特開 2024-91473 表示パネル及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024091473

(43)【公開日】2024-07-04

(54)【発明の名称】表示パネル及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240627BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240627BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20240627BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20240627BHJP

   H10K 59/123 20230101ALI20240627BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20240627BHJP

   H10K 59/126 20230101ALI20240627BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

H01L29/78 612Z

H01L29/78 618B

G02F1/1368

H10K59/123

H10K59/124

H10K59/126

【審査請求】有

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023203243

(22)【出願日】2023-11-30

(31)【優先権主張番号】202211659341.0

(32)【優先日】2022-12-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】519182202

【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100118256

【弁理士】

【氏名又は名称】小野寺 隆

(74)【代理人】

【識別番号】100166338

【弁理士】

【氏名又は名称】関口 正夫

(72)【発明者】

【氏名】マー チアン

【テーマコード（参考）】

2H192

3K107

5C094

5F110

【Ｆターム（参考）】

2H192AA24

2H192BC42

2H192CB02

2H192CB03

2H192CB14

2H192CB34

2H192CB37

2H192CC33

2H192CC73

2H192DA72

2H192EA15

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC33

3K107CC36

3K107DD14

3K107EE04

3K107FF04

3K107FF15

5C094BA03

5C094DA13

5C094DB01

5C094FA01

5C094FB14

5C094JA01

5C094JA05

5F110AA04

5F110AA09

5F110BB02

5F110CC02

5F110CC05

5F110DD17

5F110GG01

5F110GG02

5F110HM17

5F110NN03

5F110NN41

5F110NN73

5F110NN77

5F110NN78

(57)【要約】      （修正有）

【課題】スペース利用率及び分解能を向上させることができる表示パネルを提供する。
【解決手段】表示パネルは、電気的に接続される第１トランジスタと第２トランジスタを含み、第１トランジスタは、低温ポリシリコン材料からなる第１活性部を含み、第２トランジスタは、第２ゲート及び金属酸化物材料からなる第２活性部を含み、表示パネルは、サブストレートをさらに含み、第１活性部はサブストレートに配置され、第２活性部は第１活性部のサブストレートから離れる一側に位置し、第２ゲートは第２活性部の第１活性部から離れる一側に位置し、ここで、第２活性部のサブストレートにおける正投影と第１活性部のサブストレートにおける正投影は、少なくとも部分的に重なる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電気的に接続される第１トランジスタと第２トランジスタを含む表示パネルであって、前記第１トランジスタは、低温ポリシリコン材料からなる第１活性部を含み、前記第２トランジスタは、第２ゲート及び金属酸化物材料からなる第２活性部を含み、前記表示パネルは、
サブストレートと、
前記サブストレートに配置され、前記第１活性部を含む第１活性層と、
前記第１活性層の前記サブストレートから離れる一側に配置され、前記第１活性部の前記サブストレートから離れる一側に位置する前記第２活性部を含む第２活性層と、
前記第２活性層の前記第１活性層から離れる一側に配置され、前記第２活性部の前記第１活性部から離れる一側に位置する前記第２ゲートを含む第１金属層と、をさらに含み、
前記第２活性部の前記サブストレートにおける正投影と前記第１活性部の前記サブストレートにおける正投影は、少なくとも部分的に重なることを特徴とする、表示パネル。

【請求項2】

前記第２トランジスタは、第２ソース及び第２ドレインをさらに含み、前記表示パネルは、前記第２活性層と前記第１活性層との間に配置される第２金属層をさらに含み、前記第２金属層は、前記第２ソース及び前記第２ドレインを含み、且つ前記第２活性部の両端は、それぞれ前記第２ソース及び前記第２ドレインに接続されることを特徴とする、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記第２活性部は、前記第２ソースの前記第１活性部から離れる側の面に位置する第２サブソース接触部、前記第２ドレインの前記第１活性部から離れる側の面に位置する第２サブドレイン接触部、及び前記第２サブソース接触部と前記第２サブドレイン接触部との間に接続される第２サブトレンチ部を含み、前記第２サブトレンチ部は、前記第２ソースと前記第２ドレインとの間に位置することを特徴とする、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記第２サブソース接触部の材料の抵抗率、及び前記第２サブドレイン接触部の材料の抵抗率は、いずれも前記第２サブトレンチ部の材料の抵抗率に等しいことを特徴とする、請求項３に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記第１トランジスタは、前記第１活性部の両端に重ね継がれる第１ソース及び第１ドレインを含み、
前記第２金属層は、前記第１ソース及び前記第１ドレインをさらに含み、且つ前記第２活性部は、前記第１ソースと前記第１ドレインとの間に位置することを特徴とする、請求項２に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記第１活性部は、前記第１ソースに接続される第１サブソース接触部、及び前記第１ドレインに接続される第１サブドレイン接触部を含み、前記第２ソースは、前記第１サブドレイン接触部に電気的に接続されることを特徴とする、請求項５に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記第１ソースと前記第２ドレインは、間隔をおいて配置されることを特徴とする、請求項６に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記サブストレート内に配置される遮光層をさらに含み、前記第１活性部は、前記第１サブソース接触部と前記第１サブドレイン接触部との間に接続される第１サブトレンチ部をさらに含み、前記第１サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影、及び前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、いずれも前記遮光層の前記サブストレートにおける正投影内に位置することを特徴とする、請求項６に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記第１金属層の前記第２活性層から離れる一側に配置されるアノード層をさらに含み、前記アノード層は、前記第１トランジスタに電気的に接続されるアノードを含み、
前記第１金属層は、前記アノードと前記第１ドレインとの間に位置する転換部を含み、且つ前記アノードは、前記転換部を介して前記第１ドレインに接続されることを特徴とする、請求項５に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、前記アノードの前記サブストレートにおける正投影内に位置することを特徴とする、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記第２活性層と前記アノード層との間に配置される無機不活性化層及び有機平坦層をさらに含み、前記無機不活性化層が前記第２活性部を被覆し、前記有機平坦層が前記無機不活性化層を被覆することを特徴とする、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記第１トランジスタは、前記第１活性部と前記第２活性部との間に配置される第１ゲート、及び前記第１ゲートと前記第２活性部との間に配置される電極板をさらに含み、
前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、前記第１ゲートの前記サブストレートにおける正投影内に位置し、及び／又は、前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、前記電極板の前記サブストレートにおける正投影内に位置することを特徴とする、請求項３に記載の表示パネル。

【請求項13】

請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示パネルを含むことを特徴とする、表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ディスプレイの技術分野に関し、特に表示パネル及び該表示パネルを有する表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

低温多結晶酸化物アレイ基板（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ，ＬＴＰＯ）では、一般に低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）とインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ，ＩＧＺＯ）のような金属酸化物との２つの材料により薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）を製造し、ここで、ＬＴＰＳは、ＴＦＴの駆動を担当し、金属酸化物は、ＴＦＴのスイッチングを担当する。ＬＴＰＯアレイ基板は、電荷移動度がより高く、オフリーク電流がより低い利点を有し、画面作動時の全体的な消費電力を低減し、省電力の目的を達成することができる。

【0003】

しかし、既存のＬＴＰＯアレイ基板を有する表示パネルでは、低温ポリシリコンＴＦＴのゲートの上方に電極板が形成され、大きな占有スペースを必要とし、且つ低温ポリシリコンＴＦＴと金属酸化物ＴＦＴがいずれも独立してＬＴＰＯアレイ基板に配置され、同様に大きな占有スペースを必要とするため、表示パネルのスペース利用率及び分解能の向上に不利である。

【発明の概要】

【0004】

本発明の実施例は、第１トランジスタ及び第２トランジスタの占有スペースを低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能を向上させることができる表示パネル及び表示装置を提供する。

【0005】

本発明の実施例は、
電気的に接続される第１トランジスタと第２トランジスタを含む表示パネルであって、前記第１トランジスタは、低温ポリシリコン材料からなる第１活性部を含み、前記第２トランジスタは、第２ゲート及び金属酸化物材料からなる第２活性部を含み、前記表示パネルは、
サブストレートと、
前記サブストレートに配置され、前記第１活性部を含む第１活性層と、
前記第１活性層の前記サブストレートから離れる一側に配置され、前記第１活性部の前記サブストレートから離れる一側に位置する前記第２活性部を含む第２活性層と、
前記第２活性層の前記第１活性層から離れる一側に配置され、前記第２活性部の前記第１活性部から離れる一側に位置する前記第２ゲートを含む第１金属層と、をさらに含み、
前記第２活性部の前記サブストレートにおける正投影と前記第１活性部の前記サブストレートにおける正投影は、少なくとも部分的に重なる、表示パネルを提供する。

【0006】

本発明の一実施例において、前記第２トランジスタは、第２ソース及び第２ドレインをさらに含み、前記表示パネルは、前記第２活性層と前記第１活性層との間に配置される第２金属層をさらに含み、前記第２金属層は、前記第２ソース及び前記第２ドレインを含み、且つ前記第２活性部の両端は、それぞれ前記第２ソース及び前記第２ドレインに接続される。

【0007】

本発明の一実施例において、前記第２活性部は、前記第２ソースの前記第１活性部から離れる側の面に位置する第２サブソース接触部、前記第２ドレインの前記第１活性部から離れる側の面に位置する第２サブドレイン接触部、及び前記第２サブソース接触部と前記第２サブドレイン接触部との間に接続される第２サブトレンチ部を含み、前記第２サブトレンチ部は、前記第２ソースと前記第２ドレインとの間に位置する。

【0008】

本発明の一実施例において、前記第２サブソース接触部の材料の抵抗率、及び前記第２サブドレイン接触部の材料の抵抗率は、いずれも前記第２サブトレンチ部の材料の抵抗率に等しい。

【0009】

本発明の一実施例において、前記第１トランジスタは、前記第１活性部の両端に重ね継がれる第１ソース及び第１ドレインを含み、
前記第２金属層は、前記第１ソース及び前記第１ドレインをさらに含み、且つ前記第２活性部は、前記第１ソースと前記第１ドレインとの間に位置する。

【0010】

本発明の一実施例において、前記第１活性部は、前記第１ソースに接続される第１サブソース接触部、及び前記第１ドレインに接続される第１サブドレイン接触部を含み、前記第２ソースは、前記第１サブドレイン接触部に電気的に接続される。

【0011】

本発明の一実施例において、前記第１ソースと前記第２ドレインは、間隔をおいて配置される。

【0012】

本発明の一実施例において、前記表示パネルは、前記サブストレート内に配置される遮光層をさらに含み、前記第１活性部は、前記第１サブソース接触部と前記第１サブドレイン接触部との間に接続される第１サブトレンチ部をさらに含み、前記第１サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影、及び前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、いずれも前記遮光層の前記サブストレートにおける正投影以内に位置する。

【0013】

本発明の一実施例において、前記表示パネルは、前記第１金属層の前記第２活性層から離れる一側に配置されるアノード層をさらに含み、前記アノード層は、前記第１トランジスタに電気的に接続されるアノードを含み、
前記第１金属層は、前記アノードと前記第１ドレインとの間に位置する転換部を含み、且つ前記アノードは、前記転換部を介して前記第１ドレインに接続される。

【0014】

本発明の一実施例において、前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、前記アノードの前記サブストレートにおける正投影以内に位置する。

【0015】

本発明の一実施例において、前記表示パネルは、前記第２活性層と前記アノード層との間に配置される無機不活性化層及び有機平坦層をさらに含み、前記無機不活性化層が前記第２活性部を被覆し、前記有機平坦層が前記無機不活性化層を被覆する。

【0016】

本発明の一実施例において、前記第１トランジスタは、前記第１活性部と前記第２活性部との間に配置される第１ゲート、及び前記第１ゲートと前記第２活性部との間に配置される電極板をさらに含み、
前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、前記第１ゲートの前記サブストレートにおける正投影以内に位置し、及び／又は前記第２サブトレンチ部の前記サブストレートにおける正投影は、前記電極板の前記サブストレートにおける正投影以内に位置する。

【0017】

本発明の上記目的に基づき、本発明の実施例は、前記表示パネルを含む表示装置をさらに提供する。

【0018】

本発明の有益な効果は次のとおりである。本発明において、第１トランジスタの第１活性部と第２トランジスタの第２活性部とを少なくとも部分的に重ね合わせて配置することによって、第１トランジスタと第２トランジスタとを少なくとも部分的に重ね合わせることができ、第１トランジスタ及び第２トランジスタの占有スペースが効果的に低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0019】

以下において、図面と併せて本発明の具体的な実施形態を詳細に説明することにより、本発明の技術的解決手段及び他の有益な効果を明らかにする。

【図1】関連技術における表示パネルの１つの断面構造図である。

【図2】本発明の実施例で提供される表示パネルの１つの断面構造図である。

【図3】本発明の実施例で提供される表示パネルの他の断面構造図である。

【図4】本発明の実施例で提供される表示パネルの別の断面構造図である。

【図5】本発明の実施例で提供される表示パネルのさらに別の断面構造図である。

【図6】本発明の実施例で提供される表示パネルの製造方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下において、本発明の実施例における図面を参照しながら、本発明の実施例における技術的解決手段を明確に、完全に説明する。当然ながら、説明される実施例は、本発明の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではない。本発明における実施例に基づき、当業者が創造的な労力を要することなく得られた他の全ての実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属するものとする。

【0021】

以下の開示は、本発明の異なる構造を実現するために多くの異なる実施形態又は例を提供する。本発明の開示を簡略化するために、以下に特定の例における部品及び配置について説明する。当然ながら、それらは単なる例示であり、本発明を限定することを目的とするものではない。また、本発明は、異なる例において、参照数字及び／又は参照文字を繰り返すことができ、このような繰り返しは、簡略化及び明確化を目的とし、それ自体は、論じられた様々な実施形態及び／又は配置間の関係を示していない。また、本発明は、様々な特定の工程及び材料の例を提供するが、当業者であれば、他の工程の適用及び／又は他の材料の使用を意識することができる。

【0022】

図１を参照し、関連技術では、ＬＴＰＯアレイ基板を有する表示パネルにおいて、基板に低温ポリシリコン薄膜トランジスタＡ及び金属酸化物薄膜トランジスタＢをそれぞれ製造し、且つ低温ポリシリコン薄膜トランジスタＡのゲートの上方に容量プレート１を形成する必要があり、ここで、容量プレート１の面積が大きく、大きな占有スペースを必要とし、且つ低温ポリシリコン薄膜トランジスタＡ及び金属酸化物薄膜トランジスタＢがいずれも独立してＬＴＰＯアレイ基板に配置され、同様に大きな占有スペースを必要とするため、表示パネルのスペース利用率及び分解能の向上に不利である。

【0023】

図２を参照し、本発明の実施例は、表示パネルを提供し、該表示パネルは、電気的に接続される第１トランジスタＴ１と第２トランジスタＴ２を含み、第１トランジスタＴ１は、低温ポリシリコン材料からなる第１活性部２１を含み、第２トランジスタＴ２は、第２ゲート４１及び金属酸化物材料からなる第２活性部３１を含む。

【0024】

さらに、表示パネルは、サブストレート１０と、第１活性層２０と、第２活性層３０と、第１金属層４０とをさらに含み、第１活性層２０は、サブストレート１０に配置され、第１活性部２１を含み、第２活性層３０は、第１活性層２０のサブストレート１０から離れる一側に配置され、第１活性部２１のサブストレート１０から離れる一側に位置する第２活性部３１を含み、第１金属層４０は、第２活性層３０の第１活性層２０から離れる一側に配置され、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に位置する第２ゲート４１を含む。

【0025】

ここで、第２活性部３１のサブストレート１０における正投影と第１活性部２１のサブストレート１０における正投影は、少なくとも部分的に重なる。

【0026】

実施及び適用の過程において、本発明の実施例は、第１トランジスタＴ１の第１活性部２１と第２トランジスタＴ２の第２活性部３１とを少なくとも部分的に重ね合わせて配置することによって、第１トランジスタＴ１と第２トランジスタＴ２とを少なくとも部分的に重ね合わせることができ、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２の占有スペースが効果的に低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能が向上する。また、本発明の実施例は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に配置しており、図１に示す関連技術に対して、第２ゲート４１と電極板との空間的衝突を回避することができ、寄生容量の発生を低減することができ、表示パネルの信頼性及び安定性が向上する。

【0027】

具体的には、図２を参照し、該表示パネルは、サブストレート１０と、サブストレート１０に配置される駆動回路層と、駆動回路層のサブストレート１０から離れる一側に配置される発光機能層とを含む。

【0028】

ここで、サブストレート１０は、順次積層されて配置される第１フレキシブルサブストレート層１１、第１水蒸気・酸素遮断層１２、第２フレキシブルサブストレート層１３、第２水蒸気・酸素遮断層１４及び第３水蒸気・酸素遮断層１５を含んでもよく、第１フレキシブルサブストレート層１１、第２フレキシブルサブストレート層１３の材料は、ポリイミド材料を含んでもよく、第１水蒸気・酸素遮断層１２の材料、第２水蒸気・酸素遮断層１４の材料及び第３水蒸気・酸素遮断層１５は、酸化ケイ素材料と窒化ケイ素材料とのうちの少なくとも１つを含んでもよい。

【0029】

駆動回路層がサブストレート１０に配置され、且つ表示パネルは、サブストレート１０と駆動回路層との間に配置されるバッファ層７１をさらに含み、駆動回路層は、バッファ層７１に配置される第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２を含み、ここで、第１トランジスタＴ１と第２トランジスタＴ２とが電気的に接続され、第１トランジスタＴ１は、第１活性部２１、第１ゲート６１、電極板６２、第１ソース５１及び第１ドレイン５２を含み、第２トランジスタＴ２は、第２活性部３１、第２ゲート４１、第２ソース５３及び第２ドレイン５４を含む。

【0030】

さらに、駆動回路層は、バッファ層７１に配置される第１活性層２０と、第１活性層２０を被覆する第１絶縁層７２と、第１絶縁層７２に配置される第１ゲート６１と、第１ゲート６１を被覆するゲート絶縁層７３と、ゲート絶縁層７３に配置される電極板６２と、電極板６２を被覆する第２絶縁層７４と、第２絶縁層７４に配置される第２金属層５０と、第２金属層５０に配置される第２活性層３０と、第２金属層５０及び第２活性層３０を被覆する無機不活性化層７５と、無機不活性化層７５に配置される第１金属層４０と、第１金属層４０を被覆する有機平坦層７６と、有機平坦層７６に配置されるアノード層８０と、アノード層８０に配置される画素定義層７７とを含む。

【0031】

具体的には、第１活性層２０は、第１活性部２１を含み、且つ第１活性部２１の材料は、低温ポリシリコン材料を含み、第１ゲート６１は、第１活性部２１のサブストレート１０から離れる一側に配置され、電極板６２は、第１ゲート６１の第１活性部２１から離れる一側に位置し、第２金属層５０は、第１ソース５１及び第１ドレイン５２を含み、第１ソース５１及び第１ドレイン５２は、いずれも第２絶縁層７４、ゲート絶縁層７３及び第１絶縁層７２を貫通して第１活性部２１の両端に重ね継がれる。

【0032】

対応して、第１活性部２１は、第１ソース５１に接続される第１サブソース接触部２１１、第１ドレイン５２に接続される第１サブドレイン接触部２１２、及び第１サブソース接触部２１１と第１サブドレイン接触部２１２との間に接続される第１サブトレンチ部２１３を含む。

【0033】

一実施例において、第１サブソース接触部２１１及び第１サブドレイン接触部２１２に対して導体化処理を行うことによって、第１サブソース接触部２１１の材料の抵抗率及び第１サブドレイン接触部２１２の材料の抵抗率を第１サブトレンチ部２１３の材料の抵抗率より小さくすることができる。

【0034】

第１トランジスタＴ１は、デュアルゲート薄膜トランジスタであってもよく、さらに、電極板６２は、第１ゲート６１とサブピクセルユニットの蓄積容量を構成し、表示設備の連続表示効果を改良することができる。

【0035】

第２金属層５０は、第２ソース５３及び第２ドレイン５４をさらに含み、第２活性層３０は、第２活性部３１を含み、第２活性部３１は、一部が第２絶縁層７４に位置し、且つ一部が第２ソース５３及び第２ドレイン５４の第１活性部２１から離れる一側に延伸し、ここで、第２活性部３１は、第２ソース５３の第１活性部２１から離れる側の面に位置する第２サブソース接触部３１１、第２ドレイン５４の第１活性部２１から離れる側の面に位置する第２サブドレイン接触部３１２、及び第２サブソース接触部３１１と第２サブドレイン接触部３１２との間に接続される第２サブトレンチ部３１３を含み、且つ第２サブトレンチ部３１３は、第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に位置する。

【0036】

説明すべきことは、プロセスにおいて、まず第２ソース５３及び第２ドレイン５４を形成し、次に第２活性部３１を形成する必要があり、さらに第２ソース５３と第２ドレイン５４との間の距離を制御することによって、第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に位置する第２サブトレンチ部３１３の長さを制御して、短いトレンチを有する第２トランジスタＴ２を実現することができる点である。

【0037】

本発明の実施例において、第２活性部３１のサブストレート１０における正投影と第１活性部２１のサブストレート１０における正投影は少なくとも部分的に重なることによって、第２トランジスタＴ２と第１トランジスタＴ１とが少なくとも部分的に重なるようにすることができ、これにより第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２の空間占有率を低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能を向上させる。また、電極板６２の面積が大きく、本発明の実施例は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に配置するため、第２ゲート４１と電極板６２との空間的衝突を回避することができ、寄生容量の発生を低減することができ、表示パネルの信頼性及び安定性が向上する。

【0038】

第１金属層４０は、第２ゲート４１を含み、且つ第２ゲート４１は、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に位置する。

【0039】

一実施例において、第２サブトレンチ部３１３は、第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に接続され、さらに第２ゲート４１に電圧が印加されると、第２サブトレンチ部３１３に電流チャンネルを形成することができ、さらに直接第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に電流チャンネルを形成することができ、第２活性部３１に対する導体化処理を必要としない。

【0040】

関連技術では、図１に示すように、金属酸化物薄膜トランジスタＢの活性層２は、ソース及びドレインとの電気的接続を形成するために、導体化処理を必要とするが、金属酸化物薄膜トランジスタＢの活性層２は、金属酸化物プロセスを採用しているため、後続の膜層積層過程における熱プロセスの影響を受けやすく、これにより導体化された部分でキャリヤが発生して活性層のトレンチ部分へ拡散し、金属酸化物薄膜トランジスタＢが不安定になり、且つ関連技術では、金属酸化物薄膜トランジスタＢの活性層２の上方に層間絶縁層３と不活性化層４との２層の無機絶縁層が配置される。これに対して、本発明の実施例では、図２に示すように、第２活性部３１を第１トランジスタＴ１の上方に配置し、第２活性部３１の上方に無機不活性化層７５という１層の無機絶縁層のみが配置され、第２活性部３１の上方の無機絶縁層の数を減少することができ、さらに第２活性部３１に対する、無機絶縁層の形成過程における熱プロセスの影響を低減することができ、第２トランジスタＴ２の安定性及び良品率がさらに向上する。

【0041】

さらに、図２に示すように、第２ゲート４１を第２活性部３１に配置し、且つ第２ゲート４１の被覆面積を大きくすることによって、第２ゲート４１に対応する第２サブトレンチ部３１３は第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に接続され、直接第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に電流チャンネルを形成することができ、それにより第２活性部３１が導体化を必要とせず、導体化の作業手順を省くことができ、且つ第２活性部３１が熱プロセスの影響を受けてキャリヤの拡散が発生する現象を回避することができ、第２トランジスタＴ２の安定性及び良品率が向上する。

【0042】

一実施例において、第２活性部３１は導体化処理を必要としないため、第２サブソース接触部３１１の材料の抵抗率、第２サブドレイン接触部３１２の材料の抵抗率は、いずれも第２サブトレンチ部３１３の材料の抵抗率に等しい。

【0043】

本発明の実施例において、第１ソース５１、第１ドレイン５２、第２ソース５３及び第２ドレイン５４は、同一のプロセスで形成することができ、工程の作業手順を省くことができ、且つ第２活性部３１は、第１ソース５１と第１ドレイン５２との間に位置し、第２ドレイン５４と第１ソース５１は、間隔をおいて配置され、第２ソース５３は、第１サブドレイン接触部２１２を介して第１ドレイン５２との接続を実現し、即ち、第２ソース５３は、第２絶縁層７４、ゲート絶縁層７３及び第１絶縁層７２を貫通して第１サブドレイン接触部２１２に接続され得る。

【0044】

さらに、表示パネルは、サブストレート１０内に配置される遮光層１７をさらに含み、第１サブトレンチ部２１３のサブストレート１０における正投影は、遮光層１７のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置する。

【0045】

説明すべきことは、本発明の実施例において、サブストレート１０内に遮光層１７が形成され、遮光層１７は、例えば、第２水蒸気・酸素遮断層１４に位置して第３水蒸気・酸素遮断層１５により被覆されるように、サブストレート１０内の任意の隣接する２つの膜層の間に位置することができる点である。

【0046】

一実施例において、遮光層１７の被覆範囲を大きくし、即ち第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影は、遮光層１７のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置することによって、図２に示すように、光が第２活性部３１のサブストレート１０に近い一側から第２サブトレンチ部３１３に照射するのを阻止することができ、第２トランジスタＴ２の安定性が向上する。

【0047】

一実施例において、第１ゲート６１の被覆範囲を大きくし、即ち第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影は、第１ゲート６１のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置することによって、図３に示すように、光が第２活性部３１のサブストレート１０に近い一側から第２サブトレンチ部３１３に照射するのを阻止することができ、第２トランジスタＴ２の安定性が向上する。

【0048】

一実施例において、電極板６２の被覆範囲を大きくし、即ち第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影は、電極板６２のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置することによって、図４に示すように、光が第２活性部３１のサブストレート１０に近い一側から第２サブトレンチ部３１３に照射するのを阻止することができ、第２トランジスタＴ２の安定性が向上する。

【0049】

一実施例において、遮光層１７と、第１ゲート６１と、電極板６２とのうちの少なくとも２つの被覆範囲を大きくし、第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影を、遮光層１７のサブストレート１０における正投影と、第１ゲート６１のサブストレート１０における正投影と、電極板６２のサブストレート１０における正投影とのうちの少なくとも２つの被覆範囲以内に位置させることができる。

【0050】

また、表示パネルは、第１金属層４０の第２活性層３０から離れる一側に配置されるアノード層８０をさらに含み、アノード層８０は、第１トランジスタＴ１に電気的に接続されるアノード８１を含み、且つアノード８１は、第１ドレイン５２に電気的に接続される。

【0051】

一実施例において、第１金属層４０は、転換部４２をさらに含み、アノード８１は、転換部４２を介して第１ドレイン５２に接続され、本発明の実施例は、アノード８１と転換部４２を同一層に製造することによって、工程の作業手順を簡略化し、工程コストを削減することができる。

【0052】

ここで、第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影は、アノード８１のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置することによって、第２活性部３１のサブストレート１０から離れる一側の光が第２サブトレンチ部３１３に照射するのを阻止することができ、第２トランジスタＴ２の安定性がさらに向上する。

【0053】

一実施例において、図５を参照し、第２ソース５３と第２ドレイン５４は接続され、即ち第２ソース５３と第２ドレイン５４は一体成型されて配置され、これにより工程の作業手順をさらに簡略化し、工程コストを削減することができる。

【0054】

上文を承けて、本発明の実施例は、第１トランジスタＴ１の第１活性部２１と第２トランジスタＴ２の第２活性部３１とを少なくとも部分的に重ね合わせて配置することによって、第１トランジスタＴ１と第２トランジスタＴ２とを少なくとも部分的に重ね合わせることができ、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２の占有スペースが効果的に低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能が向上する。また、本発明の実施例は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に配置しており、従来技術に対して、第２ゲート４１と電極板との空間的衝突を回避することができ、寄生容量の発生を低減することができ、表示パネルの信頼性及び安定性が向上する。

【0055】

また、本発明の実施例は、表示パネルの製造方法をさらに提供し、該表示パネルは、上記の実施例に記載の表示パネルであり、図２を参照し、該表示パネルの製造方法は次のステップを含む。

【0056】

サブストレート１０を用意する。

【0057】

サブストレート１０に第１活性層２０を形成し、第１活性層２０は、第１トランジスタＴ１の第１活性部２１を含み、第１活性部２１は、低温ポリシリコン材料で製造する。

【0058】

第１活性層２０のサブストレート１０から離れる一側に第２活性層３０を形成し、第２活性層３０は、第２トランジスタＴ２の第２活性部３１を含み、第２活性部３１は、第１活性部２１のサブストレート１０から離れる一側に形成され、金属酸化物材料で製造し、ここで、第２活性部３１のサブストレート１０における正投影と第１活性部２１のサブストレート１０における正投影は、少なくとも部分的に重なる。

【0059】

第２活性層３０の第１活性層２０から離れる一側に第１金属層４０を形成し、第１金属層４０は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を含み、第２ゲート４１は、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に形成される。

【0060】

具体的には、図２及び図６を参照し、該表示パネルの製造方法は、次のステップＳ１０、Ｓ２０、Ｓ３０、Ｓ４０を含む。

【0061】

Ｓ１０では、サブストレート１０を用意する。

【0062】

ステップＳ１０において、サブストレート１０は、順次積層されて配置される第１フレキシブルサブストレート層１１、第１水蒸気・酸素遮断層１２、第２フレキシブルサブストレート層１３、第２水蒸気・酸素遮断層１４及び第３水蒸気・酸素遮断層１５を含んでもよく、第１フレキシブルサブストレート層１１、第２フレキシブルサブストレート層１３の材料は、ポリイミド材料を含んでもよく、第１水蒸気・酸素遮断層１２の材料、第２水蒸気・酸素遮断層１４の材料及び第３水蒸気・酸素遮断層１５は、酸化ケイ素材料と窒化ケイ素材料とのうちの少なくとも１つを含んでもよい。

【0063】

説明すべきことは、本発明の実施例において、サブストレート１０内に遮光層１７が形成され、遮光層１７は、例えば、第２水蒸気・酸素遮断層１４に位置して第３水蒸気・酸素遮断層１５により被覆されるように、サブストレート１０内の任意の隣接する２つの膜層の間に位置することができる点である。

【0064】

Ｓ２０では、サブストレート１０に第１活性層２０を形成し、第１活性層２０は、第１トランジスタＴ１の第１活性部２１を含み、第１活性部２１は、低温ポリシリコン材料で製造する。

【0065】

ステップＳ２０において、サブストレート１０にバッファ層７１を形成する。

【0066】

次に、バッファ層７１のサブストレート１０から離れる一側に第１トランジスタＴ１を形成し、具体的には、低温ポリシリコン材料を用いて第１活性部２１をバッファ層７１に形成することと、第１活性部２１を被覆する第１絶縁層７２をバッファ層７１に形成することと、第１活性部２１のサブストレート１０から離れる一側に位置する第１ゲート６１を第１絶縁層７２に形成することと、第１ゲート６１を被覆するゲート絶縁層７３を第１絶縁層７２に形成することと、第１ゲート６１の第１活性部２１から離れる一側に位置する電極板６２をゲート絶縁層７３に形成することと、電極板６２を被覆する第２絶縁層７４をゲート絶縁層７３に形成することと、第１金属材料層を第２絶縁層７４に形成することと、を含む。ここで、第１活性部２１は、第１サブトレンチ部２１３、及び第１サブトレンチ部２１３の両側に接続される第１サブソース接触部２１１と第１サブドレイン接触部２１２を含む。

【0067】

続いて、第１金属材料層に対してパターニング処理を行って第２金属層５０を得て、第１トランジスタＴ１の第１ソース５１及び第１ドレイン５２を得て、且つ第１ソース５１及び第１ドレイン５２は、いずれも第２絶縁層７４、ゲート絶縁層７３及び第１絶縁層７２を貫通してそれぞれ第１サブソース接触部２１１及び第１サブドレイン接触部２１２に接続される。

【0068】

また、第２金属層５０に第２トランジスタＴ２の第２ソース５３及び第２ドレイン５４がさらに形成されており、且つ第２トランジスタＴ２は第１トランジスタＴ１に電気的に接続される必要があるため、第２ソース５３も、第２絶縁層７４、ゲート絶縁層７３及び第１絶縁層７２を貫通して第１サブドレイン接触部２１２に接続してもよい。

【0069】

Ｓ３０では、第１活性層２０のサブストレート１０から離れる一側に第２活性層３０を形成し、第２活性層３０は、第２トランジスタＴ２の第２活性部３１を含み、第２活性部３１は、第１活性部２１のサブストレート１０から離れる一側に形成され、金属酸化物材料で製造し、ここで、第２活性部３１のサブストレート１０における正投影と第１活性部２１のサブストレート１０における正投影は、少なくとも部分的に重なる。

【0070】

ステップＳ３０において、第２金属層５０のサブストレート１０から離れる一側に金属酸化物層を形成し、且つ金属酸化物層の材料は、インジウムガリウム亜鉛酸化物であってもよい。

【0071】

次に、金属酸化物層に対してパターニング処理を行って第２活性層３０を得、且つ第２活性層３０は、パターニングされて形成された第２活性部３１を含み、第２活性部３１は、一部が第２絶縁層７４に位置し、且つ一部が第２ソース５３及び第２ドレイン５４の第１活性部２１から離れる一側に延伸し、ここで、第２活性部３１は、第２ソース５３の第１活性部２１から離れる側の面に位置する第２サブソース接触部３１１、第２ドレイン５４の第１活性部２１から離れる側の面に位置する第２サブドレイン接触部３１２、及び第２サブソース接触部３１１と第２サブドレイン接触部３１２との間に接続される第２サブトレンチ部３１３を含む。

【0072】

本発明の実施例において、第２活性部３１のサブストレート１０における正投影と第１活性部２１のサブストレート１０における正投影は少なくとも部分的に重なることによって、第２トランジスタＴ２と第１トランジスタＴ１とが少なくとも部分的に重なるようにすることができ、これにより第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２の空間占有率を低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能を向上させる。

【0073】

また、本発明の実施例において、まず第２ソース５３及び第２ドレイン５４を製造し、次に第２活性部３１を製造し、さらに第２ソース５３と第２ドレイン５４との間の距離を制御することによって、第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に位置する第２サブトレンチ部３１３の長さを制御して、短いトレンチを有する第２トランジスタＴ２を実現することができる。

【0074】

第２金属層５０及び第２活性層３０を被覆する無機不活性化層７５を第２絶縁層７４に形成する。

【0075】

Ｓ４０では、第２活性層３０の第１活性層２０から離れる一側に第１金属層４０を形成し、第１金属層４０は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を含み、第２ゲート４１は、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に形成される。

【0076】

ステップＳ４０において、無機不活性化層７５の第２活性層３０から離れる一側に第２金属材料層を形成し、第２金属材料層に対してパターニング処理を行って第１金属層４０を得、第１金属層４０は、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に形成される第２ゲート４１、及び第１ドレイン５２の上方に位置する転換部４２を含み、ここで、転換部４２は、無機不活性化層７５を貫通して第１ドレイン５２に接続される。

【0077】

本発明の実施例において、第２活性部３１は、第２ソース５３の第１活性部２１から離れる側の面に位置する第２サブソース接触部３１１、第２ドレイン５４の第１活性部２１から離れる側の面に位置する第２サブドレイン接触部３１２、及び第２サブソース接触部３１１と第２サブドレイン接触部３１２との間に接続される第２サブトレンチ部３１３を含む。

【0078】

一実施例において、第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影は、遮光層１７のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置し、第２活性部３１のサブストレート１０に近い一側の光が第２サブトレンチ部３１３に照射するのを阻止することができ、第２トランジスタＴ２の安定性がさらに向上する。

【0079】

一実施例において、第２サブトレンチ部３１３は、第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に接続され、さらに第２ゲート４１に電圧が印加されると、第２サブトレンチ部３１３に電流チャンネルを形成することができ、さらに直接第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に電流チャンネルを形成することができ、第２活性部３１に対する導体化処理を必要としない。

【0080】

説明すべきことは、本発明の実施例は、第２ゲート４１を第２活性部３１に配置し、且つ第２ゲート４１の被覆面積を大きくすることによって、第２ゲート４１に対応する第２サブトレンチ部３１３を第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に接続し、直接第２ソース５３と第２ドレイン５４との間に電流チャンネルを形成することができ、第２活性部３１が導体化を必要としないようにし、導体化の作業手順を省くことができ、且つ第２活性部３１が熱プロセスの影響を受けてキャリヤの拡散が発生する現象を回避することができ、第２トランジスタＴ２の安定性及び良品率が向上する点である。

【0081】

また、電極板６２の面積が大きく、本発明の実施例は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に配置するため、第２ゲート４１と電極板６２との空間的衝突を回避することができ、寄生容量の発生を低減することができ、表示パネルの信頼性及び安定性が向上する。

【0082】

次に、第１金属層４０の第２活性層３０から離れる一側に第１金属層４０を被覆する有機平坦層７６を形成する。

【0083】

続いて、有機平坦層７６の第１金属層４０から離れる一側にアノード層８０を形成し、アノード層８０は、第１トランジスタＴ１に電気的に接続されるアノード８１を含み、且つアノード８１は、第１ドレイン５２に電気的に接続され、さらにアノード８１は、転換部４２を介して第１ドレイン５２に電気的に接続される。

【0084】

ここで、第２サブトレンチ部３１３のサブストレート１０における正投影は、アノード８１のサブストレート１０における正投影の被覆範囲以内に位置することによって、第２活性部３１のサブストレート１０から離れる一側の光が第２サブトレンチ部３１３に照射するのを阻止することができ、第２トランジスタＴ２の安定性がさらに向上する。

【0085】

続いて、アノード層８０を被覆する画素定義層７７を有機平坦層７６に形成し、且つ画素定義層７７にはアノード８１の一部の上面を露出させるために画素開口部が形成される。

【0086】

上文を承けて、本発明の実施例は、第１トランジスタＴ１の第１活性部２１と第２トランジスタＴ２の第２活性部３１とを少なくとも部分的に重ね合わせて配置することによって、第１トランジスタＴ１と第２トランジスタＴ２とを少なくとも部分的に重ね合わせることができ、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２の占有スペースが効果的に低減し、表示パネルのスペース利用率及び分解能が向上する。また、本発明の実施例は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート４１を、第２活性部３１の第１活性部２１から離れる一側に配置しており、従来技術に対して、第２ゲート４１と電極板との空間的衝突を回避することができ、寄生容量の発生を低減することができ、表示パネルの信頼性及び安定性が向上する。

【0087】

また、本発明の実施例は、表示装置をさらに提供し、該表示装置は、上記の実施例に記載の表示パネル及び装置本体を含み、且つ表示パネルと装置本体とが一体に組み立てられる。

【0088】

ここで、装置本体は、中枠、枠接着剤等を含んでもよく、該表示装置は、携帯電話、タブレット、テレビ等の表示端末であってもよく、本発明では限定されない。

【0089】

上記の実施例において、各実施例に対する説明の重点はそれぞれ異なっており、ある実施例で詳細に説明されなかった部分については他の実施例における関連する説明を参照することができる。

【0090】

以上、本発明の実施例で提供される表示パネル及び表示装置について詳細に説明した。本明細書では、本発明の原理及び実施形態について具体的な例を用いて説明したが、以上の実施例の説明は、本発明の技術的解決手段及びその主な要旨を容易に理解させるためのものに過ぎず、当業者であれば、前記各実施例に記載された技術的解決手段に対する修正、又はその技術的特徴の一部に対する同等な置換が可能であり、これらの修正又は同等な置換は、該当する技術的解決手段の本質を本発明の各実施例の技術的解決手段の範囲から逸脱させるものではないことは、当然理解されるものである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】