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特開2024-94620配線回路基板、電気的要素実装基板、配線回路基板の製造方法および電気的要素実装基板の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024094620
(43)【公開日】2024-07-10
(54)【発明の名称】配線回路基板、電気的要素実装基板、配線回路基板の製造方法および電気的要素実装基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240703BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240703BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 L
H01L23/12 J
H05K3/46 H
H05K3/46 U
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022211280
(22)【出願日】2022-12-28
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】石井 淳
(72)【発明者】
【氏名】藤林 征宏
(72)【発明者】
【氏名】榎木 雅人
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA04
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC36
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD17
5E316DD24
5E316DD33
5E316DD47
5E316EE08
5E316EE33
5E316FF07
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG23
5E316GG28
5E316HH02
5E316HH17
5E316HH24
5E316HH33
(57)【要約】
【課題】電気的要素の実装が容易でかつ配線のインピーダンスの低減および電気的要素の放熱性の確保を実現可能な配線回路基板を提供する。
【解決手段】配線回路基板１００は、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面１０１および第２の面１０２を有する。配線回路基板１００は、積層された複数の絶縁層（１０，２０，３０）と、いずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層（１１，２１，３１）と、複数の端子部Ｔ１，Ｔ２とを含む。複数の端子部Ｔ１は第１の面１０１上に形成され、複数の端子部Ｔ２は第２の面１０２上に形成されている。複数の絶縁層（１０，２０，３０）のうち一の第１の絶縁層１０上に第１の導体層１１が形成されている。第１の絶縁層１０の厚みと第１の導体層１１の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
【選択図】図１
【解決手段】配線回路基板１００は、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面１０１および第２の面１０２を有する。配線回路基板１００は、積層された複数の絶縁層（１０，２０，３０）と、いずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層（１１，２１，３１）と、複数の端子部Ｔ１，Ｔ２とを含む。複数の端子部Ｔ１は第１の面１０１上に形成され、複数の端子部Ｔ２は第２の面１０２上に形成されている。複数の絶縁層（１０，２０，３０）のうち一の第１の絶縁層１０上に第１の導体層１１が形成されている。第１の絶縁層１０の厚みと第１の導体層１１の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板であって、
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層と、
電気的要素が有する接続端子を接続可能に構成された第１の被接続部および第２の被接続部とを備え、
前記第１の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように前記第１の面上に形成され、
前記第２の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように前記第２の面上に形成され、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、配線回路基板。
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層と、
電気的要素が有する接続端子を接続可能に構成された第１の被接続部および第２の被接続部とを備え、
前記第１の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように前記第１の面上に形成され、
前記第２の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように前記第２の面上に形成され、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、配線回路基板。
【請求項2】
前記電気的要素は、互いに分離された第１の電気的要素と第２の電気的要素とを含み、
前記配線回路基板は、前記第１の電気的要素と前記第２の電気的要素とを電気的に接続するために用いられる再配線基板である、請求項１記載の配線回路基板。
前記配線回路基板は、前記第１の電気的要素と前記第２の電気的要素とを電気的に接続するために用いられる再配線基板である、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記複数の絶縁層は、第２の絶縁層および第３の絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層、および前記第３の絶縁層上に形成される第３の導体層を含み、
前記第２の導体層が形成される前記第２の絶縁層の部分の厚みと前記第２の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であり、
前記第３の導体層が形成される前記第３の絶縁層の部分の厚みと前記第３の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層、および前記第３の絶縁層上に形成される第３の導体層を含み、
前記第２の導体層が形成される前記第２の絶縁層の部分の厚みと前記第２の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であり、
前記第３の導体層が形成される前記第３の絶縁層の部分の厚みと前記第３の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記複数の絶縁層は、積層配置された複数のベース絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記複数のベース絶縁層上にそれぞれ形成され、
前記複数のベース絶縁層の各々の厚みと、当該ベース絶縁層上に形成される導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
前記複数の導体層は、前記複数のベース絶縁層上にそれぞれ形成され、
前記複数のベース絶縁層の各々の厚みと、当該ベース絶縁層上に形成される導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項5】
前記複数の絶縁層は、積層配置された前記複数のベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層を含み、
前記カバー絶縁層の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下である、請求項４記載の配線回路基板。
前記カバー絶縁層の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下である、請求項４記載の配線回路基板。
【請求項6】
前記複数の絶縁層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であり、
前記複数の導体層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
前記複数の導体層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項7】
前記複数の絶縁層は、感光性材料からなる、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項8】
前記複数の絶縁層および前記複数の導体層を支持する金属支持体をさらに備える、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項9】
前記複数の絶縁層は、第２の絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層を含み、
前記金属支持体は、前記厚み方向において、前記第１の絶縁層および前記第１の導体層と前記第２の絶縁層および前記第２の導体層との間に位置する、請求項８記載の配線回路基板。
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層を含み、
前記金属支持体は、前記厚み方向において、前記第１の絶縁層および前記第１の導体層と前記第２の絶縁層および前記第２の導体層との間に位置する、請求項８記載の配線回路基板。
【請求項10】
前記金属支持体の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上２５０Ｗ／ｍＫ以下である、請求項８記載の配線回路基板。
【請求項11】
前記金属支持体の２５℃以上２００℃以下における線膨張係数は、０ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項８記載の配線回路基板。
【請求項12】
前記金属支持体は、ステンレス鋼、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成された、請求項８記載の配線回路基板。
【請求項13】
請求項１または２記載の配線回路基板と、
接続端子を有し、前記配線回路基板の前記第１の面上に実装される電気的要素と、
前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部または前記第２の被接続部とを接合する接合部材とを備え、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とをさらに有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される、電気的要素実装基板。
接続端子を有し、前記配線回路基板の前記第１の面上に実装される電気的要素と、
前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部または前記第２の被接続部とを接合する接合部材とを備え、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とをさらに有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される、電気的要素実装基板。
【請求項14】
前記接合部材は、半田を含む、請求項１１記載の電気的要素実装基板。
【請求項15】
厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層を形成する工程と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に複数の導体層を形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な第１の被接続部を前記第１の面上に形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な前記第２の被接続部を前記第２の面上に形成する工程とを含み、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、配線回路基板の製造方法。
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層を形成する工程と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に複数の導体層を形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な第１の被接続部を前記第１の面上に形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な前記第２の被接続部を前記第２の面上に形成する工程とを含み、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である、配線回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記複数の絶縁層は、感光性材料からなる、請求項１５記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項17】
請求項１５記載の製造方法により前記配線回路基板を作製する工程と、
接続端子を有する電気的要素を、前記製造方法により作製された配線回路基板の前記第１の面上に実装する工程とを含み、
前記実装する工程は、
接合部材を用いて、前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部とを接合することを含み、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とを有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される、電気的要素実装基板の製造方法。
接続端子を有する電気的要素を、前記製造方法により作製された配線回路基板の前記第１の面上に実装する工程とを含み、
前記実装する工程は、
接合部材を用いて、前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部とを接合することを含み、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とを有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される、電気的要素実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の絶縁層および複数の導体層を含む配線回路基板、電気的要素実装基板、配線回路基板の製造方法および電気的要素実装基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、半導体チップとリジッドプリント配線回路基板との間に再配線基板が挿入される場合がある。再配線基板は、例えば、半導体チップの微細パターンとパッケージ基板の粗パターンとのピッチを変換する役割を担う。再配線基板は、インターポーザ基板とも呼ばれる。
【0003】
特許文献１に記載された半導体装置は、配線回路層を備える。配線回路層は、再配線層として機能する。配線回路層は、絶縁層および導体層を含む。導体層は、絶縁層の内部に形成されている。導体層から一方の主面に一方の導通路が延び、導体層から他方の主面に他方の導通路が延びている。一方の導通路の先端部には、一方の主面で露出する一方の接続用導体部が設けられ、他方の導通路の先端部には、他方の主面で露出する他方の接続用導体部が設けられている。
【0004】
再配線基板は、特許文献１に記載された配線回路層のように、例えば配線を形成する導体層を含む。また、再配線基板は、複数の絶縁層とともに配線を形成する複数の導体層が積層された多層構造を有する場合がある。従来、このような再配線基板は、数百μｍ程度の厚みを有するものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１０－２３２５２４号公報
【特許文献2】特開２０２０－１２３５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
再配線基板が配線を含む場合には、当該配線のインピーダンスを低減する観点および再配線基板上に実装される半導体チップの放熱性を向上させる観点から、当該再配線基板の薄型化が求められている。
【0007】
一方、半導体チップを他の半導体チップまたは配線回路基板等の電気的要素に電気的に接続させることが可能に構成された半導体モジュールが提案されている。特許文献２に記載された半導体モジュールは、上記の再配線基板に類似の回路構成を有し、次のように作製される。
【0008】
まず、支持基板上に接着剤を介して複数セットの半導体チップが搭載される。次に、複数セットの半導体チップを覆うように、接着剤上に封止樹脂部が形成される。その後、複数セットの半導体チップが封止樹脂部により覆われた状態で、封止樹脂部から接着剤および支持基板が除去される。この状態で、半導体チップの一面が露出する封止樹脂部の面上に、複数の絶縁膜および複数の配線（再配線）が積層形成される。
【0009】
上記の半導体モジュールにおいては、半導体チップの一面上に形成される複数の絶縁膜および複数の再配線の層の厚みを比較的小さくすることができる。しかしながら、その半導体モジュールを製造するためには、複数セットの半導体チップを支持基板上で精度よく位置決めして封止樹脂で固定するために、専用の装置が必要となる。また、複数セットの半導体チップ間の位置関係を考慮した複雑な配線設計が必要となる。さらに、複数セットの半導体チップ上に複数の絶縁膜および複数の再配線を直接形成する場合、半導体チップに悪影響を及ぼさない処理環境が必要になる。したがって、上記のように、封止樹脂部で固定された半導体チップの一面上に複数の絶縁膜および複数の再配線を形成することは、再配線基板に半導体チップを実装する場合に比べて困難性が高い。
【0010】
本発明の目的は、電気的要素の実装が容易でかつ配線のインピーダンスの低減および電気的要素の放熱性の確保を実現可能な配線回路基板、電気的要素実装基板、配線回路基板の製造方法および電気的要素実装基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一局面に従う配線回路基板は、厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板であって、前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層と、電気的要素が有する接続端子を接続可能に構成された第１の被接続部および第２の被接続部とを備え、前記第１の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように前記第１の面上に形成され、前記第２の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように前記第２の面上に形成され、前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
【0012】
本発明の他の局面に従う電気的要素実装基板は、上記の配線回路基板と、接続端子を有し、前記配線回路基板の前記第１の面上に実装される電気的要素と、前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部または前記第２の被接続部とを接合する接合部材とを備え、前記電気的要素は、前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とをさらに有し、前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される。
【0013】
本発明のさらに他の局面に従う配線回路基板の製造方法は、厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板の製造方法であって、前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層を形成する工程と、前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に複数の導体層を形成する工程と、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な第１の被接続部を前記第１の面上に形成する工程と、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な前記第２の被接続部を前記第２の面上に形成する工程とを含み、前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
【0014】
本発明のさらに他の局面に従う電気的要素実装基板の製造方法は、上記の製造方法により前記配線回路基板を作製する工程と、接続端子を有する電気的要素を、前記製造方法により作製された配線回路基板の前記第１の面上に実装する工程とを含み、前記実装する工程は、接合部材を用いて、前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部とを接合することを含み、前記電気的要素は、前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とを有し、前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、電気的要素の実装が容易になるとともに、配線のインピーダンスの低減および電気的要素の放熱性の確保が実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の一実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。
【図4】再配線基板の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置の一例を示す模式的側面図である。
【図14】第１の導体層の内部にエッチング液が進入した状態の一例を示す再配線基板の模式的断面図である。
【図15】第１の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図16】第１の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図17】第１の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図18】第１の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図19】第１の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図20】第２の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図21】第２の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図22】第２の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図23】第２の変形例に係る再配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図24】他の実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。
【図25】再配線基板に係るインピーダンス試験結果を示す図である。
【図26】半導体素子の放熱性を評価するためのシミュレーションに用いた携帯端末の構造を示す模式的断面図である。
【図27】半導体素子の放熱性を評価するための複数のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板、電気的要素実装基板、配線回路基板の製造方法および電気的要素実装基板の製造方法について図面を参照しつつ説明する。配線回路基板の一例として、再配線基板を説明する。再配線基板は、例えば半導体素子等の電子部品とリジッドプリント配線回路基板（以下、リジッド基板と略記する。）等の他の配線回路基板との間に配置され、電子部品の微細パターンと他の配線回路基板の粗パターンとのピッチを変換する役割を担う。再配線基板は、インターポーザ基板とも呼ばれる。
【0018】
１．再配線基板の基本構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の模式的平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の模式的底面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面（本例では上面）１０１および第２の面（本例では下面）１０２を有する。図１において、再配線基板１００の厚み方向ＤＴは、下から上に向く矢印で示される。
図１は、本発明の一実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。図２は、図１の再配線基板１００の模式的平面図である。図３は、図１の再配線基板１００の模式的底面図である。図１は、図２および図３のＡ－Ａ線断面を表す。図１に示すように、再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く第１の面（本例では上面）１０１および第２の面（本例では下面）１０２を有する。図１において、再配線基板１００の厚み方向ＤＴは、下から上に向く矢印で示される。
【0019】
再配線基板１００は、その厚み方向ＤＴにおいて半導体素子２００とリジッド基板３００との間に配置される。第１の面１０１上には、複数の端子部Ｔ１が形成されている。再配線基板１００の第１の面１０１上に半導体素子２００が実装されることにより、半導体素子実装基板４００が形成される。
【0020】
半導体素子２００は、再配線基板１００に実装された状態で再配線基板１００に対向する対向面２１１を有する。また、半導体素子２００は、対向面２１１から一定長さ突出するように形成された複数の柱状接合部２２０を有する。各柱状接合部２２０は、例えば銅を含む金属材料により形成され、図１の吹き出し内に示すように、当該柱状接合部２２０の軸方向に直交する横断面が円形状を有する。その柱状接合部２２０の横断面の直径は、２０μｍ以上４０μｍ以下である。また、柱状接合部２２０の軸方向の長さ（高さ）は、２０μｍ以上４０μｍ以下である。柱状接合部２２０の先端部は、半導体素子２００の接続端子を構成し、予め対応付けられた再配線基板１００の端子部Ｔ１に半田Ｓを介して接合される。なお、柱状接合部２２０の横断面は、楕円形状または多角形状等の円形状以外の形状を有してもよい。
【0021】
半導体素子実装基板４００においては、半導体素子２００の対向面２１１と再配線基板１００の第１の面１０１との間に、アンダーフィル２９０が充填されている。アンダーフィル２９０は、例えばエポキシ樹脂により形成される。再配線基板１００の第１の面１０１上には、半導体素子２００を覆う蓋部材（図示せず）が設けられてもよい。図１～図３では、半導体素子２００が一点鎖線で示される。
【0022】
再配線基板１００の第２の面１０２上には、複数の端子部Ｔ２が形成されている。リジッド基板３００は、当該リジッド基板３００の複数の接続端子として複数の電極パッド３０１を有する。各電極パッド３０１は、平面視で円形状を有する。その電極パッド３０１の直径は、５０μｍ以上４００μｍ以下である。なお、電極パッド３０１は、楕円形状または多角形状等の円形状以外の形状を有してもよい。電極パッド３０１は、予め対応付けられた再配線基板１００の端子部Ｔ２に半田Ｓを介して接合される。図１～図３では、リジッド基板３００が二点鎖線で示される。
【0023】
再配線基板１００は、概ね、積層配置された複数（本例では４つ）の絶縁層の内部に複数の導体層が形成された構成を有する。以下の説明では、図１の再配線基板１００を構成する４つの絶縁層を区別する場合に、複数の絶縁層をそれぞれ第１の絶縁層１０、第２の絶縁層２０、第３の絶縁層３０および第４の絶縁層４０と呼ぶ。第１の絶縁層１０、第２の絶縁層２０、第３の絶縁層３０および第４の絶縁層４０は、この順で再配線基板１００の厚み方向ＤＴに並ぶ。
【0024】
４つの絶縁層（１０，２０，３０，４０）の各々は、感光性材料で形成される。４つの絶縁層（１０，２０，３０，４０）に用いられる感光性材料としては、具体的には、例えば感光性ポリイミドが挙げられる。なお、絶縁層（１０，２０，３０，４０）は、感光性ポリイミドに代えて、他の感光性樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の感光性樹脂）により形成されてもよい。絶縁層（１０，２０，３０，４０）の各々の厚みは、０μｍよりも大きく３０μｍよりも小さい。また、絶縁層（１０，２０，３０，４０）の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0025】
複数の導体層は、複数の第１の導体層１１、複数の第２の導体層２１および複数の第３の導体層３１を含む。複数の第１の導体層１１は、基本的には、ビア部１１ａおよび配線部１１ｂを含む。なお、複数の第１の導体層１１のうち一部の第１の導体層１１は、配線部１１ｂのみで構成されてもよい。
【0026】
ビア部１１ａは、第１の導体層１１のうち第１の絶縁層１０の後述する貫通孔ｈ１１（図６）内部に形成される部分である。配線部１１ｂは、第１の絶縁層１０の一面（上面）上に所定パターンで形成される部分である。図１の再配線基板１００においては、第１の絶縁層１０の他面（下面）が、再配線基板１００の第２の面１０２を構成する。
【0027】
ビア部１１ａの底部は、第２の面１０２上に位置する。第１の導体層１１のビア部１１ａの底部に、第２の面１０２が向く方向に露出するように上記の端子部Ｔ２が形成されている。なお、各端子部Ｔ２は、ビア部１１ａの当該底部で構成されてもよいし、ビア部１１ａの当該底部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。例えば、各端子部Ｔ２は、ビア部１１ａの底部に、金等の耐食性に優れた金属のめっき層を成長させることにより形成されてもよい。あるいは、各端子部Ｔ２は、ビア部１１ａの底部に、例えば水溶性プリフラックス等の有機膜を形成することにより形成されてもよい。
【0028】
複数の第２の導体層２１は、複数の第１の導体層１１と同様の構成を有し、基本的には、ビア部２１ａおよび配線部２１ｂを含む。なお、複数の第２の導体層２１のうち一部の第２の導体層２１は、配線部２１ｂのみで構成されてもよい。
【0029】
ビア部２１ａは第２の絶縁層２０の後述する貫通孔ｈ２１（図８）内部に形成される部分である。配線部２１ｂは、第２の絶縁層２０の一面（上面）上に所定パターンで形成される部分である。複数の配線部２１ｂのうちの少なくとも１つの配線部２１ｂはビア部２１ａを通して第１の導体層１１に接続されている。
【0030】
複数の第３の導体層３１は、複数の第１の導体層１１と同様の構成を有し、基本的には、ビア部３１ａおよび配線部３１ｂを含む。なお、複数の第３の導体層３１のうち一部の第３の導体層３１は、配線部３１ｂのみで構成されてもよい。
【0031】
ビア部３１ａは第３の絶縁層３０の後述する貫通孔ｈ３１（図１０）内部に形成される部分である。配線部３１ｂは、第３の絶縁層３０の一面（上面）上に所定パターンで形成される部分である。複数の配線部３１ｂのうちの少なくとも１つの配線部３１ｂはビア部３１ａを通して第２の導体層２１に接続されている。
【0032】
第４の絶縁層４０は、第３の絶縁層３０上に形成された第３の導体層３１を保護するためのカバー絶縁層として機能し、一面（上面）が再配線基板１００の外部に露出している。この第４の絶縁層４０の一面は、再配線基板１００の第１の面１０１を構成する。
【0033】
第３の導体層３１の配線部３１ｂの一部に上記の複数の端子部Ｔ１が形成される。第４の絶縁層４０には、第３の導体層３１の一部に形成された端子部Ｔ１を、第１の面１０１が向く方向に露出させるための開口が形成されている。
【0034】
各端子部Ｔ１は、第３の導体層３１の当該一部で構成されてもよいし、第３の導体層３１の当該一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。例えば、各端子部Ｔ１は、第３の導体層３１の一部に、金等の耐食性に優れた金属のめっき層を成長させることにより形成されてもよい。あるいは、各端子部Ｔ１は、第３の導体層３１の一部に、例えば水溶性プリフラックス等の有機膜を形成することにより形成されてもよい。
【0035】
上記の各導体層（１１，２１，３１）は、シード層上に電解めっき法によりめっき層を成長させることにより形成される。この形成方法の具体例については後述する。導体層を形成するシード層は、例えばクロム薄膜および銅薄膜からなる。または、シード層は、チタン薄膜および銅薄膜からなる。あるいは、シード層は銅薄膜からなる。一方、めっき層は、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステンおよびルテニウム等のうち１種または複数種を含む金属または合金により形成される。本実施の形態においては、めっき層は銅である。複数の導体層（１１，２１，３１）の配線部１１ｂ，２１ｂ，３１ｂの各々の厚みは、０μｍよりも大きく３０μｍよりも小さい。また、配線部１１ｂ，２１ｂ，３１ｂの各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0036】
本実施の形態に係る再配線基板１００においては、第４の絶縁層４０を除く複数の絶縁層（１０，２０，３０）の各々の厚みと、当該絶縁層上に形成される導体層（１１，２１，３１）の配線部１１ｂ，２１ｂ，３１ｂの厚みとの合計は３０μｍ以下である。これにより、本実施の形態に係る再配線基板１００は、従来の一般的な再配線基板の厚み（数百μｍ程度）に比べて薄型化が実現されている。
【0037】
絶縁層（１０，２０，３０，４０）の各々の厚みが上記の好ましい範囲（３μｍ以上１５μｍ以下）内にありかつ配線部１１ｂ，２１ｂ，３１ｂの各々の厚みが上記の好ましい範囲（３μｍ以上１５μｍ以下）内にある場合を想定する。この場合、第１の絶縁層１０の厚みと第１の絶縁層１０上に形成される第１の導体層１１の配線部１１ｂの厚みとの合計は、６μｍ以上３０μｍ以下である（図１の矢印ｔ１１参照）。また、第２の絶縁層２０の厚みと第２の絶縁層２０上に形成される第２の導体層２１の配線部２１ｂの厚みとの合計は、６μｍ以上３０μｍ以下である（図１の矢印ｔ１２参照）。さらに、第３の絶縁層３０の厚みと第３の絶縁層３０上に形成される第３の導体層３１の配線部３１ｂの厚みとの合計は、６μｍ以上３０μｍ以下である（図１の矢印ｔ１３参照）。これらの結果、図１の再配線基板１００は、各層（１０，１１，２０，２１，３０，３１，４０）の厚みが好ましい範囲内にあるとしたときの最小値が２１μｍとなる。
【0038】
図２に示すように、複数の端子部Ｔ１の各々は、平面視で半導体素子２００の柱状接合部２２０の横断面の形状に対応する円形状を有し、その直径は、２０μｍ以上４０μｍ以下である。なお、柱状接合部２２０の横断面の形状が円形状以外の形状を有する場合には、端子部Ｔ１は柱状接合部２２０の横断面の形状と基本的に同じ形状を有することが好ましい。
【0039】
図３に示すように、複数の端子部Ｔ２の各々は、平面視でリジッド基板３００の電極パッド３０１の形状に対応する円形状を有し、その直径は、５０μｍ以上４００μｍ以下である。なお、電極パッド３０１の形状が円形状以外の形状を有する場合には、端子部Ｔ２は電極パッド３０１の形状と基本的に同じ形状を有することが好ましい。
【0040】
なお、本実施の形態では、再配線基板１００の第１の面１０１に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の第２の面１０２に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致するが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００の第１の面１０１に位置する複数の端子部Ｔ１の数と、再配線基板１００の第２の面１０２に位置する複数の端子部Ｔ２の数とは一致しなくてもよい。
【0041】
２．再配線基板１００の製造方法
本実施の形態においては、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。図４は、再配線基板１００の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
本実施の形態においては、再配線基板１００は、例えばロール・ツー・ロール方式により製造される。図４は、再配線基板１００の製造工程で用いられるロール・ツー・ロール装置５００の一例を示す模式的側面図である。
【0042】
図４に示すように、ロール・ツー・ロール装置５００は、巻き出し部５０１、巻き取り部５０２および複数の処理部５１０，５２０，…を含む。まず、長尺状の金属支持体１が巻回されたロール（繰り出しロール）Ｒ１が用意され、ロール・ツー・ロール装置５００の巻き出し部５０１にセットされる。
【0043】
金属支持体１はステンレス鋼で形成される。金属支持体１は、ステンレス鋼に代えて、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成されてもよい。鉄およびニッケルを含む合金としては、インバー、４２アロイ、４５パーマロイおよびコパール等が挙げられる。
【0044】
用意された繰り出しロールＲ１から金属支持体１が繰り出される。繰り出された金属支持体１は、図４に点線の矢印で示すように、巻き取り部５０２にセットされた他のロール（巻き取りロール）Ｒ２に巻き取られる。
【0045】
ロール・ツー・ロール装置５００においては、複数の処理部５１０，５２０，…が、２つのロール（Ｒ１，Ｒ２）の間で、金属支持体１の移動方向に沿って並ぶように設けられている。複数の処理部５１０，５２０，…は、２つのロール（Ｒ１，Ｒ２）間を移動する長尺状の金属支持体１の各領域に、図１の複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）および図１の複数の導体層（１１，２１，３１）を順次形成する。それにより、巻き取りロールＲ２に巻き取られる金属支持体１上に、複数の再配線基板１００が形成される。
【0046】
以下、再配線基板１００の製造方法について詳細を説明する。
【0047】
図５～図１３は、図１の再配線基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。図５～図１３に示される模式的断面図は、図１の再配線基板１００の模式的断面図に対応する。図５～図１３の各図には、図１の厚み方向ＤＴが示される。
【0048】
上記のように、金属支持体１が巻回された繰り出しロールＲ１（図４）が用意され、当該繰り出しロールＲ１から金属支持体１が繰り出される。図５に、繰り出された金属支持体１の一部の断面が示される。金属支持体１は、厚み方向ＤＴにおいて互いに逆の方向を向く上面１ａおよび下面１ｂを有する。
【0049】
次に、金属支持体１の上面１ａ上に感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、塗布された感光性ポリイミドの前駆体が、露光され、現像される。それにより、金属支持体１上に第１の絶縁層１０（図６）が形成される。形成された第１の絶縁層１０は硬化処理される。その後、図６に示すように、第１の絶縁層１０のうち予め定められた複数の部分に、例えばレーザ加工またはエッチングにより複数の貫通孔ｈ１１が形成される。複数の貫通孔ｈ１１は、金属支持体１の上面１ａの一部を金属支持体１の上方に露出させる。
【0050】
なお、複数の貫通孔ｈ１１は、第１の絶縁層１０の形成時に、金属支持体１上に塗布された感光性ポリイミドの前駆体を、所定パターンで露光することにより形成されてもよい。すなわち、複数の貫通孔ｈ１１の形成は、金属支持体１上への第１の絶縁層１０の形成と同時に行われてもよい。
【0051】
次に、複数の貫通孔ｈ１１の内部で露出する金属支持体１の部分、複数の貫通孔ｈ１１の内周面および第１の絶縁層１０上に、例えばスパッタリングによりシード層ＳＬ（図７）が形成される。なお、シード層ＳＬは、例えばスパッタリングに代えて、無電解めっきにより形成されてもよい。
【0052】
その後、シード層ＳＬ上に所定パターンのめっきレジスト層が形成され、めっきレジスト層の開口部を通して露出するシード層ＳＬの部分に、電解めっきによりめっき層ＰＬ（図７）が形成される。また、めっきレジスト層がエッチングにより除去される。さらに、シード層ＳＬのうちめっき層ＰＬが形成されていない部分がエッチングにより除去される。それにより、図７に示すように、貫通孔ｈ１１内にビア部１１ａを有しかつ第１の絶縁層１０上に配線部１１ｂを有する１または複数の第１の導体層１１が形成される。また、第１の絶縁層１０上に配線部１１ｂを有する１または複数の第１の導体層１１が形成される。
【0053】
次に、複数の第１の導体層１１の配線部１１ｂを覆うように、第１の絶縁層１０上に新たに感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、第１の絶縁層１０の形成時と同様の手順で、第１の絶縁層１０上に第２の絶縁層２０（図８）が形成される。形成された第２の絶縁層２０は硬化処理される。その後、図８に示すように、第２の絶縁層２０のうち予め定められた複数の部分に、例えばレーザ加工またはエッチングにより複数の貫通孔ｈ２１が形成される。複数の貫通孔ｈ２１は、複数の第１の導体層１１の一部を第２の絶縁層２０の上方に露出させる。ここでも、複数の貫通孔ｈ２１の形成は、複数の貫通孔ｈ１１の例と同様に、感光性ポリイミドの露光技術（階調露光）を用いることにより第１の絶縁層１０上への第２の絶縁層２０の形成と同時に行われてもよい。
【0054】
次に、複数の貫通孔ｈ２１の内部で露出する第１の導体層１１の部分、複数の貫通孔ｈ２１の内周面および第２の絶縁層２０上に、第１の導体層１１の形成時と同様に、シード層ＳＬが形成される。シード層ＳＬ上に所定パターンのめっきレジスト層が形成され、めっきレジスト層の開口部を通して露出するシード層ＳＬの部分に、電解めっきによりめっき層ＰＬが形成される。また、めっきレジスト層がエッチングにより除去される。さらに、シード層ＳＬのうちめっき層ＰＬが形成されていない部分がエッチングにより除去される。それにより、図９に示すように、貫通孔ｈ２１内にビア部２１ａを有しかつ第２の絶縁層２０上に配線部２１ｂを有する１または複数の第２の導体層２１が形成される。また、第２の絶縁層２０上に配線部２１ｂを有する１または複数の第２の導体層２１が形成される。
【0055】
次に、複数の第２の導体層２１の配線部２１ｂを覆うように、第２の絶縁層２０上に新たに感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、第１の絶縁層１０の形成時と同様の手順で、第２の絶縁層２０上に第３の絶縁層３０（図１０）が形成される。形成された第３の絶縁層３０は硬化処理される。その後、図１０に示すように、第３の絶縁層３０のうち予め定められた複数の部分に、例えばレーザ加工またはエッチングにより複数の貫通孔ｈ３１が形成される。複数の貫通孔ｈ３１は、複数の第２の導体層２１の一部を第３の絶縁層３０の上方に露出させる。ここでも、複数の貫通孔ｈ３１の形成は、複数の貫通孔ｈ１１の例と同様に、感光性ポリイミドの露光技術を用いることにより第２の絶縁層２０上への第３の絶縁層３０の形成と同時に行われてもよい。
【0056】
次に、複数の貫通孔ｈ３１の内部で露出する第２の導体層２１の部分、複数の貫通孔ｈ３１の内周面および第３の絶縁層３０上に、第１の導体層１１の形成時と同様に、シード層ＳＬが形成される。シード層ＳＬ上に所定パターンのめっきレジスト層が形成され、めっきレジスト層の開口部を通して露出するシード層ＳＬの部分に、電解めっきによりめっき層ＰＬが形成される。また、めっきレジスト層がエッチングにより除去される。さらに、シード層ＳＬのうちめっき層ＰＬが形成されていない部分がエッチングにより除去される。それにより、図１１に示すように、貫通孔ｈ３１内にビア部３１ａを有しかつ第３の絶縁層３０上に配線部３１ｂを有する１または複数の第３の導体層３１が形成される。また、第３の絶縁層３０上に配線部３１ｂを有する１または複数の第３の導体層３１が形成される。
【0057】
次に、複数の第３の導体層３１の配線部３１ｂを覆うように、第３の絶縁層３０上に新たに感光性ポリイミドの前駆体が塗布される。また、第１の絶縁層１０の形成時と同様の手順で、第３の絶縁層３０上に第４の絶縁層４０（図１２）が形成される。形成された第４の絶縁層４０は硬化処理される。その後、図１２に示すように、第４の絶縁層４０のうち予め定められた複数の部分に、例えばレーザ加工またはエッチングにより複数の貫通孔ｈ４１が形成される。複数の貫通孔ｈ４１は、複数の第３の導体層３１の一部を第４の絶縁層４０の上方に露出させる。ここでも、複数の貫通孔ｈ４１の形成は、複数の貫通孔ｈ１１の例と同様に、感光性ポリイミドの露光技術を用いることにより第３の絶縁層３０上への第４の絶縁層４０の形成と同時に行われてもよい。
【0058】
上記の第４の絶縁層４０の形成が完了することにより、金属支持体１の上面１ａ上で図１の再配線基板１００の基本構成が完成する。図４のロール・ツー・ロール装置５００においては、複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）および複数の導体層（１１，２１，３１）が形成された図１２の金属支持体１が巻き取りロールＲ２により巻き取られる。巻き取りロールＲ２で巻き取られた金属支持体１（金属支持体１と再配線基板１００との積層体）は、例えば他のロール・ツー・ロール装置に繰り出しロールとしてセットされる。セットされた繰り出しロールから繰り出される積層体に対して後続の処理が行われる。
【0059】
続いて、再配線基板１００上に半導体素子２００を実装する前に、図１３に示すように、再配線基板１００の第１の絶縁層１０から金属支持体１がウェットエッチングにより除去される。
【0060】
その後、図１３に点線で示すように、複数の第３の導体層３１のうち再配線基板１００の第１の面１０１上に露出する部分に、必要に応じて表面処理（めっき処理等）が施され、図１の複数の端子部Ｔ１が形成される。また、複数の第１の導体層１１のうち再配線基板１００の第２の面１０２上に露出する部分に、必要に応じて表面処理（めっき処理等）が施され、図１の複数の端子部Ｔ２が形成される。なお、上記のように、端子部Ｔ１は第３の導体層３１の一部で構成されてもよい。また、端子部Ｔ２は第１の導体層１１の一部で構成されてもよい。これらの場合、第３の導体層３１の露出部分および第１の導体層１１の露出部分に対して、上記の表面処理は不要である。
【0061】
作製された再配線基板１００上に半導体素子２００が実装されることにより図１の半導体素子実装基板４００が完成する。半導体素子実装基板４００はリジッド基板３００上に接続される。
【0062】
３．再配線基板１００の製造方法の第１の変形例
以下の説明では、上記の図５～図１３の再配線基板１００の製造方法を基本例に係る再配線基板１００の製造方法と呼ぶ。基本例に係る再配線基板１００の製造方法において、金属支持体１に接する第１の導体層１１のシード層ＳＬに欠落部分または薄厚の部分があると、金属支持体１のウェットエッチング時に、第１の導体層１１の内部にエッチング液が進入する可能性がある。
以下の説明では、上記の図５～図１３の再配線基板１００の製造方法を基本例に係る再配線基板１００の製造方法と呼ぶ。基本例に係る再配線基板１００の製造方法において、金属支持体１に接する第１の導体層１１のシード層ＳＬに欠落部分または薄厚の部分があると、金属支持体１のウェットエッチング時に、第１の導体層１１の内部にエッチング液が進入する可能性がある。
【0063】
図１４は、第１の導体層１１の内部にエッチング液が進入した状態の一例を示す再配線基板１００の模式的断面図である。図１４に白抜きの矢印で示すように、金属支持体１のウェットエッチング時に第１の導体層１１の内部にエッチング液が進入すると、金属支持体１除去後の第１の絶縁層１０の貫通孔ｈ１１内に空隙が形成される可能性がある。再配線基板１００において、このような空隙の存在は再配線基板１００の信頼性を低下させる。この点を考慮して、再配線基板１００は、下記の第１の変形例に従って作製されてもよい。
【0064】
以下、第１の変形例に係る再配線基板１００の製造方法について、基本例に係る再配線基板１００の製造方法と異なる点を説明する。図１５～図１９は、第１の変形例に係る再配線基板１００の製造方法を説明するための模式的断面図である。図１５～図１９に示される模式的断面図は、図１の再配線基板１００の模式的断面図に対応する。図１５～図１９の各図には、図１の厚み方向ＤＴが示される。
【0065】
第１の変形例に係る再配線基板１００の製造方法においては、基本例に係る再配線基板１００の製造方法と同様に、最初に、金属支持体１の上面１ａ上に第１の絶縁層１０が形成される。この第１の絶縁層１０の形成後または形成時に、当該第１の絶縁層１０に上記の複数の貫通孔ｈ１１（図６）に代えて、複数の縦孔ｖ１１が形成される。より具体的には、図１５に示すように、第１の変形例では、第１の絶縁層１０における予め定められた複数の部分の各々に、金属支持体１から厚み方向ＤＴに一定距離離間して底部が位置するように縦孔ｖ１１が形成される。縦孔ｖ１１は、図６の貫通孔ｈ１１の例と同様に、例えばレーザ加工、エッチングまたは感光性ポリイミドの露光技術（階調露光）のいずれかの方法を用いて形成される。
【0066】
次に、複数の縦孔ｖ１１の底部、複数の縦孔ｖ１１の内周面および第１の絶縁層１０上に、シード層ＳＬが形成される。シード層ＳＬ上に所定パターンのめっきレジスト層が形成され、めっきレジスト層の開口部を通して露出するシード層ＳＬの部分に、電解めっきによりめっき層ＰＬが形成される。また、めっきレジスト層がエッチングにより除去される。さらに、シード層ＳＬのうちめっき層ＰＬが形成されていない部分がエッチングにより除去される。それにより、図１６に示すように、縦孔ｖ１１内にビア部１１ａを有しかつ第１の絶縁層１０上に配線部１１ｂを有する１または複数の第１の導体層１１が形成される。また、第１の絶縁層１０上に配線部１１ｂを有する１または複数の第１の導体層１１が形成される。
【0067】
その後、上記の基本例と同様に、第１の絶縁層１０上に、複数の絶縁層（２０，３０，４０）、複数の導体層（２１，３１）が形成される。この状態で、図１７に示すように、第１の導体層１１の下端部に位置するシード層ＳＬの部分と金属支持体１の上面１ａとの間には、第１の絶縁層１０の一部が存在する。
【0068】
続いて、再配線基板１００上に半導体素子２００を実装する前に、図１８に示すように、再配線基板１００の第１の絶縁層１０から金属支持体１がウェットエッチングにより除去される。
【0069】
ここで、第１の導体層１１のシード層ＳＬと金属支持体１との間に位置する第１の絶縁層１０の部分は、感光性ポリイミドにより形成されている。したがって、上記のウェットエッチング時に、第１の導体層１１のシード層ＳＬと金属支持体１との間に位置する第１の絶縁層１０の部分は、金属支持体１のエッチング液に対するエッチングストップ層として機能する。
【0070】
それにより、金属支持体１の除去時に、金属支持体１のエッチング液は、第１の絶縁層１０の縦孔ｖ１１の底部に位置するシード層ＳＬに接触しない。したがって、第１の絶縁層１０の縦孔ｖ１１の内部に形成されたシード層ＳＬおよびめっき層ＰＬが、金属支持体１のエッチング液により溶解しない。その結果、金属支持体１除去後の第１の絶縁層１０の縦孔ｖ１１内に空隙が発生することが防止される。
【0071】
上記のように、第１の絶縁層１０から金属支持体１が除去された後、第１の導体層１１の一部を第１の絶縁層１０の下方に露出させるために、第１の絶縁層１０の下端部から一定厚みの領域（図１８の点線部分参照）が、例えばエッチングにより除去される。ここで用いられるエッチング液は、第１の絶縁層１０、すなわち感光性ポリイミドを溶解するためのエッチング液である。そのため、第１の絶縁層１０のエッチング時に、第１の導体層１１は溶解しない。
【0072】
第１の導体層１１の部分的なエッチングが行われることにより、複数の縦孔ｖ１１の底部に位置する第１の導体層１１の部分が第１の絶縁層１０の下面上で露出する。それにより、図１９に示すように、再配線基板１００が完成する。第１の変形例に係る再配線基板１００の製造方法によれば、金属支持体１のエッチングに伴う第１の導体層１１の溶解が防止されるので、作製された再配線基板１００の信頼性が向上する。
【0073】
４．再配線基板１００の製造方法の第２の変形例
基本例および第１の変形例に係る再配線基板１００の製造方法によれば、第１の絶縁層１０から金属支持体１が完全に除去された状態にある再配線基板１００が作製される。それにより、再配線基板１００においては、薄型化および柔軟性の確保が実現されている。
基本例および第１の変形例に係る再配線基板１００の製造方法によれば、第１の絶縁層１０から金属支持体１が完全に除去された状態にある再配線基板１００が作製される。それにより、再配線基板１００においては、薄型化および柔軟性の確保が実現されている。
【0074】
一方、再配線基板１００上に半導体素子２００を実装する際には、取り扱い性の観点から、再配線基板１００はある程度の剛性を有することが好ましい。この点を考慮して、再配線基板１００は、下記の第２の変形例に従って作製されてもよい。
【0075】
以下、第２の変形例に係る再配線基板１００の製造方法について、基本例に係る再配線基板１００の製造方法と異なる点を説明する。図２０～図２３は、第２の変形例に係る再配線基板１００の製造方法を説明するための図である。
【0076】
基本例、第１の変形例および第２の変形例に係る再配線基板１００の製造時には、１枚の共通する金属支持体１上に複数の再配線基板１００が形成される。図２０に、再配線基板１００の製造方法で用意される金属支持体１の一部を示す平面図が示される。
【0077】
図２０に示すように、金属支持体１においては、再配線基板１００を形成するための領域が予め定められている。以下、金属支持体１において、再配線基板１００が形成されるべき予め定められた領域の部分を第１の部分ｐ１と呼ぶ。また、金属支持体１のうち第１の部分ｐ１以外の部分を第２の部分ｐ２と呼ぶ。図２０の例では、複数の第１の部分ｐ１が、当該金属支持体１が延びる方向に沿うように間隔をおいて二列で並ぶ。一方、第２の部分ｐ２は、複数の第１の部分ｐ１の間で格子状に広がるとともに複数の第１の部分ｐ１を取り囲む。これにより、第２の部分ｐ２は、各第１の部分ｐ１に隣り合う。
【0078】
図２０の金属支持体１を用いて、基本例のうち金属支持体１上に複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）および複数の導体層（１１，２１，３１）を形成するまでの工程（図５～図１２に示される工程）が進められる。このとき、各絶縁層（１０，２０，３０，４０）は、第１の部分ｐ１から第２の部分ｐ２にかけて連続的に重なるように金属支持体１上に順次積層形成される。それにより、図２１に示すように、金属支持体１のうち複数の第１の部分ｐ１に複数の再配線基板１００がそれぞれ形成される。
【0079】
続いて、第２の変形例に係る再配線基板１００の製造方法においては、再配線基板１００の第１の絶縁層１０に接触する金属支持体１のうち複数の第１の部分ｐ１のみがウェットエッチングにより除去される。この場合、金属支持体１の第２の部分ｐ２は、フレーム枠として機能する。それにより、各再配線基板１００は、複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）の外縁部分を介して金属支持体１の第２の部分ｐ２により間接的に支持される。
【0080】
この状態で、図２２に模式的断面図で示すように、複数の第１の導体層１１の露出部分および複数の第３の導体層３１の露出部分に必要に応じて表面処理が行われ、複数の端子部Ｔ１，Ｔ２が形成される。なお、図２２および後続の図２３においては、第１の部分ｐ１をウェットエッチングすることにより金属支持体１に形成された開口が符号ｏｐで示される。
【0081】
その後、図２３に模式的断面図で示すように、再配線基板１００が金属支持体１の第２の部分ｐ２により支持された状態で、再配線基板１００上に半導体素子２００が実装される。これにより、半導体素子実装基板４００が完成する。この実装時には、再配線基板１００が金属支持体１の第２の部分ｐ２で支持されているので、再配線基板１００の取り扱い性が向上し、実装作業が安定化する。その結果、半導体素子実装基板４００の信頼性が向上する。
【0082】
最後に、図２３の模式的断面図において、太い二点鎖線で示すように、複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）の外縁部分を、金属支持体１の第２の部分ｐ２上に位置する絶縁層（１０，２０，３０，４０）の部分から切断する。それにより、エッチング液等の半導体素子２００に悪影響を及ぼす薬剤を用いることなく再配線基板１００から金属支持体１を分離することができる。
【0083】
５．効果
（ａ）上記の再配線基板１００においては、第１の面１０１上の複数の端子部Ｔ１に半導体素子２００が有する複数の柱状接合部２２０の先端部を接続することができる。したがって、再配線基板１００への半導体素子２００の実装が容易である。また、第２の面１０２上の複数の端子部Ｔ２にリジッド基板３００が有する複数の電極パッド３０１を容易に接続することができる。
（ａ）上記の再配線基板１００においては、第１の面１０１上の複数の端子部Ｔ１に半導体素子２００が有する複数の柱状接合部２２０の先端部を接続することができる。したがって、再配線基板１００への半導体素子２００の実装が容易である。また、第２の面１０２上の複数の端子部Ｔ２にリジッド基板３００が有する複数の電極パッド３０１を容易に接続することができる。
【0084】
また、上記の再配線基板１００においては、一の絶縁層（１０，２０，３０）の厚みと複数の導体層（１１，２１，３１）の配線部（１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ）の厚みとの合計が３０μｍ以下である。したがって、それらの厚みの合計が３０μｍよりも大きい場合に比べて、再配線基板１００の全体の厚みを小さくすることができる。すなわち、再配線基板１００の薄型化が実現される。
【0085】
これらの結果、再配線基板１００および半導体素子２００を含む半導体素子実装基板４００の製造が容易になる。また、各絶縁層（１０，２０，３０）上の導体層（１１，２１，３１）の配線部（１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ）により形成される配線のインピーダンスの低減が実現される。さらに、再配線基板１００上に実装された半導体素子２００について高い放熱性の確保が実現される。
【0086】
（ｂ）上記の４つの絶縁層（１０，２０，３０，４０）の各々は、感光性ポリイミドにより形成される。また、その形成時には、感光性ポリイミドの前駆体が金属支持体１または他の絶縁層（２０，３０，４０）上に塗布され、塗布された前駆体が露光および現像される。したがって、前駆体の露光を選択的に行うことにより、絶縁層のパターニングが容易である。そのため、各絶縁層（１０，２０，３０，４０）に貫通孔等を形成する場合に、レーザ加工等で必要な残渣除去の工程が不要となり、再配線基板１００の製造に要する工程数を低減することができる。なお、各絶縁層（１０，２０，３０，４０）に感光性ポリイミド以外の感光性材料が用いられる場合でも、同様の効果を得ることができる。
【0087】
（ｃ）上記実施の形態に係る半導体素子実装基板４００の製造方法によれば、樹脂等に比べて高い剛性を有する金属支持体１上で再配線基板１００が作製される。それにより、再配線基板１００の作製時に再配線基板１００の中間体が過剰に変形することが防止される。したがって、再配線基板１００の製造の信頼性が向上する。
【0088】
また、上記の製造方法によれば、再配線基板１００上に半導体素子２００を実装する工程の前に、再配線基板１００から金属支持体１がウェットエッチングにより除去される。この場合、再配線基板１００から金属支持体１を除去する際に、再配線基板１００および金属支持体１の近傍に半導体素子２００を配置する必要がない。したがって、再配線基板１００から金属支持体１を除去する作業に起因して、半導体素子２００が損傷を受けるかまたは汚染することが防止される。これらの結果、高い信頼性を有する半導体素子実装基板４００を作製することが可能になる。
【0089】
（ｄ）上記の再配線基板１００の製造方法によれば、絶縁層および導体層の形成工程の簡単な繰り返しで、多数の導体層が積層された再配線基板１００を作製することができる。
【0090】
（ｅ）上記実施の形態に係る再配線基板１００の製造時には、金属支持体１上に再配線基板１００を作製する際に、ロール・ツー・ロール装置５００が用いられる。これにより、繰り出しロールＲ１と巻き取りロールＲ２との間を移動する金属支持体１上の複数の領域上に連続的に複数の処理を行うことができる。したがって、再配線基板１００の作製の効率が向上する。
【0091】
６．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態に係る再配線基板１００は、基本的に複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）および複数の導体層（１１，２１，３１）が積層形成された構成を有し、金属支持体１を含まないが、本発明はこれに限定されない。
（ａ）上記実施の形態に係る再配線基板１００は、基本的に複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）および複数の導体層（１１，２１，３１）が積層形成された構成を有し、金属支持体１を含まないが、本発明はこれに限定されない。
【0092】
再配線基板は、金属支持体を含んでもよい。図２４は、他の実施の形態に係る再配線基板の構成を示す模式的断面図である。本例の再配線基板の平面図および底面図は、上記実施の形態に係る再配線基板１００の平面図および底面図と同じである（図２および図３参照）。図２４においても、図１の例と同様に、再配線基板１００の厚み方向ＤＴが矢印により示される。
【0093】
図２４に示すように、他の実施の形態に係る再配線基板１００は、主として金属支持体１１０、複数（本例では４つ）の絶縁層および複数（本例では３つ）の導体層を含む。以下の説明では、図２４の再配線基板１００を構成する４つの絶縁層を区別する場合に、複数の絶縁層をそれぞれ第１の絶縁層５０、第２の絶縁層６０、第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０と呼ぶ。これらの複数の絶縁層（５０、６０，７０，８０）は、上記実施の形態に係る図１の複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）と同じ材料により形成される。
【0094】
第１の絶縁層５０、第２の絶縁層６０、金属支持体１１０、第３の絶縁層７０および第４の絶縁層８０は、この順で再配線基板１００の厚み方向ＤＴに並ぶ。金属支持体１１０は、ステンレス鋼で形成される。金属支持体１１０は、ステンレス鋼に代えて、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成されてもよい。鉄およびニッケルを含む合金としては、インバー、４２アロイ、４５パーマロイおよびコパール等が挙げられる。金属支持体１１０にインバーが用いられる場合、インバー中のニッケル（Ｎｉ）組成の変化に対応して、金属支持体１１０の線膨張係数を調整することが可能になる。この場合、再配線基板１００を構成する各層に反りが発生することを抑制することが可能になる。
【0095】
金属支持体１１０の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上２５０Ｗ／ｍＫ以下である。金属支持体１１０の２５℃以上２００℃以下における線膨張係数は、０ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下である。金属支持体１１０の厚みは、１５μｍ以上６０μｍ以下である。
【0096】
図２４の例において、金属支持体１１０のうち半導体素子２００を向く一面（図２４において上方を向く面）を上面１１０ａと呼び、金属支持体１１０のうちリジッド基板３００を向く他面（図２４において下方を向く面）を下面１１０ｂと呼ぶ。金属支持体１１０には、上面１１０ａから下面１１０ｂに至る複数（本例では２つ）の貫通孔ｈ１１１が形成されている。
【0097】
金属支持体１１０の外表面には、被覆層１２０が形成されている。より具体的には、金属支持体１１０には、上面１１０ａ、下面１１０ｂおよび各貫通孔ｈ１１１の内周面の全体を覆うように、被覆層１２０が形成されている。被覆層１２０は、例えば感光性ポリイミドにより形成される。また、被覆層１２０は、０．１μｍ以上２０μｍ以下の厚みを有する。なお、被覆層１２０は、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂により形成されてもよい。また、被覆層１２０の材料としては、上記の樹脂に代えて、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いることもできる。具体的には、被覆層１２０の材料としては、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等を用いることもできる。
【0098】
金属支持体１１０の外表面の一部には、上記の被覆層１２０を介して複数の第１の導体層１１１が形成されている。複数の第１の導体層１１１の各々は、ビア部１１１ａおよび配線部１１１ｂ，１１１ｃを含む。
【0099】
ビア部１１１ａは、第１の導体層１１１のうち金属支持体１１０の貫通孔ｈ１１１内部に形成される部分である。配線部１１１ｂは、金属支持体１１０の下面１１０ｂ上に所定パターンで形成される部分である。配線部１１１ｃは、金属支持体１１０の上面１１０ａ上に所定パターンで形成される部分である。配線部１１１ｂ，１１１ｃの各々の厚みは、０μｍよりも大きく３０μｍよりも小さい。また、配線部１１１ｂ，１１１ｃの各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0100】
第２の絶縁層６０は、第１の導体層１１１の配線部１１１ｂを下方から覆うように、被覆層１２０を介して金属支持体１１０の下面１１０ｂ上に形成されている。第２の絶縁層６０には、厚み方向ＤＴに延びる複数（本例では２つ）の貫通孔が形成されている。複数の貫通孔の上端部は、第１の導体層１１１の配線部１１１ｂ上に位置する。
【0101】
第２の絶縁層６０の一部に、複数の第２の導体層６１が形成されている。複数の第２の導体層６１の各々は、ビア部６１ａおよび配線部６１ｂを含む。ビア部６１ａは、第２の導体層６１のうち第２の絶縁層６０の貫通孔内部に形成される部分である。配線部６１ｂは、第２の導体層６１のうち第２の絶縁層６０の一面（本例では下面）上に所定パターンで形成される部分である。なお、複数の第２の導体層６１のうち一部の第２の導体層６１は、配線部６１ｂのみで構成されてもよい。配線部６１ｂの各々の厚みは、０μｍよりも大きく３０μｍよりも小さい。また、配線部６１ｂの各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0102】
第１の絶縁層５０は、第２の絶縁層６０上に形成された第２の導体層６１を保護するためのカバー絶縁層として機能し、一面（下面）が再配線基板１００の外部に露出している。この第１の絶縁層５０の一面は、再配線基板１００の第２の面１０２を構成する。
【0103】
第２の導体層６１の配線部６１ｂの一部に複数の端子部Ｔ２が形成される。第１の絶縁層５０には、複数の端子部Ｔ２を、第２の面１０２が向く方向に露出させるための開口が形成されている。各端子部Ｔ２は、第２の導体層６１の当該一部で構成されてもよいし、第２の導体層６１の当該一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。
【0104】
第３の絶縁層７０は、第１の導体層１１１の配線部１１１ｃを上方から覆うように、被覆層１２０を介して金属支持体１１０の上面１１０ａ上に形成されている。第３の絶縁層７０には、厚み方向ＤＴに延びる複数（本例では２つ）の貫通孔が形成されている。複数の貫通孔の下端部は、第１の導体層１１１の配線部１１１ｃ上に位置する。
【0105】
第３の絶縁層７０の一部に、複数の第３の導体層７１が形成されている。複数の第３の導体層７１の各々は、ビア部７１ａおよび配線部７１ｂを含む。ビア部７１ａは、第３の導体層７１のうち第３の絶縁層７０の貫通孔内部に形成される部分である。配線部７１ｂは、第３の導体層７１のうち第３の絶縁層７０の一面（本例では上面）上に所定パターンで形成される部分である。なお、複数の第３の導体層７１のうち一部の第３の導体層７１は、配線部７１ｂのみで構成されてもよい。配線部７１ｂの各々の厚みは、０μｍよりも大きく３０μｍよりも小さい。また、配線部７１ｂの各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【0106】
第４の絶縁層８０は、第３の絶縁層７０上に形成された第３の導体層７１を保護するためのカバー絶縁層として機能し、一面（上面）が再配線基板１００の外部に露出している。この第４の絶縁層８０の一面は、再配線基板１００の第１の面１０１を構成する。
【0107】
第３の導体層７１の配線部７１ｂの一部に複数の端子部Ｔ１が形成される。第４の絶縁層８０には、複数の端子部Ｔ１を、第１の面１０１が向く方向に露出させるための開口が形成されている。各端子部Ｔ１は、第３の導体層７１の当該一部で構成されてもよいし、第３の導体層７１の当該一部に表面処理を施すことにより形成されてもよい。
【0108】
図２４の再配線基板１００においては、第１の絶縁層５０および第４の絶縁層８０を除く複数の絶縁層（６０，７０）の各々の厚みと、当該絶縁層上に形成される導体層（６１，７１）の配線部６１ｂ，７１ｂの厚みとの合計が３０μｍ以下である。これにより、図２４の再配線基板１００においても、従来の一般的な再配線基板の厚み（数百μｍ程度）に比べて薄型化が実現されている。
【0109】
絶縁層（６０，７０）の各々の厚みが上記の好ましい範囲（３μｍ以上１５μｍ以下）内にありかつ配線部６１ｂ，７１ｂの各々の厚みが上記の好ましい範囲（３μｍ以上１５μｍ以下）内にある場合を想定する。この場合、第２の絶縁層６０の厚みと第２の絶縁層６０上に形成される第２の導体層６１の配線部６１ｂの厚みとの合計は、６μｍ以上３０μｍ以下である（図２４の矢印ｔ２１参照）。また、第３の絶縁層７０の厚みと第３の絶縁層７０上に形成される第３の絶縁層７０の配線部７１ｂの厚みとの合計は、６μｍ以上３０μｍ以下である（図２４の矢印ｔ２２参照）。
【0110】
上記の構成を有する図２４の再配線基板１００は、概ね以下のように作製される。まず、金属支持体１１０が用意され、金属支持体１１０の予め定められた部分に複数の貫通孔ｈ１１１が形成される。また、金属支持体１１０の外表面全体に渡って被覆層１２０が形成される。その後、金属支持体１１０の外表面のうち予め定められた部分上に被覆層１２０を介して第１の導体層１１１が形成される。
【0111】
次に、金属支持体１１０の下面１１０ｂ上に、第２の絶縁層６０、第２の導体層６１および第１の絶縁層５０を含む積層構造が形成される。また、金属支持体１１０の上面１１０ａ上に、第３の絶縁層７０、第３の導体層７１および第４の絶縁層８０を含む積層構造が形成される。これらの積層構造の形成は、上記実施の形態に係る再配線基板１００の製造工程のうち複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）および導体層（１１，２１，３１）を形成する工程と同様の手順で行われる。
【0112】
本例の再配線基板１００においては、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）および複数の導体層（１１１，６１，７１）が高い剛性を有する金属支持体１１０により補強される。したがって、再配線基板１００の信頼性が向上する。
【0113】
また、金属支持体１１０は、複数の絶縁層（５０，６０，７０，８０）に比べて高い熱伝導率を有する。そのため、金属支持体１１０は、再配線基板１００上に半導体素子２００が実装された場合に、半導体素子２００で発生した熱を受け取りやすい。したがって、金属支持体１１０は、半導体素子２００の放熱部材として機能する。
【0114】
上記のように、金属支持体１１０の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上２５０Ｗ／ｍＫ以下である。この場合、金属支持体１１０は、再配線基板１００に実装される半導体素子２００の放熱部材として有効に機能する。
【0115】
また、金属支持体１１０の２５℃以上２００℃以下における線膨張係数は、０ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下である。この場合、再配線基板１００の温度の変化に伴って金属支持体１１０が大きく変形することが防止される。それにより、再配線基板１００の信頼性が向上する。
【0116】
（ｂ）上記実施の形態に係る再配線基板１００においては、複数の絶縁層の各々の厚みと、当該絶縁層上に形成される導体層の配線部の厚みとの合計が３０μｍ以下であるが、本発明はこれに限定されない。
【0117】
再配線基板１００においては、複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層の厚みと、当該絶縁層上に形成される導体層の配線部の厚みとの合計が３０μｍ以下であればよい。この場合、複数の絶縁層の全ての絶縁層の各々の厚みと、当該絶縁層上に形成される導体層の配線部の厚みとの合計が３０μｍよりも大きい場合に比べて、再配線基板１００を薄型化することができる。
【0118】
（ｃ）上記実施の形態においては、金属支持体１を含まない図１の再配線基板１００は、３つの絶縁層（１０，２０，３０）にそれぞれ３つの導体層（１１，２１，３１）が形成された構成を有するが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００は、４つの絶縁層にそれぞれ４つの導体層が形成された構成を有してもよいし、５以上の絶縁層にそれぞれ５以上の導体層が形成された構成を有してもよい。
【0119】
（ｄ）上記実施の形態では、再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式により製造されるが、本発明はこれに限定されない。再配線基板１００は、ロール・ツー・ロール方式以外の方式で作製されてもよい。例えば、１枚のシートに順次処理を行う枚葉方式で作製されてもよい。
【0120】
（ｅ）上記実施の形態は本発明を再配線基板に適用した例であるが、これに限らず、複数の絶縁層および複数の導体層が積層形成された他の配線回路基板に本発明を適用してもよい。
【0121】
７．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0122】
上記実施の形態では、再配線基板１００が配線回路基板および再配線基板の例であり、第１の面１０１が第１の面の例であり、第２の面１０２が第２の面の例であり、厚み方向ＤＴが厚み方向の例であり、複数の絶縁層（１０，２０，３０，６０，７０）のいずれかが第１の絶縁層の例であり、複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０）が複数の絶縁層の例である。
【0123】
また、複数の導体層（１１，２１，３１，６１，７１）が複数の導体層の例であり、半導体素子２００およびリジッド基板３００が電気的要素の例であり、半導体素子２００の複数の柱状接合部２２０の先端部およびリジッド基板３００の複数の電極パッド３０１が接続端子の例であり、再配線基板１００の端子部Ｔ１が第１の被接続部の例であり、再配線基板１００の端子部Ｔ２が第２の被接続部の例であり、複数の導体層（１１，２１，３１，６１，７１）のいずれかが第１の導体層の例である。
【0124】
また、半導体素子２００が第１の電気的要素の例であり、リジッド基板３００が第２の電気的要素の例であり、第２の絶縁層２０が第２の絶縁層の例であり、第３の絶縁層３０が第３の絶縁層の例であり、第２の導体層２１が第２の導体層の例であり、第３の導体層３１が第３の導体層の例であり、複数の絶縁層（１０，２０，３０，６０，７０）が複数のベース絶縁層の例であり、複数の絶縁層（４０，５０，８０）がカバー絶縁層の例である。
【0125】
また、金属支持体１が金属支持体の例であり、複数の絶縁層（６０，７０）のいずれかが第２の絶縁層の例であり、複数の導体層（６１，７１）のいずれかが第２の導体層の例であり、半田Ｓが接合部材の例であり、対向面２１１が対向面の例であり、柱状接合部２２０が柱状接合部の例であり、半導体素子実装基板４００が電気的要素実装基板の例である。
【0126】
８．実施例および比較例
（ａ）配線のインピーダンスに関して
本発明者らは、再配線基板１００を従来の再配線基板よりも薄型化することにより、当該再配線基板１００の内部に形成される配線のインピーダンスが低減されるのかを確認するために、以下の試験（以下、インピーダンス試験と呼ぶ。）を行った。
（ａ）配線のインピーダンスに関して
本発明者らは、再配線基板１００を従来の再配線基板よりも薄型化することにより、当該再配線基板１００の内部に形成される配線のインピーダンスが低減されるのかを確認するために、以下の試験（以下、インピーダンス試験と呼ぶ。）を行った。
【0127】
まず、本発明者らは、実施例１として、図１の再配線基板１００と基本的に同じ構成を有する再配線基板１００を作製した。実施例１の再配線基板１００においては、複数の絶縁層（１０，２０，３０，４０）を感光性ポリイミドで作製した。各絶縁層の厚みは５μｍであった。また、各絶縁層の被誘電率は３．３であり、各絶縁層の誘電正接は０．００７であった。さらに、実施例１の再配線基板１００においては、複数の導体層（１１、２１，３１）の各々を銅で形成した。各導体層の厚みは５μｍであった。
【0128】
また、本発明者らは、比較例１として、実施例１の再配線基板１００と各部の厚みおよび材料を除いて同じ構成を有する再配線基板を作製した。比較例１の再配線基板においては、複数の絶縁層を、実施例１の感光性ポリイミドとは異なる材料（パナソニック社製のＭＥＧＴＲＯＮ ＧＸ Ｒ－１５１５Ａ）を用いて作製した。各絶縁層の厚みは３０μｍであった。また、各絶縁層の被誘電率は４．７であり、各絶縁層の誘電正接は０．０１１であった。さらに、比較例１の再配線基板においては、複数の導体層の各々を銅で形成した。各導体層の厚みは１５μｍであった。
【0129】
その後、本発明者らは、実施例１の再配線基板１００および比較例１の再配線基板について、最上部の導体層の配線（半導体素子実装基板４００において半導体素子２００に最も近い位置にある配線）のインピーダンスを測定した。ここで測定されたインピーダンスを上部インピーダンスと呼ぶ。
【0130】
また、本発明者らは、実施例１の再配線基板１００および比較例１の再配線基板について、最下部の導体層の配線（半導体素子実装基板４００において半導体素子２００から最も遠い位置にある配線）のインピーダンスを測定した。ここで測定されたインピーダンスを下部インピーダンスと呼ぶ。
【0131】
図２５は、再配線基板１００に係るインピーダンス試験結果を示す図である。図２５では、インピーダンス試験結果がグラフで示される。図２５のグラフでは、縦軸が配線のインピーダンスの大きさを表し、横軸が周波数を表す。また、実施例１の再配線基板１００の上部インピーダンスが太い点線で示され、実施例１の再配線基板１００の下部インピーダンスが太い実線で示される。さらに、比較例１の再配線基板１００の上部インピーダンスが点線で示され、比較例１の再配線基板１００の下部インピーダンスが実線で示される。
【0132】
図２５のインピーダンス試験結果によれば、実施例１の最上部および最下部の配線のインピーダンスは、比較例１の最上部および最下部の配線のインピーダンスに対して幅広い周波数帯域で低くなることが確認された。
【0133】
（ｂ）再配線基板に実装される電気的要素の放熱性に関して
本発明者らは、再配線基板１００を従来の再配線基板よりも薄型化することにより、当該再配線基板１００に実装される半導体素子２００の放熱性がどの程度向上するのかを確認するために、以下のシミュレーションを行った。
本発明者らは、再配線基板１００を従来の再配線基板よりも薄型化することにより、当該再配線基板１００に実装される半導体素子２００の放熱性がどの程度向上するのかを確認するために、以下のシミュレーションを行った。
【0134】
まず、本発明者らは、実施例１１として、図１の構成を有しかつ再配線基板１００の厚み（厚み方向ＤＴにおける第１の面１０１と第２の面１０２との間の距離）が４０μｍの再配線基板モデルを想定した。また、本発明者らは、実施例１２として、図２４の構成を有しかつ再配線基板１００の厚み（厚み方向ＤＴにおける第１の面１０１と第２の面１０２との間の距離）が６５μｍの再配線基板モデルを想定した。さらに、本発明者らは、比較例１１として、厚みが１５０μｍである点を除いて、図１の構成を有する再配線基板モデル、すなわち複数の絶縁層（１０，２０，３０）の各々の厚みと当該絶縁層上に形成された導体層（１１，２１，３１）の厚みとの合計が３０μｍよりも大きい再配線基板モデルを想定した。
【0135】
その上で、それらの再配線基板モデルが携帯端末に搭載された場合に、再配線基板モデルの近傍の温度がどのように変化するのかを確認した。図２６は、半導体素子２００の放熱性を評価するためのシミュレーションに用いた携帯端末の構造を示す模式的断面図である。
【0136】
図２６に示すように、その携帯端末９００は、ケーシング９１０内部に、リジッド基板３００Ａとともにバッテリ等の複数種類の部品９０１が収容された構成を有する。図２６の吹き出し内の部分的拡大図に示すように、リジッド基板３００Ａには、再配線基板１００が接合部材３９０を介して接続されている。その再配線基板１００には、半導体素子２００が実装されている。再配線基板１００および半導体素子２００により半導体素子実装基板４００が構成される。接合部材３９０は、半田を含むものとする。半導体素子実装基板４００は、封止樹脂４９０により覆われるものとする。封止樹脂４９０には、さらに放熱対策部材４９１が取り付けられている。放熱対策部材４９１は、ケーシング９１０内部に収容された複数種類の部品９０１のうち一部の部品９０１に接触している。
【0137】
以下の説明において、リジッド基板３００Ａと半導体素子実装基板４００との接続部分に位置する予め定められた点を注目点ｔｐと呼ぶ。図２６の携帯端末９００が実施例１１の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００を備えるとした場合に、当該携帯端末９００において特定のプログラムを起動してから一定期間中の注目点ｔｐの温度変化をシミュレーションにより算出した。
【0138】
また、図２６の携帯端末９００が実施例１２の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００を備えるとした場合に、当該携帯端末９００において特定のプログラムを起動してから一定期間中の注目点ｔｐの温度変化をシミュレーションにより算出した。
【0139】
さらに、図２６の携帯端末９００が比較例１１の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００を備えるとした場合に、当該携帯端末９００において特定のプログラムを起動してから一定期間中の注目点ｔｐの温度変化をシミュレーションにより算出した。
【0140】
図２７は、半導体素子２００の放熱性を評価するための複数のシミュレーション結果を示す図である。図２７では、複数のシミュレーション結果がグラフで示される。図２７のグラフでは、縦軸が図２６の注目点ｔｐの温度を表し、横軸が時間を表す。横軸の０点は、特定のプログラムの起動時点である。
【0141】
実施例１１の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果が黒い丸印と実線とで示される。また、比較例１１の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果が三角印と点線とで示される。なお、実施例１２の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果は、図２７のグラフ上で差異を示すことができない程度に、実施例１１の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果とほぼ同一であった。したがって、実施例１２の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果については、図示を省略している。
【0142】
実施例１１および実施例１２の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果によれば、注目点ｔｐの温度は、特定のプログラムが起動された後、１６０ｓｅｃ経過後に５０℃に到達している。これに対して、比較例１１の再配線基板モデルに対応するシミュレーション結果によれば、注目点ｔｐの温度は、特定のプログラムが起動された後、１４０ｓｅｃ経過後に５０℃に到達している。
【0143】
これらの結果、実施例１１および実施例１２の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００は、比較例１１の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００に比べて注目点ｔｐの温度が上昇しにくいことが確認できた。すなわち、実施例１１および実施例１２の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００においては、比較例１１の再配線基板モデルを含む半導体素子実装基板４００に比べて半導体素子２００の放熱性が向上していることが確認できた。
【0144】
９．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る配線回路基板は、
厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板であって、
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層と、
電気的要素が有する接続端子を接続可能に構成された第１の被接続部および第２の被接続部とを備え、
前記第１の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように前記第１の面上に形成され、
前記第２の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように前記第２の面上に形成され、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
（第１項）第１項に係る配線回路基板は、
厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板であって、
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に形成される複数の導体層と、
電気的要素が有する接続端子を接続可能に構成された第１の被接続部および第２の被接続部とを備え、
前記第１の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように前記第１の面上に形成され、
前記第２の被接続部は、前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように前記第２の面上に形成され、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
【0145】
その配線回路基板においては、第１の面上の第１の被接続部に電気的要素が有する接続端子を接続することができる。また、第２の面上の第２の被接続部に電気的要素が有する接続端子を接続することができる。したがって、配線回路基板への電気的要素の実装が容易である。
【0146】
また、上記の構成によれば、第１の絶縁層のうち第１の導体層が形成される部分の厚みと第１の導体層の厚みとの合計が３０μｍよりも大きい場合に比べて、配線回路基板の全体の厚みを小さくすることができる。すなわち、配線回路基板の薄型化が実現される。
【0147】
これらの結果、配線回路基板および電気的要素を含む電気的要素実装基板の製造が容易になるとともに、第１の導体層により形成される配線のインピーダンスの低減および実装された電気的要素についての高い放熱性の確保が実現される。
【0148】
（第２項）第１項に記載の配線回路基板において、
前記電気的要素は、互いに分離された第１の電気的要素と第２の電気的要素とを含み、
前記配線回路基板は、前記第１の電気的要素と前記第２の電気的要素とを電気的に接続するために用いられる再配線基板であってもよい。
前記電気的要素は、互いに分離された第１の電気的要素と第２の電気的要素とを含み、
前記配線回路基板は、前記第１の電気的要素と前記第２の電気的要素とを電気的に接続するために用いられる再配線基板であってもよい。
【0149】
第１の電気的要素および第２の電気的要素の各々は、例えば半導体素子等の電子部品またはリジッドプリント配線回路基板であり、複数の接続端子を有する。上記の構成によれば、配線回路基板は、再配線基板として、第１の電気的要素の複数の接続端子間のピッチと第２の電気的要素の複数の接続端子間のピッチとを変換する。
【0150】
（第３項）第１項または第２項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層は、第２の絶縁層および第３の絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層、および前記第３の絶縁層上に形成される第３の導体層を含み、
前記第２の導体層が形成される前記第２の絶縁層の部分の厚みと前記第２の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であり、
前記第３の導体層が形成される前記第３の絶縁層の部分の厚みと前記第３の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であってもよい。
前記複数の絶縁層は、第２の絶縁層および第３の絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層、および前記第３の絶縁層上に形成される第３の導体層を含み、
前記第２の導体層が形成される前記第２の絶縁層の部分の厚みと前記第２の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であり、
前記第３の導体層が形成される前記第３の絶縁層の部分の厚みと前記第３の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であってもよい。
【0151】
この場合、３以上の絶縁層が積層された構成を有する配線回路基板の厚みを小さくすることができる。
【0152】
（第４項）第１項～第３項のいずれか一項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層は、積層配置された複数のベース絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記複数のベース絶縁層上にそれぞれ形成され、
前記複数のベース絶縁層の各々の厚みと、当該ベース絶縁層上に形成される導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であってもよい。
前記複数の絶縁層は、積層配置された複数のベース絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記複数のベース絶縁層上にそれぞれ形成され、
前記複数のベース絶縁層の各々の厚みと、当該ベース絶縁層上に形成される導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下であってもよい。
【0153】
この場合、配線回路基板のさらなる薄型化が実現される。
【0154】
（第５項）第４項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層は、積層配置された前記複数のベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層を含み、
前記カバー絶縁層の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。
前記複数の絶縁層は、積層配置された前記複数のベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層を含み、
前記カバー絶縁層の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。
【0155】
この場合、配線回路基板のさらなる薄型化が実現される。
【0156】
（第６項）第１項～第５項のいずれか一項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であり、
前記複数の導体層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。
前記複数の絶縁層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であり、
前記複数の導体層の各々の厚みは、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。
【0157】
この場合、配線回路基板のさらなる薄型化が実現される。
【0158】
（第７項）第１項～第６項のいずれか一項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層は、感光性材料からなってもよい。
前記複数の絶縁層は、感光性材料からなってもよい。
【0159】
この場合、各絶縁層を構成する感光性材料の露光を選択的に行うことにより、当該絶縁層を容易にパターニングすることができる。したがって、各絶縁層に貫通孔等を形成する場合に、レーザ加工等で必要な残渣除去の工程が不要となり、配線回路基板の製造に要する工程数を低減することができる。
【0160】
（第８項）第１項または第２項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層および前記複数の導体層を支持する金属支持体をさらに備えてもよい。
前記複数の絶縁層および前記複数の導体層を支持する金属支持体をさらに備えてもよい。
【0161】
この場合、複数の絶縁層および複数の導体層が高い剛性を有する金属支持体により補強される。したがって、配線回路基板の信頼性が向上する。
【0162】
また、金属支持体は、絶縁層に比べて高い熱伝導率を有する。そのため、金属支持体は、配線回路基板上に電気的要素が実装された場合に、電気的要素で発生した熱を受け取りやすい。したがって、金属支持体は、電気的要素の放熱部材として機能する。
【0163】
（第９項）第８項に記載の配線回路基板において、
前記複数の絶縁層は、第２の絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層を含み、
前記金属支持体は、前記厚み方向において、前記第１の絶縁層および前記第１の導体層と前記第２の絶縁層および前記第２の導体層との間に位置してもよい。
前記複数の絶縁層は、第２の絶縁層を含み、
前記複数の導体層は、前記第２の絶縁層上に形成される第２の導体層を含み、
前記金属支持体は、前記厚み方向において、前記第１の絶縁層および前記第１の導体層と前記第２の絶縁層および前記第２の導体層との間に位置してもよい。
【0164】
この場合、複数の絶縁層および複数の導体層は金属支持体により補強される。したがって、配線回路基板の信頼性が向上する。
【0165】
（第１０項）第８項または第９項に記載の配線回路基板において、
前記金属支持体の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上２５０Ｗ／ｍＫ以下であってもよい。
前記金属支持体の熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上２５０Ｗ／ｍＫ以下であってもよい。
【0166】
この場合、金属支持体は、配線回路基板に実装される電気的要素の放熱部材として有効に機能する。
【0167】
（第１１項）第８項～第１０項のいずれか一項に記載の配線回路基板において、
前記金属支持体の２５℃以上２００℃以下における線膨張係数は、０ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下であってもよい。
前記金属支持体の２５℃以上２００℃以下における線膨張係数は、０ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下であってもよい。
【0168】
この場合、配線回路基板の温度の変化に伴って金属支持体が大きく変形することが防止される。それにより、配線回路基板の信頼性が向上する。
【0169】
（第１２項）第８項～第１１項のいずれか一項に記載の配線回路基板において、
前記金属支持体は、ステンレス鋼、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成されてもよい。
前記金属支持体は、ステンレス鋼、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかにより形成されてもよい。
【0170】
これにより、複数の絶縁層および複数の導体層がステンレス鋼、銅、銅合金、アルミニウム、チタン、または、鉄およびニッケルを含む合金のいずれかで形成された金属支持体により補強される。
【0171】
（第１３項）第１３項に係る電気的要素実装基板は、
第１項～第１２項のいずれか一項に記載の配線回路基板と、
接続端子を有し、前記配線回路基板の前記第１の面上に実装される電気的要素と、
前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部または前記第２の被接続部とを接合する接合部材とを備え、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とをさらに有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される。
第１項～第１２項のいずれか一項に記載の配線回路基板と、
接続端子を有し、前記配線回路基板の前記第１の面上に実装される電気的要素と、
前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部または前記第２の被接続部とを接合する接合部材とを備え、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とをさらに有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される。
【0172】
その電気的要素実装基板の作製時には、配線回路基板の第１の面に電気的要素の対向面を対向配置し、配線回路基板の第１の被接続部に電気的要素の接続端子を接続することができる。あるいは、配線回路基板の第２の面に電気的要素の対向面を対向配置し、配線回路基板の第２の被接続部に電気的要素の接続端子を接続することができる。この場合、電気的要素の接続端子が柱状接合部の先端部で構成されているので、接続端子が平坦な面上に形成される場合に比べて接続作業が容易になる。また、接合部材を用いた接続の信頼性が向上する。
【0173】
また、電気的要素実装基板は、上記の配線回路基板を備える。これらの結果、電気的要素実装基板の製造が容易になるとともに、第１の導体層により形成される配線のインピーダンスの低減および実装された電気的要素の放熱性の確保が実現される。
【0174】
（第１４項）第１３項に係る電気的要素実装基板において、
前記接合部材は、半田を含んでもよい。この場合、汎用の接合材料を用いて信頼性の高い電気的要素実装基板を作製することができる。
前記接合部材は、半田を含んでもよい。この場合、汎用の接合材料を用いて信頼性の高い電気的要素実装基板を作製することができる。
【0175】
（第１５項）第１５項に係る配線回路基板の製造方法は、
厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層を形成する工程と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に複数の導体層を形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な第１の被接続部を前記第１の面上に形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な前記第２の被接続部を前記第２の面上に形成する工程とを含み、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
厚み方向において互いに逆の方向を向く第１の面および第２の面を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記厚み方向に積層配置され、第１の絶縁層を含む複数の絶縁層を形成する工程と、
前記複数の絶縁層のうちいずれかの絶縁層上に複数の導体層を形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第１の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な第１の被接続部を前記第１の面上に形成する工程と、
前記複数の導体層に電気的に接続されるとともに前記第２の面が向く方向に露出するように、電気的要素が有する接続端子を接続可能な前記第２の被接続部を前記第２の面上に形成する工程とを含み、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁層上に形成される第１の導体層を含み、
前記第１の絶縁層のうち前記第１の導体層が形成される部分の厚みと前記第１の導体層の厚みとの合計は、３０μｍ以下である。
【0176】
上記の製造方法により作製される配線回路基板においては、第１の面上の第１の被接続部に電気的要素が有する接続端子を接続することができる。また、第２の面上の第２の被接続部に電気的要素が有する接続端子を接続することができる。したがって、配線回路基板への電気的要素の実装が容易である。
【0177】
また、上記の構成によれば、第１の絶縁層のうち第１の導体層が形成される部分の厚みと第１の導体層の厚みとの合計が３０μｍよりも大きい場合に比べて、配線回路基板の全体の厚みを小さくすることができる。すなわち、配線回路基板の薄型化が実現される。
【0178】
これらの結果、配線回路基板および電気的要素を含む電気的要素実装基板の製造が容易になるとともに、第１の導体層により形成される配線のインピーダンスの低減および実装された電気的要素の放熱性の確保が実現される。
【0179】
（第１６項）第１５項に係る配線回路基板の製造方法において、
前記複数の絶縁層は、感光性材料からなってもよい。
前記複数の絶縁層は、感光性材料からなってもよい。
【0180】
この場合、各絶縁層を構成する感光性材料の露光を選択的に行うことにより、当該絶縁層を容易にパターニングすることができる。したがって、各絶縁層に貫通孔等を形成する場合に、レーザ加工等で必要な残渣除去の工程が不要となり、配線回路基板の製造に要する工程数を低減することができる。
【0181】
（第１７項）第１７項に係る電気的要素実装基板の製造方法は、
第１５項または第１６項に記載の製造方法により前記配線回路基板を作製する工程と、
接続端子を有する電気的要素を、前記製造方法により作製された配線回路基板の前記第１の面上に実装する工程とを含み、
前記実装する工程は、
接合部材を用いて、前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部とを接合することを含み、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とを有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される。
第１５項または第１６項に記載の製造方法により前記配線回路基板を作製する工程と、
接続端子を有する電気的要素を、前記製造方法により作製された配線回路基板の前記第１の面上に実装する工程とを含み、
前記実装する工程は、
接合部材を用いて、前記電気的要素が有する前記接続端子と前記配線回路基板が備える前記第１の被接続部とを接合することを含み、
前記電気的要素は、
前記配線回路基板への実装時に前記配線回路基板に対向する対向面と、
前記対向面から一定長さ突出するように形成された柱状接合部とを有し、
前記接続端子は、前記柱状接合部の先端部で構成される。
【0182】
その電気的要素実装基板の作製時には、配線回路基板の第１の面に電気的要素の対向面を対向配置し、配線回路基板の第１の被接続部に電気的要素の接続端子を接続することができる。あるいは、配線回路基板の第２の面に電気的要素の対向面を対向配置し、配線回路基板の第２の被接続部に電気的要素の接続端子を接続することができる。この場合、電気的要素の接続端子が柱状接合部の先端部で構成されているので、接続端子が平坦な面上に形成される場合に比べて接続作業が容易になる。また、接合部材を用いた接続の信頼性が向上する。
【0183】
また、電気的要素実装基板は、上記の配線回路基板を備える。これらの結果、電気的要素実装基板の製造が容易になるとともに、第１の導体層により形成される配線のインピーダンスの低減および実装された電気的要素の放熱性の確保が実現される。
【符号の説明】
【0184】
１…金属支持体，１ａ…上面，１ｂ…下面，１０，５０…第１の絶縁層，１１，１１１…第１の導体層，１１ａ，２１ａ，３１ａ，６１ａ，７１ａ，１１１ａ…ビア部，１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ，６１ｂ，７１ｂ，１１１ｂ，１１１ｃ…配線部，２０，６０…第２の絶縁層，２１，６１…第２の導体層，３０，７０…第３の絶縁層，３１，７１…第３の導体層，４０，８０…第４の絶縁層，１００…再配線基板，１０１…第１の面，１０２…第２の面，１１０…金属支持体，１１０ａ…上面，１１０ｂ…下面，１２０…被覆層，２００…半導体素子，２１１…対向面，２２０…柱状接合部，２９０，…アンダーフィル，３００，３００Ａ…リジッド基板，３０１…電極パッド，３９０…接合部材，４００…半導体素子実装基板，４９０…封止樹脂，４９１…放熱対策部材，５００…ロール・ツー・ロール装置，５０１…巻き出し部，５０２…巻き取り部，５１０，５２０…処理部，９００…携帯端末，９０１…部品，ＤＴ…厚み方向，ＰＬ…めっき層，Ｒ１…繰り出しロール，Ｒ２…巻き取りロール，Ｓ…半田，ＳＬ…シード層，Ｔ１，Ｔ２…端子部，ｈ１１，ｈ２１，ｈ３１，ｈ４１，ｈ１１１…貫通孔，ｐ１…第１の部分，ｐ２…第２の部分，ｔｐ…注目点，ｖ１１…縦孔
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】