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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024093262
(43)【公開日】2024-07-09
(54)【発明の名称】インダクタの製造方法、および、インダクタ
(51)【国際特許分類】
H01F 41/04 20060101AFI20240702BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20240702BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240702BHJP
H01F 27/32 20060101ALI20240702BHJP
H01F 27/28 20060101ALI20240702BHJP
【ＦＩ】
H01F41/04 B
H01F17/04 F
H01F17/04 A
H01F27/29 H
H01F27/29 U
H01F27/32 170
H01F27/28 147
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022209521
(22)【出願日】2022-12-27
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110001081
【氏名又は名称】弁理士法人クシブチ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】下村 康夫
【テーマコード（参考）】
5E043
5E044
5E062
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E043AB03
5E043EA01
5E044AD02
5E062FF02
5E070AA01
5E070AB04
5E070BB03
5E070EA05
5E070EB04
(57)【要約】 （修正有）
【課題】インダクタごとの特性のばらつきを抑制し易くする。
【解決手段】導線が巻回されて形成されたコイル導体２０と、金属磁性粉と樹脂とを含有しコイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備えるインダクタの製造方法であって、素体は、予備成型体７１と予備成型体に配置されたコイル導体とが、成型金型に形成されたキャビティ５１ａの内側に配置され、圧縮成型されることによって形成される。成型金型は、キャビティ５１ａを形成する、互いに対向する一対の第１内壁面５６と、互いに対向する一対の第２内壁面５４と、一対の第１内壁面の少なくとも一方に形成された第１突起５６ａと、を有する。第１突起は、キャビティの内側に向けて突出し、第１内壁面に平行に延在する形状を有する。コイル導体は、コイル導体の巻軸が第１突起の延びる方向と平行となる姿勢で、キャビティの内側に配置され、第１突起に近接している。
【選択図】図６
【解決手段】導線が巻回されて形成されたコイル導体２０と、金属磁性粉と樹脂とを含有しコイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備えるインダクタの製造方法であって、素体は、予備成型体７１と予備成型体に配置されたコイル導体とが、成型金型に形成されたキャビティ５１ａの内側に配置され、圧縮成型されることによって形成される。成型金型は、キャビティ５１ａを形成する、互いに対向する一対の第１内壁面５６と、互いに対向する一対の第２内壁面５４と、一対の第１内壁面の少なくとも一方に形成された第１突起５６ａと、を有する。第１突起は、キャビティの内側に向けて突出し、第１内壁面に平行に延在する形状を有する。コイル導体は、コイル導体の巻軸が第１突起の延びる方向と平行となる姿勢で、キャビティの内側に配置され、第１突起に近接している。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備えるインダクタの製造方法であって、
前記素体は、予備成型体と前記予備成型体に配置された前記コイル導体とが、成型金型に形成されたキャビティの内側に配置され、圧縮成型されることによって形成され、
前記成型金型は、前記キャビティを形成する、互いに対向する一対の第１内壁面と、互いに対向する一対の第２内壁面と、一対の前記第１内壁面の少なくとも一方に形成された第１突起と、を有し、
前記第１突起は、前記キャビティの内側に向けて突出し、前記第１内壁面に平行に延在する形状であり、
前記コイル導体は、前記コイル導体の巻軸が前記第１突起の延びる方向と平行となる姿勢で、前記キャビティの内側に配置され、前記コイル導体が前記第１突起に近接している、
インダクタの製造方法。
前記素体は、予備成型体と前記予備成型体に配置された前記コイル導体とが、成型金型に形成されたキャビティの内側に配置され、圧縮成型されることによって形成され、
前記成型金型は、前記キャビティを形成する、互いに対向する一対の第１内壁面と、互いに対向する一対の第２内壁面と、一対の前記第１内壁面の少なくとも一方に形成された第１突起と、を有し、
前記第１突起は、前記キャビティの内側に向けて突出し、前記第１内壁面に平行に延在する形状であり、
前記コイル導体は、前記コイル導体の巻軸が前記第１突起の延びる方向と平行となる姿勢で、前記キャビティの内側に配置され、前記コイル導体が前記第１突起に近接している、
インダクタの製造方法。
【請求項2】
一対の前記第１内壁面には、前記第１突起がそれぞれ形成される、
請求項１に記載のインダクタの製造方法。
請求項１に記載のインダクタの製造方法。
【請求項3】
前記コイル導体は、前記第１突起に対して接触している、
請求項１または２に記載のインダクタの製造方法。
請求項１または２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項4】
前記コイル導体は、前記第１突起のうち、前記第１突起の延びる方向の中央において、前記第１突起に接触している、
請求項３に記載のインダクタの製造方法。
請求項３に記載のインダクタの製造方法。
【請求項5】
前記成型金型は、一対の前記第２内壁面において、前記キャビティの内側に向けて突出し、前記第２内壁面に平行に延在してそれぞれ形成された、第２突起をさらに有し、
前記コイル導体は、前記第２突起に対して近接している、
請求項１または２に記載のインダクタの製造方法。
前記コイル導体は、前記第２突起に対して近接している、
請求項１または２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項6】
前記コイル導体は、前記第２突起に対して接触している、
請求項５に記載のインダクタの製造方法。
請求項５に記載のインダクタの製造方法。
【請求項7】
前記圧縮成型によって形成された前記素体を、絶縁性樹脂によって被覆する、
請求項１または２に記載のインダクタの製造方法。
請求項１または２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項8】
導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備え、
前記コアは、前記コイル導体の巻軸に平行な一対の第１側面と、前記第１側面に交差して前記巻軸に平行な一対の第２側面と、一対の前記第１側面の少なくとも一方に形成される第１溝と、を有し、
一対の前記第１側面は、前記コアにおいて互いに対向する面であり、
前記第１溝は、前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる、
インダクタ。
前記コアは、前記コイル導体の巻軸に平行な一対の第１側面と、前記第１側面に交差して前記巻軸に平行な一対の第２側面と、一対の前記第１側面の少なくとも一方に形成される第１溝と、を有し、
一対の前記第１側面は、前記コアにおいて互いに対向する面であり、
前記第１溝は、前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる、
インダクタ。
【請求項9】
一対の前記第１側面には、前記第１溝がそれぞれ形成される、
請求項８に記載のインダクタ。
請求項８に記載のインダクタ。
【請求項10】
前記コアは、前記第２側面において前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる第２溝をさらに有する、
請求項８に記載のインダクタ。
請求項８に記載のインダクタ。
【請求項11】
前記導線は、平角状導線である、
請求項８から１０のいずれかに記載のインダクタ。
請求項８から１０のいずれかに記載のインダクタ。
【請求項12】
前記コイル導体は、前記導線が巻回された巻回部を有し、
前記巻回部の一部は、前記第１溝を介して前記コアの外側に露出する、
請求項８から１０のいずれかに記載のインダクタ。
前記巻回部の一部は、前記第１溝を介して前記コアの外側に露出する、
請求項８から１０のいずれかに記載のインダクタ。
【請求項13】
前記巻回部の一部は、前記第１溝のうち、前記第１溝の延びる方向の中央において、前記コアの外側に露出する、
請求項１２に記載のインダクタ。
請求項１２に記載のインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、インダクタの製造方法、および、インダクタに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、導線を巻回して形成したコイルと、樹脂と磁性材料を含む封止材を用い、コイルを内蔵する成型体を備えた表面実装インダクタを開示する。このインダクタは、成型金型のキャビティの内側に、コイルと、平板形状の周縁部に柱状凸部を有するタブレットと、を配置し、加熱して圧縮する樹脂成型法に依って成型体を製造する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０―２４５４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この種のインダクタの製造方法は、小型化を目指す上で成型体の内部におけるコイル導体の位置決めの精度に改良の余地があった。そして、インダクタの特性は成型体の内部のコイル導体の位置に影響を受けるため、製造されるインダクタごとの特性のばらつきの抑制について改良の余地があった。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一様態は、導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備えるインダクタの製造方法であって、前記素体は、予備成型体と前記予備成型体に配置された前記コイル導体とが、成型金型に形成されたキャビティの内側に配置され、圧縮成型されることによって形成され、前記成型金型は、前記キャビティを形成する、互いに対向する一対の第１内壁面と、互いに対向する一対の第２内壁面と、一対の前記第１内壁面の少なくとも一方に形成された第１突起と、を有し、前記第１突起は、前記キャビティの内側に向けて突出し、前記第１内壁面に平行に延在する形状であり、前記コイル導体は、前記コイル導体の巻軸が前記第１突起の延びる方向と平行となる姿勢で、前記キャビティの内側に配置され、前記コイル導体が前記第１突起に近接している、インダクタの製造方法である。
本発明の他の一様態は、導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備え、前記コアは、前記コイル導体の巻軸に平行な一対の第１側面と、前記第１側面に交差して前記巻軸に平行な一対の第２側面と、一対の前記第１側面の少なくとも一方に形成される第１溝と、を有し、一対の前記第１側面は、前記コアにおいて互いに対向する面であり、前記第１溝は、前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる、インダクタである。
本発明の他の一様態は、導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備え、前記コアは、前記コイル導体の巻軸に平行な一対の第１側面と、前記第１側面に交差して前記巻軸に平行な一対の第２側面と、一対の前記第１側面の少なくとも一方に形成される第１溝と、を有し、一対の前記第１側面は、前記コアにおいて互いに対向する面であり、前記第１溝は、前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる、インダクタである。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、インダクタごとの特性のばらつきを抑制し易くできる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の実施形態１に係るインダクタを上面の側から視た斜視図である。
【図2】実施形態１に係るインダクタを底面の側から視た斜視図である。
【図3】実施形態１に係るインダクタの内部構成を示す透視斜視図である。
【図4】実施形態１に係るインダクタの製造工程の概要図である。
【図5】実施形態１に係る成型金型の断面視図である。
【図7】実施形態１に係る素体を上面の側から視た平面図である。
【図8】実施形態１に係る素体を側面の側から視た側面図である。
【図9】実施例に係るシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図10】実施形態２に係る上型の断面視図である。
【図11】実施形態２に係る素体を上面の側から視た平面図である。
【図12】実施形態３に係る素成型金型の断面視図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
［実施形態１］
以下、実施形態１に係るインダクタ１の製造方法およびインダクタ１について説明する。
（インダクタ全体構成）
図１は本実施形態に係るインダクタ１を上面１２の側から視た斜視図であり、図２はインダクタ１を底面１０の側から視た斜視図である。
本実施形態のインダクタ１は、表面実装型の電子部品として構成されており、略六面体形状の一態様である略直方体形状の素体２と、当該素体２の表面に設けられた一対の外部電極４とを備えている。
以下、実施形態１に係るインダクタ１の製造方法およびインダクタ１について説明する。
（インダクタ全体構成）
図１は本実施形態に係るインダクタ１を上面１２の側から視た斜視図であり、図２はインダクタ１を底面１０の側から視た斜視図である。
本実施形態のインダクタ１は、表面実装型の電子部品として構成されており、略六面体形状の一態様である略直方体形状の素体２と、当該素体２の表面に設けられた一対の外部電極４とを備えている。
【0009】
以下、素体２において、実装時に図示しない実装基板に向けられる第１の主面を底面１０と定義し、底面１０に対向する第２の主面を上面１２と言い、底面１０に直交する一対の第３の主面を端面（第２側面）１４と言い、これら底面１０、及び一対の端面１４に直交する一対の第４の主面を側面（第１側面）１６と言う。一対の端面１４は、互いに対向して配置される。また、一対の側面１６は、互いに対向して配置される。一対の側面１６には、互いに平行な一対の第１溝１６ａがそれぞれ形成されている。第１溝１６ａについての詳細は、後述する。
図１に示すように、底面１０から上面１２までの距離を素体２の厚みＴと定義し、一対の側面１６の間の距離を素体２の幅Ｗと定義し、一対の端面１４の間の距離を素体２の長さＬと定義する。また、厚みＴの方向を厚み方向ＤＴと定義し、幅Ｗの方向を幅方向ＤＷと定義し、長さ距離の方向を長さ方向ＤＬと定義する。
完成品としてのインダクタ１の公称サイズは、例えば、長さＬ寸法が１．４ｍｍ、幅Ｗ寸法が１．２ｍｍ、厚みＴ寸法が０．６５ｍｍである。
図１に示すように、底面１０から上面１２までの距離を素体２の厚みＴと定義し、一対の側面１６の間の距離を素体２の幅Ｗと定義し、一対の端面１４の間の距離を素体２の長さＬと定義する。また、厚みＴの方向を厚み方向ＤＴと定義し、幅Ｗの方向を幅方向ＤＷと定義し、長さ距離の方向を長さ方向ＤＬと定義する。
完成品としてのインダクタ１の公称サイズは、例えば、長さＬ寸法が１．４ｍｍ、幅Ｗ寸法が１．２ｍｍ、厚みＴ寸法が０．６５ｍｍである。
【0010】
以下、ＤＬ方向およびＤＴ方向に沿った面（ＤＷ方向に直交する面）をＬＴ面、ＤＴ方向およびＤＷ方向に沿った面（ＤＬ方向に直交する面）をＴＷ面、ＤＬ方向およびＤＷ方向に沿った面（ＤＴ方向に直交する面）をＬＷ面というものとする。また、インダクタ１の、ＬＴ面、ＴＷ面、およびＬＷ面に沿った断面を、それぞれ、ＬＴ断面、ＴＷ断面、及びＬＷ断面というものとする。
【0011】
図３は、インダクタ１の内部構成を示す透視斜視図である。
素体２は、コイル導体２０と、当該コイル導体２０が埋設された略六面体形状のコア３０と、を備え、かかるコイル導体２０をコア３０に封入したモールドインダクタして構成されている。
素体２は、コイル導体２０と、当該コイル導体２０が埋設された略六面体形状のコア３０と、を備え、かかるコイル導体２０をコア３０に封入したモールドインダクタして構成されている。
【0012】
コア３０は、磁性粒子（金属磁性粉）と樹脂を混合した混合粉を、コイル導体２０を内包した状態で加圧及び加熱することで略六面体形状に圧縮成型された成型体である。
【0013】
また、本実施形態の磁性粒子は、軟磁性体で形成されており、平均粒径が比較的大きな大粒子の第１磁性粒子と、平均粒径が比較的小さな小粒子の第２磁性粒子との２種類の粒度の粒子を含んでいる。これにより、圧縮成型時において、大粒子の第１磁性粒子の間に、小粒子である第２磁性粒子が樹脂とともに入り込むことでコア３０における磁性粒子の充填率を大きくし、また透磁率も高めることができる。
本実施形態において、第１磁性粒子の金属粒子の平均粒径は、２０μｍ以上２８μｍ以下であり、第２磁性粒子の金属粒子の平均粒径は、１μｍ以上６μｍ以下である。なお、第１磁性粒子の平均粒径は２１．４μｍ以上２７．４μｍ以下が好ましく、第２磁性粒子の平均粒径は１．５μｍ以上１．８μｍ以下が好ましい。また、磁性粒子が第１磁性粒子および第２磁性粒子と異なる平均粒径の粒子を含むことで、３種類以上の粒度の粒子を含んでもよい。
本実施形態において、第１磁性粒子の金属粒子の平均粒径は、２０μｍ以上２８μｍ以下であり、第２磁性粒子の金属粒子の平均粒径は、１μｍ以上６μｍ以下である。なお、第１磁性粒子の平均粒径は２１．４μｍ以上２７．４μｍ以下が好ましく、第２磁性粒子の平均粒径は１．５μｍ以上１．８μｍ以下が好ましい。また、磁性粒子が第１磁性粒子および第２磁性粒子と異なる平均粒径の粒子を含むことで、３種類以上の粒度の粒子を含んでもよい。
【0014】
第１磁性粒子及び第２磁性粒子はいずれも、金属粒子と、金属粒子の表面を覆う酸化膜と、酸化膜の表面を覆う絶縁膜とを有した粒子である。金属粒子が酸化膜及び絶縁膜で覆われることで、絶縁抵抗と耐電圧とが高められる。
本実施形態の第１磁性粒子では、金属粒子には、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂアモルファス合金粉が用いられている。第１磁性粒子の酸化膜は、ＳｉＯ層とＦｅ２ＳｉＯ４の２層で構成されており、酸化膜全体の厚みは２０ｎｍ以上１５５ｎｍ以下である。また、第１磁性粒子の絶縁膜は、厚み１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のリン酸塩ガラスで形成されている。
本実施形態の第１磁性粒子では、金属粒子には、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂアモルファス合金粉が用いられている。第１磁性粒子の酸化膜は、ＳｉＯ層とＦｅ２ＳｉＯ４の２層で構成されており、酸化膜全体の厚みは２０ｎｍ以上１５５ｎｍ以下である。また、第１磁性粒子の絶縁膜は、厚み１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のリン酸塩ガラスで形成されている。
【0015】
また、本実施形態の第２磁性粒子では、金属粒子には、カルボニル鉄粉が用いられている。第２磁性粒子の酸化膜は、金属粒子であるカルボニル鉄粉を表面酸化して形成される酸化鉄である。また、第２磁性粒子の絶縁膜は、シリカを成分とするゾルゲル反応生成物である。これにより、第２磁性粒子の表面の滑り性を高めて、後述する素体２の素体成型・硬化工程の際に第１磁性粒子の間への第２磁性粒子の入り込みを容易にすることができる。その結果、コア３０における磁性材料の密度をより増大させて、コア３０の比透磁率を更に増大させることができる。
【0016】
なお、第１磁性粒子において、金属粒子には、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉、Ｆｅ－Ｎｉ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金粉、Ｆｅ－Ｎｉ合金粉、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ合金粉を用いてもよい。
また、第１磁性粒子において、絶縁膜には、リン酸、リン酸亜鉛、リン酸マンガン、ガラス、または樹脂を用いてもよい。
また、第１磁性粒子において、絶縁膜には、リン酸、リン酸亜鉛、リン酸マンガン、ガラス、または樹脂を用いてもよい。
【0017】
本実施形態の混合粉が含む樹脂の材料は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂とを含む。これにより、素体２の強度と靭性の双方が向上したインダクタ１を製造することができる。
【0018】
本実施形態では、混合粉に含まれる磁性粉は、その混合粉に含まれる磁性粒子の総重量を基準として第１磁性粒子が７０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下、第２磁性粒子が１５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。また、混合粉に含まれる樹脂は、磁性粉と樹脂の総重量を基準として、２．０ｗｔ％以上３．５ｗｔ％以下である。なお、第１磁性粒子は、７０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、第２磁性粒子は、２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下が好ましい。また、樹脂は、２．７ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下が好ましい。
【0019】
コイル導体２０は、図３に示すように、巻軸Ｋの周りに導線がその両端が外周に位置し、かつ内周で互いに繋がるように渦巻き状に巻軸Ｋに沿って上下２段に巻回された巻回部２２と、当該巻回部２２から引き出された一対の引出部２３と、引出部２３のそれぞれにつながり、後述の外部電極に接続するための導線部分である一対の外部電極接続部２４と、を備える。巻回部２２は、巻軸Ｋに沿って重なった２つの巻回領域２２ａ、２２ｂを含む。巻回領域２２ａと２２ｂとは、それらの内周の一部において互いの導線がつながっている。
【0020】
コイル導体２０は、巻軸Ｋが素体２の厚み方向ＤＴに沿うように素体２内に埋設されている。
【0021】
コイル導体２０を構成する導線は、導体と、導体の表面に形成された被覆層とで構成される。導線は、断面が矩形の平角状導線であり、導体は、銅を材質とする断面が矩形の帯状導体である。導体の厚みは、５２μｍ以上１１８μｍ以下、幅は、１１０μｍ以上１８０μｍ以下である。被覆層は、帯状導線の表面上に形成された絶縁層と、絶縁層の表面に形成された、巻回部２２において重なりあう帯状導線同士を接着するための融着層と、で構成される。絶縁層は、例えば、ポリイミドアミド樹脂から成り、厚みは３μｍである。また、融着層は、例えば、ポリアミド樹脂から成り、厚みは、１μｍ以上２５μｍ以下である。
【0022】
引出部２３は、巻回部２２から引き出され、一対の端面１４のそれぞれまで引き出され露出する外部電極接続部２４を介して外部電極４に電気的に接続されている。
一対の外部電極４は、素体２の端面１４のそれぞれから底面１０に亘って延びるＬ字状部材で構成された、いわゆるＬ字電極である。外部電極４はそれぞれ、端面１４においてコイル導体２０の外部電極接続部２４と接続され、また底面１０に延出した部分４Ａ（図２）がはんだなどの適宜の実装手段によって回路基板の配線に電気的に接続される。
一対の外部電極４は、素体２の端面１４のそれぞれから底面１０に亘って延びるＬ字状部材で構成された、いわゆるＬ字電極である。外部電極４はそれぞれ、端面１４においてコイル導体２０の外部電極接続部２４と接続され、また底面１０に延出した部分４Ａ（図２）がはんだなどの適宜の実装手段によって回路基板の配線に電気的に接続される。
【0023】
また、外部電極４の範囲を除く素体２の表面には、素体保護層（図示せず）が形成されている。素体保護層は、例えば、ノボラック樹脂にフェノキシ樹脂を添加した樹脂であり、フィラーとしてナノシリカを含む。素体保護層は、素体２の表面上に、１０μｍ以上３０μｍ以下の厚みで形成されている。なお、素体保護層の厚みは、１０μｍ以上２０μｍ以下が望ましく、１５μｍ以下がより好ましい。
【0024】
かかる構成のインダクタ１は、磁性粒子に軟磁性材料を用いることにより、直流重畳特性を改善できるので、大電流が流れる電気回路の電子部品、ＤＣ－ＤＣコンバータ回路や電源回路のチョークコイルとして用いられ、また、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、スマートフォン、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器の電子部品に用いられる。ただし、インダクタ１の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。
【0025】
（インダクタ製造工程概要）
図４は、インダクタ１の製造工程の概要図である。
同図に示すように、インダクタ１の製造工程は、コイル導体形成工程、予備成型体形成工程、素体成型・硬化工程、及び、外部電極形成工程を含んでいる。
図４は、インダクタ１の製造工程の概要図である。
同図に示すように、インダクタ１の製造工程は、コイル導体形成工程、予備成型体形成工程、素体成型・硬化工程、及び、外部電極形成工程を含んでいる。
【0026】
コイル導体形成工程は、導線からコイル導体２０を形成する工程である。当該工程において、コイル導体２０は、「アルファ巻」と称される巻き方で導線を巻回することにより、上述した巻回部２２、引出部２３及び、外部電極接続部２４を有した形状に形成される。アルファ巻とは、導体として機能する導線の巻始めと巻終わりの引出部２３が外周に位置するように渦巻き状に２段に巻回された状態を言う。コイル導体２０のターン数は、特に限定されるものではない。
【0027】
予備成型体形成工程は、タブレットと称される予備成型体を形成する工程である。
予備成型体は、素体２の材料である上記混合粉を加圧することで、取り扱いが容易な固形状に成型したものであり、本実施形態では、コイル導体２０が配置される適宜形状（例えばＴ型など）の第１タブレットと、この第１タブレットとの間にコイル導体２０を挟む適宜形状（例えばＩ型や板状など）の第２タブレットとの２種類のタブレットが形成される。
予備成型体は、素体２の材料である上記混合粉を加圧することで、取り扱いが容易な固形状に成型したものであり、本実施形態では、コイル導体２０が配置される適宜形状（例えばＴ型など）の第１タブレットと、この第１タブレットとの間にコイル導体２０を挟む適宜形状（例えばＩ型や板状など）の第２タブレットとの２種類のタブレットが形成される。
【0028】
素体成型・硬化工程は、第１タブレット、コイル導体、及び第２タブレットを成型金型にセットし、熱を加えながら、第１タブレットと第２タブレットの重なり方向に加圧し、これらを硬化させることとで、第１タブレット、コイル導体、及び第２タブレットを一体化する。これにより、コイル導体２０をコア３０に内包した素体２が成型される。素体成型・硬化工程についての詳細は、後述する。また、この工程で得られた素体２に対して、素体２に生じたバリ等を除去したり、素体２の角を面取りしたりするために、バレル研磨を行っても良い。
【0029】
外部電極形成工程は、外部電極４を素体２に形成する工程であり、素体保護層形成工程と、表面処理工程と、めっき層形成工程と、を含んでいる。
【0030】
素体保護層形成工程は、素体２の全表面を絶縁性の樹脂でコーティングする工程である。
【0031】
表面処理工程は、コア３０の表面の電極予定箇所にレーザ光を照射することで電極予定箇所の表面を改質する工程である。ここで、電極予定箇所とは、コア３０の表面のうち外部電極４を形成すべき範囲をいい、外部電極接続部２４が露出されている部分を含む。具体的には、レーザ光を照射することにより、電極予定箇所の範囲において、素体２の表面の素体保護層およびコイル導体２０の外部電極接続部２４の被覆層を除去すると共に、コア３０の表面の樹脂を除去し、且つ、コア３０から露出している磁性粒子の表面の絶縁膜を除去する。これにより、コア３０の表面のうち電極予定箇所の部分は、コア３０の他の表面部分に比べて、コア３０の表面の単位面積あたりの磁性粒子の金属の露出面積が大きくなる。なお、レーザ光の照射後に、電極予定箇所の表面を清浄するための洗浄処理（例えばエッチング処理）を行っても良い。
【0032】
めっき層形成工程では、コア３０の表面に銅をバレルめっきすることにより、レーザ光が照射された電極予定箇所に銅めっき層を形成する。これに加えて、めっき層は、銅めっき層の上に、さらにＮｉめっき層およびＳｎめっき層を設けて形成されるものとしてもよい。
【0033】
以下、本実施形態におけるインダクタ１の製造方法およびインダクタ１の詳細について、更に説明する。
【0034】
（素体成型・硬化工程の詳細）
図５は、素体成型・硬化工程における成型金型５０の断面視図であり、ＴＷ断面における成型金型５０を示す。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ断面における断面視図である。成型金型５０は、キャビティ５１ａが形成された上型５１と、キャビティ５１ａの片端を閉塞する下型５３と、下型５３の反対側からキャビティ５１ａに挿入されるパンチ５５と、を有する。成型金型５０は、キャビティ５１ａの内側において下型５３に載置される素体２の構成要素をパンチ５５によって圧縮することにより、素体２を圧縮成型する。
図５は、素体成型・硬化工程における成型金型５０の断面視図であり、ＴＷ断面における成型金型５０を示す。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ断面における断面視図である。成型金型５０は、キャビティ５１ａが形成された上型５１と、キャビティ５１ａの片端を閉塞する下型５３と、下型５３の反対側からキャビティ５１ａに挿入されるパンチ５５と、を有する。成型金型５０は、キャビティ５１ａの内側において下型５３に載置される素体２の構成要素をパンチ５５によって圧縮することにより、素体２を圧縮成型する。
【0035】
上型５１は、外形が直方体形状の金型である。キャビティ５１ａは、厚み方向ＤＴに沿って上型５１を貫通して形成される孔であり、厚み方向ＤＴから見て略矩形状である。キャビティ５１ａは、上型５１に、互いに対向する一対の第１内壁面５６と、互いに対向する一対の第２内壁面５４とが形成され、一対の第１内壁面５６および一対の第２内壁面５４に囲まれることにより形成される孔である。第１内壁面５６と第２内壁面５４とは、互いに直交する。図６に示すように、一対の第１内壁面５６は、互いの間隔を幅Ｗ０として形成されている。一対の第２内壁面５４は、互いの間隔を長さＬ０として形成されている。幅Ｗ０は、インダクタ１のうち、素体２の幅方向ＤＷにおける寸法に相当し、実施形態１では１．１５ｍｍである。また、長さＬ０は、素体２の長さ方向ＤＬにおける寸法に相当し、実施形態１では１．３５ｍｍである。第１内壁面５６および第２内壁面５４は、素体２の圧縮成型時において、それぞれ素体２の側面１６および端面１４を成型する。
【0036】
一対の第１内壁面５６には、キャビティ５１ａの内側に向けて突出する第１突起５６ａがそれぞれ形成されている。第１突起５６ａの突出量は、例えば、５０μｍ程度である。第１突起５６ａは、厚み方向ＤＴに平行に延びている。一対の第１突起５６ａは、一対の第１内壁面５６の対向する位置に設けられ、互いの先端どうしの間隔が間隔Ｗ１となる様に設定されている。また、第１突起５６ａの寸法は、長さ方向ＤＬにおける平均寸法が、厚み方向ＤＴにおける寸法よりも小さく形成される。一対の第１突起５６ａは、素体２の圧縮成型時において、それぞれ後述の第１溝１６ａを成型する。
【0037】
下型５３は、略矩形状の板状の部材である。下型５３は、上型５１の外側に開口するキャビティ５１ａの厚み方向ＤＴにおける片端を、キャビティ５１ａの外側から閉塞する。下型５３は、素体２の圧縮成型時において、素体２の底面１０を成型する。
【0038】
パンチ５５は、厚み方向ＤＴに沿って視たキャビティ５１ａの形状と同様の形状の断面を有する部材であり、厚み方向ＤＴに沿って移動可能である。パンチ５５は、下型５３によって塞がれていないキャビティ５１ａの他端からキャビティ５１ａに挿入される。キャビティ５１ａに挿入されたパンチ５５の外縁は、上型５１の第１内壁面５６、第２内壁面５４、および、第１突起５６ａにそれぞれ沿う。
【0039】
【0040】
第１タブレット７１は、上記混合粉が圧縮成型された予備成型体であり、下型５３に載置される。第１タブレット７１は、いわゆるＴ型予備成型体であり、平板部７１ａと、軸部７１ｂと、を有する。平板部７１ａは、略矩形状の板状の部分であり、長さ方向ＤＬに沿った寸法が長さＬ０よりも小さい。また、平板部７１ａの幅方向ＤＷにおける寸法は、第１突起５６ａどうしの間隔Ｗ１と同等に設定される。このため、キャビティ５１ａ内に配置される平板部７１ａは、一対の第１突起５６ａに沿って配置され、幅方向ＤＷにおいて第１突起５６ａによって位置決めされる。軸部７１ｂは、厚み方向ＤＴから見て平板部７１ａにおける中心に形成され、厚み方向ＤＴに向けて突出する。
【0041】
コイル導体２０は、巻回部２２に軸部７１ｂが挿入される位置において、平板部７１ａに載置される。コイル導体２０は、キャビティ５１ａ内において、巻軸Ｋが上型５１の厚み方向ＤＴに沿い、外部電極接続部２４が第２内壁面５４に沿う向きに配置されている。すなわち、コイル導体２０は、巻軸Ｋと一対の第１突起５６ａが延びる方向とが平行となる姿勢で、キャビティ５１ａ内に配置される。また、巻回部２２の幅方向ＤＷに沿った寸法は、一対の第１突起５６ａの先端どうしの幅方向ＤＷにおける間隔Ｗ１と同等である。換言すれば、一対の第１突起５６ａの先端どうしの間隔Ｗ１は、巻回部２２の幅方向ＤＷに沿った寸法と同等になるように設定される。巻回部２２の外周は、一対の第１突起５６ａの先端に接触する位置に配置される。
【0042】
第２タブレット７３は、上記混合粉が圧縮成型された予備成型体であり、第１タブレット７１との間にコイル導体２０を挟んで配置される。第２タブレット７３は、平板形状のいわゆるＩ型予備成型体であり、厚み方向ＤＴに直交する向きに配置される。
【0043】
素体成型・硬化工程においては、成型金型５０に熱を加えた状態で、キャビティ５１ａの内側に上記の様に配置された素体２の各構成要素を、下型５３に向けて移動するパンチ５５によって圧縮して、コイル導体２０が埋め込まれたコア３０を成型する。これにより、コイル導体２０とコア３０とを有する素体２を成型する。
【0044】
このとき、巻回部２２の幅方向ＤＷに沿った動きが一対の第１突起５６ａに規制される。このため、素体成型・硬化工程において成型された素体２において、幅方向ＤＷにおけるコイル導体２０の位置は、成型された素体２ごとにばらつきにくくなる。後述の実施例に記載の様に、素体２におけるコイル導体２０の位置は、直流重畳定格電流（以下、Ｉｓａｔと呼称する）およびインダクタンス値（以下、Ｌ値と呼称する）等のインダクタ１の特性に影響する。このため、一対の第１突起５６ａによってコイル導体２０の位置決めを行うことにより、インダクタ１の特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0045】
また、上述したように、実施形態１のコイル導体２０は平角状導線によって構成されるため、導線として丸線を使用した場合に比べ、巻回部２２が第１突起５６ａに接する面積が大きくなり易い。このため、コイル導体２０を平角状導線とすることにより、素体２内におけるコイル導体２０の位置がばらつきにくくなり、インダクタ１の特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0046】
素体２の成型後は、成型金型５０から下型５３が取り外され、素体２はパンチ５５によってキャビティ５１ａから押し出される。
【0047】
実施形態１においては、第１タブレット７１としてＴ型予備成型体を用い、第１突起５６ａによってコイル導体２０の位置決めをしているが、これは従来の素体成型・硬化工程とは異なる。従来は実施形態１とは異なり、第１タブレット７１として、巻回部２２の外周のうち幅方向ＤＷの両外側に沿う２つの突起を有するＥ型予備成型体を使用し、Ｅ型予備成型体の軸部７１ｂおよび２つの突起によって、巻回部２２を位置決めしていた。この場合、成型金型５０には、コイル導体２０を位置決めできる第１突起５６ａが形成されていなかった。このような従来の成型金型５０において、素体２の小型化のために、第１タブレット７１として本実施の形態のようなＴ型予備成型体を用いた場合は、コイル導体２０は外側から位置決めされないため、位置ずれの抑制に改良の余地があった。これに対し、実施形態１では、一対の第１突起５６ａが形成された成型金型５０を使用することにより、巻回部２２を幅方向ＤＷの両側から挟む突起を有さないＴ型予備成型体を第１タブレット７１として使用してもコイル導体２０が位置ずれしにくくなる。このため、素体２の幅方向ＤＷの寸法を従来よりも小さくし易くなっている。また、実施形態１では、従来とは異なり、キャビティ５１ａ内で移動しない第１突起５６ａによってコイル導体２０の位置決めができるため、従来よりもコイル導体２０の位置決め精度が向上している。
【0048】
（成型された素体の構成）
図７は、素体２を上面１２の側から視た平面図である。図８は、素体２を側面１６の側から視た側面図である。なお、図８には、厚み方向ＤＴにおける側面１６の寸法の二等分線Ｃを示してある。図７および図８に示すように、素体成型・硬化工程において成型された素体２の互いに対向する一対の側面１６には、それぞれ１つの第１溝１６ａが形成されている。一対の第１溝１６ａは、コイル導体２０の巻軸Ｋに沿って、厚み方向ＤＴを長手方向として延びており、コア３０の内側に向けて窪んでいる。第１溝１６ａは、素体成型・硬化工程において、第１突起５６ａが混合粉を押しのけることによって形成されている。第１溝１６ａのＬＷ断面形状は、第１突起５６ａのＬＷ断面形状と同一の形状である。
図７は、素体２を上面１２の側から視た平面図である。図８は、素体２を側面１６の側から視た側面図である。なお、図８には、厚み方向ＤＴにおける側面１６の寸法の二等分線Ｃを示してある。図７および図８に示すように、素体成型・硬化工程において成型された素体２の互いに対向する一対の側面１６には、それぞれ１つの第１溝１６ａが形成されている。一対の第１溝１６ａは、コイル導体２０の巻軸Ｋに沿って、厚み方向ＤＴを長手方向として延びており、コア３０の内側に向けて窪んでいる。第１溝１６ａは、素体成型・硬化工程において、第１突起５６ａが混合粉を押しのけることによって形成されている。第１溝１６ａのＬＷ断面形状は、第１突起５６ａのＬＷ断面形状と同一の形状である。
【0049】
図８に示すように、コア３０の表面からは、第１溝１６ａを介して、上段の巻回領域２２ａの一部である露出部２２ａ１、下段の巻回領域２２ｂの一部である露出部２２ｂ１がそれぞれ露出している。換言すれば、素体２においては、第１溝１６ａから素体２の外部に露出する程度に、幅方向ＤＷにおける寸法が大きい巻回部２２を有するコイル導体２０が使用される。このため、巻回部２２の断面積を大きくし易く、インダクタ１のＬ値を大きくし易い。
【0050】
また、図８に示すように、コイル導体２０は、幅方向ＤＷに沿って視て、厚み方向ＤＴにおける側面１６の二等分線Ｃに重なる位置に形成されており、露出部２２ａ１、２２ｂ１は、二等分線Ｃに重なる。すなわち、露出部２２ａ１、２２ｂ１は、第１溝１６ａの延びる方向における中央に形成される。露出部２２ａ１、２２ｂ１は、素体成型・硬化工程において、巻回領域２２ａ、２２ｂのうち第１突起５６ａの延びる方向の中央部に接触していた部分である。このため、露出部２２ａ１、２２ｂ１が第１溝１６ａの延びる方向の中央に形成される場合、素体２内において巻回部２２を位置決めし易くなる。
なお、この成型された素体２が素体保護層形成工程において薄い絶縁性の樹脂でコーティングされることにより、露出部２２ａ１、２２ｂ１は薄い絶縁性の樹脂で覆われることになる。すなわち、実施形態１の巻回部２２の露出部２２ａ１、２２ｂ１は、素体２を構成するコア３０からは露出しているが、素体２の表面に対して更に絶縁性の樹脂をコーティングしたインダクタ１の外面には露出していない。このようなコーティングにより、コア３０の外側に露出した露出部２２ａ１、２２ｂ１を覆い隠すことができるため、巻回部２２が露出することによる外観上の違和感を解消することができる。
なお、この成型された素体２が素体保護層形成工程において薄い絶縁性の樹脂でコーティングされることにより、露出部２２ａ１、２２ｂ１は薄い絶縁性の樹脂で覆われることになる。すなわち、実施形態１の巻回部２２の露出部２２ａ１、２２ｂ１は、素体２を構成するコア３０からは露出しているが、素体２の表面に対して更に絶縁性の樹脂をコーティングしたインダクタ１の外面には露出していない。このようなコーティングにより、コア３０の外側に露出した露出部２２ａ１、２２ｂ１を覆い隠すことができるため、巻回部２２が露出することによる外観上の違和感を解消することができる。
【0051】
［実施例］
発明者らは、素体２におけるコイル導体２０の位置のずれがインダクタ１の特性に与える影響を検証するための実験を実施した。実験において、発明者らはインダクタ１を作成し、作成されたインダクタ１のＩｓａｔおよびＬ値をもとに、シミュレーションによって、コイル導体２０の位置のずれがＩｓａｔおよびＬ値に与える影響を推定した。以下、実施例において、発明者らの行った実験の詳細を説明する。
発明者らは、素体２におけるコイル導体２０の位置のずれがインダクタ１の特性に与える影響を検証するための実験を実施した。実験において、発明者らはインダクタ１を作成し、作成されたインダクタ１のＩｓａｔおよびＬ値をもとに、シミュレーションによって、コイル導体２０の位置のずれがＩｓａｔおよびＬ値に与える影響を推定した。以下、実施例において、発明者らの行った実験の詳細を説明する。
【0052】
（インダクタの作成）
始めに、発明者らは、シミュレーションに入力するＩｓａｔおよびＬ値を得るために、インダクタ１を作成した。
始めに、発明者らは、シミュレーションに入力するＩｓａｔおよびＬ値を得るために、インダクタ１を作成した。
【0053】
発明者らは、コア３０の材料となる混合粉のうち、金属磁性粉として、第１磁性粒子としてのＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉と、第２磁性粒子としてのカルボニル鉄粉と、を混合したものを使用した。粒度分布計による計測結果によれば、実施例の金属磁性粉は、第１磁性粒子の平均粒径が２５．３μｍ、第２磁性粒子の平均粒径が１．７μｍであった。また、実施例の樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とゴム変性エポキシ樹脂とを含んでおり、混合粉のうち２．７ｗｔ％を占めていた。発明者らの測定によれば、混合粉は、比透磁率が３４であり、飽和磁束密度が１．３６Ｔであった。なお、比透磁率は、ＢＨアナライザとインピーダンス・マテリアル・アナライザを利用し、周波数１ＭＨｚの高周波信号を用いて測定された。また、飽和磁束密度は、ＬＣＲメータと直流電源を用いて重畳時のインダクタンス変化を測定し、ＢＨデータを逆算して、磁束が飽和した値を混合粉の飽和磁束密度とした。
【0054】
実施例において、発明者らは、断面の寸法が縦横それぞれ０．１２８ｍｍおよび０．０８３ｍｍの平角状導線を使用してコイル導体２０を作成した。
【0055】
実施例において、素体２は、長さ方向ＤＬに沿った寸法が１．５２ｍｍ、幅方向ＤＷに沿った寸法が１．３５ｍｍ、厚み方向ＤＴに沿った寸法が０．５７ｍｍとなる様に圧縮成型された。また、素体２において、巻回部２２の外周と一対の側面１６との幅方向ＤＷにおける距離であるサイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２（図７参照）は、それぞれ５０μｍとされた。
【0056】
発明者らは、上記の様に作成された素体２を有するインダクタ１のＩｓａｔおよびＬ値の測定を行った。発明者らは、作成されたインダクタ１のコイル導体２０に印加する直流電流値を増加させながら、ＬＣＲメータにてインダクタンス値を測定し、インダクタンス値が初期値から３０％低下した電流値をＩｓａｔとした。また、発明者らは、ＬＣＲメータによって１Ｈｚにおけるインダクタンス値を測定し、その値をＬ値とした。発明者らの測定によれば、実施例のインダクタ１は、Ｌ値が０．３２μＨであり、Ｉｓａｔが６．５Ａであった。
【0057】
（シミュレーション）
発明者らは、上記の様に作成されたインダクタ１のＬ値およびＩｓａｔをシミュレーションソフトウェアに入力し、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２をそれぞれ変更した場合のＬ値およびＩｓａｔを推定した。なお、発明者らは、素体２におけるコイル導体２０の幅方向ＤＷに沿った位置ずれによる影響を評価するため、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２の合計を１００μｍに固定して、シミュレーションを行った。
発明者らは、上記の様に作成されたインダクタ１のＬ値およびＩｓａｔをシミュレーションソフトウェアに入力し、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２をそれぞれ変更した場合のＬ値およびＩｓａｔを推定した。なお、発明者らは、素体２におけるコイル導体２０の幅方向ＤＷに沿った位置ずれによる影響を評価するため、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２の合計を１００μｍに固定して、シミュレーションを行った。
【0058】
図９は、シミュレーションの結果を示すグラフである。図９に示すように、Ｌ値は、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２がともに５０μｍの場合に最大であることが判明した。また、Ｌ値は、サイドギャップＷＳＧ１が０μｍの場合に最小となり、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２がともに５０μｍの場合と比較して、最大で０．０１５μＨ程度低下した。また、Ｉｓａｔについては、サイドギャップＷＳＧ１、ＷＳＧ２がともに５０μｍの場合と比較して、サイドギャップＷＳＧ１が０μｍの場合に０．１Ａ程度増加した。
【0059】
この結果より、素体２におけるコイル導体２０の幅方向ＤＷにおける変位により、Ｌ値が最大で０．０１５μＨ程度、Ｉｓａｔが最大で０．１Ａ程度変化することが判明した。従って、発明者らは、実施例の実験により、素体２におけるコイル導体２０の幅方向ＤＷにおけるばらつきを抑制することにより、インダクタ１の特性のばらつきを抑制し得るとの示唆を得た。
【0060】
【0061】
（素体成型・硬化工程）
図１０は、実施形態２の上型１５１の断面視図であり、図６に相当する上型１５１のＬＷ断面を示す。図１０に示すように、実施の形態２の上型１５１のうち、互いに対向し、第１内壁面５６と直交する一対の第２内壁面１５４には、それぞれ第２突起１５４ａが形成されている。一対の第２突起１５４ａは、厚み方向ＤＴに沿って互いに平行に延びており、キャビティ５１ａの内側に向けて突出する。第２突起１５４ａどうしの長さ方向ＤＬにおける間隔Ｌ１は、コイル導体２０の巻回部２２の長さ方向ＤＬにおける寸法と同等であり、巻回部２２の外周は、第２突起１５４ａに接触している。また、実施形態２においては、長さ方向ＤＬにおける第１タブレット７１の平板部１７１ａの寸法は、長さ方向ＤＬにおける巻回部２２の寸法と同等に設定され、平板部１７１ａは第２突起１５４ａに沿って配置される。
図１０は、実施形態２の上型１５１の断面視図であり、図６に相当する上型１５１のＬＷ断面を示す。図１０に示すように、実施の形態２の上型１５１のうち、互いに対向し、第１内壁面５６と直交する一対の第２内壁面１５４には、それぞれ第２突起１５４ａが形成されている。一対の第２突起１５４ａは、厚み方向ＤＴに沿って互いに平行に延びており、キャビティ５１ａの内側に向けて突出する。第２突起１５４ａどうしの長さ方向ＤＬにおける間隔Ｌ１は、コイル導体２０の巻回部２２の長さ方向ＤＬにおける寸法と同等であり、巻回部２２の外周は、第２突起１５４ａに接触している。また、実施形態２においては、長さ方向ＤＬにおける第１タブレット７１の平板部１７１ａの寸法は、長さ方向ＤＬにおける巻回部２２の寸法と同等に設定され、平板部１７１ａは第２突起１５４ａに沿って配置される。
【0062】
実施形態２では、コイル導体２０の巻回部２２および第１タブレット７１は、一対の第２突起１５４ａによって長さ方向ＤＬにおいて位置決めされ、圧縮成型中の移動を規制される。
【0063】
（成型された素体の構成）
図１１は、実施形態２の素体１０２を上面１２の側から視た平面図である。図１１に示すように、素体１０２のコア１３０は、側面１６と直交し、互いに対向する一対の端面（第２側面）１１４において、それぞれ互いに平行な第２溝１１４ａを有する。一対の第２溝１１４ａは、厚み方向ＤＴに沿って端面１１４の全長に渡って延びる巻回部２２の巻軸Ｋに平行な溝であり、コア１３０の内側に向けて窪んでいる。
図１１は、実施形態２の素体１０２を上面１２の側から視た平面図である。図１１に示すように、素体１０２のコア１３０は、側面１６と直交し、互いに対向する一対の端面（第２側面）１１４において、それぞれ互いに平行な第２溝１１４ａを有する。一対の第２溝１１４ａは、厚み方向ＤＴに沿って端面１１４の全長に渡って延びる巻回部２２の巻軸Ｋに平行な溝であり、コア１３０の内側に向けて窪んでいる。
【0064】
このように、上型１５１に第２突起１５４ａを設け、素体１０２に第２溝１１４ａが形成される構成とすることにより、素体１０２におけるコイル導体２０の位置は、長さ方向ＤＬにおいても素体１０２ごとにばらつきにくくなる。このため、実施形態２では、インダクタ１の特性のばらつきをより抑制し易い。
【0065】
［実施形態３］
次に、図１２を用いて、実施形態３について説明する。以下では、実施形態１のインダクタ１の製造方法およびインダクタ１と異なる点についてのみ説明し、同一の説明は省略する。図１２は、実施形態３における上型２５１の断面視図であり、図６に相当する上型２５１のＬＷ断面を示す。
次に、図１２を用いて、実施形態３について説明する。以下では、実施形態１のインダクタ１の製造方法およびインダクタ１と異なる点についてのみ説明し、同一の説明は省略する。図１２は、実施形態３における上型２５１の断面視図であり、図６に相当する上型２５１のＬＷ断面を示す。
【0066】
図１２に示すように、上型２５１は、互いに対向する一対の第１内壁面５６、２５６を有する。第１内壁面５６には、第１突起５６ａが形成され、第１内壁面２５６には、第１突起５６ａが形成されていない。また、第１突起５６ａの先端と第１内壁面２５６との幅方向ＤＷの間隔Ｗ１は、巻回部２２の幅方向の寸法と同等である。
【0067】
実施形態３では、コイル導体２０の巻回部２２は、第１突起５６ａと第１内壁面２５６とによって幅方向ＤＷにおいて位置決めされ、圧縮成型中の移動を規制される。このように、一方の第１内壁面５６に第１突起５６ａを１つだけ設けることによっても、素体中のコイル導体２０の位置のばらつきを抑制し、インダクタ１の特性のバラつきを抑制できる。また、図１２の上型２５１を用いることにより成型された素体は、一方の側面１６にのみ第１溝１６ａを有しており、素体内におけるコイル導体２０の位置がばらつきにくくなっている。
【0068】
［他の実施形態］
上述した実施形態１では、素体保護層形成工程において素体２が絶縁性の樹脂にコーティングされると説明したが、これは一例である。インダクタ１の使用目的に応じて、素体２の表面には樹脂によるコーティングがされない構成としてもよい。この場合、露出部２２ａ１、２２ｂ１は、インダクタ１の製造方法の最後まで絶縁性の樹脂で覆われることなく、コイル導体２０の巻回部２２がインダクタ１の外面に露出したままとなる。
上述した実施形態１では、素体保護層形成工程において素体２が絶縁性の樹脂にコーティングされると説明したが、これは一例である。インダクタ１の使用目的に応じて、素体２の表面には樹脂によるコーティングがされない構成としてもよい。この場合、露出部２２ａ１、２２ｂ１は、インダクタ１の製造方法の最後まで絶縁性の樹脂で覆われることなく、コイル導体２０の巻回部２２がインダクタ１の外面に露出したままとなる。
【0069】
また、実施形態１～３では、素体２、１０２に形成された一対の第１溝１６ａは、厚み方向ＤＴにおける側面１６の全長に渡って形成されると説明した。また、素体１０２に形成された一対の第２溝１１４ａは、厚み方向ＤＴにおける端面１４の全長に渡って形成されると説明したが、これらは一例である。第１溝１６ａおよび第２溝１１４ａは、それぞれ、素体２をキャビティ５１ａから抜くことができる形状に形成されていればよい。例えば、素体２、１０２の底面１０を成型する下型５３の側に向けて素体２、１０２をキャビティ５１ａから抜く場合、素体２、１０２の第１溝１６ａおよび第２溝１１４ａは、底面１０まで延びていなくてもよい。
【0070】
また、実施形態１～３では、素体２の圧縮成型時において、一つの部材によって構成された上型５１、１５１、２５１を使用すると説明したが、これは一例である。上型５１、１５１、２５１は、複数の部品に分割可能な構成であってもよい。また、成型金型５０は、下型５３を有さず、２つのパンチ５５によって素体２、１０２を圧縮成型する構成としてもよい。また、素体２の圧縮成型時において、キャビティ５１ａには、Ｔ型予備成型体である第１タブレット７１と、コイル導体２０と、Ｉ型予備成型体である第２タブレット７３と、が配置されると説明したが、これは一例である。例えば、第２タブレット７３の代わりに、磁性粒子と樹脂との混合粉を第１タブレット７１およびコイル導体２０の上からキャビティ５１ａ内に充填し、素体２を圧縮成型してもよい。
【0071】
また、実施形態１～３では、キャビティ５１ａの内側に配置されたコイル導体２０は、第１突起５６ａおよび第２突起１５４ａに対して接触していると説明したが、これは一例である。第１突起５６ａおよび第２突起１５４ａは、コイル導体２０に対し、接触せずに隙間を開けて近接していても、コイル導体２０の位置ずれを抑制することができる。このように第１突起５６ａおよび第２突起１５４ａとコイル導体２０との間に隙間を設けた場合、隙間の分だけコイル導体２０をキャビティ５１ａ内に対して配置し易くなる。また、このように第１突起５６ａおよび第２突起１５４ａをコイル導体２０に接触させることなく素体２を圧縮成型した場合、露出部２２ａ１、２２ｂ１のように巻回部２２がコア３０から露出した部分は形成されず、巻回部２２の全体はコア３０に埋設される。
【0072】
上述した全ての実施形態および変形例は、本発明の一態様を例示したものであって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変形及び応用が可能である。また、上述した各実施形態の任意の要素を組み合わせ、新たな実施形態としてもよい。
また、上述した実施形態における水平、直交、及び垂直等の方向や各種の数値、形状、材料は、特段の断りがない限り、それら方向や数値、形状、材料と同じ作用効果を奏する範囲（いわゆる均等の範囲）を含む。
また、上述した実施形態における水平、直交、及び垂直等の方向や各種の数値、形状、材料は、特段の断りがない限り、それら方向や数値、形状、材料と同じ作用効果を奏する範囲（いわゆる均等の範囲）を含む。
【0073】
［上記実施形態によりサポートされる構成］
上述した実施形態は、以下の構成をサポートする。
上述した実施形態は、以下の構成をサポートする。
【0074】
（構成１）導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備えるインダクタの製造方法であって、前記素体は、予備成型体と前記予備成型体に配置された前記コイル導体とが、成型金型に形成されたキャビティの内側に配置され、圧縮成型されることによって形成され、前記成型金型は、前記キャビティを形成する、互いに対向する一対の第１内壁面と、互いに対向する一対の第２内壁面と、一対の前記第１内壁面の少なくとも一方に形成された第１突起と、を有し、前記第１突起は、前記キャビティの内側に向けて突出し、前記第１内壁面に平行に延在する形状であり、前記コイル導体は、前記コイル導体の巻軸が前記第１突起の延びる方向と平行となる姿勢で、前記キャビティの内側に配置され、前記コイル導体が前記第１突起に近接している、インダクタの製造方法。
構成１に記載のインダクタの製造方法によれば、成型金型に形成された第１突起によってキャビティの内側のコイル導体の位置ずれを抑制できる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成１に記載のインダクタの製造方法によれば、成型金型に形成された第１突起によってキャビティの内側のコイル導体の位置ずれを抑制できる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0075】
（構成２）一対の前記第１内壁面には、前記第１突起がそれぞれ形成される、構成１に記載のインダクタの製造方法。
構成２に記載のインダクタの製造方法によれば、一対の第１突起によって、キャビティの内側のコイル導体の位置ずれを抑制できる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成２に記載のインダクタの製造方法によれば、一対の第１突起によって、キャビティの内側のコイル導体の位置ずれを抑制できる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0076】
（構成３）前記コイル導体は、前記第１突起に対して接触している、構成１または２に記載のインダクタの製造方法。
構成３に記載のインダクタの製造方法によれば、コイル導体に接触する第１突起により、コイル導体の位置ずれをより抑制し易くなる。このため、インダクタの特性のばらつきをより抑制し易くなる。
構成３に記載のインダクタの製造方法によれば、コイル導体に接触する第１突起により、コイル導体の位置ずれをより抑制し易くなる。このため、インダクタの特性のばらつきをより抑制し易くなる。
【0077】
（構成４）前記コイル導体は、前記第１突起のうち、前記第１突起の延びる方向の中央において、前記第１突起に接触している、構成３に記載のインダクタの製造方法。
構成４に記載のインダクタの製造方法によれば、コイル導体に対して第１突起のうち、第１突起の延びる方向における中央が接触するため、コイル導体の位置ずれをより抑制し易くなる。このため、インダクタの特性のばらつきをより抑制し易くなる。
構成４に記載のインダクタの製造方法によれば、コイル導体に対して第１突起のうち、第１突起の延びる方向における中央が接触するため、コイル導体の位置ずれをより抑制し易くなる。このため、インダクタの特性のばらつきをより抑制し易くなる。
【0078】
（構成５）前記成型金型は、一対の前記第２内壁面において、前記キャビティの内側に向けて突出し、前記第２内壁面に平行に延在してそれぞれ形成された、第２突起をさらに有し、前記コイル導体は、前記第２突起に対して近接している、構成１から４のいずれかに記載のインダクタの製造方法。
構成５に記載のインダクタの製造方法によれば、成型金型に形成された第２突起によってキャビティの内側のコイル導体の位置ずれを抑制できる。このため、インダクタの特性のばらつきを更に抑制し易くなる。
構成５に記載のインダクタの製造方法によれば、成型金型に形成された第２突起によってキャビティの内側のコイル導体の位置ずれを抑制できる。このため、インダクタの特性のばらつきを更に抑制し易くなる。
【0079】
（構成６）前記コイル導体は、前記第２突起に対して接触している、構成５に記載のインダクタの製造方法。
構成６に記載のインダクタの製造方法によれば、コイル導体に接触する第２突起により、コイル導体の位置ずれをより抑制し易くなる。このため、インダクタの特性のばらつきをより抑制し易くなる。
構成６に記載のインダクタの製造方法によれば、コイル導体に接触する第２突起により、コイル導体の位置ずれをより抑制し易くなる。このため、インダクタの特性のばらつきをより抑制し易くなる。
【0080】
（構成７）前記圧縮成型によって形成された前記素体を、絶縁性樹脂によって被覆する、構成１から６のいずれかに記載のインダクタの製造方法。
構成７に記載のインダクタの製造方法によれば、製造されるインダクタの磁束漏れを抑制し易くなる。
構成７に記載のインダクタの製造方法によれば、製造されるインダクタの磁束漏れを抑制し易くなる。
【0081】
（構成８）導線が巻回されて形成されたコイル導体と、金属磁性粉と樹脂とを含有し前記コイル導体が埋設されたコアと、を有する素体を備え、前記コアは、前記コイル導体の巻軸に平行な一対の第１側面と、前記第１側面に交差して前記巻軸に平行な一対の第２側面と、一対の前記第１側面の少なくとも一方に形成される第１溝と、を有し、一対の前記第１側面は、前記コアにおいて互いに対向する面であり、前記第１溝は、前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる、インダクタ。
構成８に記載のインダクタによれば、第１溝により、コア内におけるコイル導体の位置がばらつきにくくなる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成８に記載のインダクタによれば、第１溝により、コア内におけるコイル導体の位置がばらつきにくくなる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0082】
（構成９）一対の前記第１側面には、前記第１溝がそれぞれ形成される、構成８に記載のインダクタ。
構成９に記載のインダクタによれば、一対の第１溝により、コア内におけるコイル導体の位置がばらつきにくくなる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成９に記載のインダクタによれば、一対の第１溝により、コア内におけるコイル導体の位置がばらつきにくくなる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0083】
（構成１０）前記コアは、前記第２側面において前記コアの内側に向けて窪み、前記巻軸に平行に延びる第２溝をさらに有する、構成８または９に記載のインダクタ。
構成１０に記載のインダクタによれば、第２溝により、コア内におけるコイル導体の位置がばらつきにくくなる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成１０に記載のインダクタによれば、第２溝により、コア内におけるコイル導体の位置がばらつきにくくなる。このため、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0084】
（構成１１）前記導線は、平角状導線である、構成８から１０のいずれかに記載のインダクタ。
構成１１に記載のインダクタによれば、導線を平角状導線とすることによってコイル導体の位置決めがし易くなり、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成１１に記載のインダクタによれば、導線を平角状導線とすることによってコイル導体の位置決めがし易くなり、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【0085】
（構成１２）前記コイル導体は、前記導線が巻回された巻回部を有し、前記巻回部の一部は、前記第１溝を介して前記コアの外側に露出する、構成８から１１のいずれかに記載のインダクタ。
構成１２に記載のインダクタによれば、コイル導体の巻回部を大きくすることができ、インダクタの特性を向上し易くできる。
構成１２に記載のインダクタによれば、コイル導体の巻回部を大きくすることができ、インダクタの特性を向上し易くできる。
【0086】
（構成１３）前記巻回部の一部は、前記第１溝のうち、前記第１溝の延びる方向の中央において、前記コアの外側に露出する、構成１２に記載のインダクタ。
構成１３に記載のインダクタによれば、コイル導体を第１溝によって位置決めし易くなり、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
構成１３に記載のインダクタによれば、コイル導体を第１溝によって位置決めし易くなり、インダクタの特性のばらつきを抑制し易くなる。
【符号の説明】
【0087】
１…インダクタ、２…素体、４…外部電極、１０…底面、１２…上面、１４…端面（第２側面）、１６…側面（第１側面）、１６ａ…第１溝、２０…コイル導体、２２…巻回部、２２ａ１…露出部、２２ｂ１…露出部、２４…外部電極接続部、３０…コア、５０…成型金型、５１ａ…キャビティ、５４…第２内壁面、５６…第１内壁面、５６ａ…第１突起、７１…第１タブレット（予備成型体）、７３…第２タブレット（予備成型体）、１０２…素体、１１４…端面（第２側面）、１１４ａ…第２溝、１３０…コア、１５４…第２内壁面、１５４ａ…第２突起、２５６…第１内壁面、Ｋ…巻軸。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】