▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024095924
(43)【公開日】2024-07-11
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240704BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201F
H01G4/30 513
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023066027
(22)【出願日】2023-04-14
(31)【優先権主張番号】10-2022-0188990
(32)【優先日】2022-12-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム、スン スー
(72)【発明者】
【氏名】ナ、ジェ ヨン
(72)【発明者】
【氏名】リム、ジン ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】リー、ジュン ウォン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC09
5E001AE02
5E001AE03
5E001AF06
5E001AH03
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC19
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
5E082JJ03
5E082JJ12
5E082JJ23
(57)【要約】
【課題】信頼性に優れ、単位体積当たりの容量が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記内部電極と連結される下地電極層、上記下地電極層上に配置される薄膜電極層、及び上記薄膜電極層上に配置されるめっき層を含む外部電極と、を含み、上記下地電極層の平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、上記薄膜電極層の平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることができる。
【選択図】図２
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記内部電極と連結される下地電極層、上記下地電極層上に配置される薄膜電極層、及び上記薄膜電極層上に配置されるめっき層を含む外部電極と、を含み、上記下地電極層の平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、上記薄膜電極層の平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることができる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び前記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、前記第１方向に対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、
前記第３面上に配置され、前記第１内部電極と連結される第１下地電極層、前記第１下地電極層上に配置される第１薄膜電極層、及び前記第１薄膜電極層上に配置される第１めっき層を含む第１外部電極と、
前記第４面上に配置され、前記第２内部電極と連結される第２下地電極層、前記第２下地電極層上に配置される第２薄膜電極層、及び前記第２薄膜電極層上に配置される第２めっき層を含む第２外部電極と、を含み、
前記第１下地電極層の平均厚さ及び第２下地電極層の平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、前記第１薄膜電極層の平均厚さ及び第２薄膜電極層の平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である、積層型電子部品。
前記第３面上に配置され、前記第１内部電極と連結される第１下地電極層、前記第１下地電極層上に配置される第１薄膜電極層、及び前記第１薄膜電極層上に配置される第１めっき層を含む第１外部電極と、
前記第４面上に配置され、前記第２内部電極と連結される第２下地電極層、前記第２下地電極層上に配置される第２薄膜電極層、及び前記第２薄膜電極層上に配置される第２めっき層を含む第２外部電極と、を含み、
前記第１下地電極層の平均厚さ及び第２下地電極層の平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、前記第１薄膜電極層の平均厚さ及び第２薄膜電極層の平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である、積層型電子部品。
【請求項2】
前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層は、導電性金属及びガラスを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記本体の第１方向の中央で測定した第１下地電極層の第２方向の大きさをｔ１、第１方向の最外側に配置される第１内部電極で測定した第１下地電極層の第２方向の大きさをｔ１'とするとき、ｔ１'／ｔ１は、０．８以上１．０以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記第１薄膜電極層及び前記第２薄膜電極層は、第１及び第２方向の断面において金属が占める面積割合が９０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記第１薄膜電極層及び前記第２薄膜電極層はスパッタリング層である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記本体の第１方向の中央で測定した第１薄膜電極層の第２方向の大きさをｔ２、第１方向の最外側に配置される第１内部電極で測定した第１薄膜電極層の第２方向の大きさをｔ２'とするとき、ｔ２'／ｔ２は、０．９以上１．１以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記第１下地電極層の第１及び第２方向の断面において、前記第１下地電極層は少なくとも１つの切れ領域を含み、
前記第１薄膜電極層は前記切れ領域をカバーする、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第１薄膜電極層は前記切れ領域をカバーする、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記第１下地電極層の第１及び第２方向の断面において、前記第１下地電極層は少なくとも１つの切れ領域を含み、
前記第１めっき層は、前記切れ領域において、前記第１薄膜電極層によって前記第１下地電極層と離隔して配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第１めっき層は、前記切れ領域において、前記第１薄膜電極層によって前記第１下地電極層と離隔して配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記第１外部電極は、前記第１めっき層上に配置される第１追加めっき層を含み、前記第２外部電極は、前記第２めっき層上に配置される第２追加めっき層を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記第１下地電極層の平均厚さと前記第１薄膜電極層の平均厚さとの和は、前記第１めっき層の平均厚さと前記第１追加めっき層の平均厚さとの和より小さい、請求項９に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記第１下地電極層は、前記第２面の延長線の下部に配置され、前記第１面に延長して配置される第１バンド部を含み、
前記第２下地電極層は、前記第２面の延長線の下部に配置され、前記第１面に延長して配置される第２バンド部を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第２下地電極層は、前記第２面の延長線の下部に配置され、前記第１面に延長して配置される第２バンド部を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記第１下地電極層の一端は、前記第２面と第３面を連結するコーナー上に配置され、他端は前記第１面上に配置され、前記第２下地電極層の一端は、前記第２面と第４面を連結するコーナー上に配置され、他端は前記第１面上に配置される、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記第１薄膜電極層は、第２面の延長線の下部に配置され、前記第１バンド部をカバーするように配置され、
前記第２薄膜電極層は、第２面の延長線の下部に配置され、前記第２バンド部をカバーするように配置される、請求項１１に記載の積層型電子部品。
前記第２薄膜電極層は、第２面の延長線の下部に配置され、前記第２バンド部をカバーするように配置される、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記第１薄膜電極層及び前記第２薄膜電極層は、第２面の延長線と第１面の延長線との間に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層は、第２面の延長線と第１面の延長線との間に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項16】
前記第１下地電極層の一端は、前記第２面と第３面を連結するコーナー上に配置され、他端は、前記第１面と第３面を連結するコーナー上に配置され、前記第２下地電極層の一端は、前記第２面と第４面を連結するコーナー上に配置され、他端は、前記第１面と第４面を連結するコーナー上に配置される、請求項１５に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用することができ、コンピュータ、モバイル機器などの各種の電子機器が小型化、高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大しつつある。また、自動車用電装部品などへの適用が増加するにつれて、様々な環境での高信頼性が求められている。
【0004】
積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するためには、外部電極の体積を最小化し、積層セラミックキャパシタの単位体積当たりの容量を向上させる必要がある。
【0005】
外部電極の体積を最小化するために外部電極を薄く形成する場合、微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）が存在する可能性があり、これを介して水分、めっき液などが本体の内部へ浸透して信頼性が低下するおそれがあった。
【0006】
従って、外部電極の体積を最小化しながらも信頼性を向上させることができる方案が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の様々な目的の一つは、信頼性に優れた積層型電子部品を提供することである。
【0008】
本発明の様々な目的の一つは、単位体積当たりの容量が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0009】
但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、上記第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面上に配置され、上記第１内部電極と連結される第１下地電極層、上記第１下地電極層上に配置される第１薄膜電極層、及び上記第１薄膜電極層上に配置される第１めっき層を含む第１外部電極と、上記第４面上に配置され、上記第２内部電極と連結される第２下地電極層、上記第２下地電極層上に配置される第２薄膜電極層、及び上記第２薄膜電極層上に配置される第２めっき層を含む第２外部電極と、を含み、上記第１下地電極層の平均厚さ及び第２下地電極層の平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、上記第１薄膜電極層の平均厚さ及び第２薄膜電極層の平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることができる。
【発明の効果】
【0011】
本発明の様々な効果の一つとして、下地電極層上に薄膜電極層を配置することにより、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。
【0012】
本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の単位体積当たりの容量を向上させることができる。
【0013】
但し、本発明の多様且つ有益な利点と効果は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。
【図7】本発明の一変形例による積層型電子部品の第１及び第２方向の断面を概略的に示したものである。
【図8】本発明の他の一変形例による積層型電子部品の第１及び第２方向の断面を概略的に示したものである。
【図9】試験番号１の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである。
【図10】試験番号２の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである。
【図11】試験番号３の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである。
【図12】試験番号４の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである。
【図13】試験番号５の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一符号で示される要素は同一要素である。
【0016】
尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されるものではない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0017】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義されることができる。
【0018】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿って概略的に示した断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿って概略的に示した断面図であり、図４は、図１の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域の拡大図であり、図６は、図２のＫ２領域の拡大図である。
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿って概略的に示した断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿って概略的に示した断面図であり、図４は、図１の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域の拡大図であり、図６は、図２のＫ２領域の拡大図である。
【0019】
以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について詳細に説明する。また、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な積層型電子部品、例えば、インダクター、圧電体素子、バリスター、又はサーミスターなどにも適用されることができる。
【0020】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を挟んで第１方向に交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、上記第１方向に対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面上に配置され、上記第１内部電極１２１と連結される第１下地電極層１３１ａ、上記第１下地電極層上に配置される第１薄膜電極層１３１ｂ、及び上記第１薄膜電極層上に配置される第１めっき層１３１ｃを含む第１外部電極１３１と、上記第４面上に配置され、上記第２内部電極１２２と連結される第２下地電極層１３２ａ、上記第２下地電極層上に配置される第２薄膜電極層１３２ｂ、及び上記第２薄膜電極層上に配置される第２めっき層１３２ｃを含む第２外部電極１３２と、を含み、上記第１下地電極層の平均厚さ及び第２下地電極層の平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、上記第１薄膜電極層の平均厚さ及び第２薄膜電極層の平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることができる。
【0021】
積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するには、外部電極の体積を最小化して積層セラミックキャパシタの単位体積当たりの容量を向上させなければならない。外部電極は、一般的に、下地電極層及び下地電極層上に配置されるめっき層から構成され、外部電極の体積を最小化するために下地電極層の厚さを３μｍ以下に薄く形成する場合、下地電極層の第１及び第２方向の断面において、下地電極層に微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）が存在する可能性がある。このような切れ領域を介して水分、めっき液などが本体の内部へ浸透して信頼性が低下するおそれがある。
【0022】
これに対し、本発明の一実施形態によると、下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さが３μｍ以下である場合にも、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に３００ｎｍ以上の薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを配置することで、水分、めっき液などが本体の内部へ浸透することを防止して積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができ、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量を向上させることができる。
【0023】
以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００に含まれるそれぞれの構成について説明する。
【0024】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
【0025】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状やこれと類似の形状からなることができる。焼成過程において本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を持つ六面体形状ではないものの、実質的に六面体形状を有することができる。
【0026】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。
【0027】
一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーｃ１－３、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナーｃ１－４、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナーｃ２－３、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーｃ２－４を含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近くなるほど上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近くなるほど上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。
【0028】
誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることで、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準として見たとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、本体の焼結過程での収縮挙動により、第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準として見たとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、チッピング不良などを防止するために、本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することにより、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーはラウンド形態を有することができる。
【0029】
上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１～第６面は略平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーと見なすことができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準として延長した線を意味することができる。
【0030】
一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後、内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出されるように切断したのち、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５及び第６面を連結する部分、並びに第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さなくてよい。
【0031】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認することが困難である程度に一体化されることができる。
【0032】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料はＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0033】
また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されてもよい。
【0034】
一方、誘電体層１１１の厚さは特に限定する必要はない。
【0035】
但し、一般的に誘電体層を０．６μｍ未満の厚さに薄く形成する場合、特に誘電体層の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、本体の内部へ浸透する水分、めっき液などによる信頼性低下の可能性がある。
【0036】
本発明の一実施形態によると、下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さが３μｍ以下である場合にも、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に３００ｎｍ以上の薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを配置することで、水分、めっき液などが本体の内部へ浸透することを防止することができるため、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合にも優れた信頼性を確保することができる。
【0037】
従って、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による信頼性向上の効果がより顕著になる。
【0038】
上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。
【0039】
誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つの誘電体層を長さ方向に等間隔の３０箇所でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０箇所は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0040】
本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0041】
また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成することができる。
【0042】
カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0043】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0044】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。
【0045】
すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0046】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。
【0047】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において、等間隔の５箇所で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。
【0048】
また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。
【0049】
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置される第１マージン部１１４と、第６面６に配置される第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。
【0050】
マージン部１１４、１１５は、図３に示されているように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面の間の領域を意味することができる。
【0051】
マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0052】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上において、マージン部が形成される部分を除いて導電性ペーストを塗布し、内部電極を形成することで形成されたものであることができる。
【0053】
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後、内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出されるように切断したのち、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0054】
一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であることができる。
【0055】
マージン部１１４、１１５の平均幅は、内部電極が第５面と離隔した領域の第３方向の平均大きさ及び内部電極が第６面と離隔した領域の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において、等間隔の５箇所で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。
【0056】
従って、一実施形態において、内部電極１２１、１２２が第５及び第６面と離隔した領域の第３方向の平均大きさは、それぞれ１５μｍ以下であることができる。
【0057】
内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出されることができる。
【0058】
第１内部電極１２１は、第４面４と離隔して第３面３を介して露出され、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔して第４面４を介して露出されることができる。本体の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0059】
すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されずに第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結される。従って、第１内部電極１２１は、第４面４から一定距離だけ離隔して形成され、第２内部電極１２２は、第３面３から一定距離だけ離隔して形成されることができる。また、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０の第５及び第６面と離隔して配置されることができる。
【0060】
このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置される誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。
【0061】
本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0062】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金の１つ以上を含むことができる。
【0063】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金の１つ以上を含む内部電極用の導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用の導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0064】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さは特に限定する必要はない。
【0065】
但し、一般的に内部電極を０．６μｍ未満の厚さに薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、本体の内部へ浸透する水分、めっき液などによる信頼性低下に弱くなる可能性がある。
【0066】
本発明の一実施形態によると、下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さが３μｍ以下である場合にも、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に３００ｎｍ以上の薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを配置することで、水分、めっき液などが本体の内部へ浸透することを防止することができるため、複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも１つの平均厚さｔｅが０．３５μｍ以下である場合にも、優れた信頼性を確保することができる。
【0067】
従って、複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも一つの平均厚さｔｅが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による効果がより顕著になり、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。
【0068】
上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。
【0069】
内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、１つの内部電極を長さ方向に等間隔の３０箇所でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０箇所は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0070】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。
【0071】
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。
【0072】
一方、本実施形態においては、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
【0073】
外部電極１３１、１３２は、内部電極１２１、１２２と連結される下地電極層１３１ａ、１３２ａ、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置される薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂ及び薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。第１外部電極１３１は、第３面上に配置され、上記第１内部電極１２１と連結される第１下地電極層１３１ａ、上記第１下地電極層上に配置される第１薄膜電極層１３１ｂ、及び上記第１薄膜電極層１３１ｂ上に配置される第１めっき層１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は、第４面上に配置され、上記第２内部電極１２２と連結される第２下地電極層１３２ａ、上記第２下地電極層上に配置される第２薄膜電極層１３２ｂ、及び上記第２薄膜電極層１３２ｂ上に配置される第２めっき層１３２ｃを含むことができる。
【0074】
下地電極層１３１ａ、１３２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２を電気的に連結する役割を果たすことができる。また、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、水分、めっき液などが本体１１０の内部へ浸透することを防止する役割を果たすことができる。
【0075】
下地電極層１３１ａ、１３２ａが厚く形成される場合、別途の薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを形成しなくても水分、めっき液などが本体の内部へ浸透することをある程度は防止することができるが、本発明のように下地電極層１３１ａ、１３２ａを薄く形成する場合には、下地電極層１３１ａ、１３２ａに微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）が形成され、水分、めっき液などが本体１１０の内部へ浸透する可能性がある。従って、本発明の一実施形態によると、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを形成することで、水分、めっき液などが本体の内部へ浸透することを防止することができる。
【0076】
第１下地電極層１３１ａの平均厚さ及び第２下地電極層１３２ａの平均厚さは、１μｍ以上３μｍ以下であり、第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さ及び第２薄膜電極層１３２ｂの平均厚さは、３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることができる。
【0077】
第１下地電極層１３１ａの平均厚さ及び第２下地電極層１３２ａの平均厚さが１μｍ未満である場合には、外部電極１３１、１３２と内部電極１２１、１２２との間の連結性が低下する可能性があり、３μｍを超える場合には、単位体積当たりの容量向上の効果を極大化することが難しい可能性がある。
【0078】
第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さ及び第２薄膜電極層１３２ｂの平均厚さが３００ｎｍ未満である場合には、下地電極層１３１ａ、１３２ａの微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）をカバーすることができず、薄膜電極層１３１ａ、１３２ａによる信頼性向上の効果が不十分であるおそれがあり、８００ｎｍを超える場合には、下地電極層１３１ａ、１３２ａと薄膜電極層１３１ａ、１３２ａとの間の結合力が弱くなり、下地電極層１３１ａ、１３２ａと薄膜電極層１３１ａ、１３２ａとの剥離現象が発生する可能性がある。下地電極層１３１ａ、１３２ａと薄膜電極層１３１ａ、１３２ａとの剥離現象が発生する場合、耐湿信頼性が低下する可能性がある。
【0079】
第１下地電極層１３１ａの平均厚さ、第２下地電極層１３２ａの平均厚さ、第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さ及び第２薄膜電極層１３２ｂの平均厚さは、積層型電子部品の第３方向の中央までポリッシングして第１及び第２方向の断面を露出させた後、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてスキャンしたイメージにおいて測定することができる。
【0080】
具体的に、第１下地電極層１３１ａの平均厚さは、上記露出された上記イメージにおいて、本体の第１方向の中央部で測定することができ、第１方向に等間隔を有する１０箇所で測定した第１下地電極層１３１ａの第２方向の大きさを平均した値であることができる。第２下地電極層１３２ａの平均厚さ、第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さ及び第２薄膜電極層１３２ｂの平均厚さも、同一の方式で測定することができる。
【0081】
以下、第１外部電極１３１を基準として説明するが、第２外部電極１３２は第１外部電極１３１と第２方向に対称の関係にあるため、第２外部電極１３２にも同一に適用することができる。
【0082】
下地電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属を含むことができる。下地電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属は、電気伝導性を有するものであれば如何なる物質を使用して形成してもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質を決定することができる。例えば、下地電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）及びその合金の１つ以上であることができる。より好ましい一例として、下地電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属はニッケル（Ｎｉ）であることができるが、これに制限されるものではない。
【0083】
一実施形態において、下地電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含むことができる。下地電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属は、電気的連結性を確保する役割を果たし、下地電極層１３１ａ、１３２ａがガラスを含むことにより、本体１１０との結合力を向上させることができる。
【0084】
一方、下地電極層１３１ｂ、１３２ｂを形成する方法は特に限定する必要はないが、従来の一般的な外部電極の形成方法であるディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法を用いる場合、下地電極層１３２ａの厚さを薄く形成することは困難である。好ましい一例として、下地電極層１３１ｂ、１３２ｂは、パッド印刷工法を用いて形成することができる。パッド印刷工法とは、支持台上に外部電極用のペーストでパッドを作製した後、上記パッドに本体を圧着して本体の一面に下地電極層を形成する工法を意味する。このとき、外部電極用のペーストで作製されたパッドは、導電性金属及びガラスを含むことができ、バインダー、有機溶媒などの成分を含むことができる。
【0085】
一実施形態において、本体１１０の第１方向の中央で測定した第１下地電極層１３１ａの第２方向の大きさをｔ１、第１方向の最外側に配置される第１内部電極で測定した第１下地電極層１３１ａの第２方向の大きさをｔ１'とするとき、ｔ１'／ｔ１は、０．８以上１．０以下であることができる。下地電極層１３１ａ、１３２ａをパッド印刷工法により形成することで、下地電極層１３１ａ、１３２ａが均一な厚さを有することができ、ｔ１'／ｔ１を０．８以上１．０以下に容易に制御することができる。
【0086】
一実施形態において、第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第１及び第２方向の断面において金属が占める面積割合が９０％以上であることができる。これにより、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの厚さを薄く形成することが容易であり、積層型電子部品１００の耐湿信頼性を向上させながらも単位体積当たりの容量を向上させることができ、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂがより容易に下地電極層１３１ａ、１３２ａの微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）をカバーすることができる。より好ましくは、第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第１及び第２方向の断面において金属が占める面積割合が９５％以上であることができる。すなわち、第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは実質的に金属からなることができる。
【0087】
第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの形成方法は特に制限されないが、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを薄くて緻密に形成するために、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、スパッタリング工法、原子層蒸着工法などにより形成することができる。
【0088】
一実施形態において、第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂはスパッタリング層であることができる。第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂがスパッタリング工法を用いて形成されたスパッタリング層であることにより、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの厚さを薄く形成することが容易であり、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させながらも単位体積当たりの容量を向上させることができ、薄膜電極層がより容易に下地電極層１３１ａ、１３２ａの微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）をカバーすることができる。具体的に、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを構成する金属を原子又はイオン状態で放出し、本体１１０に蒸着させて薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを形成することができる。
【0089】
薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを形成する材料は、電気伝導性を有するものであれば如何なる物質を使用して形成してもよく、下地電極層１３１ａ、１３２ａの材料、電気的特性などを考慮して具体的な物質を決定することができる。例えば、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及びその合金の１つ以上であることができる。より好ましい一例として、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、Ｎｉ－Ｃｒの一つであることができるが、これに制限されるものではない。
【0090】
一実施形態において、本体１１０の第１方向の中央で測定した第１薄膜電極層１３１ｂの第２方向の大きさをｔ２、第１方向の最外側に配置される第１内部電極で測定した第１薄膜電極層１３１ｂの第２方向の大きさをｔ２'とするとき、ｔ２'／ｔ２は、０．９以上１．１以下であることができる。薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂをスパッタリング工法により形成することで、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂが均一な厚さを有することができ、ｔ２'／ｔ２を０．９以上１．１以下に容易に制御することができる。
【0091】
一実施形態において、第１下地電極層１３１ａの第１及び第２方向の断面において、上記第１下地電極層１３１ａは少なくとも１つの切れ領域を含み、上記第１薄膜電極層１３１ｂは上記切れ領域をカバーするように配置されることができる。これにより、第１下地電極層１３１ａの切れ領域を介して水分、めっき液などが浸透することを防止することができる。第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さが薄すぎる場合、上記切れ領域をカバーすることができない可能性があり、第１薄膜電極層１３１ｂの一部が切れている形態に配置される可能性がある。
【0092】
一方、第１めっき層１３１ｃは、上記切れ領域において、上記第１薄膜電極層１３１ｂによって第１下地電極層１３１ａと離隔して配置されることができる。
【0093】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂ上に配置される。第１外部電極１３１は、第１薄膜電極層１３１ｂ上に配置される第１めっき層１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は、第２薄膜電極層１３２ｂ上に配置される第２めっき層１３２ｃを含むことができる。
【0094】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金の１つ以上を含むめっき層であることができる。
【0095】
また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃ上に追加めっき層１３１ｄ、１３２ｄが配置されることができる。第１外部電極１３１は、第１めっき層１３１ｃ上に配置される第１追加めっき層１３１ｄを含むことができ、第２外部電極１３２は、第２めっき層１３２ｃ上に配置される第２追加めっき層１３２ｄを含むことができる。好ましい一例として、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層であり、追加めっき層１３１ｄ、１３２ｄはＳｎめっき層又はＰｄめっき層であることができるが、これに制限されるものではない。
【0096】
一実施形態において、第１めっき層１３１ｃの平均厚さ及び第２めっき層１３２ｃの平均厚さは、２μｍ以上７μｍ以下であることができる。これにより、積層型電子部品の実装特性を容易に向上させることができる。より好ましくは、第１めっき層１３１ｃの平均厚さ及び第２めっき層１３２ｃの平均厚さは、３μｍ以上５μｍ以下であることができる。
【0097】
また、第１追加めっき層１３１ｄの平均厚さ及び第２追加めっき層１３２ｄの平均厚さは、２μｍ以上７μｍ以下であることができる。より好ましくは、第１追加めっき層１３１ｄの平均厚さ及び第２追加めっき層１３２ｄの平均厚さは、３μｍ以上５μｍ以下であることができる。
【0098】
一方、一般的に、外部電極の電極層がめっき層より厚い構造を有するが、本発明の一実施形態によると、下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さと薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さとの和は、めっき層１３１ｃ、１３２ｃの平均厚さと追加めっき層１３１ｄ、１３２ｄの平均厚さとの和より小さくてよい。これにより、積層型電子部品の単位体積当たりの容量をさらに向上させることができる。
【0099】
従って、第１下地電極層１３１ａの平均厚さと第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さとの和は、第１めっき層１３１ｃの平均厚さと第１追加めっき層１３１ｄ、１３２ｄの平均厚さとの和より小さくてよい。
【0100】
さらに、第１下地電極層１３１ａの平均厚さと第１薄膜電極層１３１ｂの平均厚さとの和は、第１めっき層１３１ｃの平均厚さより小さくてよい。図６を参照すると、本体の第１方向の中央部で測定した第１下地電極層の厚さｔ１が第１めっき層の厚さｔ３より小さく、第１追加めっき層の厚さｔ４より小さくてよい。
【0101】
一実施形態において、下地電極層１３１ａ、１３２ａは、第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、第１面に延長して配置されるバンド部を含むことができる。第１下地電極層１３１ａは、上記第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、上記第１面に延長して配置される第１バンド部を含むことができ、第２下地電極層１３２ａは、上記第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、上記第１面に延在して配置される第２バンド部を含むことができる。
【0102】
このとき、第１下地電極層１３１ａの一端は、第２面と第３面を連結する第２－３コーナーｃ２－３上に配置され、第１下地電極層１３１ａの他端は、第１面上に配置されることができる。第２下地電極層１３２ａの一端は、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーｃ２－４上に配置され、第２下地電極層１３２ａの他端は、第１面上に配置されることができる。
【0103】
下地電極層１３１ａ、１３２ａが第２面の延長線Ｅ２の下部に配置されることにより、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量を向上させることができ、下地電極層１３１ａ、１３２ａが第１面に延長して配置されるバンド部を含むことにより、基板に容易に実装することができる。一方、下地電極層のバンド部は、本体の第１面上に別途に導電性ペーストを印刷して形成することができる。
【0104】
一実施形態において、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂは、第２面の延長線Ｅ２と第１面の延長線Ｅ１の間に配置されることができる。水分、めっき液などの浸透は、内部電極が露出される断面において容易に起こるため、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを第２面の延長線Ｅ２と第１面の延長線Ｅ１の間に配置することにより、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂを最小限に配置しながらも積層型電子部品１００の耐湿信頼性を向上させることができる。
【0105】
但し、これに制限されるものではなく、本発明の一変形例による積層型電子部品１００'の第１及び第２方向の断面を概略的に示した図７を参照すると、下地電極層１３１ａ'、１３２ａ'は、第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、第１面に延長して配置されるバンド部を含み、薄膜電極層１３１ｂ'、１３２ｂ'は、第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、上記バンド部をカバーするように配置されることができる。第１薄膜電極層１３１ｂ'は、第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、第１下地電極層１３１ａ'の第１バンド部をカバーするように配置されることができ、第２薄膜電極層１３２ｂ'は、第２面の延長線Ｅ２の下部に配置され、第２下地電極層１３２ａ'の第２バンド部をカバーするように配置されることができる。これにより、耐湿信頼性をより向上させることができる。また、めっき層１３１ｃ'、１３２ｃ'は、下地電極層１３１ａ'、１３２ａ'及び薄膜電極層１３１ｂ'、１３２ｂ'をカバーするように配置されることができ、外部電極１３１'、１３２'は、めっき層１３１ｃ'、１３２ｃ'上に配置される追加めっき層１３１ｄ'、１３２ｄ'を含むことができる。
【0106】
一方、本発明の他の一変形例による積層型電子部品１００"の第１及び第２方向の断面を概略的に示した図８を参照すると、下地電極層１３１ａ"、１３２ａ"は、第２面の延長線Ｅ２と第１面の延長線Ｅ１の間に配置されることにより、積層型電子部品１００"の単位体積当たりの容量をさらに向上させることができる。従って、一実施形態において、第１及び第２下地電極層１３１ａ"、１３２ａ"は、第２面の延長線Ｅ２と第１面の延長線Ｅ１の間に配置されることができる。
【0107】
このとき、第１及び第２薄膜電極層１３１ｂ"、１３２ｂ"も、第２面の延長線Ｅ２と第１面の延長線Ｅ１の間に配置されることができる。但し、めっき層１３１ｃ"、１３２ｃ"と追加めっき層１３１ｄ"、１３２ｄ"の場合、第２面の延長線Ｅ２及び第１面の延長線Ｅ１を超えて形成されることにより、外部電極１３１"、１３２"が第２面の延長線Ｅ２及び第１面の延長線Ｅ１を超えて形成されることができる。
【0108】
このとき、第１下地電極層１３１ａ"の一端は、第２面と第３面を連結する第２－３コーナーｃ２－３上に配置され、第１下地電極層１３１ａ"の他端は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーｃ１－３上に配置されることができる。第２下地電極層１３２ａ"の一端は、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーｃ２－４上に配置され、第２下地電極層１３２ａ"の他端は、第１面と第４面を連結する第１－４コーナーｃ１－４上に配置されることができる。
【0109】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。
【0110】
但し、小型化及び高容量化を同時に達成するには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において、本発明による信頼性向上の効果がより顕著になる。
【0111】
従って、製造誤差、外部電極の大きさなどを考慮すると、積層型電子部品１００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性向上の効果がより顕著になる。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向の最大の大きさを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向の最大の大きさを意味することができる。
【0112】
（実施例）
下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さ及び薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さを調節しつつ、下地電極層１３１ａ、１３２ａの切れ領域（ｖｏｉｄ）の発生有無、耐湿信頼性、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの切れ領域（ｖｏｉｄ）のカバー有無、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂのテープテストの不良有無を評価し、下記表１に記載した。
下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さ及び薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さを調節しつつ、下地電極層１３１ａ、１３２ａの切れ領域（ｖｏｉｄ）の発生有無、耐湿信頼性、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの切れ領域（ｖｏｉｄ）のカバー有無、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂのテープテストの不良有無を評価し、下記表１に記載した。
【0113】
下地電極層１３１ａ、１３２ａは、Ｎｉ及びガラスを含むパッドを印刷して形成しており、試験番号１～３は、薄膜電極層を形成しておらず、試験番号４、５、７～１０は、Ｃｕをスパッタリング工法で蒸着して薄膜電極層を形成しており、試験番号６は、Ｎｉ－Ｃｒをスパッタリング工法で蒸着して薄膜電極層を形成した。
【0114】
下地電極層１３１ａ、１３２ａの平均厚さ、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの平均厚さ、下地電極層１３１ａ、１３２ａの切れ領域（ｖｏｉｄ）の発生有無、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの切れ領域（ｖｏｉｄ）のカバー有無は、各試験番号のサンプルチップを第３方向の中央までポリッシングして第１及び第２方向の断面を露出させた後、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて分析した。薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂの切れ領域（ｖｏｉｄ）のカバー有無は、試験番号４～９に対してそれぞれ５０個のサンプルチップを用意した後、薄膜電極層１３１ｂ、１３２ｂが切れ領域（ｖｏｉｄ）をカバーできず、Ｎｉめっき層が下地電極層と連結された場合を不良と判断し、不良であるサンプルの個数を記載した。
【0115】
耐湿信頼性は、各試験番号ごとに４０個のサンプルチップを用意した後、温度８５℃、湿度８５％の条件でステップ１～３を経た後、絶縁抵抗が１０５Ω以下に落ちた場合を不良と判断し、不良であるサンプルの個数を記載した。ｓｔｅｐ１では、１０Ｖの電圧を１時間印加しており、ｓｔｅｐ２では、１５Ｖの電圧を１時間印加しており、ｓｔｅｐ３では、２０Ｖの電圧を２時間印加した。
【0116】
テープテスト不良は、試験番号４～１１に対してそれぞれ１０個のサンプルチップを用意した後、粘着力が８００ｇｆ／ｉｎのテープを薄膜電極層に付着した後、上記薄膜電極層に付着したテープを脱着させることによって薄膜電極層が一部でも脱落した場合を不良と判断した。
【0117】
【表1】
【0118】
上記表１を参照すると、下地電極層の平均厚さが５μｍである試験番号１の場合、下地電極層に微細な切れ領域（ｖｏｉｄ）が発生しておらず、耐湿信頼性不良も発生していないことを確認することができる。但し、試験番号１の場合、外部電極の厚さが厚くなるため、単位体積当たりの容量が低下する。
【0119】
試験番号１～３の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである図９～１１を参照すると、下地電極層の平均厚さが５μｍである試験番号１は、切れ領域（ｖｏｉｄ）が発生しておらず、下地電極層の平均厚さが３μｍである試験番号２は、切れ領域が発生しており、下地電極層の平均厚さが１μｍである試験番号３は、試験番号２よりも切れ領域がさらに多く発生していることを確認することができる。従って、試験番号２及び３は耐湿信頼性に劣る。
【0120】
一方、試験番号４は、薄膜電極層の平均厚さが２００ｎｍであって切れ領域をカバーできず、耐湿信頼性に劣る。試験番号４の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである図１２を参照すると、薄膜電極層（Ｃｕ－ｓｐｕｔｔｅｒ）層が下地電極層（Ｎｉ－Ｐａｄ）の切れ領域をカバーできず、Ｎｉめっき層と下地電極層（Ｎｉ－Ｐａｄ）が切れ領域で連結されていることを確認することができる。
【0121】
試験番号５は、薄膜電極層の平均厚さが３００ｎｍであって切れ領域をカバーしており、耐湿信頼性に優れることを確認することができる。試験番号５の外部電極を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージである図１３を参照すると、薄膜電極層（Ｃｕ－ｓｐｕｔｔｅｒ）が下地電極層（Ｎｉ－Ｐａｄ）の切れ領域をカバーしており、Ｎｉめっき層と下地電極層（Ｎｉ－Ｐａｄ）が切れ領域で離隔して配置されていることを確認することができる。
【0122】
試験番号６は、薄膜電極層の材料としてＮｉ－Ｃｒを用いており、薄膜電極層の平均厚さが３００ｎｍであって切れ領域をカバーしており、耐湿信頼性に優れることを確認することができる。
【0123】
試験番号７～９も、薄膜電極層が下地電極層の切れ領域をカバーしており、耐湿信頼性に優れる。
【0124】
但し、薄膜電極層の平均厚さが１０００ｎｍ以上である試験番号１０及び１１の場合、テープテストで不良が発生しており、耐湿信頼性にも劣ることを確認することができる。薄膜電極層の平均厚さが１０００ｎｍ以上である場合、下地電極層と薄膜電極層の結合力が低下する。
【0125】
従って、下地電極層の厚さが３μｍ以下である場合に耐湿信頼性を確保するためには、薄膜電極層の厚さが３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましいことを確認することができる。
【0126】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0127】
また、本発明で使用されている「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わされて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明されている事項が他の一実施形態では説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明として理解することができる。
【0128】
本発明で使用されている用語は、単に一実施形態を説明するためのものであって、本発明を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味でない限り、複数の表現を含むものである。
【符号の説明】
【0129】
１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 下地電極層
１３１ｂ、１３２ｂ 薄膜電極層
１３１ｃ、１３２ｃ めっき層
１３１ｄ、１３２ｄ 追加めっき層
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 下地電極層
１３１ｂ、１３２ｂ 薄膜電極層
１３１ｃ、１３２ｃ めっき層
１３１ｄ、１３２ｄ 追加めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
