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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024094730
(43)【公開日】2024-07-10
(54)【発明の名称】磁気検出装置
(51)【国際特許分類】
G01R 33/02 20060101AFI20240703BHJP
G01R 33/07 20060101ALI20240703BHJP
H10N 52/80 20230101ALI20240703BHJP
【ＦＩ】
G01R33/02 V
G01R33/07
H10N52/80 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022211465
(22)【出願日】2022-12-28
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】桑原 英治
(72)【発明者】
【氏名】樋口 徹
【テーマコード（参考）】
2G017
5F092
【Ｆターム（参考）】
2G017AA04
2G017AC06
2G017AC07
2G017AD53
2G017BA05
5F092AA01
5F092AB01
5F092FA08
(57)【要約】
【課題】磁気の検出精度を高める。
【解決手段】磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向して配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。集磁体４０は、磁気検出素子２０に対する集磁体４０の対向方向に延びた第１集磁部４１と、対向方向から見た平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２と、を含む。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導するものである。
【選択図】図１
【解決手段】磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向して配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。集磁体４０は、磁気検出素子２０に対する集磁体４０の対向方向に延びた第１集磁部４１と、対向方向から見た平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２と、を含む。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導するものである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁気検出素子と、
前記磁気検出素子に対向して配置され、磁束を前記磁気検出素子に誘導する集磁体と、を備え、
前記集磁体は、
前記磁気検出素子に対する前記集磁体の対向方向に延びた第１集磁部と、
前記対向方向から見た平面視において、前記第１集磁部よりも側方に突出した第２集磁部と、を含み、
前記集磁体は、前記第２集磁部を貫く磁束を、前記第１集磁部を介して前記磁気検出素子に誘導するものである、磁気検出装置。
前記磁気検出素子に対向して配置され、磁束を前記磁気検出素子に誘導する集磁体と、を備え、
前記集磁体は、
前記磁気検出素子に対する前記集磁体の対向方向に延びた第１集磁部と、
前記対向方向から見た平面視において、前記第１集磁部よりも側方に突出した第２集磁部と、を含み、
前記集磁体は、前記第２集磁部を貫く磁束を、前記第１集磁部を介して前記磁気検出素子に誘導するものである、磁気検出装置。
【請求項2】
前記第２集磁部は、前記第１集磁部と連続する基端部と、前記平面視において当該第２集磁部の外周縁に位置する先端部とを有し、
前記先端部の少なくとも一部は、前記平面視において、前記第１集磁部よりも側方に位置している、請求項１に記載の磁気検出装置。
前記先端部の少なくとも一部は、前記平面視において、前記第１集磁部よりも側方に位置している、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項3】
前記第２集磁部の前記基端部は、前記対向方向における前記第１集磁部の端部であって、前記磁気検出素子側の端部の反対側に位置する端部と連続している、請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項4】
前記磁気検出素子は、磁束を検出するためのセンサ部を有し、
前記第２集磁部の前記先端部の少なくとも一部は、前記平面視において、前記センサ部からはみ出している、請求項２に記載の磁気検出装置。
前記第２集磁部の前記先端部の少なくとも一部は、前記平面視において、前記センサ部からはみ出している、請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項5】
前記第２集磁部は、前記平面視において、矩形状の外形を有する、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項6】
前記第２集磁部は、前記平面視において、矩形状の外形を有し、
前記第２集磁部の前記先端部は、前記矩形状の四辺の各々に位置する第１辺部、第２辺部、第３辺部、および第４辺部を有し、
前記第２集磁部における前記基端部から前記第１辺部までの距離、前記基端部から前記第２辺部までの距離、前記基端部から前記第３辺部までの距離、および前記基端部から前記第４辺部までの距離の少なくとも１つは、０．１μｍ以上２５０μｍ以下である、請求項２に記載の磁気検出装置。
前記第２集磁部の前記先端部は、前記矩形状の四辺の各々に位置する第１辺部、第２辺部、第３辺部、および第４辺部を有し、
前記第２集磁部における前記基端部から前記第１辺部までの距離、前記基端部から前記第２辺部までの距離、前記基端部から前記第３辺部までの距離、および前記基端部から前記第４辺部までの距離の少なくとも１つは、０．１μｍ以上２５０μｍ以下である、請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項7】
前記第１集磁部は、
前記磁気検出素子に向けて延びる柱状の支持部と、
前記支持部の表面にコーティングされた磁性体膜と、
を含む、請求項１に記載の磁気検出装置。
前記磁気検出素子に向けて延びる柱状の支持部と、
前記支持部の表面にコーティングされた磁性体膜と、
を含む、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項8】
前記第１集磁部は、前記第２集磁部と連続している側面を有し、
前記側面は、前記対向方向に平行な直立面を含む、請求項１に記載の磁気検出装置。
前記側面は、前記対向方向に平行な直立面を含む、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項9】
前記第１集磁部は、前記対向方向を高さ方向とする直方体形状である、請求項８に記載の磁気検出装置。
【請求項10】
前記対向方向において、前記第１集磁部の長さは、０．２μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項11】
前記磁気検出素子は、磁束を検出するためのセンサ部を有し、
前記センサ部は、前記集磁体の前記第１集磁部から前記対向方向に離隔しており、
前記センサ部と前記第１集磁部との離隔距離は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１に記載の磁気検出装置。
前記センサ部は、前記集磁体の前記第１集磁部から前記対向方向に離隔しており、
前記センサ部と前記第１集磁部との離隔距離は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項12】
前記磁気検出素子は、磁束を検出するためのセンサ部を有し、
前記センサ部の少なくとも一部は、前記平面視において、前記集磁体の前記第１集磁部からはみ出している、請求項１に記載の磁気検出装置。
前記センサ部の少なくとも一部は、前記平面視において、前記集磁体の前記第１集磁部からはみ出している、請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項13】
前記磁気検出素子に対向する対向面を有する基板を備え、
前記集磁体は、前記磁気検出素子と前記基板との間に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
前記集磁体は、前記磁気検出素子と前記基板との間に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項14】
前記磁気検出素子は、当該磁気検出装置を実装する際の実装面として用いられる第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有し、
前記集磁体は、前記磁気検出素子の前記第２面の上に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
前記集磁体は、前記磁気検出素子の前記第２面の上に配置されている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項15】
前記磁気検出素子に対向する対向面を有する基板を備え、
前記磁気検出素子は、前記基板に対向する第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有し、
前記集磁体は、
前記磁気検出素子の前記第１面と前記基板の前記対向面との間に配置されている第１集磁体と、
前記磁気検出素子の前記第２面の上に配置されている第２集磁体とを含む、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
前記磁気検出素子は、前記基板に対向する第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有し、
前記集磁体は、
前記磁気検出素子の前記第１面と前記基板の前記対向面との間に配置されている第１集磁体と、
前記磁気検出素子の前記第２面の上に配置されている第２集磁体とを含む、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の磁気検出装置として、例えば特許文献１には、リードフレームにホール素子が実装されて封止樹脂でホール素子を封止することによりパッケージ化された磁気測定装置の構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－０７７７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の磁気検出装置は、磁気検出装置周囲の磁界が弱い場合、ホール素子の磁気検出面を通過する磁束密度が低いため、磁気の検出精度が低下してしまう。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様である磁気検出装置は、磁気検出素子と、前記磁気検出素子に対向して配置され、磁束を前記磁気検出素子に誘導する集磁体と、を備え、前記集磁体は、前記磁気検出素子に対する前記集磁体の対向方向に延びた第１集磁部と、前記対向方向から見た平面視において、前記第１集磁部よりも側方に突出した第２集磁部と、を含み、前記集磁体は、前記第２集磁部を貫く磁束を、前記第１集磁部を介して前記磁気検出素子に誘導するものである。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一態様である磁気検出装置によれば、磁気の検出精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本開示における磁気検出装置の実施形態を説明する。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0010】
＜第１実施形態＞
図１～図３を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０について説明する。
図１は、磁気検出装置１０を示す概略断面図である。なお、本開示において使用される「Ｘ方向」は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＸ方向に沿った方向を意味し、「Ｙ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＹ方向に沿った方向を意味し、「Ｚ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＺ方向に沿った方向を意味する。本開示において使用される「平面視」という用語は、上記ＸＹＺ軸のＺ軸に沿って上方から磁気検出装置１０を視ることを意味する。
図１～図３を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０について説明する。
図１は、磁気検出装置１０を示す概略断面図である。なお、本開示において使用される「Ｘ方向」は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＸ方向に沿った方向を意味し、「Ｙ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＹ方向に沿った方向を意味し、「Ｚ方向」は、上記ＸＹＺ軸のＺ方向に沿った方向を意味する。本開示において使用される「平面視」という用語は、上記ＸＹＺ軸のＺ軸に沿って上方から磁気検出装置１０を視ることを意味する。
【0011】
磁気検出装置１０は、電子機器の回路基板Ｓに表面実装される形式の磁気検出装置である。図１は、回路基板Ｓに表面実装されている状態の磁気検出装置１０を示している。磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁気検出素子２０と基板３０との間に配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０とを備える。また、磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と基板３０との間に設けられた絶縁層５０を有する。集磁体４０は、絶縁層５０内に配置されている。
【0012】
（磁気検出素子）
磁気検出素子２０は、当該磁気検出素子２０を貫く磁束を検出するものである。磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０によって磁束が検出されることによって、磁気（磁界）を検出するように構成されている。
磁気検出素子２０は、当該磁気検出素子２０を貫く磁束を検出するものである。磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０によって磁束が検出されることによって、磁気（磁界）を検出するように構成されている。
【0013】
磁気検出素子２０は特に限定されるものでなく、磁束を検出する公知のセンサを用いることができる。磁気検出素子２０としては、たとえば、Ｐ型のシリコンからなる半導体層と、この半導体層の表面にＮ型の導電型不純物が導入されて拡散層として形成されたＮ型の半導体領域とを有するホール素子が挙げられる。また、磁気検出素子２０は、ホール素子以外のその他の素子であってもよい。
【0014】
磁気検出素子２０は、絶縁層５０の上面５０Ａ、すなわち、絶縁層５０における基板３０と反対側の表面に配置されている。磁気検出素子２０は、磁束を検出するセンサ部２１と、外部接続用の端子である電極パッド２２とを備える。センサ部２１と電極パッド２２は、図示しない配線により電気的に接続されている。電極パッド２２は、ワイヤＷによって外部電極Ｅに電気的に接続されている。ワイヤＷは、ワイヤボンディング装置によって形成されるボンディングワイヤである。電極パッド２２およびワイヤＷは、たとえば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの導体によって形成されている。
【0015】
（基板）
基板３０は、磁気検出装置１０の基礎となる部材である。基板３０は、単結晶材料である半導体材料からなる。基板３０の一例は、シリコンの単結晶材料からなる。基板３０は、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有するとともに、Ｚ方向を厚さ方向とする平板状である。対向面３０Ａは、Ｘ方向およびＹ方向に平行な面である。
基板３０は、磁気検出装置１０の基礎となる部材である。基板３０は、単結晶材料である半導体材料からなる。基板３０の一例は、シリコンの単結晶材料からなる。基板３０は、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有するとともに、Ｚ方向を厚さ方向とする平板状である。対向面３０Ａは、Ｘ方向およびＹ方向に平行な面である。
【0016】
基板３０の平面視形状は、たとえば、Ｘ方向に延びる辺およびＹ方向に延びる辺を有するとともに、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも長い矩形状である。なお、基板３０の平面視形状は上記矩形状に限定されるものでなく、正方形状、多角形状、円形状などのその他の形状であってもよい。
【0017】
（集磁体）
図１に示すように、集磁体４０は、基板３０の対向面３０Ａの上に配置されるとともに、磁気検出素子２０に対向して配置されている。以下、集磁体４０と磁気検出素子２０とが対向する方向（Ｚ方向）を、集磁体４０の対向方向と記載する場合がある。
図１に示すように、集磁体４０は、基板３０の対向面３０Ａの上に配置されるとともに、磁気検出素子２０に対向して配置されている。以下、集磁体４０と磁気検出素子２０とが対向する方向（Ｚ方向）を、集磁体４０の対向方向と記載する場合がある。
【0018】
集磁体４０は、第１集磁部４１と、第２集磁部４２とを含む。第１集磁部４１は、磁気検出素子２０に対向するとともに、集磁体４０の対向方向に延びている部位である。第２集磁部４２は、平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出している部位である。集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導する。
【0019】
なお、集磁体４０は、基板３０の対向面３０Ａに接する態様にて対向面３０Ａの上に配置されていてもよいし、他の部材を介して対向面３０Ａの上に配置されていてもよい。図１は、一例として、基板３０の対向面３０Ａに接する態様にて対向面３０Ａの上に集磁体４０が配置されている場合を図示している。
【0020】
［第１集磁部］
第１集磁部４１は、基板３０から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４とを含む。
第１集磁部４１は、基板３０から磁気検出素子２０に向けて起立した柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４とを含む。
【0021】
支持部４３は、基板３０の対向面３０Ａの上に配置されている。支持部４３は、たとえば、Ｃｕなどの非磁性体材料により形成されている。また、支持部４３を形成する材料は、磁性体材料であってもよい。
【0022】
支持部４３は、支持部４３の磁気検出素子２０側の端部に位置する上面４３Ａと、支持部４３の基板３０側の端部から上面４３Ａに向かって延びる側面４３Ｂとを有する。支持部４３の上面４３Ａは、集磁体４０の対向方向に直交する平面である。支持部４３の側面４３Ｂは、集磁体４０の対向方向に平行な直立面である。上記直立面は、換言すると、基板３０の対向面３０Ａに対して直交する面である。なお、支持部４３の側面４３Ｂは、集磁体４０の対向方向に対して傾斜した傾斜面であってもよい。また、複数の側面４３Ｂを有する形状の支持部４３である場合、支持部４３は、側面４３Ｂとしての１または複数の上記直立面と、側面４３Ｂとしての１または複数の傾斜面とを有していてもよい。
【0023】
支持部４３の外形は、たとえば、基板３０の対向面３０Ａから磁気検出素子２０に向かって断面積が一定である四角柱状などの多角柱状である。また、支持部４３の外形は、基板３０の対向面３０Ａから磁気検出素子２０に向かって断面積が徐々に減少する四角錐台状などの多角錐台状であってもよい。以下では、支持部４３が直方体状に形成されている場合を例に挙げて説明する。直方体状である支持部４３の場合、支持部４３が有する４つの側面４３Ｂは、全て上記直立面である。
【0024】
磁性体膜４４は、支持部４３の表面、すなわち、支持部４３の上面４３Ａおよび各側面４３Ｂに設けられている。磁性体膜４４は、磁性体材料によって形成されている。磁性体膜４４を形成する磁性体材料としては、たとえば、フェライト、Ｆｅ、Ｎｉが挙げられる。磁性体膜４４の膜厚は、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。磁性体膜４４の膜厚は、全て一定であってもよいし、部分的に異なっていてもよい。
【0025】
第１集磁部４１は、第１集磁部４１の磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１に位置して、磁気検出素子２０に対向する集磁対向面４１Ａと、第１集磁部４１における端部４１Ｅ１の反対側に位置する端部４１Ｅ２から集磁対向面４１Ａに向かって延びる集磁側面４１Ｂとを有する。集磁対向面４１Ａおよび集磁側面４１Ｂは、磁性体膜４４により形成されている表面である。
【0026】
第１集磁部４１は、その高さ寸法である、集磁体４０の対向方向の長さＬ１が長いことが好ましい。第１集磁部４１の上記長さＬ１は、第１集磁部４１の基板３０側の端部４１Ｅ２から磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１までの長さである。第１集磁部４１の上記長さＬ１は、支持部４３の突出高さ（Ｚ方向の長さ）および磁性体膜４４の膜厚の一方または両方を変更することにより調整できる。第１集磁部４１の上記長さＬ１は、たとえば、０．２μｍ以上２００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以上１５０μｍ以下である。
【0027】
図２は、集磁体４０の斜視図であり、図３は、平面視における集磁体４０と磁気検出素子２０のセンサ部２１との位置関係を示す平面図である。図２および図３は、集磁体４０の形状の一例を示している。以下、図２および図３に示す第１集磁部４１全体の形状を具体的に説明する。
【0028】
第１集磁部４１は、集磁体４０の対向方向を高さ方向とする直方体形状である。したがって、第１集磁部４１は、平面視矩形状である。第１集磁部４１の形状は、支持部４３の外形を磁性体膜４４の分だけ大きくした形状であり、支持部４３の外形に相似する。第１集磁部４１は、Ｚ方向一方側（磁気検出素子２０側）を向く集磁対向面４１Ａと、平面視においてＸ方向またはＹ方向を向く４つの集磁側面４１Ｂを有する。集磁側面４１Ｂは、Ｘ方向を向くとともにＹ方向に平行である集磁側面４１Ｂ１、４１Ｂ２と、Ｙ方向を向くとともにＸ方向に平行である集磁側面４１Ｂ３、４１Ｂ４とを含む。４つの集磁側面４１Ｂは、集磁体４０の対向方向（Ｚ方向）に平行な直立面である。第１集磁部４１の平面視形状は、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法よりも長い矩形状である。なお、第１集磁部４１全体の形状は、図２および図３に示す形状に限定されない。たとえば、第１集磁部４１全体の形状は、四角錐台状などの多角錐台状であってもよい。
【0029】
次に、第１集磁部４１の配置について説明する。
図１および図３に示すように、第１集磁部４１は、集磁体４０の対向方向（Ｚ方向）において、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なる位置に配置される。特に、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１の少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっていることが好ましい。この場合、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂに集められた磁束を、磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導する効果が向上する。
図１および図３に示すように、第１集磁部４１は、集磁体４０の対向方向（Ｚ方向）において、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なる位置に配置される。特に、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１の少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっていることが好ましい。この場合、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂに集められた磁束を、磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導する効果が向上する。
【0030】
したがって、第１集磁部４１は、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部の全体、すなわち、全ての集磁側面４１Ｂの磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっている構成であることが特に好ましい。図２および図３は、一例として、集磁側面４１Ｂにおける磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１の全体が、磁気検出素子２０のセンサ部２１と重なっている状態の第１集磁部４１を図示している。
【0031】
また、図１および図３に示すように、集磁体４０の対向方向において、センサ部２１と重なっている集磁側面４１Ｂの端部４１Ｅ１の位置は、センサ部２１の外周縁２１Ａよりもセンサ部２１の中央側に位置していることが好ましい。換言すると、平面視において、センサ部２１の外周縁２１Ａの少なくとも一部は、集磁側面４１Ｂの磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１からはみ出していることが好ましく、センサ部２１の外周縁２１Ａの全体が集磁側面４１Ｂの磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１からはみ出していることが好ましい。この場合、センサ部２１の外周縁２１Ａから集磁側面４１Ｂの磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１までの距離Ｌ２は、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。なお、上記距離Ｌ２は、たとえば、図２に示す集磁体４０の場合、集磁側面４１Ｂ１からセンサ部２１の外周縁２１Ａまでの距離、集磁側面４１Ｂ２からセンサ部２１の外周縁２１Ａまでの距離、集磁側面４１Ｂ３からセンサ部２１の外周縁２１Ａまでの距離、および集磁側面４１Ｂ４からセンサ部２１の外周縁２１Ａまでの距離の少なくとも１つである。
【0032】
図１に示すように、集磁体４０の対向方向において、第１集磁部４１は、磁気検出素子２０のセンサ部２１と離隔していてもよいし、センサ部２１に接していてもよい。第１集磁部４１とセンサ部２１とが離隔している場合には、第１集磁部４１とセンサ部２１の短絡を抑制できる。第１集磁部４１とセンサ部２１の離隔距離Ｌ３は、たとえば、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。第１集磁部４１とセンサ部２１とが離隔している場合、第１集磁部４１とセンサ部２１との間には、絶縁層５０が介在していることが好ましい。
【0033】
［第２集磁部］
図１に示すように、第２集磁部４２は、基板３０の対向面３０Ａの上に広がる平板状の部位である。第２集磁部４２は、磁性体材料によって形成されている。第２集磁部４２を形成する磁性体材料としては、たとえば、フェライト、Ｆｅ、Ｎｉが挙げられる。第２集磁部４２の一例は、磁性体膜４４と同じ材料により構成されるとともに、磁性体膜４４から連続して一体に形成されている。第２集磁部４２の厚さは、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。
図１に示すように、第２集磁部４２は、基板３０の対向面３０Ａの上に広がる平板状の部位である。第２集磁部４２は、磁性体材料によって形成されている。第２集磁部４２を形成する磁性体材料としては、たとえば、フェライト、Ｆｅ、Ｎｉが挙げられる。第２集磁部４２の一例は、磁性体膜４４と同じ材料により構成されるとともに、磁性体膜４４から連続して一体に形成されている。第２集磁部４２の厚さは、たとえば、０．１μｍ以上５０μｍ以下である。
【0034】
第２集磁部４２は、第１集磁部４１の基板３０側の端部４１Ｅ２から側方に突出している。上記の側方に突出するとは、集磁体４０の対向方向（Ｚ方向）に直交する方向（Ｘ－Ｙ平面に沿った方向）に突出することを意味する。第２集磁部４２は、集磁体４０の対向方向に直交する方向における特定の一方向または特定の複数方向のみに突出していてもよいし、対向方向に直交する方向の全方向に突出していてもよい。
【0035】
第２集磁部４２は、第１集磁部４１と連続する基端部４２Ａと、平面視において第２集磁部４２の外周縁に位置する先端部４２Ｂとを有する。第２集磁部４２は、平面視において、先端部４２Ｂの少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していることが好ましく、先端部４２Ｂの全体が磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していることがより好ましい。また、第２集磁部４２は、平面視において、先端部４２Ｂが磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していない形状であってもよい。
【0036】
図２および図３は、集磁体４０の形状の一例を示している。以下、図２および図３に示す第２集磁部４２の形状を具体的に説明する。第２集磁部４２は、平面視矩形状の外形を有する。第２集磁部４２は、矩形状の四辺の各々に位置するとともに、Ｘ方向またはＹ方向に平行な４つの辺部４２Ｃを有する。４つの辺部４２Ｃの各々は、第２集磁部４２の先端部４２Ｂである。また、４つ辺部４２Ｃは、Ｙ方向に平行である第１辺部４２Ｃ１および第２辺部４２Ｃ２と、Ｘ方向に平行である第３辺部４２Ｃ３および第４辺部４２Ｃ４とを含む。
【0037】
ここで、第２集磁部４２は、平面視において、より広く形成されていることが好ましい。第２集磁部４２を広く形成することにより、より広範囲の磁束を集めることができる。たとえば、図３に示すように、第２集磁部４２の平面視形状がＸ方向およびＹ方向に平行な矩形状である場合、第２集磁部４２における基端部４２Ａから第１辺部４２Ｃ１～第４辺部４２Ｃ４までの距離Ｌ４ａ～Ｌ４ｄの少なくとも１つは、０．１μｍ以上である。距離Ｌ４ａは、第２集磁部４２の基端部４２Ａ（集磁側面４１Ｂ１）から第１辺部４２Ｃ１までの距離である。距離Ｌ４ｂは、第２集磁部４２の基端部４２Ａ（集磁側面４１Ｂ２）から第２辺部４２Ｃ２までの距離である。距離Ｌ４ｃは、第２集磁部４２の基端部４２Ａ（集磁側面４１Ｂ３）から第３辺部４２Ｃ３までの距離である。距離Ｌ４ｄは、第２集磁部４２の基端部４２Ａ（集磁側面４１Ｂ４）から第４辺部４２Ｃ４までの距離である。また、第２集磁部４２を広く形成することによる集磁効果には上限がある。そのため、集磁体４０の大型化を抑制するなどの観点から、距離Ｌ４ａ～Ｌ４ｄは、たとえば、２５０μｍ以下である。
【0038】
なお、第２集磁部４２の形状は、図２および図３に示す形状に限定されない。たとえば、第２集磁部４２の平面視形状は、正方形状、多角形状、円形状などのその他の形状であってもよい。また、第２集磁部４２は、平面視において、第１集磁部４１の外周の一部のみに部分的に設けられていてもよい。たとえば、集磁側面４１Ｂ１～４１Ｂ４を有する平面視矩形状の第１集磁部４１の場合、第２集磁部４２の平面視形状の一例は、互いに反対方向を向く２つの集磁側面４１Ｂ（たとえば、集磁側面４１Ｂ１，４１Ｂ２）から突出する部分を有し、残る２つの集磁側面４１Ｂ（たとえば、集磁側面４１Ｂ３，４１Ｂ４）から突出する部分を有さない形状である。別の一例は、互いに隣接する２つの集磁側面４１Ｂ（たとえば、集磁側面４１Ｂ１，４１Ｂ３）から突出する部分を有し、残る２つの集磁側面４１Ｂ（たとえば、集磁側面４１Ｂ２，４１Ｂ４）から突出する部分を有さない形状である。
【0039】
（絶縁層）
絶縁層５０は、たとえば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＡｌＮ、および酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）のうちいずれか１つを含む材料によって構成される。
絶縁層５０は、たとえば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＡｌＮ、および酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）のうちいずれか１つを含む材料によって構成される。
【0040】
図１に示すように、絶縁層５０は、基板３０の対向面３０Ａおよび集磁体４０を覆う態様にて、基板３０の上に形成されている。集磁体４０は、その表面の全体、すなわち、第１集磁部４１における集磁対向面４１Ａおよび集磁側面４１Ｂの全面、ならびに第２集磁部４２が絶縁層５０に覆われている。絶縁層５０は、基板３０と反対側に位置する上面５０Ａを有する。上面５０Ａは、集磁体４０の対向方向に直交する平面である。絶縁層５０の上面５０Ａの上に磁気検出素子２０が配置されている。
【0041】
（作用）
次に、図４を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０の作用を説明する。
図４は、図１に磁気検出装置１０の部分拡大図であって、集磁体４０および磁気検出素子２０のみを図示している。図４に示す小矢印は、磁気検出装置１０に対して、回路基板Ｓ側から磁気検出装置１０に向かう方向（集磁体４０の対向方向）の磁束が発生する磁場をかけた場合のシミュレーション結果であって、集磁体４０の周囲における磁束の向きを示している。
次に、図４を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０の作用を説明する。
図４は、図１に磁気検出装置１０の部分拡大図であって、集磁体４０および磁気検出素子２０のみを図示している。図４に示す小矢印は、磁気検出装置１０に対して、回路基板Ｓ側から磁気検出装置１０に向かう方向（集磁体４０の対向方向）の磁束が発生する磁場をかけた場合のシミュレーション結果であって、集磁体４０の周囲における磁束の向きを示している。
【0042】
図４に示すように、集磁体４０の第２集磁部４２を貫く磁束は、第２集磁部４２の表面および内部を通って第２集磁部４２の先端部４２Ｂ側から基端部４２Ａ側へ誘導される。第２集磁部４２の基端部４２Ａに達した磁束は、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂおよび第１集磁部４１の内部を通って、第１集磁部４１の端部４１Ｅ２側から端部４１Ｅ１側へ誘導される。
【0043】
第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂを通って第１集磁部４１の端部４１Ｅ１に達した磁束は、集磁側面４１Ｂが向く側に広がりながら磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導される。また、第１集磁部４１の内部を通って第１集磁部４１の端部４１Ｅ１に達した磁束は、第１集磁部４１の集磁対向面４１Ａに広がりながら磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導される。
【0044】
このように、集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を第１集磁部４１に集めるとともに、第１集磁部４１を通じて、第１集磁部４１に対向して配置されている磁気検出素子２０のセンサ部２１へと誘導する。これにより、磁気検出素子２０のセンサ部２１を通過する磁束の密度が高くなる。その結果、磁気検出素子２０による磁気の検出精度が向上する。
【0045】
また、上記のシミュレーションの結果においては、集磁体４０を設けた場合、磁気検出素子２０を通過する磁束の密度は、特定範囲Ａにおいて最も高くなり、特定範囲Ａから離れるにしたがって徐々に低下している。磁気検出素子２０における特定範囲Ａは、対向方向において集磁側面４１Ｂに重なる位置Ａ１から、集磁側面４１Ｂの側方（集磁側面４１が向く方向）に所定距離、離れた位置Ａ２までの範囲である。この結果から、磁気検出素子２０のセンサ部２１を、その少なくとも一部が上記特定範囲Ａに位置するように配置することにより、センサ部２１を通過する磁束の密度がより高められることが分かる。
【0046】
（効果）
第１実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）
磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向して配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。集磁体４０は、磁気検出素子２０に対する集磁体４０の対向方向に延びた第１集磁部４１と、対向方向から見た平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２と、を含む。
第１実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）
磁気検出装置１０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向して配置され、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０と、を備える。集磁体４０は、磁気検出素子２０に対する集磁体４０の対向方向に延びた第１集磁部４１と、対向方向から見た平面視において、第１集磁部４１よりも側方に突出した第２集磁部４２と、を含む。
【0047】
集磁体４０は、第２集磁部４２を貫く磁束を、第１集磁部４１を介して磁気検出素子２０に誘導するものである。この構成によれば、集磁体４０の第２集磁部４２を貫く磁束が、第２集磁部４２および第１集磁部４１を通って磁気検出素子２０に誘導される。これにより、磁気検出素子２０を通過する磁束の密度を高めることができる。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が向上する。
【0048】
（１－２）
第２集磁部４２の基端部４２Ａは、第１集磁部４１の端部４１Ｅ２と連続している。この構成によれば、第２集磁部４２から第１集磁部４１へ効率的に磁束を誘導できる。したがって、上記（１－１）の効果がより大きくなる。
第２集磁部４２の基端部４２Ａは、第１集磁部４１の端部４１Ｅ２と連続している。この構成によれば、第２集磁部４２から第１集磁部４１へ効率的に磁束を誘導できる。したがって、上記（１－１）の効果がより大きくなる。
【0049】
（１－３）
第２集磁部４２の先端部４２Ｂの少なくとも一部は、平面視において、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出している。この構成によれば、平面視において、磁気検出素子２０のセンサ部２１の周囲を通過していた磁束を、第２集磁部４２を通じてセンサ部２１に誘導できる。したがって、上記（１－１）の効果がより大きくなる。
第２集磁部４２の先端部４２Ｂの少なくとも一部は、平面視において、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出している。この構成によれば、平面視において、磁気検出素子２０のセンサ部２１の周囲を通過していた磁束を、第２集磁部４２を通じてセンサ部２１に誘導できる。したがって、上記（１－１）の効果がより大きくなる。
【0050】
（１－４）
第２集磁部４２の先端部４２Ｂは、矩形状の四辺の各々に位置する第１辺部４２Ｃ１、第２辺部４２Ｃ２、第３辺部４２Ｃ３、および第４辺部４２Ｃ４を有する。第２集磁部４２における基端部４２Ａから第１辺部４２Ｃ１までの距離Ｌ４ａ、基端部４２Ａから第２辺部４２Ｃ２までの距離Ｌ４ｂ、基端部４２Ａから第３辺部４２Ｃ３までの距離Ｌ４ｃ、および基端部４２Ａから第４辺部４２Ｃ４までの距離Ｌ４ｄの少なくとも１つは、０．１μｍ以上２５０μｍ以下である。
第２集磁部４２の先端部４２Ｂは、矩形状の四辺の各々に位置する第１辺部４２Ｃ１、第２辺部４２Ｃ２、第３辺部４２Ｃ３、および第４辺部４２Ｃ４を有する。第２集磁部４２における基端部４２Ａから第１辺部４２Ｃ１までの距離Ｌ４ａ、基端部４２Ａから第２辺部４２Ｃ２までの距離Ｌ４ｂ、基端部４２Ａから第３辺部４２Ｃ３までの距離Ｌ４ｃ、および基端部４２Ａから第４辺部４２Ｃ４までの距離Ｌ４ｄの少なくとも１つは、０．１μｍ以上２５０μｍ以下である。
【0051】
この構成によれば、第２集磁部４２によって、より広範囲の磁束を集めることができる。したがって、上記（１－１）の効果がより大きくなる。また、第２集磁部４２を広く形成することによる集磁効果には上限がある。そのため、上記距離を２５０μｍ以下にすることにより、第２集磁部４２の単位面積あたりの集磁効率をより大きくできる。したがって、集磁体４０を設けることによって、磁気検出装置１０による磁気の検出精度を高めつつ、必要以上に磁気検出装置１０が大型化してしまうことを抑制できる。
【0052】
（１－５）
第１集磁部４１は、磁気検出素子２０に向けて延びる柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４と、を含む。この構成によれば、第１集磁部４１の表面のみが磁性体材料により形成されている。そのため、第１集磁部４１を通過する磁束が第１集磁部４１の表面に集中する。これにより、第１集磁部４１における磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
第１集磁部４１は、磁気検出素子２０に向けて延びる柱状の支持部４３と、支持部４３の表面にコーティングされた磁性体膜４４と、を含む。この構成によれば、第１集磁部４１の表面のみが磁性体材料により形成されている。そのため、第１集磁部４１を通過する磁束が第１集磁部４１の表面に集中する。これにより、第１集磁部４１における磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
【0053】
（１－６）
第１集磁部４１は、第２集磁部４２と連続している側面である集磁側面４１Ｂを有する。集磁側面４１Ｂは、対向方向に平行な直立面を含む。第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果は、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂが集磁体４０の対向方向に対して平行に近づくほど大きくなる。そのため、この構成によれば、第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
第１集磁部４１は、第２集磁部４２と連続している側面である集磁側面４１Ｂを有する。集磁側面４１Ｂは、対向方向に平行な直立面を含む。第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果は、第１集磁部４１の集磁側面４１Ｂが集磁体４０の対向方向に対して平行に近づくほど大きくなる。そのため、この構成によれば、第１集磁部４１による磁束を磁気検出素子２０に誘導する効果が向上する。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
【0054】
（１－７）
第１集磁部４１は、対向方向を高さ方向とする直方体形状である。この構成によれば、第１集磁部４１の全ての集磁側面４１Ｂが上記直立面であるため、上記（１－６）の効果がより大きくなる。
第１集磁部４１は、対向方向を高さ方向とする直方体形状である。この構成によれば、第１集磁部４１の全ての集磁側面４１Ｂが上記直立面であるため、上記（１－６）の効果がより大きくなる。
【0055】
（１－８）
対向方向において、第１集磁部４１の長さＬ１は、０．１μｍ以上２００μｍ以下である。第１集磁部４１を通じて磁束をセンサ部２１に誘導する効果は、上記長さＬ１が大きくなるにしたがって増加するとともに、上記長さＬ１が一定以上の長さになると上限に達する。そのため、上記構成によれば、単位長さあたりの集磁効率をより大きくできる。したがって、集磁体４０を設けることによって、磁気検出装置１０による磁気の検出精度を高めつつ、必要以上に磁気検出装置１０が大型化してしまうことを抑制できる。
対向方向において、第１集磁部４１の長さＬ１は、０．１μｍ以上２００μｍ以下である。第１集磁部４１を通じて磁束をセンサ部２１に誘導する効果は、上記長さＬ１が大きくなるにしたがって増加するとともに、上記長さＬ１が一定以上の長さになると上限に達する。そのため、上記構成によれば、単位長さあたりの集磁効率をより大きくできる。したがって、集磁体４０を設けることによって、磁気検出装置１０による磁気の検出精度を高めつつ、必要以上に磁気検出装置１０が大型化してしまうことを抑制できる。
【0056】
（１－９）
磁気検出素子２０は、磁束を検出するためのセンサ部２１を有する。センサ部２１は、集磁体４０の第１集磁部４１から対向方向に離隔している。センサ部２１と第１集磁部４１との離隔距離Ｌ３は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。この構成によれば、センサ部２１に近い位置に磁気検出素子２０が配置されているため、第１集磁部４１の端部４１Ｅ１から磁気検出素子２０に磁束が効率的に誘導される。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
磁気検出素子２０は、磁束を検出するためのセンサ部２１を有する。センサ部２１は、集磁体４０の第１集磁部４１から対向方向に離隔している。センサ部２１と第１集磁部４１との離隔距離Ｌ３は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。この構成によれば、センサ部２１に近い位置に磁気検出素子２０が配置されているため、第１集磁部４１の端部４１Ｅ１から磁気検出素子２０に磁束が効率的に誘導される。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
【0057】
（１－１０）
磁気検出素子２０のセンサ部２１の少なくとも一部は、平面視において、集磁体４０の第１集磁部４１からはみ出している。この構成によれば、磁束密度が高い部分である上記特定範囲Ａに位置するようにセンサ部２１を配置できる。これにより、センサ部２１を通過する磁束の密度をより高めることができる。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
磁気検出素子２０のセンサ部２１の少なくとも一部は、平面視において、集磁体４０の第１集磁部４１からはみ出している。この構成によれば、磁束密度が高い部分である上記特定範囲Ａに位置するようにセンサ部２１を配置できる。これにより、センサ部２１を通過する磁束の密度をより高めることができる。その結果、磁気検出装置１０による磁気の検出精度が更に向上する。
【0058】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の磁気検出装置１１０は、主に、集磁体４０の配置が第１実施形態と異なる。以下では、第１実施形態と同様な構成要素については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成要素について説明する。
第２実施形態の磁気検出装置１１０は、主に、集磁体４０の配置が第１実施形態と異なる。以下では、第１実施形態と同様な構成要素については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成要素について説明する。
【0059】
図５は、回路基板Ｓに表面実装されている状態の磁気検出装置１１０を示す断面図である。磁気検出装置１１０は、磁気検出素子２０と、磁束を磁気検出素子２０に誘導する第２集磁体４００とを備える。
【0060】
磁気検出素子２０は、回路基板Ｓの上に配置されている。磁気検出素子２０は、たとえば、Ｐ型のシリコンからなる半導体層と、この半導体層の表面にＮ型の導電型不純物が導入されて拡散層として形成されたＮ型の半導体領域とを有するホール素子である。磁気検出素子２０は、磁束を検出するセンサ部２１と、外部接続用の端子である電極パッド２２とを備える。
【0061】
磁気検出素子２０は、第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側に位置する第２面２０Ｂとを有する。磁気検出素子２０の第１面２０Ａは、回路基板Ｓへの実装に用いられる面である。第２集磁体４００は、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂの上に配置されている。また、磁気検出装置１１０は、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂの上に設けられた絶縁層５００を有する。第２集磁体４００は、絶縁層５００内に配置されている。絶縁層５００は、上面５００Ａと、上面５００Ａの反対側に位置する下面５００Ｂとを有する。絶縁層５００の下面５００Ｂは、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂに接している。なお、磁気検出素子２０の電極パッド２２は、絶縁層５００から露出している。
【0062】
第２集磁体４００は、第１集磁部４１０と、第２集磁部４２０とを含む。第１集磁部４１０は、磁気検出素子２０に対向するとともに、第２集磁体４００の対向方向に延びている部位である。第２集磁部４２０は、平面視において、第１集磁部４１０よりも側方に突出している部位である。第２集磁体４００は、第２集磁部４２０を貫く磁束を、第１集磁部４１０を介して磁気検出素子２０に誘導する。なお、第２集磁体４００の対向方向は、磁気検出素子２０と第２集磁体４００とが対向している方向（Ｚ方向）を意味する。
【0063】
第１集磁部４１０は、第１集磁部４１０の磁気検出素子２０側の端部４１０Ｅ１に位置して、磁気検出素子２０に対向する集磁対向面４１０Ａと、集磁対向面４１Ａから第１集磁部４１０における磁気検出素子２０と反対側の端部４１０Ｅ２に向かって延びる集磁側面４１０Ｂとを有する。第１集磁部４１０の構成は、第２集磁体４００の対向方向（Ｚ方向）の向きが逆向きとなるように形成されている点を除いて、第１実施形態の第１集磁部４１と同じである。したがって、第１集磁部４１０の形状および寸法、ならびに平面視における配置については、第１実施形態の第１集磁部４１と同様の構成を採用できる。
【0064】
第２集磁体４００の対向方向において、第１集磁部４１０は、磁気検出素子２０のセンサ部２１と離隔していてもよいし、センサ部２１に接していてもよい。第１集磁部４１０とセンサ部２１の離隔距離Ｌ３Ａは、たとえば、０．１μｍ以上１００μｍ以下である。第１集磁部４１０とセンサ部２１とが離隔している場合、第１集磁部４１０とセンサ部２１との間には、絶縁層５００が介在していることが好ましい。
【0065】
第２集磁部４２０は、絶縁層５００の上面５００Ａの上に広がる平板状の部位である。第２集磁部４２０は、第１集磁部４１０の端部４１０Ｅ１から側方に突出している。第２集磁部４２０は、第１集磁部４１０と連続する基端部４２０Ａと、平面視において第２集磁部４２０の外周縁に位置する先端部４２０Ｂとを有する。第２集磁部４２０は、平面視において、先端部４２０Ｂの少なくとも一部が、磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していることが好ましく、先端部４２０Ｂの全体が磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していることがより好ましい。また、第２集磁部４２０は、平面視において、先端部４２０Ｂが磁気検出素子２０のセンサ部２１からはみ出していない形状であってもよい。
【0066】
第２集磁部４２０の構成は、絶縁層５００の上面５００Ａの上に形成されている点を除いて、第１実施形態の第２集磁部４２と同じである。したがって、第２集磁部４２０の形状および寸法、ならびに平面視における配置については、第１実施形態の第２集磁部４２と同様の構成を採用できる。
【0067】
（効果）
第２実施形態の磁気検出装置１１０によれば、第１実施形態の磁気検出装置１０と同様の効果が得られる。また、第２実施形態の磁気検出装置１１０によれば、以下の効果が得られる。
第２実施形態の磁気検出装置１１０によれば、第１実施形態の磁気検出装置１０と同様の効果が得られる。また、第２実施形態の磁気検出装置１１０によれば、以下の効果が得られる。
【0068】
（２－１）
磁気検出素子２０は、磁気検出装置１１０を実装する際の実装面として用いられる第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側に位置する第２面２０Ｂとを有する。第２集磁体４００は、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂの上に配置されている。第２集磁体４００は、磁気検出素子２０に対向するとともに、第２集磁体４００の対向方向に延びている第１集磁部４１０と、平面視において、第１集磁部４１０よりも側方に突出している第２集磁部４２０とを備える。
磁気検出素子２０は、磁気検出装置１１０を実装する際の実装面として用いられる第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側に位置する第２面２０Ｂとを有する。第２集磁体４００は、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂの上に配置されている。第２集磁体４００は、磁気検出素子２０に対向するとともに、第２集磁体４００の対向方向に延びている第１集磁部４１０と、平面視において、第１集磁部４１０よりも側方に突出している第２集磁部４２０とを備える。
【0069】
この構成によれば、磁気検出素子２０が実装されている回路基板Ｓから磁気検出素子２０に向かう方向の磁束（図５において、小矢印で示す方向の磁束）であって、磁気検出素子２０のセンサ部２１の周囲を通過した磁束が第２集磁部４２０および第１集磁部４１０を通じて磁気検出素子２０のセンサ部２１に誘導される。その結果、第１実施形態と同様に磁気検出装置１１０による磁気の検出精度が向上する。
【0070】
＜第３実施形態＞
第３実施形態の磁気検出装置１２０は、第２実施形態の第２集磁体４００が追加されている点が第１実施形態と異なる。以下では、第１実施形態および第２実施形態と同様な構成要素については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成要素について説明する。
第３実施形態の磁気検出装置１２０は、第２実施形態の第２集磁体４００が追加されている点が第１実施形態と異なる。以下では、第１実施形態および第２実施形態と同様な構成要素については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成要素について説明する。
【0071】
図６は、回路基板Ｓに表面実装されている状態の磁気検出装置１２０を示す断面図である。磁気検出装置１２０は、磁気検出素子２０と、磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０と、磁束を磁気検出素子２０に誘導する集磁体４０（第１集磁体４０）および第２集磁体４００とを有する。以下、第３実施形態の説明においては、集磁体４０を第１集磁体４０と記載する。また、磁気検出装置１２０は、磁気検出素子２０と基板３０との間に設けられた絶縁層５０と、磁気検出素子２０の上に設けられた絶縁層５００とを有する。
【0072】
磁気検出素子２０、基板３０、第１集磁体４０、および絶縁層５０に関して、それら各々の配置および構成は、第１実施形態と同じである。第２集磁体４００および絶縁層５００に関して、それら各々の配置および構成は、第２実施形態と同じである。
【0073】
第１集磁体４０と第２集磁体４００の形状および寸法は、同じであってもよいし、一部または全体が異なっていてもよい。たとえば、第１集磁体４０の第１集磁部４１の外形を直方体形状とし、第２集磁体４００の第１集磁部４１０の外形を四角錐台形状としてもよい。
【0074】
第３実施形態の磁気検出装置１２０によれば、第１実施形態の磁気検出装置１０と同様の効果が得られる。また、第３実施形態の磁気検出装置１２０によれば、以下の効果が得られる。
【0075】
（３－１）
磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０を備える。磁気検出素子２０は、基板３０に対向する第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側に位置する第２面２０Ｂとを有する。集磁体は、磁気検出素子２０の第１面２０Ａと基板３０の対向面３０Ａとの間に配置されている第１集磁体４０と、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂの上に配置されている第２集磁体４００とを含む。この構成によれば、集磁体として第１集磁体４０のみを有する構成と比較して、より多くの磁束を磁気検出素子２０に誘導できる。その結果、第１実施形態の磁気検出装置１０よりも磁気の検出精度が向上する。
磁気検出素子２０に対向する対向面３０Ａを有する基板３０を備える。磁気検出素子２０は、基板３０に対向する第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側に位置する第２面２０Ｂとを有する。集磁体は、磁気検出素子２０の第１面２０Ａと基板３０の対向面３０Ａとの間に配置されている第１集磁体４０と、磁気検出素子２０の第２面２０Ｂの上に配置されている第２集磁体４００とを含む。この構成によれば、集磁体として第１集磁体４０のみを有する構成と比較して、より多くの磁束を磁気検出素子２０に誘導できる。その結果、第１実施形態の磁気検出装置１０よりも磁気の検出精度が向上する。
【0076】
＜変更例＞
上記各実施形態は例えば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記各実施形態は例えば以下のように変更できる。上記各実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0077】
・集磁体４０の第１集磁部４１および第２集磁部４２は、一体に形成される構成に限定されない。たとえば、第１集磁部４１と第２集磁部４２は、異なる材料により形成された第１集磁部４１と第２集磁部４２とが互いに接するように配置された構成であってもよい。また、第２集磁部４２は、第１集磁部４１と連続していない構成、すなわち、第１集磁部４１と第２集磁部４２とが離隔している構成であってもよい。この場合、第１集磁部４１と第２集磁部４２とを、第２集磁部４２側から第１集磁部４１側に磁束が誘導される程度に近接して配置する。これらの点は、第２集磁体４００の第２集磁部４２０についても同様である。
【0078】
・集磁体４０の対向方向において、第２集磁部４２を設ける位置を変更してもよい。たとえば、第１集磁部４１における磁気検出素子２０側の端部４１Ｅ１と、その反対に位置する端部４１Ｅ２との間の途中位置に第２集磁部４２を設けてもよい。第２実施形態および第３実施形態に関して、第２集磁部４２０を設ける位置も同様に変更できる。
【0079】
・第１実施形態および第３実施形態の第１集磁部４１に関して、支持部４３を省略して中空形状の第１集磁部４１としてもよい。この場合、形状を維持できる剛性を有する磁性体材料によって磁性体膜４４を形成する。第２実施形態および第３実施形態の第１集磁部４１０も同様に中空形状としてもよい。
【0080】
・第１実施形態および第３実施形態の第１集磁部４１に関して、支持部４３および磁性体膜４４とからなる構成に変えて、全体が中実状の磁性体により構成される第１集磁部４１としてもよい。第２実施形態および第３実施形態の第１集磁部４１０も同様に中実状の磁性体により構成してもよい。
【0081】
・第３実施形態に関して、第１集磁体４０の第２集磁部４２および第２集磁体４００の第２集磁部４２のいずれか一方を省略してもよい。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「構成Ａが構成Ｂ上に形成される」という表現は、或る実施形態では構成Ａが構成Ｂに接触して構成Ｂ上に直接配置され得るが、他の実施形態では構成Ａが構成Ｂに接触することなく構成Ｂの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、構成Ａと構成Ｂとの間に他の構成が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「構成Ａが構成Ｂ上に形成される」という表現は、或る実施形態では構成Ａが構成Ｂに接触して構成Ｂ上に直接配置され得るが、他の実施形態では構成Ａが構成Ｂに接触することなく構成Ｂの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、構成Ａと構成Ｂとの間に他の構成が形成される構造を排除しない。
【0082】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0083】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
＜付記＞
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0084】
［付記１］
磁気検出素子（２０）と、
前記磁気検出素子（２０）に対向して配置され、磁束を前記磁気検出素子（２０）に誘導する集磁体（４０，４００）と、を備え、
前記集磁体（４０，４００）は、
前記磁気検出素子（２０）に対する前記集磁体（４０，４００）の対向方向に延びた第１集磁部（４１，４１０）と、
前記対向方向から見た平面視において、前記第１集磁部（４１，４１０）よりも側方に突出した第２集磁部（４２，４２０）と、を含み、
前記集磁体（４０，４００）は、前記第２集磁部（４２，４２０）を貫く磁束を、前記第１集磁部（４１，４１０）を介して前記磁気検出素子（２０）に誘導するものである、磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
磁気検出素子（２０）と、
前記磁気検出素子（２０）に対向して配置され、磁束を前記磁気検出素子（２０）に誘導する集磁体（４０，４００）と、を備え、
前記集磁体（４０，４００）は、
前記磁気検出素子（２０）に対する前記集磁体（４０，４００）の対向方向に延びた第１集磁部（４１，４１０）と、
前記対向方向から見た平面視において、前記第１集磁部（４１，４１０）よりも側方に突出した第２集磁部（４２，４２０）と、を含み、
前記集磁体（４０，４００）は、前記第２集磁部（４２，４２０）を貫く磁束を、前記第１集磁部（４１，４１０）を介して前記磁気検出素子（２０）に誘導するものである、磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0085】
［付記２］
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記第１集磁部（４１，４１０）と連続する基端部（４２Ａ，４２０Ａ）と、前記平面視において当該第２集磁部（４２，４２０）の外周縁に位置する先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）とを有し、
前記先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）の少なくとも一部は、前記平面視において、前記第１集磁部（４１，４１０）よりも側方に位置している、付記１に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記第１集磁部（４１，４１０）と連続する基端部（４２Ａ，４２０Ａ）と、前記平面視において当該第２集磁部（４２，４２０）の外周縁に位置する先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）とを有し、
前記先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）の少なくとも一部は、前記平面視において、前記第１集磁部（４１，４１０）よりも側方に位置している、付記１に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0086】
［付記３］
前記第２集磁部（４２，４２０）の前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）は、前記対向方向における前記第１集磁部（４１，４１０）の端部であって、前記磁気検出素子（２０）側の端部（４１Ｅ１）の反対側に位置する端部（４１Ｅ２）と連続している、付記２に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第２集磁部（４２，４２０）の前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）は、前記対向方向における前記第１集磁部（４１，４１０）の端部であって、前記磁気検出素子（２０）側の端部（４１Ｅ１）の反対側に位置する端部（４１Ｅ２）と連続している、付記２に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0087】
［付記４］
前記磁気検出素子（２０）は、磁束を検出するためのセンサ部（２１）を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）の前記先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）の少なくとも一部は、前記平面視において、前記センサ部（２１）からはみ出している、付記２または付記３に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記磁気検出素子（２０）は、磁束を検出するためのセンサ部（２１）を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）の前記先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）の少なくとも一部は、前記平面視において、前記センサ部（２１）からはみ出している、付記２または付記３に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0088】
［付記５］
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記平面視において、矩形状の外形を有する、付記１～３のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記平面視において、矩形状の外形を有する、付記１～３のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0089】
［付記６］
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記平面視において、矩形状の外形を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記平面視において、矩形状の外形を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）の前記先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）は、前記矩形状の四辺の各々に位置する第１辺部（４２Ｃ１）、第２辺部（４２Ｃ２）、第３辺部（４２Ｃ３）、および第４辺部（４２Ｃ４）を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）における前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第１辺部（４２Ｃ１）までの距離（Ｌ４ａ）、前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第２辺部（４２Ｃ２）までの距離（Ｌ４ｂ）、前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第３辺部（４２Ｃ３）までの距離（Ｌ４ｃ）、および前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第４辺部（４２Ｃ４）までの距離（Ｌ４ｄ）の少なくとも１つは、０．１μｍ以上２５０μｍ以下である、付記２に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記平面視において、矩形状の外形を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）は、前記平面視において、矩形状の外形を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）の前記先端部（４２Ｂ，４２０Ｂ）は、前記矩形状の四辺の各々に位置する第１辺部（４２Ｃ１）、第２辺部（４２Ｃ２）、第３辺部（４２Ｃ３）、および第４辺部（４２Ｃ４）を有し、
前記第２集磁部（４２，４２０）における前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第１辺部（４２Ｃ１）までの距離（Ｌ４ａ）、前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第２辺部（４２Ｃ２）までの距離（Ｌ４ｂ）、前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第３辺部（４２Ｃ３）までの距離（Ｌ４ｃ）、および前記基端部（４２Ａ，４２０Ａ）から前記第４辺部（４２Ｃ４）までの距離（Ｌ４ｄ）の少なくとも１つは、０．１μｍ以上２５０μｍ以下である、付記２に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0090】
［付記７］
前記第１集磁部（４１，４１０）は、
前記磁気検出素子（２０）に向けて延びる柱状の支持部（４３）と、
前記支持部（４３）の表面にコーティングされた磁性体膜（４４）と、
を含む、付記１～６のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第１集磁部（４１，４１０）は、
前記磁気検出素子（２０）に向けて延びる柱状の支持部（４３）と、
前記支持部（４３）の表面にコーティングされた磁性体膜（４４）と、
を含む、付記１～６のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0091】
［付記８］
前記第１集磁部（４１，４１０）は、前記第２集磁部（４２，４２０）と連続している側面（４１Ｂ，４１０Ｂ）を有し、
前記側面（４１Ｂ，４１０Ｂ）は、前記対向方向に平行な直立面を含む、付記１～７のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第１集磁部（４１，４１０）は、前記第２集磁部（４２，４２０）と連続している側面（４１Ｂ，４１０Ｂ）を有し、
前記側面（４１Ｂ，４１０Ｂ）は、前記対向方向に平行な直立面を含む、付記１～７のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0092】
［付記９］
前記第１集磁部（４１，４１０）は、前記対向方向を高さ方向とする直方体形状である、付記８に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記第１集磁部（４１，４１０）は、前記対向方向を高さ方向とする直方体形状である、付記８に記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0093】
［付記１０］
前記対向方向において、前記第１集磁部（４１，４１０）の長さは、０．２μｍ以上２００μｍ以下である、付記１～９のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記対向方向において、前記第１集磁部（４１，４１０）の長さは、０．２μｍ以上２００μｍ以下である、付記１～９のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0094】
［付記１１］
前記磁気検出素子（２０）は、磁束を検出するためのセンサ部（２１）を有し、
前記センサ部（２１）は、前記集磁体（４０，４００）の前記第１集磁部（４１，４１０）から前記対向方向に離隔しており、
前記センサ部（２１）と前記第１集磁部（４１，４１０）との離隔距離（Ｌ３，Ｌ３Ａ）は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である、付記１～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記磁気検出素子（２０）は、磁束を検出するためのセンサ部（２１）を有し、
前記センサ部（２１）は、前記集磁体（４０，４００）の前記第１集磁部（４１，４１０）から前記対向方向に離隔しており、
前記センサ部（２１）と前記第１集磁部（４１，４１０）との離隔距離（Ｌ３，Ｌ３Ａ）は、０．１μｍ以上１００μｍ以下である、付記１～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0095】
［付記１２］
前記磁気検出素子（２０）は、磁束を検出するためのセンサ部（２１）を有し、
前記センサ部（２１）の少なくとも一部は、前記平面視において、前記集磁体（４０，４００）の前記第１集磁部（４１，４１０）からはみ出している、付記１～１１のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
前記磁気検出素子（２０）は、磁束を検出するためのセンサ部（２１）を有し、
前記センサ部（２１）の少なくとも一部は、前記平面視において、前記集磁体（４０，４００）の前記第１集磁部（４１，４１０）からはみ出している、付記１～１１のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１１０，１２０）。
【0096】
［付記１３］
前記磁気検出素子（２０）に対向する対向面（３０Ａ）を有する基板（３０）を備え、
前記集磁体（４０）は、前記磁気検出素子（２０）と前記基板（３０）との間に配置されている、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１２０）。
前記磁気検出素子（２０）に対向する対向面（３０Ａ）を有する基板（３０）を備え、
前記集磁体（４０）は、前記磁気検出素子（２０）と前記基板（３０）との間に配置されている、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１０，１２０）。
【0097】
［付記１４］
前記磁気検出素子（２０）は、当該磁気検出装置（１１０）を実装する際の実装面として用いられる第１面（２０Ａ）と、前記第１面（２０Ａ）の反対側に位置する第２面（２０Ｂ）とを有し、
前記集磁体（４００）は、前記磁気検出素子（２０）の前記第２面（２０Ｂ）の上に配置されている、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１１０）。
前記磁気検出素子（２０）は、当該磁気検出装置（１１０）を実装する際の実装面として用いられる第１面（２０Ａ）と、前記第１面（２０Ａ）の反対側に位置する第２面（２０Ｂ）とを有し、
前記集磁体（４００）は、前記磁気検出素子（２０）の前記第２面（２０Ｂ）の上に配置されている、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１１０）。
【0098】
［付記１５］
前記磁気検出素子（２０）に対向する対向面（３０Ａ）を有する基板（３０）を備え、
前記磁気検出素子（２０）は、前記基板（３０）に対向する第１面（２０Ａ）と、前記第１面（２０Ａ）の反対側に位置する第２面（２０Ｂ）とを有し、
前記集磁体（４０，４００）は、
前記磁気検出素子（２０）の前記第１面（２０Ａ）と前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）との間に配置されている第１集磁体（４０）と、
前記磁気検出素子（２０）の前記第２面（２０Ｂ）の上に配置されている第２集磁体（４００）とを含む、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１２０）。
前記磁気検出素子（２０）に対向する対向面（３０Ａ）を有する基板（３０）を備え、
前記磁気検出素子（２０）は、前記基板（３０）に対向する第１面（２０Ａ）と、前記第１面（２０Ａ）の反対側に位置する第２面（２０Ｂ）とを有し、
前記集磁体（４０，４００）は、
前記磁気検出素子（２０）の前記第１面（２０Ａ）と前記基板（３０）の前記対向面（３０Ａ）との間に配置されている第１集磁体（４０）と、
前記磁気検出素子（２０）の前記第２面（２０Ｂ）の上に配置されている第２集磁体（４００）とを含む、付記１～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置（１２０）。
【符号の説明】
【0099】
Ａ…特定範囲
Ａ１，Ａ２…位置
Ｅ…外部電極
Ｌ１…長さ
Ｌ２，Ｌ４ａ～Ｌ４ｄ…距離
Ｌ３，Ｌ３Ａ…離隔距離
Ｓ…回路基板
Ｗ…ワイヤ
１０，１１０，１２０…磁気検出装置
２０…磁気検出素子
２０Ａ…第１面
２０Ｂ…第２面
２１…センサ部
２１Ａ…外周縁
２２…電極パッド
３０…基板
３０Ａ…対向面
４０…集磁体、第１集磁体
４１，４１０…第１集磁部
４１Ａ，４１０Ａ…集磁対向面
４１Ｂ，４１Ｂ１～４１Ｂ４，４１０Ｂ…集磁側面
４１Ｅ１，４１Ｅ２，４１０Ｅ１，４１０Ｅ２…端部
４２，４２０…第２集磁部
４２Ａ，４２０Ａ…基端部
４２Ｂ，４２０Ｂ…先端部
４２Ｃ…辺部
４２Ｃ１…第１辺部
４２Ｃ２…第２辺部
４２Ｃ３…第３辺部
４２Ｃ４…第４辺部
４３…支持部
４３Ａ…上面
４３Ｂ…側面
４４…磁性体膜
５０，５００…絶縁層
５０Ａ，５００Ａ…上面
４００…第２集磁体
５００Ｂ…下面
Ａ１，Ａ２…位置
Ｅ…外部電極
Ｌ１…長さ
Ｌ２，Ｌ４ａ～Ｌ４ｄ…距離
Ｌ３，Ｌ３Ａ…離隔距離
Ｓ…回路基板
Ｗ…ワイヤ
１０，１１０，１２０…磁気検出装置
２０…磁気検出素子
２０Ａ…第１面
２０Ｂ…第２面
２１…センサ部
２１Ａ…外周縁
２２…電極パッド
３０…基板
３０Ａ…対向面
４０…集磁体、第１集磁体
４１，４１０…第１集磁部
４１Ａ，４１０Ａ…集磁対向面
４１Ｂ，４１Ｂ１～４１Ｂ４，４１０Ｂ…集磁側面
４１Ｅ１，４１Ｅ２，４１０Ｅ１，４１０Ｅ２…端部
４２，４２０…第２集磁部
４２Ａ，４２０Ａ…基端部
４２Ｂ，４２０Ｂ…先端部
４２Ｃ…辺部
４２Ｃ１…第１辺部
４２Ｃ２…第２辺部
４２Ｃ３…第３辺部
４２Ｃ４…第４辺部
４３…支持部
４３Ａ…上面
４３Ｂ…側面
４４…磁性体膜
５０，５００…絶縁層
５０Ａ，５００Ａ…上面
４００…第２集磁体
５００Ｂ…下面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】