特開 2024-95982 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024095982

(43)【公開日】2024-07-11

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240704BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240704BHJP

   H10K 50/842 20230101ALI20240704BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240704BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20240704BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20240704BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240704BHJP

   H10K 50/00 20230101ALN20240704BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 309

G09F9/30 308Z

G09F9/30 349Z

G09F9/00 302

G09F9/00 324

G09F9/30 310

G09F9/30 365

H10K50/842 141

H10K50/842 426

H10K50/844

H10K59/131

H10K59/12

H10K59/10

H10K50/00

【審査請求】有

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023195569

(22)【出願日】2023-11-17

(31)【優先権主張番号】10-2022-0191135

(32)【優先日】2022-12-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】キム ドンユン

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC41

3K107CC43

3K107DD13

3K107DD14

3K107DD19

3K107DD38

3K107DD39

3K107DD90

3K107EE03

3K107EE42

3K107EE48

3K107EE50

3K107EE55

5C094AA31

5C094AA36

5C094AA38

5C094BA27

5C094DA06

5C094DA07

5C094DA13

5C094DA15

5C094EA10

5C094EB05

5C094FB06

5C094HA08

5G435AA13

5G435AA14

5G435BB05

5G435EE04

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

(57)【要約】

【課題】プラスチック基板を使用せず透湿特性が改善された表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む表示領域及び表示領域を囲む非表示領域を含み、透明伝導性酸化物と酸化物半導体のうち一つからなる第１基板、第１基板上に配置される無機層、無機層上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置され、末端が第１基板の内側に位置する第２基板、第２基板の上部の一部を覆うように配置されるシール部材、シール部材と離隔されて第２基板上に配置される接着層、及び接着層上に配置され、接着層により第２基板と接着されるバックカバーを含む。従って、シール部材と第２基板間の段差による気泡発生を遮断して無機層のクラック（ｃｒａｃｋ）発生が低減され得る。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のサブ画素を含む表示領域及び前記表示領域を囲む非表示領域を含み、透明伝導性酸化物と酸化物半導体のうち一つからなる第１基板と、
前記第１基板上の無機層と、
前記無機層上の平坦化層と、
前記平坦化層上に配置され、前記第１基板の末端が第２基板の末端を通って延びるように前記第１基板の末端から挿入された末端を含む第２基板と、
前記第２基板の一部を覆うシール部材と、
前記第２基板上に配置され、前記シール部材と離隔される接着層と、
前記接着層上に配置され、前記接着層により前記第２基板と接着されるバックカバーとを含む、表示装置。

【請求項2】

前記無機層の末端は、前記非表示領域で前記第１基板の末端から挿入される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記無機層は、複数の無機層を含み、
前記非表示領域で前記複数の無機層のうち少なくとも一つ以上の層上には、高電位電源配線、低電位電源配線及びゲート駆動部のうち少なくとも一つ以上配置される、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記接着層の末端は、高電位電源配線、前記低電位電源配線及び前記ゲート駆動部のいずれか一つの末端を通って延び、前記無機層の末端から挿入される、請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記接着層の末端は、前記無機層の末端と整列するように位置する、請求項３に記載の表示装置。

【請求項6】

前記接着層の末端は、前記無機層の末端を通って延び、前記シール部材まで延びない、請求項３に記載の表示装置。

【請求項7】

前記平坦化層は、前記無機層の末端と重畳し、前記第１基板の前面に配置される、請求項２に記載の表示装置。

【請求項8】

前記接着層は、両面テープを含む、請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第１基板の一端に配置される複数のフレキシブルフィルムをさらに含み、
前記接着層は、前記複数のフレキシブルフィルムが配置された領域を除く領域で前記シール部材と離隔される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記複数のフレキシブルフィルムを含む領域で、前記接着層は、前記シール部材上に配置される、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

表示領域及び前記表示領域を囲む非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板の表示領域及び非表示領域上の無機層と、
前記表示領域で前記無機層の一部の上に配置され、光を発光する複数のサブピクセルと、
前記複数のサブピクセル上に位置する第２基板、前記第２基板は、前記非表示領域で前記第１基板の末端が前記第２基板の末端を通って延びるように前記非表示領域の前記第２基板の末端から挿入された末端を含み、
前記非表示領域に位置するシール部材、前記シール部材の最上部が第２基板の最上面より高く配置されて前記非表示領域で第２基板の最上面のエッジを覆い、
前記第２基板上のバックカバーと、
前記第２基板と前記バックカバーとの間の接着層とを含み、
前記接着層の末端は、前記非表示領域で前記シール部材と離隔される、表示装置。

【請求項12】

前記第１基板は、透明伝導性酸化物と酸化物半導体のうち一つを含む、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記非表示領域で前記無機層上の導電性要素をさらに含み、
前記接着層の末端は、前記導電性要素の末端を通って延び、前記無機層の末端から挿入される、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項14】

前記非表示領域で前記無機層上の導電性要素をさらに含み、
前記接着層の末端は、前記導電性要素の末端を通って延び、前記無機層の末端と整列される、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項15】

前記非表示領域で前記無機層上の導電性要素をさらに含み、
前記接着層の末端は、前記無機層の末端及び導電性要素の末端を通って延び、前記シール部材まで延びない、請求項１１に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関し、より詳細には、プラスチック基板を使用せず透湿特性が改善され、無機層のクラック（ｃｒａｃｋ）発生を低減させて剛性が改善された表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

コンピュータのモニタやＴＶ、携帯電話等に使用される表示装置には、自ら光を発光する有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）等と、別途の光源を要する液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等がある。

【0003】

表示装置は、コンピュータのモニタ及びＴＶだけではなく、個人携帯機器までその適用範囲が多様になっており、広い表示面積を有しながらも減少した体積及び重さを有する表示装置についての研究が進行している。

【0004】

また、近年は、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）素材であるプラスチック等のように柔軟性のある基板に表示素子、配線等を形成して、折り畳むか巻いても画像表示が可能に製造されるフレキシブル表示装置が次世代の表示装置として注目を集めている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明が解決しようとする課題は、プラスチック基板を使用せず透湿特性が改善された表示装置を提供することである。

【0006】

本発明が解決しようとする他の課題は、外郭部での気泡発生を低減した表示装置を提供することである。

【0007】

本発明が解決しようとするまた他の課題は、表示装置の外郭部で発生する無機層のクラックを減少させて剛性が向上した表示装置を提供することである。

【0008】

本発明が解決しようとするまた他の課題は、表示装置の外郭部の剛性が向上した表示装置を提供することである。

【0009】

本発明が解決しようとするまた他の課題は、透湿特性を向上させるためにプラスチック基板を使用せず、無機膜層のクラックを減少させる表示装置を提供することである。

【0010】

本発明の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。

【課題を解決するための手段】

【0011】

前述したような課題を解決するために、本発明の一実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む表示領域及び表示領域を囲む非表示領域を含み、透明伝導性酸化物と酸化物半導体のうち一つからなる第１基板、第１基板上に配置される無機層、無機層上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置され、末端が第１基板の内側に位置する第２基板、第２基板の上部の一部を覆うように配置されるシール部材、シール部材と離隔されて第２基板上に配置される接着層、及び接着層上に配置され、接着層により第２基板と接着されるバックカバーを含む。従って、表示装置の透湿特性が改善され、外郭部領域で無機層のクラック（ｃｒａｃｋ）発生を低減させることができる。

【0012】

その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

【発明の効果】

【0013】

本発明は、透明伝導性酸化物層及び酸化物半導体層を表示装置の基板として使用して透湿度を容易に制御し、フレキシビリティを向上させることができる。

【0014】

本発明は、表示パネルとバックカバーを接着させる接着層の配置位置を調節して外郭部で発生し得る気泡発生を低減することができる。

【0015】

本発明は、気泡発生を最小化して、外郭部で発生し得る無機層及び配線に発生し得るクラックを低減して、表示装置の信頼性を改善することができる。

【0016】

本発明は、表示パネルとバックカバーを接着させる接着層がシール部材と離隔されるように配置され、表示装置の無機層を完全に覆うように配置されて表示装置の剛性を向上させることができる。

【0017】

本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。

【図2】本発明の一実施例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【図3】本発明の一実施例に係る表示装置のサブ画素の回路図である。

【図4】本発明の一実施例に係る表示装置の一つの画素に対する拡大平面図である。

【図5】図４のＶ－Ｖ’に沿った断面図である。

【図6a】図１のＶＩａ－ＶＩａ’に沿った断面図である。

【図6b】図１のＶＩｂ－ＶＩｂ’に沿った断面図である。

【図6c】図１のＶＩｃ－ＶＩｃ’に沿った断面図である。

【図7】本発明の他の実施例に係る表示装置の平面図である。

【図8a】図７のＶＩＩＩａ－ＶＩＩＩａ’に沿った断面図である。

【図8b】図７のＶＩＩＩｂ－ＶＩＩＩｂ’に沿った断面図である。

【図8c】図７のＶＩＩＩｃ－ＶＩＩＩｃ’に沿った断面図である。

【図9】本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。

【図10a】図９のＸａ－Ｘａ’に沿った断面図である。

【図10b】図９のＸｂ－Ｘｂ’に沿った断面図である。

【図10c】図９のＸｃ－Ｘｃ’に沿った断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に構成され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。

【0020】

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、面積、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

【0021】

構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

【0022】

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。

【0023】

素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。

【0024】

また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

【0025】

明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。

【0026】

図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

【0027】

本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。

【0028】

以下においては、添付の図面を参照して、本発明の多様な実施例を詳細に説明する。

【0029】

図１は、本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。図２は、本発明の一実施例に係る表示装置の概略的な断面図である。図１においては、説明の便宜のために、表示装置１００の多様な構成要素のうち表示パネル１２０、複数のフレキシブルフィルム１４０、複数の印刷回路基板１５０及びシール（ｓｅａｌ）部材１６０だけを示している。表示装置１００は、図面に示された構成要素以外に他の構成要素を含んでもよい。

【0030】

図１及び図２を参照すると、バックカバー１１０は、表示パネル１２０の一面に配置されて表示パネル１２０を支持する。バックカバー１１０は、平面上で表示パネル１２０の大きさより大きく形成され得、これによって外部から表示装置１００の他の構成を保護することができる。

【0031】

バックカバー１１０は、剛性を有する物質で形成されるが、バックカバー１１０の少なくとも一部分は、表示パネル１２０と共にワインディングまたはアンワインディングされるためにフレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有し得る。例えば、バックカバー１１０は、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）またはインバー（Ｉｎｖａｒ）等の金属材質またはプラスチック等の物質からなり得る。ただし、バックカバー１１０の物質は、熱変形量、曲率半径、剛性等の物性条件を満たすならば、設計によって多様に変更され得、これに制限されるものではない。本発明の一実施例においては、バックカバー１１０全体が一体になされたものと示したが、これに限定されず、表示装置１００がローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）されるかフォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）されるとき、これに対応するように複数のバックカバーからなってもよい。

【0032】

図２を参照すると、バックカバー１１０は、複数の開口部１１１を含む。表示パネル１２０がワインディングまたはアンワインディングされるとき、バックカバー１１０の複数の開口部１１１は、表示パネル１２０に加えられる応力により変形され得る。具体的に、表示パネル１２０がワインディングまたはアンワインディングされるとき、バックカバー１１０は、複数の開口部１１１が収縮または膨張するにつれ変形され得る。そして、複数の開口部１１１が収縮または膨張することで、バックカバー１１０上に配置された表示パネル１２０のスリップ（Ｓｌｉｐ）現象が低減されながら表示パネル１２０に加えられる応力、即ち、ストレスを低減することができる。

【0033】

表示パネル１２０は、映像を表示するための発光素子を含む複数のサブ画素が配置される。このような表示パネル１２０は、ローラーにワインディングまたはアンワインディングされるためのフレキシブルな表示パネル１２０であってよい。

【0034】

表示パネル１２０は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含む。

【0035】

表示領域ＡＡは、映像を表示する領域である。表示領域ＡＡには、映像を表示するために、複数のサブ画素からなる画素部ＰＰが配置され得る。例えば、画素部ＰＰは、発光素子及び駆動回路を含む複数のサブ画素からなって映像を表示することができる。

【0036】

非表示領域ＮＡは、映像が表示されない領域であり、表示領域ＡＡに配置されたサブ画素を駆動するための多様な配線、駆動集積回路（ＩＣ）等が配置される領域である。例えば、非表示領域ＮＡには、ゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣのような多様な駆動ＩＣ等が配置され得る。

【0037】

図２を参照すると、表示パネル１２０は、第１基板１２１、無機層１２２、平坦化層１２３、バンク１２４、画素部ＰＰ、（第２）接着層１２５及び第２基板１２６を含む。

【0038】

第１基板１２１は、表示パネル１２０の他の構成要素を支持するための支持部材である。第１基板１２１は、透明伝導性酸化物と酸化物半導体のいずれか一つからなり得る。例えば、第１基板１２１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等のような透明伝導性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｏｘｉｄｅ）からなり得る。

【0039】

また、第１基板１２１は、インジウム（Ｉｎ）及びガリウム（Ｇａ）からなる酸化物半導体物質、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明な酸化物半導体からなり得る。ただし、透明伝導性酸化物及び酸化物半導体の物質種類は例示的なものであり、本明細書に記載されていない他の透明伝導性酸化物及び酸化物半導体物質で第１基板１２１を形成でき、これに制限されない。

【0040】

一方、第１基板１２１は、透明伝導性酸化物または酸化物半導体を既存のプラスチック基板に比べて非常に薄い厚さに蒸着して形成することができる。そこで、第１基板１２１は、非常に薄い厚さに形成されることでフレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有することができる。そして、フレキシビリティを有する第１基板１２１を含む表示装置１００の場合、折り畳むか巻いても画像表示ができるフレキシブルな表示装置１００に構成され得る。例えば、表示装置１００がフォルダブル表示装置である場合、フォールディング軸を中心に第１基板１２１を折り畳むか広げることができる。他の例を挙げて、表示装置１００がローラブル表示装置である場合、表示装置をローラーに巻いて保管できる。従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、フレキシビリティを有する第１基板１２１を使用してフォルダブル表示装置またはローラブル表示装置のようにフレキシブルな表示装置１００に構成され得る。

【0041】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、透明伝導性酸化物または酸化物半導体で形成された第１基板１２１を使用して、ＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）工程を遂行することができる。ＬＬＯ工程は、表示装置１００の製造過程で第１基板１２１の下の仮基板と第１基板１２１をレーザを使用して分離する工程を意味する。そこで、第１基板１２１は、より容易なＬＬＯ工程のための層であるという点で、機能性薄膜、機能性薄膜層、機能性基板等とも称され得る。

【0042】

第１基板１２１は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含む。

【0043】

表示領域ＡＡは、映像を表示する領域である。表示領域ＡＡには、映像を表示するために、複数のサブ画素からなる画素部ＰＰが配置され得る。例えば、画素部ＰＰは、発光素子及び駆動回路を含む複数のサブ画素からなって映像を表示することができる。

【0044】

非表示領域ＮＡは、映像が表示されない領域であり、表示領域ＡＡに配置されたサブ画素を駆動するための多様な配線、駆動ＩＣ等が配置される領域である。例えば、非表示領域ＮＡには、ゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣのような多様な駆動ＩＣ等が配置され得る。

【0045】

第１基板１２１の一端に複数のフレキシブルフィルム１４０が配置される。第１基板１２１の一端に複数のフレキシブルフィルム１４０が電気的に連結される。複数のフレキシブルフィルム１４０は、延性を有するベースフィルムに各種の部品が配置され、表示領域ＡＡの複数のサブ画素に信号を供給するためのフィルムである。複数のフレキシブルフィルム１４０は、第１基板１２１の非表示領域ＮＡに一端が配置され、データ電圧等を表示領域ＡＡの複数のサブ画素に供給できる。一方、図１においては、複数のフレキシブルフィルム１４０が４個であるものと示したが、複数のフレキシブルフィルム１４０の個数は、設計によって多様に変更され得、これに制限されるものではない。

【0046】

一方、複数のフレキシブルフィルム１４０には、ゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣのような駆動ＩＣが配置され得る。駆動ＩＣは、映像を表示するためのデータとそれを処理するための駆動信号を処理する部品である。駆動ＩＣは、実装される方式によってチップオングラス（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、チップオンフィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等の方式で配置され得る。本明細書においては、説明の便宜のために、駆動ＩＣが複数のフレキシブルフィルム１４０上に実装されたチップオンフィルム方式であるものと説明したが、これに制限されるものではない。

【0047】

印刷回路基板１５０は、複数のフレキシブルフィルム１４０と連結される。印刷回路基板１５０は、駆動ＩＣに信号を供給する部品である。印刷回路基板１５０には、駆動信号、データ電圧等のような多様な駆動信号を駆動ＩＣに供給するための各種の部品が配置され得る。一方、図１においては、印刷回路基板１５０が２個であるものと示したが、印刷回路基板１５０の個数は、設計によって多様に変更され得、これに制限されない。

【0048】

図２を参照すると、第１基板１２１上に無機層１２２が配置される。無機層１２２は、後述する下部バッファ層１２２ａ、上部バッファ層１２２ｂ、ゲート絶縁層１２２ｃ及びパッシベーション層１２２ｄを含む複数の無機層であってよい。無機層１２２についての説明は、図４乃至図６ｃを参照して詳細に後述する。

【0049】

無機層１２２上に平坦化層１２３及びバンク１２４が配置される。特に、平坦化層１２３は、第１基板１２１の非表示領域ＮＡで無機層１２２の上面と側面を囲むように配置され得る。平坦化層１２３及びバンク１２４についてのより詳細な説明は、図４乃至図６ｃを参照して詳細に後述する。

【0050】

無機層１２２上に画素部ＰＰが配置される。画素部ＰＰは、表示領域ＡＡに対応するように配置され得る。画素部ＰＰは、複数のサブ画素を含んで映像を表示する構成である。画素部ＰＰの複数のサブ画素は、表示領域ＡＡを構成する最小単位であり、複数のサブ画素それぞれには、発光素子及び駆動回路が配置され得る。例えば、複数のサブ画素それぞれの発光素子は、アノード、有機発光層及びカソードを含む有機発光素子やＮ型及びＰ型半導体層と発光層を含むＬＥＤ等を含むことができるが、これに制限されるものではない。そして、複数のサブ画素を駆動するための駆動回路は、薄膜トランジスタ、ストレージキャパシタのような駆動素子等を含むことができるが、これに制限されない。以下においては、説明の便宜のために、複数のサブ画素それぞれの発光素子が有機発光素子であるものと仮定して説明するが、これに制限されない。

【0051】

一方、表示装置１００は、発光素子で発光された光が放出される方向によって、トップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）またはボトムエミッション（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式で構成され得る。

【0052】

トップエミッション方式は、発光素子で発光された光が発光素子が配置された第１基板１２１の上部に発光される方式である。トップエミッション方式である場合、発光素子で発光された光を第１基板１２１の上部に、即ち、カソード側に進行させるために、アノードの下部に反射層が形成され得る。

【0053】

ボトムエミッション方式は、発光素子で発光された光が発光素子が配置された第１基板１２１の下部に発光される方式である。ボトムエミッション方式である場合、発光素子で発光された光を第１基板１２１の下部に進行させるために、アノードは、透明導電性物質のみからなり得、カソードが反射率の高い金属物質からなり得る。

【0054】

以下においては、説明の便宜のために、本発明の一実施例に係る表示装置１００がボトムエミッション方式であるものと仮定して説明するが、これに制限されるものではない。

【0055】

画素部ＰＰを覆うように（第２）接着層１２５が配置される。また、接着層１２５は、第１基板１２１と第２基板１２６を接着させる機能を果たし、画素部ＰＰを密封して外部の湿気、酸素、衝撃等から画素部ＰＰの発光素子を保護することができる。接着層１２５は、フェイスシール（Ｆａｃｅ Ｓｅａｌ）方式で構成され得る。例えば、紫外線または熱硬化性シーラントを画素部ＰＰの前面に形成して接着層１２５を形成することができる。ただし、接着層１２５の構造は、多様な方式及び物質で形成することができ、これに制限されない。図２に示されたように、第２基板１２６の末端は、第１基板１２１の末端が第２基板１２６の末端を通って延びるように第１基板１２１の末端から挿入され得る。

【0056】

一方、接着層１２５上に高い弾性率を有し、耐腐食性の強い金属材質からなる第２基板１２６が配置される。例えば、第２基板１２６は、約２００～９００ＭＰａの高い弾性率を有する物質からなり得、耐腐食性が強く、ホイル（ｆｏｉｌ）あるいは薄膜形態に加工が容易なアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）とニッケルの合金材質等の金属材質からなり得る。そこで、第２基板１２６を金属材質で形成することで超薄膜形態に第２基板１２６の構成が可能であり、外部の衝撃及びスクラッチに強い耐保護性が提供され得る。

【0057】

第１基板１２１の下に偏光板１８０が配置される。偏光板１８０は、選択的に光を透過させ、第１基板１２１に入射する外部光の反射を低減させることができる。具体的に、表示装置１００は、半導体素子、配線、発光素子等に適用される多様な金属物質が第１基板１２１上に形成される。そこで、第１基板１２１側に入射した外光は、金属物質から反射し得、外光の反射によって表示装置１００の視認性が低減され得る。このとき、外光の反射を防止する偏光板１８０を第１基板１２１の下に配置して、表示装置１００の野外視認性を高めることができる。ただし、偏光板１８０は、表示装置１００の構成例によって省略されてもよい。

【0058】

一方、図面に示されてはいないが、第１基板１２１の下で偏光板１８０と共にバリアフィルムが配置され得る。バリアフィルムは、第１基板１２１の外側の水分、酸素が第１基板１２１に浸透することを低減して、発光素子を含む画素部ＰＰを保護することができる。ただし、バリアフィルムは、表示装置１００の構成例によって省略されてもよく、これに制限されない。

【0059】

このように構成される表示パネル１２０の上部には、バックカバー１１０と第２基板１２６を接着するための（第１）接着層１３０が配置される。即ち、表示パネル１２０の第２基板１２６とバックカバー１１０との間に接着層１３０が配置される。接着層１３０は、表示領域ＡＡの前面に配置され得、非表示領域ＮＡに配置された接着層１３０の末端は、表示パネル１２０で複数のフレキシブルフィルム１４０が連結される領域を除く領域で無機層１２２の末端より表示領域ＡＡに隣接するように配置され得る。そこで、第２基板１２６とシール部材１６０との段差による接着層１３０の気泡発生を遮断して気泡発生によるクラック（ｃｒａｃｋ）発生もまた遮断することができる。このような段差は、シール部材１６０の最上面の高さが第２基板１２６の最上面の高さより高いため発生する。接着層１３０は、接着性を有する物質からなり、例えば、両面テープ（ＤＳ ｔａｐｅ）であってよい。接着層１３０についてのより詳細な説明は、図６ａ乃至図６ｃを参照して詳細に後述する。

【0060】

表示パネル１２０の側面を囲むように配置されたシール部材１６０が配置される。シール部材１６０は、バンク１２４の上面で非表示領域ＮＡの末端まで延びて位置し、画素部ＰＰの側面を囲みながら第２基板１２６の上部側面の一部分まで配置され得る。そこで、シール部材１６０は、表示パネル１２０の側部を通した画素部ＰＰへの透湿を低減することができる。

【0061】

シール部材１６０は、表示パネル１２０の側面を密封すると同時に表示パネル１２０の側面剛性が補完され得るように弾性を有する非伝導性物質からなり得る。また、シール部材１６０は、接着性を有する物質からなってもよい。また、シール部材１６０は、外部から水分及び酸素等を吸収して表示パネル１２０の側部を通した透湿を低減するように吸湿剤をさらに含むことができる。例えば、シール部材１６０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリウレタン（ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、アクリル（ａｃｒｙｌ）系列の物質からなり得るが、これに限定されない。

【0062】

以下においては、画素部ＰＰの複数のサブ画素についてのより詳細な説明のために図３乃至図６ｃを共に参照する。

【0063】

図３は、本発明の一実施例に係る表示装置のサブ画素の回路図である。

【0064】

図３を参照すると、複数のサブ画素ＳＰの発光素子ＯＬＥＤを駆動するための駆動回路は、第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２、第３トランジスタＴＲ３及びストレージキャパシタＳＣを含む。そして、このような駆動回路を駆動させるために、第１基板１２１上にゲート配線ＧＬ、データ配線ＤＬ、高電位電源配線ＶＤＤ、センシング配線ＳＬ及び基準配線ＲＬを含む複数の配線が配置される。

【0065】

一つのサブ画素ＳＰの駆動回路に含まれた第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２及び第３トランジスタＴＲ３それぞれは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む。

【0066】

そして、第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２及び第３トランジスタＴＲ３は、Ｐ型薄膜トランジスタまたはＮ型薄膜トランジスタであってよい。例えば、Ｐ型薄膜トランジスタは、ソース電極からドレイン電極に正孔（Ｈｏｌｅ）が流れるので、ソース電極からドレイン電極に電流が流れ得る。Ｎ型薄膜トランジスタは、ソース電極からドレイン電極に電子（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が流れるので、ドレイン電極からソース電極に電流が流れ得る。以下においては、第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２及び第３トランジスタＴＲ３がドレイン電極からソース電極に電流が流れるＮ型薄膜トランジスタであるものと仮定して説明するが、これに制限されない。

【0067】

第１トランジスタＴＲ１は、第１アクティブ層、第１ゲート電極、第１ソース電極及び第１ドレイン電極を含む。第１ゲート電極は第１ノードＮ１に連結され、第１ソース電極は発光素子ＯＬＥＤのアノードに連結され、第１ドレイン電極は高電位電源配線ＶＤＤに連結される。第１トランジスタＴＲ１は、第１ノードＮ１の電圧が閾値電圧（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ）より高い場合、ターンオン（Ｔｕｒｎ－ｏｎ）され、第１ノードＮ１の電圧が閾値電圧より低い場合、ターンオフ（Ｔｕｒｎ－ｏｆｆ）され得る。そして、第１トランジスタＴＲ１がターンオンされた場合、第１トランジスタＴＲ１を通して発光素子ＯＬＥＤに駆動電流が伝達され得る。そこで、発光素子ＯＬＥＤに伝達される駆動電流を制御する第１トランジスタＴＲ１は、駆動トランジスタとも称され得る。

【0068】

第２トランジスタＴＲ２は、第２アクティブ層、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を含む。第２ゲート電極はゲート配線ＧＬに連結され、第２ソース電極は第１ノードＮ１に連結され、第２ドレイン電極はデータ配線ＤＬに連結される。第２トランジスタＴＲ２は、ゲート配線ＧＬからのゲート電圧に基づいてターンオンまたはターンオフされ得る。第２トランジスタＴＲ２がターンオンされた場合、データ配線ＤＬからのデータ電圧を第１ノードＮ１に充電できる。そこで、ゲート配線ＧＬによりターンオンまたはターンオフされる第２トランジスタＴＲ２は、スイッチングトランジスタとも称され得る。

【0069】

第３トランジスタＴＲ３は、第３アクティブ層、第３ゲート電極、第３ソース電極及び第３ドレイン電極を含む。第３ゲート電極はセンシング配線ＳＬに連結され、第３ソース電極は第２ノードＮ２に連結され、第３ドレイン電極は基準配線ＲＬに連結される。第３トランジスタＴＲ３は、センシング配線ＳＬからのセンシング電圧に基づいてターンオンまたはターンオフされ得る。そして、第３トランジスタＴＲ３がターンオンされた場合、基準配線ＲＬからの基準電圧を第２ノードＮ２及びストレージキャパシタＳＣに伝達できる。そこで、第３トランジスタＴＲ３は、センシングトランジスタとも称され得る。

【0070】

一方、図３においては、ゲート配線ＧＬとセンシング配線ＳＬが別途の配線であるものと示されたが、ゲート配線ＧＬとセンシング配線ＳＬは、一つの配線に構成されてもよく、これに制限されない。

【0071】

ストレージキャパシタＳＣは、第１トランジスタＴＲ１の第１ゲート電極と第１ソース電極との間に連結される。即ち、ストレージキャパシタＳＣは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に連結され得る。ストレージキャパシタＳＣは、発光素子ＯＬＥＤが発光する間、第１トランジスタＴＲ１の第１ゲート電極と第１ソース電極との間の電位差を維持させて、発光素子ＯＬＥＤに一定の駆動電流が供給されるようにすることができる。ストレージキャパシタＳＣは、複数のキャパシタ電極を含み、例えば、複数のキャパシタ電極のうち一つは第１ノードＮ１に連結され、他の一つは第２ノードＮ２に連結され得る。

【0072】

発光素子ＯＬＥＤは、アノード、発光層及びカソードを含む。発光素子ＯＬＥＤのアノードは第２ノードＮ２に連結され、カソードは低電位電源配線ＶＳＳに連結される。発光素子ＯＬＥＤは、第１トランジスタＴＲ１から駆動電流の供給を受けて発光できる。

【0073】

一方、図３においては、本発明の一実施例に係る表示装置１００のサブ画素ＳＰの駆動回路が３個のトランジスタ及び１個のストレージキャパシタＳＣを含む３Ｔ１Ｃ構造であるものと説明したが、トランジスタ及びストレージキャパシタＳＣの個数及び連結関係は、設計によって多様に変更され得、これに制限されない。

【0074】

図４は、本発明の一実施例に係る表示装置の一つの画素に対する拡大平面図である。図５は、図４のＶ－Ｖ’に沿った断面図である。図６ａは、図１のＶＩａ－ＶＩａ’に沿った断面図である。図６ｂは、図１のＶＩｂ－ＶＩｂ’に沿った断面図である。図６ｃは、図１のＶＩｃ－ＶＩｃ’に沿った断面図である。図４は、表示パネル１２０の表示領域ＡＡに配置された一つの画素を構成する赤色サブ画素ＳＰＲ、白色サブ画素ＳＰＷ、青色サブ画素ＳＰＢ及び緑色サブ画素ＳＰＧに対する拡大平面図である。図４においては、表示パネル１２０だけを示したものであり、説明の便宜のために、バンク１２４の図示は省略し、複数のカラーフィルタＣＦの枠は、太い実線で示した。図４乃至図６ｃを参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、第１基板１２１、無機層１２２、平坦化層１２３、バンク１２４、第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２、第３トランジスタＴＲ３、ストレージキャパシタＳＣ、発光素子ＯＬＥＤ、ゲート配線ＧＬ、センシング配線ＳＬ、データ配線ＤＬ、基準配線ＲＬ、高電位電源配線ＶＤＤ、複数のカラーフィルタＣＦ、（第２）接着層１２５及び第２基板１２６を含む表示パネル１２０、バックカバー１１０、（第１）接着層１３０、シール部材１６０及び（選択的に）偏光板１８０を含む。

【0075】

図４を参照すると、複数のサブ画素ＳＰは、赤色サブ画素ＳＰＲ、緑色サブ画素ＳＰＧ、青色サブ画素ＳＰＢ及び白色サブ画素ＳＰＷを含む。例えば、行方向に沿って赤色サブ画素ＳＰＲ、白色サブ画素ＳＰＷ、青色サブ画素ＳＰＢ及び緑色サブ画素ＳＰＧが順次に配置され得る。ただし、複数のサブ画素ＳＰの配置順序は、これに制限されない。

【0076】

複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、発光領域及び回路領域を含む。発光領域は、独立して一つの色相の光を発光できる領域であり、発光素子ＯＬＥＤが配置され得る。具体的に、複数のカラーフィルタＣＦとアノードＡＮが互いに重畳する領域中、バンク１２４から露出され、発光素子ＯＬＥＤから発光された光が外部に進行できる領域を発光領域と定義できる。例えば、図４及び図５を共に参照すると、赤色サブ画素ＳＰＲの発光領域は、赤色カラーフィルタＣＦＲとアノードＡＮが重畳する領域中、バンク１２４から露出された領域となり得、緑色サブ画素ＳＰＧの発光領域は、緑色カラーフィルタＣＦＧとアノードＡＮが重畳する領域中、バンク１２４から露出された領域となり得、青色サブ画素ＳＰＢの発光領域は、青色カラーフィルタＣＦとアノードＡＮが重畳する領域中、バンク１２４から露出された領域が青色光を発光する青色発光領域となり得る。このとき、別途のカラーフィルタＣＦが配置されていない白色サブ画素ＳＰＷの発光領域は、バンク１２４から露出されたアノードＡＮの一部分と重畳する領域が白色光を発光する白色発光領域であってよい。

【0077】

回路領域は、発光領域を除く残りの領域であり、複数の発光素子ＯＬＥＤを駆動するための駆動回路ＤＰと、駆動回路ＤＰに各種の信号を伝達する複数の配線が配置され得る。そして、駆動回路ＤＰ、複数の配線及びバンク１２４等が配置された回路領域は、非発光領域であってよい。例えば、回路領域には、第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２、第３トランジスタＴＲ３及びストレージキャパシタＳＣを含む駆動回路ＤＰ及び複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、複数の基準配線ＲＬ、複数のゲート配線ＧＬ、センシング配線ＳＬ及びバンク１２４等が配置され得る。

【0078】

図３乃至図６ｃを共に参照すると、第１基板１２１上に無機層１２２が配置される。無機層１２２は、第１基板１２１上に配置された無機物で構成された複数の層を含むことができる。例えば、無機層１２２は、下部バッファ層１２２ａ、上部バッファ層１２２ｂ、ゲート絶縁層１２２ｃ及びパッシベーション層１２２ｄを含むことができるが、これに制限されるものではない。

【0079】

無機層１２２は、非表示領域ＮＡで第１基板１２１の最外郭領域を露出させるように配置され得る。即ち、無機層１２２の末端は、第１基板１２１の末端内側に位置し得る。即ち、無機層１２２の末端は、第１基板１２１の末端が無機層１２２の末端を通って延びるように第１基板１２１の末端から挿入され得る。

【0080】

一方、上述したように、透明伝導性酸化物層または酸化物半導体のうち一つで構成された第１基板１２１を使用する場合、ＬＬＯ工程のために第１基板１２１を表示装置１００の全体領域に配置し得る。即ち、第１基板１２１が表示装置１００の表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡの全体に配置され得る。

【0081】

図６ａ乃至図６ｃを参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００の無機層１２２は、第１基板１２１の最外郭領域が露出されるように非表示領域ＮＡの基準ラインＲまで配置され得る。ここで、基準ラインＲは、無機層１２２の末端地点を定義するものであり、第２非表示領域ＮＡ２と第３非表示領域ＮＡ３との間に位置し得る。そこで、無機層１２２が最外郭領域に露出されてクラックされるか無機層１２２を通した透湿が発生することを低減することができる。

【0082】

参考までに、本発明の一実施例に係る表示装置１００において、非表示領域ＮＡは、第１非表示領域ＮＡ１、第２非表示領域ＮＡ２、第３非表示領域ＮＡ３及び第４非表示領域ＮＡ４を含むことができる。表示領域ＡＡの末端から非表示領域ＮＡ内の配線等をなす導電性物質の末端まで延びた領域である第１非表示領域ＮＡ１、第１非表示領域ＮＡ１の末端から基準ラインＲまで延びた領域である第２非表示領域ＮＡ２、基準ラインＲから第２基板１２６の上部面に配置されたシール部材１６０の内側末端まで延びた領域である第３非表示領域ＮＡ３、及び第３非表示領域ＮＡ３の末端から第１基板１２１の末端まで延びた領域、即ち、第１基板１２１の最外郭領域である第４非表示領域ＮＡ４を含むことができる。第１非表示領域ＮＡ１は、第３非表示領域ＮＡ３により（少なくとも部分的に）囲まれ得る第２非表示領域ＮＡ２により（少なくとも部分的に）囲まれ得る。第４非表示領域ＮＡ４は、第１非表示領域ＮＡ１、第２非表示領域ＮＡ２及び第３非表示領域ＮＡ３により（少なくとも部分的に）囲まれ得る。

【0083】

第１基板１２１上に下部バッファ層１２２ａが配置される。下部バッファ層１２２ａは、第１基板１２１の外側から浸透した水分および／または酸素が拡散されることを防止できる。下部バッファ層１２２ａの厚さや積層構造を制御して表示パネル１２０の透湿特性を制御できる。また、下部バッファ層１２２ａは、透明伝導性酸化物または酸化物半導体からなる第１基板１２１が画素部ＰＰのような他の構成に接してショート不良が発生することを防止できる。下部バッファ層１２２ａは、無機物質からなり得、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単層や複層で構成され得るが、これに制限されるものではない。

【0084】

下部バッファ層１２２ａ上に複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、複数の基準配線ＲＬ及び遮光層ＬＳが配置される。

【0085】

複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、複数の基準配線ＲＬ及び遮光層ＬＳは、第１基板１２１上で同じ層に配置され、同じ導電性物質からなり得る。例えば、複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、複数の基準配線ＲＬ及び遮光層ＬＳは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金のような導電性物質で構成され得るが、これに制限されない。

【0086】

複数の高電位電源配線ＶＤＤは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれに高電位電源電圧を伝達する配線である。複数の高電位電源配線ＶＤＤは、複数のサブ画素ＳＰの間に列方向に延び得、行方向で互いに隣り合う二つのサブ画素ＳＰは、複数の高電位電源配線ＶＤＤのうち一つの高電位電源配線ＶＤＤを共有できる。例えば、一つの高電位電源配線ＶＤＤは、赤色サブ画素ＳＰＲの左側に配置され、赤色サブ画素ＳＰＲ及び白色サブ画素ＳＰＷそれぞれの第１トランジスタＴＲ１に高電位電源電圧を供給できる。他の高電位電源配線ＶＤＤは、緑色サブ画素ＳＰＧの右側に配置され、青色サブ画素ＳＰＢ及び緑色サブ画素ＳＰＧそれぞれの第１トランジスタＴＲ１に高電位電源電圧を供給できる。図６ｃを参照すると、複数の高電位電源配線ＶＤＤの末端は、第１非表示領域ＮＡ１の末端及び第２非表示領域ＮＡ２の始点に位置し得る。

【0087】

データ配線ＤＬは、サブ画素ＳＰの間に列方向に延びて複数のサブ画素ＳＰそれぞれにデータ電圧を伝達する配線であり、第１データ配線ＤＬ１、第２データ配線ＤＬ２、第３データ配線ＤＬ３及び第４データ配線ＤＬ４を含む。第１データ配線ＤＬ１は、赤色サブ画素ＳＰＲと白色サブ画素ＳＰＷとの間に配置され、赤色サブ画素ＳＰＲの第２トランジスタＴＲ２にデータ電圧を伝達できる。第２データ配線ＤＬ２は、第１データ配線ＤＬ１と白色サブ画素ＳＰＷとの間に配置され、白色サブ画素ＳＰＷの第２トランジスタＴＲ２にデータ電圧を伝達できる。第３データ配線ＤＬ３は、青色サブ画素ＳＰＢと緑色サブ画素ＳＰＧとの間に配置され、青色サブ画素ＳＰＢの第２トランジスタＴＲ２にデータ電圧を伝達できる。第４データ配線ＤＬ４は、第３データ配線ＤＬ３と緑色サブ画素ＳＰＧとの間に配置され、緑色サブ画素ＳＰＧの第２トランジスタＴＲ２にデータ電圧を伝達できる。

【0088】

基準配線ＲＬは、複数のサブ画素ＳＰの間に列方向に延びてサブ画素ＳＰそれぞれに基準電圧を伝達する配線である。一つの画素をなす複数のサブ画素ＳＰは、一つの基準配線ＲＬを共有できる。例えば、一つの基準配線ＲＬは、白色サブ画素ＳＰＷと青色サブ画素ＳＰＢとの間に配置され、赤色サブ画素ＳＰＲ、白色サブ画素ＳＰＷ、青色サブ画素ＳＰＢ及び緑色サブ画素ＳＰＧそれぞれの第３トランジスタＴＲ３に基準電圧を伝達できる。

【0089】

図４及び図５を共に参照すると、下部バッファ層１２２ａ上に遮光層ＬＳが配置される。遮光層ＬＳは、複数のトランジスタＴＲ１、ＴＲ２、ＴＲ３のうち少なくとも第１トランジスタＴＲ１の第１アクティブ層ＡＣＴ１と重畳するように配置され、第１アクティブ層ＡＣＴ１に入射する光を遮断することができる。仮に、第１アクティブ層ＡＣＴ１に光が照射されると漏れ電流が発生するので、駆動トランジスタである第１トランジスタＴＲ１の信頼性が低下し得る。このとき、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金のような不透明な導電性物質で構成された遮光層ＬＳを第１アクティブ層ＡＣＴ１に重畳するように配置するならば第１基板１２１の下部で第１アクティブ層ＡＣＴ１に入射する光を遮断することができるので、第１トランジスタＴＲ１の信頼性を向上させることができる。ただし、これに制限されず、遮光層ＬＳは、第２トランジスタＴＲ２の第２アクティブ層ＡＣＴ２及び第３トランジスタＴＲ３の第３アクティブ層ＡＣＴ３とも重畳するように配置されてもよい。

【0090】

一方、図面においては、遮光層ＬＳが単層であるものと示したが、遮光層ＬＳは、複数の層で形成されてもよい。例えば、遮光層ＬＳは、無機層１２２の間、即ち、下部バッファ層１２２ａ、上部バッファ層１２２ｂ、ゲート絶縁層１２２ｃ、パッシベーション層１２２ｄのうち少なくともいずれか一つを挟んで重畳するように配置された複数の層からなり得る。

【0091】

複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、複数の基準配線ＲＬ及び遮光層ＬＳ上に上部バッファ層１２２ｂが配置される。上部バッファ層１２２ｂは、第１基板１２１を通した水分または不純物の浸透を低減することができる。例えば、上部バッファ層１２２ｂは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。また、上部バッファ層１２２ｂは、第１基板１２１の種類やトランジスタの種類によって省略されてもよく、これに制限されない。

【0092】

複数のサブ画素ＳＰそれぞれで上部バッファ層１２２ｂ上に第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２、第３トランジスタＴＲ３及びストレージキャパシタＳＣが配置される。

【0093】

まず、第１トランジスタＴＲ１は、第１アクティブ層ＡＣＴ１、第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１を含む。

【0094】

上部バッファ層１２２ｂ上に第１アクティブ層ＡＣＴ１が配置される。第１アクティブ層ＡＣＴ１は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等のような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。例えば、第１アクティブ層ＡＣＴ１が酸化物半導体で形成された場合、第１アクティブ層ＡＣＴ１は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域からなり、ソース領域及びドレイン領域は、導体化された領域であってよいが、これに制限されない。

【0095】

第１アクティブ層ＡＣＴ１上にゲート絶縁層１２２ｃが配置される。ゲート絶縁層１２２ｃは、第１ゲート電極ＧＥ１と第１アクティブ層ＡＣＴ１を絶縁させるための層であり、絶縁物質からなり得る。例えば、ゲート絶縁層１２２ｃは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。

【0096】

ゲート絶縁層１２２ｃ上で第１アクティブ層ＡＣＴ１に重畳するように第１ゲート電極ＧＥ１が配置される。第１ゲート電極ＧＥ１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0097】

ゲート絶縁層１２２ｃ上で互いに離隔された第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１が配置される。第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１は、ゲート絶縁層１２２ｃに形成されたコンタクトホールを通して第１アクティブ層ＡＣＴ１と電気的に連結され得る。第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１は、第１ゲート電極ＧＥ１と同じ層に配置され、同じ導電性物質で形成され得るが、これに制限されるものではない。例えば、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0098】

第１ドレイン電極ＤＥ１は、高電位電源配線ＶＤＤと電気的に連結される。例えば、赤色サブ画素ＳＰＲ及び白色サブ画素ＳＰＷの第１ドレイン電極ＤＥ１は、赤色サブ画素ＳＰＲの左側の高電位電源配線ＶＤＤと電気的に連結され得る。青色サブ画素ＳＰＢ及び緑色サブ画素ＳＰＧの第１ドレイン電極ＤＥ１は、緑色サブ画素ＳＰＧの右側の高電位電源配線ＶＤＤと電気的に連結され得る。

【0099】

このとき、第１ドレイン電極ＤＥ１を高電位電源配線ＶＤＤと電気的に連結するために、補助高電位電源配線ＶＤＤａがさらに配置され得る。補助高電位電源配線ＶＤＤａは、一端が高電位電源配線ＶＤＤに電気的に連結され、他端が複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第１ドレイン電極ＤＥ１に電気的に連結され得る。例えば、補助高電位電源配線ＶＤＤａが第１ドレイン電極ＤＥ１と同じ層で同じ物質からなる場合、補助高電位電源配線ＶＤＤａの一端は、ゲート絶縁層１２２ｃ及び上部バッファ層１２２ｂに形成されたコンタクトホールを通して高電位電源配線ＶＤＤに電気的に連結され、補助高電位電源配線ＶＤＤａの他端は、第１ドレイン電極ＤＥ１側に延びて第１ドレイン電極ＤＥ１と一体になされ得る。

【0100】

このとき、同じ高電位電源配線ＶＤＤに電気的に連結される赤色サブ画素ＳＰＲの第１ドレイン電極ＤＥ１及び白色サブ画素ＳＰＷの第１ドレイン電極ＤＥ１は、同じ補助高電位電源配線ＶＤＤａに連結され得、青色サブ画素ＳＰＢの第１ドレイン電極ＤＥ１と緑色サブ画素ＳＰＧの第１ドレイン電極ＤＥ１もまた同じ補助高電位電源配線ＶＤＤａに連結され得る。ただし、第１ドレイン電極ＤＥ１と高電位電源配線ＶＤＤは、他の方式を通して電気的に連結されてもよく、これに制限されない。

【0101】

第１ソース電極ＳＥ１は、ゲート絶縁層１２２ｃ及び上部バッファ層１２２ｂに形成されたコンタクトホールを通して遮光層ＬＳと電気的に連結され得る。また、第１ソース電極ＳＥ１と連結された第１アクティブ層ＡＣＴ１の一部分は、上部バッファ層１２２ｂに形成されたコンタクトホールを通して遮光層ＬＳと電気的に連結され得る。仮に、遮光層ＬＳがフローティング（ｆｌｏａｔｉｎｇ）された場合、第１トランジスタＴＲ１の閾値電圧等が変動して表示パネル１２０の駆動に影響を与え得る。そこで、遮光層ＬＳを第１ソース電極ＳＥ１と電気的に連結して遮光層ＬＳに電圧を印加することができ、第１トランジスタＴＲ１の駆動に影響を与えなくて済む。ただし、本明細書においては、第１アクティブ層ＡＣＴ１及び第１ソース電極ＳＥ１のいずれも遮光層ＬＳにコンタクトするものと説明したが、第１ソース電極ＳＥ１及び第１アクティブ層ＡＣＴ１のいずれか一つだけが遮光層ＬＳに直接的にコンタクトしてもよく、これに制限されない。

【0102】

一方、図５においては、ゲート絶縁層１２２ｃが第１基板１２１の前面に形成されたものと示したが、ゲート絶縁層１２２ｃは、第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１にのみ重畳するようにパターニングされ得、これに制限されない。

【0103】

第２トランジスタＴＲ２は、第２アクティブ層ＡＣＴ２、第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。

【0104】

上部バッファ層１２２ｂ上に第２アクティブ層ＡＣＴ２が配置される。第２アクティブ層ＡＣＴ２は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等のような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。例えば、第２アクティブ層ＡＣＴ２が酸化物半導体で形成された場合、第２アクティブ層ＡＣＴ２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域からなり、ソース領域及びドレイン領域は、導体化された領域であってよいが、これに制限されない。

【0105】

上部バッファ層１２２ｂ上に第２ソース電極ＳＥ２が配置される。第２ソース電極ＳＥ２は、第２アクティブ層ＡＣＴ２と一体になされ、互いに電気的に連結され得る。例えば、上部バッファ層１２２ｂ上に半導体物質を形成し、半導体物質の一部分を導体化して第２ソース電極ＳＥ２を形成することができる。そこで、半導体物質のうち導体化されなかった部分は、第２アクティブ層ＡＣＴ２になり得、導体化された部分は、第２ソース電極ＳＥ２になり得る。ただし、第２アクティブ層ＡＣＴ２と第２ソース電極ＳＥ２を別に形成でき、これに制限されない。

【0106】

第２ソース電極ＳＥ２は、第１トランジスタＴＲ１の第１ゲート電極ＧＥ１と電気的に連結される。第１ゲート電極ＧＥ１は、ゲート絶縁層１２２ｃ上に形成されたコンタクトホールを通して第２ソース電極ＳＥ２と電気的に連結され得る。従って、第１トランジスタＴＲ１は、第２トランジスタＴＲ２からの信号によりターンオンまたはターンオフされ得る。

【0107】

第２アクティブ層ＡＣＴ２及び第２ソース電極ＳＥ２上にゲート絶縁層１２２ｃが配置され、ゲート絶縁層１２２ｃ上に第２ドレイン電極ＤＥ２及び第２ゲート電極ＧＥ２が配置される。

【0108】

ゲート絶縁層１２２ｃ上で第２アクティブ層ＡＣＴ２に重畳するように第２ゲート電極ＧＥ２が配置される。第２ゲート電極ＧＥ２は、ゲート配線ＧＬと電気的に連結され得、第２トランジスタＴＲ２は、第２ゲート電極ＧＥ２に伝達されたゲート電圧に基づいてターンオンまたはターンオフされ得る。第２ゲート電極ＧＥ２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0109】

一方、第２ゲート電極ＧＥ２は、ゲート配線ＧＬから延び得る。即ち、第２ゲート電極ＧＥ２は、ゲート配線ＧＬと一体になされ得、第２ゲート電極ＧＥ２とゲート配線ＧＬは、同じ導電性物質で形成され得る。例えば、ゲート配線ＧＬは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0110】

ゲート配線ＧＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれにゲート電圧を伝達する配線であり、複数のサブ画素ＳＰの回路領域を横切って行方向に延び得る。ゲート配線ＧＬは、行方向に延長配置され、列方向に延びた複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ及び複数の基準配線ＲＬと交差し得る。

【0111】

ゲート絶縁層１２２ｃ上に第２ドレイン電極ＤＥ２が配置される。第２ドレイン電極ＤＥ２は、ゲート絶縁層１２２ｃに形成されたコンタクトホールを通して第２アクティブ層ＡＣＴ２と電気的に連結されると同時に、ゲート絶縁層１２２ｃ及び上部バッファ層１２２ｂに形成されたコンタクトホールを通して複数のデータ配線ＤＬのうち一つのデータ配線ＤＬと電気的に連結され得る。例えば、赤色サブ画素ＳＰＲの第２ドレイン電極ＤＥ２は、第１データ配線ＤＬ１と電気的に連結され、白色サブ画素ＳＰＷの第２ドレイン電極ＤＥ２は、第２データ配線ＤＬ２と電気的に連結され得る。例えば、青色サブ画素ＳＰＢの第２ドレイン電極ＤＥ２は、第３データ配線ＤＬ３と電気的に連結され、緑色サブ画素ＳＰＧの第２ドレイン電極ＤＥ２は、第４データ配線ＤＬ４と電気的に連結され得る。第２ドレイン電極ＤＥ２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。第３トランジスタＴＲ３は、第３アクティブ層ＡＣＴ３、第３ゲート電極ＧＥ３、第３ソース電極ＳＥ３及び第３ドレイン電極ＤＥ３を含む。

【0112】

上部バッファ層１２２ｂ上に第３アクティブ層ＡＣＴ３が配置される。第３アクティブ層ＡＣＴ３は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等のような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。例えば、第３アクティブ層ＡＣＴ３が酸化物半導体で形成された場合、第３アクティブ層ＡＣＴ３は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域からなり、ソース領域及びドレイン領域は、導体化された領域であってよいが、これに制限されない。

【0113】

第３アクティブ層ＡＣＴ３上にゲート絶縁層１２２ｃが配置され、ゲート絶縁層１２２ｃ上に第３ゲート電極ＧＥ３、第３ソース電極ＳＥ３及び第３ドレイン電極ＤＥ３が配置される。

【0114】

ゲート絶縁層１２２ｃ上で第３アクティブ層ＡＣＴ３に重畳するように第３ゲート電極ＧＥ３が配置される。第３ゲート電極ＧＥ３は、センシング配線ＳＬと電気的に連結され得、第３トランジスタＴＲ３は、第３トランジスタＴＲ３に伝達されたセンシング電圧に基づいてターンオンまたはターンオフされ得る。第３ゲート電極ＧＥ３は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0115】

一方、第３ゲート電極ＧＥ３は、センシング配線ＳＬから延び得る。即ち、第３ゲート電極ＧＥ３は、センシング配線ＳＬと一体になされ得、第３ゲート電極ＧＥ３とセンシング配線ＳＬは、同じ導電性物質で形成され得る。例えば、センシング配線ＳＬは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0116】

センシング配線ＳＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれにセンシング電圧を伝達する配線であり、複数のサブ画素ＳＰの間で行方向に延びる。例えば、センシング配線ＳＬは、複数のサブ画素ＳＰ間の境界で行方向に延長配置され、列方向に延びた複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ及び複数の基準配線ＲＬと交差し得る。

【0117】

第３ソース電極ＳＥ３は、ゲート絶縁層１２２ｃに形成されたコンタクトホールを通して第３アクティブ層ＡＣＴ３と電気的に連結され得る。第３ソース電極ＳＥ３は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0118】

一方、第３ソース電極ＳＥ３とコンタクトする第３アクティブ層ＡＣＴ３の一部分は、上部バッファ層１２２ｂに形成されたコンタクトホールを通して遮光層ＬＳに電気的に連結され得る。即ち、第３ソース電極ＳＥ３は、第３アクティブ層ＡＣＴ３を挟んで遮光層ＬＳと電気的に連結され得る。それゆえ、第３ソース電極ＳＥ３及び第１ソース電極ＳＥ１は、遮光層ＬＳを通して互いに電気的に連結され得る。

【0119】

第３ドレイン電極ＤＥ３は、ゲート絶縁層１２２ｃに形成されたコンタクトホールを通して第３アクティブ層ＡＣＴ３と電気的に連結され得る。第３ドレイン電極ＤＥ３は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

【0120】

第３ドレイン電極ＤＥ３は、基準配線ＲＬと電気的に連結され得る。例えば、一つの画素をなす赤色サブ画素ＳＰＲ、白色サブ画素ＳＰＷ、青色サブ画素ＳＰＢ及び緑色サブ画素ＳＰＧそれぞれの第３ドレイン電極ＤＥ３は、同じ基準配線ＲＬに電気的に連結され得る。即ち、一つの画素をなす複数のサブ画素ＳＰは、一つの基準配線ＲＬを共有できる。

【0121】

このとき、列方向に延びた基準配線ＲＬを行方向に沿って並んで配置された複数のサブ画素ＳＰに伝達するために、補助基準配線ＲＬａが配置され得る。補助基準配線Ｒｌａは、行方向に延びて基準配線ＲＬと複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第３ドレイン電極ＤＥ３を電気的に連結できる。補助基準配線Ｒｌａの一端は、上部バッファ層１２２ｂ及びゲート絶縁層１２２ｃに形成されたコンタクトホールを通して基準配線ＲＬと電気的に連結され得る。そして、補助基準配線Ｒｌａの他端は、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第３ドレイン電極ＤＥ３と電気的に連結され得る。この場合、補助基準配線Ｒｌａは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第３ドレイン電極ＤＥ３と一体になされ得、基準配線ＲＬからの基準電圧は、補助基準配線Ｒｌａを通して第３ドレイン電極ＤＥ３に伝達され得る。ただし、補助基準配線Ｒｌａは、第３ドレイン電極ＤＥ３と別に形成され得、これに制限されない。

【0122】

複数のサブ画素ＳＰの回路領域にストレージキャパシタＳＣが配置される。ストレージキャパシタＳＣは、一フレームの間、発光素子ＯＬＥＤが引き続き同じ状態を維持するように第１トランジスタＴＲ１の第１ゲート電極ＧＥ１と第１ソース電極ＳＥ１との間の電圧を貯蔵することができる。ストレージキャパシタＳＣは、第１キャパシタ電極ＳＣ１及び第２キャパシタ電極ＳＣ２を含む。

【0123】

複数のサブ画素ＳＰそれぞれで下部バッファ層１２２ａと上部バッファ層１２２ｂとの間に第１キャパシタ電極ＳＣ１が配置される。第１キャパシタ電極ＳＣ１は、第１基板１２１上に配置された導電性構成要素のうち第１基板１２１に最も近く配置され得る。第１キャパシタ電極ＳＣ１は、遮光層ＬＳと一体になされ得、遮光層ＬＳを通して第１ソース電極ＳＥ１と電気的に連結され得る。

【0124】

第１キャパシタ電極ＳＣ１上に上部バッファ層１２２ｂが配置され、上部バッファ層１２２ｂ上に第２キャパシタ電極ＳＣ２が配置される。第２キャパシタ電極ＳＣ２は、第１キャパシタ電極ＳＣ１と重畳するように配置され得る。第２キャパシタ電極ＳＣ２は、第２ソース電極ＳＥ２と一体になされ、第２ソース電極ＳＥ２であり第１ゲート電極ＧＥ１に電気的に連結され得る。例えば、上部バッファ層１２２ｂ上に半導体物質を形成し、半導体物質の一部分を導体化して第２ソース電極ＳＥ２及び第２キャパシタ電極ＳＣ２を形成することができる。それゆえ、半導体物質のうち導体化されなかった部分は、第２アクティブ層ＡＣＴ２として機能し、導体化された部分は、第２ソース電極ＳＥ２であり第２キャパシタ電極ＳＣ２として機能できる。そして、上述したように、第１ゲート電極ＧＥ１は、ゲート絶縁層１２２ｃに形成されたコンタクトホールを通して第２ソース電極ＳＥ２と電気的に連結される。従って、第２キャパシタ電極ＳＣ２は、第２ソース電極ＳＥ２と一体になされ、第２ソース電極ＳＥ２及び第１ゲート電極ＧＥ１と電気的に連結され得る。

【0125】

まとめると、ストレージキャパシタＳＣの第１キャパシタ電極ＳＣ１は、遮光層ＬＳと一体になされ、遮光層ＬＳ、第１ソース電極ＳＥ１及び第３ソース電極ＳＥ３と電気的に連結され得る。そして、第２キャパシタ電極ＳＣ２は、第２ソース電極ＳＥ２であり第２アクティブ層ＡＣＴ２と一体になされ、第２ソース電極ＳＥ２及び第１ゲート電極ＧＥ１と電気的に連結され得る。従って、上部バッファ層１２２ｂを挟んで重畳する第１キャパシタ電極ＳＣ１及び第２キャパシタ電極ＳＣ２は、発光素子ＯＬＥＤが発光する間、第１トランジスタＴＲ１の第１ゲート電極ＧＥ１及び第１ソース電極ＳＥ１の電圧を一定に維持して発光素子ＯＬＥＤを同じ状態に維持させることができる。

【0126】

図６ａ及び図６ｂを参照すると、非表示領域ＮＡでゲート絶縁層１２２ｃ上に低電位電源配線ＶＳＳ及びゲート駆動部ＧＤ（例えば、導電性要素）が配置され得る。

【0127】

図６ａを参照すると、低電位電源配線ＶＳＳは、カソードＣＡと電気的に連結されてカソードＣＡに低電位電圧を供給できる。即ち、低電位電源配線ＶＳＳは、アノードＡＮの形成時に共に形成される連結電極ＣＥを通してカソードＣＡと電気的に連結され得る。低電位電源配線ＶＳＳの末端が第１非表示領域ＮＡ１と第２非表示領域ＮＡ２の境界であってよい。

【0128】

図６ｂを参照すると、非表示領域ＮＡにゲート駆動部ＧＤが配置され、ゲート駆動部ＧＤは、クロック配線ＣＬＫ及びステージＳＴを含む。

【0129】

クロック配線ＣＬＫは、クロック信号をステージＳＴに伝達できる。図６ｂに示されたような４個のクロック配線ＣＬＫは、互いに異なる位相を有する少なくとも一つ以上のクロック信号をステージＳＴに伝達できる。このとき、４個のクロック配線ＣＬＫのうち第１基板１２１の末端と最も隣接するように配置されたクロック配線が第１非表示領域ＮＡ１と第２非表示領域ＮＡ２の境界であってよい。図６ｂにおいては、４個のクロック配線ＣＬＫが使用されるものと示したが、クロック配線ＣＬＫの個数は、これに限定されない。

【0130】

ステージＳＴは、表示領域ＡＡとクロック配線ＣＬＫとの間に配置され、駆動信号に対応してスキャン信号を出力できる。図６ｂにおいては、ステージＳＴを単一導電層に示したが、それは、説明の便宜のためのものであるだけで、ステージＳＴは、多様なトランジスタおよび／またはキャパシタで構成され得る。

【0131】

図６ｃを参照すると、高電位電源配線ＶＤＤが非表示領域ＮＡに配置される。複数の高電位電源配線ＶＤＤの末端は、第１非表示領域ＮＡ１と第２非表示領域ＮＡ２の境界であってよい。

【0132】

表示領域ＡＡでの第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２、第３トランジスタＴＲ３及びストレージキャパシタＳＣと、非表示領域ＮＡでの低電位電源配線ＶＳＳ、高電位電源配線ＶＤＤとゲート駆動部ＧＤ上にパッシベーション層１２２ｄが配置される。パッシベーション層１２２ｄは、パッシベーション層１２２ｄの下部の構成を保護するための絶縁層である。例えば、パッシベーション層１２２ｄは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。また、パッシベーション層１２２ｄは、実施例によって省略されてもよい。

【0133】

パッシベーション層１２２ｄ上で複数のサブ画素ＳＰそれぞれの発光領域に複数のカラーフィルタＣＦが配置される。上述したように、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、発光素子ＯＬＥＤで発光された光が発光素子ＯＬＥＤ及び第１基板１２１の下部に向かうボトムエミッション方式であるので、発光素子ＯＬＥＤの下に複数のカラーフィルタＣＦが配置され得る。発光素子ＯＬＥＤで発光された光は、複数のカラーフィルタＣＦを通過して多様な色相の光に構成され得る。

【0134】

複数のカラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタＣＦＲ、青色カラーフィルタＣＦＢ及び緑色カラーフィルタＣＦＧを含む。赤色カラーフィルタＣＦＲは、複数のサブ画素ＳＰのうち赤色サブ画素ＳＰＲの発光領域に配置され得、青色カラーフィルタＣＦＢは、青色サブ画素ＳＰＢの発光領域に配置され得、緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色サブ画素ＳＰＧの発光領域に配置され得る。

【0135】

パッシベーション層１２２ｄ及び複数のカラーフィルタＣＦ上に平坦化層１２３が配置される。

【0136】

平坦化層１２３は、第１トランジスタＴＲ１、第２トランジスタＴＲ２、第３トランジスタＴＲ３、ストレージキャパシタＳＣ、複数の高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、複数の基準配線ＲＬ、複数のゲート配線ＧＬ及び複数のセンシング配線ＳＬが配置された第１基板１２１の上部を平坦化する絶縁層である。平坦化層１２３は、第１基板１２１の前面に配置され得る。即ち、平坦化層１２３は、表示領域ＡＡに配置されることはもちろん、非表示領域ＮＡに位置した無機層１２２の末端を囲みながら第１基板１２１の末端まで配置され得る。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、平坦化層１２３を無機層１２２の末端を覆うように配置して無機層１２２の損傷を低減することができる。

【0137】

複数のサブ画素ＳＰそれぞれで発光領域に発光素子ＯＬＥＤが配置される。複数のサブ画素ＳＰそれぞれで平坦化層１２３上に発光素子ＯＬＥＤが配置される。発光素子ＯＬＥＤは、アノードＡＮ、発光層ＥＬ及びカソードＣＡを含む。

【0138】

発光領域で平坦化層１２３上にアノードＡＮが配置される。アノードＡＮは、発光層ＥＬに正孔を供給するので、仕事関数の高い導電性物質からなり、アノードＡＮとも称され得る。アノードＡＮは、例えば、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）等のような透明導電性物質で形成され得るが、これに制限されない。

【0139】

一方、アノードＡＮは、回路領域に向かって延び得る。アノードＡＮの一部分は、発光領域から回路領域の第１ソース電極ＳＥ１に向かって延び得、平坦化層１２３及びパッシベーション層１２２ｄに形成されたコンタクトホールを通して第１ソース電極ＳＥ１と電気的に連結され得る。従って、発光素子ＯＬＥＤのアノードＡＮは、回路領域に延びて、第１トランジスタＴＲ１の第１ソース電極ＳＥ１でありストレージキャパシタＳＣの第２キャパシタ電極ＳＣ２と電気的に連結され得る。

【0140】

発光領域及び回路領域でアノードＡＮ上に発光層ＥＬが配置される。発光層ＥＬは、複数のサブ画素ＳＰにわたって一つの層に形成され得る。即ち、複数のサブ画素ＳＰのそれぞれの発光層ＥＬは、互いに連結されて一体になされ得る。発光層ＥＬは、一つの発光層で構成されてもよく、互いに異なる色の光を発光する複数の発光層が積層された構造であってよい。発光層ＥＬは、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の有機層をさらに含むことができる。

【0141】

発光領域及び回路領域で発光層ＥＬ上にカソードＣＡが配置される。カソードＣＡは、発光層ＥＬに電子を供給するので、仕事関数の低い導電性物質からなり得る。カソードＣＡは、複数のサブ画素ＳＰにわたって一つの層に形成され得る。即ち、複数のサブ画素ＳＰそれぞれのカソードＣＡは、互いに連結されて一体になされ得る。カソードＣＡは、例えば、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）等のような透明導電性物質またはイッテルビウム（Ｙｂ）合金で形成され得、金属ドーピング層がさらに含まれてもよく、これに制限されない。

【0142】

平坦化層１２３及びアノードＡＮ上にバンク１２４が配置される。即ち、バンク１２４は、第１基板１２１の表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡの前面に配置される。表示領域ＡＡにおいて、バンク１２４は、アノードＡＮと発光層ＥＬとの間でアノードＡＮのエッジを覆うように配置される。バンク１２４は、互いに隣接したサブ画素ＳＰ間の境界に配置され、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの発光素子ＯＬＥＤから発光された光の混色を低減することができる。非表示領域ＮＡにおいて、バンク１２４は、表示領域ＡＡから延びて平坦化層１２３上に配置され得る。バンク１２４は、絶縁物質からなり得、例えば、バンク１２４は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなり得るが、これに制限されるものではない。

【0143】

バンク１２４上にはカソードＣＡが配置され、カソードＣＡ上に接着層１２５が配置され得る。

【0144】

接着層１２５上には、第２基板１２６が配置される。第２基板１２６は、接着層１２５と共に外部の湿気、酸素、衝撃から発光素子ＯＬＥＤを保護する役割を果たすことができる。例えば、第２基板１２６は、約２００～９００ＭＰａの高い弾性率を有する物質からなり得、第２基板１２６は、耐腐食性が強く、ホイル（ｆｏｉｌ）あるいは薄膜形態に加工が容易なアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）とニッケルの合金材質等の金属材質からなり得る。このように、第２基板１２６を金属材質で形成することで超薄膜形態に構成が可能であり、外部の衝撃及びスクラッチに強い耐保護性が提供され得る。

【0145】

第２基板１２６は、第１基板１２１の前面と重畳するように配置されず、非表示領域ＮＡの一部の領域まで配置される。このとき、第２基板１２６は、接着層１２５より外部に突出するように配置され得る。

【0146】

第２基板１２６上には、バックカバー１１０との貼り付けのための（第１）接着層１３０が配置される。

【0147】

一般に、従来の技術においては、表示パネルとバックカバーの接着のための接着層は、表示装置の前面に配置された。即ち、第２基板の前面だけではなく、シール部材の上部面の前面にも接着層が配置された。このように配置された接着層上にバックカバーを配置させて表示パネルとバックカバーを接着させた後、表示パネルの下部に偏光板を配置させて表示装置を製造した。ここで、前述したように、シール部材が第２基板の上部面の一部を覆うように配置されるため、シール部材と第２基板との間に段差が生じるようになる。

【0148】

このように、シール部材の上部の前面と第２基板の前面に接着層を形成するようになると、シール部材と第２基板間の段差により気泡が発生するようになるが、発生した気泡によってクラック（ｃｒａｃｋ）が発生するようになる。より具体的に、表示パネルの上部面とバックカバーを接着層により貼り付けた後、偏光板をラミネーション方法でローラーを使用して表示パネルの下部面と接着させるようになるが、シール部材と第２基板間の段差により発生した気泡によって表示パネルの無機層、即ち、下部バッファ層、上部バッファ層、ゲート絶縁層及びパッシベーション層に影響を与えるようになって無機層にクラックが発生するようになる。ただし、表示パネルと複数のフレキシブルフィルムが連結される領域には、複数のフレキシブルフィルムとの電気的な連結のための導電性接着層（ＡＣＦ）が配置されるため、導電性接着層の無機層を固定させる役割を果たすようになり、表示パネルと複数のフレキシブルフィルムが連結される領域には接着層を前面配置してもクラックが発生しなくなる。

【0149】

そこで、本発明の一実施例に係る表示装置１００において、図６ａ乃至図６ｃに示されたように、表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させる接着層１３０は、複数のフレキシブルフィルム１４０が表示パネル１２０と連結される領域を除いてシール部材１６０と離隔されて配置される。即ち、接着層１３０は、シール部材１６０と重畳されない。接着層１３０の末端が非表示領域ＮＡで第２非表示領域ＮＡ２と基準ラインＲとの間に位置し得る。より具体的に、接着層１３０の末端は、非表示領域ＮＡで低電位電圧配線ＶＳＳ、ゲート駆動部ＧＤ及び高電位電圧配線ＶＤＤの末端と無機層１２２の末端との間に位置し得る。即ち、接着層１３０が無機層１２２に配置される導電性物質を覆うように配置され得る。即ち、接着層１３０の末端は、高電位電圧配線、低電位電圧配線及びゲート駆動部のいずれか一つの末端を通って延びるように無機層１２２の末端から挿入され得る。

【0150】

このように、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させる接着層１３０がシール部材１６０と一定距離だけ離隔されるように配置されることで、シール部材１６０と第２基板１２６間の段差による気泡発生を遮断して気泡によるクラック発生を低減させることができる。

【0151】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、接着層１３０がシール部材１６０と離隔されるように配置され、接着層１３０が無機層１２２に配置された導電性物質、即ち、低電位電源配線ＶＳＳ、ゲート駆動部ＧＤ及び高電位電源配線ＶＤＤの末端を覆って（例えば、重畳して）接着層１３０の末端が導電性物質の末端を越えて位置することで、導電性物質で形成される配線等にクラックが発生する可能性を低減することができる。

【0152】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物及び酸化物半導体のいずれか一つで形成して表示装置１００の厚さを減らすことができる。既存には表示装置の基板としてプラスチック基板を主に使用したが、プラスチック基板は、高温で基板物質をコーティング及び硬化する方式で形成されるので、時間が長くかかり、厚さを一定水準以下に薄く形成しにくい問題点がある。これとは異なり、透明伝導性酸化物及び酸化物半導体は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）等の蒸着工程を通して非常に薄い厚さに形成が可能である。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、表示パネル１２０の様々な構成を支持する第１基板１２１を透明伝導性酸化物層または酸化物半導体層で構成して、表示装置１００の厚さを減らすことができ、スリムなデザインを実現することができる。

【0153】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物または酸化物半導体で形成して表示装置１００のフレキシビリティを向上させ、表示装置１００の変形時に発生するストレスを低減することができる。具体的に、第１基板１２１を透明伝導性酸化物層や酸化物半導体で構成する場合、第１基板１２１を非常に薄い薄膜に形成可能である。この場合、第１基板１２１を第１透明薄膜層とも称し得る。そこで、第１基板１２１を含む表示装置１００は、高いフレキシビリティを有することができ、表示装置１００を容易に曲げるか巻くことができる。そこで、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物層と酸化物半導体層のいずれか一つで形成して、表示装置１００のフレキシビリティが向上して表示装置１００の変形時に発生する応力もまた緩和され得るので、表示装置１００にクラック等が発生することを低減することができる。

【0154】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物層及び酸化物半導体層のいずれか一つで形成して、第１基板１２１で静電気の発生可能性を下げることができる。仮に、第１基板１２１がプラスチックからなって静電気が発生する場合、静電気によって第１基板１２１上の各種の配線及び駆動素子が損傷されるか、駆動に影響を与えて表示品質が低下し得る。その代わりに第１基板１２１が透明伝導性酸化物層や酸化物半導体層で形成される場合、第１基板１２１で静電気が発生することを低減でき、静電気の遮断及び排出のための構成を簡素化できる。従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を静電気の発生可能性が低い透明伝導性酸化物層や酸化物半導体層のいずれか一つで形成して、静電気による損傷や表示品質の低下を低減することができる。

【0155】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物と酸化物半導体のうち一つで形成して、第１基板１２１を通して外部の水分や酸素等が表示装置１００の内部に浸透することを低減することができる。透明伝導性酸化物層や酸化物半導体で第１基板１２１を形成する場合、第１基板１２１を真空環境で形成するので異物の発生可能性が顕著に低い。また、異物が発生しても異物の大きさが非常に小さいため表示装置１００の内部に水分及び酸素が浸透することを低減することができる。従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を異物の発生可能性が低く、透湿性能に優れた透明伝導性酸化物や酸化物半導体で形成して、有機層を含む発光素子ＯＬＥＤ及び表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

【0156】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物や酸化物半導体のいずれか一つで形成して、第１基板１２１の下部に薄く、安価なバリアフィルムを貼り付けて使用することができる。第１基板１２１が透湿性能の低い物質、例えば、プラスチック等からなる場合、厚く高価な高性能のバリアフィルムを貼り付けて透湿性能を補完し得る。しかし、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透湿性能に優れた透明伝導性酸化物または酸化物半導体で形成するため、第１基板１２１の下部に厚さが薄く安価なバリアフィルムの貼り付けが可能である。従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透湿性能に優れた透明伝導性酸化物や酸化物半導体のいずれか一つで構成して、表示装置の製造コストを節減できる。

【0157】

また、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１を透明伝導性酸化物や酸化物半導体のいずれか一つで形成して、ＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）工程を遂行することができる。表示装置１００の製造時、第１基板１２１の下に犠牲層が形成された仮基板を貼り付けた後、第１基板１２１上に画素部ＰＰを形成することができる。犠牲層は、例えば、水素化された非晶質シリコン、または水素化処理され、不純物がドーピングされた非晶質シリコン等が使用され得る。そして、表示装置１００の製造が完了した後、仮基板の下部でレーザを照射すると、犠牲層の水素が脱水素化されて犠牲層及び仮基板が第１基板１２１から分離され得る。このとき、透明伝導性酸化物及び酸化物半導体は、犠牲層及び仮基板とのＬＬＯ工程が可能な物質であるので、第１基板１２１を透明伝導性酸化物や酸化物半導体のいずれか一つで形成しても第１基板１２１と仮基板を容易に分離することができる。従って、本発明の一実施例に係る表示装置１００においては、第１基板１２１がＬＬＯ工程が可能な透明伝導性酸化物層または酸化物半導体のうち一つで構成されるため、既存の工程及び装備でも表示装置１００を容易に製造できる。

【0158】

図７は、本発明の他の実施例に係る表示装置の平面図である。図８ａは、図７のＶＩＩＩａ－ＶＩＩＩａ’に沿った断面図である。図８ｂは、図７のＶＩＩＩｂ－ＶＩＩＩｂ’に沿った断面図である。図８ｃは、図７のＶＩＩＩｃ－ＶＩＩＩｃ’に沿った断面図である。図７乃至図８ｃの表示装置７００は、図１乃至図６ｃの表示装置１００と比較して接着層７３０だけが異なり、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

【0159】

図７乃至図８ｃを参照すると、本発明の他の実施例に係る表示装置７００においては、表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させるための接着層７３０がシール部材１６０と離隔されて配置され、接着層７３０の末端は、無機層１２２の末端と整列するように位置し得る。即ち、接着層７３０の末端が非表示領域ＮＡの基準ラインＲに合わせて位置し得、接着層７３０の末端は、無機層１２２の末端と重畳し得る。そこで、本発明の他の実施例に係る表示装置７００の接着層７３０は無機層１２２を完全に覆って、完全に重畳するように配置され得る。

【0160】

本発明の他の実施例に係る表示装置７００において、表示パネル１２０と複数のフレキシブルフィルム１４０と連結される領域外の領域で表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させる接着層７３０は、シール部材１６０と離隔されて配置され、接着層７３０の末端は、無機層１２２の末端と対応して重畳するように配置され得る。そこで、本発明の他の実施例に係る表示装置７００においては、表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させる接着層７３０がシール部材１６０と一定距離だけ離隔されるように配置されることで、シール部材１６０と第２基板１２６間の段差による気泡発生を遮断して気泡によるクラック発生を低減させることができる。

【0161】

また、本発明の他の実施例に係る表示装置７００においては、シール部材１６０と離隔されるように配置され、接着層７３０が無機層１２２に配置された導電性物質、即ち、低電位電源配線ＶＳＳ、ゲート駆動部ＧＤ及び高電位電源配線ＶＤＤの末端を覆って接着層７３０の末端が導電性物質の末端を越えて位置することで、導電性物質で形成される配線等に発生するクラック発生を低減することができる。

【0162】

また、本発明の他の実施例に係る表示装置７００においては、接着層７３０の末端が無機層１２２の末端と対応して重畳するように配置され得る。そこで、接着層７３０が無機層１２２を完全に覆うように配置されることで、無機層１２２に加えられる応力を接着層７３０が吸収できるので、無機層１２２がクラックされることを低減することができる。

【0163】

図９は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。図１０ａは、図９のＸａ－Ｘａ’に沿った断面図である。図１０ｂは、図９のＸｂ－Ｘｂ’に沿った断面図である。図１０ｃは、図９のＸｃ－Ｘｃ’に沿った断面図である。図９乃至図１０ｃの表示装置９００は、図１乃至図６ｃの表示装置１００と比較して接着層９３０だけが異なり、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

【0164】

図９乃至図１０ｃを参照すると、本発明のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させるための接着層９３０がシール部材１６０と離隔されて配置され、接着層９３０の末端が第３非表示領域ＮＡ３に位置し得る。即ち、接着層９３０の末端がシール部材１６０とは離隔され、無機層１２２の末端である基準ラインＲよりは外側に位置され得る。

【0165】

本発明のまた他の実施例に係る表示装置９００において、表示パネル１２０と複数のフレキシブルフィルム１４０と連結される領域外の表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させる接着層９３０は、シール部材１６０と離隔されて配置され、接着層９３０の末端は、第３非表示領域ＮＡ３に配置され得る。そこで、本発明のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、表示パネル１２０とバックカバー１１０を接着させる接着層９３０がシール部材１６０と一定距離だけ離隔されるように配置されることで、シール部材１６０と第２基板１２６間の段差による気泡発生を遮断して気泡によるクラック発生を低減させることができる。

【0166】

また、本発明のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、シール部材１６０と離隔されるように配置され、接着層９３０が無機層１２２に配置された導電性物質、即ち、低電位電源配線ＶＳＳ、ゲート駆動部ＧＤ及び高電位電源配線ＶＤＤの末端を覆って接着層９３０の末端が導電性物質の末端を越えて位置することで、導電性物質で形成される配線等に発生するクラック発生を最小化することができる。

【0167】

また、本発明のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、接着層９３０の末端が無機層１２２の末端を覆い、無機層１２２の末端を通って突出するように配置され得る。そこで、接着層９３０が無機層１２２を完全に覆うように配置されることで、無機層１２２に加えられる応力を接着層９３０が吸収できるので、無機層１２２がクラックされることを低減することができる。

【0168】

本発明の実施例に係る表示装置は、下記のように説明され得る。

【0169】

本発明の一実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む表示領域及び表示領域を囲む非表示領域を含み、透明伝導性酸化物と酸化物半導体のうち一つからなる第１基板、第１基板上に配置される無機層、無機層上に配置される平坦化層、平坦化層上に配置される第２基板、第２基板の上部の一部を覆うように配置されるシール部材、シール部材と離隔されて第２基板上に配置される接着層、及び接着層上に配置され、接着層により第２基板と接着されるバックカバーを含む。

【0170】

本発明の他の特徴によれば、無機層の末端は、非表示領域で第１基板の末端内側に位置し得る。

【0171】

本発明のまた他の特徴によれば、無機層は、無機物質からなる複数の層で構成され、非表示領域で複数の層のうち少なくとも一つ以上の層上には、高電位電源配線、低電位電源配線及びゲート駆動部のうち少なくとも一つが配置され得る。

【0172】

本発明のまた他の特徴によれば、接着層の末端は、無機層の末端と、高電位電源配線、低電位電源配線及びゲート駆動部のいずれか一つの末端との間に位置し得る。

【0173】

本発明のまた他の特徴によれば、接着層の末端は、無機層の末端と重畳して位置し得る。

【0174】

本発明のまた他の特徴によれば、接着層の末端は、シール部材と無機層の末端との間に位置し得る。

【0175】

本発明のまた他の特徴によれば、平坦化層は、無機層の末端を覆い、第１基板の前面に配置され得る。

【0176】

本発明のまた他の特徴によれば、接着層は、両面テープであってよい。

【0177】

本発明のまた他の特徴によれば、表示装置は、第１基板の一端に配置される複数のフレキシブルフィルムをさらに含み、複数のフレキシブルフィルムが配置された領域を除く領域で接着層はシール部材と離隔され得る。

【0178】

本発明のまた他の特徴によれば、複数のフレキシブルフィルムが配置された領域で、接着層は、シール部材上に配置され得る。

【0179】

以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

【符号の説明】

【0180】

１００ 表示装置
１１０ バックカバー
１１１ 開口部
１２０ 表示パネル
１２１ 第１基板
１２２ 無機層
１２３ 平坦化層
１２４ バンク
１２５ 接着層
１２６ 第２基板
１３０ 接着層
１４０ フレキシブルフィルム
１５０ 印刷回路基板
１６０ シール部材
１８０ 偏光板
ＡＡ 表示領域
ＮＡ 非表示領域
ＰＰ 画素部
Ｒ 基準ライン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図7】

【図8a】

【図8b】

【図8c】

【図9】

【図10a】

【図10b】

【図10c】