特開 2024-95546 表示パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024095546

(43)【公開日】2024-07-10

(54)【発明の名称】表示パネル

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240703BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240703BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20240703BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20240703BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240703BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G09F9/00 309Z

G02F1/1368

H01L29/78 618B

H01L29/78 616Z

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023201821

(22)【出願日】2023-11-29

(31)【優先権主張番号】202211716307.2

(32)【優先日】2022-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】523439149

【氏名又は名称】グァンチョウ チャイナスター オプトエレクトロニクス セミコンダクター ディスプレイ テクノロジー カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100204386

【弁理士】

【氏名又は名称】松村 啓

(72)【発明者】

【氏名】シュアイイー・ワン

【テーマコード（参考）】

2H192

5C094

5F110

5G435

【Ｆターム（参考）】

2H192AA24

2H192FA81

2H192GA31

2H192JA33

5C094AA02

5C094AA25

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA43

5C094DB02

5C094EA10

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA10

5C094FB02

5C094FB12

5C094FB14

5F110AA06

5F110AA11

5F110BB01

5F110CC01

5F110CC07

5F110DD02

5F110GG01

5F110GG02

5F110GG13

5F110GG15

5F110GG23

5F110GG30

5F110HM04

5F110HM11

5F110NN03

5F110NN15

5F110NN23

5F110NN35

5G435AA01

5G435AA16

5G435AA17

5G435BB12

5G435GG31

5G435HH12

5G435HH13

(57)【要約】

【課題】本願は、表示パネルを提供する。
【解決手段】該表示パネルが静電気保護回路を含み、静電気保護回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含み、薄膜トランジスタが活性層を含み、活性層がチャネル部を有し、チャネル部に少なくとも１つの補助電極を設け、且つ補助電極をチャネル部に直接接触させることにより、追加された補助電極を利用してチャネル部に作用するプラズマの均一性を向上させることができ、これにより薄膜トランジスタのリーク電流を低下させ、それによって表示パネルの表示品質を改善することができる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

静電気保護回路を含む表示パネルであって、前記静電気保護回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタが活性層を含み、前記活性層がチャネル部を有し、
前記チャネル部に少なくとも１つの補助電極が設けられ、前記補助電極が前記チャネル部に直接接触することを特徴とする表示パネル。

【請求項2】

前記チャネル部には、チャネル長さ方向に沿って間隔をおいて分布する複数の前記補助電極が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記チャネル部は、少なくとも部分的に湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記チャネル部は、複数の湾曲セグメントを有し、任意の隣接する２つの前記湾曲セグメントの湾曲方向が異なることを特徴とする請求項３に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記複数の湾曲セグメントのそれぞれには１つの補助電極が設けられることを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記チャネル部は、チャネル幅方向に沿って間隔をおいて設けられた少なくとも２つのサブチャネル部を有することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項7】

隣接する２つのサブチャネル部が、互いに平行又は対称に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記薄膜トランジスタは、ソース及びドレインをさらに含み、前記補助電極は、前記ソース及び前記ドレインと同層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記薄膜トランジスタは、ゲートを含み、前記補助電極は、前記活性層の前記ゲートに近い表面又は前記ゲートから遠い表面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記活性層の材料は、酸化物半導体又はシリコン半導体であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、表示技術分野に関し、特に表示パネルに関する。

【背景技術】

【0002】

表示パネルの生産、テスト及び輸送の過程では、静電気が不可避的に起こり、摩擦や接触によって発生する瞬間的なキロボルトの高電圧に起因して、表示パネルが破壊され、表示パネル内部の部品の故障を引き起こす。

【0003】

関連技術では、通常、静電気の蓄積による高レベルを解放し、静電気による表示パネル内の部品の損傷を回避するために、表示パネル内に静電気保護回路が設けられている。しかし、表示パネルが正常に動作している場合、静電気保護回路における薄膜トランジスタにリーク電流が発生する場合があり、この場合、表示パネルが正常な階調及び輝度を表示できなくなり、表示パネルの表示品質に影響を与えてしまう。

【0004】

そこで、この欠点を改善するための表示パネルを提供する必要がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本願の実施例は、静電気保護回路における薄膜トランジスタのリーク電流を低減し、表示パネルの表示品質を改善することができる表示パネルを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本願の実施例は、表示パネルを提供し、前記表示パネルが静電気保護回路を含み、前記静電気保護回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタが活性層を含み、前記活性層がチャネル部を有し、
ここで、前記チャネル部に少なくとも１つの補助電極が設けられ、前記補助電極が前記チャネル部に直接接触する。

【0007】

本願の一実施例によれば、前記チャネル部には、チャネル長さ方向に沿って間隔をおいて分布する複数の前記補助電極が設けられている。

【0008】

本願の一実施例によれば、前記チャネル部は、少なくとも部分的に湾曲している。

【0009】

本願の一実施例によれば、前記チャネル部は、複数の湾曲セグメントを有し、任意の隣接する２つの前記湾曲セグメントの湾曲方向が異なる。

【0010】

本願の一実施例によれば、前記複数の湾曲セグメントのそれぞれには１つの補助電極が設けられている。

【0011】

本願の一実施例によれば、前記チャネル部は、チャネル幅方向に沿って間隔をおいて設けられた少なくとも２つのサブチャネル部を有する。

【0012】

本願の一実施例によれば、隣接する２つの前記サブチャネル部は、互いに平行又は対称に設けられている。

【0013】

本願の一実施例によれば、前記薄膜トランジスタは、ソース及びドレインをさらに含み、前記補助電極は、前記ソース及び前記ドレインと同層に設けられている。

【0014】

本願の一実施例によれば、前記薄膜トランジスタは、ゲートを含み、前記補助電極は、前記活性層の前記ゲートに近い表面又は前記ゲートから遠い表面に設けられている。

【0015】

本願の一実施例によれば、前記活性層の材料は、酸化物半導体又はシリコン半導体である。

【発明の効果】

【0016】

本願の実施例の有益な効果は、以下のとおりである。本願の実施例は、表示パネルを提供し、前記表示パネルが静電気保護回路を含み、前記静電気保護回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタが活性層を含み、前記活性層がチャネル部を有し、チャネル部に少なくとも１つの補助電極を設け、且つ補助電極をチャネル部に直接接触させることにより、追加された補助電極を利用してプラズマがチャネル部に作用する均一性を向上させることができ、これにより薄膜トランジスタのリーク電流を低下させ、それによって表示パネルの表示品質を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本願の実施例によって提供される第１実施例の表示パネルの部分概略図である。

【図2】図１に示す第１実施例の表示パネルのＡ－Ａ’方向に沿った断面図である。

【図3】本願の実施例によって提供される第２実施例の表示パネルの部分概略図である。

【図4】本願の実施例によって提供される第３実施例の表示パネルの部分概略図である。

【図5】本願の実施例によって提供される第４実施例の表示パネルの部分概略図である。

【図6】本願の実施例によって提供される第５実施例の表示パネルの部分概略図である。

【図7】本願の実施例によって提供される第６実施例の表示パネルのＡ－Ａ’方向に沿った断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下の各実施例の説明は、本願を実施することができる特定の実施例を例示するために添付の図面を参照する。本願でいう「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」などの方向用語は、単に添付の図面の方向を参照するものとする。したがって、用いられる方向用語は、本願を限定するためではなく、本願を説明及び理解するために用いられる。図中、同様の構造を有するユニットには同じ符号を付している。

【0019】

以下、添付の図面及び特定の実施例と併せて本願についてさらに説明する。

【0020】

本願の実施例は、表示パネルを提供し、静電気保護回路における薄膜トランジスタのリーク電流を低減し、表示パネルの表示品質を改善することができる。

【0021】

図１及び図２を参照すると、前記表示パネルは、基板１０と、前記基板１０に設けられた静電気保護回路とを含む。本願の実施例において、前記表示パネルは、液晶表示パネルであり、前記基板１０は、ガラス基板である。

【0022】

具体的には、前記表示パネルは、フリンジフィールドスイッチング（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ、ＦＦＳ）モードの液晶表示パネルであり、前記表示パネルは、表示領域と、前記表示領域を取り囲む非表示領域と、を含んでもよく、前記静電気保護回路は、前記非表示領域の前記表示領域を取り囲む四隅及び非表示領域の先端に設けられてもよい。

【0023】

さらに、前記静電気保護回路は、少なくとも１つの薄膜トランジスタ２０を含み、前記薄膜トランジスタ２０は、活性層２１を含み、前記活性層２１は、ソースコンタクト部２１１と、ドレインコンタクト部２１２と、チャネル部２１０とを有し、前記チャネル部２１０は、前記ソースコンタクト部２１１と前記ドレインコンタクト部２１２との間に設けられている。

【0024】

前記薄膜トランジスタ２０は、ゲート２２と、ソース２３と、ドレイン２４とをさらに含み、前記ゲート２２が前記基板１０に設けられ、前記ソース２３及び前記ドレイン２４が前記活性層２１の前記ゲート２２から離れた側に設けられ、前記ソース２３が前記活性層２１のソースコンタクト部２１１に接触し、前記ドレイン２４が前記活性層２１のドレインコンタクト部２１２に接触する。

【0025】

なお、前記ゲート２２が前記基板１０に設けられることは、ゲート２２が基板１０の上方に位置し、且つ基板１０に直接接触することであってもよく、あるいは、ゲート２２が基板１０の上方に位置するが、基板１０と間隔をおいて設けられ、ゲート２２と基板１０との中間が他の膜層（例えばバリア層、バッファ層など）を介して離間されることであってもよい。

【0026】

図２に示す実施例において、ゲート２２は、基板１０の上方に位置し、且つ基板１０に直接接触し、ゲート２２の上方にゲート絶縁層１１が設けられ、活性層２１は、ゲート絶縁層１１のゲート２２から離れた表面に設けられ、ソース２３及びドレイン２４は、活性層２１のゲート絶縁層１１から離れた表面に設けられている。

【0027】

さらに、前記チャネル部２１０に少なくとも１つの補助電極３０が設けられ、前記補助電極３０が前記チャネル部２１０に直接接触する。

【0028】

その一実施例において、前記チャネル部２１０には、チャネル長さ方向に沿って間隔をおいて分布する複数の前記補助電極３０が設けられている。

【0029】

なお、本願の実施例に記載のチャネル長さ方向は、図１に示す第１方向Ｘであり、チャネル幅方向は、図１に示す第２方向Ｙであり、表示パネルの厚さ方向は、図２に示す第３方向Ｚである。本願の実施例において、第１方向Ｘは、第２方向Ｙに直交し、第３方向Ｚは、それぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する。実際の応用において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに交差するが直交しないこともあり、ここで一意に限定されるものではない。

【0030】

図１に示すように、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定される平面において、チャネル部２１０は、直線的な長尺状を呈しており、チャネル部２１０に４つの補助電極３０が設けられ、４つの補助電極３０は前記チャネル部２１０において第１方向Ｘに沿って互いに間隔をおいて分布する。４つの補助電極３０の間は互いに接続されておらず、補助電極３０は、チャネル部２１０に接触する他は、他の信号引き回し線に接続されていない。

【0031】

その一実施例において、複数の前記補助電極３０は、前記チャネル部２１０において第１方向Ｘに沿って等間隔に分布してもよい。

【0032】

その一実施例において、前記第２方向Ｙにおいて、前記補助電極３０の長さは、前記チャネル部２１０の長さよりも大きく、それにより補助電極３０とチャネル部２１０との接触面積を増大し、補助電極３０とチャネル部２１０との間の電気抵抗を低減し、補助電極３０が隣接する短いチャネルを導通することを保証することができる。他の実施例において、前記第２方向Ｙにおいて、前記補助電極３０の長さは、前記チャネル部２１０の長さに等しくてもよい。

【0033】

図２に示すように、４つの補助電極３０は、いずれも前記チャネル部２１０の基板１０から離れた表面に位置し、且つチャネル部２１０に直接接触し、隣接する２つの補助電極３０の間に切欠部を有し、該切欠部が一部のチャネル部２１０を露出させる。

【0034】

本実施例において、前記補助電極３０は、前記ソース２３及び前記ドレイン２４と同層に設けられており、前記補助電極３０は、前記ソース２３及び前記ドレイン２４と同一の金属成膜工程により製造して形成してもよい。

【0035】

本実施例において、前記活性層の材料は、酸化物半導体である。具体的には、前記活性層の材料は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）である。他の実施例において、前記活性層の材料は、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンなどのシリコン半導体であってもよい。

【0036】

図２を例に説明すると、チャネル部２１０の上方に補助電極３０が設けられていないと仮定すると、活性層２１にソース２３及びドレイン２４を形成した後、活性層２１、ソース２３及びドレイン２４に化学気相蒸着の方式によって酸化シリコン材料の１つの絶縁層を形成する必要があり、チャネル部２１０の長さが長いため、化学気相蒸着過程において、プラズマがチャネル部２１０の各領域に均一に作用できず、それにより、チャネル部２１０に対する酸素補充が不均一になり、薄膜トランジスタに大きなリーク電流が発生しやすくなり、表示パネルの表示効果に影響を与える。

【0037】

本実施例は、チャネル部２１０の上方に４つの補助電極３０を設けることにより、４つの補助電極３０がチャネル部２１０の表面の一部を遮蔽し、且つ長さの長いチャネル部２１０を短い５つの短いチャネルに分割し、隣接する２つの短いチャネルの間を補助電極３０によって電気的に接続することができ、後続の化学気相蒸着過程において、プラズマは、より短い５つの短いチャネルにより均一に作用することができ、短いチャネルに対する酸素補充を比較的均一にすることができ、これにより薄膜トランジスタのリーク電流を低減し、それによって表示パネルの表示効果を改善することができるとともに、静電気保護回路の保護効果を向上させることができる。

【0038】

実際の応用において、チャネル部２１０の上方に設けられた補助電極３０の数は、チャネル部２１０のチャネル長さに応じて設定してもよく、上記実施例の４つに限定されず、チャネル部２１０に１つ、２つ又は３つ以上の補助電極３０を設定してもよい。

【0039】

その一実施例において、前記チャネル部２１０は、少なくとも部分的に湾曲している。

【0040】

図３に示すように、図３に示す第２実施例の表示パネルの構造は、図１に示す第１実施例の表示パネルの構造とほぼ同じであり、相違点は以下のとおりである。図３に示す第２実施例の表示パネルにおけるチャネル部２１０が複数の湾曲セグメント２１０１を有し、任意の隣接する２つの湾曲セグメント２１０１の湾曲方向が異なり、隣接する２つの湾曲セグメント２１０１の１つが第２方向Ｙに沿って突出し、別の１つが第２方向Ｙと反対方向に沿って突出し、複数の湾曲セグメント２１０１が順次接続されて波状のチャネル部２１０を形成する。

【0041】

図１に示す実施例と比較して、図３に示す実施例は、薄膜トランジスタのサイズを増加させることなく、チャネル部２１０の少なくとも一部を湾曲させることにより、薄膜トランジスタのチャネル長さを増加させ、薄膜トランジスタのインピーダンスを向上させ、それによって薄膜トランジスタのリーク電流をさらに低減し、さらに表示パネルの表示効果を改善することができるとともに、静電気保護回路の保護効果を向上させることができる。

【0042】

さらに、前記複数の湾曲セグメント２１０１のそれぞれには１つの補助電極３０が設けられている。

【0043】

図３に示すように、チャネル部２１０は、順次接続された４つの湾曲セグメント２１０１を有し、各湾曲セグメント２１０１の中央領域の上方に１つの補助電極３０が設けられている。

【0044】

その一実施例において、前記チャネル部２１０は、少なくとも２つのサブチャネル部を有し、前記サブチャネル部がチャネル幅方向に間隔をおいて設けられている。

【0045】

図４に示すように、図４に示す第３実施例の表示パネルの構造は、図１に示す第１実施例の表示パネルの構造とほぼ同じであり、相違点は以下のとおりである。図４に示す第３実施例の表示パネルにおけるチャネル部２１０が２つのサブチャネル部を有し、それぞれ第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３であり、第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３がいずれも直線的な長尺状を呈し、第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３が第２方向Ｙにおいて間隔をおいて設けられ、且つ前記第１サブチャネル部２１０２が前記第２サブチャネル部２１０３と互いに平行である。

【0046】

第１サブチャネル部２１０２の第１端及び第２サブチャネル部２１０３の第１端は、同一のソースコンタクト部に接続され、第１サブチャネル部２１０２の第２端及び第２サブチャネル部２１０３の第２端は、同一のドレインコンタクト部に接続される。

【0047】

図１に示す実施例と比較して、図４に示す実施例は、チャネル部２１０をチャネル幅方向に互いに間隔をおいて設けられた２つのサブチャネル部に分割することにより、チャネル部２１０のチャネル幅を低減し、それによって静電気の大きな電圧や大きな電流による熱の蓄積によるデバイスの故障のリスクを低下させることができる。

【0048】

その一実施例において、前記第２方向Ｙにおいて、前記第１サブチャネル部２１０２及び前記第２サブチャネル部２１０３の幅は等しいである。

【0049】

実際の応用において、前記チャネル部２１０は、上記実施例における２つのサブチャネル部に分割されてもよいし、３つ以上の互いに間隔をおいて設けられたサブチャネル部に分割されてもよく、これも同様に上記実施例と類似の技術的効果を実現することができ、ここに一意に限定されるものではない。

【0050】

図５に示すように、図５に示す第４実施例の表示パネルの構造は、図４に示す第３実施例の表示パネルの構造とほぼ同じであり、相違点は以下のとおりである。図５に示す第４実施例の表示パネルにおいて、前記補助電極３０が少なくとも隣接する２つの前記サブチャネル部に跨っている。

【0051】

図５に示す実施例において、前記チャネル部２１０の上方に複数の補助電極３０が設けられ、複数の前記補助電極３０がいずれも前記第１サブチャネル部２１０２及び前記第２サブチャネル部２１０３の上に跨り、且つ第１サブチャネル部２１０２を前記第２サブチャネル部２１０３に電気的に接続する。この構造では、大きな電圧や大きな電流によるデバイスの熱故障のリスクを低下させることができるだけでなく、後続のプロセスにおいてプラズマがチャネル部２１０に作用する均一性を向上させることができ、それによって薄膜トランジスタのリーク電流を低減し、表示パネルの表示効果を改善することができるとともに、静電気保護回路の保護効果を向上させることができる。

【0052】

他の実施例において、異なるサブチャネル部にそれぞれ複数の補助電極が設けられ、且つ異なる前記サブチャネル部上の補助電極の同士が離間して設けられてもよい。例えば、第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３にそれぞれ複数の補助電極３０を設けて、第１サブチャネル部２１０２上の補助電極３０が前記第２サブチャネル部２１０３上の補助電極３０に接続されない。

【0053】

その一実施例において、隣接する２つの前記サブチャネル部は、互いに対称に設けられている。

【0054】

図６に示すように、図６に示す第５実施例の表示パネルの構造は、図５に示す第４実施例の表示パネルの構造とほぼ同じであり、相違点は以下のとおりである。図５に示す第４実施例の表示パネルにおけるサブチャネル部がいずれも直線的な長尺状であり、図６に示す第５実施例の表示パネルにおけるサブチャネル部の少なくとも一部が湾曲している。

【0055】

図６に示す実施例において、前記チャネル部２１０は、第１サブチャネル部２１０２と、第２サブチャネル部２１０３と、を含み、第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３は、第２方向Ｙに互いに間隔をおいて設けられ、第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３は、いずれも複数の湾曲セグメントを含み、前記第１サブチャネル部２１０２におけるいずれかの湾曲セグメントの湾曲方向が第２サブチャネル部２１０３における対応する湾曲セグメントの湾曲方向と反対であり、第１サブチャネル部２１０２及び第２サブチャネル部２１０３が互いに対称に設けられている。

【0056】

図７に示すように、図７に示す第６実施例の表示パネルの構造は、図１及び図２に示す第１実施例の表示パネルの構造とほぼ同じであり、相違点は以下のとおりである。図１及び図２に示す第１実施例の表示パネルがボトムゲート構造であり、図７に示す表示パネルがトップゲート構造であり、補助電極３０が前記活性層２１の前記ゲート２２に近い表面に設けられている。

【0057】

具体的には、図７に示す実施例において、活性層２１は、前記基板１０の上方に位置し、且つ前記基板１０に直接接触し、ソース２３、ドレイン２４及び補助電極３０は、活性層２１の基板１０から離れた表面に設けられ、ゲート絶縁層１１は、ソース２３、ドレイン２４及び補助電極３０の基板１０から離れた表面に設けられ、ゲート２２は、ゲート絶縁層１１の基板１０から離れた表面に設けられている。

【0058】

なお、本願の実施例における静電気保護回路は、１つ又は複数の薄膜トランジスタを有していてもよく、前記静電気保護回路が複数の薄膜トランジスタを有する場合、複数の薄膜トランジスタの構造は、本願の実施例における薄膜トランジスタ２０の構造と同じであってもよい。本願の実施例における静電気保護回路の回路構造は、従来の静電気保護回路の回路構造を参照することができ、ここに限定されるものではない。

【0059】

本願の実施例の有益な効果は、以下のとおりである。本願の実施例は、表示パネルを提供し、前記表示パネルが静電気保護回路を含み、前記静電気保護回路が少なくとも１つの薄膜トランジスタを含み、前記薄膜トランジスタが活性層を含み、前記活性層がチャネル部を有し、チャネル部に少なくとも１つの補助電極を設け、且つ補助電極をチャネル部に直接接触させることにより、追加された補助電極を利用してプラズマがチャネル部に作用する均一性を向上させることができ、これにより薄膜トランジスタのリーク電流を低下させ、それによって表示パネルの表示品質を改善することができる。

【0060】

要約すると、本願は好ましい実施例で上記のように開示されたが、上記の好ましい実施例は本願を限定することを意図したものではなく、当業者であれば本願の精神と範囲から逸脱することなく様々な変更及び修飾を加えることができ、したがって、本願の保護範囲は、特許請求の範囲に規定される範囲に基づくものとする。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】