特開 2024-92923 回路基板およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024092923

(43)【公開日】2024-07-08

(54)【発明の名称】回路基板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240701BHJP

   H01L 23/14 20060101ALI20240701BHJP

   H05K 3/34 20060101ALI20240701BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240701BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240701BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 Q

H01L23/12 N

H01L23/14 R

H05K3/34 501D

H05K1/02 A

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023110311

(22)【出願日】2023-07-04

(31)【優先権主張番号】10-2022-0184350

(32)【優先日】2022-12-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】李 相 旻

(72)【発明者】

【氏名】ゾ 永 一

【テーマコード（参考）】

5E316

5E319

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA15

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB16

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316EE31

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316HH11

5E319AA03

5E319AC02

5E319AC11

5E319GG20

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB63

5E338EE21

(57)【要約】      （修正有）

【課題】曲がり、ねじれなどの変形による不良を最少化することができる回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの第１層ユニット１００、少なくとも１つの第２層ユニット２００、導電パッド３００、ソルダーレジスト層４００、第１補助パッド５１０および第２補助パッドを含む回路基板は、補強材を含まない第１絶縁層１１０、第１絶縁層の表面１１０ｕ上に突出する導電パッド３００および第１絶縁層の下に位置し補強材を含む第２絶縁層２１０を含み、導電パッドの角は曲面形状を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

補強材を含まない第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面の上に突出した導電パッドと、
前記第１絶縁層の下に位置し補強材を含む第２絶縁層とを含み、
前記導電パッドの角は曲面形状を有することを特徴とする回路基板。

【請求項2】

前記導電パッドの一部は前記第１絶縁層に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１絶縁層に位置する第１ビア層と、
前記第１ビア層と連結された第１回路配線と、
前記第２絶縁層に位置する第２ビア層と、
前記第２ビア層と連結された第２回路配線とをさらに含み、
前記導電パッドは前記第１ビア層と連結されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記導電パッドの上部角は曲面形状を有し、
前記第１回路配線および前記第２回路配線の角は角ばった形状を有することを特徴とする請求項３に記載の回路基板。

【請求項5】

前記第２絶縁層の下に位置し前記第２回路配線と重畳する開口部を有するソルダーレジスト層をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の回路基板。

【請求項6】

前記導電パッドを覆う第１補助パッドと、
前記開口部と重畳する前記第２回路配線の表面を覆う第２補助パッドとをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第１補助パッドおよび前記第２補助パッドはメッキ層を含むことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第２ビア層の最小直径は前記第１ビア層の最小直径よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第１絶縁層はシリカフィラーを含み、
前記第２絶縁層はシリカフィラーと前記補強材を含み、
前記補強材はガラス繊維を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項10】

キャリア基板の上に導電パッドを形成する段階と、
前記キャリア基板の上に前記導電パッドを覆い補強材を含まない第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層の上に補強材を含む第２絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層から前記キャリア基板を分離する段階と、
前記第１絶縁層の表面をエッチングして前記導電パッドを前記第１絶縁層の表面の上に突出させる段階と、
前記導電パッドの角を加工して前記導電パッドの角を曲面形状に形成する段階とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項11】

前記第１絶縁層を貫通する第１ビア層を形成する段階と、
前記第１絶縁層の上に前記第１ビア層と連結される第１回路配線を形成する段階と、
前記第２絶縁層を貫通する第２ビア層を形成する段階と、
前記第２絶縁層の上に前記第２ビア層と連結される第２回路配線を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。

【請求項12】

前記第２ビア層の最小直径は、前記第１ビア層の最小直径よりも大きく形成することを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。

【請求項13】

前記第２絶縁層の上に前記第２回路配線と重畳する開口部を有するソルダーレジスト層を形成する段階と、
メッキ工程を用いて前記導電パッドを覆う第１補助パッド、および前記開口部と重畳する前記第２回路配線の表面を覆う第２補助パッドを同時に形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記導電パッドの上部角は曲面形状を有するように形成することを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、高性能中央処理装置（ＣＰＵ）の実現のために１つのパッケージ内に２つ以上のＩＣを積んで単一チップとして作動するようにするシステムインパッケージ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ、ＳＩＰ）が使用されている。このようなＳＩＰは、メモリ（Ｍｅｍｏｒｙ）が１つの回路基板に共に実装されるので、シリコンインターポーザ（ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）を適用している。したがって、回路基板の大きさが大きくなって変形（ｗａｒｐａｇｅ）による不良が発生しやすい。

【0003】

また、高性能中央処理装置（ＣＰＵ）においては薄い厚さのパッケージを必要とし、このために所定の厚さを有するコア部材（ｃｏｒｅ ｍｅｍｂｅｒ）のないコアレス（ｃｏｒｅｌｅｓｓ）基板が使用されている。このようなコアレス基板はコア部材がないので、同じ厚さの回路基板に比べて、より多くの層を形成すると同時に薄く形成することができるが、変形（ｗａｒｐａｇｅ）による不良が発生しやすい。

【0004】

パッケージ組み立て時、コアレス基板で発生する変形不良には、ダイ（ｄｉｅ）とバンプ（Ｂｕｍｐ）間の連結時にバンプに発生するクラック（ｃｒａｃｋ）、熱ストレス（ｔｈｅｒｍａｌ ｓｔｒｅｓｓ）によってビア層に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）、またはソルダーボールが短絡されるソルダーブリッジ（ｓｏｌｄｅｒ ｂｒｉｄｇｅ）などがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１２－９９８０８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、曲がり、ねじれなどの変形による不良を最少化することができる回路基板およびその製造方法を提供することにある。

【0007】

しかし、本発明が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で多様に拡張できる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板は、補強材を含まない第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面の上に突出した導電パッドと、前記第１絶縁層の下に位置し補強材を含む第２絶縁層とを含み、前記導電パッドの角は曲面形状を有する。

【0009】

前記導電パッドの一部は前記第１絶縁層に埋め込まれてもよい。
前記第１絶縁層に位置する第１ビア層と、前記第１ビア層と連結された第１回路配線と、前記第２絶縁層に位置する第２ビア層と、前記第２ビア層と連結された第２回路配線とをさらに含み、前記導電パッドは前記第１ビア層と連結されている。
前記導電パッドの上部角は曲面形状を有し、前記第１回路配線および前記第２回路配線の角は角ばった形状を有することが好ましい。
前記第２絶縁層の下に位置し前記第２回路配線と重畳する開口部を有するソルダーレジスト層をさらに含み得る。
前記導電パッドを覆う第１補助パッドと、前記開口部と重畳する前記第２回路配線の表面を覆う第２補助パッドとをさらに含み得る。
前記第１補助パッドおよび前記第２補助パッドはメッキ層を含み得る。
前記第２ビア層の最小直径は前記第１ビア層の最小直径よりも大きいことが好ましい。
前記第１絶縁層はシリカフィラーを含み、前記第２絶縁層はシリカフィラーと前記補強材を含み、前記補強材はガラス繊維を含み得る。

【0010】

また、上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板の製造方法は、キャリア基板の上に導電パッドを形成する段階と、前記キャリア基板の上に前記導電パッドを覆い補強材を含まない第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層の上に補強材を含む第２絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層から前記キャリア基板を分離する段階と、前記第１絶縁層の表面をエッチングして前記導電パッドを前記第１絶縁層の表面の上に突出させる段階と、前記導電パッドの角を加工して前記導電パッドの角を曲面形状に形成する段階とを含む。

【0011】

前記回路基板の製造方法は、前記第１絶縁層を貫通する第１ビア層を形成する段階と、前記第１絶縁層の上に前記第１ビア層と連結される第１回路配線を形成する段階と、前記第２絶縁層を貫通する第２ビア層を形成する段階と、前記第２絶縁層の上に前記第２ビア層と連結される第２回路配線を形成する段階とをさらに含み得る。
前記第２ビア層の最小直径は、前記第１ビア層の最小直径よりも大きく形成することが好ましい。
前記回路基板の製造方法は、前記第２絶縁層の上に前記第２回路配線と重畳する開口部を有するソルダーレジスト層を形成する段階と、メッキ工程を用いて前記導電パッドを覆う第１補助パッド、および前記開口部と重畳する前記第２回路配線の表面を覆う第２補助パッドを同時に形成する段階とをさらに含み得る。
前記回路基板の製造方法は、前記キャリア基板から分離された前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をひっくり返す段階をさらに含み得る。
前記導電パッドの上部角は曲面形状を有するように形成することが好ましい。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、コアレス基板の一部絶縁層が補強材を含むことによって、コアレス基板に一方向に変形が発生するのを防止することができる。
また、コアレス基板において突出した導電パッドの上部角が曲面形状を有することによって、コアレス基板に変形が発生する場合にも導電パッドにクラック（ｃｒａｃｋ）などの不良が発生するのを防止することができる。
また、補強材を含む一部絶縁層を貫通する一部ビア層の直径を、補強材を含まない他の絶縁層を貫通する他のビア層の直径よりも大きく形成することによって、一部絶縁層に集中するストレス（ｓｔｒｅｓｓ）によって一部ビア層にクラックなどの不良が発生するのを防止することができる。
このように、コアレス基板を含む回路基板の信頼性を向上させることができるので、パッケージを薄膜化することができる。

【0013】

しかし、本発明の効果は上述の効果に限定されるものではなく、本発明の思想および技術領域から逸脱しない範囲内で多様に拡張できるのは自明である。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態による回路基板の断面図である。

【図2】図１に示す回路基板にチップが付着された状態の断面図である。

【図3】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図4】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図5】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図6】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図7】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図8】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図9】本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【図10】本発明の他の実施形態による回路基板の断面図である。

【図11】本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、図面を参照して、本発明の様々な実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。本発明は様々の異なる形態で実現することができ、本明細書で説明する実施形態に限定されない。

【0016】

本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付ける。

【0017】

また、図面は本明細書に開示された実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示された技術的思想は限定されず、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。

【0018】

また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。図面において様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。また図面において、説明の便宜のために、一部層および領域の厚さを誇張して示した。

【0019】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上に”または“上に”あるという時、これは他の部分“の直上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分“の直上に”あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分“の上に”または“上に”あるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に向かって“の上に”または“上に”位置することを意味するものではない。

【0020】

また、明細書全体で、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対となる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことを意味する。

【0021】

また、明細書全体で、“平面上”という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、“断面上”という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0022】

また、明細書全体で、“連結される”という時、これは２つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、２つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能によって異なる名称で称されているが一体であることを意味する。

【0023】

以下、図面を参照して本発明の多様な実施形態と変形例を詳細に説明する。

【0024】

図１および図２を参照して、本発明の一実施形態による回路基板について説明する。

【0025】

図１は、本発明の一実施形態による回路基板の断面図であり、図２は、図１に示す回路基板にチップが付着された状態の断面図である。

【0026】

図１に示すように、本発明の一実施形態による回路基板は、少なくとも１つの第１層ユニット１００、少なくとも１つの第２層ユニット２００、導電パッド３００、ソルダーレジスト層４００、第１補助パッド５１０、および第２補助パッド５２０を含む。以下、説明の便宜のために第１層ユニット１００および第２層ユニット２００は共にコアレス基板ＣＬＳと定義する。

【0027】

第１層ユニット１００は、第２層ユニット２００の上に配置される。第１層ユニット１００は、第１絶縁層１１０、第１ビア層１２０、および第１回路配線１３０を含む。

【0028】

第１絶縁層１１０は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などのような熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのような熱可塑性樹脂などを含む。例えば、第１絶縁層１１０は、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ、ＡＢＦ）などを含み得る。ＡＢＦは、味の素ファインテクノ株式会社（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｆｉｎｅ－Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏ．， Ｉｎｃ．）から購入可能な重合体エポキシフィルムである。このような第１絶縁層１１０は、シリカフィラー（ｓｉｌｉｃａ ｆｉｌｌｅｒ）を含む。

【0029】

第１ビア層１２０は、第１絶縁層１１０を貫通して第１回路配線１３０と連結される。第１ビア層１２０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。第１ビア層１２０の側面は、テーパ（ｔａｐｅｒ）を有するように形成される。即ち、第１ビア層１２０の側面は第１絶縁層１１０の表面に平行な面を基準にして鈍角を有する。

【0030】

第１回路配線１３０は、第１絶縁層１１０の下に位置し、電気的信号を伝達する。第１回路配線１３０は多様なパターンで配置される。第１回路配線１３０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0031】

本実施形態では、３つの第１層ユニット１００が積層されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な数の第１層ユニット１００が積層される。

【0032】

第２層ユニット２００は、第２絶縁層２１０、第２ビア層２２０、および第２回路配線２３０を含む。

【0033】

第２絶縁層２１０は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などのような熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのような熱可塑性樹脂などを含む。例えば、第２絶縁層２１０は、味の素ビルドアップフィルム（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ、ＡＢＦ）などを含み得る。このような第２絶縁層２１０は、シリカフィラー（ｓｉｌｉｃａ ｆｉｌｌｅｒ）を含む。

【0034】

また、第２絶縁層２１０は、物理的な外力による変形を防止することができる補強材２１１をさらに含む。補強材２１１は、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ ｃｌｏｔｈ）などを含む。このように、第２絶縁層２１０は補強材２１１を含むことによって、製造工程中の熱ストレス（ｔｈｅｒｍａｌ ｓｔｒｅｓｓ）などによってコアレス基板ＣＬＳに一方向に変形が発生するのを防止することができる。

【0035】

第２ビア層２２０は、第２絶縁層２１０を貫通して第２回路配線２３０と連結される。第２ビア層２２０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。第２ビア層２２０の側面は、テーパ（ｔａｐｅｒ）を有するように形成される。即ち、第２ビア層２２０の側面は、第２絶縁層２１０の表面に平行な面を基準にして鈍角を有する。

【0036】

第２回路配線２３０は、第２絶縁層２１０の下に位置し、電気的信号を伝達する。第２回路配線２３０は多様なパターンで配置される。第２回路配線２３０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0037】

本実施形態では、２つの第２層ユニット２００が積層されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な数の第２層ユニット２００が積層される。

【0038】

導電パッド３００は、第１ビア層１２０を通じて第１回路配線１３０と連結され、第１絶縁層１１０の表面１１０ｕの上に突出する。また、導電パッド３００の下部面は、第１絶縁層１１０の内部に埋め込まれる。

【0039】

導電パッド３００は、ダイ（ｄｉｅ）１０に付着されたソルダーバンプ（ｓｏｌｄｅｒ ｂｕｍｐ）２０とボンディングされて電気的信号をダイ１０に伝達する。導電パッド３００は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）の２重層などの導電性物質を含む。

【0040】

この時、第１絶縁層１１０の表面１１０ｕの上に突出した導電パッド３００の上部角３００ａは曲面形状を有し、第１絶縁層１１０内部に埋込まれた下部角３００ｂは角ばった形状を有する。したがって、導電パッド３００の上部角３００ａの曲率半径は下部角３００ｂの曲率半径よりもさらに大きい。

【0041】

また、第１回路配線１３０の角１３０ａおよび第２回路配線２３０の角２３０ａが、角ばった形状を有するのとは異なり、導電パッド３００の上部角３００ａは曲面形状を有する。即ち、導電パッド３００の上部角３００ａの曲率半径は、第１回路配線１３０の角１３０ａおよび第２回路配線２３０の角２３０ａの曲率半径よりもさらに大きい。

【0042】

したがって、コアレス基板ＣＬＳに変形が発生する場合にも導電パッド３００の突出した上部角３００ａに応力が集中しないので、導電パッド３００にクラック（ｃｒａｃｋ）などの不良が発生するのを防止することができる。

【0043】

ソルダーレジスト層４００は、第２絶縁層２１０の下に位置し、第２回路配線２３０を覆う。このようなソルダーレジスト層４００は、第２回路配線２３０と平面上重畳する開口部ＯＨを有する。ソルダーレジスト層４００は、ソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含む。

【0044】

第１補助パッド５１０は、導電パッド３００を覆う。このような第１補助パッド５１０は、メッキ層を含む。メッキ層は無電解メッキ工程によって形成され、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）などを含む。

【0045】

第２補助パッド５２０は、ソルダーレジスト層４００の開口部ＯＨと重畳する第２回路配線２３０の表面を覆う。第２補助パッド５２０は第２絶縁層２１０に隣接してもよい。このような第２補助パッド５２０はメッキ層を含む。メッキ層はメッキ工程によって形成され、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）などを含む。

【0046】

第２補助パッド５２０に隣接した第２絶縁層２１０は補強材２１１を含むことによって、コアレス基板ＣＬＳの変形を最少化して、第２補助パッド５２０にボンディングされるソルダーボール３０が互いに短絡されるのを防止することができる。

【0047】

このように、本実施形態による回路基板は、コアレス基板ＣＬＳの第２絶縁層２１０が補強材２１１を含み、突出した導電パッド３００の上部角３００ａが曲面形状を有することによって、コアレス基板ＣＬＳに変形が発生する場合にも導電パッド３００、第２ビア層２２０などにクラック（ｃｒａｃｋ）などの不良が発生するのを最少化することができる。

【0048】

以下、図１および図２と共に図３～図９を参照して、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法について詳しく説明する。

【0049】

図３～図９は、本発明の一実施形態による回路基板の製造方法を順次に示す断面図である。

【0050】

図３に示すように、キャリア基板ＣＳの上に導電パッド３００を形成する。キャリア基板ＣＳは、以後の工程で導電パッド３００から分離可能な基板である。このようなキャリア基板ＣＳは、銅箔積層板などを含む。そして、キャリア基板ＣＳの上に導電パッド３００を覆う第１絶縁層１１０を形成する。第１絶縁層１１０は補強材２１１を含まなくてもよい。そして、写真エッチング工程を用いて第１絶縁層１１０に導電パッド３００と重畳するビアホールＶＨを形成する。

【0051】

図４に示すように、第１絶縁層１１０のビアホールＶＨを満たす第１ビア層１２０を形成する。この時、第１ビア層１２０の側面は逆テーパとなるように形成される。そして、第１絶縁層１１０の上に第１ビア層１２０に連結される第１回路配線１３０を形成する。ここで、第１絶縁層１１０、第１ビア層１２０、および第１回路配線１３０は共に第１層ユニット１００を成す。そして、第１層ユニット１００を繰り返して積層する。本実施形態では３つの第１層ユニット１００を形成したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な数の第１層ユニット１００を形成することができる。

【0052】

図５に示すように、第１層ユニット１００の上に第２絶縁層２１０を形成する。第２絶縁層２１０は補強材２１１を含む。そして、写真エッチング工程を用いて第２絶縁層２１０を貫通する第２ビア層２２０を形成する。この時、第２ビア層２２０の側面は逆テーパとなるように形成される。そして、第２絶縁層２１０の上に第２ビア層２２０に連結される第２回路配線２３０を形成する。ここで、第２絶縁層２１０、第２ビア層２２０、および第２回路配線２３０は共に第２層ユニット２００を成す。そして、第２層ユニット２００を繰り返して積層する。本実施形態では２つの第２層ユニット２００を形成したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な数の第２層ユニット２００を形成することができる。

【0053】

図６に示すように、第２層ユニット２００の上に第２回路配線２３０と重畳する開口部ＯＨを有するソルダーレジスト層４００を形成する。開口部ＯＨはマスクを用いてソルダーレジスト層４００に露光、硬化、現像などの工程を行って形成する。

【0054】

図７に示すように、第１層ユニット１００からキャリア基板ＣＳを分離する。即ち、第１層ユニット１００の第１絶縁層１１０からキャリア基板ＣＳを分離する。

【0055】

図８に示すように、第１層ユニット１００および第２層ユニット２００を含むコアレス基板ＣＬＳをひっくり返す。そして、複数の第１層ユニット１００の最上部の第１層ユニット１００の第１絶縁層１１０の表面をエッチングして導電パッド３００を第１層ユニット１００の第１絶縁層１１０の表面１１０ｕの上に突出させる。この時、導電パッド３００の上部角３００ａは角ばった形状を有する。

【0056】

図９に示すように、導電パッド３００の上部角３００ａを加工して導電パッド３００の上部角３００ａを曲面形状に形成する。この時、導電パッド３００の上部角３００ａは写真エッチング工程、レーザ工程などを用いて曲面形状に形成する。

【0057】

その後、図１に示すように、導電パッド３００を覆う第１補助パッド５１０を形成し、同時に第２絶縁層２１０の開口部ＯＨと重畳する第２回路配線２３０の表面を覆う第２補助パッド５２０を形成する。このような第１補助パッド５１０および第２補助パッド５２０は、導電パッド３００および第２回路配線２３０にそれぞれ電気的信号を印加する表面処理工程を用いて形成する。このような表面処理工程はＥＮＥＰＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）、ＥＮＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）などの無電解メッキ工程を含む。ＥＮＥＰＩＧはＥＮＩＧの問題点である置換金メッキ時ニッケル腐食を防止するために無電解パラジウムを無電解ニッケルと置換金の間に位置させたメッキ工程である。

【0058】

このように、本発明の一実施形態では、コアレス基板ＣＬＳの第２絶縁層２１０が補強材２１１を含むことによって、コアレス基板ＣＬＳに一方向に変形が発生するのを防止することができる。

【0059】

また、コアレス基板ＣＬＳにおいて突出した導電パッド３００の上部角３００ａが曲面形状を有することによって、コアレス基板ＣＬＳに変形が発生する場合にも導電パッド３００にクラック（ｃｒａｃｋ）などの不良が発生するのを防止することができる。

【0060】

一方、上記の一実施形態では第１ビア層の最小直径と第２ビア層の最小直径が同一であったが、第２ビア層の最小直径が第１ビア層の最小直径よりも大きい他の実施形態も可能である。

【0061】

以下、図１０を参照して、本発明の他の実施形態による回路基板について詳しく説明する。

【0062】

図１０は、本発明の他の実施形態による回路基板の断面図である。

【0063】

図１０に示す本発明の他の実施形態は、図１に示した一実施形態と比較して、第２ビア層の直径が第１ビア層の直径よりも大きいことのみを除いて実質的に同一なので、繰り返しとなる説明は省略する。

【0064】

図１０に示すように、本発明の他の実施形態による回路基板は少なくとも１つの第１層ユニット１００、少なくとも１つの第２層ユニット２００、導電パッド３００、ソルダーレジスト層４００、第１補助パッド５１０、および第２補助パッド５２０を含む。

【0065】

ここで、第２層ユニット２００の第２ビア層２２０の最小直径ｄ２は、第１層ユニット１００の第１ビア層１２０の最小直径ｄ１よりも大きい。

【0066】

このように、補強材２１１を含む第２絶縁層２１０を貫通する第２ビア層２２０の最小直径ｄ２を、補強材２１１を含まない第１絶縁層１１０を貫通する第１ビア層１２０の最小直径ｄ１よりも大きく形成することによって、第２絶縁層２１０に集中するストレス（ｓｔｒｅｓｓ）によって第２ビア層２２０にクラックなどの不良が発生するのを防止することができる。

【0067】

以下、図１０と共に図１１を参照して、本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法について詳しく説明する。

【0068】

図１１は、本発明の他の実施形態による回路基板の製造方法の一段階を示した断面図である。

【0069】

図１１に示す本発明の他の実施形態は、図３～図９に示した一実施形態と比較して第２ビア層の最小直径が第１ビア層の最小直径よりも大きいことのみを除いて実質的に同一なので、繰り返しとなる説明は省略する。

【0070】

図１１に示すように、キャリア基板ＣＳの上に導電パッド３００を形成する。そして、キャリア基板ＣＳの上に第１絶縁層１１０、第１ビア層１２０、および第１回路配線１３０を含む第１層ユニット１００を形成する。そして、第１層ユニット１００の上に第２絶縁層２１０、第２ビア層２２０、および第２回路配線２３０を含む第２層ユニット２００を形成する。この時、第２層ユニット２００の第２ビア層２２０の最小直径ｄ２は、第１層ユニット１００の第１ビア層１２０の最小直径ｄ１よりも大きく形成する。このように、補強材２１１を含む第２絶縁層２１０を貫通する第２ビア層２２０の最小直径ｄ２を、補強材２１１を含まない第１絶縁層１１０を貫通する第１ビア層１２０の最小直径ｄ１よりも大きく形成することによって、第２絶縁層２１０に集中するストレス（ｓｔｒｅｓｓ）によって第２ビア層２２０にクラックなどの不良が発生するのを防止することができる。そして、第２層ユニット２００の上に第２回路配線２３０と重畳する開口部ＯＨを有するソルダーレジスト層４００を形成する。

【0071】

その後、図１０に示すように、第１層ユニット１００からキャリア基板ＣＳを分離し、第１層ユニット１００および第２層ユニット２００を含むコアレス基板ＣＬＳをひっくり返す。そして、導電パッド３００を、第１層ユニット１００の第１絶縁層１１０の表面１１０ｕの上に突出させる。そして、導電パッド３００の上部角３００ａを加工して導電パッド３００の上部角３００ａを曲面形状に形成する。そして、導電パッド３００を覆う第１補助パッド５１０を形成し、同時に第２絶縁層２１０の開口部ＯＨと重畳する第２回路配線２３０の表面を覆う第２補助パッド５２０を形成する。

【0072】

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の技術範囲内、発明の詳細な説明および図面の範囲内で様々に変形して実施することが可能である。

【符号の説明】

【0073】

１０：ダイ
２０：ソルダーバンプ
１００：第１層ユニット
１１０：第１絶縁層
１２０：第１ビア層
１３０：第１回路配線
２００：第２層ユニット
２１０：第２絶縁層
２１１：補強材
２２０：第２ビア層
２３０：第２回路配線
３００：導電パッド
４００：ソルダーレジスト層
５１０：第１補助パッド
５２０：第２補助パッド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】