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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024092961
(43)【公開日】2024-07-08
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240701BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20240701BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643Z
H01L21/304 643A
H01L21/304 648G
H01L21/306 J
H01L21/306 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023196211
(22)【出願日】2023-11-17
(31)【優先権主張番号】P 2022208532
(32)【優先日】2022-12-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002428
【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100081961
【弁理士】
【氏名又は名称】木内 光春
(74)【代理人】
【識別番号】100112564
【弁理士】
【氏名又は名称】大熊 考一
(74)【代理人】
【識別番号】100163500
【弁理士】
【氏名又は名称】片桐 貞典
(74)【代理人】
【識別番号】230115598
【弁護士】
【氏名又は名称】木内 加奈子
(72)【発明者】
【氏名】小曽根 彰紀
(72)【発明者】
【氏名】小山 裕貴
(72)【発明者】
【氏名】笹平 幸之介
(72)【発明者】
【氏名】ユ ガンウン
【テーマコード（参考）】
5F043
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043AA35
5F043BB23
5F043EE07
5F043EE08
5F043EE10
5F043EE12
5F043EE28
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC01
5F157AC13
5F157BB22
5F157BB66
5F157CC11
5F157CF14
5F157CF22
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF60
5F157CF92
5F157CF99
5F157DB02
5F157DB18
5F157DC90
(57)【要約】 （修正有）
【課題】プレートの対向面に残留した処理液を除去し、プレートの清浄度を保つことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを回転させる回転体１０と、基板Ｗに処理液であるリン酸溶液を供給する処理液供給部４１１と、被処理面に対向するプレート５０と、処理液を加熱する加熱部６０と、プレート５０の対向面５１を洗浄する洗浄部９０と、を有する。洗浄部９０は、対向面５１に洗浄液を供給する給液部９２と、洗浄液を対向面５１に接触して拭き取る拭取部９３と、拭取部９３を対向面５１に沿って移動させる移動機構９５と、を有する。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを回転させる回転体１０と、基板Ｗに処理液であるリン酸溶液を供給する処理液供給部４１１と、被処理面に対向するプレート５０と、処理液を加熱する加熱部６０と、プレート５０の対向面５１を洗浄する洗浄部９０と、を有する。洗浄部９０は、対向面５１に洗浄液を供給する給液部９２と、洗浄液を対向面５１に接触して拭き取る拭取部９３と、拭取部９３を対向面５１に沿って移動させる移動機構９５と、を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
保持部により保持された基板を回転させる回転体と、
前記基板の被処理面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記被処理面に対向する位置に設けられたプレートと、
前記プレートに設けられ、前記基板の前記被処理面に供給された前記処理液を加熱する加熱部と、
前記プレートの前記被処理面に対向する対向面を洗浄する洗浄部と、を有し、
前記洗浄部は、
前記対向面に洗浄液を供給する給液部と、
前記給液部により供給された前記洗浄液を、前記対向面に接触して拭き取る拭取部と、
前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させる移動機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
前記基板の被処理面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記被処理面に対向する位置に設けられたプレートと、
前記プレートに設けられ、前記基板の前記被処理面に供給された前記処理液を加熱する加熱部と、
前記プレートの前記被処理面に対向する対向面を洗浄する洗浄部と、を有し、
前記洗浄部は、
前記対向面に洗浄液を供給する給液部と、
前記給液部により供給された前記洗浄液を、前記対向面に接触して拭き取る拭取部と、
前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させる移動機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記プレートを前記基板に対して進退させる駆動部を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記洗浄部は、前記保持部が前記基板を保持した前記回転体と前記プレートとの間において、前記対向面を洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記移動機構は、前記給液部を前記対向面に沿って移動させ、
前記拭取部は、前記移動機構による移動方向において、前記給液部を挟んで前後に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記拭取部は、前記移動機構による移動方向において、前記給液部を挟んで前後に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記移動機構は、前記給液部を前記対向面に沿って移動させ、
前記拭取部は、前記移動機構による移動方向において、前記給液部よりも後方に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記拭取部は、前記移動機構による移動方向において、前記給液部よりも後方に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記拭取部は、前記対向面に平行な方向に延び、前記対向面の全長に接する長さ以上であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記移動機構は、前記拭取部を前記対向面に平行な方向に揺動させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記拭取部は、前記対向面に倣って変形して接触する接触部を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記接触部は、メッシュ状であることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記給液部及び前記拭取部からの前記洗浄液を受けて、前記基板への落下を遮る液受部を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記プレートの前記対向面には、前記対向面の温度を検出する検出部が設けられ、
前記検出部により検出された温度に応じて、前記加熱部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記検出部により検出された温度に応じて、前記加熱部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項12】
回転体が、保持部により保持された基板を回転させ、
処理液供給部が、前記基板の被処理面に処理液を供給することにより、前記被処理面を処理し、
前記基板の前記被処理面に対向するプレートに設けられた加熱部が前記処理液を加熱し、
拭取部が前記プレートの前記被処理面に対向する対向面に接触して、給液部が洗浄液を前記対向面に供給しながら、移動機構が前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させることにより、前記処理液及び前記洗浄液を拭き取る、
ことを特徴とする基板処理方法。
処理液供給部が、前記基板の被処理面に処理液を供給することにより、前記被処理面を処理し、
前記基板の前記被処理面に対向するプレートに設けられた加熱部が前記処理液を加熱し、
拭取部が前記プレートの前記被処理面に対向する対向面に接触して、給液部が洗浄液を前記対向面に供給しながら、移動機構が前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させることにより、前記処理液及び前記洗浄液を拭き取る、
ことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ウェーハなどの基板に積層された膜を、処理液によりエッチングするウェットエッチングの装置として、複数枚の基板を一括して処理液に浸漬させるバッチ式の基板処理装置が存在する。このようなバッチ式の基板処理装置は、複数枚を一括して処理できるので、生産性が高い。
【0003】
但し、バッチ式の基板処理装置は、複数枚の基板を共通の条件の処理液に浸漬させるので、各基板に形成された膜厚等の相違に応じて、基板ごとにエッチングの深さ等を細かく調整することが難しい。そこで、基板を回転させながら、基板の回転中心付近にエッチング用の処理液を供給して、基板の被処理面に処理液を広げることにより、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が使用されている。
【0004】
エッチング用の処理液としては、フッ酸やリン酸、硫酸などの酸系の液体が用いられる。例えば、酸化膜と窒化膜が積層された基板において、窒化膜をエッチングする場合、処理液としてリン酸の水溶液（リン酸溶液）を利用する基板処理装置がある。リン酸溶液は、温度が高いほどエッチング性能が高く、リン酸溶液の温度が下がるとエッチング性能が低下してしまう。このため、所望のエッチングレートを得るには、リン酸溶液を高温に維持しなければならない。例えば、リン酸溶液を１５０℃～１６０℃に加熱して基板に供給することにより、窒化膜をエッチングしている。
【0005】
しかしながら、シリコンウェーハ等の基板は、熱伝導率が高い。すると、基板の被処理面に供給されたリン酸溶液は、その熱が基板を介して逃げてしまい、温度が低下しやすい。つまり、回転中心付近に供給されたリン酸溶液は高温が維持されているが、基板の外周に向かって移動するに従って、放熱によりリン酸溶液の温度が低下していくことになる。
【0006】
このように基板の被処理面上の位置によって、リン酸溶液の温度が相違すると、基板の位置によってエッチングレートに差が生じるため、基板の被処理面全体を均一に処理することが難しくなる。これに対処するため、基板の被処理面上のリン酸溶液の温度を維持しながら、エッチング処理する基板処理装置がある（特許文献１参照）。
【0007】
この基板処理装置は、基板の被処理面に対向し、ヒータを内蔵したプレートを設け、このプレートを基板の被処理面に接近させて、基板の被処理面に高温のリン酸溶液を供給する。基板とプレートとの間の距離は、数ミリ程度であり、リン酸溶液はプレートにより加熱されながら基板の被処理面上を流れることになる。これにより、リン酸溶液のエッチング性能を維持できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】国際公開第２０１１／０９０１４１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
以上のように、処理プロセスでは、プレートを基板に接近させた状態で、基板の被処理面に処理液を供給していることから、プレートの基板に対向する対向面に処理液が付着する。プレートの対向面に残留した処理液は、乾燥するとパーティクルの発生源となる。
【0010】
本発明の実施形態は、上述のような課題を解決するために提案されたものであり、その目的は、プレートの対向面に残留した処理液を除去し、プレートの清浄度を保つことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の実施形態の基板処理装置は、保持部により保持された基板を回転させる回転体と、前記基板の被処理面に処理液を供給する処理液供給部と、前記被処理面に対向する位置に設けられたプレートと、前記プレートに設けられ、前記基板の前記被処理面に供給された前記処理液を加熱する加熱部と、前記プレートの前記被処理面に対向する対向面を洗浄する洗浄部と、を有し、前記洗浄部は、前記対向面に洗浄液を供給する給液部と、前記給液部により供給された前記洗浄液を、前記対向面に接触して拭き取る拭取部と、前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させる移動機構と、を有する。
【0012】
本発明の実施形態の基板処理方法は、回転体が、保持部により保持された基板を回転させ、処理液供給部が、前記基板の被処理面に処理液を供給することにより、前記被処理面を処理し、前記基板の前記被処理面に対向するプレートに設けられた加熱部が前記処理液を加熱し、拭取部が前記プレートの前記被処理面に対向する対向面に接触して、給液部が洗浄液を対向面に供給しながら、移動機構が前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させることにより、前記処理液及び前記洗浄液を拭き取る。
【発明の効果】
【0013】
本発明の実施形態によれば、プレートの対向面に残留した処理液を除去し、プレートの清浄度を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】実施形態の基板処理装置のプレートが待機位置にある状態を示す全体構成図である。
【図5】洗浄部を示す平面図である。
【図7】洗浄部による洗浄動作が行われている状態を示すプレートの底面図である。
【図8】実施形態の基板処理装置の処理手順を示すフローチャートである。
【0015】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
[概要］
本実施形態の基板処理装置１は、図１及び図２に示すように、基板Ｗを回転体１０とともに回転させながら、供給部４０において加熱された処理液Ｌｅを、基板Ｗの一方の面（以下、被処理面とする）に供給することにより、被処理面を処理する。このとき、図２に示すように、駆動部８０が、加熱部６０を有するプレート５０を基板Ｗの被処理面に接近させて、プレート５０と基板Ｗとの間の空間を狭めることにより、熱を逃げ難くするとともに処理液Ｌｅを加熱して、処理液Ｌｅの温度低下を抑制する。プレート５０は、基板Ｗに非接触で、且つ基板Ｗに対して進退可能である。
[概要］
本実施形態の基板処理装置１は、図１及び図２に示すように、基板Ｗを回転体１０とともに回転させながら、供給部４０において加熱された処理液Ｌｅを、基板Ｗの一方の面（以下、被処理面とする）に供給することにより、被処理面を処理する。このとき、図２に示すように、駆動部８０が、加熱部６０を有するプレート５０を基板Ｗの被処理面に接近させて、プレート５０と基板Ｗとの間の空間を狭めることにより、熱を逃げ難くするとともに処理液Ｌｅを加熱して、処理液Ｌｅの温度低下を抑制する。プレート５０は、基板Ｗに非接触で、且つ基板Ｗに対して進退可能である。
【0016】
さらに、基板処理装置１は、図３に示すように、プレート５０を基板Ｗから離隔した位置に上昇させて、洗浄部９０によって、基板Ｗに対向する対向面５１に洗浄液Ｌｐを供給しながら、処理液Ｌｅとともに洗浄液Ｌｐを対向面５１から拭き取ることにより、プレート５０の温度低下を抑制する。そして、図４に示すように、プレート５０を基板Ｗから離隔した状態で、回転する基板Ｗの被処理面に、供給部４０から洗浄液Ｌｗを供給することにより、基板Ｗの被処理面を洗浄する。
【0017】
なお、本実施形態により処理される基板Ｗは、例えば、窒化膜が形成されたシリコンウェーハであり、基板Ｗを処理する処理液Ｌｅとしては、例えば、窒化膜をエッチングするためのリン酸（Ｈ３ＰＯ４）を含む水溶液（以下、リン酸溶液とする）を用いる。また、基板Ｗを洗浄する洗浄液Ｌｗとしては、純水（ＤＩＷ）を用いる。洗浄液Ｌｗとして、あらかじめ加熱された温純水を用いてもよい。なお、洗浄液Ｌｗは、純水には限定されない。例えば、フッ酸（フッ化水素の水溶液）を用いることもできる。
【0018】
【0019】
（回転体）
回転体１０は、保持部３０に保持された基板Ｗを回転させる。回転体１０は、保持部３０に保持された基板Ｗに間隔を空けて対向するテーブル１１を有する。回転体１０は、一端がテーブル１１によって塞がれた円筒形状である。テーブル１１は、基板Ｗよりも大きな径の円形の面である。
回転体１０は、保持部３０に保持された基板Ｗを回転させる。回転体１０は、保持部３０に保持された基板Ｗに間隔を空けて対向するテーブル１１を有する。回転体１０は、一端がテーブル１１によって塞がれた円筒形状である。テーブル１１は、基板Ｗよりも大きな径の円形の面である。
【0020】
回転体１０は、処理液Ｌｅに対して耐性を有する材料で形成されている。例えば、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）、ＰＣＴＦＥ（Polychlorotrifluoroethylene）などのフッ素系の樹脂により、回転体１０を構成することが好ましい。なお、このような回転体１０は、図示はしないが、設置面又は設置面に設置された架台に固定された固定ベース上に、後述する回転機構２０によって回転可能に設けられている。
【0021】
なお、回転体１０の周囲には、カップ１２が設けられている。カップ１２は、上部の径が窄まるように屈曲された筒状体である。カップ１２の底面には、処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗを排液するための排液口１２ａが設けられている。カップ１２は、回転する基板Ｗから飛散する各種の処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗを、基板Ｗの周囲から受ける。カップ１２が受けた処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗは、排液口１２ａを介して図示しない回収経路に排出される。
【0022】
（回転機構）
回転機構２０は、回転体１０を回転させる機構である。回転機構２０は、駆動源２１を有する。駆動源２１は、固定ベースに固定され、中空の回転子とこれを回転させる固定子を有する中空モータである。駆動源２１は、固定子のコイルに通電することにより、回転子とともに回転体１０を回転させる。
回転機構２０は、回転体１０を回転させる機構である。回転機構２０は、駆動源２１を有する。駆動源２１は、固定ベースに固定され、中空の回転子とこれを回転させる固定子を有する中空モータである。駆動源２１は、固定子のコイルに通電することにより、回転子とともに回転体１０を回転させる。
【0023】
（保持部）
保持部３０は、テーブル１１と平行に且つ間隔を空けて、基板Ｗを保持する。保持部３０は、保持ピン３１を有する。保持ピン３１は、図示しない駆動機構によって回転体１０の軸と平行な軸を中心に、偏心回転することにより、基板Ｗの縁部に接して基板Ｗを保持する保持位置と、基板Ｗの縁部から離れることにより基板Ｗを解放する解放位置との間を移動する。
保持部３０は、テーブル１１と平行に且つ間隔を空けて、基板Ｗを保持する。保持部３０は、保持ピン３１を有する。保持ピン３１は、図示しない駆動機構によって回転体１０の軸と平行な軸を中心に、偏心回転することにより、基板Ｗの縁部に接して基板Ｗを保持する保持位置と、基板Ｗの縁部から離れることにより基板Ｗを解放する解放位置との間を移動する。
【0024】
（供給部）
供給部４０は、図２に示すように、基板Ｗの被処理面、つまり保持部３０に保持された基板Ｗのテーブル１１と対向する面とは反対側の面に、処理液Ｌｅ又は洗浄液Ｌｗを供給する。供給部４０は、処理液Ｌｅを供給する処理液供給部４１１、洗浄液Ｌｗを供給する洗浄液供給部４１２を有する。
供給部４０は、図２に示すように、基板Ｗの被処理面、つまり保持部３０に保持された基板Ｗのテーブル１１と対向する面とは反対側の面に、処理液Ｌｅ又は洗浄液Ｌｗを供給する。供給部４０は、処理液Ｌｅを供給する処理液供給部４１１、洗浄液Ｌｗを供給する洗浄液供給部４１２を有する。
【0025】
処理液供給部４１１は、処理液Ｌｅとしてリン酸溶液を供給する。洗浄液供給部４１２は、洗浄液Ｌｗとして純水を供給する。処理液供給部４１１、洗浄液供給部４１２は、それぞれ処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗを貯留する液槽４１ａを有している。
【0026】
各液槽４１ａは、それぞれ供給管４１ｂの一端に接続されている。供給管４１ｂの他端は、保持部３０に保持された基板Ｗに対向している。これにより、各液槽４１ａからの処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗは、供給管４１ｂを介して、基板Ｗの被処理面に供給される。
【0027】
各供給管４１ｂには、それぞれバルブ４１ｃ、流量計４１ｄが設けられている。バルブ４１ｃは、流量の調節機能とОＮ／ＯＦＦ機能を有している。各バルブ４１ｃが、対応する液槽４１ａから供給管４１ｂに流れ込む処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗの量を調整する。また、洗浄液供給部４１２の液槽４１ａから、洗浄液Ｌｗが基板Ｗに向かう供給管４１ｂには、さらにバルブ４１ｅが設けられている。バルブ４１ｅは、流量の調節機能とＯＮ／ＯＦＦ機能を有している。バルブ４１ｅは、後述する吐出口５０ａの手前において、洗浄液Ｌｗの吐出量を調整する。各供給管４１ｂを流れる処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗの量は、対応する流量計４１ｄにより検出される。なお、各液槽４１ａに貯留される処理液Ｌｅ、洗浄液Ｌｗの生成設備及び生成方法は特定のものには限定されない。
【0028】
（プレート）
プレート５０は、基板Ｗの被処理面に対向する位置に設けられ、基板Ｗに対して進退可能な部材である。プレート５０の基板Ｗ及びテーブル１１に対向する面が、対向面５１である。プレート５０は円板であり、その底面が円形の平坦な対向面５１となっている。対向面５１は、基板Ｗの回転中心と同心であり、基板Ｗよりも大径である。つまり、対向面５１は、基板Ｗの被処理面の全体を非接触で覆うサイズである。プレート５０は、石英により形成されている。プレート５０の上部の周縁には、外方に拡径したフランジ５０ｂが形成されている。
プレート５０は、基板Ｗの被処理面に対向する位置に設けられ、基板Ｗに対して進退可能な部材である。プレート５０の基板Ｗ及びテーブル１１に対向する面が、対向面５１である。プレート５０は円板であり、その底面が円形の平坦な対向面５１となっている。対向面５１は、基板Ｗの回転中心と同心であり、基板Ｗよりも大径である。つまり、対向面５１は、基板Ｗの被処理面の全体を非接触で覆うサイズである。プレート５０は、石英により形成されている。プレート５０の上部の周縁には、外方に拡径したフランジ５０ｂが形成されている。
【0029】
なお、プレート５０は、耐熱性と耐液性を両立させるため、二重構造となっていてもよい。つまり、耐熱性を有する材料によって基体が形成され、その周囲が処理液Ｌｅに対して耐性のある材料で覆われていてもよい。例えば、石英を基体として、その周囲にＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥなどのフッ素系の樹脂のカバーを形成することにより、プレート５０が構成されていてもよい。
【0030】
プレート５０には、２つの供給管４１ｂの他端が挿通されて、基板Ｗ側に露出する２つの吐出口５０ａが形成されている。２つの吐出口５０ａは、回転体１０の回転の軸からずれている。これは、基板Ｗの回転に伴って、基板Ｗにおける吐出口５０ａとの対向部分が逐次変化することにより、処理液Ｌｅの温度の均一化に寄与するためである。
【0031】
（加熱部）
加熱部６０は、プレート５０に設けられ、基板Ｗの被処理面に供給された処理液Ｌｅを加熱する。本実施形態の加熱部６０は、通電により発熱するヒータ６１である。ヒータ６１は、プレート５０の水平方向の異なる位置に複数設けられている。例えば、ヒータ６１は、発熱量を個別に制御可能な、例えば、３つのヒータ片によって構成されている。つまり、径の異なる円環状の３つのヒータ片が、同心で配置されている。このようなヒータ６１によれば、同心で配置された３つのヒータ片の発熱量を個別に制御することで、同心円状の部分毎にヒータ６１の温度を変え、処理液Ｌｅの温度分布を変えることができる。なお、加熱部６０の径は、基板Ｗの外周側の温度低下を抑制するために、基板Ｗを覆うサイズ、つまり基板Ｗの径以上（同等かより大きな径）であることが好ましい。なお、基板Ｗの被処理面に供給された処理液Ｌｅを加熱する、とは、基板Ｗを加熱し、基板Ｗを介して処理液Ｌｅを間接的に加熱する態様も含むものとする。
加熱部６０は、プレート５０に設けられ、基板Ｗの被処理面に供給された処理液Ｌｅを加熱する。本実施形態の加熱部６０は、通電により発熱するヒータ６１である。ヒータ６１は、プレート５０の水平方向の異なる位置に複数設けられている。例えば、ヒータ６１は、発熱量を個別に制御可能な、例えば、３つのヒータ片によって構成されている。つまり、径の異なる円環状の３つのヒータ片が、同心で配置されている。このようなヒータ６１によれば、同心で配置された３つのヒータ片の発熱量を個別に制御することで、同心円状の部分毎にヒータ６１の温度を変え、処理液Ｌｅの温度分布を変えることができる。なお、加熱部６０の径は、基板Ｗの外周側の温度低下を抑制するために、基板Ｗを覆うサイズ、つまり基板Ｗの径以上（同等かより大きな径）であることが好ましい。なお、基板Ｗの被処理面に供給された処理液Ｌｅを加熱する、とは、基板Ｗを加熱し、基板Ｗを介して処理液Ｌｅを間接的に加熱する態様も含むものとする。
【0032】
（検出部）
検出部７０は、プレート５０の温度を検出する。検出部７０としては、例えば、熱電対、測温抵抗体などを用いることができる。検出部７０は、プレート５０に内蔵された加熱部６０に設けられている。検出部７０は、プレート５０の径方向の異なる位置に複数設けられている。例えば、検出部７０は、ヒータ６１の３つのヒータ片に対応して３か所設けられている。
検出部７０は、プレート５０の温度を検出する。検出部７０としては、例えば、熱電対、測温抵抗体などを用いることができる。検出部７０は、プレート５０に内蔵された加熱部６０に設けられている。検出部７０は、プレート５０の径方向の異なる位置に複数設けられている。例えば、検出部７０は、ヒータ６１の３つのヒータ片に対応して３か所設けられている。
【0033】
（駆動部）
駆動部８０は、プレート５０を、基板Ｗに対して進退させる機構である。駆動部８０は、支持部８１、アーム８２、進退機構８３を有する。支持部８１は、リング状の部材であり、その内側にプレート５０が挿通され、上部にフランジ５０ｂが当接することにより、プレート５０を水平に支持する。アーム８２は、一端が支持部８１に固定された水平方向に延びた部材である。
駆動部８０は、プレート５０を、基板Ｗに対して進退させる機構である。駆動部８０は、支持部８１、アーム８２、進退機構８３を有する。支持部８１は、リング状の部材であり、その内側にプレート５０が挿通され、上部にフランジ５０ｂが当接することにより、プレート５０を水平に支持する。アーム８２は、一端が支持部８１に固定された水平方向に延びた部材である。
【0034】
進退機構８３は、架台に立設され、アーム８２を介してプレート５０を、基板Ｗに接近及び離隔する方向に移動させる機構である。本実施形態の進退機構８３は、回転体１０の軸に平行な方向に移動する可動部を有し、可動部にアーム８２の他端が取り付けられている。進退機構８３は、例えば、シリンダ、ボールねじ機構など、可動部を移動させる種々の機構を適用可能であるが、詳細は省略する。
【0035】
進退機構８３は、プレート５０を待機位置、洗浄位置、処理位置に移動させる。待機位置は、図１に示すように、対向面５１と回転体１０との間隔を、基板Ｗの搬入、搬出を可能とする位置である。洗浄位置は、図３に示すように、対向面５１と回転体１０との間隔を、洗浄部９０が挿入可能で、接触部９３ａと接触可能とする位置である。なお、洗浄位置は、図４に示すように、基板Ｗに供給された洗浄液Ｌｗが、対向面５１に付着しない位置である。
【0036】
処理位置は、図２に示すように、対向面５１と被処理面との間に処理液Ｌｅを流通させて、加熱部６０により加熱させながら被処理面を処理する位置である。本実施形態では、プレート５０は、基板Ｗの被処理面との間に間隔ｄが形成される位置まで下降する。この間隔ｄは、例えば、４ｍｍ以下であるが、処理液Ｌｅとの間に２ｍｍ程度の隙間が空くように維持される。
【0037】
なお、処理液Ｌｅは、供給部４０における図示しない加熱装置によって予め設定された温度まで加熱されており、基板Ｗに供給されて加熱部６０により加熱される。これにより、基板Ｗに供給された処理液Ｌｅを、予め設定された温度を維持したまま基板Ｗの被処理面全体に行き渡らせることができる。特に、外周側のヒータ６１を内周側のヒータ６１よりも高温とすることにより、温度低下しやすい基板Ｗの外周側の処理液Ｌｅの温度を上げ、基板Ｗ上の処理液Ｌｅの温度分布を均一にする効果が得られる。
【0038】
（洗浄部）
洗浄部９０は、プレート５０の被処理面に対向する対向面５１を洗浄する。洗浄部９０は、保持部３０が基板Ｗを保持した回転体１０とプレート５０との間において、対向面５１を洗浄する。つまり、本実施形態の洗浄部９０は、プレート５０の位置が、基板Ｗを処理する処理位置と水平方向において共通の洗浄位置で、プレート５０の対向面５１を洗浄する。
洗浄部９０は、プレート５０の被処理面に対向する対向面５１を洗浄する。洗浄部９０は、保持部３０が基板Ｗを保持した回転体１０とプレート５０との間において、対向面５１を洗浄する。つまり、本実施形態の洗浄部９０は、プレート５０の位置が、基板Ｗを処理する処理位置と水平方向において共通の洗浄位置で、プレート５０の対向面５１を洗浄する。
【0039】
洗浄部９０は、図５～図７に示すように、支持体９１、給液部９２、拭取部９３、液受部９４、移動機構９５を有する。支持体９１は、プレート５０の対向面５１に平行なブロック状の部材である。支持体９１は、対向面５１の径よりも長く延びた直方体形状である。支持体９１には、図６の断面図に示すように、バックアップ部９１ａが設けられている。バックアップ部９１ａは、断面が楕円形状で、支持体９１の長手方向に沿って固定された棒状部材である。バックアップ部９１ａは、後述する給液部９２を挟む位置に、一対で設けられている。支持体９１及びバックアップ部９１ａは、耐液性のある材質、例えば、ＰＥＥＫ（Poly Ether Ether Ketone）により形成されている。
【0040】
給液部９２は、対向面５１に洗浄液Ｌｐを供給する。給液部９２は、図５に示すように、対向面５１に平行な方向に並べて配置された複数の供給口９２ａを有する。供給口９２ａは、支持体９１の一対のバックアップ部９１ａの間に、バックアップ部９１ａと平行に並べて複数設けられ、洗浄液Ｌｐである純水を、対向面５１に向かって吹き付けるノズルである。複数の供給口９２ａは、等間隔で配置されている。このため、給液部９２は、直線方向に均等に洗浄液Ｌｐを吹き付けることができる。
【0041】
供給口９２ａは、洗浄液供給部４１２の液槽４１ａに接続され、液槽４１ａに、供給管４１ｂから分岐配管９２ｂを介して接続されている。分岐配管９２ｂには、バルブ９２ｃが設けられている。バルブ９２ｃは、流量の調節機能とОＮ／ＯＦＦ機能を有している。バルブ９２ｃが、洗浄液Ｌｐの供給及び停止、洗浄液Ｌｐの噴出高さ、噴出量を制御する。本実施形態において、洗浄液Ｌｐは、基板Ｗの被処理面に供給される洗浄液Ｌｗと同様に、純水が用いられる。なお、洗浄液Ｌｐは、純水には限定されない。例えば、フッ酸（フッ化水素の水溶液）等であってもよい。また、洗浄液Ｌｐは、供給部４０によって供給される洗浄液Ｌｗと異なってもよい。このように、供給される洗浄液Ｌｐが、洗浄液Ｌｗと異なる場合、基板Ｗに供給される洗浄液供給部４１２とは別に、洗浄液Ｌｐを供給する洗浄液供給部を設ける。
【0042】
拭取部９３は、図３に示すように、給液部９２により供給された洗浄液Ｌｐを、対向面５１に接触して拭き取る。また、拭取部９３は、処理液Ｌｅとともに洗浄液Ｌｐを、対向面５１に接触して拭き取る。拭取部９３は、対向面５１に平行な方向に延び、対向面５１の全長に接する長さである。ここでいう対向面５１の全長は、円形の対向面５１の直径である。つまり、拭取部９３の長手方向は、対向面５１の直径以上の長さである。拭取部９３は、後述する移動機構９５により移動可能に設けられているが、その移動方向において、給液部９２を挟んで前後に設けられている。つまり、一対の拭取部９３が、支持体９１の長手方向、換言すればバックアップ部９１ａの長手方向に並んだ複数の供給口９２ａを挟んで、この長手方向と平行に設けられている。本実施形態では、拭取部９３は、一方向への揺動と逆方向への揺動による往復動を行うが、一方向への揺動と逆方向への揺動において、前後の拭取部９３が逆になる。
【0043】
一対の拭取部９３は、図５及び図６に示すように、それぞれ接触部９３ａ、カバー部９３ｂを有する。接触部９３ａは、対向面５１に倣って変形して接触する。これにより、対向面５１に接した接触部９３ａは、対向面５１または洗浄部９０のいずれかまたは両方に僅かな傾きや歪みがあり、両者が完全に平行でない場合でも全長に亘って対向面５１に倣って接触することができる。本実施形態の接触部９３ａは、メッシュ状の部材である。接触部９３ａは、フッ素樹脂のメッシュにより形成されている。カバー部９３ｂは、Ｕ字形状の断面を有し、バックアップ部９１ａを覆う部材であり、接触部９３ａを支持する。接触部９３ａは、カバー部９３ｂを覆うように支持されている。このため、接触部９３ａは曲面で対向面５１に対向し、曲面の頂点付近で対向面５１に接する。
【0044】
なお、接触部９３ａに使用するメッシュは、シート状の部材であり、簡単に交換することができる。メッシュが劣化したり、所定の回数使用することで対向面５１から拭き取ったパーティクルが蓄積されたら、直ぐに交換することができるので、メッシュがパーティクル源になることを防止することができる。
【0045】
カバー部９３ｂは、弾性を有し、対向面５１に接触部９３ａが押し付けられて接触する際、接触部９３ａとともに弾性変形する。接触部９３ａは、シート状の部材であるため、接触部９３ａのみの変形量に限界がある。これに対し、本実施形態では、変形するカバー部９３ｂを介してバックアップ部９１ａに接触部９３ａが支持されているので、バックアップ部９１ａに直接接触部９３ａが支持されている場合と比較し、接触部９３ａの変形量を大きくすることができ、対向面５１に対して接触部９３ａを密着させることができる。
【0046】
液受部９４は、給液部９２及び拭取部９３からの洗浄液Ｌｐを受けて、基板Ｗへの落下を遮る。液受部９４は、図５及び図６に示すように、支持体９１が収容された箱状の部材である。液受部９４は、上方が開口した直方体形状の容器であり、拭取部９３から落下する洗浄液Ｌｐが流入する隙間が形成されるように、支持体９１が内部に配置されている。液受部９４には、洗浄液Ｌｐを排出する排出部９４ａが設けられている。排出部９４ａは、液受部９４の下部に設けられた排液口に接続された配管であり、図示しない排液流路に接続されている。なお、液受部９４の側面は、その上端の高さを供給口９２ａよりも上とすることにより、洗浄液Ｌｐの飛散や漏れを低減できるので好ましい。
【0047】
移動機構９５は、給液部９２、拭取部９３及び液受部９４を、対向面５１に沿って移動させる。移動機構９５は、アーム９５ａ、揺動部９５ｂを有する。アーム９５ａは、対向面５１と平行な方向に延びる部材であり、一端に液受部９４の一端が取り付けられている。
【0048】
揺動部９５ｂは、対向面５１から外れた位置に設けられ、アーム９５ａの他端が取り付けられた端部を軸とする円弧の軌跡で、拭取部９３を回動させる。より具体的には、揺動部９５ｂは、平面視で対向面５１から外れた退避位置から、対向面５１の外周に対向する部分を通過して対向面５１より外側の折り返し位置に達した後、逆方向に移動して退避位置に戻るまで、対向面５１に平行に拭取部９３を往復させる。
【0049】
揺動部９５ｂは、アーム９５ａから対向面５１に直交する方向に延びた支軸と、支軸を中心に揺動させる駆動源であるモータ（図示せず）を有する。アーム９５ａは、対向面５１の洗浄を行わないときは、退避位置に位置付けられている。なお、移動機構９５によって、拭取部９３は、洗浄位置にあるプレート５０の対向面５１に接する高さに支持されている。
【0050】
（制御部）
制御部１００は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部１００は、基板処理装置１の各種の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。つまり、制御部１００は、回転機構２０、保持部３０、供給部４０、加熱部６０、駆動部８０、洗浄部９０などを制御する機構制御部１１０を有する。
制御部１００は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部１００は、基板処理装置１の各種の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。つまり、制御部１００は、回転機構２０、保持部３０、供給部４０、加熱部６０、駆動部８０、洗浄部９０などを制御する機構制御部１１０を有する。
【0051】
また、本実施形態の制御部１００は、加熱制御部１２０を有する。加熱制御部１２０は、検出部７０により検出されたプレート５０の温度に応じて、加熱部６０の温度を制御する。つまり、加熱制御部１２０は、プレート５０の温度に応じてヒータ６１の出力を制御するフィードバック制御を行う。例えば、複数の検出部７０により検出された温度の平均値が、所定の温度よりも低い場合に、ヒータ６１の温度を上昇させる。なお、各検出部７０により検出された温度が、所定の温度よりも低い場合に、当該検出部７０に対応するヒータ６１の温度を上昇させてもよい。この場合、例えば、各検出部７０に、それぞれが配設されたヒータ６１が対応している。
【0052】
［動作］
以上のような本実施形態の基板処理装置１の動作を、上記の図１～図７に加えて、図８のフローチャートを参照して説明する。なお、以下のような手順により基板Ｗを処理する基板処理方法、基板製造方法も、本実施形態の一態様である。
以上のような本実施形態の基板処理装置１の動作を、上記の図１～図７に加えて、図８のフローチャートを参照して説明する。なお、以下のような手順により基板Ｗを処理する基板処理方法、基板製造方法も、本実施形態の一態様である。
【0053】
まず、図１に示すように、プレート５０は上方の待機位置にある。このとき、プレート５０とテーブル１１との間には、図示しない搬送ロボットのハンドに支持された基板Ｗが搬入可能となる間隔が設けられている。
【0054】
また、予め加熱部６０のヒータ６１に通電することにより、プレート５０の対向面５１が加熱され、所定温度（例えば、温度範囲１８０℃～２２５℃内の温度）に維持されている。なお、例えば、基板Ｗの外周領域は放熱により最も温度が低下するため、外周領域のヒータ６１が、他の領域よりも高温となるように加熱してもよい。
【0055】
この状態で、前の工程で被処理面に純水が液盛りされ、搬送ロボットのハンドに搭載された基板Ｗが、プレート５０と回転体１０との間に搬入され、その縁部が複数の保持ピン３１に支持されることにより、回転体１０のテーブル１１上に保持される（ステップＳ０１）。このとき、基板Ｗの中心と回転体１０の回転の軸とが一致するように位置決めされる。
【0056】
回転体１０が、比較的低速な所定速度（例えば、５０ｒｐｍ程度）にて回転する。これにより、基板Ｗが保持部３０とともに前記所定速度にて回転する（ステップＳ０２）。そして、図２に示すように、プレート５０が、基板Ｗの被処理面との間に所定の間隔ｄ（例えば、４ｍｍ以下）が形成される処理位置まで下降する（ステップＳ０３）。
【0057】
処理液供給部４１１が処理液Ｌｅを基板Ｗの被処理面に供給するとともに、検出部７０によるプレート５０の温度検出が開始する（ステップＳ０４）。処理液Ｌｅを供給している間は、常時温度検出が行われる。上記のように、処理液Ｌｅは、予め供給部４０において加熱されている。処理液Ｌｅが回転する基板Ｗの外周に向けて順次移動することで、基板Ｗの被処理面の純水が処理液Ｌｅのリン酸溶液に置換されつつ、エッチングにより窒化膜が除去される。
【0058】
基板Ｗの中心付近に供給された処理液Ｌｅは、基板Ｗの外周へ移動するに従って熱が逃げ易くなるが、本実施形態においては、プレート５０が基板Ｗに対して間隔ｄにまで接近しているため、ヒータ６１により処理液Ｌｅが加熱され、温度低下による処理レートの低下が抑制される。例えば、処理液Ｌｅであるリン酸溶液の温度は、１５０～１６０℃程度に維持されることが好ましい。
【0059】
処理中のプレート５０の温度は、上記のように検出部７０によって検出される。検出された温度に応じて、加熱制御部１２０が、ヒータ６１の温度を制御する。つまり、検出部７０によって検出される温度の平均値が低下している場合には、全ヒータ６１の温度を上げる。または、検出部７０により検出される温度が低下している領域のヒータ６１の温度を上げる。
【0060】
所定の処理時間が経過すると（ステップＳ０５のＹＥＳ）、処理液供給部４１１が処理液Ｌｅの供給を停止する（ステップＳ０６）。次に、図３に示すように、プレート５０が処理位置よりも上方の洗浄位置に上昇する（ステップＳ０７）。
【0061】
そして、図７に示すように、移動機構９５の揺動部９５ｂがアーム９５ａを揺動させることにより、拭取部９３を往復動させて、対向面５１を拭き取る洗浄処理を行う（ステップＳ０８）。つまり、給液部９２の供給口９２ａが洗浄液Ｌｐを吐出しながら、対向面５１に接する拭取部９３とともに揺動する。拭取部９３は、対向面５１より外側から、対向面５１の全体を拭き取って対向面５１より外側まで移動することにより、対向面５１の処理液Ｌｅとともに洗浄液Ｌｐを拭き取る。
【0062】
拭取部９３が往復動を繰り返して、所定の時間が経過すると（ステップＳ０９のＹＥＳ）、供給口９２ａからの洗浄液Ｌｐの吐出を停止するとともに、拭取部９３が退避位置に移動して停止する（ステップＳ１０）。
【0063】
次に、図４に示すように、洗浄液供給部４１２は、洗浄位置にあるプレート５０の吐出口５０ａから、洗浄液Ｌｗを基板Ｗの被処理面に供給する（ステップＳ１１）。回転する基板Ｗの被処理面に洗浄液Ｌｗが供給されると、その洗浄液Ｌｗが基板Ｗの外周に向けて順次移動することにより、基板Ｗの被処理面の処理液Ｌｅが洗い流される。そして、所定の洗浄時間が経過すると（ステップＳ１２のＹＥＳ）、洗浄液供給部４１２は、洗浄液Ｌｗの供給を停止する（ステップＳ１３）。
【0064】
基板Ｗが回転を停止して（ステップＳ１４）、プレート５０が待機位置に上昇する（ステップＳ１５）。そして、搬送ロボットのハンドが基板Ｗの下に挿入され、保持部３０による基板Ｗの保持が解放され、搬送ロボットのハンドによって基板Ｗが搬出される（ステップＳ１６）。
【0065】
なお、洗浄位置と待機位置は、必ずしも相違している必要はない。洗浄液Ｌｗが基板Ｗに供給されるときに、プレート５０の位置が待機位置にあっても良く、基板Ｗが搬出入されるときに、プレート５０の位置が洗浄位置にあってもよい。つまり、両位置は明確に区別されていなくても良く、基板Ｗの搬入出、洗浄液Ｌｗの供給、対向面５１の拭き取りを同じ位置で行っても良い。
【0066】
［効果］
（１）以上のような本実施形態の基板処理装置１は、保持部３０により保持された基板Ｗを回転させる回転体１０と、基板Ｗの被処理面に処理液Ｌｅを供給する処理液供給部４１１と、被処理面に対向する位置に設けられたプレート５０と、プレート５０に設けられ、基板Ｗの被処理面に供給された処理液Ｌｅを加熱する加熱部６０と、プレート５０の被処理面に対向する対向面５１を洗浄する洗浄部９０と、を有する。
（１）以上のような本実施形態の基板処理装置１は、保持部３０により保持された基板Ｗを回転させる回転体１０と、基板Ｗの被処理面に処理液Ｌｅを供給する処理液供給部４１１と、被処理面に対向する位置に設けられたプレート５０と、プレート５０に設けられ、基板Ｗの被処理面に供給された処理液Ｌｅを加熱する加熱部６０と、プレート５０の被処理面に対向する対向面５１を洗浄する洗浄部９０と、を有する。
【0067】
洗浄部９０は、対向面５１に洗浄液Ｌｐを供給する給液部９２と、給液部９２により供給された洗浄液Ｌｐを、対向面５１に接触して拭き取る拭取部９３と、拭取部９３を、対向面５１に沿って移動させる移動機構９５と、を有する。
【0068】
本実施形態の基板処理方法は、回転体１０が、保持部３０により保持された基板Ｗを回転させ、処理液供給部４１１が、基板Ｗの被処理面に処理液Ｌｅを供給することにより、被処理面を処理し、基板Ｗの被処理面に対向するプレート５０に設けられた加熱部６０が処理液Ｌｅを加熱し、拭取部９３がプレート５０の被処理面に対向する対向面５１に接触して、給液部９２が洗浄液Ｌｐを対向面５１に供給しながら、移動機構９５が拭取部９３を、対向面５１に沿って移動させることにより、処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐを拭き取る。
【0069】
このため、処理液供給部４１１から供給される処理液Ｌｅによって、基板Ｗを処理した後、給液部９２により対向面５１に洗浄液Ｌｐを供給しながら、移動機構９５が、拭取部９３を対向面５１に接触させて、対向面５１に沿って移動させることにより、処理液Ｌｅとともに洗浄液Ｌｐを拭き取る。従って、プレート５０の対向面５１に残留した処理液Ｌｅが除去され、プレート５０の清浄度を保つことができる。また、処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐが残留することによる対向面５１の温度低下が抑制される。これにより、プレート５０の洗浄後、次の基板Ｗの処理において処理レートの低下を抑えることができる。このように、処理する基板Ｗ毎のプレート５０の温度変化を抑えることができ、プレート５０の温度変化による基板Ｗ毎の処理レートの変動を抑制できる。
【0070】
また、単に対向面５１へ洗浄液Ｌｐを供給するのではなく、供給された洗浄液Ｌｐを処理液Ｌｅとともに拭き取るので、基板Ｗへの処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐの落下を抑制して、基板Ｗへの影響を低減できる。もし、基板Ｗへ処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐが落下したとしても、その後の基板Ｗの洗浄により、基板Ｗの清浄化が可能となる。
【0071】
また、処理液Ｌｅとしてリン酸溶液を使用した場合、選択比調整のために溶解させているシリカや、基板Ｗであるシリコンウェーハから溶出したシリコンが対向面５１に付着してそのまま乾燥すると、析出物として対向面５１に付着する場合がある。本実施形態のように、単に、対向面５１に付着した処理液Ｌｅの拭き取りを行うのではなく、洗浄液Ｌｐを供給するとともに拭き取りを行うことで、処理液Ｌｅが乾燥して析出した溶解物がパーティクルとして対向面５１に残留することを防止できる。
【0072】
（２）基板処理装置１は、プレート５０を基板Ｗに対して進退させる駆動部８０を有する。このため、プレート５０は基板Ｗに対して進退可能であり、プレート５０が基板Ｗに非接触で接近して、処理液供給部４１１が基板Ｗの被処理面に処理液Ｌｅを供給することにより被処理面を処理し、プレート５０が基板Ｗから離隔した位置に移動し、処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐを拭き取り、プレート５０が基板Ｗから離隔した状態で、供給部４０が基板Ｗの被処理面に洗浄液Ｌｗを供給することにより、被処理面を洗浄する。
【0073】
このため、洗浄液Ｌｗによって基板Ｗを洗浄する際には、プレート５０は基板Ｗから離隔させることができるので、洗浄液Ｌｗが対向面５１に付着してプレート５０の温度が低下することを防止できる。
【0074】
（３）洗浄部９０は、保持部３０が基板Ｗを保持した回転体１０とプレート５０との間において、対向面５１を洗浄する。このように、プレート５０の位置が、基板Ｗを処理する処理位置と水平方向において共通の洗浄位置で、プレート５０の対向面５１を洗浄するため、基板Ｗを処理する処理位置とは別に、プレート５０を洗浄するスペースを設ける必要がなく、洗浄するスペースまでプレート５０を搬送して洗浄する必要がない。
【0075】
（４）移動機構９５は、給液部９２を対向面５１に沿って移動させ、拭取部９３は、移動機構９５による移動方向において、給液部９２を挟んで前後に設けられている。このため、拭取部９３は、往復移動のいずれの方向へ移動する場合にも、給液部９２により洗浄液Ｌｐを供給した直後に、洗浄液Ｌｐを処理液Ｌｅとともに拭き取って除去することができる。このように、洗浄液Ｌｐを供給した直後に除去できることにより、対向面５１に洗浄液Ｌｐが接する時間を短くすることができて、加熱部６０の温度低下を防止できる。また、蒸発させて乾燥させると、蒸発熱により温度低下が起きるが、付着した洗浄液Ｌｐを拭き取ることにより、温度低下を抑えることができる。
【0076】
（５）拭取部９３は、対向面５１に平行な方向に延び、対向面５１の全長に接する長さ以上である。このため、拭取部９３が対向面５１に沿って移動することにより、対向面５１の全体から処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐを拭き取ることができる。
【0077】
（６）移動機構９５は、拭取部９３を対向面５１に平行な方向に揺動させる。このため、拭取部９３の一端側を支点として揺動させればよいので、駆動部分の構成の簡素化、省スペース化が可能となる。
【0078】
（７）拭取部９３は、対向面５１に倣って変形して接触する接触部９３ａを有する。このため、対向面５１または洗浄部９０のいずれかまたは両方に僅かな傾きや歪みがあり、両者が完全に平行でない場合であっても、接触部９３ａが対向面５１に倣うように接触するので、処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐの拭き取りの漏れを低減できる。
【0079】
（８）接触部９３ａは、メッシュ状である。このため、メッシュの目や隙間によって処理液Ｌｅ及び洗浄液Ｌｐを捕捉することができ、拭き取りの漏れを低減できる。
【0080】
（９）給液部９２及び拭取部９３からの洗浄液Ｌｐを受けて、基板Ｗへの落下を遮る液受部９４を有する。このため、洗浄液Ｌｐの落下の可能性をより低減して、基板Ｗへの洗浄液Ｌｐの付着によるパーティクルの発生を防止できる。
【0081】
（１０）プレート５０の対向面５１には、対向面５１の温度を検出する検出部７０が設けられ、検出部７０により検出された温度に応じて、加熱部６０を制御する制御部１００と、を有する。
【0082】
洗浄液Ｌｐが検出部７０の箇所に残存すると、その箇所の温度は低下するが、洗浄液Ｌｐが付着していない対向面５１の温度との乖離が生じる。すると、対向面５１の全体では高温を維持しているにもかかわらず、検出部７０により検出される温度は低くなるので、制御部１００の加熱制御部１２０は、ヒータ６１の出力をさらに上げようとする。このため、プレート５０の温度上昇が過剰となってしまう。本実施形態では、洗浄液Ｌｐの残存を防止できるので、検出部７０により検出される温度と、プレート５０の温度との差異を抑えることができる。そのため、ヒータ６１の温度制御をより正確に行うことができ、プレート５０の洗浄後に処理される次の基板Ｗの処理レートが安定する。
【0083】
［変形例］
（１）移動機構９５が、給液部９２を対向面５１に沿って移動させる場合、拭取部９３は、移動機構９５による移動方向において給液部９２よりも後方に設けられていればよい。例えば、上記の態様の一対の拭取部９３のうち、移動方向において給液部９２の前方の拭取部９３を省略してもよい。この場合、拭取部９３を、対向面５１の一方の外周端から他方の外周端に移動させた後、対向面５１から一旦離して一方の外周端に戻してから、再度拭取部９３を対向面５１に接触させて、一方の外周端から他方の外周端に移動させることで、繰返し拭き取ることができる。
（１）移動機構９５が、給液部９２を対向面５１に沿って移動させる場合、拭取部９３は、移動機構９５による移動方向において給液部９２よりも後方に設けられていればよい。例えば、上記の態様の一対の拭取部９３のうち、移動方向において給液部９２の前方の拭取部９３を省略してもよい。この場合、拭取部９３を、対向面５１の一方の外周端から他方の外周端に移動させた後、対向面５１から一旦離して一方の外周端に戻してから、再度拭取部９３を対向面５１に接触させて、一方の外周端から他方の外周端に移動させることで、繰返し拭き取ることができる。
【0084】
なお、上記の実施形態及び変形例における拭取部９３による拭き取りについては、１枚の基板Ｗの処理につき１往復（２回の拭き取り）するだけでもよいし、往復せずに１方向への１回の拭き取りだけでもよい。つまり、例えば、Ｎ番目の基板の処理は時計回り、Ｎ＋１番目は反時計回りに揺動するようにして、１枚の基板Ｗの処理について１回ずつ拭き取りを行ってもよい。また、１往復（＝２回）で拭き取りを終えるのではなく、３回など奇数回の拭き取りを行ってもよい。
【0085】
また、上記の実施形態のように、給液部９２の前方、後方の両方に拭取部９３を設けた場合であっても、往復せず一方向に拭き取るようにしてもよい。このようにすれば、後方の拭取部９３は、常に洗浄液Ｌｐの供給を受けた後の対向面５１に接することになる。このような後方の拭取部９３による拭き取りで、洗浄動作を終了できるので、拭取部９３から対向面５１へ処理液が再付着してしまうことを防止できる。
【0086】
（２）上記の実施形態では、給液部９２は、拭取部９３とともに移動するように設けられるように例示したが、これに限られない。給液部９２を拭取部９３とは別に移動可能に設けてもよい。例えば、給液部９２を、平面視におけるプレート５０の対向面５１より外側に設け、拭取部９３の移動方向に対して拭取部９３よりも前方に、給液部９２が洗浄液Ｌｐを吐出するように構成してもよい。
【0087】
（３）上記の実施形態では、プレート５０の対向面５１の拭取部９３による拭き取りについて、処理液Ｌｅの供給後、かつ洗浄液Ｌｗの供給前に行っている。しかし、拭取部９３による対向面５１の拭き取りのタイミングはこれには限定されない。処理液Ｌｐの供給後であって次の基板Ｗが搬入されるまでの間のいずれかのタイミングで、拭取部９３が対向面５１の拭き取りを行えば良い。
【0088】
（４）拭取部９３の拭き取り動作は、揺動でなくてもよい。例えば、液受部９４の両端を支持し、対向面５１に平行に直線移動させる移動機構によって、対向面５１の一方の外周端から他方の外周端に移動させてもよい。
【0089】
（５）洗浄部９０は、複数設置されていてもよい。例えば、異なる軸を中心に揺動する複数の洗浄部９０によって、対向面５１の全体を洗浄してもよい。この場合、拭取部９３が、対向面５１の全長に接する長さでなくても、複数の拭取部９３によって、対向面５１の全体を拭き取ることができればよい。
【0090】
（６）加熱部６０は、各ヒータ６１が均熱板を含む構造であってもよい。また、加熱部６０は、ハロゲンランプやＬＥＤ等の光によって基板Ｗや処理液Ｌｅを加熱するものを用いてもよい。加熱部６０のヒータ６１の数、検出部７０の数は、上記の態様には限定されず、１つ、２つ又は４つ以上であってもよい。上記の態様では、複数の加熱部６０に対応して、それぞれ検出部７０を設けることにより、温度を検出した領域と、加熱する領域とを一致させていたが、加熱部６０の数と、検出部７０の数は必ずしも対応していなくてもよい。
【0091】
（７）基板処理装置１の処理は、処理液Ｌｅ及び基板Ｗの温度が処理レートに影響を与える処理であれば、処理の内容及び処理液Ｌｅは、上記で例示したものには限定されない。
処理対象となる基板Ｗ及び膜についても、上記で例示したものには限定されない。
処理対象となる基板Ｗ及び膜についても、上記で例示したものには限定されない。
【0092】
［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
【符号の説明】
【0093】
１ 基板処理装置
１０ 回転体
１１ テーブル
１２ カップ
１２ａ 排液口
２０ 回転機構
２１ 駆動源
３０ 保持部
３１ 保持ピン
４０ 供給部
４１ａ 液槽
４１ｂ 供給管
４１ｃ バルブ
４１ｄ 流量計
４１ｅ バルブ
５０ プレート
５０ａ 吐出口
５０ｂ フランジ
５１ 対向面
６０ 加熱部
６１ ヒータ
７０ 検出部
８０ 駆動部
８１ 支持部
８２ アーム
８３ 進退機構
９０ 洗浄部
９１ 支持体
９１ａ バックアップ部
９２ 給液部
９２ａ 供給口
９２ｂ 分岐配管
９２ｃ バルブ
９３ 拭取部
９３ａ 接触部
９３ｂ カバー部
９４ 液受部
９４ａ 排出部
９５ 移動機構
９５ａ アーム
９５ｂ 揺動部
１００ 制御部
１１０ 機構制御部
１２０ 加熱制御部
４１１ 処理液供給部
４１２ 洗浄液供給部
１０ 回転体
１１ テーブル
１２ カップ
１２ａ 排液口
２０ 回転機構
２１ 駆動源
３０ 保持部
３１ 保持ピン
４０ 供給部
４１ａ 液槽
４１ｂ 供給管
４１ｃ バルブ
４１ｄ 流量計
４１ｅ バルブ
５０ プレート
５０ａ 吐出口
５０ｂ フランジ
５１ 対向面
６０ 加熱部
６１ ヒータ
７０ 検出部
８０ 駆動部
８１ 支持部
８２ アーム
８３ 進退機構
９０ 洗浄部
９１ 支持体
９１ａ バックアップ部
９２ 給液部
９２ａ 供給口
９２ｂ 分岐配管
９２ｃ バルブ
９３ 拭取部
９３ａ 接触部
９３ｂ カバー部
９４ 液受部
９４ａ 排出部
９５ 移動機構
９５ａ アーム
９５ｂ 揺動部
１００ 制御部
１１０ 機構制御部
１２０ 加熱制御部
４１１ 処理液供給部
４１２ 洗浄液供給部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】