特開 2024-92319 給湯器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024092319

(43)【公開日】2024-07-08

(54)【発明の名称】給湯器

(51)【国際特許分類】

   F24H 1/14 20220101AFI20240701BHJP

   F24H 15/174 20220101ALI20240701BHJP

   F24H 15/219 20220101ALI20240701BHJP

   F24H 15/238 20220101ALI20240701BHJP

   F24H 15/325 20220101ALI20240701BHJP

   F24H 15/421 20220101ALI20240701BHJP

【ＦＩ】

F24H1/14 B

F24H15/174

F24H15/219

F24H15/238

F24H15/325

F24H15/421

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022208158

(22)【出願日】2022-12-26

(71)【出願人】

【識別番号】000112015

【氏名又は名称】株式会社パロマ

(74)【代理人】

【識別番号】100166017

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 和政

(74)【代理人】

【識別番号】110000497

【氏名又は名称】弁理士法人グランダム特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】林 俊輝

【テーマコード（参考）】

3L034

【Ｆターム（参考）】

3L034BA22

3L034BB02

3L034CA03

3L034CA05

(57)【要約】

【課題】加熱初期に熱交換器から出湯管に流れ込む湯水の出口温度をより迅速にねらい温度に近づけやすく、加熱初期後の期間には出湯温度を安定させやすい。
【解決手段】給湯器１において、制御装置１２は、予め定められたねらい温度から第２サーミスタ（出口温度検出部）によって検出される出口温度Ｔｂを減じた値に対して係数Ｇを乗じることによりオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出し、オフセットバイパス率Ｂｏｆが大きいほどバイパス率Ｂを大きくするようにバイパス弁１９を調整し、出湯温度Ｔｒを設定温度Ｔｔに近づけるように調整制御を行う。制御装置１２は、ガスバーナ４Ａの燃焼開始後の加熱初期には、第１係数Ｇ１を用いてオフセットバイパス率を算出する第１調整制御を行い、加熱初期の後、係数として第２係数Ｇ２を用いる第２調整制御を行う。制御装置１２は、常に、又は所定条件が成立した場合に、第１係数Ｇ１よりも第２係数Ｇ２を低く決定する決定方法で係数Ｇを決定する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガスを燃焼させ、前記ガスの燃焼によって生じた排気を供給するガスバーナと、
前記ガスバーナから供給される前記排気によって加熱される伝熱管を備える熱交換器と、
水を導入する入水口と前記伝熱管との間に設けられ、前記伝熱管に水を供給する入水管と、
前記伝熱管の下流側に接続され、前記伝熱管から供給される湯を流す出湯管と、
前記入水管から分岐する水のバイパス経路を構成するとともに前記出湯管に接続され、前記バイパス経路を介して前記出湯管に水を流し得るバイパス管と、
前記入水管から前記バイパス管を介して前記出湯管に流れる水の通水量を調整するバイパス弁と、
前記バイパス弁を制御する制御装置と、
前記熱交換器から前記出湯管に流れ込む湯水の出口温度を第１位置にて検出する出口温度検出部と、
前記出湯管における前記第１位置よりも下流側の第２位置にて出湯温度を検出する出湯温度検出部と、
を有し、
前記通水量と、前記入水管において前記バイパス管よりも前記熱交換器側へ供給される供給水量と、の和を総水量とし、前記総水量に対する前記通水量の比率をバイパス率とした場合に、前記バイパス弁によって前記通水量が調整されることにより前記バイパス率が調整され、
前記制御装置は、
予め定められたねらい温度から前記出口温度検出部によって検出される前記出口温度を減じた値に対して係数を乗じることによりオフセットバイパス率を算出し、
前記オフセットバイパス率が大きいほど前記バイパス率を大きくするように前記バイパス弁を調整し、前記出湯温度を設定温度に近づけるように調整制御を行い、
前記ガスバーナの燃焼開始後の加熱初期には、前記係数として第１係数を用いて前記オフセットバイパス率を算出する第１調整制御を行い、
前記加熱初期の後、前記係数として第２係数を用いて前記オフセットバイパス率を算出する第２調整制御を行い
常に、又は所定条件が成立した場合に、前記第１係数よりも前記第２係数を低く決定する決定方法で前記係数を決定する
給湯器。

【請求項2】

前記制御装置は、前記設定温度が閾値温度未満である場合に、前記第１係数よりも前記第２係数を低く決定する決定方法で前記係数を決定する
請求項１に記載の給湯器。

【請求項3】

前記通水量を検出する水量検出部を有し、
前記制御装置は、前記係数として前記第１係数及び前記第２係数のいずれを決定する場合でも、前記水量検出部によって検出される前記通水量が大きいほど前記係数を大きくし、
前記決定方法は、前記水量検出部によって検出される前記通水量がいずれの値でも場合でも、当該値に基づいて決定される前記第１係数よりも当該値に基づいて決定される前記第２係数の方が低い
請求項１又は請求項２に記載の給湯器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、給湯器に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１の給湯装置は、熱交換器と、熱交換器に接続されて水道水を供給する入水管と、熱交換器に接続されて加熱された湯を出湯する出湯管と、入水管と出湯管との間に接続されて熱交換器をバイパスするバイパス管と、を備える。更に給湯装置は、バイパス管流れる流量を制御可能なミキシングモータと、内胴温度を検出する内胴サーミスタと、内胴サーミスタによって得られる内胴温度に応じてミキシングモータの動作を制御するコントローラと、を備える。この給湯装置では、コントローラは、内胴サーミスタによって得られる内胴温度の低下勾配に応じて、ミキシングモータによってバイパス管を流れる流量を減少させる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－２４５８９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

バイパス管を備えた給湯器は、「バイパス管を流れる水の量と熱交換器を流れる水の量とを加算した総水量」に対する「バイパス管を流れる水の量」の割合（バイパス率）を調整することで、熱交換器の加熱度合いや熱交換器を流れる湯水の加熱度合いを調整することができる。例えば、上記バイパス率が大きいほど、熱交換器は加熱されやすく、上記バイパス率が小さいほど、熱交換器は加熱されにくくなる。

【0005】

この種の給湯器では、バイパス率の増加速度や減少速度を大きくすると、熱交換器を通る湯水を加熱する速度を大きく変更することができるが、目標温度に対するオーバーシュートやアンダーシュートが大きくなりやすいという問題がある。一方で、バイパス率の増加速度や減少速度が抑えられると、目標温度に対するオーバーシュートやアンダーシュートは抑制されやすいが、湯水の温度を目標温度に近づけるまでの時間が長くなりやすい。

【0006】

本開示の目的の一つは、加熱初期に熱交換器から出湯管に流れ込む湯水の出口温度をより迅速にねらい温度に近づけやすく、加熱初期後の期間には出湯温度を安定させやすい技術を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一つである給湯器は、
ガスを燃焼させ、前記ガスの燃焼によって生じた排気を供給するガスバーナと、
前記ガスバーナから供給される前記排気によって加熱される伝熱管を備える熱交換器と、
水を導入する入水口と前記伝熱管との間に設けられ、前記伝熱管に水を供給する入水管と、
前記伝熱管の下流側に接続され、前記伝熱管から供給される湯を流す出湯管と、
前記入水管から分岐する水のバイパス経路を構成するとともに前記出湯管に接続され、前記バイパス経路を介して前記出湯管に水を流し得るバイパス管と、
前記入水管から前記バイパス管を介して前記出湯管に流れる水の通水量を調整するバイパス弁と、
前記バイパス弁を制御する制御装置と、
前記熱交換器から前記出湯管に流れ込む湯水の出口温度を第１位置にて検出する出口温度検出部と、
前記出湯管における前記第１位置よりも下流側の第２位置にて出湯温度を検出する出湯温度検出部と、
を有し、
前記通水量と、前記入水管において前記バイパス管よりも前記熱交換器側へ供給される供給水量と、の和を総水量とし、前記総水量に対する前記通水量の比率をバイパス率とした場合に、前記バイパス弁によって前記通水量が調整されることにより前記バイパス率が調整され、
前記制御装置は、
予め定められたねらい温度から前記出口温度検出部によって検出される前記出口温度を減じた値に対して係数を乗じることによりオフセットバイパス率を算出し、
前記オフセットバイパス率が大きいほど前記バイパス率を大きくするように前記バイパス弁を調整し、前記出湯温度を設定温度に近づけるように調整制御を行い、
前記ガスバーナの燃焼開始後の加熱初期には、前記係数として第１係数を用いて前記オフセットバイパス率を算出する第１調整制御を行い、
前記加熱初期の後、前記係数として第２係数を用いて前記オフセットバイパス率を算出する第２調整制御を行い
常に、又は所定条件が成立した場合に、前記第１係数よりも前記第２係数を低く決定する決定方法で前記係数を決定する
給湯器。

【発明の効果】

【0008】

本開示に係る技術は、加熱初期に熱交換器から出湯管に流れ込む湯水の出口温度をより迅速にねらい温度に近づけやすく、加熱初期後の期間には出湯温度を安定させやすい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、第１実施形態に係る給湯器を概略的に例示する説明図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る給湯器で行われる出湯制御の流れを例示するフローチャートである。

【図3】図３は、図２で例示される出湯制御における通常制御の流れを例示するフローチャートである。

【図4】図４は、図３で例示される通常制御における微分ＦＢバイパス率計算の流れを例示するフローチャートである。

【図5】図５は、経過時間ｔｐが基準時間以下である場合の水量と係数（第１係数）との対応関係を示す表である。

【図6】図６は、経過時間ｔｐが基準時間を超える場合の水量と係数との対応関係を示す表である。

【図7】図７は、水量と係数との対応関係を示すグラフである。

【図8】図８は、第１実施形態の発明を適用しない参考例１における時間経過に伴う各値の推移を示すグラフである。

【図9】図９は、第１実施形態の発明を適用しない参考例２における時間経過に伴う各値の推移を示すグラフである。

【図10】図１０は、第１実施形態の発明を適用した例における時間経過に伴う各値の推移を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下では、本開示の実施形態が列記されて例示される。なお、以下で例示される特徴は、矛盾しない組み合わせでどのように組み合わされてもよい。

【0011】

〔１〕ガスを燃焼させ、前記ガスの燃焼によって生じた排気を供給するガスバーナと、
前記ガスバーナから供給される前記排気によって加熱される伝熱管を備える熱交換器と、
水を導入する入水口と前記伝熱管との間に設けられ、前記伝熱管に水を供給する入水管と、
前記伝熱管の下流側に接続され、前記伝熱管から供給される湯を流す出湯管と、
前記入水管から分岐する水のバイパス経路を構成するとともに前記出湯管に接続され、前記バイパス経路を介して前記出湯管に水を流し得るバイパス管と、
前記入水管から前記バイパス管を介して前記出湯管に流れる水の通水量を調整するバイパス弁と、
前記バイパス弁を制御する制御装置と、
前記熱交換器から前記出湯管に流れ込む湯水の出口温度を第１位置にて検出する出口温度検出部と、
前記出湯管における前記第１位置よりも下流側の第２位置にて出湯温度を検出する出湯温度検出部と、
を有し、
前記通水量と、前記入水管において前記バイパス管よりも前記熱交換器側へ供給される供給水量と、の和を総水量とし、前記総水量に対する前記通水量の比率をバイパス率とした場合に、前記バイパス弁によって前記通水量が調整されることにより前記バイパス率が調整され、
前記制御装置は、
予め定められたねらい温度から前記出口温度検出部によって検出される前記出口温度を減じた値に対して係数を乗じることによりオフセットバイパス率を算出し、
前記オフセットバイパス率が大きいほど前記バイパス率を大きくするように前記バイパス弁を調整し、前記出湯温度を設定温度に近づけるように調整制御を行い、
前記ガスバーナの燃焼開始後の加熱初期には、前記係数として第１係数を用いて前記オフセットバイパス率を算出する第１調整制御を行い、
前記加熱初期の後、前記係数として第２係数を用いて前記オフセットバイパス率を算出する第２調整制御を行い
常に、又は所定条件が成立した場合に、前記第１係数よりも前記第２係数を低く決定する決定方法で前記係数を決定する
給湯器。

【0012】

上記〔１〕の給湯器は、加熱初期にはオフセットバイパス率をより大きく設定し、熱交換器の加熱を促進することができる。よって、上記給湯器は、加熱初期には熱交換器の温度を早期に上昇させてドレンの発生を抑制することができる。一方で、上記給湯器は、加熱初期の後の期間に、オフセットバイパス率を相対的に低く設定し、ねらい温度に緩やかに近づけることができる。よって、上記給湯器は、出口温度がある程度上昇した後に、ねらい温度付近で出口温度が急激かつ大きく変化することを抑制することができ、ねらい温度付近で出口温度の上昇と下降が繰り返されるハンチング現象を抑えやすい。

【0013】

〔２〕前記制御装置は、前記設定温度が閾値温度未満である場合に、前記第１係数よりも前記第２係数を低く決定する決定方法で前記係数を決定する
〔１〕に記載の給湯器。

【0014】

設定温度が相対的に小さい場合、熱交換器の温度がある程度上昇した後に出口温度を急激に変化させる方法を用いると、出口温度がねらい温度を超えてより大きく上昇しやすくなる。しかしながら、上記〔２〕の給湯器のように、熱交換器の温度がある程度上昇した後に出口温度が急激かつ大きく変化することを抑制すれば、設定温度が相対的に小さい場合に出口温度がねらい温度を大きく超えて上昇しすぎることを抑えやすくなる。

【0015】

〔３〕前記通水量を検出する水量検出部を有し、
前記制御装置は、前記係数として前記第１係数及び前記第２係数のいずれを決定する場合でも、前記水量検出部によって検出される前記通水量が大きいほど前記係数を大きくし、
前記決定方法は、前記水量検出部によって検出される前記通水量がいずれの値でも場合でも、当該値に基づいて決定される前記第１係数よりも当該値に基づいて決定される前記第２係数の方が低い
〔１〕又は〔２〕に記載の給湯器。

【0016】

上記〔３〕の給湯器は、加熱初期には、水量が大きいほど熱交換器の加熱度合いを大きく調整するように水量に合わせた加熱を行い、いずれの水量の場合でも、オフセットバイパス率をより大きく設定して熱交換器の加熱を促進することができる。一方で、この給湯器は、加熱初期の後の期間にも、水量が大きいほど熱交換器の加熱度合いを大きく調整するように水量に合わせた加熱を行うが、第２係数を用いる場合には、いずれの水量の場合でも、オフセットバイパス率をより小さく設定し、ねらい温度付近で出口温度が急激かつ大きく変化することを抑制することができる。

【0017】

＜第１実施形態＞
１．給湯器の概要
図１には、第１実施形態に係る給湯器１が例示される。図１に示される給湯器１は、バイパスミキシング式の給湯装置として構成される。給湯器１において、器具本体内には、給気ファン３を備えた燃焼室２が設けられている。燃焼室２は、内部にガスを燃焼させる空間が構成された器具である。燃焼室２には、給気ファン３によって空気が供給され、ガス管８を介して燃料ガスが供給される。

【0018】

燃焼室２の内部には、ガスバーナ４Ａを備えたバーナユニット４が複数設けられる。複数のバーナユニット４は、互いに燃焼能力が異なっている。具体的には、バーナユニット４毎に、ガスバーナ４Ａの個数が異なっている。各々のガスバーナ４Ａは、混合ガスを燃焼させ、混合ガスの燃焼によって生じた排気を供給するように動作する。ガスバーナ４Ａによって燃焼される混合ガスは、ガス管８を介して供給される燃料ガスと、給気ファン３からの一次空気とが混合されるガスである。ガスバーナ４Ａは、上記ガスを燃焼させ、上記ガスの燃焼によって生じた排気を供給するように機能する。

【0019】

ガスバーナ４Ａに通じるガス管８は、共通の経路をなす共通管８Ａと、共通管８Ａから各々のバーナユニット４へと分岐する複数の分岐管８Ｂとを備える。共通管８Ａには、元電磁弁９及びガス比例弁１０が設けられている。各々の分岐管８Ｂには、切替電磁弁１１，１１・・がそれぞれ設けられている。元電磁弁９、ガス比例弁１０、切替電磁弁１１，１１・・の各々は、制御装置１２によって開度又は開閉が制御される。符号１３はイグナイタであり、符号１４は点火電極であり、符号１５はフレームロッドである。制御装置１２は、イグナイタ１３及び点火電極１４を動作させて点火させ得る。

【0020】

熱交換器５は、ガスバーナ４Ａの燃焼によって加熱され、熱交換を行う器具である。熱交換器５は、ガスバーナ４Ａから供給される排気（燃焼排気）によって加熱される伝熱管５Ａを備える。伝熱管５Ａの一端側には入水管６が接続され、他端側には出湯管７が接続される。入水管６から伝熱管５Ａに水が流れ込むと、流れ込んだ水は伝熱管５Ａを通って出湯管７に流れ出る。

【0021】

入水管６は、給湯器１の外部に設けられた水道管（図示省略）から水を導入する入水口と熱交換器５の伝熱管５Ａとの間に設けられ、入水口から導入された水を伝熱管５Ａに供給する配管である。入水管６の下流側の端部は、伝熱管５Ａの上流側の端部に接続される。

【0022】

出湯管７は、伝熱管５Ａの下流側端部に接続され、伝熱管５Ａから供給される湯を流すように配策される配管である。出湯管７の一端は伝熱管５Ａに接続され、他端は給湯栓２０に接続される。出湯管７は、例えば、給湯栓２０が開放している状態（湯を排出し得る開放状態）のときに伝熱管５Ａから給湯栓２０に湯を流す。

【0023】

バイパス管１６は、入水管６と出湯管７との間に設けられる配管であり、熱交換器５をバイパスするように水を流し得る配管である。バイパス管１６は、入水管６から分岐する水のバイパス経路を構成するように一端が入水管６に接続され、他端が出湯管７に接続され、上記バイパス経路を介して出湯管７に水を流し得る配管である。バイパス管１６は、例えば、給湯栓２０が開放している状態でバイパス弁１９が開放しているときに入水管６から導入される水を出湯管７に向かって流すように構成される。

【0024】

入水管６におけるバイパス管１６との接続位置よりも上流側には、器具全体に流れる水量を検出する水量センサ１７と通水量調節装置１８とが設けられる。図１の例では、水量センサ１７は、入水管６において水入口と上記接続位置との間の部位に設けられ、この部位を流れる水の水量（即ち、外部から入水管６に導入される水の水量）を検出する。制御装置１２は水量センサ１７から与えられる情報に基づいて水量センサ１７が設けられた位置の水量（即ち、外部から入水管６に導入される水量）を把握する。通水量調節装置１８は、入水管６において水入口と上記接続位置との間の部位に設けられ、この部位を流れる水の水量を調整する。具体的には、通水量調節装置１８は、入水管６に介在する弁体を有し、当該弁体の開度が調節可能とされている。制御装置１２は、通水量調節装置１８の位置の水量を調節するように通水量調節装置１８を制御し、具体的には、通水量調節装置１８の弁体の開度を調節するように制御することで、入水管６を流れる水の量を調整する。

【0025】

バイパス弁１９は、入水管６からバイパス管１６を介して出湯管７に流れる水の量（通水量）を調整する弁であり、例えば、弁体と駆動装置とを有してなる。図１の例では、バイパス弁１９は、バイパス管１６における入水管６との接続位置付近に設けられ、バイパス管１６を流れる水の量を調節するバイパス水量調節装置として動作する。制御装置１２は、バイパス弁１９の位置の水量を調節するようにバイパス弁１９を制御し、具体的には、バイパス弁１９の弁体の開度を調節するように制御することで、入水管６からバイパス管１６へ流れ込む水の量を調整する。

【0026】

出湯管７においてバイパス管１６と接続部分より下流側（給湯栓２０側）には、第１サーミスタ２１が設けられる。第１サーミスタ２１は、出湯管７において第１サーミスタ２１が設けられた位置（バイパス管１６との接続部分と、給湯栓２０との間の位置）の湯水の温度を検出する。第１サーミスタ２１が検出する温度は、給湯栓２０から放出される直前の湯水の温度である。第１サーミスタ２１が検出する温度が出湯温度の一例に相当する。出湯温度は、Ｔｒと表される。

【0027】

出湯管７においてバイパス管１６と接続部分より上流側（熱交換器５側）には、第２サーミスタ２２が設けられる。第２サーミスタ２２は、出湯管７において第２サーミスタ２２が設けられた位置（伝熱管５Ａと、バイパス管１６との接続部分との間の位置）の湯水の温度を検出する。第２サーミスタ２２が検出する温度は、出湯管７において伝熱管５Ａから流れ出た直後の湯水の温度である。第２サーミスタ２２が検出する温度は、出口温度Ｔｂとも称される。

【0028】

入水管６において、バイパス管１６と接続部分より上流側には、第３サーミスタ２３が設けられる。第３サーミスタ２３は、入水管６において第３サーミスタ２３が設けられた位置（水入口と、バイパス管１６との接続部分との間の位置）の水の温度を検出する。第３サーミスタ２３が検出する温度は、入水管６内において水入口から導入された直後の水の温度である。第３サーミスタ２３が検出する温度が入水温度の一例に相当する。以下の説明では、入水温度は、Ｔｉと表される。第１サーミスタ２１、第２サーミスタ２２、第３サーミスタ２３が検出した各温度は、制御装置１２に与えられる。

【0029】

制御装置１２は、各種制御を行い得る制御装置であり、例えば、情報処理機能や各種演算機能などを有するマイクロコンピュータなどの情報処理装置、各種情報を記憶し得る半導体メモリなどの記憶装置、各機器と通信を行うための通信装置、その他のインタフェースなどを備える。制御装置１２は、例えば、リモートコントローラ２４と通信可能とされている。リモートコントローラ２４は、ユーザが外部から操作を行い得る装置であり、例えば、設定温度等を設定操作可能な操作装置である。リモートコントローラ２４は、制御装置１２に対して各種情報を与え、制御装置１２から各種情報を取得し得る。

【0030】

２．通水制御の概要
次に、通水制御について説明する。
制御装置１２は、図２に示されるような流れで出湯制御を行い、バイパス弁１９などを制御する。制御装置１２は、開始条件が成立した場合に、図２の制御を開始する。上記開始条件は、例えば制御装置１２に対して図示されていない電源装置から電力の供給が開始されたことや、図２の制御の終了後、電源投入状態が維持されていることなどである。その他の開始条件であってもよい。

【0031】

制御装置１２は、図２の出湯制御を開始した場合、まず、ステップＳ１において通水が検知されたか否かを判定する。例えば、制御装置１２は、ステップＳ１において水量センサ１７が検知する水量が閾値を超えたと判定した場合に、肯定の判定（Ｙｅｓの判定）を行い、処理をステップＳ２に進める。一方、ステップＳ１において水量センサ１７が検知する水量が閾値を超えていないと判定した場合に、否定の判定（Ｎｏの判定）を行い、図２の出湯制御を終了する。なお、制御装置１２は、図２の出湯制御を終了した場合、所定の短時間後に図２の出湯制御を開始する。

【0032】

制御装置１２は、処理をステップＳ２に進めた場合、点火制御を行う。制御装置１２は、ステップＳ２で点火制御を行う場合、給気ファン３を回転させてプリパージを行い、元電磁弁９、切替電磁弁１１及びガス比例弁１０をそれぞれ開いてガスバーナ４Ａにガスを供給すると共に、イグナイタ１３を作動させてガスバーナ４Ａを点火させる。ガスバーナ４Ａの点火はフレームロッド１５で確認される。制御装置１２は、ステップＳ２で点火制御を行う場合、例えば、複数のバーナユニット４のいずれかに対してのみ点火を行い、ステップＳ２では、点火するバーナユニット４にガスを供給する分岐管８Ｂに設けられた切替電磁弁１１を開く。

【0033】

制御装置１２は、ステップＳ２の点火制御によって点火がなされた後、処理をステップＳ３に進め、バイパス管１６を流れる水の量を抑えるバイパス抑制制御を行う。バイパス抑制制御は、後述するバイパス増大制御のときよりもバイパス率を抑制する制御である。バイパス率は、入水管６においてバイパス管１６よりも熱交換器５側へ供給される水の量である「供給水量」と、バイパス管１６を流れる水の量である「通水量」と、の和を総水量Ｗｔとした場合の、上記総水量Ｗｔに対する上記通水量の比率である。以下の説明では、供給水量がＷ１とされ、通水量がＷ２とされ、水入口から入り込む水の水量である入水量が総水量Ｗｔである。供給水量Ｗ１は、入水管６においてバイパス管１６が接続される位置（具体的には、バイパス管１６における入水管６側の端部位置）よりも熱交換器５側へ供給される水の水量である。通水量Ｗ２は、バイパス管１６において、バイパス弁１９から出湯管７へと流れる水の類焼である。通水量Ｗ２は、Ｗ２＝Ｗｔ－Ｗ１の式で特定される。Ｗｔは、供給水量Ｗ１と通水量Ｗ２の和であり、Ｗｔ＝Ｗ１＋Ｗ２である。バイパス率Ｂは、Ｂ＝Ｗ２／Ｗｔの式で特定される。

【0034】

制御装置１２は、ステップＳ３においてバイパス抑制制御を行う場合、例えば、バイパス弁１９によって経路を遮断することで、バイパス管１６の通水量を０とし、バイパス率を０とする。従って、バイパス抑制制御中は、供給水量Ｗ１と総水量Ｗｔ（入水量）とが同一となり、外部から入水管６に流れ込んだ水の全部が伝熱管５Ａへと流れる。制御装置１２は、ステップＳ３にてバイパス抑制制御を開始した後、ステップＳ４において点火後の経過時間が閾値Ｔ１に達したか否かを判定し、点火後の経過時間が閾値Ｔ１に達していないと判定した場合には、処理をステップＳ３に戻してバイパス抑制制御を継続する。一方、制御装置１２は、ステップＳ４において点火後の経過時間が閾値Ｔ１に達したと判定した場合には、処理をステップＳ５に進め、バイパス増大制御を行う。つまり、制御装置１２は、少なくとも点火時点から時間Ｔ１までの間にわたってバイパス抑制制御を継続し、点火時点から時間Ｔ１が経過した場合には、バイパス抑制制御を終了してバイパス増大制御を開始する。

【0035】

上述のように、制御装置１２は、ステップＳ２においてガスバーナ４Ａの燃焼が開始してから初期期間の開始時点（点火時点から時間Ｔ１が経過した時点）までの少なくとも一部期間（望ましくは全部期間）において、バイパス率Ｂを上記初期期間のバイパス率Ｂよりも低くするようにバイパス弁１９を制御する。ステップＳ２でのガスバーナ４Ａの点火から時間Ｔ１が経過するまでの期間（バイパス抑制制御が行われる期間）は、「プレ制御期間」とも称される。上記初期期間は、上記プレ制御期間の後の期間であり、後述のバイパス増大制御が行われる期間である。

【0036】

なお、ステップＳ２にて点火制御が行われる前もバイパス抑制制御がなされていてもよく、例えば、ステップＳ２にて点火制御が行われる前から（例えば、ステップＳ１にて通水が検知される前から）バイパス管１６のバイパス率を０としておき、ステップＳ２にて点火制御が行われた前後でバイパス率を０で維持し続け、更に、ステップＳ４でＹｅｓと判定されるまで、バイパス率を０で維持し続けてもよい。

【0037】

制御装置１２は、ステップＳ５においてバイパス増大制御を行う場合、例えば、バイパス弁１９によって経路を開放し、バイパス率Ｂが予め定められた固定比率とするようにバイパス弁１９の開度を調節する。バイパス増大制御は、後述する通常制御のときよりもバイパス率を増大させる制御である。制御装置１２は、ステップＳ５にてバイパス増大制御を開始した後、ステップＳ６において点火後の経過時間が閾値Ｔ２に達したか否かを判定し、点火後の経過時間が閾値Ｔ２に達していないと判定した場合には、処理をステップＳ５に戻してバイパス増大制御を継続する。一方、制御装置１２は、ステップＳ６において点火後の経過時間が閾値Ｔ２に達したと判定した場合には、処理をステップＳ７に進め、通常制御を行う。この通常制御は、通水が非検知となるまで（即ち、ステップＳ８でＹｅｓとなるまで）繰り返される。通常制御については、後の記載で詳述される。なお、この例では、Ｔ１＜Ｔ２である。つまり、制御装置１２は、点火時点から時間Ｔ１が経過した時点から時間Ｔ２が経過するまでの間にわたってバイパス増大制御を継続し、点火時点から時間Ｔ２が経過した場合には、バイパス増大制御を終了して通常制御を開始する。固定比率の値は特に限定されず、例えば、０．３であってもよく、この値よりも若干大きかったり、小さかったりしてもよい。

【0038】

このように、制御装置１２は、ガスバーナ４Ａの燃焼が開始した後の上記初期期間のバイパス率Ｂを、上記初期期間が経過した後の通常期間のバイパス率Ｂよりも高くするようにバイパス弁１９を制御する。上記初期期間は、上述のバイパス増大制御が行われる期間であり、具体的には、点火から時間Ｔ１が経過した時点から時間Ｔ２が経過するまでの期間である。つまり、上記初期期間の終了時点は、ステップＳ２でのガスバーナ４Ａの点火から、予め定められた一定時間Ｔ２が経過した時点である。上記通常期間は、後述の通常制御が行われる期間であり、点火から時間Ｔ２が経過した時点からステップＳ８において通水が非検知となるまでの期間である。

【0039】

３．通常制御の詳細
制御装置１２は、ステップＳ７において通常制御を行う場合、後述されるミキシング制御を所定時間毎（例えば、０．２５秒ごと）に行い、所定時間毎にバイパス率を調整することができる。

【0040】

具体的には、制御装置１２が、図３のような流れでミキシング制御を行い、ステップＳ７の通常制御が継続している間（ステップＳ６でＹｅｓと判定された後、ステップＳ８でＹｅｓと判定されるまでの間）には、図３の制御を継続する。そして、制御装置１２は、ステップＳ７の通常制御を終了する場合、即ち、ステップＳ８でＹｅｓと判定する場合、図３の制御を終了し、図２の制御を終了することになる。

【0041】

制御装置１２は、ステップＳ６でＹｅｓと判定することにより図３の制御を開始した場合、ステップＳ１１において、図３の制御の開始又は前回のステップＳ１６の終了から所定時間（例えば、０．２５秒）が経過したか否かを判定し、経過したと判定した場合には、処理をステップＳ１２に進める。

【0042】

制御装置１２は、処理をステップＳ１２に進めた場合、ステップＳ１２においてＦＦバイパス率を算出する。制御装置１２は、このＦＦバイパス率は、例えば、以下の式（１）によって算出する。ＦＦバイパス率は、Ｂｆｆと表される。内洞ねらい温度は、例えば、予め定められた固定値であってもよく、設定温度等に応じて定められる更新値であってもよい。内洞ねらい温度は、Ｔａと表される。設定温度は、出湯口から放出される湯の目標温度であり、利用者がリモートコントローラ２４を操作することによって設定可能な設定値である。設定温度１２は、例えば制御装置１２において更新可能に記憶される。設定温度は、Ｔｔと表される。Ｔｉは、上述された入水温度である。式（１）は、内洞ねらい温度Ｔａと設定温度Ｔｔと入水温度Ｔｉとに基づいてＦＦバイパス率Ｂｆｆを算出する式である。
Ｂｆｆ＝（Ｔａ－Ｔｔ）／（Ｔａ－Ｔｉ）・・（１）

【0043】

制御装置１２は、ステップＳ１２においてＦＦバイパス率Ｂｆｆを算出した後、処理をステップＳ１３に進め、ステップＳ１３においてオフセットバイパス率を算出する。オフセットバイパス率は、Ｂｏｆと表される。制御装置１２は、このオフセットバイパス率を、例えば、以下の式（２）によって算出する。式（２）において、Ｔｂは、上述の出口温度Ｔｂである。式（２）では、Ｇの値が大きくなるほど、出口温度Ｔｂが内洞ねらい温度Ｔａに至るまでの上昇速度が大きくなる。なお、係数Ｇの設定方法は後述される。
Ｂｏｆ＝Ｇ×（Ｔａ－Ｔｂ）・・（２）

【0044】

制御装置１２は、ステップＳ１３においてオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出した後、処理をステップＳ１４に進め、ステップＳ１４においてＦＢバイパス率を算出する。このＦＢバイパス率は、出湯温度Ｔｒに基づいたバイパス率の補正値で、以下の式（３）によって計算される。αは定数である。ＦＢバイパス率は、Ｂｆｂと表される。式（３）は、出湯温度Ｔｒと設定温度Ｔｔと内洞ねらい温度Ｔａと入水温度Ｔｉとに基づいてＦＢバイパス率Ｂｆｂを算出する式である。
Ｂｆｂ＝（Ｔｒ－Ｔｔ）×α／（Ｔａ－Ｔｉ）・・（３）

【0045】

制御装置１２は、ステップＳ１４においてＦＢバイパス率Ｂｆｂを算出した後、処理をステップＳ１５に進め、ステップＳ１５において微分ＦＢバイパス率を算出する。この微分ＦＢバイパス率は、内胴温度の変化（傾き）に応じて後述の算出方法で決定される。微分ＦＢバイパス率は、Ｂｄと表される。

【0046】

制御装置１２は、ステップＳ１５において微分ＦＢバイパス率Ｂｄを算出した後、ステップＳ１２～Ｓ１５で算出されたＦＦバイパス率Ｂｆｆ、オフセットバイパス率Ｂｏｆ、ＦＢバイパス率Ｂｆｂ、微分ＦＢバイパス率Ｂｄを加算して、目標バイパス率Ｂｔを算出する。以下では、目標バイパス率は、Ｂｔと表される。目標バイパス率Ｂｔは、Ｂｔ＝Ｂｆｆ＋Ｂｏｆ＋Ｂｆｂ＋Ｂｄの式によって特定される。

【0047】

制御装置１２は、ステップＳ１５において微分ＦＢバイパス率Ｂｄを算出する場合、例えば、図４のような流れで算出する。制御装置１２は、ステップＳ１５の処理を開始した場合、まず、図４のステップＳ２０において内胴温度の傾きを求める。この傾きは、検出された内胴温度と前回の制御で記憶された前回内胴温度との差を求めることで得る。こうして得られた内胴温度は、次回に使用する前回内胴温度としてＳ１１で記憶される。

【0048】

次に、Ｓ２２では、Ｓ２０で得られた内胴温度の傾きが、－０．１℃を超えているか否か、すなわち低下傾向にないか否かを判別する。ここで傾きが－０．１℃を超えていれば、低下傾向でないとして、Ｓ２３で内胴温度の傾きは０とする。一方、傾きが－０．１℃を超えていなければ、低下傾向であるとして、Ｓ２４で、以下の式（４）によって今回の微分ＦＢバイパス率を算出する。
今回の微分ＦＢバイパス率＝内胴温度傾き×３０／（内胴ねらい温度－入水温度）・・（４）

【0049】

制御装置１２は、Ｓ２５の判別では、前回算出して記憶された前回微分ＦＢバイパス率が、Ｓ１４で得た今回の微分ＦＢバイパス率を下回っているか否かを判別する。ここで前回微分ＦＢバイパス率が今回の微分ＦＢバイパス率を下回っていなければ、Ｓ２７において、今回の微分ＦＢバイパス率を微分ＦＢバイパス率Ｂｄとし、これを次回使用する前回微分ＦＢバイパス率として記憶する。一方、前回微分ＦＢバイパス率が今回の微分ＦＢバイパス率を下回っていれば、Ｓ２６において、以下の式（５）によって微分ＦＢバイパス率を修正する。これは、前回微分ＦＢバイパス率と今回の微分ＦＢバイパス率とを用いて平滑化した微分ＦＢバイパス率を得るものである。
微分ＦＢバイパス率Ｂｄ＝（前回微分ＦＢバイパス率×ｍ＋今回の微分ＦＢバイパス率×ｎ）／（ｍ＋ｎ） （但し、ｍ＞ｎ）・・（５）
こうしてＳ２４或いはＳ２６で得られた微分ＦＢバイパス率を図２における目標バイパス率の算出に用いることになる。なお、図４を参照して説明された上述の微分ＦＢバイパス率Ｂｄの決定方法はあくまで一例であり、上述の決定方法を多少修正してもよく、他の決定方法によって微分ＦＢバイパス率Ｂｄを算出してもよい。

【0050】

４．係数Ｇの設定方法
図１に示される代表例では、出口温度検出部の一例に相当する第２サーミスタ２２が温度を検出する位置が第１位置である。第２サーミスタ２２は、熱交換器５から出湯管７に流れ込む湯水の温度を出口温度として上記第１位置にて検出する。そして、代表例では、出湯温度検出部の一例に相当する第１サーミスタ２１が温度を検出する位置が第２位置である。第１サーミスタ２１は、出湯管７における上記第１位置よりも下流側の上記第２位置にて出湯管７を流れる湯水の温度を出湯温度として検出する。そして、代表例では、水量センサ１７が検出する水量Ｗｔが総水量の一例に相当する。総水量Ｗｔは、バイパス管１６を流れる水の量である通水量Ｗ２と、入水管６においてバイパス管１６よりも熱交換器５側へ供給される水の量である供給水量Ｗ１と、の和である。そして、バイパス率Ｂは、総水量Ｗｔに対する通水量Ｗ２の比率（Ｗ２／Ｗｔ）である。

【0051】

給湯器１では、制御装置１２がバイパス弁１９を調整することにより通水量Ｗ２が調整され、このように通水量Ｗ２が調整されることによりバイパス率Ｂが調整される。制御装置１２は、短時間毎に目標バイパス率Ｂｔを算出し、目標バイパス率Ｂｔの算出毎（図３のステップＳ１６の実行毎）に、各バイパス弁１９の開度を新しい目標バイパス率Ｂｔとなる開度にすることにより、バイパス率Ｂを目標バイパス率Ｂｔに調整する。

【0052】

制御装置１２は、ステップＳ１３においてオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出する場合、上述したように、ステップＳ１３の実行時点の内洞ねらい温度Ｔａと出口温度Ｔｂとに基づいて、Ｂｏｆ＝Ｇ×（Ｔａ－Ｔｂ）の算出式によってオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出する。即ち、制御装置１２は、予め定められたねらい温度（内洞ねらい温度Ｔａ）から第２サーミスタ２２（出口温度検出部）によって検出される出口温度Ｔｂを減じた値（Ｔａ－Ｔｂ）に対して係数Ｇを乗じることによりオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出する。そして、制御装置１２は、ステップＳ１３での算出の際に用いる係数Ｇを、ステップＳ１３の実行時点の設定温度Ｔｔと、総水量Ｗｔと、ステップＳ１３の実行開始時点における燃焼開始からの経過時間ｔｐとに基づいて、基づいて以下の方法で決定する。経過時間ｔｐは、ガスバーナ４Ａの燃焼開始からステップＳ１３の実行開始時点までの経過時間である。

【0053】

代表例では、上記経過時間ｔｐが予め定められた基準時間以下である場合が加熱初期であり、上記経過時間ｔｐが上記基準時間を超えた場合が加熱初期後の期間である。制御装置１２は、ステップＳ１３の処理を実行する場合、当該処理の開始時点までの経過時間ｔｐが上記基準時間以下である場合、第１の係数決定方法で算出される第１係数Ｇ１を上記係数Ｇとして用いる。制御装置１２は、ステップＳ１３の処理の開始時点までの経過時間ｔｐが上記基準時間を超えている場合において、ステップＳ１３の処理の開始時点での設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ未満である場合には、第２の係数決定方法で算出される第２係数Ｇ２を上記係数Ｇとして用いる。制御装置１２は、ステップＳ１３の処理の開始時点までの経過時間ｔｐが上記基準時間を超えている場合であっても、ステップＳ１３の処理の開始時点での設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ以上である場合には、第１の係数決定方法で算出される第１係数Ｇ１を上記係数Ｇとして用いる。

【0054】

代表例では、ステップＳ１３の処理の開始時点までの経過時間ｔｐが基準時間以下である条件、又は、ステップＳ１３の処理の開始時点までの経過時間ｔｐが基準時間を超え且つステップＳ１３の処理の開始時点での設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ以上である条件、を満たす場合が第１条件を満たす場合である。また、ステップＳ１３の処理の開始時点までの経過時間ｔｐが基準時間を超え且つステップＳ１３の処理の開始時点での設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ未満である条件、を満たす場合が第２条件を満たす場合である。図５は、経過時間ｔｐが基準時間以下である場合の水量と係数との対応関係を示す表である。図６の左の表は、経過時間ｔｐが基準時間を超える場合において設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ未満である場合の水量と係数との対応関係を示す表である。図６の右の表は、経過時間ｔｐが基準時間を超える場合において設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ以上である場合の水量と係数との対応関係を示す表である。

【0055】

図５、図６、図７のように、制御装置１２は、上記第１条件を満たす場合、第１の係数決定方法で第１係数Ｇ１を決定し、この第１係数Ｇ１を係数Ｇに用いる。具体的には、上記第１条件を満たす場合において総水量ＷｔがＸ１未満である場合の第１係数Ｇ１を、Ｇａ１とし、総水量ＷｔがＸ３以上である場合の第１係数Ｇ１を、Ｇａ３とする。上記第１条件を満たす場合において総水量ＷｔがＸ１以上且つＸ２未満である場合の第１係数Ｇ１は、二点（Ｘ１，Ｇａ１）（Ｘ２，Ｇａ２）を通る直線式によって求められる値とする。具体的には、水量がＸである場合に、Ｇ１－Ｇａ１＝（（Ｇａ２－Ｇａ１）／（Ｘ２－Ｘ１））×（Ｘ－Ｘ１）によって求められる第１係数Ｇ１を係数Ｇとして用いる。上記第１条件を満たす場合において総水量ＷｔがＸ２以上且つＸ３未満である場合の第１係数Ｇ１は、二点（Ｘ２，Ｇａ２）（Ｘ３，Ｇａ３）を通る直線式によって求められる値とする。具体的には、水量がＸである場合に、Ｇ１－Ｇａ２＝（（Ｇａ３－Ｇａ３）／（Ｘ３－Ｘ２））×（Ｘ－Ｘ２）によって求められる第１係数Ｇ１を係数Ｇとして用いる。

【0056】

図６、図７のように、制御装置１２は、上記第２条件を満たす場合、第２の係数決定方法で第２係数Ｇ２を決定し、この第２係数Ｇ２を係数Ｇに用いる。具体的には、上記第２条件を満たす場合において総水量ＷｔがＸ１未満である場合の第２係数Ｇ２を、Ｇｂ１とし、総水量ＷｔがＸ３以上である場合の第２係数Ｇ２を、Ｇｂ３とする。上記第２条件を満たす場合において総水量ＷｔがＸ１以上且つＸ２未満である場合の第２係数Ｇ２は、二点（Ｘ１，Ｇｂ１）（Ｘ２，Ｇｂ２）を通る直線式によって求められる値とする。具体的には、水量がＸである場合に、Ｇ２－Ｇｂ１＝（（Ｇｂ２－Ｇｂ１）／（Ｘ２－Ｘ１））×（Ｘ－Ｘ１）によって求められる第２係数Ｇ２を係数Ｇとして用いる。上記第２条件を満たす場合において総水量ＷｔがＸ２以上且つＸ３未満である場合の第２係数Ｇ２は、二点（Ｘ２，Ｇｂ２）（Ｘ３，Ｇｂ３）を通る直線式によって求められる値とする。具体的には、水量がＸである場合に、Ｇ２－Ｇｂ２＝（（Ｇｂ３－Ｇｂ３）／（Ｘ３－Ｘ２））×（Ｘ－Ｘ２）によって求められる第１係数Ｇ１を係数Ｇとして用いる。

【0057】

上述の式において、Ｇａ１＜Ｇａ２＜Ｇａ３である。また、Ｇｂ１＜Ｇｂ２＜Ｇｂ３である。更に、Ｇａ１＞Ｇｂ１、Ｇａ２＞Ｇｂ２、Ｇａ３＞Ｇｂ３である。具体的には、Ｇａ１＞Ｇｂ３である。Ｇａ１は、例えば、０．０２５であり、Ｇａ２は、例えば、０．０６であり、Ｇａ３は、例えば、０．０８である。Ｇｂ１は、例えば、０．００５であり、Ｇｂ２は、例えば、０．０１２であり、Ｇｂ３は、例えば、０．０１６である。Ｘ１は、例えば、２（L/min）であり、Ｘ２は、例えば、１０（L/min）であり、Ｘ３は、例えば、１５（L/min）である。閾値温度Ｔｔｈは、例えば、華氏１２５度である。

【0058】

このように、制御装置１２は、上述の方法で係数Ｇを決定し、オフセットバイパス率Ｂｏｆが大きいほどバイパス率Ｂを大きくするようにバイパス弁１９を調整し、出湯温度Ｔｒを設定温度Ｔｔに近づけるように調整制御を行う。そして、上述したように、制御装置１２は、ガスバーナ４Ａの燃焼開始後の上記加熱初期には、係数Ｇとして、第１の係数決定方法で算出された第１係数Ｇ１を用いてオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出する第１調整制御を行い、上記加熱初期の後の期間には、係数Ｇとして、第２の係数決定方法で算出された第２係数Ｇ２を用いてオフセットバイパス率Ｂｏｆを算出する第２調整制御を行う。そして、所定条件が成立した場合、具体的には、設定温度Ｔｔが閾値温度未満である場合、第１係数Ｇ１よりも第２係数Ｇ２を低く決定する決定方法で係数Ｇを決定する。

【0059】

３．効果の例
給湯器１は、加熱初期にはオフセットバイパス率Ｂｏｆをより大きく設定し、熱交換器５の加熱を促進することができる。よって、給湯器１は、加熱初期には熱交換器５の温度を早期に上昇させてドレンの発生を抑制することができる。一方で、給湯器１は、加熱初期の後の期間に、オフセットバイパス率Ｂｏｆを相対的に低く設定し、ねらい温度（内洞ねらい温度Ｔａ）に緩やかに近づけることができる。よって、給湯器１は、出口温度Ｔｂがある程度上昇した後に、ねらい温度Ｔａ付近で出口温度Ｔｂが急激かつ大きく変化することを抑制することができ、ねらい温度Ｔａ付近で出口温度Ｔｂの上昇と下降が繰り返されるハンチング現象を抑えやすい。

【0060】

図８は、第２の係数決定方法を用いずに第１の係数決定方法のみを用いて給湯動作を行った場合の実験結果の一例であり、入水温度が摂氏２５度、設定温度Ｔｔが華氏１００度、総水量Ｗｔが３（L/min）の場合の例である。図９は、第２の係数決定方法を用いずに第１の係数決定方法のみを用いて給湯動作を行った場合の実験結果の一例であり、入水温度が摂氏２５度、設定温度Ｔｔが華氏１００度、総水量Ｗｔが１０（L/min）の場合の例である。図８、図９のように、第２の係数決定方法を用いない場合には、内洞温度（出口温度Ｔｂ）の上下動が繰り返されてしまい、出湯温度が安定しにくい。一方、図１０は、本願発明を適用した一例であり、入水温度が摂氏２５度、設定温度Ｔｔが華氏１００度、総水量Ｗｔが１０（L/min）の場合の例である。図１０のように、本願発明を適用した場合には、内洞温度（出口温度Ｔｂ）が早期に上昇しやすく、ある程度の時間で内洞温度（出口温度Ｔｂ）や出湯温度Ｔｒが安定しやすい。

【0061】

給湯器１において制御装置１２は、設定温度Ｔｔが閾値温度Ｔｔｈ未満である場合に、第１係数Ｇ１よりも第２係数Ｇ２を低く決定する決定方法で係数Ｇを決定する。設定温度Ｔｔが相対的に小さい場合、熱交換器５の温度がある程度上昇した後に出口温度Ｔｂを急激に変化させる方法を用いると、出口温度Ｔｂがねらい温度Ｔａを超えてより大きく上昇しやすくなる。しかしながら、給湯器１のように、熱交換器５の温度がある程度上昇した後に出口温度Ｔｂが急激かつ大きく変化することを抑制すれば、設定温度Ｔｔが相対的に小さい場合に出口温度Ｔｂがねらい温度Ｔａを大きく超えて上昇しすぎることを抑えやすくなる。

【0062】

給湯器１は、加熱初期には、水量が大きいほど熱交換器５の加熱度合いを大きく調整するように水量に合わせた加熱を行い、いずれの水量の場合でも、オフセットバイパス率Ｂｏｆをより大きく設定して熱交換器５の加熱を促進することができる。一方で、この給湯器１は、加熱初期の後の期間にも、水量が大きいほど熱交換器５の加熱度合いを大きく調整するように水量に合わせた加熱を行うが、第２係数Ｇ２を用いる場合には、いずれの水量の場合でも、オフセットバイパス率Ｂｏｆをより小さく設定し、ねらい温度付近Ｔａで出口温度Ｔｂが急激かつ大きく変化することを抑制することができる。

【0063】

＜他の実施形態＞
本発明は、上記記述及び図面によって説明された実施形態に限定されるものではない。例えば、上述又は後述の実施形態の特徴は、矛盾しない範囲であらゆる組み合わせが可能である。また、上述又は後述の実施形態のいずれの特徴も、必須のものとして明示されていなければ省略することもできる。さらに、上述された実施形態は、次のように変更されてもよい。

【0064】

上述された実施形態はあくまで一例であり、適宜設計変更可能である。例えば、給湯器１は、出湯管から分岐する経路を介して浴槽に湯を供給し得るように構成されていてもよい。

【0065】

上述された実施形態では、通常制御時の目標バイパス率Ｂｔは、Ｂｔ＝Ｂｆｆ＋Ｂｏｆ＋Ｂｆｂ＋Ｂｄの式によって算出されるが、この例に限定されず、Ｂｆｆ、Ｂｆｂ、Ｂｄの一部が省略されたり、これらの一部の算出方法が変更されたり、補正値が加えられたりしてもよい。

【0066】

上述された実施形態では、図２のＳ３のバイパス抑制制御やＳ５のバイパス増大制御が行われるが、これらのうちのいずれか一方又は両方の制御を省略してもよい。例えば、図２のステップＳ２の後にステップＳ７の処理を行うようにしてもよく、ステップＳ４でＹｅｓと判定される場合に、ステップＳ７の制御を行うようにしてもよく、図２の制御において、ステップＳ３、Ｓ４の制御を省略してもよい。

【0067】

なお、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、今回開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示された範囲内又は特許請求の範囲と均等の範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0068】

１ ：給湯器
４Ａ ：ガスバーナ
５ ：熱交換器
５Ａ ：伝熱管
６ ：入水管
７ ：出湯管
１２ ：制御装置
１６ ：バイパス管
１９ ：バイパス弁
２１ ：第１サーミスタ（出湯温度検出部）
２２ ：第２サーミスタ（出口温度検出部）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】