特開 2024-95596 電波吸収体、電波吸収体の製造方法、電波吸収体製造用キット

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024095596

(43)【公開日】2024-07-10

(54)【発明の名称】電波吸収体、電波吸収体の製造方法、電波吸収体製造用キット

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20240703BHJP

   H01Q 1/42 20060101ALI20240703BHJP

   H01Q 17/00 20060101ALI20240703BHJP

【ＦＩ】

H05K9/00 M

H01Q1/42

H01Q17/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】24

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023217663

(22)【出願日】2023-12-25

(31)【優先権主張番号】P 2022212208

(32)【優先日】2022-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2022212210

(32)【優先日】2022-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ハステロイ

(71)【出願人】

【識別番号】000002174

【氏名又は名称】積水化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000796

【氏名又は名称】弁理士法人三枝国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】中尾 幸子

(72)【発明者】

【氏名】澤田石 哲郎

(72)【発明者】

【氏名】武藤 勝紀

【テーマコード（参考）】

5E321

5J020

5J046

【Ｆターム（参考）】

5E321AA23

5E321BB23

5E321BB25

5E321BB53

5E321BB60

5E321CC16

5E321GG11

5E321GG12

5E321GH10

5J020EA03

5J020EA07

5J020EA09

5J046AA02

5J046RA03

(57)【要約】

【課題】レドームを通って入ってくる電波に対する吸収性能に優れた電波吸収体を提供すること。
【解決手段】レドームを含み、且つ０度入射の垂直偏波測定において、４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下である周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、電波吸収体。
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

レドームを含み、且つ０度入射の垂直偏波測定において、４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下である周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、電波吸収体。

【請求項2】

抵抗層、誘電体層、及び反射層を含み、且つ
レドーム、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置されているλ／４型電波吸収体である、請求項１に記載の電波吸収体。

【請求項3】

０度入射の垂直偏波測定において、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、請求項２に記載の電波吸収体。

【請求項4】

０度入射の垂直偏波測定において、４０～５５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１０ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、請求項３に記載の電波吸収体。

【請求項5】

０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最大値が－１０ｄＢ以上である、請求項３又は４に記載の電波吸収体。

【請求項6】

０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値が－２７ｄＢ以上である、請求項３又は４に記載の電波吸収体。

【請求項7】

０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最大値が－５．５ｄＢ以上であり、且つ
０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値が－９．８ｄＢ以上である、請求項３又は４に記載の電波吸収体。

【請求項8】

保護層を含み、且つ
レドーム、保護層、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置されている、請求項２に記載の電波吸収体。

【請求項9】

前記保護層の比誘電率が１～５であり、且つ前記保護層の厚みが１００μｍ以上４００μｍ以下である、請求項８に記載の電波吸収体。

【請求項10】

レドームと保護層の間に粘着剤層を含む、請求項８に記載の電波吸収体。

【請求項11】

前記粘着剤層の比誘電率が１～５であり、且つ前記粘着剤層の厚みが１μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１０に記載の電波吸収体。

【請求項12】

前記レドームの比誘電率が１～５であり、且つ前記レドームの厚みが１ｍｍ以上３ｍｍ以下である、請求項２に記載の電波吸収体。

【請求項13】

絶縁層を含み、且つ
前記反射層の前記誘電体層とは反対側に絶縁層が配置されている、請求項２に記載の電波吸収体。

【請求項14】

入射角３０度のＴＥ偏波測定において、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、請求項１～４のいずれかに記載の電波吸収体。

【請求項15】

前記レドームの主面の曲率半径が５ｍｍ以上１００ｍｍ以下である、請求項１～４のいずれかに記載の電波吸収体。

【請求項16】

一方の面側から、レドーム、第１の抵抗層、第１の誘電体層、及び反射層がこの順に配置され、且つ他方の面側から、第２の抵抗層、第２の誘電体層、及び反射層がこの順に配置されている、
請求項１に記載の電波吸収体。

【請求項17】

前記反射層が単層であり、
レドーム、第１の抵抗層、第１の誘電体層、反射層、第２の誘電体層、及び第２の抵抗層がこの順に配置されている、請求項１６に記載の電波吸収体。

【請求項18】

前記第１抵抗層の抵抗値が１００～４００Ω／□であり、前記第２の抵抗層の抵抗値が１００～６００Ω／□である、請求項１６に記載の電波吸収体。

【請求項19】

前記第１の誘電体層の厚みが２００～１１００μｍであり且つその比誘電率が１～５であり、且つ
前記第２の誘電体層の厚みが２００～７００μｍであり且つその比誘電率が１～５である、請求項１６に記載の電波吸収体。

【請求項20】

前記第１の誘電体層が下記式（１）を満たし、
前記第２の誘電体層が下記式（２）を満たす、請求項１６～１９いずれかに記載の電波吸収体。
式（１）：４００≦ｄ×√ε≦１６００
式（２）：７００≦ｄ×√ε≦１２００
（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）

【請求項21】

両面の０度入射の垂直偏波測定のいずれにおいても、５０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、請求項１６に記載の電波吸収体。

【請求項22】

抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されている電波吸収体用部材とレドームとを積層させる、請求項２～４及び１６～２１のいずれかに記載の電波吸収体の製造方法。

【請求項23】

レドームと、
抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されている電波吸収体用部材を含む、請求項２～４及び１６～２１のいずれかに記載の電波吸収体製造用キット。

【請求項24】

抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されている電波吸収体用部材の使用方法であって、前記電波吸収体用部材をレドームに積層し、請求項２～４及び１６～２１いずれかに記載の電波吸収体とする、電波吸収体用部材の使用方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電波吸収体等に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯通信機器の普及が急速に進んでおり、また自動車等において多くの電子機器が搭載されるようになり、これらから発生する電波・ノイズを原因とする電波障害、他の電子機器の誤動作等の問題が多発している。このような電波障害、誤動作等を防止する方策として、各種の電波吸収体が検討されている。例えば、特許文献１では、斜め入射に対する電波吸収性が良好な電波吸収体が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０２０／１３８１９０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来、所望の電波吸収性能となるように電波吸収体を設計し、機器内部、特にＩＣを覆うシールドカバーの内側やＩＣ基板上に貼り付けて使われていた。しかし、レーダー装置のアンテナを保護する電波透過性部材（レドーム）を通って、不要な電波が外来から機器内部に侵入することや、不要な電波が他の周辺部材で跳ね返り機器内部に侵入することがあった。これらの不要な電波はいずれもレドームを通って入ってくる。また、反射層を持つ電波吸収体は電波入射面の逆側となる裏面に受けたノイズを反射させてしまうことがあった。

【0005】

本発明は、レドームを通って入ってくる電波に対する吸収性能に優れた電波吸収体を提供することを課題とする。また、本発明は、必須ではないものの解決が望ましい課題として、レドーム側（表面側）及び裏面側からの電波に対する吸収性能に優れた電波吸収体を提供することを掲げる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

これまで、電波吸収体の設計は、レドームが電波吸収性能に与える影響を考慮せずに行われていた。しかし、レドームは一定の厚み及び比誘電率を有するので、このように設計した場合、レドームを通って入ってくる電波に対して十分に優れた吸収性能を発揮することができない。本発明者は、上記課題に鑑みて、レドームを含めた状態で電波吸収体を設計することに着目した。さらに、本発明者は、上記の望ましい課題に鑑みて鋭意研究を進めた結果、抵抗層、誘電体、及び反射層を含み、一方の面側から、レドーム、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置され、且つ他方の面側から、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置されている、λ／４型電波吸収体、であれば、当該課題を解決できることを見出した。本発明者はこれらの知見に基づいて更に研究を進めた結果、本発明を完成させた。即ち、本発明は、下記の態様を包含する。

【0007】

項１． レドームを含み、且つ０度入射の垂直偏波測定において、４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下である周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、電波吸収体。

【0008】

項２． 抵抗層、誘電体層、及び反射層を含み、且つ
レドーム、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置されているλ／４型電波吸収体である、項１に記載の電波吸収体。

【0009】

項３． ０度入射の垂直偏波測定において、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、項２に記載の電波吸収体。

【0010】

項４． ０度入射の垂直偏波測定において、４０～５５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１０ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、項３に記載の電波吸収体。

【0011】

項５． ０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最大値が－１０ｄＢ以上である、項３又は４に記載の電波吸収体。

【0012】

項６． ０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値が－２７ｄＢ以上である、項３又は４に記載の電波吸収体。

【0013】

項７． ０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最大値が－５．５ｄＢ以上であり、且つ
０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値が－９．８ｄＢ以上である、項３又は４に記載の電波吸収体。

【0014】

項８． 保護層を含み、且つ
レドーム、保護層、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置されている、項２に記載の電波吸収体。

【0015】

項９． 前記保護層の比誘電率が１～５であり、且つ前記保護層の厚みが１００μｍ以上４００μｍ以下である、項８に記載の電波吸収体。

【0016】

項１０． レドームと保護層の間に粘着剤層を含む、項８に記載の電波吸収体。

【0017】

項１１． 前記粘着剤層の比誘電率が１～５であり、且つ前記粘着剤層の厚みが１μｍ以上２００μｍ以下である、項１０に記載の電波吸収体。

【0018】

項１２． 前記レドームの比誘電率が１～５であり、且つ前記レドームの厚みが１ｍｍ以上３ｍｍ以下である、項２に記載の電波吸収体。

【0019】

項１３． 絶縁層を含み、且つ
前記反射層の前記誘電体層とは反対側に絶縁層が配置されている、項２に記載の電波吸収体。

【0020】

項１４． 入射角３０度のＴＥ偏波測定において、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、項１～４のいずれかに記載の電波吸収体。

【0021】

項１５． 前記レドームの主面の曲率半径が５ｍｍ以上１００ｍｍ以下である、項１～４のいずれかに記載の電波吸収体。

【0022】

項１６． 一方の面側から、レドーム、第１の抵抗層、第１の誘電体層、及び反射層がこの順に配置され、且つ他方の面側から、第２の抵抗層、第２の誘電体層、及び反射層がこの順に配置されている、
項１に記載の電波吸収体。

【0023】

項１７． 前記反射層が単層であり、
レドーム、第１の抵抗層、第１の誘電体層、反射層、第２の誘電体層、及び第２の抵抗層がこの順に配置されている、項１６に記載の電波吸収体。

【0024】

項１８． 前記第１抵抗層の抵抗値が１００～４００Ω／□であり、前記第２の抵抗層の抵抗値が１００～６００Ω／□である、項１６に記載の電波吸収体。

【0025】

項１９． 前記第１の誘電体層の厚みが２００～１１００μｍであり且つその比誘電率が１～５であり、且つ
前記第２の誘電体層の厚みが２００～７００μｍであり且つその比誘電率が１～５である、項１６に記載の電波吸収体。

【0026】

項２０． 前記第１の誘電体層が下記式（１）を満たし、
前記第２の誘電体層が下記式（２）を満たす、項１６～１９いずれかに記載の電波吸収体。
式（１）：４００≦ｄ×√ε≦１６００
式（２）：７００≦ｄ×√ε≦１２００
（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）

【0027】

項２１． 両面の０度入射の垂直偏波測定のいずれにおいても、５０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、項１６に記載の電波吸収体。

【0028】

項２２． 抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されている電波吸収体用部材とレドームとを積層させる、項２～４及び１６～２１のいずれかに記載の電波吸収体の製造方法。

【0029】

項２３． レドームと、
抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されている電波吸収体用部材を含む、項２～４及び１６～２１のいずれかに記載の電波吸収体製造用キット。

【0030】

項２４． 抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されている電波吸収体用部材の使用方法であって、前記電波吸収体用部材をレドームに積層し、項２～４及び１６～２１いずれかに記載の電波吸収体とする、電波吸収体用部材の使用方法。

【発明の効果】

【0031】

本発明によれば、レドームを通って入ってくる電波に対する吸収性能に優れた電波吸収体を提供することができる。本発明の好ましい態様によれば、レドーム側（表面側）及び裏面側からの電波に対する吸収性能に優れた電波吸収体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0032】

【図1】実施例１の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図2】実施例２の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図3】実施例３の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図4】実施例４の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図5】実施例５の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図6】実施例６の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図7】実施例７の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図8】実施例８の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図9】実施例９の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図10】実施例１０の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図11】実施例１１の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図12】比較例１の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図13】比較例２の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図14】比較例３の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図15】比較例４の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図16】比較例５の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図17】実施例１２の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図18】実施例１３の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図19】実施例１４の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図20】実施例１５の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図21】実施例１６の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図22】比較例６の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【図23】実施例１２～１６の電波吸収体の裏面について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表す。

【発明を実施するための形態】

【0033】

本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。

【0034】

本発明は、その一態様において、レドームを含み、且つ０度入射の垂直偏波測定において、４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、電波吸収体（本明細書において、「本発明の電波吸収体」と示すこともある。）、に関する。以下に、これについて説明する。

【0035】

＜１．特性＞
本発明の電波吸収体は、レドームを含んでいながら、０度入射の垂直偏波測定において、４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、という特性（本明細書において、「本発明の特性」と示すこともある。）を備える。この特性を備えることにより、レドームを通って入ってくる電波に対して優れた吸収性能を発揮することができる。なお、反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域を複数有する場合には、少なくともひとつの連続した周波数帯域において反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上であることを示す。

【0036】

本発明の特性における周波数帯域の幅は、好ましくは３ＧＨｚ以上、より好ましくは４ＧＨｚ以上、さらに好ましくは５ＧＨｚ以上である。当該周波数帯域の幅の上限は、特に制限されないが、例えば１０ＧＨｚ、１２ＧＨｚ、又は１５ＧＨｚである。

【0037】

本発明の電波吸収体は、ミリ波レーダーに好適に利用可能であるという観点から、好ましくは、０度入射の垂直偏波測定において、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である（本明細書において、「特性Ａ」と示すこともある。）、という特性を備えることができる。

【0038】

特性Ａにおける周波数帯域の幅は、好ましくは２ＧＨｚ以上、より好ましくは３ＧＨｚ以上、さらに好ましくは５ＧＨｚ以上である。当該周波数帯域の幅の上限は、１０ＧＨｚである。

【0039】

本発明の電波吸収体は、レドームを含むので、レドームに起因する電波吸収ピークが発現し易い。当該ピークを制御してミリ波レーダーとしての性能（特に、７５～８５ＧＨｚにおける電波吸収性能）をより向上させる観点から、本発明の電波吸収体は、その一態様において、０度入射の垂直偏波測定において、４０～５５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１０ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である（本明細書において、「特性Ｂ」と示すこともある。）、という特性を備えることができる。

【0040】

特性Ｂにおける周波数帯域の幅は、好ましくは２ＧＨｚ以上、より好ましくは１０ＧＨｚ以上、さらに好ましくは１３ＧＨｚ以上である。当該周波数帯域の幅の上限は、１５ＧＨｚである。

【0041】

本発明の電波吸収体は、レドームを含むので、レドームに起因する電波吸収ピークを含む２つの電波吸収ピークが発現し易く、ピーク間の電波吸収性は比較的低くなり易い。これらのピークを制御してミリ波レーダーとしての性能（特に、７５～８５ＧＨｚにおける電波吸収性能）をより向上させる観点から、本発明の電波吸収体は、その一態様において、０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最大値が－１０ｄＢ以上である（本明細書において、「特性Ｃ」と示すこともある。）、という特性を備えることができる。

【0042】

特性Ｃにおける反射減衰量の最大値は、好ましくは－７ｄＢ以上、より好ましくは－５．５ｄＢ以上、さらに好ましくは－４．５ｄＢ以上である。当該値の上限は、特に制限されないが、例えば－１ｄＢ、－２ｄＢ、又は－３ｄＢである。

【0043】

本発明の電波吸収体は、レドームを含むので、レドームに起因する電波吸収ピークを含む２つの電波吸収ピークが発現し易く、ピーク間の電波吸収性は比較的低くなり易い。これらのピークを制御してミリ波レーダーとしての性能（特に、７５～８５ＧＨｚにおける電波吸収性能）をより向上させる観点から、本発明の電波吸収体は、その一態様において、０度入射の垂直偏波測定において、５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値が－２７ｄＢ以上である（本明細書において、「特性Ｄ」と示すこともある。）、という特性を備えることができる。

【0044】

特性Ｄにおける反射減衰量の最小値は、好ましくは－２６．５ｄＢ以上、より好ましくは－１０ｄＢ以上、さらに好ましくは－９．８ｄＢ以上である。当該値の上限は、特に制限されないが、例えば－１ｄＢ、－２ｄＢ、又は－３ｄＢである。

【0045】

特に、７５～８５ＧＨｚにおける電波吸収性能をより向上させる観点から、特性Ｃおよび特性Ｄの両方の性能を備えることが好ましく、特性Ｃにおける反射減衰量の最大値が－５．５ｄＢ以上、かつ、特性Ｄにおける反射減衰量の最小値が－９．８ｄＢ以上であることがより好ましい。

【0046】

上記した本発明の特性、特性Ａ、特性Ｂ、特性Ｃ及び特性Ｄは、以下の方法により測定及び算出することができる。

【0047】

ネットワークアナライザー ＭＳ４６４７Ｂ（アンリツ社製）、フリースペース材料測定置 ＢＤ１－２６．Ａ（キーコム社製）を用いて電波吸収測定装置を構成し、この電波吸収測定装置を用いて得られたλ／４型電波吸収体の電波吸収量をＪＩＳ Ｒ１６７９に基づいて測定する。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直入射かつ抵抗層面（支持体）からの入射となるようにセットする。得られた測定結果から指定の周波数内で該当する反射減衰量を読み取る。

【0048】

本発明の電波吸収体は、斜め入射の電波に対する電波吸収性能をより高める観点から、好ましくは、入射角３０度のＴＥ偏波測定において、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である（本明細書において、「特性Ｅ」と示すこともある。）、という特性を備えることができる。

【0049】

特性Ｅにおける周波数帯域の幅は、好ましくは４ＧＨｚ以上、より好ましくは６ＧＨｚ以上、さらに好ましくは８ＧＨｚ以上である。当該周波数帯域の幅の上限は、１０ＧＨｚである。

【0050】

上記した特性Ｅは、以下の方法により測定及び算出することができる。

【0051】

λ／４型電波吸収体に対して電波の入射角が３０度になるようにアンテナ位置を調整する以外は本発明の特性、特性Ａ、特性Ｂ、及び特性Ｃと同じように測定する。

【0052】

＜２．構成＞
本発明の電波吸収体の構成は、レドームを含み、且つ本発明の特性を備えるものである限り特に制限されず、例えば電波吸収体の公知の構成を採用することができる。一実施形態において、本発明の電波吸収体は、抵抗層、誘電体層、及び反射層を有する、という構成を備える。すなわち、一実施形態において、本発明の電波吸収体は、λ／４型電波吸収体である。以下に、この実施形態について説明する。

【0053】

＜２－１．レドーム＞
レドームは、本発明の電波吸収体が使用されるレーダー装置のアンテナを保護する電波透過性部材である。レドームとしては、特に制限されないが、例えば樹脂製であることができる。

【0054】

レドームを構成する樹脂としては、例えばアクリル樹脂、四フッ化エチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シンジオタクチックポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

【0055】

レドームの比誘電率は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５である。

【0056】

レドームの厚みは、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下、好ましくは０．７ｍｍ以上４ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。

【0057】

レドームの（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）は、例えば５００～２２０００、好ましくは１０００～１５０００、より好ましくは２０００～６０００、さらに好ましくは３０００～５７００、さらにより好ましくは３５００～４６００、特に好ましくは３７００～４５００である。レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）を上記範囲とすることで、特性Ａを満たし易くなり、後述の通り、電波吸収のピークが７９ＧＨｚ付近に現れるように調整し易くなる。

【0058】

レドームの厚みは、Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯＳＴＡＮＤＭＳ－１１Ｃ＋Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＦＣ－１０１によって測定することができる。

【0059】

レドームの比誘電率は、ネットワークアナライザー、空洞共振器などを用いて、１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができる。

【0060】

レドームの層構成は特に制限されない。レドームは、１種単独の誘電体層から構成されるものであってもよいし、２種以上の樹脂板が複数組み合わされたものであってもよい。

【0061】

レドームの形状は、上記機能を有する限りにおいて、特に制限されない。レドームの主面は、例えば平面上であることができる。レドームの主面の曲率半径は、一態様において、５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることができる。また、レドームの主面の曲率半径は、一態様において、５ｍｍ未満であることができる。

【0062】

レドームの曲率半径は、例えば、２０ｍｍ角の電波吸収体を貼る場合の貼り付け箇所の湾曲部において、任意の３点を通る外接円の半径から測定することができる。

【0063】

＜２－２．抵抗層＞
抵抗層は、電波吸収体において所定の抵抗値を備える層として機能し得る限り特に制限されない。

【0064】

抵抗層の抵抗値は、特に制限されない。抵抗層の抵抗値（シート抵抗）は、例えば１００～８００Ω／□である。該範囲の中でも、１５０～７５０Ω／□、さらに好ましくは２００～６００Ω／□、さらにより好ましくは２３０～３５０Ω／□である。上記範囲とすることでレドームを含む場合でも良好な電波吸収性を発現しやすくなる。

【0065】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、抵抗層の抵抗値（シート抵抗）は、より好ましくは１００～７００Ω／□、さらに好ましくは１００～６００Ω／□である。

【0066】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、少なくとも一方の抵抗層の抵抗値は１００～５５０Ω／□である。

【0067】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、一方の抵抗層の抵抗値が１００～６００Ω／□であり、且つもう一方の抵抗層の抵抗値が１００～４００Ω／□である。また、この場合、より好ましくは、レドームに近い方の抵抗層の抵抗値が１００～４００Ω／□であり、もう一方の抵抗層の抵抗値が１００～６００Ω／□である。表面側はレドームが存在するので、電波吸収性能の設計をレドームを含めた状態で行うことが望ましく、このため、設計の一手段として、表面側と裏面側とで抵抗層の抵抗値を異なるものとすることが好ましい。両者の抵抗値の差は、例えば１０Ω／□以上、２０Ω／□以上、又は５０Ω／□以上であることができる。レドームに近い方の抵抗層の抵抗値はより好ましくは２３０～３５０Ω／□である。

【0068】

抵抗層の抵抗値は、表面抵抗計（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＣＨＥＭＩＣＡＬＡＮＡＬＹＴＥＣＨ社製、商品名「Ｌｏｒｅｓｔａ－ＥＰ」）を用いて、４端子法により測定することができる。

【0069】

抵抗層の厚みは、特に制限されない。抵抗層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

【0070】

抵抗層の層構成は特に制限されない。抵抗層は、１種単独の層から構成されるものであってもよいし、２種以上の層が複数組み合わされたものであってもよい。

【0071】

＜２－２－１．酸化インジウム含有抵抗層＞
抵抗層としては、例えば酸化インジウム等の抵抗層材料を含有する抵抗層が挙げられる。好ましい一態様において、抵抗層材料としては、酸化インジウムに他の材料（ドーパント）がドープされてなる材料を含有することが好ましい。他の材料としては、特に制限されないが、例えば酸化スズ及び酸化亜鉛、並びにそれらの混合物等が挙げられる。

【0072】

酸化インジウムに酸化スズがドープされてなる材料の中でも、好ましくは、酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ２Ｏ３）に酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ２）をドープしたもの（酸化インジウムスズ）（ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄ ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が挙げられる。非晶質構造が極めて安定であり、高温多湿の環境下においても抵抗層のシート抵抗の変動を抑えることができる点から、ＩＴＯ中のＳｎＯ２含有量は、好ましくは１～４０重量％、より好ましくは２～３５重量％である。

【0073】

抵抗層中の上記抵抗層材料の含有量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

【0074】

＜２－２－２．モリブデン含有抵抗層＞
抵抗層としては、耐久性、シート抵抗の調整が容易である観点から、モリブデンを含有する抵抗層が好ましく用いられる。モリブデンの含有量の下限は特に限定されないが、より耐久性を高める観点から、５重量％が好ましく、７重量％がより好ましく、９重量％が更に好ましく、１１重量％がより更に好ましく、１３重量％が特に好ましく、１５重量％が非常に好ましく、１６重量％が最も好ましい。また、上記モリブデンの含有量の上限は、表面抵抗値の調整の容易化の観点から、３０重量％が好ましく、２５重量％がより好ましく、２０重量％が更に好ましい。

【0075】

上記抵抗層は、モリブデンを含有している場合、さらにニッケル及びクロムを含有することがより好ましい。抵抗層にモリブデンに加えてニッケル及びクロムを含有することでより耐久性に優れた電波吸収体とすることができる。ニッケル、クロム及びモリブデンを含有する合金としては、例えば、ハステロイＢ－２、Ｂ－３、Ｃ－４、Ｃ－２０００、Ｃ－２２、Ｃ－２７６、Ｇ－３０、Ｎ、Ｗ、Ｘ等の各種グレードが挙げられる。

【0076】

上記抵抗層がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、モリブデンの含有量が５重量％以上、ニッケルの含有量が４０重量％以上、クロムの含有量が１重量％以上であることが好ましい。モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量が上記範囲であることで、より耐久性に優れた電波吸収体とすることができる。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が７重量％以上、ニッケル含有量が４５重量％以上、クロム含有量が３重量％以上であることがより好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が９重量％以上、ニッケル含有量が４７重量％以上、クロム含有量が５重量％以上であることが更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１１重量％以上、ニッケル含有量が５０重量％以上、クロム含有量が１０重量％以上であることがより更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１３重量％以上、ニッケル含有量が５３重量％以上、クロム含有量が１２重量％以上であることが特に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１５重量％以上、ニッケル含有量が５５重量％以上、クロム含有量が１５重量％以上であることが非常に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１６重量％以上、ニッケル含有量が５７重量％以上、クロム含有量が１６重量％以上であることが最も好ましい。また、上記ニッケルの含有量は、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることが更に好ましい。上記クロム含有量の上限は、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３５重量％以下であることが更に好ましい。

【0077】

上記抵抗層は、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属を含有してもよい。そのような金属としては、例えば、鉄、コバルト、タングステン、マンガン、チタン等が挙げられる。上記抵抗層がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の上限は、抵抗層の耐久性の観点から、好ましくは４５重量％、より好ましくは４０重量％、更に好ましくは３５重量％、より更に好ましくは３０重量％、特に好ましくは２５重量％、非常に好ましくは２３重量％である。上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の下限は、例えば１重量％以上である。

【0078】

上記抵抗層が鉄を含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は２５重量％、より好ましい上限は２０重量％、更に好ましい上限は１５重量％であり、好ましい下限は１重量％である。上記抵抗層がコバルト及び／又はマンガンを含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、それぞれ独立して、含有量の好ましい上限は５重量％、より好ましい上限は４重量％、更に好ましい上限は３重量％であり、好ましい下限は０．１重量％である。上記抵抗層がタングステンを含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は８重量％、より好ましい上限は６重量％、更に好ましい上限は４重量％であり、好ましい下限は１重量％である。

【0079】

上記抵抗層は、ケイ素及び／又は炭素を含有してもよい。抵抗層がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、それぞれ独立して、１重量％以下であることが好ましく０．５重量％以下であることがより好ましい。また、抵抗層がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、０．０１重量％以上であることが好ましい。

【0080】

＜２－３．バリア層＞
耐久性の観点から、抵抗層の面上にバリア層を含むことが好ましい。バリア層は、抵抗層の少なくとも一方の表面上に配置される。バリア層について以下に詳述する。

【0081】

バリア層は、抵抗層を保護し、その劣化を抑えることができる層である限り、特に制限されない。バリア層の素材としては、例えば金属化合物、半金属化合物、好ましくは金属又は半金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物等が挙げられる。バリア層は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、上記素材以外の成分が含まれていてもよい。その場合、バリア層中の上記素材量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

【0082】

バリア層が含む金属元素としては、例えばチタン、アルミニウム、ニオブ、コバルト、ニッケル等が挙げられる。バリア層が含む半金属元素としては、例えばケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、ビスマス等が挙げられる。

【0083】

上記酸化物としては、例えばＭＯＸ［式中、Ｘは式：ｎ／１００≦Ｘ≦ｎ／２（ｎは金属又は半金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

【0084】

上記窒化物としては、例えばＭＮｙ［式中、Ｙは式：ｎ／１００≦Ｙ≦ｎ／３（ｎは金属又は半金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

【0085】

上記窒化酸化物としては、例えばＭＯＸＮｙ［式中、ＸとＹは、ｎ／１００≦Ｘ、ｎ／１００≦Ｙ、かつ、Ｘ＋Ｙ≦ｎ／２（ｎは金属又は半金属の価数である）であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

【0086】

上記酸化物又は窒化酸化物の酸化数Ｘに関しては、例えばＭＯｘ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面を、ＦＥ－ＴＥＭ－ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＯｘ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＯとの元素比率からＸを算出することにより、酸素原子の価数を算出することができる。

【0087】

上記窒化物又は窒化酸化物の窒素化数Ｙに関しては、例えばＭＮｙ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面を、ＦＥ－ＴＥＭ－ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ－ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＮｙ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＮとの元素比率からＹを算出することにより、窒素原子の価数を算出することができる。

【0088】

バリア層の素材の具体例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｕＯ、ＣｕＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）等が挙げられる。

【0089】

バリア層の厚みは、特に制限されない。バリア層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

【0090】

バリア層の層構成は特に制限されない。バリア層は、１種単独のバリア層から構成されるものであってもよいし、２種以上のバリア層が複数組み合わされたものであってもよい。

【0091】

＜２－４．誘電体層＞
誘電体層は、電波吸収体において目的の波長に対して誘電体として機能し得るものである限り、特に制限されない。誘電体層としては、特に制限されないが、例えば樹脂シート、粘着剤等が挙げられる。

【0092】

樹脂シートは、樹脂を素材として含むシート状のものである限り、特に制限されない。樹脂シートは、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。その場合、樹脂シート中の樹脂の合計量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

【0093】

樹脂としては、特に制限されず、例えばエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル、ウレタン、アクリル、アクリルウレタン、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴムおよびシリコーンゴム等の合成ゴム材料を樹脂成分として用いることが好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

【0094】

誘電体層は、発泡体や粘着剤であってもよい。

【0095】

粘着剤としては、特に制限されず、例えばアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、フッ素系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、耐候性が高いという観点から、アクリル系粘着剤が好ましい。

【0096】

誘電体層は、粘着性を備えるものであってもよい。このため、粘着性を有しない誘電体を粘着剤層により他の層に積層させる場合、該誘電体と粘着剤層とを合わせたものが「誘電体層」となる。隣接する層と積層し易いという観点から、誘電体層は、好ましくは粘着剤層を含む。

【0097】

誘電体層の比誘電率は、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。誘電体層の比誘電率を調節することにより、本発明の特性における周波数帯域の幅を調節することが可能である。誘電体層の比誘電率は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５である。

【0098】

誘電体層の厚みは、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。誘電体層の厚みを調節することにより、本発明の特性における周波数帯域の幅を調節することが可能である。誘電体層の厚みは、例えば１００μｍ以上１０００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以上８００μｍ以下、より好ましくは４００μｍ以上７００μｍ以下、特に好ましくは４５０μｍ以上６５０μｍ以下である。

【0099】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、誘電体層の厚みは、例えば２００μｍ以上１５００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以上１１００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。

【0100】

誘電体層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）は、例えば１００～４４５０、好ましくは２００～３０００、より好ましくは４００～２２００、さらに好ましくは４５０～１４５０、さらにより好ましくは５５０～１０００、特に好ましくは７５０～９５０である。レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）を上記範囲とすることで、特性Ａを満たし易くなり、後述の通り、電波吸収のピークが７９ＧＨｚ付近に現れるように調整し易くなる。

【0101】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、少なくとも一方の誘電体層の比誘電率が１～５であり、且つその厚みが２００～１０００μｍであることが好ましい。

【0102】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、一方の面の誘電体層の厚みが２００～１１００μｍであり且つその比誘電率が１～５であり、且つもう一方の誘電体層の厚みが２００～７００μｍであり且つその比誘電率が１～５である。また、この場合、より好ましくは、レドームに近い方の誘電体層の厚みが２００～１１００μｍであり且つその比誘電率が１～５であり、且つもう一方の誘電体層の厚みが２００～７００μｍであり且つその比誘電率が１～５である。表面側はレドームが存在するので、電波吸収性能の設計をレドームを含めた状態で行うことが望ましく、このため、設計の一手段として、表面側と裏面側とで誘電体層の厚み及び比誘電率を異なるものとすることが好ましい。両者の厚みの差は、例えば２０μｍ以上、５０μｍ以上、又は１００μｍ以上であることができる。

【0103】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）において、レドームに近い方の誘電体層が下記式（１）を満たし、他方の誘電体層が下記式（２）を満たす。
式（１）：４００≦ｄ×√ε≦１６００
式（２）：７００≦ｄ×√ε≦１２００
（式中、ｄは誘電体層の厚み（μｍ）を示し、εは誘電体層の比誘電率を示す。）
式（１）におけるｄ×√εの下限は、より好ましくは４２０、さらに好ましくは６０００であり、上限は、より好ましくは１５００、さらに好ましくは７００である。式（２）におけるｄ×√εの下限は、より好ましくは７５０、さらに好ましくは７６０であり、上限は、より好ましくは１０００、さらに好ましくは８００である。

【0104】

誘電体層が複数の層からなる場合は、それぞれの層についての値を出して合算して算出する。例えば、誘電体層が、誘電体層１及び誘電体層２（例えば粘着テープ等）からなる場合は、「ｄ×√ε」は、「誘電体層１の厚み×（誘電体層１の比誘電率）０．５」と「誘電体層２の厚み×（誘電体層２の比誘電率）０．５」とを合算して算出する。

【0105】

誘電体層の厚みは、Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯＳＴＡＮＤＭＳ－１１Ｃ＋Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＦＣ－１０１によって測定することができる。

【0106】

誘電体層の比誘電率は、ネットワークアナライザー、空洞共振器などを用いて、１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができる。

【0107】

誘電体層の層構成は特に制限されない。誘電体層は、１種単独の誘電体層から構成されるものであってもよいし、２種以上の誘電体層が複数組み合わされたものであってもよい。例えば、粘着性を有しない誘電体とその両面に配置された粘着剤層とからなる３層構造の誘電体層、粘着性を有する誘電体からなる１層構造の誘電体層等が挙げられる。

【0108】

＜２－５．反射層＞
反射層は、電波吸収体において電波の反射層として機能し得るものである限り、特に制限されない。反射層としては、特に制限されないが、例えば金属層が挙げられる。

【0109】

金属層は、金属を素材として含む層である限り、特に制限されない。金属層は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、金属以外の成分が含まれていてもよい。その場合、金属層中の金属の合計量は、例えば３０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは９５質量％以上、非常に好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

【0110】

金属としては、特に制限されず、例えばアルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウム等が挙げられる。また、金属化合物、例えばＩＴＯ等も、金属層の素材として使用することができる。これらは１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

【0111】

反射層の厚みは、特に制限されない。反射層の厚みは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは２μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下である。

【0112】

反射層の層構成は特に制限されない。反射層は、１種単独の反射層から構成されるものであってもよいし、２種以上の反射層が複数組み合わされたものであってもよい。

【0113】

＜２－６．保護層＞
本発明の電波吸収体は、さらに保護層を有することが好ましい。これにより、抵抗層を保護することができ、電波吸収体としての耐久性を高めることが可能である。保護層は、抵抗層の誘電体層とは反対側に配置される。表面の場合は、レドームと抵抗層との間に配置される。保護層は、シート状のものである限り、特に制限されない。保護層としては、特に制限されないが、例えば樹脂基材が挙げられる。

【0114】

樹脂基材は、樹脂を素材として含む基材であって、シート状のものである限り、特に制限されない。樹脂基材は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。例えば、比誘電率を調整する観点から酸化チタン等が含まれていてもよい。樹脂基材中の樹脂の合計量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

【0115】

樹脂としては、特に制限されず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン樹脂、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のポリビニルアセタール樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

【0116】

これらの中でも、生産性や強度の観点から、好ましくはポリエステル系樹脂、より好ましくはポリエチレンテレフタレートが挙げられる。

【0117】

保護層の比誘電率は、特に制限されない。保護層の比誘電率は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５である。

【0118】

保護層の厚みは、特に制限されない。保護層の厚みは、例えば５μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上２００μｍ以下、特に好ましくは２５μｍ以上１５０μｍ以下である。

【0119】

保護層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）は、例えば５～２２００、好ましくは１０～１１００、より好ましくは２０～６３０、さらに好ましくは２５～３３０、特に好ましくは１５０～２５０である。レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）を上記範囲とすることで、特性Ａを満たし易くなり、後述の通り、電波吸収のピークが７９ＧＨｚ付近に現れるように調整し易くなる。

【0120】

保護層の厚みは、Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯＳＴＡＮＤＭＳ－１１Ｃ＋Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＦＣ－１０１によって測定することができる。

【0121】

保護層の比誘電率は、ネットワークアナライザー、空洞共振器などを用いて、１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができる。

【0122】

保護層の層構成は特に制限されない。保護層は、１種単独の保護層から構成されるものであってもよいし、２種以上の保護層が複数組み合わされたものであってもよい。

【0123】

＜２－７．絶縁層＞
本発明の電波吸収体は、一態様において、絶縁層を含み、且つ反射層の誘電体層とは反対側に絶縁層が配置されていることが好ましい。これにより、反射層と他の通電部材との接触により生じる短絡を防ぐことができる。絶縁層は、絶縁性能を有するものである限り特に制限されないが、例えば上記した樹脂や、ガラス、セラミック等が挙げられる。

【0124】

絶縁層の厚みは、特に制限されない。絶縁層の厚みは、例えば５μｍ以上１９５μｍ以下、好ましくは４０μｍ以上１３０μｍ以下、より好ましくは７０μｍ以上９０μｍ以下である。

【0125】

絶縁層の層構成は特に制限されない。絶縁層は、１種単独の絶縁層から構成されるものであってもよいし、２種以上の絶縁層が複数組み合わされたものであってもよい。

【0126】

＜２－８．層構成＞
本発明の電波吸収体において、各層は、電波吸収性能を発揮することができる順に配置される。本発明の電波吸収体が抵抗層、誘電体層、及び反射層を含む場合、一例として、レドーム、抵抗層、誘電体層、及び反射層は、この順に配置される。本発明の電波吸収体がさらに保護層を有する場合、一例として、レドーム、保護層、抵抗層、誘電体層、及び反射層は、この順に配置される。

【0127】

本発明の特性を満たす限りにおいては、上記層以外に、さらに他の層を含むものであってもよい。他の層は、保護層、抵抗層、誘電体層、及び反射層それぞれの層の、どちらか一方の表面上に配置され得る。

【0128】

他の層としては、例えば、反射層の誘電体層側とは反対側の面上に配置される粘着剤層が挙げられる。この粘着剤層により、本発明の電波吸収体を、他の部材（例えば、自動車内のデバイス等）により容易に取り付けることが可能になる。この観点から、本発明の電波吸収体は、反射層の誘電体層側とは反対側の面上に粘着剤層が配置されていることが好ましい。また、この粘着剤層により、２つの電波吸収体の反射層側を貼り合わせることにより簡便に、好ましい一態様の（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様の）本発明の電波吸収体を得ることができる。

【0129】

他の層の別の例としては、レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層が挙げられる。この粘着剤層により、保護層又は抵抗層をレドームに安定に固定することができる。この場合、粘着剤層は、本発明の特性の観点から、比誘電率が１以上５以下であり、且つ厚みが１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

【0130】

レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の厚みは、例えば５μｍ以上１０００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。

【0131】

レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の比誘電率は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５である。

【0132】

レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）は、例えば５～４５００、好ましくは１０～１９００、より好ましくは２０～３１５、さらに好ましくは５０～１００である。レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層の（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）を上記範囲とすることで、特性Ａを満たし易くなり、後述の通り、電波吸収のピークが７９ＧＨｚ付近に現れるように調整し易くなる。

【0133】

粘着剤層の粘着剤としては、特に制限されず、例えばアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、フッ素系粘着剤等が挙げられる。

【0134】

本発明の一態様においては、上記した位置の粘着剤層以外の他の層は存在しない。

【0135】

本発明の電波吸収体は、好ましい一態様において、一方の面側（レドーム側：表面側）から、レドーム、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置され、且つ他方の面側（レドーム側とは反対側：裏面側）から、抵抗層、誘電体層、及び反射層がこの順に配置されている。この場合、本発明の電波吸収体は、２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備えている。この態様によって、レドーム側（表面側）及び裏面側からの電波に対する吸収性能に優れた電波吸収体を提供することができる。

【0136】

本発明の一態様において、本発明の電波吸収体は、表面側から、レドーム、抵抗層、誘電体層、反射層、反射層、誘電体層、及び抵抗層がこの順に配置されている。すなわち、当該態様においては、本発明の電波吸収体は、２つの反射層を備えている。

【0137】

本発明の一態様において、本発明の電波吸収体は、反射層が単層（１つ）である態様である、すなわち、表面側から、レドーム、第１の抵抗層、第１の誘電体層、反射層、第２の誘電体層、及び第２の抵抗層がこの順に配置されている。これは、表面側と裏面側とで反射層を共有している態様であり、このような構成とすることにより全体の厚みを小さく抑えることができる。

【0138】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）の電波吸収体は、レドーム側（表面側）及び裏面側からの電波に対する吸収性能に優れている。例えば、当該電波吸収体は、両面の０度入射の垂直偏波測定のいずれにおいても、５０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅が２ＧＨｚ以上である、という性能を有する。

【0139】

周波数帯域の幅は、好ましくは１ＧＨｚ以上、より好ましくは２ＧＨｚ以上、さらに好ましくは３ＧＨｚ以上である。当該周波数帯域の幅の上限は、特に制限されないが、例えば１０ＧＨｚ、１５ＧＨｚ、又は２０ＧＨｚである。

【0140】

上記した性能は、以下の方法により測定及び算出することができる。

【0141】

ネットワークアナライザー ＭＳ４６４７Ｂ（アンリツ社製）、フリースペース材料測定置 ＢＤ１－２６．Ａ（キーコム社製）を用いて電波吸収測定装置を構成し、この電波吸収測定装置を用いて得られたλ／４型電波吸収体の電波吸収量をＪＩＳ Ｒ１６７９に基づいて測定する。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直入射かつ抵抗層面（支持体）からの入射となるようにセットする。得られた測定結果から指定の周波数内で該当する反射減衰量を読み取る。

【0142】

＜２－９．製造方法＞
本発明の電波吸収体は、その構成に応じて、様々な方法、例えば公知の製造方法に従って又は準じて得ることができる。例えば、保護層上に抵抗層、誘電体層、及び反射層を順に積層させる工程（工程１）、及び得られた電波吸収体用部材とレドームとを積層させる工程（工程２）を含む方法により、得ることができる。

【0143】

本発明の好ましい一態様（２つの抵抗層及び２つの誘電体層を備える態様）の電波吸収体は、その構成に応じて、様々な方法、例えば公知の製造方法に従って又は準じて得ることができる。例えば、保護層上に抵抗層、誘電体層、反射層、誘電体層、抵抗層を順に積層させる工程（工程Ａ）、或いは保護層上に抵抗層、誘電体層、反射層を順に積層させて得られた２つの積層体の反射層側を貼り合わせる工程（工程Ｂ）、及び得られた電波吸収体用部材とレドームとを積層させる工程（工程２）を含む方法により、得ることができる。

【0144】

本発明は、一態様において、抵抗層、誘電体、及び反射層がこの順に配置されているλ／４型電波吸収体用部材とレドームとを積層させる、本発明の電波吸収体の製造方法、に関する。

【0145】

積層方法は特に制限されない。

【0146】

抵抗層は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、パルスレーザーデポジション法等により行うことができる。これらの中でも、層厚制御性の観点から、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、特に限定されないが、例えば、直流マグネトロンスパッタ、高周波マグネトロンスパッタ及びイオンビームスパッタ等が挙げられる。また、スパッタ装置は、バッチ方式であってもロール・ツー・ロール方式であってもよい。

【0147】

誘電体層や反射層は、例えば誘電体層が有する粘着性を利用して、積層することができる。

【0148】

λ／４型電波吸収体の吸収性能は、各層の「（厚み）×√（比誘電率）」や、その組み合わせによって減衰量ピークの位置（ＧＨｚ）、減衰量（ｄＢ）が変動する。通常、抵抗層／誘電体層／反射層の順に積層して得られる電波吸収体は、４０～９０ＧＨｚの間に減衰量ピークが１つ発生し、任意の周波数に減衰量ピークが位置するように設計する。レドームは電波透過性のケース・カバーであり、一定の厚み及び一定の比誘電率を有するので、「（厚み）×√（比誘電率）」が比較的高い。特に限定されるものではないが、一般的には厚みが２０００μｍ以上、比誘電率が３．０以上のレドームが用いられるため、「（厚み［μｍ］）×√（比誘電率）」の値は、３４６４以上となる場合が多い。この影響で、レドーム／抵抗層／誘電体層／反射層の順に積層する場合、レドームを透過する電波に対しては４０～９０ＧＨｚの間に減衰量ピークが２つ発生する。本発明の好ましい一態様においては、４０Ｈｚ側から数えて２つ目のピークを狙いの周波数（例えば７９ＧＨｚ）に位置するように、誘電体層の厚み、誘電体層の比誘電率、抵抗値等を、積層するレドームを考慮して設計することができる。４０Ｈｚ側から数えて２つ目のピークを狙いの周波数（例えば７９ＧＨｚ）に位置に調整する方法としては例えば、レドームと保護層又は抵抗層の間に配置される粘着剤層、保護層、誘電体層の（厚み）×√（比誘電率）をそれぞれ調整する方法が挙げられる。特に、粘着剤層の（厚み）×√（比誘電率）を１０～１９００、保護層の（厚み）×√（比誘電率）を０～１１００、誘電体層の（厚み）×√（比誘電率）を２００～３０００の範囲に調整することにより、２つ目の減衰量ピークが７９ＧＨｚ付近に位置し易くなるので、特性Ａを満たし易くなる。また、抵抗層の抵抗値を３７０Ω／□以下に設計すると４０Ｈｚ側から数えて１つ目の減衰量ピークが大きくなるので、特性Ｂを満たし易くなる（但し、高周波数側にピークシフトする場合があるので、各層の（厚み）×√（比誘電率）と併せて設計必要）。

【0149】

＜２－１０．用途＞
本発明の電波吸収体は、不要な電磁波を吸収する性能を有するため、例えば光トランシーバや、次世代移動通信システム（５Ｇ）、近距離無線転送技術等における電波対策部材として好適に利用できる。また、その他の用途として自動車、道路、人の相互間で情報通信を行う高度道路交通システム（ＩＴＳ）や自動車衝突防止システムに用いるミリ波レーダーにおいても、電波干渉抑制やノイズ低減の目的で用いることができる。

【0150】

本発明は、その一態様において、成形品と、前記成形品に取り付けられた本発明の電波吸収体とを備える、電波吸収シート付成形品、に関する。成形品としては、例えば上記各種用途において使用される部材等が挙げられる。本発明の電波吸収体を成形品に取り付ける方法としては、特に制限されず、例えば粘着剤を介して取り付ける方法や、固定具により取り付ける方法が挙げられる。電波吸収シート付成形品の好ましい一例としては、ミリ波レーダーが挙げられる。

【0151】

本発明の電波吸収体が対象とする電波の周波数は、好ましくは１０～１５０ＧＨｚ、より好ましくは２０～１２０ＧＨｚ、さらに好ましくは３０～１００ＧＨｚ、さらにより好ましくは５５～９０ＧＨｚ、特に好ましくは７０～９０ＧＨｚである。

【実施例0152】

以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。

【0153】

（１）λ／４型電波吸収体の製造１
（実施例１）
支持体として、厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（比誘電率３．４）（東洋紡フィルムソリューション社製、Ｕ２Ｌ９２Ｗ）を用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚み１０ｎｍ且つシート抵抗値３３０Ω／□の抵抗層を形成し抵抗層及び保護層とした。スパッタリングはハステロイＣ－２７６をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、形成した抵抗層上に厚み４８５μｍ且つ比誘電率２．５のアクリル両面粘着テープからなる誘電体層を積層し、更に誘電体層上に厚み６２μｍのアルペット（パナック社製、アルミ箔：１２μｍ、ＰＥＴ：５０μｍ）からなる反射層のアルミ箔面を積層した。次いで、保護層に厚み５０μｍ且つ比誘電率２．８のアクリル両面粘着テープを用いて、厚み２ｍｍ且つ比誘電率３．５の板状のＰＢＴに貼り合わせてレドーム付きのλ／４型電波吸収シートを得た。

【0154】

（実施例２～１１及び１７～１８、比較例１～５）
レドームの物性、厚み、有無； 保護層・抵抗層の物性； 誘電体層の物性、厚み を表１及び表２の通りに変更する以外は実施例１と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。

【0155】

（２）測定１
（２－１）０度入射の垂直偏波測定
実施例１～１１及び比較例１～２の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定を行い、以下の項目を算出した。
・４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量が－１５ｄＢ以上の周波数帯域の幅
・７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅
・７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値
・４０～５５ＧＨｚにおける反射減衰量－１０ｄＢ以下の周波数帯域の幅
・５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最大値
・５５～７０ＧＨｚにおける反射減衰量の最小値
測定及び算出方法は以下のとおりである。

【0156】

ネットワークアナライザー ＭＳ４６４７Ｂ（アンリツ社製）、フリースペース材料測定置 ＢＤ１－２６．Ａ（キーコム社製）を用いて電波吸収測定装置を構成し、この電波吸収測定装置を用いて得られたλ／４型電波吸収体の電波吸収量をＪＩＳ Ｒ１６７９に基づいて測定した。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直入射かつ抵抗層面（支持体）からの入射となるようにセットした。得られた測定結果から指定の周波数内で該当する反射減衰量を読み取った。

【0157】

（２－２）入射角３０度のＴＥ偏波測定
実施例１～１１及び比較例１～２の電波吸収体について入射角３０度のＴＥ偏波測定を行い、７５～８５ＧＨｚにおける反射減衰量－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅を算出した。

【0158】

測定及び算出方法は以下のとおりである。

【0159】

λ／４型電波吸収体に対して電波の入射角が３０度になるようにアンテナ位置を調整する以外は（２－１）０度入射の垂直偏波測定と同じように測定した。

【0160】

（２－３）曲面追従性の評価
実施例１７～１８の電波吸収体について曲面追従性を評価した。評価方法は以下のとおりである。

【0161】

曲率半径１００ｍｍに湾曲させた板状のＰＢＴを用意し、表面をアルコールで拭き取り2時間乾燥させた後に電波吸収体をおよそ荷重０．３ＭＰａで貼り合わせた。貼り合わせ後に２４時間放置し、吸収体に浮きやシワが発生していなかった場合を〇、発生していた場合を×とした。

【0162】

（３）結果
結果を表１及び表２に示す。また、実施例１～１１及び比較例１～５の電波吸収体について０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表すグラフを図１～１６に示す。

【0163】

【表1】

【0164】

【表2】

【0165】

（４）λ／４型電波吸収体の製造２
（実施例１２）
支持体として、厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（比誘電率３．４）（東洋紡フィルムソリューション社製、Ｕ２Ｌ９２Ｗ）を用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚み１０ｎｍ且つシート抵抗値３３０Ω／□の抵抗層を形成し抵抗層及び保護層とした。スパッタリングはハステロイＣ－２７６をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、形成した抵抗層上に厚み４８５μｍ且つ比誘電率２．５のアクリル両面粘着テープからなる誘電体層を積層し、更に誘電体層上に厚み１２μｍの銅（福田金属箔粉社製）からなる反射層を積層して表面用のλ／４型電波吸収シートを得た。次に、表面用と同じ手順で裏面用のλ／４型電波吸収シートを用意し、それぞれの反射層を厚み５０μｍ且つ比誘電率２．８のアクリル両面粘着テープを用いて積層した。次に、厚み２．２ｍｍ且つ誘電率３．５のＰＢＴ－ＧＦ３０を用意し、厚み５０μｍ且つ比誘電率２．８のアクリル両面粘着テープを用いて表面の保護層に貼り合わせてレドーム付きのλ／４型電波吸収シートを得た。

【0166】

（実施例１３～１６、比較例６）
レドームの物性、厚み、有無； 抵抗層の物性； 誘電体層の物性；裏面の電波吸収体の有無 を表３の通りに変更する以外は実施例１２と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。

【0167】

（５）測定２
（５－１）０度入射の垂直偏波測定
実施例１２～１６及び比較例６の電波吸収体の表面（レドームに近い方の面）及び裏面それぞれについて０度入射の垂直偏波測定を行い、４０～８５ＧＨｚにおける反射減衰量－１５ｄＢ以下の周波数帯域の幅を、算出した。

【0168】

測定及び算出方法は以下のとおりである。

【0169】

ネットワークアナライザー ＭＳ４６４７Ｂ（アンリツ社製）、フリースペース材料測定置 ＢＤ１－２６．Ａ（キーコム社製）を用いて電波吸収測定装置を構成し、この電波吸収測定装置を用いて得られたλ／４型電波吸収体の電波吸収量をＪＩＳ Ｒ１６７９に基づいて測定した。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直入射かつ抵抗層面（支持体）からの入射となるようにセットした。得られた測定結果から指定の周波数内で該当する反射減衰量を読み取った。

【0170】

（６）結果
結果を表３に示す。また、０度入射の垂直偏波測定で得られた、各周波数における減衰量を表すグラフを図１７～２３に示す。図１７～２２は表面の結果を示し、図２３は裏面の結果を示す。

【0171】

【表3】

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】