特開 2024-93494 排ガス浄化用触媒の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024093494

(43)【公開日】2024-07-09

(54)【発明の名称】排ガス浄化用触媒の製造方法

(51)【国際特許分類】

   B01J 37/02 20060101AFI20240702BHJP

   B01J 35/57 20240101ALI20240702BHJP

   B01J 23/44 20060101ALI20240702BHJP

   B01D 53/94 20060101ALI20240702BHJP

【ＦＩ】

B01J37/02 301D

B01J35/04 301L

B01J23/44 A ZAB

B01D53/94 300

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022209909

(22)【出願日】2022-12-27

(71)【出願人】

【識別番号】000104607

【氏名又は名称】株式会社キャタラー

(74)【代理人】

【識別番号】100117606

【弁理士】

【氏名又は名称】安部 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100130605

【弁理士】

【氏名又は名称】天野 浩治

(72)【発明者】

【氏名】桑原 聖

(72)【発明者】

【氏名】小原 恵津子

(72)【発明者】

【氏名】森田 涼馬

【テーマコード（参考）】

4D148

4G169

【Ｆターム（参考）】

4D148AA06

4D148AA13

4D148AA18

4D148AB01

4D148AB02

4D148BA03X

4D148BA06Y

4D148BA07Y

4D148BA08Y

4D148BA19Y

4D148BA30Y

4D148BA31X

4D148BA32Y

4D148BA33Y

4D148BA41X

4D148BA42Y

4D148BB02

4D148CC70

4D148DA03

4D148DA20

4G169AA03

4G169AA08

4G169BA01B

4G169BA17

4G169BC72B

4G169CA09

4G169DA06

4G169EA18

4G169EB12Y

4G169EB14Y

4G169FB15

4G169FB18

4G169FB78

4G169FB79

(57)【要約】

【課題】ツバ部を有する基材を用いた際に、当該ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造方法を提供すること。
【解決手段】ここに開示される排ガス浄化用触媒の製造方法は、ツバ部１３を有する外筒１１とハニカム構造体１２とを備える基材１０を用意する工程と、基材１０の筒軸が垂直方向と略一致するように基材１０を保持する工程と、外筒１１の内径よりも小さい外径の円筒形状の仕切り部材１１０を外筒１１の上端から挿入し、ハニカム構造体１２の上方側の端面と仕切り部材１１０の下端とが対向するように配置する工程と、仕切り部材１１０にスラリーを供給する工程と、スラリーを外筒の下端から吸引する工程と、を含む。配置工程では、仕切り部材１１０と基材１０とが所定のクリアランスとなるように配置され、供給工程で供給されるスラリーは所定の粘度に調整される。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造方法であって、
外筒と、該外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、該ハニカム構造体は該外筒よりも筒軸方向の長さが短く、該外筒は筒軸方向の少なくとも一方の端部において、該ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を用意する工程と、
前記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように前記基材を保持する工程と、
前記外筒の内径よりも小さい外径の円筒形状の仕切り部材を前記基材の上端から挿入し、前記ハニカム構造体の上方側の端面と前記仕切り部材の下端とが対向するように配置する工程と、
前記仕切り部材に触媒金属を含む触媒層形成用スラリーを供給する工程と、
前記触媒層形成用スラリーを前記基材の下端から吸引する工程と、
を含み、
前記配置工程では、対向して配置された前記ハニカム構造体の端面と前記仕切り部材の下端とのクリアランスＸが０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、かつ、前記基材のツバ部の内壁と前記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹの値が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下となるように前記仕切り部材を配置し、
前記供給工程において供給される触媒層形成用スラリーは、
せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度をＶ_４（ｍＰａ・ｓ）、せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度をＶ_１５０（ｍＰａ・ｓ）としたときに、
式（１）：Ｖ_４≧２５００Ｘ；かつ、
式（２）：Ｖ_１５０≦１１５０Ｘ；
を満たすことを特徴とする、排ガス浄化用触媒の製造方法。

【請求項2】

前記供給工程において供給される触媒層形成用スラリーは、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４が２００００ｍＰａ・ｓ以下となるように調製される、請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記供給工程において供給される触媒層形成用スラリーは、せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_１５０が３００ｍＰａ・ｓ以上となるように調製される、請求項１または２に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、排ガス浄化用触媒の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

車両などの内燃機関から排出される排ガスには、窒素酸化物（ＮＯｘ）、炭化水素（ＨＣ：Ｈｙｄｒｏ－Ｃａｒｂｏｎ）、一酸化炭素（ＣＯ）などの有害成分が含まれる。これら有害成分を排ガス中から効率よく反応・除去するために、従来から排ガス浄化用触媒が利用されている。かかる排ガス浄化用触媒は、例えば複数の排ガス流路（セル）が隔壁で仕切られたハニカム構造の基材と、基材の隔壁の表面および／または内部に設けられた触媒層とを有している。当該触媒層は、排ガス成分を酸化もしくは還元することで浄化する触媒金属（例えば、パラジウム、ロジウム、白金等）を含んでいる。

【0003】

このような排ガス浄化用触媒の製造方法の一例として、触媒層形成用スラリーをハニカム基材の一方の端面に供給し、他方の端面側から吸引することによって、当該スラリーを基材の内部に引き込む方法が知られている。例えば、特許文献１では、排気管の形状に合わせて効率よく排ガス浄化を行い得る排ガス浄化用触媒の製造方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－１３６８３３号公報

【特許文献2】特開昭６３－１１１９４４号公報

【特許文献3】特開昭６３－５１９４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、基材として、外筒の両端がハニカム構造体の端面よりも突出しているツバ部を有する基材（以下、「ツバ付き基材」ともいう。）を用いることがある。特許文献２および３では、基材としてツバ付き基材を用いた際の排ガス浄化用触媒の製造方法が開示されている。特許文献２では、ハニカム構造体の中心部に触媒層を形成できるように、ハニカム構造体の外周部に目詰め材料を配置する製造方法が開示されている。特許文献３では、ツバ付き基材を用いた際に、外筒の内周面および外周面にスラリーが付着することを防ぐために、空気圧により拡径可能な弾性筒体を基材に挿入し、当該弾性筒体に空気を圧送して外筒の内周面に密着させてからスラリーを供給することが開示されている。

【0006】

本発明者らが検討した結果によれば、ツバ付き基材を用いる場合、供給されるスラリーを一時的に保持する仕切り部材をツバ部の内壁側に配置することで、ツバ部へのスラリーの付着を抑制できる。その一方で、このような仕切り部材は、配置する際にツバ部と干渉して好適に配置できないことがあった。仕切り部材が適切な位置に配置されていない場合には、供給したスラリーが過剰に拡散してツバ部に付着することや、スラリーが拡散せずハニカム構造体に未コート部が生じることがある。また、本発明者らがさらに検討した結果によれば、供給されるスラリーの粘度が好適に調整されていない場合にも、ツバ部にスラリーが付着することや、未コート部が発生することがある。ツバ部にスラリーが多量に付着した場合には、例えばマットと共に金属製のケースに収容される際に（いわゆるキャニングの際に）、溶接不良等が生じ得るため好ましくない。また、ハニカム構造体に未コート部が発生した場合には、当該箇所において適切な触媒機能を発揮させることができないため好ましくない。したがって、ツバ付き基材を用いた場合の排ガス浄化用触媒の製造方法は、未だ改善の余地があった。

【0007】

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ツバ部を有する基材を用いた際に、当該ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を実現するべく、ここに開示される技術によって下記の構成の製造方法が提供される。

【0009】

ここに開示される製造方法（１）は、内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造方法であって、外筒と、該外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、該ハニカム構造体は該外筒よりも筒軸方向の長さが短く、該外筒は筒軸方向の少なくとも一方の端部において、該ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を用意する工程と、上記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように上記基材を保持する工程と、上記外筒の内径よりも小さい外径の円筒形状の仕切り部材を上記外筒の上端から挿入し、上記ハニカム構造体の上方側の端面と上記仕切り部材の下端とが対向するように配置する工程と、上記仕切り部材に触媒金属を含む触媒層形成用スラリーを供給する工程と、上記触媒層形成用スラリーを外筒の下端から吸引する工程と、を含む。上記配置工程では、対向して配置された上記ハニカム構造体の端面と上記仕切り部材の下端とのクリアランスＸが０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、かつ、上記基材のツバ部の内壁と上記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹの値が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下となるように上記仕切り部材を配置する。上記供給工程において供給される触媒層形成用スラリーは、せん断速度が４ｓｅｃ－１のときの粘度をＶ_４（ｍＰａ・ｓ）、せん断速度が１５０ｓｅｃ－１のときの粘度をＶ_１５０（ｍＰａ・ｓ）としたときに、式（１）：Ｖ_４≧２５００Ｘ；かつ、式（２）：Ｖ_１５０≦１１５０Ｘ；を満たすことを特徴とする。

【0010】

外筒の内径よりも外径が小さい仕切り部材を、所定のクリアランスを有するように基材に配置し、供給されるスラリーの粘度を好適に調整することで、スラリーを好適に基材の内部にコートすることができる。かかる構成によれば、外筒とハニカム構造体とツバ部とを有する基材に対しても、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造方法が実現される。

【0011】

ここに開示される製造方法（２）では、上記製造方法（１）において、上記供給工程において供給される触媒層形成用スラリーは、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４が２００００ｍＰａ・ｓ以下となるように調製される。
かかる構成によれば、触媒層形成用スラリーを仕切り部材により好適に供給することができる。

【0012】

ここに開示される製造方法（３）では、上記製造方法（１）または（２）において、上記供給工程において供給される触媒層形成用スラリーは、せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度をＶ_１５０３００ｍＰａ・ｓ以上となるように調製される。
かかる構成によれば、触媒層形成用スラリーが基材の内部に好適に導入される。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、一実施形態に係る排ガス浄化用触媒を模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、一実施形態に係る排ガス浄化用触媒の構成を模式的に示す図である。

【図3】図３は、一実施形態に係る製造装置を模式的に示す図である。

【図4】図４は、一実施形態に係る排ガス浄化用触媒の製造方法の工程を示すフローチャート図である。

【図5】図５は、一実施形態に係る配置工程を模式的に示す図である。

【図6】図６は、一実施形態に係る供給工程を模式的に示す図である。

【図7】図７は、一実施形態に係る吸引工程を模式的に示す図である。

【図8】図８は、仕切り部材が適切に配置されていない状態を模式的に示す図である。

【図9】図９は、仕切り部材が適切に配置されていない状態で供給工程を実施した時の様子を模式的に示す図である。

【図10】図１０は、仕切り部材が適切に配置されていない状態で吸引工程を実施した時の様子を模式的に示す図である。

【図11】図１１は、例１～例２０に関して、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４（低せん断粘度Ｖ_４）と、クリアランスＸとの関係を示す図である。

【図12】図１２は、例１～例２０に関して、せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_１５０（高せん断粘度Ｖ_１５０）と、クリアランスＸとの関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。また、以下の図面において、同じ作用を奏する部材・部位には同じ符号を付し、重複する説明は省略または簡略化することがある。各図における寸法関係（長さ、幅、厚みなど）は、実際の寸法関係を必ずしも反映するものではない。また、本明細書において範囲を示す「Ａ～Ｂ」（Ａ，Ｂは任意の数値）の表記は、Ａ以上Ｂ以下を意味する。

【0015】

＜排ガス浄化用触媒＞
ここに開示される製造方法によって得られる排ガス浄化用触媒は、種々の内燃機関、特に自動車のディーゼルエンジンやガソリンエンジンの排気系（排気管）に配置され得る。そして、かかる排ガス浄化用触媒は、当該内燃機関から排出された排ガス中の有害成分（ＨＣ、ＣＯ、ＮＯｘ等）を浄化する機能を有する。

【0016】

図１は、ここに開示される製造方法によって得られる排ガス浄化用触媒１を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示される排ガス浄化用触媒１の構造を模式的に示す図である。なお、図１および図２の矢印は、排ガス浄化用触媒１を内燃機関の排気系に配置したときに排ガスが流れる向きを示している。すなわち、図１および図２では、左側が相対的に内燃機関に近い上流側（フロント側）であり、右側が相対的に内燃機関から遠い下流側（リア側）である。また、図１および図２において、符号Ｄは、排ガス浄化用触媒１の筒軸方向を表している。排ガス浄化用触媒１は、筒軸方向Ｄが排ガスの流動方向に沿うように内燃機関の排気経路に設置される。

【0017】

図１および図２に示すように、排ガス浄化用触媒１は、ストレートフロー構造の基材１０と、触媒層２０と、を備えている。基材１０は、排ガス浄化用触媒１の骨格を構成する部材であり、筒軸方向Ｄに沿って延びている。基材１０は、外筒１１と、該外筒１１の内部に配置されたハニカム構造体１２とを備えている。外筒１１には、筒軸方向Ｄの少なくとも一方の端部において、ハニカム構造体１２の端面よりも筒軸方向Ｄに向けて突出したツバ部１３が設けられている。図１に示す例では、外筒１１は筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部１３を有している。当該ツバ部１３の内面側にはハニカム構造体１２が配置されていない。

【0018】

ハニカム構造体１２は、筒軸方向Ｄに沿って延びる複数のセル１２ａと、セル１２ａを仕切る隔壁１２ｂと、を備えている。セル１２ａは、排ガスが流通可能であり、筒軸方向Ｄの両端が開放されている。図２に示すように、隔壁１２ｂの表面には、触媒層２０が形成されている。排ガス浄化用触媒１に流入した排ガスは、排ガス浄化用触媒１の排ガス通路内（ここでは、セル１２ａ内）を流動している間に触媒層２０と接触する。これにより、排ガス中の有害成分が浄化される。例えば、排ガスに含まれるＨＣやＣＯは、触媒層２０の触媒機能によって酸化され、水や二酸化炭素等に変換（浄化）される。また、例えばＮＯｘは、触媒層２０の触媒機能によって還元され、窒素に変換（浄化）される。

【0019】

触媒層２０は、触媒金属を含む層である。触媒金属とは、上記したようなＨＣ、ＣＯ、ＮＯｘ等の有害成分の浄化の際に、酸化触媒及び／又は還元触媒として機能し得る金属である。このような触媒金属の例としては、白金族、すなわち、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）が挙げられる。また、上記した金属のうち２種以上が合金化したものを用いてもよい。なかでも、酸化活性が高い酸化触媒（例えばＰｄおよびＰｔのうちの少なくとも一方）、および還元活性が高い還元触媒（例えばＲｈ）が好適な触媒金属として挙げられる。

【0020】

触媒層２０は、触媒金属に加えて担体を含み得る。担体は、触媒金属を担持する材料である。担体としては、特に限定されず、従来この種の触媒において用いられ得る無機化合物を用いてよい。例えば、担体は、比表面積が大きい無機多孔質体であるとよい。なお、本明細書において「比表面積」とは、特に記載のない限り、ＢＥＴ法により測定される比表面積を指す。担体としては、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、ジルコニア（ＺｒＯ_２）、シリカ（ＳｉＯ_２）、セリア（ＣｅＯ_２）、チタニア（ＴｉＯ_２）等の金属酸化物や、その固溶体（例えば、セリア－ジルコニア複合酸化物等）、あるいはそれらの組み合わせが挙げられる。

【0021】

＜製造装置＞
図３は、ここに開示される製造方法で用いられる製造装置１００を模式的に示す図である。製造装置１００は、基材１０の筒軸が垂直方向（重力方向）と略一致するように基材１０を保持する保持部材１１５と、基材１０の上端１０ａ側において、触媒層形成用スラリーを一時的に保持する仕切り部材１１０と、当該触媒層形成用スラリーを、基材１０の筒軸方向Ｄの下端１０ｂ側から吸引する吸引部材１２０と、仕切り部材１１０の内部空間に当該触媒層形成用スラリーを供給する供給部材１３０と、を備えている。

【0022】

保持部材１１５は、基材１０を着脱可能に保持する。保持部材１１５は、図３に示すように、後述する基材受け部１２１と、供給部材１３０の吐出部１３１との間で、基材１０の筒軸が略垂直となるように保持する。すなわち、保持部材１１５は、基材１０（外筒１１）の筒軸方向Ｄと垂直方向（重力方向）とが略一致するように基材１０を保持する。なお、本明細書において、「垂直方向と略一致する」とは、製造装置が設置される面から延びる垂線に対して±５°程度の範囲は包含されるものとする。

【0023】

保持部材１１５は、ツバ部１３を有する側の端部が上方側に配置されるように基材１０を保持する。保持部材１１５は、基材１０を保持できる限りにおいて特に限定されない。保持部材１１５は、例えば機械的に基材１０を保持するメカニカルチャックや、負圧を利用して基材１０を保持する真空チャック、磁力を利用して基材１０を保持するマグネットチャック等であり得る。

【0024】

仕切り部材１１０は、基材１０の上端１０ａ側から供給される触媒層形成用スラリーを、ハニカム構造体の１２の上方側の端面１２ｓ上に一時的に保持する。また、仕切り部材１１０は、スラリーが基材１０に供給される際に、その位置を調整する機能を有し得る。仕切り部材１１０は、内部空間を有する部材である。仕切り部材１１０は、両端が開口した円筒形状の部材である。仕切り部材１１０は、例えば、内部空間において触媒層形成用スラリーを収容することができる。仕切り部材１１０の材質は、耐薬品性や耐腐食性を有する材料であれば特に限定されず、金属製（例えば、ステンレス鋼製）や樹脂製（例えばポリエチレン）であっても良い。

【0025】

仕切り部材１１０の外径は、外筒１１の内径よりも小さく設計される。例えば、仕切り部材１１０の外径は、外筒１１の内径に対して１ｍｍ～４ｍｍ程度小さいとよい。これにより、仕切り部材１１０とツバ部１３とが干渉することなく、基材１０の上端１０ａ側から容易に挿入することができる。仕切り部材１１０は、外壁がツバ部１３の内壁と対向する位置に配置される。すなわち、仕切り部材１１０の下端は、ツバ部１３の上端よりもハニカム構造体１２の端面１２ｓ側に侵入する位置に配置される。仕切り部材１１０は、上端側において、上方に向けて拡径した拡径部を有していてもよい。仕切り部材１１０が拡径部を有していることにより、触媒層形成用スラリーを、好適に仕切り部材１１０の内部に収容することができる。なお、仕切り部材１１０が拡径部を有する場合、当該拡径部よりも下端側の外径が外筒の内径よりも小さければ、拡径部の外径は基材の内径より大きくてもよい。

【0026】

吸引部材１２０は、基材１０の上端１０ａ側に供給される触媒層形成用スラリーを、下端１０ｂ側から吸引することで、基材１０の内部にスラリーを導入する。吸引部材１２０は、例えば、内部空間を有する基材受け部１２１と、配管１２２を介して基材受け部１２１の内部空間と接続する吸引装置（図示せず）と、配管１２２の開閉を行う開閉バルブ１２３と、を備え得る。基材受け部１２１は、基材１０を挿入可能なように開口が形成されている。図３に示すように、基材受け部１２１の開口に基材１０の下端１０ｂを挿入することにより、基材受け部１２１と基材１０の外壁とが密着し、基材１０の下端１０ｂが基材受け部１２１の内部空間に到達する。基材１０は、基材受け部１２１によって概ね垂直に保持される。この状態で吸引装置を駆動することにより、ハニカム構造体１２内部のガス（例えば空気）が吸引され、触媒層形成用スラリーを基材１０の内部に導入することができる。

【0027】

供給部材１３０は、仕切り部材１１０の内部空間に後述する触媒層形成用スラリーを供給する。供給部材１３０は、例えば、スラリーを吐出する吐出部１３１と、スラリーを一時的に貯留する貯留タンク（図示せず）と、該貯留タンクと吐出部１３１とを接続する配管（図示せず）と、を備え得る。ただし、供給部材１３０は、触媒層形成用スラリーを仕切り部材１１０に供給することができる限りにおいて特に限定されない。供給部材１３０は、予め定められた量のスラリーを仕切り部材１１０に供給するように構成されている。

【0028】

＜排ガス浄化用触媒の製造方法＞
図４は、ここに開示される排ガス浄化用触媒の製造方法の大まかな工程を示すフローチャート図である。ここに開示される製造方法は、上記したような製造装置１００を用いて好適に実施され得る。ここに開示される製造方法は、ツバ部１３を有する外筒１１とハニカム構造体１２とを備える基材１０を用意する用意工程Ｓ１０と、基材１０の筒軸方向Ｄと垂直方向とが略一致するように基材１０を保持する保持工程Ｓ２０と、基材１０に仕切り部材１１０を配置する配置工程Ｓ３０と、触媒層形成用スラリーを仕切り部材１１０に供給する供給工程Ｓ４０と、当該スラリーを吸引する吸引工程Ｓ５０と、を含む。ここに開示される製造方法は、配置工程Ｓ３０において、外筒１１の内径よりも小さい外径の仕切り部材１１０を基材１０の上端１０ａ側から挿入し、基材１０と仕切り部材１１０とのクリアランスが特定の範囲となるように配置すること、および、供給工程Ｓ４０において供給される触媒層形成用スラリーの粘度が特定の範囲となるように調整すること、を特徴としており、それ以外の製造プロセスは従来と同様であってもよい。また、任意の段階でさらに他の工程を含んでいてもよい。

【0029】

用意工程Ｓ１０では、基材１０を用意する。基材１０は、上記したように排ガス浄化用触媒１の骨格を構成する部材である。ここに開示される製造方法では、ツバ部１３を有する外筒１１と、ハニカム構造体１２と、を備える基材１０を用意する。基材１０は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）で構成されるメタル基材であり得る。基材１０は、例えば、以下のようにして用意することができる。まず、金属製（例えば、ステンレス鋼製）の外筒１１を用意する。次いで、波形に成形した金属箔を平板状の金属箔と重ねてロール状に巻回することで、ハニカム構造体１２を用意する。ハニカム構造体１２の筒軸方向Ｄの長さは、外筒１１の筒軸方向Ｄの長さよりも短くなるように形成する。そして、当該ハニカム構造体１２を外筒１１に装入する。このとき、外筒１１の筒軸方向Ｄのいずれかの端部において、ハニカム構造体１２の端面よりも外筒１１の端部が筒軸方向Ｄに向けて突出するようにハニカム構造体１２を外筒１１に装入する。これにより、ツバ部１３を有する外筒１１と、ハニカム構造体１２と、を備える基材１０を用意することができる。なお、基材１０は、ＳＵＳ製以外、例えば、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金、Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ系合金などの金属基材であってもよいし、コージェライト、チタン酸アルミニウム、炭化ケイ素などのセラミックスで構成されるセラミックス基材であってもよい。

【0030】

本実施形態の基材１０は、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体１２を有している。図１および図２に示すように、ハニカム構造体１２は、筒軸方向Ｄに規則的に配列された複数のセル１２ａと、複数のセル１２ａを仕切る隔壁１２ｂとを備えている。セル１２ａは、排ガスが流動する経路であって、筒軸方向Ｄに沿って延びている。セル１２ａは、基材１０を筒軸方向Ｄに貫通する貫通孔である。セル１２ａの形状、大きさ、数などは、例えば、排ガス浄化用触媒１に供給される排ガスの流量や成分などを考慮して設計すればよい。隔壁１２ｂは、セル１２ａに面し、隣り合うセル１２ａの間を区切っている。特に限定されるものではないが、基材１０の容積（セル１２ａの容積を含んだ見掛けの体積）は、概ね０．０１Ｌ以上、例えば０．１以上であって、概ね６Ｌ以下、例えば１Ｌ以下、０．５Ｌ以下であってもよい。また、特に限定されるものではないが、隔壁１２ｂの厚みは、機械的強度を向上したり圧損を低減したりする観点などから、概ね１０μｍ以上、例えば２０μｍ以上であって、概ね５００μｍ以下、例えば２００μｍ以下、１００μｍ以下であってもよい。

【0031】

ハニカム構造体１２は、上記したような複数のセル１２ａと隔壁１２ｂとによって形成されたハニカム構造を有している。なお、本明細書において、「ハニカム構造」とは、セル１２ａの筒軸方向Ｄに直交する断面形状が六角形であるものだけでなく、セル１２ａの断面形状が正方形、平行四辺形、長方形、台形などの矩形や、その他の多角形（例えば、三角形、八角形）、波形、円形など種々の幾何学形状であるものを含み得る。

【0032】

本実施形態において、図３に示すように、外筒１１の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ１は、当該外筒１１の内部に配置されるハニカム構造体１２の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ２よりも長い。特に限定されるものではないが、外筒１１の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ１は、概ね４０ｍｍ以上、例えば５０ｍｍ以上、６０ｍｍ以上であって、概ね２３０ｍｍ以下、例えば２００ｍｍ以下、１５０ｍｍ以下であってもよい。また、ハニカム構造体１２の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ２は、概ね２０ｍｍ以上、例えば４０ｍｍ以上、６０ｍｍ以上であって、
概ね１９０ｍｍ以下、例えば１３０ｍｍ以下、１００ｍｍ以下であってもよい。

【0033】

ツバ部１３は、外筒１１において筒軸方向Ｄの少なくとも一方の端部に設けられていればよい。特に限定されないが、図３の上方側（上端１０ａ側）におけるツバ部１３の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ３は、例えば３ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましく、４ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよい。ツバ部１３の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ３とは、換言すれば、基材１０の上端１０ａとハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとの距離を示す。また、図３に示すように、外筒１１は筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部１３を有していてもよい。外筒１１がツバ部１３を筒軸方向Ｄの両端部に有する場合、図３の下方側（下端１０ｂ側）のツバ部１３の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ４は、上記した長さＬ３と同程度であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、外筒１１の筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部が設けられているときは、２つのツバ部の長さは同程度であるとよい。

【0034】

外筒１１の内径は、特に限定されないが、例えば２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることが好ましく、３０ｍｍ以上１９０ｍｍ以下程度であってもよい。本実施形態において、ハニカム構造体１２は外筒１１の内部に配置されている。ハニカム構造体１２の外径は、外筒１１に装入可能であれば特に限定されない。すなわち、ハニカム構造体１２の外径は、外筒１１の内径よりもやや小さく設計され得る。また、図１に示す例では、基材１０の外形は円筒形状である。ただし、基材１０の外形は、後述する配置工程Ｓ３０において仕切り部材１１０を配置可能な限りにおいて、特に限定されない。例えば、基材１０の外形は、楕円筒形状等であってもよい。

【0035】

保持工程Ｓ２０では、上記用意した基材１０の筒軸が垂直方向と略一致するように基材１０を保持する。すなわち、基材１０は、基材１０の筒軸方向Ｄと垂直方向とが略一致するように保持部材１１５によって保持される。このとき、基材１０は、ツバ部１３が上方に配置されるように保持される。また、基材１０は、ハニカム構造体１２の端面１２ｓが略水平となるように保持されることが好ましい。これにより、後述する配置工程Ｓ３０や供給工程Ｓ４０を好適に実施することができる。

【0036】

図５は、配置工程の様子を模式的に示す図である。配置工程Ｓ３０では、上記保持された基材１０に仕切り部材１１０を配置する。仕切り部材１１０は、基材１０の上端１０ａ側から挿入され、仕切り部材１１０の下端１１１がハニカム構造体１２の上方の端面１２ｓと対向するように配置される。仕切り部材１１０は、基材１０の上端１０ａ（より詳細には、ツバ部１３の上端）よりもハニカム構造体１２の端面１２ｓ側に侵入する位置に配置される。仕切り部材１１０は、下端１１１側の外壁１１２とツバ部１３の内壁１３ａとが対向する位置に配置される。このとき、図５に示すように、ハニカム構造体１２の上方の端面１２ｓと、仕切り部材１１０の下端１１１とは直接接触しておらず、離間している。また、ツバ部１３の内壁１３ａと、仕切り部材１１０の外壁１１２とは直接接触しておらず、離間している。仕切り部材１１０の外径は、上記したとおり、外筒１１の内径よりも小さく設計されている。このため、仕切り部材１１０とツバ部１３とが干渉することなく、上記したような位置に仕切り部材１１０を容易に配置することができる。

【0037】

図８は、仕切り部材１１０が適切な位置に配置されていない状態を模式的に示す図である。図９は、仕切り部材１１０が適切な位置に配置されていない状態で、後述する供給工程を実施した際の様子を模式的に示す図である。図１０は、仕切り部材１１０が適切な位置に配置されていない状態で、後述する吸引工程を実施した際の様子を模式的に示す図である。図８に示すように、仕切り部材１１０の外径が外筒１１の内径よりも小さく設計されていたとしても、そのサイズが近すぎる場合には、ツバ部１３と仕切り部材１１０とが干渉して仕切り部材１１０を適切な位置に配置することが難しい。また、上記したようなツバ部１３を有する基材１０では、供給した触媒層形成用スラリーＳが過剰に拡散してツバ部１３に付着することがある（図９参照）。あるいは、当該スラリーＳが好適に拡散せずハニカム構造体１２に未コート部Ａが生じることがある（図１０参照）。そこで、ここに開示される製造方法では、仕切り部材１１０の下端１１１とハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとの距離（クリアランスＸ）と、仕切り部材１１０の外壁１１２とツバ部１３の内壁１３ａとの距離（クリアランスＹ）とが所定の値となるように仕切り部材１１０を配置する。これにより、ツバ部１３に触媒層形成用スラリーＳが付着すること、および、ハニカム構造体１２の端面１２ｓにおいて未コート部Ａが発生することを抑制する。

【0038】

具体的には、図９に示すように、仕切り部材１１０の下端１１１とハニカム構造体１２の端面１２ｓとの距離が遠すぎる場合（すなわち、クリアランスＸが大きすぎる場合）、供給された触媒層形成用スラリーＳの粘度にかかわらず、当該スラリーＳを仕切り部材１１０の内部に保持することが難しい。このため、スラリーＳは仕切り部材１１０から流出して、ツバ部１３の内壁１３ａに付着し得る。ツバ部１３にスラリーＳが多量に付着した場合には、キャニング時において溶接不良等の原因となり得るため好ましくない。かかる観点から、クリアランスＸは３ｍｍを下回ることが好ましく、２．５ｍｍ以下であることがより好ましく、２ｍｍ以下であることがさらに好ましい。また、図１０に示すように、仕切り部材１１０の下端１１１とハニカム構造体１２の端面１２ｓとの距離が近すぎる場合（すなわち、クリアランスＸが小さすぎる場合）、供給された触媒層形成用スラリーＳの粘度にかかわらず、当該スラリーＳは適切に拡散しない。このため、ハニカム構造体１２において未コート部Ａが発生し得る。ハニカム構造体１２に未コート部Ａが発生した場合には、当該箇所において適切な触媒機能を発揮させることができないため好ましくない。かかる観点から、クリアランスＸは０．２ｍｍを超えることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましく、０．５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。例えば、クリアランスＸは０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であるとよい。

【0039】

一方で、図８に示すように、仕切り部材１１０の外壁１１２とツバ部１３の内壁１３ａとの距離が近すぎる場合（すなわち、クリアランスＹが小さすぎる場合）、仕切り部材１１０を配置する際にツバ部１３と干渉して、好適に配置することができない。かかる観点からは、クリアランスＹは０．１ｍｍを超えることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましく、０．５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。また、図１０に示すように、仕切り部材１１０の外壁１１２とツバ部１３の内壁１３ａとの距離が遠すぎる場合（すなわち、クリアランスＹが大きすぎる場合）、供給された触媒層形成用スラリーＳは、吸引部材１２０によって吸引しても適切に拡散しない。このため、ハニカム構造体１２の端面１２ｓにおいて未コート部Ａが発生し得る。かかる観点から、クリアランスＹは３ｍｍを下回ることが好ましく、２．５ｍｍ以下であることがより好ましく、２ｍｍ以下であることがさらに好ましい。例えば、クリアランスＹは０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であるとよい。

【0040】

図６は、供給工程の様子を模式的に示す図である。供給工程Ｓ４０では、供給部材１３０を用いて、上記配置された仕切り部材１１０の内部に触媒層形成用スラリーＳを供給する。供給部材１３０は、予め定められた量のスラリーを仕切り部材１１０の内部空間に供給する。供給されたスラリーＳは、図６に示すように、仕切り部材１１０とハニカム構造体１２の端面１２ｓとによって一時的に保持される。

【0041】

供給工程Ｓ４０で供給される触媒層形成用スラリーＳは、上記した基材１０の隔壁１２ｂの少なくとも表面に触媒層２０を形成するために用いられる材料である。当該触媒層形成用スラリーＳは、少なくとも触媒金属を含む。触媒層形成用スラリーＳは、触媒金属と、当該触媒金属を担持するための担体と、これらを分散させるための分散媒とを含み得る。

【0042】

触媒金属は、触媒層形成用スラリーＳ中においてイオンの形態で含まれることが好ましい。これにより、例えば触媒層形成用スラリー中の触媒金属の濃度を均一にすることができる。触媒層形成用スラリーＳとしては、触媒金属を含む水溶性の金属塩を含むスラリー、触媒金属の錯体を含むスラリー等を使用することができる。金属塩としては、例えば、硝酸パラジウム、硝酸ロジウム等の硝酸塩；硫酸パラジウム、硫酸ロジウム等の硫酸塩等が挙げられる。触媒金属の錯体としては、テトラアンミン錯体、シアノ錯体、ハロゲノ錯体、ヒドロキシ錯体等が例示される。

【0043】

分散媒としては、従来この種のスラリーに用いられている分散媒を特に制限なく使用することができる。分散媒としては例えば、水、脱イオン水、純水等の水系分散媒を好ましく用いることができる。

【0044】

触媒層形成用スラリーＳは、粘度を調製するための増粘剤が含まれていてもよい。増粘剤としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系樹脂や、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、カルボキシメチルセルロース等のセルロース系樹脂、ロジン系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。

【0045】

触媒層形成用スラリーＳは、さらに、バインダ、助触媒成分、分散剤、その添加材等をさらに含んでいてもよい。バインダとしては、例えば、アルミナゾル、シリカゾル等が挙げられる。助触媒成分としては、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属元素が挙げられる。

【0046】

本発明者らの検討によれば、仕切り部材１１０が適切な位置に配置されていたとしても、触媒層形成用スラリーＳの粘度が適切な範囲に設定されていない場合には、ツバ部１３にスラリーＳが付着することや、ハニカム構造体１２の端面１２ｓにおいて未コート部Ａが生じることを見出した。すなわち、仕切り部材１１０の配置と、供給される触媒層形成用スラリーＳの粘度とがともに調整されることにより、ツバ付きの基材においてツバ部１３にスラリーＳが付着せず、ハニカム構造体１２に未コート部Ａが発生することを防止できる。

【0047】

ここに開示される製造方法の供給工程Ｓ４０で供給される触媒層形成用スラリーＳは、２５℃の環境下において、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４と、せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_１５０とが所定の範囲に調整される。なお、本明細書において、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４とは、Ｅ型粘度計（東機産業株式会社製、ＴＶＥ－３５Ｈ）を用いて、測定温度２５℃、せん断速度４ｓｅｃ^－１で測定したときの粘度（ｍＰａ・ｓ）のことである。せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_１５０とは、上記と同様のＥ型粘度計を用いて、測定温度２５℃、せん断速度１５０ｓｅｃ^－１で測定したときの粘度（ｍＰａ・ｓ）のことである。以下の説明においては、「せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４」を「低せん断粘度Ｖ_４」といい、「せん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_１５０」を「高せん断粘度Ｖ_１５０」ということがある。

【0048】

触媒層形成用スラリーＳの低せん断粘度Ｖ_４は、スラリーがハニカム構造体１２に供給されたときを想定した粘度であり得る。スラリーＳの低せん断粘度Ｖ_４が低すぎる場合には、仕切り部材１１０の下端１１１とハニカム構造体１２の端面１２ｓとのクリアランスＸが適切な範囲に設定されていたとしても、仕切り部材１１０の内部にスラリーＳを保持することが難しく、当該スラリーＳは仕切り部材１１０から流出してツバ部１３の内壁１３ａに多量に付着し得る。当該スラリーＳを仕切り部材１１０の内部に適切に保持するためには、クリアランスＸに応じてスラリーＳの低せん断粘度Ｖ_４を調節することが好ましい。かかる観点からは、触媒層形成用スラリーＳは、低せん断粘度Ｖ_４が、式（１）：Ｖ_４≧２５００Ｘ；を満たすように調製される。また、スラリーＳの低せん断粘度Ｖ_４が高すぎる場合、後述する高せん断粘度Ｖ_１５０も上昇し、スラリーＳが好適に拡散せず、ハニカム構造体１２において未コート部Ａが発生し得るため好ましくない。当該スラリーＳのせん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４は、特に限定されないが、例えば２５０００ｍＰａ・ｓを下回ることが好ましく、２００００ｍＰａ・ｓ以下となることがより好ましく、１５０００ｍＰａ・ｓ以下となることが特に好ましい。触媒層形成用スラリーＳのせん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_４は、例えば３３００ｍＰａ・ｓ以上２００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、３３００ｍＰａ・ｓ以上１５０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、４０００ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であってもよい。

【0049】

触媒層形成用スラリーＳの高せん断粘度Ｖ_１５０は、スラリーが吸引されたときを想定した粘度であり得る。スラリーＳの高せん断粘度Ｖ_１５０が高すぎる場合には、クリアランスＸが適切な範囲に設定され、吸引することによりせん断応力がかかったとしても、スラリーＳが好適に拡散せず、ハニカム構造体１２において未コート部Ａが発生し得る。当該スラリーＳをハニカム構造体１２の全面に拡散させるためには、クリアランスＸに応じてスラリーＳの高せん断粘度Ｖ_１５０を調節することが好ましい。かかる観点からは、触媒層形成用スラリーＳは、高せん断粘度Ｖ_１５０が、式（２）：Ｖ_１５０≦１１５０Ｘ；を満たすように調製される。また、スラリーＳの高せん断粘度Ｖ_１５０の下限は、特に限定されないが低せん断粘度Ｖ_４の低下に伴い高せん断粘度Ｖ_１５０も低下するため、例えば２４０ｍＰａ・ｓを上回ることが好ましく、３００ｍＰａ・ｓ以上であることがより好ましく、３２０ｍＰａ・ｓ以上であることが特に好ましい。触媒層形成用スラリーのせん断速度が１５０ｓｅｃ^－１のときの粘度Ｖ_１５０は、例えば３００ｍＰａ・ｓ以上１２００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、３２０ｍＰａ・ｓ以上１０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、３２０ｍＰａ・ｓ以上９００ｍＰａ・ｓ以下であってもよい。

【0050】

図７は、吸引工程の様子を模式的に示す図である。吸引工程Ｓ５０では、基材１０の上端１０ａ側のハニカム構造体１２の端面１２ｓに供給された触媒層形成用スラリーＳを、下端１０ｂ側から吸引部材１２０によって吸引して、当該スラリーＳを基材１０の内部に導入する。吸引工程Ｓ５０は、触媒層形成用スラリーＳにせん断応力をかけるように実施される。ここに開示される製造方法で用いられるスラリーＳは、せん断応力がかかると粘度が低下するように調製されている。したがって、吸引工程Ｓ５０においてハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓに供給されたスラリーＳを、下方側から吸引することにより、スラリーＳの粘度が好適に低下して、スラリーＳをハニカム構造体１２の端面１２ｓに拡散することができる。したがって、未コート部Ａが発生することを抑制することができる。

【0051】

吸引の条件は、基材の大きさや種類、触媒層形成用スラリーＳの種類等によって適宜変更すればよく、特に限定されない。一例として、吸引速度は、基材のセル内での風速が２０ｍ／ｓ～８０ｍ／ｓ程度（例えば３０ｍ／ｓ～６０ｍ／ｓ）となるように設置され得る。また、吸引時間は特に限定されないが、例えば１秒～２０秒程度（例えば３秒～１５秒）であるとよい。

【0052】

上記スラリーが導入された基材１０に対して、乾燥工程および焼成工程を実施することにより、排ガス浄化用触媒１を作製することができる。乾燥工程は、従来この種の技術で実施されている乾燥と同様の条件で実施することができ、特に限定されない。例えば、５０℃～２００℃程度の温度で、１分～３０分程度乾燥するとよい。また、焼成工程についても、特に限定されない。例えば、４００℃～１０００℃程度の温度で、２０秒～５時間程度焼成することよい。

【0053】

上述した製造方法によって得られる排ガス浄化用触媒は、自動車やトラック等の車両や、自動二輪車や原動機付き自転車をはじめとして、船舶、タンカー、水上バイク、パーソナルウォータークラフト、船外機などのマリン用製品、草刈機、チェーンソー、トリマーなどのガーデニング用製品、ゴルフカート、四輪バギーなどのレジャー用製品、コージェネレーションシステムなどの発電設備、ゴミ焼却炉などの内燃機関から排出される排ガスの浄化に好適に用いることができる。

【0054】

以下、ここで開示される技術の試験例を説明する。なお、以下の説明は、ここで開示される技術を試験例に示されるものに限定することを意図したものではない。

【0055】

＜例１＞
図３に示すような製造装置を用いて、排ガス浄化用触媒を作製した。まず、基材としてツバ部を有する外筒とハニカム構造体とを有するストレートフロー型の円筒形状のメタル基材（ステンレス鋼製、筒軸方向の長さ：６５ｍｍ、内径１３０ｍｍ、セル数：６００ｃｐｓｉ）を準備した。当該メタル基材は、筒軸方向の両端部においてツバ部を有し、各ツバ部の筒軸方向に沿う長さは、それぞれ６ｍｍであるものを準備した。また、円筒形状の仕切り部材（筒軸方向の長さ：９ｍｍ、外径：１２８ｍｍ）を用意した。
次いで、触媒金属（Ｐｄ）と担体（アルミナ：Ａｌ_２Ｏ_３）と水と増粘剤（ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ））とを混合した触媒層形成用スラリーを用意した。例１のスラリーでは、せん断速度が４ｓ^－１のときの粘度Ｖ_４が５０００ｍＰａ・ｓ、せん断速度が１５０ｓ^－１のときの粘度Ｖ_１５０が３２０ｍＰａ・ｓとなるように増粘剤の量を調整した。なお、かかる粘度Ｖ_４はＥ型粘度計（東機産業株式会社製、ＴＶＥ－３５Ｈ）を用いて、測定温度２５℃、せん断速度４ｓｅｃ^－１で測定したときの値である。また、粘度Ｖ_１５０は、同様のＥ型粘度計を用いて、測定温度２５℃、せん断速度１５０ｓ^－１で測定したときの値である。

【0056】

図３に示すような製造装置を用いて、排ガス浄化用触媒を製造した。まず、上記用意した基材を保持部材にセットした。このとき、基材の筒軸が垂直方向と一致するように基材を保持部材に保持させた。次いで、上記用意した仕切り部材を、当該仕切り部材の下端とハニカム構造体の上方側の端面とが対向するように配置した。このとき、ハニカム構造体の端面と仕切り部材の下端とのクリアランスＸが１ｍｍ、ツバ部の内壁と仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが１ｍｍとなるように、仕切り部材を配置した。そして、上記用意した例１の触媒層形成用スラリー９５ｇを、仕切り部材の内部に供給した。その後、スラリーが供給された端面とは反対の端面側からスラリーを吸引した。スラリーの吸引は、吸引装置を３秒間稼働させ、基材のセル内での風速が４５ｍ／ｓとなる条件で実施した。そして、触媒層形成用スラリーが供給された基材を製造装置から取り外し、乾燥した後、焼成することにより、例１の排ガス浄化用触媒を得た。

【0057】

＜例２～例２０＞
触媒層形成用スラリーの低せん断粘度Ｖ_４および、高せん断粘度Ｖ_１５０が表１に示す値となるように増粘剤の量をそれぞれ調製した。また、ハニカム構造体の端面と仕切り部材の下端とのクリアランスＸ、ツバ部の内壁と仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが表１に示す値となるように、仕切り部材の大きさや配置をそれぞれ調整した。それ以外のことは例１と同様にして例２～例２０の排ガス浄化用触媒を作製した。

【0058】

＜例２１＞
触媒層形成用スラリーは、せん断速度が４ｓ^－１のときの粘度Ｖ_４が６６００ｍＰａ・ｓ、せん断速度が１５０ｓ^－１のときの粘度Ｖ_１５０が５００ｍＰａ・ｓとなるように増粘剤の量を調整した。例２１では、仕切り部材を用いずにハニカム構造体の端面に対して上記調製したスラリーを供給した。それ以外のことは例１と同様にして例２１の排ガス浄化用触媒を作製した。

【0059】

＜ツバ部付着高さおよび未コートの評価＞
上記作製した各例の排ガス浄化用触媒のツバ部において、触媒層形成用スラリーが付着した高さを測定した。具体的には、ツバ部において任意の３点で触媒層形成用スラリーが付着した付着高さ（ハニカム構造体の端面からの距離）を測定した。そして、かかる３点の付着高さの平均を算出し、各例のツバ部付着高さを求めた。ツバ部付着高さがツバ部の高さの５０％以下（すなわち、３ｍｍ以下）であるものを良好であると評価した。また、各例の排ガス浄化用触媒において、触媒層形成用スラリーを供給した側（すなわち、仕切り部材が配置された側）のハニカム構造体の端面をマイクロスコープによって観察し、未コート部の有無を確認した。未コート部がないものを良好であると評価した。
これらの結果を表１に示す。なお、表１の「評価」の欄では、ツバ部付着高さが３ｍｍ以下、かつ、未コート部がないものを良好と評価して「○」で示し、ツバ部付着高さが３ｍｍを上回るおよび／または未コート部があるものを不良と評価して「×」で示している。また、例１～例２０に関して、触媒層形成用スラリーのせん断速度が４ｓ^－１のときの粘度Ｖ_４とクリアランスＸとの関係を図１１に示し、触媒層形成用スラリーのせん断速度が１５０ｓ^－１のときの粘度Ｖ_１５０とクリアランスＸとの関係を図１２に示す。なお、図１１および図１２においても、ツバ部付着高さが３ｍｍ以下、かつ、未コート部がないものを良好と評価して「○」で示し、ツバ部付着高さが３ｍｍを上回るおよび／または未コート部があるものを不良と評価して「×」で示している。

【0060】

【表1】

【0061】

表１、図１１および図１２に示すように、クリアランスＸが０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下、かつ、クリアランスＹが０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下となるように仕切り部材を配置し、触媒層形成用スラリーの低せん断粘度Ｖ_４が式（１）：Ｖ_４≧２５００Ｘ；を満たし、かつ、高せん断粘度Ｖ_１５０が式（２）：Ｖ_１５０≦１１５０Ｘ；を満たす、例１、例３～例５、例８～例１０、例１４～例１７および例１９は、ツバ部付着高さが３ｍｍ以下であり、かつ、未コート部がないことがわかる。すなわち、上記した範囲のクリアランスＸおよびＹを有するように仕切り部材が配置され、供給されるスラリーの粘度が上記した範囲に調整されることにより、ツバ部へのスラリーの付着と、未コート部の発生とを抑制することができる製造方法が実現される。

【0062】

以上、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は一例に過ぎない。本発明は、他にも種々の形態にて実施することができる。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。請求の範囲に記載の技術には、上記に例示した実施形態を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記した実施形態の一部を、他の変形態様に置き換えることも可能であり、上記した実施形態に他の変形態様を追加することも可能である。また、その技術的特徴が必須なものとして説明されていなければ、適宜削除することも可能である。

【符号の説明】

【0063】

１ 排ガス浄化用触媒
１０ 基材
１０ａ 上端
１０ｂ 下端
１１ 外筒
１２ ハニカム構造体
１２ａ セル
１２ｂ 隔壁
１２ｓ 端面
１３ ツバ部
１３ａ 内壁
２０ 触媒層
１００ 製造装置
１１０ 仕切り部材
１１１ 下端
１１２ 外壁
１２０ 吸引部材
１２１ 基材受け部
１２２ 配管
１２３ 開閉バルブ
１３０ 供給部材
１３１ 吐出部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】