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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024095689
(43)【公開日】2024-07-10
(54)【発明の名称】弾性波デバイスとその作製方法、及び無線周波数フィルタ
(51)【国際特許分類】
H03H 9/25 20060101AFI20240703BHJP
H03H 9/145 20060101ALI20240703BHJP
H03H 9/64 20060101ALI20240703BHJP
H03H 9/72 20060101ALI20240703BHJP
H03H 3/08 20060101ALI20240703BHJP
【ＦＩ】
H03H9/25 C
H03H9/145 C
H03H9/64 Z
H03H9/72
H03H3/08
【審査請求】有
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024043499
(22)【出願日】2024-03-19
(62)【分割の表示】P 2021520613の分割
【原出願日】2019-10-15
(31)【優先権主張番号】62/746,512
(32)【優先日】2018-10-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】504157024
【氏名又は名称】国立大学法人東北大学
(74)【代理人】
【識別番号】100083806
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 秀和
(74)【代理人】
【識別番号】100111235
【弁理士】
【氏名又は名称】原 裕子
(74)【代理人】
【識別番号】100170575
【弁理士】
【氏名又は名称】森 太士
(74)【代理人】
【識別番号】100195257
【弁理士】
【氏名又は名称】大渕 一志
(72)【発明者】
【氏名】門田 道雄
(72)【発明者】
【氏名】田中 秀治
(72)【発明者】
【氏名】石井 好美
【テーマコード（参考）】
5J097
【Ｆターム（参考）】
5J097AA13
5J097BB11
5J097FF01
5J097GG02
5J097GG03
5J097GG04
5J097HA01
5J097KK03
5J097KK06
(57)【要約】 （修正有）
【課題】弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスのような弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、第１表面１１３ａを有する水晶基板１１２と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板１０４とを含み、当該圧電板１０４は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面１０３ａと、水晶基板１１２の第１表面１１３ａに係合する第２表面１０３ｂとを有する。圧電板１０４の第２表面１０３ｂは、当該圧電板１０４の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。弾性波デバイスはさらに、圧電板１０４の第１表面１０３ａ上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含んでよく、弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与える。
【選択図】図６Ａー６Ｄ
【解決手段】弾性波デバイスは、第１表面１１３ａを有する水晶基板１１２と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板１０４とを含み、当該圧電板１０４は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面１０３ａと、水晶基板１１２の第１表面１１３ａに係合する第２表面１０３ｂとを有する。圧電板１０４の第２表面１０３ｂは、当該圧電板１０４の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。弾性波デバイスはさらに、圧電板１０４の第１表面１０３ａ上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含んでよく、弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与える。
【選択図】図６Ａー６Ｄ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
弾性波デバイスであって、
第１表面を含む水晶基板と、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板であって、弾性表面波をサポートす
るべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第１表面に係合する第２表面とを含む圧電
板と、
前記圧電板の第１表面上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
を含み、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス（－）表面であり、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記弾性表面波に関連付けられるトラ
ンスデューサ機能を与えるように構成される、弾性波デバイス。
第１表面を含む水晶基板と、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板であって、弾性表面波をサポートす
るべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第１表面に係合する第２表面とを含む圧電
板と、
前記圧電板の第１表面上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
を含み、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス（－）表面であり、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記弾性表面波に関連付けられるトラ
ンスデューサ機能を与えるように構成される、弾性波デバイス。
【請求項2】
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含む、
請求項１の弾性波デバイス。
請求項１の弾性波デバイス。
【請求項3】
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面である、
請求項２の弾性波デバイス。
請求項２の弾性波デバイス。
【請求項4】
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角
度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲に
ある値を有する、請求項３の弾性波デバイス。
度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲に
ある値を有する、請求項３の弾性波デバイス。
【請求項5】
角度φは０°の値を有する、請求項４の弾性波デバイス。
【請求項6】
角度ψは０°の値を有する、請求項４の弾性波デバイス。
【請求項7】
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である
、請求項２の弾性波デバイス。
、請求項２の弾性波デバイス。
【請求項8】
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角
度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲に
ある値を有する、請求項７の弾性波デバイス。
度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲に
ある値を有する、請求項７の弾性波デバイス。
【請求項9】
角度φは０°の値を有する、請求項８の弾性波デバイス。
【請求項10】
角度ψは０°の値を有する、請求項８の弾性波デバイス。
【請求項11】
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因する非分極表面である、
請求項２の弾性波デバイス。
請求項２の弾性波デバイス。
【請求項12】
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）
を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０
°の範囲にある値を有する、請求項１１の弾性波デバイス。
を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０
°の範囲にある値を有する、請求項１１の弾性波デバイス。
【請求項13】
角度φは９０°の値を有し、角度ψは９０°の値を有する、請求項１２の弾性波デバイス
。
。
【請求項14】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，１０°～８０°，０°）、（０°，１００°～１７０
°，０°）、（０°，１９０°～２６０°，０°）又は（０°，２８０°～３５０°，０
°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，１０°～８０°，０°）、（０°，１００°～１７０
°，０°）、（０°，１９０°～２６０°，０°）又は（０°，２８０°～３５０°，０
°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項15】
前記圧電板はＬｉＮｂＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～８５°，０°）、（０°，９５°～１７５°，
０°）、（０°，１８５°～２６５°，０°）又は（０°，２７５°～３５５°，０°）
を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～８５°，０°）、（０°，９５°～１７５°，
０°）、（０°，１８５°～２６５°，０°）又は（０°，２７５°～３５５°，０°）
を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項16】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～５３°，９０°）、（０°，１２７°～１７５
°，９０°）、（０°，１８５°～２３３°，９０°）又は（０°，３０７°～３５５°
，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～５３°，９０°）、（０°，１２７°～１７５
°，９０°）、（０°，１８５°～２３３°，９０°）又は（０°，３０７°～３５５°
，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項17】
前記圧電板はＬｉＮｂＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～５２°，９０°）、（０°，１２６°～１８０
°，９０°）、（０°，１８０°～２３２°，９０°）又は（０°，３０６°～３６０°
，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～５２°，９０°）、（０°，１２６°～１８０
°，９０°）、（０°，１８０°～２３２°，９０°）又は（０°，３０６°～３６０°
，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項18】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～３６０°，０°～６０°）又は（０°，０°～
３６０°，１２０°～１８０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～３６０°，０°～６０°）又は（０°，０°～
３６０°，１２０°～１８０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項19】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成され、前記水晶基板はオイラー角（
０°，０°～３６０°，０°～４５°）又は（０°，０°～３６０°，１３５°～１８０
°）を含む、請求項１８の弾性波デバイス。
０°，０°～３６０°，０°～４５°）又は（０°，０°～３６０°，１３５°～１８０
°）を含む、請求項１８の弾性波デバイス。
【請求項20】
前記圧電板の第１表面に実装されて前記インターディジタルトランスデューサ電極の第１
側及び第２側に配置される第１反射器及び第２反射器をさらに含む、請求項１の弾性波デ
バイス。
側及び第２側に配置される第１反射器及び第２反射器をさらに含む、請求項１の弾性波デ
バイス。
【請求項21】
前記圧電板の厚さは０．０４λから１．５λの範囲にあり、数量λは前記弾性表面波の波
長である、請求項１の弾性波デバイス。
長である、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項22】
前記圧電板の厚さは０．０６λから１．０λの範囲にある、請求項２１の弾性波デバイス
。
。
【請求項23】
弾性波デバイスを作製する方法であって、
第１表面を有する水晶基板を形成すること又は与えることと、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３を有する圧電板を、弾性表面波をサポートするべく構成さ
れる第１表面と、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面となる第２表面とを
含むように形成すること又は与えることと、
前記圧電板を、前記圧電板のマイナス表面が前記水晶基板の第１表面に係合するように、
前記水晶基板に結合することと
を含む、方法。
第１表面を有する水晶基板を形成すること又は与えることと、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３を有する圧電板を、弾性表面波をサポートするべく構成さ
れる第１表面と、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面となる第２表面とを
含むように形成すること又は与えることと、
前記圧電板を、前記圧電板のマイナス表面が前記水晶基板の第１表面に係合するように、
前記水晶基板に結合することと
を含む、方法。
【請求項24】
前記弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与えるようにインターディジタ
ルトランスデューサ電極を前記圧電板の第１表面に形成することをさらに含む、請求項２
３の方法。
ルトランスデューサ電極を前記圧電板の第１表面に形成することをさらに含む、請求項２
３の方法。
【請求項25】
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含む、
請求項２３の方法。
請求項２３の方法。
【請求項26】
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面、マイナ
ス表面又は非分極表面である、請求項２５の方法。
ス表面又は非分極表面である、請求項２５の方法。
【請求項27】
前記水晶基板の第１表面はプラス表面であり、
前記水晶基板はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項２６の方法。
前記水晶基板はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項２６の方法。
【請求項28】
前記水晶基板の第１表面はマイナス表面であり、
前記水晶基板はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項２６の方法。
前記水晶基板はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項２６の方法。
【請求項29】
前記水晶基板の第１表面は非分極表面であり、
前記水晶基板はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φ
は０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある
値を有する、請求項２６の方法。
前記水晶基板はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φ
は０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある
値を有する、請求項２６の方法。
【請求項30】
前記圧電板を形成すること又は与えることは、前記圧電板を前記水晶基板に結合した後に
前記圧電板を形成することを含む、請求項２３の方法。
前記圧電板を形成することを含む、請求項２３の方法。
【請求項31】
前記圧電板を前記水晶基板に結合することと前記圧電板を形成することとは、厚い圧電層
を前記水晶基板に接合することと、それに引き続いて前記水晶基板に係合された前記圧電
板をもたらすべく前記厚い圧電層を薄くすることとを含む、請求項３０の方法。
を前記水晶基板に接合することと、それに引き続いて前記水晶基板に係合された前記圧電
板をもたらすべく前記厚い圧電層を薄くすることとを含む、請求項３０の方法。
【請求項32】
前記厚い圧電層を薄くすることは研磨プロセスを含む、請求項３１の方法。
【請求項33】
前記圧電板を形成すること又は与えることは、前記圧電板を前記水晶基板に結合する前に
前記圧電板を形成することを含む、請求項２３の方法。
前記圧電板を形成することを含む、請求項２３の方法。
【請求項34】
前記圧電板を前記水晶基板に結合することと前記圧電板を形成することとは、厚い圧電層
をハンドリング基板に取り付けることと、それに引き続いて前記圧電板のマイナス表面を
形成するべく前記厚い圧電層を薄くすることと、それに引き続いて前記圧電板のマイナス
表面を前記水晶基板に接合することとを含む、請求項３３の方法。
をハンドリング基板に取り付けることと、それに引き続いて前記圧電板のマイナス表面を
形成するべく前記厚い圧電層を薄くすることと、それに引き続いて前記圧電板のマイナス
表面を前記水晶基板に接合することとを含む、請求項３３の方法。
【請求項35】
前記圧電板を前記水晶基板に結合することと前記圧電板を形成することとはさらに、前記
圧電板の第１表面を露出させるべく前記ハンドリング基板を除去することを含む、請求項
３４の方法。
圧電板の第１表面を露出させるべく前記ハンドリング基板を除去することを含む、請求項
３４の方法。
【請求項36】
前記ハンドリング基板はシリコン基板を含む、請求項３５の方法。
【請求項37】
前記厚い圧電層を前記ハンドリング基板に取り付けることは、前記厚い圧電層を前記ハン
ドリング基板に接合することを含む、請求項３５の方法。
ドリング基板に接合することを含む、請求項３５の方法。
【請求項38】
前記厚い圧電層を薄くすることは、前記厚い圧電層が前記ハンドリング基板に取り付けら
れている間の研磨プロセスを含む、請求項３５の方法。
れている間の研磨プロセスを含む、請求項３５の方法。
【請求項39】
前記ハンドリング基板を除去することはエッチングプロセスを含む、請求項３５の方法。
【請求項40】
無線周波数フィルタであって、
信号を受信する入力ノードと、
フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
前記フィルタリングされた信号を生成するべく前記入力ノードと前記出力ノードとの間に
電気的に存在するように実装される弾性波デバイスと
を含み、
前記弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３か
ら形成される圧電板とを含み、
前記圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第
１表面に係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、無線周波数
フィルタ。
信号を受信する入力ノードと、
フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
前記フィルタリングされた信号を生成するべく前記入力ノードと前記出力ノードとの間に
電気的に存在するように実装される弾性波デバイスと
を含み、
前記弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３か
ら形成される圧電板とを含み、
前記圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第
１表面に係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、無線周波数
フィルタ。
【請求項41】
前記圧電板の第１表面に形成される第１インターディジタルトランスデューサ電極及び第
２インターディジタルトランスデューサ電極をさらに含み、
前記第１インターディジタルトランスデューサ電極は前記入力ノードに電気的に接続され
、前記第２インターディジタルトランスデューサ電極は前記出力ノードに電気的に接続さ
れる、請求項４０の無線周波数フィルタ。
２インターディジタルトランスデューサ電極をさらに含み、
前記第１インターディジタルトランスデューサ電極は前記入力ノードに電気的に接続され
、前記第２インターディジタルトランスデューサ電極は前記出力ノードに電気的に接続さ
れる、請求項４０の無線周波数フィルタ。
【請求項42】
無線周波数モジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板と、
前記パッケージング基板に実装されて信号の送信及び受信の一方又は双方をサポートする
べく構成される無線周波数回路と、
前記信号の少なくとも一部にフィルタリングを与えるべく構成される無線周波数フィルタ
と
を含み、
前記無線周波数フィルタは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ
３から形成される圧電板とを有する弾性波デバイスを含み、
前記弾性波デバイスは、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶
基板の第１表面に係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、無線周波数
モジュール。
複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板と、
前記パッケージング基板に実装されて信号の送信及び受信の一方又は双方をサポートする
べく構成される無線周波数回路と、
前記信号の少なくとも一部にフィルタリングを与えるべく構成される無線周波数フィルタ
と
を含み、
前記無線周波数フィルタは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ
３から形成される圧電板とを有する弾性波デバイスを含み、
前記弾性波デバイスは、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶
基板の第１表面に係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、無線周波数
モジュール。
【請求項43】
無線デバイスであって、
送受信器と、
アンテナと、
前記送受信器と前記アンテナとの間に電気的に存在するように実装される無線システムと
を含み、
前記無線システムは、前記無線システムにフィルタリング機能を与えるべく構成されるフ
ィルタを含み、
前記フィルタは弾性波デバイスを含み、
前記弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３か
ら形成される圧電板とを有し、
前記圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第
１表面に係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、無線デバイ
ス。
送受信器と、
アンテナと、
前記送受信器と前記アンテナとの間に電気的に存在するように実装される無線システムと
を含み、
前記無線システムは、前記無線システムにフィルタリング機能を与えるべく構成されるフ
ィルタを含み、
前記フィルタは弾性波デバイスを含み、
前記弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３か
ら形成される圧電板とを有し、
前記圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第
１表面に係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、無線デバイ
ス。
【請求項44】
弾性波デバイスを作製する方法であって、
圧電層の第１表面をハンドリング基板に取り付けることと、
前記ハンドリング基板に取り付けられた厚さが低減された圧電層の第２表面を露出させる
べく前記圧電層に薄化工程を行うことと、
前記厚さが低減された圧電層の第２表面を、恒久基板の第１表面に接合することと、
前記厚さが低減された圧電層から前記ハンドリング基板を除去することと
を含む、方法。
圧電層の第１表面をハンドリング基板に取り付けることと、
前記ハンドリング基板に取り付けられた厚さが低減された圧電層の第２表面を露出させる
べく前記圧電層に薄化工程を行うことと、
前記厚さが低減された圧電層の第２表面を、恒久基板の第１表面に接合することと、
前記厚さが低減された圧電層から前記ハンドリング基板を除去することと
を含む、方法。
【請求項45】
前記厚さが低減された圧電層から前記ハンドリング基板を除去することにより、前記ハン
ドリング基板に取り付けられていた第１表面が露出され、
前記第１表面は弾性表面波をサポートするべく構成される、請求項４４の方法。
ドリング基板に取り付けられていた第１表面が露出され、
前記第１表面は弾性表面波をサポートするべく構成される、請求項４４の方法。
【請求項46】
前記弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与えるようにインターディジタ
ルトランスデューサ電極を前記厚さが低減された圧電層の第１表面に形成することをさら
に含む、請求項４５の方法。
ルトランスデューサ電極を前記厚さが低減された圧電層の第１表面に形成することをさら
に含む、請求項４５の方法。
【請求項47】
前記弾性波デバイスと対応インターディジタルトランスデューサ電極とのアセンブリは、
ウェハとして実装される同様のアセンブリのアレイの一アセンブリである、請求項４６の
方法。
ウェハとして実装される同様のアセンブリのアレイの一アセンブリである、請求項４６の
方法。
【請求項48】
複数の弾性波デバイスを与えるべく前記ウェハを個片化することをさらに含む、請求項４
７の方法。
７の方法。
【請求項49】
前記ハンドリング基板はシリコン基板を含む、請求項４４の方法。
【請求項50】
前記恒久基板は水晶基板を含む、請求項４４の方法。
【請求項51】
前記圧電層は、前記厚さが低減された圧電層の第２表面がマイナス表面となる結晶構造配
向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される、請求項４４の方法。
向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される、請求項４４の方法。
【請求項52】
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含む、
請求項５１の方法。
請求項５１の方法。
【請求項53】
前記恒久基板の第１表面は、前記恒久基板の結晶構造配向に起因するプラス表面、マイナ
ス表面又は非分極表面である、請求項５２の方法。
ス表面又は非分極表面である、請求項５２の方法。
【請求項54】
前記恒久基板の第１表面はプラス表面であり、
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項５３の方法。
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項５３の方法。
【請求項55】
前記恒久基板の第１表面はマイナス表面であり、
前記恒久基板はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項５３の方法。
前記恒久基板はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項５３の方法。
【請求項56】
前記恒久基板の第１表面は非分極表面であり、
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φ
は０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある
値を有する、請求項５３の方法。
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φ
は０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある
値を有する、請求項５３の方法。
【請求項57】
ウェハアセンブリであって、
第１表面及び第２表面を有する圧電層と、
前記圧電層の第１表面に取り付けられるハンドリング基板と、
前記圧電層の第２表面に取り付けられる恒久基板と
を含み、
前記ハンドリング基板は、前記圧電層が前記恒久基板に取り付けられている間に前記圧電
層の第１表面を露出させるべく除去可能となるように選択される、ウェハアセンブリ。
第１表面及び第２表面を有する圧電層と、
前記圧電層の第１表面に取り付けられるハンドリング基板と、
前記圧電層の第２表面に取り付けられる恒久基板と
を含み、
前記ハンドリング基板は、前記圧電層が前記恒久基板に取り付けられている間に前記圧電
層の第１表面を露出させるべく除去可能となるように選択される、ウェハアセンブリ。
【請求項58】
前記ハンドリング基板はシリコン基板である、請求項５７のウェハアセンブリ。
【請求項59】
前記恒久基板は水晶基板である、請求項５７のウェハアセンブリ。
【請求項60】
前記圧電層は、第１表面が前記ハンドリングウェハに取り付けられるが前記恒久基板は存
在しない厚い圧電層への薄化工程に起因する厚さが低減された圧電層である、請求項５７
のウェハアセンブリ。
在しない厚い圧電層への薄化工程に起因する厚さが低減された圧電層である、請求項５７
のウェハアセンブリ。
【請求項61】
前記圧電層の第１表面が第１接合強度によって前記ハンドリング基板に接合され、前記圧
電層の第２表面が第２接合強度によって前記恒久基板に接合される、請求項６０のウェハ
アセンブリ。
電層の第２表面が第２接合強度によって前記恒久基板に接合される、請求項６０のウェハ
アセンブリ。
【請求項62】
前記圧電層と前記ハンドリング基板との第１接合強度が、前記圧電層と前記恒久基板との
接合強度よりも大きく、前記圧電層への損傷なしに前記薄化工程行うことが前記第１接合
強度によって許容される、請求項６１のウェハアセンブリ。
接合強度よりも大きく、前記圧電層への損傷なしに前記薄化工程行うことが前記第１接合
強度によって許容される、請求項６１のウェハアセンブリ。
【請求項63】
前記圧電層と前記ハンドリング基板との第１接合強度が、前記圧電層と前記恒久基板との
第２接合強度よりも少なくとも一桁だけ大きい、請求項６２のウェハアセンブリ。
第２接合強度よりも少なくとも一桁だけ大きい、請求項６２のウェハアセンブリ。
【請求項64】
前記圧電層は、前記厚さが低減された圧電層の第２表面がマイナス表面となる結晶構造配
向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される、請求項５７のウェハアセンブ
リ。
向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される、請求項５７のウェハアセンブ
リ。
【請求項65】
前記圧電層の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含む、
請求項６４のウェハアセンブリ。
請求項６４のウェハアセンブリ。
【請求項66】
前記恒久基板の第１表面は、前記恒久基板の結晶構造配向に起因するプラス表面、マイナ
ス表面又は非分極表面である、請求項６５のウェハアセンブリ。
ス表面又は非分極表面である、請求項６５のウェハアセンブリ。
【請求項67】
前記恒久基板の第１表面はプラス表面であり、
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項６６のウェハアセンブリ。
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項６６のウェハアセンブリ。
【請求項68】
前記恒久基板の第１表面はマイナス表面であり、
前記恒久基板はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項６６のウェハアセンブリ。
前記恒久基板はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ
＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する
、請求項６６のウェハアセンブリ。
【請求項69】
前記恒久基板の第１表面は非分極表面であり、
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φ
は０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある
値を有する、請求項６６のウェハアセンブリ。
前記恒久基板はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φ
は０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある
値を有する、請求項６６のウェハアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本願は、２０１８年１０月１６日に出願された「弾性波デバイス」との名称の米国仮出
願第６２／７４６，５１２号の優先権を主張し、その開示はその全体が参照によりここに
明示的に組み入れられる。
本願は、２０１８年１０月１６日に出願された「弾性波デバイス」との名称の米国仮出
願第６２／７４６，５１２号の優先権を主張し、その開示はその全体が参照によりここに
明示的に組み入れられる。
【0002】
本開示は、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスのような弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【0003】
弾性表面波（ＳＡＷ）共振器は典型的に、圧電層の表面に実装されたインターディジタ
ルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。かかる電極は２つの櫛形セットの指を含み、
かかる構成において、同じセットの２つの隣接指間の距離は、ＩＤＴ電極によりサポート
される弾性表面波の波長λと近似的に同じである。
ルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。かかる電極は２つの櫛形セットの指を含み、
かかる構成において、同じセットの２つの隣接指間の距離は、ＩＤＴ電極によりサポート
される弾性表面波の波長λと近似的に同じである。
【0004】
多くのアプリケーションにおいて、上述したＳＡＷ共振器は、波長λに基づく無線周波
数（ＲＦ）フィルタとして利用することができる。かかるフィルタは、一定数の望ましい
特徴を与えることができる。
数（ＲＦ）フィルタとして利用することができる。かかるフィルタは、一定数の望ましい
特徴を与えることができる。
【発明の概要】
【0005】
いくつかの実装例によれば、本開示は、弾性波デバイスに関する。第１表面を有する水
晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板とを含み、当該圧電板は
、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、水晶基板の第１表面と係合する
第２表面とを含む。第２表面は、圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
弾性波デバイスはさらに、圧電板の第１表面上に形成されるインターディジタルトランス
デューサ電極を含み、弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与えるように
構成される。
晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板とを含み、当該圧電板は
、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、水晶基板の第１表面と係合する
第２表面とを含む。第２表面は、圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
弾性波デバイスはさらに、圧電板の第１表面上に形成されるインターディジタルトランス
デューサ電極を含み、弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与えるように
構成される。
【0006】
いくつかの実施形態において、圧電板の結晶構造配向は、オイラー角（０°，９０°＜
θ＜２７０°，０°）を含み得る。いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面は
、当該水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面としてよい。水晶基板の結晶構造配
向は、オイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含む。このとき、角度φは０°≦
φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有す
る。角度φは、例えば０°の値を有してよい。角度ψは、例えば０°の値を有してよい。
θ＜２７０°，０°）を含み得る。いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面は
、当該水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面としてよい。水晶基板の結晶構造配
向は、オイラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含む。このとき、角度φは０°≦
φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有す
る。角度φは、例えば０°の値を有してよい。角度ψは、例えば０°の値を有してよい。
【0007】
いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面は、当該水晶基板の結晶構造配向に
起因するマイナス表面としてよい。水晶基板の結晶構造配向は、オイラー角（φ，－９０
°＜θ＜９０°，ψ）を含む。このとき、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を
有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する。角度φは、例えば０°の値
を有してよい。角度ψは、例えば０°の値を有してよい。
起因するマイナス表面としてよい。水晶基板の結晶構造配向は、オイラー角（φ，－９０
°＜θ＜９０°，ψ）を含む。このとき、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を
有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する。角度φは、例えば０°の値
を有してよい。角度ψは、例えば０°の値を有してよい。
【0008】
いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面は、当該水晶基板の結晶構造配向に
起因する非分極表面となり得る。水晶基板の結晶構造配向は、オイラー角（φ，９０°，
ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含む。このとき、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲に
ある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する。角度φは、例えば
９０°の値を有してよく、角度ψは、例えば９０°の値を有してよい。
起因する非分極表面となり得る。水晶基板の結晶構造配向は、オイラー角（φ，９０°，
ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含む。このとき、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲に
ある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する。角度φは、例えば
９０°の値を有してよく、角度ψは、例えば９０°の値を有してよい。
【0009】
いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＴａＯ３から形成されてよく、水晶基板は
、オイラー角（０°，１０°～８０°，０°）、（０°，１００°～１７０°，０°）、
（０°，１９０°～２６０°，０°）又は（０°，２８０°～３５０°，０°）を含んで
よい。
、オイラー角（０°，１０°～８０°，０°）、（０°，１００°～１７０°，０°）、
（０°，１９０°～２６０°，０°）又は（０°，２８０°～３５０°，０°）を含んで
よい。
【0010】
いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＮｂＯ３から形成されてよく、水晶基板は
、オイラー角（０°，５°～８５°，０°）、（０°，９５°～１７５°，０°）、（０
°，１８５°～２６５°，０°）又は（０°，２７５°～３５５°，０°）を含んでよい
。
、オイラー角（０°，５°～８５°，０°）、（０°，９５°～１７５°，０°）、（０
°，１８５°～２６５°，０°）又は（０°，２７５°～３５５°，０°）を含んでよい
。
【0011】
いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＴａＯ３から形成されてよく、水晶基板は
、オイラー角（０°，５°～５３°，９０°）、（０°，１２７°～１７５°，９０°）
、（０°，１８５°～２３３°，９０°）又は（０°，３０７°～３５５°，９０°）を
含んでよい。
、オイラー角（０°，５°～５３°，９０°）、（０°，１２７°～１７５°，９０°）
、（０°，１８５°～２３３°，９０°）又は（０°，３０７°～３５５°，９０°）を
含んでよい。
【0012】
いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＮｂＯ３から形成されてよく、水晶基板は
、オイラー角（０°，０°～５２°，９０°）、（０°，１２６°～１８０°，９０°）
、（０°，１８０°～２３２°，９０°）又は（０°，３０６°～３６０°，９０°）を
含んでよい。
、オイラー角（０°，０°～５２°，９０°）、（０°，１２６°～１８０°，９０°）
、（０°，１８０°～２３２°，９０°）又は（０°，３０６°～３６０°，９０°）を
含んでよい。
【0013】
いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて
よく、水晶基板は、オイラー角（０°，０°～３６０°，０°～６０°）又は（０°，０
°～３６０°，１２０°～１８０°）を含んでよい。いくつかの実施形態において、圧電
板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されてよく、水晶基板は、オイラー角（０°
，０°～３６０°，０°～４５°）又は（０°，０°～３６０°，１３５°～１８０°）
を含んでよい。
よく、水晶基板は、オイラー角（０°，０°～３６０°，０°～６０°）又は（０°，０
°～３６０°，１２０°～１８０°）を含んでよい。いくつかの実施形態において、圧電
板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されてよく、水晶基板は、オイラー角（０°
，０°～３６０°，０°～４５°）又は（０°，０°～３６０°，１３５°～１８０°）
を含んでよい。
【0014】
いくつかの実施形態において、弾性波デバイスはさらに、圧電板の第１表面に実装され
てインターディジタルトランスデューサ電極の第１側及び第２側に配置される第１反射器
及び第２反射器を含んでよい。
てインターディジタルトランスデューサ電極の第１側及び第２側に配置される第１反射器
及び第２反射器を含んでよい。
【0015】
いくつかの実施形態において、圧電板の厚さは０．０４λから１．５λの範囲にあり、
ここで、量λは弾性表面波の波長である。いくつかの実施形態において、圧電板の厚さは
０．０６λから１．０λの範囲にある。
ここで、量λは弾性表面波の波長である。いくつかの実施形態において、圧電板の厚さは
０．０６λから１．０λの範囲にある。
【0016】
いくつかの教示において、本開示は、弾性波デバイスを作製する方法に関する。この方
法は、第１表面を有する水晶基板を形成すること又は与えることを含む。方法はさらに、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３を有する圧電板を、弾性表面波をサポートするべく構成さ
れる第１表面と、当該圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面となる第２表面とを
含むように形成すること又は与えることを含む。方法はさらに、圧電板を、当該圧電板の
マイナス表面が当該水晶基板の第１表面に係合するように、水晶基板に結合することを含
む。
法は、第１表面を有する水晶基板を形成すること又は与えることを含む。方法はさらに、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３を有する圧電板を、弾性表面波をサポートするべく構成さ
れる第１表面と、当該圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面となる第２表面とを
含むように形成すること又は与えることを含む。方法はさらに、圧電板を、当該圧電板の
マイナス表面が当該水晶基板の第１表面に係合するように、水晶基板に結合することを含
む。
【0017】
いくつかの実施形態において、方法はさらに、弾性表面波に関連付けられるトランスデ
ューサ機能を与えるようにインターディジタルトランスデューサ電極を圧電板の第１表面
に形成することを含む。
ューサ機能を与えるようにインターディジタルトランスデューサ電極を圧電板の第１表面
に形成することを含む。
【0018】
いくつかの実施形態において、圧電板の結晶構造配向は、オイラー角（０°，９０°＜
θ＜２７０°，０°）を含み得る。いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面は
、当該水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面、マイナス表面又は非分極表面とし
てよい。
θ＜２７０°，０°）を含み得る。いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面は
、当該水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面、マイナス表面又は非分極表面とし
てよい。
【0019】
いくつかの実施形態において、水晶基板の第１表面がプラス表面であって水晶基板がオ
イラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含んでよく、水晶基板の第１表面がマイナ
ス表面であって水晶基板がオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含んでよく、
又は水晶基板の第１表面が非分極表面であって水晶基板がオイラー角（φ，９０°，ψ）
若しくは（φ，－９０°，ψ）を含んでよい。角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある
値を有してよく、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有してよい。
イラー角（φ，９０°＜θ＜２７０°，ψ）を含んでよく、水晶基板の第１表面がマイナ
ス表面であって水晶基板がオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含んでよく、
又は水晶基板の第１表面が非分極表面であって水晶基板がオイラー角（φ，９０°，ψ）
若しくは（φ，－９０°，ψ）を含んでよい。角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある
値を有してよく、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有してよい。
【0020】
いくつかの実施形態において、圧電板を形成すること又は与えることは、圧電板を水晶
基板に結合した後に圧電板を形成することを含んでよい。圧電板を水晶基板に結合するこ
とと圧電板を形成することとは、厚い圧電層を水晶基板に接合することと、それに引き続
いて水晶基板に係合された圧電板をもたらすべく当該厚い圧電層を薄くすることとを含ん
でよい。厚い圧電層を薄くすることは、研磨プロセスを含んでよい。
基板に結合した後に圧電板を形成することを含んでよい。圧電板を水晶基板に結合するこ
とと圧電板を形成することとは、厚い圧電層を水晶基板に接合することと、それに引き続
いて水晶基板に係合された圧電板をもたらすべく当該厚い圧電層を薄くすることとを含ん
でよい。厚い圧電層を薄くすることは、研磨プロセスを含んでよい。
【0021】
いくつかの実施形態において、圧電板を形成すること又は与えることは、圧電板を水晶
基板に結合する前に圧電板を形成することを含んでよい。圧電板を水晶基板に結合するこ
とと圧電板を形成することとは、厚い圧電層をハンドリング基板に取り付けることと、そ
れに引き続いて圧電板のマイナス表面を形成するべく当該厚い圧電層を薄くすることと、
それに引き続いて当該圧電板のマイナス表面を水晶基板に接合することとを含んでよい。
圧電板を水晶基板に結合することと圧電板を形成することとはさらに、圧電板の第１表面
を露出させるべくハンドリング基板を除去することを含んでよい。
基板に結合する前に圧電板を形成することを含んでよい。圧電板を水晶基板に結合するこ
とと圧電板を形成することとは、厚い圧電層をハンドリング基板に取り付けることと、そ
れに引き続いて圧電板のマイナス表面を形成するべく当該厚い圧電層を薄くすることと、
それに引き続いて当該圧電板のマイナス表面を水晶基板に接合することとを含んでよい。
圧電板を水晶基板に結合することと圧電板を形成することとはさらに、圧電板の第１表面
を露出させるべくハンドリング基板を除去することを含んでよい。
【0022】
いくつかの実施形態において、ハンドリング基板はシリコン基板を含んでよい。いくつ
かの実施形態において、厚い圧電層をハンドリング基板に取り付けることは、厚い圧電層
をハンドリング基板に接合することを含んでよい。いくつかの実施形態において、厚い圧
電層を薄くすることは、当該厚い圧電層がハンドリング基板に取り付けられている間の研
磨プロセスを含んでよい。いくつかの実施形態において、ハンドリング基板を除去するこ
とは、エッチングプロセスを含んでよい。
かの実施形態において、厚い圧電層をハンドリング基板に取り付けることは、厚い圧電層
をハンドリング基板に接合することを含んでよい。いくつかの実施形態において、厚い圧
電層を薄くすることは、当該厚い圧電層がハンドリング基板に取り付けられている間の研
磨プロセスを含んでよい。いくつかの実施形態において、ハンドリング基板を除去するこ
とは、エッチングプロセスを含んでよい。
【0023】
一定数の実装例において、本開示は、信号を受信する入力ノードと、フィルタ信号を与
える出力ノードとを含む無線周波数フィルタに関する。無線周波数フィルタはさらに、フ
ィルタリングされた信号を生成するべく電気的に入力ノードと出力ノードとの間に存在す
るように実装される弾性波デバイスを含む。弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基
板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板とを含み、当該圧電板は、弾
性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、水晶基板の第１表面に係合する第２
表面とを有する。第２表面は、圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
える出力ノードとを含む無線周波数フィルタに関する。無線周波数フィルタはさらに、フ
ィルタリングされた信号を生成するべく電気的に入力ノードと出力ノードとの間に存在す
るように実装される弾性波デバイスを含む。弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基
板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板とを含み、当該圧電板は、弾
性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、水晶基板の第１表面に係合する第２
表面とを有する。第２表面は、圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
【0024】
いくつかの実施形態において、無線周波数フィルタはさらに、圧電板の第１表面に形成
される第１インターディジタルトランスデューサ電極及び第２インターディジタルトラン
スデューサ電極を含んでよい。第１インターディジタルトランスデューサ電極は入力ノー
ドに電気的に接続され、第２インターディジタルトランスデューサ電極は出力ノードに電
気的に接続され得る。
される第１インターディジタルトランスデューサ電極及び第２インターディジタルトラン
スデューサ電極を含んでよい。第１インターディジタルトランスデューサ電極は入力ノー
ドに電気的に接続され、第２インターディジタルトランスデューサ電極は出力ノードに電
気的に接続され得る。
【0025】
いくつかの実装例において、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成され
たパッケージ基板と、パッケージング基板に実装されて複数の信号の送信及び受信の一方
又は双方をサポートするべく構成される無線周波数回路とを含む無線周波数モジュールに
関する。無線周波数モジュールはさらに、当該信号のうち少なくともいくつかの信号のフ
ィルタリングを与えるべく構成される無線周波数フィルタを含む。無線周波数フィルタは
、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板と
を有する弾性波デバイスを含み、当該圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成され
る第１表面と、水晶基板の第１表面に係合する第２表面とを有する。第２表面は、圧電板
の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
たパッケージ基板と、パッケージング基板に実装されて複数の信号の送信及び受信の一方
又は双方をサポートするべく構成される無線周波数回路とを含む無線周波数モジュールに
関する。無線周波数モジュールはさらに、当該信号のうち少なくともいくつかの信号のフ
ィルタリングを与えるべく構成される無線周波数フィルタを含む。無線周波数フィルタは
、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板と
を有する弾性波デバイスを含み、当該圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成され
る第１表面と、水晶基板の第１表面に係合する第２表面とを有する。第２表面は、圧電板
の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
【0026】
いくつかの実装例において、本開示は、送受信器と、アンテナと、当該送受信器と当該
アンテナとの間に電気的に存在するように実装される無線システムとを含む無線デバイス
に関する。無線システムは、当該無線システムのフィルタリング機能を与えるべく構成さ
れるフィルタを含む。フィルタは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉ
ＮｂＯ３から形成される圧電板とを有する弾性波デバイスを含み、当該圧電板は、弾性表
面波をサポートするべく構成される第１表面と、水晶基板の第１表面に係合する第２表面
とを有する。第２表面は、圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
アンテナとの間に電気的に存在するように実装される無線システムとを含む無線デバイス
に関する。無線システムは、当該無線システムのフィルタリング機能を与えるべく構成さ
れるフィルタを含む。フィルタは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉ
ＮｂＯ３から形成される圧電板とを有する弾性波デバイスを含み、当該圧電板は、弾性表
面波をサポートするべく構成される第１表面と、水晶基板の第１表面に係合する第２表面
とを有する。第２表面は、圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である。
【0027】
いくつかの教示において、本開示は、弾性波デバイスを作製する方法に関する。この方
法は、圧電層の第１表面をハンドリング基板に取り付けることと、当該ハンドリング基板
に取り付けられた厚さが低減された圧電層の第２表面を露出させるべく当該圧電層に対し
て薄化工程を行うこととを含む。方法はさらに、厚さが低減された圧電層の第２表面を恒
久基板の第１表面に接合することと、当該厚さが低減された圧電層からハンドリング基板
を除去することとを含む。
法は、圧電層の第１表面をハンドリング基板に取り付けることと、当該ハンドリング基板
に取り付けられた厚さが低減された圧電層の第２表面を露出させるべく当該圧電層に対し
て薄化工程を行うこととを含む。方法はさらに、厚さが低減された圧電層の第２表面を恒
久基板の第１表面に接合することと、当該厚さが低減された圧電層からハンドリング基板
を除去することとを含む。
【0028】
いくつかの実施形態において、厚さが低減された圧電層からハンドリング基板を除去す
ることにより、ハンドリング基板に取り付けられていた第１表面が露出され、この第１表
面は弾性表面波をサポートするべく構成される。方法はさらに、弾性表面波に関連付けら
れるトランスデューサ機能を与えるべく、厚さが低減された圧電層の第１表面にインター
ディジタルトランスデューサ電極を形成することを含んでよい。
ることにより、ハンドリング基板に取り付けられていた第１表面が露出され、この第１表
面は弾性表面波をサポートするべく構成される。方法はさらに、弾性表面波に関連付けら
れるトランスデューサ機能を与えるべく、厚さが低減された圧電層の第１表面にインター
ディジタルトランスデューサ電極を形成することを含んでよい。
【0029】
いくつかの実施形態において、弾性波デバイスと対応インターディジタルトランスデュ
ーサ電極とのアセンブリは、ウェハとして実装された同様の複数のアセンブリのアレイの
一アセンブリとしてよい。方法はさらに、複数の弾性波デバイスを与えるべくウェハを個
片化することを含んでよい。
ーサ電極とのアセンブリは、ウェハとして実装された同様の複数のアセンブリのアレイの
一アセンブリとしてよい。方法はさらに、複数の弾性波デバイスを与えるべくウェハを個
片化することを含んでよい。
【0030】
いくつかの実施形態において、ハンドリング基板はシリコン基板を含んでよい。いくつ
かの実施形態において、恒久基板は水晶基板を含んでよい。
かの実施形態において、恒久基板は水晶基板を含んでよい。
【0031】
いくつかの実施形態において、圧電層は、厚さが低減された圧電層の第２表面がマイナ
ス表面となるような結晶構造配向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて
よい。圧電板の結晶構造配向は、オイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含
み得る。
ス表面となるような結晶構造配向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて
よい。圧電板の結晶構造配向は、オイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含
み得る。
【0032】
いくつかの実施形態において、恒久基板の第１表面は、当該恒久基板の結晶構造配向に
起因するプラス表面、マイナス表面又は非分極表面としてよい。いくつかの実施形態にお
いて、恒久基板の第１表面がプラス表面であって恒久基板がオイラー角（φ，９０°＜θ
＜２７０°，ψ）を含んでよく、恒久基板の第１表面がマイナス表面であって恒久基板が
オイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含んでよく、又は水晶基板の第１表面が
非分極表面であって水晶基板がオイラー角（φ，９０°，ψ）若しくは（φ，－９０°，
ψ）を含んでよい。角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有してよく、角度ψは
０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有してよい。
起因するプラス表面、マイナス表面又は非分極表面としてよい。いくつかの実施形態にお
いて、恒久基板の第１表面がプラス表面であって恒久基板がオイラー角（φ，９０°＜θ
＜２７０°，ψ）を含んでよく、恒久基板の第１表面がマイナス表面であって恒久基板が
オイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含んでよく、又は水晶基板の第１表面が
非分極表面であって水晶基板がオイラー角（φ，９０°，ψ）若しくは（φ，－９０°，
ψ）を含んでよい。角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有してよく、角度ψは
０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有してよい。
【0033】
いくつかの実装例によれば、本開示は、第１表面及び第２表面を有する圧電層を含むウ
ェハアセンブリに関する。ウェハアセンブリはさらに、圧電層の第１表面に取り付けられ
たハンドリング基板と、圧電層の第２表面に取り付けられた恒久基板とを含む。ハンドリ
ング基板は、圧電層が恒久基板に取り付けられている間に圧電層の第１表面を露出させる
べく、除去可能となるように選択される。
ェハアセンブリに関する。ウェハアセンブリはさらに、圧電層の第１表面に取り付けられ
たハンドリング基板と、圧電層の第２表面に取り付けられた恒久基板とを含む。ハンドリ
ング基板は、圧電層が恒久基板に取り付けられている間に圧電層の第１表面を露出させる
べく、除去可能となるように選択される。
【0034】
いくつかの実施形態において、ハンドリング基板はシリコン基板としてよい。いくつか
の実施形態において、恒久基板は水晶基板としてよい。
の実施形態において、恒久基板は水晶基板としてよい。
【0035】
いくつかの実施形態において、圧電層は、その第１表面がハンドリングウェハに取り付
けられるが恒久基板は存在しない厚い圧電層への薄化工程に起因する厚さが低減された圧
電層としてよい。いくつかの実施形態において、圧電層の第１表面は第１接合強度によっ
てハンドリング基板に接合され、圧電層の第２表面は第２接合強度によって恒久基板に接
合され得る。圧電層とハンドリング基板との第１接合強度は、圧電層と恒久基板との接合
強度よりも大きくてよく、第１接合強度により、圧電層に損傷を与えることなく薄化工程
を行うことが許容される。例えば、圧電層とハンドリング基板との第１接合強度は、圧電
層と恒久基板との第２接合強度よりも少なくとも一桁だけ大きくしてよい。
けられるが恒久基板は存在しない厚い圧電層への薄化工程に起因する厚さが低減された圧
電層としてよい。いくつかの実施形態において、圧電層の第１表面は第１接合強度によっ
てハンドリング基板に接合され、圧電層の第２表面は第２接合強度によって恒久基板に接
合され得る。圧電層とハンドリング基板との第１接合強度は、圧電層と恒久基板との接合
強度よりも大きくてよく、第１接合強度により、圧電層に損傷を与えることなく薄化工程
を行うことが許容される。例えば、圧電層とハンドリング基板との第１接合強度は、圧電
層と恒久基板との第２接合強度よりも少なくとも一桁だけ大きくしてよい。
【0036】
いくつかの実施形態において、圧電層は、厚さが低減された圧電層の第２表面がマイナ
ス表面となるような結晶構造配向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて
よい。圧電板の結晶構造配向は、オイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含
み得る。
ス表面となるような結晶構造配向を有するＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて
よい。圧電板の結晶構造配向は、オイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含
み得る。
【0037】
いくつかの実施形態において、恒久基板の第１表面は、当該恒久基板の結晶構造配向に
起因するプラス表面、マイナス表面又は非分極表面としてよい。いくつかの実施形態にお
いて、恒久基板の第１表面がプラス表面であって恒久基板がオイラー角（φ，９０°＜θ
＜２７０°，ψ）を含んでよく、恒久基板の第１表面がマイナス表面であって恒久基板が
オイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含んでよく、又は水晶基板の第１表面が
非分極表面であって水晶基板がオイラー角（φ，９０°，ψ）若しくは（φ，－９０°，
ψ）を含んでよい。角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有してよく、角度ψは
０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有してよい。
起因するプラス表面、マイナス表面又は非分極表面としてよい。いくつかの実施形態にお
いて、恒久基板の第１表面がプラス表面であって恒久基板がオイラー角（φ，９０°＜θ
＜２７０°，ψ）を含んでよく、恒久基板の第１表面がマイナス表面であって恒久基板が
オイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含んでよく、又は水晶基板の第１表面が
非分極表面であって水晶基板がオイラー角（φ，９０°，ψ）若しくは（φ，－９０°，
ψ）を含んでよい。角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有してよく、角度ψは
０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有してよい。
【0038】
本開示をまとめる目的で本発明の所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここに記載され
てきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、本発明のいずれかの
特定の実施形態に従って達成されるというわけではない。よって、本発明は、ここに教示
される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成
することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
てきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、本発明のいずれかの
特定の実施形態に従って達成されるというわけではない。よって、本発明は、ここに教示
される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成
することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】ＬｉＴａＯ３（ＬＴ）又はＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）上に形成されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、ＩＤＴ電極の両面に形成された反射器とを含む弾性表面波（ＳＡＷ）共振器の従来型構造の一例を示す。
【図2】ＬＴ板又はＬＮ板と水晶基板との組み合わせを含むＳＡＷ共振器の構造の一例を示す。
【図4】銅（Ｃｕ）ＩＤＴ電極を４２°ＹＸＬＴ（オイラー角（０°，３１２°，０°））基板上に形成することによって製造された従来型ＳＡＷ共振器の実際の測定特性を示す。
【図5】Ｃｕ電極、４２°ＹＸＬＴ（オイラー角（０°，１３２°，０°））板及び４２°４５’Ｙ９０°Ｘ（オイラー角（０°，１３２°４５’，９０°））水晶基板を組み合わせることによって製造されたＳＡＷ共振器の実際の測定特性を示す。
【図9A-9B】図９Ａ及び図９Ｂは、２μｍの波長（λ）及び０．０８λの厚さを有するアルミニウム電極が、２０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０°，１１０°，０°））及びその（－）表面（オイラー角で（０°，２９０°，０°））それぞれに形成されたＳＡＷ共振器の周波数特性を示す。
【図10A-10B】図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９Ａ及び図９Ｂの電極が、４２°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０°，１３２°，０°））及びその（－）表面（オイラー角で（０°，３１２°，０°））それぞれに形成されたＳＡＷ共振器の周波数特性を示す。
【図12A-12B】図１２Ａ及び図１２Ｂは、２０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）及び（－）表面と、回転３５°Ｙ板９０°Ｘ伝搬から６０°Ｙ板９０°Ｘ伝搬の水晶の（＋）及び（－）表面との４つの組み合わせに従って形成されたＳＡＷ共振器の、帯域幅及びインピーダンス比のオイラー角依存性を示す。
【図13A-13B】図１３Ａ及び図１３Ｂは、回転１０°Ｘ伝搬から５０°ＹＸ伝搬のＬＴの（＋）及び（－）表面と、４２°４５’Ｙ板９０°Ｘ伝搬の水晶の（＋）及び（－）表面との４つの組み合わせに従って形成されたＳＡＷ共振器の、帯域幅及びインピーダンス比のオイラー角依存性を示す。
【図14A-14B】図１４Ａ及び図１４Ｂは、２５°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＮの（＋）及び（－）表面と、回転３５°Ｙ板９０°Ｘ伝搬から６０°Ｙ板９０°Ｘ伝搬の水晶の（＋）及び（－）表面との４つの組み合わせに従って形成されたＳＡＷ共振器の、帯域幅及びインピーダンス比のオイラー角依存性を示す。
【図16】（０°，θ，０°）ＬＴのＸ方向（ＳＡＷ伝搬方向）及びＹ方向（ＳＡＷ伝搬方向に対して９０度の方向）における線膨張率のθ依存性を示す。
【図17】（０°，θ，０°）ＬＮのＸ方向（ＳＡＷ伝搬方向）及びＹ方向（ＳＡＷ伝搬方向に対して９０度の方向）における線膨張率のθ依存性を示す。
【図18】（０°，θ，０°）水晶のＸ方向及びＹ方向における線膨張率のθ依存性を示す。
【図19】（０°，θ，４５°）水晶のＸ方向及びＹ方向における線膨張率のθ依存性を示す。
【図20】（０°，θ，９０°）水晶のＸ方向及びＹ方向における線膨張率のθ依存性を示す。
【図21】（０°，１２６°，ψ）水晶のＸ方向及びＹ方向における線膨張率のψ依存性を示す。
【図22】（０°，１３２°４５’，ψ）水晶のＸ方向及びＹ方向における線膨張率のψ依存性を示す。
【図23】（０°，１４５°，ψ）水晶のＸ方向及びＹ方向における線膨張率のψ依存性を示す。
【図27A】ＬＴがシリコン基板に接合されてから当該ＬＴが０．３μｍの厚さまで研磨された後に得られたＬＴ表面を示す。
【図29】いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器のうちの多ユニットを、ウェハ形式のようなアレイ形式にある間に作製してよいことを示す。
【図30】いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を、パッケージ状デバイスの一部として実装してよいことを示す。
【図32】いくつかの実施形態において、無線周波数（ＲＦ）モジュールが、一以上のＲＦフィルタのアセンブリを含んでよいことを示す。
【図33】ここに記載される一以上の有利な特徴を有する無線デバイスの一例を描く。
【発明を実施するための形態】
【0040】
ここに与えられる見出しは、いずれか存在する場合であっても、便宜のためにすぎず、
必ずしも請求項に係る発明の範囲又は意味に影響を与えるわけではない。
必ずしも請求項に係る発明の範囲又は意味に影響を与えるわけではない。
【0041】
スマートフォン等のために使用される周波数帯域は、互いに近接する近似的に８０個の
帯域を含むので、急峻な周波数特性を有するフィルタ及びデュプレクサが必要とされ又は
望まれる。かかるフィルタアプリケーションは、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）又はバル
ク波を用いる共振器がラダーとして配列されるラダーフィルタ構造を含んでよい。したが
って、急峻な周波数特性を有するフィルタ又はデュプレクサを実現するべく、大きなイン
ピーダンス比又は高いＱを有する共振器が必要とされ又は望まれる。
帯域を含むので、急峻な周波数特性を有するフィルタ及びデュプレクサが必要とされ又は
望まれる。かかるフィルタアプリケーションは、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ）又はバル
ク波を用いる共振器がラダーとして配列されるラダーフィルタ構造を含んでよい。したが
って、急峻な周波数特性を有するフィルタ又はデュプレクサを実現するべく、大きなイン
ピーダンス比又は高いＱを有する共振器が必要とされ又は望まれる。
【0042】
図１は、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１０の従来型構造の一例を示す。弾性表面波（Ｓ
ＡＷ）共振器１０は、ＬｉＴａＯ３（ＬＴ）又はＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）基板１８に形成さ
れたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１２、及びＩＤＴ電極１２の両
面に形成された反射器１４、１６を含む。
ＡＷ）共振器１０は、ＬｉＴａＯ３（ＬＴ）又はＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）基板１８に形成さ
れたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１２、及びＩＤＴ電極１２の両
面に形成された反射器１４、１６を含む。
【0043】
図２は、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス１００の一例を示す。これは、ＳＡＷ共振器と
して実装される。かかるＳＡＷ共振器は、例えばＬｉＴａＯ３（ここではＬＴとも称され
る）又はＬｉＮｂＯ３（ここではＬＮとも称される）から形成された圧電層１０４を含ん
でよい。かかる圧電層は、第１表面１１０（例えば、ＳＡＷ共振器１００が図示のように
配向されるときの上面）、及び反対側の第２表面を含んでよい。圧電層１０４の第２表面
は、例えば水晶基板１１２に取り付けてよい。
して実装される。かかるＳＡＷ共振器は、例えばＬｉＴａＯ３（ここではＬＴとも称され
る）又はＬｉＮｂＯ３（ここではＬＮとも称される）から形成された圧電層１０４を含ん
でよい。かかる圧電層は、第１表面１１０（例えば、ＳＡＷ共振器１００が図示のように
配向されるときの上面）、及び反対側の第２表面を含んでよい。圧電層１０４の第２表面
は、例えば水晶基板１１２に取り付けてよい。
【0044】
圧電層１０４の第１表面１１０において、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤ
Ｔ）電極１０２が、一以上の反射器アセンブリ（例えば１１４、１１６）とともに実装さ
れてよい。図３は、図２のＳＡＷ共振器１００のＩＤＴ電極１０２の拡大及び分離された
平面図を示す。理解されることだが、図２及び図３のＩＤＴ電極１０２は、２つの櫛形セ
ットの指のための、これよりも多い又は少ない数の指を含んでよい。
Ｔ）電極１０２が、一以上の反射器アセンブリ（例えば１１４、１１６）とともに実装さ
れてよい。図３は、図２のＳＡＷ共振器１００のＩＤＴ電極１０２の拡大及び分離された
平面図を示す。理解されることだが、図２及び図３のＩＤＴ電極１０２は、２つの櫛形セ
ットの指のための、これよりも多い又は少ない数の指を含んでよい。
【0045】
図３の例において、ＩＤＴ電極１０２は、櫛形態様で配列された第１セット１２０ａの
指１２２ａ及び第２セット１２０ｂの指１２２ｂを含むように示される。かかる構成にお
いて、同じセットの２つの隣接指（例えば第１セット１２０ａの隣接指１２２ａ）間の距
離は、ＩＤＴ電極１０２に関連付けられる弾性表面波の波長λと近似的に同じである。
指１２２ａ及び第２セット１２０ｂの指１２２ｂを含むように示される。かかる構成にお
いて、同じセットの２つの隣接指（例えば第１セット１２０ａの隣接指１２２ａ）間の距
離は、ＩＤＴ電極１０２に関連付けられる弾性表面波の波長λと近似的に同じである。
【0046】
図３の例において、指に関連付けられる様々な寸法が示される。詳しくは、各指（１２
２ａ又は１２２ｂ）は横幅Ｆを有するように示され、ギャップ距離Ｇが、２つの櫛形の隣
接指（１２２ａ及び１２２ｂ）間に与えられるように示される。
２ａ又は１２２ｂ）は横幅Ｆを有するように示され、ギャップ距離Ｇが、２つの櫛形の隣
接指（１２２ａ及び１２２ｂ）間に与えられるように示される。
【0047】
留意されることだが、図２のＳＡＷ共振器１００は、図１の従来型ＳＡＷ共振器１０よ
りも（例えば約２９ｄＢだけ）大きなインピーダンス比を与えるように構成することがで
きる。例えば、図４は、図１のＳＡＷ共振器１０のインピーダンス特性プロットを周波数
の関数として示し、図５は、図２のＳＡＷ共振器１００のインピーダンス特性プロットを
周波数の関数として示す。図４のプロットに対し、インピーダンス比（２０ｌｏｇ（Ｚａ
／Ｚｒ））は５１ｄＢである。ここで、Ｚｒ及びＺａはそれぞれ、共振周波数ｆｒ及び反
共振周波数ｆａにおけるインピーダンス値である。図５のプロットに対し、インピーダン
ス比は８０ｄＢであり、これは図４のインピーダンス比よりも２９ｄＢだけ大きい。
りも（例えば約２９ｄＢだけ）大きなインピーダンス比を与えるように構成することがで
きる。例えば、図４は、図１のＳＡＷ共振器１０のインピーダンス特性プロットを周波数
の関数として示し、図５は、図２のＳＡＷ共振器１００のインピーダンス特性プロットを
周波数の関数として示す。図４のプロットに対し、インピーダンス比（２０ｌｏｇ（Ｚａ
／Ｚｒ））は５１ｄＢである。ここで、Ｚｒ及びＺａはそれぞれ、共振周波数ｆｒ及び反
共振周波数ｆａにおけるインピーダンス値である。図５のプロットに対し、インピーダン
ス比は８０ｄＢであり、これは図４のインピーダンス比よりも２９ｄＢだけ大きい。
【0048】
いくつかの実装例において、本開示は、図２のＳＡＷ共振器１００を作製する技法に関
する。かかる技法により、作製プロセスが、望ましくない効果の可能性を回避又は低減す
ることが許容され得る。例えば、ＬＴ又はＬＮが水晶基板に接合されるとき、接合強度を
高めるべく行われる熱処理プロセス中にＬＴ又はＬＮと水晶基板との熱膨張差に起因する
損傷が生じ得る。他例において、当該損傷を回避するべく低い熱処理温度で接合基板が生
成される場合、接合強度が弱くなるので、ＬＴ又はＬＮ板の薄化プロセス中にＬＴ又はＬ
Ｎが割れ又は水晶基板から剥離し得る。
する。かかる技法により、作製プロセスが、望ましくない効果の可能性を回避又は低減す
ることが許容され得る。例えば、ＬＴ又はＬＮが水晶基板に接合されるとき、接合強度を
高めるべく行われる熱処理プロセス中にＬＴ又はＬＮと水晶基板との熱膨張差に起因する
損傷が生じ得る。他例において、当該損傷を回避するべく低い熱処理温度で接合基板が生
成される場合、接合強度が弱くなるので、ＬＴ又はＬＮ板の薄化プロセス中にＬＴ又はＬ
Ｎが割れ又は水晶基板から剥離し得る。
【0049】
いくつかの実施形態において、ＬＴ又はＬＮの配向角度を水晶基板の配向角度と最適に
又は選択的に組み合わせることにより接合強度を高めるべく、及び／又は接合が弱いとき
の製造プロセスをサポートするべく、デバイス、構造及び方法を利用することができる。
又は選択的に組み合わせることにより接合強度を高めるべく、及び／又は接合が弱いとき
の製造プロセスをサポートするべく、デバイス、構造及び方法を利用することができる。
【0050】
留意されることだが、弾性波フィルタの帯域幅は、弾性波フィルタにおいて使用される
圧電基板の電気機械結合係数（結合係数）に依存する。したがって、フィルタの帯域幅に
とって必要な結合係数を有するＬｉＴａＯ３（ＬＴ）又はＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）基板が使
用される。
圧電基板の電気機械結合係数（結合係数）に依存する。したがって、フィルタの帯域幅に
とって必要な結合係数を有するＬｉＴａＯ３（ＬＴ）又はＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）基板が使
用される。
【0051】
多くのアプリケーションにおいて、フィルタの帯域幅を成立させる結合係数を有する一
方で大きなインピーダンス比（高いＱ）を有する共振器が望ましい。ここに記載されるこ
とだが、図２に示されるように薄板化されたＬＴ又はＬＮを水晶基板と組み合わせること
により、図５に示される大きなインピーダンス比及び良好な温度特性を与えることができ
る。
方で大きなインピーダンス比（高いＱ）を有する共振器が望ましい。ここに記載されるこ
とだが、図２に示されるように薄板化されたＬＴ又はＬＮを水晶基板と組み合わせること
により、図５に示される大きなインピーダンス比及び良好な温度特性を与えることができ
る。
【0052】
いくつかの実施形態において、ＬＴ又はＬＮ圧電薄板の極性と水晶基板の極性とを所望
の関係にあるように最適化又は選択することにより、かなり広い帯域幅とかなり大きなイ
ンピーダンス比とを得ることができる。例えば、ＬＴ又はＬＮのマイナス（－）表面を水
晶基板に接合することにより、ＬＴ又はＬＮのプラス（＋）表面を水晶基板に接合するこ
とと比べて広い帯域幅及び大きなインピーダンス比を得ることができる。かかる極性の例
がここに詳述される。
の関係にあるように最適化又は選択することにより、かなり広い帯域幅とかなり大きなイ
ンピーダンス比とを得ることができる。例えば、ＬＴ又はＬＮのマイナス（－）表面を水
晶基板に接合することにより、ＬＴ又はＬＮのプラス（＋）表面を水晶基板に接合するこ
とと比べて広い帯域幅及び大きなインピーダンス比を得ることができる。かかる極性の例
がここに詳述される。
【0053】
いくつかの実施形態において、ＬＴ又はＬＮのマイナス表面を水晶基板に接合した後、
その接合強度を熱処理によって高めることができる。ＬＴ又はＬＮのＸ方向（ＳＡＷ伝搬
方向）における線膨張率、及びＸ方向とは９０度だけことなるＹ方向における線膨張率が
、水晶基板のこれらの線膨張率と有意に異なるとき、接合プロセス後の熱処理により当該
基板への損傷が引き起こされる。Ｘ方向とＹ方向との膨張率の差が大きくなると、熱処理
中の損傷が生じる可能性が高くなる。したがって、接続される層の配向を選択することに
より、当該層間の膨張率の差を低減することができる。留意されることだが、同じ層内で
あっても、Ｘ方向とＹ方向との膨張率の差を低減することができる。
その接合強度を熱処理によって高めることができる。ＬＴ又はＬＮのＸ方向（ＳＡＷ伝搬
方向）における線膨張率、及びＸ方向とは９０度だけことなるＹ方向における線膨張率が
、水晶基板のこれらの線膨張率と有意に異なるとき、接合プロセス後の熱処理により当該
基板への損傷が引き起こされる。Ｘ方向とＹ方向との膨張率の差が大きくなると、熱処理
中の損傷が生じる可能性が高くなる。したがって、接続される層の配向を選択することに
より、当該層間の膨張率の差を低減することができる。留意されることだが、同じ層内で
あっても、Ｘ方向とＹ方向との膨張率の差を低減することができる。
【0054】
留意されることだが、いくつかの実施形態において、一以上の性能特性の点で、上述し
た問題に対処するべく当該配向角とは異なる配向角を有する接合層の組み合わせが望まし
いことがある。
た問題に対処するべく当該配向角とは異なる配向角を有する接合層の組み合わせが望まし
いことがある。
【0055】
留意されることだが、いくつかの実施形態において、直接接合技法は、ＬＴ及び水晶の
ような酸化物基板に適用することが難しい。他方、ＬＴ又はＬＮ層とシリコン（Ｓｉ）層
とは互いに直接接合することができ、その接合は十分に強いので、熱処理なしで済む。す
なわち、いくつかの実施形態において、かかる直接接合技法によってＬＴ又はＬＮ層をＳ
ｉ層に接合した後にＬＴ又はＬＮを所望厚さまで薄化することができる。その後、薄くさ
れたＬＴ又はＬＮ板の研磨表面を水晶基板に接合することができ、Ｓｉ層をエッチングす
ることにより、ＬＴ、ＬＮ薄板／水晶基板のアセンブリを実現することができる。上述し
たプロセスの後に研磨プロセスが行われないので、接合強度がある程度弱くても、製造プ
ロセスにおいて研磨に関連付けられる機械的問題が生じる可能性が低い。
ような酸化物基板に適用することが難しい。他方、ＬＴ又はＬＮ層とシリコン（Ｓｉ）層
とは互いに直接接合することができ、その接合は十分に強いので、熱処理なしで済む。す
なわち、いくつかの実施形態において、かかる直接接合技法によってＬＴ又はＬＮ層をＳ
ｉ層に接合した後にＬＴ又はＬＮを所望厚さまで薄化することができる。その後、薄くさ
れたＬＴ又はＬＮ板の研磨表面を水晶基板に接合することができ、Ｓｉ層をエッチングす
ることにより、ＬＴ、ＬＮ薄板／水晶基板のアセンブリを実現することができる。上述し
たプロセスの後に研磨プロセスが行われないので、接合強度がある程度弱くても、製造プ
ロセスにおいて研磨に関連付けられる機械的問題が生じる可能性が低い。
【0056】
上述したように、図１は、ＬＴ又はＬＮ１８上に形成されたインターディジタルトラン
スデューサ（ＩＤＴ）電極１２と、ＩＤＴ電極１２の両側に形成された反射器１４、１６
とを含む弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１０の従来型構造を示す。図２は、ＬＴ薄板又はＬ
Ｎ薄板１０４と水晶基板１１２との組み合わせを含むＳＡＷ共振器１００の構造の一例を
示す。ＩＤＴ電極１０２がＬＴ又はＬＮ薄板１０４の表面１１０に形成されるように示さ
れ、反射器１１４、１１６がＩＤＴ電極１０２の両側に形成されるように示される。
スデューサ（ＩＤＴ）電極１２と、ＩＤＴ電極１２の両側に形成された反射器１４、１６
とを含む弾性表面波（ＳＡＷ）共振器１０の従来型構造を示す。図２は、ＬＴ薄板又はＬ
Ｎ薄板１０４と水晶基板１１２との組み合わせを含むＳＡＷ共振器１００の構造の一例を
示す。ＩＤＴ電極１０２がＬＴ又はＬＮ薄板１０４の表面１１０に形成されるように示さ
れ、反射器１１４、１１６がＩＤＴ電極１０２の両側に形成されるように示される。
【0057】
上述したように、図４は、図１のＳＡＷ共振器１０のインピーダンス特性プロットを周
波数の関数として示し、図５は、図２のＳＡＷ共振器１００のインピーダンス特性プロッ
トを周波数の関数として示す。図４の例において、ＩＤＴ電極（図１における１２）は、
４２°回転Ｙ板ＬＴ基板の－平面におけるＸ方向（４２°ＹＸＬＴの－平面（オイラー角
での（０°，３１２°，０°）平面）と称する）においてＳＡＷが伝搬する方向に形成さ
れる銅（Ｃｕ）電極である。図面において、インピーダンスが最小になる点が共振インピ
ーダンスＺｒと称され、その対応周波数が共振周波数ｆｒと称され、インピーダンスが最
大になる点が反共振インピーダンスＺａと称され、その対応周波数が反共振周波数ｆａと
称される。帯域幅は（ｆａ－ｆｒ）／ｆｒとして表され、インピーダンス比は２０＊ｌｏ
ｇ（Ｚａ／Ｚｒ）として表される。
波数の関数として示し、図５は、図２のＳＡＷ共振器１００のインピーダンス特性プロッ
トを周波数の関数として示す。図４の例において、ＩＤＴ電極（図１における１２）は、
４２°回転Ｙ板ＬＴ基板の－平面におけるＸ方向（４２°ＹＸＬＴの－平面（オイラー角
での（０°，３１２°，０°）平面）と称する）においてＳＡＷが伝搬する方向に形成さ
れる銅（Ｃｕ）電極である。図面において、インピーダンスが最小になる点が共振インピ
ーダンスＺｒと称され、その対応周波数が共振周波数ｆｒと称され、インピーダンスが最
大になる点が反共振インピーダンスＺａと称され、その対応周波数が反共振周波数ｆａと
称される。帯域幅は（ｆａ－ｆｒ）／ｆｒとして表され、インピーダンス比は２０＊ｌｏ
ｇ（Ｚａ／Ｚｒ）として表される。
【0058】
またも上述したように、図５は、４２°ＹＸＬＴ（４２°ＹＸＬＴの＋平面すなわちオ
イラー角での（０°，１３２°，０°）平面に形成されたＩＤＴ）薄板と４２°４５’Ｙ
９０°Ｘ水晶基板（Ｘ軸から９０°だけずれた方向すなわちオイラー角で（０°，１３２
°４５’，９０°）に伝搬）との組み合わせによって製造されたＳＡＷ共振器の実際の測
定特性を示す。ＬＴと水晶とを組み合わせることにより、帯域幅を４．２％から５．１％
まで広げることと、インピーダンス比を５１ｄＢから８０ｄＢまで増大させて２９ｄＢも
の大きな改善をもたらすこととが許容され得る。したがって、ＬＴと水晶基板とを組み合
わせることにより、周波数特性を有意に改善することができる。
イラー角での（０°，１３２°，０°）平面に形成されたＩＤＴ）薄板と４２°４５’Ｙ
９０°Ｘ水晶基板（Ｘ軸から９０°だけずれた方向すなわちオイラー角で（０°，１３２
°４５’，９０°）に伝搬）との組み合わせによって製造されたＳＡＷ共振器の実際の測
定特性を示す。ＬＴと水晶とを組み合わせることにより、帯域幅を４．２％から５．１％
まで広げることと、インピーダンス比を５１ｄＢから８０ｄＢまで増大させて２９ｄＢも
の大きな改善をもたらすこととが許容され得る。したがって、ＬＴと水晶基板とを組み合
わせることにより、周波数特性を有意に改善することができる。
【0059】
留意されることだが、圧電体は、ｃ軸に対してプラス（＋）及びマイナス（－）の極性
を有する。例えば、４２°回転Ｙ板すなわちオイラー角で（０°，１３２°，０°）とし
て表現される表面が（＋）表面を表し、その裏面すなわち１８０°回転された（０°，３
１２°，０°）が（－）表面を表す。
を有する。例えば、４２°回転Ｙ板すなわちオイラー角で（０°，１３２°，０°）とし
て表現される表面が（＋）表面を表し、その裏面すなわち１８０°回転された（０°，３
１２°，０°）が（－）表面を表す。
【0060】
図６Ａ～図６Ｈは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００が、圧電層１０
４（例えばＬＴ又はＬＮ）の極性配向と基板１１２（例えば水晶）の極性配向との異なる
組み合わせを有し得ることを示す。図６Ａ～図６Ｈにおいて、ＳＡＷ共振器１００それぞ
れの圧電層１０４が第１表面１０３ａ及び第２表面１０３ｂを含むように示され、同じＳ
ＡＷ共振器の基板１１２が第１表面１１３ａ及び第２表面１１３ｂを含むように示される
。圧電層１０４の第２表面１０３ｂは、基板１１２の第１表面１１３ａに係合するように
示される。すなわち、記載を目的として、圧電層１０４の第２表面１０３ｂと基板１１２
の第１表面１１３ａとを係合面とみなすことができ、圧電層１０４の第１表面１０３ａと
基板１１２の第２表面１１３ｂとを非係合面とみなすことができる。
４（例えばＬＴ又はＬＮ）の極性配向と基板１１２（例えば水晶）の極性配向との異なる
組み合わせを有し得ることを示す。図６Ａ～図６Ｈにおいて、ＳＡＷ共振器１００それぞ
れの圧電層１０４が第１表面１０３ａ及び第２表面１０３ｂを含むように示され、同じＳ
ＡＷ共振器の基板１１２が第１表面１１３ａ及び第２表面１１３ｂを含むように示される
。圧電層１０４の第２表面１０３ｂは、基板１１２の第１表面１１３ａに係合するように
示される。すなわち、記載を目的として、圧電層１０４の第２表面１０３ｂと基板１１２
の第１表面１１３ａとを係合面とみなすことができ、圧電層１０４の第１表面１０３ａと
基板１１２の第２表面１１３ｂとを非係合面とみなすことができる。
【0061】
図６Ａは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがプラス（＋）表面とな
るように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係合
面１０３ａがプラス（＋）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがプラスマイナス
（－）表面である。マイナス（－）表面及びプラス（＋）表面の詳細な例が、図７及び図
８を参照してここに記載される。
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがプラス（＋）表面とな
るように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係合
面１０３ａがプラス（＋）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがプラスマイナス
（－）表面である。マイナス（－）表面及びプラス（＋）表面の詳細な例が、図７及び図
８を参照してここに記載される。
【0062】
図６Ｂは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがマイナス（－）表面と
なるように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係
合面１０３ａがプラス（＋）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがプラス（＋）
表面である。
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがマイナス（－）表面と
なるように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係
合面１０３ａがプラス（＋）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがプラス（＋）
表面である。
【0063】
図６Ｃは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがプラス（＋）表面となる
ように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係合面
１０３ａがマイナス（－）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがマイナス（－）
表面である。
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがプラス（＋）表面となる
ように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係合面
１０３ａがマイナス（－）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがマイナス（－）
表面である。
【0064】
図６Ｄは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがマイナス（－）表面とな
るように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係合
面１０３ａがマイナス（－）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがプラス（＋）
表面である。
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その極性により係合面１１３ａがマイナス（－）表面とな
るように構成することができることを示す。かかる構成において、圧電層１０４の非係合
面１０３ａがマイナス（－）表面であり、基板１１２の非係合面１１３ｂがプラス（＋）
表面である。
【0065】
図６Ｅは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，
９０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かかる
構成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはプラス（＋）表面である。
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，
９０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かかる
構成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはプラス（＋）表面である。
【0066】
図６Ｆは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，
－９０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かか
る構成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはプラス（＋）表面である。
極性により係合面１０３ｂがマイナス（－）表面となるように構成することができ、ＳＡ
Ｗ共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，
－９０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かか
る構成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはプラス（＋）表面である。
【0067】
図６Ｇは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，９
０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かかる構
成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはマイナス（－）表面である。
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，９
０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かかる構
成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはマイナス（－）表面である。
【0068】
図６Ｈは、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器１００の圧電層１０４を、その
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，－
９０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かかる
構成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはマイナス（－）表面である。
極性により係合面１０３ｂがプラス（＋）表面となるように構成することができ、ＳＡＷ
共振器１００の基板１１２を、その結晶配向により係合面１１３ａがオイラー角（φ，－
９０°，ψ）を有する非分極表面となるように構成することができることを示す。かかる
構成において、圧電層１０４の非係合面１０３ａはマイナス（－）表面である。
【0069】
図７Ａ及び図７Ｂは、ＬＴ若しくはＬＮ層のような圧電層、又は水晶層のような誘電層
としてよい材料本体１０５示す。記載を目的として、かかる本体は、第１表面１０７ａ及
び第２表面１０７ｂ間に平坦形状を有し、矩形座標系のＸＹ平面に平行な平面を備えるこ
とが想定される。かかる構成において、Ｘ方向は、弾性表面波の伝搬方向としてよい。
としてよい材料本体１０５示す。記載を目的として、かかる本体は、第１表面１０７ａ及
び第２表面１０７ｂ間に平坦形状を有し、矩形座標系のＸＹ平面に平行な平面を備えるこ
とが想定される。かかる構成において、Ｘ方向は、弾性表面波の伝搬方向としてよい。
【0070】
図７Ａ及び図７Ｂの本体１０５において、第１表面１０７ａ及び第２表面１０７ｂ間に
正味の分極電位差をもたらす分極が存在し又は誘起され得る。かかる正味の分極差は、第
１表面１０７ａ上に一タイプの正味の電荷をもたらし、第２表面１０７ｂ上に他タイプの
正味の電荷をもたらし得る。
正味の分極電位差をもたらす分極が存在し又は誘起され得る。かかる正味の分極差は、第
１表面１０７ａ上に一タイプの正味の電荷をもたらし、第２表面１０７ｂ上に他タイプの
正味の電荷をもたらし得る。
【0071】
例えば、図７Ａに示されるように、第１表面１０７ａが正（＋）の分極電位を有して第
２表面１０７ｂが負（－）の分極電位を有するとき、第１表面１０７ａは負（－）の電荷
を有して第２表面１０７ｎは正（＋）の電荷を有する。これとは対照的に、図７Ｂに示さ
れるように、第１表面１０７ａが負（－）の分極電位を有して第２表面１０７ｂが正（＋
）の分極電位を有するとき、第１表面１０７ａは正（＋）の電荷を有して第２表面１０７
ｎは負（－）の電荷を有する。
２表面１０７ｂが負（－）の分極電位を有するとき、第１表面１０７ａは負（－）の電荷
を有して第２表面１０７ｎは正（＋）の電荷を有する。これとは対照的に、図７Ｂに示さ
れるように、第１表面１０７ａが負（－）の分極電位を有して第２表面１０７ｂが正（＋
）の分極電位を有するとき、第１表面１０７ａは正（＋）の電荷を有して第２表面１０７
ｎは負（－）の電荷を有する。
【0072】
記載を目的として、特に指定のない限り、本体１０５のプラス（＋）表面が正（＋）の
分極電位を有する表面に対応し、本体１０５のマイナス（－）表面が負（－）の分極電位
を有する表面に対応する。したがって、図６Ａ～図６Ｄの圧電層１０４及び基板１１２の
プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面は、上述した定義例に従うものと理解され得る
。
分極電位を有する表面に対応し、本体１０５のマイナス（－）表面が負（－）の分極電位
を有する表面に対応する。したがって、図６Ａ～図６Ｄの圧電層１０４及び基板１１２の
プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面は、上述した定義例に従うものと理解され得る
。
【0073】
理解されることだが、本体のプラス（＋）表面及びマイナス（－）表面は、他の態様で
定義することもできる。例えば、プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面は、当該表面
の電荷に対応するように定義されてよい。かかる文脈において、本体のプラス（＋）表面
が正（＋）の電荷を有する表面に対応してよく、本体のマイナス（－）表面が負（－）の
電荷を有する表面に対応してよい。
定義することもできる。例えば、プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面は、当該表面
の電荷に対応するように定義されてよい。かかる文脈において、本体のプラス（＋）表面
が正（＋）の電荷を有する表面に対応してよく、本体のマイナス（－）表面が負（－）の
電荷を有する表面に対応してよい。
【0074】
図８Ａは、図７Ａ及び図７Ｂの本体１０５の結晶構造の単位格子１１７の一例を示す。
かかる単位格子は、負（－）の分極電位を本体１０５の対応表面に与えるべく、本体１０
５のＸＹ平面に平行な基準平面１１５に対する結晶配向を有するように示される。したが
って、かかる表面がマイナス（－）表面となる。
かかる単位格子は、負（－）の分極電位を本体１０５の対応表面に与えるべく、本体１０
５のＸＹ平面に平行な基準平面１１５に対する結晶配向を有するように示される。したが
って、かかる表面がマイナス（－）表面となる。
【0075】
留意されることだが、例えば、４２°Ｙ構成（４２°ＹＬＴ）を有するＬＴ結晶は、プ
ラス（＋）（オイラー角では（０°，１３２°，０°））又はマイナス（－）（オイラー
角では（０°，３１２°，０°））の平面を表し得る。通常のＬＴ又はＬＮのみを使用す
るとき、かかるオイラー角構成（（０°，１３２°，０°）及び（０°，３１２°，０°
））は、ここに記載されるもの（例えば図１０Ａ及び図１０Ｂを参照）と同様の周波数特
性を与える。しかしながら、（０°，１３２°，０°）平面と比較すると、（０°，３１
２°，０°）平面の方が研磨が容易かつ迅速である。したがって、いくつかの実施形態に
おいて、４２°ＹＸＬＴの例に対して利用される平面は（０°，３１２°，０°）平面で
ある。
ラス（＋）（オイラー角では（０°，１３２°，０°））又はマイナス（－）（オイラー
角では（０°，３１２°，０°））の平面を表し得る。通常のＬＴ又はＬＮのみを使用す
るとき、かかるオイラー角構成（（０°，１３２°，０°）及び（０°，３１２°，０°
））は、ここに記載されるもの（例えば図１０Ａ及び図１０Ｂを参照）と同様の周波数特
性を与える。しかしながら、（０°，１３２°，０°）平面と比較すると、（０°，３１
２°，０°）平面の方が研磨が容易かつ迅速である。したがって、いくつかの実施形態に
おいて、４２°ＹＸＬＴの例に対して利用される平面は（０°，３１２°，０°）平面で
ある。
【0076】
図８Ｂは、図７Ａ及び図７Ｂの本体１０５の結晶構造の単位格子１１７の他例を示す。
かかる単位格子は、正（＋）の分極電位を本体１０５の対応表面に与えるべく、本体１０
５のＸＹ平面に平行な基準平面１１５に対する結晶配向を有するように示される。したが
って、かかる表面がプラス（＋）表面となる。
かかる単位格子は、正（＋）の分極電位を本体１０５の対応表面に与えるべく、本体１０
５のＸＹ平面に平行な基準平面１１５に対する結晶配向を有するように示される。したが
って、かかる表面がプラス（＋）表面となる。
【0077】
一例として、上述したプラス（＋）表面を有するＬＴ結晶がオイラー角（０°，１３２
°，０°）を含む。すなわち、４２°ＹＸ構成（４２°ＹＸＬＴ）に対する負（－）の分
極電位表面に対応するマイナス（－）表面は、オイラー角（０°，３１２°，０°）を有
するとして表現することができる。図８Ａを参照して記載したように、かかる表面（オイ
ラー角（０°，３１２°，０°）を有する）は、いくつかの実施形態において好ましい。
°，０°）を含む。すなわち、４２°ＹＸ構成（４２°ＹＸＬＴ）に対する負（－）の分
極電位表面に対応するマイナス（－）表面は、オイラー角（０°，３１２°，０°）を有
するとして表現することができる。図８Ａを参照して記載したように、かかる表面（オイ
ラー角（０°，３１２°，０°）を有する）は、いくつかの実施形態において好ましい。
【0078】
記載を目的として、図６及び図７を参照すると、正（＋）の分極電位表面に対して定義
されるオイラー角は（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含む。さらに、負（－）の
分極電位表面に対して定義されるオイラー角は（０°，－９０°＜θ＜９０°，０°）を
含む。したがって、プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面が正（＋）の分極電位表面
及び負（－）の分極電位表面に従う場合、プラス（＋）表面に対して定義されるオイラー
角は（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、マイナス（－）表面に対して定義さ
れるオイラー角は（０°，－９０°＜θ ＜９０°，０°）を含む。
されるオイラー角は（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含む。さらに、負（－）の
分極電位表面に対して定義されるオイラー角は（０°，－９０°＜θ＜９０°，０°）を
含む。したがって、プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面が正（＋）の分極電位表面
及び負（－）の分極電位表面に従う場合、プラス（＋）表面に対して定義されるオイラー
角は（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、マイナス（－）表面に対して定義さ
れるオイラー角は（０°，－９０°＜θ ＜９０°，０°）を含む。
【0079】
記載を目的として、角度αは、ｎが整数のとき、α±ｎ３６０°という等価形式で表現
することができることが理解される。例えば、オイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°
，０°）は、（０°，－２７０°＜θ＜－９０°，０°）と等価であると理解される。他
例において、オイラー角（０°，－９０°＜θ＜９０°，０°）は、（０°，２７０°＜
θ＜４５０°，０°）と等価であると理解される。
することができることが理解される。例えば、オイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°
，０°）は、（０°，－２７０°＜θ＜－９０°，０°）と等価であると理解される。他
例において、オイラー角（０°，－９０°＜θ＜９０°，０°）は、（０°，２７０°＜
θ＜４５０°，０°）と等価であると理解される。
【0080】
プラス（＋）表面及びマイナス（－）表面の上述した定義例の文脈において、表１は、
図６Ａ～図６ＤのＳＡＷ共振器構成をまとめる。ここで、圧電層１０４がＬＴであり、基
板１１２が水晶であることが想定され、オイラー角は、図示のように見たときの対応層の
上面（ＬＴ層１０４に対して１０３ａ、水晶層１１２に対して１１３ａ）に対応すること
が理解される。
図６Ａ～図６ＤのＳＡＷ共振器構成をまとめる。ここで、圧電層１０４がＬＴであり、基
板１１２が水晶であることが想定され、オイラー角は、図示のように見たときの対応層の
上面（ＬＴ層１０４に対して１０３ａ、水晶層１１２に対して１１３ａ）に対応すること
が理解される。
【表1】
【0081】
表１の例において、各水晶基板は、各オイラー角に対応するプラス（＋）表面及びマイ
ナス（－）表面を含むように構成される。留意されることだが、水晶結晶の分極平面（例
えばＺ平面）がＳＡＷ平面（例えばオイラー角で（９０°，９０°，９０°）又は（９０
°，－９０°，９０°））の表面に垂直な場合、対応する水晶基板は、分極平面に関連付
けられる（＋）表面及び（－）表面を有しない。いくつかの実施形態において、かかる水
晶基板を利用するＳＡＷ共振器が実装されてよい。
ナス（－）表面を含むように構成される。留意されることだが、水晶結晶の分極平面（例
えばＺ平面）がＳＡＷ平面（例えばオイラー角で（９０°，９０°，９０°）又は（９０
°，－９０°，９０°））の表面に垂直な場合、対応する水晶基板は、分極平面に関連付
けられる（＋）表面及び（－）表面を有しない。いくつかの実施形態において、かかる水
晶基板を利用するＳＡＷ共振器が実装されてよい。
【0082】
表２は、図６Ｄ～図６ＧのＳＡＷ共振器構成をまとめる。ここで、圧電層１０４がＬＴ
であり、基板１１２が水晶であることが想定され、オイラー各は、図示のように見たとき
の対応層の上面（ＬＴ層１０４に対して１０３ａ、水晶層１１２に対して１１３ａ）に対
応することが理解される。
であり、基板１１２が水晶であることが想定され、オイラー各は、図示のように見たとき
の対応層の上面（ＬＴ層１０４に対して１０３ａ、水晶層１１２に対して１１３ａ）に対
応することが理解される。
【表2】
【0083】
ここに詳述されるように、＋ＬＴ－／水晶構成（例えば図６Ｅ又は図６Ｆ）を有するＳ
ＡＷ共振器が、－ＬＴ＋／水晶構成（例えば図６Ｇ又は図６Ｈ）を有するＳＡＷ共振器と
比べると高いインピーダンス比を有することに留意されたい。
ＡＷ共振器が、－ＬＴ＋／水晶構成（例えば図６Ｇ又は図６Ｈ）を有するＳＡＷ共振器と
比べると高いインピーダンス比を有することに留意されたい。
【0084】
表１及び表２に上げられるＬＴ及び水晶の表面組み合わせに対する接合強度の測定値は
以下のとおりである。すなわち、＋ＬＴ－／＋水晶－構成（図６Ａ）に対し測定接合強度
（２γ）は２．２ジュール／ｍ２であり、＋ＬＴ－／－水晶＋構成（図６Ｂ）に対し測定
接合強度（２γ）は２．０ジュール／ｍ２であり、－ＬＴ＋／＋水晶－構成（図６Ｃ）に
対し測定接合強度（２γ）は１．８ジュール／ｍ２であり、－ＬＴ＋／－水晶＋構成（図
６Ｄ）に対し測定接合強度（２γ）は２．０ジュール／ｍ２であり、図６Ｅの＋ＬＴ－／
水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２であり、図６Ｆの＋ＬＴ－
／水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２であり、図６Ｇの－ＬＴ
＋／水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２であり、図６Ｇの－Ｌ
Ｔ＋／水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２である。留意される
ことだが、表１及び表２に挙げられる８つの構成のうち、図６Ａの構成（＋ＬＴ－／＋水
晶－）が最も高い接合強度（２γ＝２．２ジュール／ｍ２）を与える。
以下のとおりである。すなわち、＋ＬＴ－／＋水晶－構成（図６Ａ）に対し測定接合強度
（２γ）は２．２ジュール／ｍ２であり、＋ＬＴ－／－水晶＋構成（図６Ｂ）に対し測定
接合強度（２γ）は２．０ジュール／ｍ２であり、－ＬＴ＋／＋水晶－構成（図６Ｃ）に
対し測定接合強度（２γ）は１．８ジュール／ｍ２であり、－ＬＴ＋／－水晶＋構成（図
６Ｄ）に対し測定接合強度（２γ）は２．０ジュール／ｍ２であり、図６Ｅの＋ＬＴ－／
水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２であり、図６Ｆの＋ＬＴ－
／水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２であり、図６Ｇの－ＬＴ
＋／水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２であり、図６Ｇの－Ｌ
Ｔ＋／水晶構成に対し測定接合強度（２γ）は１．９ジュール／ｍ２である。留意される
ことだが、表１及び表２に挙げられる８つの構成のうち、図６Ａの構成（＋ＬＴ－／＋水
晶－）が最も高い接合強度（２γ＝２．２ジュール／ｍ２）を与える。
【0085】
上述した測定値の例において、接合強度は２γとして表現される。ここで、γは、Tong
, Q., Goesele, U., and Society, E. (1999) Semiconductor Wafer Bonding: Science a
nd Technology, John Wiley & Sons, Inc., New Yorkに開示される２つの基板間の接合強
度である。様々な製造プロセスステップにおける接合強度に関する例が、ここに詳述され
る。
, Q., Goesele, U., and Society, E. (1999) Semiconductor Wafer Bonding: Science a
nd Technology, John Wiley & Sons, Inc., New Yorkに開示される２つの基板間の接合強
度である。様々な製造プロセスステップにおける接合強度に関する例が、ここに詳述され
る。
【0086】
いくつかの実施形態において、水晶基板に対する表１及び表２における角度φは、０°
≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し得る。例えば、水晶基板は、φ＝０°又はφ＝９０
°となる構成を有し得る。いくつかの実施形態において、水晶基板に対する表１及び表２
における角度ψは、０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有し得る。例えば、水晶基板は
、ψ＝０°又はψ＝９０°となる構成を有し得る。
≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し得る。例えば、水晶基板は、φ＝０°又はφ＝９０
°となる構成を有し得る。いくつかの実施形態において、水晶基板に対する表１及び表２
における角度ψは、０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有し得る。例えば、水晶基板は
、ψ＝０°又はψ＝９０°となる構成を有し得る。
【0087】
理解されることだが、表１及び表２に定義される表面組み合わせ及びオイラー角組み合
わせはまた、他の圧電層（ＬＮ層を含む）及び／又は他の基板層に適用してよい。
わせはまた、他の圧電層（ＬＮ層を含む）及び／又は他の基板層に適用してよい。
【0088】
またも理解されることだが、プラス（＋）表面はまた、単なる（＋）表面と称してよく
、マイナス（－）表面もまた、単なる（－）表面と称してよい。
、マイナス（－）表面もまた、単なる（－）表面と称してよい。
【0089】
図９Ａ及び図９Ｂは、２μｍの波長（λ）及び０．０８λの厚さを有するアルミニウム
電極が、２０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０°，１１０°，０°
））及びその（－）表面（オイラー角で（０°，２９０°，０°））それぞれに形成され
たＳＡＷ共振器の特性を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂは、同電極が、４２°回転Ｙ板Ｘ伝
搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０°，１３２°，０°））及び（－）表面（オイラ
ー角で（０°，３１２°，０°））それぞれに形成されたＳＡＷ共振器の周波数特性を示
す。これらのインピーダンス特性プロットからわかるように、電極が通常のＬＴ基板の（
＋）表面又は（－）表面のいずれかに形成されるとしても、対応ＳＡＷ共振器間に帯域幅
、インピーダンス比、共振周波数、反共振周波数、スプリアスモード等の本質的な差は存
在しない。
電極が、２０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０°，１１０°，０°
））及びその（－）表面（オイラー角で（０°，２９０°，０°））それぞれに形成され
たＳＡＷ共振器の特性を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂは、同電極が、４２°回転Ｙ板Ｘ伝
搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０°，１３２°，０°））及び（－）表面（オイラ
ー角で（０°，３１２°，０°））それぞれに形成されたＳＡＷ共振器の周波数特性を示
す。これらのインピーダンス特性プロットからわかるように、電極が通常のＬＴ基板の（
＋）表面又は（－）表面のいずれかに形成されるとしても、対応ＳＡＷ共振器間に帯域幅
、インピーダンス比、共振周波数、反共振周波数、スプリアスモード等の本質的な差は存
在しない。
【0090】
上述した例に基づくと、通常のＬＴ基板の（＋）表面と（－）表面との間にインピーダ
ンス特性の差が存在しないことがわかる。したがって、一般に、通常のＬＴ基板が利用さ
れるとき、（＋）平面と（－）平面とは区別されない。ただし、（－）平面の方が研磨し
易いことから、通常のＬＴ基板においては典型的に、かかる表面が利用される。例えば、
通常の４２°ＹＸＬＴのケース例において、（０°，３１２°，０°）平面が利用される
のが典型的である。
ンス特性の差が存在しないことがわかる。したがって、一般に、通常のＬＴ基板が利用さ
れるとき、（＋）平面と（－）平面とは区別されない。ただし、（－）平面の方が研磨し
易いことから、通常のＬＴ基板においては典型的に、かかる表面が利用される。例えば、
通常の４２°ＹＸＬＴのケース例において、（０°，３１２°，０°）平面が利用される
のが典型的である。
【0091】
【0092】
一例として、２０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）表面及び（－）表面（それぞれオイラ
ー角で（０°，１１０°，０°）及び（０°，２９０°，０°））、並びに４２°４５’
Ｙ板９０°伝搬水晶の（＋）表面及び（－）表面（（０°，１３２°４５’，９０°）及
び（０°，３１２°４５’，９０°））が用意されて図６Ａ～図６Ｄに示される４つの組
み合わせに対応する４つのＳＡＷ共振器が形成され、これらの周波数特性が得られた。図
１１Ａ～図１１Ｄがこれらの特性を示す。
ー角で（０°，１１０°，０°）及び（０°，２９０°，０°））、並びに４２°４５’
Ｙ板９０°伝搬水晶の（＋）表面及び（－）表面（（０°，１３２°４５’，９０°）及
び（０°，３１２°４５’，９０°））が用意されて図６Ａ～図６Ｄに示される４つの組
み合わせに対応する４つのＳＡＷ共振器が形成され、これらの周波数特性が得られた。図
１１Ａ～図１１Ｄがこれらの特性を示す。
【0093】
図６Ａ～図６Ｄ及び図１１Ａ～図１１Ｄを参照すると、電極側が（＋）表面であって水
晶接合表面が（－）表面であるＬＴと接合表面が（＋）表面である水晶との組み合わせ（
図６Ａ）、及び同じＬＴと接合表面が（－）表面である水晶との組み合わせ（図６Ｂ）が
、図１１Ａ及び図１１Ｂそれぞれに示されるように、本質的に同じ帯域幅及びインピーダ
ンス比を示すことがわかる。またもわかることだが、電極側が（－）表面であって水晶接
合表面が（＋）表面であるＬＴと接合表面が（＋）表面である水晶との組み合わせ（図６
Ｃ）、及び同じＬＴと接合表面が（－）表面である水晶との組み合わせ（図６Ｄ）が、図
１１Ｃ及び図１１Ｄそれぞれに示されるように、本質的に同じ帯域幅及びインピーダンス
比を示す。しかしながら、図１１Ａ及び図１１Ｂに示される実施形態は、図１１Ｃ及び図
１１Ｄの実施形態と比較すると、１３％だけ広い帯域幅、及び２ｄＢだけ大きなインピー
ダンス比が得られることを示す。留意されることだが、１３％という値は、図１１Ａ～図
１１Ｄに示される６．２％／５．５％から計算される。
晶接合表面が（－）表面であるＬＴと接合表面が（＋）表面である水晶との組み合わせ（
図６Ａ）、及び同じＬＴと接合表面が（－）表面である水晶との組み合わせ（図６Ｂ）が
、図１１Ａ及び図１１Ｂそれぞれに示されるように、本質的に同じ帯域幅及びインピーダ
ンス比を示すことがわかる。またもわかることだが、電極側が（－）表面であって水晶接
合表面が（＋）表面であるＬＴと接合表面が（＋）表面である水晶との組み合わせ（図６
Ｃ）、及び同じＬＴと接合表面が（－）表面である水晶との組み合わせ（図６Ｄ）が、図
１１Ｃ及び図１１Ｄそれぞれに示されるように、本質的に同じ帯域幅及びインピーダンス
比を示す。しかしながら、図１１Ａ及び図１１Ｂに示される実施形態は、図１１Ｃ及び図
１１Ｄの実施形態と比較すると、１３％だけ広い帯域幅、及び２ｄＢだけ大きなインピー
ダンス比が得られることを示す。留意されることだが、１３％という値は、図１１Ａ～図
１１Ｄに示される６．２％／５．５％から計算される。
【0094】
【0095】
他例として、２０°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＴの（＋）表面及び（－）表面（それぞれオイラ
ー角で（０°，１１０°，０°）及び（０°，２９０°，０°））、並びに回転３５°Ｙ
板９０°伝搬～６０°Ｙ板９０°伝搬水晶の（＋）表面（オイラー角で（０°，１２５°
，９０°）～（０°，１５０°，９０°））及び同じ水晶の（－）表面（オイラー角で（
０°，３０５°，９０°）～（０°，３３０°，９０°））が用意されて図６Ａ～図６Ｄ
に示される４つの組み合わせに対応する４つのＳＡＷ共振器が形成され、これらの周波数
特性が得られた。４つの構造組み合わせの帯域幅及びインピーダンス比が、水晶のオイラ
ー角θの関数として図１２Ａ及び図１２Ｂに示される。水晶はいずれのオイラー角θでも
、図６Ｃ及び図６Ｄの構造よりも図６Ａ及び図６Ｂの構造の方から広い帯域幅及び大きな
インピーダンス比が得られる。
ー角で（０°，１１０°，０°）及び（０°，２９０°，０°））、並びに回転３５°Ｙ
板９０°伝搬～６０°Ｙ板９０°伝搬水晶の（＋）表面（オイラー角で（０°，１２５°
，９０°）～（０°，１５０°，９０°））及び同じ水晶の（－）表面（オイラー角で（
０°，３０５°，９０°）～（０°，３３０°，９０°））が用意されて図６Ａ～図６Ｄ
に示される４つの組み合わせに対応する４つのＳＡＷ共振器が形成され、これらの周波数
特性が得られた。４つの構造組み合わせの帯域幅及びインピーダンス比が、水晶のオイラ
ー角θの関数として図１２Ａ及び図１２Ｂに示される。水晶はいずれのオイラー角θでも
、図６Ｃ及び図６Ｄの構造よりも図６Ａ及び図６Ｂの構造の方から広い帯域幅及び大きな
インピーダンス比が得られる。
【0096】
他例として、回転１０°Ｘ伝搬～５０°ＹＸ伝搬ＬＴの（＋）表面（オイラー角で（０
°，１００°，０°）～（０°，１４０°，０°））及び同じＬＴの（－）表面（オイラ
ー角で（０°，２８０°，０°）～（０°，３２０°，０°））、並びに４２°４５’Ｙ
板９０°伝搬水晶の（＋）表面及び（－）表面（それぞれオイラー角で（０°，１３２°
４５’，９０°）及び（０°，３１２°４５’，９０°））が用意された。図６Ａ～図６
Ｄに示される４つの組み合わせに対し、ＳＡＷ共振器の周波数特性が得られた。４つの構
造組み合わせの帯域幅及びインピーダンス比が、ＬＴのオイラー角θの関数として図１３
Ａ及び図１３Ｂに示される。ＬＴのいずれのオイラー角に対しても、図６Ｃ及び図６Ｄの
構造よりも図６Ａ及び図６Ｂの構造の方から広い帯域幅及び大きなインピーダンス比が得
られる。
°，１００°，０°）～（０°，１４０°，０°））及び同じＬＴの（－）表面（オイラ
ー角で（０°，２８０°，０°）～（０°，３２０°，０°））、並びに４２°４５’Ｙ
板９０°伝搬水晶の（＋）表面及び（－）表面（それぞれオイラー角で（０°，１３２°
４５’，９０°）及び（０°，３１２°４５’，９０°））が用意された。図６Ａ～図６
Ｄに示される４つの組み合わせに対し、ＳＡＷ共振器の周波数特性が得られた。４つの構
造組み合わせの帯域幅及びインピーダンス比が、ＬＴのオイラー角θの関数として図１３
Ａ及び図１３Ｂに示される。ＬＴのいずれのオイラー角に対しても、図６Ｃ及び図６Ｄの
構造よりも図６Ａ及び図６Ｂの構造の方から広い帯域幅及び大きなインピーダンス比が得
られる。
【0097】
【0098】
例えば、２５°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬＮの（＋）表面及び（－）表面（それぞれオイラー角
で（０°，１１５°，０°）及び（０°，２９５°，０°））、並びに回転３５°Ｙ板９
０°伝搬～６０°Ｙ板９０°伝搬水晶の（＋）表面（オイラー角で（０°，１２５°，９
０°）～（０°，１５０°，９０°））及び同じ水晶の（－）表面（それぞれオイラー角
で（０°，３０５°，９０°）～（０°，３３０°，９０°））が用意された。図６Ａ～
図６Ｄに示される４つの組み合わせに対し、ＳＡＷ共振器の周波数特性が得られた。４つ
の構造組み合わせの帯域幅及びインピーダンス比が、水晶のオイラー角θの関数として図
１４Ａ及び図１４Ｂに示される。水晶はいずれのオイラー角θでも、図６Ｃ及び図６Ｄの
構造よりも図６Ａ及び図６Ｂの構造の方から広い帯域幅及び大きなインピーダンス比が得
られる。ＬＮと水晶との他の組み合わせもまた、ここに記載されるＬＴと水晶との対応す
る組み合わせと同様の結果を与え得る。
で（０°，１１５°，０°）及び（０°，２９５°，０°））、並びに回転３５°Ｙ板９
０°伝搬～６０°Ｙ板９０°伝搬水晶の（＋）表面（オイラー角で（０°，１２５°，９
０°）～（０°，１５０°，９０°））及び同じ水晶の（－）表面（それぞれオイラー角
で（０°，３０５°，９０°）～（０°，３３０°，９０°））が用意された。図６Ａ～
図６Ｄに示される４つの組み合わせに対し、ＳＡＷ共振器の周波数特性が得られた。４つ
の構造組み合わせの帯域幅及びインピーダンス比が、水晶のオイラー角θの関数として図
１４Ａ及び図１４Ｂに示される。水晶はいずれのオイラー角θでも、図６Ｃ及び図６Ｄの
構造よりも図６Ａ及び図６Ｂの構造の方から広い帯域幅及び大きなインピーダンス比が得
られる。ＬＮと水晶との他の組み合わせもまた、ここに記載されるＬＴと水晶との対応す
る組み合わせと同様の結果を与え得る。
【0099】
少なくとも部分的に上記例に基づくと、ＬＴ又はＬＮ板と水晶基板との組み合わせは、
水晶基板に表面接合するのが（－）表面となるＬＴ又はＬＮ板を使用する図６Ａ及び図６
Ｂの構造によって、ＬＴ、ＬＮ又は水晶のいずれの配向角度においても良好な特性を与え
ることができる。
水晶基板に表面接合するのが（－）表面となるＬＴ又はＬＮ板を使用する図６Ａ及び図６
Ｂの構造によって、ＬＴ、ＬＮ又は水晶のいずれの配向角度においても良好な特性を与え
ることができる。
【0100】
ＳＡＷ共振器の分極電位平面が水晶表面に垂直な場合（例えばオイラー角で（９０°，
９０°，９０°）又は（９０°，－９０°，９０°）平面）、その水晶基板は、分極方向
に対して（＋）表面及び（－）表面を有しない。留意されることだが、この例の（９０°
，９０°，９０°）平面の裏側が（９０°，－９０°，９０°）平面である。
９０°，９０°）又は（９０°，－９０°，９０°）平面）、その水晶基板は、分極方向
に対して（＋）表面及び（－）表面を有しない。留意されることだが、この例の（９０°
，９０°，９０°）平面の裏側が（９０°，－９０°，９０°）平面である。
【0101】
水晶基板の上記構成において、図６Ｅ～図６Ｈ及び表２を参照すると、図６Ｅ（＋ＬＴ
－／（９０°，９０°，９０°）水晶）及び図６Ｆ（＋ＬＴ－／（９０°，－９０°，９
０°）水晶）のＳＡＷ共振器が、図６Ｇ（－ＬＴ＋／（９０°，９０°，９０°）水晶）
及び図６Ｈ（－ＬＴ＋／（９０°，－９０°，９０°）水晶）のＳＡＷ共振器よりも高い
インピーダンス比を与える。したがって、高いインピーダンス比を得るためには、水晶基
板がそれ自体の（－）平面及び（＋）平面を含むか否かにかかわらず、水晶基板と係合す
るＬＴ又はＬＮの（－）平面又は（＋）平面が重要となる。
－／（９０°，９０°，９０°）水晶）及び図６Ｆ（＋ＬＴ－／（９０°，－９０°，９
０°）水晶）のＳＡＷ共振器が、図６Ｇ（－ＬＴ＋／（９０°，９０°，９０°）水晶）
及び図６Ｈ（－ＬＴ＋／（９０°，－９０°，９０°）水晶）のＳＡＷ共振器よりも高い
インピーダンス比を与える。したがって、高いインピーダンス比を得るためには、水晶基
板がそれ自体の（－）平面及び（＋）平面を含むか否かにかかわらず、水晶基板と係合す
るＬＴ又はＬＮの（－）平面又は（＋）平面が重要となる。
【0102】
図１５Ａ及び図１５Ｂはそれぞれ、＋２０°ＹＸＬＴ－／＋４２°４５’Ｙ９０°Ｘ水
晶構造の厚さ（波長λに関する）と、（ａ）帯域幅及び（ｂ）インピーダンス比との関係
を示す。０．００４λから１．５λまでのＬＴ厚さにおいて７０ｄＢ以上のインピーダン
ス比が得られること、及び０．００６λから１λまででは７３ｄＢ以上のインピーダンス
比が得られることがわかる。したがって、大きなインピーダンス比を得るためには、ＬＴ
又はＬＮの厚さは１．５λ以下に、好ましくは１λ以下にするとよい。
晶構造の厚さ（波長λに関する）と、（ａ）帯域幅及び（ｂ）インピーダンス比との関係
を示す。０．００４λから１．５λまでのＬＴ厚さにおいて７０ｄＢ以上のインピーダン
ス比が得られること、及び０．００６λから１λまででは７３ｄＢ以上のインピーダンス
比が得られることがわかる。したがって、大きなインピーダンス比を得るためには、ＬＴ
又はＬＮの厚さは１．５λ以下に、好ましくは１λ以下にするとよい。
【0103】
理解されることだが、本開示の一以上の特徴は、ＳＡＷ共振器だけにではなく、ＬＴ又
はＬＮ層と水晶基板との組み合わせにより形成される任意のＳＡＷデバイスにも適用する
ことができる。
はＬＮ層と水晶基板との組み合わせにより形成される任意のＳＡＷデバイスにも適用する
ことができる。
【0104】
図１６及び図１７はそれぞれ、（０°，θ，０°）ＬＴ及び（０°，θ，０°）ＬＮに
対する、Ｘ方向（ＳＡＷ伝搬方向）及びＹ方向（ＳＡＷ伝搬方向に対して９０度傾いた方
向）の線膨張率における基板のθ依存性を示す。ＬＴ及びＬＮの双方に対し、Ｘ方向の線
膨張率はＹ方向の線膨張率よりも大きい。ＬＴ及びＬＮの双方に対し、Ｘ方向とＹ方向と
の線膨張率の差はθ＝９０°の近傍で大きくなる。留意されることだが、（φ，θ，ψ）
に関連付けられる線膨張率は、（φ，θ＋１８０°，ψ）の線膨張率と本質的に同じであ
るから、線膨張率の文脈において、ここでは（φ，θ＋１８０°，ψ）を（φ，θ，ψ）
と称してよい。
対する、Ｘ方向（ＳＡＷ伝搬方向）及びＹ方向（ＳＡＷ伝搬方向に対して９０度傾いた方
向）の線膨張率における基板のθ依存性を示す。ＬＴ及びＬＮの双方に対し、Ｘ方向の線
膨張率はＹ方向の線膨張率よりも大きい。ＬＴ及びＬＮの双方に対し、Ｘ方向とＹ方向と
の線膨張率の差はθ＝９０°の近傍で大きくなる。留意されることだが、（φ，θ，ψ）
に関連付けられる線膨張率は、（φ，θ＋１８０°，ψ）の線膨張率と本質的に同じであ
るから、線膨張率の文脈において、ここでは（φ，θ＋１８０°，ψ）を（φ，θ，ψ）
と称してよい。
【0105】
図１８、１９及び２０はそれぞれ、（０°，θ，０°）水晶、（０°，θ，４５°）水
晶及び（０°，θ，９０°）水晶に対する、基板のＸ方向及びＹ方向の線膨張率のθ依存
性を示す。（０°，θ，０°）水晶に対しては図１８に示されるように、Ｘ方向の線膨張
率はＹ方向の線膨張率よりも大きい。しかしながら、（０°，θ，４５°）水晶に対して
は図１９に示されるように、両方向の線膨張率は実質的に同一であり、（０°，θ，９０
°）水晶に対しては図２０に示されるように、Ｙ方向の線膨張率はＸ方向の線膨張率より
も大きい。
晶及び（０°，θ，９０°）水晶に対する、基板のＸ方向及びＹ方向の線膨張率のθ依存
性を示す。（０°，θ，０°）水晶に対しては図１８に示されるように、Ｘ方向の線膨張
率はＹ方向の線膨張率よりも大きい。しかしながら、（０°，θ，４５°）水晶に対して
は図１９に示されるように、両方向の線膨張率は実質的に同一であり、（０°，θ，９０
°）水晶に対しては図２０に示されるように、Ｙ方向の線膨張率はＸ方向の線膨張率より
も大きい。
【0106】
図２１、２２及び２３はそれぞれ、（０°，１２６°，ψ）水晶、（０°，１３２°４
５’，ψ）水晶及び（０°，１４５°，ψ）水晶に対する、基板のＸ方向及びＹ方向の線
膨張率のψ依存性を示す。０≦ψ＜４５°及び１３５°≦ψ≦１８０°においてはいずれ
の基板も、Ｘ方向の線膨張率がＹ方向の線膨張率よりも大きく、ψ＝４５°及び１３５°
に対しては両方向の線膨張率は実質的に同じであり、４５°≦ψ＜１３５°に対してはＸ
方向の線膨張率はＹ方向の線膨張率よりも小さい。
５’，ψ）水晶及び（０°，１４５°，ψ）水晶に対する、基板のＸ方向及びＹ方向の線
膨張率のψ依存性を示す。０≦ψ＜４５°及び１３５°≦ψ≦１８０°においてはいずれ
の基板も、Ｘ方向の線膨張率がＹ方向の線膨張率よりも大きく、ψ＝４５°及び１３５°
に対しては両方向の線膨張率は実質的に同じであり、４５°≦ψ＜１３５°に対してはＸ
方向の線膨張率はＹ方向の線膨張率よりも小さい。
【0107】
いくつかの実施形態において、適切な結合係数に鑑み、（０°，２８０°～３３０°，
０°）（これは（０°，１００°～１５０°，０°）と同じ線膨張率を与える）をＬＴ層
に対して使用することができる。（０°，θ，０°）水晶層を有するこれらの層の任意の
組み合わせにより、Ｘ方向の線膨張率をＹ方向の線膨張率よりも大きくすることができる
ので、熱に起因するＸ方向の膨張が、任意の配向角度において大きくなる。したがって、
ＬＴ層は、任意の配向角度において、熱クラックを受けにくくなる。両層間のＸ方向線膨
張率の差が近似的に１５％であるにもかかわらず、この差がＹ方向であっても許容される
場合、ＬＴ配向角度（０°，１２０°～１５０°，０°）に対するＹ方向線膨張率が近似
的に７．１０×１０－６から１３．１０×１０－６となる一方、水晶配向角度（０°，１
０°～８０°，０°）及び（０°，１００°～１７０°，０°）に対するＹ方向線膨張率
は近似的に７．４８×１０－６から１３．５２×１０－６となる。したがって、この水晶
配向角度によって、両層の線膨張率を実質的に同じにすることができる。
０°）（これは（０°，１００°～１５０°，０°）と同じ線膨張率を与える）をＬＴ層
に対して使用することができる。（０°，θ，０°）水晶層を有するこれらの層の任意の
組み合わせにより、Ｘ方向の線膨張率をＹ方向の線膨張率よりも大きくすることができる
ので、熱に起因するＸ方向の膨張が、任意の配向角度において大きくなる。したがって、
ＬＴ層は、任意の配向角度において、熱クラックを受けにくくなる。両層間のＸ方向線膨
張率の差が近似的に１５％であるにもかかわらず、この差がＹ方向であっても許容される
場合、ＬＴ配向角度（０°，１２０°～１５０°，０°）に対するＹ方向線膨張率が近似
的に７．１０×１０－６から１３．１０×１０－６となる一方、水晶配向角度（０°，１
０°～８０°，０°）及び（０°，１００°～１７０°，０°）に対するＹ方向線膨張率
は近似的に７．４８×１０－６から１３．５２×１０－６となる。したがって、この水晶
配向角度によって、両層の線膨張率を実質的に同じにすることができる。
【0108】
いくつかの実施形態において、（０°，２６５°～３３６°，０°）（これは（０°，
８５°～１５６°，０°）と同じ線膨張率を与える）をＬＮに対して使用することができ
、これと（０°，θ，０°）水晶との組み合わせにより、Ｘ方向の熱膨張が任意の配向角
度において大きくなるように、両層に対してＸ方向の線膨張率をＹ方向の線膨張率よりも
大きくすることができる。ＬＮ配向角度（０°，８５°～１５６°，０°）（これは線膨
張率の点で（０°，２６５°～３３６°，０°）と等価である）のＹ方向線膨張率が近似
的に７．５×１０－６から１４．００×１０－６となる一方、水晶（０°，５°～８５°
，０°）及び（０°，９５°～１７５°，０°）のＹ方向線膨張率は近似的に７．４８×
１０－６から１３．７１×１０－６となる。したがって、ＬＮ及び水晶の線膨張率を、配
向角度に対して実質的に同じにすることができる。
８５°～１５６°，０°）と同じ線膨張率を与える）をＬＮに対して使用することができ
、これと（０°，θ，０°）水晶との組み合わせにより、Ｘ方向の熱膨張が任意の配向角
度において大きくなるように、両層に対してＸ方向の線膨張率をＹ方向の線膨張率よりも
大きくすることができる。ＬＮ配向角度（０°，８５°～１５６°，０°）（これは線膨
張率の点で（０°，２６５°～３３６°，０°）と等価である）のＹ方向線膨張率が近似
的に７．５×１０－６から１４．００×１０－６となる一方、水晶（０°，５°～８５°
，０°）及び（０°，９５°～１７５°，０°）のＹ方向線膨張率は近似的に７．４８×
１０－６から１３．７１×１０－６となる。したがって、ＬＮ及び水晶の線膨張率を、配
向角度に対して実質的に同じにすることができる。
【0109】
Ｘ方向線膨張率とＹ方向線膨張率との大きさの関係は、図１６に示される（０°，θ，
０°）ＬＴと図２０に示される（０°，θ，９０°）水晶との間で逆になるので、ＬＴと
水晶との接合条件は見出すのが難しくなり得る。しかしながら、それ自体が一般に使用さ
れる配向である（０°，２８０°～３３０°，０°）ＬＴの膨張率と水晶の膨張率との差
を、できる限り小さくし得る配向を使用することが好ましい。かかる配向（０°，２８０
°～３３０°，０°）ＬＴは近似的に１６．１×１０－６のＸ方向線膨張率を有し、その
±４０％線膨張率は近似的に９．６６×１０－６から２２．９６×１０－６の範囲にわた
るので、水晶のＸ方向線膨張率が当該範囲内となることを許容する水晶配向角度は（０°
，０°～５４°，９０°）及び（０°，１２６°～１８０°，９０°）となり得る。他方
、Ｙ方向に対しては、上記配向のＬＴの線膨張率が４．４６×１０－６から１３．１×１
０－６の範囲にわたり、その±４０％線膨張率が近似的に６．２４×１０－６から１８．
３４×１０－６の範囲にわたるので、これらの線膨張率を満たす水晶の配向角度は（０°
，０°～１８０°，９０°）となり得る。それを目的として、配向（０°，１００°～１
５０°，０°）ＬＴの例に対し、ＬＴと水晶とのＸ方向及びＹ方向における線膨張率差が
±４０％となることを許容する水晶配向角度は（０°，０°～５４°，９０°）及び（０
°，１２６°～１８０°，９０°）となり得る。
０°）ＬＴと図２０に示される（０°，θ，９０°）水晶との間で逆になるので、ＬＴと
水晶との接合条件は見出すのが難しくなり得る。しかしながら、それ自体が一般に使用さ
れる配向である（０°，２８０°～３３０°，０°）ＬＴの膨張率と水晶の膨張率との差
を、できる限り小さくし得る配向を使用することが好ましい。かかる配向（０°，２８０
°～３３０°，０°）ＬＴは近似的に１６．１×１０－６のＸ方向線膨張率を有し、その
±４０％線膨張率は近似的に９．６６×１０－６から２２．９６×１０－６の範囲にわた
るので、水晶のＸ方向線膨張率が当該範囲内となることを許容する水晶配向角度は（０°
，０°～５４°，９０°）及び（０°，１２６°～１８０°，９０°）となり得る。他方
、Ｙ方向に対しては、上記配向のＬＴの線膨張率が４．４６×１０－６から１３．１×１
０－６の範囲にわたり、その±４０％線膨張率が近似的に６．２４×１０－６から１８．
３４×１０－６の範囲にわたるので、これらの線膨張率を満たす水晶の配向角度は（０°
，０°～１８０°，９０°）となり得る。それを目的として、配向（０°，１００°～１
５０°，０°）ＬＴの例に対し、ＬＴと水晶とのＸ方向及びＹ方向における線膨張率差が
±４０％となることを許容する水晶配向角度は（０°，０°～５４°，９０°）及び（０
°，１２６°～１８０°，９０°）となり得る。
【0110】
Ｘ方向線膨張率とＹ方向線膨張率との大きさの関係は、図１７に示される（０°，θ，
０°）ＬＮと図２０に示される（０°，θ，９０°）水晶との間で逆になるにもかかわら
ず、それ自体が一般に使用される配向である（０°，８５°～１５６°，０°）ＬＮの膨
張率と水晶の膨張率との差を、できる限り小さくし得る配向を使用することが好ましい。
図１７に示されるように、（０°，８５°～１５６°，０°）ＬＮのＸ方向線膨張率は近
似的に１５．４×１０－６であり、その±４０％Ｘ方向線膨張率は近似的に９．２４×１
０－６から２１．５６×１０－６とである。したがって、当該膨張率に対応する水晶は、
図２０から導かれるように（０°，０°～５８°，９０°）及び（０°，１２２°～１８
０°，９０°）の配向を有する。他方、同じ配向のＬＮのＹ方向線膨張率は近似的に７．
６２×１０－６から１４．０８×１０－６までの範囲にわたり、（０°，０°～１８０°
，９０°）水晶のＹ方向線膨張率は近似的に１３．７１×１０－６となり、いずれの配向
の線膨張率も、上述した配向のＬＮのＹ方向線膨張率に近似し得る。したがって、（０°
，８５°～１５６°，０°）ＬＮと（０°，θ，９０°）水晶との、Ｘ方向及びＹ方向に
おける±４０％以内の線膨張率の差を満たす水晶配向は、（０°，０°～５８°，９０°
）及び（０°，１２２°～１８０°，９０°）となり得る。
０°）ＬＮと図２０に示される（０°，θ，９０°）水晶との間で逆になるにもかかわら
ず、それ自体が一般に使用される配向である（０°，８５°～１５６°，０°）ＬＮの膨
張率と水晶の膨張率との差を、できる限り小さくし得る配向を使用することが好ましい。
図１７に示されるように、（０°，８５°～１５６°，０°）ＬＮのＸ方向線膨張率は近
似的に１５．４×１０－６であり、その±４０％Ｘ方向線膨張率は近似的に９．２４×１
０－６から２１．５６×１０－６とである。したがって、当該膨張率に対応する水晶は、
図２０から導かれるように（０°，０°～５８°，９０°）及び（０°，１２２°～１８
０°，９０°）の配向を有する。他方、同じ配向のＬＮのＹ方向線膨張率は近似的に７．
６２×１０－６から１４．０８×１０－６までの範囲にわたり、（０°，０°～１８０°
，９０°）水晶のＹ方向線膨張率は近似的に１３．７１×１０－６となり、いずれの配向
の線膨張率も、上述した配向のＬＮのＹ方向線膨張率に近似し得る。したがって、（０°
，８５°～１５６°，０°）ＬＮと（０°，θ，９０°）水晶との、Ｘ方向及びＹ方向に
おける±４０％以内の線膨張率の差を満たす水晶配向は、（０°，０°～５８°，９０°
）及び（０°，１２２°～１８０°，９０°）となり得る。
【0111】
図２１、図２２及び図２３を参照すると、（０°，θ，ψ）水晶のＸ方向及びＹ方向の
線膨張率が、ψ＝４５°及び１３５°のとき実質的に同じである一方、０≦ψ＜４５°及
び１３５°≦ψ≦１８０°のときはＸ方向の線膨張率がＹ方向の線膨張率よりも大きくな
る。他のθについても同じことがいえる。したがって、（０°，０°～１８０°，０°～
４５°）及び（０°，０°～１８０°，１３５°～１８０°）の水晶は、上述したＬＴ及
びＬＮと同様に、Ｘ方向線膨張率の方がＹ方向線膨張率よりも大きく、ひいては接合のた
めの望ましい配向角度を有する。さらに、図２１、図２２及び図２３に示されるように、
ψ＝３０°から４５°におけるＸ方向及びＹ方向の線膨張率は、ψ＝４５°におけるＸ方
向及びＹ方向の線膨張率に対して±７％であり、Ｘ方向及びＹ方向の線膨張率の大きさの
関係がψ＝３０°から４５°とψ＝４５°から６０°とで逆になるにもかかわらず、依然
として±７％であり、（０°，０°～１８０°，３０°～６０°）水晶においてであって
も十分な接合強度を得ることができる。同様に、ψ＝１２０°から１５０°におけるＸ方
向及びＹ方向の線膨張率もまた、ψ＝１３５°におけるＸ方向及びＹ方向の線膨張率に対
して±７％以内であるから、（０°，０°～１８０°，１２０°～１５０°）水晶におい
てであっても十分な接合強度を得ることができる。したがって、（０°，０°～１８０°
，３０°～６０°）水晶及び（０°，０°～１８０°，１２０°～１５０°）水晶は、Ｌ
Ｔ又はＬＮへの接合に適した配向角度を有し、好ましくは（０°，０°～１８０°，０°
～４５°）及び（０°，０°～１８０°，１３５°～１８０°）水晶がさらに適した配向
角度である。
線膨張率が、ψ＝４５°及び１３５°のとき実質的に同じである一方、０≦ψ＜４５°及
び１３５°≦ψ≦１８０°のときはＸ方向の線膨張率がＹ方向の線膨張率よりも大きくな
る。他のθについても同じことがいえる。したがって、（０°，０°～１８０°，０°～
４５°）及び（０°，０°～１８０°，１３５°～１８０°）の水晶は、上述したＬＴ及
びＬＮと同様に、Ｘ方向線膨張率の方がＹ方向線膨張率よりも大きく、ひいては接合のた
めの望ましい配向角度を有する。さらに、図２１、図２２及び図２３に示されるように、
ψ＝３０°から４５°におけるＸ方向及びＹ方向の線膨張率は、ψ＝４５°におけるＸ方
向及びＹ方向の線膨張率に対して±７％であり、Ｘ方向及びＹ方向の線膨張率の大きさの
関係がψ＝３０°から４５°とψ＝４５°から６０°とで逆になるにもかかわらず、依然
として±７％であり、（０°，０°～１８０°，３０°～６０°）水晶においてであって
も十分な接合強度を得ることができる。同様に、ψ＝１２０°から１５０°におけるＸ方
向及びＹ方向の線膨張率もまた、ψ＝１３５°におけるＸ方向及びＹ方向の線膨張率に対
して±７％以内であるから、（０°，０°～１８０°，１２０°～１５０°）水晶におい
てであっても十分な接合強度を得ることができる。したがって、（０°，０°～１８０°
，３０°～６０°）水晶及び（０°，０°～１８０°，１２０°～１５０°）水晶は、Ｌ
Ｔ又はＬＮへの接合に適した配向角度を有し、好ましくは（０°，０°～１８０°，０°
～４５°）及び（０°，０°～１８０°，１３５°～１８０°）水晶がさらに適した配向
角度である。
【0112】
図２４Ａ～図２４Ｃは、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を製造す
るべく利用することができるプロセスの一例を示す。図２５Ａ～図２５Ｅは、ここに記載
される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を製造するべく利用することができるプロセス
の他例を示す。両例においてＬＴ材料が圧電体として利用されるにもかかわらず、ＬＮ材
料を含む他材料も利用できることが理解される。
るべく利用することができるプロセスの一例を示す。図２５Ａ～図２５Ｅは、ここに記載
される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を製造するべく利用することができるプロセス
の他例を示す。両例においてＬＴ材料が圧電体として利用されるにもかかわらず、ＬＮ材
料を含む他材料も利用できることが理解される。
【0113】
第１例において、図２４Ａは、いくつかの実施形態において、製造プロセスが、相対的
に厚いＬＴ板１３０と水晶板１１２とのアセンブリ１３２が形成され又は与えられるプロ
セスステップを含み得ることを示す。いくつかの実施形態において、相対的に厚ＬＴ板及
び水晶板の各鏡面側が清浄されてアクティブになり、当該面が接合するように押圧される
。随意的又は代替的に、接合は、シリコン（Ｓｉ）等から作られた薄膜を両板間に使用す
ることによって行うことができる。
に厚いＬＴ板１３０と水晶板１１２とのアセンブリ１３２が形成され又は与えられるプロ
セスステップを含み得ることを示す。いくつかの実施形態において、相対的に厚ＬＴ板及
び水晶板の各鏡面側が清浄されてアクティブになり、当該面が接合するように押圧される
。随意的又は代替的に、接合は、シリコン（Ｓｉ）等から作られた薄膜を両板間に使用す
ることによって行うことができる。
【0114】
図２４Ｂは、アセンブリ１３６を形成するべく、相対的に厚ＬＴ板１３０の厚さが低減
されて薄いＬＴ板１３４になるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、
かかる薄化プロセスステップは、例えば、機械研磨プロセス、化学機械プロセス等のよう
な研磨プロセスによって達成することができる。図２４Ｂにおいて、薄いＬＴ板１３４は
、薄化プロセスステップに起因して、（例えば接合により）水晶板１１２に係合する第１
表面と、この第１表面とは反対側の第２表面とを含むように示される。いくつかの実施形
態において、薄化プロセスステップは、例えば０．３μｍから１μｍの範囲にある薄いＬ
Ｔ板の所望の厚さを与えるように行うことができる。
されて薄いＬＴ板１３４になるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、
かかる薄化プロセスステップは、例えば、機械研磨プロセス、化学機械プロセス等のよう
な研磨プロセスによって達成することができる。図２４Ｂにおいて、薄いＬＴ板１３４は
、薄化プロセスステップに起因して、（例えば接合により）水晶板１１２に係合する第１
表面と、この第１表面とは反対側の第２表面とを含むように示される。いくつかの実施形
態において、薄化プロセスステップは、例えば０．３μｍから１μｍの範囲にある薄いＬ
Ｔ板の所望の厚さを与えるように行うことができる。
【0115】
【0116】
いくつかの実施形態において、図２４Ａ～図２４Ｃに関連付けられるプロセスステップ
の一部又はすべてを、アセンブリ１３８の単数ユニットをもたらす個々のユニットのため
に実装してよく、アセンブリ１３８の各単数ユニットの複数をもたらす複数の個々のユニ
ットのために実装してよく、又は複数ユニットがアレイ形式（例えばウェハ形式）で取り
付けられ、それに引き続いてのアセンブリ１３８の複数の個片ユニットをもたらす個片化
の間に実装してよい。
の一部又はすべてを、アセンブリ１３８の単数ユニットをもたらす個々のユニットのため
に実装してよく、アセンブリ１３８の各単数ユニットの複数をもたらす複数の個々のユニ
ットのために実装してよく、又は複数ユニットがアレイ形式（例えばウェハ形式）で取り
付けられ、それに引き続いてのアセンブリ１３８の複数の個片ユニットをもたらす個片化
の間に実装してよい。
【0117】
第２例において、図２５Ａは、いくつかの実施形態において、製造プロセスが、相対的
に厚ＬＴ板１３０とハンドリング基板（例えばシリコン基板）１４０とのアセンブリ１４
２が形成され又は与えられるプロセスステップを含み得ることを示す。いくつかの実施形
態において、相対的に厚ＬＴ板及びシリコン（Ｓｉ）基板の各鏡面側が清浄されてアクテ
ィブになり、相対的に厚ＬＴ板及びＳｉ基板の当該鏡面側が、真空内で押圧されている間
に直接接合され得る。
に厚ＬＴ板１３０とハンドリング基板（例えばシリコン基板）１４０とのアセンブリ１４
２が形成され又は与えられるプロセスステップを含み得ることを示す。いくつかの実施形
態において、相対的に厚ＬＴ板及びシリコン（Ｓｉ）基板の各鏡面側が清浄されてアクテ
ィブになり、相対的に厚ＬＴ板及びＳｉ基板の当該鏡面側が、真空内で押圧されている間
に直接接合され得る。
【0118】
図２５Ｂは、アセンブリ１４６を形成するべく、相対的に厚ＬＴ板１３０の厚さが低減
されて薄いＬＴ板１４４になるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、
かかる薄化プロセスステップは、例えば、機械研磨プロセス、化学機械プロセス等のよう
な研磨プロセスによって達成することができる。図２５Ｂにおいて、薄いＬＴ板１４４は
、薄化プロセスステップに起因する第１表面と、この第１表面とは反対側の、ハンドリン
グ基板１４０に取り付けられた第２表面とを含むように示される。いくつかの実施形態に
おいて、薄化プロセスステップは、例えば０．３μｍから１μｍの範囲にある薄いＬＴ板
の所望の厚さを与えるように行うことができる。
されて薄いＬＴ板１４４になるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、
かかる薄化プロセスステップは、例えば、機械研磨プロセス、化学機械プロセス等のよう
な研磨プロセスによって達成することができる。図２５Ｂにおいて、薄いＬＴ板１４４は
、薄化プロセスステップに起因する第１表面と、この第１表面とは反対側の、ハンドリン
グ基板１４０に取り付けられた第２表面とを含むように示される。いくつかの実施形態に
おいて、薄化プロセスステップは、例えば０．３μｍから１μｍの範囲にある薄いＬＴ板
の所望の厚さを与えるように行うことができる。
【0119】
図２５Ｃは、アセンブリ１４８を形成するべくＬＴ板１４４の第１表面が水晶板１１２
に取り付けられるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、ＬＴ板１４４
の第１表面は直接、水晶板１１２に取り付けられる（例えば接合される）。いくつかの実
施形態において、相対的に厚ＬＴ板及び水晶板の各鏡面側が清浄されてアクティブになり
、当該面が接合するように押圧される。いくつかの実施形態において、＋ＬＴ－／＋水晶
－若しくは＋ＬＴ－／－水晶＋の表面組み合わせ、又は＋ＬＴ－／水晶の表面組み合わせ
のような、表１及び表２に記載される表面組み合わせを与えるようにＬＴ板１４４を水晶
板１１２に接合することができる。
に取り付けられるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、ＬＴ板１４４
の第１表面は直接、水晶板１１２に取り付けられる（例えば接合される）。いくつかの実
施形態において、相対的に厚ＬＴ板及び水晶板の各鏡面側が清浄されてアクティブになり
、当該面が接合するように押圧される。いくつかの実施形態において、＋ＬＴ－／＋水晶
－若しくは＋ＬＴ－／－水晶＋の表面組み合わせ、又は＋ＬＴ－／水晶の表面組み合わせ
のような、表１及び表２に記載される表面組み合わせを与えるようにＬＴ板１４４を水晶
板１１２に接合することができる。
【0120】
図２５Ｄは、ＬＴ板１４４を部分的又は完全に露出してアセンブリ１５０を形成するべ
くハンドリング基板（図２５Ｃにおける１４０）が除去されるプロセスステップを示す。
いくつかの実施形態において、ハンドリング基板（例えばシリコン基板）のこのような除
去は、例えばエッチングプロセス（例えばプラズマエッチングプロセス）によって達成す
ることができる。いくつかの実施形態において、図２５Ｄのアセンブリ１５０におけるＬ
Ｔ板１４４は、図２５Ｃのアセンブリ１４８におけるＬＴ板１４４と実質的に同じであっ
てもよく、そうでなくてもよい。記載を目的として、ハンドリング基板の除去に起因する
露出された表面は、図２５Ｂを参照して記載されるＬＴ板１４４の第２面と同様であるこ
とが理解される。
くハンドリング基板（図２５Ｃにおける１４０）が除去されるプロセスステップを示す。
いくつかの実施形態において、ハンドリング基板（例えばシリコン基板）のこのような除
去は、例えばエッチングプロセス（例えばプラズマエッチングプロセス）によって達成す
ることができる。いくつかの実施形態において、図２５Ｄのアセンブリ１５０におけるＬ
Ｔ板１４４は、図２５Ｃのアセンブリ１４８におけるＬＴ板１４４と実質的に同じであっ
てもよく、そうでなくてもよい。記載を目的として、ハンドリング基板の除去に起因する
露出された表面は、図２５Ｂを参照して記載されるＬＴ板１４４の第２面と同様であるこ
とが理解される。
【0121】
【0122】
いくつかの実施形態において、図２５Ａ～図２５Ｅに関連付けられるプロセスステップ
の一部又はすべてを、アセンブリ１５２の単数ユニットをもたらす個々のユニットのため
に実装してよく、アセンブリ１５２の各単数ユニットの複数をもたらす複数の個々のユニ
ットのために実装してよく、又は複数ユニットがアレイ形式（例えばウェハ形式）で取り
付けられ、それに引き続いてのアセンブリ１５２の複数の個片ユニットをもたらす個片化
の間に実装してよい。
の一部又はすべてを、アセンブリ１５２の単数ユニットをもたらす個々のユニットのため
に実装してよく、アセンブリ１５２の各単数ユニットの複数をもたらす複数の個々のユニ
ットのために実装してよく、又は複数ユニットがアレイ形式（例えばウェハ形式）で取り
付けられ、それに引き続いてのアセンブリ１５２の複数の個片ユニットをもたらす個片化
の間に実装してよい。
【0123】
留意されることだが、図２４Ａ～図２４Ｃの製造プロセスの例において、水晶又はガラ
ス板とＬＴ又はＬＮ板との接合強度は相対的に弱くなり得るので、研磨プロセス中にＬＴ
板が剥離、割れ等を受けることがあり、所望の厚さまで研磨することが妨げられることも
多い。図２６Ａは、接合強度（図２４Ａ）を高めるべく２００℃において２０時間の熱処
理をした後の損傷の一例を示す。図２６Ｂは、ＬＴが５μｍまで研磨されたときの弱い接
合強度に起因して部分的に剥離したＬＴの一例を示す。
ス板とＬＴ又はＬＮ板との接合強度は相対的に弱くなり得るので、研磨プロセス中にＬＴ
板が剥離、割れ等を受けることがあり、所望の厚さまで研磨することが妨げられることも
多い。図２６Ａは、接合強度（図２４Ａ）を高めるべく２００℃において２０時間の熱処
理をした後の損傷の一例を示す。図２６Ｂは、ＬＴが５μｍまで研磨されたときの弱い接
合強度に起因して部分的に剥離したＬＴの一例を示す。
【0124】
２つの接合基板の強度を測定する方法、さらには接合強度γの式は、Tong, Q., Goesel
e, U., and Society, E. (1999) Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technolog
y, John Wiley & Sons, Inc., New Yorkに見出すことができる。水晶とＬＴとの接合力は
典型的に、様々な接合技法において１ジュール／ｍ２以下である。同様に、ＬＴとガラス
との、ＬＮと水晶との、又はＬＮとガラスとの接合力は典型的に１ジュール／ｍ２以下で
ある。
e, U., and Society, E. (1999) Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technolog
y, John Wiley & Sons, Inc., New Yorkに見出すことができる。水晶とＬＴとの接合力は
典型的に、様々な接合技法において１ジュール／ｍ２以下である。同様に、ＬＴとガラス
との、ＬＮと水晶との、又はＬＮとガラスとの接合力は典型的に１ジュール／ｍ２以下で
ある。
【0125】
他方、水晶以外のシリコン、サファイア等とＬＴ又はＬＮとの接合力は、接合後に熱処
理を行うか否かにかかわらず、３０ジュール／ｍ２以上もの高さである。したがって、Ｌ
Ｔ又はＬＮ板は、０．３μｍまで研磨されても剥離又は割れを受けない可能性が高い。し
たがって、図２５Ａ～図２５Ｅの製造プロセスの例は、多くの製造アプリケーションにお
いて好ましい。
理を行うか否かにかかわらず、３０ジュール／ｍ２以上もの高さである。したがって、Ｌ
Ｔ又はＬＮ板は、０．３μｍまで研磨されても剥離又は割れを受けない可能性が高い。し
たがって、図２５Ａ～図２５Ｅの製造プロセスの例は、多くの製造アプリケーションにお
いて好ましい。
【0126】
図２５Ａ～図２５Ｅを参照すると、ＬＴ及びＳｉの鏡面側が、真空内で押圧されている
間に直接接合され、その接合強度γは４３ジュール／ｍ２であった。その後、ＬＴ板を、
剥離又は損傷なしで、例えば０．３μｍの厚さまで研磨することができる。研磨されたＬ
Ｔ面の一例を図２７Ａに示す。次に、ＬＴ研磨面及び水晶面が清浄され、アクティブにさ
れ、及び押圧されて接合が得られる。引き続き、Ｓｉは、例えばプラズマエッチングを使
用してエッチングされ得る。図２７Ｂは、得られたアセンブリ（図２５Ｄにおける１５０
）の、ＬＴ側からの写真を示す。ＬＴ板と水晶板との接合強度γは０．９７ジュール／ｍ
２であった。これは、ＳＡＷ共振器をもたらすためのさらなる処理に対して十分な強度を
与えることができる。ＬＴと水晶との接合ステップの後は研磨が不要だからである。
間に直接接合され、その接合強度γは４３ジュール／ｍ２であった。その後、ＬＴ板を、
剥離又は損傷なしで、例えば０．３μｍの厚さまで研磨することができる。研磨されたＬ
Ｔ面の一例を図２７Ａに示す。次に、ＬＴ研磨面及び水晶面が清浄され、アクティブにさ
れ、及び押圧されて接合が得られる。引き続き、Ｓｉは、例えばプラズマエッチングを使
用してエッチングされ得る。図２７Ｂは、得られたアセンブリ（図２５Ｄにおける１５０
）の、ＬＴ側からの写真を示す。ＬＴ板と水晶板との接合強度γは０．９７ジュール／ｍ
２であった。これは、ＳＡＷ共振器をもたらすためのさらなる処理に対して十分な強度を
与えることができる。ＬＴと水晶との接合ステップの後は研磨が不要だからである。
【0127】
【0128】
いくつかの実施形態において、図６Ａ～図６Ｈ並びに表１及び表２を参照すると、ＬＴ
と水晶との接合強度は、ＬＴ及び／又は水晶の結晶配向に応じて変わり得る。例えば、留
意されることだが、表１及び表２に挙げられる８つの構成のうち、図６Ａの構成（＋ＬＴ
－／＋水晶－）が最も高い接合強度（２γ＝２．２ジュール／ｍ２又はγ＝１．１ジュー
ル／ｍ２）を与える。
と水晶との接合強度は、ＬＴ及び／又は水晶の結晶配向に応じて変わり得る。例えば、留
意されることだが、表１及び表２に挙げられる８つの構成のうち、図６Ａの構成（＋ＬＴ
－／＋水晶－）が最も高い接合強度（２γ＝２．２ジュール／ｍ２又はγ＝１．１ジュー
ル／ｍ２）を与える。
【0129】
したがって、いくつかの実施形態において、ＬＴと水晶との高い接合強度が望まれると
き、図２４Ａ～図２４Ｃのプロセスの例に、例えば＋ＬＴ－／＋水晶－（図６Ａ）又は＋
ＬＴ－／－水晶＋（図６Ｂ）を実装することができる。好ましくは、ＬＴと水晶との最高
接合強度が望まれる場合、図６Ａの＋ＬＴ－／＋水晶－の構成を利用することができる。
き、図２４Ａ～図２４Ｃのプロセスの例に、例えば＋ＬＴ－／＋水晶－（図６Ａ）又は＋
ＬＴ－／－水晶＋（図６Ｂ）を実装することができる。好ましくは、ＬＴと水晶との最高
接合強度が望まれる場合、図６Ａの＋ＬＴ－／＋水晶－の構成を利用することができる。
【0130】
またも理解されることだが、いくつかの実施形態において、ＬＴと水晶との高い接合強
度が望まれるとき、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスの例もまた、例えば＋ＬＴ－／＋水晶
－（図６Ａ）又は＋ＬＴ－／－水晶＋（図６Ｂ）を実装することができる。好ましくは、
ＬＴと水晶との最高接合強度が望まれる場合、図６Ａの＋ＬＴ－／＋水晶－の構成を利用
することができる。しかしながら、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスの例は、ここに記載さ
れるハンドリング基板（例えばシリコン基板）を利用するので、いくつかの実施形態にお
いて、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスに、図６Ａ～図６Ｈ並びに表１及び表２の構成のい
ずれかを実装してよい。
度が望まれるとき、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスの例もまた、例えば＋ＬＴ－／＋水晶
－（図６Ａ）又は＋ＬＴ－／－水晶＋（図６Ｂ）を実装することができる。好ましくは、
ＬＴと水晶との最高接合強度が望まれる場合、図６Ａの＋ＬＴ－／＋水晶－の構成を利用
することができる。しかしながら、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスの例は、ここに記載さ
れるハンドリング基板（例えばシリコン基板）を利用するので、いくつかの実施形態にお
いて、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスに、図６Ａ～図６Ｈ並びに表１及び表２の構成のい
ずれかを実装してよい。
【0131】
得られたＳＡＷ共振器の周波数特性の一例が図２８に示される。８２ｄＢのインピーダ
ンス比が得られた。これは、図５に示される特性の例よりも２ｄＢだけ大きい。さらに、
０．３μｍの厚さを有するＬＴ板を、２．３ＧＨｚ高周波数ＳＡＷ共振器を実現するべく
使用することができる。
ンス比が得られた。これは、図５に示される特性の例よりも２ｄＢだけ大きい。さらに、
０．３μｍの厚さを有するＬＴ板を、２．３ＧＨｚ高周波数ＳＡＷ共振器を実現するべく
使用することができる。
【0132】
したがって、図２５Ａ～図２５Ｅを参照して記載される技法を利用することによって、
ＬＴ又はＬＮ板のような圧電板を、近似的に０．３μｍまで研磨することができる。その
結果、高いＱ、高いインピーダンス、及び良好な温度特性を有する２ＧＨｚ以上のＳＡＷ
デバイスを実現することができる。さらに、いくつかの実施形態において、圧電薄板と水
晶との間に接合膜を与えてもよい。かかる構成の例は、その全体が参照により明示的に組
み入れられる国際公開第２０１８／０９７０１６号明細書に見出すことができる。
ＬＴ又はＬＮ板のような圧電板を、近似的に０．３μｍまで研磨することができる。その
結果、高いＱ、高いインピーダンス、及び良好な温度特性を有する２ＧＨｚ以上のＳＡＷ
デバイスを実現することができる。さらに、いくつかの実施形態において、圧電薄板と水
晶との間に接合膜を与えてもよい。かかる構成の例は、その全体が参照により明示的に組
み入れられる国際公開第２０１８／０９７０１６号明細書に見出すことができる。
【0133】
図２９は、いくつかの実施形態において、多ユニットのＳＡＷ共振器が、アレイ形式に
ある間に作製され得ることを示す。例えば、ウェハ２００は、一アレイのユニット１００
’を含み得る。かかるユニットは、一緒に結合されている間に一定数のプロセスステップ
を介して処理され得る。例えば、いくつかの実施形態において、図２４Ａ～図２４Ｃのプ
ロセスステップはすべて、かかる一アレイのユニットが異なる層（例えば水晶層１１２及
びＬＴ層１３０、１３４）を有するウェハとして一緒に結合されている間に達成すること
ができる。他例において、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスステップはすべて、かかる一ア
レイのユニットが異なる層（例えばハンドル層１４０、ＬＴ層１３０、１４４及び水晶層
１１２）を有するウェハとして一緒に結合されている間に達成することができる。
ある間に作製され得ることを示す。例えば、ウェハ２００は、一アレイのユニット１００
’を含み得る。かかるユニットは、一緒に結合されている間に一定数のプロセスステップ
を介して処理され得る。例えば、いくつかの実施形態において、図２４Ａ～図２４Ｃのプ
ロセスステップはすべて、かかる一アレイのユニットが異なる層（例えば水晶層１１２及
びＬＴ層１３０、１３４）を有するウェハとして一緒に結合されている間に達成すること
ができる。他例において、図２５Ａ～図２５Ｅのプロセスステップはすべて、かかる一ア
レイのユニットが異なる層（例えばハンドル層１４０、ＬＴ層１３０、１４４及び水晶層
１１２）を有するウェハとして一緒に結合されている間に達成することができる。
【0134】
上述したウェハ形式においてプロセスステップを完了すると、当該一アレイのユニット
１００’が個片化されて多数のＳＡＷ共振器１００を得ることができる。図２９は、かか
るＳＡＷ共振器１００を描く。図２９の例において、個片ＳＡＷ共振器１００が、ＬＴ又
はＬＮ層のような圧電層１０４に形成された電極１０２を含むように示される。かかる圧
電層及び対応水晶層は、ここに記載されるように望ましい特徴を与えるように構成するこ
とができる。理解されることだが、いくつかの実施形態において、圧電層上には一以上の
反射器とともに他電極を与えてもよい。
１００’が個片化されて多数のＳＡＷ共振器１００を得ることができる。図２９は、かか
るＳＡＷ共振器１００を描く。図２９の例において、個片ＳＡＷ共振器１００が、ＬＴ又
はＬＮ層のような圧電層１０４に形成された電極１０２を含むように示される。かかる圧
電層及び対応水晶層は、ここに記載されるように望ましい特徴を与えるように構成するこ
とができる。理解されることだが、いくつかの実施形態において、圧電層上には一以上の
反射器とともに他電極を与えてもよい。
【0135】
図３０は、いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡ
Ｗ共振器１００を、パッケージ状デバイス３００の一部として実装してよいことを示す。
かかるパッケージ状デバイスは、ＳＡＷ共振器１００を含む一以上のコンポーネントを受
容して支持するべく構成されるパッケージ基板３０２を含み得る。
Ｗ共振器１００を、パッケージ状デバイス３００の一部として実装してよいことを示す。
かかるパッケージ状デバイスは、ＳＡＷ共振器１００を含む一以上のコンポーネントを受
容して支持するべく構成されるパッケージ基板３０２を含み得る。
【0136】
図３１は、いくつかの実施形態において、図３０のパッケージ状デバイス３００に基づ
くＳＡＷ共振器がパッケージ状フィルタデバイス３００とされてよいことを示す。かかる
フィルタデバイスは、ＲＦフィルタ機能のようなフィルタ機能を与えるべく構成されるＳ
ＡＷ共振器１００を受容及び支持するのに適したパッケージ基板３０２を含み得る。
くＳＡＷ共振器がパッケージ状フィルタデバイス３００とされてよいことを示す。かかる
フィルタデバイスは、ＲＦフィルタ機能のようなフィルタ機能を与えるべく構成されるＳ
ＡＷ共振器１００を受容及び支持するのに適したパッケージ基板３０２を含み得る。
【0137】
図３２は、いくつかの実施形態において、無線周波数（ＲＦ）モジュール４００が一以
上のＲＦフィルタのアセンブリ４０６を含み得ることを示す。かかるフィルタは、ＳＡＷ
共振器ベースのフィルタ１００、パッケージ状フィルタ３００、又はこれらのいくつかの
組み合わせとしてよい。いくつかの実施形態において、図３２のＲＦモジュール４００は
また、例えばＲＦ集積回路（ＲＦＩＣ）４０４及びアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ
）４０８も含み得る。かかるモジュールは、例えば、無線動作をサポートするべく構成さ
れるフロントエンドモジュールとしてよい。いくつかの実施形態において、上述したコン
ポーネントのすべてのうちいくつかを、パッケージ基板４０２上に取り付けてパッケージ
基板４０２によって支持してよい。
上のＲＦフィルタのアセンブリ４０６を含み得ることを示す。かかるフィルタは、ＳＡＷ
共振器ベースのフィルタ１００、パッケージ状フィルタ３００、又はこれらのいくつかの
組み合わせとしてよい。いくつかの実施形態において、図３２のＲＦモジュール４００は
また、例えばＲＦ集積回路（ＲＦＩＣ）４０４及びアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ
）４０８も含み得る。かかるモジュールは、例えば、無線動作をサポートするべく構成さ
れるフロントエンドモジュールとしてよい。いくつかの実施形態において、上述したコン
ポーネントのすべてのうちいくつかを、パッケージ基板４０２上に取り付けてパッケージ
基板４０２によって支持してよい。
【0138】
いくつかの実装において、ここに記載される一つ以上の特徴を有するデバイス及び／又
は回路を、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含めることができる。かかるデバイス及
び／又は回路は、無線デバイスに直接、ここに記載されるモジュラー形態で、又はこれら
の何らかの組み合わせで実装することができる。いくつかの実施形態において、かかる無
線デバイスは、例えば、スマートフォンのような携帯電話機、電話機能あり又はなしのハ
ンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。
は回路を、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含めることができる。かかるデバイス及
び／又は回路は、無線デバイスに直接、ここに記載されるモジュラー形態で、又はこれら
の何らかの組み合わせで実装することができる。いくつかの実施形態において、かかる無
線デバイスは、例えば、スマートフォンのような携帯電話機、電話機能あり又はなしのハ
ンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。
【0139】
図３３は、ここに記載される一以上の有利な特徴を有する無線デバイス５００の一例を
描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジュ
ールは一般に破線ボックス４００により描かれ、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥ
Ｍ）として実装することができる。かかる例において、ここに記載される一以上のＳＡＷ
フィルタは、例えばデュプレクサ５２６のようなフィルタのアセンブリに含まれてよい。
描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジュ
ールは一般に破線ボックス４００により描かれ、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥ
Ｍ）として実装することができる。かかる例において、ここに記載される一以上のＳＡＷ
フィルタは、例えばデュプレクサ５２６のようなフィルタのアセンブリに含まれてよい。
【0140】
図３３を参照すると、電力増幅器（ＰＡ）５２０は、送受信器５１０から各ＲＦ信号を
受信することができる。送受信器５１０は、増幅及び送信対象のＲＦ信号を生成するよう
に、及び受信信号を処理するように、構成されて動作することができる。送受信器５１０
は、ユーザに適したデータ及び／又は音声信号と送受信器５１０に適したＲＦ信号との間
の変換を与えるように構成されたベース帯域サブシステム４０８と相互作用をするように
示される。送受信器５１０はまた、無線デバイス５００の動作を目的として電力を管理す
るべく構成された電力管理コンポーネント５０６と通信することができる。かかる電力管
理はまた、ベース帯域サブシステム５０８及びモジュール４００の動作も制御し得る。
受信することができる。送受信器５１０は、増幅及び送信対象のＲＦ信号を生成するよう
に、及び受信信号を処理するように、構成されて動作することができる。送受信器５１０
は、ユーザに適したデータ及び／又は音声信号と送受信器５１０に適したＲＦ信号との間
の変換を与えるように構成されたベース帯域サブシステム４０８と相互作用をするように
示される。送受信器５１０はまた、無線デバイス５００の動作を目的として電力を管理す
るべく構成された電力管理コンポーネント５０６と通信することができる。かかる電力管
理はまた、ベース帯域サブシステム５０８及びモジュール４００の動作も制御し得る。
【0141】
ベース帯域サブシステム５０８は、ユーザに与えられ又はユーザから受け取る音声及び
／又はデータの様々な入力及び出力を容易にするユーザインタフェイス５０２に接続され
るように示される。ベース帯域サブシステム５０８はまた、無線デバイスの動作を容易に
するべく及び／又はユーザのための情報格納を与えるべく、データ及び／又は命令を格納
するように構成されたメモリ５０４に接続することができる。
／又はデータの様々な入力及び出力を容易にするユーザインタフェイス５０２に接続され
るように示される。ベース帯域サブシステム５０８はまた、無線デバイスの動作を容易に
するべく及び／又はユーザのための情報格納を与えるべく、データ及び／又は命令を格納
するように構成されたメモリ５０４に接続することができる。
【0142】
無線デバイス５００の例において、ＰＡ５２０の出力はこれらの対応デュプレクサ５２
６に引き回されるように示される。このように増幅されかつフィルタリングされた信号は
、送信を目的としてアンテナスイッチ５１４を介してアンテナ５１６へ引き回すことがで
きる。いくつかの実施形態において、デュプレクサ５２６により、共通アンテナ（例えば
５１６）を使用して送信動作及び受信動作を同時に行うことが許容され得る。図３３にお
いて、受信された信号は、例えば低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路（図示
せず）へと引き回されるように示される。
６に引き回されるように示される。このように増幅されかつフィルタリングされた信号は
、送信を目的としてアンテナスイッチ５１４を介してアンテナ５１６へ引き回すことがで
きる。いくつかの実施形態において、デュプレクサ５２６により、共通アンテナ（例えば
５１６）を使用して送信動作及び受信動作を同時に行うことが許容され得る。図３３にお
いて、受信された信号は、例えば低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路（図示
せず）へと引き回されるように示される。
【0143】
本明細書及び特許請求の範囲の全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限
り、「含む」等の単語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「
～を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される
単語「結合」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれ
かとなり得る２以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様
の趣旨の単語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の固有部
分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の説明に
おける用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目のリストを言及する単
語「又は」及び「若しくは」は、当該単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち
、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の
組み合わせである。
り、「含む」等の単語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「
～を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される
単語「結合」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれ
かとなり得る２以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様
の趣旨の単語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の固有部
分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の説明に
おける用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目のリストを言及する単
語「又は」及び「若しくは」は、当該単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち
、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の
組み合わせである。
【0144】
本発明の実施形態の上記説明は、排他的であることすなわち本発明を上記開示の正確な
形態に制限することを意図しない。本発明の及びその例の特定の実施形態が例示を目的と
して上述されたが、当業者が認識するように、本発明の範囲において様々な均等の修正も
可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実施形態
は、異なる順序でステップを有するルーチンを行うこと又はブロックを有するシステムを
用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは削除、移動、追加、細分化、結合
、及び／又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが、様々
な異なる態様で実装することができる。また、プロセス又はブロックが直列的に行われる
ように示されることがあるが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、並列し
て行い又は異なる時に行うこともできる。
形態に制限することを意図しない。本発明の及びその例の特定の実施形態が例示を目的と
して上述されたが、当業者が認識するように、本発明の範囲において様々な均等の修正も
可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実施形態
は、異なる順序でステップを有するルーチンを行うこと又はブロックを有するシステムを
用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは削除、移動、追加、細分化、結合
、及び／又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが、様々
な異なる態様で実装することができる。また、プロセス又はブロックが直列的に行われる
ように示されることがあるが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、並列し
て行い又は異なる時に行うこともできる。
【0145】
ここに与えられた本発明の教示は、必ずしも上述のシステムに限られることがなく、他
のシステムにも適用することができる。上述した様々な実施形態要素及び行為は、さらな
る実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
のシステムにも適用することができる。上述した様々な実施形態要素及び行為は、さらな
る実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
【0146】
本発明のいくつかの実施形態が記載されたが、これらの実施形態は、例のみとして提示
されており、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載され
る新規な方法及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここ
に記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要
旨から逸脱することなくなし得る。特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び
要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
されており、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載され
る新規な方法及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここ
に記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要
旨から逸脱することなくなし得る。特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び
要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A-6D】
【図6E-6H】
【図7A-7B】
【図8A-8B】
【図9A-9B】
【図10A-10B】
【図11A-11D】
【図12A-12B】
【図13A-13B】
【図14A-14B】
【図15A-15B】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24A-24C】
【図25A-25E】
【図26A】
【図26B】
【図27A】
【図27B】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【手続補正書】
【提出日】2024-04-17
【手続補正2】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
弾性波デバイスであって、
第１表面を含む水晶基板と、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板であって、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第１表面に直接係合する第２表面とを含む圧電板と、
前記圧電板の第１表面上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
を含み、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面であり、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与えるように構成され、
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面であり、
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，１３２°４５’≦θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、弾性波デバイス。
第１表面を含む水晶基板と、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板であって、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第１表面に直接係合する第２表面とを含む圧電板と、
前記圧電板の第１表面上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
を含み、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面であり、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、前記弾性表面波に関連付けられるトランスデューサ機能を与えるように構成され、
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面であり、
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，１３２°４５’≦θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、弾性波デバイス。
【請求項2】
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するマイナス表面である、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項3】
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，－９０°＜θ＜９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、請求項２の弾性波デバイス。
【請求項4】
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因する非分極表面である、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項5】
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，９０°，ψ）又は（φ，－９０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、請求項４の弾性波デバイス。
【請求項6】
角度φは９０°の値を有し、角度ψは９０°の値を有する、請求項５の弾性波デバイス。
【請求項7】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，１０°～８０°，０°）、（０°，１００°～１７０°，０°）、（０°，１９０°～２６０°，０°）又は（０°，２８０°～３５０°，０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，１０°～８０°，０°）、（０°，１００°～１７０°，０°）、（０°，１９０°～２６０°，０°）又は（０°，２８０°～３５０°，０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項8】
前記圧電板はＬｉＮｂＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～８５°，０°）、（０°，９５°～１７５°，０°）、（０°，１８５°～２６５°，０°）又は（０°，２７５°～３５５°，０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～８５°，０°）、（０°，９５°～１７５°，０°）、（０°，１８５°～２６５°，０°）又は（０°，２７５°～３５５°，０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項9】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～５３°，９０°）、（０°，１２７°～１７５°，９０°）、（０°，１８５°～２３３°，９０°）又は（０°，３０７°～３５５°，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，５°～５３°，９０°）、（０°，１２７°～１７５°，９０°）、（０°，１８５°～２３３°，９０°）又は（０°，３０７°～３５５°，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項10】
前記圧電板はＬｉＮｂＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～５２°，９０°）、（０°，１２６°～１８０°，９０°）、（０°，１８０°～２３２°，９０°）又は（０°，３０６°～３６０°，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～５２°，９０°）、（０°，１２６°～１８０°，９０°）、（０°，１８０°～２３２°，９０°）又は（０°，３０６°～３６０°，９０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項11】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成され、
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～３６０°，０°～６０°）又は（０°，０°～３６０°，１２０°～１８０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～３６０°，０°～６０°）又は（０°，０°～３６０°，１２０°～１８０°）を含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項12】
前記圧電板はＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成され、前記水晶基板はオイラー角（０°，０°～３６０°，０°～４５°）又は（０°，０°～３６０°，１３５°～１８０°）を含む、請求項１１の弾性波デバイス。
【請求項13】
前記圧電板の第１表面に実装されて前記インターディジタルトランスデューサ電極の第１側及び第２側に配置される第１反射器及び第２反射器をさらに含む、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項14】
前記圧電板の厚さは０．０４λから１．５λの範囲にあり、数量λは前記弾性表面波の波長である、請求項１の弾性波デバイス。
【請求項15】
弾性波デバイスを作製する方法であって、
第１表面を有する水晶基板を形成すること又は与えることと、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３を有する圧電板を、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面となる第２表面とを含むように形成すること又は与えることと、
前記圧電板を、前記圧電板のマイナス表面が前記水晶基板の第１表面に直接係合するように、前記水晶基板に結合することと
を含み、
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面であり、
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，１３２°４５’≦θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、方法。
第１表面を有する水晶基板を形成すること又は与えることと、
ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３を有する圧電板を、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面となる第２表面とを含むように形成すること又は与えることと、
前記圧電板を、前記圧電板のマイナス表面が前記水晶基板の第１表面に直接係合するように、前記水晶基板に結合することと
を含み、
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面であり、
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，１３２°４５’≦θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、方法。
【請求項16】
無線周波数フィルタであって、
信号を受信する入力ノードと、
フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
前記フィルタリングされた信号を生成するべく前記入力ノードと前記出力ノードとの間に電気的に存在するように実装される弾性波デバイスと
を含み、
前記弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板とを含み、
前記圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第１表面に直接係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面であり、
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面であり、
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，１３２°４５’≦θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、無線周波数フィルタ。
信号を受信する入力ノードと、
フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
前記フィルタリングされた信号を生成するべく前記入力ノードと前記出力ノードとの間に電気的に存在するように実装される弾性波デバイスと
を含み、
前記弾性波デバイスは、第１表面を有する水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板とを含み、
前記圧電板は、弾性表面波をサポートするべく構成される第１表面と、前記水晶基板の第１表面に直接係合する第２表面とを有し、
前記第２表面は、前記圧電板の結晶構造配向に起因するマイナス表面であり、
前記圧電板の結晶構造配向はオイラー角（０°，９０°＜θ＜２７０°，０°）を含み、
前記水晶基板の第１表面は、前記水晶基板の結晶構造配向に起因するプラス表面であり、
前記水晶基板の結晶構造配向はオイラー角（φ，１３２°４５’≦θ＜２７０°，ψ）を含み、角度φは０°≦φ＜１８０°の範囲にある値を有し、角度ψは０°≦ψ＜１８０°の範囲にある値を有する、無線周波数フィルタ。
【請求項17】
前記圧電板の第１表面に形成される第１インターディジタルトランスデューサ電極及び第２インターディジタルトランスデューサ電極をさらに含み、
前記第１インターディジタルトランスデューサ電極は前記入力ノードに電気的に接続され、前記第２インターディジタルトランスデューサ電極は前記出力ノードに電気的に接続される、請求項１６の無線周波数フィルタ。
前記第１インターディジタルトランスデューサ電極は前記入力ノードに電気的に接続され、前記第２インターディジタルトランスデューサ電極は前記出力ノードに電気的に接続される、請求項１６の無線周波数フィルタ。
【外国語明細書】