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特開2024-92864光送信器、光送信器アレイ、光送信装置及び光通信システム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024092864
(43)【公開日】2024-07-08
(54)【発明の名称】光送信器、光送信器アレイ、光送信装置及び光通信システム
(51)【国際特許分類】
H04B 10/50 20130101AFI20240701BHJP
H03H 7/075 20060101ALI20240701BHJP
【ＦＩ】
H04B10/50
H03H7/075 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】23
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022209077
(22)【出願日】2022-12-26
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004314
【氏名又は名称】弁理士法人青藍国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100107641
【弁理士】
【氏名又は名称】鎌田 耕一
(74)【代理人】
【識別番号】100202201
【弁理士】
【氏名又は名称】兒島 淳一郎
(72)【発明者】
【氏名】田中 壮宗
(72)【発明者】
【氏名】辻田 雄一
【テーマコード（参考）】
5J024
5K102
【Ｆターム（参考）】
5J024AA01
5J024CA03
5J024DA03
5J024DA25
5J024EA08
5J024HA05
5J024KA02
5J024KA05
5K102AA51
5K102AB02
5K102AD01
5K102PB01
5K102PB14
5K102RD11
(57)【要約】
【課題】信号伝送の品質を向上させることに適した技術を提供する。
【解決手段】
光送信器１００は、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含む。ＴＯＳＡ１３０は、第１電気信号Ｓ１を光信号Ｓｏに変換する。ＬＣ並列回路１５０は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２を含む。インダクタ１５１及びキャパシタ１５２は、互いに並列接続されている。ＬＣ並列回路１５０は、ＴＯＳＡ１３０に接続されている。
【選択図】図２Ａ
【解決手段】
光送信器１００は、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含む。ＴＯＳＡ１３０は、第１電気信号Ｓ１を光信号Ｓｏに変換する。ＬＣ並列回路１５０は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２を含む。インダクタ１５１及びキャパシタ１５２は、互いに並列接続されている。ＬＣ並列回路１５０は、ＴＯＳＡ１３０に接続されている。
【選択図】図２Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電気信号を光信号に変換するＴＯＳＡと、
互いに並列接続されたインダクタ及びキャパシタを含み、前記ＴＯＳＡに接続されたＬＣ並列回路と、を備える、
光送信器。
互いに並列接続されたインダクタ及びキャパシタを含み、前記ＴＯＳＡに接続されたＬＣ並列回路と、を備える、
光送信器。
【請求項2】
前記インダクタのインダクタンスは、２０μＨ以上２００μＨ以下であり、
前記キャパシタのキャパシタンスは、０．４７μＦ以上９４μＦ以下である、
請求項１に記載の光送信器。
前記キャパシタのキャパシタンスは、０．４７μＦ以上９４μＦ以下である、
請求項１に記載の光送信器。
【請求項3】
前記インダクタのインダクタンスは、５０μＨ以上１００μＨ以下であり、
前記キャパシタのキャパシタンスは、４．７μＦ以上４７μＦ以下である、
請求項２に記載の光送信器。
前記キャパシタのキャパシタンスは、４．７μＦ以上４７μＦ以下である、
請求項２に記載の光送信器。
【請求項4】
前記ＴＯＳＡ及び前記ＬＣ並列回路は直列接続されている、
請求項１に記載の光送信器。
請求項１に記載の光送信器。
【請求項5】
第１グランドと、
第１信号線と、を備え、
前記第１信号線、前記ＴＯＳＡ、前記ＬＣ並列回路及び前記第１グランドがこの順に接続されている、
請求項４に記載の光送信器。
第１信号線と、を備え、
前記第１信号線、前記ＴＯＳＡ、前記ＬＣ並列回路及び前記第１グランドがこの順に接続されている、
請求項４に記載の光送信器。
【請求項6】
第１グランドを備え、
前記インダクタ及び前記キャパシタは、前記第１グランドに電気的に接続されている、
請求項１に記載の光送信器。
前記インダクタ及び前記キャパシタは、前記第１グランドに電気的に接続されている、
請求項１に記載の光送信器。
【請求項7】
基板を備え、
前記基板は、
前記第１電気信号を前記ＴＯＳＡに向かって伝搬させる第１伝送路と、
前記ＬＣ並列回路が電気的に接続された第１グランドパターンと、含む、
請求項１に記載の光送信器。
前記基板は、
前記第１電気信号を前記ＴＯＳＡに向かって伝搬させる第１伝送路と、
前記ＬＣ並列回路が電気的に接続された第１グランドパターンと、含む、
請求項１に記載の光送信器。
【請求項8】
前記基板は、ＲＦ回路を含み、
前記ＲＦ回路は、前記第１伝送路を含む、
請求項７に記載の光送信器。
前記ＲＦ回路は、前記第１伝送路を含む、
請求項７に記載の光送信器。
【請求項9】
前記第１伝送路は、マイクロストリップ線路、ストリップ線路及びコプレーナ線路からなる群より選択される少なくとも１つを含む、
請求項７に記載の光送信器。
請求項７に記載の光送信器。
【請求項10】
前記ＴＯＳＡは、発光素子を含み、
前記発光素子は、前記発光素子に入力された前記第１電気信号に応じて、前記光信号を出力する、
請求項１に記載の光送信器。
前記発光素子は、前記発光素子に入力された前記第１電気信号に応じて、前記光信号を出力する、
請求項１に記載の光送信器。
【請求項11】
前記発光素子は、半導体レーザである、
請求項１０に記載の光送信器。
請求項１０に記載の光送信器。
【請求項12】
前記発光素子は、前記インダクタ及び前記キャパシタに電気的に接続されている、
請求項１０に記載の光送信器。
請求項１０に記載の光送信器。
【請求項13】
前記発光素子の駆動周波数は、１０ＭＨｚ以上３．２ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む、
請求項１０に記載の光送信器。
請求項１０に記載の光送信器。
【請求項14】
前記第１電気信号が入力される入力ポートを有するコネクタと、
前記ＬＣ並列回路を含む少なくとも１つの受動回路と、を備え、
前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を、前記発光素子及び前記少なくとも１つの受動回路のみによって前記光信号に変換する、
請求項１０に記載の光送信器。
前記ＬＣ並列回路を含む少なくとも１つの受動回路と、を備え、
前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を、前記発光素子及び前記少なくとも１つの受動回路のみによって前記光信号に変換する、
請求項１０に記載の光送信器。
【請求項15】
前記第１電気信号が入力される入力ポートを有するコネクタを備え、
前記第１電気信号のフィードバック制御も前記光信号のフィードバック制御も行うことなく、前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を前記光信号に変換する、
請求項１に記載の光送信器。
前記第１電気信号のフィードバック制御も前記光信号のフィードバック制御も行うことなく、前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を前記光信号に変換する、
請求項１に記載の光送信器。
【請求項16】
以下の（１）及び（２）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、請求項１に記載の光送信器。
（１）前記インダクタは、チップインダクタである。
（２）前記キャパシタは、チップキャパシタである。
（１）前記インダクタは、チップインダクタである。
（２）前記キャパシタは、チップキャパシタである。
【請求項17】
以下の（ｉ）及び（ii）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、請求項１に記載の光送信器。
（ｉ）前記インダクタは、可変インダクタである。
（ii）前記キャパシタは、可変キャパシタである。
（ｉ）前記インダクタは、可変インダクタである。
（ii）前記キャパシタは、可変キャパシタである。
【請求項18】
請求項１から１７のいずれか一項に記載の光送信器と、
光受信器と、
前記光信号を前記光送信器から前記光受信器に導くことに用いられる光ケーブルと、を備えた、
光通信システム。
光受信器と、
前記光信号を前記光送信器から前記光受信器に導くことに用いられる光ケーブルと、を備えた、
光通信システム。
【請求項19】
前記光受信器は、光検出素子及び第２グランドを含み、
前記光検出素子は、前記光検出素子に入力された前記光信号に応じて、第２電気信号を出力し、
前記光検出素子は、前記第２グランドに電気的に接続されている、
請求項１８に記載の光通信システム。
前記光検出素子は、前記光検出素子に入力された前記光信号に応じて、第２電気信号を出力し、
前記光検出素子は、前記第２グランドに電気的に接続されている、
請求項１８に記載の光通信システム。
【請求項20】
ケーブルテレビシステム用である、
請求項１８に記載の光通信システム。
請求項１８に記載の光通信システム。
【請求項21】
第１単位構成及び第２単位構成を備え、
前記第１単位構成及び前記第２単位構成のそれぞれは、請求項１から１７のいずれか一項に記載の光送信器を含み、
以下の（Ｉ）及び（II）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、光送信器アレイ。
（Ｉ）前記第１単位構成の前記インダクタのインダクタンスと、前記第２単位構成の前記インダクタのインダクタンスとは、互いに異なる。
（II）前記第１単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスと、前記第２単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスとは、互いに異なる。
前記第１単位構成及び前記第２単位構成のそれぞれは、請求項１から１７のいずれか一項に記載の光送信器を含み、
以下の（Ｉ）及び（II）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、光送信器アレイ。
（Ｉ）前記第１単位構成の前記インダクタのインダクタンスと、前記第２単位構成の前記インダクタのインダクタンスとは、互いに異なる。
（II）前記第１単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスと、前記第２単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスとは、互いに異なる。
【請求項22】
請求項２１に記載の光送信器アレイと、
前記第１単位構成からの前記光信号及び前記第２単位構成からの前記光信号を含む複数の光信号を多重化することによって多重化信号を生成するマルチプレクサと、を備える、
光送信装置。
前記第１単位構成からの前記光信号及び前記第２単位構成からの前記光信号を含む複数の光信号を多重化することによって多重化信号を生成するマルチプレクサと、を備える、
光送信装置。
【請求項23】
請求項２２に記載の光送信装置と、
光受信装置と、
前記多重化信号を前記光送信装置から前記光受信装置に導くことに用いられる光ケーブルと、を備え、
前記光受信装置は、前記多重化信号を前記複数の光信号に分離するデマルチプレクサを含む、
光通信システム。
光受信装置と、
前記多重化信号を前記光送信装置から前記光受信装置に導くことに用いられる光ケーブルと、を備え、
前記光受信装置は、前記多重化信号を前記複数の光信号に分離するデマルチプレクサを含む、
光通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光送信器、光送信器アレイ、光送信装置及び光通信システムに関する。
【背景技術】
【0002】
電気信号を光信号に変換する光送信器が知られている。光送信器の例は、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載されている。光送信器の具体例として、ＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub-Assembly）を含むものが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－２１６５１７号公報
【特許文献2】特開２００７－５３６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、信号伝送の品質を向上させることに適した技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、
第１電気信号を光信号に変換するＴＯＳＡと、
互いに並列接続されたインダクタ及びキャパシタを含み、前記ＴＯＳＡに接続されたＬＣ並列回路と、を備える、
光送信器を提供する。
第１電気信号を光信号に変換するＴＯＳＡと、
互いに並列接続されたインダクタ及びキャパシタを含み、前記ＴＯＳＡに接続されたＬＣ並列回路と、を備える、
光送信器を提供する。
【発明の効果】
【0006】
本発明は、信号伝送の品質を向上させることに適している。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明するが、以下は本発明の実施形態の例示に過ぎず、本発明を制限する趣旨ではない。
【0009】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る光通信システム５０の構成図である。
図１は、実施形態１に係る光通信システム５０の構成図である。
【0010】
光通信システム５０は、光送信器１００、光受信器２００及び光ケーブル３００を含む。光通信システム５０は、第１機器１０、第１ＤＣ（Direct Current）電源１９０、第１バイアスティー１７０、第２ＤＣ電源２９０、第２バイアスティー２７０及び第２機器２０に関連付けられうる。
【0011】
第１直流バイアスＢ１が、第１ＤＣ電源１９０から第１バイアスティー１７０を介して光送信器１００に供給される。この例では、第１直流バイアスＢ１は、順バイアスであり、定電流である。第２直流バイアスＢ２が、第２ＤＣ電源２９０から第２バイアスティー２７０を介して光受信器２００に供給される。この例では、第２直流バイアスＢ２は、逆バイアスであり、定電圧である。第１電気信号Ｓ１が、第１機器１０から第１バイアスティー１７０を介して光送信器１００に供給される。光送信器１００において、第１電気信号Ｓ１が光信号Ｓｏに変換される。光信号Ｓｏが、光送信器１００から光ケーブル３００を介して光受信器２００に入力される。光受信器２００において、光信号Ｓｏが第２電気信号Ｓ２に変換される。第２電気信号Ｓ２が、光受信器２００から第２バイアスティー２７０を介して第２機器２０に供給される。
【0012】
以下、各要素について、具体的に説明する。
【0013】
［送信側の要素］
第１機器１０は、第１電気信号Ｓ１を出力する。第１機器１０は、第１電気信号Ｓ１を生成する信号源を含む。
第１機器１０は、第１電気信号Ｓ１を出力する。第１機器１０は、第１電気信号Ｓ１を生成する信号源を含む。
【0014】
図２Ａは、第１バイアスティー１７０及び光送信器１００の回路図である。図２Ａでは、コネクタ１０５、基板１１０、寄生抵抗、内部抵抗等の図示は省略されている。この点は、図１６及び図１７についても同様である。
【0015】
図２Ａに示すように、光送信器１００は、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含む。ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０は、直列接続されている。
【0016】
第１バイアスティー１７０は、第１信号線１１８及び第１グランド１１７に接続されうる。第１信号線１１８、ＴＯＳＡ１３０、ＬＣ並列回路１５０及び第１グランド１１７は、この順に接続されている。第１信号線１１８は、第１グランド１１７に対して高電位に設定されうる。また、入力ポート１０５ｉ、ＴＯＳＡ１３０、ＬＣ並列回路１５０及び第１グランド１１７は、この順に接続されている。入力ポート１０５ｉは、光送信器１００における第１電気信号Ｓ１の入力部である。具体的には、後述するように、入力ポート１０５ｉは、コネクタ１０５に属する。
【0017】
ＴＯＳＡ１３０は、発光素子１３５を含む。発光素子１３５は、アノード１３５ａ及びカソード１３５ｃを含む。実施形態１では、発光素子１３５は、半導体レーザである。発光素子１３５は、ＬＣ並列回路１５０に電気的に接続されている。この半導体レーザは、具体的にはＬＤ（Laser Diode）であり、より具体的にはＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）である。発光素子１３５の他の例は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等である。
【0018】
ＬＣ並列回路１５０は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２を含む。インダクタ１５１及びキャパシタ１５２は、互いに並列接続されている。インダクタ１５１及びキャパシタ１５２は、発光素子１３５に電気的に接続されている。インダクタ１５１及びキャパシタ１５２は、第１グランド１１７に電気的に接続されている。
【0019】
第１バイアスティー１７０は、第１ＤＣ電源１９０と協働して、第１信号線１１８を第１グランド１１７に対して高電位に設定する。これにより、アノード１３５ａがカソード１３５ｃに対して高電位に設定される。
【0020】
ＴＯＳＡ１３０は、第１電気信号Ｓ１を光信号Ｓｏに変換する。具体的には、発光素子１３５は、発光素子１３５に入力された第１電気信号Ｓ１に応じて、光信号Ｓｏを出力する。
【0021】
厳密には、ＴＯＳＡ１３０は、寄生成分を有しうる。インダクタ１５１及びキャパシタ１５２は、内部抵抗を有しうる。図２Ｂは、寄生成分及び内部抵抗の説明図である。図２Ｂでは、ＴＯＳＡ１３０の寄生インダクタ１３１、寄生キャパシタ１３２及び寄生抵抗１３３が模式的に描かれている。また、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２の内部抵抗１５３が模式的にまとめて描かれている。
【0022】
図３Ａは、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含むアナログ構成例ＴＡ１を示す斜視図である。図３Ｂは、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含むアナログ構成例ＴＡ１を示す平面図である。以下、アナログ構成例ＴＡ１について説明する。
【0023】
アナログ構成例ＴＡ１では、光送信器１００は、基板１１０及びコネクタ１０５を含む。基板１１０に、コネクタ１０５が固定されている。基板１１０は、表面１１０ａ、裏面１１０ｂ、孔１１１及び孔１１２を含む。具体的には、基板１１０は、ＲＦ（Radio Frequency）基板である。
【0024】
裏面１１０ｂには、ＬＣ並列回路１５０、導電線路１１５及び導電プレーン１１６が設けられている。導電線路１１５及び導電プレーン１１６は、コプレーナ線路１１５ｃを構成している。コプレーナ線路１１５ｃは、第１電気信号Ｓ１を伝搬させる。具体的に、導電線路１１５及び導電プレーン１１６は、グランド付ではないコプレーナ線路１１５ｃｎを構成している。導電プレーン１１６は、第１グランド１１７に含まれている。
【0025】
表面１１０ａは、裏面１１０ｂ及び発光素子１３５の間に配置されている。具体的には、表面１１０ａは、裏面１１０ｂ及び発光素子１３５を結ぶ仮想線分と交差する位置に配置されている。
【0026】
孔１１１及び孔１１２は、それぞれ、基板１１０を表面１１０ａから裏面１１０ｂまで貫通している。導電線路１１５及びＴＯＳＡ１３０は、孔１１１を通じて電気的に接続されている。ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０は、孔１１２を通じて電気的に接続されている。ＬＣ並列回路１５０は、導電プレーン１１６に接続されている。
【0027】
ＴＯＳＡ１３０は、リード線１３６及びリード線１３７を含む。リード線１３６は、孔１１１を通って導電線路１１５に電気的に接続されている。リード線１３７は、孔１１２を通ってＬＣ並列回路１５０に電気的に接続されている。具体的には、リード線１３７は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２に電気的に接続されている。
【0028】
コネクタ１０５は、入力ポート１０５ｉ及びグランド領域１０５ｇを含む。入力ポート１０５ｉは、導電線路１１５に電気的に接続されている。入力ポート１０５ｉには、第１電気信号Ｓ１が入力される。グランド領域１０５ｇは、第１グランド１１７に含まれている。典型的には、グランド領域１０５ｇ及び導電プレーン１１６は、はんだ付けにより電気的に接続されている。図示の例では、コネクタ１０５は、ＳＭＡ（Sub Miniature Type A）コネクタである。
【0029】
入力ポート１０５ｉには、第１バイアスティー１７０が接続されうる。第１バイアスティー１７０、入力ポート１０５ｉ、導電線路１１５、リード線１３６、アノード１３５ａ、カソード１３５ｃ、リード線１３７、ＬＣ並列回路１５０、導電プレーン１１６及びグランド領域１０５ｇがこの順に接続されうる。
【0030】
図４Ａは、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含むアナログ構成例ＴＡ２を示す斜視図である。図４Ｂは、ＴＯＳＡ１３０及びＬＣ並列回路１５０を含むアナログ構成例ＴＡ２を示す平面図である。以下、アナログ構成例ＴＡ２について説明する。以下では、アナログ構成例ＴＡ２の構成要素のうちアナログ構成例ＴＡ１の構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、それらの説明を省略することがある。アナログ構成例ＴＡ１及びアナログ構成例ＴＡ２に関する説明は、技術的に矛盾しない限り、相互に適用されうる。技術的に矛盾しない限り、アナログ構成例ＴＡ１及びアナログ構成例ＴＡ２は、相互に組み合わされてもよい。
【0031】
アナログ構成例ＴＡ２では、基板１１０の表面１１０ａに、導電線路１２５及び導電プレーン１２６が設けられている。基板１１０の裏面１１０ｂに、ＬＣ並列回路１５０及びベタグランド１２９が設けられている。導電プレーン１２６及びベタグランド１２９は、第１グランド１１７に含まれている。ＬＣ並列回路１５０は、ベタグランド１２９に接続されている。典型的には、グランド領域１０５ｇ及びベタグランド１２９は、はんだ付けにより電気的に接続されている。
【0032】
導電線路１２５及び導電プレーン１２６は、コプレーナ線路１２５ｃを構成している。コプレーナ線路１２５ｃは、第１電気信号Ｓ１を伝搬させる。具体的には、基板１１０は、複数のスルーホール１２１を含む。複数のスルーホール１２１のそれぞれは、基板１１０を表面１１０ａから裏面１１０ｂまで貫通している。また、複数のスルーホール１２１のそれぞれには、導電層が設けられている。導電層は、導電プレーン１２６及びベタグランド１２９を電気的に接続している。典型的には、導電層は、めっき層である。導電線路１２５、導電プレーン１２６及びベタグランド１２９は、グランド付コプレーナ線路１２５ｃｇを構成している。本明細書では、ベタグランドは膜状に拡がるグランドを指すものとする。
【0033】
裏面１１０ｂから見て表面１１０ａ側において、導電線路１２５及びＴＯＳＡ１３０が接続されている。ＴＯＳＡ１３０のリード線１３６が導電線路１２５に電気的に接続されている。
【0034】
第１バイアスティー１７０、入力ポート１０５ｉ、導電線路１２５、リード線１３６、アノード１３５ａ、カソード１３５ｃ、リード線１３７、ＬＣ並列回路１５０、ベタグランド１２９及びグランド領域１０５ｇがこの順に接続されうる。
【0035】
以上の説明から理解されるように、アナログ構成例ＴＡ１及びアナログ構成例ＴＡ２では、基板１１０は、第１伝送路及び第１グランドパターンを含む。第１伝送路は、第１電気信号Ｓ１をＴＯＳＡ１３０に向かって伝搬させる。第１グランドパターンには、ＬＣ並列回路１５０が電気的に接続されている。
【0036】
具体的に、基板１１０は、ＲＦ回路１１０ｚを含む。ＲＦ回路１１０ｚは、第１伝送路を含む。
【0037】
第１グランドパターンは、基板１１０に設けられた１又は複数のグランドを指す。アナログ構成例ＴＡ１では、第１グランドパターンは、導電プレーン１１６を含む。アナログ構成例ＴＡ２では、第１グランドパターンは、導電プレーン１２６及びベタグランド１２９を含む。
【0038】
第１伝送路のインピーダンスは、例えば、２５Ω以上１２５Ω以下である。第１伝送路は、例えば、マイクロストリップ線路、ストリップ線路及びコプレーナ線路からなる群より選択される少なくとも１つを含む。アナログ構成例ＴＡ１及びアナログ構成例ＴＡ２では、第１伝送路は、コプレーナ線路である。具体的に、アナログ構成例ＴＡ１では、コプレーナ線路は、グランド付ではないコプレーナ線路である。アナログ構成例ＴＡ２では、コプレーナ線路は、グランド付コプレーナ線路である。
【0039】
ここで、グランド付コプレーナ線路は、
・基板の表面及び裏面の一方に導電線路及び導電プレーンの組み合わせが設けられ、且つ、
・基板の表面及び裏面の他方のうち基板を平面視したときに上記組み合わせと重複する重複領域にベタグランドが設けられた、
線路を指す。
・基板の表面及び裏面の一方に導電線路及び導電プレーンの組み合わせが設けられ、且つ、
・基板の表面及び裏面の他方のうち基板を平面視したときに上記組み合わせと重複する重複領域にベタグランドが設けられた、
線路を指す。
【0040】
一方、グランド付ではないコプレーナ線路は、
・基板の表面及び裏面の一方に上記組み合わせが設けられているものの、
・基板の表面及び裏面の他方のうち上記重複領域にベタグランドが設けられていない、
線路を指す。
・基板の表面及び裏面の一方に上記組み合わせが設けられているものの、
・基板の表面及び裏面の他方のうち上記重複領域にベタグランドが設けられていない、
線路を指す。
【0041】
また、マイクロストリップ線路は、
・基板の表面及び裏面の一方に導電線路が設けられ、且つ、
・基板の表面及び裏面の他方のうち基板を平面視したときに導電線路と重複する重複領域にベタグランドが設けられた、
線路を指す。
・基板の表面及び裏面の一方に導電線路が設けられ、且つ、
・基板の表面及び裏面の他方のうち基板を平面視したときに導電線路と重複する重複領域にベタグランドが設けられた、
線路を指す。
【0042】
グランド付ではないコプレーナ線路には、チップの平面実装に適しているというメリット及びスルーホールを設ける加工が不要というメリットがある。グランド付コプレーナ線路には、ノイズの影響を受け難いというメリットがある。マイクロストリップ線路には、寸法設計が容易というメリットがある。
【0043】
［光ケーブル］
光ケーブル３００は、光信号Ｓｏを光送信器１００から光受信器２００に導くことに用いられる。実施形態１では、光ケーブル３００は、光ファイバであり、具体的にはＰＯＦ（Plastic Optical Fiber）である。
光ケーブル３００は、光信号Ｓｏを光送信器１００から光受信器２００に導くことに用いられる。実施形態１では、光ケーブル３００は、光ファイバであり、具体的にはＰＯＦ（Plastic Optical Fiber）である。
【0044】
【0045】
図５Ａに示すように、光受信器２００は、ＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub-Assembly）２３０を含む。
【0046】
第２バイアスティー２７０は、第２信号線２１８及び第２グランド２１７に接続されうる。第２信号線２１８、ＲＯＳＡ２３０及び第２グランド２１７は、この順に接続されている。第２信号線２１８は、第２グランド２１７に対して定電位に設定されうる。また、出力ポート２０５ｏ、ＲＯＳＡ２３０及び第２グランド２１７は、この順に接続されている。出力ポート２０５ｏは、光受信器２００における第２電気信号Ｓ２の出力部である。具体的には、後述するように、出力ポート２０５ｏは、コネクタ２０５に属する。
【0047】
ＲＯＳＡ２３０は、光検出素子２３５を含む。光検出素子２３５は、アノード２３５ａ及びカソード２３５ｃを含む。実施形態１では、光検出素子２３５は、フォトダイオードである。フォトダイオードは、例えば、ＰＮ型フォトダイオード、アバランシェ型フォトダイオード等である。
【0048】
第２バイアスティー２７０は、第２ＤＣ電源２９０と協働して、第２信号線２１８を第２グランド２１７に対して定電位に設定する。これにより、アノード２３５ａがカソード２３５ｃに対して定電位に設定される。
【0049】
光受信器２００において、ＲＯＳＡ２３０に光信号Ｓｏが入力される。ＲＯＳＡ２３０は、光信号Ｓｏを第２電気信号Ｓ２に変換する。具体的には、光検出素子２３５は、光検出素子２３５に入力された光信号Ｓｏに応じて、第２電気信号Ｓ２を出力する。
【0050】
【0051】
【0052】
アナログ構成例ＲＡ１では、光受信器２００は、基板２１０及びコネクタ２０５を含む。基板２１０に、コネクタ２０５が固定されている。基板２１０は、表面２１０ａ、裏面２１０ｂ、孔２１１及び孔２１２を含む。具体的には、基板２１０は、ＲＦ基板である。
【0053】
裏面２１０ｂには、導電線路２１５及び導電プレーン２１６が設けられている。導電線路２１５及び導電プレーン２１６は、コプレーナ線路２１５ｃを構成している。コプレーナ線路２１５ｃは、第２電気信号Ｓ２を伝搬させる。具体的に、導電線路２１５及び導電プレーン２１６は、グランド付ではないコプレーナ線路２１５ｃｎを構成している。導電プレーン２１６は、第２グランド２１７に含まれている。
【0054】
表面２１０ａは、裏面２１０ｂ及び光検出素子２３５の間に配置されている。具体的には、表面２１０ａは、裏面２１０ｂ及び光検出素子２３５を結ぶ仮想線分と交差する位置に配置されている。
【0055】
孔２１１及び孔２１２は、それぞれ、基板２１０を表面２１０ａから裏面２１０ｂまで貫通している。導電線路２１５及びＲＯＳＡ２３０は、孔２１１を通じて電気的に接続されている。ＲＯＳＡ２３０及び導電プレーン２１６は、孔２１２を通じて電気的に接続されている。
【0056】
ＲＯＳＡ２３０は、リード線２３６及びリード線２３７を含む。リード線２３６は、孔２１１を通って導電線路２１５に電気的に接続されている。リード線２３７は、孔２１２を通って導電プレーン２１６に電気的に接続されている。
【0057】
コネクタ２０５は、出力ポート２０５ｏ及びグランド領域２０５ｇを含む。出力ポート２０５ｏは、導電線路２１５に電気的に接続されている。出力ポート２０５ｏから、第２電気信号Ｓ２が出力される。グランド領域２０５ｇは、第２グランド２１７に含まれている。典型的には、グランド領域２０５ｇ及び導電プレーン２１６は、はんだ付けにより電気的に接続されている。図示の例では、コネクタ２０５は、ＳＭＡコネクタである。
【0058】
出力ポート２０５ｏには、第２バイアスティー２７０が接続されうる。第２バイアスティー２７０、出力ポート２０５ｏ、導電線路２１５、リード線２３６、アノード２３５ａ、カソード２３５ｃ、リード線２３７、導電プレーン２１６及びグランド領域２０５ｇがこの順に接続されうる。
【0059】
図７Ａは、ＲＯＳＡ２３０を含むアナログ構成例ＲＡ２を示す斜視図である。図７Ｂは、ＲＯＳＡ２３０を含むアナログ構成例ＲＡ２を示す平面図である。以下、アナログ構成例ＲＡ２について説明する。以下では、アナログ構成例ＲＡ２の構成要素のうちアナログ構成例ＲＡ１の構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、それらの説明を省略することがある。アナログ構成例ＲＡ１及びアナログ構成例ＲＡ２に関する説明は、技術的に矛盾しない限り、相互に適用されうる。技術的に矛盾しない限り、アナログ構成例ＲＡ１及びアナログ構成例ＲＡ２は、相互に組み合わされてもよい。
【0060】
アナログ構成例ＲＡ２では、基板２１０の表面２１０ａに、導電線路２２５及び導電プレーン２２６が設けられている。基板２１０の表面２１０ａに、ベタグランド２２９が設けられている。導電プレーン２２６及びベタグランド２２９は、第２グランド２１７に含まれている。典型的には、グランド領域２０５ｇ及びベタグランド２２９は、はんだ付けにより電気的に接続されている。
【0061】
導電線路２２５及び導電プレーン２２６は、コプレーナ線路２２５ｃを構成している。コプレーナ線路２２５ｃは、第１電気信号Ｓ１を伝搬させる。具体的には、基板２１０は、複数のスルーホール２２１を含む。複数のスルーホール２２１のそれぞれは、基板２１０を表面２１０ａから裏面２１０ｂまで貫通している。また、複数のスルーホール２２１のそれぞれには、導電層が設けられている。導電層は、導電プレーン２２６及びベタグランド２２９を電気的に接続している。典型的には、導電層は、めっき層である。導電線路２２５、導電プレーン２２６及びベタグランド２２９は、グランド付コプレーナ線路２２５ｃｇを構成している。
【0062】
裏面２１０ｂから見て表面２１０ａ側において、導電線路２２５及びＲＯＳＡ２３０が接続されている。ＲＯＳＡ２３０のリード線２３６が導電線路２２５に電気的に接続されている。
【0063】
第２バイアスティー２７０、出力ポート２０５ｏ、導電線路２２５、リード線２３６、アノード２３５ａ、カソード２３５ｃ、リード線２３７、ベタグランド２２９及びグランド領域２０５ｇがこの順に接続されうる。
【0064】
以上の説明から理解されるように、アナログ構成例ＲＡ１及びアナログ構成例ＲＡ２では、基板２１０は、第２伝送路及び第２グランドパターンを含む。第２伝送路は、ＲＯＳＡ２３０からの第２電気信号Ｓ２を伝搬させる。
【0065】
具体的に、基板２１０は、ＲＦ回路２１０ｚを含む。ＲＦ回路２１０ｚは、第２伝送路を含む。
【0066】
第２グランドパターンは、基板２１０に設けられた１又は複数のグランドを指す。アナログ構成例ＲＡ１では、第２グランドパターンは、導電プレーン２１６を含む。アナログ構成例ＲＡ２では、第２グランドパターンは、導電プレーン２２６及びベタグランド２２９を含む。
【0067】
第２伝送路のインピーダンスは、例えば、２５Ω以上１２５Ω以下である。第２伝送路は、例えば、マイクロストリップ線路、ストリップ線路及びコプレーナ線路からなる群より選択される少なくとも１つを含む。アナログ構成例ＲＡ１及びアナログ構成例ＲＡ２では、第２伝送路は、コプレーナ線路である。具体的に、アナログ構成例ＲＡ１では、コプレーナ線路は、グランド付ではないコプレーナ線路である。アナログ構成例ＲＡ２では、コプレーナ線路は、グランド付コプレーナ線路である。
【0068】
第２機器２０は、第２電気信号Ｓ２を受信する。第２機器２０は、第２電気信号Ｓ２を受信する受信機を含む。
【0069】
実施形態１では、光通信システム５０は、ケーブルテレビシステム用である。第１電気信号Ｓ１及び第２電気信号Ｓ２は、ケーブルテレビの信号である。第１電気信号Ｓ１は、典型的には変調された信号であり、具体的には直交振幅変調（ＱＡＭ：Quadrature Amplitude Modulation）された信号である。ただし、第１電気信号Ｓ１は、変調されていない連続波であってもよい。
【0070】
ここで、ＴＯＳＡについて説明する。本明細書において、ＴＯＳＡは、発光素子を含む複数の部品のアセンブリである。典型的には、複数の部品は、キャップ、電気インターフェース及び光インターフェースを含む。キャップは、発光素子からの光の透過を許容するように、発光素子を封止する。電気インターフェースは、電気信号が伝搬する電気経路と電気的に接続される。光インターフェースは、光信号が伝搬する光経路と光学的に接続される。光インターフェースは、キャップに設けられたガラス等の光透過部でありうる。
【0071】
実施形態１では、ＴＯＳＡ１３０は、図示しないキャップを含む。キャップは、発光素子１３５からの光の透過を許容するように、発光素子１３５を封止する。リード線１３６及びリード線１３７は、ＴＯＳＡ１３０の電気インターフェースを構成する。キャップの光透過部は、ＴＯＳＡ１３０の光インターフェースを構成する。発光素子１３５が光透過部及び光コネクタを介して光ケーブル３００に光学的に接続される。光コネクタは、例えば、ＰＣ（Physical Contact）コネクタである。ＰＣコネクタは、ＡＰＣ（Angled Physical Contact）コネクタであってもよい。光コネクタ及び光ケーブル３００は、光経路を構成する。
【0072】
ここで、ＲＯＳＡについて説明する。本明細書において、ＲＯＳＡは、光検出素子を含む複数の部品のアセンブリである。典型的には、複数の部品は、キャップ、電気インターフェース及び光インターフェースを含む。キャップは、光検出素子への光の透過を許容するように、光検出素子を封止する。電気インターフェースは、電気信号が伝搬する電気経路と電気的に接続される。光インターフェースは、光信号が伝搬する光経路と光学的に接続される。光インターフェースは、キャップに設けられたガラス等の光透過部でありうる。
【0073】
実施形態１では、ＲＯＳＡ２３０は、図示しないキャップを含む。キャップは、光検出素子２３５への光の透過を許容するように、光検出素子２３５を封止する。リード線２３６及びリード線２３７は、ＲＯＳＡ２３０の電気インターフェースを構成する。キャップの光透過部は、ＲＯＳＡ２３０の光インターフェースを構成する。光検出素子２３５が光透過部及び光コネクタを介して光ケーブル３００に光学的に接続される。光コネクタは、例えば、ＰＣコネクタである。ＰＣコネクタは、ＡＰＣコネクタであってもよい。光コネクタ及び光ケーブル３００は、光経路を構成する。
【0074】
［効果等］
実施形態１は、信号伝送の品質を向上させることに適している。具体的には、実施形態１は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）を改善することに適している。以下、この点について説明する。
実施形態１は、信号伝送の品質を向上させることに適している。具体的には、実施形態１は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio）を改善することに適している。以下、この点について説明する。
【0075】
図８は、ＣＮＲを説明するための、電気信号の周波数スペクトル図である。横軸は、周波数である。縦軸は、電気信号の各周波数成分の強度を示す。図８において、電気信号のキャリア周波数が、符号Ｆｃにより示されている。電気信号のノイズ周波数が、符号Ｆｎにより示されている。ＣＮＲは、電気信号のノイズ周波数Ｆｎ成分の強度に対する、電気信号のキャリア周波数Ｆｃ成分の強度の比率である。
【0076】
図９は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの経時変化の説明図である。横軸は、時間である。縦軸は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲである。図９において、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの最大値を１点鎖線Ｌ１により示している。第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの最小値を２点鎖線Ｌ２により示している。第２電気信号Ｓ２のＣＮＲは、経時変化しうる。
【0077】
「第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善する」は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの最小値を大きくすることを含みうる。また、「第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善する」は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの時間変動を抑制することを含みうる。上記最小値を大きくすることも、上記時間変動を抑制することも、信号伝送の品質を向上させることに貢献しうる。
【0078】
実施形態１では、ＬＣ並列回路１５０がＴＯＳＡ１３０に接続されている。ＬＣ並列回路１５０は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２を含む。ＬＣ並列回路１５０は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善することに貢献しうる。
【0079】
一方、ＲＯＳＡ２３０は、第２グランド２１７に電気的に接続されている。光検出素子２３５は、第２グランド２１７に電気的に接続されている。このことは、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善することに貢献しうる。実施形態１の光受信器２００では、チップインダクタ及びチップキャパシタが並列接続されたＬＣ並列回路が存在しない。具体的には、インダクタ及びキャパシタが並列接続されたＬＣ並列回路が存在しない。
【0080】
実施形態１では、インダクタ１５１のインダクタンスは、２０μＨ以上２００μＨ以下である。キャパシタ１５２のキャパシタンスは、０．４７μＦ以上９４μＦ以下である。これらの数値範囲は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善する観点から有利である。また、インダクタ１５１のインダクタンス及びキャパシタ１５２のキャパシタンスがこの程度に大きい領域では、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善する効果が安定して発揮され易い。
【0081】
具体的に、インダクタ１５１のインダクタンスは、５０μＨ以上１００μＨ以下であってもよい。キャパシタ１５２のキャパシタンスは、４．７μＦ以上４７μＦ以下であってもよい。これらの数値範囲は、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善する観点から特に有利である。
【0082】
実施形態１では、インダクタ１５１は、チップインダクタである。このため、インダクタ１５１のインダクタンスが安定し易い。このため、高い信頼性で第２電気信号Ｓ２のＣＮＲが改善されうる。
【0083】
実施形態１では、キャパシタ１５２は、チップキャパシタである。このため、キャパシタ１５２のキャパシタンスが安定し易い。このため、高い信頼性で第２電気信号Ｓ２のＣＮＲが改善されうる。
【0084】
インダクタ１５１は、ＲＦ回路１１０ｚ又はＲＦ回路２１０ｚにおける線路をスパイラル状に延ばすことにより実現されていてもよい。キャパシタ１５２は、ＲＦ回路１１０ｚ又はＲＦ回路２１０ｚにおける線路にギャップを設けることによって実現されていてもよい。
【0085】
光送信器１００を量産する際には、ＴＯＳＡ１３０の特性に製造ばらつきが生じうる。具体的に、発光素子１３５の特性に製造ばらつきが生じうる。これを考慮して、ＬＣ並列回路１５０の少なくとも１つのパラメータを可変としてもよい。このようにすれば、特性に応じたパラメータを設定できる。このことは、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの改善に貢献しうる。例えば、インダクタ１５１は、可変インダクタであってもよい。また例えば、キャパシタ１５２は、可変キャパシタであってもよい。
【0086】
実施形態１では、第１電気信号Ｓ１の周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上３．２ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む。第２電気信号Ｓ２の周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上３．２ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む。発光素子１３５の駆動周波数は、例えば、１０ＭＨｚ以上３．２ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む。本明細書において、発光素子１３５の駆動周波数は、発光素子１３５が光信号へと変換可能な電気信号の周波数を指す。
【0087】
具体例では、第１電気信号Ｓ１の周波数は、１０ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む。第２電気信号Ｓ２の周波数は、１０ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む。発光素子１３５の駆動周波数は、１０ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む。
【0088】
実施形態１では、光送信器１００は、少なくとも１つの受動回路を含む。少なくとも１つの受動回路は、ＬＣ並列回路１５０を含む。コネクタ１０５の入力ポート１０５ｉに第１電気信号Ｓ１が入力される。光送信器１００は、コネクタ１０５の入力ポート１０５ｉに入力された第１電気信号Ｓ１を、発光素子１３５及び少なくとも１つの受動回路のみによって光信号Ｓｏに変換する。このため、実施形態１では、信号補正を行う複雑な構成なしで第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善できる。本明細書では、受動回路は、抵抗、インダクタ及びキャパシタのみから構成される回路を指す。
【0089】
実施形態１では、光送信器１００は、第１電気信号Ｓ１のフィードバック制御も光信号Ｓｏのフィードバック制御も行うことなく、コネクタ１０５の入力ポート１０５ｉに入力された第１電気信号Ｓ１を光信号Ｓｏに変換する。このため、実施形態１では、簡易な構成で第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを改善できる。
【0090】
以下、実施形態２について説明する。以下では、実施形態１で既に説明した内容については、その説明を省略することがある。これらの実施形態に関する説明は、技術的に矛盾しない限り、相互に適用されうる。技術的に矛盾しない限り、これらの実施形態は、相互に組み合わされてもよい。
【0091】
［実施形態２］
図１０は、実施形態２に係る光通信システム５５０の構成図である。実施形態２では、光通信システム５５０は、ケーブルテレビシステム用である。図１０では、バイアスティー及びＤＣ電源等の図示は省略されている。
図１０は、実施形態２に係る光通信システム５５０の構成図である。実施形態２では、光通信システム５５０は、ケーブルテレビシステム用である。図１０では、バイアスティー及びＤＣ電源等の図示は省略されている。
【0092】
光通信システム５５０は、光送信装置６９０、光ケーブル３００及び光受信装置７９０を含む。
【0093】
光送信装置６９０は、光送信器アレイ６５０及びマルチプレクサ６７０を含む。光送信器アレイ６５０は、複数の単位構成６００を有する。複数の単位構成６００のそれぞれは、光送信器１００を含む。
【0094】
光受信装置７９０は、デマルチプレクサ７７０及び光受信器アレイ７５０を含む。光受信器アレイ７５０は、複数の単位構成７００を有する。複数の単位構成７００のそれぞれは、光受信器２００を含む。
【0095】
複数の単位構成６００のそれぞれにおいて、光送信器１００が第１電気信号Ｓ１を光信号Ｓｏに変換する。マルチプレクサ６７０は、これら複数の光信号Ｓｏを多重化する。これにより、多重化信号Ｓｍが生成される。なお、ここでは、複数の単位構成６００のそれぞれの光送信器１００に関して、「第１電気信号Ｓ１」という共通の用語を用いている。ただし、これらの第１電気信号Ｓ１は、同一性を有する信号でなくてもよい。同様に、複数の光信号Ｓｏは、同一性を有する信号でなくてもよい。
【0096】
光ケーブル３００は、多重化信号Ｓｍを光送信装置６９０から光受信装置７９０に導くことに用いられる。具体的には、光ケーブル３００は、多重化信号Ｓｍをマルチプレクサ６７０からデマルチプレクサ７７０に導くことに用いられる。
【0097】
デマルチプレクサ７７０は、多重化信号Ｓｍを複数の光信号Ｓｏに分離する。これら複数の光信号Ｓｏのそれぞれは、互いに異なる単位構成７００に入力される。各単位構成７００において、光受信器２００が光信号Ｓｏを第２電気信号Ｓ２に変換する。なお、ここでは、複数の単位構成７００のそれぞれの光受信器２００に関して、「第２電気信号Ｓ２」という共通の用語を用いている。ただし、これらの第２電気信号Ｓ２は、同一性を有する信号でなくてもよい。同様に、複数の光信号Ｓｏは、同一性を有する信号でなくてもよい。
【0098】
以下、複数の単位構成６００のうちの１つを、第１単位構成６００Ａと表記する。複数の単位構成６００のうちの別の１つを、第２単位構成６００Ｂと表記する。複数の単位構成７００のうちの１つを、第１単位構成７００Ａと表記する。複数の単位構成７００のうちの別の１つを、第２単位構成７００Ｂと表記する。これらの用語を用いて、実施形態２を以下のように説明できる。
【0099】
すなわち、光送信器アレイ６５０は、第１単位構成６００Ａ及び第２単位構成６００Ｂを含む。マルチプレクサ６７０は、第１単位構成６００Ａからの光信号Ｓｏ及び第２単位構成６００Ｂからの光信号Ｓｏを含む複数の光信号Ｓｏを多重化することによって、多重化信号Ｓｍを生成する。光ケーブル３００は、多重化信号Ｓｍを光送信装置６９０から光受信装置７９０に導くことに用いられる。デマルチプレクサ７７０は、多重化信号Ｓｍを、第１単位構成７００Ａに供給するべき光信号Ｓｏと、第２単位構成７００Ｂに供給するべき光信号Ｓｏと、を含む複数の光信号Ｓｏに分離する。
【0100】
光送信器１００を量産する際には、ＴＯＳＡ１３０の特性に製造ばらつきが生じうる。具体的に、発光素子１３５の特性に製造ばらつきが生じうる。これを考慮して、ある単位構成６００におけるＬＣ並列回路１５０の少なくとも１つのパラメータの値と、別の単位構成６００におけるＬＣ並列回路１５０の該パラメータの値とが異なるという構成を採用してもよい。このようにすれば、各単位構成６００の特性に応じたパラメータを設定できる。このことは、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの改善に貢献しうる。
【0101】
例えば、第１単位構成６００Ａのインダクタ１５１のインダクタンスと、第２単位構成６００Ｂのインダクタ１５１のインダクタンスとは、互いに異なっていてもよい。第１単位構成６００Ａのキャパシタ１５２のキャパシタンスと、第２単位構成６００Ｂのキャパシタ１５２のキャパシタンスとは、互いに異なっていてもよい。
【0102】
３つ以上の単位構成６００のインダクタ１５１のインダクタンスが、互いに異なっていてもよい。３つ以上の単位構成６００のキャパシタ１５２のキャパシタンスが、互いに異なっていてもよい。
【0103】
［実験例］
実験例により、本発明を詳細に説明する。ただし、以下の実験例は、本発明の一例を示すものであり、本発明は以下の実験例に限定されない。
実験例により、本発明を詳細に説明する。ただし、以下の実験例は、本発明の一例を示すものであり、本発明は以下の実験例に限定されない。
【0104】
（ＣＷＣＮ評価系）
図１１は、ＣＷＣＮ評価系８００の説明図である。ＣＷＣＮ評価系８００は、シグナルジェネレータ８１０、同軸ケーブル８２０、インピーダンス変換器８３０、同軸ケーブル８４０、第１ＤＣ電源１９０、第１バイアスティー１７０、光通信システム５０、第２ＤＣ電源２９０、第２バイアスティー２７０、第３ＤＣ電源３９０、増幅器８５０及び測定器８６０を有する。
図１１は、ＣＷＣＮ評価系８００の説明図である。ＣＷＣＮ評価系８００は、シグナルジェネレータ８１０、同軸ケーブル８２０、インピーダンス変換器８３０、同軸ケーブル８４０、第１ＤＣ電源１９０、第１バイアスティー１７０、光通信システム５０、第２ＤＣ電源２９０、第２バイアスティー２７０、第３ＤＣ電源３９０、増幅器８５０及び測定器８６０を有する。
【0105】
ＣＷＣＮ評価系８００では、実施形態１に従って光通信システム５０を構成した。つまり、コネクタ１０５、基板１１０、ＴＯＳＡ１３０、ＬＣ並列回路１５０、光ケーブル３００、ＲＯＳＡ２３０、基板２１０及びコネクタ２０５を、実施形態１に従って接続した。図４Ａ及び図４Ｂに示すアナログ構成例ＴＡ２と、図７Ａ及び図７Ｂに示すアナログ構成例ＲＡ２と、を採用した。
【0106】
ＣＷＣＮ評価系８００では、第１ＤＣ電源１９０を第１バイアスティー１７０に接続した。シグナルジェネレータ８１０、同軸ケーブル８２０、インピーダンス変換器８３０、同軸ケーブル８４０及び第１バイアスティー１７０を、この順に接続した。第１バイアスティー１７０を、コネクタ１０５に接続した。
【0107】
ＣＷＣＮ評価系８００では、コネクタ２０５に第２バイアスティー２７０に接続した。第２ＤＣ電源２９０を第２バイアスティー２７０に接続した。第２バイアスティー２７０、増幅器８５０及び測定器８６０を、この順に接続した。増幅器８５０に第３ＤＣ電源３９０を接続した。
【0108】
シグナルジェネレータ８１０として、Ｒｏｈｄｅ＆Ｓｃｈｗａｒｚ社製のＣＬＧＤ ＤＯＣＳＩＳマルチチャネル信号発生器を用いた。
【0109】
同軸ケーブル８２０として、ハンファＱセルズジャパン株式会社製のＵＭＡ－ＡＴＣ１５を用いた。この同軸ケーブルの特性インピーダンスは、７５Ωである。
【0110】
インピーダンス変換器８３０として、スタック電子株式会社製のＰＤ６１４を用いた。このインピーダンス変換器は、特性インピーダンスを７５Ωから５０Ωに変換する。
【0111】
同軸ケーブル８４０として、潤工社製のＭＷＸ２２１を用いた。この同軸ケーブルの特性インピーダンスは、５０Ωである。
【0112】
第１ＤＣ電源１９０として、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製の２４００を用いた。
【0113】
第１バイアスティー１７０として、Ｍａｒｋｉ社製のＢＴ００４０を用いた。
【0114】
コネクタ１０５として、ＲＳ Ｐｒｏ社製の５２６－５７８５を用いた。このコネクタは、ＳＭＡコネクタである。
【0115】
基板１１０として、誘電体基板を用いた。この基板の比誘電率は、４．２である。この基板の厚さは、０．８ｍｍである。導電線路１２５、導電プレーン１２６及びベタグランド１２９は、銅箔により構成されている。この基板は、平面視において縦４０ｍｍ×横４０ｍｍの寸法を有する。導電線路１２５の長さは、１９ｍｍである。
【0116】
ＴＯＳＡ１３０は、自作した。具体的に、自作したＴＯＳＡ１３０は、発光素子１３５、台座、リード線１３６、リード線１３７及びキャップを含む。台座から、リード線１３６及びリード線１３７が延びている。キャップは、光の透過を許容するガラスを有する。発光素子１３５として、ＶＣＳＥＬを用いた。発光素子１３５を台座に接着することによって、発光素子１３５を台座に実装した。発光素子１３５のアノード１３５ａとリード線１３６とワイヤにより電気的に接続した。発光素子１３５のカソード１３５ｃとリード線１３７とワイヤにより電気的に接続した。キャップにより発光素子１３５を封止した。具体的に、この封止は、発光素子１３５の発光面がキャップのガラスに面するように行った。発光素子１３５と光ケーブル３００とを光コネクタにより光学的に接続した。
【0117】
ＬＣ並列回路１５０のインダクタ１５１として、チップインダクタを用いた。ＬＣ並列回路１５０のキャパシタ１５２として、チップキャパシタを用いた。チップインダクタ及びチップキャパシタのリード線１３７への電気的接続及びベタグランド１２９への電気的接続は、はんだ付けにより行った。
【0118】
光ケーブル３００として、長さ５０ｍのＰＯＦを用いた。光ケーブル３００及びＲＯＳＡ２３０の接続は、ＡＰＣコネクタを介して行った。
【0119】
ＲＯＳＡ２３０は、自作した。具体的に、自作したＲＯＳＡ２３０は、光検出素子２３５、台座、リード線２３６、リード線２３７及びキャップを含む。台座から、リード線２３６及びリード線２３７が延びている。キャップは、光の透過を許容するガラスを有する。光検出素子２３５として、フォトダイオードを用いた。光検出素子２３５を台座に接着することによって、光検出素子２３５を台座に実装した。光検出素子２３５のアノード２３５ａとリード線２３６とワイヤにより電気的に接続した。光検出素子２３５のカソード２３５ｃとリード線２３７とワイヤにより電気的に接続した。キャップにより光検出素子２３５を封止した。具体的に、この封止は、光検出素子２３５の発光面がキャップのガラスに面するように行った。光検出素子２３５と光ケーブル３００とを光コネクタにより光学的に接続した。
【0120】
基板２１０として、誘電体基板を用いた。この基板の比誘電率は、４．２である。この基板の厚さは、０．８ｍｍである。導電線路２２５、導電プレーン２２６及びベタグランド２２９は、銅箔により構成されている。この基板は、平面視において縦４０ｍｍ×横４０ｍｍの寸法を有する。導電線路２２５の長さは、１９ｍｍである。
【0121】
コネクタ２０５として、ＲＳ Ｐｒｏ社製の５２６－５７８５を用いた。このコネクタは、ＳＭＡコネクタである。
【0122】
第２ＤＣ電源２９０として、高砂製作所製のＫＸ２１０Ｌを用いた。
【0123】
第２バイアスティー２７０として、Ｍｉｎｉ－ｃｉｒｃｕｉｔｓ社製のＺＸ８５－１２Ｇ－Ｓ＋を用いた。
【0124】
増幅器８５０として、Ｍｉｎｉ－ｃｉｒｃｕｉｔｓ社製のＺＸ６０－６０１３Ｅ－Ｓ＋を用いた。
【0125】
第３ＤＣ電源３９０として、ＡＤＣＭＴ社製の６１４６を用いた。
【0126】
測定器８６０として、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製のＮ９０１０Ｂを用いた。この測定器は、スペクトルアナライザである。
【0127】
実験例の各実験では、シグナルジェネレータ８１０に、第１電気信号Ｓ１として、電力比にして９９ＭＨｚの周波数成分が２．２％の信号を第１バイアスティー１７０に向けて出力させた。この周波数成分は、第１電気信号Ｓ１における電力比が最大の周波数成分である。
【0128】
実験例の各実験では、第１ＤＣ電源１９０に、第１直流バイアスＢ１として、８．８ｍＡの定電流である順バイアスを第１バイアスティー１７０に向けて出力させた。このようにして、第１信号線１１８を第１グランド１１７に対して高電位に設定した。
【0129】
実験例の各実験では、第２ＤＣ電源２９０に、第２直流バイアスＢ２として、５Ｖの定電圧である逆バイアスを第２バイアスティー２７０に向けて出力させた。このようにして、第２信号線２１８を第２グランド２１７に対して定電位に設定した。
【0130】
実験例の各実験では、第３ＤＣ電源３９０から増幅器８５０に電力を供給した。増幅器８５０に、第２電気信号Ｓ２を増幅させた。そして、増幅した第２電気信号Ｓ２を測定器８６０に入力させた。
【0131】
測定器８６０は、５０Ωの終端抵抗を有する。実験例の各実験では、測定器８６０により、終端抵抗に印加される電圧を測定した。この電圧を電流に換算した。電流に基づいて、第２電気信号Ｓ２のＣＷＣＮ（Continuos-Wave Carrier to Noise）を特定した。ＣＷＣＮの特定を、３０分間継続して行った。具体的には、事前準備において、シグナルジェネレータ８１０及び測定器８６０を直接接続した。この直接接続状態で、シグナルジェネレータ８１０の設定値を決定した。この設定値は、シグナルジェネレータ８１０から出力される第１電気信号Ｓ１の強度を定めるものである。設定値は、測定器８６０の５０Ωの終端抵抗の電圧が８０ｄＢμＶとなるように決定した。その後、図１１に示すＣＷＣＮ評価系８００を構築した。そして、上記のようにして決定された設定値に設定されたシグナルジェネレータ８１０から第１電気信号Ｓ１が出力された状態で、第２電気信号Ｓ２を３０分間測定した。
【0132】
上記のように、第１電気信号Ｓ１は、変調された信号、具体的には直交振幅変調された信号でありうる。例えば、現実のケーブルテレビシステムでは、第１電気信号Ｓ１として変調された信号が用いられうる。そして、信号伝送の品質を評価するための指標として、変調された信号に由来する第２電気信号Ｓ２のＣＮＲが用いられうる。一方、実験例の各実験では、第１電気信号Ｓ１は、変調されていない連続波である。上記の説明に基づいて特定されたＣＷＣＮは、連続波に由来する第２電気信号Ｓ２のＣＷＣＮである。実験例の各実験で良好なＣＷＣＮが示された場合、変調されていない連続波である第１電気信号Ｓ１に代えて変調された第１電気信号Ｓ１がシグナルジェネレータ８１０から出力されるように改変されたシステムにおいて、良好なＣＮＲが示されることが期待される。実験例の各実験に関する以下の説明において、特に矛盾のない限り、「ＣＮＲ」は、厳密には「ＣＷＣＮ」を意味する。例えば、以下では、第２電気信号Ｓ２のＣＷＣＮを３０分間継続して測定することを、第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを３０分間継続して測定すると表記する。
【0133】
（Ａ：インダクタ１５１及びキャパシタ１５２の各組み合わせに対するＣＮＲの評価）
複数のＬＣ並列回路１５０を準備した。これらのＬＣ並列回路１５０は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２からなる群より選択される少なくとも１つが互いに異なる。具体的には、インダクタ１５１は、２０μＨ、５０μＨ、１００μＨ又は２００μＨのチップインダクタである。キャパシタ１５２は、０．４７μＦ、４．７μＦ、４７μＦ又は９４μＦのチップキャパシタである。ＴＯＳＡ１３０として、サンプルＡ及びサンプルＢを作製した。サンプルＡ及びサンプルＢは、同一の部品及び同一の組み立て方法により作製した。サンプルＡ及びサンプルＢは、意図的な非同一性を有さないものである。サンプルＡ及びサンプルＢのいずれかをＴＯＳＡ１３０として用い、そのＴＯＳＡ１３０にこれらのＬＣ並列回路１５０のいずれかを接続し、ＣＷＣＮ評価系８００を構成した。構成した各ＣＷＣＮ評価系８００における第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを３０分間継続して測定した。
複数のＬＣ並列回路１５０を準備した。これらのＬＣ並列回路１５０は、インダクタ１５１及びキャパシタ１５２からなる群より選択される少なくとも１つが互いに異なる。具体的には、インダクタ１５１は、２０μＨ、５０μＨ、１００μＨ又は２００μＨのチップインダクタである。キャパシタ１５２は、０．４７μＦ、４．７μＦ、４７μＦ又は９４μＦのチップキャパシタである。ＴＯＳＡ１３０として、サンプルＡ及びサンプルＢを作製した。サンプルＡ及びサンプルＢは、同一の部品及び同一の組み立て方法により作製した。サンプルＡ及びサンプルＢは、意図的な非同一性を有さないものである。サンプルＡ及びサンプルＢのいずれかをＴＯＳＡ１３０として用い、そのＴＯＳＡ１３０にこれらのＬＣ並列回路１５０のいずれかを接続し、ＣＷＣＮ評価系８００を構成した。構成した各ＣＷＣＮ評価系８００における第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを３０分間継続して測定した。
【0134】
また、ＣＷＣＮ評価系８００からＬＣ並列回路１５０を省略し、サンプルＡ及びサンプルＢのいずれかをＴＯＳＡ１３０として用い、そのＴＯＳＡ１３０とベタグランド１２９を電気的に接続させることによって、比較評価系を構成した。図１２は、比較評価系の説明図である。構成した比較評価系における第２電気信号Ｓ２のＣＮＲを３０分間継続して測定した。
【0135】
以下、３０分間の測定における第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの最小値を、ＣＮＲｍｉｎと表記する。比較評価系に関するＣＮＲｍｉｎに対する、ＣＷＣＮ評価系８００に関するＣＮＲｍｉｎの比率を計算した。こうして、ＣＮＲｍｉｎの改善を評価した。評価結果を表１に示す。表１において、「L[μH]」の列の数値は、インダクタ１５１のインダクタンスを示す。「C[μF]」の列の数値は、キャパシタ１５２のキャパシタンスを示す。「サンプルA」の列の数値は、ＴＯＳＡ１３０としてサンプルＡを用いた場合の上記比率（単位：ｄＢ）を示す。「サンプルB」の列の数値は、ＴＯＳＡ１３０としてサンプルＢを用いた場合の上記比率（単位：ｄＢ）を示す。
【表1】
【0136】
以下、３０分間の測定における第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの標準偏差（σ）を、ＣＮＲσと表記する。比較評価系に関するＣＮＲσに対する、ＣＷＣＮ評価系８００に関するＣＮＲσの比率を計算した。こうして、ＣＮＲσを評価した。評価結果を表２に示す。表２において、「L[μH]」の列の数値は、インダクタ１５１のインダクタンスを示す。「C[μF]」の列の数値は、キャパシタ１５２のキャパシタンスを示す。「サンプルA」の列の数値は、ＴＯＳＡ１３０としてサンプルＡを用いた場合の上記比率（単位：ｄＢ）を示す。「サンプルB」の列の数値は、ＴＯＳＡ１３０としてサンプルＢを用いた場合の上記比率（単位：ｄＢ）を示す。
【表2】
【0137】
図１３は、サンプルＡを用いた場合の第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの経時変化を示す。具体的に、図１３は、「ＬＣチップなし」の場合の上記経時変化と、「L(50μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化と、「L(50μH)＆C(47μF)」の場合の上記経時変化と、を示す。「ＬＣチップなし」の場合の上記経時変化は、比較評価系における上記経時変化を指す。「L(50μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化は、ＣＷＣＮ評価系８００においてインダクタ１５１のインダクタンスが５０μＨであり且つキャパシタ１５２のキャパシタンスが４．７μＦである場合の上記経時変化を指す。「L(50μH)＆C(47μF)」の場合の上記経時変化は、ＣＷＣＮ評価系８００においてインダクタ１５１のインダクタンスが５０μＨであり且つキャパシタ１５２のキャパシタンスが４７μＦである場合の上記経時変化を指す。
【0138】
図１４は、サンプルＡを用いた場合の第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの経時変化を示す。具体的に、図１４は、「ＬＣチップなし」の場合の上記経時変化と、「L(50μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化と、「L(100μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化と、を示す。「ＬＣチップなし」の場合の上記経時変化は、比較評価系における上記経時変化を指す。「L(50μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化は、ＣＷＣＮ評価系８００においてインダクタ１５１のインダクタンスが５０μＨであり且つキャパシタ１５２のキャパシタンスが４．７μＦである場合の上記経時変化を指す。「L(100μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化は、ＣＷＣＮ評価系８００においてインダクタ１５１のインダクタンスが１００μＨであり且つキャパシタ１５２のキャパシタンスが４．７μＦである場合の上記経時変化を指す。
【0139】
図１５は、サンプルＢを用いた場合の第２電気信号Ｓ２のＣＮＲの経時変化を示す。具体的に、図１５は、「ＬＣチップなし」の場合の上記経時変化と、「L(50μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化と、を示す。「ＬＣチップなし」の場合の上記経時変化は、比較評価系における上記経時変化を指す。「L(50μH)＆C(4.7μF)」の場合の上記経時変化は、ＣＷＣＮ評価系８００においてインダクタ１５１のインダクタンスが５０μＨであり且つキャパシタ１５２のキャパシタンスが４．７μＦである場合の上記経時変化を指す。
【0140】
表１及び表２と、図１３から図１５とに示されているように、ＴＯＳＡ１３０としてサンプルＡを用いた場合と及びサンプルＢを用いた場合とで、評価結果が相違する。相違は、サンプルＡの発光素子１３５及びサンプルＢの発光素子１３５の製造ばらつきに由来するものであると考えられる。
【0141】
（Ｂ１：ＬＣ並列回路１５０の位置の変更）
ＣＷＣＮ評価系８００におけるＬＣ並列回路１５０の位置を変更することによって、第１の変形評価系を作製した。図１６は、第１の変形評価系におけるＬＣ並列回路１５０の位置の説明図である。第１の変形評価系では、第１信号線１１８と、ＬＣ並列回路１５０と、ＴＯＳＡ１３０と、第１グランド１１７とをこの順に接続した。第１信号線１１８を第１グランド１１７に対して高電位に設定した。第１の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲｍｉｎの改善幅は小さかった。また、第１の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲσの改善幅は小さかった。
ＣＷＣＮ評価系８００におけるＬＣ並列回路１５０の位置を変更することによって、第１の変形評価系を作製した。図１６は、第１の変形評価系におけるＬＣ並列回路１５０の位置の説明図である。第１の変形評価系では、第１信号線１１８と、ＬＣ並列回路１５０と、ＴＯＳＡ１３０と、第１グランド１１７とをこの順に接続した。第１信号線１１８を第１グランド１１７に対して高電位に設定した。第１の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲｍｉｎの改善幅は小さかった。また、第１の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲσの改善幅は小さかった。
【0142】
（Ｂ２：ＬＣ並列回路１５０の位置の変更）
ＣＷＣＮ評価系８００におけるＬＣ並列回路１５０の位置を変更することによって、第２の変形評価系を作製した。図１７は、第２の変形評価系におけるＬＣ並列回路１５０の位置の説明図である。第２の変形評価系では、第１信号線１１８及び第１グランド１１７の間で、ＬＣ並列回路１５０とＴＯＳＡ１３０とを並列に接続した。第１信号線１１８を第１グランド１１７に対して高電位に設定した。第２の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲｍｉｎの改善幅は小さかった。また、第２の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲσの改善幅は小さかった。
ＣＷＣＮ評価系８００におけるＬＣ並列回路１５０の位置を変更することによって、第２の変形評価系を作製した。図１７は、第２の変形評価系におけるＬＣ並列回路１５０の位置の説明図である。第２の変形評価系では、第１信号線１１８及び第１グランド１１７の間で、ＬＣ並列回路１５０とＴＯＳＡ１３０とを並列に接続した。第１信号線１１８を第１グランド１１７に対して高電位に設定した。第２の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲｍｉｎの改善幅は小さかった。また、第２の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、ＬＣ並列回路１５０に基づくＣＮＲσの改善幅は小さかった。
【0143】
（Ｃ：受信側へのＬＣ並列回路の追加）
ＣＷＣＮ評価系８００における光受信器２００にＬＣ並列回路２５０を追加することによって、第３の変形評価系を作製した。図１８は、第３の変形評価系におけるＬＣ並列回路２５０の説明図である。第３の変形評価系では、第２信号線２１８、ＲＯＳＡ２３０、ＬＣ並列回路２５０及び第２グランド２１７は、この順に接続されている。ＬＣ並列回路２５０は、インダクタ２５１及びキャパシタ２５２を含む。インダクタ２５１及びキャパシタ２５２は、互いに並列接続されている。第２信号線２１８を第２グランド２１７に対して定電位に設定した。第３の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、測定器８６０において測定される第２電気信号Ｓ２のレベルが小さかった。
ＣＷＣＮ評価系８００における光受信器２００にＬＣ並列回路２５０を追加することによって、第３の変形評価系を作製した。図１８は、第３の変形評価系におけるＬＣ並列回路２５０の説明図である。第３の変形評価系では、第２信号線２１８、ＲＯＳＡ２３０、ＬＣ並列回路２５０及び第２グランド２１７は、この順に接続されている。ＬＣ並列回路２５０は、インダクタ２５１及びキャパシタ２５２を含む。インダクタ２５１及びキャパシタ２５２は、互いに並列接続されている。第２信号線２１８を第２グランド２１７に対して定電位に設定した。第３の変形評価系では、ＣＷＣＮ評価系８００に比べると、測定器８６０において測定される第２電気信号Ｓ２のレベルが小さかった。
【0144】
（付記）
本開示により、下記の技術が開示される。
本開示により、下記の技術が開示される。
【0145】
（技術１）
第１電気信号を光信号に変換するＴＯＳＡと、
互いに並列接続されたインダクタ及びキャパシタを含み、前記ＴＯＳＡに接続されたＬＣ並列回路と、を備える、
光送信器。
第１電気信号を光信号に変換するＴＯＳＡと、
互いに並列接続されたインダクタ及びキャパシタを含み、前記ＴＯＳＡに接続されたＬＣ並列回路と、を備える、
光送信器。
【0146】
（技術２）
前記インダクタのインダクタンスは、２０μＨ以上２００μＨ以下であり、
前記キャパシタのキャパシタンスは、０．４７μＦ以上９４μＦ以下である、
技術１に記載の光送信器。
前記インダクタのインダクタンスは、２０μＨ以上２００μＨ以下であり、
前記キャパシタのキャパシタンスは、０．４７μＦ以上９４μＦ以下である、
技術１に記載の光送信器。
【0147】
（技術３）
前記インダクタのインダクタンスは、５０μＨ以上１００μＨ以下であり、
前記キャパシタのキャパシタンスは、４．７μＦ以上４７μＦ以下である、
技術２に記載の光送信器。
前記インダクタのインダクタンスは、５０μＨ以上１００μＨ以下であり、
前記キャパシタのキャパシタンスは、４．７μＦ以上４７μＦ以下である、
技術２に記載の光送信器。
【0148】
（技術４）
前記ＴＯＳＡ及び前記ＬＣ並列回路は直列接続されている、
技術１から３のいずれか一項に記載の光送信器。
前記ＴＯＳＡ及び前記ＬＣ並列回路は直列接続されている、
技術１から３のいずれか一項に記載の光送信器。
【0149】
（技術５）
第１グランドと、
第１信号線と、を備え、
前記第１信号線、前記ＴＯＳＡ、前記ＬＣ並列回路及び前記第１グランドがこの順に接続されている、
技術１から４のいずれか一項に記載の光送信器。
第１グランドと、
第１信号線と、を備え、
前記第１信号線、前記ＴＯＳＡ、前記ＬＣ並列回路及び前記第１グランドがこの順に接続されている、
技術１から４のいずれか一項に記載の光送信器。
【0150】
（技術６）
第１グランドを備え、
前記インダクタ及び前記キャパシタは、前記第１グランドに電気的に接続されている、
技術１から５のいずれか一項に記載の光送信器。
第１グランドを備え、
前記インダクタ及び前記キャパシタは、前記第１グランドに電気的に接続されている、
技術１から５のいずれか一項に記載の光送信器。
【0151】
（技術７）
基板を備え、
前記基板は、
前記第１電気信号を前記ＴＯＳＡに向かって伝搬させる第１伝送路と、
前記ＬＣ並列回路が電気的に接続された第１グランドパターンと、含む、
技術１から６のいずれか一項に記載の光送信器。
基板を備え、
前記基板は、
前記第１電気信号を前記ＴＯＳＡに向かって伝搬させる第１伝送路と、
前記ＬＣ並列回路が電気的に接続された第１グランドパターンと、含む、
技術１から６のいずれか一項に記載の光送信器。
【0152】
（技術８）
前記基板は、ＲＦ回路を含み、
前記ＲＦ回路は、前記第１伝送路を含む、
技術７に記載の光送信器。
前記基板は、ＲＦ回路を含み、
前記ＲＦ回路は、前記第１伝送路を含む、
技術７に記載の光送信器。
【0153】
（技術９）
前記第１伝送路は、マイクロストリップ線路、ストリップ線路及びコプレーナ線路からなる群より選択される少なくとも１つを含む、
技術７又は８に記載の光送信器。
前記第１伝送路は、マイクロストリップ線路、ストリップ線路及びコプレーナ線路からなる群より選択される少なくとも１つを含む、
技術７又は８に記載の光送信器。
【0154】
（技術１０）
前記ＴＯＳＡは、発光素子を含み、
前記発光素子は、前記発光素子に入力された前記第１電気信号に応じて、前記光信号を出力する、
技術１から９のいずれか一項に記載の光送信器。
前記ＴＯＳＡは、発光素子を含み、
前記発光素子は、前記発光素子に入力された前記第１電気信号に応じて、前記光信号を出力する、
技術１から９のいずれか一項に記載の光送信器。
【0155】
（技術１１）
前記発光素子は、半導体レーザである、
技術１０に記載の光送信器。
前記発光素子は、半導体レーザである、
技術１０に記載の光送信器。
【0156】
（技術１２）
前記発光素子は、前記インダクタ及び前記キャパシタに電気的に接続されている、
技術１０又は１１に記載の光送信器。
前記発光素子は、前記インダクタ及び前記キャパシタに電気的に接続されている、
技術１０又は１１に記載の光送信器。
【0157】
（技術１３）
前記発光素子の駆動周波数は、１０ＭＨｚ以上３．２ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む、
技術１０から１２のいずれか一項に記載の光送信器。
前記発光素子の駆動周波数は、１０ＭＨｚ以上３．２ＧＨｚ以下の帯域の少なくとも一部を含む、
技術１０から１２のいずれか一項に記載の光送信器。
【0158】
（技術１４）
前記第１電気信号が入力される入力ポートを有するコネクタと、
前記ＬＣ並列回路を含む少なくとも１つの受動回路と、を備え、
前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を、前記発光素子及び前記少なくとも１つの受動回路のみによって前記光信号に変換する、
技術１０から１３のいずれか一項に記載の光送信器。
前記第１電気信号が入力される入力ポートを有するコネクタと、
前記ＬＣ並列回路を含む少なくとも１つの受動回路と、を備え、
前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を、前記発光素子及び前記少なくとも１つの受動回路のみによって前記光信号に変換する、
技術１０から１３のいずれか一項に記載の光送信器。
【0159】
（技術１５）
前記第１電気信号が入力される入力ポートを有するコネクタを備え、
前記第１電気信号のフィードバック制御も前記光信号のフィードバック制御も行うことなく、前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を前記光信号に変換する、
技術１から１４のいずれか一項に記載の光送信器。
前記第１電気信号が入力される入力ポートを有するコネクタを備え、
前記第１電気信号のフィードバック制御も前記光信号のフィードバック制御も行うことなく、前記入力ポートに入力された前記第１電気信号を前記光信号に変換する、
技術１から１４のいずれか一項に記載の光送信器。
【0160】
（技術１６）
以下の（１）及び（２）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、技術１から１５のいずれか一項に記載の光送信器。
（１）前記インダクタは、チップインダクタである。
（２）前記キャパシタは、チップキャパシタである。
以下の（１）及び（２）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、技術１から１５のいずれか一項に記載の光送信器。
（１）前記インダクタは、チップインダクタである。
（２）前記キャパシタは、チップキャパシタである。
【0161】
（技術１７）
以下の（ｉ）及び（ii）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、技術１から１６のいずれか一項に記載の光送信器。
（ｉ）前記インダクタは、可変インダクタである。
（ii）前記キャパシタは、可変キャパシタである。
以下の（ｉ）及び（ii）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、技術１から１６のいずれか一項に記載の光送信器。
（ｉ）前記インダクタは、可変インダクタである。
（ii）前記キャパシタは、可変キャパシタである。
【0162】
（技術１８）
技術１から１７のいずれか一項に記載の光送信器と、
光受信器と、
前記光信号を前記光送信器から前記光受信器に導くことに用いられる光ケーブルと、を備えた、
光通信システム。
技術１から１７のいずれか一項に記載の光送信器と、
光受信器と、
前記光信号を前記光送信器から前記光受信器に導くことに用いられる光ケーブルと、を備えた、
光通信システム。
【0163】
（技術１９）
前記光受信器は、光検出素子及び第２グランドを含み、
前記光検出素子は、前記光検出素子に入力された前記光信号に応じて、第２電気信号を出力し、
前記光検出素子は、前記第２グランドに電気的に接続されている、
技術１８に記載の光通信システム。
前記光受信器は、光検出素子及び第２グランドを含み、
前記光検出素子は、前記光検出素子に入力された前記光信号に応じて、第２電気信号を出力し、
前記光検出素子は、前記第２グランドに電気的に接続されている、
技術１８に記載の光通信システム。
【0164】
（技術２０）
ケーブルテレビシステム用である、
技術１８又は１９に記載の光通信システム。
ケーブルテレビシステム用である、
技術１８又は１９に記載の光通信システム。
【0165】
（技術２１）
第１単位構成及び第２単位構成を備え、
前記第１単位構成及び前記第２単位構成のそれぞれは、技術１から１７のいずれか一項に記載の光送信器を含み、
以下の（Ｉ）及び（II）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、光送信器アレイ。
（Ｉ）前記第１単位構成の前記インダクタのインダクタンスと、前記第２単位構成の前記インダクタのインダクタンスとは、互いに異なる。
（II）前記第１単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスと、前記第２単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスとは、互いに異なる。
第１単位構成及び第２単位構成を備え、
前記第１単位構成及び前記第２単位構成のそれぞれは、技術１から１７のいずれか一項に記載の光送信器を含み、
以下の（Ｉ）及び（II）からなる群より選択される少なくとも１つが成立する、光送信器アレイ。
（Ｉ）前記第１単位構成の前記インダクタのインダクタンスと、前記第２単位構成の前記インダクタのインダクタンスとは、互いに異なる。
（II）前記第１単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスと、前記第２単位構成の前記キャパシタのキャパシタンスとは、互いに異なる。
【0166】
（技術２２）
技術２１に記載の光送信器アレイと、
前記第１単位構成からの前記光信号及び前記第２単位構成からの前記光信号を含む複数の光信号を多重化することによって多重化信号を生成するマルチプレクサと、を備える、
光送信装置。
技術２１に記載の光送信器アレイと、
前記第１単位構成からの前記光信号及び前記第２単位構成からの前記光信号を含む複数の光信号を多重化することによって多重化信号を生成するマルチプレクサと、を備える、
光送信装置。
【0167】
（技術２３）
技術２２に記載の光送信装置と、
光受信装置と、
前記多重化信号を前記光送信装置から前記光受信装置に導くことに用いられる光ケーブルと、を備え、
前記光受信装置は、前記多重化信号を前記複数の光信号に分離するデマルチプレクサを含む、
光通信システム。
技術２２に記載の光送信装置と、
光受信装置と、
前記多重化信号を前記光送信装置から前記光受信装置に導くことに用いられる光ケーブルと、を備え、
前記光受信装置は、前記多重化信号を前記複数の光信号に分離するデマルチプレクサを含む、
光通信システム。
【産業上の利用可能性】
【0168】
本発明に係る技術は、ケーブルテレビシステム等に利用できる。具体的には、本発明に係る技術は、８ｋ等の高解像度の映像配信に利用できる。本発明は、信号伝送の品質を向上させることに適している。具体的には、本発明によれば、送信器からの信号を受信する受信系において、信号のＣＮＲを改善することが可能である。ケーブルテレビシステムにおいては、受信系において信号のＣＮＲを改善することにより、画質を向上させることができる。
【符号の説明】
【0169】
１０，２０ 機器
５０，５５０ 光通信システム
１００ 光送信器
１０５，２０５ コネクタ
１０５ｉ 入力ポート
１０５ｇ，２０５ｇ グランド領域
１１０，２１０ 基板
１１０ａ，２１０ａ 表面
２１０ｂ，２１０ｂ 裏面
１１０ｚ，２１０ｚ ＲＦ回路
１１１，１１２，２１１，２１２ 孔
１１５，１２５，２１５，２２５ 導電線路
１１６，１２６，２１６，２２６ 導電プレーン
１１７，２１７ グランド
１２９，２２９ ベタグランド
１１８，２１８ 信号線
１２１，２２１ スルーホール
１１５ｃ，１２５ｃ，２１５ｃ，２２５ｃ コプレーナ線路
１１５ｃｎ，２１５ｃｎ グランド付ではないコプレーナ線路
１２５ｃｇ，２２５ｃｇ グランド付コプレーナ線路
１３０ ＴＯＳＡ
１３１，２３１ 寄生インダクタ
１３２，２３２ 寄生キャパシタ
１３３，２３３ 寄生抵抗
１３５ 発光素子
１３５ａ，２３５ａ アノード
１３５ｃ，２３５ｃ カソード
１３６，１３７，２３６，２３７ リード線
１５０，２５０ ＬＣ並列回路
１５１，２５１ インダクタ
１５２，２５２ キャパシタ
１５３ 内部抵抗
１７０，２７０ バイアスティー
１９０，２９０，３９０ ＤＣ電源
２００ 光受信器
２０５ｏ 出力ポート
２３５ 光検出素子
２３０ ＲＯＳＡ
３００ 光ケーブル
６００，７００ 単位構成
６５０ 光送信器アレイ
６７０ マルチプレクサ
６９０ 光送信装置
７５０ 光受信器アレイ
７７０ デマルチプレクサ
７９０ 光受信装置
８００ ＣＷＣＮ評価系
８１０ シグナルジェネレータ
８２０，８４０ 同軸ケーブル
８３０ インピーダンス変換器
８５０ 増幅器
８６０ 測定器
Ｓ１，Ｓ２，Ｓｏ，Ｓｍ 信号
ＴＡ１，ＴＡ２，ＲＡ１，ＲＡ２ アナログ構成例
５０，５５０ 光通信システム
１００ 光送信器
１０５，２０５ コネクタ
１０５ｉ 入力ポート
１０５ｇ，２０５ｇ グランド領域
１１０，２１０ 基板
１１０ａ，２１０ａ 表面
２１０ｂ，２１０ｂ 裏面
１１０ｚ，２１０ｚ ＲＦ回路
１１１，１１２，２１１，２１２ 孔
１１５，１２５，２１５，２２５ 導電線路
１１６，１２６，２１６，２２６ 導電プレーン
１１７，２１７ グランド
１２９，２２９ ベタグランド
１１８，２１８ 信号線
１２１，２２１ スルーホール
１１５ｃ，１２５ｃ，２１５ｃ，２２５ｃ コプレーナ線路
１１５ｃｎ，２１５ｃｎ グランド付ではないコプレーナ線路
１２５ｃｇ，２２５ｃｇ グランド付コプレーナ線路
１３０ ＴＯＳＡ
１３１，２３１ 寄生インダクタ
１３２，２３２ 寄生キャパシタ
１３３，２３３ 寄生抵抗
１３５ 発光素子
１３５ａ，２３５ａ アノード
１３５ｃ，２３５ｃ カソード
１３６，１３７，２３６，２３７ リード線
１５０，２５０ ＬＣ並列回路
１５１，２５１ インダクタ
１５２，２５２ キャパシタ
１５３ 内部抵抗
１７０，２７０ バイアスティー
１９０，２９０，３９０ ＤＣ電源
２００ 光受信器
２０５ｏ 出力ポート
２３５ 光検出素子
２３０ ＲＯＳＡ
３００ 光ケーブル
６００，７００ 単位構成
６５０ 光送信器アレイ
６７０ マルチプレクサ
６９０ 光送信装置
７５０ 光受信器アレイ
７７０ デマルチプレクサ
７９０ 光受信装置
８００ ＣＷＣＮ評価系
８１０ シグナルジェネレータ
８２０，８４０ 同軸ケーブル
８３０ インピーダンス変換器
８５０ 増幅器
８６０ 測定器
Ｓ１，Ｓ２，Ｓｏ，Ｓｍ 信号
ＴＡ１，ＴＡ２，ＲＡ１，ＲＡ２ アナログ構成例
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】