特開 2024-93183 バレル加工装置および電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024093183

(43)【公開日】2024-07-09

(54)【発明の名称】バレル加工装置および電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 13/00 20130101AFI20240702BHJP

【ＦＩ】

H01G13/00 391Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022209389

(22)【出願日】2022-12-27

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145713

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 竜太

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(72)【発明者】

【氏名】牧野 聖

(72)【発明者】

【氏名】田中 伸太郎

(72)【発明者】

【氏名】藤元 大志

【テーマコード（参考）】

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E082AA01

5E082AB03

(57)【要約】

【課題】装置に発生する振動を低減するバレル加工装置を提供する。
【解決手段】バレル加工装置１００は、複数のワークピースＷＫのバレル加工を行うバレル加工装置であって、複数のメディアＭＤを収容した第１の容器１１１と、複数のメディアＭＤを収容した第２の容器１１２と、モータ１４０に接続されたクランク軸１３０と、第１の容器１１１をクランク軸１３０に接続する第１のリンク機構１２１と、第２の容器１１２をクランク軸１３０に接続する第２のリンク機構１２２とを備える。第１の容器１１１と第２の容器１１２とは、クランク軸１３０を挟んだ位置に配置されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のワークピースのバレル加工を行うバレル加工装置であって、
複数のメディアを収容した第１の容器と、
複数のメディアを収容した第２の容器と、
モータに接続されたクランク軸と、
前記第１の容器を前記クランク軸に接続する第１のリンク機構と、
前記第２の容器を前記クランク軸に接続する第２のリンク機構と、
を備え、
前記第１の容器と前記第２の容器とは、前記クランク軸を挟んだ位置に配置されている、
バレル加工装置。

【請求項2】

前記第１の容器と前記第２の容器とは、前記クランク軸を挟んで点対称の位置に配置されている、請求項１に記載のバレル加工装置。

【請求項3】

前記第１の容器には、前記ワークピースとしてセラミック素体が収容されており、
前記第２の容器には、前記ワークピースとしてセラミック素体が収容されており、
前記バレル加工は、バレル研磨である、
請求項１に記載のバレル加工装置。

【請求項4】

前記第１の容器の質量をＭ１とし、前記第２の容器の質量をＭ２とすると、
｜Ｍ１－Ｍ２｜／Ｍ１＜０．１である、
請求項１に記載のバレル加工装置。

【請求項5】

前記クランク軸は、回転運動を往復振動に変換し、前記往復振動を前記第１のリンク機構を介して前記第１の容器に供給し、かつ、前記往復振動を前記第２のリンク機構を介して前記第２の容器に供給し、
前記クランク軸は、前記第２の容器に供給される前記往復振動の位相が、前記第１の容器に供給される前記往復振動の位相に対して１８０度±１０度異なるように、構成されている、
請求項１に記載のバレル加工装置。

【請求項6】

請求項１～５のいずれか１項に記載のバレル加工装置を用いて、複数の誘電体層と１または複数の導体層とが積層された積層体であるセラミック素体を備える電子部品の製造方法であって、
第１の容器に、複数の前記セラミック素体および複数のメディアを収容し、第２の容器に、複数の前記セラミック素体および複数のメディアを収容し、
前記第１の容器と前記第２の容器とが、クランク軸を挟んだ位置に配置されるように、前記第１の容器を第１のリンク機構を介して前記クランク軸に接続し、前記第２の容器を第２のリンク機構を介して前記クランク軸に接続し、
これにより、複数の前記セラミック素体のバレル加工を行う、
電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、バレル加工装置および電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

バレル容器に収容される複数のワークピースのバレル加工を行うバレル加工装置が知られている。例えば、特許文献１には、セラミック素体を備える電子部品の製造方法におけるセラミック素体のバレル研磨工程において用いられる遠心式のバレル研磨装置が開示されている。このバレル研磨装置では、複数のセラミック素体および複数のメディアをバレル容器に収容し、バレル容器を回転させることによって、例えば公転および自転させることによって、複数のセラミック素体をバレル研磨する。このようにして、バレル研磨工程では、複数のセラミック素体の角部および稜線部に丸みをつける。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－０１０４２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本願発明者らは、複数のワークピースおよび複数のメディアをバレル容器に収容し、バレル容器に振動を与えることによって、複数のワークピースのバレル加工を行うバレル加工装置を考案している。しかし、本願発明者らの知見によれば、バレル容器に振動を与えることに起因して、バレル加工装置に振動が発生してしまう。

【0005】

本発明は、装置に発生する振動を低減するバレル加工装置および電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係るバレル加工装置は、複数のワークピースのバレル加工を行うバレル加工装置であって、複数のメディアを収容した第１の容器と、複数のメディアを収容した第２の容器と、モータに接続されたクランク軸と、前記第１の容器を前記クランク軸に接続する第１のリンク機構と、前記第２の容器を前記クランク軸に接続する第２のリンク機構と、を備える。前記第１の容器と前記第２の容器とは、前記クランク軸を挟んだ位置に配置されている。

【0007】

本発明に係る電子部品の製造方法は、上記のバレル加工装置を用いて、複数の誘電体層と１または複数の導体層とが積層された積層体であるセラミック素体を備える電子部品の製造方法であって、第１の容器に、複数の前記セラミック素体および複数のメディアを収容し、第２の容器に、複数の前記セラミック素体および複数のメディアを収容し、前記第１の容器と前記第２の容器とが、クランク軸を挟んだ位置に配置されるように、前記第１の容器を第１のリンク機構を介して前記クランク軸に接続し、前記第２の容器を第２のリンク機構を介して前記クランク軸に接続し、これにより、複数の前記セラミック素体のバレル加工を行う。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、バレル加工装置に発生する振動を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本実施形態に係るバレル加工装置を示す概略断面図である。

【図2】本実施形態に係る電子部品の一例であって、バレル加工後の積層体を備える電子部品を示す斜視図である。

【図3】図２に示す電子部品の一例のIII－III線断面図である。

【図4】図２に示す電子部品の一例のIV－IV線断面図である。

【図5】図２～図４に示す電子部品の一例における積層体のバレル加工前の積層チップ、すなわちセラミック素体、を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0011】

（電子部品）
まず、本実施形態に係るバレル加工装置の加工対象物（以下、ワークピースともいう。）の一例として、電子部品における積層体のバレル加工前の積層チップ（以下、セラミック素体ともいう。）について、図２～図５を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る電子部品の一例であって、バレル加工後の積層体を備える電子部品を示す斜視図である。図３は、図２に示す電子部品の一例のIII－III線断面図であり、図４は、図２に示す電子部品の一例のIV－IV線断面図である。図５は、図２～図４に示す電子部品の一例における積層体のバレル加工前の積層チップ、すなわちセラミック素体、を示す斜視図である。

【0012】

図２～図４に示す電子部品１の一例は、積層セラミックコンデンサであり、バレル加工後の積層体１０と外部電極４０とを備える。外部電極４０は、第１の外部電極４１と第２の外部電極４２とを含む。図５に示す積層体１０のバレル加工前の積層チップ１０Ｚ、すなわちセラミック素体は、後述するバレル加工装置のワークピースの一例である。

【0013】

図２～図５には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｘ方向は電子部品１および積層体１０の長さ方向Ｌであり、Ｙ方向は電子部品１および積層体１０の幅方向Ｗであり、Ｚ方向は電子部品１および積層体１０の積層方向Ｔである。これにより、図３に示す断面はＬＴ断面とも称され、図４に示す断面はＷＴ断面とも称される。

【0014】

なお、長さ方向Ｌ、幅方向Ｗおよび積層方向Ｔは、必ずしも互いに直交する関係になるとは限らず、互いに交差する関係であってもよい。

【0015】

積層体１０は、略直方体形状であり、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２とを有する。

【0016】

積層体１０の角部および稜線部には、後述するバレル加工装置によって、丸みがつけられている。角部は、積層体１０の３面が交る部分であり、稜線部は、積層体１０の２面が交る部分である。

【0017】

図３および図４に示すように、積層体１０は、積層方向Ｔに積層された複数の誘電体層２０と複数の内部電極層（以下、導体層ともいう。）３０とを有する。また、積層体１０は、積層方向Ｔにおいて、内層部１０Ａと、内層部１０Ａを挟み込むように配置された第１の外層部１０Ｂおよび第２の外層部１０Ｃとを有する。

【0018】

内層部１０Ａは、複数の誘電体層２０の一部と複数の内部電極層３０とを含む。内層部１０Ａでは、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１０Ａは、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。

【0019】

第１の外層部１０Ｂは、積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に配置されており、第２の外層部１０Ｃは、積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に配置されている。より具体的には、第１の外層部１０Ｂ、複数の内部電極層３０のうち第１の主面ＴＳ１に最も近い内部電極層３０と第１の主面ＴＳ１との間に配置されており、第２の外層部１０Ｃは、複数の内部電極層３０のうち第２の主面ＴＳ２に最も近い内部電極層３０と第２の主面ＴＳ２との間に配置されている。第１の外層部１０Ｂおよび第２の外層部１０Ｃは、内部電極層３０を含まず、複数の誘電体層２０のうち内層部１０Ａのための一部以外の部分をそれぞれ含む。第１の外層部１０Ｂおよび第２の外層部１０Ｃは、内層部１０Ａの保護層として機能する部分である。

【0020】

誘電体層２０の材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、またはＣａＺｒＯ_３等を主成分として含む誘電体セラミックを用いることができる。また、誘電体層２０の材料としては、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、またはＮｉ化合物等を副成分として添加されてもよい。

【0021】

複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２を含む。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、積層体１０の積層方向Ｔに交互に配置されている。

【0022】

第１の内部電極層３１は、対向電極部３１Ａと引出電極部３１Ｂとを含み、第２の内部電極層３２は、対向電極部３２Ａと引出電極部３２Ｂとを含む。

【0023】

対向電極部３１Ａと対向電極部３２Ａとは、積層体１０の積層方向Ｔにおいて誘電体層２０を介して互いに対向している。対向電極部３１Ａおよび対向電極部３２Ａの形状は、特に限定されず、例えば略矩形状であればよい。対向電極部３１Ａと対向電極部３２Ａとは、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。

【0024】

引出電極部３１Ｂは、対向電極部３１Ａから積層体１０の第１の端面ＬＳ１に向けて延在し、第１の端面ＬＳ１において露出している。引出電極部３２Ｂは、対向電極部３２Ａから積層体１０の第２の端面ＬＳ２に向けて延在し、第２の端面ＬＳ２において露出している。引出電極部３１Ｂおよび引出電極部３２Ｂの形状は、特に限定されず、例えば略矩形状であればよい。

【0025】

これにより、第１の内部電極層３１は第１の外部電極４１に接続され、第１の内部電極層３１と、積層体１０の第２の端面ＬＳ２、すなわち第２の外部電極４２、との間にはギャップが存在する。また、第２の内部電極層３２は第２の外部電極４２に接続され、第２の内部電極層３２と、積層体１０の第１の端面ＬＳ１、すなわち第１の外部電極４１、との間にはギャップが存在する。

【0026】

第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、金属Ｎｉを主成分として含む。また、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属、またはＡｇ－Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金、から選ばれる少なくとも１つを主成分として含んでもよいし、主成分以外の成分として含んでもよい。更に、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、誘電体層２０に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体の粒子を主成分以外の成分として含んでいてもよい。なお、本明細書において、主成分の金属とは、最も重量％が高い金属成分であると定める。

【0027】

図４に示すように、積層体１０は、幅方向Ｗにおいて、内部電極層３０が対向する電極対向部Ｗ３０と、電極対向部Ｗ３０を挟み込むように配置された第１のサイドギャップ部ＷＧ１および第２のサイドギャップ部ＷＧ２とを有する。第１のサイドギャップ部ＷＧ１は、電極対向部Ｗ３０と第１の側面ＷＳ１との間に位置し、第２のサイドギャップ部ＷＧ２は、電極対向部Ｗ３０と第２の側面ＷＳ２との間に位置する。より具体的には、第１のサイドギャップ部ＷＧ１は、内部電極層３０の第１の側面ＷＳ１側の端と第１の側面ＷＳ１との間に位置し、第２のサイドギャップ部ＷＧ２は、内部電極層３０の第２の側面ＷＳ２側の端と第２の側面ＷＳ２との間に位置する。第１のサイドギャップ部ＷＧ１および第２のサイドギャップ部ＷＧ２は、内部電極層３０を含まず、誘電体層２０のみを含む。第１のサイドギャップ部ＷＧ１および第２のサイドギャップ部ＷＧ２は、内部電極層３０の保護層として機能する部分である。なお、第１のサイドギャップ部ＷＧ１および第２のサイドギャップ部ＷＧ２は、Ｗギャップともいう。

【0028】

図３に示すように、積層体１０は、長さ方向Ｌにおいて、内部電極層３０の第１の内部電極層３１と第２の内部電極層３２とが対向する電極対向部Ｌ３０と、第１のエンドギャップ部ＬＧ１と、第２のエンドギャップ部ＬＧ２とを有する。第１のエンドギャップ部ＬＧ１は、電極対向部Ｌ３０と第１の端面ＬＳ１との間に位置し、第２のエンドギャップ部ＬＧ２は、電極対向部Ｌ３０と第２の端面ＬＳ２との間に位置する。より具体的には、第１のエンドギャップ部ＬＧ１は、第２の内部電極層３２の第１の端面ＬＳ１側の端と第１の端面ＬＳ１との間に位置し、第２のエンドギャップ部ＬＧ２は、第１の内部電極層３１の第２の端面ＬＳ２側の端と第２の端面ＬＳ２との間に位置する。第１のエンドギャップ部ＬＧ１は、第２の内部電極層３２を含まず、第１の内部電極層３１および誘電体層２０を含み、第２のエンドギャップ部ＬＧ２は、第１の内部電極層３１を含まず、第２の内部電極層３２および誘電体層２０を含む。第１のエンドギャップ部ＬＧ１は、第１の内部電極層３１の第１の端面ＬＳ１への引出電極部として機能する部分であり、第２のエンドギャップ部ＬＧ２は、第２の内部電極層３２の第２の端面ＬＳ２への引出電極部として機能する部分である。第１のエンドギャップ部ＬＧ１および第２のエンドギャップ部ＬＧ２は、Ｌギャップともいう。

【0029】

なお、電極対向部Ｌ３０には、上述した第１の内部電極層３１の対向電極部３１Ａおよび第２の内部電極層３２の対向電極部３２Ａが位置する。また、第１のエンドギャップ部ＬＧ１には、上述した第１の内部電極層３１の引出電極部３１Ｂが位置し、第２のエンドギャップ部ＬＧ２には、上述した第２の内部電極層３２の引出電極部３２Ｂが位置する。

【0030】

上述した積層体１０の寸法は、特に限定されないが、例えば長さ方向Ｌの長さが０．１ｍｍ以上３．２ｍｍ以下であり、幅方向Ｗの幅が０．０５ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、厚さ方向Ｔの厚さが０．０５ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であってもよい。
また、後述する外部電極４０を含む電子部品１の寸法は、特に限定されないが、例えば長さ方向Ｌの長さが０．１ｍｍ以上３．２ｍｍ以下であり、幅方向Ｗの幅が０．０５ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、厚さ方向Ｔの厚さが０．０５ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であってもよい。なお、これらの寸法は公差によって加減される。

【0031】

なお、積層体１０または積層セラミックコンデンサ１の平均厚さは、以下のように測定される。まず、研磨により露出させた積層体または積層セラミックコンデンサの長さ方向に直交する断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。次に、積層体または積層セラミックコンデンサの断面の中心を通る積層方向に沿った中心線、およびこの中心線から両側に等間隔に２本ずつ引いた線の合計５本の線上における厚さを測定する。この５つの測定値の平均値とする。
また、積層体１０または積層セラミックコンデンサ１の平均長さは、以下のように測定される。まず、研磨により露出させた積層体または積層セラミックコンデンサの長さ方向に直交する断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。次に、積層体または積層セラミックコンデンサの断面の中心を通る長さ方向に沿った中心線、およびこの中心線から両側に等間隔に２本ずつ引いた線の合計５本の線上における長さを測定する。この５つの測定値の平均値とする。
また、積層体１０または積層セラミックコンデンサ１の平均幅は、以下のように測定される。まず、研磨により露出させた積層体または積層セラミックコンデンサの幅方向に直交する断面を走査型電子顕微鏡にて観察する。次に、積層体または積層セラミックコンデンサの断面の中心を通る幅方向に沿った中心線、およびこの中心線から両側に等間隔に２本ずつ引いた線の合計５本の線上における幅を測定する。この５つの測定値の平均値とする。

【0032】

外部電極４０は、第１の外部電極４１と第２の外部電極４２とを含む。

【0033】

第１の外部電極４１は、積層体１０の第１の端面ＬＳ１に配置されており、第１の内部電極層３１に接続されている。第１の外部電極４１は、第１の端面ＬＳ１から、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に延びていてもよい。また、第１の外部電極４１は、第１の端面ＬＳ１から、第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部に延びていてもよい。

【0034】

第２の外部電極４２は、積層体１０の第２の端面ＬＳ２に配置されており、第２の内部電極層３２に接続されている。第２の外部電極４２は、第２の端面ＬＳ２から、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に延びていてもよい。また、第２の外部電極４２は、第２の端面ＬＳ２から、第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部に延びていてもよい。

【0035】

第１の外部電極４１は、第１の下地電極層４１Ａと第１のめっき層４１Ｂとを有し、第２の外部電極４２は、第２の下地電極層４２Ａと第２のめっき層４２Ｂとを有する。なお、第１の外部電極４１は第１のめっき層４１Ｂのみから構成されていてもよいし、第２の外部電極４２は第２のめっき層４２Ｂのみから構成されていてもよい。

【0036】

第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａは、金属とガラスとを含む焼成層であってもよい。ガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、またはＬｉ等から選ばれる少なくとも１つを含むガラス成分が挙げられる。具体例として、ホウケイ酸ガラスを用いることができる。金属としては、Ｃｕを主成分として含む。また、金属としては、例えばＮｉ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属、またはＡｇ－Ｐｄ合金等の合金、から選ばれる少なくとも１つを主成分として含んでもよいし、主成分以外の成分として含んでもよい。

【0037】

焼成層は、金属およびガラスを含む導電性ペーストをディップ法によって積層体に塗布して焼成した層である。なお、誘電体層および内部電極層の焼成後に焼成されてもよく、誘電体層および内部電極層と同時に焼成されてもよい。また、焼成層は、複数層であってもよい。

【0038】

或いは、第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａは、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層であってもよい。樹脂層は、上述した焼成層上に形成されてもよいし、焼成層を形成せずに積層体に直接形成されてもよい。

【0039】

樹脂層は、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性ペーストを塗布法によって積層体に塗布して加熱硬化した層である。なお、誘電体層および内部電極層の焼成後に加熱硬化されてもよく、誘電体層および内部電極層と同時に加熱硬化されてもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。

【0040】

焼成層または樹脂層としての第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａの各々の一層あたりの厚さとしては、特に限定されず、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

【0041】

或いは、第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａは、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の薄膜層であってもよい。

【0042】

第１のめっき層４１Ｂは、第１の下地電極層４１Ａの少なくとも一部を覆い、第２のめっき層４２Ｂは、第２の下地電極層４２Ａの少なくとも一部を覆う。第１のめっき層４１Ｂおよび第２のめっき層４２Ｂとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、またはＡｕ等の金属、またはＡｇ－Ｐｄ合金等の合金から選ばれる少なくとも１つを含む。

【0043】

第１のめっき層４１Ｂおよび第２のめっき層４２Ｂの各々は複数層により形成されていてもよい。好ましくは、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの２層構造である。Ｎｉめっき層は、下地電極層がセラミック電子部品を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層は、セラミック電子部品を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。

【0044】

第１のめっき層４１Ｂおよび第２のめっき層４２Ｂの各々の一層あたりの厚さとしては、特に限定されず、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

【0045】

（電子部品の製造方法）
次に、上述した電子部品１の製造方法について説明する。まず、誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートおよび導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれる。バインダおよび溶剤としては公知の材料を用いることができる。

【0046】

次に、誘電体シート上に導電性ペーストを、例えば所定のパターンで印刷することにより、誘電体シート上に内部電極パターンを形成する。内部電極パターンの形成方法としては、スクリーン印刷またはグラビア印刷等を用いることができる。

【0047】

次に、内部電極パターンが印刷されていない第２の外層部１０Ｃ用の誘電体シートを所定枚数積層する。その上に、内部電極パターンが印刷された内層部１０Ａ用の誘電体シートを順次積層する。その上に、内部電極パターンが印刷されていない第１の外層部１０Ｂ用の誘電体シートを所定枚数積層する。これにより、積層シートが作製される。

【0048】

次に、静水圧プレス等の手段により、積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを作製する。次に、積層ブロックを所定のサイズにカットし、図５に示す積層チップ１０Ｚを切り出す。次に、積層チップ１０Ｚを焼成し、積層体１０を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

【0049】

ここで、積層チップ１０Ｚの焼成前に、後述するバレル加工装置を用いたバレル研磨により、焼成前の積層チップ１０Ｚ、すなわちセラミック素体の角部および稜線部に丸みをつける。或いは、積層チップ１０Ｚの焼成後に、後述するバレル加工装置を用いたバレル研磨により、焼成後の積層体１０、すなわちセラミック素体の角部および稜線部に丸みをつけてもよい。

【0050】

次に、ディップ法を用いて、積層体１０の第１の端面ＬＳ１を下地電極層用の電極材料である導電性ペーストに浸漬することによって、第１の端面ＬＳ１に第１の下地電極層４１Ａ用の導電性ペーストを塗布する。同様に、ディップ法を用いて、積層体１０の第２の端面ＬＳ２を下地電極層用の電極材料である導電性ペーストに浸漬することによって、第２の端面ＬＳ２に第２の下地電極層４２Ａ用の導電性ペーストを塗布する。その後、これらの導電性ペーストを焼成することにより、焼成層である第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａが形成される。焼成温度は、６００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

【0051】

なお、上述したように、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性ペーストを塗布法によって塗布して加熱硬化することによって、樹脂層である第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａを形成してもよいし、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により、薄膜である第１の下地電極層４１Ａおよび第２の下地電極層４２Ａを形成してもよい。

【0052】

また、上述では、積層チップを焼成した後に下地電極層を形成して焼成した、すなわち積層体と外部電極とを別々に焼成した。しかし、積層チップを焼成する前に下地電極層を形成して焼成してもよい、すなわち、積層体と外部電極とを同時に焼成してもよい。

【0053】

その後、第１の下地電極層４１Ａの表面に第１のめっき層４１Ｂを形成して第１の外部電極４１を形成し、第２の下地電極層４２Ａの表面に第２のめっき層４２Ｂを形成して第２の外部電極４２を形成する。以上の工程により、上述した電子部品１が得られる。

【0054】

（バレル加工装置）
次に、本実施形態に係るバレル加工装置について説明する。図１は、本実施形態に係るバレル加工装置を示す概略断面図である。図１に示すバレル加工装置１００は、ワークピースＷＫ、例えば図５に示す電子部品１における積層体１０のバレル加工前の積層チップ１０Ｚ、すなわちセラミック素体の角部および稜線部をバレル研磨して丸みをつける装置である。なお、以下では、ワークピースＷＫとして、電子部品１における積層体１０の焼成前の積層チップ１０Ｚを例示するが、焼成前の積層チップ１０Ｚは、焼成後の積層体１０に置き換えられてもよい。

【0055】

バレル加工装置１００は、架台１５０上に、第１の容器１１１と、第２の容器１１２と、第１のリンク機構１２１と、第２のリンク機構１２２と、クランク軸１３０と、サーボモータ１４０とを備える。

【0056】

第１の容器１１１は、複数のワークピースＷＫ、例えば図５に示す複数の積層チップ１０Ｚと、金属またはセラミック等で構成された複数のメディアボールＭＤとを収容している。第１の容器１１１は、更に、水等の液体を収容してもよい。
同様に、第２の容器１１２は、複数のワークピースＷＫ、例えば図５に示す複数の積層チップ１０Ｚと、金属またはセラミック等で構成された複数のメディアボールとを収容している。第２の容器１１２は、更に、水等の液体を収容してもよい。

【0057】

第１の容器１１１および第２の容器１１２は、金属または樹脂等で構成されている。第１の容器１１１および第２の容器１１２の大きさは、例えば、高さ、幅、長さ方向でそれぞれ１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下である。なお、第１の容器１１１および第２の容器１１２の体積は等価であることが好ましく、中に封入されるワークピースＷＫ、メディアボールＭＤなどの質量についても等価となるように調整されることが好ましい。

【0058】

第１の容器１１１と第２の容器１１２とは、クランク軸１３０を挟んだ位置に配置されている。換言すれば、第１の容器１１１と第２の容器１１２とは、クランク軸１３０から第１の容器１１１に延びる直線に沿う方向において、クランク軸１３０に対して互いに反対側に配置されている。更に換言すれば、第２の容器１１２は、クランク軸１３０を中心として、第１の容器１１１に対して９０度を超えて２７０度未満の範囲に配置されている。

【0059】

第１の容器１１１と第２の容器１１２とは、クランク軸１３０を挟んで点対称の位置に配置されていると好ましい。換言すれば、第１の容器１１１と第２の容器１１２とは、鉛直方向において、クランク軸１３０に対して互いに反対側に配置されていると好ましい。更に換言すれば、第２の容器１１２は、クランク軸１３０を中心として、第１の容器１１１に対して１８０度の位置に配置されていると好ましい。

【0060】

第１のリンク機構１２１は、第１の容器１１１をクランク軸１３０に接続している。例えば、第１のリンク機構１２１は、第１の容器１１１に固定接続されるとともに、クランク軸１３０によって往復振動可能にクランク軸１３０に接続される。
同様に、第２のリンク機構１２２は、第２の容器１１２をクランク軸１３０に接続している。例えば、第２のリンク機構１２２は、第２の容器１１２に固定接続されるとともに、クランク軸１３０によって往復振動可能にクランク軸１３０に接続される。

【0061】

クランク軸１３０は、サーボモータ１４０に接続されており、所定の回転数で回転駆動される。クランク軸１３０は、回転運動を往復振動に変換し、変換した往復振動を第１のリンク機構１２１および第２のリンク機構１２２に与える。これにより、クランク軸１３０によって変換された往復振動が、第１のリンク機構１２１を介して第１の容器１１１に供給され、かつ、第２のリンク機構１２２を介して第２の容器１１２に供給される。

【0062】

例えば、クランク軸１３０における部分１３１および１３４は、回転運動を往復振動に変換し、変換した往復振動を第１のリンク機構１２１に与える。また、クランク軸１３０における部分１３２および１３３は、回転運動を往復振動に変換し、変換した往復振動を第２のリンク機構１２２に与える。クランク軸１３０の回転運動を往復運動に変換する方法は種々あるが、例えばクランク軸１３０における部分１３１および１３４が円筒形であり、これの軸の中心部から相対的に偏心した位置と、例えば第１のリンク機構１２１を接続することで往復運動に変換させることができる。また、クランク軸１３０の回転運動を往復運動に変換する方法は種々あるが、例えばクランク軸１３０における部分１３２および１３３が円筒形であり、これの軸の中心部から相対的に偏心した位置と、例えば第２のリンク機構１２２を接続することで往復運動に変換させることができる。

【0063】

部分１３１および１３４の偏心方向と部分１３２および１３３の偏心方向とは、１８０度±１０度、好ましくは１８０度、異なっている。これにより、第２のリンク機構１２２に与えられる往復振動の位相は、第１のリンク機構１２１に与えられる往復振動の位相に対して１８０度±１０度、好ましくは１８０度、異なっている。

【0064】

このように、クランク軸１３０は、第２の容器１１２に供給される往復振動の位相が、第１の容器１１１に供給される往復振動の位相に対して１８０度±１０度、好ましくは１８０度、異なるように、構成されている。
すなわち、第２の容器１１２に供給される往復振動の振幅の正負は、第１の容器１１１に供給される往復振動の振幅の正負と逆となっている。

【0065】

ここで、第１の容器１１１が上に移動するとき、バレル加工装置１００全体を上に上げようとする力が生じる。一方、第１の容器１１１が下に移動するとき、バレル加工装置１００全体を下に下げようとする力が生じる。これにより、バレル加工装置１００に上下方向の慣性力が交互に発生し、バレル加工装置１００に振動が発生し得る。

【0066】

この点に関し、第１の容器１１１が上に移動することによって、バレル加工装置１００全体を上に上げようとする力が生じるとき、第２の容器１１２が下に移動することによって、バレル加工装置１００全体を下に下げようとする力が生じる。一方、第１の容器１１１が下に移動することによって、バレル加工装置１００全体を下に下げようとする力が生じるとき、第２の容器１１２が上に移動することによって、バレル加工装置１００全体を上に上げようとする力が生じる。これにより、第１の容器１１１の上下移動によってバレル加工装置１００に生じる上下方向の慣性力は、第２の容器１１２の上下移動によってバレル加工装置１００に生じる上下方向の慣性力によって低減され、好ましくは打ち消される。そのため、バレル加工装置１００に振動が発生することを低減する、好ましくは打ち消すことができる。

【0067】

上述したバレル加工装置１００の振動の低減効果は、最大振動加速度ａが９．８ｍ/ｓ^２を超える場合に大きく発揮される。
ａ［ｍ／ｓ^２］＝ｒ［ｍ］×（２π×Ｎ［ｒｐｍ］／６０）^２＞９．８ｍ／ｓ^２
ｒ：クランク軸の偏心量、具体的には、クランク軸を軸方向からみて、モータと接続する軸を中心とした偏心量
Ｎ：モータの回転数
例えば、モータの回転数Ｎは、６００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下であると好ましい。

【0068】

また、例えば、第１の容器１１１および第２の容器１１２の各々の質量は、１０ｋｇ以上３０ｋｇ以下であると好ましい。第１の容器１１１および第２の容器１１２の各々の質量とは、収容物、すなわちセラミック素体、メディアボールおよび液体など、を含む質量である。
また、第１の容器１１１の質量をＭ１とし、第２の容器１１２の質量をＭ２とすると、｜Ｍ１－Ｍ２｜／Ｍ１＜０．１であると好ましい。すなわち、第１の容器１１１の質量と第２の容器１１２の質量との差は、第１の容器１１１の質量の１０％以下、例えば０ｋｇ以上３ｋｇ以下、であると好ましい。これにより、第１の容器１１１から生じるエネルギーと第２の容器１１２から生じるエネルギーとをキャンセルし易くすることができる。

【0069】

（電子部品の製造方法におけるバレル加工工程）
次に、電子部品１の製造方法におけるバレル研磨工程であって、上述したバレル加工装置１００を用いて、図５に示す電子部品１における積層体１０のバレル加工前の積層チップ１０Ｚ、すなわちセラミック素体の角部および稜線部をバレル研磨して丸みをつける工程について説明する。なお、以下では、電子部品１における積層体１０の焼成前の積層チップ１０Ｚのバレル研磨工程を例示するが、焼成前の積層チップ１０Ｚは、焼成後の積層体１０に置き換えられてもよい。

【0070】

まず、第１の容器１１１に、図５に示す複数の積層チップ１０Ｚおよび複数のメディアボールを収容する。また、第２の容器１１２に、図５に示す複数の積層チップ１０Ｚおよび複数のメディアボールを収容する。

【0071】

次に、第１の容器１１１と第２の容器１１２とが、クランク軸１３０を挟んだ位置に配置されるように、第１の容器１１１を第１のリンク機構１２１を介してクランク軸１３０に接続し、第２の容器１１２を第２のリンク機構１２２を介してクランク軸１３０に接続する。

【0072】

次に、クランク軸１３０を回転駆動する。すると、クランク軸１３０によって、
・回転運動を往復振動に変換し、
・第２の容器１１２に供給される往復振動の位相が、第１の容器１１１に供給される往復振動の位相に対して１８０度±１０度異なるように、
・往復振動を第１のリンク機構１２１を介して第１の容器１１１に供給し、かつ、往復振動を第２のリンク機構１２２を介して第２の容器１１２に供給する。
これにより、複数の積層チップ１０Ｚ、すなわちセラミック素体の角部および稜線部をバレル研磨して丸みをつける。

【0073】

以上説明したように、本実施形態のバレル加工装置１００によれば、第１の容器１１１と第２の容器１１２とは、クランク軸１３０を挟んだ位置に配置されており、クランク軸１３０は、回転運動を往復振動に変換し、往復振動を第１のリンク機構１２１を介して第１の容器１１１に供給し、かつ、往復振動を第２のリンク機構１２２を介して第２の容器１１２に供給し、クランク軸１３０は、第２の容器１１２に供給される往復振動の位相が、第１の容器１１１に供給される往復振動の位相に対して１８０度±１０度異なるように、構成されている。これにより、第１の容器１１１の上下移動によってバレル加工装置１００に生じる上下方向の慣性力は、第２の容器１１２の上下移動によってバレル加工装置１００に生じる上下方向の慣性力によって低減され、好ましくは打ち消される。そのため、バレル加工装置１００に振動が発生することを低減する、好ましくは打ち消すことができる。

【0074】

また、本実施形態のバレル加工装置１００によれば、バレル加工処理ユニットとして２つの容器１１１および１１２を備えるので、生産性を向上することができる。また、２つの容器１１１および１１２は鉛直方向に配置されているので、装置の設置面積を増大させることなく、生産性を向上することができる。

【0075】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、バレル加工装置のワークピースの一例として、誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサを説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、バレル加工装置のワークピースとしては、種々の電子部品が適用可能である。

【0076】

例えば、バレル加工装置のワークピースとして、圧電体セラミックを用いた圧電部品、半導体セラミックを用いたサーミスタ、磁性体セラミックを用いたインダクタ等の種々の電子部品が適用可能である。圧電体セラミックとしては例えばＰＺＴ系セラミック等が挙げられ、半導体セラミックとしては例えばスピネル系セラミック等が挙げられ、磁性体セラミックとしては例えばフェライト等が挙げられる。

【0077】

また、上述した実施形態によれば、バレル加工としてバレル研磨を行うバレル加工装置を説明した。しかし、本発明の特徴はこれに限定されず、めっき加工等の種々のバレル加工を行うバレル加工装置にも適用可能である。

【0078】

また、本発明は以下のような形態であってもよい。
＜１＞ 複数のワークピースのバレル加工を行うバレル加工装置であって、
複数のメディアを収容した第１の容器と、
複数のメディアを収容した第２の容器と、
モータに接続されたクランク軸と、
前記第１の容器を前記クランク軸に接続する第１のリンク機構と、
前記第２の容器を前記クランク軸に接続する第２のリンク機構と、
を備え、
前記第１の容器と前記第２の容器とは、前記クランク軸を挟んだ位置に配置されている、
バレル加工装置。

【0079】

＜２＞ 前記第１の容器と前記第２の容器とは、前記クランク軸を挟んで点対称の位置に配置されている、＜１＞に記載のバレル加工装置。

【0080】

＜３＞ 前記第１の容器には、前記ワークピースとしてセラミック素体が収容されており、
前記第２の容器には、前記ワークピースとしてセラミック素体が収容されており、
前記バレル加工は、バレル研磨である、
＜１＞または＜２＞に記載のバレル加工装置。

【0081】

＜４＞ 前記第１の容器の質量をＭ１とし、前記第２の容器の質量をＭ２とすると、
｜Ｍ１－Ｍ２｜／Ｍ１＜０．１である、
＜１＞から＜３＞のいずれか１つに記載のバレル加工装置。

【0082】

＜５＞ 前記クランク軸は、回転運動を往復振動に変換し、前記往復振動を前記第１のリンク機構を介して前記第１の容器に供給し、かつ、前記往復振動を前記第２のリンク機構を介して前記第２の容器に供給し、
前記クランク軸は、前記第２の容器に供給される前記往復振動の位相が、前記第１の容器に供給される前記往復振動の位相に対して１８０度±１０度異なるように、構成されている、
請求項＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載のバレル加工装置。

【0083】

＜６＞ ＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載のバレル加工装置を用いて、複数の誘電体層と１または複数の導体層とが積層された積層体であるセラミック素体を備える電子部品の製造方法であって、
第１の容器に、複数の前記セラミック素体および複数のメディアを収容し、第２の容器に、複数の前記セラミック素体および複数のメディアを収容し、
前記第１の容器と前記第２の容器とが、クランク軸を挟んだ位置に配置されるように、前記第１の容器を第１のリンク機構を介して前記クランク軸に接続し、前記第２の容器を第２のリンク機構を介して前記クランク軸に接続し、
これにより、複数の前記セラミック素体のバレル加工を行う、
電子部品の製造方法。

【符号の説明】

【0084】

１ 電子部品
１０ バレル加工後の積層体
１０Ｚ 積層体のバレル加工前の積層チップ（セラミック素体、ワークピース）
１００ バレル加工装置
１１１ 第１の容器
１１２ 第２の容器
１２１ 第１のリンク機構
１２２ 第２のリンク機構
１３０ クランク軸
１３１、１３２、１３３、１３４ クランク軸の部分
１４０ サーボモータ（モータ）
１５０ 架台
ＷＫ ワークピース（セラミック素体）
ＭＤ メディアボール（メディア）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】