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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024093745
(43)【公開日】2024-07-09
(54)【発明の名称】配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240702BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240702BHJP
H01L 23/15 20060101ALI20240702BHJP
H01L 23/32 20060101ALI20240702BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 N
H05K3/46 B
H01L23/14 C
H01L23/32 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022210311
(22)【出願日】2022-12-27
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】ＴＯＰＰＡＮホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100108855
【弁理士】
【氏名又は名称】蔵田 昌俊
(74)【代理人】
【識別番号】100179062
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 正
(74)【代理人】
【識別番号】100199565
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 茂
(74)【代理人】
【識別番号】100209048
【弁理士】
【氏名又は名称】森川 元嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100212705
【弁理士】
【氏名又は名称】矢頭 尚之
(74)【代理人】
【識別番号】100219542
【弁理士】
【氏名又は名称】大宅 郁治
(72)【発明者】
【氏名】中村 司
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA33
5E316AA35
5E316AA38
5E316AA43
5E316CC08
5E316CC18
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC34
5E316CC35
5E316CC36
5E316CC37
5E316CC38
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE31
5E316FF04
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH33
5E316JJ14
(57)【要約】
【課題】ガラス基板へのダメージを抑制しつつ、安定的にガラス基板から支持体を剥離する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、互いに対向する第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを有し、第１導体層が形成される第１領域ＩＲと、第１領域を囲む第２領域ＯＲと、第２領域を囲み且つ第１面の端部を含む第３領域ＥＲとを含むガラス基板１０の第２面側に第１支持体１２を貼り合わせることと、第１面側に第１導体層を形成することと、ガラス基板及び第１支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、第１導体層を含む第１堆積物２００を除去することと、ガラス基板から第１支持体を分離することとを備える。
【選択図】図９
【解決手段】配線基板の製造方法は、互いに対向する第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とを有し、第１導体層が形成される第１領域ＩＲと、第１領域を囲む第２領域ＯＲと、第２領域を囲み且つ第１面の端部を含む第３領域ＥＲとを含むガラス基板１０の第２面側に第１支持体１２を貼り合わせることと、第１面側に第１導体層を形成することと、ガラス基板及び第１支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、第１導体層を含む第１堆積物２００を除去することと、ガラス基板から第１支持体を分離することとを備える。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに対向する第１面と第２面とを有し、第１導体層が形成される第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、前記第２領域を囲み且つ前記第１面の端部を含む第３領域とを含むガラス基板の前記第２面側に第１支持体を貼り合わせることと、
前記第１面側に前記第１導体層を形成することと、
前記ガラス基板及び前記第１支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、前記第１導体層を含む第１堆積物を除去することと、
前記ガラス基板から前記第１支持体を分離することと
を備える、
配線基板の製造方法。
前記第１面側に前記第１導体層を形成することと、
前記ガラス基板及び前記第１支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、前記第１導体層を含む第１堆積物を除去することと、
前記ガラス基板から前記第１支持体を分離することと
を備える、
配線基板の製造方法。
【請求項2】
前記第１堆積物を除去することにおいて、前記第１堆積物及び前記ガラス基板の第３領域が除去される、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項3】
前記ガラス基板の前記第３領域は、ダイシング処理により除去される、
請求項２記載の配線基板の製造方法。
請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項4】
前記ガラス基板の前記第３領域は、レーザ光照射により除去される、
請求項２記載の配線基板の製造方法。
請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項5】
前記ガラス基板の前記第３領域は、スクライブ処理及びブレイク処理により除去される、
請求項２記載の配線基板の製造方法。
請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項6】
前記第３領域の幅は０ｍｍより大きく１ｍｍ以下である、
請求項２記載の配線基板の製造方法。
請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項7】
前記第１堆積物を除去することにおいて、前記第１堆積物は、レーザ光照射により除去される、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項8】
前記第１堆積物を除去することにおいて、前記第１堆積物及び前記ガラス基板の第３領域が除去され、前記第１支持体は除去されない、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項9】
前記第１面上に第１絶縁層を形成することを更に備え、
前記第１堆積物は、前記第１絶縁層を更に含む、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記第１堆積物は、前記第１絶縁層を更に含む、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項10】
前記第１支持体が貼り合わせられた前記ガラス基板にレーザを照射し、前記ガラス基板に改質部を形成することと、
前記改質部にエッチング処理を行い、前記ガラス基板に貫通孔を形成することと
を更に備える、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記改質部にエッチング処理を行い、前記ガラス基板に貫通孔を形成することと
を更に備える、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項11】
前記ガラス基板の前記第１面側に第２支持体を貼り合わせることと、
前記第２面側に第２導体層を形成することと、
前記ガラス基板及び前記第２支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、前記第２導体層を含む第２堆積物を除去することと、
前記ガラス基板から前記第２支持体を分離することと
を備える、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記第２面側に第２導体層を形成することと、
前記ガラス基板及び前記第２支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、前記第２導体層を含む第２堆積物を除去することと、
前記ガラス基板から前記第２支持体を分離することと
を備える、
請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項12】
前記ガラス基板は、前記第２領域と前記第３領域との間に設けられた第４領域を更に含み、
前記第２堆積物を除去することにおいて、前記第２堆積物及び前記ガラス基板の第４領域が除去される、
請求項１１記載の配線基板の製造方法。
前記第２堆積物を除去することにおいて、前記第２堆積物及び前記ガラス基板の第４領域が除去される、
請求項１１記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器の高機能化及び小型化が進んでいる。これに伴い、インターポーザのような、電子機器に搭載される多層配線基板にも、更なる高精度化が求められている。インターポーザは、コア材を貫通する貫通電極が設けられた多層配線基板である。インターポーザは、配線のデザインルールが互いに異なる集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）チップ及びプリント基板のように、端子間距離が異なる部品を、貫通電極を介して中継する機能を有する。
【0003】
近年、コア材にガラス基板を採用したガラスインターポーザが注目されている。ガラスインターポーザは、安価で大面積のガラス基板に貫通電極等を形成し、これを個片化することによって得られるため、製造コストが低い。一方、ガラス基板の厚さが１００μｍ程度に薄くなると、ガラス基板には、製造中に割れ等の障害が発生しやすい。このような障害を防ぐために、ガラス基板を支持体で補強する方法が提案されている。
【0004】
例えば、特許文献１では、ガラス基板に剥離層を介して支持体を接着し、配線の形成後に支持体を剥離除去する方法が記載されている。具体的には、まず、ガラス基板の第１面上に第１の配線を形成する。次に、第１の配線が形成されたガラス基板の第１の配線側を支持体でサポートする。そして、ガラス基板に対して、貫通孔形成の起点となるレーザ改質部を、第１面とは反対側の面から照射するレーザで形成する。次に、ガラス基板の第１面とは反対側の面から第１面に向けて、弗酸を用いたエッチングを施して、ガラス基板の薄板化を行いつつ貫通孔を形成する。次いで、貫通孔形成後に、貫通孔の内部に貫通電極を形成すると共に、ガラス基板の第１面とは反対側の面に第２の配線を形成して、貫通電極を介して第１の配線と第２の配線を接続する。そして、第２の配線の形成後に、ガラス基板から支持体を外す。このようにして、製造中におけるガラス基板の割れ等の障害が抑制される。
【0005】
特許文献２では、支持体をガラス基板に積層する工程が記載されている。一方、特許文献２には、支持体をガラス基板から剥離する工程については記載されていない。
【0006】
特許文献３では、支持体をガラス基板から剥離する工程が記載されている。一方、特許文献３には、支持体の剥離方法、及び剥離の際の懸念点等については記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】国際公開第２０１９／２３５６１７号
【特許文献2】特許第７０１１２１５号公報
【特許文献3】特許第６１７６２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ガラス基板から支持体を剥離させる際には、ガラス基板と樹脂層、または、支持体の積層体の側面における剥離性については検討されていない。そのため、ガラス基板に意図しない欠けや割れ等が発生する可能性がある。このため、ガラス基板を傷つけずに安定的に支持体を剥離することは、困難である。
【0009】
本発明は、ガラス基板へのダメージを抑制しつつ、安定的にガラス基板から支持体を剥離し得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一側面によると、互いに対向する第１面と第２面とを有し、第１導体層が形成される第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、前記第２領域を囲み且つ前記第１面の端部を含む第３領域とを含むガラス基板の前記第２面側に第１支持体を貼り合わせることと、前記第１面側に前記第１導体層を形成することと、前記ガラス基板及び前記第１支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、前記第１導体層を含む第１堆積物を除去することと、前記ガラス基板から前記第１支持体を分離することとを備える配線基板の製造方法が提供される。
【0011】
本発明の更に他の側面によると、前記第１堆積物を除去することにおいて、前記第１堆積物及び前記ガラス基板の第３領域が除去される、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0012】
本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第３領域は、ダイシング処理により除去される、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0013】
本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第３領域は、レーザ光照射により除去される、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0014】
本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第３領域は、スクライブ処理及びブレイク処理により除去される、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0015】
本発明の更に他の側面によると、前記第３領域の幅は０ｍｍより大きく１ｍｍ以下である、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0016】
本発明の更に他の側面によると、前記第１堆積物を除去することにおいて、前記第１堆積物は、レーザ光照射により除去される、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0017】
本発明の更に他の側面によると、前記第１堆積物を除去することにおいて、前記第１堆積物及び前記ガラス基板の第３領域が除去され、前記第１支持体は除去されない、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0018】
本発明の更に他の側面によると、前記第１面上に第１絶縁層を形成することを更に備え、前記第１堆積物は、前記第１絶縁層を更に含む、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0019】
本発明の更に他の側面によると、前記第１支持体が貼り合わせられた前記ガラス基板にレーザを照射し、前記ガラス基板に改質部を形成することと、前記改質部にエッチング処理を行い、前記ガラス基板に貫通孔を形成することとを更に備える、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0020】
本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板の前記第１面側に第２支持体を貼り合わせることと、前記第２面側に第２導体層を形成することと、前記ガラス基板及び前記第２支持体の側面の少なくとも一部に堆積され、前記第２導体層を含む第２堆積物を除去することと、前記ガラス基板から前記第２支持体を分離することとを備える、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0021】
本発明の更に他の側面によると、前記ガラス基板は、前記第２領域と前記第３領域との間に設けられた第４領域を更に含み、前記第２堆積物を除去することにおいて、前記第２堆積物及び前記ガラス基板の第４領域が除去される、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0022】
本発明によれば、ガラス基板から支持体を剥離する際にガラス基板の割れや欠けなどの発生を抑制し、安定的に支持体を剥離することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独でまたは複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。
【0025】
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0026】
なお、同様または類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。
【0027】
なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方または下方に示される面を意味する。なお、「上面」、「下面」については、「第１面」、「第２面」と称することもある。
【0028】
また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚さの部分を意味する。更に、面の一部および側面を合わせて「端部」ということがある。
【0029】
また、「上方」とは、板状部材または層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。更に、「上方」およびこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸プラス方向」、「Ｚ軸マイナス方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。
【0030】
＜１＞第１実施形態
＜１．１＞配線基板の構成
まず、図１及び図２を参照して、配線基板１の構成の一例について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の断面図である。図２は、図１に示す配線基板における領域Ｒ１の拡大図である。以下の説明において、参照符号の末尾に「ｓ」が付与されている場合、当該材料が配線基板１のサイズに合わせて切断されている状態を示す。例えば、後述するガラス基板１０ｓは、ガラス基板１０が配線基板１のサイズに切断されている状態を示す。
＜１．１＞配線基板の構成
まず、図１及び図２を参照して、配線基板１の構成の一例について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の断面図である。図２は、図１に示す配線基板における領域Ｒ１の拡大図である。以下の説明において、参照符号の末尾に「ｓ」が付与されている場合、当該材料が配線基板１のサイズに合わせて切断されている状態を示す。例えば、後述するガラス基板１０ｓは、ガラス基板１０が配線基板１のサイズに切断されている状態を示す。
【0031】
図１及び図２に示すように、配線基板１は、ガラス基板を用いたガラスコア配線基板である。配線基板１は、例えば、図示しないプリント配線基板やシリコンチップ等に接続される。図１の例では、配線基板１が、インターポーザとして使用する配線基板、すなわち、ガラスインターポーザである場合が示される。
【0032】
配線基板１は、ガラス基板１０ｓ、第１導体層２０、誘電体層３１、上部電極３２、層間絶縁膜４０ｓ、ビルドアップ層５０、絶縁層６０ｓ、導体層７０、第２導体層８０、層間絶縁膜９０ｓ、ビルドアップ層１００、絶縁層１１０ｓ、及び導体層１２０を含む。第１導体層２０、誘電体層３１、及び上部電極３２により、キャパシタ３０が構成される。すなわち、配線基板１は、キャパシタ３０を含む。なお、配線基板１は、図示せぬインダクタを含んでいてもよい。
【0033】
ガラス基板１０ｓは、光透過性を有する透明のガラス材料である。ガラス基板１０ｓの成分、及び成分の配合比率は、限定されない。ガラス基板１０ｓの例としては、珪酸塩を主成分とするガラス材料が挙げられるが、その他のガラス材料であってもよい。ガラス基板１０ｓの具体例としては、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、あるいは感光性ガラス等が挙げられるが、無アルカリガラスがより好ましい。
【0034】
ガラス基板１０ｓの厚さは、５０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。配線基板１をシリコンチップと接続する場合、ガラス基板１０ｓの線膨張係数は、シリコンチップとの線膨張係数差を考慮して決定される。この場合、ガラス基板１０ｓの線膨張係数は、０．５ｐｐｍ／Ｋ以上、８．０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることが好ましく、１．０ｐｐｍ／Ｋ以上、４．０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【0035】
ガラス基板１０ｓは、互いに向き合う第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する。第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とは、略平行である。以下では、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２と平行な面をＸＹ平面とする。ＸＹ平面内で互いに交差する方向をＸ方向及びＹ方向とする。ＸＹ平面と交差する方向をＺ方向とする。Ｚ方向のうち、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１に向かう方向を上方向とも表記する。Ｚ方向のうち、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２に向かう方向を下方向とも表記する。また、第１面Ｓ１は、ガラス基板１０ｓの表面または上面とも表記する。第２面Ｓ２は、ガラス基板１０ｓの裏面または下面とも表記する。また、ガラス基板１０ｓのＸＹ方向を向いた面を側面と表記する。
【0036】
ガラス基板１０ｓには、各々が第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで達する１以上の貫通孔ＨＲが設けられている。換言すれば、ガラス基板１０ｓには、ガラス基板１０をＺ方向に貫通する１以上の貫通孔ＨＲが設けられている。図１の例では、５個の貫通孔ＨＲが示されているが、貫通孔ＨＲの個数は任意である。図２に示すように、貫通孔ＨＲは、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りしている。より具体的には、例えば、貫通孔ＨＲは、テーパ形状を有する。そして、貫通孔ＨＲの第１面Ｓ１側の開口径（または断面積）は、貫通孔ＨＲの第２面Ｓ２側の開口径（または断面積）よりも小さい。
【0037】
まず、ガラス基板１０ｓの第１面側（「配線基板１の表側」とも表記する）の構造について説明する。
【0038】
第１導体層２０は、第１面Ｓ１上に設けられている。第１導体層２０は、第１配線層として機能する。例えば、第１導体層２０は、ランド部と、配線部と、後述するキャパシタ３０の下部電極部とを含む。例えば、第１導体層２０のランド部は、貫通孔ＨＲの第１面Ｓ１側の開口部を囲む領域であり、且つキャパシタ３０の下部電極として機能しない領域である。下部電極部は、キャパシタ３０の下部電極として機能する領域である。第１導体層２０の配線部は、例えば、第１導体層２０のランド部と下部電極部とを結ぶ配線として機能する。
【0039】
第１導体層２０は、多層構造を有する。具体的には、第１導体層２０は、耐弗酸金属層２１と、金属層２２とを含む。
【0040】
耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０の第１面Ｓ１上に設けられている。換言すると、耐弗酸金属層２１は、第１面Ｓ１に接している。耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０ｓと比較して、弗酸によるエッチング耐性に優れた金属材料からなる。すなわち、耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０ｓよりも弗酸によるエッチングレートが低い。耐弗酸金属層２１は、例えば、Ｃｒ及びＮｉからなる群より得られる合金層である。耐弗酸金属層２１の厚さは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【0041】
金属層２２は、耐弗酸金属層２１上に設けられる。金属層２２は、例えば、シード層及び銅層を含む。例えば、シード層及び銅層は、耐弗酸金属層２１上に、この順に積層される。シード層の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、及びＣｕ３Ｎ４からなる群から適宜選ばれる。シード層の厚さは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。銅層の厚さは、２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。シード層は、銅層を電解めっきによって形成する場合に設けられる。銅層が無電解めっきやスパッタリング等の他の方法を利用して形成される場合、シード層は省略されてもよい。
【0042】
誘電体層３１及び上部電極３２は、第１導体層２０の下部電極部の上に、この順に積層される。上部電極３２と誘電体層３１と第１導体層２０の下部電極部とにより、キャパシタ３０が構成される。より具体的には、キャパシタ３０として、ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）コンデンサが構成される。
【0043】
誘電体層３１は、絶縁性及び比誘電率の観点から、アルミナ、シリカ、シリコンナイトライド、タンタルオキサイド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、及びチタン酸ストロンチウムから選択される少なくとも１つの材料を用いることができる。誘電体層３１の厚さは、１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上、５μｍ以下の範囲内であることが好ましく、５０ｎｍ（０．０５μｍ）以上、１μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。誘電体層３１の厚さが１０ｎｍ（０．０１μｍ）未満である場合、絶縁性を保つことが困難であり、キャパシタとしての機能が発現しない場合がある。誘電体層３１の厚さが５μｍより大きい場合、後述する製造工程に時間がかかり、量産性に欠ける。
【0044】
上部電極３２は、例えば、シード層及び金属層を含む。シード層及び金属層は、誘電体層３１の上に、この順に積層される。上部電極３２の金属層には、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、金、ロジウム、イリジウム等が適用可能である。上部電極３２の金属層は、電気伝導性及び価格の観点から、銅が好ましい。
【0045】
図１に示す例では、第１導体層２０の下部電極部は、貫通孔ＨＲの第１面Ｓ１側の開口部を覆う。すなわち、下部電極部は、貫通孔ＨＲの上に設けられている。なお、下部電極部は、貫通孔ＨＲから離間されてもよい。下部電極部を貫通孔ＨＲの第１面Ｓ１側の開口部を覆うように設ける場合、キャパシタ３０と後述する第２導体層８０とを接続する配線に起因した電気抵抗の低減、あるいは、配線長の短縮が可能になる。
【0046】
なお、本実施形態では、第１面Ｓ１側にキャパシタ３０が設けられているが、第２面Ｓ２側にキャパシタが設けられてもよい。また、第１面Ｓ１側及び第２面Ｓ２側にキャパシタがそれぞれ設けられてもよい。また、キャパシタ３０は、省略されてもよい。
【0047】
層間絶縁膜４０ｓは、多層構造を有する。例えば、層間絶縁膜４０ｓは、層間絶縁膜４１ｓ及び４２ｓを含む。例えば、層間絶縁膜４１ｓ及び４２ｓは、第１面Ｓ１上に、この順に積層される。
【0048】
ビルドアップ層５０は、１層以上の配線構造を有する。図１の例では、ビルドアップ層５０は、２層の配線構造を有する。例えば、ビルドアップ層５０は、導体層５１及び５２を含む。
【0049】
層間絶縁膜４１ｓは、第１面Ｓ１上に設けられる。層間絶縁膜４１ｓは、第１導体層２０、誘電体層３１及び上部電極３２を被覆する。層間絶縁膜４１ｓには、ＸＹ平面において、第１導体層２０のランド部及び上部電極３２の位置に、貫通孔が設けられる。例えば、層間絶縁膜４１ｓは、絶縁樹脂層である。例えば、絶縁樹脂層としては、熱硬化性樹脂にフィラーが充填された液状樹脂またはフィルム状樹脂が主に使用される。熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、及びポリアミド系樹脂の少なくとも１種類の材料を含むことが好ましい。フィラーとしては、シリカ、酸化チタン、及びウレタン等の材料を含むことが好ましい。
【0050】
導体層５１は、層間絶縁膜４１ｓ上に設けられる。導体層５１は、層間絶縁膜４１ｓのＺ方向を向いた面上に設けられたランド部及び配線部と、層間絶縁膜４１ｓに設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部と、を含む。導体層５１のランド部は、例えば、層間絶縁膜４１ｓに設けられた貫通孔の開口部を囲む領域である。導体層５１の配線部は、例えば、導体層５１の複数のランド部の間、または導体層５１のランド部と導体層５２とを接続する配線として機能する。導体層５１のビア部は、例えば、第１導体層２０のランド部または上部電極３２と、導体層５１のランド部とを接続する。
【0051】
導体層５１は、シード層及び銅層を含む。導体層５１のシード層及び銅層は、層間絶縁膜４１ｓ上に、この順に積層される。導体層５１のシード層には、前述した第１導体層２０のシード層について例示した材料を使用することができる。
【0052】
層間絶縁膜４２ｓは、層間絶縁膜４１ｓ上に設けられる。層間絶縁膜４２ｓは、導体層５１のランド部及び配線部を被覆する。層間絶縁膜４２ｓには、ＸＹ平面において、導体層５１のランド部の位置に、貫通孔が設けられる。例えば、層間絶縁膜４２ｓは、絶縁樹脂層である。例えば、層間絶縁膜４２ｓに含まれる絶縁樹脂層には、前述した層間絶縁膜４１ｓに含まれる絶縁樹脂層について例示した材料を使用することができる。
【0053】
導体層５２は、層間絶縁膜４２ｓ上に設けられる。導体層５２は、層間絶縁膜４２ｓのＺ方向を向いた面上に設けられたパッド部及び配線部と、層間絶縁膜４２ｓに設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部と、を含む。導体層５２のパッド部は、例えば、層間絶縁膜４２ｓに設けられた貫通孔の開口部を囲む領域である。導体層５２の配線部は、例えば、導体層５２の複数のパッド部の間、または導体層５２のパッド部と導体層７０とを接続する配線として機能する。導体層５２のビア部は、例えば、導体層５１のランド部と、導体層５２のパッド部とを接続する。
【0054】
導体層５２は、シード層及び銅層を含む。導体層５２のシード層及び銅層は、層間絶縁膜４２ｓ上に、この順に積層される。導体層５２のシード層には、前述した第１導体層２０のシード層について例示した材料を使用することができる。
【0055】
絶縁層６０ｓは、層間絶縁膜４２ｓ（層間絶縁膜４０ｓ）上に設けられる。絶縁層６０ｓは、導体層５２のパッド部及び配線部を被覆する。絶縁層６０ｓには、ＸＹ平面において、導体層５２のパッド部の位置に貫通孔が設けられる。絶縁層６０ｓは、例えば、ソルダーレジストからなる。
【0056】
導体層７０は、配線基板１の表側を外部のプリント配線基板と接続するためのバンプである。導体層７０は、絶縁層６０ｓの貫通孔を埋め込む。導体層７０は、導体層５２のパッド部に接続される。導体層７０は、絶縁層６０ｓから突出した部分を有する。導体層７０は、例えば、はんだからなる。
【0057】
次に、ガラス基板１０ｓの貫通孔ＨＲ及び第２面側（「配線基板１の裏側」とも表記する）の構造について説明する。
【0058】
第２導体層８０は、第２面Ｓ２上に設けられた部分と、貫通孔ＨＲ内に設けられた部分とを含む。第２導体層８０の第２面Ｓ２上に設けられた部分は、第２配線層として機能する。第２導体層８０の第２面Ｓ２上に設けられた部分は、ランド部及び配線部を含む。第２導体層８０のランド部は、例えば、貫通孔ＨＲの第２面Ｓ２側の開口部を囲む領域である。第２導体層８０の配線部は、例えば、第２導体層８０の複数のランド部を接続する配線として機能する。第２導体層８０の貫通孔ＨＲ内に設けられた部分は、貫通孔ＨＲの側面に接する。また、第２導体層８０の貫通孔ＨＲ内に設けられた部分は、貫通孔ＨＲの第１面Ｓ１の開口部において、耐弗酸金属層２１（第１導体層２０）に接する。第２導体層８０の貫通孔ＨＲ内に設けられた部分は、第２導体層８０のビア部として機能する。第２導体層８０のビア部は、例えば、第１導体層２０と第２導体層８０のランド部とを接続する。
【0059】
例えば、第２導体層８０は、貫通孔ＨＲの側面及び底面（第１面Ｓ１側の耐弗酸金属層２１に接する面）並びに第２面Ｓ２上にコンフォーマルに形成され得る。換言すれば、第２導体層８０は、貫通孔ＨＲの側面及び底面並びに第２面Ｓ２上における膜厚差が比較的小さくなるように形成され得る。なお、貫通孔ＨＲ内は、第２導体層８０により埋め込まれていてもよい。
【0060】
第２導体層８０は、多層構造を有する。例えば、第２導体層８０は、シード層及び銅層を含む。例えば、第２導体層８０のシード層及び銅層は、ガラス基板１０ｓ上に、この順に積層される。第２導体層８０のシード層には、前述した第１導体層２０のシード層について例示した材料を使用することができる。
【0061】
層間絶縁膜９０ｓは、多層構造を有する。例えば、層間絶縁膜９０ｓは、層間絶縁膜９１ｓ及び９２ｓを含む。例えば、層間絶縁膜９１ｓ及び９２ｓは、層間絶縁膜９０ｓ上に、この順に積層される。
【0062】
ビルドアップ層１００は、１層以上の配線構造を有する。図１の例では、ビルドアップ層１００は、２層の配線構造を有する。例えば、ビルドアップ層１００は、導体層１０１及び１０２を含む。
【0063】
層間絶縁膜９１ｓは、第２面Ｓ２上に設けられる。層間絶縁膜９１ｓは、第２導体層８０を被覆する。層間絶縁膜９１ｓには、ＸＹ平面において、第２導体層８０のランド部の位置に、貫通孔が設けられる。例えば、層間絶縁膜９１ｓは、絶縁樹脂層である。層間絶縁膜９１ｓに含まれる絶縁樹脂層には、前述した層間絶縁膜４１ｓに含まれる絶縁樹脂層について例示した材料を使用することができる。
【0064】
導体層１０１は、層間絶縁膜９１ｓ上に設けられる。導体層１０１は、層間絶縁膜９１ｓのＺ方向を向いた面に設けられたランド部及び配線部と、層間絶縁膜９１ｓに設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部と、を含む。導体層１０１のランド部は、例えば、層間絶縁膜９１ｓに設けられた貫通孔の開口部を囲む領域である。導体層１０１の配線部は、例えば、導体層１０１の複数のランド部の間、または導体層１０１のランド部と導体層１０２とを接続する配線として機能する。導体層１０１のビア部は、例えば、第２導体層８０のランド部または配線部と、導体層１０１のランド部とを接続する。
【0065】
導体層１０１は、シード層及び銅層を含む。導体層１０１のシード層及び銅層は、層間絶縁膜９１ｓ上に、この順に積層される。導体層１０１のシード層には、前述した第１導体層２０のシード層について例示した材料を使用することができる。
【0066】
層間絶縁膜９２ｓは、層間絶縁膜９１ｓ上に設けられる。層間絶縁膜９２ｓは、導体層１０１のランド部及び配線部を被覆する。層間絶縁膜９２ｓには、ＸＹ平面において、導体層１０１のランド部の位置に、貫通孔が設けられる。例えば、層間絶縁膜９２ｓは、絶縁樹脂層である。層間絶縁膜９２ｓに含まれる絶縁樹脂層には、前述した層間絶縁膜４１ｓに含まれる絶縁樹脂層について例示した材料を使用することができる。
【0067】
導体層１０２は、層間絶縁膜９２ｓ上に設けられる。導体層１０２は、層間絶縁膜９２ｓのＺ方向を向いた面上に設けられたパッド部及び配線部と、層間絶縁膜９２ｓに設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部と、を含む。導体層１０２のパッド部は、例えば、層間絶縁膜９２ｓに設けられた貫通孔の開口部を囲む領域である。導体層１０２の配線部は、例えば、導体層１０２の複数のパッド部の間、または導体層１０２のパッド部と導体層１２０とを接続する配線として機能する。導体層１０２のビア部は、例えば、導体層１０１のランド部と、導体層１０２のパッド部とを接続する。
【0068】
導体層１０２は、シード層及び銅層を含む。導体層１０２のシード層及び銅層は、層間絶縁膜９２ｓ上に、この順に積層される。導体層１０２のシード層には、前述した第１導体層２０のシード層について例示した材料を使用することができる。
【0069】
絶縁層１１０ｓは、層間絶縁膜９２ｓ（層間絶縁膜９０ｓ）上に設けられる。絶縁層１１０ｓは、導体層１０２のパッド部及び配線部を被覆する。絶縁層１１０ｓには、ＸＹ平面において、導体層１０２のパッド部の位置に貫通孔が設けられる。絶縁層１１０ｓは、例えば、ソルダーレジストからなる。
【0070】
導体層１２０は、配線基板１の裏側を外部のプリント配線基板と接続するためのバンプである。導体層１２０は、絶縁層１１０ｓの貫通孔を埋め込む。導体層１２０は、導体層１０２のパッド部に接続される。導体層１２０は、絶縁層１１０ｓから突出した部分を有する。導体層１２０は、例えば、はんだからなる。
【0071】
＜１．２＞配線基板の製造方法
次に、図３乃至図１６を参照して、配線基板１の製造方法の一例について説明する。配線基板１の製造工程において、後述する第１乃至第１４工程が実施される。図３は、配線基板１の製造に用いられるガラス基板１０を示す平面図である。図４乃至図１６は、配線基板１の製造方法における一工程を示す断面図である。このうち、図４、図５、図７、及び図８、並びに図１１乃至図１６は、図３のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図６は、ガラス基板１０の平面図である。図９及び図１０は、配線基板１の製造方法における一工程を示す複合体の端部の断面図である。
次に、図３乃至図１６を参照して、配線基板１の製造方法の一例について説明する。配線基板１の製造工程において、後述する第１乃至第１４工程が実施される。図３は、配線基板１の製造に用いられるガラス基板１０を示す平面図である。図４乃至図１６は、配線基板１の製造方法における一工程を示す断面図である。このうち、図４、図５、図７、及び図８、並びに図１１乃至図１６は、図３のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図６は、ガラス基板１０の平面図である。図９及び図１０は、配線基板１の製造方法における一工程を示す複合体の端部の断面図である。
【0072】
＜１．２．１＞第１工程
まず、表面である第１面Ｓ１と、裏面である第２面Ｓ２とを有するガラス基板１０を準備する。例えば、無アルカリガラス板の表面から、超音波洗浄などで汚染物を除去して、ガラス基板１０を得る。
まず、表面である第１面Ｓ１と、裏面である第２面Ｓ２とを有するガラス基板１０を準備する。例えば、無アルカリガラス板の表面から、超音波洗浄などで汚染物を除去して、ガラス基板１０を得る。
【0073】
ガラス基板１０の製造方法は、特に限定されない。ガラス基板１０の製造方法の例としては、フロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、アップドロー法、ロールアウト法等が挙げられる。
【0074】
図３に示すように、ガラス基板１０は、ガラス基板１０ｓと比較して、Ｘ方向及びＹ方向の寸法がより大きな大判のガラス基板である。ガラス基板１０は、ＸＹ平面視において（Ｚ方向に見て）、中央部ＩＲと、外周部ＯＲと、端部ＥＲとを有する。中央部ＩＲは、複数のガラス基板１０ｓがマトリクス状に配置される領域である。外周部ＯＲは、中央部ＩＲを囲む外側の領域である。端部ＥＲは、外周部ＯＲを囲む領域であり、ガラス基板１０の端部を含む。ガラス基板１０の厚さは、７５μｍ以上、２００μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【0075】
＜１．２．２＞第２工程
次に、図４に示すように、第２面Ｓ２に、接着層１１を介して支持体１２を貼り合わせる。ガラス基板１０に支持体１２を貼り合わせるためには、例えば、ラミネータ、真空加圧プレス、減圧貼り合わせ機等を使用することができる。なお、図４の例では、中央部ＩＲは、１つの配線基板１のガラス基板１０ｓを抜粋して示している。図５乃至図８並びに図１１乃至図１６も同様である。
次に、図４に示すように、第２面Ｓ２に、接着層１１を介して支持体１２を貼り合わせる。ガラス基板１０に支持体１２を貼り合わせるためには、例えば、ラミネータ、真空加圧プレス、減圧貼り合わせ機等を使用することができる。なお、図４の例では、中央部ＩＲは、１つの配線基板１のガラス基板１０ｓを抜粋して示している。図５乃至図８並びに図１１乃至図１６も同様である。
【0076】
接着層１１は、ガラス基板１０に支持体１２を仮固定するための接着層である。接着層１１は、例えば、第２面Ｓ２上に形成される官能基である。接着層１１として用いられる官能基としては、例えば、水酸基（ヒドロキシル基）が挙げられる。
【0077】
なお、図４乃至図１６では、説明の便宜上、接着層１１を、厚さを有する層状に図示している。しかしながら、接着層１１として第２面Ｓ２上に形成された官能基が用いられる場合、接着層１１の厚さは、ガラス基板１０及び支持体１２と比較して無視できるほど小さい。このため、接着層１１は、ガラス基板１０と支持体１２との間の界面と表現することもできる。
【0078】
支持体１２は、第１支持体であり、薄板状のキャリアである。接着性の観点から、支持体１２は、ガラス基板１０と同一の材料で構成されることが望ましい。すなわち、ガラス基板１０が無アルカリガラスである場合、支持体１２も無アルカリガラスであることが好ましい。支持体１２の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。支持体１２の厚さは、ガラス基板１０の搬送性を鑑み、３００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【0079】
＜１．２．３＞第３工程
次に、図５に示すように、ガラス基板１０にレーザ光を照射して、ガラス基板１０内に１以上の改質部１３を形成する。レーザ光の照射方向は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けた方向でもよいし、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けた方向でもよい。図５に示すように、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２に向かって形成される場合、改質部１３は、接着層１１及び支持体１２まで到達するように形成されてもよい。
次に、図５に示すように、ガラス基板１０にレーザ光を照射して、ガラス基板１０内に１以上の改質部１３を形成する。レーザ光の照射方向は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けた方向でもよいし、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けた方向でもよい。図５に示すように、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２に向かって形成される場合、改質部１３は、接着層１１及び支持体１２まで到達するように形成されてもよい。
【0080】
改質部１３は、例えば、レーザ光照射によって加熱されることにより、レーザ光未照射部との間で結晶性等に相違を生じた部分である。図６に示すように、改質部１３は、ガラス基板１０に形成される予定の貫通孔に対応した位置に形成される。改質部１３は、例えば、Ｚ方向に延びる。
【0081】
改質部１３の形成に用いられるレーザ光の波長は、５３５ｎｍ以下である。レーザ光の好ましい波長は、３５５ｎｍ以上、５３５ｎｍ以下である。レーザ光の波長を３５５ｎｍ未満とすると、十分なレーザ出力を得ることが難しく、安定的なレーザ改質が難しくなるおそれがある。一方、レーザ光の波長を５３５ｎｍより大きくすると、照射スポットが大きくなり、小範囲のレーザ改質が難しくなる。また、レーザ光の波長を５３５ｎｍより大きくすると、熱の影響により、マイクロクラックが発生し、ガラス基板１０が割れやすくなる。
【0082】
パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅はピコ秒からフェムト秒の範囲内にあることが望ましい。レーザパルス幅がナノ秒以上になると、１パルス当たりのエネルギー量の制御が困難となり、マイクロクラックが発生して、ガラス基板１０が割れやすくなる。
【0083】
レーザパルスのエネルギーは、ガラス基板１０の組成や、どのようなレーザ改質を生じさせるかに応じて好ましい値が選択され、５μＪ以上、１５０μＪ以下の範囲内にあることが好ましい。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するように改質部の長さを大きくすることが可能となる。
【0084】
＜１．２．４＞第４工程
次に、図７に示すように、改質部１３を覆うように、第１面Ｓ１上に第１導体層２０が形成される。すなわち、ＸＹ平面において、改質部１３が形成されている位置に、第１導体層２０が形成される。
次に、図７に示すように、改質部１３を覆うように、第１面Ｓ１上に第１導体層２０が形成される。すなわち、ＸＹ平面において、改質部１３が形成されている位置に、第１導体層２０が形成される。
【0085】
より具体的には、例えば、まず、第１面Ｓ１上に、耐弗酸金属層２１、及び金属層２２のシード層が、この順に形成される。すなわち、耐弗酸金属層２１上に、シード層が形成される。耐弗酸金属層２１は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層は、例えば、スパッタリングまたは無電解めっきにより形成される。
【0086】
次に、例えば、セミアディティブ工法（ＳＡＰ：Semi-Additive Process）によって、第１導体層２０が形成される。より具体的には、まず、シード層上に、金属層２２の銅層に対応する位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成される。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層上にラミネートする。そして、このドライフォトレジストのパターン露光及び現像を順次行うことにより、マスクパターンを形成する。なお、マスクパターンは、液体のレジストを用いて形成されてもよい。
【0087】
続いて、シード層を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層上に銅が堆積されて、銅層が形成される。
【0088】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。
【0089】
次いで、銅層とガラス基板１０とを含んだ複合体の銅層側の面全体を、シード層の露出部（銅層が設けられていない部分）において、シード層及び耐弗酸金属層２１が除去されるまでエッチングする。
【0090】
なお、第４工程により、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に、耐弗酸金属層２１及び金属層２２が堆積される。
【0091】
＜１．２．５＞第５工程
次に、第１導体層２０の下部電極上に、誘電体層３１及び上部電極３２をこの順に形成する。これにより、図７に示すキャパシタ３０が形成される。上部電極３２は、例えば、第１導体層２０のシード層及び銅層と同様の方法により形成することができる。
次に、第１導体層２０の下部電極上に、誘電体層３１及び上部電極３２をこの順に形成する。これにより、図７に示すキャパシタ３０が形成される。上部電極３２は、例えば、第１導体層２０のシード層及び銅層と同様の方法により形成することができる。
【0092】
その後、ガラス基板１０の第１面Ｓ１側に、層間絶縁膜４１を形成する。このとき、キャパシタ３０と第１導体層２０とは、層間絶縁膜４１に覆われる。換言すれば、キャパシタ３０と第１導体層２０とガラス基板１０とを含んだ複合体のキャパシタ３０側の面に、層間絶縁膜４１を設ける。以下の説明において、ガラス基板１０と、ガラス基板１０に形成されている他の部材（材料）とを合わせて「複合体」と表記する。複合体の構造は、配線基板１の製造工程により異なる。
【0093】
層間絶縁膜４１が液状樹脂である場合、層間絶縁膜４１は、スピンコート法により形成される。層間絶縁膜４１がフィルム状樹脂である場合、層間絶縁膜４１は、真空ラミネータを用いて真空下で加熱及び加圧することにより形成される。一例によれば、層間絶縁膜４１として、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（３２．５μｍ厚）を複合体にラミネートし、これをプリキュアする。
【0094】
なお、第５工程により、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に、誘電体層３１、上部電極３２、及び層間絶縁膜４１が堆積される。
【0095】
＜１．２．６＞第６工程
次に、図８に示すように、ガラス基板１０と層間絶縁膜４１とを含んだ複合体を、支持体１５に支持させる。より具体的には、複合体の層間絶縁膜４１が支持体１５と向き合うように、層間絶縁膜４１と支持体１５とを接着層１４を介して貼り合わせる。
次に、図８に示すように、ガラス基板１０と層間絶縁膜４１とを含んだ複合体を、支持体１５に支持させる。より具体的には、複合体の層間絶縁膜４１が支持体１５と向き合うように、層間絶縁膜４１と支持体１５とを接着層１４を介して貼り合わせる。
【0096】
接着層１４には、樹脂、または支持体１５に形成された官能基が用いられる。樹脂としては、ＵＶ光等の光を吸収して発熱、昇華、または変質することにより剥離可能となる樹脂、熱によって発泡することにより剥離可能となる樹脂、温度によって密着力が変化する樹脂、粘着性樹脂等が挙げられる。一例によれば、接着層１４として、日東電工社製のリバアルファ（登録商標）が使用される。
【0097】
支持体１５は、第２支持体であり、薄板状のキャリアである。支持体１５は、ガラス基板１０と同一の材料で構成されることが望ましい。すなわち、ガラス基板１０が無アルカリガラスである場合、支持体１５も無アルカリガラスであることが好ましい。支持体１５の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。支持体１５の厚さは、ガラス基板１０の搬送性を鑑み、３００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【0098】
＜１．２．７＞第７工程
次に、図９に示すように、ガラス基板１０の端部ＥＲ、すなわち、ガラス基板１０の側面を含む端部４辺を除去（切断）する。以下、ガラス基板１０の４辺の断裁処理とも表記する。より具体的には、ガラス基板１０、接着層１１及び１４、支持体１２及び１５、並びに層間絶縁膜４１を含む複合体の端部ＥＲ及び複合体の側面に堆積した堆積物２００を除去する。第６工程完了後、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に、第４工程及び第５工程による堆積物２００が堆積されている。例えば、堆積物２００は、耐弗酸金属層２１、金属層２２、誘電体層３１、上部電極３２、及び層間絶縁膜４１を含む。なお、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の全体を被覆するように、堆積物２００が堆積されていてもよい。
次に、図９に示すように、ガラス基板１０の端部ＥＲ、すなわち、ガラス基板１０の側面を含む端部４辺を除去（切断）する。以下、ガラス基板１０の４辺の断裁処理とも表記する。より具体的には、ガラス基板１０、接着層１１及び１４、支持体１２及び１５、並びに層間絶縁膜４１を含む複合体の端部ＥＲ及び複合体の側面に堆積した堆積物２００を除去する。第６工程完了後、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に、第４工程及び第５工程による堆積物２００が堆積されている。例えば、堆積物２００は、耐弗酸金属層２１、金属層２２、誘電体層３１、上部電極３２、及び層間絶縁膜４１を含む。なお、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の全体を被覆するように、堆積物２００が堆積されていてもよい。
【0099】
例えば、第４工程において、第１面Ｓ１上に、耐弗酸金属層２１及び金属層２２のシード層を形成する際に、耐弗酸金属層２１及び金属層２２のシード層が、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部にも堆積される。また、シード層を給電層として用いた電解銅めっきを行った際にマスクパターンの開口部の位置でシード層上に銅が堆積されるが、端部ＥＲのマスクしきれない部分でも銅が堆積する。このため、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に銅が堆積される。すなわち、耐弗酸金属層２１及び金属層２２が、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に堆積される。また、第５工程において、誘電体層３１及び上部電極３２を形成する際に、第４工程と同様に、誘電体層３１及び上部電極３２が、耐弗酸金属層２１及び金属層２２を被覆するように、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に堆積される。更に、層間絶縁膜４１を形成する際に、層間絶縁膜４１が、上部電極３２を被覆するように、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の少なくとも一部に堆積される。
【0100】
ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面、すなわち、ガラス基板１０と支持体１２との貼合面を被覆するように堆積物２００が堆積されていると、次の第８工程において、ガラス基板１０と支持体１２とを剥離させる際に、剥離途中のガラス基板１０の端部の引っ掛かりによるガラスのワレまたは欠け等が発生しやすくなる。そこで、第７工程では、複合体の端部ＥＲを切断することにより、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の堆積物２００を除去する。堆積物２００を除去することにより、次の支持体１２の剥離工程にて、ガラスのワレまたは欠けの発生が抑制できる。これにより、安定的にガラス基板１０と支持体１２との剥離が可能となる。すなわち、配線基板１の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【0101】
端部ＥＲの幅は、０ｍｍより大きく１０ｍｍよりも小さくする。端部ＥＲの幅が１０ｍｍ以上になると、ガラス基板１０内の有効パターン、すなわち、中央部ＩＲにかかる可能性がある。好ましくは、端部ＥＲの幅が０ｍｍより大きく１ｍｍ以下の範囲内で切除を行う。１ｍｍ以下の範囲で切除を行うことで有効面（中央部ＩＲ）の確保が十分にできる。
端部ＥＲの除去は、具体的には、ダイヤモンドブレードを使用したダイシング処理を行う。ガラス基板１０の４辺すべての処理を実施することで端部の覆われた部分をすべて除去できる。他の方法として、レーザ光照射による処理や、スクライブ処理により端部ＥＲを除去できる。
端部ＥＲの除去は、具体的には、ダイヤモンドブレードを使用したダイシング処理を行う。ガラス基板１０の４辺すべての処理を実施することで端部の覆われた部分をすべて除去できる。他の方法として、レーザ光照射による処理や、スクライブ処理により端部ＥＲを除去できる。
【0102】
なお、図９の例では、ガラス基板１０の大きさが支持体１２の大きさと同じ場合を示しているが、ガラス基板１０の大きさと支持体１２の大きさとは、異なっていてもよい。
【0103】
＜１．２．８＞第８工程
次に、ガラス基板１０から接着層１１及び支持体１２を分離させる。図１０に示すように、例えば、複合体の側面において、接着層１１、すなわちガラス基板１０と支持体１２との貼合面付近を、剥離起点Ｎとする。そして、剥離起点Ｎから中央部ＩＲに向かって機械荷重を加えることによって、剥離起点Ｎを物理的な起点とした剥離を進行させることができる。これにより、図１１に示すように、支持体１２が除去される。
次に、ガラス基板１０から接着層１１及び支持体１２を分離させる。図１０に示すように、例えば、複合体の側面において、接着層１１、すなわちガラス基板１０と支持体１２との貼合面付近を、剥離起点Ｎとする。そして、剥離起点Ｎから中央部ＩＲに向かって機械荷重を加えることによって、剥離起点Ｎを物理的な起点とした剥離を進行させることができる。これにより、図１１に示すように、支持体１２が除去される。
【0104】
より具体的には、剥離起点Ｎに対して、けがき処理が施される。けがき処理は、カミソリ刃等の先細りした先端を有する治具を、当該先端が剥離起点Ｎ内に位置するように押し当てる処理を含む。そして、治具が剥離起点Ｎ内に押し当てられた状態で、ガラス基板１０と支持体１２とを互いに引き離す方向に力を加える。または、治具が剥離起点Ｎ内に押し当てられた状態で、剥離起点Ｎの位置からガラス基板１０と支持体１２との間に液体及び気体等の流体を導入してもよい。これにより、より円滑にガラス基板１０から支持体１２を分離することができる。
【0105】
接着層１１及び支持体１２の剥離処理後に、ガラス基板１０に接着層１１の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、及びアルコールを使用した溶剤洗浄等を行ってもよい。
【0106】
＜１．２．９＞第９工程
次に、接着層１１及び支持体１２を剥離させたガラス基板１０の第２面Ｓ２を、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングする。これにより、図１２に示すように、第２面Ｓ２を後退させるとともに、改質部１３の位置に貫通孔ＨＲをそれぞれ形成する。ガラス基板１０のうち、改質部１３は、他の部分と比較して、エッチングレートが高い。従って、当該エッチング処理によって、ガラス基板１０の薄板化と貫通孔ＨＲの形成とを同時に達成できる。
次に、接着層１１及び支持体１２を剥離させたガラス基板１０の第２面Ｓ２を、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングする。これにより、図１２に示すように、第２面Ｓ２を後退させるとともに、改質部１３の位置に貫通孔ＨＲをそれぞれ形成する。ガラス基板１０のうち、改質部１３は、他の部分と比較して、エッチングレートが高い。従って、当該エッチング処理によって、ガラス基板１０の薄板化と貫通孔ＨＲの形成とを同時に達成できる。
【0107】
当該エッチング処理によるエッチング量は、ガラス基板１０の厚さに応じて、適宜設定される。例えば、エッチング処理前のガラス基板１０の厚さが２００μｍである場合、ガラス基板１０のエッチング量は、５０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。これにより、エッチング処理後のガラス基板１０の厚さは、５０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内とすることができる。
【0108】
なお、当該エッチング処理において、耐弗酸金属層２１は、エッチングストッパ膜としての役割を果たす。また、上記のエッチングによって得られる貫通孔ＨＲは、図１２では、第２面Ｓ２側の開口径（または断面積）が第１面Ｓ１側の開口径（または断面積）よりも大きい円錐台形状を有している。
【0109】
弗化水素を含んだエッチング液は、例えば、弗化水素水溶液である。エッチング液は、硝酸、塩酸、及び硫酸からなる群から選ばれる１種以上の無機酸を更に含むことができる。
【0110】
エッチング液の弗化水素濃度は、例えば１.０質量％以上６.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは２.０質量％以上５.０質量％以下の範囲内にある。無機酸濃度は、例えば１.０質量％以上２０.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは３.０質量％以上１６.０質量％以下の範囲内にある。各成分の濃度を上記範囲内に設定したエッチング液を使用して、１．０μｍ／ｍｉｎ以下のエッチングレートでエッチング処理を行うことが望ましい。エッチング処理の際のエッチング液の温度は、１０℃以上４０℃以下の範囲内とすることが望ましい。
【0111】
＜１．２．１０＞第１０工程
次に、貫通孔ＨＲを覆うように、第２導体層８０が形成される。
次に、貫通孔ＨＲを覆うように、第２導体層８０が形成される。
【0112】
具体的には、まず、第２導体層８０のシード層が、貫通孔ＨＲの側壁、エッチング処理によって露出した耐弗酸金属層２１の面、及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成される。シード層は、例えば、スパッタリングまたは無電解めっきによって形成される。
【0113】
次に、例えば、セミアディティブ工法によって、図１３に示されるような第２導体層８０を得る。
【0114】
具体的には、まず、シード層上に、第２導体層８０に含まれる銅層に対応する位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。マスクパターンの形成には、液体のレジストを用いてもよい。
【0115】
続いて、シード層を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層上に銅を堆積させて、銅層を得る。
【0116】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、銅層とガラス基板１０とを含んだ複合体の銅層側の面全体を、シード層の露出部が除去されるまでエッチングする。
【0117】
以上のようにして、第２導体層８０を得る。なお、第２導体層８０は、上記の通り、ランド部、及び配線部を含む。
【0118】
次いで、第１導体層２０、第２導体層８０、及びガラス基板１０を含んだ複合体の第２導体層８０側の面に対して、第５工程における層間絶縁膜４１の形成処理と同様の処理を実施して、層間絶縁膜９１を設ける。なお、層間絶縁膜９１は、層間絶縁膜４１と異なる材料で形成されてもよい。
【0119】
＜１．２．１１＞第１１工程
次に、図１４に示すように、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第２導体層８０等を含んだ複合体から、接着層１４及び支持体１５を分離させる。接着層１４及び支持体１５の分離に際しては、接着層１４の材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等の剥離方式が適宜選択される。
次に、図１４に示すように、ガラス基板１０、第１導体層２０及び第２導体層８０等を含んだ複合体から、接着層１４及び支持体１５を分離させる。接着層１４及び支持体１５の分離に際しては、接着層１４の材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等の剥離方式が適宜選択される。
【0120】
接着層１４及び支持体１５の剥離処理後に、層間絶縁膜４１に接着層１４の残渣が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、及びアルコールを使用した溶剤洗浄等を行ってもよい。
【0121】
＜１．２．１２＞第１２工程
次に、図１５に示すように、第１面Ｓ１側にビルドアップ層５０が設けられ、第２面Ｓ２側にビルドアップ層１００が設けられる。
次に、図１５に示すように、第１面Ｓ１側にビルドアップ層５０が設けられ、第２面Ｓ２側にビルドアップ層１００が設けられる。
【0122】
ビルドアップ層５０及びビルドアップ層１００の形成順は任意である。また、ビルドアップ層５０及びビルドアップ層１００の形成工程は、形成される面が異なる点を除いて、同等である。ここでは、一例として、ビルドアップ層５０の形成について説明する。
【0123】
まず、レーザ加工によって層間絶縁膜４１にブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施して、レーザ加工によって発生した残渣を除去する。これにより、第１導体層２０のランド部及び上部電極３２が露出する。なお、ブラインドビアの形成に用いられるレーザは、改質部１３の形成に用いられるレーザとは異なっていてもよい。例えば、ブラインドビアの形成には、炭酸ガスレーザ、ＵＶ－ＹＡＧレーザ等のパルスレーザを用いることが好ましい。パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅は、マイクロ秒の範囲内にあることが好ましい。
【0124】
次いで、スパッタリングまたは無電解めっきにより、第１導体層２０、第２導体層８０、及びガラス基板１０を含んだ複合体の第１導体層２０側の面上に、導体層５１に含まれるシード層を連続膜として形成する。
【0125】
次に、例えば、セミアディティブ工法によって、導体層５１を得る。
【0126】
具体的には、まず、シード層上に、導体層５１に含まれる銅層に対応する位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。マスクパターンの形成には、液体のレジストが用いられてもよい。
【0127】
続いて、シード層を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層上に銅を堆積させて、銅層を得る。
【0128】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第１導体層２０、第２導体層８０、及びガラス基板１０を含んだ複合体の第１導体層２０側の面全体を、シード層の露出部が除去されるまでエッチングする。以上のようにして、導体層５１を得る。
【0129】
次いで、層間絶縁膜４１上に、層間絶縁膜４２を設けた後、レーザ加工によって層間絶縁膜４２にブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施して、レーザ加工によって発生した残渣を除去する。これにより、導体層５１のランド部が露出する。なお、ブラインドビアの形成に用いられるレーザは、改質部１３の形成に用いられるレーザとは異なっていてもよい。例えば、ブラインドビアの形成には、炭酸ガスレーザ、ＵＶ－ＹＡＧレーザ等のパルスレーザを用いることが好ましい。パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅は、マイクロ秒の範囲内にあることが好ましい。
【0130】
次いで、スパッタリングまたは無電解めっきにより、第１導体層２０、第２導体層８０、及びガラス基板１０を含んだ複合体の第１導体層２０側の面上に、導体層５２に含まれるシード層を連続膜として形成する。
【0131】
次に、例えば、セミアディティブ工法によって、導体層５２を得る。
【0132】
具体的には、まず、シード層上に、導体層５２に含まれる銅層に対応する位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。マスクパターンの形成には、液体のレジストが用いられてもよい。
【0133】
続いて、シード層を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層上に銅を堆積させて、銅層を得る。
【0134】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第１導体層２０、第２導体層８０、及びガラス基板１０を含んだ複合体の第１導体層２０側の面全体を、シード層の露出部が除去されるまでエッチングする。以上のようにして、導体層５２が形成され、ビルドアップ層５０を得る。
【0135】
また、第１導体層２０、第２導体層８０、及びガラス基板１０を含んだ複合体の第２導体層８０側の面に対して、上述したビルドアップ層５０の形成処理と同様の処理を実施して、ビルドアップ層１００を得る。
【0136】
＜１．２．１３＞第１３工程
次に、層間絶縁膜４２上に、絶縁層６０を設ける。例えば、層間絶縁膜４２上にソルダーレジストを設け、フォトリソグラフィ法などを用いてこれをパターニングする。これにより、導体層５２のパッド部が露出する。その後、露出した導体層５２のパッド部上に、表面処理を施した後、導体層７０が設けられる。
次に、層間絶縁膜４２上に、絶縁層６０を設ける。例えば、層間絶縁膜４２上にソルダーレジストを設け、フォトリソグラフィ法などを用いてこれをパターニングする。これにより、導体層５２のパッド部が露出する。その後、露出した導体層５２のパッド部上に、表面処理を施した後、導体層７０が設けられる。
【0137】
同様に、層間絶縁膜９２上に、絶縁層１１０を設ける。例えば、層間絶縁膜９２上にソルダーレジストを設け、フォトリソグラフィ法などを用いてこれをパターニングする。これにより、導体層１０２のパッド部が露出する。その後、露出した導体層１０２のパッド部上に、表面処理を施した後、導体層１２０が設けられる。
【0138】
表面処理としては、ニッケル及び金を用いた処理、ニッケル、パラジウム、及び金のいずれかを用いた処理、置換スズ（ＩＴ：immersion tin plating）めっき、並びに水溶性プリフラックス（ＯＳＰ：organic solderability preservative）等が挙げられる。
【0139】
以上のようにして、図１６の構造を得る。
【0140】
＜１．２．１４＞第１４工程
その後、得られた複合体から外周部ＯＲを分離すると共に、中央部ＩＲ内を複数のガラス基板１０ｓに対応する領域毎に個片化する。
その後、得られた複合体から外周部ＯＲを分離すると共に、中央部ＩＲ内を複数のガラス基板１０ｓに対応する領域毎に個片化する。
【0141】
以上のようにして、図１に示す配線基板１を得る。
【0142】
＜１．３＞効果
上述した技術は、例えば、以下に記載する効果を奏する。
上述した技術は、例えば、以下に記載する効果を奏する。
【0143】
＜１．３．１＞ハンドリング性
上述した製造方法によると、ガラス基板１０の破損を生じ難く、優れたハンドリング性を実現し得る。これについて、以下に説明する。
上述した製造方法によると、ガラス基板１０の破損を生じ難く、優れたハンドリング性を実現し得る。これについて、以下に説明する。
【0144】
ガラス基板に貫通孔を形成すると、その機械的強度が低下する可能性がある。また、比較的薄いガラス基板、例えば、厚さが１００μｍ以下であるガラス基板は、ガラス基板に回路など導電部を形成するための搬送時などに割れを生じ易く、取扱いが困難である。
【0145】
上述した製造方法によれば、第１導体層２０等が形成される前に、ガラス基板１０の第２面Ｓ２側に、支持体１２が貼り合わされる。これにより、ガラス基板１０と支持体１２とを含んだ複合体は、高い強度を有することができる。また、支持体１２を剥離する前に、第１導体層２０等が形成された第１面Ｓ１側に、支持体１５が貼り合わされる。これにより、複合体の強度は、更に高められる。このため、複合体から支持体１２を剥離した後であっても、ガラス基板１０の破損は生じ難い。従って、上述した製造方法によると、ガラス基板１０の破損を生じ難く、その取扱いが容易である。
【0146】
＜１．３．２＞生産性
また、上述した製造方法によると、以下に説明するように、高い生産性を達成可能である。
また、上述した製造方法によると、以下に説明するように、高い生産性を達成可能である。
【0147】
改質部１３を形成する際、レーザ光によってガラス基板１０に対して過度なエネルギーが加わると、ガラス基板１０にマイクロクラックが発生する可能性がある。このため、レーザ光の波長やレーザパルス幅等の照射条件（process window）、及びレーザの照射位置に、制約が課される場合がある。
【0148】
上述した製造方法によると、支持体１２を貼り合わせたガラス基板１０に対して、改質部１３を形成するためのレーザ光を照射する。これにより、支持体１２を貼り合わせていないガラス基板１０に対してレーザ光を照射する場合よりも、レーザ光の照射に際して、ガラス基板１０の機械的強度を高くできる。このため、レーザ光照射の処理条件を緩和することが可能となる。加えて、ガラス基板１０に対して所望の位置に改質部１３を形成することが可能となる。従って、上述した製造方法によると、高い生産性を達成可能である。
【0149】
＜１．３．３＞歩留まり
更に、上述した製造方法によると、支持体１２をガラス基板１０から剥離する際に、ガラス基板１０へのダメージを抑制することができ、高い歩留まりを達成することができる。これについて、以下に説明する。
更に、上述した製造方法によると、支持体１２をガラス基板１０から剥離する際に、ガラス基板１０へのダメージを抑制することができ、高い歩留まりを達成することができる。これについて、以下に説明する。
【0150】
ガラス基板１０から支持体１２を剥離する際に、ガラス基板１０に割れや欠け等のダメージが発生する可能性がある。すなわち、ガラス基板１０から支持体１２を剥離する工程でガラス基板１０に発生するダメージが、歩留まりを低下させる可能性がある。
【0151】
上述した製造方法によると、支持体１２及び１５を貼り合わせた状態のガラス基板１０の端部ＥＲを除去する。これにより、ガラス基板１０、接着層１１、及び支持体１２の側面の堆積物２００を除去できる。このため、ガラス基板１０と支持体１２とを剥離させる際に、剥離途中のガラス基板１０の端部の引っ掛かりによるガラスのワレまたは欠け等の発生を抑制できる。これにより、安定的にガラス基板１０と支持体１２との剥離が可能となる。従って、上述した製造方法によると、高い製造歩留まりを達成可能である。
【0152】
＜１．４＞変形例
上述した配線基板１の製造方法は、様々な変形が可能である。以下、３つの変形例について説明する。
上述した配線基板１の製造方法は、様々な変形が可能である。以下、３つの変形例について説明する。
【0153】
＜１．４．１＞第１変形例
まず、図１７を参照して、第１変形例について説明する。図１７は、配線基板１の製造方法における一工程を示す複合体の端部の断面図である。第１変形例では、支持体１２のサイズがガラス基板１０のサイズよりも大きい場合に、ガラス基板１０の側面の堆積物２００を除去する方法の一例について説明する。
まず、図１７を参照して、第１変形例について説明する。図１７は、配線基板１の製造方法における一工程を示す複合体の端部の断面図である。第１変形例では、支持体１２のサイズがガラス基板１０のサイズよりも大きい場合に、ガラス基板１０の側面の堆積物２００を除去する方法の一例について説明する。
【0154】
図１７に示すように、第１実施形態の第７工程において、ガラス基板１０及び接着層１１の側面の堆積物２００のみを除去してもよい。すなわち、ガラス基板１０及び接着層１１の側面に堆積している耐弗酸金属層２１、金属層２２、誘電体層３１、上部電極３２、及び層間絶縁膜４１を除去する。第１変形例では、ガラス基板１０、接着層１１及び１４、並びに支持体１２及び１５は切断しない。支持体１２を切断しないことにより、第１実施形態の第８工程において、支持体１２が、けがきを入れる際のガイドの役割を果たし得る。これにより、安定的に支持体１２を剥離できるようになる。堆積物２００の除去には、レーザ光照射による処理が用いられてもよいし、エッチング処理が用いられてもよい。
【0155】
＜１．４．２＞第２変形例
次に、図１８を参照して、第２変形例について説明する。図１８は、配線基板１の製造方法における一工程を示す複合体の端部の断面図である。第２変形例では、第１変形例とは異なる、ガラス基板１０の側面の堆積物２００を除去する方法の一例について説明する。
次に、図１８を参照して、第２変形例について説明する。図１８は、配線基板１の製造方法における一工程を示す複合体の端部の断面図である。第２変形例では、第１変形例とは異なる、ガラス基板１０の側面の堆積物２００を除去する方法の一例について説明する。
【0156】
図１８に示すように、第１実施形態の第７工程において、支持体１２のサイズがガラス基板１０のサイズよりも大きい場合に、支持体１２を切断しなくてもよい。すなわち、支持体１５からガラス基板１０（接着層１１）までを除去する。第１変形例と同様に、支持体１２を切断しないことにより、第１実施形態の第８工程において、支持体１２が、けがきを入れる際のガイドの役割を果たし得る。これにより、安定的に支持体１２を剥離できるようになる。ガラス基板１０の切断には、ダイシング処理が好ましい。
【0157】
＜１．４．３＞第３変形例
次に、第３変形例について説明する。第３変形例では、第７工程において端部ＥＲの除去にスクライブ処理を適用した場合について説明する。スクライブ処理は被断裁物の表面に傷を入れる処理である。このため、支持体１２とガラス基板１０と支持体１５とが貼り合わされている複合体の場合、複合体の両面にスクライブ処理を行う方が好ましい。複合体の両面にスクライブ処理をした後に、ブレイク処理が実施される。このため、処理が他の方法より１工程増えてしまうが、他の方法と同様に、端部の切除は可能で安定的に支持体を剥離することができる。
次に、第３変形例について説明する。第３変形例では、第７工程において端部ＥＲの除去にスクライブ処理を適用した場合について説明する。スクライブ処理は被断裁物の表面に傷を入れる処理である。このため、支持体１２とガラス基板１０と支持体１５とが貼り合わされている複合体の場合、複合体の両面にスクライブ処理を行う方が好ましい。複合体の両面にスクライブ処理をした後に、ブレイク処理が実施される。このため、処理が他の方法より１工程増えてしまうが、他の方法と同様に、端部の切除は可能で安定的に支持体を剥離することができる。
【0158】
＜２＞第２実施形態
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態の第１１工程の前に、第７工程と同様にガラス基板１０の端部を除去する工程を追加する場合について説明する。以下、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態の第１１工程の前に、第７工程と同様にガラス基板１０の端部を除去する工程を追加する場合について説明する。以下、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0159】
【0160】
図１９に示すように、ガラス基板１０は、ＸＹ平面視において（Ｚ方向に見て）、中央部ＩＲと、外周部ＯＲと、端部ＥＲ１及びＥＲ２とを有する。端部ＥＲ２は、外周部ＯＲを囲む領域である。端部ＥＲ１は、端部ＥＲ２を囲む領域であり、ガラス基板１０の端部を含む。
【0161】
【0162】
図２０に示すように、第１実施形態の第７工程において、堆積物２００及び端部ＥＲ１が除去される。
【0163】
図２１に示すように、第１実施形態の第１０工程を実施した後、第１１工程を実施する前に、第７工程と同様の手順で、ガラス基板１０の端部ＥＲ２、すなわち、側面を含む端部４辺を除去（切断）する。より具体的には、ガラス基板１０、接着層１４、支持体１５、並びに層間絶縁膜４１及び９１を含む複合体の端部ＥＲ２及び複合体の側面に堆積し堆積物２１０を除去する。例えば、第１０工程完了後、ガラス基板１０の側面、層間絶縁膜４１の側面、接着層１４の側面、及び支持体１５の側面の一部に、第１０工程による堆積物２１０が堆積されている。例えば、堆積物２１０は、第２導体層８０及び層間絶縁膜９１を含む。なお、ガラス基板１０、層間絶縁膜４１、接着層１４、及び支持体１５の側面の全体を被覆するように、堆積物２１０が堆積されていてもよい。
【0164】
第７工程と同様の方法でガラス基板１０の端部を処理することにより、第１１工程において、支持体１５が安定的に剥離できるようになる。
【0165】
なお、第２実施形態のガラス基板１０の端部の処理に、第１実施形態の第１乃至第３変形例を適用してもよい。
【実施例0166】
以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。
【0167】
（実施例１）
第１実施形態の第１乃至第８工程を実施し、支持体１２を剥離したガラス基板１０を２０個製造した。第７工程におけるガラス基板１０の４辺の断裁処理は、ダイシングブレードによるダイシング処理を用いた。
第１実施形態の第１乃至第８工程を実施し、支持体１２を剥離したガラス基板１０を２０個製造した。第７工程におけるガラス基板１０の４辺の断裁処理は、ダイシングブレードによるダイシング処理を用いた。
【0168】
ここでは、ガラス基板１０のサイズは、厚さ１５０μｍ、Ｘ方向の長さ２００ｍｍ、及びＹ方向の長さ２００ｍｍとした。支持体１２のサイズは、厚さ５００μｍとし、Ｘ方向及びＹ方向の寸法はガラス基板１０と同じとした。ガラス基板１０及び支持体１２の材料は、いずれも無アルカリガラスとした。
【0169】
剥離処理後のガラス基板１０の端部における割れ、欠けの有無を光学顕微鏡にて観察し、ＮＧとなるガラス基板１０の枚数（ＮＧ数）を算出した。ＮＧ数の算出に際しては、１カ所でも割れ、また、欠けが確認されたガラス基板１０は、ＮＧであるとした。
【0170】
（実施例２）
ガラス基板１０のＸ方向長さ及びＹ方向長さをそれぞれ３２０ｍｍ及び４００ｍｍへ変更したこと以外は、実施例１において製造したのと同様のガラス基板１０を２０個製造した。これらのガラス基板１０についても、実施例１と同様の方法により、ＮＧ数の算出を行った。
ガラス基板１０のＸ方向長さ及びＹ方向長さをそれぞれ３２０ｍｍ及び４００ｍｍへ変更したこと以外は、実施例１において製造したのと同様のガラス基板１０を２０個製造した。これらのガラス基板１０についても、実施例１と同様の方法により、ＮＧ数の算出を行った。
【0171】
（比較例１）
第７工程におけるガラス基板１０の４辺の断裁処理を省略したこと以外は、実施例１において製造したのと同様のガラス基板を２０個製造した。これらガラス基板についても、実施例１と同様の方法により、ＮＧ数の算出を行った。
第７工程におけるガラス基板１０の４辺の断裁処理を省略したこと以外は、実施例１において製造したのと同様のガラス基板を２０個製造した。これらガラス基板についても、実施例１と同様の方法により、ＮＧ数の算出を行った。
【0172】
（比較例２）
第７工程におけるガラス基板１０の４辺の断裁処理を省略したこと以外は、実施例２において製造したのと同様のガラス基板を２０個製造した。これらガラス基板についても、実施例２と同様の方法によりＮＧ数の算出を行った。
第７工程におけるガラス基板１０の４辺の断裁処理を省略したこと以外は、実施例２において製造したのと同様のガラス基板を２０個製造した。これらガラス基板についても、実施例２と同様の方法によりＮＧ数の算出を行った。
【0173】
（結果）
以下の表１に結果を示す。
以下の表１に結果を示す。
【0174】
【表1】
【0175】
表１に示すように、ガラス基板１０の４辺の断裁処理を実施した場合、ガラス基板１０のサイズによらず、断裁処理を実施しない比較例１及び２よりも少ないＮＧ数を達成できた。比較例１及び２では、剥離途中に引っ掛かりが生じ、そこが起点となって、比較的高い頻度でＮＧが発生していた。これに対し、断裁処理を実施した実施例１及び２では、ガラス基板１０のサイズによらず、ＮＧ数０枚を達成できた。
【0176】
以上、本発明を実施することで、ガラス基板の欠け、割れ等を低減し、安定的に、支持体からガラス基板を剥離することが可能となる。
【符号の説明】
【0177】
１…配線基板、１０、１０ｓ…ガラス基板、１１…接着層、１２…支持体、１３…改質部、１４…接着層、１５…支持体、２０…第１導体層、２１…耐弗酸金属層、２２…金属層、３０…キャパシタ、３１…誘電体層、３２…上部電極、４０、４０ｓ、４１、４１ｓ、４２、４２ｓ…層間絶縁膜、５０…ビルドアップ層、５１、５２…導体層、６０、６０ｓ…絶縁層、７０…導体層、８０…第２導体層、９０、９０ｓ、９１、９１ｓ、９２、９２ｓ…層間絶縁膜、１００…ビルドアップ層、１０１、１０２…導体層、１１０、１１０ｓ…絶縁層、１２０…導体層、２００、２１０…堆積物、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面、ＩＲ…中央部、ＯＲ…外周部、ＥＲ、ＥＲ１、ＥＲ２…端部、Ｎ…剥離起点、ＨＲ…貫通孔。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
