特開 2024-94234 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024094234

(43)【公開日】2024-07-09

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240702BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 513

H01G4/30 201F

H01G4/30 516

H01G4/30 201G

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023186542

(22)【出願日】2023-10-31

(31)【優先権主張番号】10-2022-0185224

(32)【優先日】2022-12-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】田 鎬仁

(72)【発明者】

【氏名】全 炳俊

(72)【発明者】

【氏名】徐 庸原

(72)【発明者】

【氏名】朴 彩民

(72)【発明者】

【氏名】尹 炯悳

(72)【発明者】

【氏名】趙 雅羅

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC03

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E001AH07

5E001AH09

5E001AJ03

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG16

5E082GG10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】積層型電子部品の本体に発生する放射クラックを抑制、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させ、本体内部への水素浸透を抑制すること。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とを含む本体１１０と、第１内部電極と連結される第１基礎めっき層１３１ａ及びその上に配置される第１電極層１３１ｂを含む第１外部電極１３１と、第２内部電極と連結される第２基礎めっき層１３２ａ及びその上に配置される第２電極層１３２ｂを含む第２外部電極１３２と、を含み、第１電極層及び第２電極層は、導電性金属及びガラスを含み、第１基礎めっき層の第１方向及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域が、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３個以上含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、前記第１方向に向かい合う第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５及び第６面を含む本体と、
前記第３面上に配置され、前記第１内部電極と連結される第１基礎めっき層、及び前記第１基礎めっき層上に配置される第１電極層を含む第１外部電極と、
前記第４面上に配置され、前記第２内部電極と連結される第２基礎めっき層、及び前記第２基礎めっき層上に配置される第２電極層を含む第２外部電極と、を含み、
前記第１及び第２電極層は導電性金属及びガラスを含み、
前記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３つ以上含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が５μｍ以上のＮｉ結晶粒を２つ以上含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径は３μｍ以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、前記第１方向の大きさが３０μｍであり、前記第１基礎めっき層と第１電極層との界面から第２方向に５μｍ以内の領域である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１基礎めっき層の第２方向の平均大きさは５μｍ以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第１基礎めっき層は、前記第１内部電極と隣接した領域にＰｄを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記第１内部電極は、前記第１基礎めっき層と隣接した領域にＰｄを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記第１及び第２基礎めっき層の第１及び第２方向の断面においてＮｉ結晶粒が占める面積割合は９０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記第１及び第２基礎めっき層はＮｉめっき層である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記第１及び第２基礎めっき層は、前記第１面の延長線と前記第２面の延長線との間に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記本体の第１方向の中央で測定した前記第１基礎めっき層の第２方向の大きさをＴ１、前記第１方向の最外側に配置された第１内部電極と第１基礎めっき層が連結された部分で測定した第１基礎めっき層の第２方向の大きさをＴ１’とするとき、
Ｔ１’／Ｔ１は０．８以上１．１以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記第１及び第２電極層に含まれた導電性金属はＣｕである、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第１及び第２電極層は、前記第１及び第２面の少なくとも一部に延びて配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記第１及び第２電極層は、前記導電性金属及びガラスを含む第１層及び前記第１層上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２層を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記第１外部電極は、前記第１電極層上に配置される第１めっき層をさらに含み、
前記第２外部電極は、前記第２電極層上に配置される第２めっき層をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記第１及び第２めっき層はＮｉめっき層を含み、
前記第１及び第２めっき層のＮｉめっき層に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径は、前記第１及び第２基礎めっき層に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径より小さい、請求項１５に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができ、コンピュータ、モバイル機器など、各種電子機器が小型化、高出力化され、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。また、自動車用電装部品などへの適用が増加するにつれて、様々な環境での高信頼性が求められている。

【0004】

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させる必要がある。内部電極の厚さが薄くなり、積層数が増加するにつれて、外部電極のＣｕと内部電極のＮｉとの間の拡散が増加するようになり、これによって本体の体積膨張を引き起こす可能性がある。これは薄い誘電体層に応力を加えて放射クラックを発生させることができる。また、内部電極が薄くなるほど、内部電極の収縮現象が増加して、内部電極と外部電極との間の連結性が低下する可能性があった。

【0005】

そこで、放射クラックを抑制することができ、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させることができる構造を有する積層セラミックキャパシタの開発が求められている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の様々な目的の一つは、信頼性に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0007】

本発明の様々な目的の一つは、積層型電子部品の本体に発生する放射クラックを抑制することである。

【0008】

本発明の様々な目的の一つは、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させることである。

【0009】

本発明の様々な目的の一つは、本体の内部に水素が浸透することを抑制することである。

【0010】

但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、上記第１方向に向かい合う第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５及び第６面を含む本体と、上記第３面上に配置され、上記第１内部電極と連結される第１基礎めっき層、及び上記第１基礎めっき層上に配置される第１電極層を含む第１外部電極と、上記第４面上に配置され、上記第２内部電極と連結される第２基礎めっき層、及び上記第２基礎めっき層上に配置される第２電極層を含む第２外部電極と、を含み、上記第１及び第２電極層は導電性金属及びガラスを含み、上記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３個以上含むことができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極と電極層との間に基礎めっき層を配置し、上記基礎めっき層のＮｉ結晶粒の粒径を制御することで、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0013】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極と電極層との間に基礎めっき層を配置し、上記基礎めっき層のＮｉ結晶粒の粒径を制御することで、放射クラックを抑制することができる。

【0014】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させることができる。

【0015】

本発明の様々な効果の一つとして、本体の内部に水素が浸透することを抑制することができる。

【0016】

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図4】図１の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。

【図5】図２のＫ１領域を拡大した図面である。

【図6】図２のＫ２領域を拡大した図面である。

【図7】発明例１の第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンしたイメージである。

【図8】発明例２の第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンしたイメージである。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形態及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0019】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0020】

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｔ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0021】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、図１の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域を拡大した図面であり、図６は、図２のＫ２領域を拡大した図面である。

【0022】

以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００について詳細に説明する。また、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な積層型電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0023】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、上記第１方向に向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面上に配置され、上記第１内部電極１２１と連結される第１基礎めっき層１３１ａ、及び上記第１基礎めっき層上に配置される第１電極層１３１ｂを含む第１外部電極１３１と、上記第４面上に配置され、上記第２内部電極１２２と連結される第２基礎めっき層１３２ａ、及び上記第２基礎めっき層上に配置される第２電極層１３２ｂを含む第２外部電極１３２と、を含み、上記第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは導電性金属及びガラスを含み、上記第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３つ以上含むことができる。

【0024】

従来の一般的な積層セラミックキャパシタは、内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層した後、焼結して本体を形成し、上記本体上にＣｕ及びガラスを含むペーストを塗布して焼成することで外部電極を形成した。しかしながら、上記焼結工程時に、内部電極の収縮によって内部電極が本体の内部に陥没した形態で形成されることがあり、内部電極と外部電極との間の連結性が低下するおそれがあった。また、上記焼成工程時に、外部電極のＣｕが内部電極に拡散して本体の体積膨張を誘発することで、本体に加えられる応力を増加させ、本体に放射クラックが発生することがあった。さらに、小型化及び高容量化を達成するために誘電体層及び内部電極の厚さが薄く形成されるほど、内部電極と外部電極との間の連結性が低下する問題点及び本体に放射クラックが発生する問題点が深化することがある。

【0025】

一方、本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２と電極層１３１ｂ、１３２ｂとの間に基礎めっき層１３１ａ、１３２ａを配置し、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａに粒径が大きいＮｉ結晶粒を含ませることで、電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた金属元素が内部電極に拡散することを抑制することができ、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性を向上させることができる。また、本体１１０の内部に水素が浸透することを抑制することができる。

【0026】

以下、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００に含まれる各構成について説明する。

【0027】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

【0028】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮によって、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではなく、実質的に六面体状を有することができる。

【0029】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。

【0030】

一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーＣ１－３、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナーＣ１－４、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナーＣ２－３、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーＣ２－４を含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは上記第４面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。

【0031】

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／または第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準として見るとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、本体の焼結過程での収縮挙動によって第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／または第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準として見るとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、チッピング不良などを防止するために本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することによって第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／または第２面と第３～第６面を連結するコーナーは、ラウンド形態を有することができる。

【0032】

上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１～第６面は、大体に平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーとして見ることができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準に延びた線を意味することができる。

【0033】

一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５及び第６面を連結する部分と、第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さないことができる。

【0034】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0035】

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0036】

また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0037】

一方、誘電体層１１１の厚さは特に限定する必要はない。

【0038】

但し、一般的に、誘電体層を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に誘電体層の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、誘電体層１１１が応力に弱くなることがある。

【0039】

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２と電極層１３１ｂ、１３２ｂとの間に基礎めっき層１３１ａ、１３２ａを配置し、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａに粒径が大きいＮｉ結晶粒を含ませることで、電極層１３１ｂ、１３２ｂの内部電極１２１、１２２に拡散することを抑制して、体積膨張及びこれによる応力発生を最小化することができるため、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合にも優れた信頼性を確保することができる。

【0040】

したがって、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。

【0041】

上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0042】

誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つの誘電体層を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0043】

本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0044】

また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。

【0045】

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0046】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0047】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

【0048】

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0049】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。

【0050】

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部で等間隔の５つの地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。

【0051】

また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0052】

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と第６面６に配置された第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

【0053】

マージン部１１４、１１５は、図３に示したように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）で第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0054】

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0055】

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することで形成されたものであることができる。

【0056】

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

【0057】

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であることができる。

【0058】

マージン部１１４、１１５の平均幅は、内部電極が第５面と離隔した領域の第３方向の平均大きさ及び内部電極が第６面と離隔した領域の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面で等間隔の５つの地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。

【0059】

したがって、一実施形態において、内部電極１２１、１２２が第５及び第６面と離隔した領域の第３方向の平均大きさはそれぞれ１５μｍ以下であることができる。

【0060】

内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

【0061】

第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0062】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４で一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３で一定距離離隔して形成されることができる。また、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０の第５及び第６面と離隔して配置されることができる。

【0063】

このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

【0064】

本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0065】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0066】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0067】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さは特に限定する必要はない。

【0068】

但し、一般的に内部電極を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下の場合には信頼性が低下するおそれがあった。

【0069】

本発明の一実施形態によると、内部電極１２１、１２２と電極層１３１ｂ、１３２ｂとの間に基礎めっき層１３１ａ、１３２ａを配置し、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａに粒径が大きいＮｉ結晶粒を含ませることで信頼性を向上させることができるため、複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも１つの平均厚さｔｅが０．３５μｍ以下である場合にも優れた信頼性を確保することができる。

【0070】

したがって、複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも一つの平均厚さｔｅが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による効果がより顕著になることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。

【0071】

上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0072】

内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つの内部電極を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0073】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。

【0074】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。

【0075】

一方、本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0076】

外部電極１３１、１３２は、内部電極１２１、１２２と連結される基礎めっき層１３１ａ、１３２ａ及び基礎めっき層１３１ａ、１３２ａ上に配置される電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。第１外部電極１３１は、第３面上に配置され、上記第１内部電極１２１と連結される第１基礎めっき層１３１ａ、及び上記第１基礎めっき層上に配置される第１電極層１３１ｂを含むことができ、第２外部電極１３２は、第４面上に配置され、上記第２内部電極と連結される第２基礎めっき層１３２ａ、及び上記第２基礎めっき層上に配置される第２電極層１３２ｂを含むことができる。

【0077】

第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３つ以上含むことができる。ここで、上記３０μｍ×５μｍ領域に一部分が含まれて観察されるＮｉ結晶粒も上記３０μｍ×５μｍ領域に含まれるものと見なし、一部分が含まれるＮｉ結晶粒の全体粒径をＮｉ結晶粒の粒径と見ることができる。一方、第２基礎めっき層１３２ａは、第１基礎めっき層１３１ａと第２方向に対称な構成であり、第１基礎めっき層１３１ａのＮｉ結晶粒に関する特徴は、第２基礎めっき層１３２ａにも同様に適用されることができる。

【0078】

第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３個以上含むことで、電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた金属元素が内部電極１２１、１２２に拡散することを抑制する役割を果たすことができる。また、内部電極１２１、１２２が収縮することによって、外部電極１３１、１３２と連結される必要がある内部電極の端部が本体の表面よりも本体の内部に入った形態を有して、外部電極１３１、１３２との連結性が低下することがあるが、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａは、上記本体の表面より内部に入った内部電極の端部との連結が容易であるため、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性を向上させることができる。また、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０の内部に水素が浸透することを抑制する役割を果たすことができる。

【0079】

第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域が粒径４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３個未満含む場合には、上述した電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた金属元素が内部電極１２１、１２２に拡散することを抑制する効果、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性を向上させる効果、及び本体１１０の内部に水素が浸透することを抑制する効果が不十分であるおそれがある。

【0080】

したがって、第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３個以上含むことが好ましく、より好ましくは５個以上含むことができ、さらに好ましくは９個以上含むことができる。

【0081】

一実施形態において、第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が５μｍ以上のＮｉ結晶粒を２つ以上含むことによって、連結性向上効果、拡散抑制効果及び水素浸透抑制効果がさらに向上することができる。より好ましくは、第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、粒径が５μｍ以上のＮｉ結晶粒を３個以上含むことができ、さらに好ましくは５個以上含むことができる。

【0082】

一実施形態において、第１基礎めっき層１３１ａの第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域に含まれたＮｉ結晶粒の粒径のうち最大粒径は７μｍ以上であることができ、より好ましくは９μｍ以上であることができ、さらに好ましくは１０μｍ以上であることができる。

【0083】

一実施形態において、上記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径が３μｍ以上であることによって、連結性向上効果、拡散抑制効果及び水素浸透抑制効果がさらに向上することができる。より好ましくは、上記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径は、３．５μｍ以上であることができ、さらに好ましくは４μｍ以上であることができる。

【0084】

一方、上記第１基礎めっき層の第１及び第２方向の断面から選択した３０μｍ×５μｍ領域は、上記第１方向の大きさが３０μｍであり、図６を参照すると、第１基礎めっき層と第１電極層との界面から第２方向に５μｍ以内の領域であることができる。本体と隣接した領域には粒径が小さいＮｉ結晶粒が配置されることができるため、第１基礎めっき層と第１電極層との界面から第２方向に５μｍ以内の領域で観察することが好ましい。

【0085】

一方、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａに含まれたＮｉ結晶粒の粒径を制御する方法は特に限定する必要はない。好ましい一例として、本体上にＮｉめっきを行って基礎めっき層１３１ａ、１３２ａを形成し、電極層１３１ｂ、１３２ｂの形成前に熱処理を行うことでＮｉ結晶粒の粒径を制御することができ、上記熱処理は７６０℃～８６０℃で行われることができる。

【0086】

Ｎｉ結晶粒の粒径を測定する方法の好ましい例示は下記のとおりである。積層型電子部品の第３方向の中央までポリシングして第１及び第２方向の断面を露出させた後、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンしたイメージにおいて測定することができる。このとき、Ｎｉ結晶粒をより明確に観察するために、第１方向に約１０μｍ大きさを有する領域を連続的にスキャンした後、上記イメージを連結して３０μｍ×５μｍ領域を観察することができる。Ｎｉ結晶粒の粒径は、Ｎｉ結晶粒の長軸と短軸の平均値として計算されることができ、上記３０μｍ×５μｍ領域に一部分が含まれて観察されるＮｉ結晶粒も上記３０μｍ×５μｍ領域に含まれるものと見なし、一部分が含まれるＮｉ結晶粒の全体粒径をＮｉ結晶粒の粒径と見ることができる。

【0087】

一実施形態において、第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の平均大きさは５μｍ以上であることができる。すなわち、第１基礎めっき層１３１ａの平均厚さが５μｍ以上であることができる。第１基礎めっき層の第２方向の平均大きさが５μｍ未満の場合には、粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を十分に確保することができないおそれがある。一方、第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の平均大きさの上限は特に限定する必要はないが、厚すぎる場合、積層型電子部品の単位体積当たりの容量が低下する可能性があるため、１５μｍ以下であることができる。

【0088】

第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の平均大きさは、積層型電子部品の第３方向の中央までポリシングして第１及び第２方向の断面を露出させた後、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンしたイメージにおいて測定することができる。また、第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の平均大きさは、第１方向の中央部で測定されることができ、第１方向に等間隔を有する１０個の地点で測定した第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の大きさを平均した値であることができる。

【0089】

一方、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａの形成する方法は特に限定する必要はない。具体的な例を挙げると、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａを本体１１０の表面に形成するために、内部電極１２１、１２２の端部にＰｄシード（ｓｅｅｄ）を形成した後、Ｐｄシード（ｓｅｅｄ）から基礎めっき層を成長させて基礎めっき層を形成することができる。Ｐｄシード（ｓｅｅｄ）を利用することによって、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａは、内部電極１２１、１２２と隣接した領域Ｐ２にＰｄを含むことができ、内部電極１２１、１２２は、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａと隣接した領域Ｐ１にＰｄを含むことができる。Ｐ１及び／またはＰ２にＰｄが含まれることによって、本発明の内部電極と外部電極との間の連結性向上効果、電極層に含まれた元素が内部電極に拡散することを抑制する効果、及び本体の内部に水素が浸透することを抑制する効果がさらに向上することができる。

【0090】

したがって、一実施形態において、第１基礎めっき層１３１ａは、第１内部電極１２１と隣接した領域Ｐ２にＰｄを含むことができる。また、一実施形態において、第１内部電極１２１は、第１基礎めっき層１３１ａと隣接した領域Ｐ１にＰｄを含むことができる。このとき、Ｐ１及びＰ２に含まれたＰｄは、Ｎｉと合金の形態で存在することができる。

【0091】

一実施形態において、第１及び第２基礎めっき層１３１ａ、１３２ａの第１及び第２方向の断面においてＮｉ結晶粒が占める面積割合は９０％以上であることができる。これにより、本発明の内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性向上効果、電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた元素が内部電極１２１、１２２に拡散することを抑制する効果及び本体の内部に水素が浸透することを抑制する効果がさらに向上することができる。より好ましくは、第１及び第２基礎めっき層の第１及び第２方向の断面においてＮｉ結晶粒が占める面積割合は９５％以上であることができ、さらに好ましくは９８％以上であることができる。すなわち、第１及び第２基礎めっき層は、一部の拡散元素、不可避不純物などを除くと、Ｎｉ結晶粒からなることが最も好ましい。

【0092】

一実施形態において、本体１１０の第１方向の中央で測定した第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の大きさをＴ１、第１方向の最外側に配置された第１内部電極と第１基礎めっき層１３１ａが連結された部分で測定した第１基礎めっき層１３１ａの第２方向の大きさをＴ１’とするとき、Ｔ１’／Ｔ１は０．８以上１．１以下であることができる。基礎めっき層１３１ａ、１３２ａがめっき方式によって形成されることによって均一な厚さを有することができるからである。

【0093】

一実施形態において、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａはＮｉめっき層であることができる。

【0094】

一実施形態において、第１及び第２基礎めっき層１３１ａ、１３２ａは、第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２との間に配置されることができる。第１及び第２基礎めっき層１３１ａ、１３２ａが第１面の延長線Ｅ１を超えて第１面まで延びるか、第２面の延長線Ｅ２を超えて第２面まで延びる場合、第１及び第２面には内部電極が一般的に配置されていないため、基礎めっき層１３１ａ、１３２ａと本体１１０との結合力が弱くなって、デラミネーションなどの問題が発生する可能性がある。

【0095】

第１及び第２基礎めっき層１３１ａ、１３２ａは、本体のコーナー上には配置されないことがより好ましいが、これに制限されるものではない。

【0096】

電極層１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含むことができる。電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属は電気的連結性を確保する役割を果たし、ガラスは本体との結合力を向上させる役割を果たすことができる。

【0097】

電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属は、電気導電性を有するものであれば如何なる物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができる。例えば、電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上であることができる。

【0098】

但し、電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属は、Ｃｕの場合、基礎めっき層の配置に応じた電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた元素が内部電極に拡散することを抑制する効果がより顕著になることができる。したがって、一実施形態において、第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属はＣｕであることができる。

【0099】

また、第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属はＣｕの場合、基礎電極層１３１ａ、１３２ａと電極層１３１ｂ、１３２ｂの界面にはＮｉ－Ｃｕ合金層が配置されることができる。したがって、一実施形態において、第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属はＣｕであり、第１基礎電極層と第１電極層との間の界面及び第２基礎電極層と第２電極層との間の界面にはＮｉ－Ｃｕ合金層が配置されることができる。

【0100】

一実施形態において、第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第１及び第２面の少なくとも一部に延びて配置されることができる。第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂはガラスを含むため、本体１１０との結合力に優れ、第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂが第１及び第２面の少なくとも一部に延びて配置されることによって、第１及び第２基礎電極層１３１ａ、１３２ａを覆う形態で配置され、本体１１０と外部電極１３１、１３２との間の結合力を向上させることができる。

【0101】

電極層１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む第１層のみで構成されることができる。しかしながら、これに制限されるものではなく、一実施形態において、電極層１３１ｂ、１３２ｂは多層構造を有することができる。

【0102】

例えば、第１及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む第１層及び上記第１層上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２層を含むことができる。導電性金属及び樹脂を含む第２層を含むことによって、積層型電子部品の反り強度を向上させることができる。

【0103】

上記第２層に含まれる導電性金属は、上記第１層と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。

【0104】

上記第２層に含まれる導電性金属は、球状粉末及びフレーク状粉末の１つ以上を含むことができる。すなわち、上記第２層に含まれる導電性金属はフレーク状粉末のみからなるか、球状粉末のみからなることができ、フレーク状粉末と球状粉末が混合された形態であることもできる。ここで、球状粉末は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粉末は、平らでありながら長い形態を有する粉末を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ割合（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球状粉末及びフレーク状粉末の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を用いてスキャンして得たイメージから測定することができる。

【0105】

上記第２層に含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たす。上記第２層に含まれる樹脂は接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば、特に制限されず、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）などから選択された１種以上を含むことができる。

【0106】

また、上記第２層は、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことによって、上記第１層との電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0107】

このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0108】

一実施形態において、上記第２層はＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、ＮｉまたはＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象によって濡らせるようになり、Ａｇ、ＮｉまたはＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、ＮｉまたはＣｕは金属粒子の形態で残るようになる。

【0109】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0110】

外部電極１３１、１３２は、電極層１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。第１外部電極１３１は、第１電極層１３１ｂ上に配置される第１めっき層１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は、第２電極層１３２ｂ上に配置される第２めっき層１３２ｃを含むことができる。

【0111】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。

【0112】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0113】

一実施形態において、第１及び第２めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層を含み、第１及び第２めっき層１３１ｃ、１３２ｃのＮｉめっき層に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径は第１及び第２めっき層１３１ｃ、１３２ｃに含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径より小さいことができる。基礎めっき層１３１ｃ、１３２ｃの場合、Ｎｉ結晶粒の粒径を大きく確保するために別途の熱処理を行う必要性があるが、第１及び第２めっき層１３１ｃ、１３２ｃに含まれたＮｉめっき層の場合、別途の熱処理を行う必要がないため、第１及び第２めっき層１３１ｃ、１３２ｃのＮｉめっき層に含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径は、第１及び第２基礎めっき層１３１ｃ、１３２ｃに含まれたＮｉ結晶粒の平均粒径よりも小さいことができる。

【0114】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0115】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させる必要があるため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００で本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。

【0116】

したがって、製造誤差、外部電極サイズなどを考慮すると、積層型電子部品１００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大大きさを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大大きさを意味することができる。

【0117】

（実施例）
内部電極ペーストが塗布されたセラミックグリーンシートを積層して切断及び焼成を経て本体を形成した後、本体の表面に露出した内部電極の端部にＰｄシード（ｓｅｅｄ）を形成し、電解めっき法を用いてＰｄシード（ｓｅｅｄ）から基礎めっき層であるＮｉめっき層を成長させた。この後、発明例１及び２は、基礎めっき層に熱処理を７８０℃で行い、比較例は熱処理を行わなかった。この後、導電性金属及びガラスを含むペーストを基礎めっき層上に塗布して焼成して電極層を形成してサンプルチップを製作した。

【0118】

比較例、発明例１及び２のサンプルチップを第３方向の中央までポリシングして第１及び第２方向の断面を露出させた後、第１方向に約１０μｍ大きさの領域を走査電子顕微鏡で連続的にスキャンした後、上記イメージを図７及び図８のように連結して、基礎めっき層の３０μｍ×５μｍ領域に含まれたＮｉ結晶粒の粒径を測定し、下記表１に記載した。

【0119】

放射クラックの有無は、比較例、発明例１及び２のそれぞれ２００個のサンプルを設けた後、サンプルチップを第３方向の中央までポリシングして第１及び第３方向の断面を露出させた後、目視でクラック発生の有無を確認して、クラックが発生したサンプルチップの個数を記載した。

【0120】

【表1】

【0121】

比較例１の場合、基礎めっき層の３０μｍ×５μｍ領域に含まれたＮｉ結晶粒の粒径が小さくて、放射クラックが多数発生したことが確認できる。

【0122】

一方、発明例１及び２は、基礎めっき層の３０μｍ×５μｍ領域に粒径が４μｍ以上のＮｉ結晶粒を３つ以上含んでおり、放射クラックが発生していないことが確認できる。

【0123】

一方、水素拡散係数の場合、サンプルチップの基礎めっき層で測定し難くて別途に５ｃｍ×５ｃｍの大きさを有するめっき層サンプルを製作して測定し、試験番号１の場合、電解めっきで製作されたＮｉめっき層であり、試験番号２の場合、電解めっきで製作されたＮｉめっき層を熱処理したＮｉめっき層であり、試験番号３の場合、Ｐｄシード（ｓｅｅｄ）上にＮｉめっき層を形成した後、熱処理したＮｉめっき層である。この後、ＩＳＯ １７０８１標準試験法で有効水素拡散係数を測定して、下記表２に記載した。

【0124】

【表2】

【0125】

上記表２から確認できるように、試験番号１よりは熱処理を行った試験番号２が有効水素拡散係数が低くて、Ｐｄシード（ｓｅｅｄ）上にＮｉめっき層を形成した試験番号３が有効水素拡散係数が最も低いことを確認することができる。

【0126】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付図面によって限定されるものではなく、添付された特許請求の範囲によって限定しようとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属するといえる。

【0127】

また、本開示で用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくても、他の一実施形態でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明であると理解することができる。

【0128】

本開示で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0129】

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 第１電極層
１３１ｂ、１３２ｂ 第２電極層
１３１ｃ、１３２ｃ めっき層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】