特開 2024-92985 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024092985

(43)【公開日】2024-07-08

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240701BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 512

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023215861

(22)【出願日】2023-12-21

(31)【優先権主張番号】10-2022-0184401

(32)【優先日】2022-12-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】南 燦熙

(72)【発明者】

【氏名】權 五訓

(72)【発明者】

【氏名】朴 宰賢

(72)【発明者】

【氏名】白 ▲寛▼烈

(72)【発明者】

【氏名】李 敞健

(72)【発明者】

【氏名】丁 海碩

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD04

5E001AE01

5E001AE03

5E001AE04

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE23

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG28

5E082PP03

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】高温／高圧の環境でも積層型電子部品の誘電特性が低下することを防止し、信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト系組成を有する複数の誘電体結晶粒を含み、上記Ａは、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ及びＣａのうち少なくとも一つを含む第１元素を含み、上記Ｂは、Ｔｉを含む第２元素を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部と上記コア部の少なくとも一部をカバーするシェル部とを含むコア－シェル構造を有し、上記コア部に含まれた上記第１元素の含量は、上記シェル部に含まれた第１元素の含量の２倍以上であり、上記コア部は、内側の第１コア部と上記第１コア部の少なくとも一部をカバーする第２コア部とを含み、上記第２コア部はＺｒを含むことができる。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト系組成を有する複数の誘電体結晶粒を含み、前記ＡはＢｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ及びＣａのうち少なくとも一つを含む第１元素を含み、前記ＢはＴｉを含む第２元素を含み、
前記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部と前記コア部の少なくとも一部をカバーするシェル部とを含むコア－シェル構造を有し、前記コア部に含まれた前記第１元素の含量は、前記シェル部に含まれた前記第１元素の含量の２倍以上であり、
前記コア部は、内側の第１コア部と前記第１コア部の少なくとも一部をカバーする第２コア部とを含み、前記第２コア部はＺｒを含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒に含まれたＺｒの平均含量は、前記第２コア部で最も高い、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記コア部の平均サイズの１／２をＲｃ、前記シェル部の平均サイズの１／２をＲｓと定義するとき、
Ｒｓ≦Ｒｃを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

０＜Ｒｓ≦Ｒｃ／２を満たす、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１コア部の平均サイズの１／２をＲｃ１、前記第２コア部の平均サイズの１／２をＲｃ２と定義するとき、
Ｒｃ２＜Ｒｃ１を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記Ｒｃ２は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項５に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記コア部の平均サイズの１／２をＲｃ、前記シェル部の平均サイズの１／２をＲｓと定義するとき、
Ｒｃ≦Ｒｓを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒の中心点と前記コア部の中心点とは互いに異なる、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記誘電体結晶粒は、隣接した誘電体結晶粒との境界である結晶粒界を含み、
前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒の中心点から前記コア部の中心点を通る前記結晶粒界までの直線をＬと定義するとき、
前記Ｌにおいて、前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒の中心点から前記コア部とシェル部の境界点までの直線距離をＤ１、前記コア部とシェル部の境界点から前記結晶粒界までの直線距離をＤ２、前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒の中心点から前記コア部の中心点までの直線距離をＤ３と定義するとき、
０＜Ｄ３及びＤ２＜Ｄ１を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒は希土類元素を含み、かつ
前記希土類元素の平均含量は前記シェル部で最も高い、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記希土類元素は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ、Ｇｄ及びＹｂのうち少なくとも一つを含む、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記第１元素の含量は、前記Ａ元素１００ｍｏｌ％に対して８０ｍｏｌ％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第２元素の含量は、前記Ｂ元素１００ｍｏｌ％に対して８０ｍｏｌ％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記誘電体層は複数の誘電体層を含み、前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つは、平均厚さが３．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記内部電極は複数の内部電極を含み、前記複数の内部電極のうち少なくとも一つは、平均厚さが１．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒の平均サイズは、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）等の映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話等の様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器等、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

一方、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系積層セラミックキャパシタに高電圧を印加する場合、Ｄｃバイアス（Ｄｃ－ｂｉａｓ）特性により誘電特性が著しく減少するという問題が発生することがある。高電圧の印加による誘電特性の低下を防止するために、Ｂａ又はＴｉ以外の元素をチタン酸バリウムに固溶・拡散させてＢａ又はＴｉの元素位置と置換する方法として、Ｄｃバイアス特性による誘電特性の低下を防止する方法を用いることができる。但し、Ｂａ又はＴｉ元素が置換されることによって、既存のＢａＴｉＯ_３が有する高い誘電率などの誘電特性が低下するため、適切な設計で組成を設計する必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１８－５３１８５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、高温／高圧の環境でも積層型電子部品の誘電特性が低下することを防止し、信頼性を向上させることである。

【0007】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト系組成を有する複数の誘電体結晶粒を含み、上記Ａは、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ及びＣａのうち少なくとも一つを含む第１元素を含み、上記Ｂは、Ｔｉを含む第２元素を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部と上記コア部の少なくとも一部をカバーするシェル部とを含むコア－シェル構造を有し、上記コア部に含まれた上記第１元素の含量は、上記シェル部に含まれた第１元素の含量の２倍以上であり、上記コア部は、内側の第１コア部と上記第１コア部の少なくとも一部をカバーする第２コア部とを含み、上記第２コア部はＺｒを含むことができる。

【発明の効果】

【0009】

本発明のいくつかの効果の一つは、高電圧印加時のＤｃバイアス特性が向上したことである。

【0010】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の誘電特性が向上したことである。

【0011】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の信頼性が向上したことである。

【0012】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。

【図2】図１の内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示す。

【図3】図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示す。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示す。

【図5】図３のＰ領域を拡大した拡大図を概略的に示す。

【図6】コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒を概略的に示す。

【図7】コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒を概略的に示す。

【図8】コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の領域別元素含量（質量百分率）を概略的に示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0015】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されるものではない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0016】

図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0017】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１の内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域を拡大した拡大図を概略的に示すものであり、図６は、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒を概略的に示すものであり、図７は、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒を概略的に示すものであり、図８は、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒の領域別元素含量（質量百分率）を概略的に示すものである。

【0018】

以下、図１～図８を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0019】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト系組成を有する複数の誘電体結晶粒を含み、上記Ａは、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ及びＣａのうち少なくとも一つを含む第１元素を含み、上記Ｂは、Ｔｉを含む第２元素を含み、上記複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つは、内側のコア部２１と上記コア部２１の少なくとも一部をカバーするシェル部２２とを含むコア－シェル構造２０を有し、上記コア部２１に含まれた第１元素の含量は、上記シェル部２２に含まれた第１元素の含量の２倍以上であり、上記コア部２１は、内側の第１コア部２１ａと上記第１コア部２１ａの少なくとも一部をカバーする第２コア部２１ｂとを含み、上記第２コア部２１ｂはＺｒを含むことができる。

【0020】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

【0021】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0022】

本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0023】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面及び第２面１、２、第１面及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面３、４、第１面～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面５、６を有することができる。

【0024】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0025】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0026】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0027】

一方、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系積層セラミックキャパシタに高電圧を印加する場合、Ｄｃバイアス特性により誘電特性が著しく減少するという問題が発生することがある。高電圧の印加による誘電特性の低下を防止するために、Ｂａ又はＴｉ以外の元素をチタン酸バリウムに固溶・拡散させてＢａ又はＴｉの元素位置と置換する一方法として、Ｄｃバイアス特性による誘電特性の低下を防止する方法を用いることができる。但し、Ｂａ元素又はＴｉ元素が置換されることによって、既存のＢａＴｉＯ_３が有する高い誘電率などの誘電特性が低下するため、適切な設計で組成を設計する必要がある。

【0028】

本発明の一実施形態によれば、ＡＢＯ_３ペロブスカイト系組成のうちＡ－サイト（ｓｉｔｅ）は、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ及びＣａのうち少なくとも一つを含む第１元素を含むことができる。また、Ｂ－サイト（ｓｉｔｅ）は、Ｔｉを含む第２元素を含んでいてもよいが、特にこれに限定されるものではなく、Ｈｆ及びＺｒのうち少なくとも一つの元素を含んでもよい。

【0029】

ＡＢＯ_３ペロブスカイト系組成のＡ－サイトは、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ及びＣａのうち少なくとも一つを含む第１元素を含み、Ｂ－サイトはＴｉ、Ｈｆ及びＺｒのうち少なくとも一つを含む第２元素を含むことにより、高温／高電圧の条件でもＤｃバイアス特性による誘電特性が低下することを効果的に防止することができ、信頼性の向上した積層型電子部品を製造することができる。

【0030】

このとき、第１元素の含量はＡ－サイト元素１００ｍｏｌ％に対して８０ｍｏｌ％以上であってもよく、第２元素の含量はＢ－サイト元素１００ｍｏｌ％に対して８０ｍｏｌ％以上であってもよい。

【0031】

第１元素の含量がＡ元素１００ｍｏｌ％に対して８０ｍｏｌ％以上含まれることにより、Ｄｃバイアス特性が改善されることができ、第２元素の含量がＢ元素１００ｍｏｌ％に対して８０ｍｏｌ％以上含まれることにより、信頼性の改善効果に優れることができる。

【0032】

誘電体層１１１は複数の誘電体結晶粒を含むことができ、複数の誘電体結晶粒のうち少なくとも一つはコア－シェル構造を有することができる。言い換えれば、コア－シェル構造を有する誘電体結晶粒２０と、コア－シェル構造を有さない誘電体結晶粒とを含むことができる。

【0033】

コア－シェル構造は、内側のコア部２１と、上記コア部２１の少なくとも一部をカバーするシェル部２２とを含む構造を意味することができる。

【0034】

このとき、コア部２１に含まれた第１元素の含量は、シェル部２２に含まれた第１元素の含量の２倍以上であり得る。

【0035】

コア部２１に含まれた第１元素の含量をシェル部２２に含まれた第１元素の含量の２倍以上に制御することにより、誘電特性及びＤｃバイアス特性をより向上させることができる。

【0036】

ここで、第１元素の含量は、誘電体結晶粒の中心部を通る直線をラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）で元素含量を測定して求めることができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0037】

例えば、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）又は走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察することができ、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）で測定しようとする元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して確認することができる。

【0038】

本発明で説明する測定装置の観察領域は、特に限定されるものではないが、２μｍ×２μｍの領域を１万倍以上の倍率で観察することができる。

【0039】

さらに他の例を挙げると、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０において、コア部２１及びシェル部２２のそれぞれについて任意に測定点を設定し、点分析を行うことにより、各測定点における元素別含有率を算出することができる。また、各領域に含まれた元素の含有率を平均することにより、コア部２１に含まれた元素の含有率及びシェル部２２に含まれた元素の含有率を計算することができる。

【0040】

実際の測定点の個数は、コア部２１で５地点以上、シェル部２２で１０地点以上を測定して平均値を計算することが好ましく、第１元素をマッピングして全ピクセルの第１元素含有率を測定し、上記全ピクセルの第１元素含有率から各領域に含まれた第１元素の含有率を算出することも可能である。

【0041】

このとき、コア部２１は、内側の第１コア部２１ａと、第１コア部２１ａの少なくとも一部をカバーする第２コア部２１ｂとを含み、かつ第２コア部２１ｂはジルコニウム（Ｚｒ）を含むことができる。

【0042】

コア－シェル構造においてシェル部２２の分率が大きくなる場合、Ｄｃバイアス特性の改善効果が低下するおそれがあるが、シェル部２２の分率を小さく形成しようとする場合は、均一かつ安定的なシェル部２２の形成が難しく、補完しようとする誘電特性、特に信頼性の改善効果が期待しにくくなる可能性がある。

【0043】

これにより、コア－シェルの界面、より詳細には、コア部２１の表面に一部のジルコニウム（Ｚｒ）置換層を形成し、絶縁抵抗を高めることができ、シェル部２２の分率を安定的に減少させるとともに、均一に形成することができるため、絶縁抵抗特性を改善させながら誘電特性を補完することができる。

【0044】

ジルコニウム（Ｚｒ）置換層を形成する方法は特に限定されるものではないが、焼成前のＡＢＯ_３母材粉末にジルコニウム（Ｚｒ）をコーティングし、先拡散させてコア部２１の内部にジルコニウム（Ｚｒ）を拡散させることができ、その後、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０においてジルコニウム（Ｚｒ）を含む第２コア部２１ｂとすることができる。

【0045】

ジルコニウム（Ｚｒ）置換層により、添加剤元素、例えば、希土類元素（ＲＥ）のコア部２１の内部への拡散を防止することができるため、誘電特性が低下するという問題点を抑制することができ、ジルコニウム（Ｚｒ）置換層の少なくとも一部をカバーしながら、均一な厚さの添加剤元素のコーティングが可能である。コーティングされた添加剤元素は焼成後、シェル部２２で検出することができる。

【0046】

コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０に含まれたジルコニウム（Ｚｒ）の平均含量は、第２コア部２１ｂで最も高いことができる。

【0047】

ジルコニウム（Ｚｒ）の検出は、前述した元素測定方法で確認することができ、例えば、元素をマッピングするか、又はラインプロファイル、任意の測定点での検出によって確認することができる。

【0048】

本発明において、コア部２１、シェル部２２、誘電体結晶粒など、誘電体層１１１の内部に含まれた微細構造の平均サイズは、各構成の中心点を通る最小直線サイズ及び最大直線サイズを測定して平均した値を意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0049】

本発明の一実施形態において、コア部２１の平均サイズの１／２をＲｃ、シェル部２２の平均サイズの１／２をＲｓと定義するとき、Ｒｓ≦Ｒｃを満たすことができ、より好ましくは、０＜Ｒｓ≦Ｒｃ／２を満たすことができる。

【0050】

すなわち、コア部２１の平均サイズはシェル部２２の平均サイズより大きいことができ、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０においてコア部２１の分率がさらに大きいことができる。

【0051】

誘電特性に優れながらも信頼性の向上した積層型電子部品を実現するために、シェル部の分率を高めてこのような特性を実現したが、第２コア部２１ｂを形成することにより、シェル部２２の分率が少ないにもかかわらず、信頼性を改善させることができる効果がある。

【0052】

但し、特にこれに限定されるものではなく、コア部２１の平均サイズの１／２をＲｃ、シェル部２２の平均サイズの１／２をＲｓと定義するとき、Ｒｃ≦Ｒｓを満たすことができる。

【0053】

すなわち、シェル部２２の平均サイズはコア部２１の平均サイズより大きいことができ、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０においてシェル部２２の分率がさらに大きいことができる。

【0054】

シェル部２２の分率を高めることで、信頼性をより向上させることができる効果がある。

【0055】

また、本発明の一実施形態において、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０の中心点はコア部２１の中心点と異なることができ、より具体的に、コア部２１の中心点はコア－シェル構造の誘電体結晶粒２０の任意の一つの結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）に隣接することができる。ここで、結晶粒界は、隣接した誘電体結晶粒間の境界を意味することができ、誘電体結晶粒は複数の結晶粒界によって囲まれた形態を有することができる。

【0056】

言い換えれば、コア部２１とシェル部２２との境界のうち結晶粒界に隣接した部分が存在してもよく、コア部２１と結晶粒界との間のシェル部２２の領域がほとんど存在しなくてもよい。

【0057】

これは、焼成前の誘電体粒子の表面に添加剤が均一な厚さで形成されていない結果に該当するか、又は焼成過程でシェル部２２の領域が十分に形成されなかった結果であり得るが、特にこれに限定されるものではない。

【0058】

従来の製造方法によれば、コア部２１と結晶粒界との間にシェル部２２の領域がほとんど存在しない構造では、絶縁抵抗が十分でない可能性があり、信頼性が低下するおそれがあった。

【0059】

しかし、本発明の一実施形態によれば、第２コア部２１ｂが存在することにより、コア部２１と結晶粒界との間にシェル部２２の領域がほとんど存在しなくても、絶縁抵抗の高いジルコニウム（Ｚｒ）によって十分な信頼性を確保することができる。

【0060】

例えば、本発明の一実施形態である図７を参照して説明すると、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０’の中心点Ａ１からコア部２１’の中心点Ａ２を通る結晶粒界Ａ４までの直線をＬと定義することができる。このとき、直線Ｌのサイズ、つまり、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０’の中心点Ａ１から結晶粒界Ａ４までの直線距離をＤＬ、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０’の中心点Ａ１からコア部２１’とシェル部２２’との境界点Ａ３までの直線距離をＤ１、コア部２１’とシェル部２２’との境界点Ａ３から結晶粒界Ａ４までの直線距離をＤ２、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０’の中心点Ａ１からコア部２１’の中心点Ａ２までの直線距離をＤ３と定義するとき、０＜Ｄ３及びＤ２＜Ｄ１を満たすことができる。

【0061】

ここで、０＜Ｄ３は、コア－シェル誘電体結晶粒２０’の中心点Ａ１とコア部２１’の中心点Ａ２とが一致しないことを意味し、Ｄ２＜Ｄ１は、コア部２１’と結晶粒界ＧＢとの距離が近いことを意味することができるが、その意味が前述の内容に限定されるものではなく、これと類似の意味を内包することができる。また、Ａ１、Ａ２、Ａ３は、直線Ｌ上に位置することができ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は直線Ｌの一部の直線距離、そしてＤＬは直線Ｌの全直線距離を意味することができる。

【0062】

本発明の一実施形態において、第１コア部２１ａの平均サイズの１／２をＲｃ１、第２コア部２１ｂの平均サイズの１／２をＲｃ２と定義するとき、Ｒｃ２＜Ｒｃ１を満たすことができる。

【0063】

すなわち、第１コア部２１ａの平均サイズは第２コア部２１ｂの平均サイズより大きいことができ、コア部２１において第１コア部２１ａの分率がさらに大きいことができる。

【0064】

第１コア部２１ａの分率が第２コア部２１ｂの分率よりも大きい場合、つまり、Ｒｃ２＜Ｒｃ１である場合に、誘電特性に優れながらも信頼性の改善効果により優れることができる。

【0065】

第２コア部２１ｂの分率がさらに大きくなる場合、誘電特性が低下するおそれがある。

【0066】

ここで、Ｒｃ２は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下を満たすことができる。すなわち、第２コア部２１ｂの平均サイズの１／２は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることができ、これを満たすことにより、誘電特性に優れながらも信頼性の改善効果により優れることができる。

【0067】

Ｒｃ２が５ｎｍ未満の場合、均一かつ安定的なシェル部２２の分率形成が難しくなる可能性があり、Ｄｃバイアス特性又は信頼性の改善効果が低下するおそれがあり、Ｒｃ２が１００ｎｍを超える場合、十分な誘電特性の実現が難しくなる可能性がある。

【0068】

一方、コア－シェル結晶粒２０の生成量は、誘電体組成物の組成や作製方法、焼成条件により適宜制御することができる。例えば、原料粉末に添加剤の含量を制御するか、又は焼成雰囲気等を制御してコア－シェル構造を形成することができ、さらに誘電体結晶粒のサイズを制御することもできる。

【0069】

コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０は希土類元素を含むことができ、希土類元素の平均含量はシェル部２２で最も高いことができる。

【0070】

一方、希土類元素の含量は、コア部２１とシェル部２２との境界で急激に変化することがあり、希土類元素の含量の測定はラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を行って測定するか、又は複数個の測定点で測定した後、その境界地点を確認することができる。

【0071】

ここで、希土類元素（ＲＥ：Ｒａｒｅ Ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）は、Ｙ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｌａ、Ｇｄ及びＹｂのうち少なくとも一つを含むことができるが、特にこれらに限定されるものではなく、信頼性向上のために添加できる希土類元素であれば、如何なるものでも使用できる。

【0072】

希土類元素を検出する方法は、前述した元素の測定方法によって確認することができる。

【0073】

一方、誘電体層１１１に含まれた誘電体結晶粒、例えば、コア－シェル構造の誘電体結晶粒２０の平均サイズは特に限定されないが、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下を満たすことができる。

【0074】

誘電体結晶粒の平均サイズが１００ｎｍ未満である場合、十分な誘電特性を実現しにくくなる可能性があり、誘電体結晶粒の平均サイズが４００ｎｍを超える場合、Ｄｃバイアス特性に劣るおそれがある。

【0075】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0076】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0077】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0078】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0079】

誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0080】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。

【0081】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極及び第２内部電極１２１、１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

【0082】

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0083】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

【0084】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0085】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0086】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【0087】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0088】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0089】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0090】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極１２１、１２２を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0091】

一方、本発明の一実施形態において、誘電体層１１１の厚さｔｄ及び内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0092】

言い換えれば、誘電体層１１１の厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅの２倍よりも大きいことができる。

【0093】

一般的に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ）の低下による信頼性の問題が主な問題点である。

【0094】

したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0095】

誘電体層１１１の厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがある。

【0096】

高電圧電子部品において、内部電極の厚さｔｅは１μｍ以下であってもよく、誘電体層の厚さｔｄは３．０μｍ以下であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0097】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0098】

より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0099】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0100】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0101】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0102】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0103】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0104】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージ中、一つのカバー部において第２方向に等間隔である３０個の地点で厚さを測定した平均値であることができる。

【0105】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0106】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４、及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0107】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１内部電極及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0108】

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0109】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的ストレス又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0110】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0111】

一方、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0112】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0113】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0114】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、第１方向に等間隔である３０個の地点で第３方向のサイズを測定した平均値であることができる。

【0115】

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0116】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0117】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１内部電極及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１外部電極及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0118】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

【0119】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ及び電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。

【0120】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

【0121】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。

【0122】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0123】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属としては、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれらに限定されない。

【0124】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層構造を有することができる。これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0125】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより、本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、樹脂を含むことにより、曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0126】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0127】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0128】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば、特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0129】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たくかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0130】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たす。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作製できるものであれば、特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0131】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0132】

このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0133】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0134】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0135】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは実装特性を向上させる役割を果たす。

【0136】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0137】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0138】

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0139】

また、本発明において使用された「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明と理解することができる。

【0140】

本発明において使用された用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0141】

２０：コア－シェル誘電体結晶粒
２１：コア部
２１ａ、２２ｂ：第１コア部及び第２コア部
２２：シェル部
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】