特開 2024-93559 膜付き基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024093559

(43)【公開日】2024-07-09

(54)【発明の名称】膜付き基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/56 20060101AFI20240702BHJP

【ＦＩ】

C23C14/56 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022210024

(22)【出願日】2022-12-27

(71)【出願人】

【識別番号】000166948

【氏名又は名称】シチズンファインデバイス株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(72)【発明者】

【氏名】角龍 美泉

(72)【発明者】

【氏名】高野 晋一郎

(72)【発明者】

【氏名】中村 剛志

【テーマコード（参考）】

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K029BA05

4K029BA12

4K029BA17

4K029CA01

4K029CA05

4K029HA02

4K029HA03

4K029HA07

(57)【要約】

【課題】基板上に形成したレジストマスクのリフトオフを容易にする。
【解決手段】 基板１上に膜４を備えた膜付き基板２０の製造方法であって、基板１上に第１のマスク２を付着させる第１のマスク付着工程と、第１のマスク２の膜４に対応する位置に開口部２ａを形成し、基板１を露出させるパターニング工程と、開口部２ａから露出した基板１及び第１のマスク２の少なくとも一部が露出するよう第１のマスク２上に第２のマスク３を載置する第２のマスク載置工程と、第１のマスク２及び第２のマスク３をマスクとして、基板１上に膜４を形成する膜形成工程と、第１のマスク２及び第２のマスク３を基板１から除去するマスク除去工程と、を備えること膜付き基板の製造方法とする。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に膜を備えた膜付き基板の製造方法であって、
前記基板上に第１のマスクを付着させる第１のマスク付着工程と、
前記第１のマスクの前記膜に対応する位置に開口部を形成し、前記基板を露出させるパターニング工程と、
前記開口部から露出した前記基板及び前記第１のマスクの少なくとも一部が露出するよう前記第１のマスク上に第２のマスクを載置する第２のマスク載置工程と、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクをマスクとして、前記基板上に前記膜を形成する膜形成工程と、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを前記基板から除去するマスク除去工程と、
を備えることを特徴とする膜付き基板の製造方法。

【請求項2】

前記第２のマスク載置工程は、前記第１のマスクの前記開口部の周縁の少なくとも一部が露出するよう前記第２のマスクが第１のマスク上に載置する工程である、ことを特徴とする請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。

【請求項3】

前記第１のマスクはレジスト膜であり、前記第２のマスクはステンシルマスクであることを特徴とする請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。

【請求項4】

前記第２のマスクは少なくとも一つの開口部を備え、当該開口部は、前記第２のマスクに形成された前記開口部よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。

【請求項5】

前記基板から前記第１のマスクを除去することにより前記第１のマスク上に形成された前記膜が前記基板上より除去されることを特徴とする請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。

【請求項6】

前記基板は貫通孔を備え、
前記第１のマスク付着工程において、前記第１のマスクは前記貫通孔を架橋して前記基板上に付着させ、
前記パターニング工程において、前記第２のマスク載置工程より前に前記貫通孔に架橋した前記第１のマスクを除去し、
前記第２のマスク載置工程において、前記貫通孔を覆うように前記第１のマスク上に前記第２のマスクを載置することを特徴とする請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表面に膜が形成された基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

フォトリソグラフィー技術を用いて基板上に金属膜を形成する方法として、開口部を備えるレジストマスクを基板の表面に形成し、レジストマスクの開口部に露出した基板の表面及びレジストマスクの表面に金属膜を形成した後、レジストマスクを基板から剥離して、基板表面の所定領域に金属膜を形成する、リフトオフ法を用いた膜付き基板の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平５－１２９２２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

レジストマスクの基板からの剥離は、レジストマスクを溶解する溶剤（剥離液）やガスにレジストマスクを曝すことによって行われる。リフトオフ法によって基板表面に膜形成をする場合、レジストマスク上に膜が形成された状態でレジストマスクを基板から剥離することとなるが、レジストマスク上に形成された膜の存在によって剥離液やガスに曝されるレジストマスクの面積が小さく、レジストマスクが適切に除去されずに基板表面にレジスト残渣が発生することがある。このレジスト残渣は、基板から剥離するレジストマスクの面積が大きいほど顕著に発生する。

【0005】

本発明は、上記課題を解決しようとするもので、レジスト残渣の発生を抑制した膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

基板上に膜を備えた膜付き基板の製造方法であって、前記基板上に第１のマスクを付着させる第１のマスク付着工程と、前記第１のマスクの前記膜に対応する位置に開口部を形成し、前記基板を露出させるパターニング工程と、前記開口部から露出した前記基板及び前記第１のマスクの少なくとも一部が露出するよう前記第１のマスク上に第２のマスクを載置する第２のマスク載置工程と、前記第１のマスク及び前記第２のマスクをマスクとして、前記基板上に前記膜を形成する膜形成工程と、前記第１のマスク及び前記第２のマスクを前記基板から除去するマスク除去工程と、を備えることを特徴とする膜付き基板の製造方法とする。
前記第２のマスク載置工程は、前記第１のマスクの前記開口部の周縁の少なくとも一部が露出するよう前記第２のマスクが第１のマスク上に載置する工程としてもよい。
また、前記第１のマスクはレジスト膜であり、前記第２のマスクはステンシルマスクとしてもよい。
また、前記第２のマスクは少なくとも一つの開口部を備え、当該開口部は、前記第２のマスクに形成された前記開口部よりも大きくしてもよい。
また、前記マスク除去工程において、前記基板から前記第１のマスクを除去することにより前記第１のマスク上に形成された前記膜が前記基板上より除去されてもよい。
また、前記基板は貫通孔を備え、前記第１のマスク付着工程において、前記第１のマスクは前記貫通孔を架橋して前記基板上に付着させ、前記パターニング工程において、前記第２のマスク載置工程より前に前記貫通孔に架橋した前記第１のマスクを除去し、前記第２のマスク載置工程において、前記貫通孔を覆うように前記第１のマスク上に前記第２のマスクを載置するようにしてもよい。

【発明の効果】

【0007】

本発明の膜付き基板の製造方法によれば、レジスト残渣の発生を抑制し膜付き基板を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る膜付き基板の製造方法を示す模式図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る膜付き基板の断面図である。

【図3】本発明の別の実施形態に係る膜付き基板の製造方法を示す模式図である。

【図4】本発明の別の実施形態に係る膜付き基板の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に本発明の膜付き基板の製造方法について図面を用いて説明する。図面においては各構成をわかりやすくするために実際の形状や実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。

【0010】

図２は本発明の一実施形態に係る膜付き基板を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ－Ａ断面における正面断面図である。膜付き基板（以後、配線基板２０とする）は、配線基板２０の基材である基板１と、基板１の一方の表面に形成された金属膜４とからなる。基板１は外形約２インチ×４インチの長方形であり、厚み２．０ｍｍのセラミック基板である。金属膜４は、下地金属膜と、下地金属膜上に形成された接合用金属膜とを備える。なお、便宜上、下地金属膜と接合用金属膜とを図示していない。下地金属膜は、基板１の表面側より順に、基板１と密着性がよい密着膜としてのＴｉ膜またはＴｉＷ膜、密着膜及び接合用金属膜と密着性がよい中間膜としてのＣｕ膜が積層された積層金属膜である。下地金属膜の厚みは０．４μｍ、上面視したときの外形は一辺０．３ｍｍの矩形状であり、基板１の中央部に配置されている。また、接合用金属膜は下地金属膜上に形成され、基板１の表面側より順にＮｉ膜とＡｕ膜とが積層された積層金属膜である。接合用金属膜の厚みは３μｍである。

【0011】

次に、本発明の配線基板の製造方法を説明する。図１は本発明の一実施形態に係る配線基板２０の製造方法を示す模式図である。配線基板２０は以下の方法により製造される。

【0012】

［第１のマスク付着工程：図１（ａ）］
まず、配線基板２０の基材となる基板１を準備して、この基板１の一方の面に第１のマスク２を付着させる。本実施形態では、第１のマスク２は厚み約０．０３５ｍｍのドライフィルムレジストであり、ドライフィルムレジストの一方の面に設けられた粘着層を基板１に付着することで基板１上に第１のマスク２を付着する。

【0013】

［第１のマスクパターニング工程：図１（ｂ）］
次に、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて第１のマスク２をパターニングし、配線基板２０における金属膜４の形成部位に対応する箇所に開口部２ａを形成する。具体的には、本実施形態ではネガ型のドライフィルムレジストからなる第１のマスク２上に、金属膜４の形成部位に対応する箇所以外に開口を備えたフォトマスク（不図示）を配置して第１のマスク２を露光し、その後、第１のレジスト２を現像することで第１のマスク２の露光部分以外を除去して第１のマスク２に開口部２ａを形成する。開口部２ａの開口幅は金属膜４と同じ一辺０．３ｍｍの矩形状である。この第１のマスクパターニング工程後は、第１のマスク２に形成された開口部２ａから基板１の表面が外部に露出する。

【0014】

なお、第１のマスク２はドライフィルムに限らず、液状レジストを用いてもよく、レジストの種類もネガ型に限定されずポジ型でもよい。また、基板１に後工程で形成する金属膜４とは異なる金属膜をパターン形成してこの金属膜を第１のマスク２としてもよい。

【0015】

［第２のマスク載置工程：図１（ｃ）］
次に、第１のマスク２上に第２のマスク３を載置する。本実施形態では、第２のマスク３は、厚み約０．１ｍｍの金属板からなるステンシルマスクであり、開口部３ａを備える。開口部３ａは、第１のマスク２の開口部２ａよりひと回り大きい一辺０．３５ｍｍの矩形状である。第２のマスク３の第１のマスク２上への載置は、第２のマスク３の開口部３ａが第１のマスク２の開口部２ａを包囲するように配置され、第１のマスク２における開口部２ａの周縁が第２のマスク３の開口部３ａを通して外部に露出している。また、第２のマスク３の載置においては、図示していない基板ホルダに基板１を収容し、例えば、第２のマスク３を基板ホルダにネジ等により締結することで基板１と第２のマスク３の位置決め、固定が行われる。また、ネジによる固定の代わり、磁石を備えた基板ホルダを採用し、第２のマスク３を磁力によって基板ホルダに固定してもよい。ここで、第２のマスク３は第１のマスク２に接して載置されるが接着等の手段によって付着はしておらず、基板１上より容易に取外し可能な構成としている。

【0016】

なお、第２のマスク３は金属製のステンシルマスクに限定されずセラミック等の材料を用いても構わない。

【0017】

［膜形成工程：図１（ｄ）］
次に、基板１上に配線基板２０における金属膜４を形成する。金属膜４の形成は、第１のマスク２及び第２のマスク３が基板１上に配置された状態で、下地金属膜及び接合用金属膜の各膜を蒸着法やスパッタリング法によって順次形成することで行う。この結果、第２のマスク３の表面、第２のマスク３の開口部３ａの側面、第２のマスク３の開口部３ａから露出した第１のマスク２の表面、第１のマスク２の開口部２ａの側面、及び第１のマスク２の開口部２ａから露出した基板１の表面に金属膜４が形成される。

【0018】

［第２のマスク除去工程：図１（ｅ）］
次に、第２のマスク３を基板１上から除去する。第２のマスク３を除去することで第２のマスク３の表面及び開口部３ａの側面に形成された金属膜４も同時に除去される。第２のマスク３を除去することで、第２のマスク３で覆われていた第１のマスク２の表面が露出する。

【0019】

［第１のマスク除去工程：図１（ｆ）］
次に、第１のマスク２を基板１から除去する。第１のマスク２の除去は、図示しない剥離液に基板１を浸漬することで行う。剥離液は、例えば、アルカリ水溶液や有機アミン系・ケトン系などの有機溶剤系の薬液であり、剥離液に曝された第１のマスク２は剥離液に溶解され基板１から除去される。また、金属膜４に覆われた第１のマスク２においては、剥離液に曝された金属膜４に覆われていない第１のマスク２の部位より剥離液が侵入し、それによって第１のマスク２の表面に形成された金属膜４とともに基板１から第１のマスク２が除去される。最後に、第１のマスク２が除去され、所定の位置に金属膜４が形成された基板１を洗浄し、配線基板２０が完成する。

【0020】

本実施形態における膜付き基板の製造方法では、基板１に付着させた第１のマスク２上に第２のマスク３を載置し、金属膜４の形成を行っている。このような構成とすることで、第１のマスク２上より第２のマスク３より除去した際に第２のマスク上に形成された金属膜４も除去され、第２のマスク３によって覆われていた部位の第１のマスク２が外部に露出する。第１のマスク２上に第２のマスク３を載置しないで金属膜４の形成を行った場合は、第１のマスク２の表面全体に金属膜４が形成されており、第１のマスク２上に形成された金属膜４が第１のマスク２の除去の障害となるが、本実施形態のような構成とすることで第１のマスク２における金属膜４が形成される部位の面積を小さくすることができ、第１のマスク２が剥離液に曝される面積が増大し、第１のマスク２の除去を確実に行うことができる。

【0021】

次に本発明の別の実施形態について図面を用いて説明する。図３は本発明の別の実施形態に係る配線基板３０の製造方法を示す模式図である。図４は本発明の別の実施形態に係る配線基板３０である。

【0022】

図４は本発明の別の実施形態に係る膜付き基板を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ－Ａ断面における正面断面図である。本実施形態の膜付き基板（以後、配線基板３０とする）は、基材である基板３１と、基板３１の一方の表面に形成された金属膜３４とからなる。基板３１は外形２インチ×４インチ、厚み２．０ｍｍのセラミック基板であり、その四隅には、基板３１の一方の面から他方の面を挿通し、配線基板３０の位置決めに利用される貫通孔３５を備える。貫通孔３５の外形は、配線基板３０を上面からみたとき一辺５．０ｍｍの矩形状である。また、基板３１の一方の面に形成された金属膜３４は、外径が０．１５ｍｍの円形状金属膜であり、本実施形態においては基板３１上に８つ設けられている。金属膜３４は、先の実施形態と同様に、下地金属膜と、下地金属膜上に形成された接合用金属膜とを備え、下地金属膜と接合用金属膜の構成についても先の実施形態と同様である。よって、ここでは詳細な説明を省略する。

【0023】

次に、配線基板３０の製造方法について説明する。
［第１のマスク付着工程：図３（ａ）］
まず、貫通孔３５が形成された基板３１を準備する。そして、基板３１の一方の面に第１のマスク３２を付着させる。第１のマスク３２としては、例えばドライフィルムレジストや液状レジストを利用することができる。本実施形態では、第１のマスク３２は厚み約０．０３５ｍｍのドライフィルムレジストであり、ドライフィルムレジストの一方の面に設けられた粘着層を基板３１に付着することで基板３１上に第１のマスク３２を付着する。なお、基板３１上に付着した第１のマスク３２は、基板３１の貫通孔３５に対応する箇所において貫通孔３５の開口に架橋し、貫通孔３５を塞いだ状態である。

【0024】

［第１のマスクパターニング工程：図３（ｂ）］
次に、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて第１のマスク３２をパターニングし、配線基板３０における金属膜３４の形成部位に対応する箇所に開口部３２ａを、貫通孔３５に対応する箇所に開口部３２ｂを形成する。具体的には、本実施形態ではネガ型のドライフィルムレジストからなる第１のマスク３２上に、開口部３２ａ、３２ｂに対応した箇所以外に開口を備えたフォトマスク（不図示）を配置して第１のマスク３２を露光し、その後、第１のレジスト３２を現像することで第１のマスク３２の露光部分以外を除去して第１のマスク３２に開口部３２ａ、３２ｂを形成する。金属膜３４の形成部位に対応する箇所の開口部３２ａは、金属膜３４の外径と同じ０．１５ｍｍの円形状の開口であり、貫通孔３５に対応する箇所の開口部３２ｂは、貫通孔３５より外形が大きな１辺５．２ｍｍの開口である。この第１のマスクパターニング工程後は、第１のマスク３２に形成された開口部３２ａ、３２ｂから基板３１の表面が外部に露出する。

【0025】

［第２のマスク載置工程：図３（ｃ）］
次に、第１のマスク３２上に第２のマスク３３を載置する。本実施形態では、第２のマスク３３は、厚み約０．１ｍｍの金属板からなるステンシルマスクであり、開口部３３ａを備える。開口部３３ａは、第１のマスク３２上に第２のマスク３３を載置したときに第１のマスク３２の開口部３２ａに対応する箇所すべてに設けられ、その外形は第１のマスク３２の開口部３２ａよりひと回り大きい一辺０．２ｍｍの円形状である。第２のマスク３３の第１のマスク３２上への載置は、第２のマスク３３の開口部３３ａが第１のマスク３２の開口部３２ａを包囲するように配置され、第１のマスク３２における開口部３２ａの周縁が第２のマスク３３の開口部３３ａを通して外部に露出している。なお、第１のマスク３２の開口部３２ｂは第２のマスク３３により覆われている。また、第２のマスク３３の載置においては、図示していない基板ホルダに基板３１を収容し、例えば、第２のマスク３３を基板ホルダにネジ等により締結することで基板３１と第２のマスク３３の位置決め、固定が行われる。また、ネジによる固定の代わり、磁石を備えた基板ホルダを採用し、第２のマスク３３を磁力によって基板ホルダに固定してもよい。ここで、第２のマスク３３は第１のマスク３２に接して載置されるが接着等の手段によって付着はしておらず、基板３１上より容易に取外し可能な構成としている。

【0026】

［膜形成工程：図３（ｄ）］
次に、基板３１上に配線基板３０における金属膜３４を形成する。金属膜３４の形成は、第１のマスク３２及び第２のマスク３３が基板３１上に配置された状態で、下地金属膜及び接合用金属膜の各膜を蒸着法やスパッタリング法によって順次形成することで行う。この結果、第２のマスク３３の表面、第２のマスク３３の開口部３３ａの側面、第２のマスク３３の開口部３３ａから露出した第１のマスク３２の表面、第１のマスク３２の開口部３２ａの側面、及び第１のマスク３２の開口部３２ａから露出した基板３１の表面に金属膜３４が形成される。

【0027】

［第２のマスク除去工程：図３（ｅ）］
次に、第２のマスク３３を基板３１上から除去する。第２のマスク３３を除去することで第２のマスク３３の表面及び開口部３３ａの側面に形成された金属膜３４も同時に除去される。第２のマスク３３を除去することで、第２のマスク３３で覆われていた第１のマスク３２の表面、及び第２のマスク３３で覆われ第１のマスク３２に覆われていない基板３１の貫通孔３５とその周縁部が外部に露出する。

【0028】

［第１のマスク除去工程：図３（ｆ）］
次に、第１のマスク３２を基板３１から除去する。第１のマスク３２の除去は、図示しない剥離液に基板３１を浸漬することで行う。剥離液は、例えば、アルカリ水溶液や有機アミン系・ケトン系などの有機溶剤系の薬液であり、剥離液に曝された第１のマスク３２は剥離液に溶解され基板３１から除去される。また、金属膜３４に覆われた第１のマスク３２においては、剥離液に曝された金属膜３４に覆われていない第１のマスク３２の部位より剥離液が侵入し、それによって第１のマスク３２の表面に形成された金属膜３４とともに基板３１から第１のマスク３２が除去される。最後に、第１のマスク３２が除去され、所定の位置に金属膜３４が形成された基板３１を洗浄し、配線基板３０が完成する。

【0029】

本実施形態における膜付き基板の製造方法では、先の実施形態と同様に、基板３１に付着させた第１のマスク３２上に第２のマスク３３を載置して金属膜３４の形成を行うことで、第１のマスク３２の除去を確実に行うことができる。また、第１のマスク３２の開口部３２ａの周縁は第２のマスク３３によって覆われない構成であり、一般的にドライフィルムレジストからなる第１のマスク３２は金属板からなるステンシルマスクの第２のマスク３３より形状精度が高いため、高い形状精度で金属膜３４を形成することができる。

【0030】

また、本実施形態では、開口部３２ａ、３２ｂを形成する前（パターニング前）における第１のマスク３２は、貫通孔３５に対応する箇所において貫通孔３５に架橋している。このように貫通孔３５に架橋した第１のマスク３２は、その架橋部で破損を生じ易く、この第１のマスク３２の破損は貫通孔３５の開口面積が大きくなるほど生じ易い。架橋部において破損した第１のマスク３２は、第１のマスク除去工程において、基板３１から第１のマスク３２を取り除く際に基板３１に付着して、基板３１上に残存してしまうことが多い。そこで本実施形態では、第１のマスク３２における貫通孔３５に対応する箇所に開口部３２ｂを設けることで、仮に第１のマスクに破損が生じた場合であっても、その破損した第１のマスク３２を第１のマスク除去工程の前に基板３１上から取り除き、破損した第１のマスク３２の基板３１への付着を防止している。なお、第１のマスク３２の開口部３２ｂには、第２のマスク載置工程において、開口部３２ｂを覆い第２のマスク３３が第１のマスク３２上に載置されるため、貫通孔３５に金属膜３４が形成されない。ここで、第１のマスク３２をドライフィルムレジストではなく、液状レジストとすることで第１のマスク３２が貫通孔３５に架橋しない構成とすることができるが、例えばスピンコートで液状レジストを基板３１上へ付着させる場合には、貫通孔３５の内部に液状レジストが流れ込んでしまい基板３１上へ第１のマスク３２を適切な厚みで形成することが難しい。したがって、第１のマスク３２はドライフィルムレジストやスプレーコート法により形成する液状レジストを採用し、基板３１に付着させることが好ましい。なお、貫通孔３５に金属膜３４を形成したい場合は、第２のマスク３３の貫通孔３５に対応する箇所に開口部を設け貫通孔３５が外部に露出した状態で金属膜３４を形成すればよい。

【0031】

以上、本発明の膜付き基板の製造方法について、実施形態に基づき説明してきたが、本発明の範囲は前述の実施形態に限定されるものではなく本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。例えば、基板の基材はセラミックとしたが、セラミックに限定されず窒化アルミニウム等の他の材料を用いても構わない。基板は矩形基板に限定されず円形基板でも構わない。

【0032】

また、本実施形態ではセラミックからなる基板１、３１上に第１のマスク２、３２を付着させたが、基板１、３１上に金属膜や絶縁膜などの膜を形成し、その上に第１のマスク２、３２を付着させても構わない。

【0033】

また、本実施形態の第２のマスク３、３３の表面に撥水性を有する有機シラン単分子膜を形成してもよい。この場合、膜形成工程において第１のマスク２、３２と第２のマスク３、３３とが加熱されても第１のマスク２、３２が第２のマスク３、３３へ溶着することを抑えることができる。

【0034】

また、実施形態では金属膜４、３４を下地金属膜と接合用金属膜からなる膜としたがこれに限定されず、下地金属膜、接合用金属膜の各構成やその材質も本実施形態に限定されるものではなく、配線基板２０、３０に求められる用途に応じてその構成や材質は適宜選定可能である。また、金属膜４、３４の形状や形成位置についても同様である。さらに、基板１、３１上に形成する膜は金属膜４、３４に限定されず絶縁膜などでもよい。

【符号の説明】

【0035】

１、３１ 基板
２、３２ 第１のマスク
２ａ、３２ａ、３２ｂ 開口部
３、３３ 第２のマスク
３ａ、３３ａ 開口部
４、３４ 金属膜
３５ 貫通孔
２０、３０ 配線基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】