特開 2024-95953 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024095953

(43)【公開日】2024-07-11

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240704BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201D

H01G4/30 516

H01G4/30 201G

H01G4/30 201C

H01G4/30 201F

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023133477

(22)【出願日】2023-08-18

(31)【優先権主張番号】10-2022-0189483

(32)【優先日】2022-12-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】李 種晧

(72)【発明者】

【氏名】車 ▲ギョン▼津

(72)【発明者】

【氏名】車 梵夏

(72)【発明者】

【氏名】崔 亨綜

(72)【発明者】

【氏名】千 晋雨

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC10

5E001AD04

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF03

5E001AF06

5E001AH01

5E001AH05

5E001AH07

5E001AH09

5E001AJ01

5E082AB03

5E082EE05

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG26

5E082FG46

5E082JJ03

5E082JJ12

(57)【要約】

【課題】信頼性に優れ、内部電極の連結性が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び内部電極を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、第１方向において上記容量形成部の一面に配置され、誘電体層を含む第１カバー部、及び第１方向において上記容量形成部の他面に配置され、誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、上記本体に配置される外部電極と、を含み、上記複数の内部電極のうち上記第１カバー部に最も近く配置された内部電極をＩＥ１、上記第２カバー部に最も近く配置された内部電極をＩＥ２としたとき、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、上記複数の内部電極のうち一つ以上は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体層及び複数の内部電極を含み、前記誘電体層と前記内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、前記第１方向において前記容量形成部の一面に配置され、誘電体層を含む第１カバー部、及び前記第１方向において前記容量形成部の他面に配置され、誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、
前記本体に配置される外部電極と、を含み、
前記複数の内部電極のうち前記第１カバー部に最も近く配置された内部電極をＩＥ１、前記第２カバー部に最も近く配置された内部電極をＩＥ２としたとき、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、
前記複数の内部電極のうち一つ以上の内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である、積層型電子部品。

【請求項2】

前記ＩＥ１の中央部及び前記ＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．００６８４以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記ＩＥ１の中央部及び前記ＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００３３０以上０．００６８４以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記複数の内部電極のうち前記ＩＥ１及び前記ＩＥ２を除いた内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記中央部は、前記誘電体層との界面から２０ｎｍ以上離隔した領域である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記内部電極の前記誘電体層との界面に隣接した領域のＳｎ含量が中央部でのＳｎ含量よりも２倍以上高い、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記誘電体層との界面に隣接した領域は前記誘電体層との界面から５ｎｍ以内の領域であり、
前記中央部は前記誘電体層との界面から２０ｎｍ以上離隔した領域である、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記複数の内部電極のうち前記ＩＥ１及び前記ＩＥ２を除いた内部電極は、Ｓｎを含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記内部電極は、２つ以上の導電部及び隣接した導電部同士の間に配置された切れ部を含み、前記内部電極の全長に対する前記導電部の長さの合計の比率を内部電極の連結性としたとき、
前記ＩＥ１及び前記ＩＥ２の内部電極の連結性が８０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記複数の内部電極のうち、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である内部電極の個数比率は９０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記容量形成部において前記第１カバー部と隣接した領域をＫ１、前記容量形成部において前記第２カバー部と隣接した領域をＫ２、前記Ｋ１と前記Ｋ２との間に配置された領域をＫｃとしたとき、
前記Ｋ１及び前記Ｋ２に含まれた内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、
前記Ｋｃに含まれた内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記容量形成部の前記第１方向に沿った最大サイズに対する前記Ｋｃの前記第１方向に沿った最大サイズの比は０．９以上である、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第１カバー部及び前記第２カバー部のうち一つ以上はダミー電極を含み、
前記ダミー電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記外部電極は、互いに離隔して配置される第１外部電極及び第２外部電極を含み、
前記ダミー電極は、前記第１外部電極と連結される第１ダミー電極、及び前記第１ダミー電極から離隔して配置され、前記第２外部電極と連結される第２ダミー電極を含む、請求項１３に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さが０．３５μｍ以下である、請求項１４に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さが０．３７μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ‐Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など多様な電子製品の印刷回路基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ形態のキャパシタである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易であるという長所により、多様な電子装置の部品として使用されることができる。近年では、コンピュータ、モバイル機器などの各種電子機器が小型化及び高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求も増大しつつある。

【0004】

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化を達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならない。

【0005】

しかしながら、誘電体層を薄くする場合、同一電圧で印加される電場が増加するにつれて漏れ電流が増加するという問題点が発生する。

【0006】

また、本体の中央部は、本体の端部に比べて残留炭素と残留硫黄の含量が高く、高温で炭素及び硫黄が急激に酸化して内部電極の表面を不安定化させるため、内部電極の連結性が低下する恐れがある。

【0007】

そこで、内部電極又は誘電体層にＳｎを添加して内部電極と誘電体層との界面にＳｎ含量が高い領域を形成することで漏れ電流を抑制し、内部電極の連結性を向上させようとする試みがあった。

【0008】

ところが、Ｓｎ添加の際、誘電体の焼結性が増加して焼成過程で長さ方向及び幅方向に急激な収縮が発生し、これによって、誘電体層の厚さが厚くなって静電容量の減少現象が発生する恐れがあった。

【0009】

そこで、Ｓｎ添加による負の効果を抑制しつつ信頼性を向上させることができる方案の開発が要求されている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

本発明の解決しようとする課題の一つは、信頼性に優れた積層型電子部品を提供するためである。

【0011】

本発明の解決しようとする課題の一つは、内部電極の連結性が向上した積層型電子部品を提供するためである。

【0012】

本発明の解決しようとする課題の一つは、Ｓｎ添加による静電容量の減少を抑制するためである。

【0013】

但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び内部電極を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部、第１方向において上記容量形成部の一面に配置され、誘電体層を含む第１カバー部、及び第１方向において上記容量形成部の他面に配置され、誘電体層を含む第２カバー部を含む本体と、上記本体に配置される外部電極と、を含み、上記複数の内部電極のうち上記第１カバー部に最も近く配置された内部電極をＩＥ１、上記第２カバー部に最も近く配置された内部電極をＩＥ２としたとき、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、上記複数の内部電極のうち一つ以上は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。

【発明の効果】

【0015】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極が配置された位置に応じて内部電極のＳｎ含量を調整することで、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0016】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極が配置された位置に応じて内部電極のＳｎ含量を調整することで、内部電極の連結性を向上させることができる。

【0017】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極が配置された位置に応じて内部電極のＳｎ含量を調整することで、Ｓｎ添加による静電容量の減少を抑制することができる。

【0018】

但し、本発明の多様且つ有益な長所及び効果は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示した図面である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’断面図を概略的に示した図面である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ’断面図を概略的に示した図面である。

【図4】本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。

【図5】内部電極に含まれたＳｎ含量による容量減少を示したグラフである。

【図6】Ｓｎ含量による誘電体層の厚さ変化を示したグラフである。

【図7】図１のＰ領域を拡大した図面である。

【図8】本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法を説明するための図面である。

【図9】本発明の一変更例による積層型電子部品の断面図であって、図２に対応する図面である。

【図10】本発明の他の一変更例による積層型電子部品の断面図であって、図２に対応する図面である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

【0021】

なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるのではない。また、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するものではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0022】

図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0023】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示した図面である。

【0024】

図２は、図１のＩ－Ｉ’断面図を概略的に示した図面である。

【0025】

図３は、図１のＩＩ－ＩＩ’断面図を概略的に示した図面である。

【0026】

図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。

【0027】

図５は、内部電極に含まれたＳｎ含量による容量減少を示したグラフである。

【0028】

図６は、Ｓｎ含量による誘電体層の厚さ変化を示したグラフである。

【0029】

図７は、図１のＰ領域を拡大した図面である。

【0030】

以下、図１から図７を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について詳細に説明する。

【0031】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、第１方向において上記容量形成部の一面に配置され、誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１、及び第１方向において上記容量形成部の他面に配置され、誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２を含む本体１１０と、上記本体に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記複数の内部電極１２１、１２２のうち上記第１カバー部Ｃ１に最も近く配置された内部電極をＩＥ１、上記第２カバー部Ｃ２に最も近く配置された内部電極をＩＥ２としたとき、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、上記複数の内部電極のうち一つ以上は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。

【0032】

小型化及び高容量化のために誘電体層を薄くする場合、同一電圧で印加される電場が増加するにつれて漏れ電流が増加するという問題点が発生する。また、本体の中央部は、本体の端部に比べて残留炭素と残留硫黄の含量が高く、高温で炭素及び硫黄が急激に酸化して内部電極の表面を不安定化させるため、内部電極の連結性が低下する恐れがある。

【0033】

そこで、内部電極又は誘電体層にＳｎを添加して内部電極と誘電体層との界面にＳｎ含量が高い領域を形成することで漏れ電流を抑制し、内部電極の連結性を向上させようとする試みがあった。ところが、Ｓｎ添加の際、誘電体の焼結性が増加して焼成過程で長さ方向及び幅方向に急激な収縮が発生し、これによって、誘電体層の厚さが厚くなって静電容量の減少現象が発生する恐れがあった。

【0034】

本発明の一実施形態によると、カバー部Ｃ１、Ｃ２に隣接した内部電極ＩＥ１、ＩＥ２のＳｎ含量を高めて信頼性を確保しつつ、カバー部Ｃ１、Ｃ２から離隔した内部電極のＳｎ含量を低減することで静電容量の減少を抑制することができる。

【0035】

以下、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について各構成ごとに詳細に説明する。

【0036】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が相互に積層されていることができる。

【0037】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示されたように、本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0038】

本体１１０は、第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、及び第１面１及び第２面２と連結され且つ第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0039】

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることで内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３面～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３面～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準に見た場合、本体１１０の第１方向中央側に収縮した形態を有することができる。或いは、本体の焼結過程での収縮挙動によって第１面１と第３面～第６面（３、４、５、６）を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３面～第６面（３、４、５、６）を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準に見た場合、本体１１０の第１方向中央側に収縮した形態を有することができる。若しくは、チッピング不良などを防止するために本体１１０の各面を連結する角部を別途の工程を行ってラウンド処理することで、第１面と第３面～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３面～第６面を連結するコーナーはラウンド形状を有することができる。

【0040】

一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５面及び第６面を連結する部分及び第２面と第５面及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有しなくてもよい。

【0041】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１同士の間の境界は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0042】

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0043】

また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に、本発明の目的に応じて、種々のセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0044】

一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0045】

但し、一般的に、誘電体層を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に、誘電体層の厚さが０．３７μｍ以下である場合には、信頼性が低下する恐れがあった。

【0046】

本発明の一実施形態によると、カバー部Ｃ１、Ｃ２に隣接した内部電極ＩＥ１、ＩＥ２の含量を制御することで、信頼性を向上させることができることから、誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さが０．３７μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。

【0047】

したがって、誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さが０．３７μｍ以下である場合に、本発明による信頼性向上効果がより顕著になり得る。

【0048】

上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。

【0049】

誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向Ｌ－Ｔ断面を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ，Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンしたイメージから抽出した任意の誘電体層に対して、長さ方向に等間隔である３０個の地点においてその厚さを測定して平均値を求めることができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して求めると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0050】

本体１１０は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、第１方向において上記容量形成部Ａｃの一面に配置され、誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１、及び第１方向において上記容量形成部Ａｃの他面に配置され、誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２を含むことができる。

【0051】

容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を繰り返し積層して形成されることができる。

【0052】

第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0053】

第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２は内部電極を含まず、容量形成部Ａｃの誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。但し、カバー部Ｃ１、Ｃ２の誘電体層と容量形成部Ａｃの誘電体層１１１とを必ずしも同じ材料に限定する必要はなく、必要に応じて他の材料を含むことができる。第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0054】

一方、カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をさらに容易に達成するためには、カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さｔｃが１５μｍ以下であることができる。即ち、第１カバー部Ｃ１の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができ、第２カバー部Ｃ２の平均厚さｔｃも１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、カバー部Ｃ１、Ｃ２に隣接した内部電極ＩＥ１、ＩＥ２の含量を制御して信頼性を向上させることができることから、カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さｔｃが１５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。

【0055】

カバー部Ｃ１、Ｃ２の平均厚さｔｃは第１方向サイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において等間隔の５個地点で測定したカバー部Ｃ１、Ｃ２の第１方向サイズを平均した値であることができる。

【0056】

また、上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0057】

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と、第６面６に配置された第２マージン部１１５と、を含むことができる。即ち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の幅方向両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

【0058】

マージン部１１４、１１５は、図３に図示されたように、上記本体１１０を幅－厚さＷ－Ｔ方向に切った断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0059】

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0060】

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することによりなるものであることができる。

【0061】

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成してもよい。

【0062】

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をさらに容易に達成するためには、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、カバー部Ｃ１、Ｃ２に隣接した内部電極ＩＥ１、ＩＥ２の含量を制御して信頼性を向上させることができることから、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。

【0063】

マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向平均サイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向サイズを平均した値であることができる。

【0064】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と相互に積層されることができる。

【0065】

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0066】

第１内部電極１２１は第４面４から離隔して第３面３に露出し、第２内部電極１２２は第３面３から離隔して第４面４に露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0067】

即ち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４から一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３から一定距離離隔して形成されることができる。

【0068】

このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に分離されることができる。

【0069】

本発明の一実施形態によると、複数の内部電極１２１、１２２のうち上記第１カバー部Ｃ１に最も近く配置された内部電極をＩＥ１、上記第２カバー部Ｃ２に最も近く配置された内部電極をＩＥ２としたとき、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、上記複数の内部電極１２１、１２２のうち一つ以上は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。

【0070】

図５は、内部電極に含まれたＳｎ含量による容量減少を示したグラフである。図６は、Ｓｎ含量による誘電体層の厚さ変化を示したグラフである。図５及び図６は、本体に含まれた全ての内部電極のＳｎ含量を同様にした場合であって、Ｘ軸は内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比である。Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が増加するにつれて静電容量が徐々に減少し、誘電体層の厚さは徐々に増加することを確認することができる。

【0071】

カバー部Ｃ１、Ｃ２に隣接した内部電極ＩＥ１、ＩＥ２は、本体中央部に位置した内部電極よりも水分が浸透しやすく、外部環境からの影響が最も大きいことから、信頼性に及ぼす影響が最も大きい。そこで、本発明では、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下となるように制御することで信頼性を向上させることができる。ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０未満であると、信頼性向上効果が十分でなく、０．０２３０を超えると、Ｓｎ含量が過多となり融点が低すぎるために内部電極の連結性がかえって低下する恐れがあり、ＩＥ１及びＩＥ２の内部電極の連結性が低下すると、内部電極が切れた領域へ水分などが浸透し、信頼性が低下する恐れがある。

【0072】

したがって、ＩＥ１の中央部及びＩＥ２の中央部の少なくとも一つで測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比は０．００１６０以上０．０２３０以下であることが好ましく、より好ましくは、０．００１６０以上０．００６８４以下であり、さらにより好ましくは、０．００３３０以上０．００６８４以下であることができる。

【0073】

また、複数の内部電極１２１、１２２のうち一つ以上は、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下になるように制御することで、Ｓｎ添加による静電容量の減少及び誘電体層の厚さ増加を抑制することができる。このとき、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である内部電極は、内部電極連結性を向上させるためにＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００１０以上であることができる。

【0074】

中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である内部電極が存在しない場合、静電容量が減少する恐れがあり、誘電体層の厚さ増加する恐れがある。

【0075】

一実施形態において、上記複数の内部電極１２１、１２２のうち上記ＩＥ１及びＩＥ２を除いた内部電極は、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。これによって、Ｓｎ添加による静電容量の減少及び誘電体層の厚さ増加をより効果的に抑制することができ、内部電極の連結性を向上させることができる。

【0076】

一方、内部電極１２１、１２２の中央部とは、誘電体層１１１との界面から２０ｎｍ以上離隔した領域であることができる。図７を参照すると、誘電体層との界面から２０ｎｍ以上離隔したＰＰ領域でＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比を測定することができる。

【0077】

一実施形態において、内部電極１２１、１２２は、上記誘電体層１１１との界面に隣接した領域のＳｎ含量が中央部でのＳｎ含量よりも２倍以上高いことがある。

【0078】

内部電極１２１、１２２に添加されるＳｎは、誘電体層との界面に隣接した領域に主に分布するようになる。これによって、漏れ電流を抑制し、内部電極の連結性をより効果的に向上させることができる。図７を参照すると、内部電極の導電部ＥＰにおいて誘電体層との界面に隣接した領域ＥＰｂでのＳｎ含量が高くなり、誘電体層との界面から離隔した領域ＥＰａではＳｎ含量が低くなることができる。

【0079】

このとき、内部電極１２１、１２２において誘電体層１１１との界面に隣接した領域ＥＰｂは、誘電体層１１１との界面から５ｎｍ以内の領域であることができ、内部電極１２１、１２２の中央部とは、誘電体層１１１との界面から２０ｎｍ以上離隔した領域であることができる。

【0080】

一実施形態において、複数の内部電極１２１、１２２のうち上記ＩＥ１及びＩＥ２を除いた内部電極には、Ｓｎを含まないことができる。これによって、Ｓｎ添加による静電容量の減少及び誘電体層の厚さ増加をほとんど発生させないことができる。

【0081】

但し、内部電極１２１、１２２の連結性を８０％以上に確保しつつ、Ｓｎ添加による静電容量の減少及び誘電体層の厚さ増加を抑制するためには、ＩＥ１及びＩＥ２を除いた内部電極に対して、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００１０以上０．０００６６以下を満たすように制御することが好ましい。

【0082】

一実施形態において、内部電極の連結性は８０％以上であることができる。

【0083】

図７を参照すると、内部電極ＩＥは複数の導電部ＥＰを含み、隣接した導電部ＥＰ同士の間に切れ部ＤＰを含むことができる。内部電極ＩＥの全長をｂ、複数の導電部ＥＰの長さをそれぞれｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４としたとき、内部電極ＩＥの全長ｂに対する複数の導電部ＥＰの長さの合計（ｅ＝ｅ１＋ｅ２＋ｅ３＋ｅ４）の比率を内部電極の連結性と定義することができる。

【0084】

内部電極の連結性は、本体１１０の第１方向及び第２方向断面を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしたイメージから測定することができる。

【0085】

内部電極１２１、１２２の連結性を８０％以上に確保するためには、内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００１０以上０．００２３０以下を満たすように制御することが好ましい。内部電極の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００１０未満であると、Ｓｎ添加による内部電極の連結性向上効果が十分でなく、０．０２３０を超えると、Ｓｎ含量が過多となり融点が低すぎるために内部電極の連結性がかえって低下する恐れがある。

【0086】

一実施形態において、複数の内部電極１２１、１２２のうち、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下である内部電極の個数比率は９０％以上であることができる。また、複数の内部電極１２１、１２２のうち、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００１０以上０．０００６６以下である内部電極の個数比率は９０％以上であることができる。これによって、Ｓｎ添加による静電容量の減少及び誘電体層の厚さ増加をより効果的に抑制することができ、内部電極の連結性を向上させることができる。

【0087】

一実施形態において、容量形成部Ａｃにおいて上記第１カバー部と隣接した領域をＫ１、上記容量形成部において上記第２カバー部と隣接した領域をＫ２、上記Ｋ１とＫ２との間に配置された領域をＫｃとしたとき、上記Ｋ１及びＫ２に含まれた内部電極は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、上記Ｋｃに含まれた内部電極は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。このとき、上記Ｋｃに含まれた内部電極は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００１０以上０．０００６６以下であることができる。これによって、Ｓｎ添加による静電容量の減少及び誘電体層の厚さ増加をより効果的に抑制することができ、内部電極の連結性を向上させることができる。

【0088】

また、容量形成部Ａｃの第１方向最大サイズに対する上記Ｋｃの第１方向最大サイズは、０．９以上であることができる。

【0089】

一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0090】

但し、一般的に、内部電極を０．６μｍ未満の厚さに薄く形成する場合、特に、内部電極の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下する恐れがあった。

【0091】

本発明の一実施形態によると、カバー部Ｃ１、Ｃ２に隣接した内部電極ＩＥ１、ＩＥ２の含量を制御して信頼性を向上させることができることから、内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さが０．３５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。

【0092】

したがって、内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さが０．３５μｍ以下である場合に本発明による効果がより顕著になり、積層型電子部品の小型化及び高容量化をさらに容易に達成することができる。

【0093】

上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができる。

【0094】

内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向Ｌ－Ｔ断面を倍率１万倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ，Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンしたイメージから抽出した任意の内部電極に対して、長さ方向に等間隔である３０個の地点においてその厚さを測定して平均値を求めることができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して求めると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0095】

一方、位置ごとに内部電極のＳｎ含量を制御する方法は特に限定する必要はない。例えば、セラミックグリーンシートに含まれたＳｎ含量を位置ごとに異なるように調整するか、又は、内部電極ペーストに含まれたＳｎ含量を位置ごとに異なるように調整することができるが、両方法を同時に適用してもよい。

【0096】

図８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の製造方法を説明するための図面である。図８を参照して具体的な例を挙げると、内部電極ペーストが塗布されていないセラミックグリーンシートＧＳを第１方向上部及び下部にそれぞれ一つ以上積層してカバー部Ｃ１、Ｃ２を積層し、第１カバー部Ｃ１の第１方向に沿った下部及び第２カバー部Ｃ２の第１方向に沿った上部にはＳｎ含量の高い内部電極用ペーストＰ１が塗布されたセラミックグリーンシート１１を配置し、その間にはＳｎ含量が低いか、又は、含まれていない内部電極用ペーストＰ２が塗布されたセラミックグリーンシート１２を配置して容量形成部Ａｃを積層することで積層体を形成することができる。その後、上記積層体を積層型電子部品のサイズに合わせて切断した後、焼成して本体を形成し、上記本体上に外部電極を形成することで積層型電子部品を製造することができる。

【0097】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。このとき、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面、第２面、第５面及び第６面のうち一つ以上の面に延長されて配置されるバンド部を含むことができる。

【0098】

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

【0099】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

【0100】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ、及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に形成されためっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0101】

電極層１３１ａ、１３２ａに対してより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であるか、又は、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。また、電極層１３１ａ、１３２ａはめっき工法を用いて形成されるか、又は、スパッタリング、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、原子層堆積）などの堆積工法によって形成されてもよい。

【0102】

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順に形成された形態であることができる。また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式によって形成されるか、又は、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式によって形成されたものであることができる。

【0103】

電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属としては、電気伝導性に優れた材料を用いることができるが、特に限定しない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びこれらの合金のうち一つであることができる。

【0104】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定しないが、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。

【0105】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順に形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順に形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0106】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0107】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、０６０３（長さ×幅、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００の場合、本発明による信頼性及び絶縁抵抗向上効果がより顕著になり得る。

【0108】

したがって、製造誤差、外部電極サイズなどを考慮すると、積層型電子部品１００の長さが０．６６ｍｍ以下で、幅が０．３３ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性向上効果がより顕著になり得る。ここで、積層型電子部品１００の長さは、積層型電子部品１００の第２方向最大サイズを意味し、積層型電子部品１００の幅は、積層型電子部品１００の第３方向最大サイズを意味することができる。

【0109】

図９は、本発明の一変更例による積層型電子部品１００’の断面図であって、図２に対応する図面である。

【0110】

図９を参照すると、第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２のうち一つ以上はダミー電極１２３、１２４を含み、上記ダミー電極１２３、１２４は、中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であることができる。ダミー電極１２３、１２４は、静電容量の形成に影響を及ぼさないため、静電容量を減少することなく積層型電子部品の信頼性をさらに向上させることができる。

【0111】

このとき、外部電極１３１、１３２は、互いに離隔して配置される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含み、上記ダミー電極１２３、１２４は、上記第１外部電極と連結される第１ダミー電極１２３、及び上記第１ダミー電極から離隔して配置され、上記第２外部電極と連結される第２ダミー電極１２４を含むことができる。本体の第１方向上部及び下部から水分などが浸透しやすく、本体と外部電極との間に水分などが浸透しやすいため、ダミー電極１２３、１２４が第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２のそれぞれと連結される一対として構成されることで、信頼性をさらに向上させることができる。

【0112】

図１０は、本発明の他の一変更例による積層型電子部品１００”の断面図であって、図２に対応する図面である。

【0113】

図１０を参照すると、第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２はダミー電極１２３、１２４を含み、上記ダミー電極１２３、１２４は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であることができる。

【0114】

第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２がいずれもダミー電極１２３、１２４を含むことで、信頼性をさらに向上させることができる。

【0115】

さらに、第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２がいずれもダミー電極１２３、１２４を含む場合、内部電極１２１、１２２は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比は０．０００６６以下であることができる。即ち、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００”は、複数の誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、上記誘電体層と内部電極が第１方向に交互に配置される容量形成部Ａｃ、第１方向において上記容量形成部の一面に配置され、誘電体層を含む第１カバー部Ｃ１、及び第１方向において上記容量形成部の他面に配置され、誘電体層を含む第２カバー部Ｃ２と、を含む本体１１０と、上記本体に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記第１カバー部Ｃ１及び第２カバー部Ｃ２はダミー電極１２３、１２４を含み、上記ダミー電極１２３、１２４は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下であり、上記内部電極は中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６以下であることができる。但し、これに制限されるものではなく、上述したようにＩＥ１及びＩＥ２を含むことができる。

【0116】

以下、実験例によって本発明をさらに詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解を助けるためのものであって、本発明の範囲が実験例によって限定されるものではない。

【0117】

（実験例）
図８を参照すると、内部電極ペーストが塗布されていないセラミックグリーンシートＧＳを第１方向上部及び下部にそれぞれ一つ以上積層してカバー部Ｃ１、Ｃ２を積層し、第１カバー部Ｃ１の第１方向に沿った下部及び第２カバー部Ｃ２の第１方向に沿った上部には内部電極用ペーストＰ１が塗布されたセラミックグリーンシート１１を配置し、その間には内部電極用ペーストＰ２が塗布されたセラミックグリーンシート１２を配置して容量形成部Ａｃを積層することで積層体を形成した。その後、上記積層体を積層型電子部品のサイズに合わせて切断した後、焼成して本体を形成し、上記本体上に外部電極を形成してサンプルチップを製造した。このとき、内部電極用ペーストＰ１は、ＩＥ１の中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が下記表１を満たすように調整し、内部電極用ペーストＰ２は、ＩＥ１及びＩＥ２を除いた内部電極が中央部で測定したＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０００６６を満たすように調整した。

【0118】

静電容量は、各試験番号ごとに１０個のサンプルチップに対して測定し、ＬＣＲメータを用いて、ＡＣ電圧１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚの条件で静電容量を測定して各試験番号に対する平均値を求めた。試験番号１の静電容量を基準値‘１００％’とし、試験番号２から９は試験番号１の静電容量に対する相対値を記載した。

【0119】

ＭＴＴＦ（平均故障時間）は、各試験番号ごとに１０個のサンプルチップに対して測定し、１６５℃、７．５Ｖの条件で高温負荷試験を実施し、絶縁抵抗が１０ＫΩ以下となった時間を故障時間と判定してその平均値を求めた。

【0120】

ＩＥ１及びＩＥ２のＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比、内部電極の連結性は、サンプルチップを第３方向中央までポリッシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）して第１方向及び第２方向断面を露出させた後、ＩＥ１で測定した値を記載した。図７に図示したようにＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比及び内部電極の連結性は、ＩＥ１の長さ方向中央で測定し、Ｓｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比は、誘電体層との界面から２０ｎｍ以上離隔した領域である‘ＰＰ’領域でＳＴＥＭ‐ＥＤＳによってＮｉとＳｎの定量分析を実施して測定した。ＩＥ１及びＩＥ２は、内部電極用ペーストＰ１を用いて形成したため、ＩＥ２のＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比及び内部電極の連結性はＩＥ１と実質的に同一であることができる。

【0121】

【表1】

【0122】

試験番号２では、ＩＥ１及びＩＥ２のＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００６６であって内部電極の連結性は向上したが、ＭＴＴＦが大きく変化せず、信頼性向上効果が十分でなかった。

【0123】

これに対し、ＩＥ１及びＩＥ２のＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．００１６０以上０．０２３０以下を満たす試験番号３から５では、内部電極の連結性が８０％以上であり、ＭＴＴＦも大きく向上したことが確認された。

【0124】

一方、ＩＥ１及びＩＥ２のＳｎ／（Ｎｉ＋Ｓｎ）のモル比が０．０２３０を超えた試験番号７及び８では、融点が下がりすぎて連結性が急激に低下したことが確認され、これによって、ＭＴＴＦも低下したことが確認された。

【0125】

以上では、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述した実施形態及び添付図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0126】

また、本発明で使用された「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味せず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されるものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくても、他の一実施形態でその事項と反対であるか矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明であると理解されることができる。

【0127】

本発明で使用された用語は、一実施形態を説明するために使用されたものであるだけで、本発明を限定しようとする意図ではない。この際、単数の表現は、文脈上明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0128】

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
Ｃ１、Ｃ２：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１３１ａ、１３２ａ：電極層
１３１ｂ、１３２ｂ：めっき層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】