特開 2024-931 描画装置、描画方法、および原版の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024000931

(43)【公開日】2024-01-09

(54)【発明の名称】描画装置、描画方法、および原版の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20231226BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20231226BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 541W

G03F7/20 504

H01L21/30 541J

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022099937

(22)【出願日】2022-06-21

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(74)【代理人】

【識別番号】100124372

【弁理士】

【氏名又は名称】山ノ井 傑

(72)【発明者】

【氏名】香川 譲徳

【テーマコード（参考）】

5F056

【Ｆターム（参考）】

5F056AA07

5F056CA25

5F056CC04

(57)【要約】

【課題】描画の停止に伴う問題を抑制することが可能な描画装置、描画方法、および原版の製造方法を提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、描画装置は、ビームにより複数の領域にパターンを描画する描画部と、前記複数の領域へのビーム照射用のデータを転送する演算部と、前記演算部から転送された前記複数の領域用の前記データに基づいて、前記描画部による前記複数の領域への描画を制御する制御部とを備える。前記制御部は、第１領域への描画の後に第２領域への描画が行われる場合に、前記第１領域への描画の完了と前記第２領域用の前記データの転送の完了との間に前記描画部の状態を補正する、または、前記第１領域への描画の完了を遅らせることで前記第１領域への描画の完了から前記第２領域用の前記データの転送の完了までの時間を短縮する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ビームにより複数の領域にパターンを描画する描画部と、
前記複数の領域へのビーム照射用のデータを転送する演算部と、
前記演算部から転送された前記複数の領域用の前記データに基づいて、前記描画部による前記複数の領域への描画を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、第１領域への描画の後に第２領域への描画が行われる場合に、前記第１領域への描画の完了と前記第２領域用の前記データの転送の完了との間に前記描画部の状態を補正する、または、前記第１領域への描画の完了を遅らせることで前記第１領域への描画の完了から前記第２領域用の前記データの転送の完了までの時間を短縮する、
描画装置。

【請求項2】

前記複数の領域は、描画領域を所定の方向に分割することで得られる複数のストライプである、請求項１に記載の描画装置。

【請求項3】

前記補正は、前記描画部のビームドリフト補正である、請求項１に記載の描画装置。

【請求項4】

前記演算部は、前記複数の領域へのビーム照射用の前記データを、前記複数の領域へのパターン描画用のデータから生成する、請求項１に記載の描画装置。

【請求項5】

前記複数の領域へのパターン描画用の前記データは、描画データであり、
前記複数の領域へのビーム照射用の前記データは、ショットデータである、
請求項４に記載の描画装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記第１領域への描画が完了する際に前記第２領域用の前記データの転送が未完了であるか否かを判定する判定部を含み、
前記制御部は、前記第１領域への描画が完了する際に前記第２領域用の前記データの転送が未完了であると判定された場合に、前記第２領域への描画が開始される前に前記描画部の状態を補正する、請求項１に記載の描画装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記第２領域用の前記データが所定の条件を満たしているか否かを判定する判定部を含み、
前記制御部は、前記第２領域用の前記データが所定の条件を満たしていると判定された場合に、前記第２領域への描画が開始される前に前記描画部の状態を補正する、請求項１に記載の描画装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記第２領域用の前記データが所定の条件を満たしているか否かを判定する判定部を含み、
前記制御部は、前記第２領域用の前記データが所定の条件を満たしていると判定された場合に、前記第１領域への描画の完了を遅らせる、請求項１に記載の描画装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記第２領域用の前記データが所定の条件を満たしていると判定された場合に、前記第２領域への描画が開始される前に前記描画部の状態を補正し、かつ、前記第１領域への描画の完了を遅らせる、請求項８に記載の描画装置。

【請求項10】

前記判定部は、前記第２領域用の前記データのボリュームが所定の条件を満たしているか否かを判定する、請求項７に記載の描画装置。

【請求項11】

前記判定部は、前記第２領域用の前記データに含まれる図形の個数が所定の条件を満たしているか否かを判定する、請求項７に記載の描画装置。

【請求項12】

前記判定部は、前記第２領域用の前記データの転送が完了する前の待ち時間が所定の条件を満たしているか否かを判定する、請求項７に記載の描画装置。

【請求項13】

前記制御部は、前記複数の領域用の前記データに基づいて、前記描画部の描画動作を予測し、前記描画動作の予測結果に基づいて、前記描画部の描画動作を補正する描画動作補正部を含み、
前記描画動作補正部は、前記第１領域への描画の完了と前記第２領域用の前記データの転送の完了との間に前記描画部の状態を補正すること、または、前記第１領域への描画の完了を遅らせることで前記第１領域への描画の完了から前記第２領域用の前記データの転送の完了までの時間を短縮することを考慮に入れて、前記描画部の描画動作を予測する、請求項１に記載の描画装置。

【請求項14】

前記描画動作補正部は、前記描画部の描画動作として、前記描画部による前記ビームの照射位置を予測および補正する、請求項１３に記載の描画装置。

【請求項15】

描画部のビームにより複数の領域にパターンを描画する際に、前記複数の領域へのビーム照射用のデータを演算部から転送し、
前記演算部から転送された前記複数の領域用の前記データに基づいて、前記描画部による前記複数の領域への描画を制御部により制御する、
ことを含み、
前記制御部は、第１領域への描画の後に第２領域への描画が行われる場合に、前記第１領域への描画の完了と前記第２領域用の前記データの転送の完了との間に前記描画部の状態を補正する、または、前記第１領域への描画の完了を遅らせることで前記第１領域への描画の完了から前記第２領域用の前記データの転送の完了までの時間を短縮する、
描画方法。

【請求項16】

描画部のビームにより複数の領域にパターンを描画する際に、前記複数の領域へのビーム照射用のデータを演算部から転送し、
前記演算部から転送された前記複数の領域用の前記データに基づいて、前記描画部による前記複数の領域への描画を制御部により制御し、
前記ビームにより前記パターンが描画された基板から原版を製造する、
ことを含み、
前記制御部は、第１領域への描画の後に第２領域への描画が行われる場合に、前記第１領域への描画の完了と前記第２領域用の前記データの転送の完了との間に前記描画部の状態を補正する、または、前記第１領域への描画の完了を遅らせることで前記第１領域への描画の完了から前記第２領域用の前記データの転送の完了までの時間を短縮する、
原版の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、描画装置、描画方法、および原版の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子ビームにより基板にパターンを描画する際、描画の開始から完了までの間に描画を一時的に停止することがある。この場合、電子ビームの照射位置が所定の位置からずれるビームドリフトなどの問題が生じるおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－００７０７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

描画の停止に伴う問題を抑制することが可能な描画装置、描画方法、および原版の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一の実施形態によれば、描画装置は、ビームにより複数の領域にパターンを描画する描画部と、前記複数の領域へのビーム照射用のデータを転送する演算部と、前記演算部から転送された前記複数の領域用の前記データに基づいて、前記描画部による前記複数の領域への描画を制御する制御部とを備える。前記制御部は、第１領域への描画の後に第２領域への描画が行われる場合に、前記第１領域への描画の完了と前記第２領域用の前記データの転送の完了との間に前記描画部の状態を補正する、または、前記第１領域への描画の完了を遅らせることで前記第１領域への描画の完了から前記第２領域用の前記データの転送の完了までの時間を短縮する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態の描画装置の構造を示す模式図である。

【図2】第１実施形態のフォトマスクの製造方法を説明するための断面図である。

【図3】第１実施形態の描画方法を説明するためのレイアウト図およびグラフである。

【図4】第１実施形態の描画パターンの例を説明するためのレイアウト図である。

【図5】第１実施形態の比較例の描画装置の動作を説明するための図である。

【図6】第１実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。

【図7】第２実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。

【図8】第３実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。

【図9】第４実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１～図９において、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の描画装置の構造を示す模式図である。本実施形態の描画装置は例えば、電子ビームＢにより基板Ｓにパターンを描画する電子ビーム（ＥＢ）描画装置である。後述するように、基板Ｓはレジスト膜を含んでおり、電子ビームＢによりレジスト膜にパターンが描画される。

【0009】

本実施形態の描画装置は、本体１と、計算機２と、記憶装置３とを備えている。本体１は、電子銃１１と、集束レンズ１２と、成形アパーチャアレイ部材１３と、ビームブランキング電極アレイ１４と、投影レンズ１５と、制限アパーチャ部材１６と、対物レンズ１７と、偏向器１８と、ステージ２１と、ビーム制御装置２２と、基準マーク２３とを備えている。本体１は、描画部の例である。計算機２は、演算部の例である。ビーム制御装置２２は、制御部および判定部の例である。

【0010】

本体１は、電子ビームＢにより基板Ｓにパターンを描画するための種々のハードウェアを含んでいる。図１は、本体１の向きを示すための方向として、互いに垂直なＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向を示している。この明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、－Ｚ方向を下方向として取り扱う。－Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向と一致していなくてもよい。図１では、基板Ｓの表面が、Ｘ方向およびＹ方向に平行となっており、かつＺ方向に垂直となっている。

【0011】

計算機２は、基板Ｓにパターンを描画するための描画データから、基板Ｓに電子ビームＢを照射するためのショットデータを生成し、ショットデータを本体１に転送する。ショットデータは、描画データをショットごとに分割することで生成される。本体１は、計算機２から転送されたショットデータを用いて、描画を行う。

【0012】

記憶装置３は、描画データなどの種々の情報を記憶している。計算機２は、記憶装置３から描画データを読み出し、読み出した描画データからショットデータを生成する。

【0013】

電子銃１１は、電子ビームＢを発生させる。集束レンズ１２は、電子銃１１から発生した電子ビームＢを集束させる。成形アパーチャアレイ部材１３は、集束レンズ１２を通過した電子ビームＢを成形する複数のアパーチャ（アパーチャアレイ）を含んでいる。ビームブランキング電極アレイ１４は、成形アパーチャアレイ部材１３を通過した電子ビームＢをブランキングする複数の電極（電極アレイ）を含んでいる。投影レンズ１５は、ビームブランキング電極アレイ１４を通過した電子ビームＢを投影する。制限アパーチャ部材１６は、投影レンズ１５を通過した電子ビームＢの形状や寸法を変化させるアパーチャを含んでいる。対物レンズ１７は、制限アパーチャ部材１６を通過した電子ビームＢの焦点を合わせる。偏向器１８は、対物レンズ１７を通過した電子ビームＢを偏向させて、電子ビームＢの通過位置や軌道を制御する。偏向器１８により偏向された電子ビームＢは、基板Ｓに照射される。

【0014】

ステージ２１は、電子銃１１の下方で基板Ｓを支持する。電子銃１１から発生した電子ビームＢは、ステージ２１上に載置された基板Ｓに照射される。ステージ２１はさらに、Ｘ方向およびＹ方向に移動することで、基板ＳのＸ方向およびＹ方向の位置を制御することができる。これにより、基板Ｓに対する電子ビームＢの照射位置を制御することが可能となる。基板Ｓに対する電子ビームＢの照射位置は、偏向器１８によっても制御することが可能である。

【0015】

ビーム制御装置２２は、電子ビームＢに対する種々の制御を行う。例えば、ビーム制御装置２２は、電子ビームＢの発生タイミング、形状、寸法、通過位置、軌道、照射位置などを制御する。このような制御は、電子銃１１、成形アパーチャアレイ部材１３、ビームブランキング電極アレイ１４、制限アパーチャ部材１６、偏向器１８、ステージ２１などの位置や動作を制御することで行われる。ビーム制御装置２２は、計算機２から転送されたショットデータに基づいて、このような制御を行う。これにより、ショットデータに基づいて基板Ｓに電子ビームＢが照射され、基板Ｓに所望のパターンが描画される。ビーム制御装置２２のさらなる詳細については、後述する。

【0016】

基準マーク２３は、電子ビームＢのビームドリフトを検出するために用いられるマークである。ビームドリフトは、電子ビームＢの照射位置が、所望の位置からずれてしまう現象である。本実施形態の基板マーク２３は、ステージ２１上に配置されており、平面視で十字型の形状を有している。ビームドリフトは例えば、描画装置や基板Ｓが帯電することで生じる。ビームドリフトが生じると、電子ビームＢの照射位置の精度が劣化するおそれがある。

【0017】

本実施形態の描画装置は、基準マーク２３を電子ビームＢでスキャンして、基準マーク２３と電子ビームＢとの位置ずれ量を算出することで、ビームドリフトによる位置ずれを検出する。そして、本実施形態の描画装置は、この位置ずれ量を適正値に補正するビームドリフト補正を行う。これにより、電子ビームＢの照射位置の精度を高く保つことが可能となる。本実施形態の描画装置は、電子ビームＢの時間的変化による精度劣化を抑制するために、描画中に定期的にビームドリフト補正を行う。ビームドリフト補正に関する制御は、ビーム制御装置２２により行われる。

【0018】

本実施形態では例えば、半導体装置の製造時にリソグラフィで用いられるフォトマスクを、基板Ｓから製造する。代わりに、ナノインプリント用のテンプレートを、基板Ｓから製造してもよい。これらフォトマスクおよびテンプレートは、原版の例である。さらに、本実施形態の描画装置は、電子ビームＢ以外のビーム、例えば、電子以外の荷電粒子を利用した荷電粒子ビームで描画を行ってもよい。

【0019】

図２は、第１実施形態のフォトマスクの製造方法を説明するための断面図である。

【0020】

まず、透光基板３１と、遮光層３２と、レジスト膜３３とを含む基板Ｓを用意する（図２(ａ)）。図２(ａ)では、透光基板３１上に遮光層３２が設けられ、遮光層３２上にレジスト膜３３が設けられている。透光基板３１は例えば、ガラス基板や石英基板等である。遮光層３２は例えば、Ｃｒ（クロム）層である。

【0021】

次に、本実施形態の描画装置によりレジスト膜３３にパターンを描画し、その後にレジスト膜３３を現像する（図２(ｂ)）。その結果、レジスト膜３３に描画されたパターンに基づいて、レジスト膜３３からレジストパターン３３ａが形成される。図２(ｂ)では、透光基板３１をステージ２１上に載置し、電子ビームＢをレジスト膜３３に照射することで、描画が行われる。

【0022】

次に、レジスト膜３３をエッチングマスクとして用いて、遮光層３２を加工する（図２(ｃ)）。その結果、レジストパターン３３ａが遮光層３２に転写され、遮光層３２から遮光パターン３２ａが形成される。遮光層３２は例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのドライエッチング、または薬液を用いたウェットエッチングにより加工される。

【0023】

次に、レジスト膜３３を除去する（図２(ｄ)）。このようにして、基板Ｓからフォトマスクが製造される。

【0024】

図３は、第１実施形態の描画方法を説明するためのレイアウト図およびグラフである。

【0025】

図３(ａ)は、記憶装置３内の描画データが示しているレイアウトの例を示している。本実施形態の描画装置は、電子ビームＢにより基板Ｓの描画領域にパターンを描画する。図３(ａ)に示す領域４１は、描画データ内に含まれるデータ上の領域であり、基板Ｓの描画領域に対応している。よって、領域４１内に示されている図形が、基板Ｓの描画領域内にパターンとして描画されることになる。以下、説明を分かりやすくするために、領域４１を「描画領域４１」と表記することにする。上記のように、描画領域４１は、基板Ｓの実際の描画領域ではなく、描画データ内に含まれるデータ上の描画領域である。図３(ａ)に示すｘ方向およびｙ方向はそれぞれ、図１に示すＸ方向およびＹ方向に対応している。また、基板Ｓの描画領域内に電子ビームＢにより描画されるパターンを「描画パターン」と呼ぶことにする。

【0026】

図３(ａ)では、描画領域４１が、２つの領域Ｒ１と、６つの領域Ｒ２と、これらの領域Ｒ１、Ｒ２間に挟まれた１つの領域Ｒ３とを含んでいる。これらの領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各々は、描画パターンとなる複数の図形を含んでいる。ただし、これらの図形の、単位面積あたりの個数が、各領域Ｒ１では多くなっており（高図形数領域）、各領域Ｒ２では中程度となっており（中図形数領域）、領域Ｒ３では少なくなっている（低図形数領域）。これらの領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の例は、後述する図４に示されている。

【0027】

図３(ｂ)は、描画領域４１内の個々の箇所の、単位面積当たりのデータボリューム（データ容量）を、図３(ａ)に示すＡ－Ａ’線に沿って示している。一般に、描画データのデータボリュームは、単位面積あたりの図形の個数が多い箇所で大きくなる。よって、図３(ｂ)では、領域Ｒ１のデータボリュームが大きくなっており、領域Ｒ２のデータボリュームが中程度となっており、領域Ｒ３のデータボリュームが小さくなっている。

【0028】

後述するように、描画データのデータボリュームが大きくなると、ショットデータの生成および転送に長い時間がかかるおそれがある。その結果、ショットデータが計算機２から本体１（ビーム制御装置２２）に所望のタイミングに届かずに、描画中に計算機２からビーム制御装置２２へのデータパス待ち（転送待ち）が生じるおそれがある。データパス待ちのさらなる詳細については、後述する。

【0029】

図４は、第１実施形態の描画パターンの例を説明するためのレイアウト図である。

【0030】

図４(ａ)、図４(ｂ)、および図４(ｃ)はそれぞれ、領域Ｒ３、領域Ｒ２、および領域Ｒ１のレイアウトの例を示している。これらの領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各々は、複数の大きい図形４２を含んでいる。一方、領域Ｒ３は、小さい図形４３を含んではおらず、領域Ｒ２は、小さい図形４３を少しだけ含んでおり、領域Ｒ１は、小さい図形４３を多く含んでいる。その結果、これらの図形４２、４３の、単位面積あたりの個数が、領域Ｒ１では多くなっており、領域Ｒ２では中程度となっており、領域Ｒ３では少なくなっている。なお、図形４３は、いわゆるＳＲＡＦ（Sub-Resolution Assist Feature）パターンとなる図形でもよい。

【0031】

次に、第１実施形態の比較例の描画装置の動作について説明し、その後、第１実施形態の描画装置の動作について説明する。なお、第１実施形態の描画装置について説明する際だけでなく、比較例の描画装置について説明する際にも、図１に示す符号を使用する。

【0032】

図５は、第１実施形態の比較例の描画装置の動作を説明するための図である。

【0033】

図５(ａ)は、本比較例の描画データが示しているレイアウトの例を示している。図５(ａ)に示すレイアウトは、図３(ａ)に示すレイアウトと同じである。そのため、図５(ａ)に示す描画領域４１は、２つの領域Ｒ１（高図形数領域）と、６つの領域Ｒ２（中図形数領域）と、１つの領域Ｒ３（低図形数領域）とを含んでいる。

【0034】

本比較例の描画装置は、基板Ｓの描画領域を複数のストライプに分割し、基板Ｓの描画領域にストライプごとにパターンを描画する。これらのストライプは、基板Ｓの描画領域をＹ方向に分割することで得られる。そのため、各ストライプは、Ｘ方向に延びる領域となる。Ｙ方向は、所定の方向の例である。本比較例の描画装置は、これらのストライプにパターンを順番に描画する。

【0035】

図５(ａ)に示す領域Ｓ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)は、描画データ内に含まれるデータ上の領域であり、描画領域を分割して得られる複数のストライプに対応している（Ｎは正の整数）。符号Ｎは、各ストライプにパターンが描画される順番を表す。よって、これらのストライプは、Ｓ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)の順番で描画されることとなる。以下、説明を分かりやすくするために、これらの領域Ｓ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)を「ストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)」と表記することにする。上記のように、これらのストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)は、基板Ｓの実際のストライプではなく、描画データ内に含まれるデータ上のストライプである。本比較例のストライプはさらに、ストライプＳ(Ｎ－２)よりも前に描画されるストライプや、ストライプＳ(Ｎ)よりも後に描画されるストライプを含んでいる。これらのストライプは、ビームによりパターンが描画される複数の領域の例である。

【0036】

上述のように、ショットデータは、描画データをショットごとに分割することで生成される。ショットデータは、各ストライプ用に生成される。例えば、ストライプＳ(Ｎ－２)の描画パターンは、ストライプＳ(Ｎ－２)用のショットデータを用いて描画され、ストライプＳ(Ｎ－１)の描画パターンは、ストライプＳ(Ｎ－１)用のショットデータを用いて描画され、ストライプＳ(Ｎ)の描画パターンは、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータを用いて描画される。

【0037】

図５(ａ)はさらに、矢印Ｔで示すように、本比較例の描画装置のビームドリフト補正を行うタイミングを、黒丸で示している。本比較例では、描画装置が描画を開始すると、描画開始から１分後に１回目のビームドリフト補正が行われ、１回目のビームドリフト補正から２分後に２回目のビームドリフト補正が行われ、２回目のビームドリフト補正から３分後に３回目のビームドリフト補正が行われる。Ｋａ回目のビームドリフト補正（Ｋａは２～１２の整数）は、Ｋａ－１回目のビームドリフト補正からＫａ分後に行われる。その後、Ｋｂ回目のビームドリフト補正（Ｋｂは１３以上の整数）は、Ｋｂ－１回目のビームドリフト補正から１２分後に行われる。すなわち、本比較例のビームドリフト補正のインターバルは、１分、２分、３分、・・・１０分、１１分、１２分、１２分、１２分、・・・と変化していく。

【0038】

なお、図５(ａ)を参照して説明した内容は、第１実施形態や、後述する第２～第４実施形態にも同様に適用される。

【0039】

図５(ｂ)は、計算機２がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)用のショットデータを生成および転送するタイミングと、本体１がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)についての描画を行うタイミングとを示している。図５(ｂ)では、時間が進む方向が、下向きの矢印で示されている。

【0040】

図５(ｂ)にて、ボックスＡ(Ｎ－２)、Ａ(Ｎ－１)、Ａ(Ｎ)はそれぞれ、計算機２がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)用のショットデータを生成および転送するタイミングを示している。ボックスＡ(Ｎ－２)から出ている矢印の始点は、計算機２からビーム制御装置２２に、ストライプＳ(Ｎ－２)用のショットデータの転送が開始されるタイミングを示し、ボックスＡ(Ｎ－２)から出ている矢印の終点は、計算機２からビーム制御装置２２に、ストライプＳ(Ｎ－２)用のショットデータの転送が完了するタイミングを示している。これは、ボックスＡ(Ｎ－１)から出ている矢印や、ボックスＡ(Ｎ)から出ている矢印についても同様である。

【0041】

図５(ｂ)にて、ボックスＢ(Ｎ－２)、Ｂ(Ｎ－１)、Ｂ(Ｎ)はそれぞれ、本体１がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)についての描画を行うタイミングを示している。ボックスＢ(Ｎ－２)の上辺は、ストライプＳ(Ｎ－２)についての描画が開始されるタイミングを示し、ボックスＢ(Ｎ－２)の下辺は、ストライプＳ(Ｎ－２)についての描画が完了するタイミングを示している。これは、ボックスＢ(Ｎ－１)の上辺および下辺や、ボックスＢ(Ｎ)の上辺および下辺についても同様である。ストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)についての描画はそれぞれ、ストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)用のショットデータの転送が完了したタイミングで開始されており、その後に完了している。ボックスＣは、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の開始までの間に、データパス待ちが生じていることを示している。

【0042】

ここで、本比較例の問題点について説明する。

【0043】

図５(ａ)に示すように、ストライプＳ(Ｎ－２)の大部分は、領域Ｒ２内に位置し、ストライプＳ(Ｎ－１)は、領域Ｒ３内に位置し、ストライプＳ(Ｎ)の大部分は、領域Ｒ１内に位置している。そのため、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータは、単位面積あたりに多くの図形を含んでおり、データボリュームが大きくなっている。

【0044】

図５(ｂ)では、ボックスＡ(Ｎ)の縦幅（すなわち、時間）が、ボックスＡ(Ｎ－２)の縦幅や、ボックスＡ(Ｎ－１)の縦幅よりも長くなっている。これは、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータのボリュームが大きく、このショットデータの生成および転送に長い時間がかかっていることを示している。その結果、このショットデータが、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画の完了までに計算機２からビーム制御装置２２に届かずに、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の開始前にデータパス待ちが生じている。図５(ｂ)では、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画が完了するタイミングが、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータの転送が完了するタイミングよりも前となっている。すなわち、ボックスＢ(Ｎ－１)の下辺で示されるタイミングが、ボックスＡ(Ｎ)からの矢印の終点（ボックスＢ(Ｎ)の上辺）で示されるタイミングよりも前となっている。

【0045】

本比較例の描画装置は、このデータパス待ちの間、電子ビームＢが基板Ｓに到達しないように、電子ビームＢをビームブランキング電極アレイ１４によりブランキングして、描画を一時的に停止する。すなわち、ブランキングにより描画の待ち時間が発生する。これは、電子ビームＢのビームドリフトが生じる原因となる。例えば、描画装置や基板Ｓが、ブランキングされた電子ビームＢが原因で帯電することで、電子ビームＢのビームドリフトが生じるおそれがある。その結果、その後にストライプＳ(Ｎ)についての描画を行う際に、電子ビームＢの照射位置が、所望の位置からずれてしまう。

【0046】

図６は、第１実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。

【0047】

図６(ａ)は、図３(ａ)や図５(ａ)と同様に、本実施形態の描画データが示しているレイアウトの例を示している。図６(ａ)に示すレイアウトは、図３(ａ)や図５(ａ)に示すレイアウトと同じである。

【0048】

図６(ｂ)は、図５(ｂ)と同様に、計算機２がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)用のショットデータを生成および転送するタイミングと、本体１がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)についての描画を行うタイミングとを示している。ただし、本実施形態の描画装置は、図６(ｂ)に示す左の描画タイミングが発生すると予想される場合、代わりに図６(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。図６(ｂ)に示す白抜きの矢印は、図６(ｂ)に示す左の描画タイミングから右の描画タイミングへの置き換えを示している。ボックスＤは、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の開始までの間に、ビームドリフト補正が行われることを示している。これらのストライプＳ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)（より正確には、データ上のストライプＳ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)に対応する、基板Ｓの実際のストライプ）はそれぞれ、第１および第２領域の例である。以下、図６(ｂ)に示す左および右の描画タイミングのさらなる詳細を説明する。

【0049】

図６(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ボックスＡ(Ｎ)およびボックスＣの大きさ以外、図５(ｂ)に示す描画タイミングと同じである。図６(ｂ)に示すボックスＣは、この描画タイミングを採用した場合に、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の開始までの間に、データパス待ちが生じることを示している。このデータパス待ちは、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータの生成および転送に長い時間がかかることで生じる。

【0050】

そこで、本実施形態のビーム制御装置２２（図１）は、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画が完了する際にストライプＳ(Ｎ)用のショットデータの転送が未完了であるか否かを判定する。すなわち、ボックスＡ(Ｎ)からの矢印の終点（ボックスＢ(Ｎ)の上辺）で示されるタイミングが、ボックスＢ(Ｎ－１)の下辺で示されるタイミングの後であるか否かが判定される。ビーム制御装置２２は例えば、ビーム制御装置２２がストライプＳ(Ｎ)用の全ショットデータをまだ受信していないことを検出することで、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータの転送が完了していないことを検出できる。さらに、ビーム制御装置２２は例えば、ビーム制御装置２２がストライプＳ(Ｎ－１)についての全描画をすでに行ったことを検出することで、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画が完了したことを検出することができる。

【0051】

ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画が完了する際にストライプＳ(Ｎ)用のショットデータの転送が未完了であると判定された場合には、ビーム制御装置２２は、図６(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。すなわち、本実施形態の描画装置は、ビーム制御装置２２による制御のもと、ストライプＳ(Ｎ)についての描画が開始される前にビームドリフト補正を行う。このビームドリフト補正は、ボックスＤで示されており、図６(ａ)に黒丸で示すビームドリフト補正とは別に行われる。この場合、ストライプＳ(Ｎ)についての描画は、ボックスＤで示すビームドリフト補正が完了した後に行われる。このビームドリフト補正は、描画部の状態の補正の例である。

【0052】

なお、以上のような判定は、その他のストライプについても同様に行われる。例えば、ストライプＳ(Ｎ－２)についての描画が完了する際にストライプＳ(Ｎ－１)用のショットデータの転送が未完了であると判定された場合には、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画が開始される前にビームドリフト補正が行われる。

【0053】

以上のように、本実施形態の描画装置は、図６(ｂ)に示す左の描画タイミングの代わりに、図６(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。よって、本実施形態によれば、描画の停止に伴う問題を抑制することが可能となる。例えば、データパス待ち中に電子ビームＢをブランキングして描画を一時的に停止すると、電子ビームＢのビームドリフトが生じるおそれがある。本実施形態によれば、このような描画停止中に代わりにビームドリフト補正を行うことで、描画停止がビームドリフトの原因になることを抑制することが可能となる。

【0054】

（第２実施形態）
図７は、第２実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。本実施形態の描画装置の構造は、第１実施形態の描画装置と同様に、図１に示す通りである。

【0055】

図７(ａ)は、図６(ａ)等と同様に、本実施形態の描画データが示しているレイアウトの例を示している。図７(ａ)に示すレイアウトは、図６(ａ)等に示すレイアウトと同じである。ただし、図７(ａ)は、ストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)に加えて、ストライプ(Ｎ＋１)を示している。ストライプＳ(Ｎ＋１)の大部分は、ストライプＳ(Ｎ)と同様に、領域Ｒ１内に位置している。そのため、ストライプＳ(Ｎ＋１)用のショットデータは、単位面積あたりに多くの図形を含んでおり、データボリュームが大きくなっている。

【0056】

図７(ｂ)は、図６(ｂ)等と同様に、計算機２がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)、Ｓ(Ｎ＋１)用のショットデータを生成および転送するタイミングと、本体１がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ) 、Ｓ(Ｎ＋１)についての描画を行うタイミングとを示している。ただし、本実施形態の描画装置は、図７(ｂ)に示す左の描画タイミングが発生すると予想される場合、代わりに図７(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。図７(ｂ)に示すボックスＤは、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画の開始までの間に、ビームドリフト補正が行われることを示している。図７(ｂ)において、これらのストライプＳ(Ｎ)、Ｓ(Ｎ＋１)（より正確には、データ上のストライプＳ(Ｎ)、Ｓ(Ｎ＋１)に対応する、基板Ｓの実際のストライプ）はそれぞれ、第１および第２領域の例である。図７(ｂ)はさらに、ストライプＳ(Ｎ＋１)に対応するボックスＡ(Ｘ＋１)、Ｂ(Ｘ＋１)を示している。以下、図７(ｂ)に示す左および右の描画タイミングのさらなる詳細を説明する。

【0057】

図７(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ストライプＳ(Ｎ－１)とストライプＳ(Ｎ)との間の小さいボックスＣと、ストライプＳ(Ｎ)とストライプＳ(Ｎ＋１)との間の大きいボックスＣとを含んでいる。小さいボックスＣは、この描画タイミングを採用した場合に、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の開始までの間に、短いデータパス待ちが生じることを示している。大きいボックスＣは、この描画タイミングを採用した場合に、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画の開始までの間に、長いデータパス待ちが生じることを示している。これは、ストライプＳ(Ｎ＋１)用のショットデータのデータボリュームが、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータのデータボリュームよりも大きく、ストライプＳ(Ｎ＋１)用のショットデータの生成および転送に、より長い時間がかかることに起因している。この場合、大きいボックスＣで示す長いデータパス待ちが、大きなビームドリフトを生じさせるおそれがある。

【0058】

そこで、本実施形態のビーム制御装置２２（図１）は、描画データが、大きいボックスＣで示す長いデータパス待ちを生じさせるような、データボリュームの大きいショットデータを含んでいるか否かを判定する。例えば、各ストライプのショットデータのデータボリュームが、閾値より大きいか否かが判定される。代わりに、各ストライプのショットデータに含まれる図形の個数が、閾値より多いか否かを判定してもよい。このような判定を行うために、本実施形態の描画装置は、描画を開始する前に、記憶装置３または計算機２からビーム制御装置２２内に描画データを事前に登録する。これにより、ビーム制御装置２２内で当該判定を行うことが可能となる。当該判定における条件は、所定の条件の例である。

【0059】

図７(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ストライプＳ(Ｎ)とストライプＳ(Ｎ＋１)との間に大きいボックスＣを含んでいる。これは、ストライプＳ(Ｎ＋１)用のショットデータのデータボリュームが大きいことに起因している。そのため、ビーム制御装置２２は、ストライプＳ(Ｎ＋１)用のショットデータのデータボリュームが上記の条件を満たしている、すなわち、閾値より大きいと判定し、図７(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。この場合、本実施形態の描画装置は、ビーム制御装置２２による制御のもと、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画が開始される前に、短いデータパス待ちと、その後のビームドリフト補正とを行う。一方、ストライプＳ(Ｎ－１)とストライプＳ(Ｎ)との間の小さいボックスＣは、図７(ｂ)に示す左の描画タイミングから右の描画タイミングへの置き換えで変更されていない。理由は、ストライプＳ(Ｎ)用のショットデータのデータボリュームが上記の条件を満たしていない、すなわち、閾値より小さいからである。

【0060】

なお、ビーム制御装置２２は、各ストライプのショットデータの転送が完了する前の待ち時間（データパス待ち）が、閾値より長いか否かを判定してもよい。図７(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ストライプＳ(Ｎ)とストライプＳ(Ｎ＋１)との間に、待ち時間の長いボックスＣを含んでいる。そのため、ビーム制御装置２２は、この場合にも図７(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。

【0061】

図７(ａ)は、矢印Ｔで示す黒丸に加え、矢印Ｔ’で示す黒丸を示している。矢印Ｔ’で示す黒丸は、ビーム制御装置２２による判定の結果として上記のビームドリフト補正を行うタイミングの例を示している。図７(ａ)では、領域Ｒ１内のストライプ用のショットデータが大きなデータボリュームを有するため、矢印Ｔ’で示す黒丸が、領域Ｒ１に沿って存在している。

【0062】

以上のように、本実施形態の描画装置は、図７(ｂ)に示す左の描画タイミングの代わりに、図７(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。よって、本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、描画の停止に伴う問題を抑制することが可能となる。さらに、本実施形態によれば、複数のデータパス待ちのうち、長いデータパス待ちを選択的にビームドリフト補正に置き換えることで、ビームドリフト補正を追加しても描画を効率的に行うことが可能となる。例えば、描画に要する時間は、図７(ｂ)に示す左の描画タイミングでも、図７(ｂ)に示す右の描画タイミングでも同じになっている。

【0063】

なお、図７(ｂ)に示す右の描画タイミングでは、ボックスＣの後にボックスＤを配置する代わりに、ボックスＣの前にボックスＤを配置してもよい。すなわち、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画の開始までの間に、まずビームドリフト補正（ボックスＤ）を行い、次に短いデータパス待ち（ボックスＣ）を行ってもよい。ただし、ビームドリフト補正は描画の直前に行うことが望ましいため、図７(ｂ)に示すように、まず短いデータパス待ち（ボックスＣ）を行い、次にビームドリフト補正（ボックスＤ）を行う方が望ましい。

【0064】

（第３実施形態）
図８は、第３実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。本実施形態の描画装置の構造は、第１実施形態の描画装置と同様に、図１に示す通りである。

【0065】

図８(ａ)は、図７(ａ)と同様に、本実施形態の描画データが示しているレイアウトの例を示している。図８(ａ)に示すレイアウトは、図８(ａ)に示すレイアウトと同じである。よって、図８(ａ)は、ストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)に加えて、ストライプ(Ｎ＋１)を示している。

【0066】

図８(ｂ)は、図７(ｂ)と同様に、計算機２がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)、Ｓ(Ｎ＋１)用のショットデータを生成および転送するタイミングと、本体１がストライプＳ(Ｎ－２)、Ｓ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ) 、Ｓ(Ｎ＋１)についての描画を行うタイミングとを示している。ただし、本実施形態の描画装置は、図８(ｂ)に示す左の描画タイミングが発生すると予想される場合、代わりに図８(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。図８(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ボックスＣで示されるデータ待ちパスを含んでいるが、図８(ｂ)に示す右の描画タイミングは、ボックスＣで示されるデータ待ちパスを含んでいない。図８(ｂ)において、ストライプＳ(Ｎ－１)、Ｓ(Ｎ)はそれぞれ、第１および第２領域の例であり、ストライプＳ(Ｎ)、Ｓ(Ｎ＋１)もそれぞれ、第１および第２領域の例である。以下、図８(ｂ)に示す左および右の描画タイミングのさらなる詳細を説明する。

【0067】

図８(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ストライプＳ(Ｎ－１)とストライプＳ(Ｎ)との間の小さいボックスＣと、ストライプＳ(Ｎ)とストライプＳ(Ｎ＋１)との間の大きいボックスＣとを含んでいる。図８(ｂ)に示す左の描画タイミングは、図７(ｂ)に示す左の描画タイミングと同じである。

【0068】

本実施形態のビーム制御装置２２（図１）は、描画データが、ボックスＣで示すデータパス待ちを生じさせるような、データボリュームの大きいショットデータを含んでいるか否かを判定する。この判定のやり方は、第２実施形態の判定と同じである。ただし、第２実施形態の判定は、大きいボックスＣがあるか否かを判定するのに対し、本実施形態の判定は、ボックスＣの大きさは問わず、ボックスＣがあるか否かを判定する。本実施形態の判定は、第２実施形態の判定と同様に、データボリューム、図形の個数、または待ち時間を用いて行うことが可能である。例えば、各ストライプのショットデータのデータボリュームが、閾値より大きいか否かが判定される。

【0069】

図８(ｂ)に示す左の描画タイミングは、ストライプＳ(Ｎ－１)とストライプＳ(Ｎ)との間と、ストライプＳ(Ｎ)とストライプＳ(Ｎ＋１)との間に、ボックスＣを含んでいる。そのため、ビーム制御装置２２は、ストライプＳ(Ｎ)やストライプＳ(Ｎ＋１)用のショットデータのデータボリュームが上記の条件を満たしている、すなわち、閾値より大きいと判定し、図８(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。

【0070】

図８(ｂ)に示す右の描画タイミングでは、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画が完了するタイミングを、ストライプＳ(Ｎ)についての描画が開始されるタイミングまで遅らせており、ストライプＳ(Ｎ)についての描画が完了するタイミングを、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画が開始されるタイミングまで遅らせている。その結果、２つのボックスＣ（データパス待ち）が消滅している。これにより、データパス待ちに起因してビームドリフトが生じることを抑制することが可能となる。このような動作は、ビーム制御装置２２により制御される。

【0071】

ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了を遅らせると、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画の開始までの時間が短縮される。図８(ｂ)では、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了を、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画の開始まで遅らせているため、上記の時間がゼロまで短縮されている。なお、本実施形態では、上記の時間がゼロまで短縮されないように、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了を遅らせてもよい。この場合、第２実施形態と同様のビームドリフト補正を、ストライプＳ(Ｎ)についての描画の完了から、ストライプＳ(Ｎ＋１)についての描画の開始までの間に行ってもよい。すなわち、第２実施形態における「ボックスＤの追加」と、第３実施形態における「ボックスＣの削除」は、組み合わせて実施してもよい。これは、ストライプＳ(Ｎ－１)についての描画の完了を遅らせる場合にも同様である。

【0072】

以上のように、本実施形態の描画装置は、図８(ｂ)に示す左の描画タイミングの代わりに、図８(ｂ)に示す右の描画タイミングを採用する。よって、本実施形態によれば、第１および第２実施形態と同様に、描画の停止に伴う問題を抑制することが可能となる。さらに、本実施形態によれば、所定のストライプについての描画の完了を遅らせて、データパス待ちを消滅させることで、ビームドリフト補正を追加せずに第２実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。例えば、描画に要する時間は、図８(ｂ)に示す左の描画タイミングでも、図８(ｂ)に示す右の描画タイミングでも同じになっており、第２実施形態と同様に描画が効率的に行われている。

【0073】

（第４実施形態）
図９は、第４実施形態の描画装置の動作を説明するための図である。本実施形態の描画装置の構造は、第１実施形態の描画装置と同様に、図１に示す通りである。また、本実施形態の描画装置は、第１実施形態の図６(ｂ)、第２実施形態の図７(ｂ)、または第３実施形態の図８(ｂ)に示す制御を行う。

【0074】

図９(ａ)は、電子ビームＢの照射位置の予測結果を示す。本実施形態のビーム制御装置２２（図１）は、描画を開始する前に、電子ビームＢにより各ストライプにパターンを描画する際の電子ビームＢの照射位置を予測する。図９(ａ)は、基板Ｓ（レジスト膜）の表面が帯電している様子を示している。電子ビームＢの照射位置は、このような帯電などにより影響を受ける。図９(ａ)は、電子ビームＢの理想的な照射位置と、ビーム制御装置２２により予測される電子ビームＢの照射位置とを示している。両者を区別するために、図９(ａ)は、理想的な照射位置に関する電子ビームＢを「符号Ｂ’」で示している。

【0075】

ビーム制御装置２２は、電子ビームＢにより各ストライプにパターンを描画する際の電子ビームＢの照射位置を、例えばショットデータに基づいて予測する。このような予測を行うために、本実施形態の描画装置は、描画を開始する前に、記憶装置３または計算機２からビーム制御装置２２内に描画データを事前に登録する。この描画データは、第２または第３実施形態で説明した「判定」を行う際にも利用される。ビーム制御装置２２は例えば、基板Ｓの帯電量などをショットデータに基づいて予測し、基板Ｓの帯電量などの予測結果に基づいて電子ビームＢの照射位置を予測する。また、各ストライプの被覆率（各ストライプの全面積に占める図形の面積の比率）をショットデータに基づいて算出し、各ストライプの被覆率に基づいて電子ビームＢの照射位置を予測してもよい。

【0076】

ビーム制御装置２２はさらに、描画時に、電子ビームＢの照射位置の予測結果に基づいて、電子ビームＢの照射位置を補正する（図９(ｂ)）。図９(ｂ)は、電子ビームＢの理想的な照射位置と、ビーム制御装置２２により補正された電子ビームＢの照射位置とを示している。両者を区別するために、図９(ｂ)は、理想的な照射位置に関する電子ビームＢを「符号Ｂ”」で示している。本実施形態によれば、電子ビームＢの照射位置を、理想的な照射位置に近付ける補正を行うことが可能となる。本実施形態のビーム制御装置２２は、描画を開始する前に、電子ビームＢの照射位置の補正内容を事前に決定しておく。本実施形態のビーム制御装置２２は、制御部、判定部、および描画動作補正部の例である。なお、本実施形態のビーム制御装置２２は、電子ビームＢの照射位置の以外の描画動作を予測および補正してもよい。

【0077】

ビーム制御装置２２はさらに、電子ビームＢの照射位置を予測する際に、第１実施形態の図６(ｂ)、第２実施形態の図７(ｂ)、または第３実施形態の図８(ｂ)に示す制御を考慮に入れる。例えば、第１実施形態のようにデータパス待ちがビームドリフト補正に置き換えられる場合は、データパス待ちの代わりにビームドリフト補正を考慮に入れて、電子ビームＢの照射位置が予測される。基板Ｓの帯電量は、この置き換えにより減少することとなる。これにより、電子ビームＢの照射位置の予測および補正の精度を向上させることが可能となる。

【0078】

図９(ｃ)は、基板Ｓの帯電量の時間変化の例を示している。時刻ｔ１の帯電量は、データパス待ちからビームドリフト補正への置き換えを考慮に入れない場合の、電子ビームＢの照射時における帯電量の計算値を示している。一方、時刻ｔ２の帯電量は、データパス待ちからビームドリフト補正への置き換えを考慮に入れた場合の、電子ビームＢの照射時における帯電量の計算値を示している。本実施形態によれば、基板Ｓ（レジスト膜）の帯電量の時間減衰を考慮に入れて、電子ビームＢの照射位置を予測および補正することが可能となる。

【0079】

以上のように、本実施形態によれば、第１～第３実施形態の制御を、描画装置の描画動作の予測および補正に適用することで、描画装置の描画動作の予測および補正の精度を向上させることが可能となる。

【0080】

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。

【符号の説明】

【0081】

１：本体、２：計算機、３：記憶装置、
１１：電子銃、１２：集束レンズ、１３：成形アパーチャアレイ部材、
１４：ビームブランキング電極アレイ、１５：投影レンズ、
１６：制限アパーチャ部材、１７：対物レンズ、１８：偏向器、
２１：ステージ、２２：ビーム制御装置、２３：基準マーク、
３１：透光基板、３２：遮光層、３２ａ：遮光パターン、
３３：レジスト膜、３３ａ：レジストパターン、
４１：描画領域、４２：図形、４３：図形

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】