上に配置され、第１金属層２１０及び第２金属層２２０を埋め込むことができる。第１金属層２１０及び第２金属層２２０が第２絶縁層１２０に埋め込まれた構造は、第１金属層２１０及び第２金属層２２０の側面と、第２金属層２２０の上面は第２絶縁層１２０によって覆われ、第１金属層２１０の下面は第２絶縁層１２０によって覆われず、第２絶縁層１２０の下面に露出することを意味することができる。

【0039】

図３では、第２絶縁層１２０が第１絶縁層１１０上に配置されるように示されているが、これに限定されるものではなく、図面における上下関係は、便宜上設定された方向に過ぎない。図３の上下が反転したプリント回路基板を考慮すると、キャリア基板を用いて製造されるいわゆるコアレス（ｃｏｒｅｌｅｓｓ）構造でも一例によるプリント回路基板の構造が適用されることができる。

【0040】

一方、一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層１１０の下面、第２絶縁層１２０の上面に配置される絶縁層及び金属層をさらに含むことができ、金属層の層間連結を行うビアをさらに含むことができる。また、これに限定されるものではなく、これ以外にも、他の絶縁層、他の回路パターン、貫通ビア及びキャビティなどプリント回路基板の一般的な構成をさらに含むことができ、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば利用することができる構成をさらに含むことができる。

【0041】

図４は、他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【0042】

図４を参照すると、第１金属層２１０の第１酸化領域２１１は、第２金属層２２０の側面よりも突出している。プリント回路基板の製造段階で第１金属層２１０を酸化した後、第１酸化領域を除去する段階で第１金属層２１０の第１酸化領域２１１が突出した構造を有することができる。第１酸化領域２１１が突出した構造を有するということは、第１酸化領域２１１が第２金属層２２０の側面よりも突出した構造を有することができるということであり、第１酸化領域２１１の除去が完全ではないこともあるということである。第１酸化領域２１１は電気導電性が低いかまたは導電性がないため、プリント回路基板の製造段階中に第１酸化領域２１１を除去する段階で第１酸化領域２１１の一部が残存しても電気的短絡（ｓｈｏｒｔ）の問題は発生しない可能性がある。したがって、第１酸化領域２１１が第２金属層２２０の第２酸化領域２２１の側面に沿って完全に除去されなくても、第１金属層２１０及び第２金属層２２０は信号伝達機能などを円滑に行うことができる。

【0043】

一方、第１金属層２１０の第１酸化領域２１１が第２金属層２２０の側面より突出すること以外の構成のうち、一例によるプリント回路基板と同じ構成は、他の一例によるプリント回路基板にも適用されることができるため、これに関する重複する説明は省略する。

【0044】

図５は、また他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【0045】

図５を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板は、第１金属層２１０の側面の一部が第１酸化領域２１１を含み、第２金属層２２０は第２酸化領域２２１を含まなくてもよい。また他の一例によるプリント回路基板の製造段階の第１金属層２１０の一部を酸化する段階で第２金属層２２０が酸化されないように調節して第１金属層２１０のみを酸化させることができる。第２金属層２２０の上面及び側面に保護のための手段、例えば保護膜、マスクなどを用いることもでき、酸化段階で非等方性の酸化工程を用いることもできる。このように、第２金属層２２０の酸化を防止して第１金属層２１０の一部のみを酸化させる場合には、第２酸化領域２２１が形成されないことができ、第１金属層２１０の側面のみを酸化して第１酸化領域２１１が形成されることができる。

【0046】

第１金属層２１０の第１酸化領域２１１及び第２金属層２２０の以外の構成のうち、一例によるプリント回路基板または他の一例によるプリント回路基板と同じ構成は、また他の一例によるプリント回路基板にも適用されることができるため、これに関する重複する説明は省略する。

【0047】

図６は、また他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【0048】

図６を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板は、第２絶縁層１２０上に配置される第３絶縁層１３０、第２絶縁層１２０の少なくとも一部を貫通する貫通孔ｈ、貫通孔ｈの内壁に沿って配置され、第２絶縁層１２０の上面の少なくとも一部に延び、側面に第３酸化領域３１１を含む第３金属層３１０、貫通孔ｈを満たすように第３金属層３１０上に配置され、側面に第４酸化領域３２１を含む第４金属層３２０をさらに含むことができる。

【0049】

貫通孔ｈは、第２絶縁層１２０に配置され、第２絶縁層１２０の少なくとも一部を貫通することができる。貫通孔ｈは、第２絶縁層１２０上に配置される回路層と第１絶縁層１１０上に配置される回路層を層間連結するビアのための構成に該当することができる。

【0050】

貫通孔ｈには、第３金属層３１０及び第４金属層３２０が配置され、層間連結のためのビアとして機能することができる。第３金属層３１０は、第４金属層３２０がめっきされるためのシード層として機能することができ、第４金属層３２０と共に信号伝達の経路を提供することができる。第３金属層３１０は無電解めっきによって形成されることができ、第４金属層３２０は電解めっきを介して形成されることができる。

【0051】

第３金属層３１０は、第１金属層２１０と同じ金属材料を含むことができ、第４金属層３２０は第２金属層２２０と同じ金属材料を含むことができる。すなわち、第３金属層３１０及び第４金属層３２０は金属粒子４００を含むことができ、金属粒子４００は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。また、第３金属層３１０と第４金属層３２０は、同じ金属材料を含むことができるが、これに限定されるものではなく、第３金属層３１０と第４金属層３２０が異なる金属材料を含むこともできる。第３金属層３１０及び第４金属層３２０は、それぞれの側面に第３酸化領域３１１及び第４酸化領域３２１を含むことができる。第３酸化領域３１１及び第４酸化領域３２１は、金属酸化物粒子を含むことができる。

【0052】

第３絶縁層１３０は、第１絶縁層１１０などの絶縁材料群の中から一つの材料を含むことができ、第１絶縁層１１０及び／または第２絶縁層１２０などの絶縁材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0053】

第３金属層３１０及び第４金属層３２０は、それぞれ第１金属層２１０及び第２金属層２２０に対応することができ、第３酸化領域３１１及び第４酸化領域３２１は、それぞれ第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１に対応することができる。すなわち、一例によるプリント回路基板の構成は、いずれか一つの層のみに限定されるものではなく、また他の一例によるプリント回路基板と同様に層間連結のための構成においても適用されることができる。

【0054】

一方、第３金属層３１０、第３酸化領域３１１、第４金属層３２０、第４酸化領域３２１及び第３絶縁層１３０以外の構成のうち、一例によるプリント回路基板、他の一例によるプリント回路基板あるいは、また他の一例によるプリント回路基板と同様の構成は、また他の一例によるプリント回路基板にも適用されることができるため、これに関する重複する説明は省略する。

【0055】

図７は、また他の一例によるプリント回路基板を概略的に示した断面図である。

【0056】

図７を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板は、第２絶縁層１２０上に配置されるソルダーレジスト層１５０をさらに含むことができる。

【0057】

ソルダーレジスト層１５０は、外部からプリント回路基板を保護する。ソルダーレジスト層１５０は、熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂に分散した無機フィラーを含むが、ガラス繊維は含まないことができる。絶縁樹脂は、感光性絶縁樹脂であることができ、フィラーは無機フィラー及び／または有機フィラーであることができるが、これに限定されるものではない。但し、ソルダーレジスト層１５０の材料がこれに限定されるものではなく、必要に応じて、それ以外に他の高分子素材が用いられてもよく、公知のソルダーレジスト層１５０で構成されることができる。

【0058】

ソルダーレジスト層１５０は開口を含むことができ、開口を介して第３金属層３１０及び第４金属層３２０が外部に露出することができる。図７では、ソルダーレジスト層１５０の開口によって第２絶縁層１２０の上面が共に露出するように示されているが、これに限定されるものではなく、ソルダーレジスト層１５０の開口によって第４金属層３２０の上面のみが露出し、第２絶縁層１２０の上面と第３金属層３１０及び第４金属層３２０の側面は、ソルダーレジスト層１５０によって覆われることもできる。

【0059】

また他のプリント回路基板の第２絶縁層１２０上にソルダーレジスト層１５０が配置されることができるということは、また他の一例によるプリント回路基板の第３金属層３１０及び第４金属層３２０が電子部品などを実装するためのパッドとして機能することを意味する。すなわち、第３金属層３１０及び第４金属層３２０は最上層に配置され、第４金属層３２０の少なくとも一部がプリント回路基板の外部に露出して電子部品などの他の構成と連結されることができることを意味する。

【0060】

一方、図７には示されていないが、第４金属層３２０上には表面処理層がさらに含まれることができる。表面処理層は、電子部品の連結のための連結手段との結合力を向上させるか、信号伝達時の信頼性を向上させるように機能することができる。表面処理層は、公知の手段であれば制限なく用いることができる。

【0061】

一方、ソルダーレジスト層１５０以外の構成のうち、一例によるプリント回路基板、他の一例によるプリント回路基板、または他の一例によるプリント回路基板と同様の構成は、また他の一例によるプリント回路基板にも適用されることができるため、これに関する重複する説明は省略する。

【0062】

プリント回路基板の製造方法
図８及び図９は、一例によるプリント回路基板の製造方法を概略的に示した断面図である。

【0063】

図８を参照すると、一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層１１０上に第１金属層２１０を形成する。第１金属層２１０は公知の無電解めっき工法により形成されることができるが、これに制限されるものではなく、第１絶縁層１１０上に第１金属層２１０が形成された材料を準備することも可能である。第１金属層２１０は、後述する段階である第２金属層２２０の形成段階で第２金属層２２０のめっきのためのシードとして機能することができる。

【0064】

続いて、第１金属層２１０上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を配置する。ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）は、公知のドライフィルム材料を用いることができるが、必ずしもドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）に限定されるものではなく、めっきレジストとして機能することができるものであれば制限なく用いることができる。第１金属層２１０上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を配置した後、露光及び現像によってドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）をパターニングすることができる。この後、後述する段階である第２金属層２２０の形成段階において、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）はめっきレジストとして機能することができ、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）が形成されていない第１金属層２１０領域上に第２金属層２２０が形成されることができる。

【0065】

第１金属層２１０上に第２金属層２２０を形成する。第２金属層２２０は、第１金属層２１０をシード層として電解めっき工程を介して形成されることができる。上述したように、第１金属層２１０の中でドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）が形成されていない領域に第２金属層２２０が形成されることができる。

【0066】

この後、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を除去する。ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）の除去は、剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）などの公知の方法を利用することができる。

【0067】

図９を参照すると、第２金属層２２０上にマスクＭを配置する。マスクＭは、第１金属層２１０を酸化する段階で第２金属層２２０の酸化を保護するための手段に該当する。マスクＭは、第２金属層２２０上に一時的に配置するものとして、有機膜などが配置されることができ、必ずしも第２金属層２２０上に付着する必要はなく、第２金属層２２０が形成された以外の領域に対応するように開口を含むマスクＭを配置することもできる。

【0068】

続いて、第１金属層２１０を酸化する段階を行う。第１金属層２１０はシード層として機能するため、第２金属層２２０がパターニングされた領域以外の第１金属層２１０は除去される必要がある。このとき、除去される第１金属層２１０の領域を予め酸化することで、第１金属層２１０を除去するためのエッチング時に第１金属層２１０が脱落するアンダーカットを防止することができる。

【0069】

第１金属層２１０を酸化させる段階は、熱、電気化学、化学気相、またはプラズマを用いる工法を行うことができるが、これに限定されるものではなく、金属を酸化させる工程であれば制限なく用いることができる。第２金属層２２０が形成されていない第１金属層２１０の露出した一部が酸化条件に露出し、第２金属層２２０の側面も酸化条件に露出することができる。第１金属層２１０及び第２金属層２２０上に金属酸化膜を付着するのではなく、第１金属層２１０を直接酸化させる段階を行うため、第１金属層２１０の露出した部分が先に酸化され、金属粒子間に金属酸化物粒子が配置される構造を有することができ、金属酸化物粒子の濃度は、第１酸化領域の中でも酸化条件に露出した部分でさらに高くなり得る。第１金属層２１０の酸化段階における金属酸化物粒子は、第２金属層２２０の下部に位置した第１金属層２１０の一部領域まで浸透することができる。第１金属層２１０の厚さが第２金属層２２０の厚さよりも薄いため、同じ酸化条件で第１金属層２１０の酸化がさらに速く進行する可能性があり、第１金属層２１０の露出した面ではなく、第２金属層２２０の下部まで浸透することができる。

【0070】

マスクＭに配置された第２金属層２２０の上面は酸化されないことができる。すなわち、マスクＭによって覆われていない第１金属層２１０の一部と第２金属層２２０の側面が酸化され、第１酸化領域２１１及び第２酸化領域２２１が形成されることができる。すなわち、第１金属層２１０を酸化する段階で第２金属層２２０の一部が共に酸化され得る。

【0071】

第１金属層２１０の第１酸化領域２１１は第２金属層２２０の下部に浸透するのに対し、第２金属層２２０の側面は酸化条件に直接露出するため、一例によるプリント回路基板は、第２酸化領域２２１の厚さが第１酸化領域２１１の厚さよりも厚くなり得る。第２酸化領域２２１の厚さは、第１酸化領域２１１の厚さより数十ナノメートル大きく形成されることができるが、これに必ずしも制限されるものではない。一方、酸化条件を異なるように調節して、第２金属層２２０の酸化が最小限に進行されるようにする場合には、第２酸化領域２２１の厚さが第１酸化領域２１１の厚さよりも小さく形成され得、同じレベルで形成されることもできる。

【0072】

この後、第１金属層２１０の中から第１酸化領域２１１の少なくとも一部を除去することができる。第１酸化領域２１１の一部を除去する段階は、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）などの工程を行って進行することができ、ドライエッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を行うことができる。金属層と酸化領域のエッチング率が異なるため、ドライエッチング工程によっても第１酸化領域２１１に該当する部分を除去することができる。但し、これに限定されるものではなく、金属層を除去する工程または酸化層を除去する工程などを用いることができ、公知のシード層を除去する段階であれば制限なく用いることができる。特に、ウェットエッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を行う場合であっても、酸化領域が除去される程度は金属層が除去される程度とは異なるため、ウェットエッチング工程は、選択的除去においてより容易であり得る。

【0073】

すなわち、本開示における第１酸化領域２１１の少なくとも一部を除去する段階は、シード層の選択的エッチングによって酸化した領域のみを除去することである。公知のシード層除去は、金属層の中から不要な部分のみを除去するため、不要な部分を精巧に除去し難いのに対し、シード層の中から除去される領域をターゲットとして酸化した後、酸化領域を除去する過程を行うため、公知のシード層で発生することがあるアンダーカット現象を防止することができる。すなわち、第１金属層２１０の第１酸化領域２１１の一部のみを除去することができるため、第１金属層２１０の他の領域はエッチングされず、アンダーカット現象が防止できる。

【0074】

このとき、前段階で配置されたマスクＭをエッチング段階でも用いることができるが、これに制限されずに、新たなマスクを用いることもできる。マスクＭによって第２金属層２２０の上面は保護されることができ、マスクＭの大きさに応じて第２金属層２２０の幅及び第１金属層２１０の幅が決定されることができる。第１酸化領域２１１の少なくとも一部を除去する段階においても、マスクＭによって覆われる第２金属層２２０はエッチングされないため、第２金属層２２０に形成された第２酸化領域２２１は残存することができ、第２金属層２２０の下部に浸透した第１酸化領域２１１も除去されずに残存することができる。第１金属層２１０の中から第１酸化領域２１１の少なくとも一部を除去する段階でエッチングの程度によって第１酸化領域２１１の一部が完全に除去されない場合には、図４に示されたように、第１酸化領域２１１の一部が第２金属層２２０の側面よりも突出した形状を有することもできる。

【0075】

この後、マスクＭを除去する段階を行って、第１金属層２１０及び第２金属層２２０を完成することができる。マスクＭの種類に応じてマスクＭの除去方法を適宜選択することができる。

【0076】

この後、第１絶縁層１１０上に第２絶縁層１２０をさらに形成することができ、他の層にも金属層及び酸化領域を配置することができる。第１金属層２１０及び第２金属層２２０の形状が多様であることもできる。図８及び図９に示したものに限定されるものではなく、図６または図７に示したまた他の一例によるプリント回路基板と同様に絶縁層を貫通する貫通孔を形成した後、同様の方法で金属層及び酸化領域を配置するか、絶縁層上にソルダーレジスト層をさらに形成することもできる。

【0077】

これ以外にも、プリント回路基板の一般的な構成をさらに含むことができるということは、一例によるプリント回路基板の説明で詳述したとおりであり、本開示の技術的意義を変更しない場合には自由に追加または省略することができる。

【0078】

図１０及び図１１は、他の一例によるプリント回路基板の製造方法を概略的に示した断面図である。

【0079】

図１０を参照すると、第１金属層２１０を配置して第２金属層２２０をパターニングする段階は、上述の一例によるプリント回路基板の製造方法と同様の段階で行うことができる。

【0080】

図１１を参照すると、第１金属層２１０を酸化する段階で第２金属層２２０を酸化しないこともできる。第１金属層２１０を酸化する段階で一定の方向性を有するように酸化工程を選択するか、第１金属層２１０と第２金属層２２０との金属材料を異なるように選択し、第２金属層２２０が酸化しないように酸化条件を調節する方法を行うことができる。一方、これに限定されずに酸化段階の前に第２金属層２２０の露出した面を全て覆うマスクを用いて配置することなど、第２金属層２２０が酸化せず、第１金属層２１０のみを選択的に酸化する方法を利用することができる。

【0081】

それ以外の段階の中から一例によるプリント回路基板の製造方法または他の一例によるプリント回路基板の製造方法と同様の構成は、また他の一例によるプリント回路基板にも適用できるため、これに関する重複する説明は省略する。

【0082】

本開示における断面上という意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物を側面から見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上という意味は、対象物を水平に切断したときの形状、または対象物を上面または下面から見たときの平面形状であることができる。

【0083】

本開示において上側、上部、上面などは、便宜上、図面の断面を基準として電子部品が実装できる面に向かう方向を意味するものとして用い、下側、下部、下面などはその反対方向に用いた。但し、これは説明の便宜上の方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲はこのような方向に対する記載によって特に限定されない。

【0084】

本開示において、連結されるという意味は、直接連結された場合だけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結された場合を含む概念である。また、電気的に連結されるという意味は、物理的に連結された場合と、連結されていない場合をともに含む概念である。さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序及び／または重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。

【0085】

本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に関連した説明であると理解することができる。

【0086】

本開示で用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0087】

１１０ 第１絶縁層
１２０ 第２絶縁層
１３０ 第３絶縁層
１５０ ソルダーレジスト層
２１０ 第１金属層
２１１ 第１酸化領域
２２０ 第２金属層
２２１ 第２酸化領域
３１０ 第３金属層
３１１ 第３酸化領域
３２０ 第４金属層
３２１ 第４酸化領域
４００ 金属粒子
５００ 金属酸化物粒子
ＤＦＲ ドライフィルムレジスト
Ｍ マスク
ｈ 貫通孔
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラモジュール
１０６０ アンテナモジュール
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ スマートフォン内部メインボード
１１２０ スマートフォン内部電子部品
１１２１ スマートフォン内部アンテナモジュール
１１３０ スマートフォン内部カメラモジュール
１１４０ スマートフォン内部スピーカー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】