特開 2024-9549 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024009549

(43)【公開日】2024-01-23

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/14 20060101AFI20240116BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240116BHJP

   H01L 23/36 20060101ALI20240116BHJP

【ＦＩ】

H01L23/14 S

H01L23/12 J

H01L23/36 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022111157

(22)【出願日】2022-07-11

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100105887

【弁理士】

【氏名又は名称】来山 幹雄

(74)【代理人】

【識別番号】100145023

【弁理士】

【氏名又は名称】川本 学

(72)【発明者】

【氏名】増野 真也

【テーマコード（参考）】

5F136

【Ｆターム（参考）】

5F136BB03

5F136DA14

5F136FA51

5F136FA63

(57)【要約】

【課題】半導体素子を含む高周波回路に生じる寄生容量の増大を抑制し、かつ半導体素子の温度上昇を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】デバイス層が、一部の領域に半導体素子を含む。デバイス層の一方の面に絶縁層が配置されている。絶縁層の、デバイス層が配置された側とは反対側の面に半導体からなる支持基板が配置されている。支持基板に、平面視において半導体素子が形成された半導体素子領域と重なりを有し、支持基板の、絶縁層が配置された側とは反対側の面である下面から絶縁層まで達する開口が設けられている。絶縁性の放熱層が、平面視において開口に包含される領域の絶縁層に接触する。放熱層は、絶縁層の熱伝導率より高い熱伝導率を有する。支持基板の下面及び開口の側面の少なくとも一部の領域は、放熱層で覆われていない。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一部の領域に半導体素子を含むデバイス層と、
前記デバイス層の一方の面に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の、前記デバイス層が配置された側とは反対側の面に配置された半導体からなる支持基板と
を備え、
前記支持基板に、平面視において前記半導体素子が形成された半導体素子領域と重なりを有し、前記支持基板の、前記絶縁層が配置された側とは反対側の面である下面から前記絶縁層まで達する開口が設けられており、
さらに、平面視において前記開口に包含される領域の前記絶縁層に接触し、前記絶縁層の熱伝導率より高い熱伝導率を有する放熱層を備えており、
前記支持基板の前記下面及び前記開口の側面の少なくとも一部の領域は、前記放熱層で覆われていない半導体装置。

【請求項2】

前記支持基板はＳｉを含む請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記放熱層は、フィラーを含有する樹脂で形成されている請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項4】

平面視において、前記半導体素子領域は前記開口に包含されている請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記支持基板の前記下面の全域が、前記放熱層で覆われていない請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記開口の側面のうち、前記下面の側の少なくとも一部の領域が、前記放熱層で覆われていない請求項５に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記放熱層は、前記開口の側面から間隔を隔てて配置されている請求項５に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

シリコン（Ｓｉ）からなる支持基板の上に絶縁層及び半導体層が積層されたＳＯＩ基板に高周波回路を形成した半導体装置において、半導体層と支持基板との間の寄生容量に起因して高調波歪が発生する場合がある。高調波歪の発生を抑制する構造を有する半導体装置が、下記の特許文献１に開示されている。この半導体装置では、支持基板に開口が形成されており、この開口は、平面視において高周波回路が配置された領域と重なる。開口内及び支持基板の表面に絶縁性のポリマーが塗布されている。高周波回路の近傍のＳｉからなる支持基板が除去されているため、高周波回路と支持基板との間の寄生容量が低減され、高調波歪の発生が抑制される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許第９２１４３３７号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

Ｓｉからなる支持基板に開口を形成しない構成では、高調波回路を構成するトランジスタで発生した熱が支持基板に伝導することにより、トランジスタの温度上昇が抑制される。支持基板に開口を形成した構成では、トランジスタで発生した熱が、開口内のポリマーに伝導し、ポリマーから支持基板に伝導する。支持基板の表面にポリマーが塗布されているため、支持基板に伝導した熱は、ポリマーを経由して周囲の空間に放射される。

【0005】

一般的にポリマーの熱伝導率は支持基板の熱伝導率より低いため、支持基板に開口を形成すると、支持基板に開口を形成しない構成と比べてトランジスタからの放熱効率が低くなる。このため、高周波回路の動作時にトランジスタの温度が上昇しやすい。本発明の目的は、トランジスタを含む高周波回路に生じる寄生容量の増大を抑制し、かつトランジスタ等の半導体素子の温度上昇を抑制することが可能な半導体装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一観点によると、
一部の領域に半導体素子を含むデバイス層と、
前記デバイス層の一方の面に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の、前記デバイス層が配置された側とは反対側の面に配置された半導体からなる支持基板と
を備え、
前記支持基板に、平面視において前記半導体素子が形成された半導体素子領域と重なりを有し、前記支持基板の、前記絶縁層が配置された側とは反対側の面である下面から前記絶縁層まで達する開口が設けられており、
さらに、平面視において前記開口に包含される領域の前記絶縁層に接触し、前記絶縁層の熱伝導率より高い熱伝導率を有する絶縁性の放熱層を備えており、
前記支持基板の前記下面及び前記開口の側面の少なくとも一部の領域は、前記放熱層で覆われていない半導体装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

平面視において半導体素子領域と重なる開口が設けられており、開口に包含される領域の絶縁層に接する放熱層が絶縁性であるため、半導体素子領域に生じる寄生容量を低減させることができる。また、半導体素子領域で発生した熱は、絶縁層及び放熱層を経由して放熱層の表面から放射されるとともに、支持基板まで伝導した熱が、支持基板の表面から放射される。支持基板の下面及び開口の側面の少なくとも一部の領域が放熱層で覆われていないため、支持基板の表面からの高い放熱効率を維持することができる。これにより、半導体素子領域の温度上昇を抑制することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、第１実施例による半導体装置の断面図である。

【図2】図２は、第１実施例による半導体装置の底面図である。

【図3】図３は、第１実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その１）である。

【図4】図４は、第１実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その２）である。

【図5】図５は、第１実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その３）である。

【図6】図６は、第１実施例による半導体装置における放熱経路を模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、比較例による半導体装置における放熱経路を模式的に示す断面図である。

【図8】図８は、第１実施例の変形例による半導体装置の断面図である。

【図9】図９は、第１実施例の他の変形例による半導体装置の断面図である。

【図10】図１０は、第２実施例による半導体装置の断面図である。

【図11】図１１は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その１）である。

【図12】図１２は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その２）である。

【図13】図１３は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その３）である。

【図14】図１４は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その４）である。

【図15】図１５は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その５）である。

【図16】図１６は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その６）である。

【図17】図１７は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その７）である。

【図18】図１８は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図（その８）である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

［第１実施例］
図１から図７までの図面を参照して、第１実施例による半導体装置について説明する。

【0010】

図１は、第１実施例による半導体装置の断面図である。第１実施例による半導体装置は、デバイス層３０、絶縁層２０、支持基板５０、複数のバンプ４０、及び放熱層６０を含む。絶縁層２０の一方の面にデバイス層３０が配置されており、他方の面に支持基板５０が配置されている。複数のバンプ４０は、デバイス層３０の、絶縁層２０が配置された面とは反対側の面から突出する。支持基板５０からデバイス層３０を向く方向を上方向と定義する。なお、絶縁層２０は、単層構造であってもよいし、複層構造であってもよい。例えば、絶縁層２０を単層構造とする場合は、絶縁層２０として酸化シリコン層を用いるとよい。絶縁層２０を複層構造とする場合は、絶縁層２０を酸化シリコン層と窒化シリコン層との２層を含む構造とするとよい。

【0011】

図１において、各構成要素の高さ方向および面内方向の寸法の比は、実際の半導体装置における各構成要素の寸法の比を表しているわけではない。例えば、図１では、デバイス層３０の高さ方向の寸法（厚さ）が、バンプ４０の高さより大きく表されているが、実際には、デバイス層３０の厚さは１００ｎｍ以下であり、バンプ４０の高さは、約１６０μｍである。また、支持基板５０の高さ方向の寸法は、約１００μｍである。

【0012】

デバイス層３０は、素子形成層３１、及び素子形成層３１の上に配置された多層配線層３５を含む。素子形成層３１は、絶縁性の素子分離領域３１Ｉ、及び素子分離領域３１Ｉで囲まれた複数の半導体素子領域３１Ｓ（活性領域）を含む。複数の半導体素子領域３１Ｓのそれぞれに、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子が形成されている。半導体素子領域３１Ｓは、例えばＳｉで形成されている。

【0013】

多層配線層３５内に複数の配線３５Ｗ及び複数のビア３５Ｖが配置されている。多層配線層３５の最上層に複数のパッド３５Ｐが配置されている。複数のパッド３５Ｐの上に、それぞれバンプ４０が配置されている。

【0014】

支持基板５０は、シリコン等の半導体で形成されている。支持基板５０に、絶縁層２０が配置された側とは反対側の面である下面から絶縁層２０まで達する開口５０Ｂが設けられている。開口５０Ｂは、デバイス層３０を、デバイス層３０と絶縁層２０との積層方向から平面視したとき（以下、単に「平面視において」という。）、半導体素子領域３１Ｓと重なりを有する。例えば、開口５０Ｂは、平面視において半導体素子領域３１Ｓを包含する。なお、開口５０Ｂは、平面視において半導体素子領域３１Ｓの一部のみと重なっていてもよい。

【0015】

開口５０Ｂ内に放熱層６０が充填されている。具体的には、平面視において開口５０Ｂに包含される領域の絶縁層２０に放熱層６０が接触し、開口５０Ｂの側面の全域に放熱層６０が接触している。放熱層６０には、例えばフィラーを含有する樹脂、セラミックス等が用いられる。放熱層６０の熱伝導率は、絶縁層２０の熱伝導率より高い。

【0016】

図２は、第１実施例による半導体装置の底面図である。環状の支持基板５０の内側に放熱層６０が配置されている。放熱層６０は、平面視において、複数の半導体素子領域３１Ｓを包含している。半導体素子領域３１Ｓのそれぞれに、ＭＯＳトランジスタＴｒ等の半導体素子が配置されている。

【0017】

次に、図３、図４、及び図５を参照して、第１実施例による半導体装置の製造方法について説明する。図３、図４、及び図５は、第１実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図である。

【0018】

図３に示すように、支持基板５０、絶縁層２０、及び素子形成層３１からなるＳＯＩ基板を準備する。素子形成層３１に素子分離領域３１Ｉを形成し、素子分離領域３１Ｉで囲まれた半導体素子領域３１Ｓにトランジスタ等の半導体素子を形成する。素子形成層３１の上に多層配線層３５を形成する。ここまでの工程で、素子形成層３１及び多層配線層３５を含むデバイス層３０が形成される。さらに、複数のバンプ４０を形成する。ここまでの工程には、公知の半導体プロセスを適用することができる。

【0019】

図４に示すように、支持基板５０に開口５０Ｂを形成する。開口５０Ｂは、例えば支持基板５０の底面にフォトリソグラフィによりマスクパターンを形成し、このマスクパターンをエッチングマスクとして支持基板５０をエッチングすることにより形成することができる。開口５０Ｂの底面に絶縁層２０が露出する。

【0020】

図５に示すように、支持基板５０の底面及び開口５０Ｂの側面及び底面に、フィラーを含有する感光性のポリマーを塗布することにより、樹脂層６０Ａを形成する。その後、露光及び現像を行うことにより、支持基板５０の底面に形成されている樹脂層６０Ａを除去する。開口５０Ｂ内に残った樹脂層６０Ａの表面を研磨することにより、支持基板５０の底面と樹脂層６０Ａの表面との高さを揃える。開口５０Ｂ内に残った樹脂層６０Ａが、放熱層６０（図１）を構成する。その後、支持基板５０をダイシングすることにより、個片化する。なお、放熱層６０の表面が支持基板５０の底面から突出していても実装上問題ない場合は、支持基板５０の底面から突出している樹脂層６０Ａの研磨を行う必要はない。

【0021】

次に、図６及び図７を参照して第１実施例の優れた効果について説明する。図６及び図７は、それぞれ第１実施例及び比較例による半導体装置における放熱経路を模式的に示す断面図である。第１実施例による半導体装置（図６）においては、支持基板５０の底面が放熱層６０で覆われておらず露出しているが、比較例による半導体装置（図７）においては、支持基板５０の底面の全域が放熱層６０で覆われている。

【0022】

半導体装置を動作させると、主として半導体素子領域３１Ｓで発熱が生じる。半導体素子領域３１Ｓで発生した熱は、絶縁層２０を経由して放熱層６０に伝導する。放熱層６０まで伝導した熱の一部は、矢印Ｈ０で示すように、放熱層６０内を厚さ方向に伝導し、中空の矢印Ｈ５で示すように放熱層６０の下面から外部に放射される。また、放熱層６０まで伝導した熱の他の一部は、矢印Ｈ１で示すように、放熱層６０内を面内方向に伝導し、支持基板５０まで達する。放熱層６０は、デバイス層３０及び絶縁層２０と比べて十分厚く、放熱層６０の熱伝導率は絶縁層２０の熱伝導率より高いため、放熱層６０を配置することにより、半導体素子領域３１Ｓで発生した熱が面内方向に拡散しやすくなる。支持基板５０まで伝導した熱は、矢印Ｈ２で示すように、支持基板５０内を厚さ方向に伝導する。

【0023】

図６に示した第１実施例による半導体装置においては、支持基板５０内を厚さ方向に伝導した熱は、中空の矢印Ｈ６で示すように支持基板５０の底面から外部に放射される。これに対して図７に示した比較例による半導体装置においては、支持基板５０の底面の全域が放熱層６０で覆われているため、支持基板５０の底面まで達した熱は、再度放熱層６０に伝導し、その後、矢印Ｈ３で示すように放熱層６０内を厚さ方向に伝導し、矢印Ｈ７で示すように、放熱層６０の底面から外部に放射される。

【0024】

このように、比較例（図７）では第１実施例（図６）と比べて、矢印Ｈ３で示した伝熱経路が余分に発生する。放熱層６０の熱伝導率は支持基板５０の熱伝導率より低いため、比較例による半導体装置の放熱効率が低下してしまう。第１実施例では、支持基板５０の下面から熱が直接放射されるため、比較例と比べて放熱効率が高い。

【0025】

また、第１実施例では、平面視において半導体素子領域３１Ｓと重なる部分の支持基板５０が除去され、開口５０Ｂが設けられている。このため、半導体素子領域３１Ｓと支持基板５０との間の寄生容量を低減させることができる。また、開口５０Ｂ内に充填された放熱層６０は絶縁性であるため、半導体素子領域３１Ｓに発生する寄生容量は増大しない。これにより、半導体装置の高周波特性の低下が抑制される。

【0026】

次に、図８及び図９を参照して、第１実施例の変形例による半導体装置について説明する。図８及び図９は、第１実施例の変形例による半導体装置の断面図である。

【0027】

第１実施例による半導体装置（図１）では、放熱層６０が開口５０Ｂ内に充填されており、支持基板５０の底面までは広がっていない。すなわち、支持基板５０の底面の全域が露出している。これに対して図８に示した変形例による半導体装置では、放熱層６０が、支持基板５０の底面のうち開口５０Ｂの周辺の領域まで広がっている。支持基板５０の底面の残りの領域は露出している。支持基板５０まで伝導した熱は、支持基板５０の露出した底面から外部に放射される。

【0028】

図８に示した変形例による半導体装置は、図５に示した感光性ポリマーからなる樹脂層６０Ａを露光するとき、開口５０Ｂの縁よりやや外側までの樹脂層６０Ａが残るように露光することにより作製することができる。

【0029】

第１実施例による半導体装置（図１）では、放熱層６０の表面が、支持基板５０の底面とほぼ同じ高さに位置しており、開口５０Ｂの側面の全域に放熱層６０が接触している。これに対して図９に示した変形例では、放熱層６０の厚さが、支持基板５０の厚さより薄い。すなわち、開口５０Ｂの側面のうち支持基板５０の底面側の一部の領域が露出している。本変形例では、支持基板５０まで伝導した熱は、開口５０Ｂの露出した側面からも放射される。

【0030】

図９に示した変形例による半導体装置は、図５に示した樹脂層６０Ａの下面の全域から支持基板５０の底面が露出するまで樹脂層６０Ａをエッチング除去し、さらに開口５０Ｂに充填されている樹脂層６０Ａの一部分をエッチング除去することにより作製することができる。本変形例では、樹脂層６０Ａの露光及び現像を行う必要がないため、感光性ポリマーではないポリマーを用いることができる。さらに、樹脂層６０Ａに代えて、無機絶縁材料からなる層を用いることができる。例えば、セラミックス等を用いることができる。セラミックスからなる層は、例えば化学気相堆積（ＣＶＤ）、スパッタリング等により成膜することができる。

【0031】

次に、第１実施例のさらに他の変形例について説明する。第１実施例（図２）では、平面視において、１つの開口５０Ｂに複数の半導体素子領域３１Ｓが包含されているが、半導体素子領域３１Ｓごとに開口５０Ｂを設けてもよい。その他に、複数の開口５０Ｂを配置し、開口５０Ｂのそれぞれに一部の複数の半導体素子領域３１Ｓが包含される構成としてもよい。

【0032】

［第２実施例］
次に、図１０から図１８までの図面を参照して第２実施例による半導体装置について説明する。以下、図１から図６までの図面を参照して説明した第１実施例による半導体装置と共通の構成については説明を省略する。

【0033】

図１０は、第２実施例による半導体装置の断面図である。第１実施例による半導体装置（図１）では、開口５０Ｂ内の絶縁層２０の表面の全域が放熱層６０で覆われており、放熱層６０が開口５０Ｂの側面に接触している。これに対して第２実施例による半導体装置では、放熱層６０は、開口５０Ｂの側面から間隔を隔てて配置されている。このため、開口５０Ｂの側面の全域が露出している。

【0034】

次に、図１１から図１８までの図面を参照して第２実施例による半導体装置の製造方法について説明する。図１１から図１８までの図面は、第２実施例による半導体装置の製造途中段階における断面図である。図１１に示すように、支持基板５０（図１０）の元となる半導体基板、例えばＳｉからなる基板５０Ｃを準備する。図１２に示すように、基板５０Ｃの一方の面に凹部５０Ｄを形成する。凹部５０Ｄは、開口５０Ｂ（図１０）が配置される領域に形成する。

【0035】

図１３に示すように、素子形成層３１（図１０）となるＳｉからなる原基板３１Ａの一方の面に酸化シリコンからなる絶縁層２０を形成する。絶縁層２０の形成には、熱酸化等を用いることができる。図１４に示すように、絶縁層２０の表面に放熱層６０を形成する。放熱層６０は、例えば感光性ポリマーを塗布し、その後露光及び現像を行うことにより形成することができる。

【0036】

図１５に示すように、基板５０Ｃの、凹部５０Ｄが形成された面を絶縁層２０に対向させて、基板５０Ｃを絶縁層２０に接合する。このとき、放熱層６０が凹部５０Ｄ内に収容されるように、両者の位置合わせを行う。ここまでの工程で、原基板３１Ａ、絶縁層２０、及び基板５０Ｃで構成され、内部にキャビティを有するキャビティＳＯＩ基板が作製される。キャビティ内には、放熱層６０が収容されている。

【0037】

図１６に示すように、原基板３１Ａを研削または研磨して薄層化し、原基板３１Ａの一部からなる素子形成層３１を残す。図１７に示すように、素子形成層３１に素子分離領域３１Ｉを形成することにより、半導体素子領域３１Ｓを画定し、半導体素子領域３１ＳにＭＯＳトランジスタ等の半導体素子を形成する。さらに、素子形成層３１の上に多層配線層３５及び複数のバンプ４０を形成する。

【0038】

図１８に示すように、基板５０Ｃを、キャビティに達するまで研削し、基板５０Ｃの一部からなる支持基板５０を残す。キャビティであった部分が、開口５０Ｂに相当する。これにより、放熱層６０が露出する。その後、支持基板５０をダイシングすることにより個片化する。

【0039】

次に、第２実施例の優れた効果について説明する。
第２実施例では、半導体素子領域３１Ｓのうち、平面視において放熱層６０と重なっている半導体素子領域３１Ｓで発生した熱は、絶縁層２０及び放熱層６０を経由して外部に放射される。半導体素子領域３１Ｓのうち、支持基板５０の近傍の領域で発生した熱は、デバイス層３０及び絶縁層２０を経由して支持基板５０まで伝導する。放熱層６０は、半導体素子領域３１Ｓで発生した熱を面内方向に拡散させる熱経路としても機能するため、半導体素子領域３１Ｓの中央近傍で発生した熱も、支持基板５０まで伝導しやすくなる。支持基板５０まで伝導した熱は、支持基板５０の底面及び開口５０Ｂの側面から外部に放射される。

【0040】

相対的に熱伝導率が高い支持基板５０の底面及び開口５０Ｂの側面が外部に露出しているため、開口５０Ｂの側面が、相対的に熱伝導率が低い放熱層６０で覆われている構成と比べて、半導体素子領域３１Ｓからの放熱効率が高くなる。

【0041】

上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

【0042】

本明細書に記載した上記実施例に基づき、以下の発明を開示する。
＜１＞
一部の領域に半導体素子を含むデバイス層と、
前記デバイス層の一方の面に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の、前記デバイス層が配置された側とは反対側の面に配置された半導体からなる支持基板と
を備え、
前記支持基板に、平面視において前記半導体素子が形成された半導体素子領域と重なりを有し、前記支持基板の、前記絶縁層が配置された側とは反対側の面である下面から前記絶縁層まで達する開口が設けられており、
さらに、平面視において前記開口に包含される領域の前記絶縁層に接触し、前記絶縁層の熱伝導率より高い熱伝導率を有する放熱層を備えており、
前記支持基板の前記下面及び前記開口の側面の少なくとも一部の領域は、前記放熱層で覆われていない半導体装置。

【0043】

＜２＞
前記支持基板はＳｉを含む＜１＞に記載の半導体装置。

【0044】

＜３＞
前記放熱層は、フィラーを含有する樹脂で形成されている＜１＞または＜２＞に記載の半導体装置。

【0045】

＜４＞
平面視において、前記半導体素子領域は前記開口に包含されている＜１＞乃至＜３＞のいずれか１つに記載の半導体装置。

【0046】

＜５＞
前記支持基板の前記下面の全域が、前記放熱層で覆われていない＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の半導体装置。

【0047】

＜６＞
前記開口の側面のうち、前記下面の側の少なくとも一部の領域が、前記放熱層で覆われていない＜５＞に記載の半導体装置。

【0048】

＜７＞
前記放熱層は、前記開口の側面から間隔を隔てて配置されている＜５＞に記載の半導体装置。

【符号の説明】

【0049】

２０ 絶縁層
３０ デバイス層
３１ 素子形成層
３１Ａ 素子形成層の原基板
３１Ｉ 素子分離領域
３１Ｓ 半導体素子が配置された領域（半導体素子領域）
３５ 多層配線層
３５Ｐ パッド
３５Ｖ ビア
３５Ｗ 配線
４０ バンプ
５０ 支持基板
５０ 支持基板
５０Ｂ 凹部
５０Ｃ 基板
５０Ｄ 凹部
６０ 放熱層
６０Ａ 樹脂層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】