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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024095995
(43)【公開日】2024-07-11
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240704BHJP
H10K 59/95 20230101ALI20240704BHJP
H10K 50/856 20230101ALI20240704BHJP
H10K 50/818 20230101ALI20240704BHJP
H10K 50/828 20230101ALI20240704BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20240704BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20240704BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240704BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240704BHJP
H10K 50/852 20230101ALI20240704BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349D
H10K59/95
H10K50/856
H10K50/818
H10K50/828
H10K59/38
H10K59/121 213
H10K59/122
H10K59/35
H10K50/852
G09F9/30 365
【審査請求】有
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023202319
(22)【出願日】2023-11-30
(31)【優先権主張番号】10-2022-0189150
(32)【優先日】2022-12-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】リュ テクン
(72)【発明者】
【氏名】イ サンビン
(72)【発明者】
【氏名】ギ ヒュクチャン
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107AA05
3K107BB01
3K107BB02
3K107BB05
3K107CC05
3K107DD03
3K107DD10
3K107DD23
3K107DD24
3K107DD27
3K107DD57
3K107EE03
3K107EE07
3K107EE22
3K107EE33
3K107FF06
3K107FF15
3K107HH05
5C094BA03
5C094BA27
5C094DA13
5C094EA04
5C094EA05
5C094EA06
5C094EA07
5C094EC04
5C094ED03
5C094ED11
5C094JA08
5C094JA13
(57)【要約】
【課題】発光部およびレーザー部を含み、状況に応じて選択的に情報を提供できる表示装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の表示装置は、少なくとも一つの発光部と少なくとも一つのレーザー部を含む画素が備えられた基板と、前記基板の上部に備えられる下部ミラー層と、前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つの発光部に備えられる第１発光ダイオードと、前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つのレーザー部に備えられる第２発光ダイオードと、前記第２発光ダイオードの上部に備えられる上部ミラー層を含む。これに伴い、平常時に発光部を通じて映像を表示し、非常状況時にレーザー部を通じてレーザービームを発生させて人命救助を助けることができる。
【選択図】図１
【解決手段】一実施形態の表示装置は、少なくとも一つの発光部と少なくとも一つのレーザー部を含む画素が備えられた基板と、前記基板の上部に備えられる下部ミラー層と、前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つの発光部に備えられる第１発光ダイオードと、前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つのレーザー部に備えられる第２発光ダイオードと、前記第２発光ダイオードの上部に備えられる上部ミラー層を含む。これに伴い、平常時に発光部を通じて映像を表示し、非常状況時にレーザー部を通じてレーザービームを発生させて人命救助を助けることができる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも一つの発光部と少なくとも一つのレーザー部を含む画素が備えられた基板と、
前記基板の上部に備えられる下部ミラー層と、
前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つの発光部に備えられる第１発光ダイオードと、
前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つのレーザー部に備えられる第２発光ダイオードと、
前記第２発光ダイオードの上部に備えられる上部ミラー層とを含む、表示装置。
前記基板の上部に備えられる下部ミラー層と、
前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つの発光部に備えられる第１発光ダイオードと、
前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つのレーザー部に備えられる第２発光ダイオードと、
前記第２発光ダイオードの上部に備えられる上部ミラー層とを含む、表示装置。
【請求項2】
前記第１発光ダイオードは第１画素電極と第１発光層および共通電極を含み、
前記第２発光ダイオードは第２画素電極と第２発光層および共通電極を含み、
前記第１発光ダイオードの共通電極と前記第２発光ダイオードの共通電極は一体に備えられる、請求項１に記載の表示装置。
前記第２発光ダイオードは第２画素電極と第２発光層および共通電極を含み、
前記第１発光ダイオードの共通電極と前記第２発光ダイオードの共通電極は一体に備えられる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１画素電極は光を反射し、前記第２画素電極は光を透過させる、請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１画素電極は少なくとも一つの反射電極と少なくとも一つの透明電極を含む多重層構造を有し、前記第２画素電極は透明電極を含む単一層構造を有する、請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記少なくとも一つの発光部の前記第１発光ダイオードの上部に備えられるカラーフィルタをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記少なくとも一つの発光部で前記基板と前記第１発光ダイオードの間に備えられる第１および第２トランジスタと、
前記少なくとも一つのレーザー部で前記基板および前記第２発光ダイオードの間に備えられる第３トランジスタとをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
前記少なくとも一つのレーザー部で前記基板および前記第２発光ダイオードの間に備えられる第３トランジスタとをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第１トランジスタと前記第３トランジスタは第１および第２ゲート配線にそれぞれ接続され、一つのデータ配線に共に接続される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１トランジスタと前記第３トランジスタは一つのゲート配線に共に接続され、第１および第２データ配線にそれぞれ接続される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項9】
前記画素は３個の発光部と１個のレーザー部を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記画素は少なくとも一つの透明部をさらに含み、前記下部ミラー層は前記少なくとも一つの透明部に具備されない、請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
前記少なくとも一つの発光部と前記少なくとも一つのレーザー部間、前記少なくとも一つのレーザー部と前記少なくとも一つの透明部間、そして前記少なくとも一つの透明部と前記画素に隣接した画素の少なくとも一つの発光部間に備えられるバンクをさらに含む、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記下部ミラー層は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された第１および第２下部屈折率層を含み、
前記上部ミラー層は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された第１および第２上部屈折率層を含み、
前記第１および第２下部屈折率層の屈折率の差は前記第１および第２上部屈折率層の屈折率の差より大きい、請求項１に記載の表示装置。
前記上部ミラー層は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された第１および第２上部屈折率層を含み、
前記第１および第２下部屈折率層の屈折率の差は前記第１および第２上部屈折率層の屈折率の差より大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記画素は第１、第２、第３副画素を含み、前記第１、第２、第３副画素のそれぞれは前記少なくとも一つの発光部と前記少なくとも一つのレーザー部を含み、
前記第２副画素の前記上部ミラー層の厚さは前記第１副画素の前記上部ミラー層の厚さより小さく前記第３副画素の前記上部ミラー層の厚さより大きい、請求項１に記載の表示装置。
前記第２副画素の前記上部ミラー層の厚さは前記第１副画素の前記上部ミラー層の厚さより小さく前記第３副画素の前記上部ミラー層の厚さより大きい、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示装置に関し、特に、発光部とレーザー部を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
平板表示装置のうち一つである電界発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は自発光型であるため液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に比べて視野角などが優秀で、バックライトが不要であるため軽量および薄型が可能であり、消費電力の側面でも有利である。
【0003】
また、電界発光表示装置は直流低電圧駆動が可能で、応答速度が速く、すべて固体であるため外部の衝撃に強く、使用温度範囲も広く、特に製造費用の側面でも安価である長所を有している。
【0004】
電界発光表示装置は赤、緑、青色の副画素で構成された多数の画素を含み、赤、緑、青色の副画素を選択的に発光させて多様なカラー映像を表示する。
【0005】
最近、このような電界発光表示装置が多様な分野に適用されるにつれて、多様な機能を有する表示装置が要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、発光部およびレーザー部を含み、状況に応じて選択的に情報を提供できる表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記の目的を達成するために、一実施形態の表示装置は、少なくとも一つの発光部と少なくとも一つのレーザー部を含む画素が備えられた基板と、前記基板の上部に備えられる下部ミラー層と、前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つの発光部に備えられる第１発光ダイオードと、前記下部ミラー層の上部の前記少なくとも一つのレーザー部に備えられる第２発光ダイオードと、前記第２発光ダイオードの上部に備えられる上部ミラー層とを含む。
【0008】
前記第１発光ダイオードは第１画素電極と第１発光層および共通電極を含み、前記第２発光ダイオードは第２画素電極と第２発光層および共通電極を含み、前記第１発光ダイオードの共通電極と前記第２発光ダイオードの共通電極は一体に備えられる。
【0009】
前記第１画素電極は光を反射し、前記第２画素電極は光を透過させる。
【0010】
前記第１画素電極は少なくとも一つの反射電極と少なくとも一つの透明電極を含む多重層構造を有し、前記第２画素電極は透明電極を含む単一層構造を有する。
【0011】
本発明の表示装置は、前記少なくとも一つの発光部の前記第１発光ダイオードの上部に備えられるカラーフィルタをさらに含む。
【0012】
本発明の表示装置は、前記少なくとも一つの発光部で前記基板と前記第１発光ダイオードの間に備えられる第１および第２トランジスタと、前記少なくとも一つのレーザー部で前記基板と前記第２発光ダイオードの間に備えられる第３トランジスタをさらに含む。
【0013】
前記第１トランジスタと前記第３トランジスタは第１および第２ゲート配線にそれぞれ接続され、一つのデータ配線に共に接続され得る。
【0014】
これとは異なり、前記第１トランジスタと前記第３トランジスタは一つのゲート配線に共に接続され、第１および第２データ配線にそれぞれ接続され得る。
【0015】
前記画素は３個の発光部と１個のレーザー部を含む。
【0016】
前記画素は少なくとも一つの透明部をさらに含み、前記下部ミラー層は前記少なくとも一つの透明部に設けられない。
【0017】
本発明の表示装置は、前記少なくとも一つの発光部と前記少なくとも一つのレーザー部間、前記少なくとも一つのレーザー部と前記少なくとも一つの透明部間、そして前記少なくとも一つの透明部と前記画素に隣接した画素の少なくとも一つの発光部間に備えられるバンクをさらに含む。
【0018】
前記下部ミラー層は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された第１および第２下部屈折率層を含み、前記上部ミラー層は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された第１および第２上部屈折率層を含み、前記第１および第２下部屈折率層の屈折率の差は前記第１および第２上部屈折率層の屈折率の差より大きい。
【0019】
前記画素は第１、第２、第３副画素を含み、前記第１、第２、第３副画素のそれぞれは前記少なくとも一つの発光部と前記少なくとも一つのレーザー部を含み、前記第２副画素の前記上部ミラー層の厚さは前記第１副画素の前記上部ミラー層の厚さより小さく前記第３副画素の前記上部ミラー層の厚さより大きい。
【発明の効果】
【0020】
本発明では、各画素が発光部とレーザー部を含み、平常時に発光部を通じて映像を表示し、非常状況時にレーザー部を通じてレーザービームを発生させて人命救助することができる。
【0021】
また、上部発光方式の表示装置を適用することによって輝度を向上させることができ、これに伴い、低電力化が可能であるので消費電力を低減することができる。
【0022】
また、このような発光部とレーザー部を含む画素は既存の工程を通じて具現できるため、工程を最適化し生産エネルギーを低減できる効果がある。
【0023】
また、各画素が透明部をさらに含むことによって、発光部を通じて映像情報を表示しながら、透明部を通じて背景のような周辺環境情報を共に表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の実施例に係る表示装置の一つの副画素に対する概略的な等価回路図である。
【図2】本発明の実施例に係る表示装置の概略的な断面図である。
【図3a】本発明の実施例に係る下部ミラー層を概略的に図示した断面図である。
【図3b】本発明の実施例に係る上部ミラー層を概略的に図示した断面図である。
【図4】本発明の第１実施例に係る表示装置の画素配置構造に対する概略的な平面図である。
【図5】本発明の第１実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【図8】本発明の実施例に係る下部ミラー層の反射帯域を図示したグラフである。
【図9】本発明の第２実施例に係る表示装置の画素配置構造に対する概略的な平面図である。
【図10】本発明の第２実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【図11】本発明の第３実施例に係る表示装置の画素配置構造に対する概略的な平面図である。
【図12】本発明の第３実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例に係る表示装置について詳細に説明する。
【0026】
本発明の実施例に係る表示装置は電界発光表示装置を利用して映像を表示する。このような電界発光表示装置を利用した表示装置は、映像を表示するために表示領域に多数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含み、各画素は多数の副画素（ｓｕｂ ｐｉｘｅｌｓ）を含み、各副画素は実質的に同じ構成を有する。このような副画素の構成について図１と図２を参照して説明する。
【0027】
図１は、本発明の実施例に係る表示装置の一つの副画素に対する概略的な等価回路図である。
【0028】
図１に図示した通り、本発明の実施例に係る表示装置の副画素ＳＰは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含み、発光部ＥＡは第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして第１発光ダイオードＤｅ１を含み、レーザー部ＬＡは第３トランジスタＴ３と第２発光ダイオードＤｅ２を含む。
【0029】
ここで、第１、第２、第３トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３はｐ－型トランジスタであり得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、これとは異なり、第１、第２、第３トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３はｎ－型トランジスタであってもよい。
【0030】
具体的には、発光部ＥＡで第１ゲート信号Ｓｃａｎ１を供給する第１ゲート配線とデータ信号Ｖｄａｔａを供給するデータ配線が互いに交差し、第１ゲート配線とデータ配線の交差地点に第１トランジスタＴ１が位置する。第１トランジスタＴ１のゲートは第１ゲート配線に接続されて第１ゲート信号Ｓｃａｎ１が印加され、第１トランジスタＴ１のソースはデータ配線に接続されてデータ信号Ｖｄａｔａが印加される。このような第１トランジスタＴ１はスイッチングトランジスタであり得る。
【0031】
また、発光部ＥＡで第２トランジスタＴ２のゲートは第１トランジスタＴ１のドレインおよびストレージキャパシタＣｓｔの第１キャパシタ電極に接続され、第２トランジスタＴ２のソースは高電位電圧ＶＤＤを供給する高電位配線およびストレージキャパシタＣｓｔの第２キャパシタ電極に接続され、第２トランジスタＴ２のドレインは第１発光ダイオードＤｅ１のアノードに接続される。このような第２トランジスタＴ２は駆動トランジスタであり得る。
【0032】
ここで、第１、第２、第３トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３のソースとドレインの位置はこれに制限されず、その位置は互いに変わってもよい。
【0033】
第１発光ダイオードＤｅ１のカソードは低電位電圧ＶＳＳを供給する低電位配線に接続される。これとは異なり、第１発光ダイオードＤｅ１のカソードは基底電圧（ｇｒｏｕｎｄ）に接続されてもよい。
【0034】
一フレーム（ｆｒａｍｅ）の発光区間の間、第１トランジスタＴ１は第１ゲート配線を通じて伝達された第１ゲート信号Ｓｃａｎ１によりスイッチングされてデータ配線を通じて伝達されたデータ信号Ｖｄａｔａを第２トランジスタＴ２のゲートに供給し、第２トランジスタＴ２はデータ信号Ｖｄａｔａによりスイッチングされて第１発光ダイオードＤｅ１の電流を制御する。
【0035】
この時、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号Ｖｄａｔａに対応する電荷を一フレームの間維持して第１発光ダイオードＤｅ１を流れる電流の量を一定にし、第１発光ダイオードＤｅ１が表示する諧調を一定に維持させる役割をする。
【0036】
一方、発光部ＥＡには、長時間の駆動による第２トランジスタＴ２の移動度および／またはしきい電圧の変化を補償するために、第１および第２トランジスタＴ１、Ｔ２とストレージキャパシタＣｓｔの他に少なくとも一つのトランジスタおよび／または少なくとも一つのキャパシタがさらに追加されてもよい。
【0037】
次に、レーザー部ＬＡで、第２ゲート信号Ｓｃａｎ２を供給する第２ゲート配線がデータ配線と交差し、第２ゲート配線とデータ配線の交差地点に第３トランジスタＴ３が位置する。第３トランジスタＴ３のゲートは第２ゲート配線に接続されて第２ゲート信号Ｓｃａｎ２が印加され、第３トランジスタＴ３のソースはデータ配線に接続されてデータ信号Ｖｄａｔａが印加される。このような第３トランジスタＴ３はスイッチングトランジスタであり得る。
【0038】
第２発光ダイオードＤｅ２のアノードは第３トランジスタのドレインに接続され、第２発光ダイオードＤｅ２のカソードは、第１発光ダイオードＤｅ１のカソードと同様に、低電位電圧ＶＳＳを供給する低電位配線に接続される。これとは異なり、第１発光ダイオードＤｅ１のカソードが基底電圧に接続される場合、第２発光ダイオードＤｅ２のカソードも基底電圧に接続される。
【0039】
第３トランジスタＴ３は第２ゲート配線を通じて伝達された第２ゲート信号Ｓｃａｎ２によりスイッチングされてデータ配線を通じて伝達されたデータ信号Ｖｄａｔａを第２発光ダイオードＤｅ２に供給し、第２発光ダイオードＤｅ２は発光する。
【0040】
このようなレーザー部ＬＡの第２発光ダイオードＤｅ２は二つの誘電体ミラーの間に位置して共振構造を形成する。
【0041】
これに伴い、特定の状況、例えば、可視距離の確保が難しい火災のような非常状況発生時、第２発光ダイオードＤｅ２から発光された光は二つの誘電体ミラーの間で反射してレーザービームで出力される。このようなレーザービームは一貫性（ｃｏｈｅｒｅｎｔ）があるので視認性を最大化することができ、火災発生時、可視距離の確保が容易であるため人命救助を行うことができる。
【0042】
このような発光部とレーザー部を含む本発明の実施例に係る表示装置の断面構造について図２を参照して詳細に説明する。
【0043】
図２は本発明の実施例に係る表示装置の概略的な断面図であって、一つの副画素を図示する。ここで、本発明の実施例に係る表示装置は上部発光方式電界発光表示装置を利用するものを例に挙げて説明する。
【0044】
図２に図示した通り、本発明の実施例に係る表示装置は、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含む副画素ＳＰが備えられた基板１００、第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、第１および第２発光ダイオードＤｅ１、Ｄｅ２、下部ミラー層１４０、上部ミラー層１６０、カラーフィルタ１７０、エンカプセレーション層１８０、そして対向基板１９０を含む。
【0045】
具体的には、基板１００上に備えられる副画素ＳＰは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含む。基板１００はガラス基盤やプラスチック基板であり得る。一例として、プラスチック基板としてポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）が使われ得、これに制限されない。
【0046】
基板１００の上部にはバッファ層１０２が形成される。バッファ層１０２は実質的に基板１００の全面（ｅｎｔｉｒｅ ｓｕｒｆａｃｅ）に位置する。バッファ層１０２は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得、単一層または多重層からなり得る。
【0047】
バッファ層１０２の上部の発光部ＥＡにはパターンされた第１半導体層１１２が形成され、レーザー部ＬＡには第２半導体層１２２が形成される。
【0048】
第１および第２半導体層１１２、１２２は酸化物半導体物質からなり得る。この場合、第１および第２半導体層１１２、１２２の下部には遮光パターン（図示せず）がさらに形成され得る。遮光パターンは第１および第２半導体層１１２、１２２に入射する光を遮断して第１および第２半導体層１１２、１２２が光によって劣化することを防止することができる。
【0049】
これとは異なり、第１および第２半導体層１１２、１２２は多結晶シリコンからなってもよい。この場合、第１および第２半導体層１１２、１２２それぞれの両端部には不純物がドーピングされていてもよい。
【0050】
第１および第２半導体層１１２、１２２の上部には絶縁物質からなるゲート絶縁膜１０４が実質的に基板１００の全面に形成される。ゲート絶縁膜１０４は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。
【0051】
ここで、第１および第２半導体層１１２、１２２が酸化物半導体物質からなる場合、ゲート絶縁膜１０４は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で形成され得る。これとは異なり、第１および第２半導体層１１２、１２２が多結晶シリコンからなる場合、ゲート絶縁膜１０４は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成され得る。
【0052】
ゲート絶縁膜１０４の上部には金属のような導電性物質からなる第１および第２ゲート電極１１４、１２４が第１および第２半導体層１１２、１２２にそれぞれ対応して形成される。
【0053】
第１および第２ゲート電極１１４、１２４はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、第１および第２ゲート電極１１４、１２４はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0054】
また、ゲート絶縁膜１０４の上部には第１および第２ゲート配線（図示せず）が形成され得る。第１および第２ゲート配線は第１および第２ゲート電極１１４、１２４とそれぞれ接続され、第１方向に沿って延長され得る。一方、本発明の実施例ではゲート絶縁膜１０４が基板１００の全面に形成延されたものを例として説明したが、ゲート絶縁膜１０４は第１および第２ゲート電極１１４、１２４と実質的に同じ形状でパターンされ得る。
【0055】
第１および第２ゲート電極１１４、１２４の上部には絶縁物質からなるパッシベーション膜１０６が実質的に基板１００の全面に形成される。パッシベーション膜１０６は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成されるか、感光性アクリル系ポリマー（フォトアクリル）（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｃｒｙｌｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒ（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ））やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）のような有機絶縁物質で形成され得る。
【0056】
パッシベーション膜１０６は第１および第２半導体層１１２、１２２それぞれの両縁部の上面を露出するコンタクトホールを有する。ここで、コンタクトホールはゲート絶縁膜１０４内にも形成され得る。
【0057】
パッシベーション膜１０６の上部には金属のような導電性物質で第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８と第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８が形成される。第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８は発光部ＥＡに配置され、第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８はレーザー部ＬＡに配置される。また、パッシベーション膜１０６の上部には第１方向に垂直な第２方向に沿って延びるデータ配線（図示せず）と電源配線（図示せず）が形成され得る。
【0058】
第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８と第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８と第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。これとは異なり、第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８と第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８は三重層構造を有してもよい。
【0059】
第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８はパッシベーション膜１０６のコンタクトホールを通じて第１半導体層１１２の両端部と接触し、第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８はパッシベーション膜１０６のコンタクトホールを通じて第２半導体層１２２の両端部と接触する。
【0060】
第１半導体層１１２、第１ゲート電極１１４、そして第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８は第１薄膜トランジスタＴｒ１をなし、第２半導体層１２２、第２ゲート電極１２４、そして第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８は第２薄膜トランジスタＴｒ２をなす。
【0061】
【0062】
また、基板１００上の各副画素ＳＰの発光部ＥＡにはこのような第１薄膜トランジスタＴｒ１と同じ構造を有する一つ以上の薄膜トランジスタがさらに形成され得、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0063】
第１ソースおよび第１ドレイン電極１１６、１１８と第２ソースおよび第２ドレイン電極１２６、１２８の上部には絶縁物質でオーバーコート層１０８が実質的に基板１００の全面に形成される。オーバーコート層１０８は感光性アクリル系ポリマー（フォトアクリル）やベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質で形成され得る。このようなオーバーコート層１０８は下部膜による段差をなくし、実質的に平坦な上面を有する。
【0064】
一方、オーバーコート層１０８の下部、すなわち、第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２とオーバーコート層１０８の間には酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる絶縁膜がさらに形成され得る。
【0065】
オーバーコート層１０８の上部には下部ミラー層１４０が実質的に基板１００の全面に形成される。下部ミラー層１４０は互いに異なる屈折率を有する二つの層が交互に積層された構造を有し、これについては後で詳細に説明する。
【0066】
下部ミラー層１４０はオーバーコート層１０８と共に第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂを有する。第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂは第１および第２ドレイン電極１１８、１２８をそれぞれ露出する。
【0067】
下部ミラー層１４０の上部には第１および第２画素電極１３２、１３３が形成される。第１画素電極１３２は発光部ＥＡに位置し、第１コンタクトホール１４０ａを通じて第１ドレイン電極１１８と接触する。第２画素電極１３３はレーザー部ＬＡに位置し、第２コンタクトホール１４０ｂを通じて第２ドレイン電極１２８と接触する。
【0068】
第１および第２画素電極１３２、１３３は比較的仕事関数が高い導電性物質からなり得る。このような第１および第２画素電極１３２、１３３は透明電極を含むことができ、一例として、透明電極はインジウム－ティン－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やインジウム－ジンク－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）のような透明導電性物質からなり得る。
【0069】
ここで、第１画素電極１３２は光を反射し、第２画素電極１３３は光を透過させることができる。このような第１画素電極１３２は透明電極と反射電極を含み、第２画素電極１３３は透明電極を含み反射電極は含まなくてもよい。
【0070】
したがって、第１画素電極１３２は多重層構造を有することができる。例えば、第１画素電極１３２は第１層１３２ａと第２層１３２ｂおよび第３層１３２ｃが積層された三重層構造を有することができる。ここで、第１層１３２ａと第３層１３２ｃは透明電極であり、第２層１３２ｂは反射電極であり得る。第１層１３２ａと第３層１３２ｃそれぞれはＩＴＯやＩＺＯのような透明導電性物質からなり得る。また、第２層１３２ｂはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）またはこれらの合金のように相対的に高い反射率を有する金属物質からなり得る。ここで、銀合金（Ａｇ ａｌｌｏｙ）は銀－パラジウム－銅（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ：ＡＰＣ）であり得る。
【0071】
これとは異なり、第１画素電極１３２は反射電極の上部に透明電極が配置される二重層構造を有してもよい。
【0072】
一方、第２画素電極１３３は単一層構造を有することができる。例えば、第２画素電極１３３はＩＴＯやＩＺＯのような透明導電性物質からなる一つの透明電極を含むことができる。
【0073】
第１および第２画素電極１３２、１３３の上部には絶縁物質でバンク１５０が形成される。バンク１５０は第１および第２画素電極１３２、１３３の縁と重なり、第１および第２画素電極１３２、１３３の縁を覆う。バンク１５０は第１および第２画素電極１３２、１３３をそれぞれ露出する第１および第２開口部１５０ａ、１５０ｂを有する。
【0074】
バンク１５０はアクリル（ａｃｒｙｌ）樹脂、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂、フェノール（ｐｈｅｎｏｌ）樹脂、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂のような有機絶縁物質からなり得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、これとは異なり、バンク１５０は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなってもよい。
【0075】
バンク１５０は第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と重なる。すなわち、第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２はバンク１５０の下部に位置する。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、第１薄膜トランジスタＴｒ１はバンク１５０と離隔して第１開口部１５０ａに対応して配置され得る。
【0076】
次に、バンク１５０の第１および第２開口部１５０ａ、１５０ｂを通じて露出した第１および第２画素電極１３２、１３３の上部には第１および第２発光層１３４、１３５がそれぞれ形成される。
【0077】
第１発光層１３４と第２発光層１３５は同じ構成を有し、同じ物質からなり得る。ここで、第１発光層１３４と第２発光層１３５は互いに分離されたものとして図示されているが、本発明の実施例はこれに制限されない。これとは異なり、第１発光層１３４と第２発光層１３５は互いに接続されて一体になってもよい。この時、発光層は各副画素ＳＰ別に分離され得、または一つの発光層が実質的に基板１００の全面に備えられ得る。
【0078】
このような第１発光層１３４と第２発光層１３５は白色光を放出することができる。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、第１発光層１３４と第２発光層１３５は赤、緑、青色光のうち少なくとも一つを放出してもよい。
【0079】
図示してはいないが、第１発光層１３４と第２発光層１３５のそれぞれは、一つの発光部（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｕｎｉｔ）を構成する少なくとも一つの正孔補助層（ｈｏｌｅ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）と少なくとも一つの発光物質層（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ）および少なくとも一つの電子補助層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。発光物質層は赤、緑、青色の発光物質のうち少なくとも一つからなり得る。このような発光物質は燐光化合物または蛍光化合物のような有機発光物質であり得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）のような無機発光物質が使われてもよい。
【0080】
正孔補助層は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）と正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができ、電子補助層は電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）と電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【0081】
このような第１発光層１３４と第２発光層１３５は熱蒸発（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のような蒸着工程を通じて形成され得る。この時、第１発光層１３４と第２発光層１３５をパターニングするために、微細金属マスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ：ＦＭＭ）が使われ得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、これとは異なり、第１発光層１３４と第２発光層１３５はスピンコーティングやインクジェットプリンティングまたはスクリーンプリンティングのような溶液工程を通じて形成されてもよい。
【0082】
第１発光層１３４と第２発光層１３５の上部には共通電極１３６が実質的に基板１００の全面に形成される。すなわち、共通電極１３６は発光部ＥＡだけでなくレーザー部ＬＡにも形成される。
【0083】
このような共通電極１３６はバンク１５０の上面および側面と接触することができる。これとは異なり、第１および第２発光層１３４、１３５が一体に実質的に基板１００の全面に配置される場合、共通電極１３６はバンク１５０の上部で発光層と接触することができる。
【0084】
共通電極１３６は比較的仕事関数が低い導電性物質からなり得る。例えば、共通電極１３６はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金で形成され得る。この時、共通電極１３６は第１および第２発光層１３４、１３５からの光が透過できるように相対的に薄い厚さを有する。例えば、共通電極１３６は５～１０ｎｍの厚さを有することができ、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0085】
これとは異なり、共通電極１３６はインジウム－ガリウム－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｏｘｉｄｅ：ＩＧＯ）のような透明導電性物質で形成され得る。
【0086】
発光部ＥＡの第１画素電極１３２と第１発光層１３４および共通電極１３６は第１発光ダイオードＤｅ１をなし、レーザー部ＬＡの第２画素電極１３３と第２発光層１３５および共通電極１３６は第２発光ダイオードＤｅ２をなす。
【0087】
次に、レーザー部ＬＡの共通電極１３６の上部には上部ミラー層１６０が配置される。すなわち、上部ミラー層１６０は第２発光ダイオードＤｅ２の上部に配置される。上部ミラー層１６０は発光部ＥＡには備えられない。
【0088】
上部ミラー層１６０は互いに異なる屈折率を有する二つの層が交互に積層された構造を有し、これについては後で詳細に説明する。
【0089】
発光部ＥＡの共通電極１３６とレーザー部ＬＡの上部ミラー層１６０の上部に実質的に基板１００の全面には、エンカプセレーション層（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が備えられる。
【0090】
エンカプセレーション層１８０は無機絶縁物質または有機絶縁物質の単一層からなるか無機絶縁物質と有機絶縁物質の多重層からなり得る。エンカプセレーション層１８０が多重層からなる場合、エンカプセレーション層１８０は順次配置される有機絶縁物質層と無機絶縁物質層または無機絶縁物質層と有機絶縁物質層および無機絶縁物質層を含むことができる。
【0091】
例えば、エンカプセレーション層１８０は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を含むか、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂のような有機絶縁物質を含むことができる。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0092】
また、図示してはいないが、エンカプセレーション層１８０と共通電極１３６の間およびエンカプセレーション層１８０と上部ミラー層１６０の間の実質的に基板１００の全面にはキャップ層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ）と保護層（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）が順次備えられ得る。
【0093】
キャップ層は比較的高い屈折率を有する絶縁物質で形成され得、表面プラズマ共振（ｓｕｒｆａｃｅ ｐｌａｓｍａ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）によりキャップ層に沿って移動する光の波長が増幅され、これによってピーク（ｐｅａｋ）の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を増加して光効率を向上させることができる。一例として、キャップ層は有機膜や無機膜の単一膜または有機／無機積層膜の形態からなり得る。
【0094】
また、保護層はエンカプセレーション層１８０と共に外部から流入する水分および／または酸素を遮断して第１および第２発光ダイオードＤｅ１、Ｄｅ２を保護することができる。このような保護層は酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなり得、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0095】
エンカプセレーション層１８０の上部には対向基板１９０が配置される。対向基板１９０は透明で、基板１００より薄い厚さを有することができる。
【0096】
このような対向基板１９０はガラス基盤やプラスチック基板であり得る。一例として、プラスチック基板としてポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）が使われ得、これに制限されない。
【0097】
一方、エンカプセレーション層１８０と対向基板１９０の間の発光部ＥＡにはカラーフィルタ１７０が備えられる。カラーフィルタ１７０は赤、緑、青色フィルタの中の一つであり得る。このようなカラーフィルタ１７０は対向基板１９０の一面、すなわち、第１発光ダイオードＤｅ１に向かう面に備えられ得る。
【0098】
これに伴い、エンカプセレーション層１８０が備えられた基板１００はカラーフィルタ１７０が備えられた対向基板１９０と合着されて表示装置を構成することができる。
【0099】
このように、本発明の実施例に係る表示装置は各副画素ＳＰが発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを有し、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡにそれぞれ第１発光ダイオードＤｅ１と第２発光ダイオードＤｅ２を具備し、レーザー部ＬＡに下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０を具備し、平常時に発光部ＥＡを通じて映像を表示し、非常状況時にレーザー部ＬＡを通じてレーザービームを発生させて情報を提供することによって人命救助を行うことができる。この時、レーザー部ＬＡを通じて提供される情報は映像や文字であり得る。
【0100】
このようなレーザー部ＬＡは発光部ＥＡとともに製造され得、既存の工程を通じて具現できるため、工程を最適化して生産エネルギーを節減できる効果がある。
【0101】
また、上部発光方式の表示装置は同一面積の下部発光方式の表示装置に比べてより広い有効発光領域を有することができるため、輝度を向上させ消費電力を低くすることができる。
【0102】
【0103】
【0104】
図３ａに図示した通り、下部ミラー層１４０は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された多数の第１下部屈折率層１４２と多数の第２下部屈折率層１４４を含む。
【0105】
第１下部屈折率層１４２は相対的に高い屈折率を有する高屈折率層であり、第２下部屈折率層１４４は相対的に低い屈折率を有する低屈折率層である。すなわち、第１下部屈折率層１４２が第２下部屈折率層１４４より高い屈折率を有する。
【0106】
例えば、第１下部屈折率層１４２はＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、またはＺｎＳからなり得、第２下部屈折率層１４４はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３からなり得る。
【0107】
また、第２下部屈折率層１４４の厚さは第１下部屈折率層１４２の厚さより厚くてもよい。
【0108】
下部ミラー層１４０は一つの第１下部屈折率層１４２と一つの第２下部屈折率層１４４を一つのセットとして１０～２０セットを含むことができる。
【0109】
このような下部ミラー層１４０は奇数個の層を含むことができる。この時、第１下部屈折率層１４２の個数は第２下部屈折率層１４４の個数より多くてもよく、下部ミラー層１４０の最上層と最下層は第１下部屈折率層１４２であり得る。
【0110】
しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。これとは異なり、下部ミラー層１４０は偶数個の層を含むことができ、第１下部屈折率層１４２の個数と第２下部屈折率層１４４の個数は同一であり得る。
【0111】
次に、図３ｂに図示した通り、上部ミラー層１６０は互いに異なる屈折率を有し、交互に積層された多数の第１上部屈折率層１６２と多数の第２上部屈折率層１６４を含む。
【0112】
第１上部屈折率層１６２は相対的に高い屈折率を有する高屈折率層であり、第２上部屈折率層１６４は相対的に低い屈折率を有する低屈折率層である。すなわち、第１上部屈折率層１６２が第２上部屈折率層１６４より高い屈折率を有する。
【0113】
例えば、第１上部屈折率層１６２はＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、またはＺｎＳからなり得、第２上部屈折率層１６４はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３からなり得る。
【0114】
また、第２上部屈折率層１６４の厚さは第１上部屈折率層１６２の厚さより厚くてもよい。
【0115】
上部ミラー層１６０は一つの第１上部屈折率層１６２と一つの第２上部屈折率層１６４を一つのセットとして１０～２０セットを含むことができる。
【0116】
このような上部ミラー層１６０は奇数個の層を含むことができる。この時、第１上部屈折率層１６２の個数は第２上部屈折率層１６４の個数より多くてもよく、上部ミラー層１６０の最上層と最下層は第１上部屈折率層１６２であり得る。
【0117】
しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。これとは異なり、上部ミラー層１６０は偶数個の層を含むことができ、第１上部屈折率層１６２の個数と第２上部屈折率層１６４の個数は同一であり得る。
【0118】
このような下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０およびこれら間の第２発光ダイオードＤｅ２はレーザー素子（ｌａｓｅｒ ｅｌｅｍｅｎｔ）を構成する。すなわち、下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０は共振器をなし、第２発光ダイオードＤｅ２から発光された光を反射させてレーザービームを放出する。
【0119】
この時、下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０の反射率が１００％に近いほどレーザー発振が容易となる。
【0120】
このような下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０は互いに異なる反射率と厚さを有することができる。具体的には、下部ミラー層１４０の反射率は上部ミラー層１６０の反射率より高く、下部ミラー層１４０の厚さは上部ミラー層１６０の厚さより厚くてもよい。
【0121】
また、下部ミラー層１４０の第１下部屈折率層１４２と第２下部屈折率層１４４の屈折率の差は上部ミラー層１６０の第１上部屈折率層１６２と第２上部屈折率層１６４の屈折率の差より大きくてもよい。
【0122】
このような発光部とレーザー部を含む本発明の実施例に係る表示装置の画素配置構造について図４を参照して詳細に説明する。
【0123】
【0124】
図４に図示した通り、本発明の第１実施例に係る表示装置１０００で、一つの画素Ｐは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含む。この時、一つの画素Ｐは３個の発光部ＥＡと３個のレーザー部ＬＡを含むことができる。
【0125】
より詳細には、一つの画素ＰはＸ方向である第１方向に沿って順次配置された第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む。一例として、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３はそれぞれ赤、緑、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の副画素であり得る。第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれはＹ方向である第２方向に沿って配置された発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含むことができる。
【0126】
第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡは同じ面積を有することができる。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、これとは異なり、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡは互いに異なる面積を有してもよい。
【0127】
また、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれで、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡは同じ面積を有することができる。これとは異なり、レーザー部ＬＡの面積は発光部ＥＡの面積より小さくてもよい。
【0128】
このような第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡとレーザー部ＬＡはバンク１５０により定義され得る。隣接した第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡの間、レーザー部ＬＡの間、そして発光部ＥＡとレーザー部ＬＡの間にはバンク１５０が配置される。また、隣接した画素Ｐの発光部ＥＡの間とレーザー部ＬＡの間にもバンク１５０が配置される。
【0129】
バンク１５０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの発光部ＥＡに対応して第１開口部１５０ａを有し、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれのレーザー部ＬＡに対応して第２開口部１５０ｂを有する。すなわち、バンク１５０は一つの画素Ｐに対して３個の第１開口部１５０ａと３個の第２開口部１５０ｂを有する。
【0130】
このような第１および第２開口部１５０ａ、１５０ｂは有効発光領域を定義し、角が角ばった四角形の形状を有するものとして図示したが、本発明の実施例はこれに制限されない。第１および第２開口部１５０ａ、１５０ｂは角が曲線形態の四角形や、四角形以外の多角形、楕円形などの多様な形状を有することができる。
【0131】
前述した通り、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡに第１発光ダイオードＤｅ１を含み、レーザー部ＬＡに第２発光ダイオードＤｅ２を含む。これに伴い、一つの画素Ｐは３個の第１発光ダイオードＤｅ１と３個の第２発光ダイオードＤｅ２を含む。
【0132】
また、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３はレーザー部ＬＡに下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０を含む。ここで、下部ミラー層１４０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡにも備えられる。反面、上部ミラー層１６０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡにのみ備えられ、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃを含む。
【0133】
このような第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡはそれぞれ赤、緑、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）レーザービームを発生させることができる。
【0134】
一方、図示してはいないが、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡには図２のカラーフィルタ１７０が備えられ、カラーフィルタ１７０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３カラーフィルタを含む。
【0135】
このような本発明の第１実施例に係る表示装置の平面構造について図５を参照して詳細に説明する。
【0136】
【0137】
図５に図示した通り、本発明の第１実施例に係る表示装置１０００では、Ｘ方向である第１方向に沿って第１ゲート配線ＧＬ１と第２ゲート配線ＧＬ２が延び、Ｙ方向である第２方向に沿って３個のデータ配線ＤＬと３個の第１電源配線ＰＬｄが延び、これらは互いに交差して第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む画素Ｐを定義する。３個のデータ配線ＤＬと３個の第１電源配線ＰＬｄは第１方向に沿って互いに交互に配置される。
【0138】
第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含み、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡは第２方向に沿って配置され得る。
【0139】
また、第２電源配線ＰＬｓが第２方向に沿って延びて第１および第２ゲート配線ＧＬ１、ＧＬ２と交差する。一つの第２電源配線ＰＬｓが一つの画素Ｐに備えられ得る。例えば、第２電源配線ＰＬｓは第１副画素ＳＰ１の左側に備えられ得る。
【0140】
【0141】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡには第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、キャパシタ電極ＣＥ、そして第１画素電極ＰＥ１が備えられ、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡには第３トランジスタＴ３と第２画素電極ＰＥ２が備えられる。
【0142】
第１トランジスタＴ１は各データ配線ＤＬと第１ゲート配線ＧＬ１の交差地点に位置し、各データ配線ＤＬおよび第１ゲート配線ＧＬ１に接続される。また、第１トランジスタＴ１はキャパシタ電極ＣＥに接続される。
【0143】
第２トランジスタＴ２は第１電源配線ＰＬｄおよび第１画素電極ＰＥ１と接続される。また、第２トランジスタＴ２はキャパシタ電極ＣＥに接続される。
【0144】
キャパシタ電極ＣＥは第１および第２トランジスタＴ１、Ｔ２と接続され、第１画素電極ＰＥ１と重なってストレージキャパシタをなす。これとは異なり、キャパシタ電極ＣＥは第１画素電極ＰＥ１と接続される別途の電極と重なってストレージキャパシタをなしてもよい。
【0145】
次に、第３トランジスタＴ３は各データ配線ＤＬと第２ゲート配線ＧＬ２の交差地点に位置し、各データ配線ＤＬおよび第２ゲート配線ＧＬ２に接続される。また、第３トランジスタＴ３は第２画素電極ＰＥ２と接続される。
【0146】
これに伴い、本発明の第１実施例に係る表示装置１０００で、一つの画素Ｐは３個の第１画素電極ＰＥ１と３個の第２画素電極ＰＥ２を含み、第１トランジスタＴ１と第３トランジスタＴ３は互いに異なる第１および第２ゲート配線ＧＬ１、ＧＬ２にそれぞれ接続され、同じデータ配線ＤＬに共に接続される。
【0147】
【0148】
【0149】
図６と図７に図示した通り、本発明の第１実施例に係る表示装置１０００は基板１００上に備えられる少なくとも一つの画素Ｐを含み、少なくとも一つの画素Ｐは第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む。第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを有する。
【0150】
具体的には、基板１００上にバッファ層１０２が備えられ、バッファ層１０２上に第１薄膜トランジスタＴｒ１と第２薄膜トランジスタＴｒ２そして順次積層されたゲート絶縁膜１０４、パッシベーション膜１０６およびオーバーコート層１０８が備えられる。
【0151】
第１薄膜トランジスタＴｒ１は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの発光部ＥＡに配置され、第２薄膜トランジスタＴｒ２は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれのレーザー部ＬＡに配置される。第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は図２に図示された第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と同じ構成を有することができる。すなわち、第１薄膜トランジスタＴｒ１は図２に図示された第１半導体層１１２、第１ゲート電極１１４、第１ソース電極１１６、そして第１ドレイン電極１１８を含み、第２薄膜トランジスタＴｒ２は図２に図示された第２半導体層１２２、第２ゲート電極１２４、第２ソース電極１２６、そして第２ドレイン電極１２８を含むことができる。
【0152】
オーバーコート層１０８は第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を覆って実質的に平坦な上面を有する。
【0153】
オーバーコート層１０８の上部には下部ミラー層１４０が実質的に基板１００の全面に配置される。すなわち、下部ミラー層１４０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡおよびレーザー部ＬＡの両方に配置される。
【0154】
下部ミラー層１４０はオーバーコート層１０８と共に第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂを有する。第１コンタクトホール１４０ａは各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡに備えられて第１薄膜トランジスタＴｒ１のドレイン電極、すなわち、図２の第１ドレイン電極１１８を露出し、第２コンタクトホール１４０ｂは各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡに配置されて第２薄膜トランジスタＴｒ２のドレイン電極、すなわち、図２の第２ドレイン電極１２８を露出する。
【0155】
前述した通り、下部ミラー層１４０は互いに異なる屈折率を有する二つの層が交互に積層された構造を有する。具体的には、下部ミラー層１４０は相対的に高い屈折率を有する高屈折率層と相対的に低い屈折率を有する低屈折率層が交互に積層された構造を有する。
【0156】
例えば、高屈折率層はＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、またはＺｎＳからなり得、低屈折率層はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３からなり得る。
【0157】
下部ミラー層１４０の上部には第１画素電極１３２と第２画素電極１３３が配置される。第１画素電極１３２は各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡに配置されて第１コンタクトホール１４０ａを通じて第１薄膜トランジスタＴｒ１に接続され、第２画素電極１３３は各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡに配置されて第２コンタクトホール１４０ｂを通じて第２薄膜トランジスタＴｒ２に接続される。
【0158】
第１画素電極１３２は三重層構造で第１層１３２ａと第２層１３２ｂおよび第３層１３２ｃを含み、第１層１３２ａと第３層１３２ｃは透明電極であり、第２層１３２ｂは反射電極であり得る。反面、第２画素電極１３３は単一層構造であって、一つの透明電極を含むことができる。
【0159】
第１および第２画素電極１３２、１３３の上部にはバンク１５０が備えられる。バンク１５０は第１および第２画素電極１３２、１３３それぞれの縁を覆い、第１および第２画素電極１３２、１３３の中央をそれぞれ露出する第１および第２開口部１５０ａ、１５０ｂを有する。すなわち、第１開口部１５０ａは各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡに備えられ、第２開口部１５０ｂは各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡに備えられる。
【0160】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡで第１開口部１５０ａを通じて露出した第１画素電極１３２の上部には第１発光層１３４が備えられ、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡで第２開口部１５０ｂを通じて露出した第２画素電極１３３の上部には第２発光層１３５が備えられる。第１発光層１３４と第２発光層１３５は白色光を放出することができる。
【0161】
第１および第２発光層１３４、１３５の上部には共通電極１３６が備えられる。共通電極１３６は実質的に基板１００の全面に位置し、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡおよびレーザー部ＬＡの両方に配置される。
【0162】
共通電極１３６は第１および第２発光層１３４、１３５から発光された光が透過するように透明であるか半透明であり得る。
【0163】
次に、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡで共通電極１３６の上部には上部ミラー層１６０が備えられる。
【0164】
前述した通り、上部ミラー層１６０は互いに異なる屈折率を有する二つの層が交互に積層された構造を有する。具体的には、上部ミラー層１６０は相対的に高い屈折率を有する高屈折率層と相対的に低い屈折率を有する低屈折率層が交互に積層された構造を有する。
【0165】
例えば、高屈折率層はＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、またはＺｎＳからなり得、低屈折率層はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３からなり得る。
【0166】
このような上部ミラー層１６０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃを含む。第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃの厚さは互いに異なる。例えば、第２ミラー層１６０ｂの厚さは第１ミラー層１６０ａの厚さより小さく第３ミラー層１６０ｃの厚さより大きくてもよい。
【0167】
この時、第１ミラー層１６０ａの厚さは下部ミラー層１４０の厚さより小さい。したがって、第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃそれぞれの厚さは下部ミラー層１４０の厚さより小さい。
【0168】
また、下部ミラー層１４０の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差は上部ミラー層１６０の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差より大きく、これについては後で詳細に説明する。
【0169】
次に、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡの共通電極１３６の上部と各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡの上部ミラー層１６０の上部にはエンカプセレーション層１８０が備えられ、エンカプセレーション層１８０の上部には対向基板１９０が備えられる。
【0170】
また、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡでエンカプセレーション層１８０と対向基板１９０の間にはカラーフィルタ１７０が備えられる。カラーフィルタ１７０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３カラーフィルタ１７２、１７４、１７６を含む。第１、第２、第３カラーフィルタ１７２、１７４、１７６はそれぞれ赤、緑、青色フィルタであり得る。
【0171】
このように、本発明の第１実施例に係る表示装置１０００で、一つの画素Ｐは第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する３個の発光部ＥＡと３個のレーザー部ＬＡを具備し、平常時に発光部ＥＡを通じてカラー映像を表示し、非常状況時にレーザー部ＬＡを通じてカラー情報を表示する。
【0172】
この時、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡはそれぞれ赤、緑、青色レーザービームを発生させることができる。このために、上部ミラー層１６０の第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃは互いに異なる厚さを有することができる。例えば、第２ミラー層１６０ｂの厚さは第１ミラー層１６０ａの厚さより小さく第３ミラー層１６０ｃの厚さより大きくてもよい。
【0173】
一方、下部ミラー層１４０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡに共通して備えられる。
これに伴い、下部ミラー層１４０は高反射波長帯域が広い材料の組み合わせで構成することが好ましい。この時、下部ミラー層１４０は屈折率の差が相対的に大きい材料の組み合わせで構成することができ、これについて図８を参照して説明する。
これに伴い、下部ミラー層１４０は高反射波長帯域が広い材料の組み合わせで構成することが好ましい。この時、下部ミラー層１４０は屈折率の差が相対的に大きい材料の組み合わせで構成することができ、これについて図８を参照して説明する。
【0174】
【0175】
ここで、本発明の実施例（ＥＭ）に係る下部ミラー層の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差は比較例１、２、３（ＣＯＭ１、ＣＯＭ２、ＣＯＭ３）に係る下部ミラー層の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差より大きい。
【0176】
例えば、１０００ｎｍ波長を基準として、本発明の実施例（ＥＭ）では下部ミラー層の低比屈折率層として約１．５の屈折率を有するＳｉＯ２を使い、高比屈折率層として約２．２５の屈折率を有するＴｉＯ２を使う。反面、比較例１、２、３（ＣＯＭ１、ＣＯＭ２、ＣＯＭ３）では、下部ミラー層の低屈折率層としてＳｉＯ２を使い、高屈折率層としてそれぞれＺｒＯ２（ｎ＝２．０４）、Ｙ２Ｏ３（ｎ＝１．７７）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６６）を使う。このような比較例１、２、３（ＣＯＭ１、ＣＯＭ２、ＣＯＭ３）の高屈折率層は本発明の実施例（ＥＭ）の高屈折率層より低い屈折率を有する。
【0177】
図８に図示した通り、本発明の実施例（ＥＭ）に係る下部ミラー層１４０の反射帯域幅が最も広いことを確認することができ、屈折率の差が小さくなるほど反射帯域幅が狭くなることが分かる。
【0178】
したがって、屈折率の差が相対的に大きい材料の組み合わせを利用して下部ミラー層１４０の高屈折率層と低屈折率層を構成することによって、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３に共通して対応することができる。
【0179】
これに伴い、下部ミラー層１４０の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差は上部ミラー層１６０の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差より大きい。
【0180】
また、このような下部ミラー層１４０の厚さは上部ミラー層１６０の厚さより大きいことが好ましい。具体的には、第２ミラー層１６０ｂの厚さは第１ミラー層１６０ａの厚さより小さく第３ミラー層１６０ｃの厚さより大きく、下部ミラー層１４０の厚さは第１ミラー層１６０ａの厚さより大きくてもよい。
【0181】
このような下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０の第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃそれぞれの厚さは数μｍ範囲内であり得る。
【0182】
例えば、下部ミラー層１４０の高屈折率層としてＴｉＯ２を使い、低屈折率層としてＳｉＯ２を使い、上部ミラー層１６０の高屈折率層としてＺｒＯ２を使い、低屈折率層としてＳｉＯ２を使うことができる。
【0183】
この場合、赤色波長である６２０ｎｍであるとき、上部ミラー層１６０の第１ミラー層１６０ａの厚さは約１．８μｍであり、緑色波長である５３２ｎｍであるとき、第２ミラー層１６０ｂの厚さは約１．５μｍであり、青色波長である４６０ｎｍであるとき、第３ミラー層１６０ｃの厚さは約１．４μｍであり得る。また、下部ミラー層１４０の厚さは約２μｍ～４μｍ、好ましくは約２μｍ～３μｍであり得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0184】
本発明の実施例に係る表示装置で、一つの画素は３個の発光部と１個のレーザー部を有することができる。このような本発明の第２実施例に係る表示装置の画素配置構造について図９を参照して詳細に説明する。
【0185】
【0186】
図９に図示した通り、本発明の第２実施例に係る表示装置２０００で、一つの画素Ｐは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含む。この時、一つの画素Ｐは３個の発光部ＥＡと１個のレーザー部ＬＡを含むことができる。
【0187】
より詳細には、一つの画素ＰはＸ方向である第１方向に沿って順次配置された第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む。一例として、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は赤、緑、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の副画素であり得る。第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれはＹ方向である第２方向に沿って配置された発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含むことができる。第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡは同じ面積を有することができる。しかし、本発明の実施例はこれに制限されず、これとは異なり、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡは互いに異なる面積を有してもよい。
【0188】
一方、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡは互いに接続されて一体に備えられ得る。
【0189】
このような第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡとレーザー部ＬＡはバンク２５０により定義され得る。隣接した第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡの間、そして発光部ＥＡとレーザー部ＬＡの間にはバンク２５０が配置される。また、隣接した画素Ｐの発光部ＥＡの間とレーザー部ＬＡの間にもバンク２５０が配置される。
【0190】
バンク２５０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの発光部ＥＡに対応して第１開口部２５０ａを有し、レーザー部ＬＡに対応して第２開口部２５０ｂを有する。すなわち、バンク２５０は一つの画素Ｐに対して３個の第１開口部２５０ａと１個の第２開口部２５０ｂを有する。
【0191】
このような第１および第２開口部２５０ａ、２５０ｂは有効発光領域を定義し、角が角ばった四角形の形状を有するものとして図示したが、本発明の実施例はこれに制限されない。第１および第２開口部２５０ａ、２５０ｂは角が曲線形態の四角形や、四角形以外の多角形、楕円形などの多様な形状を有することができる。
【0192】
前述した通り、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡに第１発光ダイオードＤｅ１を含み、レーザー部ＬＡに第２発光ダイオードＤｅ２を含む。これに伴い、一つの画素Ｐは３個の第１発光ダイオードＤｅ１と１個の第２発光ダイオードＤｅ２を含む。
【0193】
また、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３はレーザー部ＬＡに下部ミラー層１４０と上部ミラー層２６０を含む。ここで、下部ミラー層１４０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡにも備えられる。反面、上部ミラー層２６０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡにのみ位置し、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にすべて対応する一つのパターンで備えられ得る。
【0194】
ここで、上部ミラー層２６０は各画素Ｐに対応してパターンされたものとして図示されているが、本発明の実施例はこれに制限されない。これとは異なり、第１方向に隣接した画素Ｐの上部ミラー層２６０は互いに接続されて一体に備えられてもよい。
【0195】
このような本発明の第２実施例に係る表示装置２０００のレーザー部ＬＡは、視認性が相対的に高い緑色Ｇのレーザービームを放出することができる。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0196】
一方、図示してはいないが、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡには図２のカラーフィルタ１７０が備えられ、カラーフィルタ１７０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３カラーフィルタを含む。
【0197】
このような本発明の第２実施例に係る表示装置２０００で、一画素Ｐの発光部ＥＡの断面構造は図６に図示された第１実施例に係る表示装置１０００の発光部ＥＡの断面構造と同一である。また、本発明の第２実施例に係る表示装置２０００の一画素Ｐのレーザー部ＬＡの断面構造は、その大きさを除いて、図７に図示された第１実施例に係る表示装置１０００の第２副画素ＳＰ２のレーザー部ＬＡの断面構造と実質的に同一である。
【0198】
このような本発明の第２実施例に係る表示装置２０００の平面構造について図１０を参照して詳細に説明する。
【0199】
【0200】
図１０に図示した通り、本発明の第２実施例に係る表示装置２０００では、Ｘ方向である第１方向に沿って第１ゲート配線ＧＬ１と第２ゲート配線ＧＬ２が延び、Ｙ方向である第２方向に沿って３個のデータ配線ＤＬと３個の第１電源配線ＰＬｄが延び、これらは互いに交差して第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む画素Ｐを定義する。３個のデータ配線ＤＬと３個の第１電源配線ＰＬｄは第１方向に沿って互いに交互に配置される。
【0201】
第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡを含み、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡは第２方向に沿って配置され得る。第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡは互いに接続されて一体に備えられ得る。
【0202】
また、第２電源配線ＰＬｓが第２方向に沿って延びて第１および第２ゲート配線ＧＬ１、ＧＬ２と交差する。一つの第２電源配線ＰＬｓが一つの画素Ｐに備えられ得る。例えば、第２電源配線ＰＬｓは第１副画素ＳＰ１の左側に備えられ得る。
【0203】
【0204】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡには第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、キャパシタ電極ＣＥ、そして第１画素電極ＰＥ１が備えられ、レーザー部ＬＡには第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の中の一つに対応して第３トランジスタＴ３と第２画素電極ＰＥ２が備えられる。例えば、第３トランジスタＴ３と第２画素電極ＰＥ２は第１副画素ＳＰ１に対応して備えられ得る。
【0205】
第１トランジスタＴ１は各データ配線ＤＬと第１ゲート配線ＧＬ１の交差地点に位置し、各データ配線ＤＬおよび第１ゲート配線ＧＬ１に接続される。第２トランジスタＴ２は第１電源配線ＰＬｄおよび第１画素電極ＰＥ１と接続される。
【0206】
キャパシタ電極ＣＥは第１および第２トランジスタＴ１、Ｔ２と接続され、第１画素電極ＰＥ１と重なってストレージキャパシタをなす。これとは異なり、キャパシタ電極ＣＥは第１画素電極ＰＥ１と接続される別途の電極と重なってストレージキャパシタをなしてもよい。
【0207】
第３トランジスタＴ３は３個のデータ配線ＤＬのうちいずれか一つ、例えば、第１副画素ＳＰ１に対応する最初のデータ配線ＤＬと第２ゲート配線ＧＬ２の交差地点に位置し、最初のデータ配線ＤＬおよび第２ゲート配線ＧＬ２に接続される。また、第３トランジスタＴ３は第２画素電極ＰＥ２と接続される。
【0208】
これに伴い、本発明の第２実施例に係る表示装置２０００で、一つの画素Ｐは３個の第１画素電極ＰＥ１と１個の第２画素電極ＰＥ２を含み、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のうちいずれか一つの第１トランジスタＴ１と第３トランジスタＴ３は互いに異なる第１および第２ゲート配線ＧＬ１、ＧＬ２にそれぞれ接続され、同一のデータ配線ＤＬに共に接続される。
【0209】
一方、本発明の実施例に係る表示装置は発光部とレーザー部以外に透明部をさらに含むことができる。このような本発明の第３実施例に係る表示装置の画素配置構造について図１１を参照して詳細に説明する。
【0210】
図１１は本発明の第３実施例に係る表示装置の概略的な平面図であって、バンク構成を中心に図示し、図２を共に参照して説明する。本発明の第３実施例に係る表示装置は、透明部を除いては第１実施例と実質的に同じ構成を有し、同一構成に対しては同一符号を付与し、これに対する説明は省略したり簡略にする。
【0211】
図１１に図示した通り、本発明の第３実施例に係る表示装置３０００で、一つの画素Ｐは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡを含む。この時、一つの画素Ｐは３個の発光部ＥＡと３個のレーザー部ＬＡおよび３個の透明部ＴＡを含むことができる。
【0212】
より詳細には、一つの画素ＰはＹ方向である第２方向に沿って順次配置された第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む。一例として、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３はそれぞれ赤、緑、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の副画素であり得る。第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれはＸ方向である第１方向に沿って配置された発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡを含むことができる。
【0213】
また、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれで、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡは同じ面積を有し、透明部ＴＡは発光部ＥＡまたはレーザー部ＬＡより大きい面積を有することができる。これとは異なり、レーザー部ＬＡの面積は発光部ＥＡの面積より小さくてもよく、透明部ＴＡの面積は発光部ＥＡの面積と同一であり得る。しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。
【0214】
このような第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡはバンク３５０により定義され得る。隣接した第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡの間、レーザー部ＬＡの間、透明部ＴＡの間、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡ、そしてレーザー部ＬＡと透明部ＴＡの間にはバンク３５０が配置される。また、隣接した画素Ｐの発光部ＥＡの間、レーザー部ＬＡの間、透明部ＴＡの間、そして透明部ＴＡと発光部ＥＡの間にもバンク３５０が配置される。
【0215】
バンク３５０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの発光部ＥＡに対応して第１開口部３５０ａを有し、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれのレーザー部ＬＡに対応して第２開口部３５０ｂを有する。また、バンク３５０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３それぞれの透明部ＴＡに対応して第３開口部３５０ｃを有する。すなわち、バンク３５０は一つの画素Ｐに対して３個の第１開口部３５０ａと３個の第２開口部３５０ｂおよび３個の第３開口部３５０ｃを有する。
【0216】
しかし、本発明の実施例はこれに制限されない。これとは異なり、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の第２開口部３５０ｂおよび／または第３開口部３５０ｃは互いに接続されて一体に備えられ得る。このような場合、一つの画素Ｐは３個の第１開口部３５０ａと一つの第２開口部３５０ｂおよび一つの第３開口部３５０ｃを有することができる。すなわち、一つの画素Ｐは３個の発光部ＥＡと一つのレーザー部ＬＡおよび一つの透明部ＴＡを含むことができる。
【0217】
このような第１および第２開口部３５０ａ、３５０ｂは有効発光領域を定義し、第３開口部３５０ｃは有効開口領域を定義する。
【0218】
前述した通り、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡに第１発光ダイオードＤｅ１を含み、レーザー部ＬＡに第２発光ダイオードＤｅ２を含む。反面、透明部ＴＡにはいかなる発光ダイオードも備えられない。これに伴い、一つの画素Ｐは３個の第１発光ダイオードＤｅ１と３個の第２発光ダイオードＤｅ２を含む。これとは異なり、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡが互いに接続されて一体に備えられる場合、一つの画素Ｐは３個の第１発光ダイオードＤｅ１と３個の第２発光ダイオードＤｅ２を含むことができる。
【0219】
また、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３はレーザー部ＬＡに下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０を含む。ここで、下部ミラー層１４０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡにも備えられ、透明部ＴＡには備えられない。反面、上部ミラー層１６０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡにのみ備えられ、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３ミラー層１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃを含む。
【0220】
このような第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡはそれぞれ赤、緑、青色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のレーザービームを発生させることができる。これとは異なり、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡが互いに接続されて一体に備えられる場合、レーザー部ＬＡは緑色のレーザービームを発生させることができる。
【0221】
一方、図示してはいないが、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡには図２のカラーフィルタ１７０が備えられ、カラーフィルタ１７０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３カラーフィルタを含む。
【0222】
このような本発明の第３実施例に係る表示装置３０００の平面構造について図１２を参照して詳細に説明する。
【0223】
【0224】
図１２に図示した通り、本発明の第３実施例に係る表示装置３０００では、Ｘ方向である第１方向に沿って３個のゲート配線ＧＬが延び、Ｙ方向である第１方向に沿って第１および第２データ配線ＤＬ１、ＤＬ２と１個の第１電源配線ＰＬｄおよび１個の第２電源配線ＰＬｓが延び、これらは互いに交差して第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む画素Ｐを定義する。第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は第２方向に沿って配置され得る。また、第１および第２データ配線ＤＬ１、ＤＬ２の間に第１電源配線ＰＬｄが配置され、第１および第２電源配線ＰＬｄ、ＰＬｓの間に第１データ配線ＤＬ１が配置され得る。第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のそれぞれは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡを含み、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡは第１方向に沿って配置され得る。
【0225】
【0226】
各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の発光部ＥＡには第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、キャパシタ電極ＣＥ、そして第１画素電極ＰＥ１が備えられ、各副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のレーザー部ＬＡには第３トランジスタＴ３と第２画素電極ＰＥ２が備えられる。
【0227】
第１トランジスタＴ１は第１データ配線ＤＬ１と各ゲート配線ＧＬの交差地点に位置し、第１データ配線ＤＬ１および各ゲート配線ＧＬに接続される。第２トランジスタＴ２は第１電源配線ＰＬｄおよび第１画素電極ＰＥ１と接続される。
【0228】
キャパシタ電極ＣＥは第１および第２トランジスタＴ１、Ｔ２と接続され、第１画素電極ＰＥ１と重なってストレージキャパシタをなす。これとは異なり、キャパシタ電極ＣＥは第１画素電極ＰＥ１と接続される別途の電極と重なってストレージキャパシタをなしてもよい。
【0229】
第３トランジスタＴ３は第２データ配線ＤＬ２と各ゲート配線ＧＬの交差地点に位置し、第２データ配線ＤＬ２および各ゲート配線ＧＬに接続される。また、第３トランジスタＴ３は第２画素電極ＰＥ２と接続される。
【0230】
これに伴い、本発明の第３実施例に係る表示装置３０００で、一つの画素Ｐは３個の第１画素電極ＰＥ１と３個の第２画素電極ＰＥ２を含み、第１トランジスタＴ１と第３トランジスタＴ３は同じゲート配線ＧＬに共に接続され、互いに異なる第１および第２データ配線ＤＬ１、ＤＬ２にそれぞれ接続される。
【0231】
このような本発明の第３実施例に係る表示装置３０００の発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡの断面構造について図１３を参照して詳細に説明する。
【0232】
図１３は本発明の第３実施例に係る表示装置の概略的な断面図であり、図１１のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に対応する断面、すなわち、第２副画素の断面を図示し、図１１を共に参照して説明する。本発明の第３実施例に係る表示装置は透明部を除いては第１実施例と実質的に同じ構成を有し、同一構成に対して同一符号を付与し、これに対する説明は省略したり簡略にする。
【0233】
図１３に図示した通り、本発明の第３実施例に係る表示装置３０００は基板１００上に備えられる少なくとも一つの画素Ｐを含み、少なくとも一つの画素Ｐは多数の副画素ＳＰ、すなわち、第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を含む。各副画素ＳＰは発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡを有する。
【0234】
具体的には、基板１００上にバッファ層１０２が備えられ、バッファ層１０２上に第１薄膜トランジスタＴｒ１と第２薄膜トランジスタＴｒ２そして順次積層されたゲート絶縁膜１０４、パッシベーション膜１０６およびオーバーコート層１０８が備えられる。
【0235】
第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２はそれぞれ発光部ＥＡとレーザー部ＬＡに配置され、第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の上部にオーバーコート層１０８が配置される。
【0236】
オーバーコート層１０８の上部には下部ミラー層１４０が備えられ、下部ミラー層１４０は発光部ＥＡとレーザー部ＬＡに配置される。下部ミラー層１４０は透明部ＴＡには備えられない。
【0237】
下部ミラー層１４０の上部には第１画素電極１３２と第２画素電極１３３が配置される。第１画素電極１３２は発光部ＥＡに配置されて第１コンタクトホール１４０ａを通じて第１薄膜トランジスタＴｒ１に接続され、第２画素電極１３３はレーザー部ＬＡに配置されて第２コンタクトホール１４０ｂを通じて第２薄膜トランジスタＴｒ２に接続される。
【0238】
第１画素電極１３２は三重層構造で第１層１３２ａと第２層１３２ｂおよび第３層１３２ｃを含み、第１層１３２ａと第３層１３２ｃは透明電極であり、第２層１３２ｂは反射電極であり得る。反面、第２画素電極１３３は単一層構造であって、一つの透明電極を含むことができる。
【0239】
第１および第２画素電極１３２、１３３の上部にはバンク３５０が備えられる。バンク３５０は発光部ＥＡの第１画素電極１３２を露出する第１開口部３５０ａとレーザー部ＬＡの第２画素電極１３３を露出する第２開口部３５０ｂを有し、透明部ＴＡのオーバーコート層１０８の上面を露出する第３開口部３５０ｃを有する。このようなバンク３５０は下部ミラー層１４０の上面および側面と接触することができる。
【0240】
発光部ＥＡの第１画素電極１３２の上部には第１発光層１３４が備えられ、レーザー部ＬＡの第２画素電極１３３の上部には第２発光層１３５が備えられる。第１発光層１３４と第２発光層１３５は白色光を放出することができる。
【0241】
第１および第２発光層１３４、１３５の上部には共通電極１３６が備えられる。共通電極１３６は実質的に基板１００の全面に位置して、発光部ＥＡとレーザー部ＬＡおよび透明部ＴＡのすべてに配置され得る。これに伴い、共通電極１３６は透明部ＴＡでオーバーコート層１０８の上面と接触することができる。これとは異なり、共通電極１３６は透明部ＴＡで除去されていてもよい。
【0242】
発光部ＥＡの第１画素電極１３２と第１発光層１３４および共通電極１３６は第１発光ダイオードＤｅ１を構成し、レーザー部ＬＡの第２画素電極１３３と第２発光層１３５および共通電極１３６は第２発光ダイオードＤｅ２を構成する。
【0243】
次に、レーザー部ＬＡの共通電極１３６の上部、すなわち、レーザー部ＬＡの第２発光ダイオードＤｅ２の上部には上部ミラー層１６０が備えられる。
【0244】
前述した通り、下部ミラー層１４０と上部ミラー層１６０のそれぞれは相対的に高い屈折率を有する高屈折率層と相対的に低い屈折率を有する低屈折率層が交互に積層された構造を有する。
【0245】
例えば、高屈折率層はＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、またはＺｎＳからなり得、低屈折率層はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３からなり得る。
【0246】
一方、上部ミラー層１６０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応して互いに異なる厚さを有する。この場合、第２副画素ＳＰ２の上部ミラー層１６０の厚さは第１副画素ＳＰ１の上部ミラー層１６０の厚さより小さく、第３副画素ＳＰ３の上部ミラー層１６０の厚さより大きくてもよい。
【0247】
また、上部ミラー層１６０の厚さは下部ミラー層１４０の厚さより小さく、下部ミラー層１４０の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差は上部ミラー層１６０の高屈折率層と低屈折率層の屈折率の差より大きくてもよい。
【0248】
次に、発光部ＥＡの共通電極１３６の上部とレーザー部ＬＡの上部ミラー層１６０の上部および透明部ＴＡの共通電極１３６の上部にはエンカプセレーション層１８０が備えられ、エンカプセレーション層１８０の上部には対向基板１９０が備えられる。
【0249】
また、発光部ＥＡでエンカプセレーション層１８０と対向基板１９０の間にはカラーフィルタ１７０が備えられる。カラーフィルタ１７０は第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する第１、第２、第３カラーフィルタ、例えば、赤、緑、青色フィルタを含む。
【0250】
このように、本発明の第３実施例に係る表示装置３０００で、一つの画素Ｐは第１、第２、第３副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３にそれぞれ対応する３個の発光部ＥＡと３個のレーザー部ＬＡおよび３個の透明部ＴＡを含む。これに伴い、平常時に発光部ＥＡを通じてカラー映像を表示しながら、透明部ＴＡを通じて背景のような周辺環境情報を共に表示することができる。また、非常状況時、レーザー部ＬＡを通じて情報を表示することによって人命救助を助けることができる。
【0251】
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の通常の技術者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。
【符号の説明】
【0252】
Ｐ：画素
ＳＰ：副画素
ＥＡ：発光部
ＬＡ：レーザー部
１００：基板
Ｔｒ１：第１薄膜トランジスタ
Ｔｒ２：第２薄膜トランジスタ
１４０：下部ミラー層
１６０：上部ミラー層
Ｄｅ１：第１発光ダイオード
Ｄｅ２：第２発光ダイオード
１７０：カラーフィルタ
ＴＡ：透明部
ＳＰ：副画素
ＥＡ：発光部
ＬＡ：レーザー部
１００：基板
Ｔｒ１：第１薄膜トランジスタ
Ｔｒ２：第２薄膜トランジスタ
１４０：下部ミラー層
１６０：上部ミラー層
Ｄｅ１：第１発光ダイオード
Ｄｅ２：第２発光ダイオード
１７０：カラーフィルタ
ＴＡ：透明部
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
